TW201602402A - 晶圓保持器及沈積裝置 - Google Patents

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松葉博
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Abstract

根據一實施例，一種晶圓保持器包含一熱量接收部分、一加熱部分及一接觸發生部分。該熱量接收部分自一熱量源接收熱量。該加熱部分使用由該熱量接收部分接收之該熱量加熱一晶圓。該接觸發生部分與該晶圓之一外邊緣發生接觸。至少針對該接觸發生部分或在該熱量接收部分與該接觸發生部分之間抑或在該加熱部分與該接觸發生部分之間提供一熱量傳遞抑制部分。

Description

晶圓保持器及沈積裝置 [相關申請案之交叉參考]
此申請案基於且主張2014年5月23日申請之日本專利申請案第2014-107557號之優先權；該案之全部內容以引用的方式併入本文中。
本文描述之實施例大體係關於一晶圓保持器及一沈積裝置。
通常已知一沈積裝置，其中當正保持一晶圓之一晶圓保持器旋轉時，經由晶圓保持器加熱晶圓且將一氣體供應至晶圓上使得可藉由氣相沈積於晶圓上形成一薄膜。
在此一沈積裝置中，若晶圓之溫度分佈廣泛變化，則有時薄膜厚度展現變異性。因此，是否可使用能夠控制晶圓之溫度分佈之變異性之一新構形實現一晶圓保持器及一沈積裝置將係重要的。
1‧‧‧沈積裝置
2‧‧‧容器
2a‧‧‧管狀部分
2b‧‧‧底壁部分
2c‧‧‧管狀部分
2d‧‧‧腔室
2e‧‧‧腔室
2f‧‧‧排氣通路
3‧‧‧晶圓保持器
3A‧‧‧晶圓保持器
3a‧‧‧面/接合面
3B‧‧‧晶圓保持器
3b‧‧‧面
3C‧‧‧晶圓保持器
3c‧‧‧側面
3D‧‧‧晶圓保持器
3d‧‧‧接合部分
3E‧‧‧晶圓保持器
3e1‧‧‧凹陷
3e2‧‧‧底面
3e3‧‧‧面
3e4‧‧‧凸狀支撐部件
3e6‧‧‧接觸面
3e7‧‧‧凹陷
3f‧‧‧間隙
3g‧‧‧凹陷
3g1‧‧‧空間
3h‧‧‧第一類型材料部分
3i‧‧‧第二類型材料部分
3j‧‧‧網格狀結構
3k‧‧‧柱形部件
3m‧‧‧凹陷
4‧‧‧軸件
5‧‧‧氣體供應單元
6‧‧‧加熱器6
7‧‧‧冷卻單元
7a‧‧‧開口
8‧‧‧反射器
9‧‧‧反射器
31‧‧‧單一部件
31a‧‧‧接合部分
31b‧‧‧底面
31c‧‧‧面
31d‧‧‧裝配部件
31e‧‧‧面
32‧‧‧部件
32a‧‧‧裝配部件
32b‧‧‧面
32c‧‧‧面
100‧‧‧晶圓
100a‧‧‧面/圓面
100b‧‧‧面/圓面
100c‧‧‧外邊緣
200‧‧‧部件
210‧‧‧凸部
220‧‧‧凸部
Ax‧‧‧旋轉中心
C‧‧‧重心
圖1係根據一第一實施例之一沈積裝置之一橫截面表面之一例示性透視圖；圖2係根據第一實施例之沈積裝置之一例示性橫截面視圖；圖3係根據第一實施例之一晶圓保持器之一例示性平面圖；圖4係根據第一實施例之晶圓保持器之一些部分之一例示性平面圖； 圖5係根據第一實施例之晶圓保持器之一些部分及一晶圓之一些部分之一例示性橫截面視圖；圖6係根據第一實施例之晶圓保持器之一些部分之一例示性橫截面視圖；圖7係示意性繪示在圖6中繪示之一VII部分之一例示性放大視圖；圖8係用於解釋根據第一實施例之晶圓保持器中之溫度分佈之一例示性說明圖；圖9係用於解釋根據第一實施例之晶圓保持器之一比較實例中之溫度分佈之一例示性說明圖；圖10係繪示根據第一實施例在晶圓保持器之兩個材料之間的間隙與溫度之相關性之一例示性圖；圖11係根據第一實施例之一第一修改實例之一晶圓保持器之一些部分及一晶圓之一些部分之一例示性橫截面視圖；圖12係根據第一實施例之第一修改實例之晶圓保持器之一些部分之一例示性橫截面視圖；圖13係根據第一實施例之一第二修改實例之一晶圓保持器之一些部分之一例示性橫截面視圖；圖14係根據第二實施例之一晶圓保持器之一些部分及一晶圓之一些部分之一例示性橫截面視圖；圖15係根據一第三實施例之一熱量傳遞抑制部分之一例示性橫截面視圖；圖16係在圖15中繪示之一XVI部分之一例示性放大視圖；圖17係根據一第四實施例之一晶圓保持器之一些部分及一晶圓之一些部分之一例示性橫截面視圖；及圖18係根據另一實施例之一晶圓保持器之一例示性平面圖。
根據一實施例，一種晶圓保持器包含一熱量接收部分、一加熱部分及一接觸發生部分。該熱量接收部分自一熱量源接收熱量。該加熱部分使用由該熱量接收部分接收之熱量加熱一晶圓。該接觸發生部分與晶圓之一外邊緣發生接觸。至少針對該接觸發生部分或在該熱量接收部分與該接觸發生部分之間抑或在該加熱部分與該接觸發生部分之間提供一熱量傳遞抑制部分。
在下文中將參考隨附圖式詳細描述例示性實施例及修改實例。在下文描述之實施例及修改實例中，包含一些相同構成元件。因此，在下列解釋中，藉由相同元件符號指稱相同構成元件，且省略冗餘解釋。
第一實施例
在圖1中繪示之根據一第一實施例之一沈積裝置1(一塗佈裝置)中，當晶圓100圍繞一旋轉中心Ax(一旋轉中心軸，見圖2)旋轉時，將一氣體供應至各晶圓100之一面100a上，使得藉由氣相沈積於晶圓100上形成一薄膜。在本文中，沈積裝置1係(例如)一化學氣相沈積(CVD)裝置或一金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)裝置。在第一實施例中，旋轉中心Ax沿(例如)垂直方向(垂線方向)定位。再者，各晶圓100以一圓盤形狀形成，且具有圓面100a及在面100a之對立側上之一圓面100b。
如在圖1及圖2中繪示，沈積裝置1包含一容器2、用於保持晶圓100之一晶圓保持器3、用於旋轉晶圓保持器3之一軸件4、用於將氣體供應至容器2中之一氣體供應單元5、用於經由晶圓保持器3加熱晶圓100之一加熱器6及一冷卻單元7。
容器2具有一管狀部分2a(一壁部分)及一底壁部分2b(一壁部分)。管狀部分2a經形成為圍繞旋轉中心Ax之一圓柱部分。在管狀部 分2a之底部端形成底壁部分2b，且藉由氣體供應單元5覆蓋在管狀部分2a之上端處之一開口。底壁部分2b經形成以具有一實質上圓盤狀之形狀。
容器2亦包含一管狀部分2c，其經定位於管狀部分2a之內側且經形成以具有圍繞旋轉中心Ax之一圓柱形狀。再者，管狀部分2c自底壁部分2b在向上方向上延伸。管狀部分2c之上端經定位於比管狀部分2a之上端更低之側上。藉由底壁部分2b閉合在管狀部分2c之下端處之開口。再者，晶圓保持器3經定位以覆蓋管狀部分2c之上端處之開口。
容器2包含兩個腔室2d及2e。腔室2d係由氣體供應單元5、晶圓保持器3及管狀部分2c之一些部分(上部分)圍繞。腔室2e係由晶圓保持器3、底壁部分2b及管狀部分2c圍繞。再者，容器2包含一排氣通路2f，其在管狀部分2a與管狀部分2c之間穿過。排氣通路2f之上端(入口)在腔室2d內側敞開，且排氣通路2f之下端(出氣口)在底壁部分2b之外側上敞開。
軸件4伸展穿過底壁部分2b。再者，軸件4可相對於底壁部分2b(容器2)旋轉。此外，軸件4藉由一馬達(一驅動源)驅動且圍繞旋轉中心Ax旋轉。軸件4之上端具有接合(固定)至其之晶圓保持器3。當藉由馬達(未展示)旋轉驅動軸件4時，晶圓保持器3因而旋轉。
氣體供應單元5經定位於晶圓保持器3之上側上。在氣體供應單元5中，形成在腔室2d內側敞開之複數個噴嘴(未繪示)。氣體供應單元5透過噴嘴在腔室2d內側噴灑(供應)一氣體(一源氣體)。氣體充當用於形成晶圓100上之一薄膜之原材料。
加熱器6(一熱量源)經定位於腔室2e內側。再者，加熱器6經定位於晶圓保持器3之下側上且面朝晶圓保持器3。舉一實例，加熱器6經構形成以一螺旋方式圍繞軸件4(旋轉中心Ax)。
冷卻單元7經定位於腔室2e內側且具有一平坦環形外觀。在冷卻單元7之中心部位中，形成一開口7a(一貫穿孔)，軸件4經插入穿過開口7a。冷卻單元7具有包含一內部通路(未繪示)之一液體冷卻類型，一冷卻液體流動通過該內部通路。冷卻單元7冷卻其之鄰近區，使得在腔室2e中之冷卻單元7之下側上之區域(間隔)維持在一實質上恆定之溫度。
同時，一反射器8(一熱量絕緣單元)經安置於冷卻單元7與加熱器6之間。反射器8係平坦的且具有圍繞軸件4之一環形外觀。再者，一反射器9經安置於冷卻單元7之下側上。反射器9自下側覆蓋冷卻單元7之開口7a。反射器9係平坦的且具有圍繞軸件4之一環形外觀。
如在圖1至圖3中繪示，晶圓保持器3經構形以具有一實質上圓盤狀之形狀。在平面圖中，晶圓保持器3具有以旋轉中心Ax為中心之一圓形外觀。晶圓保持器3具有一面3a(下表面)、一面3b(頂部表面、上表面)及一側面3c(一側表面、一周邊表面)。面3a經定位於加熱器6之上側上且面朝加熱器6而與之相距一些距離。再者，面3a具有一圓形形狀。面3b位於面3a之對立側上，且具有一圓形形狀。再者，面3b經定位於氣體供應單元5之下側上且面朝氣體供應單元5而與之相距一些距離。自面3a至面3b形成側面3c。再者，側面3c係圍繞旋轉中心Ax之一圓柱表面。
在面3a之中心部分中，一接合部分3d經安置且接合(固定)至軸件4之上端。
再者，在面3b上，複數個外殼單元3e沿旋轉中心Ax之圓周方向安置且彼此間隔開。參考圖3，舉一實例，安置三個外殼單元3e。各外殼單元3e具有自面3b朝向面3a形成之一凹陷3e1(一開口)。凹陷3e1以一垂直薄之圓柱形狀形成且具有在向上方向上之一開口。各外殼單元3e(各凹陷3e1)容置一單一晶圓100。
各外殼單元3e具有一底面3e2(一面)且具有自底面3e2在向上方向上延伸之一面3e3。在本文中，底面3e2以一圓形形狀形成。再者，底面3e2具有安置於其上之凸狀支撐部件3e4(凸起)。支撐部件3e4經安置於底面3e2之外邊緣上且沿對應外殼單元3e之圓周方向彼此間隔開。晶圓100經安裝於支撐部件3e4上。因此，支撐部件3e4支撐晶圓100之面100b之外邊緣。如在圖5中繪示，藉由支撐部件3e4支撐之晶圓100與底面3e2分離。即，底面3e2經定位而在晶圓100之厚度方向上與晶圓100分離。
如在圖2中繪示，面3e3自地面3e2之外邊緣在向上方向上延伸。在本文中，面3e3以一實質上圓柱形狀形成。再者，面3e3之一直徑大於晶圓100之直徑。因此，在面3e3與經容置於外殼單元3e之晶圓100之一外邊緣100c之間的整個區或區之一些部分中形成一間隙(空間)。當晶圓保持器3旋轉時，朝向旋轉中心Ax之徑向方向外側之一離心力施加至經容置於各外殼單元3e中之晶圓100。因此，舉例而言，在晶圓100保持於晶圓保持器3中之初始狀態中，即使晶圓100之外邊緣100c之整個圓周與面3e3分離，但離心力使晶圓100朝向旋轉中心Ax之徑向方向外側移動且與如在圖5中繪示之晶圓保持器3之一接觸面3e6(一接觸發生部分、一面)接觸。在圖5中，繪示在一翹曲狀態中之晶圓100正與接觸面3e6接觸。然而，替代地，在一非翹曲狀態中之晶圓100亦可與接觸面3e6接觸。在本文中，接觸面3e6包含面3e3之一些部分。更特定言之，包含於接觸面3e6中之面3e3之部分表示經定位於旋轉中心Ax之徑向方向外側上之部分，且表示(例如)相較於經保持之晶圓100之一重心C(圓柱外殼單元3e之中心，見圖3)定位於旋轉中心Ax之徑向方向外側上之部分。接觸面3e6包含距旋轉中心Ax最遠之面3e3之部分。再者，舉一實例，接觸面3e6之一些部分自面3b凸起。如在圖5及圖6中繪示，面3e3具有凹向側面3c之一凹陷3e7(一熱量傳遞抑 制部分)。在本文中，凹陷3e7經形成於接觸面3e6之下側上。
同時，在第一實施例中，藉由將一單一部件31(一第一類型部件)與對應於支撐部件3e4安置之部件32(第二類型部件，見圖3)接合而構形晶圓保持器3。部件31包含面3a、面3b、側面3c、接合部分3d、及支撐部件3e4之一些部分。包含於部件31中之支撐部件3e4包含底面3e2及面3e3除接觸面3e6外之部分。各部件32包含接觸面3e6。再者，各部件32經定位使得，當晶圓保持器3圍繞旋轉中心Ax(軸件4)旋轉時，經容置於對應外殼單元3e中且經受離心力之晶圓100與所關注部件32接觸。同時，各部件32可沿對應外殼單元3e(對應面3e3)之整個圓周安置。
如在圖4至圖6中繪示，部件31具有形成於其上之複數個接合部分31a。接合部分31a經定位於旋轉中心Ax之徑向方向上凹陷3e1之外側上。各接合部分31a經接合至部件32，具有一底面31b且具有自底面31b在向上方向上延伸之一面31c(一第一類型面)。在本文中，面31c沿旋轉中心Ax之圓周方向延伸。在旋轉中心Ax之圓周方向上之面31c之兩個端處，安置裝配部件31d(見圖4)。
各部件32包含與裝配部件31d配接之一對裝配部件32a(見圖4)。在本文中，使用一鳩尾榫接合結構實現裝配部件31d與裝配部件32a之間的配接。然而，裝配部件31d與裝配部件32a之間的配接不限於一鳩尾榫接合結構。替代地，裝配部件31d與裝配部件32a之間的配接可係直狀部件之配接而無任何鳩尾榫接合。同時，如在圖6中繪示，各部件32包含接觸面3e6且包含面32b及32c。面32b經定位於底面31b之上側上且面朝底面31b與之相距一些距離。面32c(一第二類型面)面朝面31c且與面31c接觸。面32c及面31c具有與表面粗糙度成比例之微小不均勻度。歸因於不均勻度，如在圖7中繪示，間隙3f(熱量傳遞抑制部分，空間)經形成於各面32c(部件32)與面31c(部件31)之間。因此， 間隙3f經形成於晶圓保持器3內側。同時，各部件32之一些部分自部件31在向上方向上凸起。
同時，部件31係由不同於部件32之材料之一材料製成。部件32之材料之一熱傳導率低於部件31之材料之熱傳導率。舉例而言，部件31係由碳製成，而部件32係由石英製成。舉另一實例，部件31可由碳化矽製成或可藉由在由碳製成之一基底材料之表面上塗佈碳化矽而製造。部件32表示具有低於其他部分(部件31)之一熱傳導率之部分之一實例，且表示具有不同於其他部分(部件31)之一材料之部分之一實例。同時，部件31及部件32之材料不限於上文給定之材料。
在具有上文解釋之構形之晶圓保持器3中，面3a(一熱量接收部分)接收由加熱器6(一熱量源)發射之熱量。接著，藉由面3a接收之熱量經傳遞至底面3e2。使用藉由面3a接收之熱量，底面3e2(一加熱部分)加熱各晶圓100。更特定言之，自底面3e2釋放之熱量經由凹陷3e1之內側傳遞至各晶圓100之面100b。在此時，藉由面3a接收之熱量亦傳遞至除底面3e2外之晶圓保持器3之部分。在第一實施例中，為控制自與所關注晶圓100之外邊緣100c接觸之接觸面3e6至各晶圓100之熱量傳遞；凹陷3e7(見圖5及圖6)、部件32(見圖3至圖6)及間隙3f(見圖7)經提供為熱量傳遞抑制部分。凹陷3e7及部件32經定位於面3a與接觸面3e6之間且於底面3e2與接觸面3e6之間。間隙3f經定位於底面3e2與接觸面3e6之間。再者，部件32包含接觸面3e6。換言之，接觸面3e6包含提供於其上之熱量傳遞抑制部分(部件32)。凹陷3e7及部件32經安置於定位於接觸面3e6正下方之面3a之部分與接觸面3e6之間，即，經安置於接合面3a與接觸面3e6之最短路徑中。由於凹陷3e7及間隙3f，所以晶圓保持器3中之熱量傳遞路徑之橫截面表面局部變小，從而抑制熱量傳遞。再者，由於各部件32具有低於部件31之一熱傳導率，所以熱量傳遞被抑制。因以此方式抑制熱量傳遞，在第一實施例 中，接觸面3e6之溫度可變得等於晶圓100之溫度。
下文參考圖8至圖10解釋與部件間熱量傳遞有關之一模擬。在本文中，繪示關於自一部件200(其由一第一類型材料製成)至一凸部210(其由一第二類型材料製成(見圖8))之熱量傳遞效能的一電腦模擬；且繪示關於自部件200(其由一第一類型材料製成)至一凸部220(其亦由一第一類型材料製成(見圖9))之熱量傳遞效能的一電腦模擬。在本文中，第二類型材料之一熱傳導率低於第一類型材料之熱傳導率。舉一實例，第一類型材料表示碳，且第二類型材料表示石英。部件200具有一長方形形狀，而凸部210及220具有相同之圓柱形狀。在圖8及圖9中，僅繪示部件200及凸部210及220之一些部分(四分之一)。凸部210以及凸部220經插入至形成於部件200之中心部分中之一凹陷中，且凸部210之前端以及凸部220之前端自部件200凸起。當加熱部件200之下表面時，觀察到在凸部210之上端處之溫度下降低於在凸部220之上端處之溫度。即，觀察到在部件200與凸部210之間的熱量傳遞係數低於在部件200與凸部220之間的熱量傳遞係數。再者，在此模擬中，亦觀察到，自部件200至凸部210以及凸部220之間隙(空間、距離)愈大，在凸部220之上端處之溫度變得愈低(見圖10)。因此，藉由模型化一現象而執行模擬：自部件200至凸部210以及凸部220之間隙(空間、距離)愈大，在部件200與凸部210以及凸部220之間的熱量傳遞係數變得愈小。因此，觀察到，自部件200至凸部210以及凸部220之間隙(空間、距離)愈大，在凸部210以及凸部220之前端處之溫度變得愈低。根據此模擬之結果，應理解，自部件31(其由(例如)碳製成)至各部件32(其由(例如)石英製成)之熱量傳遞歸因於部件32而抑制。再者，應理解，歸因於凹陷3e7與間隙3f，抑制自部件31至各部件32之熱量傳遞。此外，應理解，若部件31之底面31b與各部件32之面32b之間的距離變化，則可能改變自底面31b傳遞至面32b之熱量。
下文給定藉由沈積裝置1執行之操作(一沈積方法、一薄膜形成方法、及一晶圓處理方法)之解釋。在沈積裝置1中，藉由氣相沈積(化學氣相沈積)在面100a上形成一薄膜。更特定言之，在沈積裝置1中，當晶圓保持器3隨著容置於凹陷3e1中之晶圓100旋轉時，藉由自加熱器6釋放之熱量經由晶圓保持器3加熱晶圓100。再者，在沈積裝置1中，自氣體供應單元5將一氣體供應至腔室2d中。接著，供應至腔室2d中之氣體各晶圓100之面100a上反應，從而導致面100a上形成(沈積)一薄膜(未繪示)。自排氣通路2f排出未轉變為薄膜之氣體。在此等操作中，由於各晶圓100圍繞旋轉中心Ax旋轉，所以氣體沿面100a流動，使得輕易達成面100a上薄膜之均勻形成。在沈積裝置1中，由於以一重複方式形成一薄膜，所以複數個薄膜可層積於面100a上。在該情況中，在沈積裝置1中，可能具有充當用於形成不同薄膜之原材料之不同氣體。同時，取決於薄膜之線性膨脹係數與晶圓100之線性膨脹係數之差或取決於薄膜間線性膨脹係數之差，有時晶圓100翹曲(見圖5)。
如上文描述，在第一實施例中，在晶圓保持器3中，為抑制熱量傳遞，至少針對接觸面3e6或在面3a(一熱量接收部分)與接觸面3e6之間抑或在加熱器6(一熱量源)與接觸面3e6之間提供充當熱量傳遞抑制部分之凹陷3e7、部件32及間隙3f。因此，可保持來自面3a與底面3e2之熱量經由接觸面3e6傳遞至晶圓100。因此，在各晶圓100中，可防止與接觸面3e6接觸之部分之溫度在局部上升，從而可抑制晶圓100之溫度分佈之變化性。
在第一實施例中，歸因於離心力，各晶圓100經按壓抵靠接觸面3e6。再者，由於離心力，所以各晶圓100可經歷變形，使得在接觸面3e6與晶圓100之間的接觸區域增大，或在接觸面3e6與晶圓100之間的黏合程度存在一增大。因此，發生在晶圓100與接觸面3e6之間的接觸 面積增大。然而，在第一實施例中，可如上文描述抑制自接觸面3e6至晶圓100之熱量傳遞。因此，即使在晶圓100與接觸面3e6之間的接觸面積歸因於離心力而增大，但仍可能抑制晶圓100之溫度分佈之變化性。同時，支撐部件3e4亦可與晶圓100接觸。然而，由於相較於在接觸面3e6與晶圓100之間的接觸面積，在支撐部件3e4與晶圓100之間在接觸面積更小，所以相對更少之熱量自支撐部件3e4傳遞之晶圓100。因此，支撐部件3e4與晶圓100之間的接觸對晶圓100之溫度分佈之效應足夠小而可忽略。再者，由於離心力不使晶圓100按壓抵靠支撐部件3e4，所以支撐部件3e4與晶圓100之間的接觸面積較不可能增大。即使如此，仍可對應於支撐部件3e4提供熱量傳遞抑制部分。
再者，在第一實施例中，底面3e2經定位而在晶圓100之厚度方向上與晶圓100分離。相較於底面3e2全部與晶圓100接觸之一構形，由於底面3e2與晶圓100分離，所以可抑制熱量過量傳遞至晶圓100。此外，在底面3e2全部與晶圓100接觸之一構形中，若晶圓100翹曲，則底面3e2與晶圓100之面100a彼此部分分離。此導致自底面3e2至晶圓100之熱量傳遞之變化性。相比而言，在第一實施例中，底面3e2經定位而在晶圓100之厚度方向上與晶圓100分離。因此，可能防止熱量傳遞至晶圓100之面100a之變化性。
再者，凹陷3e7及部件32經安置於接合面3a與接觸面3e6之最短路線中。因此，可能抑制自面3a至接觸面3e6之熱量傳遞。
同時，在第一實施例中，解釋部件31及部件32係由相互不同之材料製成之一實例。然而，替代地，部件31及部件32可由相同材料製成。一旦部件31及部件32由一材料(諸如碳、碳化矽或石英)製成；則其符合需要。亦在此一構形中，由於凹陷3e7及間隙3f，所以可抑制來自面3a與底面3e2之熱量經由接觸面3e6傳遞至晶圓100。因此，在各晶圓100中，可防止與接觸面3e6接觸之部分之溫度在局部上升，從 而可抑制晶圓100之溫度分佈之變化性。
第一修改實例
如在圖11及圖12中繪示，根據一第一修改實例之一晶圓保持器3A與第一實施例的不同之處在於，晶圓保持器3之部件31(一第一類型部件)之各接合部分31a除具有底面31b及面31c外亦具有一面31e。在各接合部分31a中，包含底面31b、面31c及面31e之部分導致形成一凹陷3g。在各凹陷3g之一些部分中，插入部件32(一第二類型部件)之一者。面31e經安置成對立於面31c，且與部件32之接觸面3e6接觸。在面31e(一第一類型面)與接觸面(一第二類型面)之間，以與在面32c與面31c之間形成之間隙3f之一相同方式形成間隙3f(見圖7)。再者，部件32覆蓋凹陷3g，使得形成一間隔3g1(一熱量傳遞抑制部分)。間隔3g1經形成於底面31b與面32b之間。
在此一構形中，由於間隙3f及間隔3g1，所以抑制自面3a及底面3e2至接觸面3e6之熱量傳遞。此可抑制自接觸面3e6至晶圓100之熱量傳遞。因此，在各晶圓100中，可防止與接觸面3e6接觸之部分之溫度在局部上升，從而可抑制晶圓100之溫度分佈之變化性。
第二修改實例
如在圖13中繪示，根據第二修改實例之一晶圓保持器3B與第一修改實例的不同之處在於，底面31b及面32b彼此接觸。因此，在底面31b(一第一類型面)與面32b(一第二類型面)之間形成間隙3f(見圖7)。在此一構形中，由於間隙3f，所以抑制自面3a及底面3e2至接觸面3e6之熱量傳遞。此可抑制自接觸面3e6至晶圓100之熱量傳遞。因此，在各晶圓100中，可防止與接觸面3e6接觸之部分之溫度在局部上升，從而可抑制晶圓100之溫度分佈之變化性。
第二實施例
在一第二實施例中，如在圖14中繪示，一晶圓保持器3C之構形 大體不同於第一實施例。晶圓保持器3C包含具有不同材料之一第一類型材料部分3h(一部分)及一第二類型材料部分3i(部分)，且經構形為一單一模製之部件。可使用(例如)一3D印表機(一層積及塑形裝置)製造晶圓保持器3C。
第一類型材料部分3h包含面3a、面3b、底面3e2及接觸面3e6。第二類型材料部分3i包含面3e3之一些部分。再者，第二類型材料部分3i在垂直方向上夾置於第一類型材料部分3h之間。
第二類型材料部分3i係由具有低於第一類型材料部分3h之材料之一熱傳導率之一材料製成。即，第二類型材料部分3i具有低於第一類型材料部分3h之一熱傳導率。舉例而言，第一類型材料部分3h係由碳製成，而第二類型材料部分3i係由石英製成。在本文中，第二類型材料部分3i表示具有低於其他部分(第一類型材料部分3h)之一熱傳導率之部分之一實例，且亦表示由不同於其他部分(第一類型材料部分3h)之一材料製成之部分之一實例。再者，第二類型材料部分3i之至少一些部分經定位於在自面3a及底面3e2直至接觸面3e6之間的範圍中之空間中。
在此一構形中，由於第二類型材料部分3i，所以抑制自面3a及底面3e2至接觸面3e6之熱量傳遞。此可抑制自接觸面3e6至晶圓100之熱量傳遞。因此，在各晶圓100中，可防止與接觸面3e6接觸之部分之溫度在局部上升，從而可抑制晶圓100之溫度分佈之變化性。
第三實施例
在一第三實施例中，如在圖15及圖16中繪示，一晶圓保持器3D與第二實施例的主要不同之處在於安置一網格狀結構3j。在本文中，藉由以一三維網格圖案配置複數個柱形部件3k而構形網格狀結構3j(一熱量傳遞抑制部分)。因此，網格狀結構3j包含彼此間隔開之複數個柱形部件3k。舉例而言，網格狀結構3j經安置以替換根據第二實施 例之第二類型材料部分3i。同時，網格狀結構3j可以與晶圓保持器3D之其他部分整合之一方式形成，或可經形成為一單獨部件。再者，網格狀結構3j係由不同於第一類型材料部分3h之材料之一材料(諸如石英)製成。然而，替代地，網格狀結構3j可由與第一類型材料部分3h相同之材料製成。
在此一構形中，由於網格狀結構3j，所以抑制自面3a及底面3e2至接觸面3e6之熱量傳遞。此可抑制自接觸面3e6至晶圓100之熱量傳遞。因此，在各晶圓100中，可防止與接觸面3e6接觸之部分之溫度在局部上升，從而可抑制晶圓100之溫度分佈之變化性。
第四實施例
在一第四實施例中，如在圖17中繪示，一晶圓保持器3E與第一實施例的大體不同之處在於，一凹陷3m(一熱量傳遞抑制部分)經形成於側面3c上。凹陷3m經形成於面3a與接觸面3e6之間。在此一構形中，由於凹陷3m，所以抑制至少自面3a至接觸面3e6之熱量傳遞。此可抑制自接觸面3e6至晶圓100之熱量傳遞。因此，在各晶圓100中，可防止與接觸面3e6接觸之部分之溫度在局部上升，從而可抑制晶圓100之溫度分佈之變化性。
在本文中，儘管針對一完整且清晰之揭示內容參考上文提及之實施例描述本發明，隨附申請專利範圍不因此受限制，而是將視為體現公正地落入本文闡述之基本教示內且熟習此項技術者可瞭解之所有修改及替代構造。再者，可適當修改關於構形、塑形及顯示元件(結構、類型、方向、形狀、大小、長度、寬度、厚度、高度、數量、配置、位置、材料等等)之規格。同時，熱量傳遞抑制部分可表示(例如)複數個柱形部件之一平行配置。替代地，可以一多孔方式構形熱量傳遞抑制部分。仍替代地，可以一網狀方式構形熱量傳遞抑制部分。同時，晶圓保持器3中之外殼單元3e之數量不限於如在圖3中繪示之三 個。替代地，可存在一個或兩個外殼單元3e，或可存在四個或四個以上外殼單元3e。在圖18中繪示四個外殼單元3e經安置於晶圓保持器3中之一構形(另一實施例)。仍替代地，外殼單元3e可經配置使得其等之中心實質上與旋轉中心Ax重合。在該情況下，舉例而言，沿對應外殼單元3e之整個圓周(面3e3)以一圓形圖案配置各部件32。因此，經受離心力之各晶圓100可與部件32之一些部分接觸。
雖然已描述特定實施例，但僅藉由實例呈現此等實施例，且不意在限制本發明之範疇。實際上，本文中描述之新穎實施例可體現為各種其他形式；此外，可在不脫離本發明之精神的情況下在本文中描述之實施例之形式中作出各種省略、替換及改變。隨附申請專利範圍及其等之等效物意在涵蓋將落於本發明之範疇及精神內之此等形式或修改。
3‧‧‧晶圓保持器
3a‧‧‧面/接合面
3b‧‧‧面
3c‧‧‧側面
3e1‧‧‧凹陷
3e2‧‧‧底面
3e3‧‧‧面
3e6‧‧‧接觸面
3e7‧‧‧凹陷
31‧‧‧單一部件
31a‧‧‧接合部分
32‧‧‧部件
32b‧‧‧面
100‧‧‧晶圓
100a‧‧‧面/圓面
100b‧‧‧面/圓面
100c‧‧‧外邊緣

Claims (10)

  1. 一種晶圓保持器，其包括：一熱量接收部分，其自一熱量源接收熱量；一加熱部分，其使用由該熱量接收部分接收之該熱量加熱一晶圓；及一接觸發生部分，其與該晶圓之一外邊緣發生接觸，其中至少針對該接觸發生部分或在該熱量接收部分與該接觸發生部分之間抑或在該加熱部分與該接觸發生部分之間提供一熱量傳遞抑制部分。
  2. 如請求項1之晶圓保持器，其中該熱量傳遞抑制部分表示具有低於其他部分之一熱傳導率之一部分。
  3. 如請求項1之晶圓保持器，其中該熱量傳遞抑制部分表示形成於該晶圓保持器內側之一空間。
  4. 如請求項3之晶圓保持器，其進一步包括：一第一類型部件，其具有一第一類型面；及一第二類型部件，其具有一第二類型面，該第二類型面與該第一類型面接觸，其中該空間表示經形成於該第一類型面與該第二類型面之間的一間隙。
  5. 如請求項1之晶圓保持器，其中該熱量傳遞抑制部分表示由不同於其他部分之一材料製成之一部分。
  6. 如請求項1之晶圓保持器，其中該熱量傳遞抑制部分表示形成於該晶圓保持器中之一凹陷。
  7. 如請求項1之晶圓保持器，其中該熱量傳遞抑制部分表示彼此間隔開之複數個柱形部件。
  8. 如請求項7之晶圓保持器，其中以一網格圖案配置該複數個柱形部件。
  9. 如請求項1之晶圓保持器，其中該晶圓保持器經構形成以一可旋轉方式圍繞一旋轉中心，及對應於相對於該晶圓之重心定位於該旋轉中心之徑向方向外側上之該接觸發生部分提供該熱量傳遞抑制部分。
  10. 一種沈積裝置，其包括：一容器；如請求項1之晶圓保持器，其將一晶圓保持於該容器內側；該熱量源；及一氣體供應單元，其供應一氣體於該容器內側。
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