TWI597571B - 感光性樹脂組成物及電子裝置 - Google Patents

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Description

感光性樹脂組成物及電子裝置
本發明係關於一種感光性樹脂組成物及電子裝置。
於形成如半導體積體電路等之微細之電路圖案時，利用光微影技術。於光微影技術中，為了形成抗蝕劑圖案而使用感光性樹脂組成物。例如專利文獻1中揭示有一種含有聚合物及感光劑之感光性樹脂組成物。並且，揭示有聚合物係具有由環狀脂肪烴骨架所構成之單位、及源自順丁烯二酸酐之單位，且使源自順丁烯二酸酐之單位之酸酐環水解而成者。
[專利文獻1]日本特開平2-146045號公報
近年來，亦研究將感光性樹脂組成物用於半導體裝置之層間絕緣膜、或被覆液晶顯示裝置之TFT電極之平坦化膜。
於該情形時，於製品之製造過程中，有時將感光性樹脂組成物浸漬於特定之溶劑中。因此，對感光性樹脂組成物要求耐化學品性之提高，即便浸漬於溶劑中膜厚亦不易改變。
上述專利文獻1之感光性樹脂組成物之耐化學品性並不足夠。
本發明者為了提高耐化學品性，提出使感光性樹脂組成物中含有與聚合物進行交聯之交聯劑。然而，已知於僅增加交聯劑量來提高耐化學品性之情形時，感光性樹脂組成物所要求之其他特性、例如感光性樹脂組成物之硬化膜之柔軟性等會變差。
本發明提供一種耐化學品性與感光性樹脂組成物所要求之其他特性之平衡優異之感光性樹脂組成物。
藉由本發明，提供一種感光性樹脂組成物，其含有：下述式(1)所表示之聚合物；與該聚合物進行交聯之第一交聯劑；作為第二交聯劑之丙烯酸樹脂，其具有與上述聚合物或上述第一交聯劑進行交聯之反應性基；及感光劑。
(式(1)中，l及m表示聚合物中之莫耳含有率，且l+m=1，n為0、1或2；R1、R2、R3及R4分別獨立為氫或碳數1~30之有機基，A為由下述式(2a)、(2b)、(2c)或(2d)所表示之結構單位)
(式(2a)及式(2b)中，R5、R6及R7分別獨立為碳數1~18之有機基)
藉由本發明，使用丙烯酸樹脂作為第二交聯劑，並且使用與第二交聯劑不同之第一交聯劑。藉由適當選擇與第二交聯劑不同之第一交聯劑，可製成耐化學品性與除耐化學品性以外之其他特性之平衡優異之感光性樹脂組成物。
又，藉由本發明，亦可提供一種電子裝置，其具備上述感光性樹脂組成物之硬化膜。
藉由本發明，提供一種耐化學品性與感光性樹脂組成物所要求之其他特性之平衡優異之感光性樹脂組成物、及具有該感光性樹脂組成物之電子裝置。
10‧‧‧基板
12‧‧‧對向基板
14‧‧‧液晶層
20、50、52、54‧‧‧絕緣膜
22、24、26‧‧‧開口
30‧‧‧電晶體
31‧‧‧閘極電極
32‧‧‧源極電極
33‧‧‧汲極電極
34‧‧‧閘極絕緣膜
35‧‧‧半導體層
40、42‧‧‧配線
70‧‧‧再配線層
72‧‧‧最上層配線
74‧‧‧凸塊
80‧‧‧層
90、92‧‧‧配向膜
100‧‧‧電子裝置
圖1係表示本實施形態之電子裝置之一例的剖面圖。
圖2係表示本實施形態之電子裝置之一例的剖面圖。
以下，基於圖式對本發明之實施形態進行說明。再者，於所有圖式中，對相同之構成要素標記相同之符號，其詳細之說明係適當省略以免重複。
首先，對本實施形態之感光性樹脂組成物之概要進行說明。
本實施形態之感光性樹脂組成物含有：下述式(1)所表示之聚合物(第一聚合物)；與該聚合物進行交聯之第一交聯劑；作為第二交聯劑之丙烯酸樹脂，其具有與上述聚合物或上述第一交聯劑進行交聯之反應性基；及感光劑。
(式(1)中，l及m表示聚合物中之莫耳含有率，且l+m=1，n為0、1或2；R1、R2、R3及R4分別獨立為氫或碳數1~30之有機基，A為由下述 式(2a)、(2b)、(2c)或(2d)所表示之結構單位)
(式(2a)及式(2b)中，R5、R6及R7分別獨立為碳數1~18之有機基)
使用丙烯酸樹脂作為第二交聯劑，並且使用與第二交聯劑不同之第一交聯劑。藉由適當選擇與第二交聯劑不同之第一交聯劑，可製成耐化學品性與除耐化學品性以外之其他特性之平衡優異之感光性樹脂組成物。
(第一聚合物)
本實施形態之第一聚合物為上述聚合物，係由下述式(1)所表示之共聚物所構成。
式(1)中，l及m表示第一聚合物中之莫耳含有率(莫耳比)，且l+m=1，0.4≦1≦0.6，0.4≦m≦0.6。n為0、1或2。
R1、R2、R3及R4分別獨立為氫或碳數1~30之有機基。R1、R2、R3及R4可彼此相同，又，亦可彼此不同。
A為由下述式(2a)、(2b)、(2c)或(2d)所表示之結構單位。於由上述式(1)所表示之共聚物中，含有選自下述式(2a)、(2b)、(2c)及(2d)中之1種或2種以上之結構單位A。於本實施形態中，較佳為含有至少選自下述式(2a)、(2b)及(2c)中之1種或2種以上之結構單位A。
式(2a)及式(2b)中，R5、R6及R7分別獨立為碳數1~18之有機基。
於本實施形態中，較佳為於上述式(1)所表示之共聚物中含有由上述式(2a)所表示之結構單位A、及由上述式(2c)所表示之結構單位A，進而較佳為含有由(2b)所表示之結構單位A。於該情形時，可如下所述般藉由開環步驟中所使用之鹼量之調整或單體去除步驟後之加熱處理(DR步驟)，而容易地調整第一聚合物之酸值。因此，對於由含有第一聚合物之感光性樹脂組成物所構成之膜，容易調整對光微影步驟中之鹼性顯影液之溶解性。
構成R1、R2、R3及R4之有機基可設為均不具有酸性官能基者。藉此，可使第一聚合物中之酸值之控制變得容易。又，構成R1、R2、R3及R4之有機基亦可於其結構中含有O、N、S、P、Si中之任意一種以上。
於本實施形態中，作為構成R1、R2、R3及R4之有機基，例 如可列舉烷基、烯基、炔基、亞烷基、芳基、芳烷基、烷芳基、環烷基、及雜環基，可自該等中選擇。
作為烷基，例如可列舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、及癸基。作為烯基，例如可列舉烯丙基、戊烯基、及乙烯基，可自該等中選擇。作為炔基，可列舉乙炔基。作為亞烷基，例如可列舉亞甲基、及亞乙基。作為芳基，例如可列舉苯基、萘基、及蒽基。作為芳烷基，例如可列舉苄基、及苯乙基。作為烷芳基(alkaryl group)，例如可列舉甲苯基、二甲苯基。作為環烷基，例如可列舉金剛烷基、環戊基、環己基、及環辛基。作為雜環基，例如可列舉環氧基、及氧雜環丁基。
再者，藉由含有烷基作為R1、R2、R3及R4，可提高由含有第一聚合物之感光性樹脂組成物所構成之膜之製膜性。又，藉由含有芳基作為R1、R2、R3及R4，對於由含有第一聚合物之感光性樹脂組成物所構成之膜，可抑制微影步驟中之使用鹼性顯影液之顯影時之膜減少。
進而，上述烷基、烯基、炔基、亞烷基、芳基、芳烷基、烷芳基、環烷基、及雜環基之1個以上之氫原子亦可經鹵素原子取代。作為鹵素原子，可列舉氟、氯、溴、及碘。其中較佳為烷基之1個以上之氫原子被取代為鹵素原子而成之鹵烷基。藉由將R1、R2、R3及R4中之至少任一者設為鹵烷基，可於使用第一聚合物構成感光性樹脂組成物時，降低該感光性樹脂組成物之介電常數。
再者，就提高含有第一聚合物而構成之膜之光穿透性之觀點而言，較佳為R1、R2、R3及R4中之任一者為氫，尤佳為R1、R2、R3及R4均為氫。
構成R5、R6及R7之碳數1~18之有機基可於其結構中含有 O、N、S、P、Si中之任意一種以上。又，構成R5、R6及R7之有機基可設為不含有酸性官能基者。藉此，可使第一聚合物中之酸值之控制變得容易。
於本實施形態中，作為構成R5、R6及R7之有機基，例如可 列舉烷基、烯基、炔基、亞烷基、芳基、芳烷基、烷芳基、環烷基、及雜環基，可自該等中選擇。此處，作為烷基，例如可列舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、及癸基。作為烯基，例如可列舉烯丙基、戊烯基、及乙烯基。作為炔基，可列舉乙炔基。作為亞烷基，例如可列舉亞甲基、及亞乙基。作為芳基，例如可列舉苯基、萘基、及蒽基。作為芳烷基，例如可列舉苄基、及苯乙基。作為烷芳基，例如可列舉甲苯基、二甲苯基。 作為環烷基，例如可列舉金剛烷基、環戊基、環己基、及環辛基。作為雜環基，例如可列舉環氧基、及氧雜環丁基。
進而，上述烷基、烯基、炔基、亞烷基、芳基、芳烷基、烷 芳基、環烷基、及雜環基之1個以上之氫原子亦可經鹵素原子取代。作為鹵素原子，可列舉氟、氯、溴、及碘。其中較佳為烷基之1個以上之氫原子被取代為鹵素原子而成之鹵烷基。
上述式(1)所表示之共聚物例如較佳為源自下述式(3)所 表示之降莰烯型單體之重複單位與源自下述式(4)所表示之順丁烯二酸酐之重複單位交替地排列而成之交替共聚物。再者，上述式(1)所表示之共聚物亦可為無規共聚物或嵌段共聚物。
所謂源自下述式(4)所表示之順丁烯二酸酐之重複單位，係由上述式 (1)中之A所表示之結構單位。再者，第一聚合物亦可含有由下述式(3)及(4)所表示之單體作為低分子量成分。
式(3)中，n為0、1或2，R1、R2、R3及R4分別獨立地為氫或碳數1~30之有機基。
關於本實施形態之第一聚合物，例如酸值較佳為15mgKOH/g聚合物以上65mgKOH/g聚合物以下。
第一聚合物之酸值之測定例如係依據JIS K 2501以下述方式進行。首先，對於溶解有所合成之第一聚合物之滴定溶劑，使用N/10 KOH水溶液，以pH值=7.0之方式進行滴定。然後，基於該滴定所需之KOH量，使用下述式算出聚合物之酸值(相對於樹脂1g之KOH之mg數)。
酸值=滴定量(ml)×KOH之係數f×0.1×56.1/聚合物量(固形物)
於本實施形態中，第一聚合物之酸值成為源自由式(2a)所表示之結構單位之羧基之量的指標。即，藉由控制第一聚合物之酸值，可調整第一聚合物中之羧基之量。因此，藉由控制第一聚合物之酸值，可調整因羧基之量而改變之第一聚合物對於鹼性溶液之溶解速度。
於光微影步驟中，為了實現所需之圖案化性能，重要的是調整對於鹼 性顯影液之溶解速度。藉由將第一聚合物之酸值設為上述範圍，可實現尤其適合於永久膜之圖案化之感光性樹脂組成物之鹼溶解速度。
關於本實施形態之第一聚合物，例如於藉由GPC(Gel Permeation Chromatography，凝膠滲透層析法)所獲得之分子量分佈曲線中，分子量為1000以下之波峰面積較佳為整體之1%以下。
本發明者發現：藉由降低第一聚合物中之低分子量成分之量，對於由該第一聚合物所形成之膜，可抑制硬化時之圖案之變形。因此，藉由將利用GPC所獲得之分子量分佈曲線中之分子量為1000以下之波峰面積之比率設為上述範圍，可使由含有第一聚合物之感光性樹脂組成物所構成之膜之圖案形狀變得良好。對於具備該膜作為永久膜之電子裝置，可提高其動作可靠性。
再者，第一聚合物中之低分子量成分之量之下限並無特別限定。但是，本實施形態之第一聚合物容許於藉由GPC所獲得之分子量分佈曲線中分子量為1000以下之波峰面積為整體之0.01%以上的情形。
關於本實施形態之第一聚合物，例如Mw(重量平均分子量)/Mn(數量平均分子量)較佳為1.5以上2.5以下。再者，Mw/Mn係表示分子量分佈之寬度之分散度。
本發明者發現：藉由將第一聚合物之分子量分佈控制為一定範圍，對於由該第一聚合物所形成之膜，可抑制硬化時之圖案之變形。因此，藉由將第一聚合物之Mw/Mn設為上述範圍，可使由含有第一聚合物之感光性樹脂組成物所構成之膜之圖案形狀變得良好。再者，此種效果於同時如上所述般降低第一聚合物之低分子量成分之情形時尤為顯著地表現。
又，第一聚合物之Mw(重量平均分子量)例如為5,000以上30,000以下。
再者，重量平均分子量(Mw)、數量平均分子量(Mn)、及分子量分佈(Mw/Mn)例如係使用由利用GPC測定所獲得之標準聚苯乙烯(PS)之校準曲線所求出之聚苯乙烯換算值。測定條件例如如下所述。
Tosoh股份有限公司製造之凝膠滲透層析裝置HLC-8320GPC
管柱：Tosoh股份有限公司製造之TSK-GEL Supermultipore HZ-M
檢測器：液相層析圖用RI檢測器
測定溫度：40℃
溶劑：THF
試樣濃度：2.0mg/毫升
又，第一聚合物中之低分子量成分量例如係基於藉由GPC測定所獲得之有關分子量之資料，根據符合分子量為1000以下之成分之面積總和占分子量分佈整體之面積之比例而算出。
本實施形態之第一聚合物例如含有鹼金屬。該第一聚合物中之鹼金屬之濃度(相對於聚合物整體質量之鹼金屬質量)例如較佳為10ppm(質量ppm)以下。
藉由將第一聚合物中之鹼金屬之濃度設為該範圍，可提高包含永久膜之電子裝置之動作可靠性。又，只要為上述範圍內，則可容許第一聚合物中含有鹼金屬。即，可藉由使用鹼性水溶液之處理進行下述使源自順丁烯二酸酐之結構單位中之酐環開環之步驟。於該情形時，可以短時間且藉由溫和之條件進行該步驟。又，與使用酸觸媒使酐環開環之步驟相比，容易 控制第一聚合物之開環率。
再者，第一聚合物中之鹼金屬濃度之下限並無特別限定，本實施形態容許第一聚合物中之鹼金屬濃度為0.01ppm以上之情形。
於本實施形態中，第一聚合物中之鹼金屬之濃度係藉由使用 無焰原子吸光光度計，測定視需要利用N-甲基吡咯啶酮稀釋之相對於聚合物固形物成分之鹼金屬濃度而獲得。
又，作為本實施形態之第一聚合物中所含有之鹼金屬，例如可列舉Na、K或Li。該等鹼金屬例如為源自下述使源自順丁烯二酸酐之結構單位中之酐環開環之開環步驟(處理S2)中之鹼性水溶液者。
本實施形態之第一聚合物之鹼溶解速度例如為500Å/秒以 上20,000Å/秒以下。第一聚合物之鹼溶解速度例如係藉由如下方式算出：將使第一聚合物溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯中，並調整為固形物成分20重量%之聚合物溶液利用旋轉方式塗佈於矽晶圓上，並將其以110℃軟烤100秒而獲得聚合物膜，使該聚合物膜於23℃含浸於2.38%之氫氧化四甲基銨水溶液中，並測定視覺上上述聚合物膜消失為止之時間。
藉由將第一聚合物之鹼溶解速度設為500Å/秒以上，可使利用鹼性顯影液之顯影步驟中之產出量變得良好。又，藉由將第一聚合物之鹼溶解速度設為20,000Å/秒以下，可提高利用鹼性顯影液之顯影步驟後之殘膜率。因此，可抑制由微影步驟所引起之膜減少。
本實施形態之第一聚合物例如係以如下方式製作。
(聚合步驟(處理S1))
首先，準備式(3)所表示之降莰烯型單體及成為單體之順丁烯二酸酐。 於式(3)所表示之降莰烯型單體中，n、R1~R4可設為與上述式(1)中者相同。
作為式(3)所表示之降莰烯型單體，具體而言，可列舉雙 環[2.2.1]-2-庚烯(慣用名：降莰烯)，進而，作為具有烷基者，可列舉5-甲基-2-降莰烯、5-乙基-2-降莰烯、5-丁基-2-降莰烯、5-己基-2-降莰烯、5-癸基-2-降莰烯等，作為具有烯基者，可列舉5-烯丙基-2-降莰烯、5-(2-丙烯基)-2-降莰烯、5-(1-甲基-4-戊烯基)-2-降莰烯等，作為具有炔基者，可列舉5-乙炔基-2-降莰烯等，作為具有芳烷基者，可列舉5-苄基-2-降莰烯、5-苯乙基-2-降莰烯等。
作為降莰烯型單體，於該等中，可使用任意一種以上。其中，就聚合物之光穿透性之觀點而言，較佳為使用雙環[2.2.1]-2-庚烯(慣用名：降莰烯)。
其次，使式(3)所表示之降莰烯型單體與順丁烯二酸酐加成聚合。此處，藉由自由基聚合而形成式(3)所表示之降莰烯型單體與順丁烯二酸酐之共聚物(共聚物1)。
式(3)所表示之降莰烯型單體與順丁烯二酸酐之莫耳比(式(3)所表示之化合物之莫耳數：順丁烯二酸酐之莫耳數)較佳為0.5：1~1：0.5。其中，就控制分子結構之觀點而言，較佳為式(3)所表示之降莰烯型單體之莫耳數：順丁烯二酸酐之莫耳數=1：1。
將式(3)所表示之降莰烯型單體、順丁烯二酸酐、及聚合起始劑溶解於溶劑中，其後，加熱特定時間，藉此使式(3)所表示之降莰烯型單體與順丁烯二酸酐進行溶液聚合。加熱溫度例如為50~80℃，加熱時間為10~ 20小時。
作為溶劑，例如可使用二乙醚、四氫呋喃、甲苯等中之任意一種以上。
作為聚合起始劑，可使用偶氮化合物及有機過氧化物中之任意一種以上。
作為偶氮化合物，例如可列舉偶氮雙異丁腈(AIBN)、二甲基2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸酯)、1,1'-偶氮雙(環己甲腈)(ABCN)，可使用該等中之任意一種以上。
又，作為有機過氧化物，例如可列舉過氧化氫、過氧化二第三丁基(DTBP)、過氧化苯甲醯基(苯甲醯基過氧化物，BPO)、及過氧化甲基乙基酮(MEKP)，可使用該等中之任意一種以上。
關於聚合起始劑之量(莫耳數)，較佳為設為式(3)所表示之降莰烯型單體與順丁烯二酸酐之合計莫耳數之1%~10%。藉由在上述範圍內適當設定聚合起始劑之量，並且適當設定反應溫度、反應時間，可將所獲得之聚合物之重量平均分子量(Mw)調整為5000~30000。
藉由該聚合步驟(處理S1)，可聚合具有以下之式(5)所表示之重複單位及以下之式(6)所表示之重複單位的共聚物1。
其中，於共聚物1中，較佳為式(6)之結構之R1於各重複單位中相同，但亦可於每個重複單位中各不相同。關於R2~R4亦同樣。
(式(6)中，n、R1~R4與上述式(1)相同；即，n為0、1、2之任一者；R1~R4分別獨立地為氫或碳數1~30之有機基；式(6)中，R1~R4可相同亦可不同)
共聚物1可為式(5)所表示之重複單位與式(6)所表示之重複單位無規地配置而成者，又，亦可為交替地配置而成者。又，亦可為式(3)所表示之降莰烯型單體與順丁烯二酸酐進行嵌段共聚而成者。但是，就確保使用本實施形態中所製造之聚合物的感光性樹脂組成物之溶解性之均勻性之觀點而言，較佳為式(5)所表示之重複單位與式(6)所表示之重複單位交替地配置而成之結構。即，共聚物1較佳為具有以下之重複單位者。
(式(7)中，n、R1~R4與上述式(1)相同；即，n為0、1、2之任一者；R1~R4為氫或碳數1~30之有機基；R1~R4可相同亦可不同；又，a為10以上200以下之整數)
此處，較佳為式(7)之結構之R1於各重複單位中相同，但亦可於每個重複單位中各不相同。關於R2~R4亦同樣。
(開環步驟(處理S2))
其次，一面將所獲得之共聚物1之源自順丁烯二酸酐之環狀結構之重複單位中之一部分重複單位設為閉環之狀態，一面使剩餘之重複單位開環。藉此，可調整共聚物1中之羧基之量。即，可控制所製作之第一聚合物之酸值。
於本實施形態中，較佳為使共聚物1之源自順丁烯二酸酐之重複單位中之例如50%以上之重複單位不開環，並使上述剩餘之重複單位之環狀結構(酐環)開環。共聚物1之開環率例如較佳為未達50%。其中，較佳為使共聚物1之源自順丁烯二酸酐之環狀結構之重複單位之全部個數中之60%以上90%以下之重複單位不開環。
此處，源自順丁烯二酸酐之重複單位之開環率可以下述方式 測量。
測定開環前之共聚物1之酸酐結構中之(C=O)之IR吸收強度(A1)，利用下述式由開環後之酸酐結構中之(C=O)之IR吸收強度(A2)算出開環率。
開環率(%)=((A1-A2)/A1)×100
再者，使用乙腈作為內部標準物質。
具體而言，將
(A)作為鹼之金屬烷氧化物
(B)醇及作為鹼之鹼金屬之氫氧化物
之任一者添加至上述聚合步驟中的上述共聚物1受聚合後之反應液，並且進一步添加甲基乙基酮(MEK)等有機溶劑，於40~50℃攪拌1~5小時，而獲得反應液L1。於反應液L1中，共聚物1之源自順丁烯二酸酐之重複單位之一部分酐環開環，並且藉由開環而形成之一部分末端被酯化。再者，剩餘之末端未被酯化，而成為金屬鹽結構。
於本實施形態中，較佳為將金屬烷氧化物或鹼金屬之氫氧化物之莫耳數設為聚合步驟中所使用之順丁烯二酸酐之莫耳數之50%以下。其中，較佳為將金屬烷氧化物或鹼金屬之氫氧化物之莫耳數設為聚合步驟中所使用之順丁烯二酸酐之莫耳數之40%以下10%以上，進而較佳為設為30%以下。藉由如此，可減少金屬烷氧化物或鹼金屬之氫氧化物之量，可降低最終獲得之聚合物中之鹼金屬濃度。
藉由降低聚合物中之鹼金屬濃度，於形成使用該聚合物之器件時，可抑制金屬離子之遷移。
作為上述金屬烷氧化物，較佳為M(OR5)所表示者(M為一價金屬，R5為碳數1~18之有機基)。作為金屬M，可列舉鹼金屬，其中，就操作性之觀點而言，較佳為鈉。作為R5，例如可列舉與上述式(2a)或式(2a)中之R5相同者。
再者，作為金屬烷氧化物，亦可使用2種以上之不同者。但是，就製造穩定性之觀點而言，較佳為使用1種金屬烷氧化物。
另一方面，如上所述，亦可於(B)醇及作為鹼之鹼金屬之氫氧化物之存在下使共聚物1之源自順丁烯二酸酐之結構體開環。
作為鹼金屬之氫氧化物，就操作性之觀點而言，較佳為氫氧化鈉。
作為醇，較佳為一元醇(R5OH)。作為有機基之R5可使用上述者。再者，R5之碳數較佳為10以下。
利用該開環步驟(處理S2)開環之源自順丁烯二酸酐之重複單位成為以下之式(8)所表示之結構，成為具有羧基之鹽部分之結構。將具有該式(8)之結構者稱為共聚物2。
(式(8)中，R5與上述R5相同，係源自上述醇或金屬烷氧化物者)
再者，於共聚物2中，雖然僅有少量，但亦有形成以下之式(9)所表示之結構體之情形。
又，於共聚物2中，雖然僅有少量，但亦有形成以下之式(10)所表示之結構體之情形。
其次，向反應液L1中添加鹽酸或甲酸等之水溶液，對共聚物2進行酸處理，而將金屬離子(Na+)取代為質子(H+)。藉此，於藉由對共聚物2進行酸處理而獲得之共聚物3中，式(8)所表示之開環之源自順丁烯二酸酐之重複單位成為如下述式(11)之結構，一末端成為羧基。
(式(11)中，R5與上述R5相同)
再者，於共聚物2中具有式(10)所表示之結構體之情形時，該結構體成為如下述式(12)之結構。
藉由對共聚物2進行酸處理而獲得之共聚物3成為具有上述 式(6)所表示之重複單位、式(5)所表示之重複單位、式(11)所表示之重複單位、及視情形之式(9)之結構體及式(12)之結構體者。並且，源自順丁烯二酸酐之結構單位之全部個數中之50%以上成為式(5)所表示之重複單位。式(5)所表示之重複單位與式(11)所表示之重複單位(於含有式(9)之結構體、式(12)之結構體之情形時，為式(11)所表示之重複單位、式(9)之結構體、及式(12)之結構體之合計)之比率(莫耳比(式(5)：式(11)(於含有式(9)之結構、式(12)之結構之情形時，為式(11)+式(9)+式(12))))例如為1：1~3：1。
其中，較佳為具有以下之式(13)及(14)作為重複單位， 且源自降莰烯型單體之結構體與源自順丁烯二酸酐單體之結構體交替地配置而成之結構。
式(13)及式(14)中，n、R1~R4與上述式(1)相同。即， n為0、1、2之任一者。R1~R4為氫或碳數1~30之有機基。R1~R4可相同亦可不同。又，於式(14)之結構中，包含Z表示-O-H及-O-R5中之任一者，W表示任意另一者之結構，及少量Z及W均為-O-R5之結構。R5與上述R5相同。
又，雖然僅有少量，但有於式(14)所表示之重複單位中亦包含Z及W均為-O-H之結構之情形。
又，於式(13)成為重複單位之情形時，較佳為R1於各重複單位中相同，但亦可於每個重複單位中各不相同。關於R2~R4亦同樣。
同樣地，於式(14)成為重複單位之情形時，較佳為R1於各重複單位中相同，但亦可於每個重複單位中各不相同。關於R2~R4、W、Z亦同樣。
於該開環步驟(處理S2)中，使共聚物1之源自順丁烯二 酸酐之重複單位中之50%以上之重複單位不開環，使剩餘之重複單位之環狀結構(酐環)開環，而獲得共聚物2。於共聚物2中，如上所述，金屬(例如Na)鍵結於順丁烯二酸酐環開環而形成之一末端，但藉由使50%以上之重複單位不開環，可減少作為產物之聚合物中所含有之金屬量。藉此，可降低本實施形態中最終獲得之聚合物中之鹼金屬之量，可令使用該聚合物之感光性樹脂組成物發揮所需之特性。
(清洗步驟(處理S3))
其次，利用水與有機溶劑(例如MEK)之混合物對藉由以上之步驟所獲得之含有共聚物3之溶液進行清洗，而去除殘留金屬成分。共聚物3、殘留單體及低聚物轉移至有機層。其後，去除水層(第一清洗)。
其後，再次向有機層中添加水與有機溶劑(例如MEK)之混合物進行清洗(第二清洗)。
於本實施形態中，將如上所述之清洗步驟(處理S3)重複例如5次以上、更佳為10次。藉此，可充分地降低共聚物3中之鹼金屬之濃度。於本實施形態中，較佳為以共聚物3中之鹼金屬濃度成為10ppm以下、較佳為5ppm以下之方式反覆進行清洗步驟(處理S3)。
(低分子量成分去除步驟(處理S4))
其次，將含有共聚物3與殘留單體及低聚物等低分子量成分之上述有機層濃縮後，再次溶解於THF等有機溶劑中。然後，向該溶液中添加己烷及甲醇，使含有共聚物3之聚合物凝固沈澱。此處，作為低分子量成分，包含殘留單體、低聚物、以及聚合起始劑等。繼而，進行過濾，並使所獲 得之凝固物乾燥。藉此，可獲得去除了低分子量成分之以共聚物3作為主成分(主產物)之聚合物。
於本實施形態中，較佳為於該低分子量成分去除步驟(處理S4)中，重複萃取操作直至共聚物3中之分子量為1000以下之低核體含有率成為1%以下。藉此，可將第一聚合物中之低分子量成分之量降低至用以抑制硬化時之膜之圖案變形所充分之程度。
再者，於實施下述加熱步驟之情形時，於該低分子量成分去 除步驟(處理S4)中，例如利用甲醇、水、己烷之混合液對含有共聚物3、殘留單體及低聚物之上述有機層進行清洗，並去除有機層。
(加熱步驟(處理S5))
於本實施形態中，藉由在上述開環步驟(處理S2)中調整源自順丁烯二酸酐之重複單位之開環率，而調整第一聚合物對於鹼性顯影液(例如TMAH(氫氧化四甲基銨水溶液))之溶解速度，進而，於必須嚴格地調整溶解速度之情形時，較佳為實施正式加熱步驟(處理S5)。於該加熱步驟(處理S5)中，藉由將共聚物3加熱而進一步調整第一聚合物對於鹼性顯影液之溶解速度。
加熱步驟(處理S5)係以如下方式進行。
向在低分子量成分去除步驟中去除了有機層之溶液中添加醇，使甲醇蒸發後，以120~140℃加熱0.5~10小時。此處所使用之醇可使用上述作為醇(R5OH)而例示者中之任一者。
於該加熱步驟(處理S5)中，共聚物3之一部分羧基、即形成於源自順丁烯二酸酐之結構體之開環結構之末端之羧基會酯化。此 外，於該加熱步驟(處理S5)中，共聚物3之源自順丁烯二酸酐之結構體之開環結構脫水而再次閉環。
因此，經過該步驟而獲得之共聚物4成為具備上述式(6)所表示之重複單位、式(5)所表示之重複單位、式(11)所表示之重複單位、及以下之式(15)所表示之重複單位者。
式(15)中，R6及R7與上述式(2b)中之R6及R7相同，包含R6及R7為獨立之碳數1~18之有機基之結構。
關於該式(15)所表示之結構，包含R7為上述R5，且R6之碳數1~18之有機基係源自正式加熱步驟(處理S5)中所使用之醇者之情形。於該情形時，R6可設為上述R5中所例示之有機基之任一者。
又，於式(15)所表示之結構中，亦可包含上述式(9)所表示之結構。於該情形時，式(15)之R6及R7成為與式(9)中所示之R5相同之基。
進而，於式(15)所表示之結構中，亦可包含式(12)中兩個羧基進行酯化而成之結構。於該情形時，R6及R7均為源自正式加熱步驟(處理S5)中所使用之醇者，可設為上述R5中所例示之有機基之任一者。
藉此，可獲得以共聚物4作為主產物之產物(聚合物)。
於該共聚物4中，與共聚物3同樣，亦較佳為源自降莰烯型單體之結 構體與源自順丁烯二酸酐單體之結構體交替地配置而成之結構。並且，共聚物4較佳為除了上述式(13)、(14)以外，亦具有式(16)所表示之結構體。
式(16)中，n、R1~R4與上述式(1)相同。即，n為0、1、2之任一者。R1~R4為氫或碳數1~30之有機基。R1~R4可相同亦可不同。X表示-O-R6及-O-R7中之任一者，Y表示任意另一者。R6、R7與上述式(15)相同。
藉由經過以上之步驟，可獲得上述式(1)所表示之本實施形態之第一聚合物。
(交聯劑)
(第一交聯劑)
作為第一交聯劑，係與上述作為丙烯酸樹脂之第二交聯劑不同者。該第一交聯劑係與上述聚合物進行交聯者。例如第一交聯劑較佳為具有與聚合物中之羧基反應而形成交聯結構之反應基，例如較佳為具有雜環作為反應性基之化合物，其中，較佳為具有環氧丙基或氧雜環丁基之化合物。
作為具有環氧丙基之化合物，可列舉環氧化合物。該第一交聯劑較佳 為不具有酸性基。
作為第一交聯劑，可使用以下之任意環氧化合物。
例如可列舉：雙酚A環氧樹脂(例如LX-1，Daiso Chemical股份有限公司)、2,2'-((((1-(4-(2-(4-(環氧乙烷-2-基甲氧基)苯基)丙烷-2-基)苯基)乙烷-1,1-二基)雙(4,1-伸苯基))雙(氧基))雙(亞甲基))雙(環氧乙烷)(例如Techmore VG3101L，Printec股份有限公司)、三羥甲基丙烷三環氧丙醚(例如TMPTGE，CVC Specialty Chemicals公司)、及1,1,3,3,5,5-六甲基-1,5-雙(3-(環氧乙烷-2-基-甲氧基)丙基)三-矽氧烷(例如DMS-E09，Gelest公司)。該等之結構如下所示。此外，可列舉Araldite MT0163及Araldite CY179(Ciba-Geigy公司)、EHPE-3150、及Epolite GT300(Daicel化學工業股份有限公司)等。可使用上述中之任意一種以上。再者，並不限定於此處之例示。
此處，n1之平均值為0以上3以下之正數。
又，作為環氧樹脂，就感光性樹脂組成物之透明性、介電常數之觀點而言，較佳為使用多官能脂環式環氧樹脂。作為多官能脂環式環氧樹脂，例如可使用以下之化學式所表示者。該環氧樹脂例如為聚[(2-環氧乙烷基)-1,2-環己二醇]2-乙基-2-(羥甲基)-1,3-丙二醇醚(Poly[(2-oxiranyl)-1, 2-cyclohexanediol]2-ethyl-2-(hydroxymethyl)-1,3-propanediol ether，3：1)。
式中，R36為碳數1~10之烴基，s為1~30之整數，t為1~6之整數。
又，作為具有氧雜環丁基之化合物，例如可使用以下之任一者。
例如可列舉：1,4-雙{[(3-乙基-3-氧雜環丁基)甲氧基]甲基}苯、雙[1-乙基(3-氧雜環丁基)]甲醚、4,4'-雙[(3-乙基-3-氧雜環丁基)甲氧基甲基]聯苯、4,4'-雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲氧基)聯苯、乙二醇雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、二乙二醇雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)二酚酸酯、三羥甲基丙烷三(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、新戊四醇四(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、聚[[3-[(3-乙基-3-氧雜環丁基)甲氧基]丙基]倍半矽氧烷]衍生物、矽酸氧雜環丁酯、苯酚酚醛清漆型氧雜環丁烷、1,3-雙[(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲氧基]苯等，但並不限定於該等。該等可單獨使用亦可組合複數種使用。
(第二交聯劑)
第二交聯劑係與上述聚合物及第一交聯劑中之至少任一者反應而形成 交聯結構之丙烯酸樹脂。
例如於上述聚合物具有羧基之情形時，第二交聯劑較佳為具有與該羧基反應而形成交聯結構之反應性基。作為第二交聯劑，例如較佳為具有雜環作為反應性基之化合物，其中，較佳為具有環氧丙基或氧雜環丁基之丙烯酸樹脂。又，於上述聚合物具有羧基之情形時，第二交聯劑亦可為具有OH基作為與該羧基反應而形成交聯結構之反應基之丙烯酸樹脂。
又，於上述第一交聯劑具有環狀醚基之情形時，較佳為具有與該環狀醚基反應而形成交聯結構之反應性基，作為第二交聯劑，例如較佳為具有羧基作為反應性基之丙烯酸樹脂。
進而，第二交聯劑亦可為與上述聚合物及第一交聯劑兩者進行交聯者，例如亦可為具有環狀醚基及羧基兩者之丙烯酸樹脂。
又，丙烯酸樹脂亦可含有環狀烴結構。藉由含有此種結構，可降低由感光性樹脂組成物所構成之膜之介電常數。
例如作為丙烯酸樹脂，可例示以下者。
再者，式(I)所表示之丙烯酸樹脂、式(II)所表示之丙烯酸樹脂、式(III)所表示之丙烯酸樹脂均可為嵌段共聚物，亦可為無規共聚物。
式(I)中，a~d表示丙烯酸樹脂中之莫耳含有率，且a+b+c+d=1。又，0.3≦a≦0.4，0.35≦b≦0.45，0.05≦c≦0.15，0.1≦d≦0.2。
式(II)中，e~h表示丙烯酸樹脂中之莫耳含有率，且e+f+g+h=1。又，0.25≦e≦0.35，0.15≦f≦0.3，0.25≦g≦0.35，0.1≦h≦0.3。
式(III)中，i~k表示丙烯酸樹脂中之莫耳含有率，且i+j+k=1。又，0.1≦i≦0.3，0.35≦j≦0.55，0.2≦k≦0.4。
進而，可使用綜研化學公司製造之ZAH-306(酸值61-67mgKOH/g)、ZAH-310(酸值93-99mgKOH/g)、ZAH-315(酸值147-153mgKOH/g)、ZAH-106(酸值58-66mgKOH/g)、ZAH-110(酸值93-99mgKOH/g)、ZAH-115(酸值140-155mgKOH/g)作為丙烯酸樹脂。
又，可使用綜研化學公司製造之CB-3098(酸值95.8mgKOH/g)、CBB-3098(酸值98mgKOH/g)。
作為丙烯酸樹脂，較佳為使用所例示者中之至少任意一種以上。再者，該等均為含有羧基之丙烯酸樹脂。
此處，丙烯酸樹脂較佳為具有羧基者。藉由使用此種丙烯酸樹脂，即便增加交聯劑之量，亦可確保對於鹼性顯影液之溶解性。藉此，顯影性變得良好，可形成所需之圖案。
又，藉由使用丙烯酸樹脂作為第二交聯劑，可於感光性樹脂組成物之硬化膜中導入丙烯醯基骨架，可確保由感光性樹脂組成物所構成之硬化膜之光穿透性。
進而，藉由使用丙烯酸樹脂作為第二交聯劑，可於感光性樹脂組成物之硬化膜中導入丙烯醯基骨架，因此可對由感光性樹脂組成物所構成之硬化膜賦予柔軟性，而抑制該硬化膜中之龜裂之產生。
(感光劑)
於感光性樹脂組成物為正型之情形時，可使用光活性化合物作為感光劑，例如可使用重氮醌化合物。
例如可使用以下之任意一種以上。
n2為1以上5以下之整數。
於以上之各化合物中，Q為以下所示之結構中之任一者或氫原子。其中，各化合物之Q中之至少1個為以下之任一者。
其中，就感光性樹脂組成物之透明性、介電常數之觀點而言，較佳為Q為(a)或(b)之鄰二疊氮萘醌磺酸衍生物。
再者，於正型感光性樹脂組成物中，除了上述光活性化合物以外，亦可含有利用光或熱而產生酸之酸產生劑。藉由含有此種酸產生劑，於對感光性樹脂組成物曝光顯影後，可藉由照射光或加熱，而促進交聯劑之交聯反應。
於該情形時，酸產生劑相對於交聯劑100質量份，較佳為3質量份以下。
作為藉由光而產生酸之光酸產生劑，可使用下述者。
作為藉由熱而產生酸之熱酸產生劑，可使用SI-45L、SI-60L、SI-80L、SI-100L、SI-110L、SI-150L(三新化學工業股份有限公司製造)等芳香族鋶鹽。
關於熱酸產生劑之含量，例如於將樹脂組成物之全部固形物成分設為100質量%時，較佳為0.1~5質量%。
又，於感光性樹脂組成物為負型之情形時，可使用光酸產生劑作為感光劑。作為光酸產生劑，只要為吸收光能而產生布忍斯特酸或路易斯酸者即可，例如可列舉：三氟甲磺酸三苯基鋶、三氟甲磺酸三(4-第三丁基苯基)鋶等鋶鹽類、六氟磷酸對硝基苯基重氮鎓等重氮鎓鹽類、銨鹽類、鏻鹽類、三氟甲磺酸二苯基錪、四(五氟苯基)硼酸(三異丙苯基)錪等錪鹽類、 醌二疊氮類、雙(苯基磺醯基)重氮甲烷等重氮甲烷類、1-苯基-1-(4-甲基苯基)磺醯氧基-1-苯甲醯基甲烷、N-羥基萘二甲醯亞胺-三氟甲磺酸酯等磺酸酯類、二苯基二碸等二碸類、三(2,4,6-三氯甲基)-對稱三、2-(3,4-亞甲基二氧基苯基)-4,6-雙-(三氯甲基)-對稱三等三類等之化合物。該等光酸產生劑可單獨使用或組合複數種使用。
於以上之感光性樹脂組成物中，於感光性樹脂組成物為正型之情形時，各成分之比率例如如下所述。
將樹脂組成物之全部固形物成分(即溶劑以外之成分)設為100質量%時，較佳為含有30質量%~70質量%之上述第一聚合物，其中，較佳為含有35質量%~50質量%。
又，將樹脂組成物之全部固形物成分(即溶劑以外之成分)設為100質量%時，較佳為含有15質量%~40質量%之第一交聯劑，其中，較佳為含有20質量%~35質量%。
又，將樹脂組成物之全部固形物成分(即溶劑以外之成分)設為100質量%時，較佳為含有5質量%~30質量%之第二交聯劑，其中，較佳為含有8質量%~26質量%。
進而，將樹脂組成物之全部固形物成分(即溶劑以外之成分)設為100質量%時，作為感光劑之光活性化合物較佳為5~20質量%。更佳為10~15質量%。
又，於感光性樹脂組成物為負型之情形時，各成分之比率例如如下所述。
將樹脂組成物之全部固形物成分(即溶劑以外之成分)設為100質量% 時，較佳為含有30質量%~70質量%之上述第一聚合物，其中，較佳為含有35質量%~50質量%。
又，將樹脂組成物之全部固形物成分(即溶劑以外之成分)設為100質量%時，較佳為含有15質量%~40質量%之第一交聯劑，其中，較佳為含有20質量%~35質量%。
又，將樹脂組成物之全部固形物成分(即溶劑以外之成分)設為100質量%時，較佳為含有5質量%~30質量%之第二交聯劑，其中，較佳為含有8質量%~26質量%。
進而，將樹脂組成物之全部固形物成分(即溶劑以外之成分)設為100質量%時，光酸產生劑之量較佳為0.1~40質量%，就可形成高解析度之圖案膜之方面而言，更佳為1~30質量%。
又，於上述感光性樹脂組成物中，亦可視需要添加抗氧化劑、填料、界面活性劑、敏化劑等添加劑。
作為抗氧化劑，可使用選自酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑及硫醚系抗氧化劑之群中之1種以上。抗氧化劑可抑制硬化時之氧化、及其後之製程中之膜之氧化。
作為酚系抗氧化劑，可列舉：四[3-(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙酸]新戊四醇酯、3,9-雙{2-[3-(3-第三丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙醯氧基]-1,1-二甲基乙基}2,4,8,10-四氧雜螺[5,5]十一烷、3-(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙酸十八烷基酯、1,6-己二醇-雙[3-(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、1,3,5-三甲基-2,4,6-三(3,5-二第三丁基-4-羥基苄基)苯、2,6-二第三丁基-4-甲基苯酚、2,6-二第三丁基-4-乙基苯酚、2,6-二苯基-4-十八烷氧基苯酚、(3,5-二第三丁基-4- 羥基苯基)丙酸硬脂酯、(3,5-二第三丁基-4-羥基苄基)膦酸二硬脂酯、硫代二乙二醇雙[(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、4,4'-硫代雙(6-第三丁基間甲酚)、2-辛硫基-4,6-二(3,5-二第三丁基-4-羥基苯氧基)-對稱三、2,2'-亞甲基雙(4-甲基-6-第三丁基-6-丁基苯酚)、2,2'-亞甲基雙(4-乙基-6-第三丁基苯酚)、雙[3,3-雙(4-羥基-3-第三丁基苯基)丁酸]二醇酯、4,4'-亞丁基雙(6-第三丁基間甲酚)、2,2'-亞乙基雙(4,6-二第三丁基苯酚)、2,2'-亞乙基雙(4-第二丁基-6-第三丁基苯酚)、1,1,3-三(2-甲基-4-羥基-5-第三丁基苯基)丁烷、對苯二甲酸雙[2-第三丁基-4-甲基-6-(2-羥基-3-第三丁基-5-甲基苄基)苯基]酯、異氰尿酸1,3,5-三(2,6-二甲基-3-羥基-4-第三丁基苄基)酯、1,3,5-三(3,5-二第三丁基-4-羥基苄基)-2,4,6-三甲基苯、異氰尿酸1,3,5-三[(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙醯氧基乙基]酯、四[亞甲基-3-(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]甲烷、2-第三丁基-4-甲基-6-(2-丙烯醯氧基-3-第三丁基-5-甲基苄基)苯酚、3,9-雙(1,1-二甲基-2-羥基乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺[5,5]十一烷-雙[β-(3-第三丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙酸酯]、三乙二醇雙[β-(3-第三丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙酸酯]、1,1'-雙(4-羥基苯基)環己烷、2,2'-亞甲基雙(4-甲基-6-第三丁基苯酚)、2,2'-亞甲基雙(4-乙基-6-第三丁基苯酚)、2,2'-亞甲基雙(6-(1-甲基環己基)-4-甲基苯酚)、4,4'-亞丁基雙(3-甲基-6-第三丁基苯酚)、3,9-雙(2-(3-第三丁基-4-羥基-5-甲基苯基丙醯氧基)1,1-二甲基乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺(5,5)十一烷、4,4'-硫代雙(3-甲基-6-第三丁基苯酚)、4,4'-雙(3,5-二第三丁基-4-羥基苄基)硫醚、4,4'-硫代雙(6-第三丁基-2-甲基苯酚)、2,5-二第三丁基對苯二酚、2,5-二第三戊基對苯二酚、丙烯酸2-第三丁基-6-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苄基)-4-甲基苯酯、2,4-二甲基-6-(1-甲基環己基)苯乙烯化苯酚、2,4-雙((辛硫基)甲基)-5-甲基 苯酚等。於該等中，較佳為受阻酚系抗氧化劑。
作為磷系抗氧化劑，可列舉：雙-(2,6-二第三丁基-4-甲基苯基)新戊四醇二亞磷酸酯、三(2,4-二第三丁基苯基亞磷酸酯)、4,4'-聯伸苯二亞膦酸四(2,4-二第三丁基-5-甲基苯基)酯、3,5-二第三丁基-4-羥基苄基膦酸酯-二乙酯、雙-(2,6-二異丙苯基苯基)新戊四醇二亞磷酸酯、亞磷酸2,2-亞甲基雙(4,6-二第三丁基苯基)辛酯、三(混合單及二-壬基苯基亞磷酸酯)、雙(2,4-二第三丁基苯基)新戊四醇-二-亞磷酸酯、雙(2,6-二第三丁基-4-甲氧基羰基乙基-苯基)新戊四醇二亞磷酸酯、雙(2,6-二第三丁基-4-十八烷氧基羰基乙基-苯基)新戊四醇二亞磷酸酯等。於該等中，較佳為亞磷酸酯及磷酸酯。
作為硫醚系抗氧化劑，可列舉：3,3'-硫代二丙酸二月桂酯、雙(2-甲基-4-(3-正十二烷基)硫代丙醯氧基)-5-第三丁基苯基)硫醚、3,3'-硫代二丙酸二硬脂酯、新戊四醇-四(3-月桂基)硫代丙酸酯等。
抗氧化劑可設為感光性樹脂組成物整體之0.1~5質量%。
以上之感光性樹脂組成物亦可含有溶劑。作為溶劑，例如可採用丙二醇單甲醚(PGME)、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、乳酸乙酯、甲基異丁基甲醇(MIBC)、γ-丁內酯(GBL)、N-甲基吡咯啶酮(NMP)、甲基正戊基酮(MAK)、二乙二醇單甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇甲基乙基醚、或該等之混合物。再者，並不限定於此處所例示者。
如上所述之感光性樹脂組成物之物性較佳為如下所述。
(1)相對介電常數
塗佈該感光性樹脂組成物，並以300mJ/cm2進行紫外線曝光後，以230℃加熱60分鐘而形成厚度2μm之膜，其後，以頻率10kHz測量相對介電常 數，該相對介電常數成為4.0以下。其中，較佳為3.5以下。相對介電常數之下限值並無特別限定，例如為1。
更詳細而言，相對介電常數可以如下方式測量。
將感光性樹脂組成物旋轉塗佈於鋁基板上，並利用加熱板以100℃烘烤120秒。其後，以300mJ/cm2進行紫外線曝光，藉由在烘箱中以230℃加熱60分鐘而進行後烘烤處理，而製成厚度2μm之膜。
其後，於該膜上形成金電極，於室溫(25℃)、10kHz之條件下進行測量。
(2)穿透率
又，塗佈該感光性樹脂組成物，並以300mJ/cm2進行曝光後，以230℃加熱60分鐘，而形成厚度2μm之膜後，該膜之波長400nm之光之穿透率成為80%以上。其中，上述穿透率較佳為85%以上。穿透率之上限值並無特別限定，例如為99%。
穿透率可以如下方式測量。
將感光性樹脂組成物旋轉塗佈(轉數500~2500rpm)於玻璃基板上，並利用加熱板以100℃烘烤120秒。其後，以300mJ/cm2進行曝光後，藉由在烘箱中以230℃加熱60分鐘而進行後烘烤處理，而製成厚度2μm之膜。
對於該膜，使用紫外-可見光分光光度計測定光之波長為400nm時之穿透率。
如上所述，由感光性樹脂組成物所構成之膜成為相對介電常數較低者。藉此，可將感光性樹脂組成物用於半導體器件等。進而，由感光性樹脂組成物所構成之膜成為光之穿透率較高者。詳情於下文進行敍述，藉此， 例如可將該感光性樹脂組成物應用於光電子器件。
(3)殘膜率
如上所述之感光性樹脂組成物之殘膜率可以如下方式測量。
將感光性樹脂組成物旋轉塗佈於矽晶圓上，並利用加熱板以100℃加熱120秒，而將其製成薄膜A。利用曝光裝置以10μm之線與間隔之寬度成為1：1之方式進行曝光，並利用0.4質量%氫氧化四甲基銨水溶液於23℃顯影90秒，而獲得薄膜B。
其後，以300mJ/cm2進行紫外線曝光後，藉由在烘箱中以230℃加熱60分鐘而進行後烘烤處理，將其製成薄膜C。
根據利用上述方法所獲得之薄膜A、薄膜B、及薄膜C之膜厚，藉由以下之式而算出殘膜率。
顯影後殘膜率(%)=[薄膜B之膜厚(μm)/薄膜A之膜厚(μm)]×100
烘烤後殘膜率(%)=[薄膜C之膜厚(μm)/薄膜A之膜厚(μm)]×100
感光性樹脂組成物較佳為顯影後殘膜率成為90%以上。又，較佳為烘烤後殘膜率成為80%以上。
(4)耐溶劑性
對於藉由旋轉塗佈法成膜並利用100℃之加熱板烘烤136秒而形成之層，於顯影液(0.5wt%氫氧化四甲基銨水溶液(TMAH))中浸漬90秒，並利用純水沖洗。其次，以300mJ/cm2進行紫外線曝光，其後，於烘箱中以230℃加熱60分鐘而獲得第1膜，將該第1膜之膜厚設為第1膜厚，將使上述第1膜於70℃在N-甲基吡咯啶酮中浸漬15分鐘後之膜厚設為第2膜厚，於該情形時，滿足[{(第2膜厚)-(第1膜厚)}/(第1膜厚)]×100≦5 (%)。
根據具備上述特性之本實施形態之感光性樹脂組成物，即便於成膜後之製造步驟中浸漬於N-甲基吡咯啶酮中，膜厚亦幾乎無變化。因此，可精度良好地製造特定設計厚度之膜。
(電子裝置)
其次，對使用如上所述之感光性樹脂組成物之電子裝置100之構成進行說明。
圖1及圖2分別為表示本實施形態之電子裝置100之一例的剖面圖。於任一者中，均表示電子裝置100中之包含絕緣膜20之一部分。
本實施形態之電子裝置100例如具備由含有第一聚合物之上述感光性樹脂組成物所形成之永久膜即絕緣膜20。
於圖1中表示液晶顯示裝置作為本實施形態之電子裝置100之一例。然而，本實施形態之電子裝置100並不限定於液晶顯示裝置，係包括具備由感光性樹脂組成物所構成之永久膜之其他電子裝置者。
如圖1所示，作為液晶顯示裝置之電子裝置100例如具備基板10、設置於基板10上之電晶體30、以覆蓋電晶體30之方式設置於基板10上之絕緣膜20、及設置於絕緣膜20上之配線40。
基板10例如為玻璃基板。
電晶體30例如為構成液晶顯示裝置之開關元件之薄膜電晶體。於基板10上，例如複數個電晶體30呈陣列狀排列。本實施形態之電晶體30例如由閘極電極31、源極電極32、汲極電極33、閘極絕緣膜34、及半導體層35所構成。閘極電極31例如設置於基板10上。閘極絕緣膜34係以覆蓋閘 極電極31之方式設置於基板10上。半導體層35設置於閘極絕緣膜34上。又，半導體層35例如為矽層。源極電極32係以一部分與半導體層35接觸之方式設置於基板10上。汲極電極33係以與源極電極32分隔且一部分與半導體層35接觸之方式設置於基板10上。
絕緣膜20發揮作為用以消除由電晶體30等所引起之階差而於基板10上形成平坦之表面之平坦化膜的功能。又，絕緣膜20係由上述感光性樹脂組成物之硬化物所構成。於絕緣膜20以與汲極電極33連接之方式設置有貫通絕緣膜20之開口22。
於絕緣膜20上及開口22內，形成有與汲極電極33連接之配線40。配線40發揮作為與液晶一同構成像素之像素電極之功能。
又，於絕緣膜20上，以覆蓋配線40之方式設置有配向膜90。
於基板10中設置有電晶體30之一面之上方，以與基板10對向之方式配置對向基板12。於對向基板12中與基板10對向之一面，設置有配線42。配線42設置於與配線40對向之位置。又，於對向基板12之上述一面上，以覆蓋配線42之方式設置有配向膜92。
於基板10與該對向基板12之間，填充有構成液晶層14之液晶。
圖1所示之電子裝置100例如以如下方式形成。
首先，於基板10上形成電晶體30。其次，於基板10中設置有電晶體30之一面上，藉由印刷法或旋轉塗佈法塗佈上述感光性樹脂組成物，而形成覆蓋電晶體30之絕緣膜20。藉此，形成覆蓋設置於基板10上之電晶體30之平坦化膜。
其次，對絕緣膜20以紫外線等進行曝光並進行顯影，而於絕緣膜20 之一部分形成開口22。於感光性樹脂組成物為正型之情形時，曝光部分溶解於顯影液中，而未曝光部分殘留。另一方面，於感光性樹脂組成物為負型之情形時，未曝光部分溶解於顯影液中，而曝光部分殘留。該方面於下述電子裝置100之各例中亦相同。
其次，使絕緣膜20加熱硬化。然後，於絕緣膜20之開口22內形成與汲極電極33連接之配線40。其後，於絕緣膜20上配置對向基板12，並於對向基板12與絕緣膜20之間填充液晶，而形成液晶層14。
藉此，形成圖1所示之電子裝置100。
又，於圖2中表示利用由上述感光性樹脂組成物所構成之永久膜構成絕緣膜52、54之半導體裝置作為本實施形態之電子裝置100之一例。
圖2所示之電子裝置100具備設置有電晶體等半導體元件之半導體基板、及設置於半導體基板上之多層配線層(未圖示)。於多層配線層中之最上層，設置有作為層間絕緣膜之絕緣膜50、及設置於絕緣膜50上之最上層配線72。最上層配線72例如由Al所構成。
又，於絕緣膜50上設置有層80。層80具有：絕緣膜52，其以覆蓋最上層配線72之方式設置於絕緣膜50上；再配線層70，其設置於絕緣膜52上；及絕緣膜54，其設置於絕緣膜52上及再配線層70上。
於絕緣膜52形成有與最上層配線72連接之開口24。再配線層70形成於絕緣膜52上及開口24內，且與最上層配線72連接。於絕緣膜54設置有與再配線層70連接之開口26。
該等絕緣膜52及絕緣膜54係利用由上述感光性樹脂組成物所構成之 永久膜所構成。絕緣膜52例如係藉由如下方式獲得：藉由對塗佈於絕緣膜50上之上述感光性樹脂組成物進行紫外線曝光並進行顯影而形成開口24後，將其加熱硬化。又，絕緣膜54例如係藉由如下方式獲得：藉由對塗佈於絕緣膜52上之上述感光性樹脂組成物進行紫外線曝光並進行顯影而形成開口26後，將其加熱硬化。
於開口26內，例如形成凸塊74。電子裝置100例如經由凸塊74而連接於配線基板等。
進而，本實施形態之電子裝置100亦可為利用由上述感光性樹脂組成物所構成之永久膜構成微透鏡之光器件。作為光器件，例如可列舉液晶顯示裝置、電漿顯示器、場發射型顯示器或電致發光顯示器。
再者，本發明並不限定於上述實施形態，可達成本發明之目的之範圍內之變化、改良等係包含於本發明者。
[實施例]
其次，對本發明之實施例進行說明。
<合成例1>
於具備攪拌機、冷凝管之適當尺寸之反應容器中，稱量順丁烯二酸酐(MA，122.4g，1.25mol)、2-降莰烯(NB，117.6g，1.25mol)及二甲基2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸酯)(11.5g，50.0mmol)，並溶解於甲基乙基酮(MEK，150.8g)及甲苯(77.7g)中。對該溶解液通入氮氣10分鐘而去除氧氣，其後，一面攪拌一面以60℃加熱16小時。其後，對該溶解液添加MEK(320g)後，將其添加至氫氧化鈉(12.5g，0.31mol)、丁醇(463.1g，6.25mol)、甲苯(480g)之懸浮液中，並於45℃混合3小時。然後，將該混合液冷卻 至40℃，並利用甲酸(88質量%水溶液，49.0g，0.94mol)處理而進行質子加成，其後，藉由添加MEK及水並分離水層，而去除無機殘留物。其次，藉由添加甲醇、己烷並分離有機層，而去除未反應單體。進而添加PGMEA，將系統內之甲醇及丁醇減壓蒸餾去除直至殘留量成為未達1%。藉此，獲得20重量%之聚合物溶液1107.7g(GPC Mw=13,700，Mn=7,400)。所獲得之聚合物為式(1)之共聚物，並含有由式(2a)所表示之結構單位、及由式(2c)所表示之結構單位。
<實施例1>
使合成例1記載之樹脂(A1)之20.6%PGMEA溶液485.2g、下述式B1所表示之化合物與1,2-二疊氮萘醌-5-磺醯氯之酯化物(Daito Chemix股份有限公司製造之PA-28)30g、環氧樹脂EHPE-3150(Daicel化學工業股份有限公司製造)26g、環氧樹脂VG3101L(Printec公司製造)5g、環氧樹脂Epolite100MF(共榮公司製造)15g、丙烯酸樹脂(綜研化學公司製造之CB-3098)20.2g、用於改善感光性樹脂組成物與基板之密接性之KBM-303 10g(Shin-Etsu Silicones公司製造)、及用於防止於旋轉塗佈感光性樹脂組成物時於膜上產生之放射線狀條痕之F-557(DIC製造)0.5g溶解於適量之二乙二醇甲基乙基醚(DEGMEE)中並進行攪拌後，利用0.2μm之過濾器進行過濾，而製備感光性樹脂組成物。
對上述實施例1及下述實施例、比較例進行以下之評價。
(相對介電常數之評價)
於鋁基板上獲得無圖案且厚度2.0μm之薄膜。
具體而言，將上述感光性樹脂組成物旋轉塗佈(轉數500~2500rpm)於經HMDS(六甲基二矽氮烷)處理之鋁基板上，並利用加熱板以100℃烘烤120秒後，獲得厚度約2.5μm之薄膜。
對該薄膜利用Canon公司製造之g+h+i射線光罩對準曝光機PLA-501F(超高壓水銀燈)以累積光量成為300mJ/cm2之方式以g+h+i射線全面曝光後，藉由在烘箱中以230℃加熱60分鐘而進行後烘烤處理，而獲得厚度2μm之薄膜。其後，於該薄膜上形成金電極，於室溫(25℃)、10kHz之條件下，使用Hewlett Packard公司製造之LCR測定計(4282A)而獲得靜電電容，由該靜電電容算出相對介電常數。
(穿透率之評價)
使用長100mm、寬100mm之尺寸之Corning公司製造之1737玻璃基板，且不對測試圖案進行曝光顯影，除此以外，藉由進行與上述相同之操作而於玻璃基板上獲得無圖案之薄膜。
具體而言，將上述感光性樹脂組成物旋轉塗佈(轉數500~2500rpm) 於經HMDS(六甲基二矽氮烷)處理之玻璃基板上，並利用加熱板以100℃烘烤120秒後，獲得厚度約2.5μm之薄膜。
對該薄膜利用PLA-501F以300mJ/cm2以g+h+i射線全面曝光後，藉由在烘箱中以230℃加熱60分鐘而進行後烘烤處理，而獲得厚度2μm之薄膜。對於該薄膜，使用紫外-可見光分光光度計測定光之波長為400nm時之穿透率(%)。
(耐溶劑性之評價)
進行與穿透率之評價相同之操作，而獲得附有薄膜之玻璃基板。
具體而言，將上述感光性樹脂組成物旋轉塗佈(轉數500~2500rpm)於經HMDS(六甲基二矽氮烷)處理之玻璃基板上，並利用加熱板以100℃烘烤120秒後，獲得厚度約2.5μm之薄膜。
其後，於顯影液(0.5wt%TMAH)中浸漬90秒，並利用純水沖洗。其後，對該薄膜利用PLA-501F以300mJ/cm2以g+h+i射線全面曝光後，於烘箱中以230℃加熱60分鐘。其次，於70℃之N-甲基吡咯啶酮(關東化學，純度99%以上)中浸漬15分鐘後，利用純水沖洗30秒，其次，以2000rpm之條件進行旋轉乾燥。利用(溶劑浸漬後之膜厚/溶劑浸漬前之膜厚)×100而算出膨潤率。
又，將於70℃之N-甲基吡咯啶酮(關東化學)中浸漬15分鐘後，將其進行過純水沖洗之膜於烘箱中以230℃加熱15分鐘，並測量膜厚。回收率係利用(溶劑浸漬後加熱後之膜厚/溶劑浸漬前之膜厚)×100所算出之值，回收率高表示膜未因溶劑而溶解。
<實施例2>
使合成例1記載之樹脂(A1)之20.6%PGMEA溶液485.2g、上述式B1所表示之化合物與1,2-二疊氮萘醌-5-磺醯氯之酯化物(Daito Chemix股份有限公司製造之PA-28)30g、環氧樹脂EHPE-3150(Daicel化學工業股份有限公司製造)26g、環氧樹脂VG3101L(Printec公司製造)5g、環氧樹脂Epolite100MF(共榮公司製造)15g、丙烯酸樹脂(綜研化學公司製造之CBB-3098)20.2g、用於改善感光性樹脂組成物與基板之密接性之KBM-30310g(Shin-Etsu Silicones公司製造)、及用於防止於旋轉塗佈感光性樹脂組成物時於膜上產生之放射線狀條痕之F-557(DIC製造)0.5g溶解於適量之二乙二醇甲基乙基醚(DEGMEE)中並進行攪拌後，利用0.2μm之過濾器進行過濾，而製備感光性樹脂組成物。
<實施例3>
使合成例1記載之樹脂(A1)之20.6%PGMEA溶液485.2g、上述式B1所表示之化合物與1,2-二疊氮萘醌-5-磺醯氯之酯化物(Daito Chemix股份有限公司製造之PA-28)30g、環氧樹脂EHPE-3150(Daicel化學工業股份有限公司製造)26g、環氧樹脂VG3101L(Printec公司製造)5g、環氧樹脂Epolite100MF(共榮公司製造)15g、丙烯酸樹脂(綜研化學公司製造之ZAH-110)56.7g、用於改善感光性樹脂組成物與基板之密接性之KBM-303 10g(Shin-Etsu Silicones公司製造)、及用於防止於旋轉塗佈感光性樹脂組成物時於膜上產生之放射線狀條痕之F-557(DIC製造)0.5g溶解於適量之二乙二醇甲基乙基醚(DEGMEE)中並進行攪拌後，利用0.2μm之過濾器進行過濾，而製備感光性樹脂組成物。
<實施例4>
使合成例1記載之樹脂(A1)之20.6%PGMEA溶液485.2g、上述式B1所表示之化合物與1,2-二疊氮萘醌-5-磺醯氯之酯化物(Daito Chemix股份有限公司製造之PA-28)30g、環氧樹脂EHPE-3150(Daicel化學工業股份有限公司製造)26g、環氧樹脂VG3101L(Printec公司製造)5g、環氧樹脂Epolite100MF(共榮公司製造)15g、丙烯酸樹脂(綜研化學公司製造之ZAH-310)56.5g、用於改善感光性樹脂組成物與基板之密接性之KBM-303 10g(Shin-Etsu Silicones公司製造)、及用於防止於旋轉塗佈感光性樹脂組成物時於膜上產生之放射線狀條痕之F-557(DIC製造)0.5g溶解於適量之二乙二醇甲基乙基醚(DEGMEE)中並進行攪拌後，利用0.2μm之過濾器進行過濾，而製備感光性樹脂組成物。
<實施例5>
使合成例1記載之樹脂(A1)之20.6%PGMEA溶液485.2g、上述式B1所表示之化合物與1,2-二疊氮萘醌-5-磺醯氯之酯化物(Daito Chemix股份有限公司製造之PA-28)30g、環氧樹脂EHPE-3150(Daicel化學工業股份有限公司製造)26g、環氧樹脂VG3101L(Printec公司製造)5g、環氧樹脂Epolite100MF(共榮公司製造)15g、式(I)所表示之丙烯酸樹脂(Daito Chemix公司製造，式(I)中a=0.35、b=0.4、c=0.1、d=0.15)62.9g、用於改善感光性樹脂組成物與基板之密接性之KBM-303 10g(Shin-Etsu Silicones公司製造)、及用於防止於旋轉塗佈感光性樹脂組成物時於膜上產生之放射線狀條痕之F-557(DIC製造)0.5g溶解於適量之二乙二醇甲基乙基醚(DEGMEE)中並進行攪拌後，利用0.2μm之過濾器進行過濾，而製備感光性樹脂組成物。
<實施例6>
使合成例1記載之樹脂(A1)之20.6%PGMEA溶液485.2g、上述式B1所表示之化合物與1,2-二疊氮萘醌-5-磺醯氯之酯化物(Daito Chemix股份有限公司製造之PA-28)30g、環氧樹脂EHPE-3150(Daicel化學工業股份有限公司製造)26g、環氧樹脂VG3101L(Printec公司製造)5g、環氧樹脂Epolite100MF(共榮公司製造)15g、式(II)所表示之丙烯酸樹脂(Daito Chemix公司製造，式(II)中e=0.28、f=0.22、g=0.3、h=0.2)62.9g、用於改善感光性樹脂組成物與基板之密接性之KBM-303 10g(Shin-Etsu Silicones公司製造)、及用於防止於旋轉塗佈感光性樹脂組成物時於膜上產生之放射線狀條痕之F-557(DIC製造)0.5g溶解於適量之二乙二醇甲基乙基醚(DEGMEE)中並進行攪拌後，利用0.2μm之過濾器進行過濾，而製備感光性樹脂組成物。
<實施例7>
使合成例1記載之樹脂(A1)之20.6%PGMEA溶液485.2g、上述式B1所表示之化合物與1,2-二疊氮萘醌-5-磺醯氯之酯化物(Daito Chemix股份有限公司製造之PA-28)30g、環氧樹脂EHPE-3150(Daicel化學工業股份有限公司製造)26g、環氧樹脂VG3101L(Printec公司製造)5g、環氧樹脂Epolite100MF(共榮公司製造)15g、式(III)所表示之丙烯酸樹脂(Daito Chemix公司製造，式(III)中i=0.22、j=0.48、k=0.3)63.5g、用於改善感光性樹脂組成物與基板之密接性之KBM-303 10g(Shin-Etsu Silicones公司製造)、及用於防止於旋轉塗佈感光性樹脂組成物時於膜上產生之放射線狀條痕之F-557(DIC製造)0.5g溶解於適量之二乙二醇甲基乙基醚(DEGMEE) 中並進行攪拌後，利用0.2μm之過濾器進行過濾，而製備感光性樹脂組成物。
<比較例1>
除了不使用丙烯酸樹脂以外，與實施例1-7相同。
具體而言如下所述。
使合成例1記載之樹脂(A1)之20.6%PGMEA溶液485.2g、上述式B1所表示之化合物與1,2-二疊氮萘醌-5-磺醯氯之酯化物(Daito Chemix股份有限公司製造之PA-28)30g、環氧樹脂EHPE-3150(Daicel化學工業股份有限公司製造)26g、環氧樹脂VG3101L(Printec公司製造)5g、環氧樹脂Epolite100MF(共榮公司製造)15g、用於改善感光性樹脂組成物與基板之密接性之KBM-303 10g(Shin-Etsu Silicones公司製造)、及用於防止於旋轉塗佈感光性樹脂組成物時於膜上產生之放射線狀條痕之F-557(DIC製造)0.5g溶解於適量之二乙二醇甲基乙基醚(DEGMEE)中並進行攪拌後，利用0.2μm之過濾器進行過濾，而製備感光性樹脂組成物。
<比較例2>
使合成例1記載之樹脂(A1)之20.6%PGMEA溶液485.2g、上述式B1所表示之化合物與1,2-二疊氮萘醌-5-磺醯氯之酯化物(Daito Chemix股份有限公司製造之PA-28)30g、環氧樹脂EHPE-3150(Daicel化學工業股份有限公司製造)50g、環氧樹脂VG3101L(Printec公司製造)30g、環氧樹脂Epolite100MF(共榮公司製造)50g、用於改善感光性樹脂組成物與基板之密接性之KBM-303 10g(Shin-Etsu Silicones公司製造)、及用於防止於旋轉塗佈感光性樹脂組成物時於膜上產生之放射線狀條痕之F-557(DIC製造) 0.5g溶解於適量之二乙二醇甲基乙基醚(DEGMEE)中並進行攪拌後，利用0.2μm之過濾器進行過濾，而製備感光性樹脂組成物。
於表1中，表示樹脂組成物中所含有之各成分之調配量之數值中，括號外之數值表示各成分之質量(g)，括號內之數值表示將樹脂組成物之全部固形物成分(即溶劑以外之成分)設為100質量%時各成分之調配比率(質量%)。
以下，於表2中亦相同。
於實施例1-7中，均可獲得介電常數低且穿透性高之膜。又， 於實施例1-7中，已知膨潤率亦低且耐化學品性高。進而，於實施例1-7中並無於感光性樹脂組成物之硬化膜產生破裂之情形。
相對於此，於未使用丙烯酸樹脂之比較例1中，膨潤率變高。於未使用丙烯酸樹脂之比較例2中，雖然膨潤率低，但於感光性樹脂組成物之硬化膜產生破裂。
本申請案主張基於2013年5月29日提出申請之日本申請案特願2013-113411之優先權，並將其揭示之全部內容併入本文中。

Claims (8)

  1. 一種感光性樹脂組成物，其含有：下述式(1)所表示之聚合物；與該聚合物進行交聯之第一交聯劑；作為第二交聯劑之丙烯酸樹脂，其具有與該聚合物或該第一交聯劑進行交聯之反應性基；及感光劑； (式(1)中，l及m表示聚合物中之莫耳含有率，且l+m=1，n為0、1或2；R1、R2、R3及R4分別獨立地為氫或碳數1~30之有機基，A為由下述式(2a)、(2b)、(2c)或(2d)所表示之結構單位) (式(2a)及式(2b)中，R5、R6及R7分別獨立地為碳數1~18之有機基)。
  2. 如申請專利範圍第1項之感光性樹脂組成物，其中，該聚合物具有式(2a)所表示之結構單位，該第一交聯劑具有環狀醚基，且該第二交聯劑為具有與該環狀醚基或該式(2a)中所含有之羧基反應之反應性基的丙烯酸樹脂。
  3. 如申請專利範圍第2項之感光性樹脂組成物，其中，該第二交聯劑為具有羧基作為該反應性基之丙烯酸樹脂。
  4. 如申請專利範圍第3項之感光性樹脂組成物，其中，該第一交聯劑為環氧化合物。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之感光性樹脂組成物，其中， 該第二交聯劑為含有碳環之丙烯酸樹脂。
  6. 一種電子裝置，其具備申請專利範圍第1至5項中任一項之感光性樹脂組成物之硬化膜。
  7. 如申請專利範圍第6項之電子裝置，其中，該感光性樹脂組成物之該硬化膜於液晶顯示裝置中，係設置於形成在基板上之電晶體上，且配置於該電晶體與液晶層之間的平坦化膜。
  8. 如申請專利範圍第6項之電子裝置，其中，該感光性樹脂組成物之該硬化膜係用於層間絕緣膜，該層間絕緣膜設置於半導體裝置之半導體基板上所設置之多層配線層與再配線層之間。
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