JP2009078237A - 半導体,液晶製造装置からの排出ガス処理方法 - Google Patents
半導体,液晶製造装置からの排出ガス処理方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】
半導体,液晶製造装置からの排ガスを効率よく処理することができる。
【解決手段】
CVD装置50からの排出ガスをモノシラン除去工程51に導入して排出ガス中から少なくともモノシランを除去し、エッチング装置52からの排出ガスをPFC分解工程53に導入して排出ガス中から少なくともPFCを除去した後に、少なくともモノシラン除去工程51及びPFC分解工程63からの排出ガスを混合し、その混合ガスをNOx除去工程54に導入して排出ガス中から少なくともNOxを除去する。
【選択図】図7
半導体,液晶製造装置からの排ガスを効率よく処理することができる。
【解決手段】
CVD装置50からの排出ガスをモノシラン除去工程51に導入して排出ガス中から少なくともモノシランを除去し、エッチング装置52からの排出ガスをPFC分解工程53に導入して排出ガス中から少なくともPFCを除去した後に、少なくともモノシラン除去工程51及びPFC分解工程63からの排出ガスを混合し、その混合ガスをNOx除去工程54に導入して排出ガス中から少なくともNOxを除去する。
【選択図】図7
Description
本発明は、半導体,液晶製造装置からの排出ガス中のNOxを無害化する排出ガス処理方法に関する。
半導体,液晶の製造により、生活は劇的に変化し、快適となった。しかし、その一方で、製造プロセスから排出されるガスには、温暖化ガス,酸性ガス,人体に影響を与えるガスが含まれており、それらの処理ニーズが世界規模で高まっている。
発明者らは、半導体,液晶製造エッチング装置からの排出ガス中に含まれる温暖化ガスのPFC(パーフルオロコンパウンド)を処理する方法を開発し、製品化した。また、CVD装置からの排出ガス中に含まれる爆発性ガスのモノシラン(SiH4)を処理する装置は既に存在する。
〔特許文献1〕には、CVD処理を施す処理装置から排気される排ガスの有害成分、例えばモノシラン,三フッ化窒素,四フッ化ケイ素などを吸着除去する反応槽に冷却手段を設けた排ガス処理装置が記載されている。
〔特許文献1〕には、モノシランを吸着除去する装置が記載されているが、これらのガス中のNOx処理については配慮されていないものである。このように、半導体,液晶製造装置からの排出ガス中のNOx処理は現在なされていないが、将来的に処理規制が行われると予想される。
本発明の目的は、半導体,液晶製造装置からの排出ガス中のNOxを効率良く、低コストで処理する排出ガス処理方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の半導体,液晶製造装置からの排出ガス処理方法は、CVD装置からの排出ガスをモノシラン除去工程に導入して排出ガス中から少なくともモノシランを除去し、エッチング装置からの排出ガスをPFC除去工程に導入して排出ガス中から少なくともPFCを除去した後に、少なくともモノシラン除去工程及びPFC分解工程からの排出ガスを適切な条件で混合し、その混合ガスをNOx除去工程に導入して排出ガス中から少なくともNOxを除去するものである。
また、モノシラン除去工程からの排出ガスにPFCが含まれる場合は、エッチング装置からの排出ガスに混合してPFC除去工程に導入するものである。
また、モノシラン除去工程からの排出ガス中のPFCを分析し、PFCが含まれる場合は、ガス流路切替弁を制御し、エッチング装置からの排出ガスに混合してPFC除去工程に導入するものである。
また、エッチング装置からの排出ガス中に、アッシング装置からの排出ガスを混合してPFC除去工程に導入するものである。
本発明によれば、半導体,液晶製造装置からの排ガス中のNoxを効率よく、低コストで処理することができる。
発明者らは、半導体,液晶エッチング装置からの排ガス中の温暖化ガスであるPFCを触媒で分解する装置を開発した。PFCの一種であるNF3を分解すると、NOxが生成する。燃焼式や熱分解式の処理装置でも、高温の運転モードではNOxが発生する。また、半導体,液晶製造における別のラインであるCVD装置では、エッチング装置からの排ガスの処理より前段に、モノシラン除去装置が設置されているが、燃料を投入した場合にNOxが発生する。本発明の各実施例は、これらの排ガスを一括して無害化処理する方法を提供する。
半導体,液晶製造装置からの排ガスにはモノシラン,PFC,NOx,HFなどが含まれている。これらは爆発性であり、環境問題を引き起こし、人体に有害であるため、処理する必要がある。
数1に示すように、モノシランは酸素との反応により、SiO2とH2Oに転化される。また、数2〜数6に示すように、PFCを加水分解すると、炭素系PFCの場合は、CO,CO2及びHFが、SF6の場合は、SO3,HFが、そしてNF3の場合は、NOやNO2のNOxとHFが生成する。また、これらの処理の際に、高温の酸化分解や熱分解反応を使用した場合は、サーマルNOxが生成する。
(数1)
SiH4+2O2 → SiO2+2H2O (1)
(数2)
CF4+2H2O → CO2+4HF (2)
(数3)
C2F6+3H2O → 2CO2+6HF (3)
(数4)
CHF3+H2O → CO+3HF (4)
(数5)
SF6+3H2O → SO3+6HF (5)
(数6)
NF3+3/2H2O → 1/2NO+1/2NO2+3HF (6)
NOxを無害化する方法としては、触媒を用いた選択的還元反応や、直接還元法などがある。これらは少ない投入エネルギーで、効率良くNOxをN2に変化させることができる。NOxを除去する方法としては、例えばアンモニアによる選択的NO還元反応を使用することができる。数7にNOの還元反応を示す。この反応は、O2共存下で進行する。ただし、H2Oが存在すると反応は進行しにくくなる。
(数7)
NO+NH3+O2 → N2+H2O (7)
数2〜数4に示すようにC系PFCを分解するとHFが生成する。通常ハロゲン化水素は触媒性能を低下させる被毒物質であるため、例えば、NOx処理として触媒による選択的還元反応を使用した場合、このHFを処理ガス中から除去した後に、NOxを含むガスを還元触媒に接触させることが望ましく、生成した、もしくは反応で使用しなかったH2Oを処理ガス中から除去することが還元率を向上させる重要なポイントである。
(数1)
SiH4+2O2 → SiO2+2H2O (1)
(数2)
CF4+2H2O → CO2+4HF (2)
(数3)
C2F6+3H2O → 2CO2+6HF (3)
(数4)
CHF3+H2O → CO+3HF (4)
(数5)
SF6+3H2O → SO3+6HF (5)
(数6)
NF3+3/2H2O → 1/2NO+1/2NO2+3HF (6)
NOxを無害化する方法としては、触媒を用いた選択的還元反応や、直接還元法などがある。これらは少ない投入エネルギーで、効率良くNOxをN2に変化させることができる。NOxを除去する方法としては、例えばアンモニアによる選択的NO還元反応を使用することができる。数7にNOの還元反応を示す。この反応は、O2共存下で進行する。ただし、H2Oが存在すると反応は進行しにくくなる。
(数7)
NO+NH3+O2 → N2+H2O (7)
数2〜数4に示すようにC系PFCを分解するとHFが生成する。通常ハロゲン化水素は触媒性能を低下させる被毒物質であるため、例えば、NOx処理として触媒による選択的還元反応を使用した場合、このHFを処理ガス中から除去した後に、NOxを含むガスを還元触媒に接触させることが望ましく、生成した、もしくは反応で使用しなかったH2Oを処理ガス中から除去することが還元率を向上させる重要なポイントである。
このように、エッチング装置からの排ガスを処理する方法では、まずHFを排ガス中から除去し、次にPFCを分解し、その後、PFCの分解で生成したHFと排ガス中に含まれるH2Oを減少させた後で、NOxを還元処理する。
ただし、HFとH2Oの濃度が低ければ、NOx還元触媒の種類によってはそのままNOx還元処理プロセスにガスを導入してもよい。
また、CVD装置からの排ガスを処理する場合は、モノシランを酸化させて生成するSiO2,H2Oを除去してからNOxを除去する。
HFを排ガス中から除去する方法としては、水またはアルカリ水溶液を噴霧するスプレー塔,アルカリ固形物を使用する充填塔などを使用することができる。排ガス中に固形物を含む場合は、触媒層に固形物が流入すると触媒被毒の原因となるので、触媒層に流入する前に除去することが望ましい。
固形物を除去する方法としては、前述のスプレー塔や固形物を物理,化学固定するための薬剤や有機膜や無機ポーラス体等のフィルタを使用することができる。
排ガス中からH2Oを除去する方法としては、深冷,フィルタによる物理吸収,有機材や無機材への吸着を利用することができる。
PFC除去工程としては、燃焼式,熱分解式,プラズマ式、及び触媒式などを使用することができる。また、分解ではないが、化学的に固定する薬剤式も使用することができる。燃焼式では燃料が燃焼する際に発生するH2Oが分解後のガス中に含まれる。
運転モードによってはサーマルNOxが発生する。触媒式では加水分解法が一般的であり、前述の反応式のようにPFCを分解する。加水分解法以外では、アルコールや炭化水素を添加して分解する方法がある。また、酸化分解法がある。PFCを分解した後のHFを除去する方法としては、前述のHFを排ガスから処理する方法を用いることができる。
半導体,液晶製造工場には、主としてエッチング装置,CVD装置、及びアッシング装置が設置されている。
CVD装置では、PFCを装置内クリーニングのために使用する場合がある。また、モノシランが排ガス中に含まれるため、モノシラン除去工程は必要である。モノシラン除去工程は、通常、燃焼装置が用いられ、モノシランが酸化されて、H2OとSiO2が生成する。
PFCが排ガス中に含まれる場合には、1400℃程度に燃焼温度を上げてPFCを分解する。この場合、生成したサーマルNOxが排ガス中に含まれる。モノシラン処理で生成したSiO2は水スクラバーなどで排ガス中から除去される。この際に、排ガス中に含まれるHFなどの酸成分も除去される。このため、モノシラン除去工程から排出される排ガスの主要成分は、H2OとNOxとなる。
エッチング装置では、PFCをエッチングに使用する。エッチング装置からの排ガスには、エッチング生成物であるSiO2やSiF4,未利用のエッチング剤,PFCが含まれる。このためPFC分解工程は必要である。
触媒を用いるPFCの分解工程の場合は、まず、排ガス中の酸成分を機器の腐食を抑制するため除去する。その後、PFCを反応剤とともに所定条件で触媒に接触させ分解する。分解ガスはただちに冷却し、酸成分を除去する。このため、PFC分解工程から排出されるガスの主要成分はC系PFCの場合は、CO2,H2Oとなる。NF3を処理した場合は、NF3から生成するNOxが含まれる。
アッシング装置でもPFCを使用するため、アッシング装置からの排ガスをエッチング装置のPFC分解工程に送り、分解処理してもよい。また、CVD装置からの排ガス中にPFCが含まれる場合は、モノシラン処理工程でモノシランを除去した後に、PFCを含む排ガスをエッチング装置のPFC分解工程に送り、分解処理してもよい。複数のモノシラン除去工程からの排ガスを一括し、PFCセンサーにより排ガス中にPFCが存在するかどうかを測定し、PFCが存在する場合は、エッチング装置のPFC分解工程に、PFCが存在しない場合はNOx除去工程に排ガスを送るようにガス流路を切替えてもよい。
PFC除去工程からの排ガスをNOx分解工程に送る。NOx除去工程では、まず排ガス中のH2O量を低減し、その後、例えば選択的還元触媒に接触させてNOxをN2に変化させる。
PFC分解装置の運転方法は、例えば、エッチング装置からの排出ガス流を、有効量の水蒸気の存在下でAlを含んでなる触媒と約200〜800℃で接触させることによりPFCを分解し、化合物中のフッ素をフッ化水素に転化する。PFCと触媒が接触する際に、酸素が存在してもよい。
触媒が充填された反応器は、ハロゲン化合物を含むガス流が流入する側に予熱槽を有し、ガス流を予め加熱してもよい。
本発明の対象とするPFCは、ハロゲンとしてフッ素のみを含有する化合物である。化合物の構成成分としては、フッ素,炭素,酸素,硫黄,窒素などであり、化合物の一例としてはCF4,CHF3,CH2F2,CH3F,C2F6,C2HF5,C2HF5,C2H2F4,C2H3F3,C2H4F2,C2H5F,C3F8,CH3OCF2CF3,C4F8,C5F8,C4F6,SF6,NF3等である。
PFC分解触媒はAlを含んでなる触媒である。触媒中のAlは酸化物または他の金属との複合酸化物として存在する。また、Al以外に、Ni,Zn,Co,W,Zr,Ti,Fe,Sn,Ce,Pd,Pt,Auのうちの少なくとも一成分を含む触媒を用いることが出来る。さらに、原料として硫酸塩などを使用して触媒の酸性質を増加させて分解活性を高めることができる。
Al2O3単体でも使用する原料によって高い分解性能を持たすことができ、原料としてはベーマイトなどがあり、この粉末を、乾燥し、適切な温度で焼成したAl2O3触媒は高い分解活性を示す。
高い分解率を得るためには、Alと、Zn,Ni,Ti,Fe,Sn,Pt,Pd,Co,Zr,Ce,Siのうちの少なくとも一成分を含む触媒を用いればよい。この触媒中では、AlはAl2O3、または添加した金属成分と複合酸化物の状態で存在する。Zn,Ni,Ti,Fe,Sn,Pt,Pd,Co,Zr,Ce,Siは金属,酸化物、またはAlとの複合酸化物の状態で存在する。
これらの触媒では、Al:M(=Zn,Ni,Ti,Fe,Sn,Co,Zr,Ce,Si)の原子比がAlが50〜99mol%でMが50〜1mol%であることが好ましい。またはPt,PdをAl2O3重量に対し、0.1〜2wt%で含有することが好ましい。Pt,Pd以外の貴金属の使用も好ましい。Mとしては一成分あるいは一成分以上でも構わないが、一成分以上の場合の添加量は、金属成分の合計が50〜1mol%の範囲となることが好ましい。添加成分が多いとAl2O3の分解活性を抑制する。
また、長い触媒寿命を得るには触媒中のAl2O3の結晶化を抑制することが必須であり、NiAl2O4,ZnAl2O4などのように、添加した金属成分とAlとを複合酸化物化することが有効な手段の一つである。触媒性能向上の方法としては、触媒中にSを添加する方法がある。Sの添加方法としては、触媒調製時に硫酸塩を使用する、硫酸を使用する、などがある。触媒中のSはSO4イオンの形などで存在し、触媒の酸性質を強める働きをする。
反応温度は、約200〜800℃が好ましい。特に炭素とフッ素,水素から少なくとも構成されるハロゲン化合物については、約500〜800℃が好ましい。これ以上高温で使用すると、高分解率は得られるが、触媒の劣化が速い。また、装置材料の腐食速度が急激に大きくなる。逆に、これ以下の温度では分解率が低い。
また、HFを除去する工程としては、水を使用することができるが、アルカリ溶液をスプレーして洗浄するものが高効率であり、結晶析出などによる配管の閉塞が起こりにくいので好ましい。アルカリ溶液中に分解生成ガスをバブリングする方法あるいは充填塔を用いて洗浄する方法でもよい。また、アルカリ性の固体を用いてもよい。
触媒を調製するためのAl原料としては、γ−アルミナ,γ−アルミナとδ−アルミナの混合物などを使用することができる。特にベーマイトなどをAl原料として用い、最終的な焼成により酸化物を形成するのも好ましい方法である。
触媒を調製するための各種金属成分の原料としては、硝酸塩,硫酸塩,酢酸塩,アンモニウム塩,塩化物などを用いることができる。特にTi原料としては、硫酸チタン,チタニアゾルなどを使用することができる。
触媒の製造法は通常触媒の製造に用いられる沈殿法,含浸法,混練法、などいずれも使用できる。
また、触媒は、そのまま粒状,ハニカム状などに成形して使用することができる。成形法としては、押し出し成形法,打錠成形法,転動造粒法など目的に応じ任意の方法を採用できる。また、セラミックスや金属製のハニカムや板にコーティングして使用することもできる。
処理を実施するために使用される反応器は、通常の固定床,移動床あるいは流動床型のものでよいが、分解生成ガスとしてHFなどの腐食性のガスが発生するので、これらの腐食性のガスによって損傷しにくい材料で反応器を構成すべきである。
NOx除去工程として、選択的NOx除去触媒を使用する例を示す。エッチングからの排ガスからH2OとHFを除去した後、所定量のアンモニアを該排ガスに添加し、所定温度で触媒と接触させる。添加するアンモニアの量はNOxの1.1〜1.5倍が望ましい。少ないとNOxが十分還元されず、多すぎると余剰のアンモニアがNOx除去工程の排ガスに含まれてしまう。反応温度は300〜500℃が好ましい。特に350〜450℃が望ましい。低すぎると還元率が低く、高すぎると触媒が早期に劣化する。
HFを除去した後のエッチング排ガスやCVD排ガスを反応温度まで加熱するため、PFC分解工程やモノシラン除去工程で使用するヒーターの余熱を利用してもよい。
例えば、使用するヒーターにガス配管を近接させたり、熱交換器を設置したりすることができる。
選択的NOx還元触媒は、V2O5,MoO3,Cu2O,Fe2O3,MnO2等を使用することができる。またメソポーラスシリカ等のメソポーラス体やゼオライト等の多孔体に触媒活性成分を担持してもよい。活性成分が数nmオーダーで高分散した触媒は200〜300℃の低温で高活性を示す。
以下、本発明の各実施例を図面を用いて説明する。
本発明の実施例1を図1から図4により説明する。図1に示すように、CVD装置50からの排ガスをモノシラン除去工程51に導入し、モノシランを除去する。モノシランを分解するとHFとSiO2が生成するため、スクラバーなどでHFとSiO2を除去する。HFとSiO2を除去した後の排ガス中には燃料が燃焼して生成したH2OとNOxが含まれる。
一方、エッチング装置52からの排ガスはPFC分解工程53に導入し、PFCを除去する。PFCを分解した後の排ガスにはHFやH2O,NOxなどが含まれる。このため、モノシラン除去工程51と同様にスクラバーなどでHFとSiO2を除去する。
このスクラバーはいずれかの工程のものを共有してもよい。HFを除去し、H2Oを除去した後、NOx除去工程54に導入する。NOx除去工程54ではアンモニアを添加して選択的NOx還元触媒でNOxをN2に転化する。
図2は、モノシラン除去工程51からの排ガス中にPFCが含まれる場合である。この場合、PFCを含むモノシラン除去工程51からの排ガスをエッチング装置52からの排出ガスに混合し、PFC分解工程53に導入する。PFCを除去した後、NOx除去工程54でNOxを除去する。
この際、図3に示すように、モノシラン除去工程51からの排出ガス中のPFCをPFCセンサ55によりモニタリングし、PFCが検出された場合は、流路切替弁56を切替えてPFC分解工程53の前段でエッチング排ガスに混合し、PFCが検出されなかった場合は、流路切替弁56を切替えてPFC分解工程53の後段でエッチング排ガスに混合してもよい。
また、図4に示すようにアッシング装置57にPFCが含まれる場合は、エッチング装置52からの排ガスに混合し、PFC分解工程53でPFCを除去する。
本発明の実施例2である半導体,液晶製造装置からの排出ガス処理方法を図5により説明する。
本実施例は、モノシラン除去工程51にモノシラン除去装置60と排ガス精製装置61を使用するものである。CVD装置50からの排ガスは図示しない真空ポンプにて排気される。
この際、真空ポンプにパージN2が添加される。N2で希釈されたCVD装置50からの排ガスは、爆発性のモノシランを含むため、モノシラン除去装置60で除去される。モノシラン除去装置60は、通常、燃焼装置が用いられる。モノシラン除去装置60内では、モノシランがSiO2とH2Oに転化される。また、燃料を使用した場合は燃焼によりNOxが生成する。
SiO2は析出性の固形物であり、排ガス精製装置61にて少なくともSiO2を排ガス中から除去する。排ガス精製装置61としては、SiO2除去装置を使用することができる。例えば、水などを排ガスと接触させる気液接触装置や、SiO2を固定化する薬剤装置などがある。
一方、エッチング工程に、不純物除去装置62,PFC分解装置63,排ガス精製装置64を使用する例である。エッチング装置52からの排ガスも、CVD装置50と同様に真空ポンプで排気される。同様にパージN2が添加され、希釈される。エッチング装置52からの排ガスは、エッチング剤のPFC,エッチング生成物であるSi化合物,HFなどの酸成分などが含まれている。
PFCは地球温暖化ガスであり、大気放出できないため、PFC分解装置63で分解除去される。PFC分解装置63は、触媒式,燃焼式,プラズマ式,薬剤式などが使用される。ここでは触媒式を例にとる。触媒式の場合は、触媒中に固形物や触媒上で固形物化する成分が流入すると、満足する性能が得られないため、不純物除去装置62で上述の不純物を除去する。不純物としては、SiF4などのSi化合物がある。
不純物除去装置62としては、固形物除去装置を使用することができる。例えば、水やアルカリ水溶液と排ガスを接触させる気液接触装置や、反応させて固定化する薬剤装置などがある。
不純物を除去した後、排ガスをPFC分解装置63に導入する。触媒で加水分解する場合は、PFCが分解してCO2やHFなどが生成する。PFCの一種であるNF3を分解した場合は、NOxが生成する。
HFは腐食性ガスであり、かつ人体に有害なため、排ガス中からなるべく早く除去する。このため、排ガスはPFC分解装置63の後に排ガス精製装置64へ導入される。排ガス精製装置64は、前述の水やアルカリ水溶液と排ガスを接触させる気液接触装置や、反応させて固定化する薬剤装置などを使用することができる。
排ガス精製装置64からの排ガス中にはNOxが含まれるため、NOx除去装置66でNOxを除去するが、排ガス中に共存するH2OはNOx除去反応を阻害するため、前段の脱水装置65で除去する。
脱水装置65としては、深冷,フィルタによる物理吸収、有機材や無機材への収着を使用することができる。NOx除去装置65としては、一般的なNOx除去装置を用いることができるが、酸性ガスが含まれる場合は、触媒を用いた選択的NOx還元装置を使用することが望ましい。この場合、還元剤としてアンモニアを排ガス中に添加し、NOxをN2に転化する。本システムの最後段に排気装置67を設置し、系内を負圧に維持する。
本発明の実施例3を図6により説明する。本実施例ではモノシラン除去工程51としてモノシラン除去装置60で除去する場合の例である。本実施例の処理フローを示す図6から分るように、モノシラン除去装置60からの排ガス中にはSiO2やH2Oが含まれており、PFC分解装置63の後に設置された排ガス精製装置64を用いてSiO2を除去する。PFC分解装置63の前段の不純物除去装置62に導入してもよい。
本発明の実施例4を図7により説明する。本実施例は、CVD装置排ガス中にPFCが含まれ、モノシラン除去工程51に排ガス精製装置61を設置した例である。本実施例の処理フローを示す図7から分るように、モノシラン除去装置60の温度を上げてPFCを処理することができるが、残存するPFCを不純物除去装置63からの排ガスに混合してPFC分解装置で処理してもよい。
本発明の実施例5を図8により説明する。本実施例は、CVD装置50からの排ガス中にPFCが含まれ、モノシラン除去工程51に排ガス精製装置61を設置していない例である。図8に示すように、モノシラン除去装置60からの排ガス中からSiO2を除去するためエッチング装置52からの排ガスに混合している。
本発明の実施例6を図9により説明する。本実施例は、PFCセンサ55を用いてCVD装置50からの排ガス中のPFCを検出し、流路を切替える例である。本実施例の処理フローを示す図9から分るように、PFCセンサ55としては赤外吸収分析計やガスクロマトグラフ分析計などのPFCを分析可能な計器を使用する。PFCセンサ55でPFCを検知した場合は、例えば、モノシラン除去工程51の後の排ガス精製装置61を通過した排ガス流路を流路切替え装置68により電気的に切替え、PFCセンサ55の検出値からPFCが有ると判断された場合は、PFC分解装置63の前段に、PFCセンサ55の検出値からPFCが無いと判断された場合はPFC分解装置63の後段の排ガス精製装置64からの排ガスに混合してもよい。
本発明の実施例7を図10により説明する。本実施例は、図9に示す装置にアッシング装置57からの排ガスも処理できるようにした例である。本実施例の処理フローを示す図10から分るように、アッシング装置57からの排ガスはエッチング装置52からの排ガスに混合し、不純物除去装置62で不順物を除去した後にPFC分解装置63に導入し、PFCを分解する。
本発明の実施例8を図11により説明する。本実施例は、CVD装置50からの排ガス中にPFCが含まれる場合に、PFC濃縮装置69を用いて排ガス量を少なくしてエッチング装置52からの排ガスを処理するPFC分解装置63でPFCを分解する例である。本実施例の処理フローを示す図11から分るように、PFC濃縮装置69としては、圧力を利用する膜分離や、有機膜などを使用することができる。一定時間PFCを濃縮し、濃縮したPFCを少量のパージガスで脱離させる。パージガスとしては、N2が望ましいが、Airや他の不活性ガスでもよい。
本発明の実施例9を図12,図13により説明する。図12,図13はCVD装置50からの排ガスとエッチング装置52からの排ガス中のPFCを処理する例である。CVD装置50からの排ガスの精製の有無により、エッチング装置52からの排ガスと混合する部位を変える。
排ガス精製装置61がある場合は、図12に示すように、不純物除去装置62の後段で混合させ、排ガス精製装置61がない場合は、図13に示すように、不純物除去装置62の前段で混合させている。
本発明の実施例10を図14により説明する。図14は、半導体,液晶製造装置からの排出ガス処理装置の構成図である。
CVD装置50からの排ガス80は、モノシラン除去装置60である燃焼炉40に導入する。燃焼炉40には燃料と酸素または空気2が供給され、火炎領域41でモノシランがSiO2とH2Oに転化する。
一方、エッチング炉100からの排ガスは真空ポンプ101で真空排気される。このガスに燃焼炉40からの排ガスが混合される。混合されたガスは、アルカリ水溶液102がノズル103から噴霧される不純物除去装置62に導入され、SiO2や不純物が除去される。不純物除去装置62を通過したガスはPFC分解装置63の反応器4に導入される。
反応器4は電気ヒーター6で加熱される。反応器4には反応剤である水10が供給される。また、COが存在する場合は、空気3を転化してもよい。なお、反応剤である水は純水が好ましい。純水が供給できない場合は、イオン交換水でイオン成分を除去した後に反応器4に供給する。
反応器4の上部で750〜800℃に予熱されたガスはPFC分解触媒8に導入され、PFCが分解される。高温の分解ガスは冷却室11で急冷され、分解で生成したHFを除去するため、充填材12が充填された排ガス精製装置64に導入される。排ガス精製装置64を通過したガスがミスト成分を同伴している場合は、サイクロン21などのミストキャッチャーで粗大ミストを粗取りしてもよく、粗取りした後に脱水装置65で水分を除去する。
脱水装置65を通過したガスに所定量のNH3を添加する。排ガスは、電気ヒーター6で200〜500℃に加熱された選択的NOx還元触媒23と接触させてNOxをN2に転化する。
装置系内はブロワ16の吸引排気により負圧に保持する。最終的にブロワ16から排ガス17が排気される。また、使用した水またはアルカリ水溶液はポンプ19で排水20される。
本発明の実施例11を説明する。本実施例は、図7に示す処理フローによるモノシラン除去工程51の排ガスにPFCとしてC3F8ガスが含まれ、エッチング装置排ガスにCF4,NF3が含まれる場合の処理例である。
モノシラン除去装置60からの排ガス80L/minには、少なくともC3F8とモノシラン分解生成物であるSiO2とH2Oが含まれた。このガスからSiO2を除去するため、水を噴霧するスクラバーで除去した。モノシラン除去工程51から排出されたガス中のC3F8濃度は200ppmであった。
一方、エッチング装置52からの排ガス40L/minにはPFCとしてCF4とNF3がそれぞれ、1000ppm,500ppmで含まれた。排ガスは水を噴霧する気液接触型の不純物除去装置62に導入され、SiF4やHFなどの不純物が除去された。
不純物除去装置62を通過したガスは前述のモノシラン除去工程51からのC3F8を含む排ガスとともに、PFC分解装置63の予熱槽で750〜800℃程度に加熱された。
なお、予熱槽では20ml/minの水を加熱して水蒸気化してPFC含有ガス中に添加した。さらに、生成するCOの酸化剤として空気中の酸素を使用するため、20L/minの空気も同様に加熱した。加熱された排ガスは空間速度SV=1,000h-1の条件で触媒と接触させた。
分解生成ガスは噴霧される冷却室で約750℃から70℃程度に急冷された。急冷後に水を噴霧する気液接触型の排ガス精製装置64でHFなどの酸成分が除去された。酸成分除去後の排ガス中のPFC濃度は1ppm以下であり、PFC分解装置63に投入された反応ガス中のPFC量と排ガス精製装置64からの排出される分解ガス中のPFC量とから数8により算出した分解率は99%以上であった。また、NOが150ppmで含まれた。
排ガス精製装置64を通過したガス中には水分が含まれているため、脱水装置65にて水分を除去した後に、アンモニアの存在下で選択的NOx還元触媒と接触させた。NOx還元触媒が充填された反応器は外側から電気ヒーター6で400℃に加熱した。
空間速度は5,000h-1で、モル比でNH3/NO=1.3となるようアンモニアを添加した。NOx除去装置通過後のガス中には、N2のみであり、NOxは5ppm以下であり、NOxの低減が確認された。
ここで、PFC分解触媒は次のようにして製造した。市販のベーマイト粉末を120℃で1時間乾燥した。この乾燥粉末200gに、硝酸亜鉛6水和物85.38gを溶かした水溶液を添加し、混練した。混練後、250〜300℃で約2時間乾燥し、700℃で2時間焼成した。焼成物を粉砕,篩い分けして0.5〜1mm粒径として試験に供した。
また、選択的NOx還元触媒1は次のようにして製造した。市販の直径2〜3mmの粒状酸化チタンを粉砕し、篩い分けして0.5〜1.0mmの粒径にした後、120℃で2時間乾燥し、その後、この酸化チタン100gに対してパラタングステン酸アンモニウム82.2gを溶かした過酸化水素水を含浸し、再び120℃で2時間乾燥し、500℃で2時間焼成して試験に供した。
8 PFC分解触媒
23 選択的NOx還元触媒
60 モノシラン除去装置
200 CVD装置排ガス
23 選択的NOx還元触媒
60 モノシラン除去装置
200 CVD装置排ガス
Claims (6)
- CVD装置からの排出ガスをモノシラン除去工程に導入して排出ガス中から少なくともモノシランを除去し、エッチング装置からの排出ガスをPFC除去工程に導入して排出ガス中から少なくともPFCを除去した後に、少なくともモノシラン除去工程及びPFC分解工程からの排出ガスを混合し、その混合ガスをNOx除去工程に導入して排出ガス中から少なくともNOxを除去する半導体,液晶製造装置からの排出ガス処理方法。
- 前記モノシラン除去工程からの排出ガスにPFCが含まれる場合は、前記エッチング装置からの排出ガスに混合して前記PFC除去工程に導入する請求項1に記載の半導体,液晶製造装置からの排出ガス処理方法。
- 前記モノシラン除去工程からの排出ガス中のPFCを分析し、PFCが含まれる場合はガス流路切替え弁を制御し、前記エッチング装置からの排出ガスに混合して前記PFC除去工程に導入する請求項1に記載の半導体,液晶製造装置からの排出ガス処理方法。
- 前記エッチング装置からの排出ガス中に、アッシング装置からの排出ガスを混合して前記PFC除去工程に導入する請求項1に記載の半導体,液晶製造装置からの排出ガス処理方法。
- 前記モノシラン除去工程からの排出ガス中のPFCを濃縮し、濃縮されたPFCを前記エッチング装置からの排出ガスに混合して前記PFC除去工程に導入する請求項1に記載の半導体,液晶製造装置からの排出ガス処理方法。
- CVD装置からの排出ガスを、モノシラン除去工程に導入して排出ガス中から少なくともモノシランを除去した後にエッチング装置からの排出ガスに混合し、PFC除去工程に導入して排出ガス中からPFCを除去する半導体,液晶製造装置からの排出ガス処理方法。
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JP2011045832A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Hitachi Ltd | フッ素化合物分解触媒 |
EP2957334A1 (en) * | 2014-06-20 | 2015-12-23 | Ebara Corporation | Exhaust gas treatment apparatus |
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