JP3269456B2 - フッ素含有化合物の分解処理方法、触媒及び分解処理装置 - Google Patents
フッ素含有化合物の分解処理方法、触媒及び分解処理装置Info
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- JP3269456B2 JP3269456B2 JP17254398A JP17254398A JP3269456B2 JP 3269456 B2 JP3269456 B2 JP 3269456B2 JP 17254398 A JP17254398 A JP 17254398A JP 17254398 A JP17254398 A JP 17254398A JP 3269456 B2 JP3269456 B2 JP 3269456B2
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＦ4 ，Ｃ2Ｆ6，
ＳＦ6，ＮＦ3などのようにハロゲンとしてフッ素を含有
する化合物を低温で効率良く分解処理する方法及び触媒
並びに分解処理装置に関する。
ＳＦ6，ＮＦ3などのようにハロゲンとしてフッ素を含有
する化合物を低温で効率良く分解処理する方法及び触媒
並びに分解処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＦ4 ，Ｃ2Ｆ6，ＳＦ6，ＮＦ3などのよ
うにハロゲンとしてフッ素のみを含有するフッ素化合物
ガスは、半導体エッチング剤，半導体洗浄剤などに大量
に使用されている。しかし、これらの物質は大気中に放
出されると、地球の温暖化を引き起こすことが判明し
た。
うにハロゲンとしてフッ素のみを含有するフッ素化合物
ガスは、半導体エッチング剤，半導体洗浄剤などに大量
に使用されている。しかし、これらの物質は大気中に放
出されると、地球の温暖化を引き起こすことが判明し
た。
【０００３】ＣＦ4 ，Ｃ2Ｆ6，ＳＦ6，ＮＦ3などのガス
は、分子構成成分としてフッ素(Ｆ)を多く含有してい
る。フッ素はすべての元素の中でもっとも電気陰性度が
高く、化学的に非常に安定な物質を形成する。特にＣＦ
4 ，Ｃ2Ｆ6などは分子内力が強く、反応性に乏しい物質
である。この性質から、燃焼などで分解するには高温に
加熱する必要があり、大量のエネルギを消費する。ま
た、高温での分解反応は生成するフッ化水素などのガス
による装置材料の腐食速度が大きく、適切な分解処理方
法がないのが現状である。
は、分子構成成分としてフッ素(Ｆ)を多く含有してい
る。フッ素はすべての元素の中でもっとも電気陰性度が
高く、化学的に非常に安定な物質を形成する。特にＣＦ
4 ，Ｃ2Ｆ6などは分子内力が強く、反応性に乏しい物質
である。この性質から、燃焼などで分解するには高温に
加熱する必要があり、大量のエネルギを消費する。ま
た、高温での分解反応は生成するフッ化水素などのガス
による装置材料の腐食速度が大きく、適切な分解処理方
法がないのが現状である。
【０００４】分解処理方法として、現在、提案されつつ
あるのは、高温での燃焼技術である。しかしながらこの
方法では、プロパンなどの可燃ガスを使用するため、燃
焼により大量のＣＯ2 及び有害物質であるＮＯｘが生成
する。また、プロパンなどの可燃ガスを使用するため爆
発の危険性がある。また、１０００℃近くで燃焼するた
め、ハロゲン化合物の分解で生成する腐食性ガスによっ
て炉壁が損傷し、メンテナンスの頻度が高くなり運転コ
ストが大きくなる。従って、より低温でかつ有害物質を
生成しないで分解できる技術が必要である。
あるのは、高温での燃焼技術である。しかしながらこの
方法では、プロパンなどの可燃ガスを使用するため、燃
焼により大量のＣＯ2 及び有害物質であるＮＯｘが生成
する。また、プロパンなどの可燃ガスを使用するため爆
発の危険性がある。また、１０００℃近くで燃焼するた
め、ハロゲン化合物の分解で生成する腐食性ガスによっ
て炉壁が損傷し、メンテナンスの頻度が高くなり運転コ
ストが大きくなる。従って、より低温でかつ有害物質を
生成しないで分解できる技術が必要である。
【０００５】ハロゲン化合物の分解触媒について、これ
までに様々な特許が出願されているが、本発明の対象ガ
スであるハロゲンとしてフッ素のみを含有するハロゲン
化合物を分解したという報告は少ない。特開平3−66388
号公報には、チタニアを含む触媒によるハロゲン化合物
の加水分解について記載されているが、ハロゲンとして
フッ素のみを含有するＣＦ4 に対しては分解性能を示さ
ないと記述されている。また、Chem.Lett. (1989)pp.19
01−1904に記載されているように、岡崎らは、Ｆｅ2Ｏ3
／活性炭を用いてＣＦＣ−１４（ＣＦ4）を加水分解す
ることを試みたが、分解しなかった。ハロゲンとしてフ
ッ素のみを含有するフッ素化合物の分解については、特
開平7−116466 号公報に、フッ化水素処理無機酸化物か
らなる分解剤を用いた例が報告されている程度である。
までに様々な特許が出願されているが、本発明の対象ガ
スであるハロゲンとしてフッ素のみを含有するハロゲン
化合物を分解したという報告は少ない。特開平3−66388
号公報には、チタニアを含む触媒によるハロゲン化合物
の加水分解について記載されているが、ハロゲンとして
フッ素のみを含有するＣＦ4 に対しては分解性能を示さ
ないと記述されている。また、Chem.Lett. (1989)pp.19
01−1904に記載されているように、岡崎らは、Ｆｅ2Ｏ3
／活性炭を用いてＣＦＣ−１４（ＣＦ4）を加水分解す
ることを試みたが、分解しなかった。ハロゲンとしてフ
ッ素のみを含有するフッ素化合物の分解については、特
開平7−116466 号公報に、フッ化水素処理無機酸化物か
らなる分解剤を用いた例が報告されている程度である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ＣＦ
4 ，Ｃ2Ｆ6，ＳＦ6，ＮＦ3などのようにハロゲンとして
フッ素のみを含有するフッ素化合物を低温で効率良く分
解する分解処理方法、及び高い分解率と長い触媒寿命を
持つ分解触媒及び分解処理装置を提供するものである。
4 ，Ｃ2Ｆ6，ＳＦ6，ＮＦ3などのようにハロゲンとして
フッ素のみを含有するフッ素化合物を低温で効率良く分
解する分解処理方法、及び高い分解率と長い触媒寿命を
持つ分解触媒及び分解処理装置を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ＣＦ4 ，
Ｃ2Ｆ6，ＳＦ6，ＮＦ3などのようにハロゲンとしてフッ
素のみを含有する化合物を低温でかつ高効率で分解が可
能であり、また分解ガス中の腐食性ガスによる装置の腐
食が生じにくい分解処理方法の検討を詳細に進めた結
果、本発明に至った。
Ｃ2Ｆ6，ＳＦ6，ＮＦ3などのようにハロゲンとしてフッ
素のみを含有する化合物を低温でかつ高効率で分解が可
能であり、また分解ガス中の腐食性ガスによる装置の腐
食が生じにくい分解処理方法の検討を詳細に進めた結
果、本発明に至った。
【０００８】即ち、ハロゲンとしてフッ素のみを含有
し、該フッ素を炭素，硫黄及び窒素から選ばれた元素と
の化合物にて含むガス流を、水蒸気の存在下でＡｌを含
んでなる触媒と約２００〜８００℃で接触させ前記フッ
素化合物を加水分解して、ガス流中の前記フッ素化合物
をフッ化水素に転化する方法を見いだした。
し、該フッ素を炭素，硫黄及び窒素から選ばれた元素と
の化合物にて含むガス流を、水蒸気の存在下でＡｌを含
んでなる触媒と約２００〜８００℃で接触させ前記フッ
素化合物を加水分解して、ガス流中の前記フッ素化合物
をフッ化水素に転化する方法を見いだした。
【０００９】対象ガスであるＣＦ4 ，Ｃ2Ｆ6等のように
ハロゲンとしてフッ素のみを含有するハロゲン化合物
は、電気陰性度の高いフッ素の性質から分子内力が強
く、反応性の乏しい物質であり、酸素との反応ではほと
んど分解しない。すなわちＨ2Ｏを添加して初めて高い
分解率が得られる。
ハロゲンとしてフッ素のみを含有するハロゲン化合物
は、電気陰性度の高いフッ素の性質から分子内力が強
く、反応性の乏しい物質であり、酸素との反応ではほと
んど分解しない。すなわちＨ2Ｏを添加して初めて高い
分解率が得られる。
【００１０】本発明の対象とするフッ素化合物は、ハロ
ゲンとしてフッ素のみを含有するハロゲン化合物であ
る。化合物の構成成分としては、フッ素，炭素，酸素，
硫黄，窒素などであり、化合物の一例としてはＣＦ4 ，
ＣＨＦ3，ＣＨ2Ｆ2，ＣＨ3Ｆ，Ｃ2Ｆ6，Ｃ2ＨＦ5，Ｃ2
Ｈ2Ｆ4，Ｃ2Ｈ3Ｆ3，Ｃ2Ｈ4Ｆ2，Ｃ2Ｈ5Ｆ，Ｃ3Ｆ8，Ｃ
Ｈ3ＯＣＦ2ＣＦ3，Ｃ4Ｆ8，Ｃ5Ｆ8，ＳＦ6，ＮＦ3等で
ある。
ゲンとしてフッ素のみを含有するハロゲン化合物であ
る。化合物の構成成分としては、フッ素，炭素，酸素，
硫黄，窒素などであり、化合物の一例としてはＣＦ4 ，
ＣＨＦ3，ＣＨ2Ｆ2，ＣＨ3Ｆ，Ｃ2Ｆ6，Ｃ2ＨＦ5，Ｃ2
Ｈ2Ｆ4，Ｃ2Ｈ3Ｆ3，Ｃ2Ｈ4Ｆ2，Ｃ2Ｈ5Ｆ，Ｃ3Ｆ8，Ｃ
Ｈ3ＯＣＦ2ＣＦ3，Ｃ4Ｆ8，Ｃ5Ｆ8，ＳＦ6，ＮＦ3等で
ある。
【００１１】本発明のフッ素化合物分解処理方法におい
ては、Ａｌを含んでなる触媒を用いる。Ａｌは酸化物の
形で用いられる。Ａｌは単独で用いることができるが、
そのほかに、Ｚｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｐｔ，Ｃ
ｏ，Ｚｒ，Ｃｅ，Ｓｉのうちの少なくとも一成分と組合
せて用いることが出来る。さらに、これらの触媒にＳを
添加して触媒の分解活性を高めることができる。
ては、Ａｌを含んでなる触媒を用いる。Ａｌは酸化物の
形で用いられる。Ａｌは単独で用いることができるが、
そのほかに、Ｚｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｐｔ，Ｃ
ｏ，Ｚｒ，Ｃｅ，Ｓｉのうちの少なくとも一成分と組合
せて用いることが出来る。さらに、これらの触媒にＳを
添加して触媒の分解活性を高めることができる。
【００１２】触媒性能として必要なのは、高い分解率と
長い触媒寿命を持つことである。これらの性能を示す触
媒を詳細に検討した結果、Ａｌ2Ｏ3単体でも使用する原
料によって高い分解性能を持たすことができることを見
出した。
長い触媒寿命を持つことである。これらの性能を示す触
媒を詳細に検討した結果、Ａｌ2Ｏ3単体でも使用する原
料によって高い分解性能を持たすことができることを見
出した。
【００１３】Ａｌと、Ｚｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｓｎ，
Ｐｔ，Ｃｏ，Ｚｒ，Ｃｅ，Ｓｉのうちの少なくとも一成
分とからなる触媒を用いることによって、Ａｌを単独で
使用する場合よりも分解率を高めることができる。これ
らの触媒中では、ＡｌはＡｌ2Ｏ3、または添加した金属
成分と複合酸化物の状態で存在する。Ｚｎ，Ｎｉ，Ｔ
ｉ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｃｏ，Ｚｒ，Ｃｅ，Ｓｉは酸化物、ま
たはＡｌとの複合酸化物の状態で存在する。これらの触
媒では、Ａｌ：Ｍ（＝Ｚｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｓｎ，
Ｃｏ，Ｚｒ，Ｃｅ，Ｓｉの少なくとも１つ）の原子比が
Ａｌが５０〜９９モル％でＭが５０〜１モル％であるこ
とが好ましい。またはＡｌとＰｔからなる触媒において
は、Ｐｔを０.１ 〜２ｗｔ％含有することが好ましい。
Ａｌ以外の添加成分の量を前記範囲内にすることによっ
て高い分解率が得られる。
Ｐｔ，Ｃｏ，Ｚｒ，Ｃｅ，Ｓｉのうちの少なくとも一成
分とからなる触媒を用いることによって、Ａｌを単独で
使用する場合よりも分解率を高めることができる。これ
らの触媒中では、ＡｌはＡｌ2Ｏ3、または添加した金属
成分と複合酸化物の状態で存在する。Ｚｎ，Ｎｉ，Ｔ
ｉ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｃｏ，Ｚｒ，Ｃｅ，Ｓｉは酸化物、ま
たはＡｌとの複合酸化物の状態で存在する。これらの触
媒では、Ａｌ：Ｍ（＝Ｚｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｓｎ，
Ｃｏ，Ｚｒ，Ｃｅ，Ｓｉの少なくとも１つ）の原子比が
Ａｌが５０〜９９モル％でＭが５０〜１モル％であるこ
とが好ましい。またはＡｌとＰｔからなる触媒において
は、Ｐｔを０.１ 〜２ｗｔ％含有することが好ましい。
Ａｌ以外の添加成分の量を前記範囲内にすることによっ
て高い分解率が得られる。
【００１４】長い触媒寿命を得るには触媒中のＡｌ2Ｏ3
の結晶化を抑制することが有効であり、Ｎｉ，Ｚｎなど
を含有してＮｉＡｌ2Ｏ4，ＺｎＡｌ2Ｏ4などのように、
添加した金属成分とＡｌとを複合酸化物化することが望
ましい。触媒性能向上の方法としては、触媒中にＳを添
加する方法がある。Ｓの添加方法としては、触媒調製時
に硫酸塩を使用する、あるいは硫酸を使用する、などの
方法を適用できる。触媒中のＳはＳＯ4 イオンの形など
で存在し、触媒の酸性質を強める働きをする。Ｓの量は
０.１ 〜２０重量％が好ましい。
の結晶化を抑制することが有効であり、Ｎｉ，Ｚｎなど
を含有してＮｉＡｌ2Ｏ4，ＺｎＡｌ2Ｏ4などのように、
添加した金属成分とＡｌとを複合酸化物化することが望
ましい。触媒性能向上の方法としては、触媒中にＳを添
加する方法がある。Ｓの添加方法としては、触媒調製時
に硫酸塩を使用する、あるいは硫酸を使用する、などの
方法を適用できる。触媒中のＳはＳＯ4 イオンの形など
で存在し、触媒の酸性質を強める働きをする。Ｓの量は
０.１ 〜２０重量％が好ましい。
【００１５】本発明の分解処理方法では、ＣＦ4 ，Ｃ2
Ｆ6などのフッ素化合物を含むガス流中に酸素を添加し
てもよい。分解ガス中のＣＯなどの酸化反応に使うこと
ができる。
Ｆ6などのフッ素化合物を含むガス流中に酸素を添加し
てもよい。分解ガス中のＣＯなどの酸化反応に使うこと
ができる。
【００１６】フッ素化合物の分解反応の代表的な反応に
は次のようなものがある。
は次のようなものがある。
【００１７】 ＣＦ4＋２Ｈ2Ｏ→ＣＯ2＋４ＨＦ …（式１） Ｃ2Ｆ6＋３Ｈ2Ｏ→ＣＯ＋ＣＯ2＋６ＨＦ …（式２） ＣＨＦ3＋Ｈ2Ｏ→ＣＯ＋３ＨＦ …（式３） （式２）及び（式３）の反応ではＣＯが生成するが、本
発明の触媒はＣＯ酸化性能も有するため、酸素が存在す
ればＣＯをＣＯ2 にすることができる。
発明の触媒はＣＯ酸化性能も有するため、酸素が存在す
ればＣＯをＣＯ2 にすることができる。
【００１８】添加する水蒸気の量は、処理するフッ素化
合物中のＦ数と少なくとも同等の水素分子が存在するよ
う調節する必要がある。これにより、化合物中のフッ素
をフッ化水素に転化することができ、後処理しやすい形
態にできる。
合物中のＦ数と少なくとも同等の水素分子が存在するよ
う調節する必要がある。これにより、化合物中のフッ素
をフッ化水素に転化することができ、後処理しやすい形
態にできる。
【００１９】フッ素化合物を加水分解する反応温度は、
約２００〜８００℃が好ましい。炭素とフッ素と水素か
ら少なくとも構成されるフッ素化合物を処理する場合の
反応温度は、約５００〜８００℃が好ましい。これ以上
の高温で使用すると、高分解率は得られるが、触媒の劣
化が速い。また、装置材料の腐食が進みやすくなる。ハ
ロゲンとしてフッ素のみを含有し該フッ素を炭素，硫黄
及び窒素から選ばれた元素との化合物にて含むガス流を
触媒と接触させるに当たっては、ガス流中のフッ素化合
物の含有量を０.１〜１０vol％とすることが好ましく、
さらに好ましくは０.１〜３vol％である。また、空間速
度は、１００毎時〜１０,０００ 毎時が好ましく、さら
に好ましくは１００毎時〜３,０００ 毎時である。空間
速度（ｈ-1）は反応ガス流量（ml／ｈ）／触媒量（ml）
で求められる。
約２００〜８００℃が好ましい。炭素とフッ素と水素か
ら少なくとも構成されるフッ素化合物を処理する場合の
反応温度は、約５００〜８００℃が好ましい。これ以上
の高温で使用すると、高分解率は得られるが、触媒の劣
化が速い。また、装置材料の腐食が進みやすくなる。ハ
ロゲンとしてフッ素のみを含有し該フッ素を炭素，硫黄
及び窒素から選ばれた元素との化合物にて含むガス流を
触媒と接触させるに当たっては、ガス流中のフッ素化合
物の含有量を０.１〜１０vol％とすることが好ましく、
さらに好ましくは０.１〜３vol％である。また、空間速
度は、１００毎時〜１０,０００ 毎時が好ましく、さら
に好ましくは１００毎時〜３,０００ 毎時である。空間
速度（ｈ-1）は反応ガス流量（ml／ｈ）／触媒量（ml）
で求められる。
【００２０】本発明によるフッ素化合物分解処理方法に
おいては、分解生成物としてフッ化水素，二酸化炭素な
どが生成する。このほかにＳＯ2，ＳＯ3等の硫黄酸化物
及びＮＯ，ＮＯ2 等の窒素酸化物が生成する場合もあ
る。これらの分解生成物を除去するためにアルカリ溶液
で洗浄したり或いは水で洗浄することが好ましい。水で
洗浄する方法は、装置の腐食を抑制しつつフッ化水素を
除去する方法として好ましい。ただし、水洗浄の場合に
は、その後、フッ化水素を含む水をアルカリで中和する
ことが望ましい。アルカリとしては、水酸化カルシウム
や水酸化ナトリウムの水溶液，スラリ液などの一般のア
ルカリ試薬を使用することができる。
おいては、分解生成物としてフッ化水素，二酸化炭素な
どが生成する。このほかにＳＯ2，ＳＯ3等の硫黄酸化物
及びＮＯ，ＮＯ2 等の窒素酸化物が生成する場合もあ
る。これらの分解生成物を除去するためにアルカリ溶液
で洗浄したり或いは水で洗浄することが好ましい。水で
洗浄する方法は、装置の腐食を抑制しつつフッ化水素を
除去する方法として好ましい。ただし、水洗浄の場合に
は、その後、フッ化水素を含む水をアルカリで中和する
ことが望ましい。アルカリとしては、水酸化カルシウム
や水酸化ナトリウムの水溶液，スラリ液などの一般のア
ルカリ試薬を使用することができる。
【００２１】本発明の触媒を調製するためのＡｌ原料と
しては、γ−アルミナ，γ−アルミナとδ−アルミナの
混合物などを使用することができる。特にベーマイトを
Ａｌ原料として用い、焼成により酸化物を形成したもの
は高い分解活性を示す。
しては、γ−アルミナ，γ−アルミナとδ−アルミナの
混合物などを使用することができる。特にベーマイトを
Ａｌ原料として用い、焼成により酸化物を形成したもの
は高い分解活性を示す。
【００２２】本発明の触媒を調製するための各種金属成
分の原料としては、硝酸塩，硫酸塩，アンモニウム塩，
塩化物などを用いることができる。Ｎｉ原料としては硝
酸ニッケルや硫酸ニッケルなどを使用することができ
る。これらの水和物も使用できる。Ｔｉ原料としては、
硫酸チタン，チタニアゾルなどを使用することができ
る。
分の原料としては、硝酸塩，硫酸塩，アンモニウム塩，
塩化物などを用いることができる。Ｎｉ原料としては硝
酸ニッケルや硫酸ニッケルなどを使用することができ
る。これらの水和物も使用できる。Ｔｉ原料としては、
硫酸チタン，チタニアゾルなどを使用することができ
る。
【００２３】本発明の触媒の製造法は通常の触媒の製造
に用いられる沈殿法，含浸法，混練法、などいずれも使
用できる。
に用いられる沈殿法，含浸法，混練法、などいずれも使
用できる。
【００２４】また、本発明における触媒は、そのまま粒
状，ハニカム状などに成形して使用することができる。
成形法としては、押し出し成形法，打錠成形法，転動造
粒法など目的に応じ任意の方法を採用できる。また、セ
ラミックスや金属製のハニカムや板にコーティングして
使用することもできる。
状，ハニカム状などに成形して使用することができる。
成形法としては、押し出し成形法，打錠成形法，転動造
粒法など目的に応じ任意の方法を採用できる。また、セ
ラミックスや金属製のハニカムや板にコーティングして
使用することもできる。
【００２５】本発明の処理方法を実施するために使用さ
れる反応器は、通常の固定床，移動床あるいは流動床型
のものでよいが、分解生成ガスとしてＨＦなどの腐食性
のガスが発生するので、これらの腐食性のガスによって
損傷しにくい材料で反応器を構成すべきである。
れる反応器は、通常の固定床，移動床あるいは流動床型
のものでよいが、分解生成ガスとしてＨＦなどの腐食性
のガスが発生するので、これらの腐食性のガスによって
損傷しにくい材料で反応器を構成すべきである。
【００２６】本発明の処理方法を実施するために使用さ
れる処理装置は、前述の反応器の他に、ガス流中のフッ
素化合物の濃度を調節する手段例えばガス流に対して窒
素あるいは空気あるいは酸素を供給する手段、ガス流と
前記触媒とを２００〜８００℃の温度で接触させるため
に少なくとも一方を加熱する手段、前記フッ素化合物を
分解するために水蒸気あるいは水を前記ガス流に対して
添加する手段、前記反応器に充填された触媒に前記ガス
流が接触することによって生成した分解生成物を水及び
／あるいはアルカリ水溶液で洗浄して該分解生成物中の
二酸化炭素の一部とＳＯ2，ＳＯ3等の硫黄酸化物の一部
とＮＯ，ＮＯ2 等の窒素酸化物の一部とフッ化水素とを
除去する排ガス洗浄槽とを具備する。排ガス洗浄槽の後
段に除去されなかった前記分解生成物中の一酸化炭素，
硫黄酸化物，窒素酸化物を吸着剤などによって吸着する
手段を設けることは更に好ましい。
れる処理装置は、前述の反応器の他に、ガス流中のフッ
素化合物の濃度を調節する手段例えばガス流に対して窒
素あるいは空気あるいは酸素を供給する手段、ガス流と
前記触媒とを２００〜８００℃の温度で接触させるため
に少なくとも一方を加熱する手段、前記フッ素化合物を
分解するために水蒸気あるいは水を前記ガス流に対して
添加する手段、前記反応器に充填された触媒に前記ガス
流が接触することによって生成した分解生成物を水及び
／あるいはアルカリ水溶液で洗浄して該分解生成物中の
二酸化炭素の一部とＳＯ2，ＳＯ3等の硫黄酸化物の一部
とＮＯ，ＮＯ2 等の窒素酸化物の一部とフッ化水素とを
除去する排ガス洗浄槽とを具備する。排ガス洗浄槽の後
段に除去されなかった前記分解生成物中の一酸化炭素，
硫黄酸化物，窒素酸化物を吸着剤などによって吸着する
手段を設けることは更に好ましい。
【００２７】既設の半導体工場へ本発明のフッ素化合物
含有ガスの処理方法を適用することもできる。半導体工
場には一般に酸成分ガスの排ガス処理装置があるため、
これを利用し、本発明の触媒のみをＣＦ4 などのフッ素
化合物の排ガスラインに設置し、水蒸気を添加して加熱
すれば、フッ素化合物を分解処理することができる。ま
た、本発明の装置全体あるいは一部をトラック等に積載
し、廃棄されたフッ素化合物詰めボンベを貯蔵している
場所へ移動して、含有されているフッ素化合物を抜き出
し、直接処理することもできる。また、排ガス洗浄槽内
の洗浄液を循環する循環ポンプや、排ガス中の一酸化炭
素などを吸着する排ガス吸着槽を同時に搭載してもよ
い。また、発電機などを搭載してもよい。
含有ガスの処理方法を適用することもできる。半導体工
場には一般に酸成分ガスの排ガス処理装置があるため、
これを利用し、本発明の触媒のみをＣＦ4 などのフッ素
化合物の排ガスラインに設置し、水蒸気を添加して加熱
すれば、フッ素化合物を分解処理することができる。ま
た、本発明の装置全体あるいは一部をトラック等に積載
し、廃棄されたフッ素化合物詰めボンベを貯蔵している
場所へ移動して、含有されているフッ素化合物を抜き出
し、直接処理することもできる。また、排ガス洗浄槽内
の洗浄液を循環する循環ポンプや、排ガス中の一酸化炭
素などを吸着する排ガス吸着槽を同時に搭載してもよ
い。また、発電機などを搭載してもよい。
【００２８】本発明のフッ素化合物の分解処理方法によ
れば、低温でフッ素化合物を分解することができ、運転
コストを低減できる。
れば、低温でフッ素化合物を分解することができ、運転
コストを低減できる。
【００２９】フッ素化合物含有ガスを処理する場合、分
解して生成するＨＦなどの酸成分による装置材料の腐食
が問題となるが、本発明によれば、使用する温度が低温
であるため腐食速度が小さく、装置のメンテナンス頻度
を減少できる。
解して生成するＨＦなどの酸成分による装置材料の腐食
が問題となるが、本発明によれば、使用する温度が低温
であるため腐食速度が小さく、装置のメンテナンス頻度
を減少できる。
【００３０】本発明のフッ素化合物の分解処理方法は、
フッ素化合物を分解する触媒反応工程と分解生成ガス中
の酸成分を中和除去する排ガス洗浄工程とからなり、装
置を小型化できる。
フッ素化合物を分解する触媒反応工程と分解生成ガス中
の酸成分を中和除去する排ガス洗浄工程とからなり、装
置を小型化できる。
【００３１】フッ素化合物の分解は水蒸気との反応によ
るため、分解処理方法としての安全性が高く、可燃ガス
を使用した場合のように爆発などの危険性がない。
るため、分解処理方法としての安全性が高く、可燃ガス
を使用した場合のように爆発などの危険性がない。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、実施例にて本発明をさらに
詳細に説明する。本発明は、これら実施例にのみ限定さ
れるものではない。
詳細に説明する。本発明は、これら実施例にのみ限定さ
れるものではない。
【００３３】図１は、半導体エッチング工程で用いる場
合のハロゲン化合物の分解処理プロセスの一例を示す。
合のハロゲン化合物の分解処理プロセスの一例を示す。
【００３４】エッチング工程では、減圧したエッチング
炉内にＣＦ4 などのフッ素化合物１を入れて、プラズマ
で２０分間励起し、半導体と反応させる。その後チャン
バ内をＮ2２で置換し、ハロゲン化合物の濃度を数％に
希釈して約１０ｌ／minでエッチング炉内から排出して
いる。
炉内にＣＦ4 などのフッ素化合物１を入れて、プラズマ
で２０分間励起し、半導体と反応させる。その後チャン
バ内をＮ2２で置換し、ハロゲン化合物の濃度を数％に
希釈して約１０ｌ／minでエッチング炉内から排出して
いる。
【００３５】この排出ガスに空気３を添加しＣＦ4 など
のハロゲン化合物を希釈した。このとき窒素を添加して
希釈してもよい。また、窒素と酸素を添加して希釈して
もよい。この希釈ガスに、さらに水添加器４により水蒸
気を添加した反応ガス５を分解工程に送る。分解工程
は、触媒を充填した反応器を用いて行う。反応ガス中の
ハロゲン化合物の濃度は約０.５ 〜１％である。分解工
程では、反応ガス５を、空間速度１，０００毎時（空間
速度（ｈ-1）＝反応ガス流量（ml／ｈ）／触媒量（m
l））の条件でＡｌを含んでなる触媒と約２００〜８０
０℃で接触させる。この場合、反応ガスを加熱してもよ
く、電気炉などにより触媒を加熱してもよい。分解ガス
６は、排ガス洗浄工程に送られる。排ガス洗浄工程で
は、分解ガス６に水７がスプレーされ、分解ガス中の酸
成分が除去された排ガス８が系外に放出される。酸性ガ
スを含んだ酸性排水９は、半導体工場既設の排水処理設
備で処理される。ＣＦ4 などのハロゲン化合物の分解率
は、反応ガス５と分解ガス６をFID（Flame Ionization
Detector の略称）ガスクロマトグラフ，ＴＣＤ（Therm
alConductivity Detector の略称）ガスクロマトグラフ
を用いて分析し、入口及び出口の物質収支により求め
る。
のハロゲン化合物を希釈した。このとき窒素を添加して
希釈してもよい。また、窒素と酸素を添加して希釈して
もよい。この希釈ガスに、さらに水添加器４により水蒸
気を添加した反応ガス５を分解工程に送る。分解工程
は、触媒を充填した反応器を用いて行う。反応ガス中の
ハロゲン化合物の濃度は約０.５ 〜１％である。分解工
程では、反応ガス５を、空間速度１，０００毎時（空間
速度（ｈ-1）＝反応ガス流量（ml／ｈ）／触媒量（m
l））の条件でＡｌを含んでなる触媒と約２００〜８０
０℃で接触させる。この場合、反応ガスを加熱してもよ
く、電気炉などにより触媒を加熱してもよい。分解ガス
６は、排ガス洗浄工程に送られる。排ガス洗浄工程で
は、分解ガス６に水７がスプレーされ、分解ガス中の酸
成分が除去された排ガス８が系外に放出される。酸性ガ
スを含んだ酸性排水９は、半導体工場既設の排水処理設
備で処理される。ＣＦ4 などのハロゲン化合物の分解率
は、反応ガス５と分解ガス６をFID（Flame Ionization
Detector の略称）ガスクロマトグラフ，ＴＣＤ（Therm
alConductivity Detector の略称）ガスクロマトグラフ
を用いて分析し、入口及び出口の物質収支により求め
る。
【００３６】図１０に、本発明の処理装置の一例を示
す。エッチング工程からのフッ素化合物ガスは、入口ス
プレー１０で水がスプレーされ、ガス中のＳｉＦ4 等の
不純物が除去される。このガスと、空気３及びイオン交
換樹脂１１等で精製された水７とが予熱器１２内でヒー
ター１３により加熱されるようになっている。反応器１
５はＡｌを含む触媒１４を充填したものである。又、反
応器１５の後段に、水のスプレー手段１６を有する冷却
室１７及び水のスプレー手段１８を有し、充填材１９を
含む排ガス洗浄槽２０を備えている。排ガス８はブロワ
ー２１により引かれ、酸性排水９はポンプ２２で引かれ
る。なお、排ガス洗浄槽のフッ化水素を含む水は、イオ
ン交換処理して、純水原料として再利用することが可能
である。
す。エッチング工程からのフッ素化合物ガスは、入口ス
プレー１０で水がスプレーされ、ガス中のＳｉＦ4 等の
不純物が除去される。このガスと、空気３及びイオン交
換樹脂１１等で精製された水７とが予熱器１２内でヒー
ター１３により加熱されるようになっている。反応器１
５はＡｌを含む触媒１４を充填したものである。又、反
応器１５の後段に、水のスプレー手段１６を有する冷却
室１７及び水のスプレー手段１８を有し、充填材１９を
含む排ガス洗浄槽２０を備えている。排ガス８はブロワ
ー２１により引かれ、酸性排水９はポンプ２２で引かれ
る。なお、排ガス洗浄槽のフッ化水素を含む水は、イオ
ン交換処理して、純水原料として再利用することが可能
である。
【００３７】（実施例１）本実施例は、各種フッ素化合
物分解触媒の活性を調べた例である。
物分解触媒の活性を調べた例である。
【００３８】純度９９％以上のＣ2Ｆ6ガスに空気を添加
して希釈した。この希釈ガスに、さらに水蒸気を添加し
た。水蒸気は純水を約０.２ml／minで反応管上部へマイ
クロチューブポンプを用いて供給しガス化させた。反応
ガス中のＣ2Ｆ6濃度は約0.5％であった。この反応ガス
を、電気炉により反応管外部から所定温度に加温した触
媒と空間速度２,０００ 毎時で接触させた。
して希釈した。この希釈ガスに、さらに水蒸気を添加し
た。水蒸気は純水を約０.２ml／minで反応管上部へマイ
クロチューブポンプを用いて供給しガス化させた。反応
ガス中のＣ2Ｆ6濃度は約0.5％であった。この反応ガス
を、電気炉により反応管外部から所定温度に加温した触
媒と空間速度２,０００ 毎時で接触させた。
【００３９】反応管は内径３２mmのインコネル製の反応
管で、触媒層を反応管中央に有しており、内部に外径３
mmのインコネル製の熱電対保護管を有している。触媒層
を通過した分解生成ガスはフッ化カルシウム溶液中にバ
ブリングさせ、系外に放出した。Ｃ2Ｆ6の分解率は、Ｆ
ＩＤガスクロマトグラフ，ＴＣＤガスクロマトグラフに
より、次式で求めた。
管で、触媒層を反応管中央に有しており、内部に外径３
mmのインコネル製の熱電対保護管を有している。触媒層
を通過した分解生成ガスはフッ化カルシウム溶液中にバ
ブリングさせ、系外に放出した。Ｃ2Ｆ6の分解率は、Ｆ
ＩＤガスクロマトグラフ，ＴＣＤガスクロマトグラフに
より、次式で求めた。
【００４０】
【数１】
【００４１】以下に上記条件において試験に供した各触
媒の調製法を示す。
媒の調製法を示す。
【００４２】触媒１；市販のベーマイト粉末を１２０℃
で２時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇを３００℃で
０.５ 時間焼成し、さらに焼成温度を７００℃にあげ２
時間焼成した。得られた粉末を金型に入れ、５００kgf
／cm2の圧力で圧縮成型した。成型品を粉砕，篩い分け
して０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後の触
媒はＡｌ2Ｏ3からなる。
で２時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇを３００℃で
０.５ 時間焼成し、さらに焼成温度を７００℃にあげ２
時間焼成した。得られた粉末を金型に入れ、５００kgf
／cm2の圧力で圧縮成型した。成型品を粉砕，篩い分け
して０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後の触
媒はＡｌ2Ｏ3からなる。
【００４３】触媒２；市販のベーマイト粉末を１２０℃
で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸亜鉛
６水和物８５.３８ｇ を溶かした水溶液を添加し、混練
した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾燥し、７
００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い分けして
０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後の触媒組
成は原子比でＡｌ：Ｚｎ＝９１：９（モル％）であっ
た。この触媒は、Ａｌ酸化物，Ｚｎ酸化物のほかにＺｎ
Ａｌ2Ｏ4の複合酸化物を含む。
で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸亜鉛
６水和物８５.３８ｇ を溶かした水溶液を添加し、混練
した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾燥し、７
００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い分けして
０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後の触媒組
成は原子比でＡｌ：Ｚｎ＝９１：９（モル％）であっ
た。この触媒は、Ａｌ酸化物，Ｚｎ酸化物のほかにＺｎ
Ａｌ2Ｏ4の複合酸化物を含む。
【００４４】触媒３；市販のベーマイトを１２０℃で１
時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硫酸ニッケル
６水和物５０.９９ｇ を溶かした水溶液を添加し、混練
した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾燥し、７
００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い分けして
０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後の触媒組
成は原子比でＡｌ：Ｎｉ＝９１：９（モル％）であっ
た。この触媒は、Ａｌ酸化物，Ｎｉ酸化物，ＮｉＡｌ2
Ｏ4の複合酸化物及びＳ酸化物を含む。
時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硫酸ニッケル
６水和物５０.９９ｇ を溶かした水溶液を添加し、混練
した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾燥し、７
００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い分けして
０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後の触媒組
成は原子比でＡｌ：Ｎｉ＝９１：９（モル％）であっ
た。この触媒は、Ａｌ酸化物，Ｎｉ酸化物，ＮｉＡｌ2
Ｏ4の複合酸化物及びＳ酸化物を含む。
【００４５】触媒４；市販のベーマイト粉末を１２０℃
で１時間乾燥した。この乾燥粉末３００ｇに、硝酸ニッ
ケル６水和物１２５.０４ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後
の触媒組成は原子比でＡｌ：Ｎｉ＝９１：９（モル％）
であった。この触媒は、Ａｌ酸化物，Ｎｉ酸化物及びＮ
ｉＡｌ2Ｏ4の複合酸化物を含む。
で１時間乾燥した。この乾燥粉末３００ｇに、硝酸ニッ
ケル６水和物１２５.０４ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後
の触媒組成は原子比でＡｌ：Ｎｉ＝９１：９（モル％）
であった。この触媒は、Ａｌ酸化物，Ｎｉ酸化物及びＮ
ｉＡｌ2Ｏ4の複合酸化物を含む。
【００４６】触媒５；市販のベーマイト粉末を１２０℃
で１時間乾燥した。この乾燥粉末３００ｇと３０％硫酸
チタン溶液３５４.４ｇ を純水約３００ｇを添加しなが
ら混練した。混練後、２５０〜３００℃で約５時間乾燥
し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い分
けして０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後の
触媒組成は原子比でＡｌ：Ｔｉ＝９１：９（モル％）で
あった。
で１時間乾燥した。この乾燥粉末３００ｇと３０％硫酸
チタン溶液３５４.４ｇ を純水約３００ｇを添加しなが
ら混練した。混練後、２５０〜３００℃で約５時間乾燥
し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い分
けして０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後の
触媒組成は原子比でＡｌ：Ｔｉ＝９１：９（モル％）で
あった。
【００４７】触媒６；市販のベーマイト粉末を１２０℃
で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸鉄９
水和物１１５.９５ｇ を溶かした水溶液を添加し、混練
した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾燥し、７
００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い分けして
０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後の触媒組
成は原子比でＡｌ：Ｆｅ＝９１：９（モル％）であっ
た。
で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸鉄９
水和物１１５.９５ｇ を溶かした水溶液を添加し、混練
した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾燥し、７
００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い分けして
０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後の触媒組
成は原子比でＡｌ：Ｆｅ＝９１：９（モル％）であっ
た。
【００４８】触媒７；市販のベーマイト粉末を１２０℃
で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、塩化第二
すず水和物９５.４３ｇ を溶かした水溶液を添加し、混
練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾燥し、
７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い分けし
て０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後の触媒
組成は原子比でＡｌ：Ｓｎ＝９１：９（モル％）であっ
た。
で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、塩化第二
すず水和物９５.４３ｇ を溶かした水溶液を添加し、混
練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾燥し、
７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い分けし
て０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後の触媒
組成は原子比でＡｌ：Ｓｎ＝９１：９（モル％）であっ
た。
【００４９】触媒８；市販のベーマイト粉末を１２０℃
で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、ジニトロ
ジアンミンＰｔ（II）硝酸溶液（Ｐｔ濃度４.５ｗｔ
％）２２.２ｇを純水２００mlで希釈した水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後
の触媒はＡｌ2Ｏ3１００重量％に対してＰｔを０.６８
重量％含んでいた。
で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、ジニトロ
ジアンミンＰｔ（II）硝酸溶液（Ｐｔ濃度４.５ｗｔ
％）２２.２ｇを純水２００mlで希釈した水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後
の触媒はＡｌ2Ｏ3１００重量％に対してＰｔを０.６８
重量％含んでいた。
【００５０】触媒９；市販のベーマイト粉末を１２０℃
で１時間乾燥した。この乾燥粉末３００ｇに、硝酸コバ
ルト６水和物１２５.８７ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後
の触媒組成は原子比でＡｌ：Ｃｏ＝９１：９（モル％）
であった。
で１時間乾燥した。この乾燥粉末３００ｇに、硝酸コバ
ルト６水和物１２５.８７ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後
の触媒組成は原子比でＡｌ：Ｃｏ＝９１：９（モル％）
であった。
【００５１】触媒１０；市販のベーマイト粉末を１２０
℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸ジ
ルコニル２水和物７６.７０ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後
の触媒組成は原子比でＡｌ：Ｚｒ＝９１：９（モル％）
であった。
℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸ジ
ルコニル２水和物７６.７０ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後
の触媒組成は原子比でＡｌ：Ｚｒ＝９１：９（モル％）
であった。
【００５２】触媒１１；市販のベーマイト粉末を１２０
℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸セ
リウム６水和物１２４.６２ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後
の触媒組成は原子比でＡｌ：Ｃｅ＝９１：９（モル％）
であった。
℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸セ
リウム６水和物１２４.６２ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後
の触媒組成は原子比でＡｌ：Ｃｅ＝９１：９（モル％）
であった。
【００５３】触媒１２；市販のベーマイト粉末を１２０
℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末３００ｇに、２０ｗ
ｔ％シリカゾル１２９.１９ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後
の触媒組成は原子比でＡｌ：Ｓｉ＝９１：９（モル％）
であった。
℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末３００ｇに、２０ｗ
ｔ％シリカゾル１２９.１９ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径として試験に供した。完成後
の触媒組成は原子比でＡｌ：Ｓｉ＝９１：９（モル％）
であった。
【００５４】上記触媒１〜１２の反応温度７００℃での
試験結果を図２に示す。ＡｌとＺｎからなる触媒及びＡ
ｌとＮｉからなる触媒の分解活性が他にぬきんでて高
い。次いでＡｌとＴｉからなる触媒の分解活性が高い。
触媒３が触媒４よりも高活性を有するのは、Ｓの効果と
思われる。
試験結果を図２に示す。ＡｌとＺｎからなる触媒及びＡ
ｌとＮｉからなる触媒の分解活性が他にぬきんでて高
い。次いでＡｌとＴｉからなる触媒の分解活性が高い。
触媒３が触媒４よりも高活性を有するのは、Ｓの効果と
思われる。
【００５５】（実施例２）本実施例は、実施例１の触媒
４と同じＡｌ原料，Ｎｉ原料を用い、ＡｌとＮｉの組成
を変化させた触媒を調製し、Ｃ2Ｆ6の分解活性を調べた
結果である。
４と同じＡｌ原料，Ｎｉ原料を用い、ＡｌとＮｉの組成
を変化させた触媒を調製し、Ｃ2Ｆ6の分解活性を調べた
結果である。
【００５６】触媒４−１；市販のベーマイト粉末を１２
０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸
ニッケル６水和物８.５２ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径とした。完成後の触媒組成は
原子比でＡｌ：Ｎｉ＝９９：１（モル％）であった。
０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸
ニッケル６水和物８.５２ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径とした。完成後の触媒組成は
原子比でＡｌ：Ｎｉ＝９９：１（モル％）であった。
【００５７】触媒４−２；市販のベーマイト粉末を１２
０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末３００ｇに、硝酸
ニッケル６水和物６６.５９ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径とした。完成後の触媒組成は
原子比でＡｌ：Ｎｉ＝９５：５（モル％）であった。
０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末３００ｇに、硝酸
ニッケル６水和物６６.５９ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径とした。完成後の触媒組成は
原子比でＡｌ：Ｎｉ＝９５：５（モル％）であった。
【００５８】触媒４−３；市販のベーマイト粉末を１２
０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸
ニッケル６水和物２１０.８２ｇ を溶かした水溶液を添
加し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間
乾燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩
い分けして０.５−１mm 粒径とした。完成後の触媒組成
は原子比でＡｌ：Ｎｉ＝８０：２０（モル％）であっ
た。
０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸
ニッケル６水和物２１０.８２ｇ を溶かした水溶液を添
加し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間
乾燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩
い分けして０.５−１mm 粒径とした。完成後の触媒組成
は原子比でＡｌ：Ｎｉ＝８０：２０（モル％）であっ
た。
【００５９】触媒４−４；市販のベーマイト粉末を１２
０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸
ニッケル６水和物３６１.１６ｇ を溶かした水溶液を添
加し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間
乾燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩
い分けして０.５−１mm 粒径とした。完成後の触媒組成
は原子比でＡｌ：Ｎｉ＝７０：３０（モル％）であっ
た。
０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸
ニッケル６水和物３６１.１６ｇ を溶かした水溶液を添
加し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間
乾燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩
い分けして０.５−１mm 粒径とした。完成後の触媒組成
は原子比でＡｌ：Ｎｉ＝７０：３０（モル％）であっ
た。
【００６０】触媒４−５；市販のベーマイト粉末を１２
０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸
ニッケル６水和物５６２.１ｇ を混ぜ、水を添加しなが
ら混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾燥
し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い分
けして０.５−１mm 粒径とした。完成後の触媒組成は原
子比でＡｌ：Ｎｉ＝６０：４０（モル％）であった。
０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸
ニッケル６水和物５６２.１ｇ を混ぜ、水を添加しなが
ら混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾燥
し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い分
けして０.５−１mm 粒径とした。完成後の触媒組成は原
子比でＡｌ：Ｎｉ＝６０：４０（モル％）であった。
【００６１】触媒４，触媒４−１から触媒４−５の活性
を、Ｃ2Ｆ6濃度を２％とし、供給する純水の量を約０.
４ml／minとした以外は実施例１と同様の方法で調べ
た。試験開始６時間後の分解率を図３に示す。Ｎｉ／
（Ｎｉ＋Ａｌ）のモル％が２０−３０モル％のときに最
も活性が高く、次いで５〜４０モル％のときに活性が高
い。
を、Ｃ2Ｆ6濃度を２％とし、供給する純水の量を約０.
４ml／minとした以外は実施例１と同様の方法で調べ
た。試験開始６時間後の分解率を図３に示す。Ｎｉ／
（Ｎｉ＋Ａｌ）のモル％が２０−３０モル％のときに最
も活性が高く、次いで５〜４０モル％のときに活性が高
い。
【００６２】（実施例３）本実施例は、実施例１の触媒
２と同じＡｌ原料，Ｚｎ原料を用い、ＡｌとＺｎの組成
を変化させた触媒を調製し、活性を調べたものである。
２と同じＡｌ原料，Ｚｎ原料を用い、ＡｌとＺｎの組成
を変化させた触媒を調製し、活性を調べたものである。
【００６３】触媒２−１；市販のベーマイト粉末を１２
０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸
亜鉛６水和物２１５.６８ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径とした。完成後の触媒組成は
原子比でＡｌ：Ｚｎ＝８０：２０（モル％）であった。
０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸
亜鉛６水和物２１５.６８ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径とした。完成後の触媒組成は
原子比でＡｌ：Ｚｎ＝８０：２０（モル％）であった。
【００６４】触媒２−２；市販のベーマイト粉末を１２
０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸
亜鉛６水和物３６９.４８ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径とした。完成後の触媒組成は
原子比でＡｌ：Ｚｎ＝７０：３０（モル％）であった。
０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００ｇに、硝酸
亜鉛６水和物３６９.４８ｇ を溶かした水溶液を添加
し、混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾
燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い
分けして０.５−１mm 粒径とした。完成後の触媒組成は
原子比でＡｌ：Ｚｎ＝７０：３０（モル％）であった。
【００６５】触媒２−３；市販のベーマイト粉末を１２
０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末126.65ｇに、硝酸
亜鉛６水和物９６.３９ｇ を溶かした水溶液を添加し、
混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾燥
し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い分
けして０.５−１mm 粒径とした。完成後の触媒組成は原
子比でＡｌ：Ｚｎ＝８５：１５（モル％）であった。
０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末126.65ｇに、硝酸
亜鉛６水和物９６.３９ｇ を溶かした水溶液を添加し、
混練した。混練後、２５０〜３００℃で約２時間乾燥
し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い分
けして０.５−１mm 粒径とした。完成後の触媒組成は原
子比でＡｌ：Ｚｎ＝８５：１５（モル％）であった。
【００６６】触媒２，触媒２−１から触媒２−３の活性
を、Ｃ2Ｆ6濃度を２％とし、供給する純水の量を約０.
４ml／minとした以外は実施例１と同様の方法で調べ
た。試験開始６時間後の分解率を図４に示す。Ｎｉ／
（Ｎｉ＋Ａｌ）のモル％が１０−３０モル％のときに最
も活性が高い。
を、Ｃ2Ｆ6濃度を２％とし、供給する純水の量を約０.
４ml／minとした以外は実施例１と同様の方法で調べ
た。試験開始６時間後の分解率を図４に示す。Ｎｉ／
（Ｎｉ＋Ａｌ）のモル％が１０−３０モル％のときに最
も活性が高い。
【００６７】（実施例４）本実施例は、ＣＦ4，ＣＨ
Ｆ3，Ｃ2Ｆ6の分解を反応温度を変えて行った結果であ
る。試験条件は、空間速度１,０００ 毎時とし、ハロゲ
ン化合物を空気の代わりに窒素で希釈した以外は、実施
例１と同様である。触媒は実施例２中の触媒４−３を用
いた。各反応温度での試験の結果を図５に示す。Ａｌと
Ｎｉからなる触媒は、ＣＨＦ3，ＣＦ4に対しても高い分
解活性を有する。又、これらのフッ素化合物に対しては
６００℃程度の低い温度でも高い活性を有し、特にＣＨ
Ｆ3 に対しては、反応ガス中のＣＨＦ3濃度が０.１％の
場合、３００℃でも３５％分解した。
Ｆ3，Ｃ2Ｆ6の分解を反応温度を変えて行った結果であ
る。試験条件は、空間速度１,０００ 毎時とし、ハロゲ
ン化合物を空気の代わりに窒素で希釈した以外は、実施
例１と同様である。触媒は実施例２中の触媒４−３を用
いた。各反応温度での試験の結果を図５に示す。Ａｌと
Ｎｉからなる触媒は、ＣＨＦ3，ＣＦ4に対しても高い分
解活性を有する。又、これらのフッ素化合物に対しては
６００℃程度の低い温度でも高い活性を有し、特にＣＨ
Ｆ3 に対しては、反応ガス中のＣＨＦ3濃度が０.１％の
場合、３００℃でも３５％分解した。
【００６８】（実施例５）本実施例は、Ｃ2Ｆ6の分解に
おける水蒸気の影響を調べた結果である。試験条件は、
空間速度１,０００ 毎時とした以外は、実施例１と同様
である。触媒は実施例１中の触媒４を用い、反応温度は
７００℃とした。試験は反応開始から２時間後まで水蒸
気を供給し、その後、水蒸気の供給を停止した。５時間
後再び水蒸気を供給し始めた。試験の結果を図６に示
す。水蒸気の添加時に分解率が高まりＣ2Ｆ6の分解は加
水分解によることが明らかとなった。
おける水蒸気の影響を調べた結果である。試験条件は、
空間速度１,０００ 毎時とした以外は、実施例１と同様
である。触媒は実施例１中の触媒４を用い、反応温度は
７００℃とした。試験は反応開始から２時間後まで水蒸
気を供給し、その後、水蒸気の供給を停止した。５時間
後再び水蒸気を供給し始めた。試験の結果を図６に示
す。水蒸気の添加時に分解率が高まりＣ2Ｆ6の分解は加
水分解によることが明らかとなった。
【００６９】（実施例６）本実施例は、ＡｌとＮｉから
なる触媒４−３を用いて、ＳＦ6 ，Ｃ3Ｆ8の分解を行っ
た結果である。ＳＦ6 の試験条件は、純度９９％以上の
ＳＦ6 ガスを用い、空間速度１,０００毎時とし、ＳＦ6
を空気の代わりに窒素で希釈した以外は、実施例１と同
様である。Ｃ3Ｆ8の試験条件は実施例１と同じである。
試験結果を図７に示す。反応管入口の反応ガス中のＳＦ
6 量とアルカリ吸収槽通過後の分解ガス中のＳＦ6 量を
ＴＣＤガスクロマトグラフにより測定し、次式により分
解率を求めた結果、反応温度５５０−７００℃でのＳＦ
6 分解率は９９％以上であった。Ｃ3Ｆ8の分解試験で
は、７００℃以上の反応温度で高い反応率が得られた。
なる触媒４−３を用いて、ＳＦ6 ，Ｃ3Ｆ8の分解を行っ
た結果である。ＳＦ6 の試験条件は、純度９９％以上の
ＳＦ6 ガスを用い、空間速度１,０００毎時とし、ＳＦ6
を空気の代わりに窒素で希釈した以外は、実施例１と同
様である。Ｃ3Ｆ8の試験条件は実施例１と同じである。
試験結果を図７に示す。反応管入口の反応ガス中のＳＦ
6 量とアルカリ吸収槽通過後の分解ガス中のＳＦ6 量を
ＴＣＤガスクロマトグラフにより測定し、次式により分
解率を求めた結果、反応温度５５０−７００℃でのＳＦ
6 分解率は９９％以上であった。Ｃ3Ｆ8の分解試験で
は、７００℃以上の反応温度で高い反応率が得られた。
【００７０】
【数２】
【００７１】（実施例７）本実施例は、ＡｌとＮｉから
なる触媒４−３を用いてＮＦ3 の分解を行った結果であ
る。試験条件は、純度９９％以上のＮＦ3ガスを用いた
以外は実施例６と同様である。反応温度を７００℃とし
た。反応管入口の反応ガス中のＮＦ3 量とアルカリ吸収
槽通過後の分解ガス中のＮＦ3 量をＴＣＤガスクロマト
グラフにより測定し、次式により分解率を求めた結果、
分解率は９９％以上であった。また、７００℃以下の分
解率を図８に示す。４００℃でも分解率９９.９％ が得
られた。
なる触媒４−３を用いてＮＦ3 の分解を行った結果であ
る。試験条件は、純度９９％以上のＮＦ3ガスを用いた
以外は実施例６と同様である。反応温度を７００℃とし
た。反応管入口の反応ガス中のＮＦ3 量とアルカリ吸収
槽通過後の分解ガス中のＮＦ3 量をＴＣＤガスクロマト
グラフにより測定し、次式により分解率を求めた結果、
分解率は９９％以上であった。また、７００℃以下の分
解率を図８に示す。４００℃でも分解率９９.９％ が得
られた。
【００７２】
【数３】
【００７３】（実施例８）ＡｌとＺｎを原子比でＡｌ：
Ｚｎ＝８５：１５（モル％）含む触媒を用いて、Ｃ
Ｆ4 ，Ｃ4Ｆ8，ＣＨＦ3 の分解を行った。
Ｚｎ＝８５：１５（モル％）含む触媒を用いて、Ｃ
Ｆ4 ，Ｃ4Ｆ8，ＣＨＦ3 の分解を行った。
【００７４】ＣＦ4 の分解は、純度９９％以上のＣＦ4
ガスに空気を添加して希釈し、更に水蒸気を添加し、所
定の反応温度で触媒と接触させることによって行った。
空間速度は１,０００ 毎時である。
ガスに空気を添加して希釈し、更に水蒸気を添加し、所
定の反応温度で触媒と接触させることによって行った。
空間速度は１,０００ 毎時である。
【００７５】反応ガス中のＣＦ4 濃度は約０.５％ であ
る。水蒸気はＣＦ4 ガスの約５０倍となるように流量を
調節した。
る。水蒸気はＣＦ4 ガスの約５０倍となるように流量を
調節した。
【００７６】ＣＨＦ3 及びＣ4Ｈ8の分解も同様にして行
った。
った。
【００７７】図９の試験結果を示す。ＡｌとＺｎからな
る触媒はＣＨＦ3，ＣＦ4に対しても高い分解活性を示
す。Ｃ4Ｆ8に対しては、７００℃前後あるいはそれ以外
の温度にすれば高い分解活性を示すことが明らかにされ
た。
る触媒はＣＨＦ3，ＣＦ4に対しても高い分解活性を示
す。Ｃ4Ｆ8に対しては、７００℃前後あるいはそれ以外
の温度にすれば高い分解活性を示すことが明らかにされ
た。
【００７８】
【発明の効果】本発明によれば、ＣＦ4 ，Ｃ2Ｆ6などの
ようにハロゲンとしてフッ素のみを含有するハロゲン化
合物を効率良く分解処理することができる。
ようにハロゲンとしてフッ素のみを含有するハロゲン化
合物を効率良く分解処理することができる。
【図１】本発明の実施例１の処理プロセスを示す図であ
る。
る。
【図２】本発明の各触媒の性能を示す図である。
【図３】本発明のＡｌ−Ｎｉ触媒のＣ2Ｆ6分解性能を示
す図である。
す図である。
【図４】本発明のＡｌ−Ｚｎ触媒のＣ2Ｆ6分解活性を示
す図である。
す図である。
【図５】本発明のＡｌ−Ｎｉ触媒のＣ2Ｆ6，ＣＨＦ3，
ＣＦ4の分解活性を示す図である。
ＣＦ4の分解活性を示す図である。
【図６】本発明のＡｌ−Ｎｉ触媒のＣ2Ｆ6分解における
水蒸気の影響を示す図である。
水蒸気の影響を示す図である。
【図７】本発明のＡｌ−Ｎｉ触媒のＳＦ6 ，Ｃ3Ｆ8の分
解活性を示す図である。
解活性を示す図である。
【図８】本発明のＡｌ−Ｎｉ触媒のＮＦ3 分解活性を示
す図である。
す図である。
【図９】本発明のＡｌ−Ｚｎ触媒のＣＦ4 ，Ｃ4Ｆ8，Ｃ
ＨＦ3 の分解活性を示す図である。
ＨＦ3 の分解活性を示す図である。
【図１０】本発明の一実施例による分解処理装置の概略
構成図である。
構成図である。
１…ＣＦ4 などのフッ素化合物、２…Ｎ2 、３…空気、
４…水添加器、５…反応ガス、６…分解ガス、７…水、
８…排ガス、９…酸性排水、１０…入口スプレー、１１
…イオン交換樹脂、１２…予熱器、１３…ヒーター、１
４…触媒、１５…反応器、１６，１８…スプレー手段、
１７…冷却室、１９…充填材、２０…排ガス洗浄槽、２
１…ブロワー、２２…ポンプ。
４…水添加器、５…反応ガス、６…分解ガス、７…水、
８…排ガス、９…酸性排水、１０…入口スプレー、１１
…イオン交換樹脂、１２…予熱器、１３…ヒーター、１
４…触媒、１５…反応器、１６，１８…スプレー手段、
１７…冷却室、１９…充填材、２０…排ガス洗浄槽、２
１…ブロワー、２２…ポンプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｂ０１Ｊ 23/74 ３２１Ａ (72)発明者 山下 寿生 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株式会社 日立製作所 日立研究所内 (72)発明者 小豆畑 茂 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株式会社 日立製作所 日立研究所内 (72)発明者 玉田 慎 茨城県日立市幸町三丁目１番１号 株式 会社 日立製作所 日立工場内 (72)発明者 入江 一芳 茨城県日立市幸町三丁目１番１号 株式 会社 日立製作所 日立工場内 (56)参考文献 特開 平６−63357（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−47516（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−286439（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−66388（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−122419（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−162653（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B01D 53/86 B01D 53/94 B01D 53/34 B01J 21/00 - 38/74
Claims (16)
- 【請求項１】ハロゲンとしてフッ素を含み該フッ素を炭
素，窒素及び硫黄から選ばれた元素との化合物にて含む
ガス流を、水蒸気の存在下で、ＡｌとＮｉからなり、Ａ
ｌ酸化物とＮｉ酸化物及びＡｌとＮｉからなる複合酸化
物を含む触媒と２００〜800℃の温度で接触させて前記
ガス流中のフッ素化合物を分解してフッ化水素に転化す
ることを特徴とするフッ素含有化合物の分解処理方法。 - 【請求項２】ハロゲンとしてフッ素を含み該フッ素を炭
素，窒素及び硫黄から選ばれた元素との化合物にて含む
ガス流を、水蒸気の存在下で、ＡｌとＺｎからなり、Ａ
ｌ酸化物とＮｉ酸化物及びＡｌとＺｎからなる複合酸化
物を含む触媒と２００〜800℃の温度で接触させて前記
ガス流中のフッ素化合物を分解してフッ化水素に転化す
ることを特徴とするフッ素含有化合物の分解処理方法。 - 【請求項３】ハロゲンとしてフッ素を含み該フッ素を炭
素，窒素及び硫黄から選ばれた元素との化合物にて含む
ガス流を、水蒸気及び酸素の存在下で、ＡｌとＮｉから
なり、Ａｌ酸化物とＮｉ酸化物及びＡｌとＮｉからなる
複合酸化物を含む触媒と200〜８００℃の温度で接触さ
せて前記ガス流中のフッ素化合物を分解してフッ化水素
に転化することを特徴とするフッ素含有化合物の分解処
理方法。 - 【請求項４】ハロゲンとしてフッ素を含み該フッ素を炭
素，窒素及び硫黄から選ばれた元素との化合物にて含む
ガス流を、水蒸気及び酸素の存在下で、ＡｌとＺｎから
なり、Ａｌ酸化物とＮｉ酸化物及びＡｌとＺｎからなる
複合酸化物を含む触媒と200〜８００℃の温度で接触さ
せて前記ガス流中のフッ素化合物を分解してフッ化水素
に転化することを特徴とするフッ素含有化合物の分解処
理方法。 - 【請求項５】ハロゲンとしてフッ素を含有し、炭素と窒
素及び硫黄から選ばれた元素を含むハロゲン化合物を水
蒸気の存在下で分解するために使用される触媒であっ
て、ＡｌとＮｉからなり、Ａｌ：Ｎｉの原子比がＡｌ５
０〜９９モル％、Ｎｉ５０〜１モル％であり、Ａｌ及び
Ｎｉが酸化物の状態で含まれ、ＡｌとＮｉとからなる複
合酸化物を含むことを特徴とするフッ素含有化合物の分
解処理用触媒。 - 【請求項６】ハロゲンとしてフッ素を含有し、炭素と窒
素及び硫黄から選ばれた元素を含むハロゲン化合物を水
蒸気の存在下で分解するために使用される触媒であっ
て、 ＡｌとＺｎからなり、Ａｌ：Ｚｎの原子比がＡｌ５０〜
９９モル％、Ｚｎ５０〜１モル％であり、Ａｌ及びＺｎ
が酸化物の状態で含まれ、ＡｌとＺｎとからなる複合酸
化物を含むことを特徴とするフッ素含有化合物の分解処
理用触媒。 - 【請求項７】ハロゲンとしてフッ素を含有し、炭素と窒
素及び硫黄から選ばれた元素を含むハロゲン化合物を水
蒸気及び酸素の存在下で分解するために使用される触媒
であって、ＡｌとＮｉからなり、Ａｌ：Ｎｉの原子比が
Ａｌ５０〜９９モル％、Ｎｉ５０〜１モル％であり、Ａ
ｌ及びＮｉが酸化物の状態で含まれ、ＡｌとＮｉとから
なる複合酸化物を含むことを特徴とするフッ素含有化合
物の分解処理用触媒。 - 【請求項８】ハロゲンとしてフッ素を含有し、炭素と窒
素及び硫黄から選ばれた元素を含むハロゲン化合物を水
蒸気及び酸素の存在下で分解するために使用される触媒
であって、ＡｌとＺｎからなり、Ａｌ：Ｚｎの原子比が
Ａｌ５０〜９９モル％、Ｚｎ５０〜１モル％であり、Ａ
ｌ及びＺｎが酸化物の状態で含まれ、ＡｌとＺｎとから
なる複合酸化物を含むことを特徴とするフッ素含有化合
物の分解処理用触媒。 - 【請求項９】ハロゲンとしてフッ素を含有し、炭素と窒
素及び硫黄から選ばれた元素を含むハロゲン化合物を分
解処理するための装置であって、ＡｌとＮｉからなり、
Ａｌ：Ｎｉの原子比がＡｌ５０〜９９モル％、Ｎｉ５０
〜１モル％であり、Ａｌ及びＮｉが酸化物の状態で含ま
れ、ＡｌとＮｉとからなる複合酸化物を含む触媒を充填
した反応器と、該反応器に導入される前記ハロゲン化合
物を含むガス流に対して水蒸気を添加する水添加器と、
該反応器に充填された触媒及び該反応器に導入される前
記ハロゲン化合物含有ガス流の少なくとも一方を該ハロ
ゲン化合物が分解する温度に加熱する加熱手段とを備え
たことを特徴とするフッ素含有化合物の分解処理装置。 - 【請求項１０】ハロゲンとしてフッ素を含有し、炭素と
窒素及び硫黄から選ばれた元素を含むハロゲン化合物を
分解処理するための装置であって、ＡｌとＮｉからな
り、Ａｌ：Ｎｉの原子比がＡｌ５０〜９９モル％、Ｎｉ
５０〜１モル％であり、Ａｌ及びＮｉが酸化物の状態で
含まれ、ＡｌとＮｉとからなる複合酸化物を含む触媒を
充填した反応器と、該反応器に導入される前記ハロゲン
化合物を含むガス流に対して水蒸気を添加する水添加器
と、該反応器に充填された触媒及び該反応器に導入され
る前記ハロゲン化合物含有ガス流の少なくとも一方を該
ハロゲン化合物が分解する温度に加熱する加熱手段と、
該反応器から排出されたガス流を水及び／或いはアルカ
リ水溶液で洗浄するための排ガス洗浄槽とを備えたこと
を特徴とするフッ素含有化合物の分解処理装置。 - 【請求項１１】ハロゲンとしてフッ素を含有し、炭素と
窒素及び硫黄から選ばれた元素を含むハロゲン化合物を
分解処理するための装置であって、ＡｌとＺｎからな
り、Ａｌ：Ｚｎの原子比がＡｌ５０〜９９モル％、Ｚｎ
５０〜１モル％であり、Ａｌ及びＺｎが酸化物の状態で
含まれ、ＡｌとＺｎとからなる複合酸化物を含む触媒を
充填した反応器と、該反応器に導入される前記ハロゲン
化合物を含むガス流に対して水蒸気を添加する水添加器
と、該反応器に充填された触媒及び該反応器に導入され
る前記ハロゲン化合物含有ガス流の少なくとも一方を該
ハロゲン化合物が分解する温度に加熱する加熱手段とを
備えたことを特徴とするフッ素含有化合物の分解処理装
置。 - 【請求項１２】ハロゲンとしてフッ素を含有し、炭素と
窒素及び硫黄から選ばれた元素を含むハロゲン化合物を
分解処理するための装置であって、ＡｌとＺｎからな
り、Ａｌ：Ｚｎの原子比がＡｌ５０〜９９モル％、Ｚｎ
５０〜１モル％であり、Ａｌ及びＺｎが酸化物の状態で
含まれ、ＡｌとＺｎとからなる複合酸化物を含む触媒を
充填した反応器と、該反応器に導入される前記ハロゲン
化合物を含むガス流に対して水蒸気を添加する水添加器
と、該反応器に充填された触媒及び該反応器に導入され
る前記ハロゲン化合物含有ガス流の少なくとも一方を該
ハロゲン化合物が分解する温度に加熱する加熱手段と、
該反応器から排出されたガス流を水及び／或いはアルカ
リ水溶液で洗浄するための排ガス洗浄槽とを備えたこと
を特徴とするフッ素含有化合物の分解処理装置。 - 【請求項１３】ハロゲンとしてフッ素を含有し、炭素と
窒素及び硫黄から選ばれた元素を含むハロゲン化合物を
分解処理するための装置であって、ＡｌとＮｉからな
り、Ａｌ：Ｎｉの原子比がＡｌ５０〜９９モル％、Ｎｉ
５０〜１モル％であり、Ａｌ及びＮｉが酸化物の状態で
含まれ、ＡｌとＮｉとからなる複合酸化物を含む触媒を
充填した反応器と、該反応器に導入される前記ハロゲン
化合物を含むガス流に対して水蒸気を添加する水添加器
と、該反応器に導入される前記ハロゲン化合物を含むガ
ス流に対して酸素を添加する酸素添加器と、該反応器に
充填された触媒及び該反応器に導入される前記ハロゲン
化合物含有ガス流の少なくとも一方を該ハロゲン化合物
が分解する温度に加熱する加熱手段とを備えたことを特
徴とするフッ素含有化合物の分解処理装置。 - 【請求項１４】ハロゲンとしてフッ素を含有し、炭素と
窒素及び硫黄から選ばれた元素を含むハロゲン化合物を
分解処理するための装置であって、ＡｌとＮｉからな
り、Ａｌ：Ｎｉの原子比がＡｌ５０〜９９モル％、Ｎｉ
５０〜１モル％であり、Ａｌ及びＮｉが酸化物の状態で
含まれ、ＡｌとＮｉとからなる複合酸化物を含む触媒を
充填した反応器と、該反応器に導入される前記ハロゲン
化合物を含むガス流に対して水蒸気を添加する水添加器
と、該反応器に導入される前記ハロゲン化合物を含むガ
ス流に対して酸素を添加する酸素添加器と、該反応器に
充填された触媒及び該反応器に導入される前記ハロゲン
化合物含有ガス流の少なくとも一方を該ハロゲン化合物
が分解する温度までに加熱する加熱手段と、該反応器か
ら排出されたガス流を水及び／アルカリ水溶液で洗浄す
るための排ガス洗浄槽とを備えたことを特徴とするフッ
素含有化合物の分解処理装置。 - 【請求項１５】ハロゲンとしてフッ素を含有し、炭素と
窒素及び硫黄から選ばれた元素を含むハロゲン化合物を
分解処理するための装置であって、ＡｌとＺｎからな
り、Ａｌ：Ｚｎの原子比がＡｌ５０〜９９モル％、Ｚｎ
５０〜１モル％であり、Ａｌ及びＺｎが酸化物の状態で
含まれ、ＡｌとＺｎとからなる複合酸化物を含む触媒を
充填した反応器と、該反応器に導入される前記ハロゲン
化合物を含むガス流に対して水蒸気を添加する水添加器
と、該反応器に導入される前記ハロゲン化合物を含むガ
ス流に対して酸素を添加する酸素添加器と、該反応器に
充填された触媒及び該反応器に導入される前記ハロゲン
化合物含有ガス流の少なくとも一方を該ハロゲン化合物
が分解する温度に加熱する加熱手段とを備えたことを特
徴とするフッ素含有化合物の分解処理装置。 - 【請求項１６】ハロゲンとしてフッ素を含有し、炭素と
窒素及び硫黄から選ばれた元素を含むハロゲン化合物を
分解処理するための装置であって、ＡｌとＺｎからな
り、Ａｌ：Ｚｎの原子比がＡｌ５０〜９９モル％、Ｚｎ
５０〜１モル％であり、Ａｌ及びＺｎが酸化物の状態で
含まれ、ＡｌとＺｎとからなる複合酸化物を含む触媒を
充填した反応器と、該反応器に導入される前記ハロゲン
化合物を含むガス流に対して水蒸気を添加する水添加器
と、該反応器に導入される前記ハロゲン化合物を含むガ
ス流に対して酸素を添加する酸素添加器と、該反応器に
充填された触媒及び該反応器に導入される前記ハロゲン
化合物含有ガス流の少なくとも一方を該ハロゲン化合物
が分解する温度までに加熱する加熱手段と、該反応器か
ら排出されたガス流を水及び／アルカリ水溶液で洗浄す
るための排ガス洗浄槽とを備えたことを特徴とするフッ
素含有化合物の分解処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17254398A JP3269456B2 (ja) | 1997-06-20 | 1998-06-19 | フッ素含有化合物の分解処理方法、触媒及び分解処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-163717 | 1997-06-20 | ||
| JP16371797 | 1997-06-20 | ||
| JP17254398A JP3269456B2 (ja) | 1997-06-20 | 1998-06-19 | フッ素含有化合物の分解処理方法、触媒及び分解処理装置 |
Related Child Applications (2)
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