JP2004082013A - パーフルオロコンパウンド分解方法，分解触媒及び処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ＣＦ４ ，Ｃ２Ｆ６などのハロゲンとしてフッ素のみを含有するパーフルオロコンパウンドの低温での分解活性を高める。
【解決手段】ハロゲンとしてフッ素のみを含有するパーフルオロコンパウンドを、水蒸気または水蒸気と酸素の存在下で、５００〜８００℃の温度で、ＡｌとＮｉとＷを触媒活性成分とし、ＮｉとＡｌよりなる複合酸化物と、ＷとＮｉよりなる複合酸化物を含む触媒と接触させてパーフルオロコンパウンド中のフッ素をフッ化水素に転化する。
本発明の触媒を使用することにより、低温での分解活性が高まり、パーフルオロコンパウンドを低温で高い分解率で分解できるようになる。
【選択図】 図２
【解決手段】ハロゲンとしてフッ素のみを含有するパーフルオロコンパウンドを、水蒸気または水蒸気と酸素の存在下で、５００〜８００℃の温度で、ＡｌとＮｉとＷを触媒活性成分とし、ＮｉとＡｌよりなる複合酸化物と、ＷとＮｉよりなる複合酸化物を含む触媒と接触させてパーフルオロコンパウンド中のフッ素をフッ化水素に転化する。
本発明の触媒を使用することにより、低温での分解活性が高まり、パーフルオロコンパウンドを低温で高い分解率で分解できるようになる。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＦ４ 或いはＣ２Ｆ６などのようにハロゲンとしてフッ素のみを含有するハロゲン化合物を分解するパーフルオロコンパウンド処理方法とそれに使用する触媒，触媒調製方法及び処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハロゲンとしてフッ素のみを含有するハロゲン化合物はパーフルオロコンパウンド（以下、ＰＦＣという）と称され、半導体或いは液晶のエッチング剤，半導体洗浄剤等に使用されている。ＰＦＣは地球の温暖化物質であることから、その分解方法がいろいろと検討されている。ＰＦＣ分解方法の１つに触媒を用いる方法があり、特開平１０−１９２６５３号公報，特開平１１−７０３２２号公報及び特開平１１−２４４６５６号公報等に記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ＰＦＣを触媒により分解する方法において、低温での活性を高めることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ＮｉとＡｌとＷを活性成分とする触媒を用いてＰＦＣを分解することにある。
【０００５】
本発明の触媒は、触媒活性成分が最終的に酸化物の形で含まれる。また、少なくともＮｉとＡｌよりなる複合酸化物とＮｉとＷよりなる複合酸化物が含まれる。ＮｉとＡｌよりなる複合酸化物とＮｉとＷよりなる複合酸化物以外にＮｉＯ，ＷＯ３ ，Ａｌ２Ｏ３のように単一の元素による酸化物或いはＡｌとＷよりなる複合酸化物が含まれていても良い。
【０００６】
ＮｉとＡｌよりなる複合酸化物は、スピネル型の複合酸化物よりなるか或いはスピネル型の複合酸化物を含むことが望ましい。スピネル型の複合酸化物は
ＮｉＡｌ２Ｏ４よりなることが望ましい。また、ＮｉとＷよりなる複合酸化物は
ＮｉＷＯ４ よりなるか或いはそれを含むことが望ましい。
【０００７】
本発明の触媒の活性成分はＮｉとＡｌとＷよりなる。但し、本発明の目的を損なわなければこれら３成分以外に他の成分が若干含まれることを否定するものではない。触媒活性成分における各元素の量は、Ｎｉ／Ａｌのモル比にて５／９５〜４０／６０よりなることが望ましく、特に１５／８５〜３０／７０よりなることが望ましい。Ｎｉ／Ａｌのモル比が５／９５は、重量％に換算するとＮｉが
５．６ 重量％、残りがＡｌになる。また、Ｎｉ／Ａｌのモル比が４０／６０は、重量％に換算するとＮｉが３８．８ 重量％、残りがＡｌになる。同様にＮｉ／
Ａｌのモル比が１５／８５は、重量％に換算するとＮｉが１６．１ 重量％、残りがＡｌになる。Ｎｉ／Ａｌのモル比が３０／７０は、重量％に換算するとＮｉが３０．３ 重量％、残りがＡｌになる。ＮｉとＡｌの比率が前記した範囲内のときに高いＰＦＣ分解率が得られるようになる。ＮｉとＡｌの比率が前述の範囲にあるものにＷを０．１ 〜１０重量％望ましくは１〜５重量％の範囲で添加することにより、低温側でのＰＦＣ分解率を高めることができる。
【０００８】
ＮｉとＡｌよりなる触媒にＷを添加することにより低温でのＰＦＣ分解率が高くなる理由は明らかではないが、Ｗの添加によりＨ２Ｏ が解離活性化しやすくなり、またＷとＮｉとが複合酸化物を形成することによりニッケル表面上のＰＦＣへ活性化したＨ２Ｏ をスムーズに供給できるためではないかと推察される。つまり、ＷはＮｉＡｌ２Ｏ４等の複合酸化物粒子の近傍にＮｉとの複合酸化物として存在し、水蒸気を解離活性化してＰＦＣ分解反応を活発にしているものと推察される。
【０００９】
本発明で対象とするＰＦＣは、ハロゲンとしてフッ素のみを含有する化合物であり、炭素とフッ素からなる化合物，炭素と水素とフッ素からなる化合物，炭素とフッ素と水素と酸素からなる化合物，炭素とフッ素と酸素からなる化合物，硫黄とフッ素からなる化合物，硫黄とフッ素と酸素からなる化合物，窒素とフッ素からなる化合物，窒素とフッ素と酸素からなる化合物等である。一例をあげるとＣＦ４，ＣＨＦ３，ＣＨ２Ｆ２，ＣＨ３Ｆ，Ｃ２Ｆ６，Ｃ２ＨＦ５，Ｃ２ＨＦ５，Ｃ２Ｈ２Ｆ４，Ｃ２Ｈ３Ｆ３ ，Ｃ２Ｈ４Ｆ２ ，Ｃ２Ｈ５Ｆ，Ｃ３Ｆ８，ＣＨ３ＯＣＦ２ＣＦ３ ，Ｃ４Ｆ８，Ｃ５Ｆ８ ，ＳＦ６ ，ＳＯ２Ｆ２，ＮＦ３ 等がある。
【００１０】
本発明のＰＦＣ分解方法では、主として以下の反応式によって分解がすすむものと考えられる。ＰＦＣの分解反応は加水反応であり、ＰＦＣの分解によってフッ化水素ＨＦが生成する。このほかの分解生成物は、一酸化炭素，二酸化炭素，窒素酸化物，硫黄酸化物等である。一酸化炭素が生成した場合、本発明の触媒には一酸化炭素酸化作用があるので、ガス流中に一酸化炭素を分解するのに十分な量の酸素が存在していれば、反応器内において一酸化炭素を二酸化炭素に変換することができる。
【００１１】
【式１】
ＣＦ４ ＋ ２Ｈ２Ｏ → ＣＯ２ ＋ ４ＨＦ
Ｃ２Ｆ６ ＋ ３Ｈ２Ｏ → ＣＯ ＋ ＣＯ２ ＋ ６ＨＦ
ＣＨＦ３ ＋ Ｈ２Ｏ → ＣＯ ＋ ３ＨＦ
ＳＦ６ ＋ ３Ｈ２Ｏ → ＳＯ３ ＋ ６ＨＦ
ＮＦ３ ＋ ３／２Ｈ２Ｏ → ＮＯ ＋１／２Ｏ２ ＋ ３ＨＦ
本発明では、ＰＦＣを分解するために水蒸気がいる。ＰＦＣをＨＦに転化するには、最低でも処理ガス中のＦ数と同等の水素分子を含む必要がある。通常、水蒸気は理論水蒸気必要量の数十倍含まれているが、本発明ではＷ添加により反応ガス中の水蒸気が活性化されやすくなっているため、水蒸気の量を減らしても高い分解率が得られる。本発明では、水蒸気量は理論水蒸気必要量の３〜２０倍もあれば十分であり、５〜１０倍程度でもよい。
【００１２】
反応温度は５００〜８００℃が好ましい。反応温度が５００℃以下では本発明といえども高いＰＦＣ分解率が得られない。５５０℃以上の反応温度であれば、本発明の触媒は極めて高いＰＦＣ分解活性を示す。ＰＦＣの濃度が３〜５％のように高い場合には、反応温度は高めにするのがよい。ＰＦＣの濃度が１％以下のように低い場合には反応温度を低めにしてもよい。反応温度を低くすることにより、触媒の劣化を抑制でき、また、処理装置の材料の腐食を進みにくくすることができる。
【００１３】
本発明では、ＰＦＣ分解反応によって生成したＨＦを除去するために、反応器から排出されたガスを水またはアルカリに接触させることが望ましい。ＰＦＣの分解生成物を水またはアルカリに接触させる方法としては、水またはアルカリ水溶液中に分解生成ガスをバブリングする方法、水またはアルカリ水溶液を分解生成ガスにスプレーする方法等が適用可能であり、充填塔を用いて洗浄する方法でもよく、またアルカリ水溶液ではなくアルカリ性の固体を用いてもよい。
【００１４】
本発明の触媒を調製するにあたってのＡｌ原料としては、γ−アルミナ，γ−アルミナとδ−アルミナの混合物などを使用することができる。特にベーマイトをＡｌ原料として用いて最終的な焼成により酸化物を形成させるのは非常に好ましい。
【００１５】
Ｎｉ原料或いはＷ原料には、硝酸塩，硫酸塩，アンモニウム塩，塩化物等を用いることができる。
【００１６】
触媒の製造法は、触媒の製造に通常用いられる沈殿法，含浸法，混練法等を適用できる。アルミニウム原料の粉末にニッケル原料を含む水溶液を添加したのち焼成し、その後、タングステン原料を含む水溶液を添加して焼成し、これによってＮｉとＡｌよりなる複合酸化物とＮｉとＷよりなる複合酸化物を含む触媒を製造する方法は、非常に好ましい触媒調製方法である。
【００１７】
触媒の最終形状は、粒状でもよいし、ハニカム状などに成形してもよい。触媒成形法としては、押し出し成形法，打錠成形法，転動造粒法など任意の方法を採用できる。また、セラミックス製或いは金属製のハニカムや板に触媒成分をコーティングして使用してもよい。
【００１８】
本発明のＰＦＣ処理装置は、ＰＦＣを窒素または空気により希釈したガス流を得る手段と、このガス流に水蒸気を添加する手段と、水蒸気が添加されたガス流を触媒に接触させるための反応器と、反応器内の触媒をＰＦＣ分解温度に加熱するための加熱手段と、反応器にて生成した分解生成物を含むガスを水またはアルカリと接触させてＨＦを除去する排ガス洗浄槽とを具備する。排ガス洗浄槽の後段に洗浄により中和されなかった一酸化炭素，窒素酸化物（ＮＯ，ＮＯ２ 等），硫黄酸化物（ＳＯ２ ，ＳＯ３ 等）等を吸着剤によって除去するための吸着手段を設置することは望ましい。
【００１９】
本発明の処理方法を実施するに当たっては、処理するガス流中のＰＦＣ濃度を最大でも５％以下、通常であれば１〜２％程度にすることが望ましい。ＰＦＣ濃度が高いと処理ガスを流す配管，反応器等が腐蝕劣化しやすい。ＰＦＣ濃度を前記範囲にするために、ＰＦＣを窒素或いは空気により希釈することが望ましい。
【００２０】
反応器は、通常の固定床，移動床或いは流動床型のものでよいが、分解生成ガスとしてＨＦ等の腐食性のガスが発生するので、これらの腐食性のガスによって損傷しにくい材料で反応器を構成すべきである。
【００２１】
処理されるガス流中に固形物が含まれていたり或いは反応器内でＨ２Ｏ と反応して固形物を生成する成分等が含まれている場合には、湿式スクラバー等の標準的な固形物除去装置を反応器の前段に設置するなどしてこれらを予め除去し、これらが触媒表面に析出してＰＦＣの分解活性を低下させるのを防止することが望ましい。
【００２２】
既設の半導体工場のエッチング工程，液晶工場のエッチング工程へ本発明の
ＰＦＣ分解処理装置を備えることは好ましい。なお、エッチング工程から排出されるＰＦＣ含有ガス流には、エッチングで生成した不純物が含まれており、ＰＦＣ分解に影響を及ぼすことが懸念されるので、反応器に入る手前で除去することが望ましい。また、半導体工場では一般に酸成分ガスを処理するための排ガス処理装置が備えられているので、これをＰＦＣ分解生成ガスの洗浄装置として利用し、この装置の前段に本発明の触媒を充填した反応器を設置することも可能である。
【００２３】
【発明の実施の形態】
（実施例１）
実施例１では、ＮｉとＡｌよりなる触媒と、ＮｉとＡｌとＷよりなる触媒について、性能比較を行った結果を示す。
【００２４】
触媒１
ＮｉとＡｌよりなる触媒は次のようにして調製した。
【００２５】
市販のベーマイト粉末（Ｐｕｒａｌ ＳＢ１，ＣＯＮＤＥＡ社製）を１２０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００．８８ｇ に、硝酸ニッケル６水和物（和光純薬）２１０．８６ｇ を溶かした水溶液を添加し、混練した。混練後、約３００℃で約２時間乾燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い分けして０．５〜１ｍｍの粒径とした。完成後の触媒の組成はモル（ｍｏｌ）比でＮｉ／Ａｌ＝２０／８０であった。Ｘ線回折パターンを調べた結果、ＮｉＡｌ２Ｏ４とＮｉＯのピークが確認され、これらの酸化物が含まれていることが確認された。Ａｌ２Ｏ３のピークは検出されないことからアモルファスとして含まれているものと推定される。
【００２６】
触媒２
ＮｉとＡｌとＷよりなる触媒は次のようにして調製した。なお、Ｗの量は仕込み量でＮｉとＡｌの重量に対し金属として５重量％にした。
【００２７】
触媒１で調製したＮｉとＡｌよりなる触媒（以下、Ｎｉ／Ａｌ触媒と記載する）を１２０℃で１ｈ乾燥した。乾燥後のＮｉ／Ａｌ触媒１００．３１ｇ に、タングステン酸アンモニウムパラ５水和物（ａｐｐｒｏｘ．（ＮＨ４）１０Ｗ１２Ｏ４１・５Ｈ２Ｏ ，和光純薬）７．１０ｇを３０％過酸化水素水（和光純薬）４８．３１ｇに溶解した水溶液を添加し、含浸した。含浸後、１２０℃で２ｈ乾燥し、７５０℃で２ｈ焼成した。この触媒は、Ｘ線回折パターンによりＮｉＡｌ２Ｏ４とＮｉＯの存在と、
Ａｌ２Ｏ３がアモルファスとして含まれていることが確認された。また、ＸＰＳ分析チャートにより、ＮｉＷＯ４ が確認された。ＸＰＳチャートではＷＯ３ 或いはＡｌ２（ＷＯ４）３と思われる酸化物も確認された。
【００２８】
図１は、本実施例１で使用したラボスケールの小型処理装置の系統図を示す。本装置は、Ｎ２ ，空気，ＣＦ４及びＨ２Ｏの供給系，反応器１，排ガス洗浄槽４，ミストキャッチャ５を具備している。反応器１には内径４８．０ｍｍ，外径３８．２ｍｍ，長さ４５０．０ｍｍ の寸法のものを使用した。この反応器は内部に外径３ｍｍのインコネル製の熱電対保護管を有している。反応器１には本発明によるＰＦＣ分解触媒２が充填されている。反応器内のＰＦＣ分解触媒が充填されていない上部空間部は予熱層になっている。反応器１は電気炉３の内部に設置されている。電気炉はＰＦＣ分解触媒２を加熱する役目とＰＦＣを含むガス流を予熱する役目をしている。
【００２９】
窒素約７４３ｍｌ／ｍｉｎ，空気約１８７ｍｌ／ｍｉｎ、及びＣＦ４ 約４．４４ｍｌ／ｍｉｎを反応器前段で混合し反応器１に導入した。ドライベースのＣＦ４ 濃度（窒素，空気、及びＣＦ４流量から算出）は約０．４３％となる。空間速度（ＳＶ）は９２０〜９２５ｈ−１である。Ｈ２Ｏ は純水を約０．１８０ｍｌ／ｍｉｎで反応器に上部から供給し、予熱層で気化させて供給した。反応器はインコネル６００製で、ＰＦＣ分解触媒２を約７５ｍｌ充填した。
【００３０】
反応器１を電気炉３で外側から加熱し、触媒の温度が所定温度となるように調節した。分解生成ガスは、水道水を入れた排ガス洗浄槽４へ導入し、ＨＦ等の酸性成分を吸収除去した。排ガス洗浄槽の後段にはミストキャッチャ５を設置し、ミストキャッチャを通過した後のガスを更に乾燥剤６を詰めた容器に通して水分を十分に除去してからＣＦ４ 濃度をＴＣＤガスクロマトグラフ分析計で測定した。ＣＦ４ の分解率は次式で求めた。
【００３１】
【式２】
【００３２】
図２は、性能評価結果を示している。Ｎｉ／Ａｌ触媒よりなる触媒１のＣＦ４ 分解率は６０４℃で８０％であった。これに対し、Ｎｉ／Ａｌ触媒にＷを添加した触媒２のＣＦ４ 分解率は６０３℃で９６％と極めて高かった。図２から明らかなように、触媒２は、低温側での分解率が触媒１に比べて高く、低温での分解活性が優れている。触媒２の５００℃での分解率は、触媒１の６００℃での分解率よりも高い。触媒２が触媒１にくらべて分解活性がすぐれているのは、Ｗ添加により水蒸気を解離活性化してＰＦＣの分解反応を活発にしていることと、触媒調製時に用いた過酸化水素水が細孔径変化に寄与していること等によるものと考えられる。
【００３３】
（実施例２）
実施例２では、実施例１に記載した触媒２のＷの量を変化させて分解率を測定した。
【００３４】
触媒３
Ｗを仕込み量でＮｉとＡｌの重量に対し金属として１重量％となるよう添加したＮｉとＡｌとＷよりなる触媒を、以下の方法で調製した。
【００３５】
触媒１で調製したＮｉ／Ａｌ触媒を１２０℃で１ｈ乾燥した。乾燥後のＮｉ／Ａｌ触媒１００．８４ｇ に、タングステン酸アンモニウムパラ５水和物（ａｐｐｒｏｘ．（ＮＨ４）１０Ｗ１２Ｏ４１・５Ｈ２Ｏ，和光純薬）１．４２ｇを３０％過酸化水素水（和光純薬）４８．３３ｇ に溶解した水溶液を添加し、含浸した。含浸後、１２０℃で２ｈ乾燥し、７５０℃で２ｈ焼成した。
【００３６】
触媒４
Ｗを仕込み量でＮｉ／Ａｌ重量に対し金属として２重量％添加したＮｉとＡｌとＷよりなる触媒を、以下の方法で調製した。
【００３７】
触媒１で調製したＮｉ／Ａｌ触媒を１２０℃で１ｈ乾燥した。乾燥後のＮｉ／Ａｌ触媒１００．０８ｇに、タングステン酸アンモニウムパラ５水和物（ａｐｐｒｏｘ．（ＮＨ４）１０Ｗ１２Ｏ４１・５Ｈ２Ｏ，和光純薬）２．８４２ｇ を３０％過酸化水素水（和光純薬） ４８．４０ｇに溶解した水溶液を添加し、含浸した。含浸後、１２０℃で２ｈ乾燥し、７５０℃で２ｈ焼成した。
【００３８】
この触媒のＸ線回折パターンを図６に示す。ＮｉＡｌ２Ｏ４とＮｉＯのピークが検出され、これらの酸化物が含まれていることが明らかである。Ａｌ２Ｏ３のピークは検出されず、アモルファスとして含まれているものと推定される。ＸＰＳ分析チャートを図７に示す。ＮｉＷＯ４ の存在が確認された。またＷＯ３ 或いは
Ａｌ２（ＷＯ４）３と思われる酸化物が確認された。
【００３９】
触媒５
Ｗを仕込み量でＮｉ／Ａｌ重量に対し金属として３重量％添加したＮｉとＡｌとＷよりなる触媒を次のようにして調製した。
【００４０】
触媒１で調製したＮｉ／Ａｌ触媒を１２０℃で１ｈ乾燥した。乾燥後のＮｉ／Ａｌ触媒１００．６８ｇに、タングステン酸アンモニウムパラ５水和物（ａｐｐｒｏｘ．（ＮＨ４）１０Ｗ１２Ｏ４１・５Ｈ２Ｏ，和光純薬）４．２５５ｇ を３０％過酸化水素水（和光純薬）４８．４０ｇに溶解した水溶液を添加し、含浸した。含浸後、１２０℃で２ｈ乾燥し、７５０℃で２ｈ焼成した。
【００４１】
触媒６
Ｗを仕込み量でＮｉ／Ａｌ重量に対し金属として１０重量％添加したＮｉと
ＡｌとＷよりなる触媒を次のようにして調製した。
【００４２】
触媒１で調製したＮｉ／Ａｌ触媒を１２０℃で１ｈ乾燥した。乾燥後のＮｉ／Ａｌ触媒１００．４２ｇに、タングステン酸アンモニウムパラ５水和物（ａｐｐｒｏｘ．（ＮＨ４）１０Ｗ１２Ｏ４１・５Ｈ２Ｏ，和光純薬）１４．２０ｇ を３０％過酸化水素水（和光純薬）４８．９８ｇに溶解した水溶液を添加し、含浸した。含浸後、１２０℃で２ｈ乾燥し、７５０℃で２ｈ焼成した。
【００４３】
実施例１に示した触媒１と触媒２及び触媒３，４，５及び６について、ＣＦ４ の分解活性を実施例１のときと同じ方法で評価した。結果を図３に示す。
【００４４】
Ｎｉ／Ａｌ触媒に対してＷを金属として１〜５重量％添加した触媒は、６５０℃，６００℃及び５５０℃の各反応温度での分解率がいずれもＮｉ／Ａｌ触媒よりも高く、低温での活性が優れていることが確認された。Ｎｉ／Ａｌ触媒に対しＷを金属として１０重量％含有した触媒は、５５０℃〜７００℃の反応温度での分解活性が触媒１のＮｉ／Ａｌ触媒の性能とほぼ同等であった。
【００４５】
（実施例３）
本実施例３では、Ｗ原料を変えて以下に示す方法で触媒７と触媒８を調製し、ＣＦ４分解活性を検討した。なお、いずれの場合もＷの量は仕込み量でＮｉ／
Ａｌ重量に対し金属として２重量％とした。
【００４６】
試験は、触媒層入口でのＣＦ４ 濃度を０．８％ 、Ｈ２Ｏ を当量比の１０〜１３倍、Ｏ２ 濃度を１．０〜１．２％、残部をＮ２ とし、ＳＶを約１３５０ｈ−１とした。反応温度と分解率との関係を図４に示す。Ｗ原料及び溶媒を変えるとＮｉ／
Ａｌ触媒と分解性能はほぼ同じであった。
【００４７】
触媒７
触媒１で調製したＮｉ／Ａｌ触媒を１２０℃で１ｈ乾燥した。乾燥後のＮｉ／Ａｌ触媒１００．２０ｇ に、メタタングステン溶液（日本無機化学工業株式会社製，ＭＷ−２）２．７９２ｇ を純水４１ｇと混合し、この水溶液を含浸した。含浸後、１２０℃で２ｈ乾燥し、７００℃で２ｈ焼成した。
【００４８】
触媒８
触媒１で調製したＮｉ／Ａｌ触媒を１２０℃で１ｈ乾燥した。乾燥後のＮｉ／Ａｌ触媒１００．５６ｇ に、りんタングステン酸（和光純薬）２．８５１ｇ を純水４１ｇに溶解した水溶液を含浸した。含浸後、１２０℃で２ｈ乾燥し、７００℃で２ｈ焼成した。
【００４９】
（実施例４）
本実施例４では、触媒４のＣ２Ｆ６分解反応におけるＨ２Ｏ 量の影響を調べた。比較のため同一条件で触媒１の性能も評価した。
【００５０】
Ｃ２Ｆ６分解反応の理論式は、以下に示すとおりであり、Ｈ２Ｏ はＣ２Ｆ６のモル数の３倍が必要となる。
【００５１】
【式３】
Ｃ２Ｆ６＋３Ｈ２Ｏ→ＣＯ＋ＣＯ２＋６ＨＦ
図５は、Ｈ２Ｏ 当量比とＣ２Ｆ６分解率との関係を示している。図中に丸印で示したデータは、触媒層入口でのＣ２Ｆ６濃度を１．０％、Ｏ２濃度を１．０〜１．２％、残部をＮ２ とし、空間速度ＳＶを１１００〜１４００ｈ−１、反応温度を７５０℃としたときのデータを示す。三角印で示したデータは、触媒層入口でのＣ２Ｆ６濃度を０．５％ 、Ｏ２ 濃度を１．０〜１．２％、残部をＮ２ とし、空間速度ＳＶを１１００〜１４００ｈ−１、反応温度を７００℃としたときのデータである。
【００５２】
いずれの試験条件の場合でも、Ｈ２Ｏ 当量比が同じときには、ＮｉとＡｌとＷよりなる触媒の方が、ＮｉとＡｌよりなる触媒に比べてＣ２Ｆ６分解率が高い。これより本発明の触媒を使用すれば反応水量を低減できることが確認された。
【００５３】
【発明の効果】
本発明によれば、ＣＦ４ ，Ｃ２Ｆ６などのハロゲンとしてフッ素のみを含有するパーフルオロコンパウンドの低温での分解活性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による処理装置の一実施例を示す概略図である。
【図２】ＣＦ４ 分解率と反応温度との関係を示す図である。
【図３】ＣＦ４ の分解率とＷ量との関係を示す図である。
【図４】ＣＦ４ の分解率と反応温度との関係を示す図である。
【図５】Ｃ２Ｆ６の分解率とＨ２Ｏ当量比との関係を示す図である。
【図６】本発明による触媒のＸ線回折パターンを示す図である。
【図７】本発明による触媒のＸＰＳ分析チャートを示す図である。
【符号の説明】
１…反応器、２…ＰＦＣ分解触媒、３…電気炉、４…排ガス洗浄槽、５…ミストキャッチャ、６…乾燥剤。
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＦ４ 或いはＣ２Ｆ６などのようにハロゲンとしてフッ素のみを含有するハロゲン化合物を分解するパーフルオロコンパウンド処理方法とそれに使用する触媒，触媒調製方法及び処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハロゲンとしてフッ素のみを含有するハロゲン化合物はパーフルオロコンパウンド（以下、ＰＦＣという）と称され、半導体或いは液晶のエッチング剤，半導体洗浄剤等に使用されている。ＰＦＣは地球の温暖化物質であることから、その分解方法がいろいろと検討されている。ＰＦＣ分解方法の１つに触媒を用いる方法があり、特開平１０−１９２６５３号公報，特開平１１−７０３２２号公報及び特開平１１−２４４６５６号公報等に記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ＰＦＣを触媒により分解する方法において、低温での活性を高めることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ＮｉとＡｌとＷを活性成分とする触媒を用いてＰＦＣを分解することにある。
【０００５】
本発明の触媒は、触媒活性成分が最終的に酸化物の形で含まれる。また、少なくともＮｉとＡｌよりなる複合酸化物とＮｉとＷよりなる複合酸化物が含まれる。ＮｉとＡｌよりなる複合酸化物とＮｉとＷよりなる複合酸化物以外にＮｉＯ，ＷＯ３ ，Ａｌ２Ｏ３のように単一の元素による酸化物或いはＡｌとＷよりなる複合酸化物が含まれていても良い。
【０００６】
ＮｉとＡｌよりなる複合酸化物は、スピネル型の複合酸化物よりなるか或いはスピネル型の複合酸化物を含むことが望ましい。スピネル型の複合酸化物は
ＮｉＡｌ２Ｏ４よりなることが望ましい。また、ＮｉとＷよりなる複合酸化物は
ＮｉＷＯ４ よりなるか或いはそれを含むことが望ましい。
【０００７】
本発明の触媒の活性成分はＮｉとＡｌとＷよりなる。但し、本発明の目的を損なわなければこれら３成分以外に他の成分が若干含まれることを否定するものではない。触媒活性成分における各元素の量は、Ｎｉ／Ａｌのモル比にて５／９５〜４０／６０よりなることが望ましく、特に１５／８５〜３０／７０よりなることが望ましい。Ｎｉ／Ａｌのモル比が５／９５は、重量％に換算するとＮｉが
５．６ 重量％、残りがＡｌになる。また、Ｎｉ／Ａｌのモル比が４０／６０は、重量％に換算するとＮｉが３８．８ 重量％、残りがＡｌになる。同様にＮｉ／
Ａｌのモル比が１５／８５は、重量％に換算するとＮｉが１６．１ 重量％、残りがＡｌになる。Ｎｉ／Ａｌのモル比が３０／７０は、重量％に換算するとＮｉが３０．３ 重量％、残りがＡｌになる。ＮｉとＡｌの比率が前記した範囲内のときに高いＰＦＣ分解率が得られるようになる。ＮｉとＡｌの比率が前述の範囲にあるものにＷを０．１ 〜１０重量％望ましくは１〜５重量％の範囲で添加することにより、低温側でのＰＦＣ分解率を高めることができる。
【０００８】
ＮｉとＡｌよりなる触媒にＷを添加することにより低温でのＰＦＣ分解率が高くなる理由は明らかではないが、Ｗの添加によりＨ２Ｏ が解離活性化しやすくなり、またＷとＮｉとが複合酸化物を形成することによりニッケル表面上のＰＦＣへ活性化したＨ２Ｏ をスムーズに供給できるためではないかと推察される。つまり、ＷはＮｉＡｌ２Ｏ４等の複合酸化物粒子の近傍にＮｉとの複合酸化物として存在し、水蒸気を解離活性化してＰＦＣ分解反応を活発にしているものと推察される。
【０００９】
本発明で対象とするＰＦＣは、ハロゲンとしてフッ素のみを含有する化合物であり、炭素とフッ素からなる化合物，炭素と水素とフッ素からなる化合物，炭素とフッ素と水素と酸素からなる化合物，炭素とフッ素と酸素からなる化合物，硫黄とフッ素からなる化合物，硫黄とフッ素と酸素からなる化合物，窒素とフッ素からなる化合物，窒素とフッ素と酸素からなる化合物等である。一例をあげるとＣＦ４，ＣＨＦ３，ＣＨ２Ｆ２，ＣＨ３Ｆ，Ｃ２Ｆ６，Ｃ２ＨＦ５，Ｃ２ＨＦ５，Ｃ２Ｈ２Ｆ４，Ｃ２Ｈ３Ｆ３ ，Ｃ２Ｈ４Ｆ２ ，Ｃ２Ｈ５Ｆ，Ｃ３Ｆ８，ＣＨ３ＯＣＦ２ＣＦ３ ，Ｃ４Ｆ８，Ｃ５Ｆ８ ，ＳＦ６ ，ＳＯ２Ｆ２，ＮＦ３ 等がある。
【００１０】
本発明のＰＦＣ分解方法では、主として以下の反応式によって分解がすすむものと考えられる。ＰＦＣの分解反応は加水反応であり、ＰＦＣの分解によってフッ化水素ＨＦが生成する。このほかの分解生成物は、一酸化炭素，二酸化炭素，窒素酸化物，硫黄酸化物等である。一酸化炭素が生成した場合、本発明の触媒には一酸化炭素酸化作用があるので、ガス流中に一酸化炭素を分解するのに十分な量の酸素が存在していれば、反応器内において一酸化炭素を二酸化炭素に変換することができる。
【００１１】
【式１】
ＣＦ４ ＋ ２Ｈ２Ｏ → ＣＯ２ ＋ ４ＨＦ
Ｃ２Ｆ６ ＋ ３Ｈ２Ｏ → ＣＯ ＋ ＣＯ２ ＋ ６ＨＦ
ＣＨＦ３ ＋ Ｈ２Ｏ → ＣＯ ＋ ３ＨＦ
ＳＦ６ ＋ ３Ｈ２Ｏ → ＳＯ３ ＋ ６ＨＦ
ＮＦ３ ＋ ３／２Ｈ２Ｏ → ＮＯ ＋１／２Ｏ２ ＋ ３ＨＦ
本発明では、ＰＦＣを分解するために水蒸気がいる。ＰＦＣをＨＦに転化するには、最低でも処理ガス中のＦ数と同等の水素分子を含む必要がある。通常、水蒸気は理論水蒸気必要量の数十倍含まれているが、本発明ではＷ添加により反応ガス中の水蒸気が活性化されやすくなっているため、水蒸気の量を減らしても高い分解率が得られる。本発明では、水蒸気量は理論水蒸気必要量の３〜２０倍もあれば十分であり、５〜１０倍程度でもよい。
【００１２】
反応温度は５００〜８００℃が好ましい。反応温度が５００℃以下では本発明といえども高いＰＦＣ分解率が得られない。５５０℃以上の反応温度であれば、本発明の触媒は極めて高いＰＦＣ分解活性を示す。ＰＦＣの濃度が３〜５％のように高い場合には、反応温度は高めにするのがよい。ＰＦＣの濃度が１％以下のように低い場合には反応温度を低めにしてもよい。反応温度を低くすることにより、触媒の劣化を抑制でき、また、処理装置の材料の腐食を進みにくくすることができる。
【００１３】
本発明では、ＰＦＣ分解反応によって生成したＨＦを除去するために、反応器から排出されたガスを水またはアルカリに接触させることが望ましい。ＰＦＣの分解生成物を水またはアルカリに接触させる方法としては、水またはアルカリ水溶液中に分解生成ガスをバブリングする方法、水またはアルカリ水溶液を分解生成ガスにスプレーする方法等が適用可能であり、充填塔を用いて洗浄する方法でもよく、またアルカリ水溶液ではなくアルカリ性の固体を用いてもよい。
【００１４】
本発明の触媒を調製するにあたってのＡｌ原料としては、γ−アルミナ，γ−アルミナとδ−アルミナの混合物などを使用することができる。特にベーマイトをＡｌ原料として用いて最終的な焼成により酸化物を形成させるのは非常に好ましい。
【００１５】
Ｎｉ原料或いはＷ原料には、硝酸塩，硫酸塩，アンモニウム塩，塩化物等を用いることができる。
【００１６】
触媒の製造法は、触媒の製造に通常用いられる沈殿法，含浸法，混練法等を適用できる。アルミニウム原料の粉末にニッケル原料を含む水溶液を添加したのち焼成し、その後、タングステン原料を含む水溶液を添加して焼成し、これによってＮｉとＡｌよりなる複合酸化物とＮｉとＷよりなる複合酸化物を含む触媒を製造する方法は、非常に好ましい触媒調製方法である。
【００１７】
触媒の最終形状は、粒状でもよいし、ハニカム状などに成形してもよい。触媒成形法としては、押し出し成形法，打錠成形法，転動造粒法など任意の方法を採用できる。また、セラミックス製或いは金属製のハニカムや板に触媒成分をコーティングして使用してもよい。
【００１８】
本発明のＰＦＣ処理装置は、ＰＦＣを窒素または空気により希釈したガス流を得る手段と、このガス流に水蒸気を添加する手段と、水蒸気が添加されたガス流を触媒に接触させるための反応器と、反応器内の触媒をＰＦＣ分解温度に加熱するための加熱手段と、反応器にて生成した分解生成物を含むガスを水またはアルカリと接触させてＨＦを除去する排ガス洗浄槽とを具備する。排ガス洗浄槽の後段に洗浄により中和されなかった一酸化炭素，窒素酸化物（ＮＯ，ＮＯ２ 等），硫黄酸化物（ＳＯ２ ，ＳＯ３ 等）等を吸着剤によって除去するための吸着手段を設置することは望ましい。
【００１９】
本発明の処理方法を実施するに当たっては、処理するガス流中のＰＦＣ濃度を最大でも５％以下、通常であれば１〜２％程度にすることが望ましい。ＰＦＣ濃度が高いと処理ガスを流す配管，反応器等が腐蝕劣化しやすい。ＰＦＣ濃度を前記範囲にするために、ＰＦＣを窒素或いは空気により希釈することが望ましい。
【００２０】
反応器は、通常の固定床，移動床或いは流動床型のものでよいが、分解生成ガスとしてＨＦ等の腐食性のガスが発生するので、これらの腐食性のガスによって損傷しにくい材料で反応器を構成すべきである。
【００２１】
処理されるガス流中に固形物が含まれていたり或いは反応器内でＨ２Ｏ と反応して固形物を生成する成分等が含まれている場合には、湿式スクラバー等の標準的な固形物除去装置を反応器の前段に設置するなどしてこれらを予め除去し、これらが触媒表面に析出してＰＦＣの分解活性を低下させるのを防止することが望ましい。
【００２２】
既設の半導体工場のエッチング工程，液晶工場のエッチング工程へ本発明の
ＰＦＣ分解処理装置を備えることは好ましい。なお、エッチング工程から排出されるＰＦＣ含有ガス流には、エッチングで生成した不純物が含まれており、ＰＦＣ分解に影響を及ぼすことが懸念されるので、反応器に入る手前で除去することが望ましい。また、半導体工場では一般に酸成分ガスを処理するための排ガス処理装置が備えられているので、これをＰＦＣ分解生成ガスの洗浄装置として利用し、この装置の前段に本発明の触媒を充填した反応器を設置することも可能である。
【００２３】
【発明の実施の形態】
（実施例１）
実施例１では、ＮｉとＡｌよりなる触媒と、ＮｉとＡｌとＷよりなる触媒について、性能比較を行った結果を示す。
【００２４】
触媒１
ＮｉとＡｌよりなる触媒は次のようにして調製した。
【００２５】
市販のベーマイト粉末（Ｐｕｒａｌ ＳＢ１，ＣＯＮＤＥＡ社製）を１２０℃で１時間乾燥した。この乾燥粉末２００．８８ｇ に、硝酸ニッケル６水和物（和光純薬）２１０．８６ｇ を溶かした水溶液を添加し、混練した。混練後、約３００℃で約２時間乾燥し、７００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕，篩い分けして０．５〜１ｍｍの粒径とした。完成後の触媒の組成はモル（ｍｏｌ）比でＮｉ／Ａｌ＝２０／８０であった。Ｘ線回折パターンを調べた結果、ＮｉＡｌ２Ｏ４とＮｉＯのピークが確認され、これらの酸化物が含まれていることが確認された。Ａｌ２Ｏ３のピークは検出されないことからアモルファスとして含まれているものと推定される。
【００２６】
触媒２
ＮｉとＡｌとＷよりなる触媒は次のようにして調製した。なお、Ｗの量は仕込み量でＮｉとＡｌの重量に対し金属として５重量％にした。
【００２７】
触媒１で調製したＮｉとＡｌよりなる触媒（以下、Ｎｉ／Ａｌ触媒と記載する）を１２０℃で１ｈ乾燥した。乾燥後のＮｉ／Ａｌ触媒１００．３１ｇ に、タングステン酸アンモニウムパラ５水和物（ａｐｐｒｏｘ．（ＮＨ４）１０Ｗ１２Ｏ４１・５Ｈ２Ｏ ，和光純薬）７．１０ｇを３０％過酸化水素水（和光純薬）４８．３１ｇに溶解した水溶液を添加し、含浸した。含浸後、１２０℃で２ｈ乾燥し、７５０℃で２ｈ焼成した。この触媒は、Ｘ線回折パターンによりＮｉＡｌ２Ｏ４とＮｉＯの存在と、
Ａｌ２Ｏ３がアモルファスとして含まれていることが確認された。また、ＸＰＳ分析チャートにより、ＮｉＷＯ４ が確認された。ＸＰＳチャートではＷＯ３ 或いはＡｌ２（ＷＯ４）３と思われる酸化物も確認された。
【００２８】
図１は、本実施例１で使用したラボスケールの小型処理装置の系統図を示す。本装置は、Ｎ２ ，空気，ＣＦ４及びＨ２Ｏの供給系，反応器１，排ガス洗浄槽４，ミストキャッチャ５を具備している。反応器１には内径４８．０ｍｍ，外径３８．２ｍｍ，長さ４５０．０ｍｍ の寸法のものを使用した。この反応器は内部に外径３ｍｍのインコネル製の熱電対保護管を有している。反応器１には本発明によるＰＦＣ分解触媒２が充填されている。反応器内のＰＦＣ分解触媒が充填されていない上部空間部は予熱層になっている。反応器１は電気炉３の内部に設置されている。電気炉はＰＦＣ分解触媒２を加熱する役目とＰＦＣを含むガス流を予熱する役目をしている。
【００２９】
窒素約７４３ｍｌ／ｍｉｎ，空気約１８７ｍｌ／ｍｉｎ、及びＣＦ４ 約４．４４ｍｌ／ｍｉｎを反応器前段で混合し反応器１に導入した。ドライベースのＣＦ４ 濃度（窒素，空気、及びＣＦ４流量から算出）は約０．４３％となる。空間速度（ＳＶ）は９２０〜９２５ｈ−１である。Ｈ２Ｏ は純水を約０．１８０ｍｌ／ｍｉｎで反応器に上部から供給し、予熱層で気化させて供給した。反応器はインコネル６００製で、ＰＦＣ分解触媒２を約７５ｍｌ充填した。
【００３０】
反応器１を電気炉３で外側から加熱し、触媒の温度が所定温度となるように調節した。分解生成ガスは、水道水を入れた排ガス洗浄槽４へ導入し、ＨＦ等の酸性成分を吸収除去した。排ガス洗浄槽の後段にはミストキャッチャ５を設置し、ミストキャッチャを通過した後のガスを更に乾燥剤６を詰めた容器に通して水分を十分に除去してからＣＦ４ 濃度をＴＣＤガスクロマトグラフ分析計で測定した。ＣＦ４ の分解率は次式で求めた。
【００３１】
【式２】
図２は、性能評価結果を示している。Ｎｉ／Ａｌ触媒よりなる触媒１のＣＦ４ 分解率は６０４℃で８０％であった。これに対し、Ｎｉ／Ａｌ触媒にＷを添加した触媒２のＣＦ４ 分解率は６０３℃で９６％と極めて高かった。図２から明らかなように、触媒２は、低温側での分解率が触媒１に比べて高く、低温での分解活性が優れている。触媒２の５００℃での分解率は、触媒１の６００℃での分解率よりも高い。触媒２が触媒１にくらべて分解活性がすぐれているのは、Ｗ添加により水蒸気を解離活性化してＰＦＣの分解反応を活発にしていることと、触媒調製時に用いた過酸化水素水が細孔径変化に寄与していること等によるものと考えられる。
【００３３】
（実施例２）
実施例２では、実施例１に記載した触媒２のＷの量を変化させて分解率を測定した。
【００３４】
触媒３
Ｗを仕込み量でＮｉとＡｌの重量に対し金属として１重量％となるよう添加したＮｉとＡｌとＷよりなる触媒を、以下の方法で調製した。
【００３５】
触媒１で調製したＮｉ／Ａｌ触媒を１２０℃で１ｈ乾燥した。乾燥後のＮｉ／Ａｌ触媒１００．８４ｇ に、タングステン酸アンモニウムパラ５水和物（ａｐｐｒｏｘ．（ＮＨ４）１０Ｗ１２Ｏ４１・５Ｈ２Ｏ，和光純薬）１．４２ｇを３０％過酸化水素水（和光純薬）４８．３３ｇ に溶解した水溶液を添加し、含浸した。含浸後、１２０℃で２ｈ乾燥し、７５０℃で２ｈ焼成した。
【００３６】
触媒４
Ｗを仕込み量でＮｉ／Ａｌ重量に対し金属として２重量％添加したＮｉとＡｌとＷよりなる触媒を、以下の方法で調製した。
【００３７】
触媒１で調製したＮｉ／Ａｌ触媒を１２０℃で１ｈ乾燥した。乾燥後のＮｉ／Ａｌ触媒１００．０８ｇに、タングステン酸アンモニウムパラ５水和物（ａｐｐｒｏｘ．（ＮＨ４）１０Ｗ１２Ｏ４１・５Ｈ２Ｏ，和光純薬）２．８４２ｇ を３０％過酸化水素水（和光純薬） ４８．４０ｇに溶解した水溶液を添加し、含浸した。含浸後、１２０℃で２ｈ乾燥し、７５０℃で２ｈ焼成した。
【００３８】
この触媒のＸ線回折パターンを図６に示す。ＮｉＡｌ２Ｏ４とＮｉＯのピークが検出され、これらの酸化物が含まれていることが明らかである。Ａｌ２Ｏ３のピークは検出されず、アモルファスとして含まれているものと推定される。ＸＰＳ分析チャートを図７に示す。ＮｉＷＯ４ の存在が確認された。またＷＯ３ 或いは
Ａｌ２（ＷＯ４）３と思われる酸化物が確認された。
【００３９】
触媒５
Ｗを仕込み量でＮｉ／Ａｌ重量に対し金属として３重量％添加したＮｉとＡｌとＷよりなる触媒を次のようにして調製した。
【００４０】
触媒１で調製したＮｉ／Ａｌ触媒を１２０℃で１ｈ乾燥した。乾燥後のＮｉ／Ａｌ触媒１００．６８ｇに、タングステン酸アンモニウムパラ５水和物（ａｐｐｒｏｘ．（ＮＨ４）１０Ｗ１２Ｏ４１・５Ｈ２Ｏ，和光純薬）４．２５５ｇ を３０％過酸化水素水（和光純薬）４８．４０ｇに溶解した水溶液を添加し、含浸した。含浸後、１２０℃で２ｈ乾燥し、７５０℃で２ｈ焼成した。
【００４１】
触媒６
Ｗを仕込み量でＮｉ／Ａｌ重量に対し金属として１０重量％添加したＮｉと
ＡｌとＷよりなる触媒を次のようにして調製した。
【００４２】
触媒１で調製したＮｉ／Ａｌ触媒を１２０℃で１ｈ乾燥した。乾燥後のＮｉ／Ａｌ触媒１００．４２ｇに、タングステン酸アンモニウムパラ５水和物（ａｐｐｒｏｘ．（ＮＨ４）１０Ｗ１２Ｏ４１・５Ｈ２Ｏ，和光純薬）１４．２０ｇ を３０％過酸化水素水（和光純薬）４８．９８ｇに溶解した水溶液を添加し、含浸した。含浸後、１２０℃で２ｈ乾燥し、７５０℃で２ｈ焼成した。
【００４３】
実施例１に示した触媒１と触媒２及び触媒３，４，５及び６について、ＣＦ４ の分解活性を実施例１のときと同じ方法で評価した。結果を図３に示す。
【００４４】
Ｎｉ／Ａｌ触媒に対してＷを金属として１〜５重量％添加した触媒は、６５０℃，６００℃及び５５０℃の各反応温度での分解率がいずれもＮｉ／Ａｌ触媒よりも高く、低温での活性が優れていることが確認された。Ｎｉ／Ａｌ触媒に対しＷを金属として１０重量％含有した触媒は、５５０℃〜７００℃の反応温度での分解活性が触媒１のＮｉ／Ａｌ触媒の性能とほぼ同等であった。
【００４５】
（実施例３）
本実施例３では、Ｗ原料を変えて以下に示す方法で触媒７と触媒８を調製し、ＣＦ４分解活性を検討した。なお、いずれの場合もＷの量は仕込み量でＮｉ／
Ａｌ重量に対し金属として２重量％とした。
【００４６】
試験は、触媒層入口でのＣＦ４ 濃度を０．８％ 、Ｈ２Ｏ を当量比の１０〜１３倍、Ｏ２ 濃度を１．０〜１．２％、残部をＮ２ とし、ＳＶを約１３５０ｈ−１とした。反応温度と分解率との関係を図４に示す。Ｗ原料及び溶媒を変えるとＮｉ／
Ａｌ触媒と分解性能はほぼ同じであった。
【００４７】
触媒７
触媒１で調製したＮｉ／Ａｌ触媒を１２０℃で１ｈ乾燥した。乾燥後のＮｉ／Ａｌ触媒１００．２０ｇ に、メタタングステン溶液（日本無機化学工業株式会社製，ＭＷ−２）２．７９２ｇ を純水４１ｇと混合し、この水溶液を含浸した。含浸後、１２０℃で２ｈ乾燥し、７００℃で２ｈ焼成した。
【００４８】
触媒８
触媒１で調製したＮｉ／Ａｌ触媒を１２０℃で１ｈ乾燥した。乾燥後のＮｉ／Ａｌ触媒１００．５６ｇ に、りんタングステン酸（和光純薬）２．８５１ｇ を純水４１ｇに溶解した水溶液を含浸した。含浸後、１２０℃で２ｈ乾燥し、７００℃で２ｈ焼成した。
【００４９】
（実施例４）
本実施例４では、触媒４のＣ２Ｆ６分解反応におけるＨ２Ｏ 量の影響を調べた。比較のため同一条件で触媒１の性能も評価した。
【００５０】
Ｃ２Ｆ６分解反応の理論式は、以下に示すとおりであり、Ｈ２Ｏ はＣ２Ｆ６のモル数の３倍が必要となる。
【００５１】
【式３】
Ｃ２Ｆ６＋３Ｈ２Ｏ→ＣＯ＋ＣＯ２＋６ＨＦ
図５は、Ｈ２Ｏ 当量比とＣ２Ｆ６分解率との関係を示している。図中に丸印で示したデータは、触媒層入口でのＣ２Ｆ６濃度を１．０％、Ｏ２濃度を１．０〜１．２％、残部をＮ２ とし、空間速度ＳＶを１１００〜１４００ｈ−１、反応温度を７５０℃としたときのデータを示す。三角印で示したデータは、触媒層入口でのＣ２Ｆ６濃度を０．５％ 、Ｏ２ 濃度を１．０〜１．２％、残部をＮ２ とし、空間速度ＳＶを１１００〜１４００ｈ−１、反応温度を７００℃としたときのデータである。
【００５２】
いずれの試験条件の場合でも、Ｈ２Ｏ 当量比が同じときには、ＮｉとＡｌとＷよりなる触媒の方が、ＮｉとＡｌよりなる触媒に比べてＣ２Ｆ６分解率が高い。これより本発明の触媒を使用すれば反応水量を低減できることが確認された。
【００５３】
【発明の効果】
本発明によれば、ＣＦ４ ，Ｃ２Ｆ６などのハロゲンとしてフッ素のみを含有するパーフルオロコンパウンドの低温での分解活性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による処理装置の一実施例を示す概略図である。
【図２】ＣＦ４ 分解率と反応温度との関係を示す図である。
【図３】ＣＦ４ の分解率とＷ量との関係を示す図である。
【図４】ＣＦ４ の分解率と反応温度との関係を示す図である。
【図５】Ｃ２Ｆ６の分解率とＨ２Ｏ当量比との関係を示す図である。
【図６】本発明による触媒のＸ線回折パターンを示す図である。
【図７】本発明による触媒のＸＰＳ分析チャートを示す図である。
【符号の説明】
１…反応器、２…ＰＦＣ分解触媒、３…電気炉、４…排ガス洗浄槽、５…ミストキャッチャ、６…乾燥剤。
Claims (7)
- ハロゲンとしてフッ素のみを含有するパーフルオロコンパウンドが含まれているガス流を、水蒸気または水蒸気と酸素の存在下で、５００〜８００℃の温度で、ＮｉとＷとＡｌを触媒活性成分とし、ＮｉとＡｌよりなる複合酸化物とＮｉとＷよりなる複合酸化物を含む触媒と接触させて前記パーフルオロコンパウンド中のフッ素をフッ化水素に転化することを特徴とするパーフルオロコンパウンド分解方法。
- 請求項１おいて、前記触媒はＮｉ／Ａｌのモル比が５／９５〜４０／６０よりなり、ＮｉとＡｌの重量に対しＷを０．１ 〜１０重量％含むことを特徴とするパーフルオロコンパウンド分解方法。
- ハロゲンとしてフッ素のみを含有するパーフルオロコンパウンドを水蒸気または水蒸気及び酸素と反応させて分解するための触媒であって、ＮｉとＡｌとＷを触媒活性成分とし、ＮｉとＡｌよりなる複合酸化物とＮｉとＷよりなる複合酸化物を含むことを特徴とするパーフルオロコンパウンド分解触媒。
- 請求項３において、前記触媒はＮｉ／Ａｌのモル比が５／９５〜４０／６０よりなり、ＮｉとＡｌの重量に対しＷを０．１ 〜１０重量％含むことを特徴とするパーフルオロコンパウンド分解触媒。
- アルミニウム原料の粉末にニッケル原料を含む水溶液を添加したのち焼成し、その後、タングステン原料を含む水溶液を添加して焼成することにより、ＮｉとＡｌよりなる複合酸化物とＮｉとＷよりなる複合酸化物を含む触媒を得ることを特徴とするパーフルオロコンパウンド分解触媒の調製方法。
- パーフルオロコンパウンドを窒素または空気により希釈したガス流を得る手段と、前記ガス流に水蒸気を添加する手段と、水蒸気が添加された前記ガス流を触媒に接触させてパーフルオロコンパウンドを分解するための反応器と、前記反応器に充填されたＮｉとＡｌとＷを触媒活性成分としＮｉとＡｌよりなる複合酸化物とＮｉとＷよりなる複合酸化物を含む触媒と、前記触媒をパーフルオロコンパウンドの分解温度に加熱するための加熱手段と、前記反応器内にて生成した分解生成物を含むガスを水またはアルカリと接触させてガス流中からフッ化水素を除去する排ガス洗浄槽とを具備したことを特徴とするパーフルオロコンパウンド処理装置。
- 半導体または液晶のエッチング装置の後段に請求項６記載のパーフルオロコンパウンド処理装置を設置してエッチングガスを処理するようにしたことを特徴とするエッチングガス処理装置。
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