TWI546194B - 抗反射膜及其製造方法 - Google Patents

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Description

抗反射膜及其製造方法
本發明是關於一種以防止外光在窗或顯示器等之表面反射為目的而設置之抗反射膜。尤其是關於一種設置於液晶顯示器(LCD)、CRT(陰極射線管)顯示器、有機電激發光顯示器(ELD)、電漿顯示器(PDP)、表面傳導電子發射顯示器(SED)、場發射顯示器(FED)等顯示器的表面之抗反射膜。特別是關於一種設置於液晶顯示器(LCD)表面之抗反射膜。並且，關於一種設置於透射型液晶顯示器(LCD)表面之抗反射膜。
一般而言，顯示器是無論是在室內或室外使用，皆在外光等會入射的環境下使用。此外光等之入射光在顯示器表面等發生正反射，使得起因於其之反射影像會與顯示影像混合而導致畫面顯示品質降低。因此，對顯示器表面等賦予抗反射功能是必要的措施，因此被要求抗反射功能之高性能化、及抗反射功能以外的功能之複合化。
一般而言，抗反射功能是藉由在透明基材上形成由金屬氧化物等透明材料所構成之高折射率層與低折射率層的重複結構而成的多層結構之抗反射層而獲得。此等由多層結構所構成之抗反射層是可利用如化學蒸鍍(CVD)法、物理蒸鍍(PVD)法之乾式成膜法來形成。
在利用乾式成膜法來形成抗反射層時，則具有可精密地控制低折射率層、高折射率層的膜厚之優點，但是由於必須在真空中進行成膜而存在著生產性低、不適合大量生產的問題。在另一方面，抗反射層之形成方法則有一種利用濕式成膜法之抗反射膜之生產已受到注目，其使用可獲得大面積化、連續式生產、低成本化的塗液。
此外，在此等抗反射層是設置於透明基材上而成之抗反射膜方面，由於其表面比較柔軟，一般則為賦予表面硬度而一向是使用一種設置將丙烯酸酯系材料硬化而獲得之硬質塗層，並在其上形成抗反射層之方法。該硬質塗層由於使用丙烯酸酯系材料而具有高表面硬度、光澤性、透明性及耐擦傷性。
在利用濕式成膜法來形成抗反射層時，由於其係在將此等電離放射線硬化型材料硬化而獲得之硬質塗層之上面至少塗布低折射率層而製造者，相較於乾式成膜法則有可以廉價製造之優點，因此已廣泛上市。
[先前技術文獻] (發明專利文獻)
(發明專利文獻1)日本發明專利特開第2005-202389號公報
(發明專利文獻2)日本發明專利特開第2005-199707號公報
(發明專利文獻3)日本發明專利特開平第11-92750號公報
(發明專利文獻4)日本發明專利特開第2007-121993號公報
(發明專利文獻5)日本發明專利特開第2005-144849號公報
(發明專利文獻6)日本發明專利特開第2006-159415號公報
(發明專利文獻7)日本發明專利特開第2007-332181號公報
藉由在顯示器表面設置抗反射膜，即可由其抗反射功能而抑制外光反射、提高在明處的對比。而且，同時也可提高透射率，因此可更明亮地顯示影像。此外，也可期待抑制背光輸出功率等之節省能源功效。
在抗反射膜方面，一向是要求製造成本低之抗反射膜。此外，在抗反射膜方面，也要求抗反射性能或無干涉不均勻性的光學特性優異之抗反射膜。並且，在抗反射膜方面，由於供設置於顯示器表面而要求高耐擦傷性。並且，在抗反射膜方面，也要求具備用於防止灰塵附著的抗靜電功能之抗反射膜。在本發明方面，係以提供一種製造成本低，且具有優異的光學特性及優異的耐擦傷性及抗靜電功能之抗反射膜為技術問題。
為解決如上所述之技術問題，申請專利範圍第1項之發明是一種抗反射膜，其特徵為其係在透明基材之至少一面將偏在層(localized layer)與低折射率層依此順序所積層而成之抗反射膜，且該偏在層是至少由透明基材側以中間層、硬質塗層、含有導電性材料之抗靜電層、含有調平材料之調平層之順序所偏在而積層，且該調平材料是至少含有具有氟之化合物或具有矽氧烷鍵之化合物。
此外，申請專利範圍第2項之發明是如申請專利範圍第1項之抗反射膜，其中該抗反射膜之平行光線透射率為93%以上，且該抗反射膜之霧度為在1.0%以下之範圍內，且該抗反射膜在低折射率層表面之表面電阻值為在1×105Ω/cm2以上且1×1012Ω/cm2以下之範圍內，且該抗反射膜在低折射率層表面之純水接觸角為在80°以上且130°以下之範圍內。
此外，申請專利範圍第3項之發明是如申請專利範圍第1或2項之抗反射膜，其中該具有氟之化合物是選自具有全氟烷基之化合物或具有氟化烯基之化合物。
此外，申請專利範圍第4項之發明是如申請專利範圍第1至4項中任一項之抗反射膜，其中包含在該導電層之導電性材料是選自四級銨鹽材料、金屬氧化物粒子及導電性高分子。
此外，申請專利範圍第5項之發明是如申請專利範圍第1至4項中任一項之抗反射膜，其中包含在該導電層之導電性材料是含有四級銨鹽材料，且包含在該調平層之調平材料是含有具有氟之化合物，且該四級銨鹽材料的分子量(Q)為1000以上且100000以下，且該具有氟之化合物的分子量(A)為500以上且100000以下。
此外，申請專利範圍第6項之發明是如申請專利範圍第1至3項中任一項之抗反射膜，其中包含在該導電層之導電性材料是含有金屬氧化物粒子，且包含在該調平層之調平材料是含有具有氟之化合物，且該金屬氧化物粒子之平均粒徑為1 nm以上且500 nm以下，且該具有氟之化合物的分子量(A)為500以上且100000以下。
此外，申請專利範圍第7項之發明是如申請專利範圍第1至4項中任一項之抗反射膜，其中包含在該導電層之導電性材料是含有導電性高分子，且包含在該調平層之調平材料是含有具有氟之化合物，且該導電性高分子之平均粒徑為1 nm以上且1000 nm以下，且該具有氟之化合物的分子量(A)為500以上且100000以下。
此外，申請專利範圍第8項之發明是如申請專利範圍第1至4項中任一項之抗反射膜，其中包含在該導電層之導電性材料是含有四級銨鹽材料，且包含在該調平層之調平材料是含有具有矽氧烷鍵之化合物，且該四級銨鹽材料的分子量(Q)為1000以上且100000以下，且該具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)為500以上且100000以下。
此外，申請專利範圍第9項之發明是如申請專利範圍第1至4項中任一項之抗反射膜，其中包含在該導電層之導電性材料是含有金屬氧化物粒子，且包含在該調平層之調平材料是含有具有矽氧烷鍵之化合物，且該金屬氧化物粒子之平均粒徑為1 nm以上且500 nm以下，且該具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)為500以上且100000以下。
此外，申請專利範圍第10項之發明是如申請專利範圍第1至4項中任一項之抗反射膜，其中包含在該導電層之導電性材料是含有導電性高分子，且包含在該調平層之調平材料是含有具有矽氧烷鍵之化合物，且該導電性高分子之平均粒徑為1 nm以上且1000 nm以下，且該具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)為500以上且100000以下。
此外，申請專利範圍第11項之發明是一種抗反射膜之製造方法，其特徵為其係在透明基材之至少一面將偏在層與低折射率層依此順序所積層而成之抗反射膜之製造方法，且具備依下列順序所進行之各步驟：塗布步驟，其係進行在該透明基材之至少一面塗布含有電離放射線硬化型材料、導電性材料、調平材料及溶劑之偏在層形成塗液以形成偏在層之塗膜；乾燥步驟，其係進行將該偏在層之塗膜施加一次乾燥與二次乾燥；硬膜步驟，其係進行對該偏在層之塗膜照射電離放射線以形成偏在層；塗布步驟，其係進行塗布含有低折射率層形成材料與溶劑之低折射率層形成塗液以形成低折射率層之塗膜；乾燥步驟，其係進行將該低折射率層之塗膜加以乾燥；以及硬膜步驟，其係進行形成該低折射率層；且該偏在層係以中間層、硬質塗層、抗靜電層、調平層之順序所偏在而積層，且該調平材料是至少含有具有氟之化合物或具有矽氧烷鍵之化合物。
此外，申請專利範圍第12項之發明是如申請專利範圍第11項之抗反射膜之製造方法，其中包含在該偏在層形成塗液之全部溶劑中之30重量%以上之溶劑是用於將透明基材加以溶解或膨潤之溶劑，且在該偏在層形成塗液中所含有的溶劑之比例為在25重量%以上且85重量%以下之範圍內。
此外，申請專利範圍第13項之發明是如申請專利範圍第11或12項之抗反射膜之製造方法，其中進行將該偏在層之塗膜加以乾燥之乾燥步驟可舉出在乾燥溫度為15℃以上且30℃以下之範圍內所進行之一次乾燥、及在乾燥溫度為40℃以上且150℃以下之範圍內所進行之二次乾燥的二階段式連續乾燥。
根據本發明之抗反射膜及抗反射膜之製造方法，則可提供一種具備低製造成本與優異的光學特性、高耐擦傷性、抗靜電性能之抗反射膜。特別是可製得耐擦傷性優異之抗反射膜。
 [本發明之實施方式]
關於本發明之抗反射膜說明如下。第1圖展示本發明之抗反射膜(1)之截面示意圖。
在本發明之抗反射膜(1)中，則在透明基材(11)之至少一面由透明基材側起依序而具備偏在層(12)、低折射率層(13)。偏在層(12)是含有作為黏合劑基質形成材料的電離放射線硬化型材料、作為導電性材料之四級銨鹽材料或金屬氧化物粒子或導電性高分子、及調平材料，並藉由將電離放射線材料等以電離放射線加以硬化而形成黏合劑基質，而可對抗反射膜賦予高表面硬度。在此，偏在層是由透明基材側起依序以中間層(12a)、硬質塗層(12b)、使該導電性材料偏在之抗靜電層(12c)及使調平材料偏在之調平層(12d)之順序所形成。此外，在本發明之抗反射膜中，該調平材料是至少含有具有氟之化合物或具有矽氧烷鍵之化合物。
在透明基材(11)與偏在層(12)之界面形成有中間層(12a)。在中間層(12a)中，透明基材成分與偏在層之電離放射硬化型材料成分是混合在一起。在中間層(12a)則在厚度方向從透明基材(11)側起朝著低折射率層(13)側而逐漸地從透明基材(11)之折射率變化至硬質塗層(12b)之折射率。
藉由設置從透明基材(11)之折射率而逐漸地變化至硬質塗層(12b)之折射率的中間層(12a)，則可防止在偏在層與透明基材之界面所發生的干涉條紋(interference fringe)之發生。此外，中間層也可提高透明基材(11)與偏在層(12)間之密著性。另外，中間層是可藉由在進行形成偏在層時，使得使透明基材溶解或膨潤之溶劑包含在偏在層形成用塗液中而形成。
藉由就所獲得之抗反射膜由低折射率側以5°入射角測定分光反射率(spectral reflectance)即可確認中間層(12a)之存在。若由所獲得之分光反射率可確認對應於低折射率層的層厚之干涉波峰(分光光譜之波形可觀察到許多脈動)時，則判斷為中間層(12a)並未形成者，其在經將背面加以塗黑處理的外觀檢查中，可觀察到干涉條紋不均勻性。在另一方面，由所獲得之分光反射率無法確認對應於低折射率層的層厚之干涉波峰時，則判斷為中間層(12a)是已形成者，在經將背面加以塗黑處理的外觀檢查中，則完全觀察不到干涉不均勻性。
另外，所謂的「干涉條紋、干涉不均勻性」是由於光學干涉所造成的色不均勻性之一種，主要是起因於透明基材與硬質塗層之折射率差者，且在膜厚為厚時複數之光學干涉同時發生而可以彩虹色狀觀察到色不均勻性的現象。所謂的「色不均勻性」是意謂起因於低折射率層之膜厚不均勻性的反射色不均勻性而導致面內之色偏差增大的現象。
硬質塗層(12b)主要是以電離放射線硬化型材料為成分，用於提高抗反射膜之表面硬度並賦予耐擦傷性。硬質塗層是可由偏在層表面之鉛筆硬度來判斷是否有形成。
此外，抗靜電層(12c)是將導電性材料加以偏在，並對抗反射膜賦予抗靜電性能。藉由使得導電性材料偏在，即可使得使用量比分散導電性材料更為降低，而減少製造成本。抗靜電層是可由抗反射膜之表面電阻值來判斷抗靜電層是否有形成。
此外，調平層(12d)是使調平材料偏在於抗靜電層上。調平層是提高偏在層與低折射率層之密著性、防止低折射率層由偏在層剝離並對抗反射膜賦予耐擦傷性。
在本發明之抗反射膜中，在偏在層(12)中形成有調平層(12d)之判斷是利用X-射線光電子分光分析裝置(XPS)的表面分析即可加以判斷是否有形成。
此外，利用X-射線光電子分光分析裝置(XPS)的深度方向分析(depth profile)也可加以判斷有無調平層下面之抗靜電層(12c)。
XPS是分析試料表面的化學狀態之裝置。當對試料照射X射線(能量：hν)時，元素內之內殼電子則因光電效應而被趕出，此時光電子之動能(Ek)是可以通式(A)Ek=hν-Eb-φ代表。其中，Eb是內殼電子之能階(束縛能(binding energy))、φ是裝置或試料之功函數。此外，Eb是元素固有之值且會因其元素之化學狀態而變化。另一方面，電子在固體內可仍舊保持著能量下所通過的距離充其量為數十。XPS是一種藉由測定從試料表面所釋放出的光電子之Ek與其數目，即可分析從試料表面至數十之深度為止所存在的元素之種類、數量及化學狀態之裝置。而且，XPS是藉由與離子蝕刻組合使用，即可進行深度方向分析。
設置在偏在層(12)上之低折射率層(13)是對抗反射膜賦予抗反射功能。此時之低折射率層(13)的膜厚(d)是設計成使得將低折射率層之折射率(n)乘以該膜厚(d)所獲得之光學膜厚(nd)值是與可見光之波長的1/4為相等。低折射率層(13)是藉由將含有低折射率層形成材料之塗液塗布於偏在層上而形成。
當使得偏在層形成材料含有導電性材料並使其等偏在、且在偏在層表面形成低折射率層時，經使得導電性材料偏在而成之抗靜電層與抗靜電層上的低折射率層之密著性不佳，其結果，則有時會因低折射率層之剝離而導致耐擦傷性降低。然而，本發明之發明人等卻發現藉由對含有電離放射線硬化型材料、導電性材料的偏在層形成用塗液進一步加入調平材料，而在經使導電性材料偏在而成之抗靜電層上形成調平層，使得偏在層與低折射率層之密著性提高，即可製成耐擦傷性為高之抗反射膜而終於達成本發明。
在偏在層之最表面有導電性材料是偏在時，由於低折射率層形成材料與導電性材料發生電性推斥而降低偏在層與低折射率層之密著力，因此抗反射膜之耐擦傷性會降低。此外，若低折射率層形成材料與導電性材料之電性推斥作用為更強烈時，在進行塗布低折射率層形成塗液時，則有可能導致發生如魚眼狀塗布疵等缺陷的情況。此外，若在低折射率層形成材料中含有撥水材料時，則也有可能因導電性材料與低折射率層材料中的撥水材料之電性推斥作用而導致無法獲得吾所欲之防污性能的情況。
此外，在本發明則可藉由塗布偏在層形成用塗液來同時形成將成為中間層、硬質塗層、抗靜電層、調平層的偏在層。因此，相較於在透明基材上依序而塗布形成硬質塗層及抗靜電層的情況，則可抑制製造成本。
偏在層(12)中，導電性材料是比屬黏合劑基質形成材料的電離放射線硬化型材料較容易往表面析出，且調平材料是比導電性材料為更容易往表面析出。因此，在形成偏在層時，則藉由控制乾燥溫度、時間之條件來使其等偏在化，即可加以分離成中間層、硬質塗層、抗靜電層、調平層而以此等層構成來作為偏在層。
中間層(12a)是由偏在層之黏合劑基質成分與三乙醯基纖維素成分所構成。中間層(12a)是在厚度方向從透明基材(11)側起朝著低折射率層(13)側而逐漸地從透明基材(11)之折射率起變化至屬低折射率層之黏合劑基質的折射率之硬質塗層(12b)之折射率。藉由設置從透明基材(11)之折射率起至硬質塗層(12b)之折射率而逐漸地變化之中間層(12a)，即可防止在偏在層與透明基材之界面所發生的干涉條紋之發生。此外，中間層也可提高透明基材(11)與偏在層(12)間之密著性。
硬質塗層(12b)是可含有屬黏合劑基質成分的電離放射線硬化型材料與導電性材料及調平材料。其係主要由屬黏合劑基質成分的電離放射線硬化型材料所構成，且由於黏合劑基質成分是大量偏在而存在，可使得抗反射膜獲得表面硬度。
抗靜電層(12c)是可含有屬黏合劑基質成分的電離放射線硬化型材料與導電性材料及調平材料。由於導電性材料是大量偏在而存在，可顯現抗靜電功能、可製成具有抗靜電功能之抗反射膜。
調平層(12d)是可含有屬黏合劑基質成分的電離放射線硬化型材料與調平材料。其係主要由調平材料所構成而並未含有導電性材料。若導電性材料存在於偏在層之最表面時，在偏在層上進行形成低折射率層時，由於偏在層與低折射率層之密著力降低，抗反射膜之耐擦傷性則將降低。然而，在本發明之抗反射膜中，由於調平材料之表面張力卻比屬導電性材料之導電性材料低，可容易地對最表面形成未含有屬導電性材料之導電性材料之層。
本發明之抗反射膜在進行形成低折射率層時，則不受到導電性材料的影響。因此，可防止偏在層與低折射率層之密著力降低、可對抗反射膜賦予高表面硬度，以製成耐擦傷性優異、防污性優異之抗反射膜。
本發明之抗反射膜較佳為其抗反射膜之平行光線透射率為93%以上，且抗反射膜之霧度為在1.0%以下之範圍內，且抗反射膜在低折射率層表面之表面電阻值為在1×105Ω/cm2以上且1×1012Ω/cm2以下之範圍內，且抗反射膜在低折射率層表面之純水接觸角為在80°以上且130°以下之範圍內。
若抗反射膜之平行光線透射率為低於93%時、或霧度為超過1.0%時，則透明感會喪失而有可能導致呈白濁(褪色發白)使得顯示器之對比降低的情況。另外，在本發明之抗反射膜是其平行光線透射率愈高愈佳，霧度則愈低愈佳。但是，抗反射膜之平行光線透射率較佳為在93%以上且98%以下之範圍內。若考慮及目前可想到之使用材料時，若欲製造平行光線透射率為超過98%之抗反射膜時，則會有困難。此外，抗反射膜之霧度較佳為在0.05%以上且0.5%以下之範圍內。若考慮及目前可想到之使用材料時，若欲製造霧度為低於0.05%之抗反射膜時，則會有困難。
此外，表面電阻值較佳為在1×105Ω/cm2以上且1×1012Ω/cm2以下之範圍內。另外，若製造在抗反射膜表面之表面電阻值為低於1×105Ω/cm2之抗反射膜時，則由於需要大量作為導電性材料之四級銨鹽材料、金屬氧化物粒子或導電性高分子，而有可能導致無法進行形成本發明之偏在層的情況。並且，也有可能導致透明性(全光線透射率值)降低的情況。若抗反射膜表面之表面電阻值為在1×1010Ω/cm2至1×1012Ω/cm2之狀態時，在一般的情況則被稱為其係屬在動態的狀態下且灰塵不附著之範圍，若使用於顯示器最表面時，則需要此條件。因此，在本發明則視為以1×1012Ω/cm2以下為較佳。
另外，上述表面電阻值之測定方法是可根據JIS-K6911(1995)進行測定。
此外，在本發明之抗反射膜是純水接觸角較佳為在80°以上且130°以下之範圍內。藉由將純水接觸角設定為80°以上，即可對低折射率層賦予優異的防污性。此外，藉由設定為在130°以下之範圍內，由於在形成低折射率層時偏在層與低折射率層之密著會變得良好，因此可賦予高表面硬度、可製成耐擦傷性優異、防污性優異之抗反射膜。
另外，若純水接觸角為超過130°時，則有可能在形成低折射率層時會發生魚眼狀塗布疵而無法進行形成低折射率層的顧慮。此外，若純水接觸角為小於80°時，則有可能導致無法獲得充分的防污性的情況。
另外，純水接觸角之測定方法是可根據JIS R3257(1999)進行測定。具體而言，其係使用接觸角計以乾燥狀態(20℃、65% RH)在針尖形成液滴，並將此接觸於試料(固體)之表面而形成液滴後，測定該接觸角即可求得。所謂的「接觸角」是意謂在固體與液體所接觸之點的對液體表面之接線與固體表面所形成之角，且以包含液體之側的角度所定義。液體是使用蒸餾水。
在本發明之抗反射膜中，包含在調平層之調平材料之特徵為該調平材料是至少含有具有氟之化合物或具有矽氧烷鍵之化合物。此時，具有氟之化合物較佳為選自具有全氟烷基之化合物或具有氟化烯基之化合物。另外，作為調平材料的具有氟之化合物或具有矽氧烷鍵之化合物的具體實例是如後所述者。
此外，在本發明之抗反射膜中，包含在導電層之導電性材料較佳為選自四級銨鹽材料、金屬氧化物粒子及導電性高分子。另外，選自四級銨鹽材料、金屬氧化物粒子及導電性高分子之導電性材料的具體實例是如後所述者。
此外，在本發明之抗反射膜中，若包含在該導電層之導電性材料是含有四級銨鹽材料，且包含在調平層之調平材料是含有具有氟之化合物時，則較佳為四級銨鹽材料的分子量(Q)為1000以上且100000以下，且具有氟之化合物的分子量(A)為500以上且100000以下。藉由將四級銨鹽材料的分子量(Q)及具有氟之化合物的分子量(A)設定為在既定的範圍內，則可形成由透明基材側以中間層、硬質塗層、抗靜電層、調平層之順序所偏在而積層之偏在層。
若使用於偏在層之四級銨鹽材料的分子量(Q)為低於1000時，則四級銨鹽材料容易偏在於偏在層表面而使得調平層無法形成，四級銨鹽材料存在於偏在層之表面。此時，低折射率層形成材料與四級銨鹽材料會進行電性推斥而使得偏在層與低折射率層之密著力降低，所獲得抗反射膜之耐擦傷性降低。在另一方面，若四級銨鹽材料的分子量(Q)為超過100000時，則無法使得四級銨鹽材料偏在而形成抗靜電層。此外，若具有氟之化合物的分子量(A)為超過100000時，則導電性材料與調平材料將混合在一起而形成層，抗靜電層及/或調平層無法形成。
此外，若使用於偏在層之作為調平材料的具有氟之化合物的分子量(A)為超過100000時，則導電性材料與調平材料將混合在一起而形成層，抗靜電層及/或調平層無法形成，因此無法製成具備充分的抗靜電性之抗反射膜。另外，作為調平材料的具有氟之化合物的分子量(A)較佳為100000以下，若考慮及已市售的調平材料時，則具有氟之化合物的分子量(A)較佳為500以上且100000以下。
此外，在本發明之抗反射膜中，若包含在導電層之導電性材料是含有金屬氧化物粒子，且包含在調平層之調平材料是含有具有氟之化合物時，則較佳為設定金屬氧化物粒子之平均粒徑為1 nm以上且500 nm以下，且具有氟之化合物的分子量(A)為500以上且100000以下。藉由將金屬氧化物粒子之平均粒徑及具有氟之化合物的分子量(A)設定為在既定的範圍內，則可形成由透明基材側以中間層、硬質塗層、抗靜電層、調平層之順序所偏在而積層之偏在層。
金屬氧化物粒子之平均粒徑為超過500 nm時，則金屬氧化物粒子容易偏在於偏在層表面，使得金屬氧化物粒子存在於偏在層之表面。此時，低折射率層形成材料與金屬氧化物粒子會進行電性推斥而使得偏在層與低折射率層之密著性降低，所獲得抗反射膜之耐擦傷性降低。另外，在本發明之抗反射膜中，用作為導電性材料之金屬氧化物粒子之平均粒徑是只要其為500 nm以下則亦無妨，若考慮及已市售的金屬氧化物粒子之平均粒徑時，則金屬氧化物粒子之平均粒徑較佳為1 nm以上且500 nm以下。
此外，若使用於偏在層之作為調平材料的具有氟之化合物的分子量(A)為超過100000時，則導電性材料與調平材料將混合在一起而形成層，抗靜電層及/或調平層無法形成，因此無法製成具備充分的抗靜電性之抗反射膜。另外，作為調平材料的具有氟之化合物的分子量(A)是只要其為100000以下則亦無妨，若考慮及已市售的調平材料時，則具有氟之化合物的分子量(A)較佳為500以上且100000以下。
此外，在本發明之抗反射膜中，若包含在導電層之導電性材料是含有導電性高分子，且包含在調平層之調平材料是含有具有氟之化合物時，則較佳為導電性高分子之平均粒徑為1 nm以上且1000 nm以下，且具有氟之化合物的分子量(A)為500以上且100000以下。藉由將導電性高分子之平均粒徑及具有氟之化合物的分子量(A)設定為在既定的範圍內，則可形成由透明基材側以中間層、硬質塗層、抗靜電層、調平層之順序所偏在而積層之偏在層。
若導電性高分子之平均粒徑為超過1000 nm時，則金屬氧化物粒子容易偏在於偏在層表面，使得導電性高分子偏在於偏在層之表面。此時，低折射率層形成材料與導電性高分子會進行電性推斥而使得偏在層與低折射率層之密著力降低，所獲得抗反射膜之耐擦傷性降低。另外，在本發明之抗反射膜中，用作為導電性材料之導電性高分子之平均粒徑是只要其為1000 nm以下則亦無妨，若考慮及已市售的導電性高分子之平均粒徑時，則導電性高分子之平均粒徑較佳為1 nm以上且1000 nm以下。
此外，若使用於偏在層之作為調平材料的具有氟之化合物的分子量(A)為超過100000時，則導電性材料與調平材料將混合在一起而形成層，抗靜電層及/或調平層無法形成，因此無法製成具備充分的抗靜電性之抗反射膜。另外，作為調平材料的具有氟之化合物的分子量(A)是只要其為100000以下則亦無妨，若考慮及已市售的調平材料時，則具有氟之化合物的分子量(A)較佳為500以上。
此外，在本發明之抗反射膜中，若包含在該導電層之導電性材料是含有四級銨鹽材料，且含在調平層之調平材料是具有矽氧烷鍵之化合物時，則較佳為四級銨鹽材料的分子量(Q)為1000以上且100000以下，且具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)為500以上且100000以下。藉由將四級銨鹽材料的分子量(Q)及具有氟之化合物的分子量(A)設定為在既定的範圍內，則可形成由透明基材側以中間層、硬質塗層、抗靜電層、調平層之順序所偏在而積層之偏在層。
若使用於偏在層之四級銨鹽材料的分子量(Q)為低於1000時，則四級銨鹽材料容易偏在於偏在層表面而使得調平層無法形成，四級銨鹽材料偏在於偏在層之表面。此時，低折射率層形成材料與四級銨鹽材料會進行電性推斥而使得偏在層與低折射率層之密著力降低，所獲得抗反射膜之耐擦傷性降低。在另一方面，若四級銨鹽材料的分子量(Q)為超過100000時，則無法使得四級銨鹽材料偏在而形成抗靜電層。此外，若具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(A)為超過100000時，則導電性材料與調平材料將混合在一起而形成層，抗靜電層及/或調平層無法形成。
此外，若使用於偏在層之作為調平材料的具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)為超過100000時，則導電性材料與調平材料將混合在一起而形成層，抗靜電層及/或調平層無法形成，無法製成具備充分的抗靜電性之抗反射膜。另外，作為調平材料的具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)是只要其為100000以下則亦無妨，若考慮及已市售的調平材料時，則具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)較佳為500以上且100000以下。
此外，在本發明之抗反射膜中，若包含在導電層之導電性材料是含有金屬氧化物粒子，且含在調平層之調平材料是含有具有矽氧烷鍵之化合物時，則較佳為設定金屬氧化物粒子之平均粒徑為1 nm以上且500 nm以下，且具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)為500以上且100000以下。藉由將金屬氧化物粒子之平均粒徑及具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)設定為在既定的範圍內，則可形成由透明基材側以中間層、硬質塗層、抗靜電層、調平層之順序所偏在而積層之偏在層。
金屬氧化物粒子之平均粒徑為超過500 nm時，則金屬氧化物粒子容易偏在於偏在層表面，使得金屬氧化物粒子存在於偏在層之表面。此時，低折射率層形成材料與四級銨鹽材料會進行電性推斥而使得偏在層與低折射率層之密著性降低，所獲得抗反射膜之耐擦傷性降低。另外，在本發明之抗反射膜中，用作為導電性材料之金屬氧化物粒子之平均粒徑是只要其為500 nm以下則亦無妨，若考慮及已市售的金屬氧化物粒子之平均粒徑時，則金屬氧化物粒子之平均粒徑較佳為1 nm以上且500 nm以下。
此外，若使用於偏在層之作為調平材料的具有氟之化合物的分子量(A)為超過100000時，則導電性材料與調平材料將混合在一起而形成層，抗靜電層及/或調平層無法形成，因此無法製成具備充分的抗靜電性之抗反射膜。另外，作為調平材料的具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)是只要其為100000以下則亦無妨，若考慮及已市售的調平材料時，則具有氟之化合物的分子量(A)較佳為500以上且100000以下。
此外，在本發明之抗反射膜中，若包含在導電層之導電性材料是含有導電性高分子，且包含在調平層之調平材料是含有具有氟之化合物時，則較佳為導電性高分子之平均粒徑為1 nm以上且1000 nm以下，且具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)為500以上且100000以下。藉由將導電性高分子之平均粒徑及具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)設定為在既定的範圍內，則可形成由透明基材側以中間層、硬質塗層、抗靜電層、調平層之順序所偏在而積層之偏在層。
導電性高分子之平均粒徑為超過1000 nm時，則金屬氧化物粒子容易偏在於偏在層表面，使得金屬氧化物粒子存在於偏在層之表面。此時，低折射率層形成材料與四級銨鹽材料會進行電性推斥而使得偏在層與低折射率層之密著力降低，所獲得抗反射膜之耐擦傷性降低。用作為導電性材料之導電性高分子之平均粒徑是只要其為1000 nm以下則亦無妨，若考慮及已市售的導電性高分子之平均粒徑時，則導電性高分子之平均粒徑較佳為1 nm以上且1000 nm以下。
此外，若使用於偏在層之作為調平材料的具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)為超過100000時，則導電性材料與調平材料將混合在一起而形成層，抗靜電層及/或調平層無法形成，因此無法製成具備充分的抗靜電性之抗反射膜。另外，作為調平材料的具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)是只要其為100000以下則亦無妨，若考慮及已市售的調平材料時，則具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)較佳為500以上。
另外，在本發明中，所謂的「分子量」是意指分子量為1000以下時，為由結構式所計算得的分子量，而分子量為超過1000時，則為重量平均分子量。
另外，在本發明中，金屬氧化物粒子之平均粒徑及導電性高分子之平均粒徑是以光散射法所求得。
此外，在本發明之抗反射膜中，較佳為低折射率層之光學膜厚為在80 nm以上且200 nm以下之範圍內。藉由將低折射率層之光學膜厚設定為在80 nm以上且200 nm以下之範圍內，可使得由抗反射膜之表面(A)側所求得之分光反射率曲線變成在500 nm附近獲得極小值之分光反射率曲線，可製成抗反射性優異之抗反射膜。
分光反射率曲線中以極小值作為基準而朝短波長方向的上升曲線是顥現有比朝長波長方向的上升曲線陡峭的傾向。此時，分光反射率曲線中以極小值作為基準時的朝短波長方向之陡峭的上升曲線則將構成所形成的抗反射膜之反射光的色態之原因，並且，構成偏在層發生膜厚不均勻性時的色不均勻性之發生原因。在本發明中，由於使得分光反射率曲線之極小值位於500 nm附近，反射色相為小，因此可抑制由於朝短波長方向之陡峭的上升曲線所引起色不均勻性之發生。
此外，在本發明之抗反射膜中，在抗反射膜之低折射率層形成面(表面(A))之視感平均反射率(average luminous reflectance)較佳為在0.5%以上且2.0%以下之範圍內。
若在抗反射膜之低折射率層形成面(表面(A))之視感平均反射率為超過2.5%時，則無法製成具備充分的抗反射功能之抗反射膜。另一方面，以偏在層之光學干涉來實現在抗反射膜表面之視感平均反射率為0.2%之抗反射膜則會有困難。另外，在偏在層表面之視感平均反射率較佳為在0.2%以上且2.0%以下之範圍內。
此外，在本發明之抗反射膜中，若使用四級銨鹽材料作為偏在層中之導電性材料時，則偏在層中作為導電性材料之四級銨鹽材料的含量較佳為0.5重量%以上且少於25重量%。若偏在層中作為導電性材料之四級銨鹽材料的含量為少於0.5重量%時，則有可能導致無法獲得充分的抗靜電性能的情況。在另一方面，若作為導電性材料之四級銨鹽材料的含量為超過25重量%時，則調平層無法順利形成。此外，由於作為導電性材料之四級銨鹽材料並未具有硬質塗膜性，因此抗反射膜之硬度與耐擦傷性有可能會降低。此外，成本也將增高。
此外，在本發明之抗反射膜中，偏在層中之導電性材料是使用金屬氧化物粒子時，則偏在層中作為導電性材料之金屬氧化物粒子的含量較佳為0.5重量%以上且少於25重量%。若偏在層中作為導電性材料之金屬氧化物粒子的含量為少於0.5重量%時，則有可能導致無法獲得充分的抗靜電性能的情況。在另一方面，若作為導電性材料之金屬氧化物粒子的含量為超過25重量%時，則調平層無法順利形成。
此外，在本發明之抗反射膜中，若偏在層中之導電性材料是使用導電性高分子時，則在偏在層中作為導電性材料之導電性高分子的含量較佳為0.1重量%以上且少於25重量%。若偏在層中作為導電性材料之導電性高分子的含量為少於0.1重量%時，則有可能導致無法獲得充分的抗靜電性能的情況。在另一方面，若作為導電性材料之導電性高分子的含量為超過25重量%時，則調平層無法順利形成。此外，由於作為導電性材料之導電性高分子並未具有硬質塗膜性，因此抗反射膜之硬度與耐擦傷性有可能會降低。此外，成本也將增高。
偏在層中之作為調平材料的具有氟之化合物、具有矽氧烷鍵之化合物的含量較佳為在0.001重量%以上且少於5.00重量%之範圍內。若偏在層中之調平材料的含量為少於0.001重量%時，則調平層無法形成，且由於導電性材料是存在於偏在層之最表面，因此耐擦傷性會降低，並且有可能導致會阻礙到低折射率層之形成的情況。在另一方面，若調平材料的含量為超過5.00重量%時，則有可能導致醯胺層變厚、抗靜電功能降低的情況。
就本發明之抗反射膜之製造方法說明如下。
本發明之抗反射膜之製造方法，其特徵為其係在透明基材之至少一面將偏在層與低折射率層依此順序所積層而成之抗反射膜之製造方法，且具備依下列順序所進行之各步驟；塗布步驟，其係進行在該透明基材之至少一面塗布含有電離放射線硬化型材料、導電性材料、調平材料及溶劑之偏在層形成塗液以形成偏在層之塗膜；乾燥步驟，其係進行將該偏在層之塗膜施加一次乾燥與二次乾燥；硬膜步驟，其係進行對該偏在層之塗膜照射電離放射線以形成偏在層；塗布步驟，其係進行塗布含有低折射率層形成材料與溶劑之低折射率層形成塗液以形成低折射率層之塗膜；乾燥步驟，其係進行將該低折射率層之塗膜加以乾燥；以及硬膜步驟，其係進行形成該低折射率層；且該偏在層係以中間層、硬質塗層、抗靜電層、調平層之順序所偏在而積層
在本發明中，藉由設置對偏在層之塗膜施加一次乾燥之乾燥步驟、及在經一次乾燥之乾燥步驟後對偏在層之塗膜施加二次乾燥之乾燥步驟，則可在偏在層中依照中間層、硬質塗層、使導電性材料偏在的抗靜電層、使前述調平材料偏在的調平層之順序而使其等偏在。
在第2圖是展示本發明之抗反射膜之製造裝置的一實例之示意圖。
本發明之抗反射膜之製造裝置是依序而具備：在透明基材上塗布含有電離放射線硬化型材料之黏合劑基質形成材料、導電性材料、調平材料、及含有溶劑之偏在層形成用塗液以形成塗膜之塗布裝置(21)；對該偏在層之塗膜施加一次乾燥之一次乾燥裝置(22a)與施加二次乾燥之二次乾燥裝置(22b)之兩套乾燥裝置(22)；及對該偏在層之塗膜照射電離放射線以將偏在層加以硬膜形成之電離放射線照射裝置(23)。藉由將透明基材自捲出部(31)連續輸送至捲取部(32)而在透明基材上形成偏在層。
其次，藉由在偏在層上塗布低折射率層形成塗液以形成低折射率層塗膜之塗布步驟、將該低折射率層之塗膜加以乾燥之乾燥步驟、以及形成該低折射率層之硬膜步驟，則可形成低折射率層。此時，在形成低折射率層的硬膜步驟中，若低折射率層形成材料是使用電離放射線硬化型材料時，則藉由照射電離放射線硬膜而形成低折射率層。在另一方面，若低折射率層形成材料是使用熱硬化型材料時，則藉由加熱硬膜而形成低折射率層。在形成低折射率層時，也可使用如第2圖所示之製造裝置在偏在層上形成低折射率層而製造抗反射膜。另外，藉由連續地進行形成偏在層、與形成低折射率層之前述步驟也可製造抗反射膜。
在本發明之抗反射膜之製造方法，在偏在層形成用塗液所含有的全部溶劑中之30重量%以上之溶劑是使前述透明基材溶解或膨潤之溶劑，且較佳為在該偏在層形成用塗液中含有25重量%以上且85重量%以下之比例的溶劑。藉由在透明基材上使用在包含在包括黏合劑基質形成材料與導電性材料、調平材料之偏在層形成用塗液的全部溶劑之中，以30重量%以上之範圍內含有使透明基材溶解或膨潤之溶劑，且使溶劑以25重量%以上且85重量%以下之比例包含在該偏在層形成用塗液中，即可形成具備導電性材料、調平材料是偏在的抗靜電層、及調平層之偏在層。
在透明基材上塗布偏在層形成用塗液而形成塗膜後直至乾燥為止之步驟中，塗液所含有的使透明基材溶解或膨潤之溶劑會朝向透明基材浸透，伴隨著黏合劑基質形成材料成分也會朝向透明基材浸透並與基材混合而形成中間層。在另一方面，由於導電性材、調平材料是不容易對透明基材浸透，因此會朝向與透明基材側為相對的抗靜電層及調平層側進行偏析而形成偏在層。
藉由使用包含在偏在層形成用塗液的全部溶劑中使透明基材溶解或膨潤之溶劑為在30重量%以上之範圍內之使透明基材溶解或膨潤之溶劑，即可在透明基材與偏在層間形成由透明基材成分與黏合劑基質成分所構成之中間層，並且可有效率地形成偏在層。另外，若在全部溶劑之中使透明基材溶解或膨潤之溶劑為少於30重量%時，則有可能導致無法形成偏在層的情況。藉由將偏在層之塗液中的溶劑量設定為在該範圍內，則可獲得充分的塗膜中之作為導電性材料之四級銨鹽材料或金屬氧化物粒子或導電性高分子、及調平材料進行偏在而形成偏在層為止之時間，可容易地進行製造偏在層。
另外，若偏在層形成用塗液中的溶劑量為少於25重量%時，則有因塗膜急劇地乾燥而無法形成偏在層的顧慮。在另一方面，若偏在層形成用塗液中的溶劑量為超過85重量%時，則有因需要延長乾燥時間而不適用於大量生產的傾向。
在本發明之抗反射膜之製造方法，較佳為在進行乾燥偏在層之塗膜的乾燥步驟可舉出在乾燥溫度為15℃以上且30℃以下之範圍內所進行之一次乾燥、及在乾燥溫度為40℃以上且150℃以下之範圍內所進行之二次乾燥的二階段式連續乾燥。乾燥步驟較佳為在剛塗布後，在乾燥溫度為15℃以上且30℃以下之範圍內進行一次乾燥。藉由將一次乾燥溫度設定為在15℃以上且30℃以下之範圍內，則可獲得充分的在偏在層之塗膜中之作為導電性材料之四級銨鹽材料或金屬氧化物粒子或導電性高分子、及調平材料進行偏在而形成偏在層為止之時間。
另外，若在一次乾燥時之乾燥溫度為超過30℃時，則有因塗膜急劇地乾燥而無法形成偏在層的顧慮。在另一方面，若乾燥溫度為低於15℃時，則因需要延長乾燥時間而不適合於連續式生產。
此外，較佳為在乾燥溫度為50℃以上且150℃以下之範圍內進行二次乾燥。藉由將二次乾燥溫度設定為在50℃以上且150℃以下之範圍內，則可形成由透明基材側以中間層、硬質塗層、抗靜電層、調平層之順序所偏在而積層之偏在層。另外，若乾燥溫度為超過150℃時，則有因溶劑之蒸發速度太快而導致偏在層之表面變粗糙而發生霧化的顧慮。在另一方面，若乾燥溫度為低於50℃時，則溶劑會殘留於偏在層而變成並未具有硬質塗膜性之偏在層。
此外，僅施加前述一次乾燥時，則有乾燥不充分的情況，因此，經一次乾燥後，也會兼用在乾燥溫度為50℃以上且150℃以下之範圍內的加熱乾燥進行適度的加熱乾燥作為二次加熱。在乾燥步驟中，藉由以前述乾燥溫度施加一次乾燥及二次乾燥，則可容易地製造偏在層(12)。此外，為進行偏在層之各層的分離而施加一次乾燥，在二次乾燥是藉由在50℃以上且150℃以下之範圍內的加熱乾燥而進行適度的加熱乾燥來移除溶劑。
另外，在本發明之抗反射膜之製造方法中，較佳為將偏在層之塗膜加以乾燥之乾燥步驟是設定為偏在層之塗膜中所含有的溶劑達到10重量%以下之時間為在2秒鐘以上且60秒鐘以下之範圍內。
藉由將在透明基材上形成前述偏在層之塗膜後，直至包含在透明基材上的由偏在層形成用塗液所構成的塗膜中之溶劑達到10重量%以下為止之時間設定為在2秒鐘以上且60秒鐘以下之範圍內，則可獲得充分的塗膜中之導電性材料及調平材料進行偏在而形成偏在層為止之時間，因此可容易地形成具備抗靜電層及調平層之偏在層。
此外，若在偏在層之塗膜中所含有的溶劑達到10重量%以下為止之時間是短於2秒鐘時，則有可能因偏在層之塗膜急劇地乾燥而導致無法形成抗靜電層及調平層的情況。另外，若在偏在層之塗膜中所含有的溶劑達到10重量%以下為止之時間是超過60秒鐘時，則所需時間過長而不合經濟效益。在以逐片方式形成偏在層時，也因生產間隔時間(tact time)變得太長而導致生產性降低，因此為不佳。
在下文中，則更進一步就本發明之抗反射膜及抗反射膜之製造方法詳加說明。
在本發明之抗反射膜中，所使用的透明基材是可使用由各種有機高分子所構成之薄膜或薄片。例如可列舉通常被使用於顯示器等光學構件之基材，並且考慮及透明性或光之折射率等光學特性、以及耐衝撃性、耐熱性、耐久性等各物性而可使用由聚乙烯、聚丙烯等之聚烯烴系、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯系、三乙醯基纖維素、二乙醯基纖維素、賽璐玢等之纖維素系、6-尼龍、6,6-尼龍等之聚醯胺系、聚甲基丙烯酸甲酯等之丙烯酸酯系、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚醯亞胺、聚乙烯醇、聚碳酸酯、伸乙基乙烯醇等之有機高分子所構成者。特別是較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、三乙醯基纖維素、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯。其中，三乙醯基纖維素是因雙折射率為小、透明性良好而可合適地用於液晶顯示器方面。
另外，透明基材之厚度較佳為在25μm以上且200μm以下之範圍內，並且較佳為在40μm以上且80μm以下之範圍內。
並且，也可使用經藉由對此等有機高分子添加習知的添加劑，例如紫外線吸收劑、紅外線吸收劑、塑化劑、滑劑、著色劑、抗氧化劑、阻燃劑等而附加功能者。此外，透明基材也可為由選自前述有機高分子中之一種或兩種以上之混合物、或聚合物所構成者，也可為經積層數層而成者。
其次，就偏在層說明如下。
在形成偏在層時，黏合劑基質形成材料是含有電離放射線硬化型材料。電離放射線硬化型材料是可使用丙烯酸酯系材料。丙烯酸酯系材料是可使用如多元醇之(丙烯酸或甲基丙烯酸)酯之類的單官能或多官能之(甲基)丙烯酸酯化合物、如可由二異氰酸酯與多元醇及丙烯酸或甲基丙烯酸之羥基酯等所合成的之類的多官能之胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物。除了此等之外，電離放射線型材料是可使用具有丙烯酸酯系官能基之聚醚樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂、醇酸樹脂、螺縮醛樹脂、聚丁二烯樹脂、聚硫醇多烯樹脂等。
另外，在本發明中，所謂的「(甲基)丙烯酸酯」是意謂「丙烯酸酯」與「甲基丙烯酸酯」兩者。例如，「胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯」是表示「胺基甲酸酯丙烯酸酯」與「胺基甲酸酯甲基丙烯酸酯」兩者。
「單官能之(甲基)丙烯酸酯化合物」可舉出例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、丙烯醯基啉、N-乙烯基吡咯啶酮、丙烯酸四氫呋喃甲酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、(甲基)丙烯酸2-乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸3-甲氧基丁酯、(甲基)丙烯酸乙基卡必醇酯、磷酸(甲基)丙烯酸酯、經環氧乙烷改質之磷酸(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧酯、經環氧乙烷改質之(甲基)丙烯酸苯氧酯、經環氧丙烷改質之(甲基)丙烯酸苯氧酯、(甲基)丙烯酸壬基苯酚酯、經環氧乙烷改質之(甲基)丙烯酸壬基苯酚酯、經環氧丙烷改質之(甲基)丙烯酸壬基苯酚酯、(甲基)丙烯酸甲氧基二甘醇酯、聚(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基丙二醇酯、鄰苯二甲酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙基-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、鄰苯二甲酸氫2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、鄰苯二甲酸氫2-(甲基)丙烯醯氧基丙酯、六氫鄰苯二甲酸氫2-(甲基)丙烯醯氧基丙酯、四氫鄰苯二甲酸氫2-(甲基)丙烯醯氧基丙酯、(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸三氟乙酯、(甲基)丙烯酸四氟丙酯、(甲基)丙烯酸六氟丙酯、(甲基)丙烯酸八氟丙酯、(甲基)丙烯酸八氟丙酯、及具有衍生自2-金剛烷及金剛烷二醇之一價單(甲基)丙烯酸酯之丙烯酸金剛烷酯等金剛烷衍生物單(甲基)丙烯酸酯等。
前述「二官能之(甲基)丙烯酸酯化合物」可舉出例如二(甲基)丙烯酸乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸二甘醇酯、二(甲基)丙烯酸丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸己二醇酯、二(甲基)丙烯酸壬二醇酯、乙氧基化二(甲基)丙烯酸己二醇酯、丙氧基化二(甲基)丙烯酸己二醇酯、二(甲基)丙烯酸二甘醇酯、聚二(甲基)丙烯酸乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸三伸丙二醇酯、聚二(甲基)丙烯酸丙二醇酯、二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、乙氧基化二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、二(甲基)丙烯酸三伸丙二醇酯、羥基三甲基乙酸二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯等之二(甲基)丙烯酸酯等。
前述「三官能以上之(甲基)丙烯酸酯化合物」可舉出例如三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯、乙氧基化三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯、丙氧基化三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯、三(甲基)丙烯酸參(2-羥基乙基異三聚氰酸)酯、三(甲基)丙烯酸甘油酯等之三(甲基)丙烯酸酯；三(甲基)丙烯酸新戊四醇酯、三(甲基)丙烯酸二新戊四醇酯、三(甲基)丙烯酸二-三羥甲基丙烷酯等之三官能之(甲基)丙烯酸酯化合物；或四(甲基)丙烯酸新戊四醇酯、四(甲基)丙烯酸二-三羥甲基丙烷酯、四(甲基)丙烯酸二新戊四醇酯、五(甲基)丙烯酸二新戊四醇酯、五(甲基)丙烯酸二-三羥甲基丙烷酯、六(甲基)丙烯酸二新戊四醇酯、六(甲基)丙烯酸二-三羥甲基丙烷酯等之三官能以上之多官能(甲基)丙烯酸酯化合物，或將此等(甲基)丙烯酸酯之一部分經烷基或ε-己內酯加以取代之多官能(甲基)丙烯酸酯化合物等。
丙烯酸酯系材料是也可使用多官能胺基甲酸酯丙烯酸酯。胺基甲酸酯丙烯酸酯是藉由使多元醇、多元異氰酸酯及含有羥基之丙烯酸酯進行反應而獲得。具體而言，可列舉：共榮社化學公司(Kyoeisha Chemical Co.,Ltd.)製造之UA-306H、UA-306T、UA-3061等；日本合成化學工業公司(Nippon Synthetic Chemical Industry Co.,Ltd.)製造之UV-1700B、UV-6300B、UV-7600B、UV-7605B、UV-7640B、UV-7650B等；新中村化學工業公司(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.)製造之U-4HA、U-6HA、UA-100H、U-6LPA、U-15HA、UA-32P、U-324A等；DAICEL-UCB公司(DAICEL-UCB Company Ltd.)製造之Ebecry1-1290、Ebecry1-1290K、Ebecry1-5129等；根上工業公司(Negami Chemical Industrial Co.,Ltd.)製造之UN-3220HA、UN-3220HB、UN-3220HC、UN-3220HS等，但是並不受限於此等。
此外，除此以外，電離放射線型材料是也可使用具有丙烯酸酯系官能基之聚醚樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂、醇酸樹脂、螺縮醛樹脂、聚丁二烯樹脂、聚硫醇多烯樹脂等。
此外，偏在層之膜厚是視光學特性、耐擦傷性、硬度等而較佳為定在3μm以上且20μm以下之範圍內。此外，從抑制捲曲等之加工操作上的觀點，則更佳為在4μm以上且7μm以下之範圍內。
在偏在層形成用塗液中是添加溶劑，且以在全部溶劑中為30重量%以上之範圍內而使用將透明基材加以溶解或膨潤之溶劑。
此外，藉由在透明基材上以包含在包括黏合劑基質形成材料與四級銨鹽材料、調平材料的偏在層形成用塗液之全部溶劑中為30重量%以上之範圍內而使用將透明基材加以溶解或膨潤之溶劑，即可形成經使導電性材料及調平材料偏在而成之偏在層。
藉由以在偏在層形成用塗液所含有的全部溶劑中之30重量%以上之範圍內而使用將透明基材加以溶解或膨潤之溶劑，則可在透明基材與偏在層間形成由透明基材成分與黏合劑基質成分所構成之中間層，並且可有效率地形成偏在層。
另外，若在全部溶劑中將透明基材加以溶解或膨潤之溶劑為少於30重量%時，則無法形成偏在層。
若透明基材是使用三乙醯基纖維素膜時，則「將透明基材加以溶解或膨潤之溶劑」可舉出例如二丁基醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、二乙氧基乙烷、環氧丙烷、二烷、二、三烷、四氫呋喃、大茴香醚及苯基乙基醚等之醚類；以及丙酮、甲基乙基酮、二乙基酮、二丙基酮、二異丁基酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮、及甲基環己酮等之一部份的酮類；以及甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸正戊酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、醋酸正戊酯、及γ-丁內酯等之酯類；以及甲基賽路蘇、賽路蘇、丁基賽路蘇、賽路蘇醋酸酯等之賽路蘇類；其他為N-甲基-2-吡咯啶酮、碳酸二甲酯。此等是可以一種單獨或其兩種以上組合使用。
「不使三乙醯基纖維素膜溶解或膨潤之溶劑」可舉出乙醇、異丙醇等之醇類；甲苯、二甲苯、環己烷、環己基苯等之芳香族烴類；正己烷等之烴類；甲基異丁基酮、甲基丁基酮、二丙酮醇等之一部份的酮類等。此等是可以一種單獨或其兩種以上組合使用。
此外，在偏在層形成用塗液中，較佳為以25重量%以上且85重量%以下之比例而含有溶劑。藉由將偏在層之塗液中的溶劑量設定為在該範圍內，則可獲得充分的在塗膜中作為導電性材料之四級銨鹽材料或金屬氧化物粒子或導電性高分子、及調平材料進行偏在而形成偏在層為止之時間，可容易地製造偏在層。
另外，若偏在層形成用塗液中的溶劑量為少於25重量%時，則有塗膜會急劇地乾燥而無法形成偏在層的顧慮。在另一方面，若偏在層形成用塗液中的溶劑量為超過85重量%時，則需要延長乾燥時間而不適於大量生產。
此外，將偏在層之塗膜加以乾燥的步驟，較佳為在溶劑濃度為0.2體積%以上且10體積%以下之溶劑環境下進行。藉由將偏在層之塗膜加以乾燥的步驟在0.2體積%以上且10體積%以下之溶劑環境下進行，則可獲得充分的在塗膜中作為導電性材料之四級銨鹽材料或金屬氧化物粒子或導電性高分子、及調平材料進行偏在而形成偏在層為止之時間，可容易地製造偏在層。
另外，此時，使用於乾燥環境之溶劑較佳為使用在偏在層形成用塗液所含有的溶劑中之至少一種。若溶劑環境為少於0.2體積%時，則有塗膜會急劇地乾燥而無法形成偏在層的情況。在另一方面，若溶劑環境為超過10體積%時，則需要延長乾燥時間而不適於大量生產。
包含在偏在層之作為導電性材料之四級銨鹽材料是可使用將四級銨鹽材料作為官能基而包含在分子內之丙烯酸酯系材料。四級銨鹽材料是顯示-N+X-之結構，由於具備四級銨陽離子(-N+)與陰離子(X-)而使硬質塗層顯現導電性。此時，X-是可列舉Cl-、Br-、I-、F-、HSO4-、SO4 2-、NO3 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、SO3 -、OH-等。
此外，四級銨鹽材料是也可使用將四級銨鹽材料作為官能基而包含在分子內之丙烯酸酯系材料。製備四級銨鹽材料作為官能基而包含在分子內之丙烯酸酯系材料是可使用：如將四級銨鹽材料(一N+X-)作為官能基而包含在分子內之多元醇之(丙烯酸或甲基丙烯酸)酯之類的多官能或多官能之(甲基)丙烯酸酯化合物，如可由二異氰酸酯與多元醇及丙烯酸或甲基丙烯酸之羥基酯等所合成的之類的多官能之胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物。除了此等之外，電離放射線型材料是可使用具有丙烯酸酯系官能基之聚醚樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂、醇酸樹脂、螺縮醛樹脂、聚丁二烯樹脂、聚硫醇多烯樹脂等。
本發明之包含在偏在層中之四級銨鹽材料的分子量較佳為在1000以上且100000以下之範圍內。藉由設定四級銨鹽材料之重量平均分子量為在1000以上且100000以下之範圍內，則可形成由透明基材側以中間層、硬質塗層、抗靜電層、調平層之順序所偏在而積層之偏在層。
此外，四級銨鹽材料的分子量為低於1000時，則四級銨鹽材料容易偏在於偏在層表面，使得四級銨鹽材料存在於偏在層之表面。因此，低折射率層形成材料與四級銨鹽材料會進行電性推斥而有偏在層與低折射率層之密著性降低、耐擦傷性降低的情況。在另一方面，若四級銨鹽材料之重量平均分子量為超過100000時，則硬質塗層與抗靜電層會混合在一起而導致表面電阻值惡化。具體而言，四級銨鹽材料是可使用NR-121X-9IPA(Colcoat公司(Colcoat Co.,Ltd.)製造)等。
可用作為導電性材料之金屬氧化物粒子是可使用以選自氧化鋯、摻銻之氧化錫(ATO)、摻磷之氧化錫(PTO)、摻錫之氧化銦、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋅、摻鋁之氧化鋅、氧化錫、摻銻之氧化鋅及摻銦之氧化鋅中之一種或兩種以上金屬氧化物作為主成分的具有導電性之金屬氧化物粒子。
可用作為導電性材料之「導電性高分子」是可使用選自聚乙炔、聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚苯硫醚、聚(1,6-庚二炔)、聚伸聯苯(聚對伸苯)、聚對苯硫、聚苯基乙炔、聚(2,5-伸噻吩基)及此等之衍生物的一種或兩種以上之混合物。
偏在層形成塗液中可加入具有氟之化合物以作為調平材料。作為調平材料的具有氟之化合物是適合使用具有全氟烷基或氟化烯基之化合物。全氟烷基是具有-CnF2n+1(n=自然數)之結構，可作為疏水性‧疏油基之功能。因此，由於具有剛直且不容易變曲且會在表面排列成井然之特徵，可作為以少量覆蓋表面的調平材料而發揮功能。此時，與親油基組合即可更進一步增加作為調平材料的功效。此外，由於全氟烯基在分子內具有C=C鍵，在排列於表面時體積大，因此密度比全氟烷基降低。因此，可抑制全氟基所具有之重塗性阻礙。
具體而言，作為調平材料的具有氟之化合物可舉出具有氟化烯基之FTERGENT 222F(NEOS公司(NEOS Co.,Ltd.)製造)或具有全氟烷基之F470(DIC公司(DIC Corporation)製造)、F489(DIC公司製造)。此外，其他也可使用V-8FM(大阪有機化學工業公司(Osaka Organic Chemical Industry Ltd.)製造)等。另外，本發明之作為調平材料的具有氟之化合物是並不受限於此等者。
此外，偏在層形成塗液中可加入具有矽氧烷鍵之化合物以作為調平材料。作為調平材料的具有矽氧烷鍵之化合物是可合適地使用在分子內含有矽氧烷鍵與有機改質部之矽系調平劑。具有矽氧烷鍵之化合物是具有如(化1)所示之結構，藉由將矽氧烷鍵部分的(化1)中之n數或有機改質部加以變化即可任意控制表面張力。
將具有矽氧烷鍵之化合物的(化1)中之n數或有機改質部加以變化之一實例是使用具有具備如(化2)般之結構般的矽氧烷鍵之化合物。藉由賦予側鏈可將矽氧烷鍵加以改質。另外，在(化2)之結構的R1之一實例則有CH3、CH2-CH3、(CH2)9CH3等。此外，R2之一實例則有聚醚基、聚酯基、芳烷基等。此外，也可使用具有具備如(化3)之結構的矽氧烷鍵之化合物。矽氧烷鍵是由Si-O-Si鍵所構成，R3之一實例是可使用平均1個之聚醚鏈等。(化2)及(化3)中任一者皆可任意進行表面張力的控制或相溶性的調整。
此外，用作為調平材料的具有矽氧烷鍵之化合物，具體而言是可使用：BYK Chemie Japan公司(BYK Chemie Japan Corp.)製造之BYK-300、BYK-306、BYK-307、BYK-310、BYK-315、BYK-322、BYK-323、BYK-325、BYK-330、BYK-331、BYK-333、BYK-337、BYK-341、BYK-344、BYK-345、BYK-347、BYK-348、BYK-349、BYK-370、BYK-375、BYK-377、BYK-378、BYK-UV3500、BYK-UV3510、BYK-UV3570、BYK-Silclean 3700、BYK-Silclean 3720。此外，也可使用Momentive公司製造之TSF410、TSF411、TSF4700、TSF4701、XF42-B0970、TSF4730、YF3965、TSF4421、XF42-334、XF42-B3629、XF42-A3161、TSF4440、TSF4441、TSF4445、TSF4450、TSF4446、TSF4452、TSF4460。此外，可使用共榮社化學公司製造之POLYFLOW KL400X、POLYFLOW KL400HL、POLYFLOW KL401、POLYFLOW KL402、POLYFLOW KL403、POLYFLOW KL404。另外，用作為調平材料的具有矽氧烷鍵之化合物是並不受限於此等者。
此外，在將偏在層形成用塗液以紫外線加以硬化時，則在偏在層形成用塗液中添加光聚合引發劑。
「光聚合引發劑」是只要其為照射紫外線時可產生自由基者即可，例如可使用苯乙酮類、苯偶姻類、二苯甲酮類、氧化膦類、縮酮類、蒽醌類、噻噸酮類。此外，光聚合引發劑之添加量，相對於電離放射線硬化型材料，則較佳為在0.1重量%以上且10重量%以下之範圍內、且更佳為1重量%以上且8.5重量%以下。
此外，在偏在層形成用塗液中，也可加入表面調整劑、折射率調整劑、密著性提高劑、硬化劑等作為添加劑。
以濕式成膜法在透明基材上塗布經調整以上之材料所獲得之偏在層形成用塗液而形成塗膜，即可形成偏在層。在下文中，則說明偏在層之形成方法。
偏在層形成用塗液是塗布於透明基材上來形成塗膜。用於在透明基材上塗布偏在層形成用塗液之塗布方法是可使用利用輥式塗布機、逆向輥塗布機、凹版塗布機、微凹版塗布機、刀式塗布機、棒式塗布機、線棒式塗布機、模具式塗布機、浸漬塗布機等之塗布方法。另外，由於本發明之偏在層(12)是薄的塗膜且需要其為均勻的膜厚，因此較佳為使用微凹版塗布機法、模具式塗布機法。
其次，在透明基材上所形成的偏在層之塗膜是藉由乾燥而移除塗膜中之溶劑。此時之乾燥方法是可使用加熱、送風、熱風等。
另外，乾燥步驟較佳為在剛塗布後，在乾燥溫度為15℃以上且30℃以下之範圍內進行一次乾燥。藉由將一次乾燥溫度設定為15℃以上且30℃以下之範圍內，則可獲得充分的在偏在層之塗膜中之導電性材料及調平材料進行偏在而形成偏在層為止之時間。
另外，若乾燥溫度為超過30℃時，則有偏在層之塗膜會急劇地乾燥而無法形成偏在層的顧慮。在另一方面，若乾燥溫度為低於15℃時，則需要延長乾燥時間而不適於連續式生產。
此外，較佳為在乾燥溫度為50℃以上且150℃以下之範圍內進行二次乾燥。藉由將二次乾燥溫度設定為在50℃以上且150℃以下之範圍內，則可形成由透明基材側以中間層、硬質塗層、抗靜電層、調平層之順序所偏在而積層之偏在層。
另外，若乾燥溫度為超過150℃時，則有因溶劑之蒸發速度太快而導致偏在層之表面變粗糙而發生霧化的顧慮。在另一方面，若乾燥溫度為低於50℃時，則溶劑會殘留於偏在層而變成並未具有硬質塗膜性之偏在層。
此外，僅施加前述一次乾燥時，則有乾燥不充分的情況，因此，經一次乾燥後，也會兼用在乾燥溫度為50℃以上且150℃以下之範圍內的加熱乾燥進行適度的加熱乾燥作為二次加熱。
在乾燥步驟中，藉由以前述乾燥溫度施加一次乾燥及二次乾燥，則可容易地製造偏在層(12)。
此外，為進行偏在層之各層的分離而施加一次乾燥，在二次乾燥是藉由在50℃以上且150℃以下之範圍內的加熱乾燥而進行適度的加熱乾燥來移除溶劑。
此外，較佳為將形成於透明基材上之由偏在層形成用塗液所構成之塗膜形成於透明基材上後，直至在該透明基材上之偏在層之塗膜中所含有的溶劑達到10重量%以下為止之時間在2秒鐘以上且60秒鐘以下之範圍內，藉由將該偏在層之塗膜形成於透明基材上後，直至在透明基材上之由偏在層形成用塗液所構成的塗膜中所含有的溶劑達到10重量%以下為止之時間設定為在2秒鐘以上且60秒鐘以下之範圍內，可獲得充分的在塗膜中之導電性材料及調平材料進行偏在而形成偏在層為止之時間，可容易地形成偏在層(12)。
此外，若在偏在層之塗膜中所含有的溶劑達到10重量%以下為止之時間是短於2秒鐘時，則有可能因偏在層之塗膜急劇地乾燥而導致無法形成抗靜電層及調平層的情況。
另外，若在偏在層之塗膜中所含有的溶劑達到10重量%以下為止之時間是超過60秒鐘時，則因所需時間過長而不合經濟效益。在以逐片方式形成偏在層時，也因生產間隔時間變得太長而導致生產性降低，因此為不佳。
其次，對藉由在透明基材上塗布偏在層形成用塗液所獲得塗膜照射電離放射線，則可形成偏在層(12)。
電離放射線是可使用紫外線、電子射線。在「紫外線硬化」的情況，則可利用高壓水銀燈、低壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈、碳弧、氙弧等之光源。此外，在「電子射線硬化」的情況，則可利用柯克勞夫-沃耳吞型(Cockroft-walton type)、凡德格拉夫型(van de Graaff type)、共振變壓型、絕緣芯變壓器型、直線型、高頻高壓(Dynamitron)型、高頻率型等各種電子射線加速器所放出之電子射線。電子射線較佳為具有50至1000 KeV之能量，更佳為具有100至300 KeV之能量的電子射線。
其次，就低折射率層之形成方法說明如下。
低折射率層是在偏在層表面塗布含有低折射率層形成材料之低折射率層形成塗液而以濕式成膜法所形成。此時之低折射率層膜厚(d)是設計成使得將其低折射率層之折射率(n)乘以膜厚(d)所獲得之光學膜厚(nd)值是與可見光之波長的1/4為相等。
低折射率層形成材料是可使用低折射率粒子及黏合劑基質形成材料。另外，若黏合劑基質形成材料是具有低折射率時，則在低折射率形成材料中是可不含低折射率粒子。在低折射率層(13)中之黏合劑基質形成材料是可使用電離放射線硬化型材料、熱硬化型材料。
可包含在低折射率層形成材料用塗液之低折射率粒子是可使用由LiF、MgF、3NaF‧AlF或AlF(折射率皆為1.40)、或Na3AlF6(冰晶石、折射率為1.33)等低折射率材料所構成之低折射率粒子。此外，也可適合地使用在粒子內部具有空隙之粒子。由於在粒子內部具有空隙之粒子是可將空隙部分視為空氣的折射率(≒1)，可作為具備非常低的折射率之低折射率粒子。具體而言，可使用在內部具有空隙之低折射率二氧化矽粒子。
由於在粒子內部具有空隙之粒子是可將空隙部分視為空氣之折射率(≒1)，可作為具備非常低的折射率之低折射率粒子。在內部具有空隙之低折射率二氧化矽粒子是可使用多孔質二氧化矽粒子或殼(shell)結構之二氧化矽粒子。
此外，低折射率粒子之粒徑較佳為1 nm以上且100 nm以下。若粒徑為超過100 nm時，則有光因瑞立散射(Rayleigh scattering)而顯著反射使得低折射率層白化而降低抗反射膜之透明性的傾向。在另一方面，若粒徑為小於1 nm時，則將產生粒子之凝集所引起在低折射率層中之粒子不均勻性等問題。
另外，在內部具有空隙之低折射率二氧化矽粒子的一實例是可使用一種仍然保持著球狀之狀態下具有下列結構者，亦即，折射率為比玻璃之折射率1.45為低的1.35、半徑為20 nm以上且25 nm以下、密度(ρ1)之球狀結構是位於中心部分、厚度為10 nm以上且15 nm以下之不同密度(ρ2)之層是覆蓋其周圍、(ρ1/ρ2)之值是顯示0.5、0.1、0.0，而低折射率二氧化矽粒子之中心部分是成為外部的二氧化矽之約1/10之密度者。
此外，用作為黏合劑基質形成材料之電離放射線硬化型材料是可使用丙烯酸酯系材料。丙烯酸酯系材料是可使用如多元醇之(丙烯酸或甲基丙烯酸)酯之類的單官能或多官能之(甲基)丙烯酸酯化合物，如可由二異氰酸酯與多元醇及丙烯酸或甲基丙烯酸之羥基酯等所合成的之類的多官能之胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物。除了此等以外，電離放射線型材料是可使用具有丙烯酸酯系官能基之聚醚樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂、醇酸樹脂、螺縮醛樹脂、聚丁二烯樹脂、聚硫醇多烯樹脂等。
「單官能之(甲基)丙烯酸酯化合物」可舉出例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、丙烯醯基啉、N-乙烯基吡咯啶酮、丙烯酸四氫呋喃甲酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、(甲基)丙烯酸2-乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸3-甲氧基丁酯、(甲基)丙烯酸乙基卡必醇酯、磷酸(甲基)丙烯酸酯、經環氧乙烷改質之磷酸(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧基酯、經環氧乙烷改質之(甲基)丙烯酸苯氧基酯、經環氧丙烷改質之(甲基)丙烯酸苯氧基酯、(甲基)丙烯酸壬基苯酚酯、經環氧乙烷改質之(甲基)丙烯酸壬基苯酚酯、經環氧丙烷改質之(甲基)丙烯酸壬基苯酚酯、(甲基)丙烯酸甲氧基二甘醇酯、聚(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基丙二醇酯、鄰苯二甲酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙基-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、鄰苯二甲酸氫2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、鄰苯二甲酸氫2-(甲基)丙烯醯氧基丙酯、六氫鄰苯二甲酸氫2-(甲基)丙烯醯氧基丙酯、四氫鄰苯二甲酸氫2-(甲基)丙烯醯氧基丙酯、(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸三氟乙酯、(甲基)丙烯酸四氟丙酯、(甲基)丙烯酸六氟丙酯、(甲基)丙烯酸八氟丙酯、(甲基)丙烯酸八氟丙酯、及具有衍生自2-金剛烷及金剛烷二醇之一價單(甲基)丙烯酸酯之丙烯酸金剛烷酯等金剛烷衍生物單(甲基)丙烯酸酯等。
前述「二官能之(甲基)丙烯酸酯化合物」可舉出例如二(甲基)丙烯酸乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸二甘醇酯、二(甲基)丙烯酸丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸己二醇酯、二(甲基)丙烯酸壬二醇酯、乙氧基化二(甲基)丙烯酸己二醇酯、丙氧基化二(甲基)丙烯酸己二醇酯、二(甲基)丙烯酸二甘醇酯、聚二(甲基)丙烯酸乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸三伸丙二醇酯、聚二(甲基)丙烯酸丙二醇酯、二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、乙氧基化二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、二(甲基)丙烯酸三伸丙二醇酯、羥基三甲基乙酸二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯等之二(甲基)丙烯酸酯等。
前述「三官能以上之(甲基)丙烯酸酯化合物」可舉出例如三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯、乙氧基化三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯、丙氧基化三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯、三(甲基)丙烯酸參(2-羥基乙基異三聚氰酸)酯、三(甲基)丙烯酸甘油酯等之三(甲基)丙烯酸酯；三(甲基)丙烯酸新戊四醇酯、三(甲基)丙烯酸二新戊四醇酯、三(甲基)丙烯酸二-三羥甲基丙烷酯等之三官能之(甲基)丙烯酸酯化合物；或四(甲基)丙烯酸新戊四醇酯、四(甲基)丙烯酸二-三羥甲基丙烷酯、四(甲基)丙烯酸二新戊四醇酯、五(甲基)丙烯酸二新戊四醇酯、五(甲基)丙烯酸二-三羥甲基丙烷酯、六(甲基)丙烯酸二新戊四醇酯、六(甲基)丙烯酸二-三羥甲基丙烷酯等之三官能以上之多官能(甲基)丙烯酸酯化合物，或將此等(甲基)丙烯酸酯之一部分經烷基或ε-己內酯加以取代之多官能(甲基)丙烯酸酯化合物等。
在丙烯酸酯系材料中，基於可設計成吾所欲的分子量、分子結構、可容易地獲得所形成硬質塗層之物性均衡的理由，可適用多官能胺基甲酸酯丙烯酸酯。胺基甲酸酯丙烯酸酯是藉由將多元醇、聚異氰酸酯及含有羥基之丙烯酸酯反應而獲得。
此外，除了電離放射線硬化型材料以外，也可加入熱塑性樹脂等。「熱塑性樹脂」是可使用：乙醯基纖維素、硝化纖維素、乙醯基丁基纖維素、乙基纖維素、甲基纖維素等之纖維素衍生物；醋酸乙烯酯及其共聚物、氯乙烯及其共聚物、偏二氯乙烯及其共聚物等之乙烯基系樹脂；聚乙烯基縮甲醛、聚乙烯醇縮丁醛等之縮醛樹脂；丙烯酸酯樹脂及其共聚物、甲基丙烯酸酯樹脂及其共聚物等之丙烯酸酯系樹脂；聚苯乙烯樹脂、聚醯胺樹脂、線狀聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂等經加入熱塑性樹脂即可抑制所製造的薄膜之捲曲。
此外，對於低折射率層形成材料，可以使得指紋等之污垢不易附著在抗反射膜表面，且容易拭除所附著的污垢為目的而加入撥水材料。撥水材料是可使用聚矽氧系材料、有機矽化合物、UV硬化型撥水劑。聚矽氧系材料是也可使用經烷基芳烷基改質之聚矽氧油、經烷基改質之聚矽氧油、經聚醚改質之聚矽氧油、經烷基聚醚改質之聚矽氧油。並且，也可使用未含有氟且未具有(甲基)丙烯酸基之有機矽化合物。具體而言，其可使用烷基烷氧基矽烷化合物、矽烷矽氧烷化合物、含有聚酯基之矽烷化合物、具有聚醚基之矽烷化合物、矽氧烷化合物。此外，UV硬化型撥水劑是可使用BYK-350或BYK-3500(BYK Chemie Japan公司製造)、F470(DIC公司製造)等。
此外，黏合劑基質形成材料是可使用屬熱硬化型材料的矽烷氧化物之水解產物。具體而言，可使用以通式(A)RxSi(OR)4-x(但是，式中R是代表烷基，x是滿足0≦x≦3之整數)所代表之矽烷氧化物之水解產物。
以通式(A)所代表之矽烷氧化物是可使用例如四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四-異丙氧基矽烷、四-正丙氧基矽烷、四-正丁氧基矽烷、四-二級丁氧基矽烷、四-三級丁氧基矽烷、四五乙氧基矽烷、四五-異丙氧基矽烷、四五-正丙氧基矽烷、四五-正丁氧基矽烷、四五-二級丁氧基矽烷、四五-三級丁氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、甲基三丁氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二甲基乙氧基矽烷、二甲基甲氧基矽烷、二甲基丙氧基矽烷、二甲基丁氧基矽烷、甲基二甲氧基矽烷、甲基二乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷等。矽烷氧化物之水解產物是只要其為以通式(B)所代表之金屬烷氧化物作為原料所獲得者即可，例如經鹽酸進行水解所獲得者。
黏合劑基質形成材料是使用屬熱硬化型材料的矽烷氧化物之水解產物時，則可進一步使其含有屬氟化合物的以通式(B)R’zSi(OR)4-z(但是，式中R’是代表烷基、氟烷基或具有氧化氟伸烷基之非反應性官能基，z是滿足1≦z≦3之整數)所代表之矽烷氧化物之水解產物作為撥水材料。藉由使用以通式(B)所代表之矽烷氧化物之水解產物，則可對抗反射膜之低折射率層表面賦予防污性。並且，可更進一步降低低折射率層之折射率。以通式(C)所代表之矽烷氧化物可舉出例如十八烷基三甲氧基矽烷、1H,1H,2H,2H-全氟辛基三甲氧基矽烷等。
可包含在低折射率層形成用塗液之溶劑是考慮塗布適性等而適當地選自甲苯、二甲苯、環己烷、環己基苯等之芳香族烴類；正己烷等之烴類；二丁基醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、二乙氧基乙烷、環氧丙烷、二烷、二、三烷、四氫呋喃、大茴香醚及苯基乙基醚等之醚類；以及甲基異丁基酮、甲基丁基酮、丙酮、甲基乙基酮、二乙基酮、二丙基酮、二異丁基酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮、及甲基環己酮等之酮類；以及甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸正戊酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、醋酸正戊酯、及γ-丁內酯等之酯類；以及甲基賽路蘇、賽路蘇、丁基賽路蘇、賽路蘇醋酸酯等之賽路蘇類；甲醇、乙醇、異丙醇等之醇類及水等。
此外，黏合劑基質形成材料是使用電離放射線硬化型材料而以紫外線加以硬化時，則在低折射率層形成用塗液中添加光聚合引發劑。
「光聚合引發劑」是只要其為照射紫外線時會產生自由基者即可，例如可使用苯乙酮類、苯偶姻類、二苯甲酮類、氧化膦類、縮酮類、蒽醌類、噻噸酮類。此外，光聚合引發劑之添加量，相對於電離放射線硬化型材料，則較佳為在0.1重量%以上且10重量%以下之範圍內，更佳為在1重量%以上且8.5重量%以下。
此外，在低折射率層形成用塗液中，可添加表面調整劑、折射率調整劑、密著性提高劑、硬化劑等作為添加劑。
將經調整以上之材料所獲得之低折射率層形成用塗液以濕式成膜法塗布於偏在層(12)上而形成低折射率層之塗膜，則可形成低折射率層(13)。在下文中，則說明低折射率層之形成方法。
低折射率層形成用塗液是塗布於偏在層(12)上來形成低折射率層之塗膜。用於在偏在層上塗布低折射率層形成用塗液之塗布方法是可使用利用輥式塗布機、逆向輥塗布機、凹版塗布機、微凹版塗布機、刀式塗布機、棒式塗布機、線棒式塗布機、模具式塗布機、浸漬塗布機等之塗布方法。另外，由於本發明之低折射率層(13)是薄的塗膜且需要其為均勻的膜厚，較佳為使用微凹版塗布機法。
其次，在偏在層(12)上所形成的低折射率層之塗膜是藉由加以乾燥即可移除塗膜中之溶劑。此時之乾燥方法是可使用加熱、送風、熱風等。另外，較佳為在乾燥溫度為50℃以上且150℃以下之範圍內進行適度的加熱乾燥。
其次，黏合劑基質形成材料是使用電離放射線硬化型材料時，則藉由對經在偏在層上塗布低折射率層形成用塗液所獲得低折射率層之塗膜照射電離放射線，則可形成低折射率層(13)。
電離放射線是可使用紫外線、電子射線。在「紫外線硬化」的情況，則可利用高壓水銀燈、低壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈、碳弧、氙弧等之光源。此外，在「電子射線硬化」的情況，則可利用柯克勞夫-沃耳吞型、凡德格拉夫型、共振變壓型、絕緣芯變壓器型、直線型、高頻高壓(Dynamitron)型、高頻率型等之各種電子射線加速器所放出之電子射線。電子射線較佳為具有50至1000 KeV之能量，更佳為具有100至300 KeV之能量的電子射線。
本發明之抗反射膜是可以捲對捲(roll-to-roll)方式而連續形成。如第2圖所示，使被捲取的纖維網狀透明基材由捲出部(31)連續使其移動至捲取部(32)，此時，藉由使透明基材通過塗布裝置(21)、乾燥裝置(22)、電離放射線照射裝置(23)，即可在透明基材上連續地形成偏在層。其後，使低折射率層以相同的方式通過裝置，則可在偏在層上形成低折射率層而製得抗反射膜。
《實施例》
首先，就以本實施例所獲得抗反射膜之評估方法說明如下。
「視感平均反射率之測定」
將與所獲得抗反射膜之低折射率層形成面相反側之面以黑色消光噴霧塗布成黑色。塗布後使用自動分光光度計(日立製作所公司(Hitachi,Ltd.)製造之U-4000)就所測定的低折射率層形成面進行測定在C光源、2度視野之條件下，在入射角5°時之分光反射率。由所獲得分光反射率計算得平均視感反射率(Y%)。此外，比視感度(relative luminous efficiency)是使用明處視標準比視感度。
「霧度(H)、平行光線透射率之測定」
就所獲得抗反射膜，使用霧度濁度測定儀器(haze turbidimeter instrument)(日本電色工業公司(Nippon Denshoku Industries Co.,Ltd.)製造之NDH-2000)來測定霧度(H)、平行光線透射率。
「表面電阻值之測定」
就所獲得抗反射膜之低折射率層表面根據JIS-K6911(1995)而以高電阻電阻率計(DIA儀器公司(DIA Instruments Co.,Ltd.)製造之Hiresta MCP-HT260)進行測定。
「接觸角之測定」
就所獲得抗反射膜之偏在層表面及低折射率層表面，使用接觸角計(協和界面科學公司(Kyowa Interface Science Co.,Ltd.)製造之CA-X型)以乾燥狀態(20℃、65% RH)在針尖形成直徑1.8 mm之液滴，並將此接觸於試料(固體)之表面而形成液滴。所謂的「接觸角」是意謂在固體與液體所接觸之點的對液體表面之接線與固體表面所形成之角，且以包含液體之側的角度所定義。液體是使用蒸餾水。此外，前述純水接觸角之測定方法是根據JIS-R3257進行測定。
「鉛筆硬度之測定」
根據JIS K5600-5-4(1999)，以500克荷重進行測定各抗反射膜之偏在層表面之鉛筆硬度。
「色不均勻性、干涉條紋之評估」
就所獲得抗反射膜，使螢光燈映入於低折射率層表面而藉由確認反射光來進行色不均勻性的確認、干涉不均勻性的確認。
以目視所確認之評估是以下列準則進行：
○：色不均勻性及干涉條紋是良好；
X：色不均勻性及干涉條紋是不良。
「耐擦傷性(鋼絲棉(SW)之評估」
就所獲得抗反射膜之低折射率層表面，使用學振型摩擦堅牢度試驗機(Color Fastness Rubbing Tester)(試驗機產業股份有限公司(Tester Sangyo Co.,Ltd.)製造之AB-301)，且使用對光學積層體之低折射率層表面施加500 g/cm2之荷重的鋼絲棉(日本鋼絲棉公司(NihhonSteelWool Co.,Ltd.)製造之Bon Star #0000)，加以10次來回擦拭而以目視進行評估因擦痕或擦傷等所引起之外觀變化。
以目視所確認之評估是以下列準則進行：
○：無法確認刮傷；
X：可確認刮傷。
「鉛筆硬度之測定」
就所獲得抗反射膜之偏在層表面，根據JIS K5600-5-4(1999)進行鉛筆硬度試驗以測定鉛筆硬度。
以下列判斷基準進行在偏在層之中間層、硬質塗層、抗靜電層、調平層之判定。
「在偏在層之中間層的確認」
由以「視感平均反射率之測定」之項所測得分光反射率，進行有無中間層的確認。具體而言，在所獲得分光反射率曲線中無法確認對應於偏在層之膜厚的干涉波峰時，則判斷為有中間層，可確認對應於偏在層之膜厚的干涉波峰時，則判斷為無中間層。
○：有中間層(無干涉波峰)；
X：無中間層(有干涉波峰)。
「在偏在層之中間層的確認」
由經以「鉛筆硬度之測定」之項所測得偏在層表面之鉛筆硬度，將偏在層表面之鉛筆硬度為H以上時，則判斷為有硬質塗層，而低於H時，則判斷為無硬質塗層。
○：有硬質塗層(鉛筆硬度為H以上)；
X：無硬質塗層(鉛筆硬度為低於H)。
「在偏在層之抗靜電層的確認」
由經以「表面電阻值之測定」之項所測得表面電阻值進行有無抗靜電層的確認。將表面電阻值為表面電阻值1×1012Ω/cm2以下時，則判斷為有抗靜電層，而表面電阻值為大於表面電阻值1×1012Ω/cm2時，則判斷為無抗靜電層。
○：有抗靜電層(表面電阻值為1×1012Ω/cm2以下)；
X：無抗靜電層(表面電阻值大於1×1012Ω/cm2)。
另外，關於並未對偏在層形成用塗液加入導電性材料之抗反射膜，則未實施「在偏在層之抗靜電層的確認」。
「在偏在層之調平層的確認」
調平層之存在是以偏在層表面之接觸角及X-射線光電子分光分析裝置來進行確認。偏在層表面的接觸角之測定方法是如「接觸角之測定」所說明者。使用X-射線光電子分光分析裝置(JPS-90MXV micro(日本電子公司(JEOL Corporation)製造))，並藉由進行偏在層表面之表面分析來進行判斷。將接觸角為60°以上、且在XPS測定中偵測到調平層特有之元素，且未偵測到導電性材料特有之元素者判斷為有調平層；在接觸角為小於60°及/或在根據XPS之表面分析中可偵測到氯者，則判斷為無調平層。此外，將以原子量比計為0.1 atomic%以下者視為未偵測到。另外，測定時之X射線強度是設定為100 W(10 kV、10 mA)。
○：有調平層(接觸角為65°以上，且偵測到調平材料特有之元素，且未偵測到導電性材料特有之元素)；
X：無調平層(除了上述以外者)。
另外，調平材料特有之元素如下所示：
另外，導電性材料特有之元素如下所示：
其次，就以本實施例所製造抗反射膜之製造方法列舉如下。
(A)調平材料：具有氟之化合物×導電性材料：四級銨鹽材料
在下文中，則就調平材料是使用具有氟之化合物，導電性材料是使用四級銨鹽材料時之實施例加以說明。
在下文中，說明偏在層形成塗液A1至A13之(調整例)。
(合成例1)
在配備有攪拌翼、回流冷卻管、乾燥空氣導入管、溫度計之四頸燒瓶中，裝入
，在氮氣環境下，在65℃下進行聚合3小時。聚合結束後，將反應液放入己烷中，使產物析出後加以乾燥。所獲得四級銨鹽材料之重量平均分子量為18500。
＜調整例A1＞ (偏在層形成塗液A1)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液A1。
＜調整例A2＞ (偏在層形成塗液A2)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液A2。
＜調整例A3＞ (偏在層形成塗液A3)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液A3。
＜調整例A4＞ (偏在層形成塗液A4)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液A4。
＜調整例A5＞ (偏在層形成塗液A5)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液A5。
＜調整例A6＞ (偏在層形成塗液A6)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液A6。
＜調整例A7＞ (偏在層形成塗液A7)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液A7。
＜調整例A8＞ (偏在層形成塗液A8)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液A8。
＜調整例A9＞ (偏在層形成塗液A9)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用異丙醇將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液A9。
＜調整例A10＞ (偏在層形成塗液A10)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為20重量%，以作為偏在層形成塗液A10。
＜調整例A11＞ (偏在層形成塗液A11)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為90重量%，以作為偏在層形成塗液A1。
＜調整例A12＞ (偏在層形成塗液A12)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液A12。
＜調整例A13＞ (偏在層形成塗液A13)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液A13。
在下文中，說明低折射率層形成塗液A之(調整例)。
(低折射率層形成塗液A)
，使用異丙醇將此等加以調液成使得固體成分為5重量%，以作為低折射率層形成塗液A。
[實施例A1] (偏在層之形成)
在三乙醯基纖維素膜(富士薄膜公司(FUJIFILM Corporation)製造：膜厚80μm)之單面塗布偏在層形成塗液A1，在25℃下在乾燥爐內進行乾燥10秒鐘作為一次乾燥，接著在80℃下在乾燥爐內進行乾燥50秒鐘作為二次乾燥。經乾燥後，藉由使用紫外線照射裝置(日本UV系統公司(Fusion UV Systems Japan K.K.)製造、光源為H燈泡)在照射線量為300 mJ/m2下進行紫外線照射，以形成乾燥膜厚為5μm之透明偏在層。
(低折射率層之形成)
在所形成的偏在層上，將低折射率層形成塗液A塗布成乾燥後之膜厚為100 nm。在實施第一乾燥溫度為25℃歷時25秒鐘後，進行第二乾燥溫度為80℃歷時50秒鐘，然後使用紫外線照射裝置(日本UV系統公司製造、光源為H燈泡)在照射線量為192 mJ/m2下進行紫外線照射使其硬膜而形成低折射率層，以製造[實施例A1]之抗反射膜。
[實施例A2]至[實施例A11]
在[實施例A2]至[實施例A11]中，取代偏在層形成用塗液A1而使用偏在層形成塗液A2至A11，其他製造條件是以與[實施例A1]相同的方式進行製造[實施例A2]至[實施例A11]之抗反射膜。
[實施例A12]至[實施例A14]
在[實施例A12]中，使用偏在層形成塗液A1，第一乾燥溫度為50℃、第二乾燥溫度為60℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例A1]相同的方式進行製造[實施例A12]之抗反射膜。
在[實施例A13]中，使用偏在層形成塗液A1，一次乾燥溫度及二次乾燥溫度皆為25℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例A1]相同的方式進行製造[實施例A13]之抗反射膜。
在[實施例A14]中，使用偏在層形成塗液A1，一次乾燥溫度及二次乾燥溫度皆為80℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例A1]相同的方式進行製造[實施例A14]之抗反射膜。
[實施例A15]、[實施例A16]
在[實施例A15]、[實施例A16]中，取代偏在層形成塗液A1而使用偏在層形成塗液A12、A13，其他製造條件是以與[實施例A1]相同的方式進行製造[實施例A15]、[實施例A16]之抗反射膜。
在表1中，概括展示在[實施例A1]至[實施例A16]中之製造條件。
就所獲得[實施例A1]至[實施例A16]之抗反射膜進行如前所述之評估，同時加以確認在偏在層中各層之形成狀態。表2是概括展示評估結果等。
(B)　調平材料：具有氟之化合物×導電性材料：金屬氧化物粒子
在下文中，則就調平材料是使用具有氟之化合物，導電性材料是使用金屬氧化物粒子時之實施例加以說明。
在下文中，說明偏在層形成塗液B1至B12之(調整例)。
＜調整例B1＞ (偏在層形成塗液B1)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液B1。
＜調整例B2＞ (偏在層形成塗液B2)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液B2。
(偏在層形成塗液B3)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液B3。
＜調整例B4＞ (偏在層形成塗液B4)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液B4。
＜調整例B5＞ (偏在層形成塗液B5)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液B5。
＜調整例B6＞ (偏在層形成塗液B6)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液B6。
＜調整例B7＞ (偏在層形成塗液B7)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液B7。
＜調整例B8＞ (偏在層形成塗液B8)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用異丙醇將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液B8。
＜調整例B9＞ (偏在層形成塗液B9)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為20重量%，以作為偏在層形成塗液B9。
＜調整例B10＞ (偏在層形成塗液B10)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為90重量%，以作為偏在層形成塗液B10。
＜調整例B11＞ (偏在層形成塗液B11)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液B11。
＜調整例B12＞ (偏在層形成塗液B12)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液B12。
在下文中，說明低折射率層形成塗液B之(調整例)。
(低折射率層形成塗液B)
，使用異丙醇將此等加以調液成使得固體成分為5重量%，以作為低折射率層形成塗液B。
[實施例B1] (偏在層之形成)
在三乙醯基纖維素膜(富士薄膜公司製造：膜厚80μm)之單面塗布偏在層形成塗液B1，在25℃下在乾燥爐內進行乾燥10秒鐘作為一次乾燥，接著在80℃下在乾燥爐內進行乾燥50秒鐘作為二次乾燥。經乾燥後，藉由使用紫外線照射裝置(日本UV系統公司製造、光源為H燈泡)在照射線量為300 mJ/m2下進行紫外線照射，以形成乾燥膜厚為5μm之透明偏在層。
(低折射率層之形成)
在所形成的偏在層上，將低折射率層形成塗液B塗布成乾燥後之膜厚為100 nm。在實施第一乾燥溫度為25℃歷時25秒鐘後，進行第二乾燥溫度為80℃歷時50秒鐘，然後使用紫外線照射裝置(日本UV系統公司製造、光源為H燈泡)在照射線量為192 mJ/m2下進行紫外線照射使其硬膜而形成低折射率層，以製造[實施例B1]之抗反射膜。
[實施例B2]至[實施例B10]
在[實施例B2]至[實施例B10]中，取代偏在層形成用塗液B1而使用偏在層形成塗液B2至B10，其他製造條件是以與[實施例B1]相同的方式進行製造[實施例B2]至[實施例B10]之抗反射膜。
[實施例B11]至[實施例B13]
在[實施例B11]中，使用偏在層形成塗液B1，第一乾燥溫度為50℃且第二乾燥溫度為60℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例B1]相同的方式進行製造[實施例B11]之抗反射膜。
在[實施例B12]中，使用偏在層形成塗液B1，一次乾燥溫度及二次乾燥溫度皆為25℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例B1]相同的方式進行製造[實施例B12]之抗反射膜。
在[實施例B13]中，使用偏在層形成塗液B1，一次乾燥溫度及二次乾燥溫度皆為80℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例B1]相同的方式進行製造[實施例B13]之抗反射膜。
[實施例B14]、[實施例B15]
在[實施例B14]、[實施例B15]中，取代偏在層形成塗液B1而使用偏在層形成塗液B11、B12，其他製造條件是以與[實施例B1]相同的方式進行製造[實施例B14]、[實施例B15]之抗反射膜。
在表3中，概括展示在[實施例B1]至[實施例B15]中之製造條件。
就所獲得[實施例B1]至[實施例B15]之抗反射膜進行如前所述之評估，同時加以確認在偏在層中各層之形成狀態。表4是概括展示評估結果等。
(C)　調平材料：具有氟之化合物×導電性材料：導電性高分子
在下文中，則就調平材料是使用具有氟之化合物，導電性材料是使用導電性高分子時之實施例加以說明。
在下文中，說明偏在層形成塗液C1至C10之(調整例)。
＜調整例C1＞ (偏在層形成塗液C1)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液C1。
＜調整例C2＞ (偏在層形成塗液C2)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液C2。
＜調整例C3＞ (偏在層形成塗液C3)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液C3。
＜調整例C4＞ (偏在層形成塗液C4)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液C4。
＜調整例C5＞ (偏在層形成塗液C5)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液C5。
＜調整例C6＞ (偏在層形成塗液C6)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用異丙醇將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液C6。
＜調整例C7＞ (偏在層形成塗液C7)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為20重量%，以作為偏在層形成塗液C7。
＜調整例C8＞ (偏在層形成塗液C8)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為90重量%，以作為偏在層形成塗液C8。
＜調整例C9＞ (偏在層形成塗液C9)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液C9。
＜調整例C10＞ (偏在層形成塗液C10)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液C10。
在下文中，說明低折射率層形成塗液C之(調整例)。
(低折射率層形成塗液C)
，使用異丙醇將此等加以調液成使得固體成分為5重量%，以作為低折射率層形成塗液C。
[實施例C1] (偏在層之形成)
在三乙醯基纖維素膜(富士薄膜公司製造：膜厚80μm)之單面塗布偏在層形成塗液C1，在25℃下在乾燥爐內進行乾燥10秒鐘作為一次乾燥，接著在80℃下在乾燥爐內進行乾燥50秒鐘作為二次乾燥。經乾燥後，藉由使用紫外線照射裝置(日本UV系統公司製造、光源為H燈泡)在照射線量為300 mJ/m2下進行紫外線照射，以形成乾燥膜厚為5μm之透明偏在層。
(低折射率層之形成)
在所形成的偏在層上，將低折射率層形成塗液C塗布成乾燥後之膜厚為100 nm。在實施第一乾燥溫度為25℃歷時25秒鐘後，進行第二乾燥溫度為80℃歷時50秒鐘，然後使用紫外線照射裝置(日本UV系統公司製造、光源為H燈泡)在照射線量為192 mJ/m2下進行紫外線照射使其硬膜而形成低折射率層，以製造[實施例C1]之抗反射膜。
[實施例C2]至[實施例C8]
在[實施例C2]至[實施例C8]中，取代偏在層形成用塗液C1而使用偏在層形成塗液C2至C8，其他製造條件是以與[實施例C1]相同的方式進行製造[實施例C2]至[實施例C8]之抗反射膜。
[實施例C9]至[實施例C11]
在[實施例C9]中，使用偏在層形成塗液C1，第一乾燥溫度為50℃且第二乾燥溫度為60℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例C1]相同的方式進行製造[實施例C9]之抗反射膜。
在[實施例C10]中，使用偏在層形成塗液C1，一次乾燥溫度及二次乾燥溫度皆為25℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例C1]相同的方式進行製造[實施例C10]之抗反射膜。
在[實施例C11]中，使用偏在層形成塗液C1，一次乾燥溫度及二次乾燥溫度皆為80℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例C1]相同的方式進行製造[實施例C11]之抗反射膜。
[實施例C12]、[實施例C13]
在[實施例C12]、[實施例C13]中，取代偏在層形成塗液C1而使用偏在層形成塗液C9、C10，其他製造條件是以與[實施例C1]相同的方式進行製造[實施例C12]、[實施例C13]之抗反射膜。
在表5中，概括展示在[實施例C1]至[實施例C13]中之製造條件。
就所獲得[實施例C1]至[實施例C13]之抗反射膜進行如前所述之評估，同時加以確認在偏在層中各層之形成狀態。表6是概括展示評估結果等。
(D)　調平材料：具有矽氧烷鍵之化合物×導電性材料：四級銨鹽材料
在下文中，則就調平材料是使用具有矽氧烷鍵之化合物、導電性材料是使用四級銨鹽材料時之實施例加以說明。
在下文中，說明偏在層形成塗液D1至D12之(調整例)。
(合成例1)
在配備有攪拌翼、回流冷卻管、乾燥空氣導入管、溫度計之四頸燒瓶中，裝入
，在氮氣環境下，在65℃下進行聚合3小時。聚合結束後，將反應液放入己烷中，使產物析出後加以乾燥。所獲得四級銨鹽材料之重量平均分子量為18500。
＜調整例D1＞ (偏在層形成塗液D1)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液D1。
＜調整例D2＞ (偏在層形成塗液D2)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液D2。
＜調整例D3＞ (偏在層形成塗液D3)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液D3。
＜調整例D4＞ (偏在層形成塗液D4)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液D4。
＜調整例D5＞ (偏在層形成塗液D5)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液D5。
＜調整例D6＞ (偏在層形成塗液D6)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液D6。
＜調整例D7＞ (偏在層形成塗液D7)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液D7。
＜調整例D8＞ (偏在層形成塗液D8)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用異丙醇將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液D8。
＜調整例D9＞ (偏在層形成塗液D9)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為20重量%，以作為偏在層形成塗液D9。
＜調整例D10＞ (偏在層形成塗液D10)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為90重量%，以作為偏在層形成塗液D10。
＜調整例D11＞ (偏在層形成塗液D11)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液D11。
＜調整例D12＞ (偏在層形成塗液D12)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液D12。
在下文中，說明低折射率層形成塗液D之(調整例)。
(低折射率層形成塗液D)
，使用異丙醇將此等加以調液成使得固體成分為5重量%，以作為低折射率層形成塗液D。
[實施例D1] (偏在層之形成)
在三乙醯基纖維素膜(富士薄膜公司製造：膜厚80μm)之單面塗布偏在層形成塗液D1，在25℃下在乾燥爐內進行乾燥10秒鐘作為一次乾燥，接著在80℃下在乾燥爐內進行乾燥50秒鐘作為二次乾燥。經乾燥後，藉由使用紫外線照射裝置(日本UV系統公司製造、光源為H燈泡)在照射線量為300 mJ/m2下進行紫外線照射，以形成乾燥膜厚為5μm之透明偏在層。
(低折射率層之形成)
在所形成的偏在層上，將低折射率層形成塗液D塗布成乾燥後之膜厚為100 nm。在實施第一乾燥溫度為25℃歷時25秒鐘後，進行第二乾燥溫度為80℃歷時50秒鐘，然後使用紫外線照射裝置(日本UV系統公司製造、光源為H燈泡)在照射線量為192 mJ/m2下進行紫外線照射使其硬膜而形成低折射率層，以製造[實施例D1]之抗反射膜。
[實施例D2]至[實施例D10]
在[實施例D2]至[實施例D10]中，取代偏在層形成用塗液D1而使用偏在層形成塗液D2至D10，其他製造條件是以與[實施例D1]相同的方式進行製造[實施例D2]至[實施例D10]之抗反射膜。
[實施例D11]至[實施例D13]
在[實施例D11]中，使用偏在層形成塗液D1，第一乾燥溫度為50℃且第二乾燥溫度為60℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例D1]相同的方式進行製造[實施例D11]之抗反射膜。
在[實施例D12]中，使用偏在層形成塗液D1，一次乾燥溫度及二次乾燥溫度皆為25℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例D1]相同的方式進行製造[實施例D12]之抗反射膜。
在[實施例D13]中，使用偏在層形成塗液D1，一次乾燥溫度及二次乾燥溫度皆為80℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例A1]相同的方式進行製造[實施例D13]之抗反射膜。
[實施例D14]、[實施例D15]
在[實施例D14]、[實施例D15]中，取代偏在層形成塗液D1而使用偏在層形成塗液D11、D12，其他製造條件是以與[實施例D1]相同的方式進行製造[實施例D14]、[實施例D15]之抗反射膜。
在表7中，概括展示在[實施例D1]至[實施例D15]中之製造條件。
就所獲得[實施例D1]至[實施例D15]之抗反射膜進行如前所述之評估，同時加以確認在偏在層中各層之形成狀態。表8是概括展示評估結果等。
(E)　調平材料：具有矽氧烷鍵之化合物×導電性材料：金屬氧化物粒子
在下文中，則就調平材料是使用具有矽氧烷鍵之化合物，導電性材料是使用金屬氧化物粒子時之實施例加以說明。
在下文中，說明偏在層形成塗液E1至E11之(調整例)。
＜調整例E1＞ (偏在層形成塗液E1)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液E1。
＜調整例E2＞ (偏在層形成塗液E2)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液E2。
＜調整例E3＞ (偏在層形成塗液E3)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液E3。
＜調整例E4＞ (偏在層形成塗液E4)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液E4。
＜調整例E5＞ (偏在層形成塗液E5)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液E5。
＜調整例E6＞ (偏在層形成塗液E6)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液E6。
＜調整例E7＞ (偏在層形成塗液E7)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用異丙醇將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液E7。
＜調整例E8＞ (偏在層形成塗液E8)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為20重量%，以作為偏在層形成塗液E8。
＜調整例E9＞ (偏在層形成塗液E9)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為90重量%，以作為偏在層形成塗液E9。
＜調整例E10＞ (偏在層形成塗液E10)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液E10。
＜調整例E11＞ (偏在層形成塗液E11)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液E11。
在下文中，說明低折射率層形成塗液E之(調整例)。
(低折射率層形成塗液E)
，使用異丙醇將此等加以調液成使得固體成分為5重量%，以作為低折射率層形成塗液E。
[實施例E1] (偏在層之形成)
在三乙醯基纖維素膜(富士薄膜公司製造：膜厚80μm)之單面塗布偏在層形成塗液E1，在25℃下在乾燥爐內進行乾燥10秒鐘作為一次乾燥，接著在80℃下在乾燥爐內進行乾燥50秒鐘作為二次乾燥。經乾燥後，藉由使用紫外線照射裝置(日本UV系統公司製造、光源為H燈泡)在照射線量為300 mJ/m2下進行紫外線照射，以形成乾燥膜厚為5μm之透明偏在層。
(低折射率層之形成)
在所形成的偏在層上，將低折射率層形成塗液E塗布成乾燥後之膜厚為100 nm。在實施第一乾燥溫度為25℃歷時25秒鐘後，進行第二乾燥溫度為80℃歷時50秒鐘，然後使用紫外線照射裝置(日本UV系統公司製造、光源為H燈泡)在照射線量為192 mJ/m2下進行紫外線照射使其硬膜而形成低折射率層，以製造[實施例E1]之抗反射膜。
[實施例E2]至[實施例E9]
在[實施例E2]至[實施例E9]中，取代偏在層形成用塗液E1而使用偏在層形成塗液E2至E9，其他製造條件是以與[實施例E1]相同的方式進行製造[實施例E2]至[實施例E9]之抗反射膜。
[實施例E10]至[實施例E12]
在[實施例E10]中，使用偏在層形成塗液E1，第一乾燥溫度為50℃且第二乾燥溫度為60℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例E1]相同的方式進行製造[實施例E10]之抗反射膜。
在[實施例E11]中，使用偏在層形成塗液E1，一次乾燥溫度及二次乾燥溫度皆為25℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例E1]相同的方式進行製造[實施例E11]之抗反射膜。
在[實施例E12]中，使用偏在層形成塗液E1，一次乾燥溫度及二次乾燥溫度皆為80℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例E1]相同的方式進行製造[實施例E12]之抗反射膜。
[實施例E13]、[實施例E14]
在[實施例E13]、[實施例E14]中，取代偏在層形成塗液E1而使用偏在層形成塗液E13、E14，其他製造條件是以與[實施例E1]相同的方式進行製造[實施例E13]、[實施例E14]之抗反射膜。
在表9中，概括展示在[實施例E1]至[實施例E14]中之製造條件。
就所獲得[實施例E1]至[實施例E14]之抗反射膜進行如前所述之評估，同時加以確認在偏在層中各層之形成狀態。表10是概括展示評估結果等。
(F)　調平材料：具有矽氧烷鍵之化合物×導電性材料：四級銨鹽
在下文中，則就調平材料是使用具有矽氧烷鍵之化合物，導電性材料是使用導電性高分子時之實施例加以說明。
在下文中，說明偏在層形成塗液F1至F10之(調整例)。
＜調整例F1＞ (偏在層形成塗液F1)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液F1。
＜調整例F2＞ (偏在層形成塗液F2)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液F2。
＜調整例F3＞ (偏在層形成塗液F3)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液F3。
＜調整例F4＞ (偏在層形成塗液F4)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液F4。
＜調整例F5＞ (偏在層形成塗液F5)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液F5。
＜調整例F6＞ (偏在層形成塗液F6)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用異丙醇將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液F1。
＜調整例F7＞ (偏在層形成塗液F7)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為20重量%，以作為偏在層形成塗液F7。
＜調整例F8＞ (偏在層形成塗液F8)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為90重量%，以作為偏在層形成塗液F8。
＜調整例F9＞ (偏在層形成塗液F9)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液F9。
＜調整例F10＞ (偏在層形成塗液F10)
相對於100重量份之胺基甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之UA-306T)，準備：
，使用甲基乙基酮將此等加以調液成使得固體成分為50重量%，以作為偏在層形成塗液F10。
在下文中，說明低折射率層形成塗液F之(調整例)。
(低折射率層形成塗液F)
，使用異丙醇將此等加以調液成使得固體成分為5重量%，以作為低折射率層形成塗液F。
[實施例F1] (偏在層之形成)
在三乙醯基纖維素膜(富士薄膜公司製造：膜厚80μm)之單面塗布偏在層形成塗液F1，在25℃下在乾燥爐內進行乾燥10秒鐘作為一次乾燥，接著在80℃下在乾燥爐內進行乾燥50秒鐘作為二次乾燥。經乾燥後，藉由使用紫外線照射裝置(日本UV系統公司製造、光源為H燈泡)在照射線量為300 mJ/m2下進行紫外線照射，以形成乾燥膜厚為5μm之透明偏在層。
(低折射率層之形成)
在所形成的偏在層上，將低折射率層形成塗液F塗布成乾燥後之膜厚為100 nm。在實施第一乾燥溫度為25℃歷時25秒鐘後，進行第二乾燥溫度為80℃歷時50秒鐘，然後使用紫外線照射裝置(日本UV系統公司製造、光源為H燈泡)在照射線量為192 mJ/m2下進行紫外線照射使其硬膜而形成低折射率層，以製造[實施例F1]之抗反射膜。
[實施例F2]至[實施例F8]
在[實施例F2]至[實施例F8]中，取代偏在層形成用塗液F1而使用偏在層形成塗液F2至F8，其他製造條件是以與[實施例F1]相同的方式進行製造[實施例F2]至[實施例F8]之抗反射膜。
[實施例F9]至[實施例F11]
在[實施例F9]中，使用偏在層形成塗液F1，第一乾燥溫度為50℃且第二乾燥溫度為60℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例F1]相同的方式進行製造[實施例F9]之抗反射膜。
在[實施例F10]中，使用偏在層形成塗液F1，一次乾燥溫度及二次乾燥溫度皆為25℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例F1]相同的方式進行製造[實施例F10]之抗反射膜。
在[實施例F11]中，使用偏在層形成塗液F1，一次乾燥溫度及二次乾燥溫度皆為80℃以形成偏在層，其他製造條件是以與[實施例F1]相同的方式進行製造[實施例F11]之抗反射膜。
[實施例F12]、[實施例F13]
在[實施例F12]、[實施例F13]中，取代偏在層形成塗液F1而使用偏在層形成塗液F9、F10，其他製造條件是以與[實施例F1]相同的方式進行製造[實施例F12]、[實施例F13]之抗反射膜。
在表11中，概括展示在[實施例F1]至[實施例F13]中之製造條件。
就所獲得[實施例F1]至[實施例F13]之抗反射膜進行如前所述之評估，同時加以確認在偏在層中各層之形成狀態。表12是概括展示評估結果等。
實施例之結果，將偏在層製成由中間層、硬質塗層、抗靜電層、調平層所構成之抗反射膜，藉此可提供一種具備低製造成本與優異的光學特性、高耐擦傷性、抗靜電性能之抗反射膜。
1．．．抗反射膜
11．．．透明基材
12．．．偏在層
12a．．．中間層
12b．．．硬質塗層
12c．．．抗靜電層
12d．．．調平層
13．．．低折射率層
21．．．塗布裝置
22．．．乾燥裝置
22a．．．一次乾燥裝置
22b．．．二次乾燥裝置
23．．．電離放射線照射裝置
31．．．捲出部
32．．．捲取部
第1圖本發明之一實施例之抗反射膜之截面示意圖。
第2圖本發明之一實施例之抗反射膜之製造步驟之示意圖。
11．．．透明基材
12．．．偏在層
12a．．．中間層
12b．．．硬質塗層
12c．．．抗靜電層
12d．．．調平層
13．．．低折射率層

Claims (13)

  1. 一種抗反射膜，其係在透明基材之至少一面將偏在層與低折射率層依此順序所積層而成之抗反射膜，且該偏在層是至少由透明基材側以中間層、硬質塗層、含有導電性材料之抗靜電層、含有調平材料之調平層之順序所偏在而積層，且該中間層是由電離放射線硬化型材料與三乙醯基纖維素成分所構成，且該硬質塗層主要是由電離放射線硬化型材料所構成，且包含在該導電層之導電性材料是選自四級銨鹽材料、金屬氧化物粒子及導電性高分子，且該調平材料至少含有具有氟之化合物或具有矽氧烷鍵之化合物，且使用四級銨鹽材料作為該偏在層中之導電性材料時，其含量為0.5重量%以上且少於25重量%，且使用金屬氧化物粒子作為該偏在層中之導電性材料時，其含量為0.5重量%以上且少於25重量%，且使用導電性高分子作為該偏在層中之導電性材料時，其含量為0.1重量%以上且少於25重量%，且該偏在層中之調平材料的含量為0.001重量%以上且少於5.00重量%。
  2. 如申請專利範圍第1項之抗反射膜，其中 該抗反射膜之平行光線透射率為93%以上，且該抗反射膜之霧度為在1.0%以下之範圍內，且該抗反射膜在低折射率層表面之表面電阻值為在1×105Ω/cm2以上且1×1012Ω/cm2以下之範圍內，且該抗反射膜在低折射率層表面之純水接觸角為在80°以上且130°以下之範圍內。
  3. 如申請專利範圍第1項之抗反射膜，其中該具有氟之化合物是選自具有全氟烷基之化合物或具有氟化烯基之化合物。
  4. 如申請專利範圍第2項之抗反射膜，其中該具有氟之化合物是選自具有全氟烷基之化合物或具有氟化烯基之化合物。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之抗反射膜，其中包含在該導電層之導電性材料含有四級銨鹽材料，且包含在該調平層之調平材料含有具有氟之化合物，且該四級銨鹽材料的分子量(Q)為1000以上且100000以下，且該具有氟之化合物的分子量(A)為500以上且100000以下。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之抗反射膜，其中包含在該導電層之導電性材料含有金屬氧化物粒 子，且包含在該調平層之調平材料含有具有氟之化合物，且該金屬氧化物粒子之平均粒徑為1nm以上且500nm以下，且該具有氟之化合物的分子量(A)為500以上且100000以下。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之抗反射膜，其中包含在該導電層之導電性材料含有導電性高分子，且包含在該調平層之調平材料含有具有氟之化合物，且該導電性高分子之平均粒徑為1nm以上且1000nm以下，且該具有氟之化合物的分子量(A)為500以上且100000以下。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之抗反射膜，其中包含在該導電層之導電性材料含有四級銨鹽材料，且包含在該調平層之調平材料含有具有矽氧烷鍵之化合物，且該四級銨鹽材料的分子量(Q)為1000以上且100000以下，且 該具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)為500以上且100000以下。
  9. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之抗反射膜，其中包含在該導電層之導電性材料含有金屬氧化物粒子，且包含在該調平層之調平材料含有具有矽氧烷鍵之化合物，且該金屬氧化物粒子之平均粒徑為1nm以上且500nm以下，且該具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)為500以上且100000以下。
  10. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之抗反射膜，其中包含在該導電層之導電性材料含有導電性高分子，且包含在該調平層之調平材料含有具有矽氧烷鍵之化合物，且該導電性高分子之平均粒徑為1nm以上且1000nm以下，且該具有矽氧烷鍵之化合物的分子量(B)為500以上且100000以下。
  11. 一種抗反射膜之製造方法，其特徵為其係在透明基材之至少一面將偏在層與低折射率層依此順序所積層而成之抗反射膜之製造方法，且具備依下列順序所進行之各步 驟：塗布步驟，其係進行在該透明基材之至少一面塗布含有電離放射線硬化型材料、導電性材料、調平材料及溶劑之偏在層形成塗液以形成偏在層之塗膜；乾燥步驟，其係進行將該偏在層之塗膜施加一次乾燥與二次乾燥；硬膜步驟，其係進行對該偏在層之塗膜照射電離放射線以形成偏在層；塗布步驟，其係進行塗布含有低折射率層形成材料與溶劑之低折射率層形成塗液以形成低折射率層之塗膜；乾燥步驟，其係進行將該低折射率層之塗膜加以乾燥；以及硬膜步驟，其係進行形成該低折射率層；且該偏在層係以中間層、硬質塗層、抗靜電層、調平層之順序所偏在而積層，且該調平材料至少含有具有氟之化合物或具有矽氧烷鍵之化合物。
  12. 如申請專利範圍第11項之抗反射膜之製造方法，其中包含在該偏在層形成塗液之全部溶劑中之30重量%以上之溶劑是將透明基材加以溶解或膨潤之溶劑，且在該偏在層形成塗液中所含有的溶劑之比例為在25重量%以上且85重量%以下之範圍內。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之抗反射膜之製造方法，其中進行將該偏在層之塗膜加以乾燥之乾燥步驟可舉出在乾燥溫度為15℃以上且30℃以下之範圍內所進行之一次乾燥、及在乾燥溫度為40℃以上且150℃以下之範圍內所進行之二次乾燥的二階段式連續乾燥。
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