TWI573253B - 具暴露感測器陣列之感測器封裝體及其製作方法 - Google Patents

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TWI573253B TW103119233A TW103119233A TWI573253B TW I573253 B TWI573253 B TW I573253B TW 103119233 A TW103119233 A TW 103119233A TW 103119233 A TW103119233 A TW 103119233A TW I573253 B TWI573253 B TW I573253B
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Description

具暴露感測器陣列之感測器封裝體及其製作方法 相關申請案
本申請案基於2013年6月3日提出申請的美國臨時申請案第61/830,563號及2013年6月5日提出申請的美國臨時申請案第61/831,397號主張優先權，該等優先權案的內容係併入本文中以供參考。
發明領域
本發明係關於例如影像感測器及化學感測器之微電子感測器裝置的封裝，且更特別地是關於使感測器處於受保護、電氣連接，但仍暴露的狀態。
半導體裝置的趨勢是較小的積體電路(IC)裝置(亦稱為晶片)，封裝成較小的封裝體(其保護晶片同時提供晶片外發訊連通性(off chip signaling connectivity))。一個例子是影像感測器，其為包括將入射光轉換成電子訊號之光檢測器的IC裝置。
影像感測器通常被封裝在保護感測器免於污損的封裝體內，且提供晶片外發訊連通性。然而，一個爭論點在於用於封裝光學感測器的透明基材能不利地影響通過 此基材且照射在感測器上的光線(例如失真及光子損失)。另一型態的感測器是檢測如氣體及化學物質之實體物質的化學感測器。然而，為了能操作，化學感測器無法密封而與環境隔絕，為了保護及晶片外發訊連通性，仍希望能封裝此類感測器。
傳統感測器封裝體係揭露於美國專利申請案公開案第2005/0104186號及第2005/0051859號，以及美國專利第6,627,864號。已揭露的感測器封裝體各自包括感測器晶片，例如矽元件、印刷電路板(PCB)或軟性印刷電路板(Flex-PCB)之主基板，用於感測器區域之窗開口，以及密封感測器區域的透明玻璃。可選地及經常地，此感測器區域充滿了透明的環氧樹脂以改善感測器管芯與主基板之間的鍵結強度，而此會犧牲至少一些光子感測器靈敏度。任擇地且通常於密封區域充填透明環氧樹脂，以改良感測器晶粒與主基板之間的結合強度，其犧牲至少部分光子感測器靈敏度。透明玻璃是為了保護感測器區域免遭污損及濕氣，同時有提供封裝體額外的基板強度及剛性。感測器晶片通常藉由覆晶或打線接合技術安裝於主基板上。如此允許感測器結合墊與主基板表面上的多個金屬跡線經由例如球柵陣列(BGA)之互連來連接。金屬跡線通常沉積在主基板表面上，其一般是由單一層電路組成。然而，以這些配置很難達到縮小尺寸及在裝配過程中防止感測器區域受到污染。
對於能提供感測器些許保護作用及晶片外發訊 連通性且仍使感測器暴露於欲檢測之處的改良封裝體及封裝技術，仍有需求。對於利用支撐主基板來改良附接及連接性架構亦有需求。
上述問題及需求係藉由經封裝的感測器總成來解決，該總成包括具有相對第一表面及第二表面的第一基板和各自延伸於第一表面及第二表面之間的多數導電元件。第二基板包含相對之前表面及背表面，形成在該前表面上或內的一或多數檢測器，及形成在該前表面的多數接觸墊，該等接觸墊被電氣耦合到一或多數檢測器。第三基板係安裝於該前表面以界定於該第三基板及該前表面之間的空腔，其中該第三基板包括自該空腔延伸通過該第三基板的第一開口。該背表面係安裝於該第一表面。多數導線各自延伸於該等接觸墊之一與該等導電元件之一之間且與其等電氣連接。
經封裝的感測器總成包括：包含相對前及背表面的第一基板；形成在該前表面上或內的一或多數檢測器；形成於該前表面的多數接觸墊，該等接觸墊被電氣耦合到一或多數檢測器；安裝在該前表面上的第二基板以界定於該第二基板及該前表面之間的空腔，其中該第二基板包括自該空腔延伸通過該第二基板的第一開口，形成於該第一基板前表面的溝渠，以及分別自該等接觸墊之一延伸並進入該溝渠的多數導電軌跡線。
一種形成經封裝的感測器總成的方法，包括提供 具有相對的第一表面及第二表面的第一基板，形成各自延伸於該第一表面及第二表面之間的多數導電元件，提供第二基板(其包括相對之前表面及背表面，形成在該前表面之上或之內的一或多數檢測器，及形成於該前表面且與該一或多數檢測器電氣耦合的多數接觸墊)，安裝第三基板於該前表面以界定於該第三基板與該前表面之間的空腔，其中該第三基板包括自該空腔延伸通過該第三基板的第一開口，安裝背表面於該第一表面，以及提供各自延伸於該等接觸墊之一與該等導電元件中之一之間並與其電氣連接的多數導線。
一種形成經封裝的感測器總成的方法，包括提供第一基板(其包括相對的第一表面及第二表面、形成在該前表面之上或之內的一或多數檢測器，及形成於該前表面且與該一或多數檢測器電氣耦合的多數接觸墊)，安裝第二基板於該前表面以界定於該第二基板及該前表面之間的空腔，其中該第二基板包括自該空腔延伸通過該第三基板的第一開口，於該第一基板的該前表面形成溝渠，以及形成分別自該等接觸墊之一延伸並進入該溝渠的多數導電軌跡線。
本發明的其他目的及特徵將經由檢閱說明書、申請專利範圍及附圖而明顯可見。
1‧‧‧經封裝的感測器總成
10‧‧‧晶圓
12‧‧‧感測器
14‧‧‧光檢測器
16‧‧‧支援電路
17‧‧‧主動區域
18‧‧‧接觸墊
18a‧‧‧接觸墊
20‧‧‧濾光片及/或微透鏡
22‧‧‧保護基板
24‧‧‧開口
26‧‧‧間隔材料
28‧‧‧膠帶
30‧‧‧空腔
34‧‧‧主基板總成
36‧‧‧主基板
38‧‧‧開口
40‧‧‧介電材料層
42‧‧‧導電材料
44‧‧‧光阻
46‧‧‧互連
48‧‧‧黏結劑
50‧‧‧接合線
52‧‧‧包覆成型材料
54‧‧‧第二主基板
60‧‧‧透鏡模組
62‧‧‧外殼
70‧‧‧化學感測器
72‧‧‧化學檢測器
74‧‧‧光阻
76‧‧‧溝渠
78‧‧‧絕緣材料，鈍化層
80‧‧‧光阻
82‧‧‧導電材料、導電層、導電軌跡線
84‧‧‧光阻
86‧‧‧封裝材料層
88‧‧‧繞道接觸點
90‧‧‧互連
92‧‧‧軟性PCB
93‧‧‧電路層
94‧‧‧包覆成型化合物、包覆成型材料
96‧‧‧輸入附件
98‧‧‧輸出附件
100‧‧‧阻障結構
圖1A至1P為橫截面圖，顯示形成影像感測器之經封裝的感測器總成的步驟順序。
圖2為橫截面圖，顯示安裝於封裝感測器組成上的透鏡模組。
圖3為一可替代實施例的橫截面圖，顯示化學感測器之經封裝的感測器總成。
圖4A至4F為橫截面圖，顯示形成經封裝的感測器總成的一可替代實施例的步驟順序。
圖5A至5B為橫截面圖，顯示保護基板中的多數開口，用於提供通過感測器的物質流。
圖6為橫截面圖，顯示在保護基板中的多數開口以及在空腔中之阻障結構，用於提供通過感測器的物質非線性流。
本發明為提供感測器晶片保護、提供晶片外發訊連通性、具有最小尺寸且能可靠地生產的封裝方案。
圖1A至1P解說了經封裝的感測器總成1的形成。如圖1A之例示說明，此形成由晶圓10(基板)開始，此晶圓上形成有多數感測器12。為了例示說明，經封裝的感測器之形成將就光學感測器來描述，但可使用任何感測器(例如化學感測器等等)。每一影像感測器12包括多數光檢測器14、支援電路16及接觸墊18。將感測器12配置成檢測及測量入射於每個感測器12的主動區域17上的光。將接觸墊18電連接到光檢測器14及/或其等的支援電路16以提供晶片外發訊。每一光檢測器14轉換光能為電壓數位訊號。可包括其他電路以放大電壓，及/或轉換電壓為數位資料。將 彩色濾光片及/或微透鏡20安裝在光檢測器14上。此種型式的感測器在此技術領域已屬週知，在本文中不再進一步描述。
接下來形成具有感測器窗開口之保護基板。保護基板22能為玻璃或任何其他光透或光半透的硬質基板。玻璃是較佳材質。50到1500μm範圍內的玻璃厚度較佳。感測器區域窗開口24係利用例如雷射、噴沙、蝕刻或任何其他適合的空腔形成方法而形成於保護基板22。形成於保護基板22中的開口24係例示說明於圖1B中。開口24的側壁如所示可為垂直，或可向內或向外漸縮。較佳地，放置在下主動區域17上的開口24的尺寸與下主動區域相等或較小，分別如圖1D和圖1F的例示說明。或者，每個主動區域17能有多數開口24，如圖1C和圖1E的例示說明。每個主動區域將至少有一個開口24。開口24可為任何可與特定感測器功能性相容形狀或尺寸。利用消除傳統感測器封裝體內發現的光透保護基板所導致的失真及光子損失，開口24將有益於影像感測器。開口24亦能使感測器主動區域17暴露於環境中，容許化學感測檢測器得以檢測如氣體及化學物質之感測器所暴露的實體物質。
在形成開口24之前或之後，將間隔材料26之任擇層沉積在保護基板22上。間隔材料26可為聚合物、環氧樹脂及/或任何其他適合材料。沉積可利用滾筒、噴塗、網版印刷或任何其他適合的方法實行。沉積材料的厚度可於5到500μm的範圍內。間隔材料26能與開口24的邊緣對齊， 如圖1G所示，能與開口24的邊緣隔離，如圖1H所示，或此二種設置的組合，如圖1I所示。較佳地，間隔材料26在其所安裝的基板10上被定位以避免接觸該基板10的主動區域17及接觸墊18(例如可位在主動區域17及其等對應的接觸墊18之間)。
使用黏結劑，將保護結構(基板22及間隔材料26)結合到基板10的主動側。黏結劑可為利用滾筒後再熱固化而沉積的環氧樹脂或任何此技術領域中週知的任何其他適合結合方式。保護膠帶28係設置保護基板22上，形成每一影像感測器12的氣密空腔30。空腔30的高度較佳於5到500μm的範圍內。空腔30可充填氣體、液體，或經由產生真空排除所有氣體。基板10可任擇地利用自其背側去除材料而薄化。在矽基板10的情況中，矽薄化可利用機械研磨、化學機械拋光(CMP)、濕式蝕刻、大氣下游電漿或常壓氣流電漿(ADP)、乾式化學蝕刻(DCE)，或前述製程的組合或任何其他適合的矽薄化方法完成。薄化基板10的厚度在100到2000μm的範圍內。所產生的結構顯示於圖1J。
使用雷射切割設備、機械鋸切、前述程序的結合或任何其他適合的玻璃切割方法，去除感測器12之間與接觸墊18上的保護基板22部分。雷射切割是較佳的切割方法。此製程使每一保護空腔30與其他感測器12的其他保護空腔分離，因此達到保護空腔單一化。此步驟亦暴露感測器墊18。基板10然後被單一化/切割以分離每一感測器12及其各自的封裝體。晶圓級切割/單一化能利用機械刀切割設 備、雷射切割或任何其他適合的製程完成。所產生的結構顯示於圖1K。
主基板總成34係首先藉由提供主基板36，其可為有機Flex PCB、FR4 PCB、矽(硬質)、玻璃、陶瓷或任何其他型式的封裝基板來形成。藉由機械鑽孔、雷射、乾式蝕刻、濕式蝕刻或此技術領域已週知的任何另一適合的VIA開口形成方法，可形成通過主機板36的VIA(垂直互連出入口)開口38。較佳地，使用雷射以形成VIA開口38。VIA開口壁可為漸縮減以形成漏斗狀或VIA的上部及下部皆為相同的尺寸以形成圓柱狀。所產生的結構顯示於圖1L。
在主基板36的所有表面(包括VIA開口38的側壁)上形成介電材料層40。若主基板36是以例如導電矽之導電材料製成，層40是理想的。介電材料層40可為藉由物理汽相沉積(PVD)來沉積二氧化矽。若主基板36是由例如軟性印刷電路板(flex PCB)或FR4樹脂之非導電性有機材料製成，則介電材料層40可省略。導電材料42接著形成於所有主基板36的表面上(包括部分或完全充填VIA開口38)。導電材料42可為銅、鋁、導電聚合物或任何其他適合的導電材料。可藉由物理汽相沉積(PVD)、化學汽相沉積(CVD)、電鍍或任何其他適合的沉積法來沉積導電材料42。VIA開口38的側壁塗覆導電材料42，或VIA開口38可完全充填導電材料42，如圖1M所示。
將一層光阻44沉積於主基板36的上表面及下表面上。光阻沉積法可為噴塗或任何其他適合的沉積方法。 使用此技術領域週知的適當光微影術製程蝕刻將光阻44曝光及蝕刻，僅於VIA開口38及最終將形成軌跡線的路徑上留下光阻44。執行導電材料蝕刻以移除導電層42曝光部分(亦即非在剩餘光阻44下方的那些部分)。例如，藉由此蝕刻能形成引線、接觸點、繞道接觸點(rerouted contacts)及軌跡線，其可使用此技術領域週知的乾式或濕式蝕刻方法。所獲得的結構顯示於圖1N。
使用硫酸、丙酮或任何其他適合的光阻剝除方法剝除光阻。可於導電材料42上執行任擇的電鍍製程(例如Ni/Pd/Au)。互連46被形成在主基板36下側之VIA開口38之上的導電材料42。互連可為球型柵格陣列(BGA)、平面柵格陣列(land grid array)(LGA)、凸塊、銅柱或任何其他適合的互連方法。球型柵格陣列是互連較佳方法之一且可藉由網版印刷及緊接的回焊製程來沉積。然後使用適合的黏結劑48將上述的單一化基板10(具有感測器12)連接至主基板，例如藉由沉積黏結劑到基板10或主基板36，或沉積至二基板，以及拾取/放置基板10在主基板36上，緊接著進適合的固化製程。VIA開口38中界於接觸墊18與導電材料42之間的電子互連增加，其較佳為此技術領域週知的接合線50。所獲得的結構顯示於圖1O。
包覆成型(overmold)材料52被分散在主基板36上且於經安裝的感測器12之間。包覆成型材料52可為環氧樹脂、樹脂或任何其他此技術領域已週知的包覆成型材料。較佳地，固化之包覆成型材料52的上表面低於保護基板22 的上表面且高於打線接合接觸點的上表面。然後沿著經安裝的感測器12之間的劃線使主基板36單一化。封裝體的切割/單一化可利用機械刀片切割設備、雷射切割或任何其他適合的製程完成。經由互連46完成之感測器封裝體被安裝到第二主基板54。第二主基板54可為Flex PCB、硬質印刷電路板或任何其他具有接觸墊與電性互連之可應用基板。然後移除保護膠帶28，因此使感測器12之主動區域17暴露至環境中。最終經封裝的感測器總成1顯示於圖1P中。
在此最終結構中，感測器12受到保護基板的保護且至多僅部分延伸於基板10上，致使感測器12暴露至環境中。具體地，入射此結構之入射光能直接通到感測器12而不會通過任何透明保護基板。在VIA開口38中的導電材料42形成延伸通過基板36及界於導線50與互連46之間的電接觸點或導電元件。包覆成型材料52保護導線50之連接。
圖2例示說明能安裝到圖1P之結構的透鏡模組60。透鏡模組60包括外殼62，其中安裝一或多數透鏡64將入射光聚焦到影像感測器12而毋須通過任何保護基板。
圖3例示說明具有化學感測器70而非影像感測器12的經封裝的感測器總成1。化學感測器70包括一或多數形成在基板10之上或之內的化學檢測器72，用以檢測經由開口24進入空腔30的特定化學物質或顆粒之存在。化學檢測器72產生回應檢測到的化學物質或顆粒的訊號，並提供該等訊號至接觸墊18。此型式的化學感測器為此技術領域已週知的，且於本文中不再進一步描述。
圖4A至4F例示說明經封裝的感測器總成的一替代實施例的形成。此形成由圖1K所示之結構開始，但在切割/單一化之前。將一層光阻44沉積於此結構之上。光阻沉積可藉由噴塗或任何一個適合的沉積方法達成。使用此技術領域週知的適合的光微影技術製程使暴露光阻74並予以選擇性蝕刻。經固化/硬化之光阻74使界於感測器12之間的基板部分暴露。蝕刻基板10的暴露部分(例如藉由各向異性乾式蝕刻)在基板10的頂表面形成溝渠。可使用CF4、SF6、NF3、Cl2、CCl2F2之蝕刻劑或任何其他適合的蝕刻劑。溝渠76較佳的深度為基板10厚度的5%至50%的範圍內。所獲得的結構顯示於圖4A。
使用丙酮或任何其他此技術領域週知的乾式電漿或濕式光阻剝除方法剝除光阻74。將例如二氧化矽或氮化矽的絕緣材料78之鈍化層諸沉積在此結構上。較佳地，鈍化層78係由二氧化矽製成且至少為0.5μm。可使用物理汽相沉積(PVD)、PECVD或任何另一適合的沉積法執行二氧化矽沉積。將一層光阻80沉積在鈍化層78上。使用此技術領域週知的適合的光微影技術製程使暴露光阻80並予以選擇性蝕刻，以移除在接觸墊18上及沿著間隔材料26、保護基板22及膠帶28且覆於其等之下的光阻部分(因此暴露此等區域之鈍化層78部分)。鈍化層78暴露之部分係藉由例如電漿蝕刻移除，以暴露接觸墊18、間隔材料26、保護基板22及膠帶28。若鈍化層78為二氧化矽，則能使用CF4、SF6、NF3之蝕刻劑或任何其他適合的蝕刻劑。若鈍化層78 為氮化矽，則能使用CF4、SF6、NF3、CHF3之蝕刻劑或任何其他適合的蝕刻劑。所獲得的結構顯示於圖4B。
移除光阻80之後，沉積導電材料82於此結構上。此導電材料82能為銅、鋁、導電聚合物或任何其他適合的導電材料。可藉由物理汽相沉積(PVD)、化學汽相沉積法(CVD)、電鍍或任何其他適合的沉積法沉積導電材料。較佳地，導電材料82為鋁且藉由PVD沉積。將一層光阻84沉積在此結構上。使用此技術領域週知的光微影技術製程將光阻84曝光並予以蝕刻，以在溝渠76之導電層82之上及接觸墊18之上形成光罩。自膠帶28、保護層22、間隔材料26上及任擇的基板10將在溝渠76內被切割的區域移除光阻84，在這些任擇的區域中選擇地暴露導電層82。例如使用乾式蝕刻或濕式蝕刻，移除導電層82的暴露部分。導電層82的剩餘部分形成多數離散軌跡線(引線)，各自由接觸墊18中之一向下延伸到溝渠76中之一的底部。用於濕式蝕刻的蝕刻劑可為磷酸(H3PO4)、醋酸、硝酸(HNO3)或任何其他適合的蝕刻劑。用於乾式蝕刻的蝕刻劑可為Cl2、CCl4、SiCl4、BCI3或任何其他適合的蝕刻劑。乾式蝕刻是用於此引線形成的較佳方法。任擇地，導電材料82仍可保留在保護基板的側壁。所獲得的結構顯示於圖4C。
然後移除剩餘的光阻84。任擇地，電鍍製程(例如Ni/Pd/Au)可在引線(導電層82)上執行。沉積任擇的封裝材料層86於此導電引線結構上。封裝材料層86可為聚醯亞胺、陶瓷、聚合物、聚合物複合物、聚對二甲苯、金屬氧 化物、二氧化矽、氮化矽、環氧樹脂、矽膠、陶瓷、氮化物、玻璃、離子晶體、樹脂，及前述材料之組合或任何其他適合的介電材料。封裝材料層86厚度較佳係在0.1μm到2μm且較佳的材料是例如能藉由噴塗沉積的焊接光罩之液體光微影技術聚合物。執行光微影技術程序，其中移除除了引線上以外的經顯影/固化之封裝體84。藉由在溝渠76底部之封裝材料層86形成開口能產生繞道接觸點88。任擇地，封裝材料仍可保持在保護基板22的側壁及/或膠帶28上。所獲得的結構顯示於圖4D。
元件的晶圓級切割/單一化能利用機械刀片切割設備、雷射切割或任何其他適合的製程序，較佳地在溝渠76底部。能在繞道接觸墊或在軟性PCB上形成互連90。互連90可為BGA、LGA、柱形凸塊、電鍍凸塊、黏結劑凸塊、聚合物凸塊、銅柱、微柱或任何其他適合的互連方法。較佳地，互連90是由導電材料及黏結劑材料之複合材料的黏合凸塊製成。導電材料可以是焊料、銀、銅、鋁、金及前述材料之組合或任何其他適合的導電材料。黏結劑材料可以是清漆、樹脂，及前述材料之組合或任何其他適合的黏結劑材料。導電黏結劑可藉由氣動分配槍或任何其他適合的分配方法接著利用熱、UV或任何其他適合的固化方法固化來沉積，因此形成凸塊。
軟性PCB能安裝到基板10的所有邊、三邊、二邊，或單邊。例如，二個軟性PCB 92能被結合到基板10的二相對側。可替代地，能使用具有一窗開口的單一軟性PCB 92，且可延伸至基板10的一、二、三或所有邊延伸之外。軟性PCB 92能為任何具有一或多數電路層93及與其連接的接觸墊18a之硬質或軟質基板。互連90係電氣連接於接觸墊18a與導電軌跡線82之間。感測器封裝體被放置在預鑄模之內，並接著將選擇的包覆成型化合物94注入模中。包覆成型材料94可為環氧樹脂、聚合物、樹脂或任何其他此技術領域週知的包覆成型材料。固化之包覆成型材料的頂表面可與保護基板22的頂表面等高，但較佳地不會延伸更高。固化之包覆成型材料94較佳地不會延伸超過基板10。然後移除保護膠帶28，因此暴露感測器主動區域至環境中。所獲得的結構顯示於圖4E。如上所述之任擇之透鏡模組60能連接在此結構的頂部，如圖4F所顯示。
上述結構提供一薄膜覆晶(COF)封裝體，其比已知之封裝體更緻密。更薄的結構能藉由在基板壓模10的邊緣建立階部結構，然後在第二階部表面形成多數金屬軌跡線及繞道接觸墊而獲得，該第二階部結構經由金屬軌跡線連結到頂表面接觸墊18。軟質電纜及/或PCB被結合到該第二階部表面。藉由將此結構直接結合在感測器壓模10而非安裝在主基板上，可降低保護基板22的高度，因此降低封裝體厚度。
上述結構經由封裝體結構亦增加了影像感測器的敏感度。具體地，能簡單地藉由不妨礙光路徑即能獲得較大的光子敏感度。藉由在保護基板22中產生開口24及在感測器區域空腔未使用任何透明底部填料，更多的光子能 以較高的準確性到達主動區域。傳統的設備倚賴保護基板及透明底部填料，藉由氣密感測器區域予以保護。然而，利用透鏡模組60可達到相同的氣密。最後，藉由使用包覆成型材料52/94包圍整個結合區域來達到較佳的結構完整性，而非僅採用環繞作為黏結劑/底部填料的結合表面之模。
對於化學感測器的實施例，可使用多數開口24來促進實體物質流通過空腔30且遍及感測器的主動區域。輸入及輸出附件96及98連接至保護基板22上的開口24，藉此例如氣體或液體的實體物質如圖5A及圖5B的箭頭所示，流經此封裝體結構。在空腔30中可包括任擇之阻障結構100，導引實體物質以非線性路徑通過空腔，如圖6所顯示。
應瞭解到，本發明不受限於上文中所述及本文中例示說明的實施例，而是包含落於後附申請專利範圍之範疇中的任何及所有變化。舉例而言，本文中參照本發明並非意欲限制任何請求項或請求項用語的範疇，而是僅參照可由一或多項請求項所包含的一或多數特徵。上述中描述的材料、方法及數值的例子僅供舉例說明，且不應視為縮限申請專利範圍。再者，如申請專利範圍及說明書明顯可知，並非所有方法步驟都必須依照所例示說明或所請求界定的確實順序來進行，而是可以容許經封裝的感測器總成1之適當形成的任何次序來進行。最後，材料之單層能形成為相同或相似材料之多層，反之亦然。
應瞭解到，如本文中所使用者，專門術語「在...上方(over)」及「在...上(on)」二者皆包含地包括「直接在...上(directly on)」(無中間材料、元件或空間設置於其間)及「間接在...上(indirectly on)」(有中間材料、元件或空間設置於其間)。同樣的，專門術語「安裝到...(mounted to)」包括「直接安裝到...(directly mounted to)」(無中間材料、元件或空間設置於其間)及「間接安裝到...(indirectly mounted to)」(有中間材料、元件或空間設置於其間)，及「電氣耦合到...(electrically coupled)」包括「直接電氣耦合到...(directly electrically coupled to)」(無中間材料或元件於電氣連接在一起的元件之間)及「被間接電氣耦合到...(indirectly electrically coupled to)」(有中間材料或元件於電氣連接在一起的元件之間)。例如，「在基板之上」形成一元件能包括直接在基板形成此元件而無中間材料/元件界於其等之間，以及間接在基板上形成此元件，有一或更多中間材料/元件界於其等之間。
1‧‧‧經封裝的感測器總成
10‧‧‧晶圓
12‧‧‧感測器
17‧‧‧主動區域
18‧‧‧接觸墊
22‧‧‧保護基板
24‧‧‧開口
26‧‧‧間隔材料
36‧‧‧主基板
40‧‧‧介電材料層
42‧‧‧導電材料
46‧‧‧互連
48‧‧‧黏結劑
50‧‧‧接合線
52‧‧‧包覆成型材料
54‧‧‧第二主基板

Claims (38)

  1. 一種經封裝感測器總成，其包含：具有相對的第一表面及第二表面之一第一基板，及各自延伸於該第一表面及該第二表面之間的多數導電元件；一第二基板，其包含：相對之前表面及背表面，形成在該前表面上或內的一或多數檢測器，形成在該前表面的多數接觸墊，該等接觸墊被電氣耦合到該一或多數檢測器，將一第三基板安裝於該前表面，以界定於該第三基板及該前表面之間的一空腔，其中該第三基板包括自該空腔延伸通過該第三基板的一第一開口，其中該背表面係安裝於該第一表面；多數導線各自延伸於該等接觸墊之一者與該等導電元件之一者之間且與其等電氣連接。
  2. 如請求項1之經封裝感測器總成，其中該第三基板藉由設置在該第三基板與該前表面之間的間隔材料而安裝到該前表面。
  3. 如請求項1之經封裝感測器總成，其進一步包含：包覆成型(overmold)材料，其包覆該等導線、鄰近該等導電元件之該第一基板的該第一表面的一或更多 的部分、以及鄰近該等多數接觸墊之該第二基板的該前表面的一或更多的部分。
  4. 如請求項1之經封裝感測器總成，其中該第一基板是由導電矽材料製成，且其中該總成進一步包含設置於該等導電元件與該第一基板之間的一絕緣材料。
  5. 如請求項1之經封裝感測器總成，其中該一或或多數檢測器包括多數光檢測器。
  6. 如請求項5之經封裝感測器總成，其中該第一開口係設置於該等多數光檢測器上方。
  7. 如請求項1之經封裝感測器總成，其中該一或多數光檢測器包括一或多數化學感測器。
  8. 如請求項7之經封裝感測器總成，其進一步包含：自該空腔延伸通過該第三基板的一第二開口。
  9. 如請求項8之經封裝感測器總成，其進一步包含：在該空腔內的一或多數阻障結構，其界定於該第一開口與該第二開口之間的一非線性流動路徑。
  10. 如請求項3之經封裝感測器總成，其進一步包含：安裝到該包覆成型材料的一透鏡模組，其中該透鏡模組包含一外殼及一或多數透鏡，該透鏡被定位以使光聚焦通過該第一開口並落在該一或多數檢測器之上。
  11. 一種經封裝感測器總成，其包含：包含相對的前表面及背表面的一第一基板；形成在該前表面上或內的一或多數檢測器； 形成於該前表面的多數接觸墊，其等被電氣耦合到該一或多數檢測器；將一第二基板安裝至該前表面，以界定於該第二基板及該前表面之間的一空腔，其中該第二基板包括自該空腔延伸通過該第二基板的一第一開口；形成到該第一基板之該前表面內並且朝該背表面延伸但未達到該背表面的溝渠；以及各從該等接觸墊之一者延伸並進入該溝渠的多數導電軌跡線；除了溝渠中該等導電軌跡線之上表面的接觸部分之外，覆蓋該等導電軌跡線之上表面的一絕緣材料；具有一或多數電路層及電氣耦合到該一或多數電路層之多數接觸墊的一第三基板；電氣連接器，其各自電氣連接該等導電軌跡線中之一者的接觸部分中之一者及該第三基板的接觸墊中之一者。
  12. 如請求項11之經封裝感測器總成，其中該第二基板藉由設置於該第二基板及該前表面之間的間隔材料而安裝到該前表面。
  13. 如請求項11之經封裝感測器總成，其中該一或多數檢測器包括多數光檢測器。
  14. 如請求項13之經封裝感測器總成，其中該第一開口係設置於該多數光檢測器上方。
  15. 如請求項11之經封裝感測器總成，其中該一或多數光 檢測器包括一或多數化學感測器。
  16. 如請求項15之經封裝感測器總成，其進一步包含：自該空腔延伸通過該第二基板的一第二開口。
  17. 如請求項16之經封裝感測器總成，其進一步包含：在該空腔內的一或多數阻障結構，其界定於該第一開口與該第二開口之間的一非線性流動路徑。
  18. 如請求項11之經封裝感測器總成，其進一步包含：包覆成型(overmold)材料，其包覆至少部分的該前表面、該等電氣連接器，以及該第三基板。
  19. 如請求項18之經封裝感測器總成，其進一步包含：安裝到該包覆成型材料的一透鏡模組，其中該透鏡模組包含一外殼及一或多數透鏡，該透鏡被定位以使光聚焦通過該第一開口並落在該一或多數檢測器之上。
  20. 一種形成經封裝感測器總成的方法，其包含：提供具有相對的第一表面及第二表面的一第一基板；形成各自延伸於該第一表面及該第二表面之間的多數導電元件，提供一第二基板，其包含：相對之前表面及背表面，形成在該前表面之上或之內的一或多數檢測器，以及形成於該前表面且與該一或多數檢測器電 氣耦合的多數接觸墊；於該前表面安裝一第三基板以界定於該第三基板與該前表面之間的空腔，其中該第三基板包括自該空腔延伸通過該第三基板的一第一開口；將該背表面安裝於該第一表面；以及提供各自延伸於該等接觸墊之一者與該等導電元件中之一者之間並與其電氣連接的多數導線。
  21. 如請求項20之方法，其中該第三基板藉由設置於該第三基板及該前表面之間的間隔材料而安裝到該前表面。
  22. 如請求項20之方法，其進一步包含：利用一包覆成型(overmold)材料包覆該等導線、鄰近該等導電元件之該第一基板的第一表面的一或更多的部分、以及鄰近該等多數接觸墊的該第二基板的該前表面的一或更多的部分。
  23. 如請求項20之方法，其中該第一基板係由一導電矽材料製成，該方法進一步包含：形成設置於該等導電元件和該第一基板之間的一絕緣材料。
  24. 如請求項20之方法，其中該一或多數檢測器包括多數光檢測器。
  25. 如請求項24之方法，其中該第一開口設置於該多數光檢測器上方。
  26. 如請求項20之方法，其中該一或多數光檢測器包括一 或多數化學感測器。
  27. 如請求項26之方法，其進一步包含：形成自該空腔延伸通過該第三基板的一第二開口。
  28. 如請求項27之方法，其進一步包含：在該空腔中形成一或多數阻障結構，其界定於該第一開口與該第二開口之間的一非線性流動路徑。
  29. 如請求項22之方法，其進一步包含：安裝透鏡模組到該包覆成型材料，其中該透鏡模組包含一外殼及一或多數透鏡，該透鏡被定位以使光聚焦通過該第一開口並落在該一或多數檢測器之上。
  30. 一種形成經封裝感測器總成的方法，其包含：提供一第一基板，其包含：相對的第一表面及第二表面，形成在該前表面之上或之內的一或多數檢測器，以及形成於該前表面且與該一或多數檢測器電氣耦合的多數接觸墊，安裝第二基板於該前表面以界定於該第二基板及該前表面之間的一空腔，其中該第二基板包括自該空腔延伸通過該第二基板的一第一開口；形成一溝渠到該第一基板的該前表面內並且朝該背表面延伸但未達到該背表面；以及形成分別自該等接觸墊之一者延伸並進入該溝渠的多數導電軌跡線； 一絕緣材料，除了溝渠中該等導電軌跡線之上表面的接觸部分之外，覆蓋該等導電軌跡線之上表面；提供具有一或多數電路層及電氣耦合到該一或多數電路層之多數接觸墊的一第三基板；形成電氣連接器，其各自電氣連接該等導電軌跡線中之一者的接觸部分中之一者及該第三基板的接觸墊中之一者。
  31. 如請求項30之方法，其中該第二基板藉由設置於該第二基板及該前表面之間的間隔材料而安裝到該前表面。
  32. 如請求項30之方法，其中該一或多數檢測器包括多數光檢測器。
  33. 如請求項32之方法，其中該第一開口設置於該多數光檢測器上方。
  34. 如請求項30之方法，其中該一或多數光檢測器包括一或多數化學感測器。
  35. 如請求項34之方法，其進一步包含：形成自該空腔延伸通過該第二基板的一第二開口。
  36. 如請求項35之方法，其進一步包含：在該空腔中形成一或多數阻障結構，其界定於該第一開口與該第二開口之間的一非線性流動路徑。
  37. 如請求項30之方法，其進一步包含：將至少部分的該前表面、該電氣連接器、及該第三基板包覆於包覆成型(overmold)材料中。
  38. 如請求項37之方法，其進一步包含：安裝透鏡模組到該包覆成型材料，其中該透鏡模組包含一外殼及一或多數透鏡，該透鏡被定位以使光聚焦通過該第一開口並落在該一或多數檢測器之上。
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