TWI587321B - 觸碰面板用導電性膜以及觸碰面板 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種觸碰面板用導電性膜以及觸碰面板。
作為觸碰面板的方式,已知有:檢測被觸碰的部分的電阻值的變化的電阻膜方式、檢測電容變化的靜電電容方式、檢測光量變化的光感測器方式等。
作為靜電電容方式的觸碰面板,有固有電容方式或互電容方式等。互電容方式中,例如設置配置成縱橫二維矩陣狀的發送用縱方向的電極(X電極)與接收用橫方向的電極(Y電極),在檢測位置時,反覆掃描各節點的電極的電容(互靜電電容)。當手指接觸觸碰面板的表面時,互靜電電容會減少,因此對其進行檢測,並根據各節點的電容變化的信號計算輸入座標。
作為靜電電容方式的觸碰面板所使用的導電性膜,例如專利文獻1中揭示:經由聚胺基甲酸酯等黏著層將二個導電層積層而成的導電性膜。另外,在專利文獻2中揭示有較佳地用於觸碰面
板的導電片。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4794691號公報
[專利文獻2]日本專利第2011-129112號公報
近年來,為了應對觸碰面板的大畫面化等的要求,而要求以更高的精度進行位置檢測。
本發明者等人參照專利文獻1及專利文獻2所揭示的發明,製造了使用聚胺基甲酸酯系黏著層的觸碰面板用導電性膜。然而可知,在將所得的觸碰面板用導電性膜用作靜電電容方式的觸碰面板時,位置檢測容易經時產生運作不良,並且位置檢測的精度滿足不了近來要求的水準。
本發明鑒於上述實際情況,目的是提供一種可抑制經時產生的運作不良的觸碰面板用導電性膜及使用該膜的觸碰面板。
本發明者等人對上述課題進行積極研究,結果發現,運作不良的原因在於導電性膜中的電極間的互靜電電容的變化。更具體而言發現,電極間的靜電電容經時發生變化而偏離最初設定的值,而產生運作不良。根據該發現進行研究,發現藉由以下的構成而可達成上述目的。
(1)一種觸碰面板用導電性膜,其是在絕緣層的兩面上分別形成至少1層的鹵化銀乳劑層(silver halide emulsion
layer),曝光後進行顯影,進而進行使用含有鋁原子的鹽的硬膜處理,藉此在絕緣層的一個主面上形成第1電極圖案,在絕緣層的另一個主面上形成第2電極圖案而成,並且在第1電極圖案上及第2電極圖案上的至少一者上進一步具備黏著性絕緣層,黏著性絕緣層中所含的黏著性絕緣材料的酸值為10 mgKOH/g~100 mgKOH/g以下,第1電極圖案及/或第2電極圖案中含有銀,進行後述的環境試驗的前後的第1電極圖案與第2電極圖案之間的互靜電電容的變化率(%)為0%~100%。
(2)如(1)所述的觸碰面板用導電性膜,其中黏著性絕緣層包含金屬腐蝕抑制劑。
(3)一種觸碰面板用導電性膜,其依序具備第1電極圖案、絕緣層、以及第2電極圖案,並且進行後述的環境試驗的前後的第1電極圖案與第2電極圖案之間的互靜電電容的變化率(%)為0%~100%。
(4)如(3)所述的觸碰面板用導電性膜,其中互靜電電容的變化率(%)為0%~50%。
(5)如(3)或(4)所述的觸碰面板用導電性膜,其中在第1電極圖案上及第2電極圖案上的至少一者上進一步具備黏著性絕緣層。
(6)如(3)至(5)中任一項所述的觸碰面板用導電性膜,
其中在第1電極圖案上及第2電極圖案上進一步具備黏著性絕緣層,且絕緣層為非黏著性絕緣層。
(7)如(3)至(6)中任一項所述的觸碰面板用導電性膜,其中絕緣層包含黏著性絕緣層。
(8)如(5)至(7)中任一項所述的觸碰面板用導電性膜,其中黏著性絕緣層中所含的黏著性絕緣材料包含丙烯酸系樹脂。
(9)如(5)至(8)中任一項所述的觸碰面板用導電性膜,其中黏著性絕緣層中所含的黏著性絕緣材料的酸值為10 mgKOH/g~100 mgKOH/g以下。
(10)如(3)至(9)中任一項所述的觸碰面板用導電性膜,其中絕緣層包含金屬腐蝕抑制劑。
(11)如(10)所述的觸碰面板用導電性膜,其中金屬腐蝕抑制劑選自由三唑化合物、四唑化合物、苯并三唑化合物、苯并咪唑化合物、噻二唑化合物、及苯并噻唑化合物所組成的組群。
(12)如(3)至(11)中任一項所述的觸碰面板用導電性膜,其在溫度85℃、濕度85%的環境下靜置24小時之時的吸水率為1.0%以下。
(13)如(3)至(12)中任一項所述的觸碰面板用導電性膜,其中第1電極圖案及/或第2電極圖案中含有銀。
(14)如(3)至(13)中任一項所述的觸碰面板用導電性膜,其中第1電極圖案及/或第2電極圖案由線寬為30 μm以下的金屬細線構成。
(15)一種觸碰面板用導電性膜,其是將具有配置於絕緣層的單面的第1電極圖案的附有第1電極圖案的絕緣層、與具有配置於絕緣層的單面的第2電極圖案的附有第2電極圖案的絕緣層,以附有第1電極圖案的絕緣層中的第1電極圖案與附有第2電極圖案的絕緣層中的第2電極圖案相對的方式,或者以附有第1電極圖案的絕緣層中的絕緣層與附有第2電極圖案的絕緣層中的第2電極圖案相對的方式,經由黏著性絕緣層貼合而成,並且第1電極圖案及第2電極圖案是藉由在絕緣層上形成至少1層的鹵化銀乳劑層,曝光後進行顯影,進而進行使用多價金屬鹽的硬膜處理而形成的電極圖案,進行後述的環境試驗的前後的第1電極圖案與第2電極圖案之間的互靜電電容的變化率(%)為0%~100%。
(16)如(15)所述的觸碰面板用導電性膜,其中多價金屬鹽是含有鋁原子的鹽。
(17)一種觸碰面板,其包含如(1)至(16)中任一項所述的觸碰面板用導電性膜。
根據本發明,可提供一種可抑制經時產生的運作不良的觸碰面板用導電性膜及使用該膜的觸碰面板。
10、10a‧‧‧絕緣層
20、20a‧‧‧第1電極圖案
22、22a‧‧‧第2電極圖案
24、24a‧‧‧第1導電圖案
26、26a‧‧‧第2導電圖案
28‧‧‧第1電極端子
30‧‧‧第1配線
32‧‧‧第2電極端子
34‧‧‧第2配線
36、36a、36b、36c、36d、36e‧‧‧非黏著性絕緣層
38、38a、38b、38c、38d、38e‧‧‧黏著性絕緣層
40‧‧‧導電性細線
42、42a、42b‧‧‧格子
44‧‧‧端子
46‧‧‧第1非導電圖案
48‧‧‧非導通圖案
50‧‧‧第1導電圖案列
52‧‧‧端子
54‧‧‧第2非導電圖案
56‧‧‧組合圖案
58‧‧‧小格子
100、100a、200、300、400、500‧‧‧觸碰面板用導電性膜
W‧‧‧長度
圖1(A)是本發明的觸碰面板用導電性膜的第1實施方式的
俯視圖,圖1(B)是沿著圖1(A)的A-B線的剖面圖。
圖2是本發明的觸碰面板用導電性膜的第1實施方式的變形例的剖面圖。
圖3是本發明的觸碰面板用導電性膜的第1實施方式的第1電極圖案的放大俯視圖。
圖4是表示本發明的觸碰面板用導電性膜的第1實施方式的變形例的第1電極圖案的例子的俯視圖。
圖5是表示本發明的觸碰面板用導電性膜的第1實施方式的變形例的第2電極圖案的例子的俯視圖。
圖6是表示將本發明的觸碰面板用導電性膜的第1實施方式的變形例的第1電極圖案與第2電極圖案加以組合而成的例子的俯視圖。
圖7是本發明的觸碰面板用導電性膜的第2實施方式的剖面圖。
圖8是本發明的觸碰面板用導電性膜的第3實施方式的剖面圖。
圖9是本發明的觸碰面板用導電性膜的第4實施方式的剖面圖。
以下,對本發明的觸碰面板用導電性膜及其製造方法、以及使用本發明的觸碰面板用導電性膜的觸碰面板的較佳實施方式進行詳細闡述。
<第1實施方式>
參照圖式對本發明的觸碰面板用導電性膜的第1實施方式進行說明。圖1(A)及圖1(B)表示本發明的觸碰面板用導電性膜的第1實施方式的示意圖。圖1(A)是觸碰面板用導電性膜100的俯視圖。另外,圖1(B)是沿著圖1(A)的A-B線的剖面圖。
觸碰面板用導電性膜100如圖1(A)及圖1(B)所示具備:絕緣層10、配置於絕緣層10的一個主面上的第1電極圖案20、配置於絕緣層10的另一個主面上的第2電極圖案22。
第1電極圖案20包含朝著第1方向(X方向)延伸、且朝著與第1方向正交的第2方向(Y方向)排列的多個第1導電圖案24。第2電極圖案22包含朝著第2方向延伸、且朝著第1方向排列的多個第2導電圖案26。
各第1導電圖案24的一端與第1電極端子28電性連接。而且,各第1電極端子28與導電性的第1配線30電性連接。各第2導電圖案26的一端與第2電極端子32電性連接。各第2電極端子32與導電性的第2配線34電性連接。
以下,關於觸碰面板用導電性膜100的主要構件(絕緣層、電極圖案)進行以下詳細闡述。
(絕緣層)
絕緣層若為使第1電極圖案及第2電極圖案電性絕緣的層,則並無特別限制,特佳為透明絕緣層。作為其具體例,例如可列舉:絕緣樹脂層、陶瓷層、玻璃層等。其中,就韌性優異的理由
而言,較佳為絕緣樹脂層。
上述絕緣層的總透光率較佳為85%~100%。
上述絕緣層的厚度(絕緣層為2層以上的多層時,為這些層的合計厚度)並無特別限制,較佳為5 μm~350 μm,更佳為30 μm~150 μm。若厚度為上述範圍內,則可獲得所期望的可見光的透射率,且操作亦容易。
上述絕緣層可為無黏著性的層(非黏著性絕緣層),亦可為有黏著性的層(黏著性絕緣層)。
另外,上述絕緣層可為單層,亦可為2層以上的多層。作為絕緣層包含2層以上的多層的形態,例如可列舉:如圖2所示般,具有觸碰面板用導電膜200中的絕緣層10包含非黏著性絕緣層36與黏著性樹脂層38的積層結構的形態。
以下,對非黏著性絕緣層及黏著性絕緣層的形態進行詳細闡述。
作為構成非黏著性絕緣層的材料,可使用公知的材料,較佳為可列舉非黏著性絕緣樹脂。更具體可列舉:聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚碸、聚丙烯酸系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醯胺、聚芳酯、聚烯烴、纖維素系樹脂、聚氯乙烯等。其中,就透明性優異的理由而言,較佳為聚對苯二甲酸乙二酯。
非黏著性絕緣層的厚度並無特別限制,就耐衝擊性及輕量性的平衡的觀點而言,較佳為25 μm~200 μm。
作為構成黏著性絕緣層的材料(以下亦稱為黏著性絕緣材料),可使用公知的黏著劑,例如可列舉:橡膠系黏著性絕緣材料、丙烯酸系黏著性絕緣材料、矽酮系黏著性絕緣材料等。其中,就透明性優異的觀點而言,較佳為丙烯酸系黏著性絕緣材料。
另外,就進一步抑制互靜電電容的變化率、並且導電圖案間的耐遷移性優異的理由而言,較佳為黏著性絕緣材料為藉由硬化劑硬化的形態。作為硬化劑的具體例,可列舉:環氧化合物、異氰酸酯化合物、或包含鋁等可進行金屬配位的原子的化合物。
黏著性絕緣層的厚度並無特別限制,就耐衝擊性及薄膜化的平衡的觀點而言,較佳為5 μm~200 μm。
就進一步抑制互靜電電容的變化率、且導電圖案間的耐遷移性優異的理由而言,黏著性絕緣材料的酸值較佳為100 mgKOH/g以下,更佳為5 mgKOH/g~100 mgKOH/g,尤佳為10 mgKOH/g~100 mgKOH/g,特佳為15 mgKOH/g~50 mgKOH/g。
上述酸值是依據JIS K0070:1992「化學製品的酸值、皂化值、酯值、碘值、羥值及非皂化物的試驗方法」,使用中和滴定法而測定。
製造上述丙烯酸系聚合物的方法並無特別限制,例如可列舉:在具備攪拌機、回流冷卻器、溫度計及氮氣導入管的反應裝置中,投入特定的(甲基)丙烯酸酯化合物,添加偶氮雙異丁腈(Azobisisobutyronitrile,AIBN)等聚合起始劑,在氮氣氣流中在特定溫度(例如70℃)下進行特定時間(例如8小時)聚合的方
法。
就生產性而言,黏著性絕緣層較佳為黏著性絕緣片。黏著性絕緣片的種類並無特別限制,例如可使用:黏著片NSS50(新塔克化成(New Tac Kasei)公司製造)、高透明性黏接劑轉印膠帶8146-2(3M公司製造)等市售的黏著性絕緣片。
另外,上述絕緣層(特別是黏著性絕緣層)可包含金屬腐蝕抑制劑。藉由包含金屬腐蝕抑制劑,而可進一步抑制運作不良的產生。
金屬腐蝕抑制劑是在與金屬接觸時可形成金屬錯合物皮膜的化合物。作為具體的金屬腐蝕抑制劑,可列舉:三唑化合物、四唑化合物、苯并三唑化合物、苯并咪唑化合物、噻二唑化合物、苯并噻唑化合物、矽烷偶合劑等,其中就金屬腐蝕抑制效果高而言,較佳為苯并三唑化合物。
苯并三唑化合物是分子中具有苯并三唑骨架的化合物。作為苯并三唑化合物的具體例,可列舉:1,2,3-苯并三唑、甲苯基三唑、硝基苯并三唑、及這些的鹼金屬鹽等。苯并三唑化合物可單獨使用1種,亦可併用2種以上。
上述苯并三唑化合物中,較佳為1,2,3-苯并三唑、甲苯基三唑及苯并三唑的鈉鹽。
三唑化合物是分子中具有三唑骨架的化合物。作為三唑化合物的具體例,可列舉:4-胺基-1,2,4-三唑、5-胺基-1,2,4-三唑-3-甲酸、3-巰基-1,2,4-三唑、及這些的鹼金屬鹽等。
絕緣層中的金屬腐蝕抑制劑的含量並無特別限制,就添加物的析出不成為問題的方面而言,相對於絕緣層總質量,較佳為0.1質量%~3.0質量%,更佳為0.5質量%~1.5質量%。
(第1電極圖案及第2電極圖案)
第1電極圖案及第2電極圖案是在包含該觸碰面板用導電性膜的觸碰面板中感知靜電電容的變化的感測電極,並構成感知部(感測器部)。即,若使指尖與觸碰面板接觸,則第1電極圖案及第2電極圖案之間的互靜電電容會發生變化,根據該變化量而藉由積體電路(Integrated Circuit,IC)運算指尖的位置。
圖1(A)及圖1(B)中,第1電極圖案20及第2電極圖案22包含導電性細線。圖3表示第1電極圖案20的放大俯視圖。如圖3所示,第1電極圖案20的第1導電圖案24包含導電性細線40,包含由交叉的導電性細線40所形成的多個格子42。另外,第2電極圖案22亦與第1電極圖案20相同,包含由交叉的導電性細線所形成的多個格子。
格子42包含由導電性配線40包圍的開口區域。格子42的一邊的長度W較佳為800 μm以下,更佳為600 μm以下,且較佳為400 μm以上。
第1導電圖案24及第2導電圖案26中,就可見光透射率的方面而言,孔徑比(aperture ratio)較佳為為85%以上,更佳為90%以上,最佳為95%以上。所謂孔徑比,相當於在特定區域中除了第1導電圖案24或第2導電圖案26的導電性細線外的透射性
部分在整體中所佔的比例。
上述導電膜100中,格子42大致具有菱形的形狀。但此外亦可設為多角形狀(例如三角形狀、四角形狀、六角形狀)。另外,一邊的形狀除了直線狀外,可為彎曲形狀,亦可為圓弧狀。為圓弧狀時,例如對於相對的2邊,可形成朝外方凸的圓弧狀,對於另外的相對的2邊,可形成朝內方凸的圓弧狀。另外,亦可將各邊的形狀形成朝外方凸的圓弧與朝內方凸的圓弧連續的波線形狀。當然,亦可將各邊的形狀形成為正弦曲線。
作為上述導電性細線的材料,例如可列舉:金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)等金屬,或氧化錫、氧化鋅、氧化鎘、氧化鎵、氧化鈦等金屬氧化物等。其中,就導電性細線的導電性優異的理由而言,上述導電性細線的材料較佳為銀。
上述導電性細線中,就導電性細線與絕緣層的密接性的觀點而言,較佳為包含黏合劑。
作為黏合劑,就導電性細線與絕緣層的密接性更優異的理由而言,較佳為水溶性高分子。作為黏合劑的種類,例如可列舉:明膠、角叉菜膠(carrageenan)、聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol,PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinylpyrrolidinone,PVP)、澱粉等多糖類、纖維素及其衍生物、聚環氧乙烷、多醣、聚乙烯胺、幾丁聚醣(chitosan)、聚離胺酸、聚丙烯酸、聚海藻酸、聚玻尿酸(polyhyaluronic acid)、羧基纖維素、阿拉伯膠、海藻酸鈉等。其中,就導電性細線與絕緣層的密接性更優異的理由而言,較佳為
明膠。
另外,作為明膠,除了石灰處理明膠外,亦可使用酸處理明膠,還可使用:明膠的水解物、明膠酶分解物、此外修飾了胺基、羧基的明膠(鄰苯二甲醯化明膠、乙醯化明膠)。
導電性細線中的金屬與黏合劑的體積比(金屬的體積/黏合劑的體積),較佳為1.0以上,更佳為1.5以上。藉由將金屬與黏合劑的體積比設為1.0以上,而可進一步提高導電性細線的導電性。上限並無特別限制,就生產性的觀點而言,較佳為4.0以下,更佳為2.5以下。
另外,本發明中的金屬與黏合劑的體積比,可根據導電性細線中所含的金屬及黏合劑的密度而計算。例如在金屬為銀時,將銀的密度設為10.5 g/cm3,在黏合劑為明膠時,將明膠的密度設為1.34 g/cm3,並進行計算而求出。
導電性細線的線寬並無特別限制,就可相對容易地形成低電阻的電極的觀點而言,較佳為30 μm以下,更佳為15 μm以下,尤佳為10 μm以下,特佳為9 μm以下,最佳為7 μm以下,且較佳為0.5 μm以上,更佳為1.0 μm以上。
導電性細線的厚度並無特別限制,就導電性與視認性的觀點而言,可選自0.001 mm~0.2 mm,較佳為30 μm以下,更佳為20 μm以下,尤佳為0.01 μm~9 μm,最佳為0.05 μm~5 μm。
另外,作為第1導電圖案及第2導電圖案的材料(導電性細線的材料),就表面電阻值低於ITO等金屬氧化物、且容易形
成透明的導電性層的觀點而言,可使用金屬奈米線。作為金屬奈米線,較佳為縱橫比(平均長軸長/平均短軸長)為30以上、平均短軸長為1 nm以上、150 nm以下、平均長軸長為1 μm以上、100 μm以下的金屬微粒子。金屬奈米線的平均短軸長較佳為100 nm以下,更佳為30 nm以下,尤佳為25 nm以下。金屬奈米線的平均長軸長較佳為1 μm以上、40 μm以下,更佳為3 μm以上、35 μm以下,尤佳為5 μm以上、30 μm以下。
構成金屬奈米線的金屬並無特別限制,可僅包含1種金屬,亦可組合2種以上金屬而使用,還可使用合金。具體可列舉:銅、銀、金、鉑、鈀、鎳、錫、鈷、銠、銥、鐵、釕、鋨、錳、鉬、鎢、鈮、鉭、鈦、鉍、銻、鉛、或這些的合金等。較佳為以質量比計含有50%以上的銀的銀奈米線。
(金屬奈米線的製造方法)
金屬奈米線可藉由任意的方法製作。金屬奈米線的製造方法例如詳細地記載於《先進材料》(Adv.Mater.)vol.14,2002,833-837、日本專利特開2010-084173號公報、美國公開專利2011-0174190號公報。另外,作為與上述金屬奈米線有關的文獻,例如可列舉:日本專利特開2010-86714號公報、日本專利特開2010-87105號公報、日本專利特開2010-250109號公報、日本專利特開2010-250110號公報、日本專利特開2010-251611號公報、日本專利特開2011-54419號公報、日本專利特開2011-60686號公報、日本專利特開2011-65765號公報、日本專利特開2011-70792
號公報、日本專利特開2011-86482號公報、日本專利特開2011-96813號公報。本發明中,可將這些文獻所揭示的內容適當地加以組合而使用。
(觸碰面板用導電性膜)
觸碰面板用導電性膜進行下述環境試驗的前後的第1電極圖案與第2電極圖案之間的互靜電電容的變化率(%)為0%~100%,較佳為0%~80%,更佳為0%~60%,尤佳為0%~50%,特佳為0%~40%。若互靜電電容的變化率(%)為上述特定的範圍,則用作觸碰面板時可抑制經時產生的運作不良。
環境試驗是將觸碰面板用導電性膜在溫度85℃、濕度85%的環境下靜置30天。測定進行環境試驗前的第1電極圖案與第2電極圖案之間的互靜電電容X(測定條件:溫度25℃、濕度50%),並測定進行上述環境試驗後的第1電極圖案與上述第2電極圖案之間的互靜電電容Y。藉由下述式算出互靜電電容的變化率。
互靜電電容的變化率(%)=(Y-X)/X×100
另外,第1導電性細線與第2導電性細線之間的互靜電電容是藉由電感電容電阻(Inductance Capacitance Resistance,LCR)計而測定。
另外,就進一步抑制互靜電電容的變化率、且導電性細線的耐遷移性優異的理由而言,觸碰面板用導電性膜在溫度
85℃、濕度85%的環境下靜置24小時之時的吸水率較佳為1.00%以下,更佳為0%~0.95%,尤佳為0%~0.90%,特佳為0%~0.85%,最佳為0%~0.80%。在吸水率為上述特定範圍時,即便在高溫高濕下亦難以吸濕,可抑制互靜電電容的變化,並且上述互靜電電容的變化率為上述特定的範圍。結果在用作觸碰面板時可進一步抑制位置檢測時的運作不良。
上述吸水率是以如下方式算出者。
將所得的觸碰面板用導電性膜在溫度85℃、濕度85%的環境下靜置24小時後,並秤量(將其質量設為W1)。然後在溫度110℃的環境下乾燥24小時後,並秤量(將其質量設為W2)。藉由下述式算出觸碰面板用導電性膜的吸水率。
觸碰面板用導電性膜的吸水率(%)=(W1-W2)/W2×100
觸碰面板用導電性膜的第1電極圖案及第2電極圖案的表面電阻,較佳為100歐姆/sq.以下,更佳為80歐姆/sq.以下,尤佳為60歐姆/sq.以下,特佳為40歐姆/sq.以下。表面電阻的下限值越低越佳,通常若為0.01歐姆/sq.,則充分,亦可為0.1歐姆/sq.或1歐姆/sq.,可根據用途而使用。
觸碰面板用導電性膜根據需要在絕緣層與第1電極圖案(或第2電極圖案)之間,可具備其他層(例如底塗層、防光暈層)。
底塗層是為了進一步提高絕緣層與構成第1電極圖案或第2電極圖案的導電性細線的密接性而設置的層。構成底塗層的材料並無特別限制,例如可例示上述的黏合劑。
關於防光暈層所用的材料及其使用方法,並無特別限制,例如在日本專利特開2009-188360號公報的段落[0029]~段落[0032]等中有例示。
(製造方法)
觸碰面板用導電性膜的製造方法並無特別限制,可採用公知的方法。
例如,將形成於絕緣層的兩主面上的金屬箔上的光阻膜進行曝光、顯影處理,而形成光阻圖案,並將自光阻圖案露出的金屬箔蝕刻,藉此可形成第1電極圖案及第2電極圖案。
或者,在絕緣層的兩主面上印刷包含金屬微粒子的膏(paste),並對膏進行金屬鍍敷,藉此可形成第1電極圖案及第2電極圖案。
另外,亦可藉由網版印刷版或凹版印刷版在絕緣層上印刷形成第1電極圖案及第2電極圖案。或者,可藉由噴墨形成第1電極圖案及第2電極圖案。
而且,除了上述方法以外可列舉使用鹵化銀的方法,關於該方法,在後述的第5實施方式中對詳細的內容進行說明。
(第1實施方式的變形例)
上述第1形態並不限定於圖1(A)及圖1(B)的形態,若上
述互靜電電容的變化率為特定範圍內,則亦可為其他形態。
例如,作為其他形態,可列舉:在絕緣層上的一個主面上存在多個平行配置的帯狀第1電極圖案,在另一個主面上存在多個與第一電極圖案大致正交且平行配置的帯狀第2電極圖案的形態。這些第1電極圖案及第2電極圖案的形狀可為細長的長方形,亦可為菱形形狀串列連接而成的所謂菱形圖案。第1電極圖案及第2電極圖案由金屬細線構成,這些可為網眼圖案,亦可為條紋圖案,網眼的開口形狀可取正方形、菱形、六角形等形狀。
另外,以下使用圖4~圖6,對第1實施方式的變形例的觸碰面板用導電膜進行更具體地詳細闡述。
圖4表示絕緣層10上的第1電極圖案20a。第1電極圖案20a具備藉由利用導電性細線40所形成的多數個格子42a構成的2個第1導電圖案24a。各第1導電圖案24a的一端與第1電極端子28電性連接。各第1電極端子28與各第1配線30的一端電性連接。各第1配線30的另一端與端子44電性連接。各第1導電圖案24a藉由第1非導電圖案46而電性分離。
各第1導電圖案24a朝著第1方向(X方向)延伸,並且並列排列。各第1導電圖案24a具備與各第1導電圖案24a電性分離的狹縫狀非導通圖案48。各第1導電圖案24a具備藉由各非導通圖案48而分割的多個第1導電圖案列50。
如圖4所示,藉由具備另一端開放的狹縫狀非導通圖案48,而在圖4中第1導電圖案24a成為梳形結構。在實施方式中,
第1導電圖案24a具有2個非導通圖案48,藉此形成3條第1導電圖案列50。關於第1導電圖案列50的數量,並不限定於3條。由於各第1導電圖案列50與各第1電極端子28分別連接,因此電位相同。
圖5表示絕緣層10上的第2電極圖案22a。如圖5所示,第2電極圖案22a藉由利用導電性細線40所形成的多個格子42b而構成。第2電極圖案22a具備朝著與第1方向(X方向)正交的第2方向(Y方向)延伸,且並列地排列的2個第2導電圖案26a。各第2導電圖案26a與第2電極端子32電性連接。各第2電極端子32與各第2配線34的一端電性連接。各第2配線34的另一端與端子52電性連接。各第2導電圖案26a藉由第2非導電圖案54而電性分離。各第2導電圖案26a沿著第2方向實質上由具有固定寬度的短條結構而構成。但各第2導電圖案26a並不限定於短條形狀。
圖6是使包含梳形結構的第1導電圖案24a的第1電極圖案20a與包含短條結構的第2導電圖案26a的第2電極圖案22a,以第1導電圖案24a與第2導電圖案26a正交的方式配置的觸碰面板用導電性膜100a的俯視圖。由第1電極圖案20a與第2電極圖案22a形成組合圖案56。
組合圖案56中,俯視時,由格子42a與格子42b形成小格子58。即,格子42a的交叉部配置於格子42b的開口區域的大致中央。另外,小格子58具有200 μm以上、400 μm以下的長度的一
條邊,較佳為具有200 μm以上、300 μm以下的長度的一條邊。相當於格子42a及格子42b的一條邊的一半的長度。
觸碰面板用導電膜為上述變形例的形態時,就視認性方面而言較佳。
<第2實施方式>
參照圖式對本發明的觸碰面板用導電性膜的第2實施方式進行說明。圖7表示本發明的觸碰面板用導電性膜的第2實施方式的剖面圖。
如圖7所示,觸碰面板用導電性膜300具備:非黏著性絕緣層36a、配置於非黏著性絕緣層36a的一個主面上的第1電極圖案20及黏著性絕緣層38a、配置於非黏著性絕緣層36a的另一個主面上的第2電極圖案22及黏著性絕緣層38b。第1電極圖案20與第2電極圖案22如圖1(A)及圖1(B)所示,分別朝著X方向及Y方向延伸,夾持非黏著性絕緣層36a而正交。觸碰面板用導電性膜300是所謂的投影型靜電電容方式觸碰面板中所使用的導電膜,相當於在1片基材的兩面具備電極的導電性膜。
另外,觸碰面板用導電性膜300如與上述第1實施方式相同般,進行環境試驗的前後的第1電極圖案20與第2電極圖案22之間的互靜電電容的變化率(%)為0%~100%的範圍。較佳的實施方式亦如上所述。
另外,觸碰面板用導電性膜300亦如與上述第1實施方式相同般,吸水率為1.00%以下。吸水率的算出方法與上述第1實施方
式相同。另外,吸水率是包括黏著性絕緣層38a及黏著性絕緣層38b的膜整體的吸水率。
上述觸碰面板用導電性膜300藉由如下方式製造:在上述第1實施方式的觸碰面板用導電性膜的第1電極圖案上(第1電極圖案的與絕緣層側為相反側的表面)、及第2電極圖案上(第2電極圖案的與絕緣層側為相反側的表面),貼合黏著性絕緣層。
在使用觸碰面板用導電性膜300作為觸碰面板時,在黏著性絕緣層38a及黏著性絕緣層38b上可進一步設置保護基板。
保護基板的材料並無特別限制,例如可列舉:(甲基)丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯樹脂、玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂等。其中,較佳為透明性與輕量性優異的(甲基)丙烯酸系樹脂。
<第3實施方式>
參照圖式對本發明的觸碰面板用導電性膜的第3實施方式進行說明。圖8表示本發明的觸碰面板用導電性膜的第3實施方式的剖面圖。
如圖8所示,觸碰面板用導電性膜400具備:包含非黏著性絕緣層36b與黏著性絕緣層38c的多層的絕緣層10a、配置於上述絕緣層10a的一個主面上的第1電極圖案20及黏著性絕緣層38d、配置於上述絕緣層10a的另一個主面上的第2電極圖案22以及非黏著性絕緣層36c。第1電極圖案20與第2電極圖案22如圖1(A)及圖1(B)所示般,分別朝著X方向及Y方向延伸,夾持絕緣層10a而正交。觸碰面板用導電性膜400是藉由以下方式製造:準備
2片附有電極圖案的非黏著性絕緣層,以電極圖案彼此正交的方式,經由黏著片貼合2片附有電極圖案的非黏著性絕緣層,接著在所露出的電極圖案上貼合黏著性絕緣層。
另外,觸碰面板用導電性膜400如與上述第1實施方式相同般,進行環境試驗的前後的第1電極圖案20與第2電極圖案22之間的互靜電電容變化率(%)為0%~100%的範圍。較佳的實施方式亦如上所述。
另外,觸碰面板用導電性膜400亦如與上述第1實施方式相同般,吸水率為1.00%以下。另外,吸水率是觸碰面板用導電性膜400整體的吸水率。
<第4實施方式>
參照圖式對本發明的觸碰面板用導電性膜的第4實施方式進行說明。圖9表示本發明的觸碰面板用導電性膜的第4實施方式的剖面圖。
如圖9所示,觸碰面板用導電性膜500具備:黏著性絕緣層38e、配置於黏著性絕緣層38e的一個主面上的第1電極圖案20及非黏著性絕緣層36d、配置於黏著性絕緣層38e的另一個主面上的第2電極圖案22及非黏著性絕緣層36e。第1電極圖案20與第2電極圖案22如圖1(A)及圖1(B)所示般,分別朝著X方向及Y方向延伸,夾持黏著性絕緣層38e而正交。觸碰面板用導電性膜500是藉由以下方式製造:準備2片附有電極圖案的非黏著性絕緣層,以電極圖案彼此正交的方式,經由黏著片使2片附有
電極圖案的非黏著性絕緣層以電極圖案彼此相對的方式貼合。
另外,觸碰面板用導電性膜500如與上述第1實施方式相同般,進行環境試驗的前後的第1電極圖案20與第2電極圖案22之間的互靜電電容的變化率(%)為0%~100%的範圍。較佳的實施方式亦如上所述。
另外,觸碰面板用導電性膜500亦如與上述第1實施方式相同般,吸水率為1.00%以下。另外,吸水率是觸碰面板用導電性膜500整體的吸水率。
<第5實施方式>
本發明的觸碰面板用導電性膜的第5實施方式是如下的觸碰面板用導電性膜,其是在單層或包含2層以上的多層的絕緣層的兩面,分別形成至少1層的鹵化銀乳劑層,曝光後進行顯影,而在絕緣層的一個主面上形成第1電極圖案,並在絕緣層的另一個主面上形成第2電極圖案而成。
另外,作為第5實施方式的變形例,可列舉如下的觸碰面板用導電性膜:其是使具有配置於絕緣層的單面的第1電極圖案的附有第1電極圖案的絕緣層、與具有配置於絕緣層的單面的第2電極圖案的附有第2電極圖案的絕緣層,以附有第1電極圖案的絕緣層中的第1電極圖案與附有第2電極圖案的絕緣層中的第2電極圖案相對的方式,或者以附有第1電極圖案的絕緣層中的絕緣層與附有第2電極圖案的絕緣層中的第2電極圖案相對的方式,經由黏著性絕緣層而貼合而成;且第1電極圖案及第2電極
圖案是藉由在絕緣層上形成至少1層的鹵化銀乳劑層,曝光後進行顯影,進而進行使用多價金屬鹽的硬膜處理而形成的電極圖案。
該形態中所得的觸碰面板用導電性膜亦如與上述第1實施方式相同般,進行環境試驗的前後的第1電極圖案與第2電極圖案之間的互靜電電容的變化率(%)為0%~100%的範圍。較佳的實施方式亦如上所述。
另外,觸碰面板用導電性膜亦如與上述第1實施方式相同般,吸水率較佳為1.00%以下,更佳為0%~0.95%,尤佳為0%~0.90%,特佳為0%~0.80%。
在絕緣層的兩面上設置電極圖案的第5實施方式的觸碰面板用導電性膜的製造方法包括:步驟(1),在絕緣層的兩面上形成含有鹵化銀與黏合劑的鹵化銀乳劑層(以下亦簡稱為感光性層);步驟(2),藉由將感光性層曝光後進行顯影處理而形成導電性細線,從而形成第1電極圖案及第2電極圖案。
以下,對各步驟進行說明。
[步驟(1):感光性層形成步驟]
步驟(1)是在絕緣層的兩面上形成含有鹵化銀與黏合劑的感光性層的步驟。
形成感光性層的方法並無特別限制,就生產性的方面而言,較佳為使含有鹵化銀及黏合劑的感光性層形成用組成物與絕緣層接觸,而在絕緣層的兩面上形成感光性層的方法。
以下,對上述方法中所使用的感光性層形成用組成物的形態
進行詳細闡述後,對步驟的順序進行詳細闡述。
感光性層形成用組成物中含有鹵化銀及黏合劑。
鹵化銀所含有的鹵素元素可為氯、溴、碘及氟的任一種,亦可將這些加以組合。作為鹵化銀,例如可較佳地使用以氯化銀、溴化銀、碘化銀為主體的鹵化銀,可更佳地使用以溴化銀或氯化銀為主體的鹵化銀。
所使用的黏合劑的種類如上所述。另外,黏合劑能以乳膠的形態包含於感光性層形成用組成物中。
感光性層形成用組成物中所含的鹵化銀及黏合劑的體積比並無特別限制,以成為上述導電性細線中的金屬與黏合劑的較佳的體積比的範圍的方式進行適當調整。
感光性層形成用組成物中根據需要可含有溶劑。
作為所使用的溶劑,例如可列舉:水、有機溶劑(例如甲醇等醇類、丙酮等酮類、甲醯胺等醯胺類、二甲基亞碸等亞碸類、乙酸乙酯等酯類、醚類等)、離子性液體、或這些的混合溶劑。
所使用的溶劑的含量並無特別限制,相對於鹵化銀及黏合劑的合計質量,較佳為30質量%~90質量%的範圍,更佳為50質量%~80質量%的範圍。
在感光性層形成用組成物中,根據需要可含有上述材料以外的其他材料。例如可列舉:為使鹵化銀穩定化及高感度化而使用的銠化合物、銥化合物等屬於VIII族、VIIB族的金屬化合物。而且可列舉:如日本專利特開2009-004348號公報的段落[0220]
~段落[0241]所記載的抗靜電劑、成核促進劑、分光增感色素、界面活性劑、防霧劑、硬膜劑、黑點抑制劑、氧化還原化合物、單次甲基化合物、二羥基苯類等。
(步驟的順序)
使感光性層形成用組成物與絕緣層接觸的方法並無特別限制,可採用公知的方法。例如可列舉:將感光性層形成用組成物塗佈於絕緣層上的方法、或在感光性層形成用組成物中浸漬絕緣層的方法等。
所形成的感光性層中的黏合劑的含量並無特別限制,較佳為0.3 g/m2~5.0 g/m2,更佳為0.5 g/m2~2.0 g/m2。
另外,感光性層中的鹵化銀的含量並無特別限制,就導電性細線的導電特性更優異的方面而言,以銀換算計較佳為1.0 g/m2~20.0 g/m2,更佳為5.0 g/m2~15.0 g/m2。
另外,根據需要可在感光性層上進一步設置包含黏合劑的保護層。藉由設置保護層,而可防止擦傷或改良力學特性。
[步驟(2):曝光顯影步驟]
步驟(2)是藉由將上述步驟(1)中所得的感光性層進行圖案曝光後,進行顯影處理,而形成導電性細線,從而形成第1電極圖案及第2電極圖案的步驟。
首先,以下,對圖案曝光處理進行詳細闡述,然後對顯影處理進行詳細闡述。
(圖案曝光)
藉由對感光性層實施圖案狀曝光,而曝光區域中的感光性層中的鹵化銀形成潛像。形成有該潛像的區域藉由後述的顯影處理而形成導電性細線。另一方面,在未進行曝光的未曝光區域,在後述的定影處理時,鹵化銀溶解而自感光性層流出,而獲得透明的膜。
曝光時所使用的光源並無特別限制,可列舉:可見光線、紫外線等光,或X射線等放射線等。
進行圖案曝光的方法並無特別限制,例如可藉由利用光罩的面曝光進行,亦可藉由利用雷射束的掃描曝光進行。另外,圖案的形狀並無特別限制,根據欲形成的導電性細線的圖案進行適當調整。
另外,進行曝光時,可對絕緣層的兩面的感光性層進行同時曝光(兩面同時曝光)。在該曝光處理中進行第1曝光處理及第2曝光處理,上述第1曝光處理是對配置於絕緣層的一個主面上的第1感光性層,面向絕緣層照射光而沿著第1曝光圖案將第1感光性層曝光;上述第2曝光處理是對配置於絕緣層的另一個主面上的第2感光性層,面向絕緣層照射光而沿著第2曝光圖案將第2感光性層曝光。
更具體而言,一邊將長條的感光材料朝著一個方向搬送,一邊經由第1光罩對第1感光性層照射第1光(平行光),並且經由第2光罩對第2感光性層照射第2光(平行光)。第1光藉由利用中途的第1準直透鏡(collimator lens)將自第1光源出射的光轉
變為平行光而得,第2光藉由利用中途的第2準直透鏡將自第2光源出射的光轉變為平行光而得。
上述說明中表示使用2個光源(第1光源及第2光源)的情形,但可經由光學系統分割自1個光源出射的光,作為第1光及第2光而照射至第1感光性層及第2感光性層。
第1曝光處理及第2曝光處理可使來自第1光源的第1光的出射時序、與來自第2光源的第2光的出射時序相同,亦可不同。若時序相同,則可藉由1次的曝光處理,而將第1感光性層及第2感光性層同時曝光,並可謀求處理時間的縮短化。然而,在第1感光性層及第2感光性層均未分光增感時,若自兩側曝光,則來自單側的曝光亦會對另一側(背側)的圖像形成造成影響。
即,到達第1感光性層的來自第1光源的第1光,藉由第1感光性層中的鹵化銀粒子而散射,作為散射光而透射絕緣層,其一部分到達至第2感光性層。如此,第2感光性層與絕緣層的邊界部分可寬範圍地曝光,而形成潛像。因此,第2感光性層中,進行來自第2光源的第2光的曝光與來自第1光源的第1光的曝光,進行其後的顯影處理時,除了利用第2曝光圖案所形成的導電圖案外,在導電圖案間形成利用來自第1光源的第1光所得的薄的導電層,而無法獲得所期望的圖案(沿著第2曝光圖案的圖案)。這在第1感光層中亦同樣。
為了避免上述問題,而進行銳意研究,結果判明,藉由將第1感光性層及第2感光性層的厚度設定為特定範圍、或者規
定第1感光性層及第2感光性層的塗佈銀量,而鹵化銀自身吸收光,而可限制向背面透射光。可將第1感光性層及第2感光性層的厚度設定為1 μm以上、4 μm以下。上限值較佳為2.5 μm。另外,將第1感光性層及第2感光性層的塗佈銀量規定為5 g/m2~20 g/m2。
在上述兩面密接的曝光方式中,由於附著於片表面的塵埃等因曝光阻礙引起的圖像缺陷成為問題。作為防止塵埃附著,已知在片上塗佈導電性物質,但金屬氧化物等在處理後亦會殘存,有損最終製品的透明性,另外,導電性高分子在保存性等方面存在問題。因此進行積極研究,結果可知,藉由減少了黏合劑量的鹵化銀而可獲得抗靜電所必需的導電性,並規定第1感光性層及第2感光性層的銀/黏合劑的體積比。即,第1感光性層及第2感光性層的銀/黏合劑體積比為1/1以上,較佳為2/1以上。
如上所述,藉由設定、規定第1感光性層及第2感光性層的厚度、塗佈銀量、銀/黏合劑的體積比,而到達至第1感光性層的來自第1光源的第1光無法到達第2感光性層。同樣,到達至第2感光性層的來自第2光源的第2光無法到達第1感光性層。其結果是,在實施其後的顯影處理時,可獲得所期望的圖案。
(顯影處理)
顯影處理的方法並無特別限制,可採用公知的方法。例如可使用用於銀鹽照相軟片(photographic film)、印相紙(photographic paper)、印刷製版用膜、光罩用乳液遮罩等的通常的顯影處理的技
術。
顯影處理時所使用的顯影液的種類並無特別限制,例如亦可使用:菲尼酮-對苯二酚(Pbenidone Quinol,PQ)顯影液、米吐爾-對苯二酚(Metol Quinol,MQ)顯影液、大顆粒聚合人血清白蛋白(macroaggregated albumin,MAA)顯影液等。市售品中,例如可使用:富士軟片(Fujifilm)公司處方的CN-16、CR-56、CP45X、FD-3、PAPITOL,柯達(KODAK)公司處方的C-41、E-6、RA-4、D-19、D-72等顯影液,或者該套組所含的顯影液。另外,亦可使用利斯顯影液(Lith Developer)。
顯影處理可包括:為了將未曝光部分的銀鹽除去使其穩定化而進行的定影處理。定影處理可使用用於銀鹽照相軟片或印相紙、印刷製版用膜、光罩用乳液遮罩等的定影處理的技術。
定影步驟中的定影溫度較佳為約20℃~約50℃,更佳為25℃~45℃。另外,定影時間較佳為5秒鐘~1分鐘,更佳為7秒鐘~50秒鐘。
相對於曝光前的曝光部所含的銀的質量,顯影處理後的曝光部(導電性細線)所含的金屬銀的質量較佳為50質量%以上的含有率,更佳為80質量%以上。相對於曝光前的曝光部所含的銀的質量,曝光部所含的銀的質量若為50質量%以上,則可獲得高的導電性而較佳。
除了上述步驟以外,亦可根據需要實施以下的底塗層形成步驟、防光暈層形成步驟、硬膜步驟或加熱處理。
(底塗層形成步驟)
就絕緣層與鹵化銀乳劑層的密接性優異的理由而言,較佳為在上述步驟(1)之前實施在絕緣層的兩面上形成包含上述黏合劑的底塗層的步驟。
所使用的黏合劑如上所述。底塗層的厚度並無特別限制,就密接性與進一步抑制互靜電電容的變化率的方面而言,較佳為0.01 μm~0.5 μm,更佳為0.01 μm~0.1 μm。
(防光暈層形成步驟)
就導電性細線的細線化的觀點而言,較佳為在上述步驟(1)之前實施在絕緣層的兩面上形成防光暈層的步驟。
關於防光暈層所用的材料,可參照日本專利特開2009-188360號的段落0029~段落0032的記載。
就進一步抑制互靜電電容的變化率、且電極圖案間的耐遷移性優異的理由而言,較佳為在防光暈層中含有交聯劑。作為交聯劑,有機硬膜劑、無機硬膜劑均可使用,但就硬膜控制的觀點而言,較佳為有機硬膜劑,作為具體例,例如可列舉:醛類、酮類、羧酸衍生物、磺酸酯、三嗪類、活性烯烴類、異氰酸酯、碳二醯亞胺。
(硬膜處理步驟)
就進一步抑制互靜電電容的變化率、且電極圖案的耐遷移性優異的理由而言,較佳為在步驟(2)之後實施浸漬於溶解有硬膜劑的溶液中而進行硬膜處理的步驟。作為硬膜劑的具體例,例如
可列舉:無機鹽、戊二醛、己二醛、2,3-二羥基-1,4-二噁烷等二醛類及硼酸等日本專利特開平2-141279號公報所記載者等。其中,較佳為無機鹽,更佳為多價金屬鹽。
作為上述無機鹽所含的金屬原子(金屬離子),例如可列舉:鹼金屬、鹼土金屬、過渡元素、卑金屬(base metal)等,其中就進一步抑制互靜電電容的變化率、且導電性細線的耐遷移性優異的理由而言,較佳為多價金屬鹽,更佳為含有鋁原子的鹽(無機鹽)。
作為無機鹽所含的相對陰離子(counter anion),可列舉:硫酸根離子、磷酸根離子、硝酸根離子、乙酸根離子等,其中較佳為硫酸根離子。
另外,作為多價金屬鹽的具體例,例如可列舉:鋁、鈣、鎂、鋅、鐵、鍶、鋇、鎳、銅、鈧、鎵、銦、鈦、鋯、錫、鉛等的硫酸鹽、硝酸鹽、甲酸鹽、琥珀酸鹽、丙二酸鹽、氯乙酸鹽、對甲苯磺酸鹽等。更具體可列舉:硫酸鋁、氯化鋁、鉀明礬(potash alum)等。
溶解有硬膜劑的溶劑並無特別限制,就溶解性及對膜的滲透性的方面而言,較佳為水。
在溶解有硬膜劑的溶液中硬膜劑的濃度並無特別限制,相對於溶解有硬膜劑的溶液總量,較佳為鋁原子的質量%為0.01~0.4。
(步驟(3):加熱步驟)
步驟(3)是在上述顯影處理後實施加熱處理的步驟。藉由實
施本步驟,而會在黏合劑間引起融著,而導電性細線的硬度會進一步上升。特別是在感光性層形成用組成物中分散聚合物粒子作為黏合劑時(黏合劑為乳膠中的聚合物粒子時),藉由實施本步驟,而會在聚合物粒子間引起融著,而形成表現出所期望的硬度的導電性細線。
加熱處理的條件根據所使用的黏合劑而適當選擇較佳的條件,就聚合物粒子的造膜溫度的觀點而言,較佳為40℃以上,更佳為50℃以上,尤佳為60℃以上。另外,就抑制絕緣層的捲曲等的觀點而言,較佳為150℃以下,更佳為100℃以下。
加熱時間並無特別限定,就抑制絕緣層的捲曲等的觀點、及生產性的觀點而言,較佳為1分鐘~5分鐘,更佳為1分鐘~3分鐘。
另外,該加熱處理通常可兼作曝光、顯影處理後所進行的乾燥步驟,因此無須增加用以進行聚合物粒子的造膜的新的步驟,就生產性、成本等的觀點而言優異。
另外,藉由實施上述步驟,而在導電性細線間形成包含黏合劑的光透射性部。關於光透射性部的透射率,以380 nm~780 nm的波長區域中的透射率最小值表示的透射率較佳為90%以上,更佳為95%以上,尤佳為97%以上,特佳為98%以上,最佳為99%以上。
光透射性部中可含有上述黏合劑以外的材料,例如可列舉銀難溶劑等。
藉由在光透射性部中含有銀難溶劑,而可進一步抑制導電性細線間的金屬的離子遷移。作為銀難溶劑,pKsp較佳為9以上,更佳為10~20。作為銀難溶劑,並無特別限定,例如可列舉:三乙四胺六乙酸(Triethylenetetramine hexaacetic acid,TTHA)等。
另外,銀的溶解度積Ksp為這些化合物與銀離子的相互作用的強度的標準。Ksp的測定方法可參照「阪口喜堅‧菊池真一,日本照相學會志,13,126,(1951)」及「派利夫特與波拉第、法國化學會會志(A.Pailliofet and J.Pouradier,Bull.Soc.chim.France),1982,I-445(1982)」而測定。
另外,作為本發明的觸碰面板用導電性膜的最佳的實施方式,可列舉上述第5形態。其中,就進一步抑制運作不良的產生的方面而言,可列舉如下的觸碰面板用導電性膜:其是藉由在絕緣層的兩面上分別形成至少1層的鹵化銀乳劑層,曝光後進行顯影,進而進行使用含有鋁原子的鹽的硬膜處理,而在絕緣層的一個主面上形成第1電極圖案,在絕緣層的另一個主面上形成第2電極圖案而成,且在第1電極圖案上及第2電極圖案上的至少一者上進一步具備黏著性絕緣層,黏著性絕緣層中所含的黏著性絕緣材料的酸值為10 mgKOH/g~100 mgKOH/g以下,第1電極圖案及/或第2電極圖案中含有銀,進行上述環境試驗的前後的第1電極圖案與第2電極圖案之間的互靜電電容的變化率(%)為0%~100%。
其中,較佳為上述黏著性絕緣層含有金屬腐蝕抑制劑。
[觸碰面板]
本發明的觸碰面板是靜電電容方式的觸碰面板,包含本發明的觸碰面板用導電性膜。本發明的觸碰面板由於包含本發明的觸碰面板用導電性膜,因此如上所述般,上述互靜電電容的變化率(%)為特定範圍,結果可抑制運作不良。
本發明中觸碰面板用導電性膜及觸碰面板並不限定於上述實施方式,在不脫離本發明的主旨的情況下當然可採用各種構成。另外,可與日本專利特開2011-113149號公報、日本專利特開2011-129501號公報、日本專利特開2011-129112號公報、日本專利特開2011-134311號公報、日本專利特開2011-175628號公報等中所揭示的技術適當組合而使用。
[實施例]
以下,藉由實施例對本發明進行更詳細地說明,但本發明並不限定於這些實施例。
(合成例1)
在1000 mL三口燒瓶中,秤量丙烯酸異丁酯18.3份、丙烯酸2-乙基己酯73.2份、丙烯酸2-羥基乙酯3.6份、丙烯酸5.0份、及乙酸乙酯100份,一邊導入氮氣,一邊攪拌2小時。將聚合系內的氧氣充分地除去後,添加偶氮雙異丁腈0.3份,升溫至60℃後,反應10小時。反應結束後,在反應液中以固體成分濃度為30 wt%的方式添加乙酸乙酯,而獲得丙烯酸系聚合物溶液。所得的丙烯酸系聚合物的酸值為40 mgKOH/g、重量平均分子量為48萬。
接著,相對於上述丙烯酸系聚合物溶液100份,添加1,4-丁二醇縮水甘油醚0.19份,並攪拌15分鐘。利用該溶液,在如乾燥後的膜厚為50 μm的條件下進行棒塗,在80℃下乾燥5分鐘,而製造丙烯酸系樹脂系黏著劑。
(合成例2)
使用六亞甲基二異氰酸酯0.23份代替合成例1中所記載的1,4-丁二醇縮水甘油醚,除此以外,以與合成例1相同的順序,製造丙烯酸系樹脂系黏著劑。
(合成例3)
不使用合成例1中所使用的1,4-丁二醇縮水甘油醚,除此以外,以與合成例1相同的順序,製造丙烯酸系樹脂系黏著劑。
(合成例4)
在1000 mL三口燒瓶中,秤量丙烯酸異丁酯18.7份、丙烯酸2-乙基己酯75.1份、丙烯酸2-羥基乙酯3.7份、丙烯酸2.5份、及乙酸乙酯100份,一邊導入氮氣,一邊攪拌2小時。
將聚合系內的氧氣充分地除去後,添加偶氮雙異丁腈0.3份,升溫至60℃後,反應10小時。反應結束後,在反應液中以固體成分濃度為30 wt%的方式添加乙酸乙酯,而獲得丙烯酸系聚合物溶液。所得的丙烯酸系聚合物的酸值為20 mgKOH/g、重量平均分子量為35萬。
接著,相對於上述丙烯酸系聚合物溶液100份,添加1,4-丁二醇縮水甘油醚0.19份,並攪拌15分鐘。利用該溶液,在如乾燥
後的膜厚為50 μm的條件下,進行棒塗,在80℃下乾燥5分鐘,而製造丙烯酸系樹脂系黏著劑。
(合成例5)
在1000 mL三口燒瓶中,秤量丙烯酸異莰酯25.3份、丙烯酸2-乙基己酯62.6份、丙烯酸2-羥基乙酯3.1份、丙烯酸9.0份、及乙酸乙酯100份,一邊導入氮氣,一邊攪拌2小時。將聚合系內的氧氣充分地除去後,添加偶氮雙異丁腈0.3份,升溫至60℃後,反應10小時。反應結束後,在反應液中以固體成分濃度為30 wt%的方式添加乙酸乙酯,而獲得丙烯酸系聚合物溶液。所得的丙烯酸系聚合物的酸值為70 mgKOH/g、重量平均分子量為45萬。
接著,相對於上述丙烯酸系聚合物溶液100份,添加1,4-丁二醇縮水甘油醚0.19份,並攪拌15分鐘。利用該溶液,在如乾燥後的膜厚為50 μm的條件下,進行棒塗,在80℃下乾燥5分鐘,而製造丙烯酸系樹脂系黏著劑。
(合成例6)
在1000 mL三口燒瓶中,秤量丙烯酸異莰酯24.2份、丙烯酸2-乙基己酯59.9份、丙烯酸2-羥基乙酯3.0份、丙烯酸12.9份、及乙酸乙酯100份,一邊導入氮氣,一邊攪拌2小時。將聚合系內的氧氣充分地除去後,添加偶氮雙異丁腈0.3份,升溫至60℃後,反應10小時。反應結束後,在反應液中以固體成分濃度為30 wt%的方式添加乙酸乙酯,而獲得丙烯酸系聚合物溶液。所得的丙烯酸系聚合物的酸值為100 mgKOH/g、重量平均分子量為40萬。
接著,相對於上述丙烯酸系聚合物溶液100份,添加1,4-丁二醇縮水甘油醚0.19份,並攪拌15分鐘。利用該溶液,在如乾燥後的膜厚為50 μm的條件下,進行棒塗,在80℃下乾燥5分鐘,而製造丙烯酸系樹脂系黏著劑。
(合成例7)
在1000 mL三口燒瓶中,秤量丙烯酸異莰酯23.5份、丙烯酸2-乙基己酯58.2份、丙烯酸2-羥基乙酯2.9份、丙烯酸15.5份、及乙酸乙酯100份,一邊導入氮氣,一邊攪拌2小時。將聚合系內的氧氣充分地除去後,添加偶氮雙異丁腈0.3份,升溫至60℃後,反應10小時。反應結束後,在反應液中以固體成分濃度為30 wt%的方式添加乙酸乙酯,而獲得丙烯酸系聚合物溶液。所得的丙烯酸系聚合物的酸值為120 mgKOH/g、重量平均分子量為32萬。
接著,相對於上述丙烯酸系聚合物溶液100份,添加1,4-丁二醇縮水甘油醚0.19份,並攪拌15分鐘。利用該溶液,在如乾燥後的膜厚為50 μm的條件下,進行棒塗,在80℃下乾燥5分鐘,而製造丙烯酸系樹脂系黏著劑。
(合成例8)
使用專利文獻1中的合成例2中所記載的胺基甲酸酯樹脂,以與專利文獻1中的實施例4相同的處方及方法獲得胺基甲酸酯系聚合物。
接著,使用上述胺基甲酸酯系聚合物代替丙烯酸系聚合物,除此以外,以與合成例1相同的順序,製造胺基甲酸酯系黏著劑。
<實施例1>
(鹵化銀乳劑的製備)
在38℃、pH值保持為4.5的下述1溶液中,一邊攪拌一邊同時歷時20分鐘添加下述2溶液及3溶液各溶液的相當於90%的量,而形成0.16 μm的核粒子。接著,歷時8分鐘添加下述4溶液及5溶液,接著歷時2分鐘添加下述2溶液及3溶液的其餘的10%的量,使其成長至0.21 μm為止。接著,添加碘化鉀0.15 g,進行5分鐘熟化而結束粒子形成。
1溶液:
2溶液:
3溶液:
4溶液:
5溶液:
然後,根據常法,藉由絮凝(flocculation)法進行水洗。具體而言,將溫度降低至35℃,使用硫酸降低pH值直至鹵化銀沈澱為止(pH值為3.6±0.2的範圍)。接著,將約3升上清液除去(第一水洗)。接著,添加3升蒸餾水後,添加硫酸直至鹵化銀沈澱為止。再次將3升上清液除去(第二水洗)。再重複1次與第二水洗相同的操作(第三水洗),並結束水洗、脫鹽步驟。將水洗、脫鹽後的乳劑調整pH值為6.4、pAg值為7.5,添加明膠3.9 g、苯硫代磺酸鈉10 mg、苯硫代亞磺酸鈉3 mg、硫代硫酸鈉15 mg以及氯金酸10 mg,在55℃下以獲得最佳感度的方式實施化學增感,添加作為穩定劑的1,3,3a,7-四氮雜茚100 mg、作為防腐劑的
Proxel(商品名、ICI股份有限公司製造)100 mg。最終所得的乳劑是包含碘化銀0.08莫耳%、氯溴化銀的比率設為氯化銀70莫耳%、溴化銀30莫耳%、且平均粒徑為0.22 μm、變異係數為9%的碘氯溴化銀立方體粒子乳劑。
(感光性層形成用組成物的製備)
在上述乳劑中添加1,3,3a,7-四氮雜茚1.2×10-4莫耳/莫耳Ag、對苯二酚1.2×10-2莫耳/莫耳Ag、檸檬酸3.0×10-4莫耳/莫耳Ag、2,4-二氯-6-羥基-1,3,5-三嗪鈉鹽0.90 g/莫耳Ag,使用檸檬酸將塗佈液的pH值調整為5.6,而獲得感光性層形成用組成物。
(感光性層形成步驟)
對厚度為100 μm的聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate,PET)膜實施電暈放電處理後,在上述PET膜的兩面上,設置作為底塗層的厚度為0.1 μm的明膠層,以及在底塗層上設置包含光學濃度為約1.0且藉由顯影液的鹼而脫色的染料的防光暈層。在上述防光暈層上塗佈上述感光性層形成用組成物,接著設置厚度為0.15 μm的明膠層,而獲得在兩面上形成感光性層的PET膜。將所得的膜設為膜A。所形成的感光性層是銀量為6.0 g/m2、明膠量為1.0 g/m2。
(曝光顯影步驟)
在上述膜A的兩面上,經由格子狀光罩(線/間隙=8 μm/692 μm),使用以高壓水銀燈為光源的平行光進行曝光。曝光後,藉由下述顯影液進行顯影,接著使用定影液(商品名:CN16X用
N3X-R、富士軟片公司製造)進行顯影處理。接著,藉由純水進行沖洗,並乾燥,藉此獲得在兩面上形成包含Ag細線的電極圖案與明膠層的PET膜。明膠層形成於Ag細線間。將所得的膜設為膜B。
(顯影液的組成)
顯影液1升(L)中包含以下化合物。
(加熱步驟)
對上述膜B以60℃/1 min實施加熱處理。將加熱處理後的膜設為膜C。
(硬膜處理步驟)
將上述膜C在濃度為3質量%的硫酸鋁水溶液(液溫:30℃)中浸漬2分鐘,而進行硬膜處理。將硬膜處理後的膜設為膜D。
(黏著性絕緣層形成步驟)
接著,在上述膜D的兩面貼合合成例1中所得的丙烯酸系樹脂系黏著劑作為黏著性絕緣材料,而獲得觸碰面板用導電膜。
(觸碰面板用導電性膜的吸水率的測定)
在所得的觸碰面板用導電性膜的兩面上貼合PET膜(厚度為100 μm),將其在溫度85℃、濕度85%的環境下靜置24小時後並秤量(將其質量設為Q1)。然後,在溫度為110℃的環境下乾燥24小時後並秤量(將其質量設為Q2)。
另外,將與所貼合的PET膜相同的尺寸的PET膜在上述環境下靜置24小時後並秤量(將其質量設為P1)。然後,在溫度為110℃的環境下乾燥24小時後並秤量(將其質量設為P2)。
在溫度85℃、濕度85%的環境下靜置後僅觸碰面板用導電性膜的質量(W1)為Q1-P1。另外,乾燥後僅觸碰面板用導電性膜的質量(W2)為Q2-P2。
藉由下述式算出觸碰面板用導電性膜的吸水率。將所算出的吸水率表示於第1表。
觸碰面板用導電性膜的吸水率(%)=(W1-W2)/W2×100
(互靜電電容的變化率)
將所得的觸碰面板用導電性膜在溫度25℃、濕度50%的環境下靜置30天,測定在觸碰面板用導電膜的一個面上所存在的第1電極圖案與在另一個面上所存在的第2電極圖案之間的互靜電電容(X)。接著,將觸碰面板用導電性膜在溫度85℃、濕度85%的環境下靜置30天,測定第1電極圖案與第2電極圖案之間的互靜電電容(Y)。藉由下述式算出互靜電電容的變化率。將所算出的
互靜電電容的變化率表示於第1表。
互靜電電容的變化率(%)=(Y-X)/X×100
第1電極圖案與第2電極圖案之間的互靜電電容藉由LCR計進行測定。
(運作不良的評價)
在觸碰面板用導電性膜上安裝控制IC,在溫度85℃、濕度85%的環境下靜置30天後,確認觸碰動作。依據以下基準對運作不良進行評價。
「A」:電極圖案中的全部電極可確認觸碰動作。
「B」:電極圖案中的90%以上、且小於100%的電極可確認觸碰動作。
「C」:電極圖案中的85%以上、且小於90%的電極可確認觸碰動作。
「D」:電極圖案中的80%以上、且小於85%的電極可確認觸碰動作。
「E」:電極圖案中的小於80%的電極可確認觸碰動作。
(絕緣電阻值的測定)
將所得的觸碰面板用導電性膜在溫度85℃、濕度85%的環境下靜置30天,並測定絕緣電阻值。將所測定的絕緣電阻值表示於第1表。絕緣電阻值如以下所述進行測定。
選擇10個部位的測定絕緣電阻的點(測定點),使用絕緣電阻測定器測定這些10個部位的絕緣電阻,將其平均值作為絕緣電阻值。各測定點所測定的絕緣電阻是相鄰接的Ag細線(格子圖案的相對的邊)間的絕緣電阻。絕緣電阻值越大,則耐遷移性越優異。
<實施例2>
使用合成例2的丙烯酸系樹脂系黏著劑代替合成例1的丙烯酸系樹脂系黏著劑,除此以外,根據與實施例1相同的順序,製造觸碰面板用導電性膜,並進行與實施例1相同的評價。將結果匯總表示於表1。
<實施例3>
使用合成例3的丙烯酸系樹脂系黏著劑代替合成例1的丙烯酸系樹脂系黏著劑,除此以外,根據與實施例1相同的順序,製造觸碰面板用導電性膜,並進行與實施例1相同的評價。將結果匯總表示於表1。
<實施例4>
使用合成例4的丙烯酸系樹脂系黏著劑代替合成例1的丙烯酸系樹脂系黏著劑,除此以外,根據與實施例1相同的順序,製造觸碰面板用導電性膜,並進行與實施例1相同的評價。將結果匯總表示於表1。
<實施例5>
在合成例4的丙烯酸系樹脂系黏著劑中進一步以0.8 wt%的方
式添加苯并三唑,除此以外,根據與實施例4相同的順序,製造觸碰面板用導電性膜,並進行與實施例1相同的評價。將結果匯總表示於表1。
<實施例6>
在合成例4的丙烯酸系樹脂系黏著劑中以0.8 wt%的方式添加甲苯基三唑,除此以外,根據與實施例4相同的順序,製造觸碰面板用導電性膜,並進行與實施例1相同的評價。將結果匯總表示於表1。
<實施例7>
使用合成例5的丙烯酸系樹脂系黏著劑代替合成例1的丙烯酸系樹脂系黏著劑,除此以外,根據與實施例1相同的順序,製造觸碰面板用導電性膜,並進行與實施例1相同的評價。將結果匯總表示於表1。
<實施例8>
使用合成例6的丙烯酸系樹脂系黏著劑代替合成例1的丙烯酸系樹脂系黏著劑,除此以外,根據與實施例1相同的順序,製造觸碰面板用導電性膜,並進行與實施例1相同的評價。將結果匯總表示於表1。
<實施例9>
使用合成例7的丙烯酸系樹脂系黏著劑代替合成例1的丙烯酸系樹脂系黏著劑,除此以外,根據與實施例1相同的順序,製造觸碰面板用導電性膜,並進行與實施例1相同的評價。將結果
匯總表示於表1。
<實施例10>
使用黏著片NSS50(新塔克化成製造、有硬化劑、厚度為50 μm)代替合成例1的丙烯酸系樹脂系黏著劑,除此以外,根據與實施例1相同的順序,製造觸碰面板用導電性膜,並進行與實施例1相同的評價。將結果匯總表示於表1。
<實施例11>
使用高透明性黏接劑轉印膠帶8146-2(3M公司製造、有硬化劑、厚度為50 μm)代替合成例1的丙烯酸系樹脂系黏著劑,除此以外,根據與實施例1相同的順序,製造觸碰面板用導電性膜,並進行與實施例1相同的評價。將結果匯總表示於表1。
<比較例1>
使用合成例8的胺基甲酸酯系黏著劑代替合成例1的丙烯酸系樹脂系黏著劑,除此以外,根據與實施例1相同的順序,製造觸碰面板用導電性膜,並進行與實施例1相同的評價。將結果匯總表示於表1。
<比較例2>
不進行硬膜處理,根據與實施例1相同的順序,製造觸碰面板用導電性膜,並進行與實施例1相同的評價。將結果匯總表示於表1。
<比較例3>
不進行硬膜處理,使用黏著片NSS50(新塔克化成製造、有
硬化劑、厚度為50 μm)代替合成例1的丙烯酸系樹脂系黏著劑,除此以外,根據與實施例1相同的順序,製造觸碰面板用導電性膜,並進行與實施例1相同的評價。將結果匯總表示於表1。
<比較例4>
不進行硬膜處理,使用高透明性黏接劑轉印膠帶8146-2(3M公司製造、有硬化劑、厚度為50 μm)代替合成例1的丙烯酸系樹脂系黏著劑,除此以外,根據與實施例1相同的順序,製造觸碰面板用導電性膜,並進行與實施例1相同的評價。將結果匯總表示於表1。
(黏著性絕緣材料的酸值的測定)
依據JIS K0070:1992「化學製品的酸值、皂化值、酯值、碘值、羥值及非皂化物的試驗方法」,使用中和滴定法,測定合成例1~合成例7的丙烯酸系樹脂系黏著劑、黏著片NSS50(新塔克化成製造)、及高透明性黏接劑轉印膠帶8146-2(3M公司製造)的酸值。將所測定的酸值表示於第1表。
另外,表1中,「-」是指未實施測定。
表1中,在「硬膜處理的有無」欄中,將進行了硬膜處理的情形記載為「有」,將未進行硬膜處理的情形記載為「無」。
如上述表1的實施例1~實施例11所示般,在互靜電電容的變化率為特定範圍內時,可抑制經時產生的運作不良。
另外,根據實施例9及實施例11、與其他實施例的比較可知,若黏著性絕緣材料的酸值為10 mgKOH/g~100 mgKOH/g,則確認到運作不良更難產生。
另外,根據實施例4~實施例6的比較可知,在黏著性絕緣材料中包含金屬腐蝕抑制劑時,確認到運作不良更難產生。
另外,根據實施例1~實施例4的比較可知,在互靜電電容的變化率為0%~50%時,確認到運作不良更難產生。
另外,根據實施例1~實施例3及實施例10的比較可知,在導電性膜的吸水率為0.85質量%時,確認到運作不良更難產生。
另一方面,如比較例1~比較例4所示般,在互靜電電容的變化率為特定範圍外時,運作不良的產生頻繁,而無法獲得所期望
的效果。
10‧‧‧絕緣層
20‧‧‧第1電極圖案
22‧‧‧第2電極圖案
24‧‧‧第1導電圖案
26‧‧‧第2導電圖案
28‧‧‧第1電極端子
30‧‧‧第1配線
32‧‧‧第2電極端子
34‧‧‧第2配線
100‧‧‧觸碰面板用導電性膜
Claims (17)
- 一種觸碰面板用導電性膜,其在絕緣層的兩面上分別形成至少1層的鹵化銀乳劑層,曝光後進行顯影,進而進行使用含有鋁原子的鹽的硬膜處理,藉此在上述絕緣層的一個主面上形成第1電極圖案,在上述絕緣層的另一個主面上形成第2電極圖案,並且在上述第1電極圖案上及上述第2電極圖案上的至少一者上進一步具備黏著性絕緣層,上述黏著性絕緣層中所含的黏著性絕緣材料的酸值為10 mgKOH/g~100 mgKOH/g以下,上述第1電極圖案及/或上述第2電極圖案中含有銀,進行下述環境試驗的前後的上述第1電極圖案與上述第2電極圖案之間的互靜電電容的變化率(%)為0%~100%:(互靜電電容的變化率(%)是在溫度85℃、濕度85%的環境下將上述觸碰面板用導電性膜進行靜置30天的環境試驗,藉由進行上述環境試驗前的上述第1電極圖案與上述第2電極圖案之間的互靜電電容(X)、和進行上述環境試驗後的上述第1電極圖案與上述第2電極圖案之間的互靜電電容(Y)的變化率(%){(Y-X)/X×100}而求出)。
- 如申請專利範圍第1項所述的觸碰面板用導電性膜,其中上述黏著性絕緣層包含金屬腐蝕抑制劑。
- 一種觸碰面板用導電性膜,其依序具備第1電極圖案、絕 緣層、以及第2電極圖案,並且進行下述環境試驗的前後的上述第1電極圖案與上述第2電極圖案之間的互靜電電容的變化率(%)為0%~100%:(互靜電電容的變化率(%)是在溫度85℃、濕度85%的環境下將上述觸碰面板用導電性膜進行靜置30天的環境試驗,藉由進行上述環境試驗前的上述第1電極圖案與上述第2電極圖案之間的互靜電電容(X)、和進行上述環境試驗後的上述第1電極圖案與上述第2電極圖案之間的互靜電電容(Y)的變化率(%){(Y-X)/X×100}而求出)。
- 如申請專利範圍第3項所述的觸碰面板用導電性膜,其中上述互靜電電容的變化率(%)為0%~50%。
- 如申請專利範圍第3項或第4項所述的觸碰面板用導電性膜,其中在上述第1電極圖案上及上述第2電極圖案上的至少一者上進一步具備黏著性絕緣層。
- 如申請專利範圍第3項或第4項所述的觸碰面板用導電性膜,其中在上述第1電極圖案上及上述第2電極圖案上進一步具備黏著性絕緣層,上述絕緣層為非黏著性絕緣層。
- 如申請專利範圍第3項或第4項所述的觸碰面板用導電性膜,其中上述絕緣層包含黏著性絕緣層。
- 如申請專利範圍第5項所述的觸碰面板用導電性膜,其中上述黏著性絕緣層中所含的黏著性絕緣材料包含丙烯酸系樹脂。
- 如申請專利範圍第5項所述的觸碰面板用導電性膜,其中上述黏著性絕緣層中所含的黏著性絕緣材料的酸值為10 mgKOH/g~100 mgKOH/g以下。
- 如申請專利範圍第3項或第4項所述的觸碰面板用導電性膜,其中上述絕緣層包含金屬腐蝕抑制劑。
- 如申請專利範圍第10項所述的觸碰面板用導電性膜,其中上述金屬腐蝕抑制劑選自由三唑化合物、四唑化合物、苯并三唑化合物、苯并咪唑化合物、噻二唑化合物、及苯并噻唑化合物所組成的組群。
- 如申請專利範圍第3項或第4項所述的觸碰面板用導電性膜,其在溫度85℃、濕度85%的環境下靜置24小時之時的吸水率為1.0%以下。
- 如申請專利範圍第3項或第4項所述的觸碰面板用導電性膜,其中上述第1電極圖案及/或上述第2電極圖案中含有銀。
- 如申請專利範圍第3項或第4項所述的觸碰面板用導電性膜,其中上述第1電極圖案及/或上述第2電極圖案由線寬為30 μm以下的金屬細線構成。
- 一種觸碰面板用導電性膜,其是將具有配置於絕緣層的單面的第1電極圖案的附有第1電極圖案的絕緣層、與具有配置於絕緣層的單面的第2電極圖案的附有第2電極圖案的絕緣層,以上述附有第1電極圖案的絕緣層中的上述第1電極圖案與上述附有第2電極圖案的絕緣層中的上述第2電極圖案相對的方式,或 者以上述附有第1電極圖案的絕緣層中的上述絕緣層與上述附有第2電極圖案的絕緣層中的上述第2電極圖案相對的方式,經由黏著性絕緣層貼合而成,並且上述第1電極圖案及上述第2電極圖案是藉由在上述絕緣層上形成至少1層的鹵化銀乳劑層,曝光後進行顯影,進而進行使用多價金屬鹽的硬膜處理而形成的電極圖案,進行下述環境試驗的前後的上述第1電極圖案與上述第2電極圖案之間的互靜電電容的變化率(%)為0%~100%:(互靜電電容的變化率(%)是在溫度85℃、濕度85%的環境下將上述觸碰面板用導電性膜進行靜置30天的環境試驗,藉由進行上述環境試驗前的上述第1電極圖案與上述第2電極圖案之間的互靜電電容(X)、和進行上述環境試驗後的上述第1電極圖案與上述第2電極圖案之間的互靜電電容(Y)的變化率(%){(Y-X)/X×100}而求出)。
- 如申請專利範圍第15項所述的觸碰面板用導電性膜,其中上述多價金屬鹽是含有鋁原子的鹽。
- 一種觸碰面板,其包含如申請專利範圍第1項至第16項中任一項所述的觸碰面板用導電性膜。
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