TWI554558B - 抗靜電膜的製造方法 - Google Patents
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Description
本發明乃有關含有π共軛系導電性高分子的抗靜電膜之製造方法。
就包裝電子零件時所使用的膜而言,係廣泛地使用防止會成為電子零件故障原因之靜電之產生的抗靜電膜。又,在食品等的包裝膜方面,為了防止包裝膜沾附塵埃而損害食品等的外觀,有使用抗靜電膜之情形。
就抗靜電膜而言,已知例如在膜基材之至少一面設置含有界面活性劑的抗靜電層之方法。然而,在含有界面活性劑的抗靜電層中,抗靜電性會產生濕度依賴性。
因此,有提案一種抗靜電膜的製造方法,係在膜基材之至少一面設置含有π共軛系導電性高分子及聚陰離子之抗靜電層,並根據需要而予以延伸(參照專利文獻1至4)。
專利文獻1:日本特開2011-038002號公報
專利文獻2:日本特開2006-282941號公報
專利文獻3:日本特開2008-179809號公報
專利文獻4:日本專利第3299616號公報
然而,在專利文獻1記載的抗靜電膜之製造方法中,所得之抗靜電膜之抗靜電性有無法充分提升的情形。又,專利文獻1記載的抗靜電膜之製造方法中,抗靜電膜的生產率並不一定為充分。
專利文獻2記載的抗靜電膜之製造方法中,延伸時π共軛系導電性高分子會無法跟隨,不能穩定地製造抗靜電膜。
專利文獻3記載的抗靜電膜之製造方法中,抗靜電層所含有的糖醇會析出而白化、或抗靜電性下降。
專利文獻4記載的抗靜電膜之製造方法中,因抗靜電層實質上是使用絕緣性高的橡膠狀乳膠,故有無法充分地提升抗靜電性之情形。
本發明之目的係提供一種抗靜電膜的製造方法,其係能在高生產率下穩定地製造抗靜電性優異的抗靜電膜。
本發明具有以下之態樣:
(1)一種抗靜電膜的製造方法,係具有下列步驟:調製步驟,係將聚乙烯醇混合至導電性高分子水分散液而調製混合液,其中,該導電性高分子水分散液係在水
系分散媒質中含有導電性複合物,該導電性複合物係包含π共軛系導電性高分子及聚陰離子;塗佈步驟,係將前述混合液塗佈於膜基材之至少一面而獲得塗佈膜;以及乾燥延伸步驟,係將前述塗佈膜加熱、乾燥並予以延伸而形成抗靜電層。
(2)如(1)項所述之抗靜電膜的製造方法,其中,更進一步將水分散性樹脂混合至前述導電性高分子水分散液。
(3)如(1)或(2)項所述之抗靜電膜的製造方法,其中,使用非晶質聚對酞酸乙二酯膜作為前述膜基材。
(4)如(3)項所述之抗靜電膜的製造方法,其中,在前述乾燥延伸步驟後,將乾燥之塗佈膜加熱至200℃以上後,冷卻至前述聚對酞酸乙二酯的結晶化溫度。
依據本發明抗靜電膜之製造方法,能在高生產率下穩定地製造抗靜電性優異的抗靜電膜
依本發明之抗靜電膜的製造方法所製造的抗靜電膜,係具備:膜基材、及形成於該膜基材的至少一面的抗靜電層。
膜基材係可採用塑膠膜。
就構成塑膠膜的樹脂材料而言,例如可列舉:聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚對酞酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二酸乙二酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚二氟亞乙烯(polyvinylidene fluoride)、聚芳基酸酯(polyarylate)、苯乙烯系彈性體、聚酯系彈性體、聚醚碸、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、聚苯硫醚(polyphenylenesulfide)、聚醯亞胺、三乙酸纖維素、乙酸丙酸纖維素等。此等樹脂材料中,從透明性、可撓性、抗汙性以及強度等觀點而言,較佳為聚對酞酸乙二酯,更佳為非晶質聚對酞酸乙二酯。
塑膠膜可為未延伸之膜,也可為單軸延伸之膜,亦可為雙軸延伸之膜。從機械性的物性優異之觀點而言,塑膠膜係以雙軸延伸之膜為較佳。
構成抗靜電膜的膜基材之平均厚度,較佳為5至400μm,更佳為10至200μm。構成抗靜電膜的膜基材之平均厚度若在前述下限值以上時,即不易斷裂;若在前述上限值以下時,即可確保作為膜的充分可撓性。
本說明書中的平均厚度,係針對任意10點測定厚度,並將其測定值予以平均之值。
抗靜電層係包括導電性複合物及聚乙烯醇,該導電性複合物係含有π共軛系導電性高分子及聚陰離子。該抗靜電層係在後述製造方法中,藉由將塗佈於膜基材之含有導電性複合物與聚乙烯醇與水系分散媒質的混合液乾燥並延伸而形成。
構成抗靜電膜之抗靜電層的平均厚度,較佳為10至500μm,更佳為20至200μm。構成抗靜電膜之抗靜電層的平均厚度若在前述下限值以上時,即可充分地發揮高抗靜電性;若在上限值以下時,即可容易形成抗靜電層。
就π共軛系導電性高分子而言,只要是主鏈為由π共軛系所組成的有機高分子,且具有本發明之效果,即無特別限制,例如可列舉:聚吡咯系導電性高分子、聚噻吩系導電性高分子、聚乙炔系導電性高分子、聚伸苯基系導電性高分子、聚伸苯基伸乙烯基系導電性高分子、聚苯胺系導電性高分子、聚并苯系導電性高分子、聚噻吩伸乙烯基(polythiophenevinylene)系導電性高分子、及此等的共聚物等。從空氣中的安定性之觀點而言,較佳為聚吡咯系導電性高分子、聚噻吩類及聚苯胺系導電性高分子,從透明性之方面而言,更佳為聚噻吩系導電性高分子。
聚噻吩系導電性高分子,可列舉:聚噻吩、聚(3-甲基噻吩)、聚(3-乙基噻吩)、聚(3-丙基噻吩)、聚(3-
丁基噻吩)、聚(3-己基噻吩)、聚(3-庚基噻吩)、聚(3-辛基噻吩)、聚(3-癸基噻吩)、聚(3-十二基噻吩)、聚(3-十八基噻吩)、聚(3-溴噻吩)、聚(3-氯噻吩)、聚(3-碘噻吩)、聚(3-氰基噻吩)、聚(3-苯基噻吩)、聚(3,4-二甲基噻吩)、聚(3,4-二丁基噻吩)、聚(3-羥基噻吩)、聚(3-甲氧基噻吩)、聚(3-乙氧基噻吩)、聚(3-丁氧基噻吩)、聚(3-己氧基噻吩)、聚(3-庚氧基噻吩)、聚(3-壬氧基噻吩)、聚(3-癸氧基噻吩)、聚(3-十二氧基噻吩)、聚(3-十八氧基噻吩)、聚(3,4-二羥基噻吩)、聚(3,4-二甲氧基噻吩)、聚(3,4-二乙氧基噻吩)、聚(3,4-二丙氧基噻吩)、聚(3,4-二丁氧基噻吩)、聚(3,4-二己氧基噻吩)、聚(3,4-二庚氧基噻吩)、聚(3,4-二辛氧基噻吩)、聚(3,4-二癸氧基噻吩)、聚(3,4-二(十二氧基)噻吩)、聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)、聚(3,4-伸丙基二氧基噻吩)、聚(3,4-伸丁基二氧基噻吩)、聚(3-甲基-4-甲氧基噻吩)、聚(3-甲基-4-乙氧基噻吩)、聚(3-羧基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基乙基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基丁基噻吩)。
聚吡咯系導電性高分子,可列舉:聚吡咯、聚(N-甲基吡咯)、聚(3-甲基吡咯)、聚(3-乙基吡咯)、聚(3-正丙基吡咯)、聚(3-丁基吡咯)、聚(3-辛基吡咯)、聚(3-癸基吡咯)、聚(3-十二基吡咯)、聚(3,4-二甲基吡咯)、聚(3,4-二丁基吡咯)、聚(3-羧基吡咯)、聚(3-甲基-4-羧基吡咯)、聚(3-甲基-4-羧基乙基吡咯)、聚(3-甲基-4-羧基丁基吡咯)、聚(3-羥基吡咯)、聚(3-甲氧基吡咯)、聚(3-乙氧基吡咯)、聚(3-丁氧基吡咯)、聚(3-己氧基吡咯)、聚(3-甲基-4-己氧基吡咯)。
聚苯胺系導電性高分子,可列舉:聚苯胺、聚(2-甲基苯胺)、聚(3-異丁基苯胺)、聚(2-苯胺磺酸)、聚(3-苯胺磺酸)。
上述π共軛系導電性高分子中,從導電性、透明性、耐熱性之觀點而言,特佳為聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)。
前述π共軛系導電性高分子可單獨使用,亦可併用2種以上。
聚陰離子係指分子內具有2個以上之含有陰離子基之單體單元的聚合物。該聚陰離子的陰離子基係發揮作為對於π共軛系導電性高分子之摻雜劑的功能,提升π共軛系導電性高分子的導電性。
聚陰離子的陰離子基係以磺酸基或羧基為佳。
如此之聚陰離子的具體例可列舉:聚苯乙烯磺酸、聚乙烯基磺酸、聚烯丙基磺酸、聚丙烯醯基磺酸、聚甲基丙烯醯基磺酸、聚(2-丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸)、聚異戊二烯磺酸、聚甲基丙烯酸磺酸基乙基酯、聚(甲基丙烯酸4-磺酸基丁基酯)、聚甲基丙烯醯氧基苯磺酸等含有磺酸基的高分子,或聚乙烯基羧酸、聚苯乙烯羧酸、聚烯丙基羧酸、聚丙烯醯基羧酸、聚甲基丙烯醯基羧酸、聚(2-丙烯醯胺-2-甲基丙烷羧酸)、聚異戊二烯羧酸、聚丙烯酸等含有羧酸基的高分子。可為此等之均聚物,亦可為2種以上的共聚合物。
此等聚陰離子中,從可更為提升抗靜電性之觀點而言,較佳為含有磺酸基的高分子,更佳為聚苯乙烯磺酸。
前述聚陰離子可單獨使用,亦可併用2種以上。
聚陰離子的質量平均分子量係以2萬至100萬為較佳,更佳為10萬至50萬。
本說明書中的質量平均分子量係以凝膠滲透層析法所測定,以聚苯乙烯作為標準物質求得之值。
導電性複合物中的聚陰離子的含有比例,相對於π共軛系導電性高分子100質量份,較佳為1至1000質量份的範圍,更佳為10至700質量份的範圍,又更佳為100至500質量份的範圍。聚陰離子的含有比例未達前述下限值時,π共軛系導電性高分子的摻雜效果有變弱之傾向,而有導電性不足之情形,此外,導電性複合物的水分散性會降低。另一方面,聚陰離子的含有量超過前述上限值時,π共軛系導電性高分子的含量會減少,還是不易獲得充分的導電性。
聚陰離子係藉由配位於π共軛系導電性高分子而形成導電性複合物。
惟,聚陰離子中,並非全部的陰離子基皆摻雜於π共軛系導電性高分子,而有殘餘的陰離子基。因該殘餘的陰離子基為親水基,故導電性複合物具有水分散性。
抗靜電層中,除了含有導電性複合物及聚乙烯醇之
外,亦可含有黏結劑樹脂。黏結劑樹脂係π共軛系導電性高分子、聚陰離子及聚乙烯醇以外的樹脂,也是將π共軛系導電性高分子及聚陰離子黏結而提高塗膜強度的樹脂。
本發明中,係使用具有水分散性者作為黏結劑樹脂。
黏結劑樹脂的具體例可舉例:丙烯酸系樹脂、聚脂樹脂、聚胺酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醚樹脂、三聚氰胺樹脂等。
抗靜電層可含有鹼化合物。當抗靜電層含有鹼化合物時,可抑制抗靜電層的白化。
抗靜電層中可含有的鹼化合物,可列舉:無機鹼、胺化合物、四級銨鹽、含氮的芳香族環狀化合物等。
無機鹼可列舉例如:氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈣、氨、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、碳酸氫銨等。
胺化合物可列舉例如:苯胺、甲苯胺、苯甲胺、乙醇胺、二乙醇胺、二甲基胺、二乙基銨、二丙基胺、三乙醇胺、三甲基胺、三乙基胺、三丙基胺等。
四級銨鹽可列舉例如:四甲基銨鹽、四乙基銨鹽、四丙基銨鹽、四苯基銨鹽、四苄基銨鹽、四萘基銨鹽、氫氧化1-乙基-3-甲基咪唑等。
含氮的芳香族環狀化合物可列舉例如:咪唑、2-甲基咪唑、2-丙基咪唑、1-(2-羥基乙基)咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙
基-2-乙基-4-甲基咪唑、2-胺基苯并咪唑、吡啶等。
上述鹼化合物可單獨使用,亦可併用2種以上。
抗靜電層可含有具備3個以上羥基的含羥基化合物。當抗靜電層含有前述含羥基化合物時,可使抗靜電性更為提升。抗靜電層即便含有羥基數未達3個之含羥基化合物,也無法充分獲得抗靜電性的提升效果。
含羥基化合物可列舉:糖醇化合物、芳香族環鍵結有3個以上羥基的芳香族系含羥基化合物等。該含羥基化合物並非聚合物。
糖醇化合物可列舉:山梨醇(熔點95℃)、木糖醇(熔點92至96℃)、麥芽糖醇(熔點145℃)、赤藻糖醇(熔點121℃)、甘露糖醇(熔點166至168℃)、肌醇(熔點225至227℃)、乳糖醇(熔點150℃)等。
芳香族系含羥基化合物可列舉:五倍子酚(熔點131至134℃)、沒食子酸(熔點250℃)、沒食子酸丙酯(熔點150℃)等。
前述含羥基化合物可單獨使用,亦可併用2種以上。
含羥基化合物係以熔點150℃以下者為佳,較佳為熔點135℃以下者,更佳為熔點100℃以下者。當含羥基化合物的熔點為前述上限值以下時,抗靜電層的抗靜電性會更為提升。另一方面,含羥基化合物的熔點較佳為50℃以上。
再者,含羥基化合物的熔點係可依據示差掃描熱析法(DSC)測得。
抗靜電層可含有眾所皆知的添加劑。
就添加劑而言,只要具有本發明之效果,即無特別限制,例如可使用:界面活性劑、無機導電劑、消泡劑、偶合劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑等。惟,添加劑係由前述聚陰離子、前述鹼化合物以及前述含羥基化合物以外的化合物所構成。
界面活性劑可列舉非離子系、陰離子系、陽離子系的界面活性劑,從保存安定性方面而言是以非離子系為佳。又,亦可添加聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯啶酮等聚合物系界面活性劑。
無機導電劑可列舉:金屬離子類、導電性碳等。再者,金屬離子係可藉由將金屬鹽溶解於水而生成者。
消泡劑可列舉:聚矽氧樹脂、聚二甲基矽氧烷等。
偶合劑可列舉:具有乙烯基、胺基、環氧基等的矽烷偶合劑等。
抗氧化劑可列舉:酚系抗氧化劑、胺系抗氧化劑、磷系抗氧化劑、硫系抗氧化劑、糖類、維他命類等。
紫外線吸收劑可列舉:苯并三唑系紫外線吸收劑、二苯基酮系紫外線吸收劑、柳酸酯系紫外線吸收劑、氰基丙
烯酸酯系紫外線吸收劑、草醯二苯胺(oxanilide)系紫外線吸收劑、受阻胺系紫外線吸收劑、苯甲酸酯系紫外線吸收劑等。
本發明之抗靜電膜的製造方法係具有調製步驟、塗佈步驟以及乾燥延伸步驟。
調製步驟,係將聚乙烯醇以及依期望的水分散性樹脂混合至導電性高分子水分散液而調製混合液的步驟。
此處,導電性高分子水分散液係指在水系分散媒質中含有包含π共軛系導電性高分子及聚陰離子之導電性複合物的分散液。
調製步驟中,為了更加提升抗靜電膜的抗靜電性,係可於導電性高分子水分散液中添加上述含羥基化合物。又,調製步驟中,為了抑制抗靜電層的白化,係可於導電性高分子水分散液中添加上述鹼化合物。再者,導電性高分子水分散液中亦可添加上述添加劑。
當添加鹼化合物時,較佳的添加量是使前述混合液的pH值(25℃)成為3至10之量,更佳的添加量是使pH值成為5至9之量。當前述混合液的pH值在前述範圍內時,抗靜電層的抗靜電性係可更為提升、更抑制白化。
水系分散媒質係水、或水與水溶性有機溶劑的混合物。水系分散媒質中的水的含有比率較佳為50質量%以上,更佳為80質量%以上。另一方面,水系分散媒質中的水的含有比率較佳為95質量%以下。亦即,水系分散媒質中的水的含有比率係以50至95質量%為佳,更佳為80至95質量%。
水溶性有機溶劑可列舉如溶解度參數為10以上的溶劑,例如可列舉:一元醇溶劑、含氮原子之極性溶劑、酚溶劑、多元脂肪族醇溶劑、碳酸酯溶劑、醚溶劑、雜環化合物、腈化合物等。
一元醇溶劑可列舉:甲醇、乙醇、異丙醇等。
含氮原子之極性溶劑可列舉:N-甲基-2-吡咯啶酮、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲亞碸、六亞甲基磷醯三胺、N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基乙醯胺等。腈化合物不包括在含氮原子之極性溶劑中。
酚溶劑可列舉:甲酚、酚、二甲酚等。
多元脂肪族醇溶劑可列舉:乙二醇、丙二醇、二丙二醇、1,3-丁二醇、異戊二醇(isopreneglycol)、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、1,9-壬二醇、新戊二醇等。
碳酸酯溶劑可列舉:碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等。
醚溶劑可列舉:二烷、二乙醚、丙二醇二烷基醚、聚乙二醇二烷基醚、聚丙二醇二烷基醚等。
雜環化合物可列舉:3-甲基-2-唑烷酮
(3-methyl-2-oxazolidinone)等。
腈化合物可列舉:乙腈、戊二腈、甲氧基乙腈、丙腈、苯甲腈等。
此等溶劑可單獨使用1種,亦可作成2種以上的混合物。從安定性的觀點而言,較佳為由甲醇、乙醇、異丙醇及二甲亞碸所成群組中選擇之至少1種。
聚乙烯醇係發揮作為導電性複合物及水分散性樹脂的分散劑之功能。由於混合液含有聚乙烯醇,故在乾燥延伸步驟中將塗佈膜延伸時,延伸性會提高。
聚乙烯醇係藉由將聚乙酸乙烯酯的乙醯基予以皂化而製造,但一部分的乙醯基有未皂化之情形。因而,聚乙烯醇會有包含乙酸乙烯酯單元之情形。本發明所使用之聚乙烯醇的皂化度係較佳為70至100%。聚乙烯醇的皂化度若在前述下限值以上,即可簡單地溶解於水中。
聚乙烯醇的質量平均分子量係較佳為1000至100000,更佳為1300至60000。聚乙烯醇的質量平均分子量若在前述下限值以上時,即可充分地提升後述塗佈膜的延伸性;若在前述上限值以下時,即可提升對水的溶解性。
水分散性樹脂係可分散在導電性高分子水分散液中的樹脂,在抗靜電層中即為黏結劑樹脂。
水分散性樹脂之具體例可舉例:屬於丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、三聚氰胺樹脂,且具有羧基或磺酸基等酸基或其鹽的親水性樹脂。
水分散性樹脂之其他具體例可舉例:屬於丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、三聚氰胺樹脂等,且被製成乳液(emulsion)者。
上述中,從可更加提高抗靜電性之觀點而言,水分散性樹脂係較佳為具有酸基或其鹽的聚酯樹脂、具有酸基或其鹽的聚胺酯樹脂、乳液狀的聚酯樹脂、乳液狀的聚胺酯樹脂。
前述水分散性樹脂可單獨使用,亦可併用2種以上。
從抗靜電性的物性之觀點而言,水分散性樹脂的玻璃轉移溫度較佳為0℃以上。又,玻璃轉移溫度係可依據示差掃描熱析法(DSC)測得。
聚乙二醇或聚環氧烷(polyalkylene oxide)等聚醚樹脂雖為具有水分散性的樹脂,但因會致使白化及抗靜電性下降,而為不佳。
因而,水分散性樹脂係不使用聚醚樹脂,以抗靜電層不含有聚醚樹脂為佳。
在混合液中的聚乙烯醇的含有比率,相對於混合液總質量100質量%,較佳為0.01至10質量%,更佳為0.1至5質量%。聚乙烯醇的含有比率在前述下限值以上時,可更
加提升塗佈膜的延伸性;在前述上限值以下時,可抑制抗靜電性的降低。
在混合液中的水系散媒的含有比率,相對於混合液總質量100質量%,較佳為50至90質量%,更佳為70至90質量%。水系分散媒質的含有比率在前述下限值以上時,各成分易被分散,可提升塗佈性;在前述上限值以下時,因固形份濃度提高,故以一次塗佈即可容易地確保厚度。
於導電性高分子水分散液中添加上述水分散性樹脂而使混合液含有水分散性樹脂時,在混合液中的水分散性樹脂的含有比例,相對於導電性複合物的固形份100質量份,較佳為100至10000質量份,更佳為100至5000質量份,又更佳為100至1000質量份。水分散性樹脂的含有比例在前述下限值以上時,可提升製膜性及膜強度。然而,若水分散性樹脂的含有比例超過前述上限值,則因導電性複合物的含有比例下降,而有使抗靜電性下降之情形。
於導電性高分子水分散液中添加上述含羥基化合物而使混合液含有含羥基化合物時,在混合液中的含羥基化合物的含有比例,相對於導電性複合體的固形份100質量份,較佳為10至1000質量份,更佳為10至500質量份,又更佳為10至200質量份。含羥基化合物的含有比例在前述下限值以上時,可更為提升抗靜電性。然而,若含羥基化合物的含有比例超過前述上限值時,則因導電性複合物的含有比例相對性地下降,反而有使抗靜電性下降之情形。
於導電性高分子水分散液中添加上述添加劑而使混合
液含有添加劑時,在混合液中的添加劑的含有比例,雖依據添加劑的種類而適當決定,但通常相對於導電性複合物的固形份100質量份,係在0.001至5質量份之範圍內。
對於導電性高分子水分散液,可施行賦予剪切力而使水系分散媒質中的導電性複合物的分散性提升之高分散化處理。
高分散化處理中,係以使用分散機為佳。分散機例如可舉例均質機、高壓均質機、珠磨機等,其中以高壓均質機為佳。
高壓均質機係例如為具備下述部分之裝置:將高分散化處理的導電性高分子水分散液等進行加壓的高壓產生部、以及進行分散的對向碰撞部或孔口(orifice)部或狹縫部。高壓產生部係適合使用柱塞泵(plunger pump)等高壓泵。
高壓泵係有一缸、二缸、三缸等各種形式,本發明可採用任一種形式。
高壓均質機的具體例可列舉:吉田機械興業公司製的商品名Nanomizer、Micro Fluidics製的商品名Microfluidizer、Sugino Machine製的altemizer等。
在聚乙烯醇的混合中,較佳係將聚乙烯醇混合至經高
分散化處理的導電性高分子水分散液中而得到混合液。在聚乙烯醇的混合時,較佳係在將聚乙烯醇添加至經高分散化處理的導電性高分子水分散液中的途中或添加後進行攪拌。
在混合水分散性樹脂時,較佳係將水分散性樹脂混合至經高分散化處理的導電性高分子水分散液中而得到混合液。在水分散性樹脂的混合時,較佳係在將水分散性樹脂添加至經高分散化處理的導電性高分子水分散液中的途中或添加後進行攪拌。
水分散性樹脂可以固體形態而混合至與導電性高分子水分散液,亦可以水溶液或水分散液(漿液或乳液)的形態混合至導電性高分子水分散液。
塗佈步驟係將前述混合液塗佈於膜基材之至少一面而獲得塗佈膜的步驟。
塗佈混合液的膜基材,即其延伸前的平均厚度係較佳為10至500μm,更佳為20至200μm。膜基材的平均厚度在前述下限值以上時,不易斷裂;在前述上限值以下時,可確保作為膜的充分可撓性。
就混合液的塗佈方法而言,例如可適用:使用凹版塗佈機(gravure coater)、輥式塗佈機(roll coater)、淋幕式塗佈機(curtain flow coater)、旋轉塗佈機(spin coater)、塗佈棒(bar coater)、逆轉式塗佈機(reverse coater)、吻合塗佈機(kiss
coater)、噴注式塗佈機(fountain coater)、棒式塗佈機(rod coater)、氣刮刀塗佈機(air doctor coater)、刀塗佈機(knife coater)、刮刀塗佈機(blade coater)、塗鑄機(cast coater)、網版塗佈機(screen coater)等塗佈機的塗佈方法;使用空氣噴霧(air spray)、無空氣噴霧(airless spray)、轉子濕潤(rotor dampening)等噴霧器的噴霧方法;浸漬等的浸漬方法。
上述中,由可簡便塗佈之觀點而言,有使用塗佈棒之情形。塗佈棒中係依據種類而使塗佈厚度有所差異,市售的塗佈棒係依種類而有編號,其編號越大者,越可進行厚塗佈。
前述混合液對基材的塗佈量雖無特別限制,就固形份而言是以0.1至2.0g/m2為佳。
乾燥延伸步驟係將前述塗佈膜加熱乾燥並延伸的步驟。藉由將塗佈的混合液乾燥並延伸,而可形成抗靜電層。又,藉由將塗佈膜延伸,即使塗佈面積小,亦可獲得大面積的抗靜電膜,而可提升抗靜電膜的生產性。
在乾燥延伸步驟中,塗佈膜的加熱溫度較佳為在水系分散媒質的沸點以上。又,塗佈膜的加熱溫度較佳為在200℃以下,更佳為在180℃以下。亦即,塗佈膜的加熱溫度較佳為在水系分散媒質的沸點以上且200℃以下,更佳為在水系分散媒質的沸點以上且180℃以下。
塗佈膜的加熱方法係例如可採用熱風加熱或紫外線加
熱等一般的方法。
在乾燥延伸步驟中,有至少一部份的聚乙烯醇會分解而消失之情形,但在不使用水分散性樹脂時,較佳係以抑制聚乙烯醇分解之方式調整加熱溫度。具體而言,較佳係將加熱溫度設為在水系分散媒質沸點以上且150℃以下。
在將混合液塗膜乾燥後的延伸前的膜平均厚度,較佳為20至1000μm,更佳為40至400μm。在將混合液塗膜乾燥後的延伸前的膜平均厚度在前述下限值以上時,可發揮充分高之抗靜電性;在前述上限值以下時,可容易形成抗靜電層。
乾燥延伸步驟中,可在將塗佈膜乾燥之同時進行延伸,亦可在乾燥後進行延伸。若與乾燥同時進行延伸、或是乾燥後進行延伸,則可利用為了使塗佈膜乾燥所賦予的熱來軟化膜基材。因此,可提高為了獲得抗靜電膜所使用之能量的效率。
當使用單軸延伸膜作為膜基材時,較佳係在與延伸方向為垂直的方向延伸。例如,當使用經沿著長度方向延伸的單軸延伸膜作為膜基材時,較佳為沿著寬度方向進行延伸。
塗佈膜的延伸倍率較佳為2至5倍。當延伸倍率在前述下限值以上時,可更為提高抗靜電膜的生產性;在前述上限值以下時,可防止膜的斷裂。
當使用非晶質聚對酞酸乙二酯膜作為膜基材時,可在乾燥延伸步驟後具有結晶化步驟。
結晶化步驟中,係將乾燥的塗佈膜以使其表面溫度成為200℃以上之方式加熱後,冷卻至未達聚對酞酸乙二酯的結晶化溫度。
將表面溫度加熱至200℃以上時,構成膜基材的非晶質聚對酞酸乙二酯的至少一部分會開始熔解。熔解後,在將表面溫度冷卻至未達聚對酞酸乙二酯的結晶化溫度時,一部分熔解的非晶質聚對酞酸乙二酯會結晶化並固化。因此,可將膜基材製成結晶質聚對酞酸乙二酯膜。包含結晶質聚對酞酸乙二酯膜的膜基材,係拉抗強度等機械性的物性優異。
上述抗靜電膜的製造方法中,因使用π共軛系導電性高分子作為有助於抗靜電之導電性成分,故抗靜電性不易受到溼度等的影響。
又,在上述製造方法中,因在塗佈於膜基材的混合液中含有聚乙烯醇,故可充分地提升所得之抗靜電膜的抗靜電性。再者,因塗佈於膜基材的混合液中含有聚乙烯醇,故可提升塗佈膜的延伸性。因此,依據上述製造方法,可容易地製造出比塗佈面積更大面積的抗靜電膜,並且生產性優異,生產的安定性也優異。
又,在具有上述步驟的抗靜電膜的製造方法中,可藉
由擠壓成形而製造膜基材,並一邊使該製造的膜基材運行一邊將前述混合液連續塗佈,且在該連續塗佈後緊接著進行加熱乾燥並延伸。或者是,在具有上述步驟的抗靜電膜的製造方法中,可從輥狀膜基材連續送出膜基材,並一邊使該連續送出的膜基材運行一邊將前述混合液連續塗佈,且在該連續塗佈後緊接著進行加熱乾燥並延伸。亦即,依據上述製造方法,可從膜基材連續地製造抗靜電膜。在連續製造之情況下,可更加提升抗靜電膜的生產性。
(a)本發明的抗靜電膜之製造方法的較佳態樣係具有下列步驟:調製步驟,係將聚乙烯醇混合至導電性高分子水分散液而調製混合液,其中,該導電性高分子水分散液係在水系分散媒質中含有導電性複合物者,該導電性複合物係包含聚噻吩系導電性高分子、及具有磺酸基的聚陰離子;塗佈步驟,係將前述混合液塗佈於膜基材之至少一面而獲得塗佈膜;以及乾燥延伸步驟,係將前述塗佈膜加熱、乾燥並予以延伸而形成抗靜電層。
(b)本發明的抗靜電膜之製造方法的更佳態樣係具有下列步驟:調製步驟,係將聚乙烯醇及水分散性樹脂混合至導電性高分子水分散液而調製混合液,其中,該導電性高分子
水分散液係在水系分散媒質中含有導電性複合物,該導電性複合物係包含聚噻吩系導電性高分子、及具有磺酸基的聚陰離子;塗佈步驟,係將前述混合液塗佈於膜基材之至少一面而獲得塗佈膜;以及乾燥延伸步驟,係將前述塗佈膜加熱、乾燥並予以延伸而形成抗靜電層;其中,前述水分散性樹脂係由聚酯、聚胺酯、聚酯-聚胺酯所成群組中選擇之一種以上。
(c)本發明的抗靜電膜之製造方法的再更佳態樣係具有下列步驟:調製步驟,係將聚乙烯醇、水分散性聚酯樹脂及鹼化合物混合至導電性高分子水分散液而調製成在25℃時之pH值為5至9的混合液,其中,該導電性高分子水分散液係在水中含有導電性複合物,該導電性複合物係包含聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)及聚苯乙烯磺酸;塗佈步驟,係將前述混合液塗佈於膜基材之至少一面而獲得塗佈膜;以及乾燥延伸步驟,係將前述塗佈膜加熱到100至180℃使其乾燥並予以延伸成2至5倍而形成抗靜電層。
在1000ml的離子交換水中溶解206g的苯乙烯磺酸鈉,一邊於80℃攪拌,一邊將預先經10ml水溶解的1.14g
的過硫酸銨氧化劑溶液以20分鐘滴加,將該溶液攪拌12小時。
對所得之含有苯乙烯磺酸鈉之溶液添加1000ml的10質量%的稀釋硫酸,以超過濾法除去約1000ml的含有聚苯乙烯磺酸之溶液,對殘液添加2000ml離子交換水,以超過濾法除去約2000ml溶液。上述超過濾操作係重複3次。
再者,對所得之溶液添加2000ml離子交換水,以超過濾法除去約2000ml溶液。該超過濾操作係重複3次。
減壓除去所得之溶液中的水,獲得無色的聚苯乙烯磺酸的固形物。
〈調製例2〉聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT-PSS)的水分散液的調製
在20℃下,將14.2g的3,4-伸乙基二氧基噻吩與在2000ml離子交換水中溶解有36.7g苯乙烯磺酸的溶液予以混合。
將由此而得之混合溶液保持於20℃,一邊攪拌,一邊緩慢添加在200ml的離子交換水中溶解有29.64g過硫酸銨及8.0g硫酸鐵的氧化觸媒溶液,攪拌3小時使其反應。
在所得之反應液中添加2000ml的離子交換水,以超過濾法除去約2000ml溶液。此操作係重複3次。
然後,對於所得之溶液添加200ml的10質量%的稀釋硫酸及2000ml的離子交換水,以超過濾法除去約2000ml溶液,再添加2000ml的離子交換水,以超過濾法除去約
2000ml溶液。此操作係重複3次。
再者,對所得之溶液添加2000ml的離子交換水,以超過濾法除去約2000ml溶液。此操作係重複5次,而得到約1.2質量%的藍色的PEDOT-PSS的水分散液。
在將上述PEDOT-PSS水分散液30g與水60g與咪唑0.135g混合後,使用高壓均質機(吉田機械興業公司製Nanomizer)賦予100MPa的壓力進行高分散化處理。在由高分散化處理所得之第1混合液中添加水分散性聚酯10g(互應化學工業公司製,Plascoat RZ-105,固形份濃度25質量%)及聚乙烯醇0.5g(KURARAY公司製,KURARAY POVAL PVA210,皂化度88%,質量平均分子量50000),得到第2混合液。
將此第2混合液使用No.4塗佈棒塗佈在非晶質聚對酞酸乙二酯膜(A-PET膜,玻璃轉移溫度72℃)上。將由此塗佈而得之塗佈膜使用膜雙軸延伸裝置(井本製作所製IMC-11A9),一邊以130℃的溫度加熱、乾燥,一邊在膜的寬度方向進行延伸2倍。依此而獲得具有抗靜電層的抗靜電膜。
除了將膜的寬度方向的延伸倍率改成4倍以外,係與製造例1同樣地進行操作而獲得抗靜電膜。
除了將水分散性聚酯(Plascoat RZ-105)變更為水分散性聚酯(互應化學工業公司製,Plascoat Z-880,固形份濃度25質量%)以外,係與製造例1同樣地進行操作而獲得抗靜電膜。
除了將水分散性聚酯(Plascoat RZ-105)變更為水分散性聚酯(互應化學工業公司製,Plascoat Z-565,固形份濃度25質量%)以外,係與製造例1同樣地進行操作而獲得抗靜電膜。
除了將水分散性聚酯(Plascoat RZ-105)變更為水分散性聚酯(互應化學工業公司製,Plascoat Z-690,固形份濃度25質量%)以外,係與製造例1同樣地進行操作而獲得抗靜電膜。
除了將水分散性聚酯(Plascoat RZ-105)變更為水分散性聚酯(互應化學工業公司製,Plascoat Z-3310,固形份濃度25質量%)以外,係與製造例1同樣地進行操作而獲得抗靜電膜。
除了將水分散性聚酯(Plascoat RZ-105)變更為水分散性聚酯(互應化學工業公司製,Plascoat Z-570,固形份濃度25質量%)以外,係與製造例1同樣地進行操作而獲得抗靜電膜。
除了將聚乙烯醇(KURARAY公司製,KURARAY POVAL PVA210)的量變更為0.25g以外,係與製造例3同樣地進行操作而獲得抗靜電膜。
除了將聚乙烯醇(KURARAY公司製,KURARAY POVAL PVA210)的量變更為1.0g以外,係與製造例3同樣地進行操作而獲得抗靜電膜。
除了將聚乙烯醇(KURARAY公司製,KURARAY POVAL PVA210)變更為聚乙烯醇(日本合成化學公司製,Gohsenol GM14L,皂化度86.5至89.0%,質量平均分子量1500)以外,係與製造例3同樣地進行操作而獲得抗靜電膜。
除了將PEDOT-PSS水分散液的量變更為10g、水的量變更為80g、咪唑的量變更為0.045g以外,係與製造例3同樣地進行操作而獲得抗靜電膜。
將由製造例3而得之抗靜電膜再加熱至240℃後,緩慢地降溫至130℃,將非晶質聚對酞酸乙二酯進行結晶化,而將A-PET膜製成結晶質PET膜。
除了將水分散性聚酯(互應化學工業公司製,Plascoat RZ-105)變更為聚胺酯(DIC公司製,BONDIC 2210,固形份濃度40質量%)以外,係與製造例1同樣地進行操作而獲得抗靜電膜。
除了將水分散性聚酯(互應化學工業公司製,Plascoat RZ-105)變更為BONDIC 2220(DIC公司製,聚酯-聚胺酯,固形份濃度40質量%)以外,係與製造例1同樣地進行操作而獲得抗靜電膜。
除了將水分散性聚酯(互應化學工業公司製,Plascoat RZ-105)變更為BONDIC 2260(DIC公司製,聚酯-聚胺酯,
固形份濃度40質量%)以外,係與製造例1同樣地進行操作而獲得抗靜電膜。
除了將水分散性聚酯(互應化學工業公司製,Plascoat RZ-105)變更為水分散性聚酯(互應化學工業公司製,Plascoat Z-565,固形份濃度25質量%),將KURARAY POVAL PVA210變更為KURARAY POVAL LM25(皂化度33.0至38.0%,質量平均分子量18000)以外,係與製造例1同樣地進行操作而獲得抗靜電膜。
除了將水分散性聚酯(互應化學工業公司製,Plascoat RZ-105)變更為水分散性聚酯(互應化學工業公司製,Plascoat Z-880,固形份濃度25質量%),將KURARAY POVAL PVA210變更為KURARAY POVAL LM25(皂化度33.0至38.0%,質量平均分子量18000)以外,係與製造例1同樣地進行操作而獲得抗靜電膜。
將上述PEDOT-PSS水分散液30g與水70g與咪唑0.135g混合後,使用高壓均質機(吉田機械興業公司製Nanomizer)賦予100MPa的壓力進行高分散化處理。在由高分散化處理所得之第1混合液中添加聚乙烯醇0.5g
(KURARAY公司製,KURARAY POVAL PVA210),得到第2混合液。
將此第2混合液使用No.4塗佈棒塗佈在非晶質聚對酞酸乙二酯膜(A-PET膜,玻璃轉移溫度72℃)上。將由此塗佈而得之塗佈膜使用膜雙軸延伸裝置(井本製作所製IMC-11A9),一邊以130℃的溫度加熱乾燥,一邊在膜的寬度方向進行延伸2倍。依此而得到具有抗靜電層的抗靜電膜。
除了未添加聚乙烯醇以外,係與製造例1同樣地進行操作而獲得膜。
除了未添加聚乙烯醇以外,係與製造例2同樣地進行操作而獲得膜。
除了未添加聚乙烯醇以外,係與製造例3同樣地進行操作而獲得膜。
除了未添加聚乙烯醇以外,係與製造例4同樣地進行操作而獲得膜。
除了未添加聚乙烯醇以外,係與製造例5同樣地進行操作而獲得膜。
除了未添加聚乙烯醇以外,係與製造例6同樣地進行操作而獲得膜。
除了未添加聚乙烯醇以外,係與製造例7同樣地進行操作而獲得膜。
除了未添加聚乙烯醇以外,係與製造例8同樣地進行操作而獲得膜。
除了未添加聚乙烯醇以外,係與製造例9同樣地進行操作而獲得膜。
除了未添加聚乙烯醇以外,係與製造例10同樣地進行操作而獲得膜。
除了未添加聚乙烯醇以外,係與製造例11同樣地進行操作而獲得膜。
除了未添加聚乙烯醇以外,係與製造例13同樣地進行操作而獲得膜。
除了未添加聚乙烯醇以外,係與製造例14同樣地進行操作而獲得膜。
除了未添加聚乙烯醇以外,係與製造例15同樣地進行操作而獲得膜。
除了未添加聚乙烯醇以外,係與製造例16同樣地進行操作而獲得膜。
除了未添加聚乙烯醇以外,係與製造例17同樣地進行操作而獲得膜。
除了未添加聚乙烯醇以外,係與製造例18同樣地進行操作而獲得膜。
將上述PEDOT-PSS水分散液30g與水60g與咪唑0.135g混合後,使用高壓均質機(吉田機械興業公司製Nanomizer)賦予100MPa的壓力進行高分散化處理。在所得之液中添加水分散性聚酯10g(互應化學工業公司製,Plascoat Z-880,固形份濃度25質量%)及聚乙二醇0.3g(平均分子量1000),得到混合液。
將所得之混合液使用No.4塗佈棒塗佈在非晶質聚對酞酸乙二酯膜(A-PET膜,玻璃轉移溫度72℃)上。將由此塗佈而得之塗佈膜使用膜雙軸延伸裝置(井本製作所製IMC-11A9),一邊以130℃的溫度加熱乾燥,一邊在膜的寬度方向進行延伸2倍。依此而得到具有抗靜電層的抗靜電膜。
各抗靜電膜的表面電阻值係使用電阻率儀(三菱化學製Hiresta)測定。測定結果如表1、表2所示。表面電阻值越小,抗靜電性越優異。又,表中標計「OVER」係指超過可測定範圍的上限。
在將除了含有PEDOT-PSS以外又含有聚乙烯醇的混合液塗佈於膜基材的製造例1至18中,抗靜電膜的表面電阻值係充分地小,抗靜電性特別優異。
在將含有PEDOT-PSS但不含有聚乙烯醇的混合液塗佈於膜基材的製造例19至35中,所得之抗靜電膜的抗靜電性低。在製造例19至35中,抗靜電性低的原因係被認為係因混合液不含有聚乙烯醇,而使延伸性不充分,且在抗靜電層產生缺陷。
在將以聚乙二醇取代聚乙烯醇的混合液塗佈於膜基材的製造例36中,所得之抗靜電膜之抗靜電性低。
依本發明而得之抗靜電膜,係適宜用於電子零件包裝用膜、食品包裝用膜等。
Claims (4)
- 一種抗靜電膜的製造方法,係具有下列步驟:調製步驟,係將聚乙烯醇以使其含有比率成為0.01至10質量%之方式混合至導電性高分子水分散液而調製混合液,其中,該導電性高分子水分散液係在水系分散媒質中含有導電性複合物,該導電性複合物係包含π共軛系導電性高分子及聚陰離子;塗佈步驟,係將前述混合液塗佈於膜基材之至少一面而獲得塗佈膜;以及乾燥延伸步驟,係將前述塗佈膜加熱、乾燥並予以延伸而形成抗靜電層。
- 如申請專利範圍第1項所述之抗靜電膜的製造方法,其中,更進一步將水分散性樹脂混合至前述導電性高分子水分散液。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之抗靜電膜的製造方法,其中,係使用非晶質聚對酞酸乙二酯膜作為前述膜基材。
- 如申請專利範圍第3項所述之抗靜電膜的製造方法,其中,前述乾燥延伸步驟後,將乾燥之塗佈膜加熱至200℃以上後,冷卻至前述聚對酞酸乙二酯的結晶化溫度。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014173203A JP5872004B1 (ja) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | 帯電防止フィルムの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201607977A TW201607977A (zh) | 2016-03-01 |
TWI554558B true TWI554558B (zh) | 2016-10-21 |
Family
ID=54324786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104120286A TWI554558B (zh) | 2014-08-27 | 2015-06-24 | 抗靜電膜的製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9546310B2 (zh) |
EP (1) | EP2995643B1 (zh) |
JP (1) | JP5872004B1 (zh) |
KR (1) | KR101670252B1 (zh) |
CN (1) | CN105385313B (zh) |
TW (1) | TWI554558B (zh) |
Families Citing this family (15)
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2014
- 2014-08-27 JP JP2014173203A patent/JP5872004B1/ja active Active
-
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- 2015-06-24 TW TW104120286A patent/TWI554558B/zh active
- 2015-08-19 US US14/830,454 patent/US9546310B2/en active Active
- 2015-08-19 KR KR1020150116549A patent/KR101670252B1/ko active IP Right Grant
- 2015-08-21 CN CN201510520490.2A patent/CN105385313B/zh active Active
- 2015-08-21 EP EP15181978.6A patent/EP2995643B1/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016047501A (ja) | 2016-04-07 |
CN105385313B (zh) | 2017-09-15 |
KR101670252B1 (ko) | 2016-10-28 |
US9546310B2 (en) | 2017-01-17 |
EP2995643A1 (en) | 2016-03-16 |
US20160060497A1 (en) | 2016-03-03 |
CN105385313A (zh) | 2016-03-09 |
EP2995643B1 (en) | 2017-03-22 |
KR20160025458A (ko) | 2016-03-08 |
TW201607977A (zh) | 2016-03-01 |
JP5872004B1 (ja) | 2016-03-01 |
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