TW201633439A - 具有用於支承基板之單體式承凸的基板保持裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係有關於一種用於保持至少一個基板之裝置，此裝置適於在CVD或PVD反應器之製程室中使用，包括扁平的頂面及承凸(9)；在該頂面上設有至少一個用於至少一個基板(3)之載位(2)，其中，沿著對應於基板(3)之輪廓的輪廓線(7)設有定位側面(5、5')，此等定位側面分別用於定位支承著基板(3)之邊緣(8)的區段；諸承凸(9)係從該載位(2)之被輪廓線(7)所包圍的載位底部區域(14)上凸起，而具有相對立於該載位底部區域(14)凸起的支承面(15)，基板(3)則可被放置於諸支承面上。為改良基板之表面溫度之溫度均勻性，本發明提出如下方案：諸承凸(9)係凸出於載位底部區域(14)之加深部(20)。

Description

具有用於支承基板之單體式承凸的基板保持裝置
本發明係有關於一種用於保持至少一個基板之裝置，此裝置適於在CVD或PVD反應器之製程室中使用，包括扁平的頂面及承凸；在該頂面上設有至少一個用於至少一個基板之載位，其中，沿著對應於基板之輪廓的輪廓線設有定位側面，此等定位側面分別用於定位支承著基板之邊緣的區段；諸承凸係從該載位之被該輪廓線所包圍的載位底部區域上凸起，而具有相對立於該載位底部區域凸起的支承面，基板則可被放置於諸支承面上。
上述類型之裝置由US 5,645,646所揭露。此公開案揭露一種基座，包括用於容置基板之載位，其中，該載位係由定位側面所界定，該定位側面包圍對應於基板輪廓之輪廓線，使得，基板容置於載位上時，其邊緣與定位側面隔開較小的距離。在載位之載位底部區域上凸設有數個承凸，基板之鄰近於基板邊緣的底面區域係支承在該等承凸上，故，基板係懸空位於載位底部區域上方。
DE 10 2012 108 986 A1描述一種CVD裝置之基板架，此基板架係由具有頂面與底面的扁平盤體所構成。頂面具有凹槽狀結構，此等凹槽狀結構具有若干個分別用於一圓形基板之載位。頂面之支座之邊緣區段形成為定位側面，此等定位側面分別用 於定位數個佈置於基板架之頂面的基板中之一個基板。基板之邊緣支承在若干個鄰接於定位側面則單體式承凸上。承凸具有伸入載位之載區的區段，此區段被一溝槽所包圍。其支座具有三角形輪廓，且能將基板定位成六邊形陣列。
此外，US 6,840,767 B2及US 2013/0109192 A1亦披露了具有載位及設於載位之載區的垂直結構之基板架，該等垂直結構係用於點式支承基板。
同類型基板架之任務在於，在CVD或PVD塗佈裝置中用作為基座。此類塗佈裝置具有包括製程室的反應器，製程室底部由基板架之頂面所形成。基板架被冷卻，或從下方被加熱至製程溫度。製程氣體由進氣機構導入製程室。在CVD反應器中，製程氣體在基座上方或在基座表面，或者說，在平放於基座上的基板之表面，以氣相發生反應。此係表面反應。其間，在基板表面形成了層。沉積於該處的層之品質及層厚，很大程度上取決於基板之表面溫度。因此，最好將基板上之橫向表面溫度梯度減至最小。為此，同類型基板架僅係點式地支承住基板。基板平放於載位上，該載位之輪廓線僅略微地位於基板所佔據的區域之外。定位側面以較小間距沿基板之邊緣分佈，以將基板定位於載位上。僅有基板之邊緣支承在承凸上。此等承凸促成從基座到基板之接觸性熱傳遞。基板之絕大部分表面區域係懸空(即，以一定的垂直間距)位於載位之底部區域上方，使得，從載位底部區域到基板底面之熱傳遞，基本上係透過存在於製程室內之載氣以熱輻射或對流方式進行。其缺點在於，基板在承凸上的支承點區域之發熱程度，略大於其餘區域之發熱程度。由此，基板之支承點區域之表面溫度，略高於基板其餘區 域之表面溫度。
本發明之目的在於採取若干能改良基板表面溫度之溫度均勻性的措施。
該目的透過申請專利範圍所給出之本發明而達成，其中，各附屬項不僅為獨立項之有益改良方案，亦構成相對於先前技術之獨立改良方案。
首先且主要提出以下建議：諸多承凸係凸出於一加深部。此加深部可具有平面底部或曲面底部。該加深部之底部或曲面頂點定義出加深部位準。在載位區域較佳地設有至少三個承凸，其中，每個承凸皆凸出於一加深部，並且，所有的加深部底部或加深部頂點皆處於同一加深部位準。該加深部以其邊緣鄰接載位底部區域，該載位底部區域係處於底部區域位準。載位底部區域可為一平面。該承凸可在一定程度上呈柱狀地以一斜壁凸出於該加深部。但，該承凸較佳係被構造成隆起。該承凸之支承面或該等數個承凸之支承面係處於基板支承位準。底部區域位準到基板支承位準之垂直距離，係小於加深部位準到基板支承位準之垂直距離。至少一個承凸可被環形的加深部所包圍。一個加深部中較佳為僅設置一個承凸。其中，承凸及包圍該承凸的加深部可完全位於輪廓線以內。由此，輪廓線亦將加深部之邊緣包圍。此外，該等承凸或至少部分承凸，特別是其支承面，係與輪廓線相交。在此情況下，輪廓線亦與加深部相交。加深部之邊緣可與定位側面隔開設置。沿定位側面可設置有被構造成溝槽的加深部或空隙。包圍承凸的加深部可為此溝槽之組成部分。由此，加深部之邊緣可鄰接定位側面，或可與定位 側面隔開設置。根據本發明之進一步方案，承凸亦可位於兩個相鄰的支座之間的區域。此種承凸能支承兩個相鄰的基板之緣稜。在此情況下，承凸在功能上係對應於兩個相鄰的載位，其中，對應於該二個載位的輪廓線分別與同一支承面相交。此種承凸亦被加深部所包圍，其中，該加深部可呈卵圓環形，且其支承面呈長條形，而其中，支承面之縱向延伸方向係指向圓形輪廓線之中心。在本發明之較佳技術方案中，載位底部區域與加深部之倒圓的壁部平滑地銜接。加深部之倒圓的壁部可具有由若干個相接的圓弧段所形成的剖面輪廓。加深部可具有環形的頂點線或頂點面，該頂點線或頂點面在形成剖面倒圓部之情況下，與承凸之外壁平滑地銜接。承凸之壁部亦可在形成剖面倒圓部之情況下，與呈平面狀的支承面平滑地銜接。根據本發明之進一步方案，該等承凸並非直接鄰接於定位側面，而是，該等承凸係被溝槽環繞包圍。該等定位側面沿輪廓線之延伸方向與承凸隔開設置。藉此，可減小從定位側面到承凸之熱流。此點在以下情形下尤為有利：諸定位側面成為支座之側壁，該等側壁係凸出於基板架之頂面平面。較佳地，在沿著載位輪廓線延伸的兩個直接相鄰的定位側面之間設置凹穴。此凹穴可具有凹穴壁，該凹穴壁係與由一個壁所形成的定位側面相接。此壁分佈於凹穴之邊緣上，而其延伸軌跡較佳係呈半圓弧線。在凹穴壁部之半圓弧線與沿著半圓弧延伸的承凸側壁之間，設有半圓形溝槽區段。承凸之指向凹穴壁部的壁之延伸軌跡較佳係呈半圓弧線。承凸之與該承凸壁相對立設置的壁之延伸軌跡同樣呈半圓弧線，故，該承凸具有大體呈卵圓形的輪廓。承凸之支承面在平行於載位底部之平面內延伸，且與輪廓線相交。由此，較佳為呈圓形的輪廓線越過了承凸 之支承面。由於較佳為呈圓形的基板之邊緣僅在載位之輪廓線徑向內側距離較近處延伸，所以，基板之緣稜亦越過了承凸之支承面。包圍住承凸的溝槽具有在一平面內延伸的底部。此平面為一平行於載位底部或平行於支承面的平面。該溝槽以統一的底部位準沿著該二個位於凹穴兩側的定位側面延伸。因此，其溝槽具有二個相背離的長條形區段，此等區段幾乎延伸過定位側面之整個長度。此措施亦有助於減小從定位側面到基板之熱輸送。該等定位側面較佳為不精確地沿著載位之輪廓線(即，圓弧線)延伸。此等定位側面可輕微地發散性延伸；其係與該輪廓線間相隔一定距離。凹穴與定位側面之間的二個銜接區較佳地應位於該輪廓線上。載位之基面與溝槽之底部區域相隔一定的垂直距離。承凸之支承面與載位之表面相隔一定距離，故，基板係懸空設置。
在基板架之底面設有圓形的加深部，此等加深部係以圓形的載位之圓心為中心。加深部之邊緣區域具有處於第一個加深部位準的底部。加深部之中心區域具有處於更深位準的底部。
1‧‧‧基板架；基座
2‧‧‧載位
3‧‧‧基板
4‧‧‧支座
5‧‧‧定位側面
5'‧‧‧定位側面
6‧‧‧定位側面
7‧‧‧輪廓線
8‧‧‧(基板)邊緣
9‧‧‧承凸
9'‧‧‧(承凸)側壁
9"‧‧‧(承凸)側壁
10‧‧‧溝槽
11‧‧‧凹穴
11'‧‧‧(凹穴)(側)壁
12‧‧‧溝槽區段；加深部
13‧‧‧(長條形)溝槽區段
14‧‧‧載位底部區域
15‧‧‧(承凸)支承面
16‧‧‧支座端面
17‧‧‧加深部
18‧‧‧(加深部)邊緣區域
18'‧‧‧邊緣區段
19‧‧‧加深部區段
19'‧‧‧(加深部區段)邊緣側面
20‧‧‧溝槽區段；加深部
21‧‧‧角部
22‧‧‧空隙；加深部
23‧‧‧加深部
圖1為基板架1之俯視圖；圖2為圖1中II-II部分之視圖；圖3為圖2所示部分之後視圖；圖4為圖2中IV-IV部分之放大圖；圖5為圖4所示部分之透視立體圖；圖6為沿圖2中VI-VI線截取之剖面圖；圖7為圖6中VII-VII部分之放大圖； 圖8為第二實施例之如圖2之視圖；圖9為沿圖8中IX-IX線截取之剖面圖；圖10為圖9中之細部X之放大圖；圖11為圖8中XI-XI部分之放大圖；圖12為圖8中XII-XII部分之放大圖；圖13為本發明第三實施例之如圖4之視圖；圖14為本發明第四實施例之示意圖。
以下結合所附圖式闡述本發明之實施例。
圖式中示出之基板架1作為基座而應用於CVD反應器。CVD反應器具有向外氣密封閉的殼體，具體參見DE 10 2011 055 061 A1中之相關示意圖。在其殼體內部之較低高度位準上設有加熱裝置，其可為電阻加熱裝置。藉由此加熱裝置，使設於加熱裝置上方之基座1達到表面溫度。在基座1之頂面設有數個分別用來安放一個圓盤形基板之載位2。每個載位2皆被總共六個大體呈三角形之支座4所包圍。每個支座皆可形成三個單一的定位側面5或三對定位側面5、5'。由此形成若干個圓形載位2之六邊形陣列，該等載位分別用於容置一個基板3，其基板之邊緣8沿著相應的載位2之輪廓線7分佈。因此，沿著每條輪廓線7，皆設有總共六個單一的定位側面5或六對定位側面5、5'，該些定位側面分別由不同的支座4所形成。在基座1(基板架)之邊緣上分佈有更長的圓弧形定位側面6。其延伸軌跡呈圓弧線的輪廓線7將一個用於支承圓形基板3之載位予以包圍。在實施例中，定位側面5、5'並非精確遵循輪廓線7之延伸軌跡。輪廓線7基本上僅在切點上接觸每個定位側 面5、5'。
製程室在基座1之設有基板3的頂面上方延伸，該製程室之高度小於基板3之直徑，且遠小於圓形基座1之直徑。基座1具有30cm以上之直徑，製程室之高度則僅為1cm至5cm。
製程室之頂部由呈蓮蓬頭狀之進氣機構所形成。進氣機構具有經冷卻的氣體排出面，此氣體排出面係指向製程室而包含數個呈篩網狀分佈之氣體排出孔，製程氣體透過該等氣體排出孔而流入製程室。主動冷卻進氣機構之氣體排出面，以免製程氣體發生預熱解。如此致使製程室中形成較大的垂直溫度梯度，進而使較大的熱流由基座1之經加熱的表面流向經冷卻的氣體排出面。經此熱傳遞路徑所散失之熱量須不斷由加熱裝置補充供應。如此亦致使基座1內部形成較大的垂直溫度梯度。由於形成定位側面5、5'的支座4連同基座1構成了一個實體單元，且透過固體熱傳導而發熱，故而，存在因定位側面5、5'與基板3之邊緣8之間的間隙而有非期望的熱流流向基板之趨勢。
基板3以其邊緣8上的總共六個點位，貼靠在凸出於基座1之頂面的承凸9上。故，基板係懸空位於載位2之載位底部區域14上方。由此，從基座1到基板3之熱傳遞基本上係透過從載位2之載位底部區域14到基板3之底面的熱輻射或對流而實現。僅在承凸9區域，即，基板3之邊緣8之緣稜貼靠於承凸9之支承面15的區域，透過固體熱傳導而實現接觸性熱傳遞。
根據本發明，定位側面5、5'係沿著橫向、特別是沿著輪廓線7(定位側面5、5'沿該輪廓線而延伸)之方向與承凸9隔開設置。
二個定位側面5、5'可共同形成為支座4之凹圓形的三角形邊。支座4之圓三角形邊亦可僅由一個定位側面5所形成。但，定位側面5、5'之曲率半徑略大於輪廓線7之曲率半徑。在圖2至圖7所示之實施例中，在凹圓形的三角形邊上居中地設有其邊緣之延伸軌跡呈半圓弧的凹穴11。定義該半圓弧的圓之圓心係位於承凸9上。該承凸從載位2之區域越過輪廓線7延伸進入凹穴11。承凸9之指向凹穴11的壁部9'之延伸軌跡係呈圓弧線。背對該壁部的壁部9"之延伸軌跡同樣呈半圓弧線。垂直於支座端面16而延伸的壁11'之延伸軌跡呈半圓弧線，且該壁與同樣垂直於支座端面16而延伸的定位側面5、5'相銜接。
承凸9具有垂直於支承面15而延伸的壁部。由此，承凸9在外形上呈柱形，其柱體基面大體呈卵圓形。柱形的承凸9凸出於溝槽10之底部，該溝槽則環繞包圍承凸9。溝槽10形成半圓形的溝槽區段12，此溝槽區段形成凹穴11之底部。另一個半圓形溝槽區段20在承凸9之另一側延伸，如此，二個分別呈半圓形的溝槽區段12、20共同形成一個環形卵圓形溝槽區段。外凸的溝槽區段20沿著相對於載位2之中心的徑向而延伸。兩個溝槽區段12、20形成一個環繞包圍承凸9的整體的加深部。
直接包圍承凸9的溝槽區段12、20鄰接兩個長條形溝槽區段13，此等溝槽區段沿著定位側面5、5'延伸。由此，定位側面5、5'凸出於長條形溝槽區段13之底部。長條形溝槽區段13延伸至支座4之倒圓的角部21。
凹穴11具有凹穴壁11'，此凹穴壁11'在形成倒圓部之情況下分別與兩個定位側面5、5'其中之一者相銜接。輪廓線7 在銜接倒圓部之區域與定位側面5、5'相切。距凹穴11愈遠，則定位側面5、5'與輪廓線7相距愈遠。凹穴11之壁11'及定位側面5、5'垂直於載位底部區域14，或者說，垂直於溝槽10之底部區域或支座端面16。定位側面5、5'及凹穴壁11'在形成斜面之情況下與支座端面16相銜接。承凸9之支承面15凸出於載位底部區域14的距離，略大於溝槽10之從載位底部區域14開始測得的深度。支座4為三重對稱，且具有三個大體沿一弧線延伸的定位側面5、5'，此等定位側面在其中間部被凹穴11所中斷，其中，凹穴11大體呈半圓形凹入支座4。支座4之角區被倒圓。
在基座1之底面設有數個圓形空隙。此等空隙係為對準載位2之中心的加深部17。最深的中心加深部區段19在形成傾斜延伸的邊緣側面19'之情況下，與加深部17之邊緣區域18相銜接，該邊緣區域18又在形成斜的邊緣區段18'之情況下，與基座1之底面區域相銜接。
參照圖4至圖7所示之承凸9，環繞包圍住承凸9的加深部12、20具有處於統一的加深部位準的平面底部。此平面底部係與長條形溝槽區段13相銜接。支承面15處於基板支承位準，並且，沿著垂直方向到其加深部位準之距離大於其到載位底部區域14所處之底部區域位準的距離，該載位底部區域14在形成梯級之情況下與溝槽10或加深部12、20相銜接。
圖8至圖12示出本發明之第二實施例。支座4在此亦具有三個構造相同的側邊，其分別形成定位側面5。溝槽10沿著較佳地未被凹穴所中斷的定位側面5延伸，該溝槽係由材料上的空隙所形成。溝槽10係呈長條形，且僅在定位側面5之中間區域延 伸。支座4之角區之延伸軌跡呈圓弧線。在兩個相鄰的支座4之角區之間設有空隙22。
輪廓線7為圓弧線。輪廓線7界定出一個區域，此區域被承凸9所支承的基板3佔據。其基板之邊緣8在輪廓線7上延伸。
承凸9沿著輪廓線7之中心的方向與溝槽10相對立設置，即，相對立於基板3之平面中心而偏置地與溝槽10隔開設置。諸承凸大體處於溝槽10之中心之高度。
每個載位2之總共六個承凸9皆各被一個圓形的加深部20所包圍。環形的加深部20之寬度基本上等於大體具有圓形輪廓的承凸9之直徑。加深部20之邊緣位於載位底部區域14，此載位底部區域14係處於底部區域位準，而此底部區域位準係位於承凸9之支承面15所處的基板支承位準下方。在圖8至圖12所示之實施例中，加深部20之底部區域係由一頂點線形成而處於一底部區域位準，此底部區域位準到基板支承位準之距離，大於上述底部區域位準到基板支承位準之距離。
加深部20具有倒圓的底部。此底部之剖面大體呈半圓形，故，加深部20形成了包圍住承凸9的凹槽。承凸9之側壁從加深部20之壁部平滑地過渡至支承面15，此支承面為圓形面，而此圓形面係在平行於載位底部區域14的平面內延伸。
在圖13所示之第三實施例中，加深部20與第一實施例一樣位於溝槽10之區域，且延伸進入兩個定位側面5、5'之間的凹穴11。不同於第一實施例之處在於，環形包圍住承凸9的加深部20、12之底部區域在此非位於平面內，而是具有倒圓的壁，此等壁 與卵圓形的頂點線或頂點面相銜接。加深部20、12之外壁可在形成棱邊或倒圓部之情況下，與載位底部區域14相銜接。
基板3之在輪廓線7上延伸的邊緣8係與支承面15相交。
圖8至圖12所示之第二實施例在支座4之角區之間具有部分在輪廓線7下方延伸的長條形加深部22。此處亦可設置附加的加深部23，使得，在支座4之角區之間延伸的加深部具有兩個不同的位準。
圖14所示之第四實施例示出一個承凸9，其可設於支座4之角區之間的區域內。此卵圓形的承凸9具有支承面15，此支承面15可與相鄰的載位2之兩條輪廓線7相交。故，承凸9之支承面15能支承二個基板3之邊緣。在本實施例中，承凸9之側壁及加深部20(承凸9係凸出於加深部20)之側壁亦被倒圓化。如圖14所示，加深部20之外緣係由一個倒圓部所形成，該倒圓部與一個形成加深部20之頂點區的倒圓部平滑地銜接。此倒圓部與一個反向彎曲的倒圓部相銜接，該倒圓部則形成承凸9之上方的側壁區域。後一個倒圓部係與支承面15平滑地銜接。
前述實施方案係用於說明本申請案整體所包含之發明，該等發明至少透過以下特徵組合分別獨立構成相對於先前技術之進一步方案：一種裝置，其特徵在於：諸承凸9係凸出於載位底部區域14之加深部20。
一種裝置，其特徵在於：每個承凸9皆被一加深部20環繞包圍，該加深部之加深部底部或加深部頂點係處於其加深部 位準，而且，該加深部在形成梯級或倒圓部之情況下，係與處於底部區域位準之載位底部區域14銜接，其中，支承面15所處之基板支承位準到其底部區域位準的垂直距離，係小於其到該加深部位準之垂直距離。
一種裝置，其特徵在於：承凸9係呈柱狀或呈隆起狀而從該加深部底部或加深部頂點延伸至支承面15。
一種裝置，其特徵在於：承凸9及包圍承凸9的加深部20之邊緣係位於被輪廓線7所包圍的載位2內部，但輪廓線7與支承面15不相交。
一種裝置，其特徵在於：載位底部區域14具有一空隙，此空隙係沿著諸定位側面5、5'延伸且形成溝槽10。
一種裝置，其特徵在於：加深部20為溝槽10之一區段。
一種裝置，其特徵在於：兩個相鄰的定位側面5、5'之間設有凹穴11。
一種裝置，其特徵在於：溝槽區段12在凹穴11之側壁11'與承凸9之側壁9'之間延伸。
一種裝置，其特徵在於：凹穴11從俯視角度看係呈半圓形。
一種裝置，其特徵在於：承凸9具有二個相對立設置的半圓形側壁9'、9"。
一種裝置，其特徵在於：承凸9具有大體呈平面狀的支承面15，而輪廓線7越過該支承面。
一種裝置，其特徵在於：長條形的溝槽區段13沿著 諸定位側面5、5'而延伸。
所有已揭露特徵(作為單項特徵或特徵組合)皆為發明本質所在。故，本申請案之揭露內容亦包含相關/所附優先權檔案(在先申請案副本)所揭露之全部內容，該等檔案所述特徵亦一併納入本申請案之申請專利範圍。附屬項以其特徵對本發明針對先前技術之改良方案的特徵予以說明，其目的主要在於可在該等請求項基礎上進行分案申請。
5‧‧‧定位側面
5'‧‧‧定位側面
7‧‧‧輪廓線
9‧‧‧承凸
9"‧‧‧(承凸)側壁
10‧‧‧溝槽
11‧‧‧凹穴
11'‧‧‧(凹穴)(側)壁
12‧‧‧溝槽區段；加深部
13‧‧‧(長條形)溝槽區段
20‧‧‧溝槽區段；加深部

Claims (13)

  1. 一種用於保持至少一個基板之裝置，此裝置適於在CVD或PVD反應器之製程室中使用，包括扁平的頂面及承凸(9)；在該頂面上設有至少一個用於至少一個基板(3)之載位(2)，其中，沿著對應於基板(3)之輪廓的輪廓線(7)設有定位側面(5、5')，此等定位側面分別用於定位支承著基板(3)之邊緣(8)的區段；諸承凸(9)係從該載位(2)之被輪廓線(7)所包圍的載位底部區域(14)上凸起，而具有相對立於該載位底部區域(14)凸起的支承面(15)，基板(3)則可被放置於該等支承面上，其特徵在於：該等承凸(9)係凸出於該載位底部區域(14)之加深部(20)。
  2. 如請求項1之裝置，其中，每個承凸(9)皆被一加深部(20)環繞包圍，該加深部之加深部底部或加深部頂點係處於其加深部位準，而且，該加深部在形成梯級或倒圓部之情況下，係與處於底部區域位準之該載位底部區域(14)鄰接，而其中，該支承面(15)所處之基板支承位準到其底部區域位準的垂直距離，係小於其到該加深部位準之垂直距離。
  3. 如請求項2之裝置，其中，該承凸(9)係呈柱狀或呈隆起狀而從該加深部底部或加深部頂點延伸至該支承面(15)。
  4. 如請求項1之裝置，其中，該承凸(9)及包圍該承凸(9)的加深部(20)之邊緣係位於被該輪廓線(7)所包圍的載位(2)內部，或者，該輪廓線(7)係與該支承面(15)相交。
  5. 如請求項1之裝置，其中，該載位底部區域(14)具有一空隙，此空隙係沿著該等定位側面(5,5')延伸且形成溝槽(10)。
  6. 如請求項5之裝置，其中，該加深部(20)為該溝槽(10)之一區 段。
  7. 如請求項1之裝置，其中，兩個相鄰的定位側面(5、5')之間設有凹穴(11)。
  8. 如請求項7之裝置，其中，溝槽區段(12)在該凹穴(11)之側壁(11')與該承凸(9)之側壁(9')之間延伸。
  9. 如請求項7之裝置，其中，該凹穴(11)從俯視角度看係呈半圓形。
  10. 如請求項1之裝置，其中，該承凸(9)具有二個相對立設置的半圓形側壁(9'、9")。
  11. 如請求項1之裝置，其中，該承凸(9)位於兩個相鄰的支座(4)之間，且具有大體呈平面狀的支承面(15)，而兩條輪廓線(7)越過該支承面(15)。
  12. 如請求項1之裝置，其中，長條形的加深部(22)在兩個相鄰的支座(4)之間延伸。
  13. 一種裝置，其特徵在於：具有前述請求項中任一項之一或數項之各別特徵。
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