CN108495947B - 蒸镀掩模、其制造方法以及使用该蒸镀掩模的有机发光二极管的制造方法 - Google Patents

蒸镀掩模、其制造方法以及使用该蒸镀掩模的有机发光二极管的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种用于在基板上形成薄膜图案所使用的蒸镀掩模，其能够防止因保持部件而引起的蒸镀物质未附着的阴的部分(蒸镀阴影)的产生，并且能够形成更高精细的薄膜图案，在隔着被保持在基板保持器的基板的状态下，能够通过磁力以与透明基板的表面密合的方式被强固地吸引保持。蒸镀掩模(1)为由与树脂薄膜层(2)的单体或树脂薄膜层(2)和大致矩形的薄板状框体的保持部件(7)来构成，以使在形成有多个贯通开口(3)的树脂薄膜层(2)上含有磁性体金属粉末(4)。在具有保持部件(7)的情况下，在保持部件(7)在树脂薄膜层(2)中形成有：包含形成多个贯通开口(3)的部分的单一的矩形开口(8)。

Description

蒸镀掩模、其制造方法以及使用该蒸镀掩模的有机发光二极 管的制造方法
技术领域
本发明是涉及一种在制造例如有机发光二极管(OLED：Organic Light EmittingDiode)中所使用的蒸镀掩模、其制造方法、以及使用该蒸镀掩模的有机发光二极管的制造方法。
背景技术
有机发光二极管的所谓被称为底部发光(bottom emission)型的结构是通过在玻璃板、透明的塑料板等的透明基板上层叠透明电极(阳极)、空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、金属电极(阴极)等所构成。此外，顶部发光(top emission)型则是通过在玻璃板以外的其他的形成茶褐色的聚酰亚胺薄膜等的不一定要透明的基板上层叠反射电极(阳极)、空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、半透明的极薄的金属电极(阴极)等所构成。根据工业上用于制造有机发光二极管的蒸镀，一般的底部发光型的有机发光二极管的制造装置包括：在真空室(chamber)内，将被蒸镀面上形成有透明电极的透明基板保持为使该被蒸镀面朝下的基板保持器(holder)；使基板保持器或蒸镀源在指定方向以一定速度旋转或平行移动的驱动机构；以及在真空室的下部中，以与基板保持器所保持的透明基板的被蒸镀面相对的方式所设置的多个点状或线状的蒸镀源等。多个蒸镀源收容有分别用于形成上述的空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、金属电极等的蒸镀物质。
在真空室的内部备有为使蒸镀上述的各层材料而与各层图样对应的蒸镀掩模，并在形成各层时，交换与该层对应的蒸镀掩模。此外，在不使用滤色器的全色彩(full color)有机发光二极管的情况下，为了蒸镀与R(红)、G(绿)、B(蓝)的各种颜色对应的发光层，则准备具有对应于各种颜色的图案的开口的蒸镀掩模，并在形成各种颜色的发光层时交换与该颜色对应的蒸镀掩模。蒸镀掩模需要以与被基板保持器所保持的透明基板的被蒸镀面密合的方式来进行安装，特别是一般的现有的蒸镀掩模为形成有规定图案的开口的金属掩模，因而可通过在基板保持器的里侧，即在与被基板保持器保持的透明基板相反的侧上设置的磁铁的磁力，来吸引保持以使与透明基板的被蒸镀面密合。
例如，专利文献1中记载的现有的蒸镀掩模110为了一边维持蒸镀掩模的强度一边更精细地形成开口部，则具备如图6所示的具有多个贯通开口113的掩模本体部111、以及具有比掩模本体部的厚度更大的厚度、并且具有比上述的贯通开口113更大的有底开口114的周缘部112。蒸镀掩模110在金属板上形成与多个贯通开口113相同的大小以及具有配置图案的第1抗蚀剂图案，经由第1抗蚀剂图案的贯通开口来进行蚀刻处理，在金属板上形成多个贯通开口113，除去第1抗蚀剂图案，而在金属板上形成具有用于使多个贯通开口113的周边的指定宽度的金属缘部分别露出的多个第2贯通开口的第2抗蚀剂图案，经由第2抗蚀剂图案的第2贯通开口来进行蚀刻处理，并通过在多个贯通开口113的周边形成有底开口114来制造。然而，蚀刻这样的金属板蚀刻而形成的蒸镀掩模110，由于发生例如蚀刻不均而不能够在整个蒸镀掩模110的均匀地形成贯通开口113，以致难以制造出与超过例如300ppi之类的高精细的薄膜图案对应的蒸镀掩模。此外，由于蒸镀物质为从蒸镀源呈辐射状飞散，因此通过贯通开口113及有底开口114的边缘的部分来形成蒸镀物质未附着的阴的部分，即内阴影115。通过使基板保持器旋转或平行移动，而使得最初为阴而无蒸镀物质附着的部分也能够附着蒸镀物质，然而在被蒸镀面所附着的蒸镀物质的厚度不均匀。
另一方面，为了解决通过蚀刻所制造的蒸镀掩模的问题点，如图7所示，专利文献2所记载的现有的复合型的蒸镀掩模120是通过层叠形成有多个贯通开口123的树脂薄膜层121、以及由形成有用于保持树脂薄膜层121的多个贯通开口124的金属薄板构成的保持部件122来形成的。该蒸镀掩模120通过对磁性体金属板预先实施蚀刻等，而在保持部件122上形成比在透明基板上所形成的薄膜图案更大的多个贯通开口124，接着将树脂薄膜层121接合在保持部件122的一面上，并经由贯通开口124将激光照射在树脂薄膜层121上，进而形成与所述薄膜图案对应的贯通开口123。由于该蒸镀掩模120是将激光照射在树脂薄膜层121上来形成贯通开口123，因此能够具有比蚀刻金属板而形成的蒸镀掩模110更高精细的薄膜图案。然而，当进一步地形成更高精细的薄膜图案时，需要具有在保持部件122所形成的贯通开口124的位置精度，由于在树脂薄膜层121所形成的贯通开口123间的位置偏离，因而将会有导致内阴影扩大、内阴影的形成为不均匀等的可能性。
此外，该现有的复合型的蒸镀掩模120，在玻璃基板等的表面涂布热固化性树脂经烧制而形成树脂薄膜层121之后，一旦剥除树脂薄膜层121就接合于保持部件122的一面上。然后，为了通过激光来形成贯通开口123，因此再度在玻璃基板的表面喷洒涂布乙醇等的醇类,但由于醇类的表面张力而使蒸镀掩模120的树脂薄膜层121密合于玻璃基板的表面，因而难以不使气泡产生就将树脂薄膜层121贴附在玻璃基板的表面上。此处，在将激光照射在树脂薄膜层121而使树脂材料升华至深度方向的情况下，则依赖于能量的面内分布而定，贯通树脂薄膜层121的速度也产生分布。当考虑1个贯通开口时，在4边的周缘中会存在有早切割的边与晚切割的边。在那时，当在玻璃基板与树脂薄膜层121之间存在着气泡时，则在因气泡形成的间隙部会以所述晚切割的边为基点而产生环绕的小片。该小片为所谓的称为毛边的物体。因而，在现有的蒸镀掩模120中有在通过照射激光而形成的贯通开口123的周围产生毛边的可能性。一般而言，当毛边朝向开口部时，毛边成为屏障并引起内阴影的形成原因，当不是朝向开口部时，由于在被蒸镀基板与蒸镀掩模之间产生了间隙，因而蒸镀物质就会附着在本来蒸镀物质不该附着的位置上而引起外阴影。在以下的说明中，将这些内阴影与外阴影的两者一起总称为“蒸镀阴影”。
此外，为了防止因在保持部件形成的开口的边缘部引起的蒸镀阴影的扩大，因而在专利文献3所记载的蒸镀掩模130中是通过将激光照射在如图8所示的由不含磁性材料的基础层131、含有磁性体粉末的磁性层132、以及保护层133层叠而成的树脂薄膜，来形成多个贯通开口134。由于该蒸镀掩模130不具备保持部件，因此比在专利文献1或专利文献2所记载的蒸镀掩模110或120更薄，因而能够使蒸镀阴影缩小，进而能够形成更高精细的薄膜图案。然而，由于磁性层132的厚度薄，因此在隔着被基板保持器所保持的透明基板的状态下，设置于基板保持器的磁铁的磁力的被吸引力弱，有蒸镀掩模130不能以与透明基板的表面密合的方式被吸引保持的可能性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2001-237072号公报
专利文献2：日本专利特开2013-124372号公报
专利文献3：日本专利特开2014-201819号公报
发明的公开
本发明是为了解决上述现有例的问题而完成的，其目的在于，提供一种用于在基板上形成薄膜图案所使用的蒸镀掩模中，可防止因保持部件而产生蒸镀阴影，并且能够形成更高精细的薄膜图案，进一步地，在隔着被基板保持器所保持的基板的状态下，能够通过磁力而以与基板的表面密合的方式，被强固地吸引保持的蒸镀掩模、其制造方法、以及使用该蒸镀掩模来制造有机发光二极管的制造方法。
为了达成上述目的，本发明涉及的蒸镀掩模为一种用于在基板上形成薄膜图案所使用的蒸镀掩模，其特征在于：包括形成有多个贯通开口且含有磁性体金属粉末的树脂薄膜层。
也可以包括：具有与所述树脂薄膜层的外形大致相同的外形，在所述树脂薄膜层中形成有包含形成所述多个贯通开口的部分的单一开口，并包括为被层叠于所述树脂薄膜层的框体的保持部件。
所述磁性体金属粉末也可以是经磁化的。
所述树脂薄膜层可以是聚酰亚胺树脂，所述磁性体金属粉末也可以是由铁、镍、铬、钴、钕、钐中所选出的任一种。
此外，本发明涉及的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，包括：
将以使磁性体金属粉末成为大致均匀的方式混合而成的热固化性树脂材料涂布于玻璃基板上的工序；
对在所述玻璃基板的被涂布面上的被涂布的热固化性树脂材料进行烧制而形成树脂薄膜层的工序；以及
在所述玻璃基板的被涂布面上形成的所述树脂薄膜层的上方配置激光加工用的掩模，一边使所述激光加工用的掩模相对于所述树脂薄膜层进行相对的逐步移动，一边照射激光而在所述树脂薄膜层的规定区域依次形成贯通开口的工序。
也可以进一步包括：在所述玻璃基板的被涂布面所形成的所述树脂薄膜层的所述规定区域的整个区域形成贯通开口后，从所述玻璃基板的玻璃面侧照射紫外线激光来烧切所述玻璃基板与所述树脂薄膜层的界面，进而从所述玻璃基板剥离所述树脂薄膜层的工序。
或者，也可以进一步包括：
在所述玻璃基板的被涂布面所形成的所述树脂薄膜层的所述规定区域的区域形成贯通开口后，再在所述玻璃基板的被涂布面所形成的所述树脂薄膜层的所述指定区域以外的区域，将保持部件层叠于所述树脂薄膜层上的工序；以及
从所述玻璃基板的玻璃面侧照射紫外线激光来烧切所述玻璃基板与所述树脂薄膜层的界面，进而从所述玻璃基板剥离所述树脂薄膜层的工序。
进一步地，还包括：在从玻璃基板的玻璃面侧照射所述紫外线激光的工序之前或之后，在设置有被包含于所述树脂薄膜层的磁性体金属粉末及所述保持部件的情况下，磁化所述保持部件的工序。
此外，本发明涉及的有机发光二极管的制造方法，其使用所述任一个的蒸镀掩模，所述制造方法的特征在于，包括：
在真空室内，将在被蒸镀面形成有阳极的基板保持于基板保持器以使所述被蒸镀面朝下的工序；
通过在与所述基板保持器的所述基板相反侧设置的磁铁的磁力，以与所述基板的被蒸镀面密合的方式来吸引保持所述蒸镀掩模的工序；
一边使设置在保持所述基板及所述蒸镀掩模的所述基板保持器、或所述真空室的下部的蒸镀源，在指定方向以一定速度旋转或平行移动，一边使蒸镀物质从所述蒸镀源蒸发的工序；
其中，一边交换所述蒸镀掩模及所述蒸镀物质，一边在所述基板的阳极上形成空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、及阴极。
或者，本发明涉及的有机发光二极管的制造方法，其使用通过所述任一者的蒸镀掩模的制造方法所制造的蒸镀掩模，所述制造方法的特征在于，包括：
在真空室内，将在被蒸镀面形成阳极的基板保持于基板保持器以使所述被蒸镀面朝下的工序；
通过在与所述基板保持器的所述基板呈相反侧设置的磁铁的磁力，以与所述基板的被蒸镀面密合的方式来吸引保持所述蒸镀掩模的工序；一边使设置在保持所述基板及所述蒸镀掩模的所述基板保持器、或所述真空室的下部的蒸镀源，在指定方向以一定速度旋转或平行移动，一边使蒸镀物质从所述蒸镀源蒸发的工序；
其中，一边交换所述蒸镀掩模及所述蒸镀物质，一边在所述基板的阳极上形成空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、及阴极。
本发明涉及的蒸镀掩模，由于在整个树脂薄膜层几乎均匀地含有磁性体金属粉末，因此与专利文献3所记载的现有的蒸镀掩模相比，即使是在隔着被基板保持器所保持的基板的状态下，在基板保持器所设置的磁铁的磁力所引起的被吸引力也更强的，因而蒸镀掩模能够与基板的表面密合并强固地被吸引保持。进一步地，在树脂薄膜层中，通过以包含形成多个贯通开口的部分的方式而由大致矩形的薄板状的框体的保持部件来保持树脂薄膜层，不但可防止发生因保持部件而导致的蒸镀阴影，而且也使蒸镀掩模的处理变得容易。进一步地，通过使磁性体金属粉末本身磁化，能够使因磁性引起的被吸引力增大。
此外，本发明涉及的蒸镀掩模的制造方法是在玻璃基板上涂布混杂有磁性体金属粉末的热固化性树脂材料，进一步地，烧制热固化性树脂材料并形成树脂薄膜层的状体，不必剥离树脂薄膜层而照射激光，并在树脂薄膜层的规定区域进行贯通开口。因此，假设在玻璃基板上涂布热固化性树脂材料的阶段，即使在热固化性树脂材料的内部存在气泡，气泡也在烧制工序中消失，因此在玻璃基板与树脂薄膜层的界面上不存在气泡。其结果，在将激光照射于树脂薄膜层而形成贯通开口时，即使贯通树脂薄膜层的速度也产生分布，在贯通开口的边缘也不会产生毛边。
此外，在制造有机发光二极管时，通过使用上述任一个蒸镀掩模，基本上可以不使用保持部件，通过在与基板保持器的基板相反侧所设置的磁铁的磁力，能够以与基板的被蒸镀面密合的方式来吸引保持蒸镀掩模。因此，能够减低因保持部件导致内阴影的产生。此外，由于磁性体金属粉末包含于树脂薄膜层，因此与具有磁性层的现有的蒸镀掩模相比，磁性吸附力更强，以致难以在基板的被蒸镀面与蒸镀掩模之间形成间隙，因而能够减低因该间隙而引起的外阴影。
如上所述，当毛边朝向开口部时，毛边成为屏障并引起内阴影的形成原因，当不是朝向开口部时，由于在被蒸镀基板与蒸镀掩模之间产生了间隙，因而引起外阴影。然而，在制造有机发光二极管时，通过使用于上述任一个的蒸镀掩模的制造方法所制造的在贯通开口的边缘没有毛边的蒸镀掩模，能够减低因毛边引起的内阴影与外阴影。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式涉及的蒸镀掩模的基本结构的剖面图。
图2的(a)是表示上述实施方式涉及的蒸镀掩模的变形例的结构的平面图；(b)是其A-A剖面图。
图3是表示使用一般的线-棒涂布式的涂布装置的树脂材料的涂布方法的图。
图4是表示通过激光在树脂薄膜层形成贯通开口的工序的图。
图5是表示上述实施方式涉及的蒸镀掩模的变形例，即表示磁化树脂薄膜层所含有的磁性体金属粉末等的工序的图。
图6是表示现有的蒸镀掩模的结构的剖面图。
图7是表示另一现有的蒸镀掩模的结构的剖面图。
图8是表示又一现有的蒸镀掩模的结构的剖面图。
具体实施方式
对本发明的一个实施方式涉及的蒸镀掩模、其制造方法、以及使用该蒸镀掩模的有机发光二极管的制造方法进行说明。图1表示本实施方式涉及的蒸镀掩模的基本结构。蒸镀掩模1是一种用于在基板上形成薄膜图案所使用的蒸镀掩模，其中在含有磁性体金属粉末4的树脂薄膜层2形成有多个贯通开口3。树脂薄膜层2是将以磁性体金属粉末4成为几乎均匀的方式混杂在例如聚酰亚胺树脂中而成的物体予以烧制而形成的。所完成的树脂薄膜的膜厚例如为5μm左右，磁性体金属粉末4的粒径为0.5μm左右。从根据贯通开口3的边缘，蒸镀阴影应尽可能地减小的观点来看，树脂薄膜层2的膜厚越薄越好。另一方面，从通过树脂薄膜层2的强度及磁力来吸引保持磁性体金属粉末4的观点来看，并不优选树脂薄膜层2的膜厚过薄。作为磁性体金属粉末4，可以使用例如铁、镍、铬、钴、钕、钐等。
图2表示将呈大致矩形的薄板状的框体的保持部件7层叠于蒸镀掩模1的周围的变形例的结构。该变形例涉及的蒸镀掩模1形成有多个贯通开口3，并包括：含有磁性体金属粉末4的树脂薄膜层2；和具有与树脂薄膜层2的外形大致相同的外形、且在树脂薄膜层2的中形成有包含形成多个贯通开口3的部分的单一的矩形开口8，以及为被层叠于树脂薄膜层2的框体的保持部件7。此处，在树脂薄膜层2中，将形成多个贯通开口3的部分称为“活性区域”5，将其以外的部分称为“非活性区域”6。保持部件7也可以由例如磁性金属薄板等来形成。
如上所述，树脂薄膜层2非常薄，因而将树脂薄膜层2以单体的原样来处理是困难的。另一方面，并不优选因保持部件7的开口而产生蒸镀阴影。因此，保持部件7具有与被蒸镀基板的被蒸镀面或树脂薄膜层2的外形大致相同的外形，在树脂薄膜层2中形成有包含形成多个贯通开口3的上述活性区域5的单一的矩形开口8，并在非活性区域6中被层叠于树脂薄膜层2。
接着，对本发明的一个实施方式涉及的蒸镀掩模的制造方法进行说明。图3表示使用一般称为线-棒涂布器的涂布装置12的树脂材料的涂布方法。涂布装置12包括例如与玻璃基板10的被涂布面平行地旋转的旋转轴13、以及与旋转轴13密合卷挠的线14，树脂材料11被供给至涂布装置12的上表面。被供给至涂布装置12的上表面的树脂材料11通过表面张力而被保持在相邻的线14间的凹部处；当旋转轴13旋转约半周时，被转印(涂布)到玻璃基板10的被涂布面。当被转印到玻璃基板10的被涂布面的树脂材料11从涂布装置12分离时，该中央部因表面张力而成为大致固定的厚度。树脂材料11为例如聚酰亚胺等的热固化性树脂；例如，可在400～500℃下以数小时来烧制。该期间，由于溶剂成分气化，因而所形成的树脂薄膜层2的膜厚依赖于溶剂浓度，被涂布在玻璃基板10的被涂布面的树脂材料11的膜厚成为例如1/2～1/3。因此，可以根据所期望的树脂薄膜层2的膜厚来调节涂布于玻璃基板10的被涂布面的树脂材料11的量与浓度。另外，树脂材料11的涂布方法并未限定于使用线-棒涂布机的方法，也可以使用狭缝涂布机或旋涂机等其他的涂布装置。
当在玻璃基板10的被涂布面形成树脂薄膜层2时，在该状态下，将激光照射于树脂薄膜层2而形成多个贯通开口3。图4表示通在树脂薄膜层2形成贯通开口3的工序。在树脂薄膜层2的上方配置激光加工用的掩模15，并照射经聚光透镜等聚集的激光16。激光加工用的掩模15在例如透明的石英玻璃上形成铬等的金属遮光层的膜，并通过蚀刻等对所述金属遮光层进行图案化并加工，并具有与在树脂薄膜层2所形成的贯通开口3的形状及配置图案相似的形状、且比其更大的激光加工用的开口17。激光加工用的掩模15的大小小于树脂薄膜层2的大小，一边使该激光加工用的掩模15及激光16相对于树脂薄膜层2而逐步地进行相对移动，一边在树脂薄膜层2的上述活性区域上依次形成贯通开口3。另外，假设在玻璃基板10的被涂布面上涂布树脂材料11的阶段，即使在树脂材料11的内部存在气泡，由于气泡在烧制工序中消失了，因此在玻璃基板10与树脂薄膜层2的界面间不存在气泡。其结果，在将激光照射于树脂薄膜层2而形成贯通开口3时，即使贯通树脂薄膜层2的速度也产生分布，在贯通开口3的边缘也不会产生毛边。
激光加工用的掩模15的大小为例如40mm×40mm。作为在树脂薄膜层2所形成的贯通开口3的大小，例如在5.5英寸的全高清视频(Full high-vision，每英寸的像素：400ppi)的情况下，贯通开口3为30μm×30μm的矩形。此外，在同样的5.5英寸的4K(800ppi)的情况下，贯通开口3则为15μm×15μm的矩形。此外，当聚光透镜的倍率为例如10倍时，激光加工用的掩模15的激光加工用的开口17的大小为例如150μm×150μm。用于在树脂薄膜层2形成贯通开口3所使用的激光为例如波长355nm、能量0.36J/cm2、60Hz(60脉冲/秒)，在关于1次的开口形成工序中，照射50～100发的这类的激光脉冲。在玻璃基板10上，当在树脂薄膜层2的活性区域5的整个区域形成贯通开口3时，接着从玻璃基板10的玻璃面侧照射使用波长短的准分子激光等的紫外线激光(未图示)，并烧切玻璃基板10与树脂薄膜层2的界面，使得从玻璃基板10剥除树脂薄膜层2变得容易。另外，在照射紫外线激光后，在从玻璃基板10剥离树脂薄膜层2之前，在树脂薄膜层2的活性区域5以外的部分，也可以将保持部件7层叠于树脂薄膜层2上。
接着，作为本实施方式涉及的蒸镀掩模1的其他的变形例，如图5所示，使用电磁铁装置20等，也可以在设置有在树脂薄膜层2所含有的磁性体金属粉末4及保持部件7的情况下，磁化该保持部件7。磁化方向是与蒸镀时所使用的基板保持器上所设置的磁铁的极性相同的极性的方向，这是不言而喻的。由此，即使在中间隔着基板的状态下，通过在基板保持器上所设置的磁铁的磁力也能够提高在基板的表面所吸引保持的被吸引力。另外，设置于基板保持器的磁铁优选为能够切换极性的电磁铁。在设置有该树脂薄膜层2所含有的磁性体金属粉末4及保持部件7的情况下，磁化该保持部件7的工序也可以是在从玻璃基板10的玻璃面侧照射紫外线激光的工序之前或之后中的任一者。
接着，说明使用了本发明涉及的蒸镀掩模的有机发光二极管的制造方法。在有机发光二极管的制造方法中所使用的装置本身(未图示)与以往来一般被广泛使用的装置相同。首先，与现有的相同，在真空室内，将在被蒸镀面形成的阳极的基板保持于基板保持器以使该被蒸镀面朝下。接着，通过在与基板保持器的基板相反侧设置的磁铁的磁力，以与基板的被蒸镀面密合的方式来吸引保持通过上述中任一者的蒸镀掩模1或蒸镀掩模的制造方法所制造的蒸镀掩模1。基本上，可以不使用保持部件7，通过在与基板保持器的基板相反侧设置的磁铁的磁力，以与基板的被蒸镀面密合的方式来吸引保持蒸镀掩模1。因此，能够减低因保持部件7导致蒸镀阴影的产生。此外，由于磁性体金属粉末大致均匀地包含于树脂薄膜层2，因此与具有磁性层的现有的蒸镀掩模相比，磁性吸附力更强，以致难以在基板的被蒸镀面与蒸镀掩模1之间形成间隙，因而能够减低因该间隙而引起的外阴影。此外，由于在蒸镀掩模1的贯通开口3的边缘不存在毛边，因而能够减低因毛边而引起的蒸镀阴影与膜的模糊不清。一边使设置于保持基板及蒸镀掩模1的基板保持器、或所述真空室的下部的蒸镀源，在指定方向以一定速度旋转或平行移动，一边使蒸镀物质从蒸镀源蒸发并在基板的被蒸镀面上形成根据蒸镀物质而定的薄膜图案。一边交换蒸镀掩模1及所述蒸镀物质，一边在基板的阳极上形成空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、及阴极。
如以上的说明，根据本发明涉及的蒸镀掩模1，通过在含有磁性体金属粉末4的树脂薄膜层2上形成多个贯通开口3，可以不必在贯通开口3的周围配置以金属板等的磁性体材料形成的保持部件，并且能够通过在蒸镀装置的基板保持器上所设置的磁铁的磁力来直接吸引保持树脂薄膜层2。因此，能够不会因在保持部件所形成的开口而形成蒸镀物质未附着的部分(蒸镀阴影)，因此能够通过使用该蒸镀掩模1而均匀地形成高精细的薄膜图案。此外，在树脂薄膜层2中形成多个贯通开口3的活性区域5以外的非活性区域6中，通过层叠为大致矩形的薄板状的框体的保持部件7，可使蒸镀掩模1的处理变成容易，并且能够提高蒸镀掩模1被蒸镀装置的磁铁的磁力所吸引的被吸引力。此外，在设置有磁性体金属粉末4及保持部件7的情况下，通过磁化该保持部件7，能够进一步地提高蒸镀掩模1被蒸镀装置的磁铁的磁力所吸引的被吸引力。
此外，根据本发明涉及的蒸镀掩模的制造方法，将混杂有磁性体金属粉末的热固化性树脂材料涂布于玻璃基板上，进一步地烧制热固化性树脂材料而形成树脂薄膜层的状体，由于可不必剥离树脂薄膜层来照射激光，而在树脂薄膜层的规定区域形成贯通开口，因此在树脂薄膜层2上照射激光来形成贯通开口3时，即使贯通树脂薄膜层2的速度产生分布，在贯通开口的边缘也不会产生毛边。
此外，在制造有机发光二极管时，通过使用本发明涉及的蒸镀掩模1，基本上可以不使用保持部件，通过在与基板保持器的基板相反侧所设置的磁铁的磁力，能够以与基板的被蒸镀面密合的方式来吸引保持蒸镀掩模1。因此，能够减低因保持部件导致蒸镀阴影的产生。此外，由于磁性体金属粉末4包含于树脂薄膜层2，因此与具有磁性层的现有的蒸镀掩模相比，磁性吸附力更强，以致难以在基板的被蒸镀面与蒸镀掩模1之间形成间隙，因而能够减低因该间隙而引起的外阴影。
此外，通过使用于本发明涉及的蒸镀掩模的制造方法所制造的在贯通开口的边缘没有毛边的蒸镀掩模1，能够减低因毛边引起的内阴影与外阴影。
附图标记说明
1 蒸镀掩模
2 树脂薄膜层
3 贯通开口
4 磁性体金属粉末
5 活性区域(形成多个贯通开口的部分)
6 非活性区域(蒸镀掩模的周围)
7 保持部件
8 矩形开口
10 玻璃基板
11 树脂材料
12 涂布装置
15 激光加工用的掩模
16 激光
17 激光加工用的开口
20 电磁铁装置

Claims (4)

1.一种蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，包括：
将以使磁性体金属粉末成为大致均匀的方式混合而成的热固化性树脂材料涂布于玻璃基板上的工序；
对在所述玻璃基板的被涂布面上的被涂布的热固化性树脂材料进行烧制而形成树脂薄膜层的工序；
在所述玻璃基板的被涂布面上形成的所述树脂薄膜层的上方配置激光加工用的掩模，一边使所述激光加工用的掩模相对于所述树脂薄膜层进行相对的逐步移动，一边照射激光而在所述树脂薄膜层的规定区域依次形成贯通开口的工序；以及
在所述玻璃基板的被涂布面所形成的所述树脂薄膜层的所述规定区域的整个区域形成贯通开口后，从所述玻璃基板的玻璃面侧照射紫外线激光来烧切所述玻璃基板与所述树脂薄膜层的界面，进而从所述玻璃基板剥离所述树脂薄膜层的工序。
2.根据权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，还包括：
在所述玻璃基板的被涂布面所形成的所述树脂薄膜层的所述规定区域的区域形成贯通开口后，再在所述玻璃基板的被涂布面所形成的所述树脂薄膜层的指定区域以外的区域，将保持部件层叠于所述树脂薄膜层上的工序；以及从所述玻璃基板的玻璃面侧照射紫外线激光来烧切所述玻璃基板与所述树脂薄膜层的界面，进而从所述玻璃基板剥离所述树脂薄膜层的工序。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，还包括：在从玻璃基板的玻璃面侧照射所述紫外线激光的工序之前或之后，在设置有被包含于所述树脂薄膜层的磁性体金属粉末及保持部件的情况下，磁化所述保持部件的工序。
4.一种有机发光二极管的制造方法，其使用通过根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的蒸镀掩模的制造方法所制造的蒸镀掩模，所述制造方法的特征在于，包括：
在真空室内，将在被蒸镀面形成阳极的基板保持于基板保持器以使所述被蒸镀面朝下的工序；
通过在与所述基板保持器的所述基板呈相反侧设置的磁铁的磁力，以与所述基板的被蒸镀面密合的方式来吸引保持所述蒸镀掩模的工序；及
一边使设置在保持所述基板及所述蒸镀掩模的所述基板保持器、或所述真空室的下部的蒸镀源，在指定方向以一定速度旋转或平行移动，一边使蒸镀物质从所述蒸镀源蒸发的工序，
其中，一边交换所述蒸镀掩模及所述蒸镀物质，一边在所述基板的阳极上形成空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、及阴极。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101439218B1 (ko) * 2012-01-12 2014-09-12 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크, 증착 마스크 장치의 제조 방법, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법
CN107170910A (zh) * 2017-05-25 2017-09-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制备方法、显示基板母板
CN111032902B (zh) * 2017-09-15 2021-03-02 凸版印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法、显示装置的制造方法及蒸镀掩模
KR102489336B1 (ko) * 2017-12-26 2023-01-19 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法
CN114086409B (zh) * 2020-08-24 2024-04-26 石狮市晓光服饰反光材料有限公司 一种反光布制备用涂布设备
CN113529014A (zh) * 2021-07-26 2021-10-22 合肥联顿恪智能科技有限公司 一种用于高解解析度的精细金属掩模版及其制作工艺
KR20230020035A (ko) * 2021-08-02 2023-02-10 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1633518A (zh) * 2002-02-14 2005-06-29 3M创新有限公司 电路制作用的孔眼掩模
CN101064354A (zh) * 2006-04-26 2007-10-31 鼎元光电科技股份有限公司 发光二极管蒸着膜图案形成的制法及装置
CN103168114A (zh) * 2010-10-19 2013-06-19 夏普株式会社 蒸镀装置、蒸镀方法和有机电致发光显示装置的制造方法
CN104797733A (zh) * 2012-11-15 2015-07-22 株式会社V技术 成膜掩模的制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05230618A (ja) 1992-02-25 1993-09-07 Kyowa Electron Instr Co Ltd 薄膜パターン形成用のマスクおよびそのマスクを用いた薄膜パターン形成方法
JPH0963834A (ja) 1995-08-25 1997-03-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd ペーパーホルダーおよびその製造方法とその製造方法に用いられる射出成形金型
JP3539229B2 (ja) * 1997-10-15 2004-07-07 東レ株式会社 有機電界発光装置の製造方法
JP2001237072A (ja) 2000-02-24 2001-08-31 Tohoku Pioneer Corp メタルマスク及びその製造方法
JP2005302457A (ja) 2004-04-09 2005-10-27 Toray Ind Inc 蒸着マスクおよびその製造方法並びに有機電界発光装置の製造方法
JP5958804B2 (ja) * 2012-03-30 2016-08-02 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP5935179B2 (ja) 2011-12-13 2016-06-15 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
JP6142388B2 (ja) 2013-04-09 2017-06-07 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
WO2016063810A1 (ja) * 2014-10-23 2016-04-28 シャープ株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、蒸着装置、蒸着方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1633518A (zh) * 2002-02-14 2005-06-29 3M创新有限公司 电路制作用的孔眼掩模
CN101064354A (zh) * 2006-04-26 2007-10-31 鼎元光电科技股份有限公司 发光二极管蒸着膜图案形成的制法及装置
CN103168114A (zh) * 2010-10-19 2013-06-19 夏普株式会社 蒸镀装置、蒸镀方法和有机电致发光显示装置的制造方法
CN104797733A (zh) * 2012-11-15 2015-07-22 株式会社V技术 成膜掩模的制造方法

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