TWI600086B - 與多重區塊的加熱源一併使用的基材支撐件 - Google Patents

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Description

與多重區塊的加熱源一併使用的基材支撐件
本發明的實施例大體上關於基材處理系統。
可利用多重區塊燈加熱法提供熱能給基材上的多重區塊，而改善基材製程期間(諸如磊晶沉積製程期間)的製程均勻性調整。然而，發明人已發現，在使用多重區塊燈處理期間用以支撐基材的習知基材支撐件會不利地作用而擴散熱區塊，因而使來自多重區塊燈加熱製程的製程均勻性調整的優勢受到抑制。
因此，發明人已開發改善的基材支撐件，該等改善的基材支撐件設以與多重區塊輻射能量源結合而提供期望的溫度輪廓給配置在基材支撐件上的基材。
在此提供與多重加熱源一併使用的設備。在一些實施例中，一基材支撐件可具有：一袋部與一唇部，該袋部配置在該基材支撐件的一表面中，而該唇部配置在該袋部周圍以接收一基材的一邊緣並且在該袋部之上 支撐該基材，使得當該基材配置在該唇部上時，在一袋部表面與該基材的一背側表面之間界定一間隙；複數個特徵結構，該複數個特徵結構用於與複數個加熱區塊結合操作以當該基材配置在該唇部上時提供一期望的溫度輪廓於該基材的一前側表面上，該複數個加熱區塊是由一多重區塊加熱源所提供；且其中該複數個特徵結構以交替方式從該基材支撐件的一中心軸線於一徑向配置在該袋部表面的一基準線表面輪廓的上方與下方。
本發明其他與進一步的實施例描述於下文中。
100‧‧‧基材製程腔室
102‧‧‧上部
104‧‧‧下部
106‧‧‧蓋
108‧‧‧夾箝環
110‧‧‧腔室主體
112‧‧‧基底板
114‧‧‧製程氣體引入通口
116‧‧‧襯墊
118‧‧‧排放通口
120‧‧‧包殼
121‧‧‧基底板組件
122‧‧‧預熱環
123‧‧‧基材支撐件
124‧‧‧基材支撐件
125‧‧‧基材
126‧‧‧基材舉升桿
127‧‧‧墊
128‧‧‧舉升銷
130‧‧‧支援系統
132‧‧‧下圓頂
134‧‧‧支撐托架
136‧‧‧上方燈
138‧‧‧下方燈
140‧‧‧控制器
142‧‧‧中央處理單元
144‧‧‧記憶體
146‧‧‧支援電路
152‧‧‧上方燈
154‧‧‧下方燈
156‧‧‧上方高溫計
158‧‧‧下方高溫計
160‧‧‧基材舉升組件
161‧‧‧舉升銷模組
162‧‧‧第一開口
164‧‧‧基材支撐組件
166‧‧‧支撐銷
202‧‧‧袋部
204‧‧‧上表面
206‧‧‧唇部
208‧‧‧間隙
210‧‧‧背側表面
212‧‧‧袋部表面
214‧‧‧特徵結構
216‧‧‧基準線表面輪廓
218‧‧‧中心軸線
220‧‧‧前側表面
222‧‧‧峰部
224‧‧‧谷部
225‧‧‧虛線峰
226‧‧‧第一部份
228‧‧‧第二部份
230‧‧‧凸起的特徵結構
232、234‧‧‧環
236‧‧‧舉升銷孔
300‧‧‧輻射能量源
304‧‧‧輻射能量區塊
306‧‧‧中心軸線
308‧‧‧燈
310‧‧‧高斯剖面
312‧‧‧中心區塊
314‧‧‧環
316‧‧‧重疊區域
318‧‧‧加總剖面
320‧‧‧最小值
322‧‧‧最大值
藉由參考附圖所描繪的本發明實施例，可瞭解發明內容中簡要總結及實施方式中詳細討論的本發明之實施例。然而，應注意，附圖僅說明此發明的典型實施例，而因此不應將附圖視為限制其範疇，因本發明可容許其他等效實施例。
第1圖描繪根據本發明一些實施例的基材處理系統之概略側視圖。
第2A圖至第2B圖描繪根據本發明一些實施例的基材支撐件的側剖面視圖與由上而下的視圖。
第3A圖至第3B圖描繪多重區塊輻射能量源的側剖面視圖與由上而下的視圖，該多重區塊輻射能量 源適合與根據本發明一些實施例的基材支撐件一併使用。
第4圖描繪根據本發明一些實施例的基材支撐件與多重區塊輻射能量源的側剖面視圖。
為了助於瞭解，如可能則使用相同元件符號指定共通於各圖的相同元件。這些圖式並未按比例繪製，且可能為了簡明起見而被簡化。應瞭解一個實施例的元件與特徵可有利地結合其他實施例而無須進一步記敘。
在此揭露基材支撐件以及具有此類基材支撐件的基材處理系統之實施例。本發明的基材支撐件與處理系統是設以與多重區塊加熱源結合操作，以有利地在基材存在於基材支撐件上時提供基材上期望的溫度輪廓。
在此所揭露的本發明的設備可包括任何使用多重區塊加熱源加熱基材的適合製程腔室，或在該等製程腔室中利用該設備。適合的基材處理系統之範例包括適於執行磊晶沉積製程的系統，諸如RP EPI®反應器，該RP EPI®反應器可購自美國加州Santa Clara的應用材料公司。本發明的基材支撐件亦可與其他熱處理腔室一併使用，該等其他熱處理腔室為諸如化學氣相沉積 (CVD)腔室、快速熱處理(RTP)腔室、或其他具有多重區塊加熱的腔室。
下文中將就第1圖描述示範性製程腔室，第1圖描繪適於與本發明實施例一併使用的製程腔室100的概略剖面視圖。製程腔室100可適於執行上文所述的磊晶沉積製程，並且就說明上而言，該製程腔室100包含腔室主體110與多重區塊加熱源(例如多重區塊能量源)，該腔室主體110具有本發明的基材支撐件124，該基材支撐件124配置於該腔室主體110中。一些實施例中，多重區塊能量源可以是多重區塊輻射能量源，諸如由一或多個燈136、138、152、154所提供之能量源，該等燈顯示於第1圖的基材製程腔室100中。
腔室主體110大體上包括上部102、下部104與包殼120。上部102配置在下部104上，且該上部102包括蓋106、夾箝環108、襯墊116、基底板112、一個或多個上方燈136與一個或多個下方燈138、以及上方高溫計156。一個實施例中，蓋106具有圓頂狀形狀因子(form factor)，然而，亦應考量具有其他形狀因子的蓋(例如，平坦或反曲線的蓋)。下部104耦接製程氣體引入通口114與排放通口118，並且該下部104包含基底板組件121、下圓頂132、基材支撐件124(具有基材支撐件123)、預熱環122、基材舉升組件160、基材支撐組件164、一或多個上方燈152與一或多個下方燈154、與下方高溫計158。雖然「環」一詞 用於描述製程腔室的某些部件(諸如預熱環122)，應考量這些部件的形狀不必為圓形，且該等部件的形狀可能包括任何形狀，該等形狀包括(但不限於)矩形、多邊形、橢圓形、與類似形狀。
基材支撐件123提供基材在處理期間的支撐，並且該基材支撐件123設以與多重區塊能量源(諸如燈136、138、152、154)協同運作。例如，基材支撐件123可為基座(susceptor)。第2A圖與第2B圖描繪根據本發明一些實施例的基材支撐件123的側剖面視圖(第2B圖)與由上而下的視圖(第2A圖)。如第2B圖中的剖面視圖所說明，基材支撐件123可包括袋部202與突出部(ledge)或唇部206，該袋部202配置在基材支撐件123的上表面204中，該突出部或唇部206配置於環繞袋部202的周邊。唇部206可設以接收基材125的邊緣(例如，於基材的邊緣排除區域中)，且唇部可設以支撐基材125於袋部上方，而當基材配置在唇部206上時界定出基材125的背側表面210與袋部表面212之間的間隙208。
袋部表面具有經調變的外形輪廓，該經調變的外形輪廓具有複數個界定區域，該等界定區域每一者中具有相對較大或相對較小的熱傳速率。例如，袋部表面212包括複數個特徵結構214，該等特徵結構214以交替方式從該基材支撐件123的中心軸線218於徑向配置在該袋部表面212的基準線表面輪廓216(或平均輪 廓)的上方與下方。複數個特徵結構214設以與由多重區塊輻射能量源提供的複數個輻射能量區塊結合操作，以於基材存在於唇部206上時提供基材125的前側表面220上的期望溫度輪廓，如下文中所述及如第3圖與第4圖所說明。複數個特徵結構214界定間隙208的變化輪廓，該間隙208的變化輪廓使整個間隙208上的熱傳導度變化。例如，複數個特徵結構214設以提供基材支撐件123與基材125之間的熱傳速率增加的區域，並且該等特徵結構214設以提供基材支撐件123與基材125之間的熱傳速率減少的區域。
複數個特徵結構214可包括至少一個峰部222與至少一個谷部224，該峰部222配置在袋部表面212的基準線表面輪廓216上方，而該谷部224配置在袋部表面212的基準線表面輪廓216下方。該基準線表面輪廓216可為線形、彎曲狀、或任何期望的幾何形狀，以助於提供處理期間基材125上期望的溫度輪廓。在第2A圖中所示的說明性實施例中，基準線輪廓是凹狀的而提供一間隙208，該間隙208大體上在基材125的邊緣附近較小，而在基材125的中心附近大體上較大。
舉例而言，當基材125配置在唇部206上時，至少一個峰部222的峰高中的最大值與基材125的背側表面之間界定了間隙208的第一部份226，而當基材125配置在唇部206上時，至少一個谷部224的最大深度與基材125的背側表面之間界定了間隙208的第二 部份228，該第一部份226可小於第二部份228。每一峰部222是基材125與基材支撐件123之間熱傳速率相對上增加的區域的一部份，而每一谷部224是基材125與基材支撐件123之間熱傳速率相對上減少的區域的一部份。每一峰部與每一谷部可以變化的距離配置在基準線表面輪廓216的上方或下方。
在一些實施例中，至少一個峰部222的一或多者可設以接觸基材125的背側表面210，如在第2B圖中所說明般透過虛線峰225接觸背側表面210。該至少一個峰部222可接觸背側表面210，例如以盡量增大基材125的背側表面210與基材支撐件123之間在接觸點處的熱傳。
當輻射能量從基材上方125提供，可利用每一峰部222以減少配置在該至少一個峰部222上方的基材125的區域中的加熱，此舉是透過在該等區域中使從基材125到基材支撐件123的熱傳速率增加而達成。可利用該至少一個谷部224以增加配置在該至少一個谷部224上方的基材125的區域中的加熱，此舉是透過在該等區域中使從基材125到基材支撐件123的熱傳速率減少而達成。或者，當輻射能量從基材125下方提供時，可利用該至少一個峰部222以增加配置在該至少一個峰部222上方的基材125的區域中的加熱，此舉是透過在該等區域中使從基材支撐件123到基材125的熱傳速率增加而達成。可利用該至少一個谷部224以減少配置在 該至少一個谷部224上方的基材125的區域中的加熱，此舉是透過在該等區域中使從基材支撐件123到基材125的熱傳速率減少而達成。當輻射能量由基材上方及下方提供時，該等峰部與谷部將會助於根據在相對應峰部222與谷部224(或其他特徵結構214)的區域中的基材支撐件123與基材125的相對溫度而控制基材上的熱輪廓。
一些實施例中，例如個別於第2A圖與第2B圖中基材支撐件123的由上而下視圖與側剖面視圖所說明，該至少一個峰部222與該至少一個谷部224繞基材支撐件123的中心軸線218共心配置。在一些實施例中，該至少一個峰部222的一者可為凸起的特徵結構230，該凸起的特徵結構230的中心吻合中心軸線218。一些實施例中，該凸起的特徵結構230可為錐狀。在一些實施例中，以替代式或相互結合的方式，該至少一個峰部222可為一環232，該環232具有連續且共心地繞基材支撐件123的中心軸線218配置的峰剖面。或者(圖中未示)，該至少一個峰部222可包括複數個以期望幾何形狀(諸如環狀)排列的凸起特徵結構。舉例而言，複數個凸起特徵結構可以排列成共心地繞基材支撐件123的中心軸線218配置的環。
類似地，該至少一個谷部224可為凹陷的特徵結構(圖中未示)並且具有該凹陷特徵結構的中心，該凹陷特徵結構的中心與基材支撐件的中心軸線218吻 合(該凹陷的特徵結構為例如第2A圖至第2B圖中所示的峰部與谷部的倒轉)。在一些實施例中，該凹陷特徵結構可為錐狀。一些實施例中(如第2A圖所示)，以替代式或相互結合的方式，該至少一個谷部224可為環234，該環234具有連續且共心地繞基材支撐件123的中心軸線218配置的谷剖面。或者(圖中未示)，該至少一個谷部224可包括複數個以期望幾何形狀(諸如環狀)排列的凹陷特徵結構。舉例而言，複數個凹陷特徵結構可以排列成共心地繞基材支撐件123的中心軸線218配置的環。
一些實施例中(諸如第2A圖中所說明)，該至少一個峰部222包含複數個峰部而該至少一個谷部224包含複數個谷部224。例如(如第2A圖中所說明)，該複數個峰部包含凸起特徵結構230及複數個環232，該凸起特徵結構具有與基材支撐件123的中心軸線218吻合的中心，而該複數個環232交替地配置在複數個谷部224之間。如圖所示，複數個谷部224包含複數個環234，該等環234交替地配置在複數個峰部222的環232之間。如前文所論述，亦可能有袋部表面212的額外組態，該額外組態包括與基材支撐件123的中心軸線218吻合的凹陷特徵結構、及/或環與凸起特徵結構的組合、及/或環與凹陷特徵結構的組合。
另外，如第2A圖中所說明，複數個舉升銷孔236可配置在袋部表面212中，該等舉升銷孔236延伸 通過基材支撐件123。當舉升銷128處於收回位置時，複數個舉升銷孔236個別支撐舉升銷128(如第1圖所說明及如下文所論述)，且該等舉升銷孔236使舉升銷128得以移動通過舉升銷孔236以接觸基材125的背側表面210。如第2A圖中所繪示，複數個舉升銷孔236配置在谷部224接近唇部206的最終環234中。然而，每一舉升銷孔236的位置僅是說明性質，而舉升銷孔236可位在袋部表面212上的任何適當的位置，而該任何適當的位置適於盡量減少基材125的前側表面220上的溫度變化。
基材支撐件123可由任何製程相容且具有適合熱性質(諸如低熱質量、非常高的熱導率、或類似性質)的材料製造，以在基材125的前側表面220上創造期望的熱輪廓。例如，基材支撐件123可包含熱質量低於約1000J/K(Joule/Kelvin)的一或多個材料。基材支撐件123可包含室溫下熱導率至少50W/m．K(Watt/meter．K)或範圍在約50W/m．K至約300W/m．K的一或多種材料。此類材料可包括碳化矽(SiC)、氮化矽(SiN)、氮化鋁(AlN)、氮化硼(BN)、或類似材料。在一些實施例中，相較於CVD碳化矽塗佈的石墨，基材支撐件123可完全由此類材料製造，例如，基材支撐件123可以是固體碳化矽、固體氮化矽、或類似物。
第3A圖至第3B圖描繪說明性多重區塊輻射能量源300的由上而下視圖(第3A圖)與側剖面視圖(第3B圖)，該多重區塊輻射能量源300適合與根據本發明一些實施例的基材支撐件一併使用。多重區塊輻射能量源300可包含複數個輻射能量區塊304以提供輻射能量從上方或下方入射於基材支撐件123上。雖然第3A圖至第3B圖描繪示了具有高達四個輻射能量區塊，但多重區塊輻射能量源300可具有與複數個特徵結構214一起操作所需的任何期望數目的輻射能量區塊，以當基材(例如基材125)存在於基材支撐件123的唇部206上時，提供基材(例如基材125)前側表面上的期望溫度輪廓。
多重區塊輻射能量源300可包括一中心軸線306，該中心軸線306配置成垂直能量源300的基本平面，如第3A圖與第3B圖所說明。每一輻射能量區塊304可包括複數個燈。在一些實施例中，給定的輻射能量區塊304的每一燈308可配置在離中心軸線306實質上如第3A圖所說明的類似徑向距離處。或者(圖中未示)，每一區塊304中的燈308不需排列在實質上類似的徑向位置處，並且可假定其他組態，諸如拐折狀(staggered，該拐折狀為例如複數個第一燈308在區塊304中配置於第一徑向距離，而複數個第二燈308在相同區塊304中配置在第二徑向距離)或另外的適合組態，該等另外的適合組態可提供在每區塊304中輻射能量沿徑向上(該徑向是起始自中心軸線306)的高斯剖 面或其他剖面；或者，該等另外的適合組態可和複數個特徵結構214結合操作，以當基材125存在於基材支撐件123的唇部206上時，提供基材125的前側表面上的期望溫度輪廓。
例如(如第3A圖所說明)，輻射能量區塊304可包括中心區塊312與複數個環314，該中心區塊312接近中心軸線306，而該複數個環314繞中心區塊312共心配置。中心區塊312與複數個環中的每一環314可由複數個重疊區域316間隔開。在相鄰區塊304之間的輻射能量強度(於下文中討論)可在每一重疊區域316中重疊。進一步言之，儘管圖中繪示成具有單一燈308，然而中心區塊312可包括一個或多個繞中心軸線306配置的燈。
如第3B圖中的剖面視圖所說明，每一輻射能量區塊304可提供沿徑向上在輻射能量強度中具有高斯剖面310的輻射能量，該徑向是起始自多重區塊輻射能量源300的中心軸線306。舉例而言，高斯剖面310可由具有高斯剖面310的輻射能量區塊304中的每一燈308所提供，或者由輻射能量強度在加總時等於高斯剖面310的複數個燈308提供。進一步言之，剖面310不需限於高斯線型，對整個給定的輻射能量區塊304上於徑向的輻射能量強度的剖面而言，其他線型(例如Lorentzian或Voight線型、對稱線型、不對稱線型、或其他期望的輪廓)都是可行的。
進一步而言，輻射能量強度中加總的剖面318是從中心軸線306沿徑向的每一高斯剖面310的總和，該加總的剖面318以虛線描繪於第3A圖中。每一重疊區域316中，來自相鄰的輻射能量區塊304中的相鄰高斯剖面310的尾端可以外加方式重疊，以形成加總的剖面中的最小值320，於相鄰輻射能量區塊304上方的加總剖面318中，該最小值位在重疊區域316上方並且位在相鄰的最大值322之間。
來自每一輻射能量區塊304的輻射能量強度可對準基材支撐件123的袋部表面212中的一個或多個特徵結構214，以當基材存在於基材支撐件123的唇部206上時提供基材125的前側表面上的期望溫度輪廓。例如，第4圖描繪根據本發明一些實施例的基材支撐件123與多重區塊輻射能量源300。如圖所示，基材支撐件123的中心軸線218以及多重區塊輻射能量源300的中心軸線306可共線。進一步而言，根據第4圖所論述的實施例可應用到多重區塊輻射能量源300配置在基材支撐件123下方的排列中(如圖所示)、可應用到多重區塊輻射能量源300配置在基材支撐件123上方的排列中(圖中未示)、或應用到前述二種情況的組合。
一些實施例中，每一高斯剖面310中或加總的剖面318中的輻射能量強度之最大值322可對準或吻合峰部222的最大高度(或谷部224的最大深度)。例如，最大值322可配置在離多重區塊輻射能量源300的 中心軸線306一徑向距離(R1)處，該徑向距離(R1)實質上等同於從基材支撐件123的中心軸線218至峰部222之最大高度的徑向距離，如第4圖中所描述。類似地，在一些實施例中，重疊區域316中輻射能量強度的最小值(即加總的剖面318的最小值320)可配置在離多重區塊輻射能量源300的中心軸線306一徑向距離(R2)處，該徑向距離(R2)實質上等同於從基材支撐件123的中心軸線218至谷部224之最大深度的徑向距離。
進一步言之，上述的輻射能量強度的組態與基材支撐件123的特徵結構(諸如峰部222或谷部224)皆僅是示範組態。亦可能有其他組態，其他組態例如峰部222的最大高度吻合加總剖面318的最小值320或谷部224的最大深度吻合加總剖面318的最大值322，或者是在基材125配置於基材支撐件123的唇部206上時，提供基材125的前側表面上的期望溫度輪廓的任何適合的組態。進一步言之，輻射能量強度的組態與基材支撐件123的特徵結構可以任何適合的方式修裁(例如上文所論述)以提供沿基材125之前側表面的均勻或非均勻之期望溫度輪廓。例如，基材支撐件123的袋部表面212的期望輪廓將在基材125的前側表面上產生期望的溫度輪廓，而可透過期望膜厚輪廓與使用具有標準或習知袋部表面的基材支撐件和多重區塊輻射能量源沉積在基材125上的膜厚輪廓之間的比較，決定基材支撐件 123的袋部表面212的期望輪廓。一些實施例中(或結合上文所提的實施例)，可根據熱間隙敏感度決定期望的溫度輪廓，其中熱間隙敏感度界定為一間隙中距離上的每單位變化中基材前側表面上溫度的變化(或針對特定應用的沉積膜厚的變化)，該間隙是形成於基材背側與袋部表面之間。
回到第1圖，處理期間，基材125配置在基材支撐件124上。燈136、138、152與154是紅外線(IR)輻射源(即熱源)，且在操作上，該等燈用於在整個基材125上生成預定的溫度分佈。蓋106、夾箝環116、與下圓頂132可由石英形成或由其他IR可穿透且與製程相容的材料形成。
基材支撐組件164大體上包括支撐托架134，該支撐托架134具有複數個耦接基材支撐件124的支撐銷166。基材舉升組件160包含基材舉升桿126與複數個舉升銷模組161，該等舉升銷模組161選擇性地安置在基材舉升桿126的各墊127上。一個實施例中，舉升銷模組161包含視情況任選的舉升銷128之上部，該舉升銷之上部以可移動式配置成穿過基材支撐件124中的第一開口162。在操作上，基材舉升桿126移動而接合舉升銷128。當基材舉升桿與舉升銷接合時，舉升銷128可將基材125升高至基材支撐件124的上方或將基材125下降至基材支撐件124上。進一步而言， 可設置旋轉機構而旋轉基材支撐件124(並且在基材配置在基材支撐件124上時，該旋轉機構旋轉基材125)。
支援系統130包括用於在製程腔室100中執行與監視預定製程(例如生長磊晶矽膜的製程)的部件。此類部件大體上包括製程腔室100的各個次系統(例如氣體板、氣體分配導管、真空與排放次系統、與類似系統)及裝置(例如電源供應器、製程控制設備、與類似裝置)。這些部件對熟習此技藝者而言為已知，因此為了簡明而從圖式中略去。
控制器140大體上包含中央處理單元(CPU)142、記憶體144、與支援電路146，並且控制器140直接耦接及控制製程腔室100與支援系統130(如第1圖所示)，或者控制器140透過與製程腔室及/或支援系統相關連的電腦(或控制器)耦接及控制製程腔室100與支援系統130。
因此，在此已揭露基材支撐件與具有此類基材支撐件的基材處理系統之實施例。本發明的基材處理系統包括一基材支撐件，該基材支撐件設以與多重區塊加熱源結合操作，以於基材存在於基材支撐件上時有利地提供基材上的期望溫度輪廓。此外，在此揭露的本發明之基材支撐件亦可與基材支撐件中(或其他位置中)所配置的多重區塊加熱元件結合使用，而非與加熱燈結合使用。
前述者示導向本發明的實施例，可設計本發明之其他與進一步的實施例而不背離本發明之基本範疇。
125‧‧‧基材
202‧‧‧袋部
204‧‧‧上表面
206‧‧‧唇部
208‧‧‧間隙
210‧‧‧背側表面
212‧‧‧袋部表面
214‧‧‧特徵結構
216‧‧‧基準線表面輪廓
218‧‧‧中心軸線
220‧‧‧前側表面
222‧‧‧峰部
224‧‧‧谷部
225‧‧‧虛線峰
226‧‧‧第一部份
228‧‧‧第二部份

Claims (2)

  1. 一種與多重區塊加熱源一併使用的基材支撐件，包含：一基材支撐件，該基材支撐件具有一袋部與一唇部，該袋部配置在該基材支撐件的一表面中，而該唇部配置在該袋部周圍以接收一基材的一邊緣並且在該袋部上方支撐該基材，使得當該基材配置在該唇部上時，在一袋部表面與該基材的一背側表面之間界定一間隙；以及複數個特徵，該等特徵位在該袋部表面中且用於與複數個加熱區塊結合操作，以當該基材配置在該唇部上時於一基材的一前側表面上提供一期望的溫度輪廓，該複數個加熱區塊是由一多重區塊加熱源所提供。
  2. 一種基材處理系統，包含：一製程腔室，該製程腔室具有一基材支撐件，該基材支撐件配置在該製程腔室中，該基材支撐件具有一袋部與一唇部，該袋部配置在該基材支撐件的一表面中，而該唇部配置在該袋部周圍以接收一基材的一邊緣並且在該袋部上方支撐該基材，使得當該基材配置在該唇部上時，在一袋部表面與該基材 的一背側表面之間界定一間隙，其中該袋部表面包括複數個特徵；以及一多重區塊能量源，該多重區塊能量源具有複數個能量區塊以提供能量入射於該基材支撐件上，其中該複數個能量區塊與該複數個特徵結合操作，以當該基材配置在該唇部上時於該基材的一前側表面上提供一期望的溫度輪廓。
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Families Citing this family (221)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9682398B2 (en) 2012-03-30 2017-06-20 Applied Materials, Inc. Substrate processing system having susceptorless substrate support with enhanced substrate heating control
US9925569B2 (en) 2012-09-25 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Chamber cleaning with infrared absorption gas
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
WO2015123022A1 (en) * 2014-02-14 2015-08-20 Applied Materials, Inc. Upper dome with injection assembly
SG11201608905XA (en) * 2014-05-21 2016-12-29 Applied Materials Inc Thermal processing susceptor
KR101605717B1 (ko) * 2014-07-16 2016-03-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
WO2016118285A1 (en) * 2015-01-23 2016-07-28 Applied Materials, Inc. New susceptor design to eliminate deposition valleys in the wafer
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US20170032992A1 (en) * 2015-07-31 2017-02-02 Infineon Technologies Ag Substrate carrier, a method and a processing device
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
JP6735549B2 (ja) * 2015-11-04 2020-08-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びリング状部材
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US10770319B2 (en) 2018-02-23 2020-09-08 Applied Materials, Inc. EPI thickness tuning by pulse or profile spot heating
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
CN114761615B (zh) * 2019-12-20 2024-07-05 苏州晶湛半导体有限公司 一种晶圆承载盘及化学气相淀积设备
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TWI751078B (zh) * 2021-04-28 2021-12-21 錼創顯示科技股份有限公司 半導體晶圓承載結構及金屬有機化學氣相沉積裝置
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0634785B1 (en) 1993-07-13 1997-07-23 Applied Materials, Inc. Improved susceptor design
US5531835A (en) 1994-05-18 1996-07-02 Applied Materials, Inc. Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber
JPH10102257A (ja) 1996-09-27 1998-04-21 Nippon Process Eng Kk 化学的気相成長法による成膜装置
US6188044B1 (en) * 1998-04-27 2001-02-13 Cvc Products, Inc. High-performance energy transfer system and method for thermal processing applications
US6444027B1 (en) 2000-05-08 2002-09-03 Memc Electronic Materials, Inc. Modified susceptor for use in chemical vapor deposition process
US6634882B2 (en) 2000-12-22 2003-10-21 Asm America, Inc. Susceptor pocket profile to improve process performance
US7033445B2 (en) 2001-12-27 2006-04-25 Asm America, Inc. Gridded susceptor
ITMI20020306A1 (it) 2002-02-15 2003-08-18 Lpe Spa Suscettore dotato di rientranze e reattore epitassiale che utilizza lo stesso
JP2005050841A (ja) 2003-07-29 2005-02-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US7223308B2 (en) * 2003-10-06 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Apparatus to improve wafer temperature uniformity for face-up wet processing
US20050217585A1 (en) * 2004-04-01 2005-10-06 Blomiley Eric R Substrate susceptor for receiving a substrate to be deposited upon
US7585371B2 (en) * 2004-04-08 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Substrate susceptors for receiving semiconductor substrates to be deposited upon
US7860379B2 (en) * 2007-01-15 2010-12-28 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
CN104064499B (zh) * 2008-05-02 2018-04-20 应用材料公司 用于旋转基板的非径向温度控制系统

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