CN103229251B - 透明导电性薄膜和电子装置以及电子装置的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供表面电阻率低、透明性高的透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜为在设置于透明基材的至少一面的导电性金属网层的开口部具有粘结性的导电层的透明导电性薄膜，其特征在于，导电层由含有水溶性乙烯聚合物A、有机添加剂B以及导电性有机高分子化合物C的导电性粘结剂组合物形成，有机添加剂B为选自水溶性多元醇、水溶性吡咯烷酮类和亲水性的非质子性溶剂中的至少一种，导电性有机高分子化合物C为选自聚苯胺类、聚吡咯类或聚噻吩类以及它们的衍生物中的至少一种。此外，本发明提供以具有上述透明导电性薄膜为特征的电子装置、以及以在阴极层上形成所述光电转换层，并在所述导电性粘结剂组合物软化的温度以上，将透明导电性薄膜的导电层与光电转换层表面贴合为特征的电子装置的制备方法。

Description

透明导电性薄膜和电子装置以及电子装置的制备方法
技术领域
本发明涉及透明导电性薄膜、电子装置以及电子装置的制备方法。更详细地，本发明涉及由于在透明性和低电阻率的平衡上优良，且其本身具有优良的粘结性，从而可以通过层压工序制备电子装置的透明导电性薄膜、使用该透明导电性薄膜的电子装置以及通过层压工序进行的电子装置的制备方法。
背景技术
近年来，在有机电致发光、各种太阳能电池、触控式面板或移动电话、电子纸等方面，正积极地研究着使用透明导电膜的透明电极。
例如，以电子太阳能电池为代表的有机光电转换或者电光转换装置，通常为在由透明导电膜所构成的电极上层压材料来制作。作为透明导电膜，正研究金属薄膜、金属氧化物薄膜、导电性氮化物薄膜等的各种导电膜，由于能够兼具透光性和导电性且耐久性也优良，目前主要是以金属氧化物薄膜为主流。
其中，特别是掺杂锡的氧化铟(ITO)的透光性与导电性的平衡良好，被广泛地使用着(参照专利文献1等)。然而，随着透明电极的大面积化，需求进一步低电阻化，ITO的导电性还不充分。
另一方面，公开了一种在PET等的透明基材上形成了金属制的微细网孔或网格的薄片（专利文献2）。由于这些薄片的透光性及导电性能够依据筛孔的设计（依照间距、线宽而决定开口率）而控制，从而具有作为透明电极的利用可能性。例如，公开了一种透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜在透明的基材薄片的至少一面具有由导电性金属网层与聚噻吩那样的导电性高分子化合物形成的透明导电性层(参照专利文献3等)。
在此，以往的电子装置，在将由有机元件材料所形成的层进行层压的情况下，通过以真空蒸镀法及与其类似的干式工序或者以涂布为代表的湿式工序、或经由粘结层的层压工序来制备（专利文献4）。
在这种层压工序中，期望具有粘结性的透明电极膜和透明导电薄膜，但是以往的透明导电性薄膜，其透明性、粘结性以及表面电阻率的平衡成为课题。
因此，作为导电性粘结剂组合物中的导电性成分，公开了使用如聚噻吩或其衍生物那样的导电性有机高分子化合物，更具体地，公开了通过经由含有导电性有机高分子化合物的粘结层的层压工序（参照专利文献5）来制备电子装置。
然而，经由含有导电性有机高分子化合物的粘结层的层压工序，在界面的清洁性、均匀性为重要要素的用途方面，其利用受到限制。此外，存在粘结层的导电性低、在层压界面的载体注入效率降低、或者界面的粘着力低等电子装置的性能降低的问题。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：特开2007-305351号公报
专利文献2：特开2008-288102号公报
专利文献3：特开2009-146678号公报
专利文献4：特开2006-352073号公报
专利文献5：特表2009-500832号公报
发明内容
本发明鉴于上述问题而完成，目的在于提供解决了上述问题的透明导电性薄膜、电子装置以及电子装置的制备方法。
为了解决上述问题，本发明的发明人经过深入研究，结果发现通过使由特定的导电性粘结剂组合物形成的导电层与导电性金属网层组合，可解决上述问题，从而完成了本发明。
即，本发明提供了下述
（1）一种透明导电性薄膜，该薄膜为在设置于透明基材的至少一面的导电性金属网层的开口部具有粘结性导电层的透明导电性薄膜，其特征在于，导电层由含有水溶性乙烯聚合物A、有机添加剂B以及导电性有机高分子化合物C的导电性粘结剂组合物形成，有机添加剂B为选自水溶性多元醇、水溶性吡咯烷酮类和亲水性非质子性溶剂中的至少一种，导电性有机高分子化合物C为选自聚苯胺类、聚吡咯类或聚噻吩类以及它们的衍生物中的至少一种；
（2）根据上述（1）所述的透明导电性薄膜，其中，以水溶性乙烯聚合物A的玻璃化转变温度为T1、以有机添加剂B的熔点为T2、以有机添加剂在0.101MPa（760mmHg）下的沸点为T3时，满足T2<T1<T3的关系；
（3）根据上述（1）所述的透明导电性薄膜，其中，水溶性乙烯聚合物A为聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或丙烯酸聚合物；
（4）一种电子装置，其特征在于，该电子装置具有上述（1）所述的透明导电性薄膜；
（5）根据上述（4）所述的电子装置，该电子装置按照上述（1）所述的透明导电性薄膜、光电转换层、以及阴极层的顺序进行配置而成；
（6）一种电子装置的制备方法，该制备方法为上述（4）所述的电子装置的制备方法，其特征在于，在阴极层上形成所述光电转换层，并在所述导电性粘结剂组合物软化温度以上，将透明导电性薄膜的导电层和光电转换层表面贴合。
本发明的透明导电性薄膜由于透明性高、表面电阻率低，因而透明性与导电性的平衡优良，由于其本身具有优良的粘结性，因而可以通过层压工序制备电子装置。
附图说明
[图1]为表示本发明的透明导电性薄膜的截面的示意图。
[图2]为表示本发明的电子装置的一个例子的截面的示意图。
[图3]为表示通过本发明的电子装置制备方法制备电子装置时的截面的示意图。
具体实施方式
以下对本发明进行详细地说明。
<透明导电性薄膜>
本发明的透明导电性薄膜在设置于透明基材的至少一面的导电性金属网层的开口部具有导电层的透明导电性薄膜，所述导电层由特定的导电性粘结剂组合物形成。
关于本发明的透明导电性薄膜构成材料，使用图1进行说明。图1中1为导电层、2为导电性金属网层、3为透明基材、7为透明导电性薄膜、9为导电性金属网层开口部。
本发明的透明导电性薄膜是在透明基材3的至少一面设置导电性金属网层2，在该导电性金属网层2的开口部填充导电层1而形成的。
[透明基材]
作为透明基材，从透明性的观点考虑，优选为全光透过率为70%以上的基材，作为这样的透明基材，通常从柔软性的观点考虑，优选塑料薄膜。
作为塑料薄膜的种类，可举出例如由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、四乙酰基纤维素、间规聚苯乙烯、聚苯硫醚、聚碳酸酯、聚芳酯、聚砜、聚酯砜、聚醚酰亚胺、环状聚烯烃等形成的塑料薄膜。其中，优选机械强度、耐久性等优良的物质。
透明基材的厚度，从机械强度、耐久性、以及透明性的平衡的观点考虑，优选为3μm-5mm，更优选为5μm-1mm，特别优选为10μm-300μm。
[导电性金属网层]
在本发明的透明导电性薄膜中，导电性金属网层2设置于透明基材3的至少一面上。
作为导电性金属网层2，可举出通过等离子体显示器的电磁波屏蔽膜那样的金属网格图案形成的微细网结构的层。
导电性金属网层2的厚度优选为20nm-100μm，特别优选为30-200nm。
通过使厚度为20nm以上，导电性提高；通过使厚度为100μm以下，可使透明导电性薄膜总体的厚度变薄，可维持期望的全光透过率。
导电性金属网层2由于形成为利用金属网格图案的微细网结构，因此具有如图1所示的开口部9。
作为开口部9的开口率，从透明性的观点考虑，优选为以80%以上，更优选为90%以上，进一步优选为95%以上。
开口部的间距优选为1-3000μm，更优选为1-1500μm。开口部的间距为1μm以下时，存在透明性降低的情况，为3000μm以上时，难以获得导电性提高的效果。导电性金属网层2的线宽优选为100nm-1000μm，更优选为1μm-100μm。线宽超过1000μm时，存在透明性降低的情况，不足100nm时，有变得难以获得导电性提高的效果的可能性。
作为用于形成导电性金属网层2的材料，可举出金属或合金。例如可举出金、银、铜、铝、钛、铬、铁、钴、镍、锌、锡、铱、铟、钨、钼、铂、铱、铪、铌、钽、钨、镁等的单体金属，或者可举出以这些金属的至少一种为主体的合金等。它们中，从腐蚀性低、导电性高的观点考虑，优选金、银、铜、铂的金属。
作为合金，可以适当选择不锈钢、镍-铬、Inconel（商品名）、青铜、磷青铜、黄铜、杜拉铝、白铜、不胀钢（インバール）、蒙乃尔合金、镍磷合金等的金属磷化合物、镍硼等的金属硼化合物、氮化钛等的氮化物等。尤其，铜及以铜为主体的合金、或镍及以镍为主体的合金、钴及以钴为主体的合金、铬及以铬为主体的合金、铝及以铝为主体的合金，由于导电性优良、加工性也良好，因而优选使用。
导电性金属网层2可以为金属或合金构成的单层，也可以为层压至少由两种以上的金属或合金构成的层的多层结构。
对设置所述导电性金属网层2的方法进行说明。
作为在透明基材3上设置所述导电性金属网层2的方法，可举出真空蒸镀、溅镀、离子镀等的PVD（物理气相沉积）、或是热CVD、原子层沉积（ALD）等的CVD（化学气相沉积）等的干式工序、或浸涂、旋涂、喷涂、凹版涂布、模涂、刮刀涂布等的各种涂布或电化学沉积等的湿式工序、微影法、银盐法、喷墨法或网板印刷法，可以根据导电性金属网层2的材料而适当选择。
为了提高本发明中的导电性金属网层2与透明基材3的粘着性，也可以在导电性金属网层2和透明基材3之间形成以往公知的易粘结层。
此外，以使透明导电性薄膜的导电性提高为目的，也可以在导电性金属网层2与透明基材3之间设置透明导电层。
作为该透明导电层，可使用导电性金属氧化物等。
作为导电性金属氧化物，可举出例如掺锡氧化铟（ITO）、氧化铱（IrO2）、氧化铟（In2O3）、氧化锡（SnO2）、掺氟氧化锡（FTO）、氧化铟-氧化锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、掺镓氧化锌（GZO）、掺铝氧化锌（AZO）、氧化钼（MoO3）、氧化钛（TiO2）等。这些导电性金属氧化物可以通过真空蒸镀、溅镀、离子镀等的PVD（物理气相沉积）、或是热CVD、原子层沉积（ALD）等的CVD（化学气相沉积）等的干式工序等公知的方法形成。这样的透明导电层的厚度，从透明性与导电性方面考虑，通常为10-1000nm，优选为10-500nm，特别优选为30-300nm。
[导电层]
本发明的透明导电性薄膜在设置于透明基材3的至少一面的导电性金属网层2的开口部9具有导电层1。
[1]导电性粘结剂组合物
导电层1由导电性粘结剂组合物形成。
导电性粘结剂组合物含有水溶性乙烯聚合物（A）、有机添加剂（B）以及导电性有机高分子化合物（C），有机添加剂（B）选自水溶性多元醇、水溶性吡咯烷酮类和亲水性非质子性溶剂的至少一种，导电性有机高分子化合物（C）为选自聚苯胺类、聚吡咯类或聚噻吩类以及它们的衍生物的至少一种。
首先，对导电性粘结剂组合物中的各成分进行说明。
<成分（A）>
成分（A）的一者的水溶性乙烯聚合物用于赋予导电性粘结剂组合物形成的导电层粘结性。水溶性乙烯聚合物还含有温水可溶性乙烯聚合物。
水溶性聚乙烯聚合物的玻璃化转变温度（Tg），从成膜性、粘结性、操作性方面考虑，优选为-50～150℃的范围，优选为20～140℃，更优选为30～130℃，进一步优选为40～120℃。
水溶性聚乙烯聚合物为在聚合物中具有-CH2-CH(R)-的结构单元的聚合物。只要聚合物中具有该结构单元至少30摩尔%以上，就没有特别的限定。水溶性聚乙烯聚合物可以为含有该结构单元的均聚合物，也可以为共聚物。它们中，R优选为羟基、羧基、吡咯烷酮基、丙烯酰胺基的任意一种。
R为羟基时，为具有-CH2-CH(OH)-的结构单元的聚合物，作为具有羟基的水溶性乙烯聚合物的具体例，可举出例如聚乙烯醇（PVA）、聚乙烯醇-乙烯共聚物、聚乙烯醇-(N-乙烯基甲酰胺)共聚物、聚乙烯醇-乙酸乙烯酯共聚物等。
具有羟基的水溶性聚乙烯聚合物，可以为部分被皂化而成的，也可以为完全被皂化而成的。
皂化度优选20-100摩尔%，更优选35-100摩尔%，进一步优选40-100摩尔%。皂化度不足20摩尔%时，溶解性降低。
聚合物中具有羧基的聚合物，为具有-CH2-CH(COOH)-的结构单元的聚合物。作为具有羧基的水溶性聚乙烯聚合物的具体例子，可举出例如聚丙烯酸（PAA）等。
R为吡咯烷酮基的水溶性聚乙烯聚合物为具有-CH2-CH(NC4O)-的结构单元的聚合物；作为具体例子，例如可举出聚乙烯吡咯烷酮（PVP）、N-乙烯基-2-吡咯烷酮-乙烯共聚物、N-乙烯基-2-吡咯烷酮-乙酸乙烯酯共聚物等。
R为丙烯酰胺基的水溶性聚乙烯聚合物为具有-CH2-CH(CONH2)-的结构单元的聚合物；作为具体例子，例如可举出聚丙烯酰胺等。
以赋予各种功能作为目的，水溶性聚乙烯聚合物也可以含有上述结构单元以外的疏水基或阳离子性基团、含磺酸基的阴离子性基团、硫醇基、羰基、硅烷醇基等的官能团。
这些水溶性聚乙烯聚合物中，从成膜性、粘结性、操作的方面考虑，从后述的电子装置的制备容易完成的方面考虑，优选R为羟基、吡咯烷酮基、羧基的任意一种，优选为PVA、PVP或PAA。它们中，从所得的导电层的导电性与粘结性的方面考虑，进一步优选为R为羧基的PAA。
水溶性聚乙烯聚合物的重均分子量（Mw）通常为500-50万，优选为500-30万，更优选为1000-20万，进一步优选为3000-15万。
水溶性乙烯聚合物的重均分子量Mw为该范围时，在本发明的透明导电性薄膜或电子装置中可显现充分的成膜性以及粘结性。
另外，所述重均分子量Mw为使用凝胶渗透层析法（GPC）所测定的标准聚苯乙烯换算的数值。
上述水溶性聚乙烯聚合物，只要具有30摩尔%以上的上述结构单元即可，也可以共聚合1种或2种以上的可共聚合的其它乙烯性不饱和单体。
作为可共聚合的其它乙烯性不饱和单体，例如可举出甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、乙酸异丙烯酯、戊酸乙烯酯、癸酸乙烯酯、癸酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯、叔碳酸乙烯酯、三甲基乙酸乙烯酯等的羧酸乙烯酯单体；乙烯、丙烯、丁烯等的烯烃类；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等的芳香族乙烯类；甲基丙烯酸、反丁烯二酸、顺丁烯二酸、衣康酸、反丁烯二酸单乙酯、顺丁烯二酸酐、衣康酸酐等的乙烯性不饱和羧酸单体；(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、反丁烯二酸二甲酯、顺丁烯二酸二甲酯、顺丁烯二酸二乙酯、衣康酸二异丙酯等的乙烯性不饱和羧酸烷基酯单体；甲基乙烯基醚、正丙基乙烯基醚、异丁基乙烯基醚、十二烷基乙烯基醚等的乙烯基醚单体；(甲基)丙烯腈等的乙烯性不饱和腈单体；氯乙烯、偏二氯乙烯、氟化乙烯、偏二氟乙烯等的卤化乙烯单体或亚乙烯基单体；乙酸烯丙酯、烯丙基氯等的烯丙基化合物；乙烯磺酸、(甲基)烯丙基磺酸、2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸等的含磺酸基的单体；氯化3-(甲基)丙烯酰胺丙基三甲铵等含四级铵基的单体；乙烯基三甲氧基硅烷、N-乙烯基甲酰胺、甲基丙烯酰胺等，能够使用这些中的1种或2种以上。
<成分(B)>
接着，对成分(B)的有机添加剂进行说明。
本发明的成分（B）的有机添加剂，其特征在于，为选自水溶性多元醇、水溶性吡咯烷酮类和亲水性的非质子性溶剂中的至少一种。
成分（B）的有机添加剂以提高导电性为目的而添加。虽然详细情况不清楚，但通过添加这样的有机添加剂，与后述成分（C）的导电性有机高分子化合物的取向性（配向性）提高，使得导电性提高。
作为成分（B）的有机添加剂，优选在1.101MPa（760mmHg）下的沸点为100℃以上的有机添加剂。沸点低于100℃时，在导电性粘结剂组合物的混合过程、保存中或后述的制备电子装置时的各种加热过程中，由于有机添加剂的挥发·飞散，其掺合比率降低，导致提高导电性的效果下降，因而不优选。
更优选沸点为120-300℃，进一步优选为140-300℃的范围。
作为成分（B）的有机添加剂之一的水溶性多元醇，可举出甘油、双甘油、聚甘油、乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇、1,3-丁二醇（1,3-ブダンジオール）、1,4-丁二醇、赤藓糖醇、山梨糖醇、山梨糖醇酐、葡萄糖、麦芽糖醇、聚乙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇（1,3-ブチレングリコール）、2,3-丁二醇、3-甲基-1,3-丁二醇、四甲撑二醇、1,2-戊二醇、1,2-己二醇、三羟甲基丙烷、季戊四醇、甲基葡糖苷、聚丙二醇、木糖醇、海藻糖、麦芽糖醇、甘露糖醇以及它们的环氧烷烃衍生物等，可以使用它们中的1种或2种以上。
作为成分（B）的有机添加剂之一的水溶性吡咯烷酮类，可举出N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-丙基吡咯烷酮、N-异丙基吡咯烷酮、N-丁基吡咯烷酮、N-叔丁基吡咯烷酮、N-戊基吡咯烷酮、N-己基吡咯烷酮、N-庚基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮、N-辛基吡咯烷酮、N-(2-乙基己基)吡咯烷酮、N-苯基吡咯烷酮、N-苄基吡咯烷酮、苯乙基吡咯烷酮、2-甲氧基乙基吡咯烷酮、2-甲氧基丙基吡咯烷酮、2-羟丙基吡咯烷酮、乙烯基吡咯烷酮、2-吡咯烷酮等，可以使用它们中的1种或2种以上。
本发明中，作为成分（B）的有机添加剂之一，可以添加非质子性溶剂。本发明中，非质子性溶剂是不挥发·飞散地掺合在导电性粘结剂组合物中的溶剂。作为这样的成分（B）的有机添加剂之一的亲水性非质子性溶剂，可举出二甲基亚砜及N,N-二甲基甲酰胺。
本发明中，优选选定成分（B）与成分（A）之间满足以下的关系的组合。
即，以成分（A）的水溶性聚乙烯聚合物的玻璃化转变温度（Tg）为T1、以成分（B）的有机添加剂的熔点为T2、以有机添加剂在0.101MPa（760mmHg）下的沸点为T3时，满足T2<T1<T3的组合。
在此，成分（A）的水溶性聚乙烯聚合物的玻璃化转变温度T1为使用[示差扫描型热量测定（DSC）测定器]所测定的值。
作为与成分（A）之间满足T2<T1<T3的关系的水溶性多元醇的具体例子，例如可举出甘油[熔点T2：18℃、沸点T3：290℃]、乙二醇[熔点T2：-11.5℃、沸点T3：197℃]、二乙二醇[熔点T2：-6.5℃、沸点T3：245℃]、丙二醇[熔点T2：-59℃、沸点T3：188.2℃]、二丙二醇[熔点T2：-40℃、沸点T3：232℃]、1,3-丁二醇[熔点T2：-50℃、沸点T3：207.5℃]、1,4-丁二醇[熔点T2：19℃、沸点T3：235℃]等。其中，从提高导电性的观点考虑，优选甘油、1,4-丁二醇。
作为满足T2<T1<T3的关系的成分（B）的水溶性吡咯烷酮衍生物，可举出N-甲基吡咯烷酮[熔点T2：-24℃、沸点T3：202℃]、乙烯基吡咯烷酮[熔点T2：13.5℃、沸点T3：214.5℃]、2-吡咯烷酮[熔点T2：24.6℃、沸点T3：245℃]等。
作为满足T2<T1<T3的关系的成分（B）的亲水性的非质子性溶剂，可举出二甲基亚砜（DMSO）[熔点T2：19℃、沸点T3：189℃]、N,N-二甲基甲酰胺（DMF）[熔点T2：-61℃、沸点T3：153℃]等。
成分（C）
接着，对成分（C）的导电性有机高分子化合物进行说明。
本发明中，成分（C）的导电性有机高分子化合物，其特征在于，为选自聚苯胺类、聚吡咯类或聚噻吩类及它们的衍生物中的至少一种。
聚苯胺类、聚吡咯类或聚噻吩类及它们的衍生物为通过π电子共轭而具有导电性的导电性高分子。
聚苯胺类为将苯胺的2或3位或N位使用碳原子数为1-18的烷基、烷氧基、芳基、磺酸基等取代而得到的化合物的高分子聚合物，例如可举出聚2-甲基苯胺、聚3-甲基苯胺、聚2-乙基苯胺、聚3-乙基苯胺、聚2-甲氧基苯胺、聚3-甲氧基苯胺、聚2-乙氧基苯胺、聚3-乙氧基苯胺、聚N-甲基苯胺、聚N-丙基苯胺、聚N-苯基-1-萘基苯胺、聚8-苯胺基-1-萘磺酸、聚2-胺基苯磺酸、聚7-苯胺基-4-羟基-2-萘磺酸等。
作为聚苯胺类的衍生物，可举出所述聚苯胺类的掺杂物等。作为掺杂物，可举出氯化物离子、溴化物离子、碘化物离子等的卤化物离子；过氯酸离子；四氟硼酸离子；六氟砷酸离子；硫酸离子；硝酸离子；硫氰酸离子；六氟硅酸离子；磷酸离子、苯基磷酸离子、六氟磷酸离子等的磷酸系离子；三氟醋酸离子；甲苯磺酸离子、乙基苯磺酸离子、十二烷基苯磺酸离子等的烷基苯磺酸离子；甲基磺酸盐离子、乙基磺酸离子等的烷基磺酸离子；或聚丙烯酸离子、聚乙烯磺酸离子、聚苯乙烯磺酸离子（PSS）、聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸)离子等的高分子离子；它们可以单独使用或两种以上组合使用。
它们中，从可容易地调整高导电性，且在制成水溶液时具有用于容易分散而有用的亲水骨架方面考虑，作为掺杂物，优选为聚丙烯酸离子、聚乙烯磺酸离子、聚苯乙烯磺酸离子（PSS）、聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸)离子等高分子离子，更优选为聚苯乙烯磺酸离子（PSS）。
聚吡咯类是指将吡咯的1或3、4位使用碳原子数为1-18的烷基或烷氧基等取代而得到的化合物的高分子聚物，例如可举出聚1-甲基吡咯、聚3-甲基吡咯、聚1-乙基吡咯、聚3-乙基吡咯、聚1-甲氧基吡咯、3-甲氧基吡咯、聚1-乙氧基吡咯、聚3-乙氧基吡咯等。
作为聚吡咯类的衍生物，可举出所述聚吡咯类的掺杂物等。作为掺杂物，可使用作为聚苯胺类的掺杂物而例示的物质。
聚噻吩类为将噻吩的3或4位使用碳原子数为1-18的烷基或烷氧基等取代而得到的化合物的高分子聚物，例如可举出聚3-甲基噻吩、聚3-乙基噻吩、聚3-甲氧基噻吩、聚3-乙氧基噻吩、聚3,4-二氧乙基噻吩（PEDOT）等的高分子体。
作为聚噻吩类的衍生物，可举出所述聚噻吩类的掺杂物等。作为掺杂物，可使用作为所述聚苯胺类的掺杂物而例示的物质。
它们中，作为导电性有机高分子化合物，从可容易地以极少量来调整高导电性，且在制成水溶液时具有用于容易分散而有用的亲水骨格方面考虑，优选为聚(3,4-环氧乙烷噻吩)、与做为掺杂物的聚苯乙烯磺酸离子的混合物(下文中有时记载为“PEDOT：PSS”)等。
用于形成本发明的透明导电性薄膜中的导电层的所述导电性粘结剂组合物，为含有水溶性乙烯聚合物（A）、有机添加剂（B）以及导电性有机高分子化合物（C）的组合物，各成分(基于有效成分)的掺合量如下。
以成分（A）、（B）及（C）的总量为100质量份时，成分（A）为1-60质量份，优选为5-50质量份，更优选为10-40质量份。成分（B）为0.1-90质量份，优选为10-70质量份，更优选为20-65质量份。成分（C）为0.1-90质量份，优选为0.5-75质量份，更优选为5-55质量份。
成分（A）不足1质量份时，不显现粘结性，相反地，大于60质量份时，透明性和导电性降低，因而不优选。
成分（B）不足0.1质量份时，导电性降低，相反地，大于90质量份时，粘结性降低，因而不优选。
成分（C）不足0.1质量份时，导电性降低，相反地，大于90质量份时，不显现粘结性，因而不优选。
此外，本发明中，所述导电性粘结剂组合物，也可以为与成分（A）、（B）及（C）一起，进一步掺合水、甲苯、乙酸乙酯、甲基乙基酮等的溶剂而成的溶液。其中，从成分（A）、（B）及（C）的溶解性的观点考虑，优选为水溶液。从操作性的观点考虑，优选有效成分浓度为0.5-80质量%，更优选1-70质量%。
进一步，本发明中，导电性粘结剂组合物中，除了所述成分（A）、（B）、（C）以及溶剂以外，也可根据需要适当地添加粘着赋予剂、可塑剂、增稠剂、湿润剂、消泡剂、成膜助剂、防腐剂、防锈剂、冷冻熔融稳定剂、颜料、着色剂、填充剂、金属粉末、抗氧化剂、光稳定剂、紫外线吸收剂等。
作为用于形成所述导电层1的方法，可举出浸涂、旋涂、喷涂、凹版涂布、模涂、刮刀涂布等各种涂布或电化学沉积等的湿式工序，可以适当地选择。
其中，优选为将所述导电性粘结剂组合物溶解或分散于纯水等的适当的溶剂而成的溶液(涂布液)，通过上述各种涂布法，涂布于设置于透明基材3上的所述导电性金属网层2的开口部，并使所得的涂膜干燥，根据期望以导电性粘结剂组合物中的有机添加剂不挥发的程度进行加热来形成，由此形成导电层1。根据该方法，可容易地在所述导电性金属网层2的开口部9形成导电层1。
由所述导电性粘结剂组合物形成的导电层1的厚度优选为5-10000nm，更优选为30-3000nm。不足5nm时，不显现粘结性，超过10000nm时，导电性会降低。
导电层具有适合用作电子装置的高导电性。这样的导电层1的表面电阻率优选为1～1.0×1010Ω/□，更优选为1～1.0×109Ω/□，进一步优选为1～1.0×108Ω/□。超过1.0×1010Ω/□时，导电性低，用于电子装置时性能变差。
导电层1的全光透过率为80%以上，优选为尽可能地接近100%。全光透过率为80%以上时，用于太阳能电池等各种电子装置时，透明性充分，适合使用。
本发明的透明导电性薄膜在透明基材3的至少一面具有导电性金属网层2、以及导电层1。
如图1所示，优选为在透明基材3的一面上，具有导电性金属网层2与导电层1，在导电性金属网层2的开口部9填充导电层1而形成。
此外，导电层1可以被填充在导电性金属网层2的开口部而形成，也可以使导电性金属网层2的上部隐藏的方式形成（参照图3的7）。
即，本发明的透明导电性薄膜7，通过在透明基材3的至少一面具有导电性金属网层2与导电层1，在导电性金属网层2的开口部9充填导电层1而形成，来提高导电性。
这样，本发明的透明导电性薄膜由于透明性高、表面电阻率低，因而透明性与导电性的平衡性优良，此外，其本身具有优良的粘结性，因此可以通过层压工序进行电子装置的制备。
本发明的透明导电性薄膜，具备导电层以及金属网层的一面的表面电阻率优选为1～1.0×109Ω/□。超过1.0×109Ω/□时，导电性低，在用于电子装置时性能变差。
<电子装置>
以下对本发明的电子装置进行说明。
本发明的电子装置具有所述透明导电性薄膜。
作为电子装置，可举出有机晶体管、有机内存、有机EL等有机装置；液晶显示器；电子纸；薄膜晶体管；电致变色；电化学发光装置；触控面板；显示器；太阳能电池；热电转换装置；压电转换装置；蓄电装置；等。
图2为本发明的具有透明导电性薄膜的电子装置的一个例子。图2中1为导电层、2为导电性金属网层、3为透明基材、4为光电转换层、5为电极、6为基材、7为透明导电性薄膜、8为电子装置。
<光电转换层>
光电转换层为接受光电效果的层，可以由单层构成，也可以由多层构成。单层时，光电转换层系通常由本征半导体层（i型半导体）所形成。
光电转换层为进行光电转换的层，从原料的低成本化、柔软性、形成容易性、吸光系数高低、轻量化、耐冲击性等的观点考虑，优选为有机半导体。
此外，多层时，为（p型半导体层/n型半导体层）的层压，或（p型半导体层/本征半导体层/n型半导体层）等。
光电转换层的厚度因单层或多层的情况而不同，从导电性、激子扩散距离这样的观点考虑，一般优选为30nm-2μm，特别优选为40nm-300nm。
以下对用于光电转换层的有机半导体进行说明。
（1）本征半导体
作为本征半导体的材料，例如能够使用将第1材料及第2材料以所得到的半导体成为本征半导体的方式进行混合而成的混合物，其中该第1材料由富勒烯、富勒烯衍生物、具有半导体性的纳米碳管（CNT）和CNT化合物中的至少1种所形成；该第2材料由聚亚苯基亚乙烯（PPV）的衍生物或聚噻吩系的高分子材料所形成。
作为富勒烯衍生物，例如能够使用[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯（PCBM）等，此外，也能够使用有富勒烯的二聚物、或是导入有碱金属或碱土类金属等的富勒烯化合物等。此外，作为CNT，能够使用内含富勒烯或内含金属富勒烯的碳纳米管等。进一步，也能够使用在CNT的侧壁或前端附加有各种分子的CNT化合物等。
作为聚亚苯基亚乙烯的衍生物，能够使用聚[2-甲氧基-5-(2’-乙基-己氧基)-对亚苯基-亚乙烯]（MEH-PPV）等，作为聚噻吩系高分子材料，能够使用聚-3-己基噻吩（P3HT）等的聚（3-烷基噻吩）、二辛基芴烯-双噻吩共聚物（F8T2）等。
作为特别优选的本征半导体，可举出将PCBM与P3HT以质量比为1：0.3-1：4混合而成的混合物。
（2）p型半導体
作为p型半导体的材料，例如可举出聚3-己基噻吩（P3HT）等的聚烷基噻吩及其衍生物；聚亚苯基及其衍生物；聚[2-甲氧基-5-(2’-乙基-己氧基)-对亚苯基-亚乙烯]（MEH-PPV）等的聚亚苯基亚乙烯基及其衍生物；聚硅烷及其衍生物；卟啉衍生物；酞菁衍生物、聚烷基噻吩及其衍生物；有机金属聚合物等。其中优选聚烷基噻吩及其衍生物。此外，也可以是这些有机材料的混合物。作为导电性高分子，能够使用聚(3,4)-二氧乙基噻吩/聚苯乙烯磺酸酯（PEDOT：PSS）。
（3）n型半导体
作为n型半导体的材料，没有特别限定，可举出1,4,5,8-萘四羧酸二酐（NTCDA）、3,4,9,10-苝四羧酸二酐（PTCDA）、3,4,9,10-苝四羧酸双苯并咪唑（PTCBI）、N,N’-二辛基-3,4,9,10-萘基四羧基二酰亚胺（PTCDI-C8H）、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑（PBD）、2,5-二(1-萘基)-1,3,4-噁二唑（BND）等的噁二唑衍生物、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基)-1,2,4-三唑（TAZ）等的三唑衍生物、啡啉衍生物、氧化膦衍生物、富勒烯化合物、纳米碳管（CNT）、在CNT的侧壁或前端附加有各种分子的CNT化合物、在聚对亚苯基亚乙烯基系聚合物导入了氰基的衍生物（CN-PPV）等。
它们中，从作为稳定且载体移动度高的n型半导体考虑，特别优选富勒烯化合物。
作为富勒烯化合物，例如能够使用[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯（PCBM）等。此外，可举出富勒烯的二聚物、或是导入有碱金属或碱土类金属等的富勒烯化合物等。它们中，从具有优良的电子接受性的观点考虑，优选PCBM。
而且，这些n型半导体可以单独使用或组合2种以上而使用。
作为形成光电转换层4的方法，可以适当选择真空蒸镀、溅镀、离子镀等PVD（物理气相沉积）、或是热CVD、原子层沉积（ALD）等CVD（化学气相沉积）等的干式工序、浸涂、旋涂、喷涂、棒涂、凹版涂布、模涂、刮刀涂布等各种涂布工序等。
<电极>
作为电极的材料，优选为功函数较小的材料。例如：除了铂、金、铝、铱、铬、氧化锌等的金属、金属氧化物或者合金以外，可举出纳米碳管、或纳米碳管与上述金属、金属氧化物或者合金的复合体。
电极的厚度优选为20nm-1μm，特别优选为30-200nm。
作为形成电极5的方法，可举出真空蒸镀、溅镀、离子镀等PVD（物理气相沉积）、或是热CVD、原子层沉积（ALD）等CVD（化学气相沉积）等的干式工序、或浸涂、旋涂、喷涂、棒涂、凹版涂布、模涂、刮刀涂布等各种涂布或电化学沉积等的湿式工序，可以根据电极5的材料而适当选择。
<基材层>
作为基材层6，一般可举出玻璃（板）或塑料薄膜，可以根据电子装置的用途而适当选择。作为塑料薄膜，可举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、四乙酰基纤维素、间规聚苯乙烯、聚苯硫醚、聚碳酸酯、聚芳酯、聚砜、聚酯砜、聚醚酰亚胺、环状聚烯烃等的薄膜，优选为机械强度、耐久性等优良的薄膜。它们中，优选透明性高的薄膜。
基材层6的厚度，从机械强度以及透明性的平衡的观点考虑，优选为3μm-5mm，更优选为5μm-1mm，特别优选为10μm-300μm。
<电子装置的制备方法>
本发明的电子装置的制备方法，以将透明导电性薄膜的导电层与光电转换层表面贴合为特征。即，其特征在于，在所述导电性粘结剂组合物软化的温度以上，将透明导电性薄膜的导电层与所述光电转换层表面贴合。
以下使用图3对本发明的电子装置的制备方法进行说明。图3中，向下的箭头表示将光电转换层4与导电层1在导电性粘结剂组合物软化的温度以上进行加压并贴合，制成电子装置。
首先，在基材层6上形成电极5，在该电极5上形成所述光电转换层4。接着，在所述导电性粘结剂组合物软化的温度以上，通过将透明导电性薄膜的导电层1与所述光电转换层4表面贴合，来制备电子装置。
所述导电性粘结剂组合物软化的温度，为水溶性乙烯聚合物的玻璃化转变温度（Tg）以上的温度。从容易制备的方面考虑，具体地为60-140℃左右。
根据本发明的电子装置的制备方法，由于将透明导电性薄膜的导电层1表面与光电转换层4表面贴合，因此可以通过层压工序容易地制备电子装置。
此外，根据该方法，在基材层6上形成电极5，在该电极5上形成光电转换层4，因此不存在使电极5形成于光转换层4的工序。
因此，不会有电极5变得不均匀、由于电极5形成时的能量而使光电转换层4受到伤害的情况，不会降低电子装置的性能。
实施例
以下，通过施例和比较例更详细地说明本发明，但是本发明不受它们的任何限定。
<实施例1>
[导电性粘结剂组合物的配制]
作为成分（A）的水溶性聚乙烯聚合物，使用50质量份的聚乙烯醇[シグマアルドリッチ社制，产品名为“聚乙烯醇”，重均分子量为9100，Tg（T1）：50℃，表1中记载为PVA]。作为成分（B）的有机添加剂，使用50质量份的甘油[シグマアルドリッチ社制，产品名为“甘油”，熔点（T2）：18℃，沸点（T3）：290℃]。作为成分（C）的导电性有机高分子化合物，使用作为聚噻吩类的衍生物的聚（3,4-环氧乙烷噻吩）（PEDOT）与聚苯乙烯磺酸（PSS）的混合物（PEDOT：PSS）[H.C.Starck社制，产品名为“CleviousPVP.AI4083”，有效成分1质量%（溶剂：纯水）、在表1中记载为聚噻吩类]10000质量份。
在所述成分（A）、（B）及（C）中添加200质量份纯水，配制导电性粘结剂组合物的涂布液（有效成分：1.9质量%）。
[透明导电性薄膜的制作]
通过在透明基材[东洋纺绩社制，产品名为“コスモシャインA4100”]的一面，在1×10-3Pa以下的减压下，将铜以蒸镀法制膜，形成厚度为100nm的铜层。接着，进行光阻处理（レジスト処理）与蚀刻处理，制作导电性金属网层（开口部间距：1200μm/线宽20μm，全光透过率89%，表面电阻率2Ω/□）。
接着，在导电性金属网层的开口部，将如上所述配制的导电性粘结剂组合物的涂布液使用绕线棒（マイヤーバー）（20mil）涂布，并在干燥机中以120℃干燥10分钟。
这样，制作在导电性金属网层的开口部具有由导电性粘结剂组合物形成的导电层（厚度为500nm）的透明导电性薄膜。
接着，在作为基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜[东洋纺绩社制，产品名为“コスモシャインA4100”]上，在1×10-3Pa以下的减压下，通过将铝以蒸镀法制膜形成厚度为100nm的铝层（电极）。
接着，在上述所得的电极上以旋涂法涂布将聚-3-己基噻吩（P3HT）与[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯（PCBM）以质量比为1:0.8混合的混合物的氯苯溶液（浓度：2质量%），在120℃干燥10分钟，形成厚度为100nm的光电转换层。
[电子装置的制作]
将光电转换层表面与透明导电性薄膜的导电层表面，通过将辊式层压机[ロイヤルソブリン社制，产品名为“RSL-328S”]的辊温度加热至120℃并加压贴合来得到电子装置。
<实施例2、3>
除了使用以表1所示的掺合比（质量份，以下相同）所配制的导电性粘结剂组合物以外，与实施例1同样地进行，制作透明导电性薄膜以及电子装置。
<实施例4>
除了使成分（A）的PVA量为25质量份，使用N-甲基吡咯烷酮[和光纯药工业株式社制，T2：熔点-24℃，T3：沸点202℃]80质量份替代甘油作为成分（B）的有机添加剂以外，与实施例1同样地进行，制作透明导电性薄膜以及电子装置。
<实施例5>
除了使用聚乙烯吡咯烷酮[シグマアルドリッチ社制，Tg（T1）：80℃，表1中记载为PVP]50质量份替代PVA作为成分（A）的水溶性乙烯聚合物，使甘油的量为100质量份作为成分（B）的有机添加剂以外，与实施例1同样地进行，制作透明导电性薄膜以及电子装置。
<实施例6>
除了使用N-甲基吡咯烷酮[和光纯药工业株式社制，T2：熔点-24℃，T3：沸点202℃]100质量份替代甘油作为成分（B）的有机添加剂以外，与实施例5同样地进行，制作透明导电性薄膜以及电子装置。
<实施例7>
除了使用二甲基亚砜[和光纯药工业株式社制，表1中记载为DMSO，T2：熔点19℃，T3：沸点189℃]100质量份替代甘油作为成分（B）的有机添加剂以外，与实施例1同样地进行，制作透明导电性薄膜以及电子装置。
<实施例8>
除了使用二甲基甲酰胺[和光纯药工业株式社制，表1中记载为DMF，T2：熔点-61℃，T3：沸点153℃]100质量份替代甘油作为成分（B）的有机添加剂以外，与实施例1同样地进行，制作透明导电性薄膜以及电子装置。
<实施例9>
将成分（C）的导电性有机高分子化合物聚噻吩类的衍生物变更为PEDOT：PSS[日本アグファマテリアルズ制，产品名为“S305”]，与实施例1同样地进行，制作透明导电性薄膜以及电子装置。
<实施例10>
除了将聚苯胺[シグマアルドリッチ社制，表1中记载为聚苯胺类]100质量份替代聚噻吩类的衍生物作为成分（C）的导电性有机高分子化合物、将成分（B）的甘油的量变更为100质量份以外，与实施例1同样地进行，制作透明导电性薄膜以及电子装置。
<实施例11>
除了将聚吡咯[シグマアルドリッチ社制，有效成分为1质量%，表1中记载为聚吡咯类]10000质量份替代聚噻吩类的衍生物作为成分（C）的导电性有机高分子化合物、将成分（B）的甘油量变更为100质量份以外，与实施例1同样地进行，制作透明导电性薄膜以及电子装置。
<比较例1-3、5-6>
使用将成分（A）、（B）或（C）以表1所示的掺合比来配制的导电性粘结剂组合物，与实施例1同样地进行，制作比较用的透明导电性薄膜以及比较用的电子装置。
<比较例4>
除了不设置由导电性粘结剂组合物形成的导电层以外，与实施例1同样地进行，制作比较用的透明导电性薄膜以及电子装置。即，仅将导电性金属网层作为比较用的透明导电性薄膜来制作电子装置。
<比较例7-10>
使用将成分（A）、（B）或（C）以表1所示的掺合比来配制的导电性粘结剂组合物，直接在未形成导电性金属网层的透明基材上形成导电层，并与实施例1同样地进行，制作比较用的透明导电性薄膜以及电子装置。
以上，实施例1-4以及7-11、比较例1、2、5、7、8以及10为使用PVA作为成分（A）的水溶性乙烯聚合物的例子。
将在各例子中所使用的导电性粘结剂组合物中的各成分的掺合比以及所得的透明导电性薄膜以及电子装置的特性表示在表1中。
表1中，成分（A）、（B）、（C）的掺合量均表示有效成分的质量份。括号内的数值表示以成分（A）、（B）、（C）的合计为100时的各成分的质量份或质量%。实施例5、6为使用PVP作为成分（A）的水溶性乙烯聚合物的例子。
<实施例12>
[导电性粘结剂组合物的配制]
作为成分（A），使用丙烯酸聚合物[シグマアルドリッチ制，“聚丙烯酸”，重均分子量为10万，Tg为102℃，有效成分为40质量%，在表2中记载为PAA]113质量份，作为成分（B）的有机添加剂，使用甘油[シグマアルドリッチ社制，产品名为“甘油”，熔点（T2）：18℃，沸点（T3）：290℃]90质量份。作为成分（C）的导电性有机高分子化合物，使用聚噻吩类的衍生物的聚（3,4-环氧乙烷噻吩）（PEDOT）与聚苯乙烯磺酸（PSS）的混合物（PEDOT：PSS）[H.C.Starck社制，产品名为“CleviousPVP.AI4083”，有效成分为1质量%（溶剂：纯水），在表2中记载为聚噻吩类]1500质量份。
在所述成分（A）、（B）以及（C）中添加纯水200质量份，配制导电性粘结剂组合物的涂布液（有效成分：7.9质量%）。
以与实施例1相同的方法，进行透明导电性薄膜以及电子装置的制作。
<实施例13、14>
除了使用以表2所示的成分（A）、（B）以及（C）的掺合比（质量份，下同）来配制的导电性粘结剂组合物以外，与实施例12同样地进行，制作透明导电性薄膜以及电子装置。
<实施例15-19>
除了使用以表2所示的成分（A）、（B）以及（C）的掺合比（有效成分的质量份，下同）来配制的导电性粘结剂组合物以外，与实施例12同样地进行，制作透明导电性薄膜以及电子装置。
<比较例11-20>
使用将成分（A）、（B）或（C）以表2所示的掺合比来配制的导电性粘结剂组合物，与实施例12同样地进行，制作比较用的透明导电性薄膜以及比较用的电子装置。
将在各例中所使用的导电性粘结剂组合物中的各成分的掺合比以及所得透明导电性薄膜以及电子装置的特性表示在表2中。表2中，成分（A）、（B）、（C）的掺合量均表示有效成分的质量份。括号内的数值表示以成分（A）、（B）、（C）的合计为100时的各成分的质量份或质量%。
记载在表1以及表2中的特性按照下述进行测定。
（1）导电层以及导电性金属网层的厚度
由导电性粘结剂组合物形成的导电层以及导电性金属网层的厚度使用触针式表面形状测定装置（Veeco社制，产品名为“Dektak150”）来测定。
（2）表面电阻率
利用表面电阻测定装置[三菱化学社制，产品名为“ロレスタGPMCP-T600”]通过四端子法测定表面电阻率。在实施例中，测定透明导电性薄膜的具备导电层以及金属网层的面。在比较例4、14中，测定导电性金属网层（铜层）表面。在比较例7-10、17-20中，测定导电层表面。
（3）全光透过率
使用光线透射率测定装置[日本电色工业社制，产品名为“NDH-5000”]，依据JISK7631-1来测定透明导电性薄膜的全光透过率。
（4）贴合评价（粘结性）
将在实施例以及比较例所得的透明导电性薄膜（5×5cm），使用层压机[ロイヤルソブリン社制，产品名为“RSL-328J”]，在温度120℃下贴合至玻璃板（25mm×25mm，厚度为1mm）上。其后，冷却至常温后，使透明导电性薄膜呈垂直，调查是否粘着。
○：玻璃板不脱落，粘着。
×：不粘着，玻璃板剥离。
（5）电子装置的评价
将在实施例以及比较例所得的电子装置，使用电源量测设备（ソースメジャーユニット）[ワコム电创社制]测定电流电压特性，观察整流曲线。
○：有整流性
×：无整流性（由于贴合不良而无作为电子装置的功能）
（6）粘着力
记载于表2的粘着力，是将在实施例12-19以及比较例11-20中所得的导电性粘结剂组合物的涂布液涂布于聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜[东洋纺绩社制，产品名“コスモシャインA4100”，厚度为100μm]上，在100℃下干燥10分钟，形成膜厚（500）nm的由导电性粘结剂组合物形成的导电层，制作测定用试样。
使用所得的测定用试样，依据JISZ0237（2009），将在23℃50%RH（相对湿度）环境下切成25mm×300mm的测定用试样，使用层压机[ロイヤルソブリン社制，产品名为“RSL-328J”]，在温度100℃下贴合至被附物（玻璃板，800mm×1500mm，厚度为3mm）。通过180°剥离法，以拉伸速度300mm/分钟来测定贴附24小时后的粘着力。
（7）玻璃化转变温度
成分（A）的水溶性乙烯聚合物的玻璃化转变温度T1依据JISK7121，使用输入补偿示差扫描型热量测定装置[パーキンエルマー社制、装置名为“PyrislDSG”]，在-80℃至250℃的温度范围测定并求出推断的玻璃转移开始温度。
表1
*聚噻吩类：产品名为“S305”
成分（A）、（B）、（C）的掺合量均表示有效成分的质量份，实施例的（）内的数值表示成分（A）、（B）、（C）的合计为100质量份时的各成分的质量份或质量%。
表2
*聚噻吩类：产品名为“S305”
成分（A）、（B）、（C）的掺合量均表示有效成分的质量份，实施例的（）内的数值表示成分（A）、（B）、（C）的合计为100质量份时的各成分的质量份或质量%。
从表1，能够确认以下内容。
（1）在不使用成分（B），使用成分（A）与（C）的比较例1、2中，表面电阻率高，所得到的电子装置未观察到整流性，而无作为装置的功能。
（2）在仅含有成分（C）的比较例3中，粘结性差。此外，所得到的电子装置，由于贴合不良而无作为装置的功能。
（3）在没有导电层的比较例4中，完全无粘结性，无法制成电子装置。
（4）在仅含成分（A）的比较例5中，表面电阻率高，所得到的电子装置未观察到整流性，而无作为装置的功能。
（5）在仅含成分（B）的比较例6中，成膜性差，不能形成导电层，也完全无粘结性。
（6）在不设置导电性金属网层的比较例7-10中，表面电阻率高，此外，所得到的电子装置未观察到整流性，而无作为装置的功能。
另一方面，实施例1-11表面电阻率低，透明性也高，且粘结性也为良好。此外，可知所得到的电子装置具有整流性，因此作为装置是有效的。
从表2，能够确认以下内容。
（1）在不使用成分（B），使用成分（A）与（C）的比较例11、12中，导电层的表面电阻率高，所得到的电子装置未观察到整流性，而无作为装置的功能。
（2）在仅含成分（C）的比较例13中，粘着力低，无法测定。此外，所得到的电子装置，由于贴合不良而无作为装置的功能。
（3）在没有导电层的比较例14中，完全无粘着力，无法制成电子装置。
（4）在仅含成分（A）的比较例15中，导电层的表面电阻率高，所得到的电子装置未观察到整流性，而无作为装置的功能。
（5）在仅含成分（B）的比较例16中，成膜性差，不能形成导电层，也完全无粘结性。
（6）在不设置导电性金属网层的比较例17-20中，表面电阻率高，此外，所得到的电子装置未观察到整流性，而无作为装置的功能。
另一方面，在使用成分（A）、（B）以及（C）的实施例12-19中，导电层的表面电阻率低、透明性也高、且粘结性也为良好。此外，可知所得到的电子装置具有整流性，因此作为装置是有效的。
工业实用性
本发明的透明导电性薄膜由于具有优良的粘结性，且表面电阻率低、透明性也高，因此可使用于有机晶体管、有机内存、有机EL等的有机装置；液晶显示器；电子纸；薄膜晶体管；电致变色；电化学发光装置；触控面板；显示器；太阳能电池；热电转换装置；压电转换装置；蓄电装置；等的电子装置，进而，通过层压工序，在以辊对辊所制备的电子装置的领域为有用。
附图标记说明
1导电层
2导电性金属网层
3透明基材
4光电转换层
5电极
6基材层
7透明导电性薄膜
8电子装置
9导电性金属网层的开口部

Claims (7)

1.一种透明导电性薄膜，该薄膜为在设置于透明基材的至少一面的导电性金属网层的开口部具有粘结性导电层的透明导电性薄膜，其特征在于，所述导电层由含有水溶性乙烯聚合物A、有机添加剂B以及导电性有机高分子化合物C的导电性粘结剂组合物形成，有机添加剂B为选自水溶性多元醇、水溶性吡咯烷酮类和亲水性的非质子性溶剂中的至少一种，导电性有机高分子化合物C为选自聚苯胺类、聚吡咯类或聚噻吩类以及它们的衍生物中的至少一种，
以所述水溶性乙烯聚合物A、有机添加剂B及导电性有机高分子化合物C的总量为100质量份时，所述水溶性乙烯聚合物A为10-40质量份，所述有机添加剂B为20-65质量份，所述导电性有机高分子化合物C为5-55质量份。
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，以水溶性乙烯聚合物A的玻璃化转变温度为T1、以有机添加剂B的熔点为T2、以有机添加剂B在0.101MPa(760mmHg)下的沸点为T3时，满足T2<T1<T3的关系。
3.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，水溶性乙烯聚合物A为聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或丙烯酸聚合物。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的透明导电性薄膜，其中，所述水溶性乙烯聚合物A在其聚合物中具有-CH2-CH(R)-的结构单元，在该聚合物中至少具有30摩尔％以上的所述结构单元，且所述结构单元中的R为羧基。
5.一种电子装置，其特征在于，该电子装置具有权利要求1-4中任意一项所述的透明导电性薄膜。
6.根据权利要求5所述的电子装置，该电子装置按照权利要求1-4中任意一项所述的透明导电性薄膜、光电转换层、以及阴极层的顺序进行配置而形成。
7.一种电子装置的制备方法，该制备方法为权利要求6所述的电子装置的制备方法，其特征在于，在阴极层上形成所述光电转换层，并在所述导电性粘结剂组合物软化温度以上，将透明导电性薄膜的导电层和光电转换层表面贴合。
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