JP6832749B2 - 帯電防止フィルムの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、π共役系導電性高分子を含む導電性高分子分散液及びその製造方法、並びに帯電防止フィルム及びその製造方法に関する。

電子部品を包装する際に使用するフィルムとしては、電子部品の故障の原因となる静電気の発生を防止する帯電防止フィルムが広く使用されている。
従来の帯電防止フィルムの製造方法として、フィルム基材の少なくとも一方の面に、π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む帯電防止層を設け、必要に応じて延伸する方法が提案されている（例えば特許文献１）。

特開２０１６−０４７５０１号公報

しかし、特許文献１に記載の帯電防止フィルムの製造方法では、延伸した場合の導電層の表面抵抗値の上昇を抑制することは検討されていない。また、前記導電層が水溶性のポリビニルアルコールを含むため、帯電性防止フィルムの耐水性が低い傾向にあった。

本発明は、延伸前の表面抵抗値が延伸後に急上昇することを抑制できる帯電防止フィルムを製造する方法、良好な帯電防止性及び耐水性を有する帯電防止フィルム、並びに導電性高分子分散液及びその製造方法を提供する。

［１］ π共役系導電性高分子、スルホン酸基含有ポリエステル及びポリスチレンスルホン酸を有する導電性複合体と、前記導電性複合体を分散させる水系分散媒とを含有する導電性高分子分散液。
［２］ 前記導電性高分子分散液に含まれる水の含有量が、前記導電性高分子分散液の総質量に対して、５０質量％以上である、［１］に記載の導電性高分子分散液。
［３］ 前記π共役系導電性高分子が、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）である、［１］または［２］に記載の導電性高分子分散液。
［４］ 前記導電性高分子分散液が、さらにバインダ成分を含有する、［１］〜［３］のいずれか一項に記載の導電性高分子分散液。
［５］ 前記バインダ成分が水分散性エマルションである、［４］に記載の導電性高分子分散液。
［６］ 前記水分散性エマルションが水分散性ポリエステルエマルションである、［５］に記載の導電性高分子分散液。
［７］ 前記導電性高分子分散液が、さらに高導電化剤を含有する、［１］〜［６］のいずれか一項に記載の導電性高分子分散液。
［８］ 前記高導電化剤がプロピレングリコールである、［７］に記載の導電性高分子分散液。
［９］ スルホン酸基含有ポリエステル、ポリスチレンスルホン酸及び水系分散媒を含む溶液中で、π共役系導電性高分子のモノマーを重合することによって、前記π共役系導電性高分子、前記スルホン酸基含有ポリエステル及び前記ポリスチレンスルホン酸を有する導電性複合体と、前記導電性複合体を分散させる水系分散媒とを含有する導電性高分子分散液を得る、導電性高分子分散液の製造方法。
［１０］ スルホン酸塩基含有ポリエステルを陽イオン交換樹脂に接触させることにより、前記スルホン酸基含有ポリエステルを得る工程を有する、［９］に記載の導電性高分子分散液の製造方法。
［１１］ フィルム基材と、前記フィルム基材の少なくとも一方の面に形成された導電層と、を有する帯電防止フィルムであって、前記導電層にπ共役系導電性高分子、スルホン酸基含有ポリエステル及びポリスチレンスルホン酸が含まれる、帯電防止フィルム。
［１２］ π共役系導電性高分子、スルホン酸基含有ポリエステル及びポリスチレンスルホン酸を有する導電性複合体が水系分散媒中に含まれる導電性高分子分散液を、非晶性フィルム基材の少なくとも一方の面に塗工して塗工フィルムを得る塗工工程と、前記塗工フィルムを延伸して延伸フィルムを得る延伸工程と、を有する、帯電防止フィルムの製造方法。
［１３］ π共役系導電性高分子、スルホン酸基含有ポリエステル及びポリスチレンスルホン酸を有する導電性複合体が水系分散媒中に含まれる導電性高分子分散液を、非晶性フィルム基材の少なくとも一方の面に塗工して塗工フィルムを得る塗工工程と、前記塗工フィルムを延伸して、延伸フィルムを得る延伸工程と、前記延伸フィルムを加熱した後に冷却して前記非晶性フィルム基材を結晶化させて結晶化フィルムを得る結晶化工程と、を有する、帯電防止フィルムの製造方法。
［１４］ π共役系導電性高分子、スルホン酸基含有ポリエステル及びポリスチレンスルホン酸を有する導電性複合体が水系分散媒中に含まれる導電性高分子分散液を、非晶性フィルム基材の少なくとも一方の面に塗工して塗工フィルムを得る塗工工程と、前記塗工フィルムを延伸して、延伸フィルムを得る延伸工程と、前記延伸フィルムを加熱した後に冷却して、前記非晶性フィルム基材と共に前記導電性複合体を結晶化させて結晶化フィルムを得る結晶化工程と、を有する、帯電防止フィルムの製造方法。
［１５］ 前記結晶化工程における延伸フィルムの加熱温度が２００℃以上である、［１３］または［１４］に記載の帯電防止フィルムの製造方法。
［１６］ 前記非晶性フィルム基材が非結晶ポリエチレンテレフタレートフィルムである、［１２］〜［１５］のいずれか一項に記載の帯電防止フィルムの製造方法。

本発明の帯電防止フィルムの製造方法によれば、塗膜の延伸が可能であり、延伸前の表面抵抗値が延伸後に急上昇することを抑制し、帯電防止性及び耐水性が良好な帯電防止フィルムを製造することができる。
本発明の帯電防止フィルムは良好な帯電防止性及び耐水性を有する。また、フィルム基材を結晶化するための加熱処理を行った場合にも、その表面抵抗値の上昇が充分に抑制され、良好な耐熱性も有する。
本発明の導電性高分子分散液は、延伸工程を有する帯電防止フィルムの製造に好適に用いられる。
本発明の導電性高分子分散液の製造方法によれば、スルホン酸基含有ポリエステル及びポリスチレンスルホン酸を含む導電性複合体が分散された目的の分散液を容易に得ることができる。

《導電性高分子分散液》
本発明の第一態様は、π共役系導電性高分子、スルホン酸基含有ポリエステル及びポリスチレンスルホン酸を有する導電性複合体と、前記導電性複合体を分散させる水系分散媒とを含有する導電性高分子分散液である。
前記導電性高分子分散液は、必要に応じて、高導電化剤、バインダ成分、その他の添加剤を含有してもよい。

π共役系導電性高分子としては、主鎖がπ共役系で構成されている有機高分子であれば本発明の効果を有する限り特に制限されず、例えば、ポリピロール系導電性高分子、ポリチオフェン系導電性高分子、ポリアセチレン系導電性高分子、ポリフェニレン系導電性高分子、ポリフェニレンビニレン系導電性高分子、ポリアニリン系導電性高分子、ポリアセン系導電性高分子、ポリチオフェンビニレン系導電性高分子、及びこれらの共重合体等が挙げられる。空気中での安定性の点からは、ポリピロール系導電性高分子、ポリチオフェン類及びポリアニリン系導電性高分子が好ましく、透明性の面から、ポリチオフェン系導電性高分子がより好ましい。

ポリチオフェン系導電性高分子としては、ポリチオフェン、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−エチルチオフェン）、ポリ（３−プロピルチオフェン）、ポリ（３−ブチルチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリ（３−ヘプチルチオフェン）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（３−デシルチオフェン）、ポリ（３−ドデシルチオフェン）、ポリ（３−オクタデシルチオフェン）、ポリ（３−ブロモチオフェン）、ポリ（３−クロロチオフェン）、ポリ（３−ヨードチオフェン）、ポリ（３−シアノチオフェン）、ポリ（３−フェニルチオフェン）、ポリ（３，４−ジメチルチオフェン）、ポリ（３，４−ジブチルチオフェン）、ポリ（３−ヒドロキシチオフェン）、ポリ（３−メトキシチオフェン）、ポリ（３−エトキシチオフェン）、ポリ（３−ブトキシチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルオキシチオフェン）、ポリ（３−ヘプチルオキシチオフェン）、ポリ（３−オクチルオキシチオフェン）、ポリ（３−デシルオキシチオフェン）、ポリ（３−ドデシルオキシチオフェン）、ポリ（３−オクタデシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジヒドロキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジメトキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジエトキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジプロポキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジブトキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジヘキシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジヘプチルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジオクチルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジデシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジドデシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−プロピレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ブチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−メトキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−エトキシチオフェン）、ポリ（３−カルボキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシエチルチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシブチルチオフェン）が挙げられる。
ポリピロール系導電性高分子としては、ポリピロール、ポリ（Ｎ−メチルピロール）、ポリ（３−メチルピロール）、ポリ（３−エチルピロール）、ポリ（３−ｎ−プロピルピロール）、ポリ（３−ブチルピロール）、ポリ（３−オクチルピロール）、ポリ（３−デシルピロール）、ポリ（３−ドデシルピロール）、ポリ（３，４−ジメチルピロール）、ポリ（３，４−ジブチルピロール）、ポリ（３−カルボキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシエチルピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシブチルピロール）、ポリ（３−ヒドロキシピロール）、ポリ（３−メトキシピロール）、ポリ（３−エトキシピロール）、ポリ（３−ブトキシピロール）、ポリ（３−ヘキシルオキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−ヘキシルオキシピロール）が挙げられる。
ポリアニリン系導電性高分子としては、ポリアニリン、ポリ（２−メチルアニリン）、ポリ（３−イソブチルアニリン）、ポリ（２−アニリンスルホン酸）、ポリ（３−アニリンスルホン酸）が挙げられる。
上記π共役系導電性高分子のなかでも、導電性、透明性、耐熱性の点から、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）が特に好ましい。
導電性複合体に含まれるπ共役系導電性高分子は、１種類でもよいし、２種類以上でもよい。

＜ポリスチレンスルホン酸＞
導電性複合体に含まれるポリスチレンスルホン酸は、π共役系導電性高分子に対するドーパントとして機能し、π共役系導電性高分子の導電性を向上させる。この際、ポリスチレンスルホン酸のスルホン酸基の少なくとも一部は、π共役系導電性高分子に配位していると考えられる。

ポリスチレンスルホン酸の質量平均分子量は２万以上１００万以下であることが好ましく、１０万以上５０万以下であることがより好ましい。
本明細書における質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィで測定し、標準物質をポリスチレンとして求めた値である。

導電性複合体中の、ポリスチレンスルホン酸の含有割合は、π共役系導電性高分子１０質量部に対して１質量部以上１００００質量部以下の範囲であることが好ましく、５質量部以上１０００質量部以下の範囲であることがより好ましく、１０質量部以上１００質量部以下の範囲であることがさらに好ましい。
ポリスチレンスルホン酸の含有割合が前記下限値以上であると、π共役系導電性高分子へのドーピング効果が高まり、導電性が向上する。また、導電性高分子分散液における導電性複合体の分散性が高くなる。
ポリスチレンスルホン酸の含有割合が前記上限値以下であると、π共役系導電性高分子の相対的な含有量が高まり、充分な導電性が得られ易い。
導電性複合体に含まれるポリスチレンスルホン酸の種類は、１種類でもよいし、２種類以上でもよい。

＜スルホン酸基含有ポリエステル＞
スルホン酸基含有ポリエステルのスルホン酸基は、水素原子が結合した中性状態｛−Ｓ（＝Ｏ）_２−ＯＨ｝であってもよいし、水素原子が解離して負電荷を有する荷電状態｛−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ⁻｝であってもよい。スルホン酸基のｐＫａは負であるため、通常の水系溶媒中では、荷電状態にあると考えられる。
前記導電性複合体において、スルホン酸基含有ポリエステルとπ共役系導電性高分子との結合力を高める観点から、スルホン酸基含有ポリエステルのスルホン酸基が荷電状態にあり、スルホン酸基含有ポリエステルがポリアニオンの形態であることが好ましい。
なお、前記導電性複合体において、荷電状態のスルホン酸基の一部に、ナトリウムイオンやカリウムイオン等の陽イオンがカウンターカチオンとして結合し、スルホン酸塩基が部分的に存在していても構わない。

スルホン酸基（又はスルホン酸塩基）含有ポリエステルは、試薬会社から購入することができる。または、公知の合成法によって得てもよい。例えばスルホン酸塩基（又はスルホン酸基）を有するジカルボン酸とジオールとの重縮合反応等の公知方法によってスルホン酸塩基（又はスルホン酸基）含有ポリエステルを得ることもできる。若しくは、例えば、ジカルボン酸とスルホン酸塩（又はスルホン酸基）を有するジオールとの重縮合反応等の公知方法によってスルホン酸塩基（又はスルホン酸基）含有ポリエステルを得ることもできる。
スルホン酸基（又はスルホン酸塩基）を有するジカルボン酸成分としては、例えば、２−スルホテレフタル酸、５−スルホイソフタル酸、４−スルホナフタレンイソフタル酸−２，７−ジカルボン酸および５−（４−スルホフェノキシ）イソフタル酸、またはそれらのアルカリ金属塩等を挙げられる。
スルホン酸基（又はスルホン酸塩基）を有するジオールとしては、例えば、２−スルホ−１，４−ブタンジオール、２，５−ジメチル−３−スルホ−２，５−ヘキサンジオール、又はそれらのアルカリ金属塩等が挙げられる。

スルホン酸基含有ポリエステルを構成する全ジカルボン酸単位（１００モル％）のうち、スルホン酸基及びスルホン酸塩基の少なくとも一方を有するジカルボン酸単位の含有量は、５モル％以上９０モル％以下が好ましく、１０モル％以上７０モル％以下がより好ましく、２０モル％以上５０モル％以下がさらに好ましい。
上記範囲の下限以上であると、π共役系導電性高分子に対する結合が向上し、ドーパントとしての機能がより向上する。また、導電性複合体の水系分散媒に対する分散性が向上する。また、上記範囲の上限値以下であると、形成される導電層の耐水性がより向上する傾向がある。

スルホン酸基含有ポリエステルを構成する全ジオール単位（１００モル％）のうち、スルホン酸基及びスルホン酸塩基の少なくとも一方を有するジオール単位の含有量は、５モル％以上９０モル％以下が好ましく、１０モル％以上７０モル％以下がより好ましく、２０モル％以上５０モル％以下がさらに好ましい。
上記範囲の下限以上であると、π共役系導電性高分子に対する結合が向上し、ドーパントとしての機能がより向上する。また、導電性複合体の水系分散媒に対する分散性が向上する。また、上記範囲の上限値以下であると、形成される導電層の耐水性がより向上する傾向がある。

スルホン酸基含有ポリエステルを構成する全構成単位（１００モル％）のうち、スルホン酸基及びスルホン酸塩基の少なくとも一方を有する、ジカルボン酸単位及びジオール単位の含有量は、５モル％以上９０モル％以下が好ましく、１０モル％以上７０モル％以下がより好ましく、２０モル％以上５０モル％以下がさらに好ましい。
上記範囲の下限以上であると、π共役系導電性高分子に対する結合が向上し、ドーパントとしての機能がより向上する。また、導電性複合体の水系分散媒に対する分散性が向上する。また、上記範囲の上限値以下であると、形成される導電層の耐水性がより向上する傾向がある。

スルホン酸基含有ポリエステルの酸価（単位：ＫＯＨｍｇ／ｇ）は、１以上５以下が好ましく、２以上４以下がより好ましく、３が特に好ましい。スルホン酸基含有ポリエステルの酸価が上記範囲であるとπ共役系導電性高分子に対する結合が向上し、ドーパントとしての機能がより向上する。スルホン酸基含有ポリエステルの酸価は、ＪＩＳ Ｋ２５０１−２００３によって測定される。

スルホン酸基含有ポリエステルのガラス転移温度（Ｔｇ）は、１０℃以上８０℃以下が好ましく、１５℃以上７０℃以下がより好ましく、２０℃以上６５℃以下がさらに好ましい。
スルホン酸基含有ポリエステルのＴｇが上記範囲の下限以上であると、帯電防止フィルムの製造時における延伸後の加熱による結晶化工程によって、延伸前よりも高い導電性を得ることが容易になる。スルホン酸基含有ポリエステルのＴｇは、ＪＩＳ Ｋ７１２１−１９８７によって測定される。

スルホン酸基含有ポリエステルの数平均分子量（Ｍｎ）は、１０００以上１０万以下が好ましく、５０００以上５万以下がより好ましく、１万以上３万以下がさらに好ましい。
スルホン酸基含有ポリエステルの数平均分子量が上記範囲の下限以上であると優れた導電性が得られ易い。上記範囲の上限以下であると、導電性複合体の水系分散媒に対する良好な分散性が得られ易い。本明細書におけるスルホン酸基含有ポリエステルの数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィで測定し、標準物質をポリスチレンとして求めた値である。

導電性複合体中のスルホン酸基含有ポリエステルの含有割合は、π共役系導電性高分子１０質量部に対して１質量部以上１０００質量部以下の範囲であることが好ましく、１０質量部以上５００質量部以下の範囲であることがより好ましく、３０質量部以上３００質量部以下の範囲であることがさらに好ましい。
スルホン酸基含有ポリエステルの含有割合が前記下限値以上であると、π共役系導電性高分子へのドーピング効果が強くなり、導電性が高まり易くなる。また、導電性高分子分散液における導電性複合体の分散性がより向上する。
スルホン酸基含有ポリエステルの含有割合が前記上限値以下であると、π共役系導電性高分子の含有量とのバランスが良好になり、充分な導電性が得られ易くなる。
導電性複合体に含まれるスルホン酸基含有ポリエステルは、１種類でもよいし、２種類以上でもよい。

導電性高分子分散液の総質量に対する、前記導電性複合体の含有量は、例えば、０．１質量％以上２０質量％以下が好ましく、０．５質量％以上１０質量％以下がより好ましく、１．０質量％以上５．０質量％以下がさらに好ましい。

本態様における水系分散媒は、導電性複合体を分散させる液体であり、水、又は水と有機溶剤との混合液である。
水系分散媒における水の含有割合は、水系分散媒の総質量（１００質量％）に対して、６０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることがさらに好ましい。水系分散媒における水の含有割合が前記下限値以上であると、導電性高分子分散液における導電性複合体の分散性がより向上する。
本態様において、導電性高分子分散液から固形分を除いたものが水系分散媒である。例えば後述するバインダ成分の水分散性エマルションが導電性高分子分散液に含まれる場合、水分散性エマルションを構成する水分と前記導電性高分子を分散する水分とは区別されない。つまり、導電性高分子分散液に含まれる水分は全て水系分散媒を構成する。また、その水系分散媒がバインダ成分のエマルションを形成していても構わない。
また後述する高導電化剤が下記有機溶剤を含む場合、該高導電化剤としての有機溶剤は水系分散媒の一部でもある。

前記有機溶剤としては、例えば、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
前記有機溶剤は１種であってもよいし、２種以上であってもよい。
アルコール系溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブタノール、アリルアルコール等が挙げられる。
エーテル系溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジメチルエーテル、エチレングリコール、プロピレングリコール、プロプレングリコールモノメチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールジアルキルエーテル等が挙げられる。
ケトン系溶媒としては、例えば、ジエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、ジイソプロピルケトン、メチルエチルケトン、アセトン、ジアセトンアルコール等が挙げられる。
エステル系溶媒としては、例えば、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン等が挙げられる。

本発明の導電性高分子分散液は任意成分としてバインダ成分を含んでいてもよい。バインダ成分は、π共役系導電性高分子、スルホン酸基含有ポリエステル及びポリスチレンスルホン酸以外の高分子を有する。バインダ成分を含ませることにより、導電性高分子分散液をフィルム基材に塗布してなる塗膜の強度を高めることができる。
前記高分子の具体例としては、例えば、アクリル樹脂、スルホン酸基（またはスルホン酸塩基）を有しないポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテル樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。
バインダ成分は、導電性高分子分散液中に分散可能な水分散性樹脂が好ましく、分散媒中でエマルションにされた水分散性エマルションであることがより好ましい。

水分散性樹脂の具体例としては、アクリル樹脂、スルホン酸基（またはスルホン酸塩基）を有しないポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。これらの水分散性樹脂が有する官能基、例えばカルボキシ基やスルホン酸基等の酸基は、カウンターカチオンと結合した塩を形成していてもよい。前記水分散性樹脂は水溶性であってもよい。ここで、水溶性とは、２５℃の蒸留水（１００質量％）に対して、１質量％以上、好ましくは５質量％以上、より好ましくは１０質量％以上、溶解する性質をいう。
水分散性エマルションとしては、前記水分散性樹脂がエマルションにされたものが挙げられる。
導電性高分子分散液をポリエステルフィルム基材に塗布する場合には、塗膜の密着性が高くなることから、バインダ成分はポリエステルエマルションであることが好ましい。
バインダ成分は、１種単独でもよいし、２種以上でもよい。

バインダ成分の固形分の含有割合は、導電性複合体の固形分１００質量部に対して、１質量部以上１００００質量部以下であることが好ましく、１０質量部以上１０００質量部以下であることがより好ましく、５０質量部以上５００質量部以下であることがさらに好ましい。
バインダ成分の含有割合が前記下限値以上であると、製膜性と膜強度を向上させることができる。バインダ成分の含有割合が前記上限値以下であると、充分な導電性が得られ易い。

導電性高分子分散液は、導電性をより向上させるために、高導電化剤を含んでもよい。
ここで、前述したπ共役系導電性高分子、スルホン酸基含有ポリエステル、ポリスチレンスルホン酸、及びバインダ成分は、高導電化剤に分類されない。ただし、前記有機溶剤がここで説明する高導電化剤に該当していても構わない。
高導電化剤は、糖類、窒素含有芳香族性環式化合物、２個以上のヒドロキシ基を有する化合物、１個以上のヒドロキシ基および１個以上のカルボキシ基を有する化合物、アミド基を有する化合物、イミド基を有する化合物、ラクタム化合物、グリシジル基を有する化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物であることが好ましい。
導電性高分子分散液に含有される高導電化剤は、１種であってもよいし、２種以上であってもよい。

導電性高分子分散液が高導電化剤として塩基性化合物を含むと、その導電性が向上するため好ましい。
ここで「塩基性化合物」とは、プロトンを結合可能な孤立電子対（ローンペア）を有する炭素原子以外の原子（ヘテロ原子）を含む化合物をいう。
塩基性化合物としては、窒素含有化合物が好ましく、窒素含有芳香族性環式化合物がより好ましい。

窒素含有芳香族性環式化合物としては、例えば、一つの窒素原子を含有するピリジン類及びその誘導体、二つの窒素原子を含有するイミダゾール類及びその誘導体、ピリミジン類及びその誘導体、ピラジン類及びその誘導体、三つの窒素原子を含有するトリアジン類及びその誘導体等が挙げられる。溶媒溶解性等の観点からは、ピリジン類及びその誘導体、イミダゾール類及びその誘導体、ピリミジン類及びその誘導体が好ましい。

ピリジン類及びその誘導体の具体的な例としては、ピリジン、２−メチルピリジン、３−メチルピリジン、４−メチルピリジン、４−エチルピリジン、Ｎ−ビニルピリジン、２，４−ジメチルピリジン、２，４，６−トリメチルピリジン、３−シアノ−５−メチルピリジン、２−ピリジンカルボン酸、６−メチル−２−ピリジンカルボン酸、４−ピリジンカルボキシアルデヒド、４−アミノピリジン、２，３−ジアミノピリジン、２，６−ジアミノピリジン、２，６−ジアミノ−４−メチルピリジン、４−ヒドロキシピリジン、４−ピリジンメタノール、２，６−ジヒドロキシピリジン、２,６−ピリジンジメタノール、６−ヒドロキシニコチン酸メチル、２−ヒドロキシ−５−ピリジンメタノール、６−ヒドロキシニコチン酸エチル、４−ピリジンメタノール、４−ピリジンエタノール、２−フェニルピリジン、３−メチルキノリン、３−エチルキノリン、キノリノール、２，３−シクロペンテノピリジン、２，３−シクロヘキサノピリジン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）プロパン、２−ピリジンカルボキシアルデヒド、２−ピリジンカルボン酸、２−ピリジンカルボニトリル、２,３−ピリジンジカルボン酸、２,４−ピリジンジカルボン酸、２,５−ピリジンジカルボン酸、２,６−ピリジンジカルボン酸、３−ピリジンスルホン酸等が挙げられる。

イミダゾール類及びその誘導体の具体的な例としては、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−プロピルイミダゾール、２−ウンデジルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−アリルイミダゾール、１−（２−ヒドロキシエチル）イミダゾール（Ｎ−ヒドロキシエチルイミダゾール）、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、１−アセチルイミダゾール、４，５−イミダゾールジカルボン酸、４，５−イミダゾールジカルボン酸ジメチル、ベンズイミダゾール、２−アミノベンズイミダゾール、２−アミノベンズイミダゾール−２−スルホン酸、２−アミノ−１−メチルベンズイミダゾール、２−ヒドロキシベンズイミダゾール、２−（２−ピリジル）ベンズイミダゾール等が挙げられる。

ピリミジン類及びその誘導体の具体的な例としては、２−アミノ−４−クロロ−６−メチルピリミジン、２−アミノ−６−クロロ−４−メトキシピリミジン、２−アミノ−４,６−ジクロロピリミジン、２−アミノ−４,６−ジヒドロキシピリミジン、２−アミノ−４,６−ジメチルピリミジン、２−アミノ−４,６−ジメトキシピリミジン、２−アミノピリミジン、２−アミノ−４−メチルピリミジン、４,６−ジヒドロキシピリミジン、２,４−ジヒドロキシピリミジン−５−カルボン酸、２，４，６−トリアミノピリミジン、２，４−ジメトキシピリミジン、２，４，５−トリヒドロキシピリミジン、２，４−ピリミジンジオール等が挙げられる。

ピラジン類及びその誘導体の具体的な例としては、ピラジン、２−メチルピラジン、２，５−ジメチルピラジン、ピラジンカルボン酸、２，３−ピラジンジカルボン酸、５−メチルピラジンカルボン酸、ピラジンアミド、５−メチルピラジンアミド、２−シアノピラジン、アミノピラジン、３−アミノピラジン−２−カルボン酸、２−エチル−３−メチルピラジン、２,３−ジメチルピラジン、２,３−ジエチルピラジン等が挙げられる。

トリアジン類及びその誘導体の具体的な例としては、１，３，５−トリアジン、２−アミノ−１，３，５−トリアジン、３−アミノ−１，２，４−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−フェニル−１，３，５−トリアジン、２，４，６−トリアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）−１，３，５−トリアジン、２，４，６−トリ−２−ピリジン−１，３，５−トリアジン、３−（２−ピリジン）−５，６−ビス（４−フェニルスルホン酸）−１，２，４―トリアジン二ナトリウム、３−（２−ピリジン）−５，６−ジフェニル−１，２，４−トリアジン、３−（２−ピリジン）−５，６−ジフェニル−１，２，４―トリアジン−ρ，ρ’−ジスルホン酸二ナトリウム、２−ヒドロキシ−４，６−ジクロロ−１，３，５−トリアジン等が挙げられる。

２個以上のヒドロキシ基を有する化合物としては、例えば、プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、１，４−ブチレングリコール、Ｄ−グルコース、Ｄ−グルシトール、イソプレングリコール、ジメチロールプロピオン酸、ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，９−ノナンジオール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、チオジエタノール、グルコース、酒石酸、Ｄ−グルカル酸、グルタコン酸等の多価脂肪族アルコール類；セルロース、多糖、糖アルコール等の高分子アルコール；１，４−ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジヒドロキシベンゼン、２，３−ジヒドロキシ−１−ペンタデシルベンゼン、２，４−ジヒドロキシアセトフェノン、２，５−ジヒドロキシアセトフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，６−ジヒドロキシベンゾフェノン、３，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、３，５−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、２，２’，５，５’−テトラヒドロキシジフェニルスルフォン、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、ヒドロキシキノンカルボン酸及びその塩類、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、１，４−ヒドロキノンスルホン酸及びその塩類、４，５−ヒドロキシベンゼン−１，３−ジスルホン酸及びその塩類、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン−２，６−ジカルボン酸、１，６−ジヒドロキシナフタレン−２，５−ジカルボン酸、１，５−ジヒドロキシナフトエ酸、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸フェニルエステル、４，５−ジヒドロキシナフタレン−２，７−ジスルホン酸及びその塩類、１，８−ジヒドロキシ−３，６−ナフタレンジスルホン酸及びその塩類、６，７−ジヒドロキシ−２−ナフタレンスルホン酸及びその塩類、１，２，３−トリヒドロキシベンゼン（ピロガロール）、１，２，４−トリヒドロキシベンゼン、５−メチル−１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、５−エチル−１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、５−プロピル−１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、トリヒドロキシ安息香酸、トリヒドロキシアセトフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾアルデヒド、トリヒドロキシアントラキノン、２，４，６−トリヒドロキシベンゼン、テトラヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、テトラヒドロキシアントラキノン、ガーリック酸メチル（没食子酸メチル）、ガーリック酸エチル（没食子酸エチル）等の芳香族化合物、ヒドロキノンスルホン酸カリウム等が挙げられる。

１個以上のヒドロキシ基及び１個以上のカルボキシ基を有する化合物としては、酒石酸、グリセリン酸、ジメチロールブタン酸、ジメチロールプロパン酸、Ｄ−グルカル酸、グルタコン酸等が挙げられる。

アミド基を有する化合物は、−ＣＯ−ＮＨ−（ＣＯの部分は二重結合）で表されるアミド結合を分子中に有する単分子化合物である。すなわち、アミド化合物としては、例えば、上記結合の両末端に官能基を有する化合物、上記結合の一方の末端に環状化合物が結合された化合物、上記両末端の官能基が水素である尿素及び尿素誘導体などが挙げられる。
アミド化合物の具体例としては、アセトアミド、マロンアミド、スクシンアミド、マレアミド、フマルアミド、ベンズアミド、ナフトアミド、フタルアミド、イソフタルアミド、テレフタルアミド、ニコチンアミド、イソニコチンアミド、２−フルアミド、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、プロピオンアミド、プロピオルアミド、ブチルアミド、イソブチルアミド、パルミトアミド、ステアリルアミド、オレアミド、オキサミド、グルタルアミド、アジプアミド、シンナムアミド、グリコールアミド、ラクトアミド、グリセルアミド、タルタルアミド、シトルアミド、グリオキシルアミド、ピルボアミド、アセトアセトアミド、ジメチルアセトアミド、ベンジルアミド、アントラニルアミド、エチレンジアミンテトラアセトアミド、ジアセトアミド、トリアセトアミド、ジベンズアミド、トリベンズアミド、ローダニン、尿素、１−アセチル−２−チオ尿素、ビウレット、ブチル尿素、ジブチル尿素、１，３−ジメチル尿素、１，３−ジエチル尿素及びこれらの誘導体等が挙げられる。

また、アミド化合物として、アクリルアミドを使用することもできる。アクリルアミドとしては、Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ−エチルアクリルアミド、Ｎ−エチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルメタクリルアミド、２−ヒドロキシエチルアクリルアミド、２−ヒドロキシエチルメタクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミドなどが挙げられる。
アミド化合物の分子量は４６以上１０，０００以下であることが好ましく、４６以上５，０００以下であることがより好ましく、４６以上１，０００以下であることが特に好ましい。

アミド化合物としては、導電性がより高くなることから、イミド結合を有する単分子化合物（以下、イミド化合物という。）が好ましい。イミド化合物としては、その骨格より、フタルイミド及びフタルイミド誘導体、スクシンイミド及びスクシンイミド誘導体、ベンズイミド及びベンズイミド誘導体、マレイミド及びマレイミド誘導体、ナフタルイミド及びナフタルイミド誘導体などが挙げられる。

また、イミド化合物は両末端の官能基の種類によって、脂肪族イミド、芳香族イミド等に分類されるが、溶解性の観点からは、脂肪族イミドが好ましい。
さらに、脂肪族イミド化合物は、分子内の炭素間に不飽和結合を有さない飽和脂肪族イミド化合物と、分子内の炭素間に不飽和結合を有する不飽和脂肪族イミド化合物とに分類される。
飽和脂肪族イミド化合物は、Ｒ^１−ＣＯ−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ^２で表される化合物であり、Ｒ^１，Ｒ^２の両方が飽和炭化水素である化合物である。具体的には、シクロヘキサン−１，２−ジカルボキシイミド、アラントイン、ヒダントイン、バルビツル酸、アロキサン、グルタルイミド、スクシンイミド、５−ブチルヒダントイン酸、５，５−ジメチルヒダントイン、１−メチルヒダントイン、１，５，５−トリメチルヒダントイン、５−ヒダントイン酢酸、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、セミカルバジド、α，α−ジメチル−６−メチルスクシンイミド、ビス［２−（スクシンイミドオキシカルボニルオキシ）エチル］スルホン、α−メチル−α−プロピルスクシンイミド、シクロヘキシルイミドなどが挙げられる。
不飽和脂肪族イミド化合物は、Ｒ^１−ＣＯ−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ^２で表される化合物であり、Ｒ^１，Ｒ^２の一方又は両方が１つ以上の不飽和結合である化合物である。具体例は、１，３−ジプロピレン尿素、マレイミド、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ヒドロキシマレイミド、１，４−ビスマレイミドブタン、１，６−ビスマレイミドヘキサン、１，８−ビスマレイミドオクタン、Ｎ−カルボキシヘプチルマレイミドなどが挙げられる。
イミド化合物の分子量は６０以上５，０００以下であることが好ましく、７０以上１，０００以下であることがより好ましく、８０以上５００以下であることが特に好ましい。

ラクタム化合物とは、アミノカルボン酸の分子内環状アミドであり、環の一部が−ＣＯ−ＮＲ−（Ｒは水素又は任意の置換基）である化合物である。ただし、環の一個以上の炭素原子が不飽和やヘテロ原子に置き換わっていてもよい。
ラクタム化合物としては、例えば、ペンタノ−４−ラクタム、４−ペンタンラクタム−５−メチル−２−ピロリドン、５−メチル−２−ピロリジノン、ヘキサノ−６−ラクタム、６−ヘキサンラクタム等が挙げられる。

グリシジル基を有する化合物としては、例えば、エチルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、ｔ−ブチルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、ベンジルグリシジルエーテル、グリシジルフェニルエーテル、ビスフェノールＡ、ジグリシジルエーテル、アクリル酸グリシジルエーテル、メタクリル酸グリシジルエーテル等のグリシジル化合物などが挙げられる。

高導電化剤の含有割合は導電性複合体の１００質量部に対して、１質量部以上１００００質量部以下であることが好ましく、１０質量部以上５０００質量部以下であることがより好ましく、１００質量部以上２５００質量部以下であることがさらに好ましい。
高導電化剤の含有割合が前記下限値以上であれば、高導電化剤添加による導電性向上効果が充分に発揮され、前記上限値以下であれば、π共役系導電性高分子濃度の低下に起因する導電性の低下を防止できる。

導電性高分子分散液の総質量（１００質量％）に対する、高導電化剤の合計の含有量は、例えば、１質量％以上５０質量％以下が好ましく、５質量％以上２０質量％以下がより好ましい。

導電性高分子分散液には、公知の添加剤が含まれてもよい。
添加剤としては、本発明の効果が得られる限り特に制限されず、例えば、界面活性剤、無機導電剤、消泡剤、カップリング剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤などを使用できる。ただし、添加剤は、前述したπ共役系導電性高分子、スルホン酸基含有ポリエステル、ポリスチレンスルホン酸、バインダ成分、及び高導電化剤以外の化合物からなる。
界面活性剤としては、ノニオン系、アニオン系、カチオン系の界面活性剤が挙げられるが、保存安定性の面からノニオン系が好ましい。また、ポリビニルピロリドンなどのポリマー系界面活性剤を添加してもよい。
無機導電剤としては、金属イオン類、導電性カーボン等が挙げられる。なお、金属イオンは、金属塩を水に溶解させることにより生成させることができる。
消泡剤としては、シリコーン樹脂、ポリジメチルシロキサン、シリコーンオイル等が挙げられる。
カップリング剤としては、ビニル基、アミノ基、エポキシ基等を有するシランカップリング剤等が挙げられる。
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、糖類等が挙げられる。
紫外線吸収剤としては、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、サリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、オキサニリド系紫外線吸収剤、ヒンダードアミン系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤等が挙げられる。

導電性高分子分散液が上記添加剤を含有する場合、その含有割合は、添加剤の種類に応じて適宜決められるが、例えば、導電性複合体の固形分１００質量部に対して、０．００１質量部以上５質量部以下の範囲とすることができる。

導電性高分子分散液の総質量（１００質量％）に対する、前記導電性複合体、前記バインダ成分、及び前記高導電化剤を除いた残部は、その他の任意成分を含んでいてもよい分散媒であることが好ましい。
導電性高分子分散液の総質量（１００質量％）に対する、前記水系分散媒の含有量は、例えば、５０質量％以上１００質量％以下が好ましく、６０質量％以上９９．９質量％以下がより好ましく、８０質量％以上９８質量％以下がさらに好ましい。５０質量％以上であると、導電性複合体の分散性がより良好となり、１００質量％以下であると、フィルム基材に対する塗工性がより良好となる。
導電性高分子分散液の総質量（１００質量％）に対する水の含有量は、例えば、５０質量％以上が好ましく、６０質量％以上９９．９質量％以下がより好ましく、８０質量％以上９８質量％以下がさらに好ましい。５０質量％以上であると、導電性複合体の分散性がより良好となり、１００質量％以下であると、フィルム基材に対する塗工性がより良好となる。

《導電性高分子分散液の製造方法》
本発明の第二態様は、スルホン酸基含有ポリエステル、ポリスチレンスルホン酸、及び水系分散媒を含む溶液中で、π共役系導電性高分子のモノマーを重合することによって、前記π共役系導電性高分子、前記スルホン酸基含有ポリエステル、及び前記ポリスチレンスルホン酸を有する導電性複合体と、前記導電性複合体を分散させる水系分散媒とを含有する導電性高分子分散液を得る、導電性高分子分散液の製造方法である。
上記の製造方法で得られる導電性高分子分散液は、本発明の第一態様の導電性高分子分散液と同じである。

スルホン酸基含有ポリエステルは、スルホン酸塩基含有ポリエステルのカウンターカチオンを除去して得ることができる。
スルホン酸塩基含有ポリエステルを試薬会社から購入することはできるが、例えば、前述した公知の合成によって得ることもできる。
スルホン酸塩基含有ポリエステルは、本発明の第一態様におけるスルホン酸基含有ポリエステルのスルホン酸基とカウンターカチオンとが塩を形成したものである。カウンターカチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン等の１価の陽イオンが挙げられる。また、前記塩を形成するならば、マグネシウム、カルシウム等の２価以上の陽イオンであっても構わない。

スルホン酸塩基含有ポリエステルからカウンターカチオンを除去する方法としては、例えば、陽イオン交換樹脂を用いる方法が挙げられる。具体的には、水系分散媒中に分散又は溶解されたスルホン酸塩基含有ポリエステルを陽イオン交換樹脂に接触させることにより、陽イオン交換樹脂にカウンターカチオンを結合させる方法が挙げられる。ここで用いられる陽イオン交換樹脂は特に限定されず、目的に適した市販品を適用することができる。

本態様が目的とする導電性高分子分散液は、前記水系分散媒に前記スルホン酸基含有ポリエステル及びポリスチレンスルホン酸を含む溶液に、π共役系導電性高分子を形成するモノマーを添加し、その溶液（反応液）中で、前記モノマー同士を重合することによって得ることができる。
重合してなるπ共役系導電性高分子とスルホン酸基含有ポリエステルとポリスチレンスルホン酸とは、前記反応液中で自然に結合し、導電性複合体を形成する。

前記反応液を構成する水系分散媒としては、第一態様の水系分散媒と同じものを例示できる。形成される導電性複合体の分散性を向上させる観点から、水であることが好ましい。

前記π共役系導電性高分子は、第一態様のπ共役系導電性高分子と同じである。その重合に用いられる前記モノマーとしては、公知のモノマーを適用することができる。
前記重合には、公知の触媒を適用してもよい。例えば、触媒及び酸化剤を用いることができる。触媒としては、例えば、塩化第二鉄、硫酸第二鉄、硝酸第二鉄、塩化第二銅等の遷移金属化合物等が挙げられる。酸化剤としては、例えば、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩が挙げられる。酸化剤は、還元された触媒を元の酸化状態に戻すことができる。

前記反応液の総質量（１００質量％）に対する、反応前の各材料の仕込み量としては、例えば以下が挙げられる。
前記スルホン酸基含有ポリエステルの仕込み量としては、例えば、０．１質量％以上３０質量％以下が好ましく、０．５質量％以上２０質量％以下がより好ましく、１質量％以上１０質量％以下がさらに好ましい。
前記ポリスチレンスルホン酸の仕込み量としては、例えば０．０１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上６質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上３質量％以下がさらに好ましい。
前記モノマーの仕込み量は、例えば、０．０１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上１質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上０．８質量％以下がさらに好ましい。
前記触媒の仕込み量は、従来の重合反応に添加する量と同様に、モノマーの仕込み量に応じて適宜設定され、例えば、０．０１質量％以上２質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上１．５質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上１．０質量％以下がさらに好ましい。
前記反応液における重合反応の条件は、従来のπ共役系導電性高分子を得る条件と同様にすることができる。

反応後、得られた導電性複合体は、必要によりホモジナイザーやボールミルなどで細粒化して用いてもよい。
細粒化の前または後に、ろ過、限外ろ過、透析等の手法により不純物を除去し、陽イオン交換樹脂、陰イオン交換樹脂、キレート樹脂等で精製してもよい。
目的の導電性高分子分散液を構成する水系分散媒は、前記反応液を構成する水系分散媒のままであってもよいし、他の水系分散媒に置換されてもよい。

《帯電防止フィルムの製造方法》
本発明の第三態様は、π共役系導電性高分子、スルホン酸基含有ポリエステル及びポリスチレンスルホン酸を含有する導電性複合体が水系分散媒中に含まれる導電性高分子分散液を、フィルム基材の少なくとも一方の面に塗工して塗工フィルムを得る塗工工程と、前記塗工フィルムを延伸して延伸フィルムを得る延伸工程と、を有する、帯電防止フィルムの製造方法である。

［塗工工程］
フィルム基材の少なくとも一方の面に第一態様の導電性高分子分散液を塗工することにより、その塗工面に塗膜（導電層）を形成する。

塗工工程において使用するフィルム基材としては、プラスチックフィルムが挙げられる。
プラスチックフィルムを構成するフィルム基材用樹脂としては、例えば、エチレン−メチルメタクリレート共重合樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等）、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリフッ化ビニリデン、ポリアリレート、スチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、セルローストリアセテート、セルロースアセテートプロピオネートなどが挙げられる。
これらのフィルム基材用樹脂の中でも、安価で機械的強度に優れるとともに、導電層に含まれるスルホン酸含有ポリエステルとの物性が近い観点から、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステルが好ましい。
また、フィルム基材樹脂のＴｇと、前記スルホン酸基含有ポリエステルのＴｇの差は、小さいほどフィルム基材樹脂と導電層の結晶化のタイミングが同調し易く、後述する結晶化工程によって導電性を向上させる観点から、例えば、８０℃以下が好ましく、７０℃以下がより好ましく、６５℃以下がさらに好ましい。

前記フィルム基材を構成する樹脂は、非晶性でもよいし、結晶性でもよい。何れであっても後段の任意の結晶化工程において結晶性のフィルム基材となり得るが、延伸性が良好である観点から非晶性フィルムであることが好ましい。
また、フィルム基材は、未延伸のものでもよいし、延伸されたものでもよいが、後段の延伸工程で延伸する場合には、少なくとも一方向において未延伸であるものが好ましい。
また、前記導電性高分子分散液をフィルム基材に塗工することによって形成される導電層の密着性を向上させるために、フィルム基材には、コロナ放電処理、プラズマ処理、火炎処理等の表面処理を施してもよい。

フィルム基材の平均厚さとしては、１０μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上５００μｍ以下であることがより好ましい。フィルム基材の平均厚さが前記下限値以上であれば、破断しにくくなり、前記上限値以下であれば、フィルムとして充分な可撓性を確保できる。
本明細書における厚さは、任意の１０箇所について厚さを測定し、その測定値を平均した値である。

前記導電性高分子分散液を塗工する方法としては、例えば、グラビアコーター、ロールコーター、カーテンフローコーター、スピンコーター、バーコーター、リバースコーター、キスコーター、ファウンテンコーター、ロッドコーター、エアドクターコーター、ナイフコーター、ブレードコーター、キャストコーター、スクリーンコーター等のコーターを用いた塗工方法、エアスプレー、エアレススプレー、ローターダンプニング等の噴霧器を用いた噴霧方法、ディップ等の浸漬方法等を適用することができる。
上記のうち、簡便に塗工できることから、バーコーターを用いることがある。バーコーターにおいては、種類によって塗工厚が異なり、市販のバーコーターでは、種類ごとに番号が付されており、その番号が大きい程、厚く塗工できるものとなっている。
前記導電性高分子分散液のフィルム基材への塗工量は特に制限されないが、固形分として、０．１ｇ／ｍ^２以上１０．０ｇ／ｍ^２以下の範囲であることが好ましい。

塗工工程において、フィルム基材の片面のみに前記導電性高分子分散液を塗工して片面のみに塗膜を形成してもよいし、フィルム基材の両面に前記導電性高分子分散液を塗工して両面に塗膜を形成してもよい。フィルム基材上に塗膜が形成されたものを塗工フィルムと称する。

塗膜を乾燥する処理は、塗工工程後、厚み方向での均一性を良好にするために、延伸工程前に、又は延伸工程において延伸するとともに加熱しながら、乾燥することが好ましい。

乾燥後の前記導電層の平均厚さとしては、１０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることがより好ましく、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。導電層の平均厚さが前記下限値以上であれば、充分に高い導電性を発揮でき、前記上限値以下であれば、導電層を容易に形成できる。

塗工フィルムを乾燥する方法としては、加熱乾燥、真空乾燥等が挙げられる。加熱乾燥としては、例えば、熱風加熱や、赤外線加熱などの通常の方法を採用できる。
加熱乾燥を適用する場合、加熱温度は、使用する分散媒に応じて適宜設定されるが、通常は、５０℃以上１５０℃以下の範囲内である。ここで、加熱温度は、乾燥装置の設定温度である。

［延伸工程］
塗工工程で得た塗工フィルムを延伸して、延伸フィルムを得る。塗工フィルムを延伸することにより、前記導電性高分子分散液の塗工面積を小さくしても大面積の帯電防止フィルムを得ることができ、帯電防止フィルムの生産性が向上する。

前記塗工フィルムが有する塗膜（導電層）は、乾燥していてもよいし、乾燥していなくてもよい。
ただし、延伸における導電層の追従性を高めて、導電層の割れや剥がれを確実に防止する観点から、乾燥していない前記塗工フィルムを加熱して、その導電層を乾燥させると共に延伸して延伸フィルムを得ることが好ましい。

延伸工程において、塗工フィルムを加熱すると同時に延伸してもよいし、塗工フィルムを加熱した直後に延伸してもよい。加熱と同時に延伸、又は、加熱直後に延伸すれば、塗工フィルムを軟化させて延伸が容易になる。この延伸のための加熱を乾燥のためにも利用すれば、エネルギー効率を一層高められる。
なお、加熱によってスルホン酸基含有ポリエステルの一部が分解して消失する場合があるので、前記導電性高分子分散液に含まれていたスルホン酸基含有ポリエステルの全部が導電層に含まれるとは限らない。

延伸工程において塗工フィルムを加熱する際の温度は、使用するフィルム基材の種類に応じて適宜設定されるが、例えば、５０℃以上１５０℃以下とすることができる。延伸工程における加熱温度は、後段の結晶化工程でフィルム基材を結晶化する目的で加熱する温度よりも低いことが好ましい。ここで、加熱温度は、加熱装置の設定温度である。

延伸は一軸延伸でもよいし、二軸延伸でもよいが、フィルム基材として一軸延伸フィルムを用いた場合には、既に延伸されている方向に対して垂直な方向に延伸することが好ましい。例えば、長手方向に沿って延伸された一軸延伸フィルムをフィルム基材として用いた場合には、幅方向（短手方向）に沿って延伸することが好ましい。
塗工フィルムの延伸倍率は２倍以上２０倍以下にすることが好ましい。延伸倍率を前記下限値以上にすれば、帯電防止フィルムの生産性をより高くでき、前記上限値以下であれば、フィルムの破断を防止できる。

［結晶化工程］
結晶化工程は任意の工程である。延伸工程で得た延伸フィルムを加熱した後に冷却することによって、前記フィルム基材を構成する樹脂を結晶化させることができる。通常、結晶化したフィルムの方が、非結晶のフィルム（非晶性フィルム）よりも機械的強度が強い。また、前記フィルム基材を構成する樹脂を結晶化させるだけでなく、前記フィルム基材に形成された導電層の導電性複合体も共に結晶化させることができる。この導電性複合体の結晶化により、導電性を向上させることができる。

延伸フィルムを加熱する温度は、フィルム基材の種類にもよるが、２００℃以上であることが好ましい。２００℃以上に加熱すると、フィルム基材を構成する樹脂の少なくとも一部が融解し始める。その融解後、前記樹脂の結晶化温度未満の温度まで冷却すると、融解した樹脂が結晶化して固化する。これにより、非結晶のフィルム基材を、結晶性の樹脂からなる結晶性フィルム基材にすることができる。

加熱した後に冷却する降温温度としては、フィルム基材の種類にもよるが、例えば、１℃／分以上２００℃／分以下が好ましく、１０℃／分以上１００℃／分以下がより好ましい。
上記範囲であると、フィルム基材の機械的強度を容易に向上させることができる。

フィルム基材を構成する樹脂としてはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が好ましい。結晶性ＰＥＴフィルムからなるフィルム基材は、引張強度等の機械的物性に優れる。
以上で説明した結晶化工程により、結晶性フィルム基材の片面又は両面に導電層を備えた帯電防止フィルムが得られる。

《帯電防止フィルム》
本発明の第四態様は、フィルム基材と、前記フィルム基材の少なくとも一方の面に形成された導電層と、を有する帯電防止フィルムであって、前記導電層にπ共役系導電性高分子、スルホン酸基含有ポリエステル及びポリスチレンスルホン酸が含まれる、帯電防止フィルムである。
第四態様の帯電防止フィルムは、第三態様の製造方法によって得られたものであってもよいし、他の製造方法によって得られたものであってもよい。

本態様の帯電防止フィルムにおける前記導電層の総質量（１００質量％）に対する前記π共役系導電性高分子の含有量としては、例えば、０．１質量％以上３０質量％以下が好ましく、１質量％以上２０質量％以下がより好ましく、４質量％以上１７質量％以下がさらに好ましい。上記範囲であると良好な帯電防止性が発揮され易くなる。
本態様の帯電防止フィルムにおける前記導電層の総質量（１００質量％）に対する前記スルホン酸基含有ポリエステルの含有量としては、例えば、０．０１質量％以上９５質量％以下が好ましく、３０質量％以上９０質量％以下がより好ましい。上記範囲であるとより優れた耐水性、延伸性及び帯電防止性が発揮され易くなる。

本態様の帯電防止フィルムにおける前記導電層の総質量（１００質量％）に対する前記ポリスチレンスルホン酸の含有量としては、例えば、１質量％以上９５質量％以下が好ましく、４質量％以上５０質量％以下がより好ましい。上記範囲であるとより優れた延伸性及び帯電防止性が発揮され易くなる。
本態様の帯電防止フィルムにおける前記導電層の総質量（１００質量％）に対する前記バインダ成分の含有量としては、例えば、１質量％以上８０質量％以下が好ましく、３０質量％以上７０質量％以下がより好ましい。上記範囲であるとより優れた耐水性、延伸性及び帯電防止性が発揮され易くなる。

＜作用効果＞
特許文献１に記載されている従来の導電性複合体は、π共役系導電性高分子にポリアニオンをドープした導電性複合体である。例えばＰＥＤＯＴ−ＰＳＳは、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）にポリスチレンスルホン酸をドープした導電性複合体である。
一方、本発明の各態様で用いられる導電性複合体は、π共役系導電性高分子に、従来のドープ剤であるポリスチレンスルホン酸に加えて、従来はドープ剤として用いられていないスルホン酸基含有ポリエステルをドープした導電性複合体である。この導電性複合体におけるπ共役系導電性高分子と、ポリスチレンスルホン酸およびスルホン酸基含有ポリエステルの結合形態は特に限定されず、従来の導電性複合体におけるπ共役系導電性高分子とポリアニオンとの結合形態と同じでもよいし、異なっていてもよい。
π共役系導電性高分子と、ポリスチレンスルホン酸およびスルホン酸基含有ポリエステルの結合形態の詳細は未解明であるが、スルホン酸基含有ポリエステルは多数のスルホン酸基を有するため、ポリスチレンスルホン酸と同様に、π共役系導電性高分子に対して電子的に結合していると推測される。この結合形態により、前記導電性複合体を構成するスルホン酸基含有ポリエステルの水に対する溶解性が低下していると考えられる。また、前記導電性複合体が形成する導電層が水に接触しても、前記導電性複合体から、ポリスチレンスルホン酸およびスルホン酸基含有ポリエステルが解離することは殆ど無く、導電層の良好な耐水性が得られると考えられる。
スルホン酸基含有ポリエステルは、π共役系導電性高分子の導電性を高めるとともに、導電性複合体の分散剤として機能し得る。このため、本発明の第一態様の導電性高分子分散液によって形成された導電層は、フィルムの延伸に追従し易く、割れや剥がれ等が発生し難くなり、部位ごとに表面抵抗値がバラつくことが少ない。
上記のメカニズムによって、本発明の第四態様の帯電防止フィルムは優れた帯電防止性及び耐水性を発揮していると考えられる。

本発明の第三態様の帯電防止フィルムの製造方法では、ポリスチレンスルホン酸およびスルホン酸基含有ポリエステルを含む導電層（帯電防止層）を形成するので、延伸しているにもかかわらず、割れや剥がれ等の欠陥を防止できる。製造された帯電防止フィルムは、帯電防止機能を果たす充分な導電性を有する。
また、前記導電層はスルホン酸基含有ポリエステルを有するため、延伸によって導電層の表面抵抗が急上昇することを抑制できる。この詳細なメカニズムは未解明であるが、スルホン酸基含有ポリエステルがポリアニオンとして導電性複合体に組み込まれていることによって、前記導電性複合体がなす導電層の柔軟性（延伸に対する追従性）が向上していると推測される。
さらに、延伸フィルムを加熱した後に冷却することによって、基材フィルムが結晶化するだけでなく、導電層の表面抵抗が低下する。この詳細なメカニズムは未解明であるが、スルホン酸基含有ポリエステルがポリアニオンとして導電性複合体に組み込まれていることによって、加熱処理時に導電性複合体においても結晶化又は秩序化若しくは配向化が生じ、導電層の表面抵抗が低下すると推測される。

（製造例１）
バイロナール１４８０（東洋紡社製、スルホン酸ナトリウム変性ポリエステル水分散液、固形分２５質量％、酸価３ＫＯＨｍｇ／ｇ、Ｔｇ２０℃、数平均分子量１万５千）１００ｇに、デュオライトＣ２５５ＬＦＨ（住化ケムテックス社製、陽イオン交換樹脂）１０ｇを加えて常温で１６時間攪拌した。次に、１００メッシュのフィルターを用いてデュオライトＣ２５５ＬＦＨを除去し、バイロナール１４８０のスルホン酸ナトリウム変性をスルホン酸変性とした溶液を製造した。（以下、バイロナール１４８０スルホン酸溶液とする。）この溶液のｐＨは１．５６であり、固形分濃度は約２５質量％であった。
なお、スルホン酸変性ポリエステルは、スルホン酸基含有ポリエステルである。

（製造例２）
プラスコートＺ−２２１（互応化学社製、スルホン酸ナトリウム変性ポリエステル水分散液、固形分２０質量％、酸価５ＫＯＨｍｇ／ｇ未満、Ｔｇ４７℃、数平均分子量１万４千）１００ｇに、デュオライトＣ２５５ＬＦＨ１０ｇを加えて常温で１６時間攪拌した。次に、１００メッシュのフィルターを用いてデュオライトＣ２５５ＬＦ Ｈを除去し、プラスコートＺ−２２１のスルホン酸ナトリウム変性をスルホン酸変性とした溶液を製造した。（以下、プラスコートＺ−２２１スルホン酸溶液とする。）この溶液のｐＨは１．６５であり、固形分濃度は約２０質量％であった。

（製造例３）
ペスレジンＡ６１３Ｄ（高松油脂社製、スルホン酸ナトリウム変性ポリエステル水分散液、固形分２０質量％、酸価２〜５ＫＯＨｍｇ／ｇ、Ｔｇ５４℃、数平均分子量は未測定）１００ｇに、デュオライトＣ２５５ＬＦＨ１０ｇを加えて常温で１６時間攪拌した。次に、１００メッシュのフィルターを用いてデュオライトＣ２５５ＬＦＨを除去し、ペスレジンＡ６１３Ｄのスルホン酸ナトリウム変性をスルホン酸変性とした溶液を製造した。（以下、ペスレジンＡ６１３Ｄスルホン酸溶液とする。）この溶液のｐＨは１．６５であり、固形分濃度は約２０質量％であった。

（製造例４）
ペスレジンＡ６４０（高松油脂社製、スルホン酸ナトリウム変性ポリエステル水分散液、固形分３０質量％、酸価５ＫＯＨｍｇ／ｇ未満、Ｔｇ６４℃、数平均分子量約１７，０００）１００ｇに、デュオライトＣ２５５ＬＦＨ１０ｇを加えて常温で１６時間攪拌した。次に、１００メッシュのフィルターを用いてデュオライトＣ２５５ＬＦＨを除去し、ペスレジンＡ６４０のスルホン酸ナトリウム変性をスルホン酸変性とした溶液を製造した。（以下、ペスレジンＡ６４０スルホン酸溶液とする。）この溶液のｐＨは１．３７であり、固形分濃度は約３０質量％であった。

（製造例５）
１０００ｍｌのイオン交換水に２０６ｇのスチレンスルホン酸ナトリウムを溶解し、８０℃で攪拌しながら、予め１０ｍｌの水に溶解した１．１４ｇの過硫酸アンモニウム溶液（酸化剤）を２０分間で滴下し、この溶液を１２時間攪拌して重合反応させた。
得られたポリスチレンスルホン酸ナトリウム含有溶液に、１０質量％に希釈した硫酸を１０００ｍｌ添加し、ポリスチレンスルホン酸含有溶液を得た。
得られたポリスチレンスルホン酸含有溶液から限外ろ過法により１０００ｍｌの溶媒を除去し、残液に２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌの溶媒を除去した。上記の限外ろ過操作を３回繰り返した。
さらに、得られたろ液に約２０００ｍｌのイオン交換水を添加し、限外ろ過法により約２０００ｍｌの溶媒を除去した。この限外ろ過操作を３回繰り返した。
得られた溶液中の水を減圧除去して、無色の固形状のポリスチレンスルホン酸（平均分子量２０万）を得た。得られたポリスチレンスルホン酸を水に溶解し、固形分１０質量％のポリスチレンスルホン酸水溶液とした。

（実施例１）
製造例２で得たプラスコートＺ−２２１スルホン酸溶液２２．５ｇと、製造例５で得たポリスチレンスルホン酸水溶液５ｇと、水１２２．５ｇと、３，４−エチレンジオキシチオフェン０．５ｇを混合し、２５℃で１０分間攪拌した。次に、硫酸第二鉄０．３ｇと水４．７ｇとを混合した溶液を添加し、さらに、過硫酸アンモニウム１．１ｇを水８．９ｇとを混合した溶液を添加し２５℃で８時間攪拌しながら、重合反応させた。
得られた反応液に、デュオライトＣ２５５ＬＦＨ１３．２ｇとデュオライトＡ３６８Ｓ（住化ケムテックス社製、陰イオン交換樹脂）１３．２ｇを加え、１６時間静置した後、１００メッシュのフィルターを用いてデュオライトＣ２５５ＬＦＨとデュオライトＡ３６８Ｓを除去し、さらに高圧ホモジナイザーを用いて分散し、導電性高分子分散液を得た。
得られた導電性高分子分散液を、＃１２のバーコーターを用いて非晶性ポリエチレンテレフタレートフィルム（Ａ−ＰＥＴフィルム、Ｔｇ７５℃、平均厚さ１００μｍ）上に塗布し、１００℃で１分間乾燥して、Ａ−ＰＥＴフィルムの一面に導電層が形成された塗工フィルムを得た。乾燥後の導電層の平均厚さは４５ｎｍであった。
得られた塗工フィルムの表面抵抗値を、抵抗率計（三菱化学アナリティック社製、ハイレスタ）を用い、印加電圧１０Ｖの条件で測定した。その結果を表１に示す。
さらに、耐水性試験を次のように行った。すなわち、水で湿らした不織布を用いて、前記塗工フィルムの乾燥後の導電層を１０ｇ／ｃｍ^２の圧力で１０往復擦り、外観の変化の具合を確認した。その結果を表１に示す。
次に、二軸延伸装置（株式会社井元製作所製、１１Ａ９）を用い、塗工フィルムを２倍に延伸して延伸フィルムを得た。得られた延伸フィルムの表面抵抗値を上記と同様に測定した。その結果を表１に示す。
次に、延伸フィルムを２４０℃で３０秒間加熱した後、降温速度が８０℃〜１００℃／分になるよう、ゆっくりと冷却して、非晶性ポリエチレンテレフタレートフィルムを結晶化した。得られた結晶化フィルムの表面抵抗値を上記と同様に測定した。その結果を表１に示す。

（実施例２）
実施例１における［プラスコートＺ−２２１スルホン酸溶液２２．５ｇと水１２２．５ｇ］を、［製造例１で得たバイロナール１４８０スルホン酸溶液１８ｇと水１２７ｇ］に変更したこと以外は実施例１と同様にして導電性高分子分散液を調製し、塗工フィルム、延伸フィルム及び結晶化フィルムを得て、同様の耐水性試験および表面抵抗値の測定を行った。それらの結果を表１に示す（以下、同様）。

（実施例３）
実施例１における［プラスコートＺ−２２１スルホン酸溶液２２．５ｇと水１２２．５ｇ］を、［製造例３で得たペスレジンＡ６１３Ｄスルホン酸溶液２２．５ｇと水１２２．５ｇ］に変更したこと以外は実施例１と同様にした。

（実施例４）
実施例１における［プラスコートＺ−２２１スルホン酸溶液２２．５ｇと水１２２．５ｇ］を、［製造例４で得たペスレジンＡ６４０スルホン酸溶液１５ｇと水１３０ｇ］に変更したこと以外は実施例１と同様にした。

（実施例５）
実施例１における配合量を、プラスコートＺ−２２１スルホン酸溶液１８．７５ｇ、ポリスチレンスルホン酸水溶液２５ｇ、水１０６．２５ｇに変更した。それ以外は実施例１と同様にした。

（実施例６）
実施例１における配合量を、プラスコートＺ−２２１スルホン酸溶液１６．２５ｇ、ポリスチレンスルホン酸水溶液５ｇ、水１２８．７５ｇに変更した。それ以外は実施例１と同様にした。

（実施例７）
実施例１における配合量を、プラスコートＺ−２２１スルホン酸溶液１０ｇ、ポリスチレンスルホン酸水溶液５ｇ、水１３５ｇに変更した。それ以外は実施例１と同様にした。

（比較例１）
実施例１における［プラスコートＺ−２２１スルホン酸溶液２２．５ｇと水１２２．５ｇ］を、［プラスコートＺ−２２１スルホン酸溶液２５ｇと水１２０ｇ］に変更し、ポリスチレンスルホン酸水溶液を添加しなかったこと以外は、実施例１と同様にした。
（比較例２）
実施例２における［バイロナール１４８０スルホン酸溶液１８ｇと水１２７ｇ］を、［バイロナール１４８０スルホン酸溶液２０ｇと水１２５ｇ］に変更し、ポリスチレンスルホン酸水溶液を添加しなかったこと以外は、実施例２と同様にした。
（比較例３）
実施例３における［ペスレジンＡ６１３Ｄスルホン酸溶液２２．５ｇと水１２２．５ｇ］を、［ペスレジンＡ６１３Ｄスルホン酸溶液２５ｇと水１２０ｇ］に変更し、ポリスチレンスルホン酸水溶液を添加しなかったこと以外は、実施例３と同様にした。
（比較例４）
実施例４における［ペスレジンＡ６４０スルホン酸溶液１５ｇと水１３０ｇ］を、［ペスレジンＡ６４０スルホン酸溶液１６．７ｇと水１２８．３ｇ］に変更し、ポリスチレンスルホン酸水溶液を添加しなかったこと以外は、実施例４と同様にした。

（比較例５）
実施例１における［ポリスチレンスルホン酸水溶液５ｇと、水１２２．５ｇ］を、［ポリスチレンスルホン酸水溶液５０ｇと、水９５ｇ］に変更し、プラスコートＺ−２２１スルホン酸溶液を添加しなかったこと以外は、実施例１と同様にして導電性高分子分散液を調製した。しかし、重合反応中に反応液がゲル化したため、導電性高分子分散液が得られず、塗工フィルムの作製を中止した。

（比較例６）
実施例１における［ポリスチレンスルホン酸水溶液５ｇと、水１２２．５ｇ］を、［ポリスチレンスルホン酸水溶液１５ｇと、水１３０ｇ］に変更し、プラスコートＺ−２２１スルホン酸溶液を添加しなかったこと以外は、実施例１と同様にした。

（比較例７）
比較例６において、さらにクラレポバールＰＶＡ２１０（クラレ社製、ポリビニルアルコール）２．５ｇをバインダ成分として添加したこと以外は、比較例６と同様にした。

（実施例８）
実施例１で得られた導電性高分子分散液３０ｇと、水５５ｇと、高導電化剤としてプロピレングリコール１０ｇと、バインダ成分としてプラスコートＺ−６９０（互応化学社、水分散性ポリエステルエマルジョン、固形分２５質量％）５ｇを混合した。
得られた分散液を、＃１２のバーコーターを用いてＡ−ＰＥＴフィルム（非晶性、Ｔｇ７５℃、平均厚さ１００μｍ）上に塗布し、１００℃で１分間乾燥して、Ａ−ＰＥＴフィルムの一面に導電層が形成された塗工フィルムを得た。乾燥後の導電層の平均厚さは３０ｎｍであった。得られた塗工フィルムの表面抵抗値を上記と同様に測定した。その結果を表２に示す。
次に、前記二軸延伸装置を用い、塗工フィルムを２倍に延伸して延伸フィルムを得た。得られた延伸フィルムの表面抵抗値を上記と同様に測定した。その結果を表２に示す。
さらに、延伸フィルムを２４０℃で３０秒間加熱した後、降温速度が８０℃〜１００℃／分になるよう、ゆっくりと冷却して、非晶性ポリエチレンテレフタレートフィルムを結晶化した。得られた結晶化フィルムの表面抵抗値を上記と同様に測定した。その結果を表２に示す。

（比較例８）
実施例８において、実施例１で得られた導電性高分子分散液３０ｇを、比較例１で得られた導電性高分子分散液３０ｇに変更した以外は、実施例８と同様にして塗工フィルム、延伸フィルム及び結晶性ＰＥＴフィルムを得て、それぞれの表面抵抗値を測定した。測定結果を表２に示す（以下、同様）。

（比較例９）
実施例８において、実施例１で得られた導電性高分子分散液３０ｇを、比較例６で得られた導電性高分子分散液３０ｇに変更した以外は、実施例８と同様にした。

表１、２の結果に示されるように、各実施例の帯電防止フィルムは、延伸後の表面抵抗値の上昇が延伸前の４０倍以下に抑制された。すなわち、延伸前の表面抵抗値が延伸後に急上昇することが抑制された。
また、各実施例の帯電防止フィルムは、水を含む不織布で擦られても外観に変化は無く、耐水性に優れるものであった。
さらに、各実施例の帯電防止フィルムは、結晶化後の表面抵抗値が結晶化前よりも低下した。
各実施例の帯電防止フィルムは、塗工フィルム、延伸フィルム、結晶化フィルムのいずにおいても良好な帯電防止性を有するものであった。

ポリスチレンスルホン酸を用いなかった比較例１〜４の帯電防止フィルムは、実施例１〜４の帯電防止フィルムとそれぞれ比べると、塗工フィルム、延伸フィルムおよび結晶化フィルムの表面抵抗値が高かった。
スルホン酸基含有ポリエステルを用いなかった比較例６の帯電防止フィルムは、延伸後の導電層の表面抵抗値の上昇が１万倍を超え、耐水性にも劣る。また、結晶化のための熱処理前後で表面抵抗値は変わらなかった。
比較例７の帯電防止フィルムは、ポリビニルアルコールを導電層に含むので、延伸後の表面抵抗値の上昇は比較例６に比べて緩和されているが、依然として５０倍を超え、耐水性にも劣る。

Claims (12)

1. スルホン酸塩基含有ポリエステルを陽イオン交換樹脂に接触させることにより、スルホン酸基含有ポリエステルを得る工程と、
   前記スルホン酸基含有ポリエステル、ポリスチレンスルホン酸及び水系分散媒を含む溶液中で、π共役系導電性高分子のモノマーを重合することによって、前記π共役系導電性高分子、前記スルホン酸基含有ポリエステル及び前記ポリスチレンスルホン酸を有する導電性複合体と、前記導電性複合体を分散させる水系分散媒とを含有する導電性高分子分散液を得る工程と、
   前記導電性高分子分散液を、非晶性フィルム基材の少なくとも一方の面に塗工して塗工フィルムを得る塗工工程と、
   前記塗工フィルムを延伸して延伸フィルムを得る延伸工程と、を有する、帯電防止フィルムの製造方法。
2. 前記延伸フィルムを加熱した後に冷却して前記非晶性フィルム基材を結晶化させて結晶化フィルムを得る結晶化工程をさらに有する、請求項１に記載の帯電防止フィルムの製造方法。
3. 前記結晶化工程における前記延伸フィルムの加熱温度が２００℃以上である、請求項２に記載の帯電防止フィルムの製造方法。
4. 前記非晶性フィルム基材が非結晶ポリエチレンテレフタレートフィルムである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の帯電防止フィルムの製造方法。
5. 前記導電性高分子分散液に含まれる水の含有量が、前記導電性高分子分散液の総質量に対して、５０質量％以上である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の帯電防止フィルムの製造方法。
6. 前記π共役系導電性高分子が、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の帯電防止フィルムの製造方法。
7. 前記導電性高分子分散液が、さらにバインダ成分を含有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の帯電防止フィルムの製造方法。
8. 前記バインダ成分が水分散性エマルションである、請求項７に記載の帯電防止フィルムの製造方法。
9. 前記水分散性エマルションが水分散性ポリエステルエマルションである、請求項８に記載の帯電防止フィルムの製造方法。
10. 前記導電性高分子分散液が、さらに高導電化剤を含有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の帯電防止フィルムの製造方法。
11. 前記高導電化剤がプロピレングリコールである、請求項１０に記載の帯電防止フィルムの製造方法。
12. 前記スルホン酸基含有ポリエステルのガラス転移温度が、２０℃以上６５℃以下である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の帯電防止フィルムの製造方法。