TWI587081B - 成膜罩體之製造方法 - Google Patents

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Description

成膜罩體之製造方法
本發明係關於一種對應於薄膜圖案而雷射加工出複數開口圖案之樹脂製膜以薄板狀磁性金屬構件所支撐之複合型成膜罩體之製造方法，尤其關於一種用以提高複數開口圖案之形成位置精度的成膜罩體之製造方法。
以往之成膜罩體之製造方法係於金屬板上形成具有複數貫通開口之第1光阻圖案，經由上述第1光阻圖案之貫通開口進行蝕刻處理來於上述金屬板形成貫通之複數開口圖案後，去除上述第1光阻圖案，再於上述金屬板上形成第2光阻圖案(具有複數第2貫通開口而可使得上述複數開口圖案之個別周圍既定寬度的金屬緣部能分別露出)，經由上述第2光阻圖案之第2貫通開口來進行蝕刻處理來形成上述複數貫通開口之個別周圍的罩體本體部、以及位於該罩體本體部周圍且相較於罩體本體部之厚度具有較大厚度之周緣部後，去除上述第2光阻圖案(例如參見日本特開2001-237072號公報)。
但是，如此之以往之成膜罩體之製造方法中，由於對金屬板進行濕式蝕刻處理而於該金屬板形成貫通之複數開口圖案，而會因為濕式蝕刻之等向性無法高精度地形成高精細之開口圖案。尤其，當為一邊長度是數10cm以上之大面積的例如有機EL顯示面板用成膜罩體之情況，會因為蝕刻不均的發生而無法均勻形成罩體全面之開口圖案。
是以，申請人提議了一種複合型成膜罩體，係使得樹脂製膜(對應於基板上所成膜之薄膜圖案而形成有和該薄膜圖案為相同形狀尺寸之開口圖案)和薄板狀磁性金屬構件(形成有內包開口圖案之貫通孔)加以密合而得者。
上述複合型成膜罩體係對於厚度10μm~30μm程度之薄樹脂製膜進行雷射加工形成開口圖案者，可高精度地形成高精細之開口圖案，且即便是上 述大面積之成膜罩體也可於罩體全面均勻地形成開口圖案，此為優點所在。
於此情況，由於對於膜進行雷射加工來形成開口圖案，一旦開口圖案貫通膜，則包括成膜罩體之雷射加工部之周邊部分會因為雷射光L之照射能量所致衝撃而浮起，該部分之位置恐會偏移。從而，若一邊使得載置成膜罩體之平台與雷射照射光學系統保持一定間隔做相對性步進移動、一邊形成複數開口圖案之情況，各開口圖案之形成位置恐會偏移。
是以，本發明為了解決如此之問題點，其目的在於提供一種成膜罩體之製造方法，用以提高複數開口圖案之形成位置精度。
為了達成上述目的，本發明之複合型成膜罩體之製造方法，係將對應於基板上所成膜之薄膜圖案而形成有和該薄膜圖案為相同形狀尺寸之開口圖案的樹脂製膜、形成有大小可內包該開口圖案之貫通孔的薄板狀磁性金屬構件加以密合者；其特徵在於，包含下述階段：形成由形成了該貫通孔之該磁性金屬構件與形成該開口圖案前之樹脂製膜所密合而成之構造的罩體用構件之階段；對該罩體用構件之該貫通孔內的該膜照射雷射光以形成具有一定形狀、一定深度之標記的階段；以及，以該標記為基準而對事先決定之位置照射雷射光以形成貫通該膜之該開口圖案之階段。
依據本發明，由於事前使得成為開口圖案之形成目標的標記以淺深度形成於膜上，故上述標記可在不受到雷射加工之衝撃所致影響的情況下以高位置精度來形成。再者，開口圖案之形成即便在因雷射加工之衝撃而發生標記之位偏的情況，也可藉由攝像裝置來檢測上述標記同時校正標記之位偏而形成開口圖案，而可提高開口圖案之形成位置精度。
1‧‧‧XY平台
2‧‧‧雷射裝置
3‧‧‧對物透鏡
4‧‧‧罩體
4A‧‧‧第1罩體
4B‧‧‧第2罩體
5‧‧‧攝像裝置
6‧‧‧照明裝置
7‧‧‧罩體用構件
8‧‧‧第1雷射干渉計
9‧‧‧基準基板
10‧‧‧成像透鏡
11‧‧‧第2雷射干渉計
12‧‧‧半透鏡
13‧‧‧半透鏡
14‧‧‧貫通孔
15‧‧‧磁性金屬構件
16‧‧‧開口圖案
17‧‧‧膜
18‧‧‧罩體側對準標記
19‧‧‧磁性金屬片
19a‧‧‧磁性金屬片之一面
19b‧‧‧磁性金屬片之另一面
20‧‧‧開口
21‧‧‧光阻罩體
22‧‧‧基準標記
23‧‧‧標記
24‧‧‧開口
25‧‧‧框體
25a‧‧‧端面
26‧‧‧對準標記用貫通孔
圖1係顯示本發明之成膜罩體之製造方法所使用之雷射加工裝置之實施形態的前視圖。
圖2係顯示本發明之方法所製造之成膜罩體之一構成例之圖，圖2(a)為俯視圖，圖2(b)為圖2(a)之O-O線剖面箭頭方向圖。
圖3(a)~(c)係顯示本發明之成膜罩體之製造方法之前製程之說明圖。
圖4(a)~(c)係顯示本發明之成膜罩體之製造方法之中間製程之說明圖。
圖5(a)~(b)係顯示本發明之成膜罩體之製造方法之後製程之說明圖。
圖6係以本發明之方法所製造之成膜罩體之變形例。
圖7係以本發明之方法所製造之成膜罩體之又一變形例之圖，圖7(a)為俯視圖，圖7(b)為剖面圖。
以下，基於所附圖式來詳細說明本發明之實施形態。圖1係顯示本發明之成膜罩體之製造方法所使用之雷射加工裝置之實施形態的前視圖。此雷射加工裝置係用以於樹脂製膜上形成對應於基板上所成膜之薄膜圖案而和該薄膜圖案具有相同形狀尺寸之開口圖案者，具備有：XY平台1、雷射裝置2、對物透鏡3、罩體4、攝像裝置5、以及照明裝置6。
上述XY平台1係載置罩體用構件7(乃使得形成有可內包開口圖案之大小的貫通孔之磁性金屬構件與穿透可見光之樹脂製膜相密合而得者)而在XY方向上步進移動，具備有用以測量其於X、Y方向之移動距離的第1雷射干渉計8。
詳細來說，上述XY平台1係使得在基準基板9(事先形成了成為用以形成上述開口圖案之基準的基準標記)上被定位載置之罩體用構件7來和基準基板9以一體方式步進移動者。
於上述XY平台1之上方配置有雷射裝置2。此雷射裝置2用以照射波長為400nm以下之例如KrF248nm之準分子雷射、YAG雷射之第3高次諧波或是第4高次諧波而被整形為正交於光軸之剖面形狀和薄膜圖案為相同形狀尺寸之能量密度為1J/cm2~20J/cm2的雷射光L以對於膜進行剝蝕，而形成開口圖案。此外，包含有將雷射光束之尺寸擴張至既定大小的擴束器。
於上述雷射光L之光路上係對向於上述XY平台1設有對物透鏡3。此對物透鏡3用以將雷射光L聚光於膜上以對膜進行雷射加工者，設置成可沿著光軸來上下移動，其與成像透鏡10協同動作將後述罩體4之貫通開口的像縮小投影於膜上，而將上述基準基板9之基準標記以及成為膜上所形成之開口圖案之形成目標的後述標記成像於後述攝像裝置5之受光元件面 上。此外，於上述對物透鏡3裝設有第2雷射干渉計11，可基於使得對物透鏡3上下移動之驅動機構的機械精度來檢測對物透鏡3在XY方向之位偏量。
在上述雷射光L之光路上於上述雷射裝置2與對物透鏡3之間以可裝卸方式設有罩體4。此罩體4係由第1罩體4A(形成有和打算形成於膜上之開口圖案為相似形之第1貫通開口)與第2罩體4B(形成有用以形成成為上述開口圖案之形成目標的標記而和該標記為相似形之第2貫通開口)所構成。此外，上述第1貫通開口與第2貫通開口亦可於同一罩體4上相互離開之位置處形成，而使得罩體4在XY平面上滑動於平行面內來切換使用第1貫通開口與第2貫通開口。
從上述對物透鏡3通過成像透鏡10朝上述罩體4之光路被半透鏡12所分歧之光路上設有攝像裝置5。此攝像裝置5係用以檢測於上述基準基板9上所設基準標記以及形成於膜之標記，為二維CCD攝像機。此外，對物透鏡3之成像位置與攝像裝置5之受光面以及罩體4配置成為共軛關係。
從上述對物透鏡3往上述成像透鏡10之光路被半透鏡13所分歧之光路上設有照明裝置6。此照明裝置6係將設於上述基準基板9之基準標記以及形成於膜之標記加以照明而利用攝像裝置5來檢測上述基準標記以及標記者，例如為鹵素燈等白色光源。
其次，針對使用此方式所構成之雷射加工裝置來製造本發明之成膜罩體的方法來說明。
首先，針對形成罩體用構件7(係形成有貫通孔之磁性金屬構件與形成開口圖案前之樹脂製膜所密合而成之構造)之階段做說明。此外，此處所製造之成膜罩體係針對圖2所示般具有使得磁性金屬構件15(對應於打算形成在基板上之複數薄膜圖案而和該薄膜圖案以相同排列間距使得形狀尺寸較薄膜圖案來得大之矩形狀貫通孔14形成為矩陣狀)與膜17(對應於複數薄膜圖案而以和該薄膜圖案為相同排列間距使得形狀尺寸相同於薄膜圖案之開口圖案16形成為矩陣狀)相密合而成構造之情況來說明。此外，該圖中，符號18係表示罩體側對準標記。
圖3係顯示罩體用構件7之形成階段之說明圖。
首先，如圖3(a)所示般，將例如鎳、鎳合金、殷鋼或是殷鋼合金等所構成之厚度30μm~50μm程度之磁性金屬材料之磁性金屬片19配合成膜對象之基板表面積加以切割，而於該磁性金屬片19之一面19a塗布例如聚醯亞胺或是聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等之樹脂液，使其乾燥形成厚度10μm~30μm程度之可穿透可見光之膜17。
其次，如圖3(b)所示般，於磁性金屬片19之另一面19b例如噴塗光阻後，使其乾燥形成光阻膜，其次，使用光罩對光阻膜進行曝光後再顯影而於對應於複數薄膜圖案之位置處形成光阻罩體21(具有形狀尺寸較該薄膜圖案來得大之複數開口20)。
接著，如圖3(c)所示般，使用上述光阻罩體21對磁性金屬片19進行濕式蝕刻，將和光阻罩體21之開口20相對應之部分的磁性金屬片19去除來形成貫通孔14而形成磁性金屬構件15後，將光阻罩體21以例如有機溶劑來溶解去除。藉此，形成由磁性金屬構件15與樹脂製膜17所密合而成之罩體用構件7。此外，用以蝕刻磁性金屬片19之蝕刻液係因應於所使用之磁性金屬片19之材料來適宜選擇，可適用公知之技術。
此外，蝕刻磁性金屬片19來形成貫通孔14之際，亦可在複數貫通孔14之形成區域外預定位置處來同時形成罩體側對準標記18(用以對於事先設置於基板之基板側對準標記進行對位)。於此情況，於形成光阻罩體21之際，只要在對應於罩體側對準標記18之位置處設置對準標記用開口即可。
其次，針對在罩體用構件7之貫通孔14內的膜17照射雷射光L來形成具有一定形狀、一定深度之標記的階段做說明。
圖4係顯示成為開口圖案之形成目標之標記形成階段之說明圖。
首先，如圖4(a)所示般，在透明基板之一面9a形成有基準標記22之基準基板9的另一面9b來使得罩體用構件7之膜17面密合而一體化。此時，一邊以顯微鏡觀察磁性金屬構件15之罩體側對準標記18與事先設置於基準基板9之基板側對準標記、一邊以兩標記成為一定位置關係的方式(例如兩標記之中心成為一致)進行對位。
其次，經過一體化之上述罩體用構件7以及基準基板9係以基準基板9成為平台側的方式載置於XY平台1上。此外，照明裝置6亮燈使得包含 對物透鏡3之成像位置之附近區域受到照明，同時，啟動攝像裝置5來取得對物透鏡3之成像位置之像。
接著，使得XY平台1在XY方向上移動，使得位於圖2(a)所示磁性金屬構件15之例如左上端角落部處的貫通孔14定位於對物透鏡3之下側。然後，一邊利用攝像裝置5進行觀察、一邊使得對物透鏡3上下移動而以基準基板9之基準標記22像成為鮮明的方式進行對物透鏡3之聚焦調整後，處理基準標記22之畫像以基準標記22之中心和對物透鏡3之視野中心成為一致的方式對XY平台1進行微動調整。此時，在雷射加工裝置之罩體4方面係安裝第2罩體4B，第2貫通開口之中心則和雷射加工裝置之光學系統的光軸成為一致。
一旦結束了基準標記22之檢測，乃上升對物透鏡3，使得對物透鏡3之聚焦點定位於膜17表面。此時，以第2雷射干渉計11測量對物透鏡3在XY方向之位偏量。然後，一邊以第1雷射干渉計8測量平台之移動量、一邊校正對物透鏡3之位偏量而對XY平台1進行微動調整。
其次，啟動雷射裝置2來發射雷射光L而照射第2罩體4B。射出於第2罩體4B之雷射光L係藉由第2罩體4B之第2貫通開口使其和光軸交叉之剖面形狀被整形為與成為開口圖案16之形成目標的標記外形為相似形，通過成像透鏡10以及對物透鏡3而聚光於膜17上。藉此，上述第2貫通開口藉由成像透鏡10以及對物透鏡3而被縮小投影於膜17上，如圖4(b)所示般，在對應於上述基準標記22之膜17部分形成上述標記23。於此情況，當以雷射光L之複數射擊(shot)(例如25射擊)來形成開口圖案16之時，標記23之形成係以少於該射擊次數之例如2射擊來形成。藉此，於膜17處形成成為上述標記23之深度淺的凹部(傷痕)。
此外，當開口圖案16係以雷射光L之1射擊來形成之時，上述標記23只要以較用以形成開口圖案16之雷射光L的照射能量來得小之照射能量來形成即可。
之後，基於打算形成之複數開口圖案16的排列設計值，使得XY平台1從加工開始位置往XY方向(例如和圖4(b)之箭頭為相反方向)來步進移動，而如圖4(c)所示般在磁性金屬構件15之各貫通孔14內的既定位置處形 成上述標記23。此外，一旦結束所有的標記23之形成，則XY平台1回到加工開始位置。
其次，針對貫通膜17之開口圖案16的雷射加工階段來說明。
圖5係顯示開口圖案16之雷射加工階段之說明圖。
首先，雷射加工裝置之第2罩體4B被第1罩體4A所取代，使得第1罩體4A之第1貫通開口的中心和雷射加工裝置之光學系統之光軸成為一致。
接著，以攝像裝置5來檢測加工開始位置之標記23，以標記23之中心和對物透鏡3之視野中心成為一致的方式使得XY平台1進行微動調整。結束後，啟動雷射裝置2來發射出用以形成開口圖案16之例如25射擊之雷射光L。雷射光L係藉由第1罩體4A之第1貫通開口來使其和光軸交叉之剖面形狀被整形成為與開口圖案16相似的形狀，並以成像透鏡10以及對物透鏡3來縮小投影於膜17上。藉此，如圖5(a)所示般，最初之開口圖案16係貫通膜17而形成於和上述標記23對應之膜17部分處。
一旦結束了最初之開口圖案16之形成，乃使得XY平台1以和開口圖案16之排列間距(設計值)為相同距離地朝圖5(b)所示箭頭之相反方向來步進移動，讓對物透鏡3定位於和加工開始位置之標記23相鄰接之旁邊的標記23上方處。於此情況，有時候罩體用構件7會因為最初之開口圖案16之雷射加工所致衝撃而造成部分性上浮而出現標記23之位偏。是以，本發明中，對第2個開口圖案16進行雷射加工之前，係對於在膜17所形成之第2個標記23以攝像裝置5來攝影並檢測，以標記23之中心和對物透鏡3之視野中心成為一致的方式將XY平台1之位置加以微調整。
若以上述方式來校正標記23之位偏，則啟動雷射裝置2使得複數射擊之雷射光L照射於上述標記23上，如圖5(b)所示般第2個開口圖案16受到雷射加工。
之後，使得XY平台1朝XY方向(例如圖5(b)之箭頭的相反方向)步進移動，每當此時，利用攝像裝置5進行標記23之檢測以及標記23之位偏校正後乃照射雷射光L，對各開口圖案16進行雷射加工。藉此，即便罩體用構件7因開口圖案16之雷射加工所致衝撃而部分性上浮出現位偏之情 況，也可對於開口圖案16之形成目標亦即標記23上正確地照射雷射光L而形成開口圖案16，可提高開口圖案16之形成位置精度。
此外，以上說明中，雖針對在磁性金屬構件15之各貫通孔14內分別形成一個個的開口圖案16之情況做了描述，但本發明不限於此，亦可於貫通孔14內形成複數開口圖案16。
圖6係以本發明之方法所製造之成膜罩體之變形例。
此成膜罩體之設置於磁性金屬構件15的貫通孔14具有可內包複數開口圖案16的大小，複數開口圖案16於上述貫通孔14內係以標記23為中心而形成於事先決定之位置處。
如此之成膜罩體能以以下之方式來製造。
首先，準備第1罩體4A(以和雷射加工裝置之光學系統的光軸成為一致之位置為中心所事先決定之位置處設有複數第1貫通開口)與第2罩體4B(以中心和上述光軸成為一致的方式設有第2貫通開口)。
其次，使用上述第2罩體4B，和前述同樣地，一邊使得XY平台1在XY方向上步進移動事先決定之距離、一邊於罩體用構件7之膜17形成深度淺的複數標記23。
接著，第2罩體4B取代為第1罩體4A，以攝像裝置5來攝影上述標記23，並以校正標記23之位偏的方式對XY平台1進行微動調整使得標記23之中心和對物透鏡3之視野中心成為一致。
之後，照射雷射光L以上述標記23為中心在事先決定之位置同時形成複數開口圖案16(圖6中，由虛線所包圍之例如6個開口圖案16)。此外，和上述同樣地，使得XY平台1朝XY方向步進移動，每當此時，以攝像裝置5進行標記23之檢測以及標記23之位偏校正後照射雷射光L，將複數開口圖案16加以雷射加工。
於此情況，由於以事前形成有複數開口圖案16之標記23為基準來加工，而可高位置精度地形成複數開口圖案16。
於以上說明中，針對成膜罩體以磁性金屬構件15與膜17所構成之情況做了描述，但本發明不限定於此，成膜罩體亦可如圖7所示般將框狀框體25(具有開口24，其大小可將磁性金屬構件15之複數貫通孔14以及和該貫通孔14同時形成之對準標記用貫通孔26加以內包)之一端面25a接合於 磁性金屬構件15之膜17密合側的相反側的周緣部處。於此情況，較佳為將去除了膜17之周緣部的罩體用構件7張設於框體25而將磁性金屬構件15與框體25做點焊接後，進行雷射加工來形成上述標記23，並以該標記23為基準，於貫通孔14內形成開口圖案16，而於對準標記用貫通孔26內形成罩體側對準標記18。藉此，可防止當罩體用構件7張設於框體25之際，罩體用構件7延伸導致開口圖案16以及罩體側對準標記18之位偏。此外，標記23以及開口圖案16之形成也可一邊使得XY平台1做步進移動、一邊在X方向或是Y方向上依序進行，也可朝XY之鋸齒狀進行。
7‧‧‧罩體用構件
14‧‧‧貫通孔
15‧‧‧磁性金屬構件
17‧‧‧膜
19‧‧‧磁性金屬片
19a‧‧‧磁性金屬片之一面
19b‧‧‧磁性金屬片之另一面
20‧‧‧開口
21‧‧‧光阻罩體

Claims (8)

  1. 一種複合型成膜罩體之製造方法，係將對應於基板上所成膜之薄膜圖案而形成有和該薄膜圖案為相同形狀尺寸之開口圖案的樹脂製膜、形成有大小可內包該開口圖案之貫通孔的薄板狀磁性金屬構件加以密合者；其特徵在於，包含下述階段：形成由形成了該貫通孔之該磁性金屬構件與形成該開口圖案前之樹脂製膜所密合而成之構造的罩體用構件之階段；對該罩體用構件之該貫通孔內的該膜照射雷射光以形成具有一定形狀、一定深度之標記的階段；以及以該標記為基準而對事先決定之位置照射雷射光以形成貫通該膜之該開口圖案之階段。
  2. 如申請專利範圍第1項之成膜罩體之製造方法，其中該磁性金屬構件具備有以橋接方式分離而並排為一列且以一定排列間距形成複數列之複數該貫通孔；於該各貫通孔內分別形成各一個該開口圖案。
  3. 如申請專利範圍第1項之成膜罩體之製造方法，其中於該貫通孔內形成複數該開口圖案。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之成膜罩體之製造方法，其中該標記係以較用以形成該開口圖案之雷射光的照射射擊次數來得少之射擊次數所形成。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之成膜罩體之製造方法，其中該標記係以較用以形成該開口圖案之雷射光的照射能量來得小之照射能量所形成。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之成膜罩體之製造方法，其中於形成該罩體用構件之階段與形成該標記之階段之間包含下述階段：將所具有之開口大小可內包該磁性金屬構件之該貫通孔的框狀框體之一端面接合於該磁性金屬構件之該膜密合側的相反側之周緣部處。
  7. 如申請專利範圍第4項之成膜罩體之製造方法，其中於形成該罩體用構件之階段與形成該標記之階段之間包含下述階段：將所具有之開口 大小可內包該磁性金屬構件之該貫通孔的框狀框體之一端面接合於該磁性金屬構件之該膜密合側的相反側之周緣部處。
  8. 如申請專利範圍第5項之成膜罩體之製造方法，其中於形成該罩體用構件之階段與形成該標記之階段之間包含下述階段：將所具有之開口大小可內包該磁性金屬構件之該貫通孔的框狀框體之一端面接合於該磁性金屬構件之該膜密合側的相反側之周緣部處。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014157068A1 (ja) * 2013-03-26 2014-10-02 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
JP6035548B2 (ja) * 2013-04-11 2016-11-30 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク
JP6168944B2 (ja) * 2013-09-20 2017-07-26 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク
WO2015186632A1 (ja) * 2014-06-06 2015-12-10 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、及び有機半導体素子の製造方法
CN110306156A (zh) * 2014-06-06 2019-10-08 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模及其前体、以及有机半导体元件的制造方法
JP6424521B2 (ja) * 2014-09-03 2018-11-21 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
JP6394879B2 (ja) * 2014-09-30 2018-09-26 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
WO2017006821A1 (ja) * 2015-07-03 2017-01-12 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク準備体、有機半導体素子の製造方法、有機ｅｌディスプレイの製造方法、及び蒸着マスク
CN105154822A (zh) * 2015-08-22 2015-12-16 昆山允升吉光电科技有限公司 一种小开口蒸镀用掩模板
KR102557891B1 (ko) * 2015-10-16 2023-07-21 삼성디스플레이 주식회사 마스크의 제조 방법
CN108495947B (zh) * 2016-01-26 2020-09-08 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀掩模、其制造方法以及使用该蒸镀掩模的有机发光二极管的制造方法
CN108779549B (zh) * 2016-03-18 2021-04-06 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀遮罩、蒸镀遮罩的制造方法及有机半导体元件的制造方法
WO2017168773A1 (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、蒸着方法および有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP6891449B2 (ja) * 2016-10-27 2021-06-18 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク準備体、有機半導体素子の製造方法、及び有機ｅｌディスプレイの製造方法
WO2019014947A1 (zh) * 2017-07-21 2019-01-24 深圳市柔宇科技有限公司 掩膜板的制造方法和掩膜板
CN109097727A (zh) * 2018-08-01 2018-12-28 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版及其制作方法以及显示装置
KR102655323B1 (ko) * 2018-10-24 2024-04-08 삼성디스플레이 주식회사 마스크 수리 장치 및 마스크 수리 방법
KR20200055871A (ko) 2018-11-13 2020-05-22 삼성디스플레이 주식회사 기판 식각 방법
EP3736110A1 (en) * 2019-05-09 2020-11-11 LayerWise NV System for aligning laser system to a carrier plate
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法
KR20220004893A (ko) * 2020-07-03 2022-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN112376016B (zh) * 2020-11-24 2022-08-02 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 蒸镀掩膜板组件及其制作方法
KR102406220B1 (ko) * 2021-12-30 2022-06-08 풍원정밀(주) Ldi 방식을 이용한 oled 증착용 메탈 마스크 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004190057A (ja) * 2002-12-09 2004-07-08 Nippon Filcon Co Ltd パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法
JP2008024956A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Ulvac Japan Ltd アライメント装置及びアライメント方法
TW201243523A (en) * 2011-04-14 2012-11-01 Ushio Electric Inc Alignment method for mask and work-piece

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0796382A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Mitsui Petrochem Ind Ltd レーザ加工装置
JPH09143677A (ja) * 1995-11-20 1997-06-03 Toppan Printing Co Ltd 透明導電膜の形成方法
JP3523952B2 (ja) * 1995-12-26 2004-04-26 日東電工株式会社 ポリイミド−金属箔複合フィルム
JP3348283B2 (ja) * 2000-01-28 2002-11-20 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工用マスク並びにその製造方法
JP2001237072A (ja) 2000-02-24 2001-08-31 Tohoku Pioneer Corp メタルマスク及びその製造方法
KR100700839B1 (ko) * 2005-01-05 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 수직증착용 섀도우마스크 패턴 제조방법
US20070000884A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Salama Islam A Pattern ablation using laser patterning
KR100937767B1 (ko) * 2007-07-30 2010-01-20 주식회사 코윈디에스티 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치 및 그 방법
US8729426B2 (en) 2008-12-13 2014-05-20 M-Solv Ltd. Method and apparatus for laser machining relatively narrow and relatively wide structures
JP2012077328A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Mitsubishi Plastics Inc 蒸着用マスク、その製造方法及び蒸着方法
WO2013039196A1 (ja) * 2011-09-16 2013-03-21 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び薄膜パターン形成方法
JP5935179B2 (ja) * 2011-12-13 2016-06-15 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
CN102492920A (zh) * 2011-12-21 2012-06-13 信利半导体有限公司 一种制作掩膜板的方法和掩膜板
TWI461098B (zh) * 2012-01-12 2014-11-11 Dainippon Printing Co Ltd A method of manufacturing a vapor deposition mask, and a method of manufacturing an organic semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004190057A (ja) * 2002-12-09 2004-07-08 Nippon Filcon Co Ltd パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法
JP2008024956A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Ulvac Japan Ltd アライメント装置及びアライメント方法
TW201243523A (en) * 2011-04-14 2012-11-01 Ushio Electric Inc Alignment method for mask and work-piece

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