TWI599167B - LC filter - Google Patents

Description

LC濾波器

本發明係關於一種具備電感器及電容器之LC濾波器。

作為習知的關於LC濾波器之發明，例如已知有專利文獻1所記載之低通濾波器。該低通濾波器具備積層體、線圈及電容器。積層體係由複數個絕緣體層於積層方向積層構成。線圈內置於積層體，且呈在與積層方向平行之軸周圍繞圈之螺旋狀。電容器設置於積層體的底面與線圈之間，從積層方向觀察時，與線圈重疊。

然而，對於專利文獻1所記載之低通濾波器而言，Q值之降低是一問題。詳細而言，由於線圈繞圈之中心軸與積層方向平行，故線圈產生之磁流沿著積層方向延伸。而且，由於從積層方向觀察時，電容器與線圈重疊，故磁流會貫通電容器。其結果，於電容器中產生渦電流，低通濾波器的Q值降低。

作為解決上述問題之方法，例如可考慮如專利文獻2所記載之積層帶通濾波器般，將電感器構成為使電感器所產生之磁流沿著與積層方向(上下方向)正交之方向延伸。更詳細而言，積層帶通濾波器的電感器係由兩根貫通電極與電感器電極構成之環型電感器。電感器電極為設置於積層體上表面附近之線狀的導體。兩根貫通電極從電感器電極的兩端向下方延伸。此種電感器係以沿著與積層方向(上下方向)正交之方向延伸之方式產 生磁流。其結果，抑制了磁流貫通設置於電感器下側之電容器，從而抑制了積層帶通濾波器的Q值降低。

然而，專利文獻2所記載之積層帶通濾波器，由於係使用環型電感器，故係由積層體的高度決定電感器的電感值。因此，為了獲得大電感值，需要高度高之積層體。因此，使用環型電感器時，難以兼顧元件之小型化與電感值之增大。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2013-21449號公報

[專利文獻2]國際公開第2009/041294號

因此，本發明之目的在提供一種能夠獲得大電感值且能夠提高Q值之LC濾波器。

本發明的一形態之LC濾波器之特徵在於具備：積層體，係由複數個絕緣體層於積層方向積層所構成；電感器，其呈在與上述積層方向平行之軸周圍繞圈之漩渦狀或螺旋狀；以及電容器，係由複數個電容器導體相對向構成；從上述積層方向觀察時，上述電感器與上述電容器不重疊，且從與上述積層方向正交之全部的方向觀察時，上述電感器與上述電容器不重疊。

根據本發明，能夠獲得大電感值且能夠提高Q值。

10、10a‧‧‧LC濾波器

12‧‧‧積層體

14a~14c‧‧‧外部電極

16a~16t‧‧‧絕緣體層

18a~18f、38a~38f‧‧‧電感器導體層

20a、20b、22、24a、24b、26、40a、40b、42‧‧‧電容器導體層

28‧‧‧耦合導體層

30、32、34a、34b、50‧‧‧連接導體層

60‧‧‧焊墊導體層

Ax1、Ax2‧‧‧軸

C1~C5、C11、C12‧‧‧電容器

L1~L3、L11、L12‧‧‧電感器

LC1、LC2‧‧‧LC並聯諧振器

LC3‧‧‧LC串聯諧振器

S1‧‧‧面

Sp1‧‧‧空間

v1~v7、v11~v14‧‧‧通孔導體

φ 1~φ 4‧‧‧磁流

圖1係LC濾波器10之等效電路圖。

圖2係LC濾波器10之外觀立體圖。

圖3係LC濾波器10之分解立體圖。

圖4A係從上側(積層方向)透視LC濾波器10之圖。

圖4B係從前側透視LC濾波器10之圖。

圖4C係從左側透視LC濾波器10之圖。

圖5A係從前側透視比較例之LC濾波器100之圖。

圖5B係從左側透視比較例之LC濾波器100之圖。

圖5C係顯示電腦模擬結果之曲線圖。

圖6係從左側透視LC濾波器10a之概略圖。

(LC濾波器的構成)

參照圖式說明本發明一實施形態之LC濾波器10的電路構成。圖1係LC濾波器10之等效電路圖。

如圖1所示，LC濾波器10具備電感器L1~L3、電容器C1~C5及外部電極14a~14c。外部電極14a、14b為高頻訊號之輸入輸出端子。外部電極14c為連接於接地電位之接地端子。

電感器L1與電容器C1電性並聯而構成LC並聯諧振器 LC1。電感器L2與電容器C2電性並聯而構成LC並聯諧振器LC2。LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC2，係在外部電極14a與外部電極14b之間，依此順序電性串聯。又，電感器L1與電感器L2電磁耦合。

電容器C3的一個電極連接於LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC2之間。電容器C4的一個電極連接於外部電極14a。電容器C5的一個電極連接於外部電極14b。電容器C3~C5的另一個電極連接於電感器L3的一端。電感器L3的另一端連接於外部電極14c。藉此，電感器L3與電容器C3電性串聯而構成LC串聯諧振器LC3。

以上述方式構成之LC濾波器10，其功能在於作為低通濾波器，此低通濾波器使具有截止頻率(於本實施形態中為1.575GHz)以下頻率之高頻訊號通過外部電極14a與外部電極14b之間。以下，以從外部電極14a輸入高頻訊號之情形為例進行說明。

LC並聯諧振器LC1、LC2具有稍高於截止頻率之諧振頻率(例如1.8GHz)。因此，具有LC並聯諧振器LC1、LC2的諧振頻率之高頻訊號即使從外部電極14a輸入，亦無法通過LC並聯諧振器LC1、LC2，因此，不會從外部電極14b輸出。

又，LC串聯諧振器LC3具有高於截止頻率之諧振頻率(例如5GHz)。因此，具有LC串聯諧振器LC3的諧振頻率之高頻訊號，當從外部電極14a輸入時，會經由LC串聯諧振器LC3從外部電極14c輸出，因此，不會從外部電極14b輸出。

又，電容器C4、C5將從外部電極14a輸入之具有頻率高於截止頻率之高頻訊號導向外部電極14c。藉由此種構成，具有頻率低於截止 頻率之高頻訊號能夠通過外部電極14a與外部電極14b之間，具有頻率高於截止頻率之高頻訊號則無法通過外部電極14a與外部電極14b之間。

(LC濾波器的具體構成)

其次，參照圖式說明LC濾波器10的具體構成。圖2係LC濾波器10之外觀立體圖。圖3係LC濾波器10之分解立體圖。圖4A係從上側(積層方向)透視LC濾波器10之圖。圖4B係從前側透視LC濾波器10之圖。圖4C係從左側透視LC濾波器10之圖。於LC濾波器10，將積層體12之積層方向定義為上下方向。又，從上側觀察LC濾波器10時，將LC濾波器10的上表面的長邊之延伸方向定義為左右方向，將LC濾波器10的上表面的短邊之延伸方向定義為前後方向。

LC濾波器10，如圖2及圖3所示，作為其具體構成，具備積層體12、外部電極14a~14c、電感器導體層18a~18f、38a~38f、電容器導體層20a、20b、22、24a、24b、26、40a、40b、42、耦合導體層28、連接導體層30、32、34a、34b、50及通孔導體v1~v7、v11~v14。

積層體12，如圖2所示呈長方體狀，且如圖3所示，係由絕緣體層16a~16t從上側向下側依序積層而構成。積層體12的上表面為位於積層體12上端之面。積層體12的底面(絕緣體層16t)為位於積層體12下端之面，且為LC濾波器10構裝於電路基板時，與電路基板相對向之構裝面。

從上側觀察時，絕緣體層16a~16t呈具有沿著左右方向延伸之長邊的長方形狀，例如由陶瓷等製成。以下，將絕緣體層16a~16t的上表面稱為表面，將絕緣體層16a~16t的下表面稱為背面。

外部電極14a~14c僅設置於積層體12的底面，並未設置於積層體12的前表面、後表面、右表面及左表面。外部電極14a~14c呈長方形狀。外部電極14a、14c、14b從積層體12的底面的左側向右側依此順序排列為一行。外部電極14a~14c例如，係藉由在由銀等構成之基底電極上，依Ni鍍敷及Sn鍍敷之順序實施鍍敷、或依Ni鍍敷及Au鍍敷之順序實施鍍敷而製成。關於積層體12的各個元件之說明，以圖1所示之等效電路的電容、電感器的數字健大之順序進行說明。

電感器L1係藉由連接電感器導體層18a~18f及通孔導體v3、v4而構成。電感器導體層18a~18f分別設置於絕緣體層16g~16l表面的左半部分區域，且呈將長方形狀的環的一部分切除而成之形狀。因此，電感器導體層18a~18f在與上下方向平行之軸Ax1(參照圖4A)的周圍繞圈。又，從上側觀察時，電感器導體層18a~18f彼此重疊形成一個長方形狀的環。從上側觀察時，電感器導體層18a~18f分別設置於離開絕緣體層16g~16l前側長邊之位置。藉此，如圖4A所示，於電感器L1的前側形成有空間Sp1。又，電感器導體層18a與電感器導體層18b呈相同形狀，電感器導體層18c與電感器導體層18d呈相同形狀，電感器導體層18e與電感器導體層18f呈相同形狀。以下，將電感器導體層18a~18f之順時針方向上游側的端部稱為上游端，將電感器導體層18a~18f之順時針方向下游側的端部稱為下游端。

通孔導體v4於上下方向上貫通絕緣體層16i~16k，從而連接電感器導體層18e、18f的下游端與電感器導體層18c、18d的上游端。通孔導體v3於上下方向上貫通絕緣體層16g~16i，從而連接電感器導體層 18c、18d的下游端與電感器導體層18a、18b的上游端。以上述方式構成之電感器L1呈螺旋狀，該螺旋狀為沿著順時針方向在與上下方向平行之軸Ax1(參照圖4A)的周圍繞圈向上側前進之形狀。

電容器C1係由電容器導體層20a、20b、22、24a、24b構成。電容器導體層20a、20b、22分別設置於絕緣體層16b、16d、16c表面的左半部分區域，且呈沿著絕緣體層16b、16d、16c前側長邊的左半部分延伸之線狀。然而，從上側觀察時，相較於電容器導體層20a、20b呈相同形狀而一致地重疊，電容器導體層22則相對於電容器導體層20a、20b偏移至右側。藉此，電容器導體層20a、20b的右端與電容器導體層22的左端相對向。

電容器導體層24a、24b分別設置於絕緣體層16b、16d的表面的中央，且呈沿著絕緣體層16b、16d前側長邊的中央延伸之線狀。藉此，電容器導體層22的右端與電容器導體層24a、24b的左端相對向。

如上所述，因電容器導體層20a、20b的右端與電容器導體層22的左端相對向而形成之電容、與因電容器導體層22的右端與電容器導體層24a、24b的左端相對向而形成之電容，透過電容器導體層22串聯，藉此，如圖4A的斜線部分所示，形成呈長方形狀之電容器C1。

電感器L1與電容器C1透過通孔導體v1、v2、v5及連接導體層30、34a、34b電性並聯。更詳細而言，連接導體層30為設置於絕緣體層16s表面的左半部分區域之L字形導體層。通孔導體v2於上下方向上貫通絕緣體層16s、16t，從而將連接導體層30的一端與外部電極14a予以連接。通孔導體v1於上下方向上貫通絕緣體層16b~16r，從而將連接導體層30的另一端、電感器導體層18e、18f的上游端及電容器導體層20a、20b的 左端予以連接。

又，連接導體層34a、34b設置於絕緣體層16b、16d的表面，呈從電容器導體層24a、24b的左右方向的中央向後側延伸之線狀。通孔導體v5於上下方向上貫通絕緣體層16b~16g，從而將連接導體層34a、34b的後端與電感器導體層18a、18b的下游端(電感器導體層38a、電感器導體層38b的上游端)予以連接。

電容器C3係由電容器導體層24b、26構成。電容器導體層26設置於絕緣體層16f的表面，呈沿著絕緣體層16f前側長邊延伸之線狀。電容器導體層24b與電容器導體層26相對向，藉此形成電容器C3。

電容器C4係由電容器導體層20b、26構成。電容器導體層20b的右端與電容器導體層26的左端相對向，藉此形成電容器C4。

電感器L3係由通孔導體v6構成。通孔導體v6於上下方向上貫通絕緣體層16f~16r。通孔導體v6的上端連接於電容器導體層26的左右方向的中央。藉此，電感器L3與電容器C3、C4電性串聯。

又，電感器L3透過連接導體層32及通孔導體v7連接於外部電極14c。連接導體層32設置於絕緣體層16s的表面，呈沿著前後方向延伸之線狀。通孔導體v6的下端連接於連接導體層32的前端。通孔導體v7於上下方向上貫通絕緣體層16s、16t，從而將連接導體層32的後端與外部電極14c予以連接。藉此，電感器L3連接於外部電極14c。

此處，如以下之說明，從上側觀察時，LC濾波器10具有就面S1呈面對稱之構造。如圖4A所示，面S1係通過積層體12上表面的中央(對角線之交點)、且與上下方向平行之平面。因此，以下之(1)~(4)之關係 成立。

(1)構成電感器L2之電感器導體層38a~38f及通孔導體v13、v14具有就面S1與構成電感器L1之電感器導體層18a~18f及通孔導體v3、v4呈面對稱之構造。

(2)構成電容器C2之電容器導體層40a、40b、42、24a、24b具有就面S1與構成電容器C1之電容器導體層20a、20b、22、24a、24b呈面對稱之構造。

(3)電性地並聯連接電感器L2與電容器C2之通孔導體v11、v12、v5及連接導體層50、34a、34b具有就面S1與電性並聯連接電感器L1與電容器C1之通孔導體v1、v2、v5及連接導體層30、34a、34b呈面對稱之構造。

(4)構成電容器C5之電容器導體層40b、26具有就面S1與構成電容器C4之電容器導體層20b、26呈面對稱之構造。

此處，省略電感器導體層38a~38f、電容器導體層40a、40b、42、連接導體層50及通孔導體v11~v14之詳細說明。

耦合導體層28設置於絕緣體層16e的表面，呈沿著絕緣體層16e後側長邊延伸之線狀。從上側觀察時，耦合導體層28與電感器L1、L2重疊。藉此，電感器L1、L2透過耦合導體層28而電磁耦合。

通孔導體v1、v5、v6、v11於上下方向貫通複數個絕緣體層，且存在絕緣層，該絕緣層於貫通時不與線路電極連接。因此，設置有焊墊導體層60(參照圖3)，以防止因絕緣體層之積層偏移而於通孔導體v1、v5、v6、v11發生斷線。焊墊導體層60為正方形狀的導體層，且具有較通孔導體v1、v5、v6、v11的與上下方向垂直之剖面積稍大之面積。此種焊墊導體 層60係以與通孔導體v1、v5、v6、v11重疊之方式設置於絕緣體層的表面。

因此，於絕緣體層16m~16r未設置通孔導體v1、v6、v11及焊墊導體層60以外之導體，上述通孔導體v1、v6、v11於上下方向呈一條直線地貫通上述絕緣體層16m~16r，上述焊墊導體層60對絕緣體層16m~16r的邊界之通孔導體v1、v6、v11之連接進行中繼。絕緣體層16m~16r係設置於電感器L1、L2與積層體12的底面之間的絕緣體層16m~16t內的連續積層之絕緣體層。如此，未設置有多餘導體之絕緣體層16m~16r設置於電感器L1、L2與積層體12的底面之間，藉此，電感器L1、L2與外部電極14a~14c之間的距離增大。

而且，絕緣體層16b~16e的介電常數大於絕緣體層16a、16f~16t的介電常數。藉此，從上下方向受到電容器導體層20a、20b、22、24a、24b、26、40a、40b、42包夾之絕緣體層16b~16e的介電常數高於設置有電感器L1、L2之絕緣體層16g~16l的介電常數。藉此，可藉由增大介電常數而增大每單位之電容值。

LC濾波器10，為了提高Q值，如圖4A所示，從上側觀察時，電容器C1位於空間Sp1。藉此，從上側觀察時，電感器L1與電容器C1不重疊。

進而，如圖4B及圖4C所示，電容器C1設置於較電感器L1更靠積層體12的上表面的附近。藉此，從與上側正交之全部的方向(即前後方向及左右方向)觀察時，電感器L1與電容器C1不重疊。

又，於LC濾波器10中，電感器L1的前後左右不存在電容器，電感器L1的上下亦不存在電容器。亦即，從上側觀察時，不存在與電 感器L1重疊之電容器，且從與上側正交之全部的方向觀察時，不存在與電感器L1重疊之電容器。

再者，電容器C2與電感器L2之關係與電容器C1與電感器L1之關係相同，因此省略說明。

(效果)

根據以上述方式構成之LC濾波器10，能夠增大電感值。更詳細而言，電感器L1、L2呈與上下方向平行之軸Ax1、Ax2(參照圖4A)的周圍繞圈且向上側前進之螺旋狀。此種螺旋狀的電感器L1、L2具有容易於小區域中形成多匝數之構造，因此，與環型電感器相比較，容易獲得大電感值。

又，根據LC濾波器10，能夠提高Q值。更詳細而言，如圖4B及圖4C所示，螺旋狀的電感器L1、L2分別產生沿著上下方向延伸之磁流φ 1、φ 2。因此，若於電感器L1、L2的上下存在電容器，則磁流φ 1、φ 2會貫通電容器而產生渦電流。此種渦電流成為使LC濾波器10的Q值降低之原因。

進而，如圖4B及圖4C所示，螺旋狀的電感器L1、L2分別產生於電感器L1、L2周圍繞圈之磁流φ 3、φ 4。因此，若於電感器L1、L2的前後左右存在電容器，則磁流φ 3、φ 4會貫通電容器而產生渦電流。此種渦電流成為使LC濾波器10的Q值降低之原因。

因此，於LC濾波器10中，當從上側觀察時，電感器L1與電容器C1不重疊，且當從與上下方向正交之全部的方向觀察時，電感器L1與電容器C1不重疊。藉此，抑制電感器L1所產生之磁流φ 1、φ 3貫通電容器C1。同樣地，當從上側觀察時，電感器L2與電容器C2不重疊，且 當從與上下方向正交之全部的方向觀察時，電感器L2與電容器C2不重疊。藉此，抑制電感器L2所產生之磁流φ 2、φ 4貫通電容器C2。其結果，抑制於電容器C1、C2中產生渦電流，LC濾波器10的Q值提高。

又，於LC濾波器10中，電感器L1、L2與電容器C1、C2之間所形成之電容減少。更詳細而言，於LC濾波器10中，當從上側觀察時，電感器L1與電容器C1不重疊，且當從與上下方向正交之全部的方向觀察時，電感器L1與電容器C1不重疊。藉此，電感器L1與電容器C1於導體層彼此的面上不對向，並且抑制電感器L1與電容器C1於前後方向及左右方向接近。其結果，電感器L1與電容器C1之間所形成之電容減少。根據相同理由，電感器L2與電容器C2之間所形成之電容減少。

又，於LC濾波器10中，外部電極14a~14c與電感器L1、L2之間所形成之電容減少。更詳細而言，外部電極14a~14c僅設置於積層體12的底面。亦即，外部電極14a~14c並未設置於積層體12的前表面、後表面、右表面及左表面。因此，抑制外部電極14a~14c與電感器L1、L2接近，其間所形成之電容減少。

又，於LC濾波器10中，藉由將未設置有多餘導體之絕緣體層16m~16r設置於電感器L1、L2與積層體12的底面之間，電感器L1、L2與外部電極14a~14c之間的距離增大。藉此，貫通外部電極14a~14c之磁流φ 1~φ 4減少。其結果，抑制於外部電極14a~14c中產生渦電流，LC濾波器10的Q值提高。進而，電感器L1、L2與外部電極14a~14c之間所形成之電容減少。

又，於LC濾波器10，根據以下之理由，亦能夠提高Q值。 更詳細而言，從上下方向受到電容器導體層20a、20b、22、24a、24b、26、40a、40b、42包夾之絕緣體層16b~16e的介電常數高於設置有電感器L1、L2之絕緣體層16g~16l的介電常數。因此，容易增大電容器C1~C5的電容值。換言之，能夠維持電容器C1~C5的電容值，且減小電容器導體層20a、20b、22、24a、24b、26、40a、40b、42的面積。藉此，貫通電容器導體層20a、20b、22、24a、24b、26、40a、40b、42之磁流φ 1~φ 4減少，LC濾波器10的Q值提高。

又，由於電容器C1、C2呈長方形狀，故而如以下之說明，能夠進一步不妨礙電感器L1、L2所產生之磁流φ 1~φ 4，並且能夠增大電容器C1、C2的電容。更詳細而言，從上側觀察時，未形成有電感器L1、L2之區域的形狀呈長方形狀。因此，從上側觀察時，電容器C1、C2與電感器L1、L2不重疊，且若欲盡可能增大電容器C1、C2的電容，則電容器C1、C2的形狀將成為長方形狀。亦即，電容器C1、C2呈長方形狀，藉此，能夠進一步不妨礙電感器L1、L2所產生之磁流φ 1~φ 4，並且能夠增大電容器C1、C2的電容。

又，本申請案的發明人為了使LC濾波器10所產生之效果更明確，進行了以下說明之電腦模擬。圖5A係從前側透視比較例之LC濾波器100之圖。圖5B係從左側透視比較例之LC濾波器100之圖。

本申請案的發明人製成了LC濾波器10作為相當於實施例之第1模型，且製成了LC濾波器100作為相當於比較例之第2模型。從上側觀察LC濾波器100時，電感器L11與電容器C11重疊，並且電感器L12與電容器C12重疊。電感器L11、L12分別對應於電感器L1、L2，電容器 C11、C12分別對應於電容器C1、C2。再者，LC濾波器100之等效電路圖與LC濾波器10之等效電路圖相同。

圖5C係顯示電腦模擬結果之曲線圖。縱軸顯示通過特性，橫軸顯示頻率。又，表1為顯示電腦模擬結果之表。

與第2模型相比較，第1模型的Q值良好。其結果，如圖5C所示，可知與第2模型相比較，第1模型在高於截止頻率(1.575GHz)之頻率下的衰減量增大。具體而言，如表1所示，與第2模型相比較，第1模型在1.575GHz、1.805GHz及5GHz時所產生之衰減極(attenuation pole)之衰減量增大。藉此，可知由於與第2模型相比較，第1模型的Q值良好，故而能夠獲得良好之通過特性。

又，與第2模型相比較，第1模型的Q值良好。其結果，根據表1，可知第1模型的插入損耗(IL)小於第2模型的插入損耗(IL)。

(變形例)

以下，參照圖式說明變形例之LC濾波器10a。圖6係從左側透視LC濾波器10a之概略圖。

於LC濾波器10中，電容器C1、C2較電感器L1、L2設置在靠上側處。另一方面，如圖6所示，於LC濾波器10a中，電容器C1、C2較電感器L1、L2設置在靠下側處。

又，於LC濾波器10a，較佳為於較電感器L1、L2靠上側處 連續地設置有複數個絕緣體層，上述複數個絕緣體層未設置有通孔導體或導體層。藉此，即使於積層體12的上表面附近配置金屬，金屬亦與電感器L1、L2分離，因此，抑制於金屬與電感器L1、L2之間形成電容。進而，不易因金屬而妨礙電感器L1、L2所產生之磁流。

(其他實施形態)

本發明之LC濾波器不限於LC濾波器10、10a，可於本發明的宗旨之範圍內進行變更。

又，亦可任意地組合LC濾波器10的構成與LC濾波器10a的構成。

又，電感器L1與電容器C1雖係構成為LC並聯諧振器LC1，但亦可構成為LC串聯諧振器。電感器L2與電容器C2雖係構成為LC並聯諧振器LC2，但亦可構成為LC串聯諧振器。

又，外部電極14a~14c雖僅設置於積層體12的底面，但亦可設置於底面以外之部分。

奏，焊墊導體層60並非必需，亦可不存在該焊墊導體層60。

又，電感器L1、L2雖呈螺旋狀，但亦可為漩渦狀。

又，絕緣體層16a~16t的介電常數可以是全部相等。

又，LC濾波器10雖為低通濾波器，但亦可為高通濾波器或帶通濾波器等。

[產業上之可利用性]

如上所述，本發明對於LC濾波器是有用的，尤其在能夠獲得大電感值且能夠提高Q值方面，是非常優異的。

10‧‧‧LC濾波器

12‧‧‧積層體

14a~14c‧‧‧外部電極

16a~16t‧‧‧絕緣體層

18a~18f、38a~38f‧‧‧電感器導體層

20a、20b、22、24a、24b、26、40a、40b、42‧‧‧電容器導體層

28‧‧‧耦合導體層

30、32、34a、34b、50‧‧‧連接導體層

60‧‧‧焊墊導體層

v1~v7、v11~v14‧‧‧通孔導體

Claims (8)

1. 一種LC濾波器，其特徵在於具備：積層體，係由複數個絕緣體層於積層方向積層而構成；電感器，其呈在與該積層方向平行之軸周圍繞圈的漩渦狀或螺旋狀；以及電容器，係由設在2層以上之該絕緣體層之複數個電容器導體相對向而構成；該電感器係由設於2層以上之該絕緣體層且於該軸周圍繞圈之複數個電感器導體、與貫通該絕緣體層之一個以上之通孔導體連接而構成；該複數個電感器導體、與該複數個電容器導體，係以從該積層方向觀察時，該電感器與該電容器不重疊，且從與該積層方向正交之全部的方向觀察時，該電感器與該電容器不重疊的方式，設於該積層體的該複數個絕緣體層。
2. 如申請專利範圍第1項之LC濾波器，其中，該電感器與該電容器構成LC諧振器。
3. 如申請專利範圍第1或2項中任一項之LC濾波器，其中，該積層體具有位於該積層方向一端之底面；該LC濾波器進一步具備與該電感器及該電容器電性連接且設置於該底面之外部電極。
4. 如申請專利範圍第3項之LC濾波器，其中，該外部電極僅設置於該底面。
5. 如申請專利範圍第3項之LC濾波器，其中，該積層體進一步具有 位於該積層方向另一端之上表面；該電容器設置於較該電感器更靠該上表面的附近。
6. 如申請專利範圍第5項之LC濾波器，其中，在設置於該電感器與該底面之間的複數個該絕緣體層內的連續積層之2層以上之該絕緣體層未設置通孔導體與焊墊導體以外之導體，該通孔導體於該積層方向一直線貫通該絕緣體層，該焊墊導體對該2層以上之絕緣體層彼此的邊界之該通孔導體之連接進行中繼。
7. 如申請專利範圍第1或2項之LC濾波器，其中，被該複數個電容器導體從該積層方向包夾之該絕緣體層的介電常數高於設置有該電感器之該絕緣體層的介電常數。
8. 如申請專利範圍第1或2項之LC濾波器，其中，該複數個電容器呈長方形狀。