KR101933383B1 - 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법 - Google Patents

액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법에에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 실란 커플링제의 졸-겔 반응으로 얻어진 조성물에 전도성 고분자를 첨가함으로써, 조성물 내에서 전도성 고분자의 분산도를 최적화하여 액정표시장치에서 투과도와 표면경도가 우수한 대전방지용 배면전극을 제공할 수 있다. 특히 본 발명은 경도 향상과 코팅후 시간 경과에 따른 면저항 변화가 적도록 신뢰성을 확보할 수 있다.

Description

액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법{Method for preparing conductive composition forming ground electrodes of liquid crystal display and using the same}
본 발명은 액정표시장치의 배면전극 형성에 사용되는 도전성 조성물의 제조방법에 관한 것이다.
전극형성 기술에 있어서, 특히 액정표시장치에서의 배면전극은 외부로부터 인가되는 정전기를 차단하는 역할을 한다.
기존의 액정디스플레이에서 배면전극(대한민국 등록특허 제0603826호)으로 사용된 ITO(Indium-tin-oxide) 또는 IZO(Indium-Zinc-oxide)의 경우 진공증착 공정이 요구되며, 그 특성에 있어서 저항과 표면경도는 우수하지만 투과도는 뛰어나지 않다는 단점이 있다.
근래 인듐 자원의 고갈 위기가 다가옴으로써 ITO를 대체하기 위한 각종 투명전극재료의 개발이 이슈화되고 있다. 하지만, 지금까지 개발 중인 수많은 투명전극 재료들, 예를 들면 전도성 고분자 또는 금속이나 금속산화물과 같은 무기도전성 조성물의 경우, 투과도에 있어서는 만족스럽지 못한 결과를 나타내고 있는 실정이다.
또한 기존에는 상온조건에서 전도성 고분자와 TEOS의 중합으로 전극 형성용 도전성 조성물을 제조하는 방법이 알려져 있지만, 상기 전도성 고분자를 이용한 기존 코팅막의 경우 투과도는 우수하나 전극형성 재료로 사용하기 위한 기간에 따른 면 저항 상승의 문제점이 발생하고 있다.
상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자, 본 발명은 전극을 형성함에 있어 특히 액정표시장치의 배면전극형성에 있어 필름상태에서의 투과도와 표면경도를 동시에 향상시킬 수 있는 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물과 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 코팅성, 경도 향상 및 코팅막 형성후 시간 경과에 따른 면저항 상승을 최소화할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 상기 조성물을 이용한 액정표시장치의 배면전극 형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 실란 커플링제 5 내지 40 중량부, 용매 50 내지 90 중량부 및 염산 또는 초산 희석 용액 0.1 내지 10.0 중량부를 40 내지 70 ℃의 온도에서 1 내지 5시간 동안 졸-겔 반응시켜 실란 커플링제 전구체 조성물을 제조하는 단계; 및
상기 실란 커플링제 전구체 조성물 100 중량부에 대하여 고형분 0.1 내지 5.0 wt%를 갖는 전도성 고분자 용액 5 내지 40 중량부를 첨가하여 혼합하는 단계
를 포함하는, 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법을 제공한다.
상기 용매는 i) 물, ii) 알코올계 화합물, 및 iii) 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디메틸 포름아마이드, 아세틸 아세톤, 1-메틸-2-피롤리딘온, 디프로필케톤 및 에틸 락테이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 용매;를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 고형분 0.1 내지 5.0 wt%를 갖는 전도성 고분자 용액은 전도성 고분자의 고형분이 0.1 내지 5 중량%이고 용매 95 내지 99.9 중량%를 포함할 수 있다.
상기 전도성 고분자는 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리티오펜 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 폴리(3,4-에틸렌 디옥시티오펜)을 포함한다.
또한 상기 전도성 고분자는, 도데실벤젠술폰산, 톨루엔술폰산, 켐포술폰산, 벤젠술폰산, 염산, 스타이렌술폰산, 2-아크릴아마이도-2-메틸프로판술폰산, 이들의 염화합물, 2-술포숙신산 에스테르염, 5-술포이소프탈산 소듐염, 디메틸-5-소듐 술포이소프탈레이트, 5-소듐술포-비스(β-하이드록시에틸)이소프탈레이트 및 폴리(4-스타이렌설포네이트)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 도판트를 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 전도성 고분자는 폴리(4-스타이렌설포네이트)를 도판트로 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 전도성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌 디옥시티오펜):폴리(4-스타이렌설포네이트)(PEDOT:PSS)를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 실란 커플링제는 탄소수 1 내지 20 의 탄화수소를 갖는 알킬옥시 실란계, 아미노 실란계, 비닐 실란계, 에폭시 실란계, 메타크릴옥시 실란계, 이소시아네이트 실란 및 불소 실란계로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다.
또한 실란 커플링제 전구체 조성물을 제조하는 단계에서, 상기 실란계 커플링제 전구체 조성물 100 중량부에 대하여, 계면활성제 0.1 내지 1.0 중량부를 첨가하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 제조 방법에 따라, a) 고형분 0.1 내지 5.0 wt%를 갖는 전도성 고분자 용액 5 내지 40 중량부, b) 실란 커플링제 3 내지 30 중량부; 및 c) 용매 20 내지 60 중량부를 포함하는 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물을 제공한다.
또한 본 발명은 기판에 형성된 전극 상에 상술한 방법에 따른 배면전극 형성용 도전성 조성물을 코팅하고, 열처리하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 배면전극의 형성방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 실란계 커플링제의 졸-겔 반응으로 제조된 배면전극 형성용 도전성 조성물의 전구체를 제조하므로, 막 자체의 가교수준을 높여 기존 대비 경도를 향상시키고 코팅후 시간 경과에 따른 면저항 변화를 최소화하여 신뢰성을 확보할 수 있다.
특히, 본 발명은 배면전극용 도전성 조성물 내에서 전도성 고분자의 분산도를 최적화하며 액정표시장치(LCD), 특히 IPS, FFS 등의 횡전계 방식의 액정표시장치에서 배면전극의 투과도와 표면경도를 현저히 향상시킬 수 있다. 또한 본 발명은 기존 제조방식과 다른 공정방법을 제시하여 제조시간 및 제품의 균일도를 향상시킬 수 있다. 따라서 본 발명은 표시 장치 제조시 주로 사용하는 ITO를 대체할 수 있는 투명 전극을 제공할 수 있어서, 인듐 자원의 고갈로 인한 문제에 대처할 수 있다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 방법은 기존과 같이 배면 전극 형성용 조성에 첨가되는 각 성분(예를 들어, 전도성 고분자와 TEOS와 같은 물질)을 일괄 투입하여 제조하는 방식을 사용하는 것이 아니라, 실란 커플링제(TEOS)를 고온에서 졸-겔 반응을 진행하여 전구체 용액을 제조한 후에, 전도성 고분자를 혼합하여 전극 형성용 도전성 조성물을 제조하는 것을 특징으로 한다.
이러한 본 발명의 일 구현예에 따라, 실란 커플링제 5 내지 40 중량부, 용매 50 내지 90 중량부 및 염산 또는 초산 희석 용액 0.1 내지 10.0 중량부를 40 내지 70 ℃의 온도에서 1 내지 5시간 동안 졸-겔 반응시켜 실란 커플링제 전구체 조성물을 제조하는 단계; 및 상기 실란 커플링제 전구체 조성물 100 중량부에 대하여 고형분 0.1 내지 5.0 wt%를 갖는 전도성 고분자 용액 5 내지 40 중량부를 첨가하여 혼합하는 단계를 포함하는, 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법이 제공된다.
상술한 방법에 따라 제조된 최종 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물은, a) 고형분 0.1 내지 5.0 wt%를 갖는 전도성 고분자 용액 5 내지 40 중량부; b) 실란 커플링제 3 내지 30 중량부; 및 c) 용매 20 내지 60 중량부를 포함할 수 있다.
본 발명의 전극 형성용 도전성 조성물은 최종 조성에 전도성 고분자, 도판트, 실란 커플링제 및 용매를 포함할 수 있는데, 이러한 조성을 가질 수 있도록 본 발명에서는 실란 커플링제를 이용한 전구체 용액을 제조하는 과정을 수행한다.
즉, 본 발명은 기존의 제조 방식과는 다른 실란 커플링제의 졸-겔 반응으로 얻어진 전구체를 먼저 제조한 후, 이를 전도성 고분자와 혼합하므로, 필름상태에서 우수한 표면 경도와 시간에 따른 신뢰성 구간을 만족하면서도 기존의 일반적인 상온 제조 방식대비 우수한 물성을 나타낼 수 있는 전극 형성용 도전성 조성물을 제공할 수 있다.
특히 본 발명에서는 기존의 상온 조건에서의 전도성 고분자와 TEOS의 중합으로 제조하던 방식과 달리, 실란계 커플링제의 졸-겔 반응으로 제조된 배면전극 형성용 도전성 조성물의 전구체를 제조하여 사용한다. 따라서, 본 발명은 최종 얻어진 배면전극에서의 막 자체의 가교 수준을 높일 수 있으며 그에 따른 효과로 경도 향상과 서로 반대되는 성질을 가진 전도성 고분자의 표면 밀도를 증가시켜 전도성 고분자의 사용량을 감소시킬 수 있으며, 표면에 상대적으로 집중된 전도성 고분자로 인한 신뢰성의 향상도 가능하다.
그러면, 전극 형성용 도전성 조성물을 제조하는 각 단계에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.
실란 커플링제 전구체 조성물 제조
본 단계에서는 실란 커플링제의 졸-겔 반응을 통한 전구체 제조 공정을 진행한다.
상기 졸-겔 반응은 잘 알려진 바대로, 금속알콕사이드를 알코올 용매하에서 가수분해-중축합 시켜 금속산화물 또는 수산화물 형태의 세라믹 분말을 합성하는 무기소재의 제조에 많이 사용되는 방법이다. 또한 상기 졸-겔반응으로는 TEOS 졸-겔법이 알려져 있다. 따라서, 본 발명에서는 이러한 점에 착안하여, 실란 커플링제의 졸-겔반응을 수행하되, 상온에서 반응을 진행시키는 것이 아니라, 상온보다 높은 온도에서 졸-겔 반응을 진행시켜, 금속 상에 막을 형성시의 가교성을 높일 수 있고, 경도를 향상시킬 수 있다. 즉, 본 발명에서는 상기 졸-겔반응으로 얻어진 실란 커플링제 전구체 조성물과 후술하는 전도성 고분자의 결합으로, 고분자의 분산성을 향상시키고 기계적 강도를 향상시킴과 동시에 열적 성질도 향상시킬 수 있어서 전자 재료에 사용하기 적합한 효과를 제공한다. 이러한 구성은 유-무기 하이브리드 복합재료를 구성하는 성질을 구현할 수 있으며, 이에 따라 무기 물질의 강성과 열적 우수성을 확보하고, 또한 유기 고분자 물질의 유연성과 가공성 등의 물성도 확보할 수 있다. 또한 본 발명은 필름 형성후 신뢰성 평가를 진행한 결과, 신뢰성 확보 및 경도의 향상을 확인하였다.
이러한 상기 졸-겔 반응은, 실란 커플링제 및 용매를 고온에서 일정 시간 동안 졸-겔 반응시켜 실란 커플링제 전구체 용액(예를 들어, TEOS sol 용액)을 제조한다.
이때, 본 발명에서 언급하는 고온은 상온보다 높은 온도를 의미한다. 바람직하게, 상기 졸-겔 반응은 40 내지 70 ℃의 온도에서 1 내지 5시간 동안 수행한다. 가장 바람직하게는, 상기 졸-겔 반응은 50℃의 온도에서 3시간 동안 수행한다. 여기서, 상기 졸-겔 반응이 40℃ 미만인 경우 TEOS의 가수분해(Hydrolysis) 수준의 저하를 가져올 수 있으며 또한 부가적으로 발생하는 축합반응의 속도가 가수분해 보다 빠르게 진행될 수 있어 경도 및 TEOS sol 입자 성장에 문제가 있을 수 있다. 또한 Sol-Gel 반응 진행시 70℃를 초과하면 가수분해 측면에서는 더욱 확실한 반응을 진행시킬 수 있으나 향후 가수분해 및 축합반응이 진행된 TEOS sol 입자의 성장속도가 너무 빨라 겔화(Gellation)가 빠르게 진행되는 문제가 발생될 수 있다.
본 발명에 사용되는 상기 실란 커플링제는 조성물 내에서 전도성 고분자의 분산성을 향상시키는 작용을 한다. 상기 실란 커플링제는 알킬옥시 실란계, 아미노 실란계, 비닐 실란계, 에폭시 실란계, 메타크릴옥시 실란계, 이소시아네이트 실란, 불소 실란계 등이 사용될 수 있다. 보다 구체적으로 상기 실란 커플링제로는 TEOS(테트라에틸옥시실란), 비닐트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시드옥시프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-유레이드프로필트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 폴리에틸렌옥사이드 변성 실란 단량체, 폴리메틸에톡시실록산, 헥사메틸디시라진 등이 있으며 이들은 1종 이상 선택하여 사용할 수 있다.
상기 실란 커플링제는 전체 실란 커플링제 전구체 조성물에 대하여 5 내지 40 중량부로 사용되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 10 내지 30 중량부이다. 상기 함량이 5 중량부 미만일 경우에는 코팅층을 형성하였을 때 상분리로 인한 표면의 얼룩이 나타나기 쉬우며 표면경도가 저하될 수 있으며, 40 중량부를 초과하는 경우에는 저항이 높아지며 조성물의 안정성이 저하된다.
또한 본 발명에 사용되는 용매는 i) 물, ii) 알코올계 화합물, 및 iii) 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디메틸 포름아마이드, 아세틸 아세톤, 1-메틸-2-피롤리딘온, 디프로필케톤 및 에틸 락테이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 용매;를 포함할 수 있다.
즉, 본 발명에 사용되는 용매는 물, 알코올계 화합물이며, 물은 TEOS 의 가수분해의 주된 용매로 사용되며 전체 용매 함량 대비 10 내지 50 중량부가 포함되며 알코올계 화합물은 주로 1차 및 2차 알코올이 사용되며 탄소수 1 내지 10 의 비점 50 내지 200도의 알코올을 전체 용매 함량 대비 10 내지 50 중량부가 되도록 포함될 수 있다. 알코올은 TEOS 반응 이후 가수분해와 에스테르화 반응이 안정적으로 이루어져 Sol 입자의 안정성을 유지시키기 위한 용매로 사용된다. 또한 코팅성을 최적화 시키기 위해 비점 100~160도 수준의 메톡시, 에톡시, 프로필 에탄올류의 용매가 사용 가능하며 전체 용매 함량 대비 10 내지 50 중량부가 포함될 수 있다.
상기 알코올계 화합물은 알코올, 디올 또는 폴리올을 포함하여, 예를 들면 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로파놀, 에틸렌글리콜, 부탄디올, 네오펜틸글리콜, 1,3-펜탄디올, 1,4-사이클로헥산디메탄올, 디에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리부틸렌글리콜, 디메틸올프로판, 트리메틸올프로판 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.
또한 본 발명에서는 필요에 따라, 용매로서 클로로포름, 디클로로메탄, 테트라클로로에틸렌, 트리클로로에틸렌, 디브로모에탄, 디브로모프로판 등의 할로겐류; 노말메틸피롤리돈, 디메틸설폭사이드; 트리에틸아민, 트리부틸아민, 트리옥틸아민; 크레졸 등을 추가로 사용할 수 있다.
상기 용매는 표면 코팅시 발생하는 휘발도 차이에 의한 코팅의 불균일성을 해소시킬 수 있으며, TEOS 코팅막의 막 밀도를 향상시켜 면저항 신뢰성을 증가시킬 수 있는 역할을 담당한다.
상기 용매는 전체 실란 커플링제 전구체 조성물에 대하여 잔량으로 포함될 수 있으나, 바람직하게 전체 실란 커플링제 조성물의 중량을 기준으로 50 내지 90 중량부로 사용할 수 있다.
상기 염산 또는 초산 희석 용액은 가수분해를 동반하는 졸-겔 반응을 산성 분위기에서 수행하기 위해, 사용될 수 있다. 상기 염산 또는 초산 희석 용액은 물로 희석된 0.1 내지 10%의 염산 또는 초산 희석 용액을 사용할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 실란 커플링제 전구체 조성물을 제조하는 단계에서, 계면활성제를 더 첨가하여 반응을 진행할 수 있다.
바람직하게, 실란 커플링제 전구체 조성물을 제조하는 단계에서, 상기 실란계 커플링제 전구체 조성물 100 중량부에 대하여, 계면활성제 0.1 내지 1.0 중량부를 더 첨가할 수 있다.
전극 형성용 도전성 조성물의 제조
본 발명에서는 상술한 방법으로 실란 커플링제 전구체 조성물을 제조한 후에, 상기 실란 커플링제 전구체 조성물 100 중량부에 대하여 고형분 0.1 내지 5.0 wt%를 갖는 전도성 고분자 용액 5 내지 40 중량부를 첨가하여 혼합하는 단계를 수행하여, 최종적으로 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조한다.
상기 단계에서 실란 커플링제 전구체 조성물과 전도성 고분자의 혼합은 10 내지 40℃의 온도에서 수행할 수 있다.
또한 상기 고형분 0.1 내지 5.0 wt%를 갖는 전도성 고분자 용액은 전도성 고분자의 고형분이 0.1 내지 5 중량%이고, 나머지 함량의 용매, 바람직하게 용매 95 내지 99.9 중량%를 포함하는 것을 의미한다.
즉, 전극형성용 도전성 조성물 안에 전도성 고분자 용액이 포함되는 것이고, 이때 주된 용매는 물이 사용될 수 있다.
또한 상기 전도성 고분자 용액에서 고형분의 함량이 0.1 중량% 미만이면 전극의 역할을 상실하는 문제가 있고, 5 중량%를 초과하면 TEOS Sol 전구체 조성물과 응집(aggregation) 및 전도성 고분자 용액 자체의 Gel화가 촉진되어 제조의 어려움이 있다.
본 발명에 사용되는 상기 전도성 고분자는 유기 물질 이면서 본 발명의 조성물이 도전성을 띠게 하는 기본적인 물질이다.
상기 전도성 고분자가 전도성을 갖기 위해서는 도핑 과정이 필요한데, 이러한 과정은 비전도성 분말 형태 또는 필름 형태로 제작한 후, 이들을 화학적으로 도핑하거나 비전도성 분말과 도펀트를 혼합하여 유기 용매에 녹여서 전도성을 띄게 하는 방법이 있다. 이중에서, 본 발명에서는 상기 도펀트를 이용한 방법을 사용할 수 있다. 따라서 상기 전도성 고분자는 도판트와 혼합된 형태, 즉 전도성 고분자에 도펀트 물질을 도핑한 고분자를 사용하는 것이 바람직하다.
예를 들어, 기본적으로 전도성 고분자는 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리티오펜과 그 유도체, 그 모노머(아닐린, 피롤, 티오펜)의 유도체를 모노머로 중합한 고분자 등이 사용될 수 있다. 이때, 상기 모노머의 유도체를 모노머로 중합한 고분자의 예로는 티오펜의 유도체인 3,4-에틸렌 디옥시티오펜으로 중합된 폴리(3,4-에틸렌 디옥시티오펜)(poly(3,4-ethylenedioxythiophen), PEDOT)이 있다. 상기 PEDOT는 대기 중에서 안정하고 다른 고분자에 비해 상온 전기 전도도가 높다.
본 발명에서는 이러한 전도성 고분자에 도데실벤젠술폰산, 톨루엔술폰산, 켐포술폰산, 벤젠술폰산, 염산, 스타이렌술폰산, 2-아크릴아마이도-2-메틸프로판술폰산, 이들의 염화합물, 2-술포숙신산 에스테르염, 5-술포이소프탈산 소듐염, 디메틸-5-소듐 술포이소프탈레이트, 5-소듐술포-비스(β-하이드록시에틸)이소프탈레이트 및 폴리(4-스타이렌설포네이트)(PSS, poly(4-styrene sulfonate))로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 도판트를 더 포함하는 혼합물 형태로 전극 형성용 조성물의 제조에 사용할 수 있다. 또한 도판트는 폴리(4-스타이렌설포네이트)를 사용하는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명은 전극 형성용 도전성 조성물 제조시, 상기 PEDOT에 PSS가 도핑된 PEDOT-PSS(PEDOT:PSS 라고도 함)를 사용할 수 있으며, 이것은 전극이나 정전 방지 재료로서 코팅성이 좋고, 계면특성과 접착성도 우수하다.
이러한 방법으로 제조된, 본 발명의 전극 형성용 조성물은 상술한 바대로, a) 고형분 0.1 내지 5.0 wt%를 갖는 전도성 고분자 용액 5 내지 40 중량부, b) 실란 커플링제 3 내지 30 중량부; 및 c) 용매 20 내지 60 중량부를 포함하는 조성일 수 있다.
최종 전극 형성용 도전성 조성물에서, 상기 전도성 고분자의 함량이 5 중량부 미만일 경우 저항이 급격히 높아지며, 40 중량부를 초과할 경우에는 투과도가 저하되며 분산특성과 조성물의 안정성이 유지되기 어렵다.
또한 상기 실란 커플링제는 본 발명의 최종 전극 형성용 조성물에 대하여 3 내지 30 중량부로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 5 내지 20 중량부이다. 상기 함량이 3 중량부 미만일 경우에는 코팅층을 형성하였을 때 상분리로 인한 표면의 얼룩이 나타나기 쉬우며 표면경도가 저하될 수 있으며, 30 중량부를 초과하는 경우에는 저항이 높아지며 조성물의 안정성이 저하된다.
상기 용매는 본 발명의 최종 전극 형성용 조성물에 대하여 20 내지 60 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 함량이 20 중량부 미만인 경우에는 조성물의 안정성이 저하되며, 60 중량부를 초과하는 경우에는 저항이 높을 뿐 아니라 충격에 취약해진다.
상기의 성분으로 이루어지는 본 발명의 도전성 조성물은 필요에 따라 바인더 수지를 더 포함할 수 있다.
상기 바인더 수지는 폴리아크릴계 수지, 폴리우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 폴리에스테르계 수지 등이 사용될 수 있으며, 그 함량은 도전성 조성물 총 100 중량부에 대하여 최대 0.1-30 중량부가 더 포함될 수 있다.
한편 본 발명의 다른 구현예에 따라, 기판에 형성된 전극 상에 상술한 방법에 따른 배면전극 형성용 도전성 조성물을 코팅하고, 열처리하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 배면전극의 형성방법이 제공된다.
본 발명에서 설명하는 전극은 통상 액정표시장치의 배면전극 뿐 아니라, 기존의 배면전극을 대체할 수 있는 도전성 편광판의 코팅필름(대한민국 등록특허 제0592329호)을 모두 포함한다. 바람직하게, 본 발명의 전도성 조성물은 배면 전극 형성에 사용될 수 있다.
상기 액정표시장치의 배면전극 형성방법에서 상기 코팅은 통상의 코팅방법이 적용될 수 있으며, 일예로 스프레이법, 바 코팅법, 닥터 블레이드법, 롤 코팅법, 디핑법 등 당업계에서 사용되는 통상의 코팅 방법이 적용될 수 있다.
상기 코팅은 기판 상에 0.5 내지 1 ㎛ 두께로 코팅하는 하는 것이 좋으며, 이후 100 ℃의 내외의 핫 플레이트(hot plate)에서 소프트 베이크(soft bake)하여 300-500 ㎚ 두께의 필름층을 형성하여 액정표시장치의 배면전극을 형성시킨다.
상기와 같은 본 발명의 전극 형성용 도전성 조성물은 조성물 내에서 전도성 고분자의 분산도를 최적화함으로써 배면전극의 투과도를 향상시킬 수 있다. 또한 본 발명의 도전성 조성물을 기판과의 접착면에서 결점이 없도록 코팅할 수 있다면 그 투과도는 비약적으로 개선할 수 있게 된다. 뿐만 아니라, 본 발명의 도전성 조성물이 코팅된 배면전극은 표면경도 또한 우수하다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
제조예 1: TEOS sol 용액 제조
실란 커플링제(테트라에틸옥시실란, TEOS) 20 중량부, IPA 26 중량부, 물 27 중량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 26 중량부, 5.0% 초산 희석 용액(수용액) 1 중량부, 및 실리콘계 계면활성제 0.1 중량부를 혼합하여 40℃ 온도조건에서 3시간 TEOS Sol 반응을 진행하였다. 이때, 계면활성제는 실란커플링제, 용매 및 산성성분의 총합 100 중량부의 함량에서 제외되는 첨가제 성분이다.
상기 반응으로 얻어진 조성물을 유리 기판 위에 0.5 ㎛ 두께로 도포한 다음, 100 ℃의 핫 플레이트에서 600초 동안 소프트 베이크하여 300 ㎚ 두께의 필름층을 형성하였다.
제조예 2: TEOS sol 용액 제조
실란 커플링제(테트라에틸옥시실란) 20 중량부, IPA 26 중량부, 물 27 중량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 26 중량부, 5.0% 초산 희석 용액(수용액) 1 중량부, 및 실리콘계 계면활성제 0.1 중량부를 혼합하여 50℃ 온도조건에서 3시간 TEOS Sol 반응을 진행하였다.
상기 반응으로 얻어진 조성물을 유리 기판 위에 0.5 ㎛ 두께로 도포한 다음, 100 ℃의 핫 플레이트에서 600초 동안 소프트 베이크하여 300 ㎚ 두께의 필름층을 형성하였다.
제조예 3: TEOS sol 용액 제조
실란 커플링제(테트라에틸옥시실란) 20 중량부, IPA 26 중량부, 물 27 중량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 26 중량부, 5.0% 초산 희석 용액(수용액) 1 중량부, 및 실리콘계 계면활성제 0.1 중량부를 혼합하여 60℃ 온도조건에서 3시간 TEOS Sol 반응을 진행하였다.
상기 반응으로 얻어진 조성물을 유리 기판 위에 0.5 ㎛ 두께로 도포한 다음, 100 ℃의 핫 플레이트에서 600초 동안 소프트 베이크하여 300 ㎚ 두께의 필름층을 형성하였다.
제조예 4: TEOS sol 용액 제조
실란 커플링제(테트라에틸옥시실란) 20 중량부, IPA 26 중량부, 물 27 중량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 26 중량부, 5.0% 초산 희석 용액(수용액) 1 중량부, 및 실리콘계 계면활성제 0.1 중량부를 혼합하여 70℃ 온도조건에서 3시간 TEOS Sol 반응을 진행하였다.
상기 반응으로 얻어진 조성물을 유리 기판 위에 0.5 ㎛ 두께로 도포한 다음, 100 ℃의 핫 플레이트에서 600초 동안 소프트 베이크하여 300 ㎚ 두께의 필름층을 형성하였다.
비교제조예 1: TEOS sol 용액 제조
실란 커플링제(테트라에틸옥시실란) 20 중량부, IPA 26 중량부, 물 27 중량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 26 중량부, 5.0% 초산 희석 용액(수용액) 1 중량부, 및 실리콘계 계면활성제 0.1 중량부를 혼합하여 30℃ 온도조건(상온조건)에서 3시간 TEOS Sol 반응을 진행하였다.
상기 반응으로 얻어진 조성물을 유리 기판 위에 0.5 ㎛ 두께로 도포한 다음, 100 ℃의 핫 플레이트에서 600초 동안 소프트 베이크하여 300 ㎚ 두께의 필름층을 형성하였다.
비교제조예 2
실란 커플링제(테트라에틸옥시실란) 20 중량부, IPA 26 중량부, 물 27 중량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 26 중량부, 5.0% 초산 희석 용액(수용액) 1 중량부, 및 실리콘계 계면활성제 0.1 중량부를 혼합하여 80℃ 온도조건에서 3시간 TEOS Sol 반응을 진행하였다.
상기 반응으로 얻어진 조성물을 유리 기판 위에 0.5 ㎛ 두께로 도포한 다음, 100 ℃의 핫 플레이트에서 600초 동안 소프트 베이크하여 300 ㎚ 두께의 필름층을 형성하였다.
실험예 1
상기 TEOS sol 용액을 제조하는 방법에 있어서, 제조예 1 내지 4 및 비교제조예 1 내지 2의 기판을 이용하여 코팅균일성, 투과도 및 경도를 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
이때, 투과도는 UV-가시광선 스펙트로미터를 사용하여 550 nm에서의 투과도를 평가하였으며, 막경도는 연필경도계를 이용하여 측정하였으며, 코팅균일성은 매우우수(◎: 코팅두께 대비 2% 미만의 러프니스), 우수(○: 코팅두께 대비 2-5%의 러프니스), 불량(△: 코팅두께 대비 5% 초과의 러프니스)으로 평가하였다.
구분 제조예 1 제조예 2 제조예3 제조예 4 비교
제조예1		 비교
제조예2
코팅균일성 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ Δ
투과도(400㎚) 99% 99% 99% 99% 99% 95%
경도(1kgf) 7 H 9 H 7 H 7 H 6 H 5 H
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 제조예 1 내지 4와 비교제조예 1의 기판은 모두 코팅균일성이 우수하였고 비교제조예 2의 경우 투과도 저하와 코팅성 저하의 결과를 확인하였다.
이때, 본 발명에 따른 제조예 1 내지 4의 기판은 TEOS 졸 반응을 통해 얻어진 조성물을 이용하여 필름이 형성되고 TEOS Sol 반응시 안정적인 온도 영역에서의 Sol이 형성되므로 전반적으로 비교제조예 1 내지 2 보다 좀더 우수한 코팅 균일성을 나타내었다. 또한, 본 발명의 제조예 1 내지 4는 비교제조예 1 내지 2보다 더욱 우수한 경도를 확인하였다. 특히 TEOS sol 자체의 경도 향상은 제조예 2의 경우가 가장 우수한 결과를 나타내었고, TEOS sol 용액 제조의 최적 합성 조건을 제시하였다. 따라서, 본 발명의 경우 40 내지 70℃의 온도 조건에서 반응을 진행하는 것이 경도가 우수한 필름을 제공할 수 있으며 더욱 바람직하게는 50℃ 온도 조건하에 TEOS Sol 제조의 경우가 가장 우수한 경도를 갖는 필름을 제조함을 확인하였다.
실시예 1
TEOS(테트라에틸옥시실란) 20 중량부, IPA(이소프로필알콜) 26 중량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 26 중량부, 물 27 중량부, 5.0% 초산 희석 용액(수용액) 1 중량부, 및 실리콘계 계면활성제 0.1 중량부를 혼합하여 50℃ 온도조건에서 3시간 동안 졸 반응을 진행하였다.
50℃의 온도에서 상기 반응으로 얻어진 실란 커플링제 전구체 조성물 100 중량부에 대하여 고형분 2.0 wt%를 갖는 전도성 고분자 용액 40 중량부를 첨가하고 혼합하여, 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물을 제조하였다. 이때, 전도성 고분자 용액은 고형분 전도성 고분자(EDOT 모노머와 도판트로 사용된 PSSA 의 중합으로 제조된 PEDOT/PSS) 2.0 중량% 및 물 98 중량%를 포함한다.
상기 조성물을 기판에 형성된 전극 상에 0.5 ㎛ 두께로 도포한 다음, 100 ℃의 핫 플레이트에서 600초 동안 소프트 베이크하여 300 ㎚ 두께의 필름층을 형성하였다.
실시예 2
TEOS(테트라에틸옥시실란) 20 중량부, IPA(이소프로필알콜) 26 중량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 21 중량부, 물 27 중량부, 디메틸 포름아마이드 (DMF) 5 중량부, 5.0% 초산 희석 용액(수용액) 1 중량부, 및 실리콘계 계면활성제 0.1 중량부를 혼합하여 50℃ 온도조건에서 3시간 동안 졸 반응을 진행하였다.
50℃의 온도에서 상기 반응으로 얻어진 실란 커플링제 전구체 조성물 100 중량부에 대하여 고형분 2.0 wt%를 갖는 전도성 고분자 용액 40 중량부를 첨가하고 혼합하여, 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물을 제조하였다. 이때, 전도성 고분자 용액은 고형분 전도성 고분자(EDOT 모노머와 도판트로 사용된 PSSA 의 중합으로 제조된 PEDOT/PSS) 2.0 중량% 및 물 98 중량%를 포함한다.
상기 조성물을 기판에 형성된 전극 상에 0.5 ㎛ 두께로 도포한 다음, 100 ℃의 핫 플레이트에서 600초 동안 소프트 베이크하여 300 ㎚ 두께의 필름층을 형성하였다.
실시예 3
TEOS(테트라에틸옥시실란) 20 중량부, IPA(이소프로필알콜) 26 중량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 21 중량부, 물 27 중량부, 아세틸 아세톤 5 중량부, , 5.0% 초산 희석 용액(수용액) 1 중량부, 및 실리콘계 계면활성제 0.1 중량부를 혼합하여 50℃ 온도조건에서 3시간 동안 졸 반응을 진행하였다.
50℃의 온도에서 상기 반응으로 얻어진 실란 커플링제 전구체 조성물 100 중량부에 대하여 고형분 2.0 wt%를 갖는 전도성 고분자 용액 40 중량부를 첨가하고 혼합하여, 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물을 제조하였다. 이때, 전도성 고분자 용액은 고형분 전도성 고분자(EDOT 모노머와 도판트로 사용된 PSSA 의 중합으로 제조된 PEDOT/PSS) 2.0 중량% 및 물 98 중량%를 포함한다.
상기 조성물을 기판에 형성된 전극 상에 0.5 ㎛ 두께로 도포한 다음, 100 ℃의 핫 플레이트에서 600초 동안 소프트 베이크하여 300 ㎚ 두께의 필름층을 형성하였다.
실시예 4
TEOS(테트라에틸옥시실란) 20 중량부, IPA(이소프로필알콜) 26 중량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 16 중량부, 물 27 중량부, 아세틸 아세톤 5 중량부, 디메틸 포름아마이드(DMF) 5 중량부, 5.0% 초산 희석 용액(수용액) 1 중량부, 및 실리콘계 계면활성제 0.1 중량부를 혼합하여 50℃ 온도조건에서 3시간 동안 졸 반응을 진행하였다.
50℃의 온도에서 상기 반응으로 얻어진 실란 커플링제 전구체 조성물 100 중량부에 대하여 고형분 2.0 wt%를 갖는 전도성 고분자 용액 40 중량부를 첨가하고 혼합하여, 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물을 제조하였다. 이때, 전도성 고분자 용액은 고형분 전도성 고분자(EDOT 모노머와 도판트로 사용된 PSSA 의 중합으로 제조된 PEDOT/PSS) 2.0 중량% 및 물 98 중량%를 포함한다.
상기 조성물을 기판에 형성된 전극 상에 0.5 ㎛ 두께로 도포한 다음, 100 ℃의 핫 플레이트에서 600초 동안 소프트 베이크하여 300 ㎚ 두께의 필름층을 형성하였다.
비교예 1
고형분 2.0 wt%를 갖는 전도성 고분자 용액 30 중량부, TEOS(테트라에틸옥시실란) 15 중량부, IPA(이소프로필알콜) 18 중량부, 에틸렌 글리콜 18 중량부, 물 18 중량부, 5.0% 초산 희석 용액(수용액) 1 중량부, 실리콘계 계면활성제 0.1 중량부를 일괄적으로 단순 혼합하여 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물을 제조하였다. 이때, 전도성 고분자 용액은 고형분 전도성 고분자(EDOT 모노머와 도판트로 사용된 PSSA 의 중합으로 제조된 PEDOT/PSS) 2.0 중량% 및 물 98 중량%를 포함한다.
상기 조성물을 기판에 형성된 전극 상에 0.5 ㎛ 두께로 도포한 다음, 100 ℃의 핫 플레이트에서 600초 동안 소프트 베이크하여 300 ㎚ 두께의 필름층을 형성하였다.
비교예 2
TEOS(테트라에틸옥시실란) 20 중량부, IPA(이소프로필알콜) 26 중량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 26 중량부, 물 27 중량부, 계면활성제 0.1 중량부, 염산 또는 초산 희석용액 1 중량부를 혼합하여 상온의 온도조건(30℃ 이하) 에서 3시간 동안 졸 반응을 진행하였다.
상온의 온도(30℃ 이하)에서 상기 반응으로 얻어진 실란 커플링제 전구체 조성물 100 중량부에 고형분 2.0 wt%를 갖는 전도성 고분자 용액 40 중량부를 첨가하고 혼합하여, 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물을 제조하였다. 이때, 전도성 고분자 용액은 고형분 전도성 고분자(EDOT 모노머와 도판트로 사용된 PSSA 의 중합으로 제조된 PEDOT/PSS) 2.0 중량% 및 물 98 중량%를 포함한다.
상기 조성물을 기판에 형성된 전극 상에 0.5 ㎛ 두께로 도포한 다음, 100 ℃의 핫 플레이트에서 600초 동안 소프트 베이크하여 300 ㎚ 두께의 필름층을 형성하였다.
실험예 2
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 2의 기판을 이용하여 코팅균일성, 표면저항, 투과도 및 경도를 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
이때, 표면저항은 미쯔비시 케미칼(MITSUBISHI CHEMICAL)사의 Loresta(4-point probe)를 사용하여 단위 면적당 표면저항을 평가하였으며, 투과도는 UV-가시광선 스펙트로미터를 사용하여 550 nm에서의 투과도를 평가하였으며, 막경도는 연필경도계를 이용하여 측정하였으며, 코팅균일성은 매우우수(◎: 코팅두께 대비 2% 미만의 러프니스), 우수(○: 코팅두께 대비 2-5%의 러프니스), 불량(△: 코팅두께 대비 5% 초과의 러프니스)으로 평가하였다.
구분 실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 비교예 1 비교예 2
코팅균일성 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
표면저항 (MΩ/sq) 100 79.4 100 63.1 10 126
투과도(400㎚) 99% 99% 99% 99% 99% 99%
경도(1kgf) 7H 8H 8H 9H 5H 6H
상기 조성물을 기판은 Bare Glass 에 0.5 ㎛ 두께로 도포한 다음, 100 ℃의 핫 플레이트에서 600초 동안 소프트 베이크하여 300 ㎚ 두께의 필름층이 형성된 기판을 사용하였다.
상온 신뢰성은 상온, 습도(Rh 50% 이하) 의 조건에서 평가하였으며 고온 신뢰성은 80℃ 오븐에서 지속 방치하면서 평가하였으며 고온/고습 신뢰성은 65℃, Rh 90% 의 고온고습 오븐을 이용하여 평가하였다. 표면저항은 코팅된 기판에 대해 미쯔비시 케미칼(MITSUBISHI CHEMICAL)사의 Loresta(4-point probe)를 사용하여 단위 면적당 표면저항을 500hr 동안 평가하였다.
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 2에 대하여 500시간 표면저항 변화에 대한신뢰성을 평가하였고, 그 결과를 표 3에 나타내었다.
구분 실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 비교예 1 비교예 2
초기 면저항 (MΩ/sq) 100 100 100 100 10 126
상온 500hr (MΩ/sq) 398 158 158 158 100 631
고온 500hr (MΩ/sq) 794 631 398 251 794 2512
고온/고습 500hr (MΩ/sq) 631 251 200 158 1585 1585
상기 표 2에서 보면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 2의 기판 모두 코팅 균일성 및 투과도는 우수한 결과를 나타내었다.
하지만, 연필경도 항목에서는 실시예 1 내지 4의 기판이 비교예 1 내지 2와 비교하여 우수한 연필경도를 갖는 결과를 나타내었다.
또한, 표 3의 결과로부터, 실시예 1~4 모두 500시간 신뢰성에서 비교예 1 내지 2 대비 우수한 결과를 나타냄을 확인하였다.

Claims (13)

  1. 실란 커플링제 5 내지 40 중량부, 용매 50 내지 90 중량부 및 염산 또는 초산 희석 용액 0.1 내지 10.0 중량부를 40 내지 70 ℃의 온도에서 1 내지 5시간 동안 졸-겔 반응시켜 실란 커플링제 전구체 졸(sol) 조성물을 제조하는 단계; 및
    상기 실란 커플링제 전구체 졸(sol) 조성물 100 중량부에 대하여 고형분 0.1 내지 5.0 wt%를 갖는 전도성 고분자 용액 5 내지 40 중량부를 혼합하여 도전성 조성물을 제조하는 단계;를 포함하며,
    상기 용매는
    i) 물,
    ii) 알코올계 화합물, 및
    iii) 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디메틸 포름아마이드, 아세틸 아세톤, 1-메틸-2-피롤리딘온, 디프로필케톤 및 에틸 락테이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 용매;
    를 포함하는, 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 iii)의 용매는
    프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르,
    프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 및 디메틸 포름아마이드,
    프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 및 아세틸 아세톤, 또는
    프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 아세틸 아세톤 및 디메틸 포름아마이드를 포함하는 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 알코올계 화합물은 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 부탄디올, 네오펜틸글리콜, 1,3-펜탄디올, 1,4-사이클로헥산디메탄올, 디에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리부틸렌글리콜, 디메틸올프로판, 트리메틸올프로판 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 고형분 0.1 내지 5.0 wt%를 갖는 전도성 고분자 용액은 전도성 고분자의 고형분이 0.1 내지 5 중량%이고, 용매 95 내지 99.9 중량%를 포함하는, 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 전도성 고분자는 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리티오펜 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 전도성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌 디옥시티오펜)을 포함하는 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 전도성 고분자는,
    도데실벤젠술폰산, 톨루엔술폰산, 켐포술폰산, 벤젠술폰산, 염산, 스타이렌술폰산, 2-아크릴아마이도-2-메틸프로판술폰산, 이들의 염화합물, 2-술포숙신산 에스테르염, 5-술포이소프탈산 소듐염, 디메틸-5-소듐 술포이소프탈레이트, 5-소듐술포-비스(β-하이드록시에틸)이소프탈레이트 및 폴리(4-스타이렌설포네이트)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 도판트를 더 포함하는 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 전도성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌 디옥시티오펜):폴리(4-스타이렌설포네이트)(PEDOT:PSS)를 사용하는 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 실란 커플링제는 탄소수 1 내지 20의 탄화수소를 갖는 알킬옥시 실란계, 아미노 실란계, 비닐 실란계, 에폭시 실란계, 메타크릴옥시 실란계, 이소시아네이트 실란 및 불소 실란계로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인, 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    실란 커플링제 전구체 조성물을 제조하는 단계에서, 상기 실란 커플링제 전구체 조성물 100 중량부에 대하여,
    계면활성제 0.1 내지 1 중량부를 첨가하는 단계를 더 포함하는,
    액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법.
  11. 삭제
  12. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 조성물 100 중량부에 대하여,
    폴리아크릴계 수지, 폴리우레탄계 수지, 에폭시계 수지 및 폴리에스테르계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 바인더 수지 0.1-30 중량부를 더 포함하는 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법.
  13. 기판에 형성된 전극 상에 상기 제1항에 따른 배면전극 형성용 도전성 조성물을 코팅하고, 열처리하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 배면전극의 형성방법.
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