TWI504721B - 透明導電性薄膜、電子裝置、電子裝置之製造方法 - Google Patents

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Description

透明導電性薄膜、電子裝置、電子裝置之製造方法
本發明係關於透明導電性薄膜、電子裝置及電子裝置之製造方法。更詳而言之，本發明係關於因在透明性及低電阻率之平衡上優異，其本身具有優異之黏著性，故可以積層製程製造電子裝置之透明導電性薄膜、使用其之電子裝置及以積層製程進行之電子裝置的製造方法。
近年來，在有機電致發光，各種太陽能電池、觸控面板或行動電話、電子紙等方面，正熱烈地研究著使用透明導電膜之透明電極。
例如，以電子太陽能電池為代表之有機光電轉換或者電光轉換裝置，一般係以含透明導電膜之電極為材料來積層而製作。以透明導電膜而言雖有研究著金屬薄膜、金屬氧化物薄膜、導電性氮化物薄膜等之各種導電膜，但現時係主要以可兼顧透光性與導電性且耐久性亦優異之金屬氧化物薄膜為主流。
其中尤其摻雜錫之氧化銦(ITO)係透光性與導電性之平衡良好，被廣泛地使用著(參照專利文獻1等)。然而，隨著透明電極之大面積化，需求更加地低電阻化，在ITO方面以導電性而言尚稱不足。
另一方面，使金屬製之細微網或柵形成於PET等之透明基材之薄片(參照專利文獻2等)。該等薄片係因可憑網之設計(由間距、線寬決定之開口率)來控制透光性及導電性，有做為透明電極之可利用性。例如，揭示有一種透明導電性薄膜，其於透明的基材薄片之至少一面具有由導電性金屬網層與聚噻吩之類的導電性高分子化合物構成之透明導電性層(參照專利文獻3等)。
然而，以往之電子裝置，在積層由有機元件材料構成之層時，係由真空蒸鍍法及與其相類似之乾式製程或者以塗布為代表之濕式製程、或隔著黏著層之積層製程所製造(參照專利文獻4等)。
在如此之積層製程中，雖期望具有黏著性之透明電極膜及透明導電薄膜，但在以往之透明導電性薄膜，透明性、黏著性及表面電阻率之平衡係一大問題。
如是，提案有如使用聚噻吩或其衍生物的此類導電性有機高分子化合物做為導電性黏著劑組成物中之導電性成分者，更具體而言之，提案有由隔著含導電性有機高分子化合物之黏著層的積層製程(專利文獻5等參照)來製造電子裝置者。
然而，隔著含導電性有機高分子化合物之黏著層的積層製程係在界面之清淨性、均一性為重之元件用途方面使用受限。此外，黏著層之導電性低、在積層界面之載體注入效率降低、界面之黏著力低等，有降低電子裝置之性能這樣的問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-305351號公報
[專利文獻2]日本特開2008-288102號公報
[專利文獻3]日本特開2009-146678號公報
[專利文獻4]日本特開2006-352073號公報
[專利文獻5]日本特表2009-500832號公報
本發明係有鑒於如斯實情者，本發明之目的係在於提供解決如上所述之問題的透明導電性薄膜、電子裝置及電子裝置之製造方法。
為解決如上所述之問題，本發明人等潛心研究之結果，發現藉由組合由特定導電性黏著劑組成物構成之導電層、與導電性金屬網層而可解決上述問題，並使本發明完成。
亦即，本發明係提供下述(1)一種透明導電性薄膜，其係在設置於透明基材之至少一面而成之導電性金屬網層的開口部具有黏著性導電層之透明導電性薄膜，其特徵在於導電層係由包含(A)水溶性乙烯聚合物、(B)有機添加劑及(C)導電性有機高分子化合物之導電性黏著劑組成物構成；(B)有機添加劑係選自水溶性多元醇、水溶性吡咯啶酮類或親水性非質子性溶劑中的至少一種；(C)導電性有機高分子化合物係選自聚苯胺類、聚吡咯類或聚噻吩類及該等之衍生物中的至少一種、(2)如上述(1)所載之透明導電性薄膜，其中當(A)水溶性乙烯聚合物之玻璃轉移溫度為T1、(B)有機添加劑之 熔點為T2、有機添加劑在0.101MPa(760mmHg)下之沸點為T3時，其係符合T2<T1<T3之關係、(3)如上述(1)或(2)所載之透明導電性薄膜，其中(A)水溶性乙烯聚合物係聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮、或丙烯酸聚合物、(4)一種電子裝置，其特徴係具有如上述(1)或(2)所載之透明導電性薄膜、(5)如上述(4)所載之電子裝置，其係依序配置如上述(1)或(2)所載之透明導電性薄膜、光電轉換層、與陰極層而成、及(6)一種電子裝置的製造方法，其係如上述(4)或(5)所載之電子裝置的製造方法，其特徵係在陰極層上形成該光電轉換層，於該導電性黏著劑組成物軟化溫度以上，將透明導電性薄膜之導電層和光電轉換層表面貼合。
本發明之透明導電性薄膜係透明性高、表面電阻率低，故透明性與導電性之平衡優異，同時其本身具有優異之黏著性，故可以積層製程製造電子裝置。
 [實施發明之形態]
下文中就本發明詳細地進行說明。
<透明導電性薄膜>
本發明之透明導電性薄膜係在設置於透明基材之至少一面的導電性金屬網層開口部具有導電層之透明導電性薄膜，該導電層係由特定導電性黏著劑組成物構成者。
使用圖1來說明關於本發明之透明導電性薄膜構成材料。圖1中1係導電層、2係導電性金屬網層、3係透明基材、7係透明導電性薄膜、9係導電性金屬網層開口部。
本發明之透明導電性薄膜係於透明基材3之至少一面設置導電性金屬網層2，於該導電性金屬網層2之開口部填充導電層1而成形。
[透明基材]
以透明基材而言，從透明性之觀點而言，較佳為總透光率70%以上者，以如此之透明基材而言，一般而言從柔軟性之觀點來看以塑膠薄膜為較佳。
以作為塑膠薄膜之種類而言，可舉出例如含聚對酞酸乙二酯、聚萘酸乙二酯、四乙醯基纖維素、對排(syndiotactic)聚苯乙烯、聚苯硫、聚碳酸酯、聚芳酯、聚碸、聚酯碸、聚醚醯亞胺、環狀聚烯烴等之塑膠薄膜。其中以在機械強度、耐久性等優異者為較佳。
透明基材之厚度，從機械強度、耐久性、及透明性之平衡的觀點而言，較佳為3μm~5mm，更佳為5μm~1mm，特佳為10μm~300μm。
[導電性金屬網層]
在本發明之透明導電性薄膜中，導電性金屬網層2係設於透明基材3之至少一面。
以導電性金屬網層2而言，可舉出電漿顯示器之電磁波屏蔽膜之類的金屬柵圖案所致之微細網構造層。
導電性金屬網層2之厚度係以20nm~100μm為較佳，尤以30~200nm為較佳。
藉由將厚度設為20nm以上，導電性提升，藉由設為100μm以下，可薄化透明導電性薄膜總體之厚度，可維持期望之總透光率。
導電性金屬網層2係成為金屬柵圖案所致之微細網構造，故具有如示於圖1中之開口部9。
以開口部9之開口率而言，從透明性之觀點而言以80%以上為較佳、更佳為90%以上，再更佳為95%以上。
開口部之間距係以1~3000μm為較佳，更佳為1~1500μm。開口部之間距係1μm以下時，透明性有降低之情況，3000μm以上時，難以獲得導電性提升之效果。導電性金屬網層2之線寬係以100nm~1000μm為較佳，1μm~100μm為更佳。線寬若大於1000μm，則有透明性降低之情形，若小於100nm，則有變得難以獲得導電性提升之效果的可能性。
以用以形成導電性金屬網層2之材料而言，可舉出金屬或合金。例如、金、銀、銅、鋁、鈦、鉻、鐵、鈷、鎳、鋅、錫、銥、銦、鎢、鉬、鉑、銥、鉿、鈮、鉭、鎢、鎂等之單體金屬，或者可舉出以含該等群之金屬的至少一種為主體之合金等。該等之中，從腐蝕性低、導電性高這樣的觀點而言，以金、銀、銅、鉑之金屬為較佳。
以合金而言，可從不鏽鋼、鎳-鉻、Inconel(商品名)、青銅、磷青銅、黃銅、杜拉鋁(duralumin)、白銅、恆範鋼(invar)、莫內爾合金(monel)、鎳磷合金等之金屬磷化合物、鎳硼等之金屬硼化合物、氮化鈦等之氮化物等適當選擇。尤其，銅及以銅為主體之合金、或鎳及以鎳為主體之合金、鈷及以鈷為主體之合金、鉻及以鉻為主體之合金、鋁及以鋁為主體之合金，係在導電性優異、加工性亦良好，故使用上較佳。
導電性金屬網層2係可為金屬或合金構成之單層，亦可為積層至少兩種以上之金屬或合金構成之層的多層構造。
說明關於設置前述導電性金屬網層2之方法。
以將前述導電性金屬網層2設置於透明基材3上之方法而言，可舉出真空蒸鍍、濺鍍、離子鍍等之PVD(物理氣相沉積)、或是熱CVD、原子層沉積(ALD)等之CVD(化學氣相沉積)等之乾式製程、或浸塗、旋塗、噴塗、凹版塗布、模塗、刮刀片(doctor blade)等之各種塗布或電化學沉積等之濕式製程、微影法、銀鹽法、噴墨法或網板印刷法，視導電性金屬網層2之材料而適當選擇。
為使本發明中之導電性金屬網層2與透明基材3之密著性提升，亦可使自往周知之易黏著層形成於導電性金屬網層2與透明基材3之間。
此外，因使透明導電性薄膜之導電性提升的目的，亦可於導電性金屬網層2與透明基材3之間設置透明導電層。
以如此之透明導電層而言，可使用導電性金屬氧化物等。
以導電性金屬氧化物而言，可舉出例如摻錫氧化銦(ITO)、氧化銥(IrO2 )、氧化銦(In2 O3 )、氧化錫(SnO2 )、摻氟氧化錫(FTO)、氧化銦-氧化鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、摻鎵氧化鋅(GZO)、摻鋁氧化鋅(AZO)、氧化鉬(MoO3 )、氧化鈦(TiO2 )等。該等導電性金屬氧化物係可藉由真空蒸鍍、濺鍍、離子鍍等之PVD(物理氣相沉積)、或是熱CVD、原子層沉積(ALD)等之CVD(化學氣相沉積)等之乾式製程等周知之方法來形成。如此之透明導電層的厚度，從透明性與導電性方面而言，一般係10~1000nm，較佳為10~500nm，尤以30~300nm為較佳。
[導電層]
本發明之透明導電性薄膜於設置於透明基材3之至少一面的導電性金屬網層2之開口部9，其係具有導電層1。
[1]導電性黏著劑組成物
導電層1係由導電性黏著劑組成物構成者。
導電性黏著劑組成物係含(A)水溶性乙烯聚合物、(B)有機添加劑及(C)導電性有機高分子化合物，(B)有機添加劑係選自水溶性多元醇、水溶性吡咯啶酮類或親水性非質子性溶劑之至少一種，(C)導電性有機高分子化合物係選自聚苯胺類、聚吡咯類或聚噻吩類及該等之衍生物的至少一種。
首先，說明關於導電性黏著劑組成物中之各成分。
<成分(A)>
成分(A)之一者的水溶性乙烯聚合物係用以賦予由導電性黏著劑組成物構成之導電層黏著性者。水溶性乙烯聚合物係亦含溫水可溶性乙烯聚合物。
水溶性聚乙烯聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)，從成膜性、黏著性、操作性方面來看，以-50~150℃之範圍為較佳，以20~140℃為較佳，更佳為30~130℃，再更佳為40~120℃。
水溶性聚乙烯聚合物係於聚合物中具有-CH2 -CH(R)-之構造單元者。若於聚合物中具有該構造單元至少30莫耳%以上，則無特別限定。水溶性聚乙烯聚合物係可為含該構造單元之同元聚合物，亦可為共聚物。該等之中R以羥基、羧基、吡咯啶酮基、丙烯醯胺基之任一者為較佳。
R為羥基者，係具有-CH2 -CH(OH)-之構造單元者，以具有羥基之水溶性乙烯聚合物的具體例而言，可舉出例如聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇-乙烯共聚物、聚乙烯醇-(N-乙烯基甲醯胺)共聚物、聚乙烯醇-乙酸乙烯酯共聚物等。
具有羥基之水溶性聚乙烯聚合物係可為部分皂化而成者，亦可為完全皂化者。
皂化度係以20~100莫耳%為較佳，更佳為35~100莫耳%，再更佳為40~100莫耳%。皂化度小於20莫耳%時，溶解性降低。
聚合物中具有羧基者，係具有-CH2 -CH(COOH)-之構造單元者。以具有羧基之水溶性聚乙烯聚合物的具體例而言，可舉出例如聚丙烯酸(PAA)等。
R為吡咯啶酮基之水溶性乙烯聚合物係具有-CH2 -CH(NC4 O)-之構造單元者，以具體例而言，可舉出例如聚乙烯吡咯啶酮(PVP)、N-乙烯基-2-吡咯啶酮-乙烯共聚物、N-乙烯基-2-吡咯啶酮-乙酸乙烯酯共聚物等。
R為丙烯醯胺基之水溶性乙烯聚合物係具有-CH2 -CH(CONH2 )-之構造單元者，以具體例而言，可舉出例如聚丙烯醯胺等。
水溶性乙烯聚合物係以賦予各種功能為目的而亦可於上述構造單元以外含有疏水基或陽離子性基、含磺酸基之陰離子性基、硫醇基、羰基、矽醇基等之官能基。
該等水溶性聚乙烯聚合物之其中，從成膜性、黏著性、操作之方面而言，從後述之電子裝置的製造容易完成這樣的方面看來，以R為羥基、吡咯啶酮基、羧基之任一者之者為較佳，以PVA、PVP或PAA為較佳。該等之中，從所得之導電層的導電性與黏著性方面看來，以R為羧基之PAA為更佳。
水溶性聚乙烯聚合物之重量平均分子量(Mw)一般係500~50萬，以500~30萬為較佳，更佳為1,000~20萬，進一步較佳為3,000~15萬。
水溶性乙烯聚合物之重量平均分子量Mw若為該範圍，則在本發明之透明導電性薄膜或電子裝置展現充分之成膜性及黏著性。
另外，前述重量平均分子量Mw係以膠透層析術(GPC)所測定之標準聚苯乙烯換算的數值。
上述水溶性聚乙烯聚合物若係具有上述之構造單元30莫耳%以上者，則亦可共聚合一種或兩種以上可共聚之其他乙烯性不飽和單體。
以可共聚之其他乙烯性不飽和單體而言，可舉出例如，甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、醋酸異丙烯酯、戊酸乙烯酯、癸酸乙烯酯、癸酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、安息香酸乙烯酯、新癸酸乙烯酯、三甲基乙酸乙烯酯等之羧酸乙烯酯單體；乙烯、丙烯、丁烯等之烯烴類；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等之芳香族乙烯類；甲基丙烯酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸、伊康酸、反丁烯二酸單乙酯、順丁烯二酸酐、伊康酸酐等之乙烯性不飽和羧酸單體；(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、反丁烯二酸二甲酯、順丁烯二酸二甲酯、順丁烯二酸二乙酯、伊康酸二異丙酯等之乙烯性不飽和羧酸烷酯單體；甲基乙烯基醚、正丙基乙烯基醚、異丁基乙烯基醚、十二基乙烯基醚等之乙烯基醚單體；(甲基)丙烯腈等之乙烯性不飽和腈單體；氯乙烯、氯化亞乙烯、氟乙烯、氟化亞乙烯等之鹵化乙烯單體或亞乙烯單體；醋酸烯丙酯、氯化烯丙酯等之烯丙基化合物；伸乙基磺酸、(甲基)烯丙基磺酸、2-丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸等含磺酸基之單體；3-(甲基)丙烯醯胺丙基三甲基氯化銨等含四級銨基之單體；乙烯基三甲氧基矽烷、N-乙烯基甲醯胺、甲基丙烯醯胺等，可使用該等之一種或兩種以上。
<成分(B)>
接著，說明關於成分(B)之有機添加劑。
在本發明中，成分(B)之有機添加劑，其特徵為其係選自水溶性多元醇、水溶性吡咯啶酮類及親水性非質子性溶劑之至少一種。
成分(B)之有機添加劑係以導電性之提升為目的而添加。詳情雖不明瞭，但藉由添加如此之有機添加劑，後述之成分(C)的導電性有機高分子化合物之配向性提升，故導電性提升。
以成分(B)之有機添加劑而言，以在1.101MPa(760mmHg)之沸點為100℃以上者為較佳。沸點若低於100℃則在導電性黏著劑組成物之混合過程、保存中或製造後述之電子裝置時之各種加熱過程中有機添加劑揮發‧飛散而降低摻合比率因而降低使導電性提升之效果故不佳。
更佳之沸點係120~300℃，再更佳為140~300℃之範圍。
以成分(B)之有機添加劑之一的水溶性多元醇之具體例而言，可舉出甘油、二甘油、多甘油、乙二醇、二乙二醇、丙二醇、多丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、赤藻糖醇(erythritol)、山梨醇、山梨醇酐、葡萄糖、麥芽糖醇、多乙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、2,3-丁二醇、3-甲基-1,3-丁二醇、伸丁二醇、1,2-戊二醇、1,2-己二醇、三羥甲基丙烷、新戊四醇、甲基葡萄糖苷、多丙二醇、木糖醇、海藻糖(trehalose)、麥芽糖醇、甘露糖醇及該等環氧烷衍生物等，亦可使用該等之一種或兩種以上。
以成分(B)之有機添加劑之一的水溶性吡咯啶酮類而言，可舉出N-甲基吡咯啶酮、N-乙基吡咯啶酮、N-丙基吡咯啶酮、N-異丙基吡咯啶酮、N-丁基吡咯啶酮、N-第三丁基吡咯啶酮、N-戊基吡咯啶酮、N-己基吡咯啶酮、N-庚基吡咯啶酮、N-環己基吡咯啶酮、N-辛基吡咯啶酮、N-(2-乙基己基)吡咯啶酮、N-苯基吡咯啶酮、N-苄基吡咯啶酮、苯乙基吡咯啶酮、2-甲氧基乙基吡咯啶酮、2-甲氧基丙基吡咯啶酮、2-羥丙基吡咯啶酮、乙烯基吡咯啶酮、2-吡咯啶酮等，亦可使用該等之一種或兩種以上。
本發明中，添加非質子性溶劑做為成分(B)有機添加劑之一。在本發明中，非質子性溶劑係在導電性黏著劑組成物中不使其揮發‧飛散而摻合者。以如此之成分(B)的有機添加劑之一的親水性非質子性溶劑而言，可舉出二甲基亞碸及N,N-二甲基甲醯胺。
本發明中，成分(B)係較佳為在與成分(A)之間以符合如下關係的組合來選啶。
亦即，當成分(A)之水溶性聚乙烯聚合物的玻璃轉移溫度(Tg)為T1、成分(B)之有機添加劑的熔點為T2、有機添加劑在0.101MPa(760mmHg)下之沸點為T3時，符合T2<T1<T3之組合。
此處成分(A)之水溶性乙烯聚合物的玻璃轉移溫度T1係以[示差掃描熱量測啶(DSC)測啶器]所測定之值。
以在與成分(A)之間符合T2<T1<T3之關係的水溶性多元醇之具體例而言，可舉出例如甘油[熔點T2：18℃、沸點T3：290℃]、乙二醇[熔點T2：-11.5℃、沸點T3：197℃]、二乙二醇[熔點T2：-6.5℃、沸點T3：245℃]、丙二醇[熔點T2：-59℃、沸點T3：188.2℃]、二丙二醇[熔點T2：-40℃、沸點T3：232℃]、1,3-丁二醇[熔點T2：-50℃、沸點T3：207.5℃]、1,4-丁二醇[熔點T2：19℃、沸點T3：235℃]等。其中，從導電性之提升這樣的觀點而言，以甘油、1,4-丁二醇為較佳。
以符合T2<T1<T3之關係的成分(B)之水溶性吡咯啶酮衍生物而言，可舉出N-甲基吡咯啶酮[熔點T2：-24℃、沸點T3：202℃]、乙烯基吡咯啶酮[熔點T2：13.5℃、沸點T3：214.5℃]、2-吡咯啶酮[熔點T2：24.6℃、沸點T3：245℃]等。
以符合T2<T1<T3之關係的成分(B)之親水性非質子性溶劑而言，可舉出二甲基亞碸(DMSO)[熔點T2：19℃、沸點T3：189℃]、N,N-二甲基甲醯胺(DMF)[熔點T2：-61℃、沸點T3：153℃]等。
<成分(C)>
接著，說明關於成分(C)之導電性有機高分子化合物。
本發明中，成分(C)之導電性有機高分子化合物，其特徵為其係選自聚苯胺類、聚吡咯類或聚噻吩類、及該等之衍生物的至少一種。
聚苯胺類、聚吡咯類或聚噻吩類、及該等之衍生物，係因π電子共軛而具有導電性之導電性高分子。
聚苯胺類係將苯胺之2位或3位或者N位以碳數1~18之烷基、烷氧基、芳基、磺酸基等取代之化合物的高分子量體，可舉出例如聚2-甲基苯胺、聚3-甲基苯胺、聚2-乙基苯胺、聚3-乙基苯胺、聚2-甲氧基苯胺、聚3-甲氧基苯胺、聚2-乙氧基苯胺、聚3-乙氧基苯胺、聚N-甲基苯胺、聚N-丙基苯胺、聚N-苯基-1-萘基苯胺、聚8-苯胺基-1-萘磺酸、聚2-胺基苯磺酸、聚7-苯胺基-4-羥基-2-萘磺酸等。
以聚苯胺類之衍生物而言，可舉出前述聚苯胺類之摻雜物等。以摻雜物而言，氯化物離子、溴化物離子、碘化物離子等之鹵化物離子；過氯酸離子；四氟硼酸離子；六氟砷酸離子；硫酸離子；硝酸離子；硫氰酸離子；六氟矽酸離子；磷酸離子、苯基磷酸離子、六氟磷酸離子等之磷酸系離子；三氟醋酸離子；甲苯磺酸(tosylate)離子、乙苯磺酸離子、十二基苯磺酸離子等之烷基苯磺酸離子；甲基磺酸離子、乙基磺酸離子等之烷基磺酸離子；或可舉出聚丙烯酸離子、聚乙烯磺酸離子、聚苯乙烯磺酸離子(PSS)、聚(2-丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸)離子等之高分子離子；該等係可單獨或兩種以上組合使用。
該等之中，從具有為可容易地調整高導電性，且在製成水溶液時容易分散而有用的親水骨架方面而言，以摻雜物而言，較佳為聚丙烯酸離子、聚乙烯磺酸離子、聚苯乙烯磺酸離子(PSS)、聚(2-丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸)離子等高分子離子，更佳為聚苯乙烯磺酸離子(PSS)。
所謂聚吡咯類，係將吡咯之1位或3位、4位以碳數1~18之烷基或烷氧基等取代之化合物的高分子量體，可舉出例如聚1-甲基吡咯、聚3-甲基吡咯、聚1-乙基吡咯、聚3-乙基吡咯、聚1-甲氧基吡咯、3-甲氧基吡咯、聚1-乙氧基吡咯、聚3-乙氧基吡咯等。
以聚吡咯類之衍生物而言，可舉出前述聚吡咯類之摻雜物等。以摻雜物而言，可使用前述例示為聚苯胺類之摻雜物者。
聚噻吩類，係將噻吩之3位或4位以碳數1~18之烷基或烷氧基等取代之化合物的高分子量體，可舉出例如聚3-甲基噻吩、聚3-乙基噻吩、聚3-甲氧基噻吩、聚3-乙氧基噻吩、聚3,4-伸乙二氧噻吩(PEDOT)等高分子體。
以聚噻吩類之衍生物而言，可舉出前述聚噻吩類之摻雜物等。以摻雜物而言，可使用前述例示為聚苯胺類之摻雜物者。
該等之中，以導電性有機高分子化合物而言，從具有為可容易地以極少量來調整高導電性，且在製成水溶液時容易分散而有用之親水骨格方面看來，以聚(3,4-氧化乙烯噻吩)、與做為摻雜物之聚苯乙烯磺酸離子之混合物(下文中有時載為「PEDOT：PSS」)等為較佳。
用以形成本發明之透明導電性薄膜中之導電層的前述導電性黏著劑組成物，其係含(A)水溶性乙烯聚合物、(B)有機添加劑及(C)導電性有機高分子化合物之組成物，而各成分(基於有效成分)之摻合量係如以下。
將成分(A)、(B)及(C)之總量設為100質量份時，成分(A)係1~60質量份，較佳為5~50質量份，更佳為10~40質量份。成分(B)係0.1~90質量份，較佳為10~70質量份，更佳為20~65質量份。成分(C)係0.1~90質量份，較佳為0.5~75質量份，更佳為5~55質量份。
成分(A)不足1質量份時，變得不展現黏著性，相反地超過60質量份時，透明性及導電性變低故不佳。
成分(B)不足0.1質量份時，導電性變低，相反地超過90質量份時，黏著性降低故不佳。
成分(C)不足0.1質量份時，導電性變低，相反地超過90質量份時，變得不展現黏著性故不佳。
此外，本發明中前述導電性黏著劑組成物，係亦可為與成分(A)、(B)及(C)一起，進一步摻合水、甲苯、醋酸乙酯、甲基乙基酮等之溶劑的溶液。其中，從成分(A)、(B)及(C)之溶解性方面而言，以係水溶液者為較佳。從操作性方面而言，有效成分濃度係較佳為0.5~80質量%，更佳為1~70質量%。
再者，本發明中於導電性黏著劑組成物中係除了前述成分(A)、(B)、(C)及溶劑以外視需要亦可適當添加賦黏劑、塑化劑、增黏劑、濕潤劑、消泡劑、製膜助劑、防腐劑、防鏽劑、凍結融熔穩定劑、顏料、著色劑、填充劑、金屬粉末、抗氧化劑、光穩定劑、紫外線吸收劑等。
以用於形成前述導電層1之方法而言，可舉出浸塗、旋塗、噴塗、凹版塗布、模塗、刮刀片等各種塗布或電化學沉積等之濕式製程，適當地選擇之。
其中，較佳為將前述導電性黏著劑組成物溶解或分散於純水等適當之溶劑而成之溶液(塗布液)，藉由上述各種塗布而塗布於設置於透明基材3上之前述導電性金屬網層2的開口部，並使所得之塗膜乾燥，視期望藉由以導電性黏著劑組成物中之有機添加劑不揮發之程度來加熱而成形，藉此形成導電層1。根據如此之方法，可容易地於前述導電性金屬網層2之開口部9形成導電層1。
由前述導電性黏著劑組成物構成之導電層1的厚度係較佳為5~10,000nm，更佳為30~3,000nm。若小於5nm則不展現黏著性，若大於10,000nm則導電性會降低。
導電層係具有可適用為電子裝置之高導電性。如此之導電層1的表面電阻率係較佳為1~1.0×1010 Ω/□，更佳為1~1.0×109 ，進一步更佳為1~1.0×108 Ω/□。若大於1.0×1010 Ω/□，則導電性低，用於電子裝置時性能變差。
導電層1之總透光率係80%以上，較佳為盡可能地接近100%。總透光率若為80%以上，則用於太陽能電池等各種電子裝置時，透明性足夠，適合使用。
本發明之透明導電性薄膜係於透明基材3之至少一面具有導電性金屬網層2、及導電層1者。
較佳為如圖1所示，於透明基材3之一面，具有導電性金屬網層2與導電層1，並於導電性金屬網層2之開口部9填充導電層1而形成。
此外，導電層1係填充於導電性金屬網層2之開口部而形成即可，亦可使導電性金屬網層2之上部隱藏而形成(參照圖3之7)。
亦即，本發明之透明導電性薄膜7，係於透明基材3之至少一面具有導電性金屬網層2與導電層1，並於導電性金屬網層2之開口部9充填導電層1而形成，藉以提升導電性。
如此，本發明之透明導電性薄膜係透明性高、表面電阻率低，故在透明性與導電性之平衡優異，此外，其本身具有優異之黏著性，故可由積層製程進行電子裝置之製造。
本發明之透明導電性薄膜，具備導電層及金屬網層之面側的表面電阻率係較佳為1~1.0×109 Ω/□。若大於1.0×109 Ω/□，則導電性低，在用於電子裝置時性能變差。
<電子裝置>
以下說明關於本發明之電子裝置。
本發明之電子裝置係具有前述透明導電性薄膜者。
以電子裝置而言，可舉出有機電晶體、有機記憶體、有機EL等有機裝置；液晶顯示器；電子紙；薄膜電晶體；電致變色(electrochromic)；電化學發光裝置；觸控面板；顯示器；太陽能電池；熱電轉換裝置；壓電轉換裝置；蓄電裝置；等。
圖2係本發明之具有透明導電性薄膜的電子裝置之一例。圖2中1為導電層、2為導電性金屬網層、3為透明基材、4係光電轉換層、5係電極、6係基材、7係透明導電性薄膜、8係電子裝置。
<光電轉換層>
光電轉換層係受到光電效果之層，可由單層構成，亦可由多層構成。在單層時，光電轉換層係通常由真性半導體層(i型半導體)所形成。
光電轉換層係進行光電轉換之層，從原料之低成本化、柔軟性、形成容易性、吸光係數高低、輕量化、耐衝撃性等之觀點而言，較佳為有機半導體。
此外，多層的情況係(p型半導體層/n型半導體層)之積層，或(p型半導體層/真性半導體層/n型半導體層)等。
光電轉換層之厚度雖在單層或多層之情形不同，但從導電性、激子擴散距離這樣的觀點而言，一般而言以30nm~2μm為較佳，尤以40nm~300nm為較佳。
以下說明關於用於光電轉換層之有機半導體。
(1)真性半導體
以真性半導體之材料而言，可使用例如一種混合物，將含有富勒烯、富勒烯衍生物、具有半導體性之奈米碳管(CNT)及CNT化合物之至少一種的第1材料、與包含聚伸苯基乙烯(PPV)之衍生物或聚噻吩系高分子材料的第2材料混合使其所得半導體成為真性半導體。
以富勒烯衍生物而言，可使用例如[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)等，此外，亦可使用富勒烯之二聚物、或經導入鹼金屬或是鹼土類金屬等之富勒烯化合物等。此外，以CNT而言，可使用富勒烯或內包金屬內包富勒烯之奈米碳管等。再者，亦可使用經於CNT之側壁或前端附加各種分子之CNT化合物等。
以聚伸苯基乙烯之衍生物而言，可使用聚[2-甲氧基,5-(2’-乙基-己氧基)-p-伸苯基-乙烯](MEH-PPV)等，以聚噻吩系高分子材料而言，可使用聚-3-己基噻吩(P3HT)等之聚(3-烷基噻吩),二辛基茀-聯噻吩共聚物(F8T2)等。
以特佳之真性半導體而言，可舉出將PCBM與P3HT以質量比1:0.3~1:4來混合之混合物。
(2)p型半導體
以p型半導體之材料而言，可舉出例如聚-3-己基噻吩(P3HT)等聚烷基噻吩及其衍生物；聚苯及其衍生物、聚[2-甲氧基-5-(2’-乙基-己氧基)-p-伸苯基-乙烯](MEH-PPV)等聚伸苯基乙烯及其衍生物、聚矽烷及其衍生物、卟啉衍生物、酞青衍生物、聚烷基噻吩及其衍生物、有機金屬聚合物等。其中較佳為聚烷基噻吩及其衍生物。此外，亦可為該等有機材料之混合物。以導電性高分子而言，可較佳使用聚(3,4)-伸乙二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)。
(3)n型半導體
以n型半導體之材料而言，無特別限定，可舉出1,4,5,8-萘四甲酸二酐(NTCDA)、3,4,9,10-苝四甲酸二酐(PTCDA)、3,4,9,10-苝四甲酸雙苯并咪唑(PTCBI)、N,N’-二辛基-3,4,9,10-萘四羧基二亞胺(PTCDI-C8H)、2-(4-聯苯基)-5-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-二唑(PBD)、2,5-二(1-萘基)-1,3,4-二唑(BND)等唑衍生物、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-第三丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)等三唑衍生物、啡啉衍生物、氧化膦衍生物、富勒烯化合物、奈米碳管(CNT)、經於CNT之側壁或前端附加各種分子之CNT化合物、將氰基導入聚對伸苯基乙烯系聚合物的衍生物(CN-PPV)等。
該等之中，從係穩定且載體移動度高之n型半導體方面，以富勒烯化合物為較佳。
以富勒烯化合物而言，可使用例如[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)等。此外，可舉出富勒烯之二聚物、或經導入鹼金屬或是鹼土類金屬之富勒烯化合物等。該等之中從具有優異之電子受性的觀點看來較佳為PCBM。
另外，該等n型半導體係可單獨或組合兩種以上使用。
以形成光電轉換層4之方法而言，適當選擇真空蒸鍍、濺鍍、離子鍍等PVD(物理氣相沉積)、或是熱CVD、原子層沉積(ALD)等CVD(化學氣相沉積)等之乾式製程、浸塗、旋塗、噴塗、棒塗、凹版塗布、模塗、刮刀片等各種塗布製程等。
<電極>
以電極之材料而言，較佳為功函數較小者。可舉出例如鉑、金、鋁、銥、鉻、氧化鋅等之金屬、金屬氧化物或是合金之外，奈米碳管、或奈米碳管與上述金屬、金屬氧化物或是合金之複合體。
電極之厚度係以20nm~1μm為較佳，尤以30~200nm為較佳。
以形成電極5之方法而言，可舉出真空蒸鍍、濺鍍、離子鍍等PVD(物理氣相沉積)、或是熱CVD、原子層沉積(ALD)等CVD(化學氣相沉積)等之乾式製程、或浸塗、旋塗、噴塗、棒塗、凹版塗布、模塗、刮刀片等各種塗布或電化學沉積等之濕式製程，視電極5之材料而適當選擇。
<基材層>
以基材層6而言，一般可舉出玻璃(板)或塑膠薄膜，視電子裝置之用途而適當選擇。以塑膠薄膜而言，可舉出例如聚對酞酸乙二酯、聚萘酸乙二酯、四乙醯基纖維素、對排聚苯乙烯、聚苯硫、聚碳酸酯、聚芳酯、聚碸、聚酯碸、聚醚醯亞胺、環狀聚烯烴等之薄膜，較佳為機械強度、耐久性等優異者。該等之中，較佳為透明性高者。
基材層6之厚度，從機械強度及透明性之平衡的觀點而言，係較佳為3μm~5mm，更佳為5μm~1mm，特佳為10μm~300μm。
<電子裝置之製造方法>
本發明之電子裝置之製造方法，係以將透明導電性薄膜之導電層與光電轉換層表面貼合為其特徵者。亦即，其特徵為在前述導電性黏著劑組成物軟化之溫度以上，將透明導電性薄膜之導電層與前述光電轉換層表面貼合。
以下使用圖3說明關於本發明之電子裝置之製造方法。圖3中，向下之箭頭係表示將光電轉換層4與導電層1在導電性黏著劑組成物軟化之溫度以上而壓著並貼合，製成電子裝置。
首先，於基材層6上形成電極5，於該電極5上形成前述光電轉換層4。接著，在前述導電性黏著劑組成物軟化之溫度以上，藉由將透明導電性薄膜之導電層1與前述光電轉換層4表面貼合而製造電子裝置。
前述導電性黏著劑組成物軟化之溫度，係水溶性乙烯聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)以上之溫度。從容易製造這方面而言，具體而言係60~140℃左右。
根據本發明之電子裝置之製造方法，則由於將透明導電性薄膜之導電層1表面與光電轉換層4表面貼合，故可由積層製程容易地製造電子裝置。
此外，根據此方法，則於基材層6上形成電極5，並於該電極5上形成光電轉換層4，故於光轉換層4上形成電極5之步驟不存在。
從而，不會有電極5變得不均、因電極5形成時之能量而使光電轉換層4受到傷害之情事，不會降低電子裝置之性能。
[實施例]
以下藉實施例及比較例更詳細地說明本發明，但本發明係並非因該等而受任何限定者。
<實施例1> [導電性黏著劑組成物之調製]
使用聚乙烯醇[Sigma-Aldrich公司製，製品名「Polyvinyl alcohol」，重量平均分子量9100，Tg(T1)：50℃，在表1中記載為PVA]50質量份做為成分(A)之水溶性乙烯聚合物。使用甘油[Sigma-Aldrich公司製，製品名「Glycerin」，熔點(T2)：18℃，沸點(T3)：290℃]50質量份做為成分(B)之有機添加劑。使用聚噻吩類之衍生物聚(3,4-氧化乙烯噻吩)(PEDOT)與聚苯乙烯磺酸(PSS)之混合物(PEDOT：PSS)(H.C.Starck公司製，製品名「CleviousP VP.AI4083」，有效成分1質量%(溶劑：純水)，在表1中係記載為聚噻吩類]10,000質量份做為成分(C)之導電性有機高分子化合物。
添加純水200質量份於前述成分(A)、(B)及(C)，調製導電性黏著劑組成物之塗布液(有效成分：1.9質量%)。
[透明導電性薄膜之製作]
藉由於透明基材[東洋紡績公司製，製品名「COSMOSHINE A4100」]之一面，1×10-3 Pa以下之減壓下，將銅以蒸鍍法製膜，而形成厚度100nm之銅層。接著，進行光阻處理與蝕刻處理，製作導電性金屬網層(開口部間距：1200μm/線寬20μm，總透光率89%，表面電阻率2Ω/□)。
接著，於導電性金屬網層之開口部，將如上所述而調製之導電性黏著劑組成物之塗布液使用繞線棒(Meyer Bar)(20mil)塗布，並以120℃之乾燥機使其乾燥10分鐘。
如此而行，製作於導電性金屬網層之開口部具有由導電性黏著劑組成物構成之導電層(厚度500nm)的透明導電性薄膜。
接著，於做為基材之聚對酞酸乙二酯薄膜[東洋紡績公司製、製品名「COSMOSHINE A4100」]上，在1×10-3 Pa以下之減壓下，藉由將鋁以蒸鍍法製膜而形成厚度100nm之鋁層(電極)。
接著，於在上述所得之電極上以旋塗法塗布將聚-3-己基噻吩(P3HT)與[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)以質量比1:0.8而混合之混合物的氯苯溶液(濃度：2質量%)，在120℃乾燥10分鐘，形成厚度100nm之光電轉換層。
[電子裝置之製作]
將光電轉換層表面與透明導電性薄膜之導電層表面，藉由將輥式積層機[Royal Sovereign公司製，製品名「RSL-328S」]之輥溫度加熱至120℃並壓著貼合而得到電子裝置。
<實施例2、3>
除了使用以表1所示之摻合比(質量份，以下相同)所調製之導電性黏著劑組成物以外係與實施例1同樣地進行，製作透明導電性薄膜及電子裝置。
<實施例4>
除了將成分(A)之PVA量設為25質量份，使用N-甲基吡咯啶酮[和光純藥工業股份有限公司製，T2：熔點-24℃，T3：沸點202℃]80質量份替代甘油做為成分(B)之有機添加劑以外係與實施例1同樣地進行，製作透明導電性薄膜及電子裝置。
<實施例5>
除了使用聚乙烯吡咯啶酮[Sigma-Aldrich公司製，Tg(T1)：80℃，在表1中係載為PVP]50質量份替代PVA做為成分(A)之水溶性乙烯聚合物，並將甘油之量設為100質量份做為成分(B)之有機添加劑以外係與實施例1同樣地進行，製作透明導電性薄膜及電子裝置。
<實施例6>
除了使用N-甲基吡咯啶酮[和光純藥工業股份有限公司製，T2：熔點-24℃，T3：沸點202℃]100質量份替代甘油做為成分(B)之有機添加劑以外係與實施例5同樣地進行，製作透明導電性薄膜及電子裝置。
<實施例7>
除了使用二甲基亞碸[和光純藥工業股份有限公司製，表1中之記載係DMSO，T2：熔點19℃，T3：沸點189℃]100質量份替代甘油做為成分(B)之有機添加劑以外係與實施例1同樣地進行，製作透明導電性薄膜及電子裝置。
<實施例8>
除了使用二甲基甲醯胺[和光純藥工業股份有限公司製，表1中之記載係DMF，T2：熔點-61℃，T3：沸點153℃]100質量份替代甘油做為成分(B)之有機添加劑以外係與實施例1同樣地進行，製作透明導電性薄膜及電子裝置。
<實施例9>
將成分(C)之導電性有機高分子化合物聚噻吩類之衍生物改為PEDOT：PSS[日本Agfa Materials製，製品名「S305」]，與實施例1同樣地進行製作透明導電性薄膜及電子裝置。
<實施例10>
除了將聚苯胺[Sigma-Aldrich公司製，在表1中係載為聚苯胺類]100質量份替代聚噻吩類之衍生物做為成分(C)之導電性有機高分子化合物、將成分(B)之甘油之量改為100質量份以外係與實施例1同樣地進行製作透明導電性薄膜及電子裝置。
<實施例11>
除了將聚吡咯[Sigma-Aldrich公司製，有效成分1質量%，在表1中係載為聚吡咯類]10,000質量份替代聚噻吩類之衍生物做為成分(C)之導電性有機高分子化合物、將成分(B)之甘油量改為100質量份以外，係與實施例1同樣地進行製作透明導電性薄膜及電子裝置。
<比較例1~3、5~6>
使用將成分(A)、(B)或(C)以表1所示之摻合比來調製之導電性黏著劑組成物，與實施例1同樣地進行，製作比較用之透明導電性薄膜及比較用之電子裝置。
<比較例4>
除了不設置由導電性黏著劑組成物構成之導電層以外，係與實施例1同樣地進行，製作比較用之透明導電性薄膜及電子裝置。亦即，僅將導電性金屬網層做為比較用之透明導電性薄膜而製作電子裝置。
<比較例7~10>
使用將成分(A)、(B)或(C)以表1所示之摻合比來調製之導電性黏著劑組成物，直接於未形成導電性金屬網層之透明基材形成導電層，並與實施例1同樣地進行製作比較用之透明導電性薄膜及電子裝置。
上文中，實施例1~4及7~11、比較例1、2、5、7、8及10係使用PVA做為成分(A)之水溶性乙烯聚合物之例。
將在各例所使用之導電性黏著劑組成物中之各成分的配合比及所得之透明導電性薄膜及電子裝置的特性示於表1。
表1中，成分(A)、(B)、(C)之摻合量任一皆係表示有效成分之質量份。括號內之數值係表示將成分(A)、(B)、(C)之合計設為100時之各成分的質量份或質量%。實施例5、6係使用PVP做為成分(A)之水溶性乙烯聚合物之例。
<實施例12> [導電性黏著劑組成物之調製]
使用丙烯酸聚合物[Sigma-Aldrich製，“Polyacrylic acid”，重量平均分子量10萬，Tg102℃，有效成分40質量%，在表2中係載為PAA]113質量份做為成分(A)、甘油[Sigma-Aldrich公司製，製品名「Glycerin」，熔點(T2)：18℃，沸點(T3)：290℃]90質量份做為成分(B)之有機添加劑。使用聚噻吩類之衍生物聚(3,4-氧化乙烯噻吩)(PEDOT)與聚苯乙烯磺酸(PSS)之混合物(PEDOT：PSS)[H.C.Starck公司製，製品名「CleviousP VP.AI4083」，有效成分1質量%(溶劑：純水)，在表2中係載為聚噻吩類]1500質量份做為成分(C)之導電性有機高分子化合物。
將純水200質量份添加至前述成分(A)、(B)及(C)調製導電性黏著劑組成物之塗布液(有效成分：7.9質量%)。
以與實施例1相同之方法，進行透明導電性薄膜及電子裝置之製作。
<實施例13、14>
表2所示之成分(A)、(B)及(C)的摻合比(質量份，下同)來調製之導電性黏著劑組成物以外係與實施例12同樣地進行，製作透明導電性薄膜及電子裝置。
<實施例15~19>
除了使用以表2所示之成分(A)、(B)及(C)的摻合比(有效成分之質量份，下同)來調製之導電性黏著劑組成物以外係與實施例12同樣地進行，製作透明導電性薄膜及電子裝置。
<比較例11~20>
使用將成分(A)、(B)或(C)以表2所示之摻合比來調製之導電性黏著劑組成物，與實施例12同樣地進行，製作比較用之透明導電性薄膜及比較用之電子裝置。
將在各例所使用之導電性黏著劑組成物中之各成分的摻合比及所得透明導電性薄膜及電子裝置之特性示於表2。表2中，成分(A)、(B)、(C)之摻合量任一皆係表示有效成分之質量份。括號內之數值係表示將成分(A)、(B)、(C)之合計設為100時之各成分的質量份或質量%。
記載於表1及表2之特性係如下所述地進行測定。
(1)導電層及導電性金屬網層之厚度
由導電性黏著劑組成物構成之導電層及導電性金屬網層之厚度係以觸針式表面形狀測定裝置(Veeco公司製，製品名「Dektak 150」)來測定。
(2)表面電阻率
以表面電阻測定裝置[三菱化學公司製，製品名「LORESTA GP MCP-T600」]來以四端子法測定表面電阻率。在實施例中係測定透明導電性薄膜之具備導電層及金屬網層之面。在比較例4、14中係測定導電性金屬網層(銅層)表面。在比較例7~10、17~20中係測定導電層表面。
(3)總透光率
使用透光率測定裝置[日本電色工業公司製，製品名「NDH-5000」]並依據JIS K7631-1而測定透明導電性薄膜之總透光率。
(4)貼合評價(黏著性)
將在實施例及比較例所得之透明導電性薄膜(5×5cm)，使用積層機[Royal Sovereign公司製，製品名「RSL-328J」]，在溫度120℃下貼合至玻璃板(25mm×25mm，厚度1mm)。其後，冷卻至常溫後，使透明導電性薄膜呈垂直，查看是否有黏著。
○：玻璃板不落下而有黏著。
×：不黏著而玻璃板剝離。
(5)電子裝置之評價
將在實施例及比較例所得之電子裝置，使用電源量測設備(Source Measure Unit)[WACOM ELECTRIC公司製]測定電流電壓特性，並觀察整流曲線。
○：有整流性
×：無整流性(貼合不良以致不做為電子裝置而作用)
(6)黏著力
記載於表2之黏著力，係將在實施例12~19及比較例11~20所得之導電性黏著劑組成物的塗布液塗布於聚對酞酸乙二酯薄膜[東洋紡績公司製，製品名「COSMOSHINE A4100」，厚度100μm]上，並在100℃下使其乾燥10分鐘乾燥，形成膜厚(500)nm之由導電性黏著劑組成物構成的導電層，製作測定用樣本。
使用所得之測定用樣本，將依據JIS Z0237(2009)而在23℃50%RH(相對濕度)環境下切成25mm×300mm之測定用樣本，使用積層機[Royal Sovereign公司製，製品名「RSL-328J」]，在溫度100℃下貼合至被附物(玻璃板，800mm×1500mm，厚度3mm)。將貼附後24小時後之黏著力藉180°剝離法，以拉伸速度300mm/分來測定。
(7)玻璃轉移溫度
成分(A)之水溶性乙烯聚合物之玻璃轉移溫度T1係依據JIS K 7121，輸入補償示差掃描熱量測定裝置[PerkinElmer公司製，裝置名「Pyrisl DSG」]，在-80℃至250℃之溫度範圍測定並求出外插玻璃轉移開始溫度。
從表1確認以下事項。
(1)在不使用成分(B)，使用成分(A)與(C)之比較例1、2中，係表面電阻率高，所得之電子裝置係看不到整流性，不做為裝置而作用。
(2)在僅含成分(C)之比較例3中，係黏著性差。此外，所得之電子裝置，係貼合不良以致不做為裝置而作用。
(3)在沒有導電層之比較例4中，係全無黏著性，無法製成電子裝置。
(4)在僅含成分(A)之比較例5中，係表面電阻率高，所得之電子裝置係看不到整流性，不做為裝置而作用。
(5)在僅含成分(B)之比較例6中，係成膜性差，不能形成導電層，亦全無黏著性。
(6)在不設置導電性金屬網層之比較例7~10中，係表面電阻率高，此外，所得之電子裝置係看不到整流性，不做為裝置而作用。
另一方面，實施例1~11係表面電阻率低，透明性亦高，且黏著性亦為良好。此外，瞭解到所得之電子裝置亦有整流性故做為裝置亦為有效。
從表2確認以下事項。
(1)在不使用成分(B)，使用成分(A)與(C)之比較例11、12中，係導電層之表面電阻率高，所得之電子裝置係看不到整流性，不做為裝置而作用。
(2)在僅含成分(C)之比較例13中，係黏著力低，無法測定。此外，所得之電子裝置係貼合不良以致不做為裝置而作用。
(3)在沒有導電層之比較例14中，係全無黏著力，無法製成電子裝置。
(4)在僅含成分(A)之比較例15中，係導電層之表面電阻率高，所得之電子裝置係看不到整流性，不做為裝置而作用。
(5)在僅含成分(B)之比較例16中，係成膜性差，不能形成導電層，亦全無黏著性。
(6)在不設置導電性金屬網層之比較例17~20中，係表面電阻率高，此外，所得之電子裝置係看不到整流性，不做為裝置而作用。
另一方面，在使用成分(A)、(B)及(C)之實施例12~19，係導電層之表面電阻率低、透明性亦高、且黏著性亦為良好。此外，瞭解到所得之電子裝置亦有整流性故做為裝置亦為有效。
[產業上之可利用性]
本發明之透明導電性薄膜係具有優異之黏著性，且表面電阻率低、透明性亦高，故可使用於有機電晶體、有機記憶體、有機EL等之有機裝置；液晶顯示器；電子紙；薄膜電晶體；電致變色；電化學發光裝置；觸控面板；顯示器；太陽能電池；熱電轉換裝置；壓電轉換裝置；蓄電裝置；等之電子裝置，再者藉由積層製程，在以輥對輥所製造之電子裝置的領域為有用。
1．．．導電層
2．．．導電性金屬網層
3．．．透明基材
4．．．光電轉換層
5．．．電極
6．．．基材層
7．．．透明導電性薄膜
8．．．電子裝置
9．．．導電性金屬網層之開口部
[圖1]顯示本發明之透明導電性薄膜的剖面示意圖。
[圖2]顯示本發明之電子裝置之一例的剖面示意圖。
[圖3]顯示以本發明之電子裝置製造方法製造電子裝置時之剖面示意圖。
1．．．導電層
2．．．導電性金屬網層
3．．．透明基材
4．．．光電轉換層
5．．．電極
6．．．基材層
7．．．透明導電性薄膜
8．．．電子裝置
9．．．導電性金屬網層之開口部

Claims (8)

  1. 一種透明導電性薄膜，其係在設置於透明基材之至少一面而成之導電性金屬網層的開口部具有黏著性導電層之透明導電性薄膜，其特徵在於該黏著性導電層係由包含(A)水溶性乙烯聚合物、(B)有機添加劑及(C)導電性有機高分子化合物之導電性黏著劑組成物構成；(B)有機添加劑係選自水溶性多元醇、水溶性吡咯啶酮類或親水性非質子性溶劑中的至少一種；(C)導電性有機高分子化合物係選自聚苯胺類、聚吡咯類或聚噻吩類及該等之衍生物中的至少一種；將該成分(A)、(B)及(C)之總量設為100質量份時，該成分(A)為10~40質量份，該成分(B)為20~65質量份，該成分(C)為5~55質量份。
  2. 如申請專利範圍第1項之透明導電性薄膜，其中當(A)水溶性乙烯聚合物之玻璃轉移溫度為T1、(B)有機添加劑之熔點為T2、有機添加劑在0.101MPa(760mmHg)下之沸點為T3時，其係符合T2<T1<T3之關係。
  3. 如申請專利範圍第1項之透明導電性薄膜，其中(A)水溶性乙烯聚合物係聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮或丙烯酸聚合物。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之透明導電性薄膜，其中該(A)水溶性乙烯聚合物於該聚合物中具有-CH2 -CH(R)-之構造單元並於該聚合物中具有該構造單元至少30莫耳%以上，並且該構造單元中的R係羧基。
  5. 如申請專利範圍第1項之透明導電性薄膜，其中該導電 層的厚度為30~3,000nm。
  6. 一種電子裝置，其特徴係具有如申請專利範圍第1至5項中任一項之透明導電性薄膜。
  7. 如申請專利範圍第6項之電子裝置，其係依序配置如申請專利範圍第1至5項中任一項之透明導電性薄膜、光電轉換層、與陰極層而成。
  8. 一種電子裝置的製造方法，其係如申請專利範圍第6項之電子裝置的製造方法，其特徵係在陰極層上形成該光電轉換層，並於該導電性黏著劑組成物軟化溫度以上，將透明導電性薄膜之導電層和光電轉換層表面貼合。
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