JP6869887B2 - 基板保持装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 80
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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Description
支持突起の載置面又は複数の支持突起の複数の載置面は、基板載置レベルに位置する。床面レベルは、鉛直方向において凹部レベルに対する距離よりも基板載置レベルに対する距離の方が近い。少なくとも1つの支持突起が、環状の凹部により囲まれることができる。好適には、1つの凹部に1つの支持突起のみがそれぞれ配置される。従って、支持突起及びその周囲の凹部が完全に輪郭線の内側に位置するように設けることができる。それにより輪郭線は、凹部の縁もまた囲い込む。
しかしながら、複数の支持突起又は少なくとも1つの支持突起及び特にその載置面が輪郭線と交差するように設けることもできる。その場合、輪郭線は凹部と交差する。凹部の縁は、位置決め側面から離間することができる。位置決め側面に沿って、溝として形成された凹部又は窪みが延在することができる。支持突起を囲む凹部は、これらの部分溝とすることができる。それにより凹部の縁は、位置決め側面に隣接するか又は位置決め側面から離間することができる。
本発明のさらに別の進展においては、支持突起を、2つの隣り合う台座の間の領域にも配置することができる、このような支持突起は、2つの隣り合う基板の各縁を支持するように構成することもできる。その際、その支持突起は、機能的に2つの隣り合う収容場所に割り当てられ、その場合、2つの収容場所に割り当てられた輪郭線の各々が同じ載置面と交差する。
このような支持突起もまた凹部により囲まれており、その凹部は楕円環状を具備することができかつ載置面は長く延びており、載置面の長手方向は、円形の輪郭線の中心に向かう方向に延在する。本発明の好適例においては、収容場所床面が、凹部の丸みのある壁に段差無く繋がっている。凹部の丸みのある壁は、互いに隣接する部分円弧により形成された断面輪郭を有する。凹部は、段差の無い曲線の断面を形成しつつ支持突起の外壁へと繋がる環状の頂線又は頂面を具備する。支持突起の壁も同様に、段差の無い曲線の断面を形成しつつ平坦な載置面へと繋がることができる。
本発明の更なる進展では、支持突起が位置決め側面に直接繋がっておらず、支持突起が溝により全周囲を囲まれるように設けられている。位置決め側面は、輪郭線の延在方向において支持突起から離間している。その結果、位置決め側面から支持突起への熱流が低減される。このことは、位置決め側面が、基板ホルダの平坦表面から起立している台座の側壁であるときに特に有用である。
収容場所の輪郭線に沿って延在する直接隣り合う2つの位置決め側面の間に、窪みが形成されることが好適である。この窪みは、壁により形成される位置決め側面に隣接する窪み壁を有することができる。窪みの縁上に延びるこの壁は、半円弧線上に延在することが好適である。窪み壁の半円弧線と、1つの半円弧に沿って延在する支持突起の側壁との間に、半円形の部分溝が延在する。窪み壁の方に向いた支持突起の壁は、好適には半円弧線上に延在することが好適である。支持突起のこの壁の反対側に向いた支持突起の壁も同様に半円弧線上に延びることにより、支持突起が実質的に楕円形の外郭を有する。収容場所の床に平行な面に延在する支持突起の載置面は、輪郭線により切り取られる。それにより、好適には円形の輪郭線が支持突起の載置面を通っている。好適には円形の基板の縁は、収容場所の輪郭線のほんの僅かだけ径方向内側に延在し、基板の縁端も支持突起の載置面を通っている。
支持突起を囲む溝は、平坦面に延在する床を有する。それは、収容場所の床に平行な面又は載置面に平行な面である。溝は、窪みに寄り添う2つの位置決め側面に沿った均一な底面レベルをもって延在する。従って、溝は、互いに反対向きに延びる2つの部分を有し、位置決め側面のほぼ全長に延在している。この手法もまた、位置決め側面から基板への熱伝導の低減に寄与する。位置決め側面は、収容場所の輪郭線すなわち円弧線に正確に沿ってはいないことが好適である。位置決め側面は、やや逸れて延在できる。すなわち、輪郭線に対して距離を有することができる。窪みから位置決め側面への2つの移行領域は、好適には輪郭線上にあるべきである。収容場所の床面は、溝の床面に対して鉛直方向に離間している。支持突起の載置面が収容場所の床面に対して離間していることにより、基板は空洞上に位置することになる。
2 収容場所
3 基板
4 台座
5、5、6 位置決め側面
7 輪郭線
8 基板の縁
9 支持突起
10 溝
11 窪み
11’ 壁、側壁
12、13 部分溝
14 収容場所床面
15 載置面
16 台座端面
17 凹部
18 縁領域
18’ 縁側面
19 部分凹部
20 部分溝/凹部
21 縁端部
22 凹部
23 凹部
Claims (11)
- CVD又はPVD反応炉のプロセスチャンバで用いるべく、少なくとも1枚の基板を保持するための装置であって、少なくとも1枚の基板(3)を配置するための少なくとも1つの収容場所(2)を設けた平坦な表面を有し、基板(3)の縁(8)の一部を各々位置固定して設置するべく、床面レベルに延在する収容場所床面(14)を囲み基板(3)の輪郭に対応する輪郭線(7)が位置決め側面(5、5’)により寄り添われており、収容場所床面(14)の凹部(20)にそれぞれ起立する支持突起(9)を有し、その支持突起(9)が、収容場所床面(14)より高い位置にあり基板(3)を載置可能な載置面(15)を有し、その載置面上にて基板(3)が、載置面(15)の延在する基板載置レベルに載置可能であり、支持突起(9)の各々が凹部レベルを有する凹部(20)により環状に囲まれ、その凹部レベルは、鉛直方向において床面レベルからよりも基板載置レベルから離れている、装置において、
凹部(20)が、凹部レベルに位置する環状の頂線を有し、その頂線から凹部(20)の床が、段差無く第1の丸みのある断面を形成しつつ支持突起(9)の外壁に繋がっており、その外壁もまた、段差無く第2の丸みのある断面を形成しつつ湾曲した載置面(15)に繋がっていることを特徴とする装置。 - 支持突起(9)が、凹部床面又は凹部頂部から載置面(15)までの膨らみの態様にて延在することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 支持突起(9)及び支持突起(9)を囲む凹部(20)の縁が、輪郭線(7)により囲まれた収容場所(2)の内側に位置するか、又は、輪郭線(7)が載置面(15)と交差することを特徴とする請求項1又は2に記載の装置。
- 位置決め側面(5、5’)に沿って延在して溝(10)を形成する、収容場所床面(14)の凹部を特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の装置。
- 凹部(20)が溝(10)の一部であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の装置。
- 2つの隣り合う位置決め側面(5、5’)の間に配置された窪み(11)を特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の装置。
- 窪み(11)の側壁(11’)と支持突起(9)の側壁(9’)との間に部分溝(12)が延在することを特徴とする請求項6に記載の装置。
- 窪み(11)が、平面視にて半円形であることを特徴とする請求項6又は7に記載の装置。
- 支持突起(9)が、2つの互いに反対側に位置する半円形の側壁(9’、9”)を有することを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の装置。
- 支持突起(9)が、2つの隣り合う台座(4)の間に位置しかつ平坦な載置面(15)を有し、その上を2つの輪郭線(7)が通ることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の装置。
- 長尺の凹部(22)が、2つの隣り合う台座(4)の間に延在することを特徴とする請求項10に記載の装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014117520.4 | 2014-11-28 | ||
DE102014117520 | 2014-11-28 | ||
DE102015118215.7 | 2015-10-26 | ||
DE102015118215.7A DE102015118215A1 (de) | 2014-11-28 | 2015-10-26 | Substrathaltevorrichtung mit vereinzelten Tragvorsprüngen zur Auflage des Substrates |
PCT/EP2015/076562 WO2016083162A1 (de) | 2014-11-28 | 2015-11-13 | Substrathaltevorrichtung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017539086A JP2017539086A (ja) | 2017-12-28 |
JP6869887B2 true JP6869887B2 (ja) | 2021-05-12 |
Family
ID=55967990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017527301A Active JP6869887B2 (ja) | 2014-11-28 | 2015-11-13 | 基板保持装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9988712B2 (ja) |
EP (1) | EP3224386B1 (ja) |
JP (1) | JP6869887B2 (ja) |
KR (1) | KR102442025B1 (ja) |
CN (1) | CN107002238B (ja) |
DE (1) | DE102015118215A1 (ja) |
TW (1) | TWI681494B (ja) |
WO (1) | WO2016083162A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102016103530A1 (de) | 2016-02-29 | 2017-08-31 | Aixtron Se | Substrathaltevorrichtung mit aus einer Ringnut entspringenden Tragvorsprüngen |
KR102277918B1 (ko) | 2016-07-09 | 2021-07-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 캐리어 |
DE102016115614A1 (de) | 2016-08-23 | 2018-03-01 | Aixtron Se | Suszeptor für einen CVD-Reaktor |
KR102540125B1 (ko) * | 2017-08-30 | 2023-06-05 | 주성엔지니어링(주) | 기판안치수단 및 기판처리장치 |
JP7321768B2 (ja) * | 2018-05-23 | 2023-08-07 | 信越化学工業株式会社 | 化学気相成長装置および被膜形成方法 |
EP3863043A4 (en) * | 2018-10-04 | 2021-11-03 | Toyo Tanso Co., Ltd. | SUSCEPTOR |
GB201819454D0 (en) * | 2018-11-29 | 2019-01-16 | Johnson Matthey Plc | Apparatus and method for coating substrates with washcoats |
DE102018131987A1 (de) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | Aixtron Se | Substrathalter zur Verwendung in einem CVD-Reaktor |
US20200234991A1 (en) * | 2019-01-21 | 2020-07-23 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier |
CN111490002B (zh) * | 2020-04-21 | 2023-06-27 | 錼创显示科技股份有限公司 | 载盘结构 |
US20230384694A1 (en) * | 2020-12-29 | 2023-11-30 | Asml Netherlands B.V. | Vacuum sheet bond fixturing and flexible burl applications for substrate tables |
DE102021003326B3 (de) * | 2021-06-28 | 2022-09-08 | Singulus Technologies Aktiengesellschaft | Substratträger |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0758039A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | サセプタ |
JPH0758041A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | サセプタ |
US5645646A (en) | 1994-02-25 | 1997-07-08 | Applied Materials, Inc. | Susceptor for deposition apparatus |
US5531835A (en) * | 1994-05-18 | 1996-07-02 | Applied Materials, Inc. | Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber |
US6634882B2 (en) | 2000-12-22 | 2003-10-21 | Asm America, Inc. | Susceptor pocket profile to improve process performance |
US20030209326A1 (en) * | 2002-05-07 | 2003-11-13 | Mattson Technology, Inc. | Process and system for heating semiconductor substrates in a processing chamber containing a susceptor |
DE102007023970A1 (de) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Aixtron Ag | Vorrichtung zum Beschichten einer Vielzahl in dichtester Packung auf einem Suszeptor angeordneter Substrate |
JP5644256B2 (ja) * | 2010-08-20 | 2014-12-24 | 豊田合成株式会社 | 化合物半導体の製造装置及び化合物半導体の製造方法 |
JP2013053355A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
US11085112B2 (en) | 2011-10-28 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor with ring to limit backside deposition |
DE102011055061A1 (de) | 2011-11-04 | 2013-05-08 | Aixtron Se | CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor |
DE102012108986A1 (de) * | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Aixtron Se | Substrathalter einer CVD-Vorrichtung |
US9273413B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-03-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with temperature distribution control |
DE102013114412A1 (de) * | 2013-12-18 | 2015-06-18 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zur Regelung der Temperatur in einer Prozesskammer eines CVD-Reaktors unter Verwendung zweier Temperatursensoreinrichtungen |
JP6243290B2 (ja) * | 2014-05-01 | 2017-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
-
2015
- 2015-10-26 DE DE102015118215.7A patent/DE102015118215A1/de not_active Withdrawn
- 2015-11-13 KR KR1020177017584A patent/KR102442025B1/ko active IP Right Grant
- 2015-11-13 WO PCT/EP2015/076562 patent/WO2016083162A1/de active Application Filing
- 2015-11-13 CN CN201580064212.9A patent/CN107002238B/zh active Active
- 2015-11-13 EP EP15797928.7A patent/EP3224386B1/de active Active
- 2015-11-13 JP JP2017527301A patent/JP6869887B2/ja active Active
- 2015-11-13 US US15/529,640 patent/US9988712B2/en active Active
- 2015-11-26 TW TW104139402A patent/TWI681494B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107002238B (zh) | 2020-09-29 |
EP3224386A1 (de) | 2017-10-04 |
WO2016083162A1 (de) | 2016-06-02 |
TW201633439A (zh) | 2016-09-16 |
EP3224386B1 (de) | 2020-12-30 |
US20170260624A1 (en) | 2017-09-14 |
KR20170088419A (ko) | 2017-08-01 |
DE102015118215A1 (de) | 2016-06-02 |
CN107002238A (zh) | 2017-08-01 |
JP2017539086A (ja) | 2017-12-28 |
KR102442025B1 (ko) | 2022-09-07 |
TWI681494B (zh) | 2020-01-01 |
US9988712B2 (en) | 2018-06-05 |
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Date | Code | Title | Description |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A02 | Decision of refusal |
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|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
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|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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C23 | Notice of termination of proceedings |
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C03 | Trial/appeal decision taken |
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C30A | Notification sent |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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