KR101414668B1 - 전도성 고분자 조성물 및 이를 이용한 전도성 필름의 제조 방법 - Google Patents

전도성 고분자 조성물 및 이를 이용한 전도성 필름의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전도성 고분자 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전도성 고분자 조성물은 전도성 고분자, 추가 용매, 및 무기 플루오르 계면활성제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전도성 고분자를 투명 전극으로 이용 시 면저항을 낮추는 동시에 코팅 가공성을 유지할 수 있는 효과가 있다.

Description

전도성 고분자 조성물 및 이를 이용한 전도성 필름의 제조 방법{CONDUCTIVE POLYMER COMPOSITION AND METHOD FOR MAKING CONDUCTIVE FILM USING THE SAME}
본 발명은 전도성 고분자 조성물 및 이를 이용한 전도성 필름의 제조 방법 에 관한 것이다.
디스플레이 및 터치 패널 소자를 구성하는 여러 요소 중에서 투명 전극 소재는 가장 핵심이 되는 소재로써, 스마트 윈도우, LCD, OLED, 터치 패널, EPD 등 다양한 디스플레이 및 터치 패널에 필수적인 구성이다.
디스플레이용 투명 전극 소재는 투명하면서도 낮은 저항값을 가져야할 뿐만 아니라, 기계적 충격에 대응할 수 있는 높은 유연성을 가져야 하고, 기기가 과열되어 고온에 노출되어도 단락되거나 면저항의 변화가 크지 않아야 한다.
ITO(인듐-주석 산화물)는 전도도 및 투명도는 우수하지만, 기계적 자극에 의해 크랙이 발생하여 저항이 급격히 높아질 수 있어 플랙서블 소자로 사용되기 어려우며, 인듐이 고갈되고 있는 문제도 있다. 따라서, 기존의 투명 전극 소재인 ITO의 단점을 극복하여 ITO를 대체할 수 있는 투명 전도성 소재에 대한 연구는 매우 중요하다.
이러한 ITO의 단점을 극복하기 위해서, 유연성이 뛰어나고 코팅 공정이 단순한 전도성 고분자를 이용하여 투명 전극을 형성하는 연구가 진행되고 있다. 특히 전도성 고분자로써, PEDOT/PSS(Poly(3,4-ehylenedioxythiophene)poly(styrenesulfonate))가 개발되어 사용되고 있다. 그러나, 투명전극을 PEDOT/PSS로 형성하는 경우에도, 투명전극의 면저항이 105~109Ω/□ 수준으로 매우 높아 디스플레이용 투명전극으로 사용하기에는 어려운 문제점이 존재한다.
[관련기술문헌]
1. 투명 접착층을 포함하는 터치스크린 (한국특허출원번호 제2010-0088616호)
2. 전도성 고분자 및 이를 이용한 필름의 제조 방법 (한국특허출원번호 제2002-0012725호)
전도성 고분자를 투명 전극으로 이용하기 위해서는 투명 전극이 코팅 후 낮은 면저항을 가져야 함은 물론 광의 투과율도 높아야 한다. 한편, 투명 전극에서 전도성 고분자의 비율이 낮으면 전도성이 떨어지고, 전도성 고분자의 비율이 높으면, 전도성은 높아지나 코팅 가공성이 떨어질 수 있다. 즉, 투명 전극에 있어서, 전도성 고분자의 전도성과 코팅 가공성은 트레이드 오프의 관계에 있다고 할 수 있다.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전도성 고분자를 투명 전극으로 이용 시 전도성을 높이는 동시에 코팅 가공성을 유지하는 전도성 고분자 조성물 및 이를 이용한 전도성 필름의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 투명 전극으로 형성 시 보다 높은 균일성을 갖는 전도성 고분자 조성물 및 이를 이용한 전도성 필름의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전도성 고분자 조성물은 전도성 고분자, 추가 용매, 및 플루오르 계면활성제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 추가 용매는 전도성 고분자 100 중량부 대비 20 내지 30 중량부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 플루오르 계면활성제는 전도성 고분자 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 1 중량부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 추가 용매는 제1 추가 용매, 제2 추가 용매, 제3 추가 용매를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제 1 추가 용매는 벤젠, 톨루엔, 디에틸에테르, 디메틸에테르, 디부틸에테르, 클로로벤젠, 메탄올, 에탄올, 아세토니트릴, 클로로포름, 테트라하이드로퓨란, 메탈이소부틸케톤, 메틸에틸케톤, 사이클로헥사논 및 아세톤으로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 추가 용매는 n-메틸-2-피롤리돈(NMP), n-메틸-2-페닐인돌(NMPI), 디메틸아세트아마이드(DMAC), 디페닐 술폰, 디메틸 술폰, 디메틸 술폭시드 (DMSO), 및 N,N-디메틸포름아미드(DMF)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제 3 추가 용매는 에틸렌글리콜(EG), 디에틸렌글리콜(DEG), 프로필렌글리콜(PG), 디프로필렌글리콜(DPG)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 필름은 기판, 및 기판 상에 전도성 고분자, 추가 용매, 및 무기 플루오르 계면활성제를 함유하는 전도성 고분자 조성물로 형성된 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 전도성 필름의 투과율은 86% 이상, 면저항은 400 Ω/□ 이하인 것을 특징으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전도성 필름 제조 방법은 전도성 고분자를 건조하는 단계, 건조된 전도성 고분자, 추가 용매, 무기 플루오르 계면활성제를 포함하는 전도성 고분자 조성물을 혼합하는 단계, 전도성 고분자 조성물을 교반하는 단계, 및 기판 상에 전도성 고분자 조성물을 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 전도성 고분자를 건조하는 단계 이전에, 전도성 고분자를 필터링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 전도성 고분자를 투명 전극으로 이용 시 전도성을 높이는 동시에 코팅 가공성을 유지하는 전도성 고분자 조성물 및 이를 이용한 전도성 필름의 제조 방법을 제공할 수 있다.
또, 투명 전극으로 형성 시 보다 높은 균일성을 갖는 전도성 고분자 조성물 및 이를 이용한 전도성 필름의 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 필름 제조 방법에 대한 흐름도이다.
도 2은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전도성 필름 제조 방법에 대한 흐름도이다.
본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물은 전도성 고분자, 추가 용매 및 무기 플루오르 계면활성제를 포함한다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물의 각 조성을 상세히 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물에 함유된 전도성 고분자는 폴리에틸렌디옥시티오펜(PEDOT), 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리티오펜 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
즉, 전도성 고분자는 π-공액 고분자로써, 도펀트 첨가에 의해 전기전도도가 증가하는 물질을 포함할 수 있다. π-공액 고분자는 탄소 원자들이 단일결합과 이중결합이 번갈아 반복되는 사슬 구조를 가지고 있어, π-전자가 자유롭게 움직일 수 있다.
전도성 고분자는 도핑(doping)될 수 있으며, 도펀트(dopant)는 폴리스티렌술폰산(PSS), 도데실벤젠술폰산, 톨루엔술폰산, 켐포술폰산, 벤젠술폰산, 염산 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 도펀트는 전도성 고분자의 전기적 성질을 증가시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물의 전도성 고분자는 폴리에틸렌디옥시티오펜(PEDOT)과 폴리스티렌술폰산(PSS)의 복합체(PEDOT : PSS)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물에서 전도성 고분자는 단독 또는 조합되어 사용될 수 있다. 전도성 고분자의 조합에 따라 투명 전극 형성 시 면저항 및 투과율이 상이할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물에서 용매는 전도성 고분자를 용액 상에 분산시키도록 첨가된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물에서 용매는 물 등일 수 있다. 용매는 전도성 고분자 100 중량부 대비 3500 내지 45000 중량부를 포함할 수 있다. 용매가 3500 중량부 미만인 경우 전도성 고분자의 분산성이 떨어지며, 45000 중량부를 초과하는 경우에는 전도성 분자 조성물의 전기전도도가 감소할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물에서 추가 용매는 전도성 고분자의 전기전도도를 향상시키고, 공정 속도를 조절하기 위해 첨가된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물은 복수의 추가 용매의 혼합일 수 있다.
제1 추가 용매는 벤젠, 톨루엔, 디에틸에테르, 디메틸에테르, 디부틸에테르, 클로로벤젠, 메탄올, 에탄올, 아세토니트릴, 클로로포름, 테트라하이드로퓨란, 메탈이소부틸케톤, 메틸에틸케톤, 사이클로헥사논 및 아세톤으로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물은 고 휘발성 용매를 사용함으로써, 투명 전극 제조 시 공정 시간을 단축할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물에서 고 휘발성 용매로써 동일한 효과를 낼 수 있는 용매라면 제한되지 않고 사용 가능하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물에서 제2 추가 용매는 n-메틸-2-피롤리돈(NMP), n-메틸-2-페닐인돌(NMPI), 디메틸아세트아마이드(DMAC), 디페닐 술폰, 디메틸 술폰, 디메틸 술폭시드 (DMSO), 및 N,N-디메틸포름아미드(DMF)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물일 수 있다. 제2 추가 용매는 투명 전극 제조 시 전도성 고분자의 그레인 사이즈(grain size)를 조절함으로써, 전기전도도를 향상시킬 수 있으며 제2 추가 용매를 사용함으로써, 코팅 후 열처리 시 고분자 사슬 간 구조 및 그레인 경계 간에 구조 변화를 조절할 수 있어, 전도성 고분자의 전기전도도가 향상되고, 투명 전극 형성 시 면저항이 낮아질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물에서, 전도성 고분자 전기전도도를 향상시키는 용매로써 동일한 효과를 낼 수 있는 용매라면 제한되지 않고 사용 가능하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물에서 제3 추가 용매는, 에틸렌글리콜(EG), 디에틸렌글리콜(DEG), 및 프로필렌글리콜(PG), 디프로필렌글리콜(DPG)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물일 수 있다. 바람직하게는 전도성 고분자 보다 고비등점 용매로서, 투명 전극 제조 시 전도성 고분자 조성물의 건조를 지연시켜 보다 균일한 건조를 제공할 수 있는 용매라면 제한되지 않고 사용 가능하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물에서 추가 용매는 제1 추가 용매, 제2 추가 용매, 제3 추가 용매 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 추가 용매는 전도성 고분자 100 중량부 대비 20 내지 30 중량부를 포함할 수 있다. 전도성 고분자 조성물이 20 중량부 미만으로 포함되는 경우, 전도성 고분자의 전기전도도가 저하되고, 30 중량부 초과되어 포함되는 경우에는 코팅 후 건조시 균일한 건조가 되지 않을 수 있다.
계면활성제는 묽은 용액 속에서 계면에 흡착하여 그 표면장력을 감소시키는 물질로써 액체, 고체, 분말, 유상, 입상이 있으며, 친수성기의 이온해리의 성질에 따라 음이온, 양이온, 양쪽성, 비이온 계면활성제로 나뉠 수 있다. 그 중 플루오르 계면활성제는 표면 에너지를 낮추는 효과적인 계면활성제로써 매우 낮은 농도에서도 계면 활성 효과가 높으며 안정성이 높다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물에서 플루오르 계면활성제는 바람직하게는 플루오르지방족 중합체 에스테르, 퍼플루오르알킬폴리옥시에틸렌, 퍼플루오르알킬 N-형 베타인, 퍼플루오르알킬암모늄 할라이드 및 그 유도체로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물일 수 있다.
플루오르 계면활성제는 전도성 고분자 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 1 중량부일 수 있다. 플루오르 계면활성제는 적은 중량으로도 높은 계면활성 효과를 낼 수 있으나, 0.1 중량부 미만으로 포함되는 경우, 투명 전극 형성 시 코팅 가공성 향상에 효과가 떨어지고, 1 중량부를 초과되어 포함되는 경우, 표면장력 저감 효과에 효과가 낮으며, 계면활성제끼리 응집하여 전도성 고분자의 코팅성이 낮아질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물은 추가 도펀트, 분산안정제, 바인더 등을 더 함유할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 필름은, 기판 및 기판 상에 형성되고, 전도성 고분자 조성물을 포함하는 투명 전극을 포함한다.
기판은 투명 절연 물질로 구성될 수 있고, 예를 들어, 투명 폴리이미드(PI)를 비롯하여 투명 폴리에테르 이미드(PEI), 투명 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET), 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 투명한 물질 중에서 다양한 물질이 선택되어 형성될 수 있다. 전도성 고분자 조성물은 전술한 전도성 고분자 조성물과 동일하므로, 자세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 필름의 제조 방법에 대한 흐름도이다.
전도성 고분자 조성물은 전도성 고분자, 용매, 추가 용매, 플루오로 계면활성제가 포함되도록 혼합된다(S100). 혼합된 전도성 고분자 조성물은 교반된다(S110). 그 후, 전도성 고분자 조성물은 기판 상에 코팅된다(S120). 코팅된 전도성 고분자 조성물은 습식 공정 또는 건식 공적으로 기판 상에 형성될 수 있으나, 설명의 편의상 이하의 제조 방법에서는 습식 공정을 이용하는 것으로 설명한다.
기판 상에 형성된 전도성 고분자 조성물은 전극으로 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 고분자 조성물을 포함하는 도전성 필름은 기판 상에 전극이 형성되는 것으로 설명되나, 전극은 액티브 매트릭스(active matrix), 패시브 매트릭스(passive matrix)로 구성되는 화소 상에 형성되도록 기판이 아닌 오버코팅층, 또는 평탄화막에 형성될 수도 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전도성 필름의 제조 방법에 대한 흐름도이다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물의 제조 방법에서는 전도성 고분자 조성물의 형성 전에 전도성 고분자에 처리를 가함으로써, 전극으로 형성 시 면저항을 보다 낮출 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물에서 전도성 고분자는 용매에 용해되기 전에 사이즈가 큰 입자가 제거되도록 필터링된다(S200). 전도성 고분자에서 큰 입자의 고분자를 제거함으로써, 전극 형성 시 균일성이 향상될 뿐만 아니라 전자의 이동성이 높아질 수 있다. 따라서, 전도성 고분자 조성물을 이용하여 전극 형성 시 면저항을 보다 낮출 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물에서 전도성 고분자는 일정 시간 동안 건조된다(S210). 전도성 고분자가 건조되면, 전극으로 형성 시 면저항을 보다 낮출 수 있다.
그 후 전술한 바와 같이 건조된 전도성 고분자, 추가 용매, 플루오르 계면활성제가 혼합되어 전도성 고분자 조성물이 형성되고(S220), 전도성 고분자 조성물은 교반된다(S230). 기판 상에 전도성 고분자 조성물이 코팅(S240)되면, 높은 투과도와 낮은 면저항을 갖는 투명 전극을 포함하는 전도성 필름을 제조할 수 있다.
실시예 1
전도성 고분자 조성물에서 전도성 고분자는 용매에 용해되기 전에 사이즈가 큰 입자가 제거되도록 필터링되었다. 전도성 고분자는 용매로 물을 사용하였고, 물에 분산된 상태로 준비되었다. 전도성 고분자는 PEDOT:PSS을 사용하였다. 물은 전도성 고분자 100 중량부에 대하여 40000 중량부로 혼합되었다. 전도성 고분자가 분산된 용매에 혼합된 추가 용매 및 플루오로 계면활성제가 혼합되었다. 추가 용매는 전도성 고분자 100 중량부에 대하여 25 중량부 포함되었다.
플루오로 계면활성제는 비이온 플루오로 계면활성제를 사용하였으며, 플루오로 계면활성제는 전도성 고분자 100 중량부에 대하여 0.1 내지 1 중량부만큼 배합되었다.
혼합된 전도성 고분자 조성물은 약 20분 간 교반되었다. 전도성 고분자 조성물은 기판 상에 코팅되었으며 코팅은 스핀코팅으로 형성되었다.
전도성 고분자 조성물로 코팅된 기판은 건조되어, 기판 상에 전극이 형성됨으로써, 전도성 필름이 제조되었다. 건조 공정은 약 140도에서 약 3분간 수행되었다. 여기서, 조성물의 용매 및 추가 용매가 증발되고, 전도성 고분자의 그레인 사이즈가 결정될 수 있다.
실시예 2
전도성 고분자를 준비함에 있어서, 다양한 PEDOT을 혼합 사용하도록 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 필름을 제조하였다.
비교예 1
추가 용매를 준비함에 있어서, 혼합된 추가 용매 대신 DMAC를 이용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 필름을 제조하였다.
비교예 2
추가 용매를 준비함에 있어서, 혼합된 추가 용매 대신 NMPI를 이용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 필름을 제조하였다.
비교예 3
전도성 고분자를 준비함에 있어서, 전도성 고분자의 혼합 전에 큰 입자 사이즈의 전도성 고분자를 제거하도록 필터링 공정을 생략한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 필름을 제조하였다.
실시예 및 비교예들에 대한 투과율 및 면저항 측정치를 하기의 표 1에 정리하였다.
투과율 (%) 면저항 (Ω/□)
실시예 1 86.35 400.9
실시예 2 87.09 153.2
비교예 1 86.20 453.8
비교예 2 86.54 490.7
비교예 3 86.31 460.0
표 1을 참조하면, 혼합된 추가 용매 대신 DMAC 및 NMPI를 추가 용액으로 사용한 비교예 1, 2의 경우, 투과율에는 큰 변화가 없으나 실시예 1 보다 면저항이 높은 것을 확인할 수 있다.
또한, 실시예 1과 비교예 3을 비교하면, 전도성 고분자의 혼합 전에 큰 입자 사이즈를 제거하도록 전도성 고분자가 필터링된 경우, 면저항이 낮은 것을 확인할 수 있다.
반면, PEDOT을 혼합 조성한 실시예 2는 실시예 1에 비해 면저항이 낮으며, 투과율도 소폭 상승한 것을 알 수 있다.
하기의 표 2의 실시예들에서는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 필름이 제조되었으나, 전도성 고분자를 준비함에 있어서, 전도성 고분자의 혼합 전에 전도성 고분자를 0, 5, 7, 9, 10시간 동안 건조한 후 전도성 필름이 제조되었다.
실시예들에 대한 면저항 측정치를 하기의 표 2에 정리하였다.
건조시간 0시간 5시간 7시간 9시간 10시간
면저항(Ω/□) 400.9 381.5 364.0 331.7 317.4
표 2를 참조하면, 건조를 하지 않은 경우에는 실시예 1과 동일하게 면저항이 400.9 Ω/□으로 측정되나, 전도성 고분자 혼합 이전에 전도성 고분자를 건조한 경우, 전극 형성 시 보다 낮은 면저항을 갖게 되는 것을 알 수 있다.
이상으로 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (11)

  1. 전도성 고분자;
    추가 용매; 및
    플루오르 계면활성제를 포함하고,
    상기 추가 용매는 상기 전도성 고분자 100 중량부 대비 20 내지 30 중량부로 포함된 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 조성물.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 플루오르 계면활성제는 상기 전도성 고분자 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 1 중량부로 포함된 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 추가 용매는 제1 추가 용매, 제2 추가 용매, 제3 추가 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 조성물.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제 1 추가 용매는 벤젠, 톨루엔, 디에틸에테르, 디메틸에테르, 디부틸에테르, 클로로벤젠, 메탄올, 에탄올, 아세토니트릴, 클로로포름, 테트라하이드로퓨란, 메탈이소부틸케톤, 메틸에틸케톤, 사이클로헥사논 및 아세톤으로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 조성물.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2 추가 용매는 n-메틸-2-피롤리돈(NMP), n-메틸-2-페닐인돌(NMPI), 디메틸아세트아마이드(DMAC), 디페닐 술폰, 디메틸 술폰, 디메틸 술폭시드 (DMSO), 및 N,N-디메틸포름아미드(DMF)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 조성물.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제 3 추가 용매는 에틸렌글리콜(EG), 디에틸렌글리콜(DEG), 프로필렌글리콜(PG), 및 디프로필렌글리콜(DPG)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 조성물.
  8. 기판; 및
    상기 기판 상에 전도성 고분자, 추가 용매, 및 무기 플루오르 계면활성제를 함유하는 전도성 고분자 조성물로 형성된 전극을 포함하고,
    상기 추가 용매는 상기 전도성 고분자 100 중량부 대비 20 내지 30 중량부로 포함된 것을 특징으로 하는, 전도성 필름.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 전도성 필름의 투과율은 86% 이상, 면저항은 400 Ω/□ 이하인 것을 특징으로 하는, 전도성 필름.
  10. 전도성 고분자를 건조하는 단계;
    상기 건조된 전도성 고분자, 추가 용매, 무기 플루오르 계면활성제를 포함하는 전도성 고분자 조성물을 혼합하는 단계;
    상기 전도성 고분자 조성물을 교반하는 단계; 및
    기판 상에 상기 전도성 고분자 조성물을 코팅하는 단계를 포함하는, 전도성 필름 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 전도성 고분자를 건조하는 단계 이전에, 상기 전도성 고분자를 필터링하는 단계를 더 포함하는, 전도성 필름 제조 방법.
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