CN107002238B - 基板保持装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于保持至少一个基板的装置，所述基板应用于CVD或PVD反应器的处理室中，所述装置具有平坦的上侧，用于至少一个基板(3)的至少一个支承位(2)位于所述上侧上，其中，与基板(3)的轮廓相应的轮廓线(7)被定位侧边(5、5′)从侧向围绕，所述定位侧边(5、5′)分别用于固定位置地贴靠基板(3)的边缘(8)的区段，并且所述装置还具有从支承位(2)的被轮廓线(7)包围的支承位底面(14)突伸出的支撑凸起(9)，所述支撑凸起(9)具有相对于支承位底面(14)抬升的放置面(15)，所述基板(3)能够放置在所述放置面(15)上。为了改进基板的表面温度的温度均匀性，本发明建议，所述支撑凸起(9)从支承位底面(14)的凹陷部(20)突起。

Description

基板保持装置
技术领域
本发明涉及一种用于保持至少一个基板的装置，所述基板应用于CVD(化学气相沉积)或PVD(物理气相沉积)反应器的处理室中，所述装置具有平坦的上侧，用于至少一个基板的至少一个支承位位于所述上侧上，其中，与基板的轮廓相应的轮廓线被定位侧边从侧向围绕，所述定位侧边分别用于固定位置地贴靠基板的边缘的区段，并且所述装置还具有从支承位的被轮廓线包围的支承位底面突伸出的支撑凸起，所述支撑凸起具有相对于支承位底面抬升的放置面，所述基板能够放置在所述放置面上。
背景技术
由专利文献US 5,645,646已知这种装置。该文献公开了一种支座，该支座具有用于容纳基板的支承位，其中，支承位由定位侧边限定，定位侧边围绕轮廓线，轮廓线相应于基板的轮廓，使得基板能够以基板边缘离定位侧边的极小的距离被支承位容纳。从支承位的支承位底面伸出多个支撑凸起，基板底侧的靠近基板边缘的区域支撑在支撑凸起上，使得基板架空地放置在支承位底面上。
专利文献DE 10 2012 108 986公开了一种CVD装置基板支架，该支架由具有上侧和下侧的平盘组成。上侧具有兜式结构，兜式结构具有分别用于圆形基板的支承位。上侧的基座的边缘区段构成定位侧边用于分别位置固定多个布置在基板支架的上侧上的基板中的一个。基板的边缘放在分离的支撑凸起上，支撑凸起邻接定位侧边。支撑凸起的伸入支承位的支承面的部段被沟槽围绕。基座具有三角形基础轮廓并且能够定位成六边形布置的基板。
此外，专利文献US 6,840,767B2和US 2013/0109192A1也公开了一种具有支承位的基板之间和布置在支承位的支承面中的垂直结构用于基板的点式搁置。
这类基板支架的任务是在CVD或者PVD涂层设备中用作支座。这样的涂层设备具有具备处理室的反应器，处理室的底部由基板支架的上侧构成。基板支架被冷却或者从下方加热至处理温度。处理气体通过进气机构导入处理室。CVD反应器中，处理气体在气相中在支座上方或者在支座表面上或者说在设置在支座上的基板的表面上进行反应。在此进行表面反应。在此，在基板表面上构成层。析出于此的层的品质和厚度极大程度上取决于基板的表面温度。因此理想的是在基板上实现最小化的横向表面温度梯度。为此，在这类基板支架中，基板仅点式支撑。基板放置在支承位上，支承位具有轮廓线，轮廓线位于被基板占去的面之外不远。定位侧边沿基板的边缘以极小的距离延伸，以便以此把基板位置固定在支承位上。仅基板的边缘放置在支撑凸起上。通过该支撑凸起进行从支座到基板的接触热量传递。基板的大部分面区域是架空地设置的，就是说以垂直的距离在支承位的底面之上，使得从支承位的底面至基板的底侧的热传递基本上通过热辐射或者通过对流经处于处理室中的运载气体进行。缺点在于，基板在其支撑凸起上的设置点的区域中加热程度稍微强于在其他区域中。因而在设置点区域中基板的表面温度稍微高于在基板的其余区域中。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，采取能够改进基板的表面温度的温度均匀性的措施。
上述技术问题通过权利要求中给出的本发明解决，其中，从属权利要求不仅呈现独立权利要求的有利的改进设计方案，也是对现有技术的独立的改进设计方案。
首先和根本上的建议是，支撑凸起从凹陷部突起。凹陷部具备平坦的底部或者弯曲的底部。凹陷部的底部或者说弯曲的脊部限定凹陷水平面。优选的是，在支承位的区域中布置至少三个支撑凸起，其中，每个支撑凸起都从凹陷部突起，并且所有凹陷部底部或者说凹陷部脊部设置为相同的凹陷水平面。凹陷部以边缘邻接在支承位底面上，支承位底面在底面水平面上延伸。支承位底面可以是平坦的。支撑凸起能以陡斜的壁、一定程度上柱状地突起于凹陷部。然而优选的是支撑凸起构造为拱曲。一个支撑凸起的一个放置面或者多个支撑凸起的多个放置面位于基板放置水平面。底面水平面到基板放置水平面的垂直距离比凹陷水平面到基板放置水平面的垂直距离更小。至少一个支撑凸起能够被环形的凹陷部围绕。优选的是，在一个凹陷部中分别仅设置一个支撑凸起。在此可以规定，支撑凸起和围绕支撑凸起的凹陷部完全置于轮廓线之内。轮廓线因而也包含凹陷部的边缘。但是也规定，支撑凸起或者至少一部分支撑凸起并且尤其支撑凸起的放置面与轮廓线相交。于是轮廓线与凹陷部相交。凹陷部的边缘至定位侧边有距离。构造为沟槽的凹陷部或者凹空部沿定位侧边延伸。围绕支撑凸起的凹陷部可以是该沟槽的组成部分。凹陷部的边缘因而能够或者邻接定位侧边或者远离定位侧边。在本发明的一种改进设计方案中，支撑凸起也能够位于两个相邻支座之间的区域中。这种支撑凸起能够承载两个相邻的基板的边棱。支撑凸起于是在功能上对应两个相邻的支承位，其中，对应这两个支承位的轮廓线分别经过相同的放置面。这种支撑凸起也被凹陷部围绕，其中，凹陷部具备椭圆的环形并且放置面设计为长形的，其中，放置面的纵向延伸方向沿圆形轮廓线的中心方向延伸。在本发明的优选设计方案中，支承位底面无边棱地过渡至凹陷部的倒圆的壁。凹陷部的倒圆的壁具有横截面轮廓，该横截面轮廓由彼此相接的圆弧部段构成。凹陷部具备环形的脊线或者脊面，其无弯折地在构成横截面倒圆的情况下过渡至支撑凸起的外壁。支撑凸起的壁也能无弯折地同样在构成横截面倒圆的情况下过渡至平坦的放置面。在本发明的一种改进设计方案中建议，支撑凸起不直接邻接在定位侧边上，而是在周围被沟槽围绕。定位侧边沿轮廓线的延伸方向至支撑凸起有距离。这导致从定位侧边至支撑凸起的热流被减小。当定位侧边是基座的突起于基板支架的上侧表面的侧壁时，这就是尤其有优点。在两个直接相邻的、沿支承位的轮廓线延伸的定位侧边之间优选地构造凹槽。该凹槽具有凹槽壁，凹槽壁邻接在由壁构成的定位侧边上。在凹槽的边缘上延伸的壁优选地在半圆弧线上延伸。半圆形的沟槽区段在凹槽壁的半圆弧线和支撑凸起的沿半圆弧延伸的侧壁之间延伸。支撑凸起的指向凹槽壁的壁优选地在半圆弧线上延伸。支撑凸起的与支撑凸起的该壁对置的壁同样在半圆弧线上延伸，使得支撑凸起具备基本上椭圆形的基本轮廓。支撑凸起的在相对于支承位的底面平行的平面中延伸的放置面与轮廓线相交。优选圆形的轮廓线因而在支撑凸起的放置面上延伸。因为优选圆形的基板的边缘仅稍微位于支承位的轮廓线径向内部地延伸，所以基板的边棱也在支撑凸起的放置面上延伸。围绕支撑凸起的沟槽具备底部，该底部在平面中延伸。在此涉及相对于支承位的底部的平行平面或者说涉及相对于放置面的平行平面。所述沟槽以一致的底部水平面沿两个从侧向包围凹槽的定位侧边延伸。沟槽因而具备两个彼此背向的长形的部段，该部段在定位侧边的近似整个长度上延伸。该措施也有助于减小从定位侧边至基板的热量输送。定位侧边优选地不精确地沿支承位的轮廓线、即圆弧线延伸。定位侧边可以稍微分开地延伸；其至轮廓线有距离。凹槽至定位侧边的两个过渡区域优选地设置在轮廓线上。支承位的基础面相对于凹槽的底面有竖直间隔。支撑凸起的放置面相对于支承位的面有间隔，使得基板被架空地设置。
圆形的凹陷部位于在基板支架的底侧上，圆形的凹陷部以圆形的支承位的中心定心。凹陷部的边缘区域具有底部，底部在第一凹陷水平面上延伸。凹陷部的中央区域具有底部，该底部在更低的水平面上延伸。
附图说明
下面借助附图阐述本发明的实施例。在附图中：
图1示出基板支架的俯视图，
图2示出图1中Ⅱ-Ⅱ局部视图，
图3示出按照图2的局部的背侧视图，
图4示出图2中局部Ⅳ-Ⅳ放大视图，
图5示出按照图4的局部的立体视图，
图6示出按照图2中直线Ⅵ-Ⅵ的剖切视图，
图7示出图6中局部Ⅶ-Ⅶ放大视图，
图8示出第二实施例按照图2的视图，
图9示出按照图8中直线Ⅸ-Ⅸ的剖切视图，
图10示出图9中细节Ⅹ的放大视图，
图11示出图8中局部Ⅺ-Ⅺ放大视图，
图12示出图8中局部Ⅻ-Ⅻ放大视图，
图13示出本发明第三实施例按照图4的视图，
图14示出本发明第四实施例。
具体实施方式
附图中所示基板支架1在CVD反应器中用作支座。CVD反应器具有气密地向外封闭的壳体，如专利文献DE 10 2011 055 061 A1中所示。在壳体内，加热器位于下部的高度水平上，该加热器可以是电阻加热器。用该加热器把布置在加热器上方的支座1加热至表面温度。多个支承位2位于支座1的上侧上，分别用于支承圆盘形的基板。每个支承位2由总共六个近似三角形的基座4包围。每个基座4可以构造出三个单独的定位侧边5或者三对定位侧边5、5′。因而产生分别用于容纳基板3的圆形支承位2的六边形的布置，基板3的边缘8沿各支承位2的轮廓线7延伸。因而沿各轮廓线7延伸有总共六个单个定位侧边5或者六对定位侧边5、5′，其分别由其他基座4构成。更长的圆弧形定位侧边6在支座(基板支架)1的边缘上延伸。沿圆弧线延伸的轮廓线7围成用于放置圆形基板3的支承位。在本实施例中，定位侧边5、5′未精确跟随轮廓线7的轨迹。轮廓线7基本上仅在相切位置触碰各定位侧边5、5′。
处理室在被基板3占据的支座1的上侧的上方延伸，处理室的高度比基板3的直径小，比圆形的支座1的直径小更多。支座1具有30cm或者更大的直径时，处理室的高度仅为1至5cm。
处理室的顶盖由进气机构构成，所述进气机构具有莲蓬头的形状。进气机构具有冷却的、指向处理室的排气面，所述排气面具有多个筛网式布置的排气孔，处理气体通过排气孔流入处理室。为了避免处理气体的热裂解，对进气机构的排气面主动式冷却。这导致在处理室中较高的竖向温度梯度并且由此导致从支座1被加热的表面至被冷却的排气面的较高的热流。通过该热传递路径散失的热量必须由加热装置不断补充。这也导致在支座1中较高的竖向温度梯度。因为构成定位侧边5、5′的基座4在实体上与支座1构成一个单元并且通过固态热传导加热，所以通过在定位侧边5、5′和基板3的边缘8之间的间隙容易产生非预期的至基板的热流。
基板3通过其边缘8的总共六个位置放置在支撑凸起9上，支撑凸起从支座1的上侧升起。基板因而架空地设置在支承位2的支承位底面14上。从支座1至基板3的热传递因而基本上通过热辐射或者对流从支承位2的支承位底面14至基板3的底侧进行。仅在基板3的边缘8的边棱放置在支撑凸起9的放置面15上的支撑凸起区域内，通过固体热传导进行接触热量传递。
按照本发明，定位侧边5、5′与支撑凸起9在侧面方向上以及尤其在轮廓线7(定位侧边5、5′沿着该轮廓线7延伸)方向上相间隔。
按照本发明，定位侧边5、5′共同构成基座4的凹形的倒圆的三角形侧边。但是基座4的倒圆的三角形侧边也可以仅由定位侧边5构成。但是定位侧边5、5′的弯曲半径稍微大于轮廓线7的弯曲半径。在图2至图7中所示的实施例中，凹槽11位于凹形的倒圆的三角形侧边的中部，该凹槽11具有在半圆弧上延伸的边缘。确定该半圆弧的圆心位于支撑凸起9中。支撑凸起从支承位2的面延伸经过轮廓线7直至凹槽11中。支撑凸起9的指向凹槽的壁9′以弧线延伸。背向的壁9″同样以半圆弧线延伸。垂直于基座端面16延伸的壁11′以半圆弧线延伸并且过渡至同样垂直于基座端面16延伸的定位侧边5、5′。
支撑凸起9具有垂直于放置面15延伸的壁。支撑凸起9因而包含柱形的结构，该柱形的结构具有基本上椭圆形的柱形基面。圆柱形的支撑凸起9突起于沟槽10的底部，沟槽10在周围围绕支撑凸起9。沟槽10构成半圆形的沟槽区段12，该沟槽区段构成凹槽11的底部。另一个半圆形的沟槽区段20在支撑凸起9的另一侧延伸，使得两个都是半圆形的沟槽区段12、20共同构成环式椭圆形的沟槽区段。构成外凸的沟槽区段20沿径向向支承位2的中心延伸。两个沟槽区段12、20构成统一的凹陷部，该凹陷部环式围绕支撑凸起9。
直接围绕支撑凸起9的沟槽区段12、20邻接在两个长形的沟槽区段13上，沟槽区段13沿定位侧边5、5′延伸。定位侧边5、5′因而从长形的沟槽区段13的底部突起。长形的沟槽区段13延伸直至基座4的倒圆的角部段21。
凹槽11具有凹槽壁11′，该凹槽壁11′在构成倒圆的情况下分别向两个定位侧边5、5′之一延展。在过渡倒圆的区域中，轮廓线7与定位侧边5、5′相切。随着离开凹槽11的距离变大，定位侧边5、5′也远离轮廓线7。凹槽11的壁11′和定位侧边5、5′垂直于支承位底面14或者说垂直于沟槽10的底面或者垂直于基座端面16地延伸。定位侧边5、5′和凹槽壁11′在构成倒棱的情况下向基座端面16过渡。支撑凸起9的放置面15超出支承位底面14的程度略大于沟槽10从支承位底面14测量的深度。基座4具有三个对称轴和三个基本沿弧线延伸的定位侧边5、5′，定位侧边5、5′在其中部被凹槽11中断，其中，凹槽11构成向基座4内基本半圆形的内凹部。基座4的角部是倒圆的。
多个圆形的凹空部位于支座1的底侧上。即凹陷部17，其定心至支承位2的中心。中心的最深的凹陷部区段19在构成倾斜地延伸的侧边19′的情况下向凹陷部17的边缘区域18过渡，边缘区域18又在构成倾斜的边缘区段18′的情况下向支座1的底侧面过渡。
在图4至图7所示的支撑凸起9中，环式包围支撑凸起9的凹陷部12、20具有平坦的、在一致的深度水平上延伸的底部。平坦的底部向长形的沟槽区段13过渡。放置面15位于基板放置水平面内，并且沿竖向距离凹陷水平面比距离支承位14所处的底面水平面更远，支承位底面在构成梯级的情况下向沟槽10或者说凹陷部12、20过渡。
图8至图12示出本发明的第二实施例。基座4在此也具有三个相同设计的侧部，其分别构成定位侧边5。沟槽10沿在此优选未被凹槽中断的定位侧边5延伸，沟槽10由材料凹空构成。沟槽10具有长形的构造并且经过定位侧边5的中部区域延伸。基座4的角部在圆弧线上延伸。两个相邻基座4的角部之间设置凹空部22。
轮廓线7是圆弧线。轮廓线7围出被支撑凸起9承载的基板3所占据的面。基板的边缘8在轮廓线7上延伸。
支撑凸起9相对于沟槽10朝着轮廓线7的中心、即基板3的面中心的方向从沟槽10远离地错移。支撑凸起基本位于沟槽10的中心的高度。
每个支承位2的总共六个支撑凸起9的每一个都被圆形的凹陷部包围。环形的凹陷部20的宽度基本相应于具有基本上圆形的基础轮廓的支撑凸起9的直径。凹陷部20的边缘位于支承位底面14中，支承位底面在底面水平面中延伸，底面水平面在基板放置水平面的下方延伸，支撑凸起9的放置面15位于基板放置水平面中。在图8至图12所示的实施例中凹陷部20的由脊线构成的底面沿底面水平面延伸，凹陷部20的底面至基板放置水平面的距离大于至底面水平面的距离。
凹陷部20具有倒圆的底部。底部的横截面基本上形成半圆形，使得凹陷部20构造为围绕支撑凸起9的沟。支撑凸起9的侧壁无弯折地从凹陷部20的壁向放置面15过渡，放置面是圆面，该圆面在与支承位底面14平行的平面中延伸。
在图13中所示的第三实施例中，凹陷部20像在第一实施例中一样位于沟槽10的区域中并且延伸直至两个定位侧边5、5′之间的凹槽11中。与第一实施例不同之处在于，凹陷部20、12的环形地包围支撑凸起9的底面在此不在平坦的平面中延伸，而是具有倒圆的壁，该壁向椭圆的脊线或者脊面过渡。凹陷部20、12的外壁可以在构成边棱的情况下，但也可以在构成倒圆的情况下向支承位底面14过渡。
基板3的在轮廓线7上延伸的边缘8经过放置面15。
在图8至图12所示的第二实施例中，在基座4的角部区域之间具有长形的凹陷部22，该凹陷部区域式地在轮廓线7的下方延伸。在此也可以布置附加的凹陷部23，使得在基座4的角部区域之间延伸的凹陷部具有两个水平面。
在图14中所示的第四实施例中示出支撑凸起9，其能够布置在基座4的角部之间的区域中。该椭圆形的支撑凸起9具有放置面15，放置面能够被相邻的支承位2的两个轮廓线经过。支撑凸起9的放置面15因而能够承载成对基板3的边缘。在此实施例中支撑凸起9的侧壁和凹陷部20的侧壁是倒圆的，支撑凸起9从该凹陷部20中突起。图14示出，凹陷部20的外边缘由倒圆构成，该倒圆无弯折地向构成凹陷部20的脊部的倒圆过渡。构成凹陷部20的脊部的倒圆向反向弯曲的倒圆过渡，反向弯曲的倒圆构成支撑凸起9的上部的侧壁区域。反向弯曲的倒圆无弯折地向放置面15过渡。
上述实施方式用于阐述本申请总括的发明，其至少通过下述特征组合也分别独立地改进现有技术，即：
一种装置，其特征在于，所述支撑凸起9从支承位底面14的凹陷部20突起。
一种装置，其特征在于，所述支撑凸起9分别被凹陷部20环绕，所述凹陷部20的凹陷部底部或者凹陷部脊部位于凹陷水平面上并且在构成梯级或者倒圆的情况下向位于底面水平面上的支承位底面14过渡，其中，所述放置面15在基板放置水平面内延伸，所述基板放置水平面竖向上相比凹陷水平面距离底面水平面更近。
一种装置，其特征在于，所述支撑凸起9柱形或者拱形地从凹陷部底部或者凹陷部脊部延伸直至所述放置面15。
一种装置，其特征在于，所述支撑凸起9和包围所述支撑凸起9的凹陷部20的边缘位于由所述轮廓线7包围的支承位2内，或者所述轮廓线7与所述放置面15相交。
一种装置，其特征在于，设有所述支承位底面14的沿所述定位侧边5、5′延伸的、构成沟槽10的凹空部。
一种装置，其特征在于，所述凹陷部20是所述沟槽10的区段。
一种装置，其特征在于，在两个相邻的定位侧边5、5′之间布置有凹槽11。
一种装置，其特征在于，所述沟槽区段12在所述凹槽11的侧壁11′和所述支撑凸起9的侧壁9′之间延伸。
一种装置，其特征在于，在俯视图中所述凹槽11是半圆形的。
一种装置，其特征在于，所述支撑凸起9具有两个相对置的半圆形的侧壁9′、9″。
一种装置，其特征在于，所述支撑凸起9位于两个相邻的基座4之间并且具有基本上平坦的放置面15，两条轮廓线7延伸经过所述放置面15。
一种装置，其特征在于，长形延伸的凹陷部22在两个相邻的基座4之间延伸。
所有公开的特征(本身及其相互组合)都有发明意义或发明价值。在本申请的公开文件中，所属/附属的优先权文本(在先申请文件)的公开内容也被完全包括在内，为此也将该优先权文本中的特征纳入本申请的权利要求书中。从属权利要求的特征都是对于现有技术有独立发明意义或价值的改进设计，尤其可以这些从属权利要求为基础提出分案申请。
附图标记列表
1 基板支架
2 支承位
3 基板
4 基座
5 定位侧边
5′ 定位侧边
6 定位侧边
7 轮廓线
8 基板的边缘
9 支撑凸起
10 沟槽
11 凹槽
11′ 壁，侧壁
12 沟槽区段
13 沟槽区段
14 支承位底面
15 放置面
16 基座端面
17 凹陷部
18 边缘区域
18′ 侧边
19 凹陷部区段
20 沟槽区段/凹陷部
21 角部段
22 凹空部
23 凹空部

Claims (10)

1.一种用于保持至少一个基板的装置，所述基板应用于CVD或PVD反应器的处理室中，所述装置具有平坦的上侧，用于至少一个基板(3)的至少一个支承位(2)位于所述上侧上，其中，与基板(3)的轮廓相应的轮廓线(7)被定位侧边(5、5′)从侧向围绕，所述定位侧边(5、5′)分别用于固定位置地贴靠基板(3)的边缘(8)的区段，所述轮廓线(7)包围在底面水平面上延伸的支承位底面(14)，并且所述装置还具有分别从支承位底面(14)的凹陷部(20)突起的支撑凸起(9)，所述支撑凸起(9)具有相对于支承位底面(14)抬升的放置面(15)，所述基板(3)能够放置在基板放置水平面内，所述放置面(15)在该基板放置水平面内延伸，其中，所述支撑凸起(9)分别被具有凹陷水平面的凹陷部(20)环绕，所述凹陷水平面在竖向上距离基板放置水平面比距离底面水平面更远，其中，所述凹陷部(20)具有位于凹陷水平面内的环形的脊线，所述凹陷部(20)的底部在构成横截面倒圆的情况下无弯折地过渡至支撑凸起(9)的外壁，所述支撑凸起(9)的外壁还在构成横截面倒圆的情况下无弯折地过渡至拱曲的放置面(15)，其特征在于，所述支撑凸起(9)拱形地从凹陷部底部或者凹陷部脊部延伸直至所述放置面(15)。
2.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，所述支撑凸起(9)和包围所述支撑凸起(9)的凹陷部(20)的边缘位于由所述轮廓线(7)包围的支承位(2)内，或者所述轮廓线(7)与所述放置面(15)相交。
3.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，设有所述支承位底面(14)的沿所述定位侧边(5、5′)延伸的、构成沟槽(10)的凹空部。
4.按照权利要求3所述的装置，其特征在于，所述凹陷部(20)是所述沟槽(10)的区段。
5.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，在两个相邻的定位侧边(5、5′)之间布置有凹槽(11)。
6.按照权利要求5所述的装置，其特征在于，沟槽区段(12)在所述凹槽(11)的侧壁(11′)和所述支撑凸起(9)的侧壁(9′)之间延伸。
7.按照权利要求5所述的装置，其特征在于，在俯视图中所述凹槽(11)是半圆形的。
8.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，所述支撑凸起(9)具有两个相对置的半圆形的侧壁(9′、9″)。
9.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，所述支撑凸起(9)位于两个相邻的基座(4)之间并且具有放置面(15)，两条轮廓线(7)延伸经过所述放置面(15)。
10.按照权利要求9所述的装置，其特征在于，长形延伸的凹陷部(22)在两个相邻的基座(4)之间延伸。
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