WO2007037292A1 - タッチパネル用透明導電シート並びにその製造方法、及びタッチパネル - Google Patents

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    • G06F2203/04112Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material

Definitions

  • Polymer alcohols such as polyethylene glycol, polytetramethylene glycol, polypropylene glycol, polyglycerin, polybutyl alcohol, cellulose, polysaccharides, sugar alcohols,
  • (a-2) Compound having two or more glycidyl groups (hereinafter referred to as compound (a-2)) 0
  • (a-3) Compound having one glycidyl group, compound (a-1) Other compounds (hereinafter referred to as compound (a-3)).
  • Acrylamide-based rosin is a (co) polymer containing an amide group-containing monomer as a structural unit.
  • amide group-containing monomers include acrylamide, methacrylamide, N-methyl methacrylamide, N methyl acrylamide, N-methylol acrylamide, N methylol methacrylamide, N, N dimethylol acrylamide, N-methoxymethyl acrylamide.
  • organic cyano compounds compounds containing two or more cyano groups in the conjugated bond are used. It can.
  • tetracyanethylene, tetracyanethylene oxide, tetracyanbenzene, tetracyanoquinodimethane, tetracyanazanaphthalene and the like can be mentioned.
  • the transparent conductive layer 12 is also formed with high polymer strength, it has excellent transparency, can secure a total light transmittance of 80% or more, and a haze of 5% or less. 1 Adhesion with 2 is excellent.
  • the surface resistivity can be 1000 ⁇ or less for conductivity.
  • the transparent conductive layer can be thinned, and the total light transmittance can be 80% or more and the haze can be 5% or less.
  • the transparent conductive layer is formed by applying a conductive polymer paint, the adhesion between the transparent substrate 11 and the transparent conductive layer 12 can be increased.

Abstract

 1000Ω以下の表面抵抗率、80%以上の全光線透過率、5%以下のヘイズを有し、耐水性、透明基材と透明導電層との密着性に優れたタッチパネル用透明導電シートを提供する。本発明のタッチパネル用透明導電シートは、透明基材と、透明基材上に形成された透明導電層を有するタッチパネル用透明導電シートにおいて、透明導電層が、π共役系導電性高分子とポリアニオンとエステル化合物または特定の重合性化合物とを含む。透明導電層には、必要に応じて、導電性向上剤、ドーパント、他の樹脂成分、添加剤が含まれていてもよく、特に、導電性がより高くなることから、導電性向上剤が含まれていることが好ましい。

Description

明 細 書
タツチパネル用透明導電シート並びにその製造方法、及びタツチパネル 技術分野
[0001] 本発明は、タツチパネルに用いられる透明導電シート及びその製造方法に関する。
また、データ入力装置であるタツチパネルに関する。
本願は、 2005年 9月 29日に出願された日本国特許出願第 2005— 283862号及 び 2005年 11月 4日に出願された日本国特許出願第 2005— 320540号に対し優先 権を主張し、その内容をここに援用する。
背景技術
[0002] 近年、銀行の ATM (現金自動預金支払機)、 OA機器のモニター、各種情報検索 用の端末等にぉ 、ては、画面の一部に触れるだけで情報を入力できるタツチパネル が広く用いられている。
タツチパネルは、透明基材上に透明導電層が形成された一対の透明導電シートと 、一対のタツチパネル用透明導電シートの間の一部に設けられた絶縁性スぺーサと を備え、各透明導電シートの透明導電層同士が対向しているものである。このような タツチパネルでは、指ゃタツチペンなどが表面側に設けた透明導電シートに触れた 際に、透明導電シートの透明導電層同士が接触して導通する。このことを利用するこ とにより、タツチパネルをデータ入力装置として機能させることができる。
[0003] 従来、タツチパネル用の透明導電シートとしては、 ITOからなる導電層(以下、 ITO 導電層という。)が PETフィルム上に形成されたものが使用されてきた。しカゝしながら、 ITO導電層は、屈折率が大きぐ光の表面反射が大きいため、光線透過率が低下す る上に、黄色味を帯びているため、画像の色調が変化した。また、 ITO導電層が電気 化学反応により変質して黒ィ匕することがあった。これらのことから、画像の視認性が低 くなるばカゝりでなぐ ITO導電層は可撓性が低いため、屈曲した際に ITO導電層に亀 裂が生じて電気抵抗値が高くなる問題があった。さらには、 PETフィルム上に ITO導 電層を形成することは簡便ではな力つた。
[0004] そこで、特許文献 1には、 ITO導電層の代わりに、透明導電層として、ポリチォフエ ン誘導体と水溶性有機化合物とドーパントと水溶性エポキシモノマーを含む溶液が 塗布されて形成された層を使用することが提案されている。
特許文献 1 :特開 2005— 146259号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] ところで、タツチパネルにぉ ヽては、導電性、透明性、耐水性、透明基材と透明導 電層との密着性、耐久性のいずれもが高いことが求められる。特に、導電性について は表面抵抗率が 1000 Ω以下、透明性については全光線透過率が 80%以上、ヘイ ズが 5%以下、耐久性にっ 、ては高温高湿の条件下で表面抵抗率を維持できること が求められる。
し力しながら、特許文献 1に記載の透明導電シートでは、表面抵抗率が高ぐ上記 要求特性を満たすことができな力つた。そのため、特許文献 1に記載の透明導電シ ートを用いたタツチパネルは、耐久性を確保しつつ、動作信頼性を高くすることが困 難であった。
本発明は、 1000 Ω以下の表面抵抗率、 80%以上の全光線透過率、 5%以下のへ ィズを有し、耐水性、透明基材と透明導電層との密着性、高温高湿の条件下での表 面抵抗率維持性のいずれもが優れたタツチパネル用透明導電シート及びその製造 方法を提供することを目的とする。また、動作信頼性が高ぐ耐久性に優れたタツチ パネルを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0006] 本発明のタツチパネル用透明導電シートの第一実施態様は、透明基材と、該透明 基材上に形成された透明導電層を有するタツチパネル用透明導電シートにおいて、 透明導電層が、 π共役系導電性高分子とポリア-オンとエステル化合物とを含み、 前記エステルイ匕合物力 二つ以上のカルボキシル基を有するカルボン酸類ィ匕合物と 二つ以上のヒドロキシル基を有する多価アルコール類ィヒ合物とを脱水反応させたも のであることを特徴とする。
本発明のタツチパネル用透明導電シートにおいては、透明導電層が、 2個以上のヒ ドロキシル基を有するヒドロキシル基含有芳香族性化合物、窒素含有芳香族複素環 式化合物、アミド基を有する化合物、イミド基を有する化合物からなる導電性向上剤 をさらに含むことが好ましい。
[0007] 本発明のタツチパネル用透明導電シートの第二実施態様は、透明基材と、該透明 基材上に形成された透明導電層を有するタツチパネル用透明導電シートにおいて、 透明導電層が、 π共役系導電性高分子と、ポリア二オンと、下記 (a)及び Ζ又は (b )の重合性ィ匕合物とを含むことを特徴とする。
(a):グリシジル基を有する化合物。
(b):ァリル基、ビュルエーテル基、メタクリル基、アクリル基、メタクリルアミド基、ァク リルアミド基力 選ばれる 1種と、ヒドロキシル基とを有する化合物。
[0008] 本発明のタツチパネル用透明導電シートの製造方法の第一実施態様は、透明基 材上に、導電性高分子塗料を塗布するタツチパネル用透明導電シートの製造方法 において、
前記 π共役系導電性高分子塗料が、 π共役系導電性高分子とポリア-オンとエス テルィ匕合物とを含み、前記エステルイ匕合物力 二つ以上のカルボキシル基を有する カルボン酸類化合物と二つ以上のヒドロキシル基を有する多価アルコール類化合物 とを脱水反応させたものであることを特徴とする。
本発明のタツチパネル用透明導電シートの製造方法においては、導電性高分子塗 料が、 2個以上のヒドロキシル基を有するヒドロキシル基含有芳香族性化合物、窒素 含有芳香族複素環式化合物、アミド基を有する化合物、イミド基を有する化合物から なる導電性向上剤をさらに含むことが好ましい。
[0009] 本発明のタツチパネル用透明導電シートの製造方法の第二実施態様は、透明基 材上に、 π共役系導電性高分子と、ポリア二オンと、下記 (a)及び Ζ又は (b)の重合 性化合物とを含む導電性高分子塗料を塗布することを特徴とする。
(a):グリシジル基を有する化合物。
(b):ァリル基、ビュルエーテル基、メタクリル基、アクリル基、メタクリルアミド基、ァク リルアミド基力 選ばれる 1種と、ヒドロキシル基とを有する化合物。
[0010] 本発明のタツチパネルは、一対のタツチパネル用透明導電シートと、一対のタツチ パネル用透明導電シートの間の一部に設けられた絶縁性スぺーサとを備え、タツチ パネル用透明導電シートの透明導電層同士が対向しているタツチパネルであって、 一対のタツチパネル用透明導電シートの少なくとも 1方力 上述したタツチパネル用 透明導電シートであることを特徴とする。 発明の効果
[0011] 本発明のタツチパネル用透明導電シートは、 1000 Ω以下の表面抵抗率、 80%以 上の全光線透過率、 5%以下のヘイズを有し、耐水性、透明基材と透明導電層との 密着性、高温高湿の条件下での表面抵抗率維持性の!、ずれもが優れたものである 本発明のタツチパネル用透明導電シートの製造方法は、 1000 Ω以下の表面抵抗 率、 80%以上の全光線透過率、 5%以下のヘイズを有し、耐水性、透明基材と透明 導電層との密着性、高温高湿の条件下での表面抵抗率維持性のいずれもが優れた タツチパネル用透明導電シートを簡便に製造できる。
本発明のタツチパネルは、動作信頼性が高ぐ耐久性に優れる。
図面の簡単な説明
[0012] [図 1]本発明のタツチパネル用透明導電シートの一実施形態例を示す断面図である
[図 2]本発明のタツチパネルの一実施形態例を示す断面図である。
符号の説明
[0013] 1 タツチパネル
10 透明導電シート (タツチパネル用透明導電シート)
11 透明基材
12 透明導電層
20 絶縁性スぺーサ
発明を実施するための最良の形態
[0014] <タツチパネル用透明導電シート >
本発明のタツチパネル用透明導電シート(以下、透明導電シートと略す。)の一実施 形態例について説明する。 図 1に、本実施形態例の透明導電シート 10を示す。この透明導電シート 10は、透 明基材 11と、透明導電層 12とを有して構成されている。
[0015] (透明基材)
透明基材 11としては特に制限されないが、可撓性に優れる点で榭脂フィルム、特 に透明榭脂フィルムであることが好まし ヽ。(透明)榭脂フィルムを構成する榭脂として は、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナ フタレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリフッ化ビ-リデンなど が挙げられ、 目的に応じて適宜選択できるが、耐熱性、寸法安定性、透明性に優れ る点力もポリエチレンテレフタレートがより好ましい。
[0016] (透明導電層)
透明導電層 12は、 π共役系導電性高分子と、ポリア-オンと、エステル化合物また は特定の重合性ィ匕合物とを含む層である。また、透明導電層 12には、必要に応じて 、導電性向上剤、ドーパント、他の榭脂成分、添加剤が含まれていてもよぐ特に、導 電性がより高くなることから、導電性向上剤が含まれていることが好ましい。
以下、透明導電層 12の各構成要素について説明する。
[0017] [ π共役系導電性高分子]
π共役系導電性高分子としては、主鎖が π共役系で構成されている有機高分子で あれば特に制限されず、例えば、ポリピロール類、ポリチォフェン類、ポリアセチレン 類、ポリフエ-レン類、ポリフエ-レンビ-レン類、ポリア-リン類、ポリアセン類、ポリチ オフ ンビニレン類、及びこれらの共重合体等が挙げられる。空気中での安定性の 点からは、ポリピロール類、ポリチォフェン類及びポリア-リン類が好ましい。
π共役系導電性高分子は無置換のままでも、充分な導電性、バインダ榭脂への相 溶性を得ることができるが、導電性及びバインダ榭脂への分散性又は溶解性をより高 めるためには、アルキル基、カルボキシル基、スルホ基、アルコキシル基、ヒドロキシ ル基等の官能基を π共役系導電性高分子に導入することが好まし ヽ。
[0018] π共役系導電性高分子の具体例としては、ポリピロール、ポリ(Ν—メチルビロール )、ポリ(3—メチルビロール)、ポリ(3—ェチルビロール)、ポリ(3— η—プロピルピロ一 ル)、ポリ(3—ブチルビロール)、ポリ(3—ォクチルビロール)、ポリ(3—デシルビロー ル)、ポリ(3—ドデシルビロール)、ポリ(3, 4—ジメチルビロール)、ポリ(3, 4—ジブ チルピロール)、ポリ(3—カルボキシピロール)、ポリ(3—メチルー 4 カルボキシピロ ール)、ポリ(3—メチルー 4 カルボキシェチルピロール)、ポリ(3—メチルー 4一力 ルボキシブチルビロール)、ポリ(3—ヒドロキシピロール)、ポリ(3—メトキシピロール) 、ポリ(3—エトキシピロール)、ポリ(3—ブトキシピロール)、ポリ(3—メチルー 4一へキ シルォキシピロール)、ポリ(チォフェン)、ポリ(3—メチルチオフェン)、ポリ(3—ェチ ルチオフェン)、ポリ(3—プロピルチオフェン)、ポリ(3—ブチルチオフェン)、ポリ(3 一へキシルチオフェン)、ポリ(3—へプチルチオフェン)、ポリ(3—ォクチルチオフエ ン)、ポリ(3—デシルチオフェン)、ポリ(3—ドデシルチオフェン)、ポリ(3—ォクタデ シルチオフェン)、ポリ(3—ブロモチォフェン)、ポリ(3—クロロチォフェン)、ポリ(3— ョードチォフェン)、ポリ(3—シァノチォフェン)、ポリ(3—フエ-ルチオフェン)、ポリ( 3, 4 ジメチルチオフェン)、ポリ(3, 4—ジブチルチオフェン)、ポリ(3—ヒドロキシチ ォフェン)、ポリ(3—メトキシチォフェン)、ポリ(3—ェトキシチォフェン)、ポリ(3—ブト キシチォフェン)、ポリ(3—へキシルォキシチォフェン)、ポリ(3—へプチルォキシチ ォフェン)、ポリ(3—ォクチルォキシチォフェン)、ポリ(3—デシルォキシチォフェン) 、ポリ(3—ドデシルォキシチォフェン)、ポリ(3—ォクタデシルォキシチォフェン)、ポ リ(3—メチル 4—メトキシチォフェン)、ポリ(3, 4—エチレンジォキシチォフェン)、 ポリ(3—メチルー 4ーェトキシチォフェン)、ポリ(3—カルボキシチォフェン)、ポリ(3 ーメチルー 4 カルボキシチォフェン)、ポリ(3—メチルー 4 カルボキシェチルチオ フェン)、ポリ(3—メチルー 4 カルボキシブチルチオフェン)、ポリア-リン、ポリ(2— メチルァ-リン)、ポリ(3 イソブチルァ-リン)、ポリ(2 ァ-リンスルホン酸)、ポリ(3 ーァ-リンスルホン酸)等が挙げられる。
[ポリア二オン]
ポリア-オンとしては、例えば、置換若しくは未置換のポリアルキレン、置換若しくは 未置換のポリアルケ-レン、置換若しくは未置換のポリイミド、置換若しくは未置換の ポリアミド、置換若しくは未置換のポリエステルであって、ァ-オン基を有する構成単 位のみ力 なるポリマー、ァ-オン基を有する構成単位とァ-オン基を有さな 、構成 単位と力もなるポリマーが挙げられる。 ポリアルキレンとは、主鎖力メチレンの繰り返しで構成されて 、るポリマーである。 ポリアルケ-レンとは、主鎖に不飽和二重結合 (ビュル基)が 1個含まれる構成単位 力 なる高分子である。
ポリイミドとしては、ピロメリット酸二無水物、ビフエ二ルテトラカルボン酸二無水物、 ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物、 2, 2'— [4, 4'ージ(ジカルボキシフエ- ルォキシ)フエ-ル]プロパン二無水物等の酸無水物と、ォキシジァミン、パラフエ-レ ンジァミン、メタフエ二レンジァミン、ベンゾフエノンジァミン等のジァミンとからのポリイ ミドを例示できる。
ポリアミドとしては、ポリアミド 6、ポリアミド 6, 6、ポリアミド 6, 10等を例示できる。 ポリエステルとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等を 例示できる。
[0020] 上記ポリア-オンが置換基を有する場合、その置換基としては、アルキル基、ヒドロ キシル基、アミノ基、カルボキシル基、シァノ基、フエ-ル基、フエノール基、エステル 基、アルコキシル基等が挙げられる。有機溶媒への溶解性、耐熱性及び樹脂への相 溶性等を考慮すると、アルキル基、ヒドロキシル基、フ ノール基、エステル基が好ま しい。
[0021] アルキル基としては、例えば、メチル、ェチル、プロピル、ブチル、イソブチル、 t ブチル、ペンチル、へキシル、ォクチル、デシル、ドデシル等のアルキル基と、シクロ プロピル、シクロペンチル及びシクロへキシル等のシクロアルキル基が挙げられる。 ヒドロキシル基としては、ポリア-オンの主鎖に直接又は他の官能基を介在して結 合したヒドロキシル基が挙げられ、他の官能基としては、炭素数 1〜7のアルキル基、 炭素数 2〜7のァルケ-ル基、アミド基、イミド基などが挙げられる。ヒドロキシル基は、 これらの官能基の末端又は中に置換されて 、る。
アミノ基としては、ポリア-オンの主鎖に直接又は他の官能基を介在して結合したァ ミノ基が挙げられ、他の官能基としては、炭素数 1〜7のアルキル基、炭素数 2〜7の ァルケ-ル基、アミド基、イミド基などが挙げられる。アミノ基は、これらの官能基の末 端又は中に置換されている。
フエノール基としては、ポリア-オンの主鎖に直接又は他の官能基を介在して結合 したフエノール基が挙げられ、他の官能基としては、炭素数 1〜7のアルキル基、炭素 数 2〜7のァルケ-ル基、アミド基、イミド基などが挙げられる。フエノール基は、これら の官能基の末端又は中に置換されて 、る。
[0022] 置換基を有するポリアルキレンの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテ ン、ポリペンテン、ポリへキセン、ポリビニルアルコール、ポリビニルフエノール、ポリ(3 , 3, 3—トリフルォロプロピレン)、ポリアクリロニトリル、ポリアタリレート、ポリスチレン等 を例示できる。
[0023] ポリアルケ-レンの具体例としては、プロべ-レン、 1—メチルプロべ-レン、 1—ブ チノレプロぺニレン、 1 デシノレプロぺニレン、 1 シァノプロぺニレン、 1 フエニノレプ ロぺニレン、 1—ヒドロキシプロぺニレン、 1—ブテニレン、 1—メチノレ一 1—ブテニレン 、 1—ェチル 1—ブテ-レン、 1—ォクチルー 1—ブテ-レン、 1—ペンタデシルー 1 ブテニレン、 2—メチルー 1 ブテニレン、 2—ェチルー 1 ブテニレン、 2—ブチル 1 ブテニレン、 2—へキシルー 1 ブテニレン、 2—ォクチルー 1 ブテニレン、 2 —デシルー 1—ブテ-レン、 2—ドデシルー 1—ブテ-レン、 2—フエ-ルー 1—ブテ 二レン、 2—ブテニレン、 1ーメチノレー 2—ブテニレン、 1ーェチノレー 2—ブテニレン、 1 ーォクチルー 2—ブテニレン、 1 ペンタデシルー 2—ブテニレン、 2—メチルー 2— ブテニレン、 2—ェチノレー 2—ブテニレン、 2—ブチノレー 2—ブテニレン、 2—へキシ ルー 2—ブテ-レン、 2—ォクチルー 2—ブテ-レン、 2—デシルー 2—ブテ-レン、 2 —ドデシル一 2—ブテ-レン、 2—フエ-ル一 2—ブテ-レン、 2—プロピレンフエニル 2 ブテニレン、 3—メチルー 2 ブテニレン、 3 ェチルー 2 ブテニレン、 3 ブ チルー 2 ブテニレン、 3 へキシルー 2 ブテニレン、 3—ォクチルー 2 ブテニレ ン、 3 デシル一 2 ブテ-レン、 3 ドデシル一 2 ブテ-レン、 3 フエ-ル一 2— ブテ-レン、 3 プロピレンフエ-ノレ一 2 ブテ-レン、 2 ペンテ-レン、 4 プロピ ノレ一 2 ペンテ-レン、 4 プロピノレー 2 ペンテ-レン、 4 ブチノレ一 2 ペンテ- レン、 4 へキシル 2 ペンテ-レン、 4 シァノ 2 ペンテ-レン、 3—メチルー 2 ペンテ-レン、 4 ェチノレ一 2 ペンテ-レン、 3 フエ-ノレ一 2 ペンテ-レン、 4 -ヒドロキシ - 2-ペンテ-レン、へキセ-レン等力 選ばれる一種以上の構成単 位を含む重合体を例示できる。 [0024] ポリア-オンのァ-オン基としては、一 O— SO _X+、 一SO _X+、 一 COO_X+ (各
3 3
式において X+は水素イオン、アルカリ金属イオンを表す。)が挙げられる。すなわち、 ポリア-オンは、スルホ基及び Z又はカルボキシル基を含有する高分子酸である。こ れらの中でも、 π共役系導電性高分子へのドーピング効果の点から、—SO _X+、
3
— COO—X+が好ましい。
また、このァ-オン基は、隣接して又は一定間隔をあけてポリア-オンの主鎖に配 置されて!、ることが好まし!/、。
[0025] 上記ポリア-オンの中でも、溶媒溶解性及び導電性の点から、ポリイソプレンスルホ ン酸、ポリイソプレンスルホン酸を含む共重合体、ポリスルホェチルメタタリレート、ポリ スルホェチルメタタリレートを含む共重合体、ポリ(4 スルホブチルメタタリレート)、ポ リ(4 スルホブチルメタタリレート)を含む共重合体、ポリメタリルォキシベンゼンスル ホン酸、ポリメタリルォキシベンゼンスルホン酸を含む共重合体、ポリスチレンスルホ ン酸、ポリスチレンスルホン酸を含む共重合体等が好まし 、。
[0026] ポリア-オンの重合度は、モノマー単位が 10〜: L00, 000個の範囲であることが好 ましぐ溶媒溶解性及び導電性の点からは、 50〜: L0, 000個の範囲がより好ましい。
[0027] ポリア-オンの含有量は、 π共役系導電性高分子 1モルに対して 0. 1〜10モルの 範囲であることが好ましぐ 1〜7モルの範囲であることがより好ましい。ポリア-オンの 含有量が 0. 1モルより少なくなると、 π共役系導電性高分子へのドーピング効果が 弱くなる傾向にあり、導電性が不足することがある。その上、溶媒への分散性及び溶 解性が低くなり、均一な分散液を得ることが困難になる。また、ポリア-オンの含有量 が 10モルより多くなると、 π共役系導電性高分子の含有量が少なくなり、やはり充分 な導電性が得られにくい。
[0028] [エステル化合物]
本発明におけるエステルイ匕合物は、二つ以上のカルボキシル基を有するカルボン 酸類ィ匕合物と二つ以上のヒドロキシル基を有する多価アルコール類ィ匕合物とを脱水 反応させたものである。
[0029] カルボン酸類ィ匕合物としては、脂肪族、芳香族、環状脂肪族等にカルボキシル基 を二つ以上含むものが挙げられる。例えば、マレイン酸、フマル酸、ィタコン酸、シトラ コン酸、マロン酸、 1, 4 ブタンジカルボン酸、コハク酸、酒石酸、アジピン酸、 D- ダルカル酸、ダルタコン酸、クェン酸等の脂肪族カルボン酸類化合物、フタル酸、テ レフタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、 5—スルホイソフタル酸、 5—ヒド ロキシイソフタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、 4, 4'ーォキシジフタル酸、ビフ ェ -ルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタ レンジカルボン酸、トリメリット酸、ピロメリット酸等の、芳香族性環に少なくとも一つ以 上のカルボキシル基が結合している芳香族カルボン酸類ィ匕合物等が挙げられる。 カルボン酸類ィ匕合物の中でも、耐熱性及び耐溶媒性の点から芳香族カルボン酸類 化合物が好ましい。
多価アルコール類ィ匕合物としては、脂肪族、芳香族、環状脂肪族等にヒドロキシル 基を二つ以上含むものが挙げられる。例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコ ール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、 1, 3 - ブチレングリコーノレ、 1, 4ーブチレングリコーノレ、グリセリン、ジグリセリン、 D グノレコ ース、 D グルシトール、イソプレングリコール、ジメチロールプロピオン酸、ブタンジ オール、 1, 5 ペンタンジオール、 1, 6 へキサンジオール、 1, 9ーノナンジオール 、ネオペンチルグリコール、トリメチローノレエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリ スリトール、ジペンタエリスリトール、グルコース、酒石酸、 D グルカル酸、ダルタコン 酸等の多価脂肪族アルコール類、
ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポ リグリセリン、ポリビュルアルコール、セルロス、多糖、糖アルコール等の高分子アルコ 一ノレ、
1, 4ージヒドロキシベンゼン、 1, 3 ジヒドロキシベンゼン、 2, 3 ジヒドロキシー 1 ペンタデシルベンゼン、 2, 4 ジヒドロキシァセトフエノン、 2, 5 ジヒドロキシァセ トフエノン、 2, 4 ジヒドロキシベンゾフエノン、 2, 6 ジヒドロキシベンゾフエノン、 3, 4ージヒドロキシベンゾフエノン、 3, 5 ジヒドロキシベンゾフエノン、 2, 4'—ジヒドロキ シジフエニルスルフォン、 2, 2' , 5, 5,一テトラヒドロキシジフエニルスルフォン、 3, 3, , 5, 5,ーテトラメチルー 4, 4'ージヒドロキシジフエニルスルフォン、 2, 3 ジヒドロキ シ安息香酸、 2, 4 ジヒドロキシ安息香酸、 2, 5 ジヒドロキシ安息香酸、 2, 6 ジヒ ドロキシ安息香酸、 3, 5 ジヒドロキシ安息香酸、 1, 4ーヒドロキノンスルホン酸、 4, 5 ヒドロキシベンゼン一 1, 3 ジスルホン酸、 1, 5 ジヒドロキシナフタレン、 1, 6— ジヒドロキシナフタレン、 2, 6 ジヒドロキシナフタレン、 2, 7 ジヒドロキシナフタレン 、 2, 3 ジヒドロキシナフタレン、 1, 5 ジヒドロキシナフタレン 2, 6 ジカルボン酸 、 1, 6 ジヒドロキシナフタレン 2, 5 ジカルボン酸、 1, 5 ジヒドロキシナフトェ酸 、 1, 4ージヒドロキシ 2 ナフトェ酸フエニルエステル、 4, 5 ジヒドロキシナフタレ ン一 2, 7 ジスルホン酸、 1, 8 ジヒドロキシ一 3, 6 ナフタレンジスルホン酸、 6, 7 —ジヒドロキシ一 2 ナフタレンスルホン酸、 1, 2, 3 トリヒドロキシベンゼン(ピロガロ 一ル)、 1, 2, 4 トリヒドロキシベンゼン、 5—メチルー 1, 2, 3 トリヒドロキシベンゼ ン、 5 工チノレー 1, 2, 3 トリヒドロキシベンゼン、 5 プロピノレー 1, 2, 3 トリヒドロ キシベンゼン、 2, 4, 6 トリヒドロキシベンゼン、トリヒドロキシ安息香酸、トリヒドロキシ 安息香酸メチル、トリヒドロキシ安息香酸ェチル、トリヒドロキシ安息香酸プロピル、トリ ヒドロキシ安息香酸イソブチル、トリヒドロキシァセトフエノン、トリヒドロキシベンゾフエノ ン、トリヒドロキシベンゾアルデヒド、トリヒドロキシアントラキノン、テトラヒドロキシ一 p— ベンゾキノン、テトラヒドロキシアントラキノン等が挙げられる。
[0031] エステルイ匕合物の分子量は特に限定されないが、分子量が小さいことが好ましぐ 具体的には、 10, 000以下であることが好ましぐ 5, 000以下であることがより好まし い。分子量が小さければ、エステルイ匕合物が π共役系導電性高分子やポリア-オン などの間に入り込みやすくなり、均質な架橋体を容易に得ることができる。分子量が 大きくなると上記効果が充分に発揮されず、導電性の低下を招く傾向にある。
[0032] [重合性化合物]
重合性化合物は下記 (a)及び Z又は (b)である。
(a)グリシジル基を有する化合物(以下、化合物(a) t 、う。)。
(b)ァリル基、ビュルエーテル基、メタクリル基、アクリル基、メタクリルアミド基、アタリ ルアミド基力 選ばれる 1種と、ヒドロキシル基とを有する化合物(以下、化合物 (b)と いう。)。
化合物 (a)及び Z又は化合物 (b)は混合するだけでもよいが、耐水性、耐熱性が 向上することから、重合することが好ましい。 [0033] さらに、化合物(a)としては、下記 (a— 1)〜(a— 3)の化合物が挙げられる。
(a- 1):グリシジル基と、ァリル基、ビュルエーテル基、メタクリル基、アクリル基、メタ クリルアミド基、アクリルアミド基力 選ばれる 1種とを有する化合物(以下、化合物(a 1)という。)。
(a - 2):グリシジル基を 2つ以上有する化合物(以下、化合物(a— 2)という。 ) 0 (a— 3):グリシジル基を 1つ有する化合物であって、化合物(a— 1)以外の化合物( 以下、化合物(a— 3)という。)。
[0034] 化合物(a— 1)のうち、グリシジル基とアクリル (メタクリル)基を有する化合物として、 グリシジルアタリレート、グリシジルメタタリレート等が挙げられる。
グリシジル基とァリル基を有する化合物として、ァリルグリシジルエーテル、 2—メチ ルァリルグリシジルエーテル、ァリルフエノールグリシジルエーテル等が挙げられる。 グリシジル基とヒドロキシル基とを有する化合物として、 1 , 4ージヒドロキシメチルべ ンゼンジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル等が挙げられる。
グリシジル基とヒドロキシル基とァリル基とを有する化合物として、 3 ァリル 1, 4 ージヒドロキシメチルベンゼンジグリシジルエーテル等が挙げられる。
なお、グリシジル基とヒドロキシル基とを有する化合物、グリシジル基とヒドロキシル 基とァリル基とを有する化合物は化合物 (b)でもある。
[0035] 化合物(a— 2)としては、例えば、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジェチ レングリコールジグリシジルエーテル、 1, 6 へキサンジオールジグリシジルエーテ ル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ビスフエノール Aジグリシジルエー テル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジ ノレエーテノレ、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチノレグリコー ルジグリシジルエーテル、ダイマー酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジル、ト リグリシジルイソシァヌレート、テトラグリシジノレジアミノジフエ二ノレメタン、ジグリシジノレ テトラフタレート等が挙げられ 1種類又は 2種類以上の混合として用いることができる。
[0036] 化合物(a— 3)としては、例えば、アルキルグリシジルエーテル、エチレングリコール グリシジルエーテル、メチルダリシジルエーテル、フエニルダリシジルエーテル、ブチ ルフエ-ルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル等が挙げられる n [0037] 化合物 (b)のうち、例えば、ヒドロキシル基とビニルエーテル基とを有する化合物とし て、 2—ヒドロキシェチルビ二ノレエーテル、 4ーヒドロキシブチルビ二ノレエーテル、ジェ チレングリコールモノビュルエーテル等が挙げられる。
ヒドロキシル基とアクリル (メタクリル)基を有する化合物として、 2—ヒドロキシェチル アタリレート(メタタリレート)、 2—ヒドロキシプロピルアタリレート(メタタリレート)、 4ーヒ ドロキシブチルアタリレート(メタタリレート)、ェチルー aーヒドロキシメチルアタリレート
、ジペンタエリストリトールモノヒドロキシペンタアタリレート等が挙げられる。
ヒドロキシル基とアクリルアミド (メタクリルアミド)基を有する化合物として、 2—ヒドロ キシェチルアクリルアミド、 2—ヒドロキシェチルメタクリルアミドが挙げられる。
[0038] 上記化合物(a)では、そのグリシジル基がポリア-オンの残存ァ-オン基 (例えば、 スルホ基、カルボキシル基など)と反応して、エステル(例えば、スルホン酸エステル、 カルボン酸エステルなど)を形成する。その反応の際には、塩基性触媒、加圧、加熱 によって反応を促進させてもよい。エステル形成の際、グリシジル基は開環してヒドロ キシル基を形成する。このヒドロキシル基力 導電性高分子との塩もしくはエステルを 形成しなかった残存ァ-オン基と脱水反応を起して、新たにエステル (例えば、スル ホン酸エステル、カルボン酸エステルなど)を形成する。このようなエステルの形成に よって、ポリア-オンと導電性高分子との複合体同士が架橋する。
さらに、化合物(a— 1)においては、ポリア-オンの残存ァ-オン基と、化合物(a— 1)のグリシジル基とが結合した後、化合物(a— 1)のァリル基、ビニルエーテル基、メ タクリル基、アクリル基、メタクリルアミド基、アクリルアミド基同士が重合して複合体同 士がさらに架橋する。
[0039] また、上記化合物(b)では、そのヒドロキシル基がポリア-オンの残存ァ-オン基と 脱水反応して、エステルを形成する。その脱水反応の際には、酸性触媒によって反 応を促進させてもよい。その後、化合物(b)のァリル基、ビニルエーテル基、メタクリル 基、アクリル基、メタクリルアミド基、アクリルアミド基同士が重合する。この重合によつ て、ポリア-オンと π共役系導電性高分子との複合体同士が架橋する。
[0040] 化合物(a— 1)及び化合物 (b)におけるメタタリレート基、アタリレート基、アクリルァ ミド基、メタクリルアミド基、ァリル基の重合では、ラジカル重合法、熱重合法、光ラジ カル重合法、プラズマ重合法を適用できる。
ラジカル重合法では、重合開始剤として、例えばァゾビスイソプチ口-トリル等のァ ゾ化合物、過酸化べンゾィル、ジァシルペルォキシド類、ペルォキシエステル類、ヒド 口ペルォキシド類等の過酸ィ匕物などを用いて重合する。
光ラジカル重合法では、重合開始剤として、カルボニル化合物、ィォゥ化合物、有 機過酸化物、ァゾィ匕合物などを用いて重合する。具体的には、ベンゾフエノン、 4, 4' —ビス(ジメチルァミノ)ベンゾフエノン、キサントン、チォキサントン、 2—ェチルアント ラキノン、ァセトフエノン、トリクロロアセトフエノン、 2—ヒドロキシ 2—メチループロピ オフェノン、 1—ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン、ベンゾインエーテル、 2, 2— ジェトキシァセトフェノン、 2, 2—ジメトキシ一 2—フエ-ルァセトフエノン、ベンジル、メ チルベンゾィルホルメート、 1—フエ-ルー 1, 2—プロパンジオン— 2— (o ベンゾィ ル)ォキシム、 2, 4, 6 トリメチルベンゾィルジフエニルホスフィンォキシド、テトラメチ ルチウラム、ジチォカーバメート、過酸化べンゾィル、 N ラウリルピリジゥムアジド、ポ リメチルフエ-ルシランなどが挙げられる。
プラズマ重合では、プラズマを短時間照射し、プラズマの電子衝撃によるエネルギ 一を受けて、フラグメンテーションとリアレンジメントをしたのち、ラジカルの再結合によ り重合体を生成する。
[0041] また、化合物(a— 1)及び化合物 (b)におけるビュルエーテル基の重合は、カチォ ン重合法が採られる。カチオン重合においては、反応促進のため、ハロゲン化金属、 有機金属化合物等のルイス酸、その他、ハロゲン、強酸塩、カルボ-ゥムイオン塩等 の光又は熱でカチオンを生成する求電子試薬などを使用してもよい。
[0042] 重合性ィ匕合物は、ポリア-オンに対して、 0. 1モル当量から 100モル当量含まれる ことが好ましぐ 2モル当量から 50モル当量含まれることがより好ましい。重合性化合 物の含有量がポリア-オンに対して 100モル当量を超える場合には、重合性化合物 が過剰になり、導電性を低下させるおそれがある。また、ポリア-オンに対して 0. 1モ ル当量未満では、導電性や透明基材 11との密着性を向上させることが困難になる傾 I口」にある。
[0043] [導電性向上剤] 導電性向上剤としては、 2個以上のヒドロキシル基を有するヒドロキシル基含有芳香 族性化合物、窒素含有芳香族複素環式化合物、アミド基を有する化合物、イミド基を 有する化合物が挙げられる。これら導電性向上剤はそれぞれ単独で使用してもよい し、併用してちょい。
ヒドロキシル基含有芳香族性化合物としては、分子を構成する芳香環に、ヒドロキシ ル基が 2個以上結合しているものであれば特に制限はなぐ例えば、 1, 4ージヒドロ キシベンゼン、 1, 3 ジヒドロキシベンゼン、 2, 3 ジヒドロキシ 1 ペンタデシル ベンゼン、 2, 4ージヒドロキシァセトフエノン、 2, 5 ジヒドロキシァセトフエノン、 2, 4 ージヒドロキシベンゾフエノン、 2, 6 ジヒドロキシベンゾフエノン、 3, 4 ジヒドロキシ ベンゾフエノン、 3, 5 ジヒドロキシベンゾフエノン、 2, 4'—ジヒドロキシジフエニノレス ルフォン、 2, 2' , 5, 5,ーテトラヒドロキシジフエ-ルスルフォン、 3, 3' , 5, 5'—テト ラメチルー 4, 4'ージヒドロキシジフエ-ルスルフォン、ヒドロキシキノンカルボン酸及 びその塩類、 2, 3 ジヒドロキシ安息香酸、 2, 4 ジヒドロキシ安息香酸、 2, 5 ジヒ ドロキシ安息香酸、 2, 6 ジヒドロキシ安息香酸、 3, 5 ジヒドロキシ安息香酸、 1, 4 ーヒドロキノンスルホン酸及びその塩類、 4, 5 ヒドロキシベンゼン 1, 3 ジスルホ ン酸及びその塩類、 1, 5 ジヒドロキシナフタレン、 1, 6 ジヒドロキシナフタレン、 2 , 6 ジヒドロキシナフタレン、 2, 7 ジヒドロキシナフタレン、 2, 3 ジヒドロキシナフ タレン、 1, 5 ジヒドロキシナフタレン 2, 6 ジカルボン酸、 1, 6 ジヒドロキシナフ タレン 2, 5 ジカルボン酸、 1, 5 ジヒドロキシナフトェ酸、 1, 4ージヒドロキシー2 ナフトェ酸フエ-ルエステル、 4, 5 ジヒドロキシナフタレン 2, 7 ジスルホン酸 及びその塩類、 1, 8 ジヒドロキシ 3, 6 ナフタレンジスルホン酸及びその塩類、 6, 7 ジヒドロキシ 2 ナフタレンスルホン酸及びその塩類、 1, 2, 3 トリヒドロキ シベンゼン(ピロガロール)、 1, 2, 4 トリヒドロキシベンゼン、 5—メチルー 1, 2, 3— トリヒドロキシベンゼン、 5 ェチルー 1, 2, 3 トリヒドロキシベンゼン、 5 プロピル 1, 2, 3 トリヒドロキシベンゼン、 2, 4, 6 トリヒドロキシベンゼン、トリヒドロキシ安, I、 香酸、トリヒドロキシ安息香酸メチル、トリヒドロキシ安息香酸ェチル、トリヒドロキシ安息 香酸プロピル、トリヒドロキシ安息香酸イソブチル、トリヒドロキシァセトフエノン、トリヒド ロキシベンゾフエノン、トリヒドロキシベンゾアルデヒド、トリヒドロキシアントラキノン、テト ラヒドロキシ p ベンゾキノン、テトラヒドロキシアントラキノン等が挙げられる。
これらヒドロキシル基含有芳香族性化合物の中でも、導電性及び架橋効果の点か ら π共役系導電性高分子へのドーピング効果を有するァニオン基を有する化合物及 びエステル基を有する化合物が好まし 、。
[0045] 窒素含有芳香族複素環式化合物としては、例えば、一つの窒素原子を含有するピ リジン類及びその誘導体、二つの窒素原子を含有するイミダゾール類及びその誘導 体、ピリミジン類及びその誘導体、ピラジン類及びその誘導体、三つの窒素原子を含 有するトリアジン類及びその誘導体等が挙げられる。溶媒溶解性等の観点からは、ピ リジン類及びその誘導体、イミダゾール類及びその誘導体、ピリミジン類及びその誘 導体が好ましい。
[0046] ピリジン類及びその誘導体の具体的な例としては、ピリジン、 2 メチルピリジン、 3 メチルピリジン、 4 メチルピリジン、 4 ェチルピリジン、 2, 4 ジメチルビリジン、 2 —ビュルピリジン、 4 ビュルピリジン、 2—メチル 6 ビュルピリジン、 5—メチルー 2 ビニルピリジン、 4ーブテニルピリジン、 4 ペンテニルピリジン、 2, 4, 6 トリメチ ルビリジン、 3 シァノー 5 メチルピリジン、 2 ピリジンカルボン酸、 6—メチルー 2 ピリジンカルボン酸、 2, 6 ピリジンージカルボン酸、 4 ピリジンカルボキシアル デヒド、 4 アミノビリジン、 2, 3 ジァミノピリジン、 2, 6 ジァミノピリジン、 2, 6 ジ アミノー 4 メチルピリジン、 4ーヒドロキシピリジン、 2, 6 ジヒドロキシピリジン、 6 ヒ ドロキシニコチン酸メチル、 2 ヒドロキシ 5 ピリジンメタノール、 6 ヒドロキシニコ チン酸ェチル、 4 ピリジンメタノール、 4 ピリジンエタノール、 2 フエニルピリジン 、 3—メチノレキノリン、 3 ェチノレキノリン、キノリノ一ノレ、 2, 3 シクロペンテノビリジン 、 2, 3 シクロへキサノピリジン、 1, 2 ジ(4 ピリジル)ェタン、 1, 2 ジ(4 ピリジ ル)プロパン、 2—ピリジンカルボキシアルデヒド、 2—ピリジンカルボン酸、 2—ピリジ ンカルボ二トリル、 2,3 ピリジンジカルボン酸、 2, 4 ピリジンジカルボン酸、 2, 5— ピリジンジカルボン酸、 2, 6 ピリジンジカルボン酸、 3 ピリジンスルホン酸等が挙 げられる。
[0047] イミダゾール類及びその誘導体の具体的な例としては、イミダゾール、 2 メチルイミ ダゾール、 2—プロピルイミダゾール、 2—ゥンデジルイミダゾール、 2—フエ-ルイミダ ゾール、 N—メチルイミダゾール、 N—ビュルイミダゾール、 N ァリルイミダゾール、 2 -メチル 4 ビュルイミダゾール、 2 -メチル 1 ビュルイミダゾール、 1— ( 2 ヒ ドロキシェチル)イミダゾール、 2 ェチルー 4ーメチルイミダゾール、 1, 2 ジメチル イミダゾール、 1 ベンジル - 2-メチルイミダゾール、 1 ベンジル - 2-フエ-ルイ ミダゾール、 1ーシァノエチルー 2—メチルイミダゾール、 1ーシァノエチルー 2—ェチ ルー 4ーメチルイミダゾール、 2 フエ-ルー 4, 5 ジヒドロキシメチルイミダゾール、 1 ァセチルイミダゾール、 4, 5—イミダゾールジカルボン酸、 4, 5—イミダゾールジカ ルボン酸ジメチル、ベンズイミダゾール、 2—ァミノべンズイミダゾール、 2—ァミノベン ズイミダゾールー 2—スルホン酸、 2—アミノー 1—メチルベンズイミダゾール、 2—ヒド ロキシベンズイミダゾール、 2—(2—ピリジル)ベンズイミダゾール等が挙げられる。
[0048] ピリミジン類及びその誘導体の具体的な例としては、 2 アミノー 4 クロロー 6—メ チノレピリミジン、 2 アミノー 6 クロロー 4ーメトキシピリミジン、 2 アミノー 4, 6 ジク ロロピリミジン、 2 アミノー 4, 6 ジヒドロキシピリミジン、 2 アミノー 4, 6 ジメチル ピリミジン、 2 アミノー 4, 6 ジメトキシピリミジン、 2 アミノビリミジン、 2 アミノー 4 ーメチノレピリミジン、 4, 6 ジヒドロキシピリミジン、 2, 4 ジヒドロキシピリミジン 5— カルボン酸、 2, 4, 6 トリアミノビリミジン、 2, 4 ジメトキシピリミジン、 2, 4, 5 トリヒ ドロキシピリミジン、 2, 4 ピリミジンジオール等が挙げられる。
[0049] ピラジン類及びその誘導体の具体的な例としては、ピラジン、 2—メチルビラジン、 2 , 5 ジメチルビラジン、ピラジンカルボン酸、 2, 3 ピラジンジカルボン酸、 5—メチ ルビラジンカルボン酸、ピラジンアミド、 5—メチルビラジンアミド、 2 シァノビラジン、 アミノビラジン、 3 アミノビラジン 2—力ルボン酸、 2 ェチルー 3—メチルビラジン 、 2 ェチルー 3—メチルビラジン、 2, 3 ジメチルビラジン、 2, 3 ジェチルビラジ ン等が挙げられる。
[0050] トリアジン類及びその誘導体の具体的な例としては、 1, 3, 5 トリァジン、 2 ァミノ
1, 3, 5 トリアジン、 3 アミノー 1, 2, 4 トリァジン、 2, 4ージアミノー 6 フエ二 ル— 1, 3, 5 トリアジン、 2, 4, 6 トリァミノ— 1, 3, 5 トリアジン、 2, 4, 6 トリス( トリフルォロメチル)—1, 3, 5 卜リアジン、 2, 4, 6—トリ— 2 ピリジン— 1, 3, 5 卜 リアジン、 3— (2 ピリジン)一 5, 6 ビス(4 フエ-ルスルホン酸)一 1, 2, 4 トリア ジンニナトリウム、 3—(2—ピリジン)ー5, 6 ジフエニノレー 1, 2, 4 トリァジン、 2- ヒドロキシ一 4, 6 ジクロロ一 1, 3, 5 トリァジン等が挙げられる。
[0051] アミド基を有する化合物としては、アクリルアミド系榭脂、ポリアミドが挙げられる。
アクリルアミド系榭脂は、アミド基含有モノマーを構成単位として含む (共)重合体で ある。アミド基含有モノマーとしては、例えば、アクリルアミド、メタクリルアミド、 N—メチ ルメタクリルアミド、 N メチルアクリルアミド、 N—メチロールアクリルアミド、 N メチロ ールメタクリルアミド、 N, N ジメチロールアクリルアミド、 N—メトキシメチルアクリル アミド、 N—メトキシメチルメタクリルアミド、 N—フエ-ルアクリルアミド、 N (2—ヒドロキ シェチル)アクリルアミド、 Nメチル(2—ヒドロキシェチル)アクリルアミド等が挙げられ る。
また、アクリルアミド系榭脂は構成単位として、例えば、アクリル酸エステル (アルコ ール残基としては、メチル基、ェチル基、 n—プロピル基、イソプロピル基、 n—ブチル 基、イソブチル基、 t ブチル基、 2—ェチルへキシル基、シクロへキシル基、フエ- ル基、ベンジル基、フエ-ルェチル基等を例示できる);メタクリル酸エステル (アルコ ール残基は上記と同じ);2—ヒドロキシェチルアタリレート、 2—ヒドロキシェチルメタク リレート、 2—ヒドロキシプロピルアタリレート、 2—ヒドロキシプロピノレメタタリレート等の ヒドロキシル基含有モノマー; N, N ジェチルアミノエチルアタリレート、 N, N ジェ チルアミノエチルメタタリレート等のアミノ基含有モノマー;グリシジルアタリレート、ダリ シジルメタタリレート、ァリルグリシジルエーテル等のグリシジル基含有モノマーなどの 共重合成分を含んでもよい。
[0052] アクリルアミド系榭脂に不飽和二重結合を導入する方法としては、ヒドロキシル基含 有モノマー、アミノ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマーより形成される活性水 素と、ビュルイソシァネート、ァリルイソシァネート、 2—メタクリロイルォキシェチルイソ シァネート、 2—アタリロイルォキシェチルイソシァネ一ト等のイソシァネート基含有不 飽和モノマーを付加反応させる方法、カルボキシル基含有モノマーとグリシジル基含 有モノマーを縮合反応させる方法などが挙げられる。
[0053] ポリアミドは、ジカルボン酸とジァミンとを縮合反応させて得られる重合体である。
ここで、ジカルボン酸としては、例えば、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸、ァゼライ ン酸、テレフタル酸、イソフタル酸、オルソフタル酸、へキサヒドロテレフタル酸、へキ サヒドロイソフタル酸、へキサヒドロオルソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸等が挙げ られる。
ジァミンとしては、例えば、ォキシジァミン、パラフエ-レンジァミン、メタフエ二レンジ ァミン、ベンゾフエノンジァミン等が挙げられる。
ポリアミドに不飽和二重結合を導入するためには、末端の酸無水物単位とイソシァ ネート基含有不飽和モノマーとを縮合反応させればよ!、。イソシァネート基含有不飽 和モノマーとしては、例えば、ビ-ノレイソシァネート、ァリノレイソシァネート、 2—メタタリ ロイルォキシェチルイソシァネート、 2—アタリロイルォキシェチルイソシァネート等が 挙げられる。
[0054] イミド基を有する化合物(以下、イミド化合物という。 )は、—CO—NH— CO— (CO の部分は二重結合)で表される結合構造を分子中に有する単分子化合物のことであ る。
イミドィ匕合物は両末端の官能基の種類によって、脂肪族イミド、芳香族イミド等の分 類もされる力 その骨格より、フタルイミド及びフタルイミド誘導体、スクシンイミド及び スクシンイミド誘導体、ベンズイミド及びベンズイミド誘導体、マレイミド及びマレイミド 誘導体、ナフタルイミド及びナフタルイミド誘導体などが挙げられる。溶解性の観点か らは、脂肪族イミドが好ましい。
[0055] イミド化合物の具体例としては、 1, 8—ナフチルイミド、フタルイミド、 3— -トロフタ ルイミド、 4— -トロフタルイミド、 3—ァミノフタルイミド、 4—ァミノフタルイミド、シクロへ キサン一 1, 2—ジカルボキシイミド、アラントイン、ヒダントイン、バルビツル酸、ァロキ サン、グルタルイミド、スクシンイミド、 5—ブチルヒダントイン酸、 5, 5—ジメチルヒダン トイン、 1ーメチルヒダントイン、 1 , 5, 5—トリメチルヒダントイン、 5—ヒダントイン酢酸、 N—ヒドロキシ一 5—ノルボルネン一 2, 3—ジカルボキシイミド、グルタルイミド、セミカ ルバジド、 a , a—ジメチル— 6—メチルスクシンイミド、ビス [2— (スクシンイミドォキ シカルボ-ルォキシ)ェチル]スルホン、 α—メチルー a—プロビルスクシンイミド、シ クロへキシルイミド、 1, 3—ジプロピレン尿素、マレイミド、 N—メチルマレイミド、 N— ェチルマレイミド、 N—ヒドロキシマレイミド、 1, 4—ビスマレイミドブタン、 1, 6—ビスマ レイミドへキサン、 1, 8—ビスマレイミドオクタン、 N—カルボキシヘプチルマレイミドな どが挙げられる。
[0056] イミド化合物の分子量は 60〜5, 000であることが好ましぐ 70〜1, 000であること 力 り好ましぐ 80〜500であることが特に好ましい。
[0057] 導電性向上剤の含有量は、 π共役系導電性高分子のドープに寄与していないポリ ァ-オンのァ-オン基に対して 0. 1〜100モルであることが好ましぐ 0. 5〜50モル であることがより好ましぐ 1. 0〜20モルであることが特に好ましい。導電性向上剤の 含有量が前記下限値未満であると、導電性向上剤の効果が低くなり、導電性が低く なる傾向にあり、前記上限値を超えると、 π共役系導電性高分子濃度の低下に起因 する導電性の低下が起こる傾向にある。
[0058] [ドーパント]
上記ポリア-オンは π共役系導電性高分子のドーパントとして機能するが、ポリア ユオン以外のドーパントを含有させてもよい。他のドーパントとしては、 π共役系導電 性高分子へのドープ '脱ドープにおいて π共役系導電性高分子中の共役電子の酸 化還元電位を変化させることができれば、ドナー性のものでもよいし、ァクセプタ性の ものでもよい。
[0059] ドナー性ドーパントとしては、例えば、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、カルシ ゥム、マグネシウム等のアルカリ土類金属、テトラメチルアンモ-ゥム、テトラエチノレア ンモ-ゥム、テトラプロピルアンモ-ゥム、テトラプチルアンモ-ゥム、メチルトリェチル アンモ-ゥム、ジメチルジェチルアンモ -ゥム等の 4級ァミン塩化合物等が挙げられる
[0060] ァクセプタ性ドーパントとしては、例えば、ハロゲン化合物、ルイス酸、プロトン酸、 有機シァノ化合物、有機金属化合物等を使用できる。
さらに、ハロゲンィ匕合物としては、例えば、塩素 (C1 )、臭素 (Br )、ヨウ素 (I )、塩
2 2 2 ィ匕ヨウ素 (IC1)、臭化ヨウ素 (IBr)、フッ化ヨウ素 (IF)等が挙げられる。
ルイス酸としては、例えば、 PF、 AsF、 SbF、 BF、 BC1、 BBr、 SO等が挙げら
5 5 5 5 5 5 3 れる。
有機シァノ化合物としては、共役結合に二つ以上のシァノ基を含む化合物が使用 できる。例えば、テトラシァノエチレン、テトラシァノエチレンオキサイド、テトラシァノべ ンゼン、テトラシァノキノジメタン、テトラシァノアザナフタレン等が挙げられる。
[0061] プロトン酸としては、無機酸、有機酸が挙げられる。さらに、無機酸としては、例えば 、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、ホウフッ化水素酸、フッ化水素酸、過塩素酸等が挙げら れる。また、有機酸としては、有機カルボン酸、有機スルホン酸等が挙げられる。
[0062] 有機カルボン酸としては、脂肪族、芳香族、環状脂肪族等にカルボキシル基を一 つ又は二つ以上を含むものを使用できる。例えば、ギ酸、酢酸、シユウ酸、安息香酸 、フタル酸、マレイン酸、フマル酸、マロン酸、酒石酸、クェン酸、乳酸、コハク酸、モ ノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロ口酢酸、トリフルォロ酢酸、ニトロ酢酸、トリフエ-ル 酢酸等が挙げられる。
[0063] 有機スルホン酸としては、脂肪族、芳香族、環状脂肪族等にスルホ基を一つ又は 二つ以上含むものを使用できる。スルホ基を一つ含むものとしては、例えば、メタンス ルホン酸、エタンスルホン酸、 1—プロパンスルホン酸、 1—ブタンスルホン酸、 1—へ キサンスルホン酸、 1—ヘプタンスルホン酸、 1—オクタンスルホン酸、 1—ノナンスル ホン酸、 1—デカンスルホン酸、 1—ドデカンスルホン酸、 1—テトラデカンスルホン酸 、 1—ペンタデカンスルホン酸、 2 ブロモエタンスルホン酸、 3 クロ口一 2 ヒドロキ シプロパンスルホン酸、トリフルォロメタンスルホン酸、コリスチンメタンスルホン酸、 2 アクリルアミドー 2—メチルプロパンスルホン酸、ァミノメタンスルホン酸、 1ーァミノ —2 ナフトール— 4—スルホン酸、 2 アミノー 5 ナフトール— 7—スルホン酸、 3 —ァミノプロパンスルホン酸、 N シクロへキシル 3—ァミノプロパンスルホン酸、ベ ンゼンスルホン酸、 p トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ェチルベンゼンス ルホン酸、プロピルベンゼンスルホン酸、ブチルベンゼンスルホン酸、ペンチルベン ゼンスルホン酸、へキシルベンゼンスルホン酸、ヘプチルベンゼンスルホン酸、オタ チルベンゼンスルホン酸、ノ-ルベンゼンスルホン酸、デシルベンゼンスルホン酸、ゥ ンデシルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ペンタデシルベンゼン スルホン酸、へキサデシルベンゼンスルホン酸、 2, 4 ジメチルベンゼンスルホン酸 、ジプロピルベンゼンスルホン酸、ブチルベンゼンスルホン酸、 4ーァミノベンゼンス ルホン酸、 o ァミノベンゼンスルホン酸、 m—ァミノベンゼンスルホン酸、 4 アミノー 2 クロ口トルエン一 5—スルホン酸、 4 アミノー 3—メチルベンゼン一 1—スルホン 酸、 4 アミノー 5—メトキシ一 2—メチルベンゼンスルホン酸、 2 アミノー 5—メチル ベンゼン 1ースノレホン酸、 4 アミノー 2—メチノレベンゼン 1ースノレホン酸、 5 ァ ミノ一 2—メチルベンゼン一 1—スルホン酸、 4 アミノー 3—メチルベンゼン一 1—ス ルホン酸、 4—ァセトアミドー 3—クロ口ベンゼンスルホン酸、 4—クロ口一 3— -トロべ ンゼンスルホン酸、 p クロ口ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、メチルナフ タレンスノレホン酸、プロピノレナフタレンスノレホン酸、ブチノレナフタレンスノレホン酸、ぺ ンチルナフタレンスルホン酸、ジメチルナフタレンスルホン酸、 4 アミノー 1—ナフタ レンスノレホン酸、 8 クロロナフタレン 1ースノレホン酸、ナフタレンスノレホン酸ホノレマ リン重縮合物、メラミンスルホン酸ホルマリン重縮合物等のスルホ基を含むスルホン酸 化合物等が挙げられる。
スルホ基を二つ以上含むものとしては、例えば、ェタンジスルホン酸、ブタンジスル ホン酸、ペンタンジスルホン酸、デカンジスルホン酸、 m—ベンゼンジスルホン酸、 o —ベンゼンジスルホン酸、 p ベンゼンジスルホン酸、トルエンジスルホン酸、キシレ ンジスルホン酸、クロ口ベンゼンジスルホン酸、フルォロベンゼンジスルホン酸、ァ-リ ン— 2, 4 ジスルホン酸、ァ-リン— 2, 5 ジスルホン酸、ジメチルベンゼンジスルホ ン酸、ジェチルベンゼンジスルホン酸、ジブチルベンゼンスルホン酸、ナフタレンジス ルホン酸、メチルナフタレンジスルホン酸、ェチルナフタレンジスルホン酸、ドデシル ナフタレンジスルホン酸、ペンタデシルナフタレンジスルホン酸、ブチルナフタレンジ スルホン酸、 2 アミノー 1, 4 ベンゼンジスルホン酸、 1—アミノー 3, 8 ナフタレン ジスルホン酸、 3 ァミノ一 1, 5 ナフタレンジスルホン酸、 8 ァミノ一 1—ナフトー ルー 3, 6 ジスルホン酸、 4 アミノー 5 ナフトール— 2, 7 ジスルホン酸、アントラ センジスルホン酸、ブチルアントラセンジスルホン酸、 4 ァセトアミドー 4,一イソチォ ーシアナトスチルベン 2, 2' ジスルホン酸、 4 ァセトアミドー 4' イソチオシァ ナトスチルベン— 2, 2,—ジスルホン酸、 4 ァセトアミドー 4,—マレイミジルスチルベ ン 2, 2 '—ジスノレホン酸、 1ーァセトキシピレン 3, 6, 8 トリスノレホン酸、 7 アミ ノ一 1, 3, 6 ナフタレントリスルホン酸、 8 ァミノナフタレン一 1, 3, 6 トリスルホン 酸、 3 ァミノ一 1, 5, 7 ナフタレントリスルホン酸等が挙げられる。 [0065] [他の榭脂成分]
透明導電層 12の成膜性、膜強度を確保するために、他の榭脂成分を含有させても よい。
他の榭脂成分としては、 π共役系導電性高分子及びポリア-オンと相溶又は混合 分散可能であれば特に制限されず、熱硬化性榭脂であってもよいし、熱可塑性榭脂 であってもよい。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポ リエチレンナフタレート等のポリエステル系榭脂、ポリイミド、ポリアミドイミド等のポリィ ミド系榭脂、ポリアミド 6、ポリアミド 6, 6、ポリアミド 12、ポリアミド 11等のポリアミド榭脂 、ポリフッ化ビ-リデン、ポリフッ化ビュル、ポリテトラフルォロエチレン、エチレンテトラ フルォロエチレンコポリマー、ポリクロ口トリフルォロエチレン等のフッ素榭脂、ポリビ- ルアルコール、ポリビュルエーテル、ポリビュルブチラール、ポリ酢酸ビュル、ポリ塩 化ビュル等のビュル榭脂、エポキシ榭脂、キシレン榭脂、ァラミド榭脂、ポリウレタン 系榭脂、ポリウレァ系榭脂、メラミン榭脂、フエノール系榭脂、ポリエーテル、アクリル 系榭脂及びこれらの共重合体等が挙げられる。
[0066] [添加剤]
添加剤としては π共役系導電性高分子及びポリア-オンと混合しうるものであれば 特に制限されず、例えば、界面活性剤、消泡剤、カップリング剤、中和剤、酸化防止 剤などを使用できる。
界面活性剤としては、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩、リン酸エステ ル塩等の陰イオン界面活性剤;アミン塩、 4級アンモ-ゥム塩等の陽イオン界面活性 剤;カルボキシベタイン、アミノカルボン酸塩、イミダゾリゥムべタイン等の両性界面活 性剤;ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸ェ ステル、エチレングリコール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸アミド等の非 イオン界面活性剤等が挙げられる。
消泡剤としては、シリコーン榭脂、ポリジメチルシロキサン、シリコーンレジン等が挙 げられる。
カップリング剤としては、ビニル基、アミノ基、エポキシ基等を有するシランカップリン グ剤等が挙げられる。 中和剤としては、アンモニア、水酸ィ匕ナトリウム等のアルカリィ匕合物; 1級ァミン類、 2 級ァミン類、 3級ァミン類等の含窒素化合物等が挙げられる。
酸ィ匕防止剤としては、フエノール系酸ィ匕防止剤、アミン系酸化防止剤、リン系酸ィ匕 防止剤、硫黄系酸化防止剤、糖類、ビタミン類等が挙げられる。
[0067] エステルイ匕合物を用いる場合には、透明導電シートは、透明導電層中に π共役系 導電性高分子とポリア-オンと特定のエステルイ匕合物とを含有しており、そのエステ ルイ匕合物同士力 エステルイ匕合物中の残留カルボキシル基と残留ヒドロキシル基と によりエステル結合を形成、あるいは、ヒドロキシル基同士でエーテル結合を形成す る。また、ポリア-オンの残存ァ-オン基とエステル結合を形成している。その結果、 ポリア-オン同士が架橋され、ポリア-オンがドーピングされた π共役系導電性高分 子同士が接近していると考えられる。また、エステルイ匕合物中のヒドロキシル基は、ポ リア-オンのァ-オン基と相互作用しゃすぐその相互作用によりポリア-オン同士が 接近していると考えられる。これらのことから、この透明導電層は、緻密な構造を形成 しており、耐水性、透明基材と透明導電層との密着性、高温高湿の条件下での表面 抵抗率維持性が優れる。
また、 π共役系導電性高分子同士が接近していることにより、 π共役系導電性高分 子同士の電気伝導に必要なホッピングエネルギーが小さくなるため、導電性が向上 し、表面抵抗率を 1000 Ω以下にできる。さらに、導電性が高くなつた結果、透明導 電層を薄くできるため、透明性を高くすることができ、全光線透過率を 80%以上、へ ィズを 5%以下にできる。
[0068] 重合性ィ匕合物を用いる場合には、透明導電シート 10における透明導電層 12では 、 π共役系導電性高分子とポリア-オンとが塩を形成し、塩の形成に使用されなかつ たポリア-オンの残存ァ-オン基が重合性ィ匕合物と反応している。そして、その反応 により形成された架橋点を介したエステル形成又は重合により、ポリア-オンと π共 役系導電性高分子との複合体同士が架橋している。特に、分子中にヒドロキシル基 を有する化合物はポリア-オンのァ-オン基との相互作用がおきやすぐポリア-ォ ン同士が接近する構造を採りやすくなると考えられる。したがって、ドーピングによつ てポリア-オン上に吸着されている π共役系導電性高分子同士も接近させることが できる。その結果、 π共役系導電性高分子同士間の電気伝導現象であるホッピング に必要な活性ィ匕エネルギーが小さくなり、全体の電気抵抗が小さくなるため、導電性 が向上して表面抵抗率が 1000 Ω以下になるものと考えられる。
また、透明導電層 12は、高分子力も形成されたものであるから、透明性に優れ、 80 %以上の全光線透過率、 5%以下のヘイズを確保でき、透明基材 11と透明導電層 1 2との密着性が優れている。
また、上記相互作用によって、分子密度が高まるため、熱安定性、成膜性、耐磨耗 性が向上すると考えられる。
[0069] <透明導電シートの製造方法 >
次に、本発明の導電性高分子塗料の製造方法について説明する。
本発明の透明導電シートの製造方法では、エステルイ匕合物を用いる場合には、ま ず、エステル化合物合成工程にて、二つ以上のカルボキシル基を有するカルボン酸 類ィ匕合物と二つ以上のヒドロキシル基を有する多価アルコール類ィ匕合物とを脱水反 応させてエステルイ匕合物を合成する。
エステル化合物の合成方法としては特に限定されず、例えば、公知の酸又は塩基 触媒の存在下で、カルボン酸類化合物と多価アルコール類化合物との混合物をカロ 熱処理して脱水反応を生じさせる方法などが挙げられる。その際、架橋性官能基で あるカルボキシル基及びヒドロキシル基の少なくとも一方を残すためには、カルボン 酸類化合物のカルボキシル基と多価アルコール類化合物のヒドロキシル基とが等モ ル量でないことが好ましい。具体的には、カルボン酸類化合物のカルボキシル基 1モ ルに対し、多価アルコール類化合物のヒドロキシル基を 0. 3〜 10モルにすることが好 ましい。
Figure imgf000027_0001
、ても、カルボキシル基及びヒドロキシル基の少なくとも一方が残留 する条件が好ましぐ例えば、合成温度は 20〜200°Cにすることが好ましい。ただし、 高温範囲においてはエーテル結合も同時に形成されるため、低温での合成が好まし ぐ具体的には、 30〜150°Cにすることがより好ましい。
[0070] また、ポリア-オン合成工程にて、ポリア-オンを合成する。ポリア-オンの合成方 法としては、例えば、ポリマーを酸などで処理してァニオン基を直接導入する方法、 スルホン化剤によるスルホン酸ィ匕法、転移法、ァ-オン基含有重合性モノマーの重 合により製造する方法が挙げられる。これらの中でも、ァ-オン基含有重合性モノマ 一の重合により製造する方法が好まし 、。
[0071] ァ-オン基含有重合性モノマーの重合により製造する方法では、溶媒中、ァ-オン 基含有重合性モノマーを、酸化剤及び Z又は重合触媒の存在下で、化学酸化重合 又はラジカル重合する。その際、必要に応じて、ァ-オン基を有さない重合性モノマ 一を共重合させてもよい。
具体的には、所定量のァ-オン基含有重合性モノマーを溶媒に溶解させ、これを 一定温度に保ち、それに予め溶媒に酸化剤及び Z又は重合触媒を溶解した溶液を 添加し、反応させてポリア-オンを得る。得られたポリア-オンがァ-オン酸塩である 場合には、ァ-オン酸に変換することが好ましい。変換方法としては、イオン交換榭 脂交換法、透析法、限外ろ過法等が挙げられ、中でも、作業が容易の点から限外ろ 過法が好ましい。
[0072] ここで、ァ-オン基含有重合性モノマーは、モノマーの一部が一置換硫酸エステル 基、カルボキシル基、スルホ基等の一種類以上の官能基で置換されたものであり、例 えば、置換若しくは未置換のエチレンスルホン酸ィ匕合物、置換若しくは未置換のスチ レンスルホン酸ィ匕合物、置換若しくは未置換のアタリレートスルホン酸ィ匕合物、置換 若しくは未置換のメタタリレートスルホン酸ィ匕合物、置換若しくは未置換のアクリルアミ ドスルホン酸ィ匕合物、置換若しくは未置換のシクロビニレンスルホン酸ィ匕合物、置換 若しくは未置換のブタジエンスルホン酸ィ匕合物、置換若しくは未置換のビュル芳香 族スルホン酸化合物。例えば、ビニルスルホン酸及びその塩類、ァリルスルホン酸及 びその塩類、メタリルスルホン酸及びその塩類、スチレンスルホン酸、メタリルォキシ ベンゼンスルホン酸及びその塩類、ァリルォキシベンゼンスルホン酸及びその塩類、 aーメチルスチレンスルホン酸及びその塩類、アクリルアミドー tーブチルスルホン酸 及びその塩類、 2—アクリルアミドー 2—メチルプロパンスルホン酸及びその塩類、シ クロブテン 3—スルホン酸及びその塩類、イソプレンスルホン酸及びその塩類、 1, 3 ブタジエン 1ースルホン酸及びその塩類、 1ーメチルー 1, 3 ブタジエンー2— スルホン酸及びその塩類、 1ーメチルー 1, 3 ブタジエンー4ースルホン酸及びその 塩類、アクリル酸ェチルスルホン酸(CH CH-COO- (CH ) -SO H)及びその塩類
2 2 2 3
、アクリル酸プロピルスルホン酸(CH CH- COO- (CH ) -SO H)及びその塩類、ァ
2 2 3 3
クリル酸— t—ブチルスルホン酸(CH CH- COO- C (CH ) CH -SO H)及びその
2 3 2 2 3
塩類、アクリル酸— n—ブチルスルホン酸(CH CH-COO- (CH ) -SO H)及びそ
2 2 4 3 の塩類、ァリル酸ェチルスルホン酸(CH CHCH - COO- (CH ) -SO H)及びその
2 2 2 2 3
塩類、ァリル酸— t ブチルスルホン酸(CH CHCH - COO- C (CH ) CH -SO H
2 2 3 2 2 3
)及びその塩類、 4—ペンテン酸ェチルスルホン酸(CH CH (CH ) - COO- (CH )
2 2 2 2 2
-SO H)及びその塩類、 4—ペンテン酸プロピルスルホン酸(CH CH (CH ) -COO
3 2 2 2
- (CH ) -SO H)及びその塩類、 4—ペンテン酸— n—ブチルスルホン酸(CH CH (
2 3 3 2
CH ) - COO- (CH ) - SO H)及びその塩類、 4—ペンテン酸— t—ブチルスルホン
2 2 2 4 3
酸(CH CH (CH ) - COO- C (CH ) CH -SO H)及びその塩類、 4—ペンテン酸
2 2 2 3 2 2 3
フエ-レンスルホン酸(CH CH (CH ) - COO- C H -SO H)及びその塩類、 4—ぺ
2 2 2 6 4 3
ンテン酸ナフタレンスルホン酸(CH CH (CH ) - COO- C H -SO H)及びその塩
2 2 2 10 8 3
類、メタクリル酸ェチルスルホン酸(CH C (CH ) - COO- (CH ) -SO H)及びその
2 3 2 2 3
塩類、メタクリル酸プロピルスルホン酸(CH C (CH ) -COO- (CH ) -SO H)及びそ
2 3 2 3 3 の塩類、メタクリル酸 tーブチルスルホン酸(CH C (CH ) - COO- C (CH ) CH -
2 3 3 2 2
SO H)及びその塩類、メタクリル酸— n—ブチルスルホン酸(CH C (CH ) - COO- (
3 2 3
CH ) -SO H)及びその塩類、メタクリル酸フエ-レンスルホン酸(CH C (CH ) - CO
2 4 3 2 3
O- C H -SO H)及びその塩類、メタクリル酸ナフタレンスルホン酸(CH C (CH ) -C
6 4 3 2 3
OO-C H -SO H)及びその塩類等が挙げられる。
10 8 3
ァ-オン基を有さない重合性モノマーとしては、エチレン、プロペン、 1ーブテン、 2 ーブテン、 1 ペンテン、 2—ペンテン、 1一へキセン、 2—へキセン、スチレン、 p—メ チノレスチレン、 p ェチルスチレン、 p ブチルスチレン、 2, 4, 6 トリメチルスチレン 、 ρ—メトキシスチレン、 α—メチルスチレン、 2 ビニルナフタレン、 6—メチル 2— ビュルナフタレン、ビュルピリジン、ビュルアセテート、アクリルアルデヒド、アクリル-ト リル、 Ν ビュル— 2—ピロリドン、 Ν ビュルァセトアミド、 Ν ビュルホルムアミド、 Ν ビュルイミダゾール、アクリルアミド、 Ν, Ν ジメチルアクリルアミド、アクリル酸、ァ クリル酸メチル、アクリル酸ェチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸 η—ブチル、ァク リル酸イソブチル、アクリル酸 tーブチル、アクリル酸イソオタチル、アクリル酸イソノ -ルブチル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸ァリル、アクリル酸ステアリル、アクリル酸ィ ソボ -ル、アクリル酸シクロへキシル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸ェチルカルビト ール、アクリル酸フエノキシェチル、アクリル酸ヒドロキシェチル、アクリル酸メトキシェ チル、アクリル酸エトキシェチル、アクリル酸メトキシブチル、メタクリル酸、メタクリル酸 メチル、メタクリル酸ェチル、メタクリル酸 n—ブチル、メタクリル酸イソブチル、メタク リル酸 tーブチル、メタクリル酸 2—ェチルへキシル、メタクリル酸ラウリル、メタクリル 酸トリデシル、メタクリル酸ステアリル、メタクリル酸シクロへキシル、メタクリル酸べンジ ル、メタクリル酸 2—ヒドロキシェチル、メタクリル酸 2—ヒドロキシプロピル、アタリロイル モルホリン、ビュルァミン、 N, N ジメチルビ-ルァミン、 N, N ジェチルビ-ルアミ ン、 N, N—ジブチルビ-ルァミン、 N, N ジ tーブチルビ-ルァミン、 N, N ジフ ェ-ルビ-ルァミン、 N—ビュルカルバゾール、ビュルアルコール、塩化ビュル、フッ ィ匕ビニル、メチルビニルエーテル、ェチルビニルエーテル、シクロプロペン、シクロブ テン、シクロペンテン、シクロへキセン、シクロヘプテン、シクロオタテン、 2—メチノレシ クロへキセン、ビニルフエノール、 1, 3 ブタジエン、 1—メチル 1, 3 ブタジエン、 2—メチルー 1, 3 ブタジエン、 1, 4 ジメチルー 1, 3 ブタジエン、 1, 2 ジメチ ルー 1, 3 ブタジエン、 1, 3 ジメチルー 1, 3 ブタジエン、 1—ォクチルー 1, 3— ブタジエン、 2—ォクチルー 1, 3 ブタジエン、 1 フエ二ルー 1, 3 ブタジエン、 2 フエニノレー 1, 3 ブタジエン、 1ーヒドロキシ 1, 3 ブタジエン、 2 ヒドロキシー 1, 3 ブタジエン等が挙げられる。
ァ-オン基含有重合性モノマーの重合に際して使用する酸化剤及び酸化触媒とし ては、例えば、ペルォキソ二硫酸アンモ-ゥム (過硫酸アンモ-ゥム)、ペルォキソ二 硫酸ナトリウム (過硫酸ナトリウム)、ペルォキソ二硫酸カリウム (過硫酸カリウム)等の ペルォキソ二硫酸塩、塩化第二鉄、硫酸第二鉄、硝酸第二鉄、塩化第二銅等の遷 移金属化合物、三フッ化ホウ素などの金属ハロゲン化合物、酸化銀、酸化セシウム 等の金属酸化物、過酸化水素、オゾン等の過酸化物、過酸化ベンゾィル等の有機 過酸化物、酸素等が挙げられる。酸化剤及び酸化触媒は所定量の溶媒に溶解又は 分散させて一定濃度に調整しておくことが好ましい。 [0075] その重合の際に使用される溶媒としては、特に制限されず、前記モノマーを溶解ま たは分散しうる溶媒であり酸化剤及び酸化触媒の酸化力を維持させることができるも のであればよい。例えば、水、 N—メチル—2—ピロリドン、 N, N—ジメチルホルムァ ミド、 N, N—ジメチルァセトアミド、ジメチルスルホキシド、へキサメチレンホスホルトリ アミド、ァセトニトリル、ベンゾ-トリル等の極性溶媒、クレゾール、フエノール、キシレノ ール等のフエノール類、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコ ール類、アセトン、メチルェチルケトン等のケトン類、へキサン、ベンゼン、トルエン等 の炭化水素類、ギ酸、酢酸等のカルボン酸、エチレンカーボネート、プロピレンカー ボネート等のカーボネートイ匕合物、ジォキサン、ジェチルエーテル等のエーテル化合 物、エチレングリコールジアルキルエーテル、プロピレングリコールジアルキルエーテ ル、ポリエチレングリコールジアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールジアルキル エーテル等の鎖状エーテル類、 3—メチルー 2—ォキサゾリジノン等の複素環化合物 、ァセトニトリル、グルタロジニトリル、メトキシァセトニトリル、プロピオ二トリル、ベンゾ 二トリル等の-トリルイ匕合物等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で用いてもよいし 、 2種類以上の混合物としてもよいし、他の有機溶媒との混合物としてもよい。
[0076] 次に、導電性高分子形成工程にて、ポリア-オン及び酸化剤又は酸化重合触媒の 存在下で、 π共役系導電性高分子の前駆体モノマーを化学酸化重合する。具体的 には、ポリア-オン溶液を一定温度に保ち、その溶液に π共役系導電性高分子の前 駆体モノマーを添加し、均一に攪拌する。これにより得られた混合溶液中に、酸化剤 及び Ζ又は酸化重合触媒の溶液を添加し、均一に分散させ、反応させて、 π共役系 導電性高分子を形成する。
その後、必要に応じて、重合反応を停止させるための反応停止剤を添加してもよい 。また、重合反応終了後、過剰な酸化剤及び Ζ又は酸化重合触媒、反応副生成物 の除去及びイオン交換の工程を行ってもよ!、。
[0077] 導電性高分子形成工程における π共役系導電性高分子の前駆体モノマーとして は、ピロール類及びその誘導体、チォフェン類及びその誘導体、ァ-リン類及びその 誘導体等を使用することができる。
また、酸化剤や、化学酸化重合を行う際に用いる溶媒としては、ァ-オン基含有重 合性モノマーの重合に際して使用するものを用いることができる。
[0078] 上記化学酸ィ匕重合の際には、 π共役系導電性高分子の成長と共に、ポリア二オン が π共役系導電性高分子と塩を形成し、 π共役系導電性高分子へのドーピングが 起きる。特に、スルホ基含有ポリア-オンを用いた場合には、スルホ基が π共役系導 電性高分子と強く塩を形成するので、 π共役系導電性高分子がポリア二オンの主鎖 に強く引き寄せられる。その結果、 π共役系導電性高分子主鎖がポリア-オンの主 鎖に沿って成長して、規則正しく配列した π共役系導電性高分子を容易に形成する
[0079] 次いで、エステルイ匕合物添カ卩工程にて、 π共役系導電性高分子とポリア-オンと溶 媒とを含有する溶液又は分散液にエステル化合物を添加して導電性高分子塗料を 得る。その際、均一に混合できることから、エステル化合物を溶媒に溶解させておくこ とが好ましい。
[0080] 導電性向上剤を添加する場合には、ポリア-オンと π共役系導電性高分子とを含 有する混合溶液又はポリア-オンと π共役系導電性高分子とエステル化合物とを含 有する混合溶液に導電性向上剤を添加し、均一に混合させればよい。その際、導電 性向上剤は溶媒に溶解又は分散させることが好ましい。
[0081] 導電性高分子塗料には架橋性化合物が含まれて!/ヽてもよ!/ヽ。
架橋性化合物としては、エステル化合物又は導電性向上剤の架橋性官能基と反応 するものが好ましい。例えば、架橋性官能基が不飽和二重結合 (ビュル基)含有アル ケニル基であれば、架橋性ィヒ合物としてはアルケニル基を含むものが好ましぐ架橋 性官能基がカルボキシル基である場合には、架橋性ィ匕合物としてはヒドロキシル基又 はアミノ基を有する化合物が好ましぐ架橋性官能基がヒドロキシル基である場合に は、架橋性ィ匕合物がカルボキシル基を有する化合物が好まし 、。
[0082] 架橋性化合物の具体例としては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸ェチル、ァ クリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸イソオタチル、 アクリル酸イソノ-ルブチル、メタタリ酸ェチル、アクリル酸ヒドロキシェチル、アクリル 酸メトキシェチル、アクリル酸メトキシブチル、アクリル酸ステアリル、アクリル酸エステ ル、アタリロイルモルホリン、ビニルァミン、 Ν, Ν—ジメチルビ-ルァミン、 Ν, Ν—ジェ チルビニルァミン、 N, N—ジブチルビニルァミン、 N, N ジ tーブチルビニルアミ ン、 N, N ジフエ-ルビ-ルァミン、 N—ビュルカルバゾール、ビュルアルコール、 塩化ビュル、フッ化ビュル、ビュルエーテル、アクリロニトリル、 N ビュル— 2—ピロリ ドン、アクリルアミド、 N, N ジメチルアクリルアミド等のァルケ-ル基含有ィ匕合物、力 ルボン酸、フタル酸、アクリル酸、ポリアクリル酸等のカルボキシル基含有化合物、ブ タノール、エチレングリコール、ビュルアルコール等のヒドロキシル基含有化合物等が 挙げられる。
導電性高分子塗料が上記架橋性化合物を含有する場合には、より安定した透明導 電層を形成できる。
[0083] 重合性ィ匕合物を用いる場合には、重合性化合物添加工程にて、 π共役系導電性 高分子とポリア-オンと溶媒とを含有する溶液又は分散液に重合性ィ匕合物を添加し て導電性高分子塗料を得る。その際、均一に混合できることから、重合性化合物を溶 媒に溶解させておくことが好ま 、。
また、導電性高分子塗料には、上記他の榭脂成分を合成する前駆体化合物 (モノ マー)を添加しても構わない。他の榭脂成分を合成するモノマーを添加した場合には 、塗膜形成の際に他の榭脂成分が形成する。
[0084] 得られた導電性高分子塗料は、遊離イオンを限外ろ過により除去することが好まし い。
限外ろ過法では、多孔質材上に一定の口径で形成されている高分子膜 (限外ろ過 膜)を配置させ、溶液を循環させる。その際、限外ろ過膜を挟んで、循環溶液側と透 過溶液側とに差圧が生じるため、循環溶液側の溶液の一部が透過溶液側に浸透し て循環溶液側の圧力を緩和する。この現象によって循環溶液に含まれる限外ろ過膜 口径より小さい粒子、溶解イオン等の一部を透過溶液側に移動させて除去する。この 方法は希釈法であり、希釈回数を増やすことにより容易に不純物を取り除くことがで きる。
使用する限外ろ過膜は、除去する粒子径、イオン種によって適宜選択され、中でも 、分画分子量 1, 000〜1, 000, 000のもの力好まし!/ヽ。
[0085] 次に、上記導電性高分子塗料を透明基材上に塗布し、必要に応じて、加熱処理又 は紫外線照射処理し、透明導電層を形成して透明導電シートを得る。
導電性高分子塗料の塗布方法としては、例えば、浸漬、コンマコート、スプレーコー ト、ロールコート、グラビア印刷などが挙げられる。
加熱処理としては、例えば、熱風加熱や赤外線加熱などの通常の方法を採用でき る。紫外線照射処理としては、例えば、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、力 一ボンアーク、キセノンアーク、メタルノヽライドランプなどの光源力も紫外線を照射す る方法を採用できる。
加熱処理又は紫外線照射処理により生じる架橋反応は、架橋性官能基の種類によ り異なる。例えば、アルケニル基の架橋反応は、ラジカル発生触媒によるラジカル架 橋反応又はカチオン架橋反応であり、カルボキシル基及びヒドロキシル基の架橋反 応は触媒による熱架橋反応である。
[0086] 以上説明した透明導電シートの製造方法によれば、 π共役系導電性高分子とポリ ァ-オンとエステルイ匕合物または重合性ィ匕合物とを含む導電性高分子塗料を透明 基材上に塗布して透明導電層を形成する。そのため、エステルイ匕合物または重合性 化合物を介してポリア-オンを架橋させることができ、ポリア-オンがドーピングされて いる π共役系導電性高分子同士を接近させることができる。したがって、 π共役系導 電性高分子の緻密性を高くすることができ、耐水性、透明基材と透明導電層との密 着性、高温高湿の条件下での表面抵抗率維持性、導電性を高くすることができる。 特に、導電性については表面抵抗率 1000 Ω以下にできる。導電性の向上により、 透明導電層を薄くすることができ、全光線透過率 80%以上、ヘイズ 5%以下にできる 。また、透明導電層を、導電性高分子塗料の塗布により形成するので、透明基材 11 と透明導電層 12との密着性を高くできる。
[0087] <タツチパネル >
本発明のタツチパネルについて説明する。
図 2に、本発明のタツチパネルの一実施形態例を示す。このタツチパネル 1は、第 1 の透明導電シート 10aと、第 2の透明導電シート 10bと、第 1の透明導電シート 10a及 び第 2の透明導電シート 10bの間に設けられた絶縁性スぺーサ 20とを備え、各透明 導電シート 10a, 10bの透明導電層 12a, 12b同士が対向しているものである。また、 タツチパネル 1の第 2の透明導電シート 10b側には画像が表示される。
上記タツチパネル 1において、第 1の透明導電シート 10a、第 2の透明導電シート 10 bとしては、上述した透明導電シート 10が使用される。
絶縁性スぺーサ 20としては特に制限はなぐ公知のものから適宜選択することがで きるが、透明性の点で、アクリル榭脂製ものが好ましい。
[0088] タツチパネル 1においては、第 1の透明導電シート 10aの透明導電層 12a及び第 2 の透明導電シート 10bの透明導電層 12bに電源を接続し、通電しておく。その状態 で、第 1の透明導電シート 10aにおける透明基材 11aの任意の箇所を押圧すると、第 1の透明導電シート 10aが変形して、第 1の透明導電シート 10aの透明導電層 12aが 第 2透明導電シート 10bの透明導電層 12bに接触する。その結果、電気が導通し、 信号が生ずる。この信号を利用することによりタツチパネルをデータ入力装置として 機會させることができる。
本発明のタツチパネルは、透明導電シートの透明導電層の導電性が高いため、第 1の透明導電シート 10aを押圧した際に、確実に第 1の透明導電シート 10aの透明導 電層 12aと第 2透明導電シート 10bの透明導電層 12bとが導通するため、動作信頼 性が高い。また、第 1の透明導電シート 10aおよび第 2の透明導電シート 10bの透明 性が高いため、画像の視認性に優れる。
さらに、第 1の透明導電シート 10aおよび第 2の透明導電シート 10bの耐水性、透明 基材 11と透明導電層 12a, 12bとの密着性、高温高湿の条件下での表面抵抗率維 持性が優れているため、耐久性に優れる。
[0089] なお、本発明のタツチパネルは上記の例に限定されな 、。例えば、上記の例では、 第 1の透明導電シート 10a及び第 2の透明導電シート 10bの両方が本発明の透明導 電シートであった力 片方が本発明の透明導電シートであればよい。
実施例
[0090] 以下、本発明の実施例を具体的に示すが、本発明は実施例により限定されるもの ではない。
(製造例 1)ポリスチレンスルホン酸の合成
1000mlのイオン交換水に 206gのスチレンスルホン酸ナトリウムを溶解し、 80°Cで 攪拌しながら、予め 10mlの水に溶解した 1. 14gの過硫酸アンモ-ゥム酸化剤溶液 を 20分間滴下し、この溶液を 2時間攪拌した。
これにより得られたスチレンスルホン酸ナトリウム含有溶液に 10質量%に希釈した 硫酸を 1000mlと 10000mlのイオン交換水を添カ卩し、限外ろ過法を用いてポリスチ レンスルホン酸含有溶液の約 10000ml溶液を除去し、残液に 10000mlのイオン交 換水をカ卩え、限外ろ過法を用いて約 10000ml溶液を除去した。上記の限外ろ過操 作を 3回繰り返した。
さらに、得られたろ液に約 10000mlのイオン交換水を添カ卩し、限外ろ過法を用いて 約 10000ml溶液を除去した。この限外ろ過操作を 3回繰り返した。
限外ろ過条件は下記の通りとした (他の例でも同様)。
限外ろ過膜の分画分子量: 30K
クロスフロー式
供給液流量: 3000mlZ分
膜分圧:0. 12Pa
得られた溶液中の水を減圧除去して、無色の固形状のポリスチレンスルホン酸を得 た。
[0091] (製造例 2)エステルイ匕合物の合成
43. 6gのピロメリット酸'二無水物と 73. 6gのグリセリンをナス型フラスコに入れ、混 合させた。ピロメリット酸 ·二無水物とグリセリンの混合物の入っているナス型フラスコを 100°Cのオイルバスの油浴中に入れ、 10分間搔き混ぜた後、 0. lgの p—トルエンス ルホン酸を添加し、 1時間搔き混ぜた。これにより、ピロメリット酸 ·二無水物とグリセリ ンとを脱水反応させて、エステルイ匕合物を含む反応溶液を得た。そして、得られた反 応溶液に 115gのイオン交換水を加え、搔き混ぜながら溶解させ、さらにイオン交換 水を溶液の固形濃度が 50質量%になるように加えて濃度調整をした。これにより得ら れた水溶液をエステル化合物水溶液とした。
[0092] (実施例 1)
14. 2gの 3, 4—エチレンジォキシチォフェンと、 36. 7gのポリスチレンスルホン酸 を 2000mlのイオン交換水に溶力した溶液とを 20°Cで混合した。 これにより得られた混合溶液を 20°Cに保ち、搔き混ぜながら、 200mlのイオン交換 水に溶力した 29. 64gの過硫酸アンモ-ゥムと 8. Ogの硫酸第二鉄の酸化触媒溶液 とをゆっくり添加し、 3時間攪拌して反応させた。
得られた反応液に 2000mlのイオン交換水を添カ卩し、限外ろ過法を用いて約 2000 ml溶液を除去した。この操作を 3回繰り返した。
そして、上記ろ過処理が行われた処理液に 200mlの 10質量%に希釈した硫酸と 2 000mlのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて約 2000mlの処理液を除去し、 これに 2000mlのイオン交換水をカ卩え、限外ろ過法を用いて約 2000mlの液を除去 した。この操作を 3回繰り返した。
さらに、得られた処理液に 2000mlのイオン交換水をカ卩え、限外ろ過法を用いて約 2000mlの処理液を除去した。この操作を 5回繰り返し、約 1. 5質量%の青色のポリ スチレンスルホン酸ドープポリ(3, 4—エチレンジォキシチォフェン)(PSS— PEDO T)を得た。これを π共役系導電性高分子溶液とした。
そして、得られた π共役系導電性高分子溶液 100mlに、 3. Ogの上記エステルイ匕 合物水溶液と、導電性向上剤である 2. 25gの 1, 2, 3—トリヒドロキシベンゼンを添カロ し、均一に分散させて導電性高分子塗料を得た。
その導電性高分子塗料を、透明基材である PETフィルム(三菱ポリエステルフィル ム株式会社製 T680E100)上にバーコータ (No. 16)により塗布し、 150°Cのオーブ ン中で 5分間加熱乾燥させた。これにより、透明導電層を形成して透明導電シートを 得た。
得られた透明導電シートを下記の評価法で評価した。その結果を表 1に示す。 (評価法) ·表面抵抗率 (導電性)
透明導電シートの表面抵抗率をローレスタ (三菱ィ匕学製)を用いて測定した。
•表面抵抗率湿度変化率 (%)
温度 25°C、湿度 60%RHの環境下における透明導電シートの表面抵抗率 R を
25B 測定し、測定後の透明導電シートを温度 60°C *湿度 95%RHの環境下に 120時間 放置した後、該透明導電シートを温度 25°C、湿度 60%RHの環境下に戻し、表面抵 抗率 R を測定し、それらの測定値を下記式に代入して表面抵抗率湿度変化率を 算出した。なお、この表面抵抗率変化率は耐湿性の指標になる。
表面抵抗率湿度変化率 (%) = 100 X (R — R ) /R ·耐水性評価
25B 25A 25B
水を染み込ませた布(アドクリーンワイパー F1タイプ)に 200gの荷重を力けな力 Sら、 透明導電基材の表面を 10往復拭 ヽた後、目視で評価を行った。
•全光線透過率の評価
JIS Z 8701に基づいて全光線透過率を測定した。
'ヘイズの評価
JIS K 6714に基づいてヘイズを測定した。
,密着性の評価
碁盤目テープ法 CFIS K 5400)に準じて密着性試験を行った。
具体的には、透明導電シートの表面にカッターにより lmm間隔で縦横各 11本の切 込みを入れた (計 100個の正方形マス目を形成させた)。これに粘着テープを貼った 後、剥離して、 PETフィルム上に残ったマス目の数を計測した。
[0094] (比較例 1)
実施例 1において得られた 100mlの π共役系導電性高分子溶液に 1, 2, 3—トリヒ ドロキシベンゼンのみを添加したこと以外は実施例 1と同様にして透明導電シートを 得て評価した。その結果を表 1に示す。
[0095] (従来例)
PETフィルム上に ΙΤΟカゝらなる透明導電層が形成された透明導電シートを用いて、 実施例 1と同様に評価した。その結果を表 1に示す。
[0096] π共役系導電性高分子とポリア-オンとエステル化合物とを含有する導電性高分 子塗料が塗布されて形成された透明導電層を有する実施例の透明導電シートは、へ ィズ値が低ぐ透明性に優れていた。また、透明導電層が ΙΤΟ力もなる従来例と同等 の表面抵抗率、耐水性、密着性を有していた。このような透明導電シートを用いてタ ツチパネルを組み立てた場合には、動作信頼性、耐久性に優れると推測される。 π共役系導電性高分子とポリア二オンとを含有し、エステル化合物を含有しない導 電性高分子塗料が塗布されて形成された透明導電層を有する比較例の透明導電シ ートは、耐水性が低カゝつた。また、導電性も低かった。このような透明導電シートを用 いてタツチパネルを組み立てた場合には、動作信頼性、耐久性が低くなると推測され る。
[0097] [表 1]
Figure imgf000039_0001
[0098] (実施例 2)
14. 2gの 3, 4—エチレンジォキシチォフェンと、 36. 7gのポリスチレンスルホン酸 を 2000mlのイオン交換水に溶力した溶液とを 20°Cで混合した。
これにより得られた混合溶液を 20°Cに保ち、搔き混ぜながら、 200mlのイオン交換 水に溶力した 29. 64gの過硫酸アンモ-ゥムと 8. Ogの硫酸第二鉄の酸化触媒溶液 とをゆっくり添加し、 3時間攪拌して反応させた。
得られた反応液に 2000mlのイオン交換水を添カ卩し、限外ろ過法を用いて約 2000 ml溶液を除去した。この操作を 3回繰り返した。
そして、上記ろ過処理が行われた処理液に 200mlの 10質量%に希釈した硫酸と 2 000mlのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて約 2000mlの処理液を除去し、 これに 2000mlのイオン交換水をカ卩え、限外ろ過法を用いて約 2000mlの液を除去 した。この操作を 3回繰り返した。
さらに、得られた処理液に 2000mlのイオン交換水をカ卩え、限外ろ過法を用いて約 2000mlの処理液を除去した。この操作を 5回繰り返し、約 1. 5質量%の青色のポリ スチレンスルホン酸ドープポリ(3, 4—エチレンジォキシチォフェン)(PSS— PEDO T)を得た。これを π共役系導電性高分子溶液とした。
そして、得られた π共役系導電性高分子溶液 100gに 3. 7g (ポリアリルスルホン酸 に対して 5モル当量)の N—ヒドロキシェチルアクリルアミドを添カ卩し、均一に分散させ て導電性高分子塗料を得た。 その導電性高分子塗料を、透明基材である PETフィルム(三菱ポリエステルフィル ム株式会社製 T680E100)上にバーコータ (No. 16)により塗布し、 120°Cのオーブ ン中で 5分間加熱乾燥させた。これにより、透明導電層を形成して透明導電シートを 得た。
得られた透明導電シートを下記の評価法で評価した。その結果を表 2に示す。
[0099] (評価法) ·表面抵抗率 (導電性)
透明導電シートの表面抵抗率をローレスタ (三菱ィ匕学製)を用いて測定した。
•全光線透過率の評価
JIS K 7361— 1に基づいて全光線透過率を測定した。
'ヘイズの評価
JIS K 7136に基づいてヘイズを測定した。
'耐水性評価
水を染み込ませた布(アドクリーンワイパー F1タイプ)に φ 50mm, 200gの荷重を 力けながら、透明導電基材の表面を 10往復拭いた後、 目視で評価を行った。
,密着性の評価
碁盤目テープ法 (JIS K 5600— 5— 6)に準じて密着性試験を行った。 具体的には、透明導電シートの表面にカッターにより lmm間隔で縦横各 6本の切 込みを入れた (計 25個の正方形マス目を形成させた)。これに粘着テープを貼った 後、剥離して、 PETフィルム上に残ったマス目の数を計測した。
[0100] (実施例 3)
実施例 2において得られた π共役系導電性高分子溶液 100gに、 3. 7gの N—ヒド ロキシェチルアクリルアミドに加えて、重合開始剤であるィルガキュア 754 (チバ 'ス ぺシャルティ ·ケミカルズ社製)を添加したこと以外は実施例 2と同様にして透明導電 シートを得て評価した。その結果を表 2に示す。
[0101] (実施例 4)
実施例 2において得られた π共役系導電性高分子 100gに、化合物 (b)である 4. 5 gのジェチルダリコールモノビュルエーテルを添加したこと以外は実施例 2と同様にし て透明導電シートを得て評価した。その結果を表 2に示す。 [0102] (実施例 5)
実施例 2において得られた π共役系導電性高分子 lOOgに、 4. 5gのジェチルダリ コールモノビュルエーテルに加えて、ィルガキュア 754を添カ卩したこと以外は実施 例 4と同様にして透明導電シートを得て評価した。その結果を表 2に示す。
[0103] (比較例 2)
PETフィルム上に ITOカゝらなる透明導電層が形成された透明導電シートを用いて、 実施例 2と同様に評価した。その結果を表 2に示す。
[0104] [表 2]
Figure imgf000041_0001
[0105] π共役系導電性高分子とポリア二オンと特定の重合性化合物とを含有する導電性 高分子塗料が塗布されて形成された透明導電層を有する実施例 2〜5の透明導電 シートは、ヘイズ値が低ぐ透明性に優れていた。また、透明導電層が ΙΤΟカゝらなる 比較例 1と同等の表面抵抗率、密着性を有していた。このような透明導電シートを用 いてタツチパネルを組み立てた場合には、動作信頼性、耐久性に優れると推測され る。
また、重合開始剤を含む導電性高分子塗料が塗布されて形成された透明導電層 を有する実施例 3及び 5の透明導電シートは耐水性にも優れていた。
これに対し、透明導電層が ΙΤΟ力 なる比較例 2の透明導電シートは、ヘイズ値が 高ぐ透明性に劣っていた。
[0106] (実施例 6)
実施例 2の透明導電シートの 2枚を備えたタツチパネルを作製した。具体的には、 絶縁性スぺーサを介して、透明導電層同士が対向するように透明導電シートを配置 した。
そして、先端が半径 3mmの半球状になっているシリコーンゴム又は先端が半径 0. 8mmの半球状になっているポリアセタールペンを押圧体として使用し、それら押圧 体により透明導電シートを押圧した際の透明導電シート同士の接触抵抗を測定した 。なお、前記シリコーンゴムは、人間の指に見立てたものであり、ポリアセタールペン はスタイラスに見立てたものである。その結果を表 3に示す。
[0107] (実施例 7)
実施例 2の透明導電シートを表面側に配置し、比較例 2の ITOを裏面側に配置して タツチパネルを作製した。そして、実施例 6と同様にして接触抵抗値を測定した。その 結果を表 3に示す。
[0108] [表 3]
Figure imgf000042_0001
[0109] 実施例 2の透明導電シートを用いた実施例 6、 7のタツチパネルは、接触抵抗値が 低かった。一対の透明導電シートの両方に実施例 2の透明導電シートを用いた実施 例 6のタツチパネルは、特に接触抵抗値が低力つた。
産業上の利用可能性
[0110] 本発明により、 1000 Ω以下の表面抵抗率、 80%以上の全光線透過率、 5%以下 のヘイズを有し、耐水性、透明基材と透明導電層との密着性、高温高湿の条件下で の表面抵抗率維持性のいずれもが優れたタツチパネル用透明導電シート及びその 製造方法を提供することができる。また、動作信頼性が高ぐ耐久性に優れたタツチ パネルを提供することが可能になる。

Claims

請求の範囲
[1] 透明基材と、該透明基材上に形成された透明導電層を有するタツチパネル用透明 導電シートにおいて、
透明導電層が、 π共役系導電性高分子とポリア-オンとエステル化合物とを含み、 前記エステルイ匕合物力 二つ以上のカルボキシル基を有するカルボン酸類ィ匕合物と 二つ以上のヒドロキシル基を有する多価アルコール類ィヒ合物とを脱水反応させたも のであることを特徴とするタツチパネル用透明導電シート。
[2] 透明導電層が、 2個以上のヒドロキシル基を有するヒドロキシル基含有芳香族性ィ匕 合物、窒素含有芳香族複素環式化合物、アミド基を有する化合物、イミド基を有する 化合物から選ばれる少なくとも 1種力 なる導電性向上剤をさらに含むことを特徴とす る請求項 1に記載のタツチパネル用透明導電シート。
[3] 透明基材と、該透明基材上に形成された透明導電層を有するタツチパネル用透明 導電シートにおいて、
透明導電層が、 π共役系導電性高分子と、ポリア二オンと、下記 (a)及び Ζ又は (b )の重合性ィ匕合物とを含むことを特徴とするタツチパネル用透明導電シート。
(a):グリシジル基を有する化合物。
(b):ァリル基、ビュルエーテル基、メタクリル基、アクリル基、メタクリルアミド基、ァク リルアミド基力 選ばれる 1種と、ヒドロキシル基とを有する化合物。
[4] 透明基材に、導電性高分子塗料を塗布するタツチパネル用透明導電シートの製造 方法において、
前記導電性高分子塗料が、 π共役系導電性高分子とポリア二オンとエステル化合 物とを含み、前記エステルイ匕合物力 二つ以上のカルボキシル基を有するカルボン 酸類ィ匕合物と二つ以上のヒドロキシル基を有する多価アルコール類ィ匕合物とを脱水 反応させたものであることを特徴とするタツチパネル用透明導電シートの製造方法。
[5] 導電性高分子塗料が、 2個以上のヒドロキシル基を有するヒドロキシル基含有芳香 族性化合物、窒素含有芳香族複素環式化合物、アミド基を有する化合物、イミド基を 有する化合物からなる導電性向上剤をさらに含むことを特徴とする請求項 4に記載の タツチパネル用透明導電シートの製造方法。
[6] 透明基材上に、 π共役系導電性高分子と、ポリア二オンと、下記 (a)及び Ζ又は (b )の重合性化合物とを含む導電性高分子塗料を塗布することを特徴とするタツチパネ ル用透明導電シートの製造方法。
(a):グリシジル基を有する化合物。
(b):ァリル基、ビュルエーテル基、メタクリル基、アクリル基、メタクリルアミド基、ァク リルアミド基力 選ばれる 1種と、ヒドロキシル基とを有する化合物。
[7] 一対のタツチパネル用透明導電シートと、一対のタツチパネル用透明導電シートの 間の一部に設けられた絶縁性スぺーサとを備え、タツチパネル用透明導電シートの 透明導電層同士が対向して 、るタツチパネルであって、
一対のタツチパネル用透明導電シートの少なくとも 1方力 請求項 1乃至 3の何れか 1項に記載のタツチパネル用透明導電シートであることを特徴とするタツチパネル。
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