TWI542473B - 生坯片製造用離形膜 - Google Patents

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TWI542473B TW103111561A TW103111561A TWI542473B TW I542473 B TWI542473 B TW I542473B TW 103111561 A TW103111561 A TW 103111561A TW 103111561 A TW103111561 A TW 103111561A TW I542473 B TWI542473 B TW I542473B
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Description

生坯片製造用離形膜
本發明係關於一種生坯片(green sheet)製造用離形膜。
關於陶瓷電容器(ceramic condenser)之製造中，為了形成生坯片而使用著生坯片製造用離形膜。
一般而言，離形膜係由基材及離形劑層構成。於如此之離形膜上塗覆陶瓷漿料並將其乾燥而製造出生坯片，陶瓷漿料係於有機溶劑中分散、溶解陶瓷粒子與黏合劑樹脂。接著，所製造出之生坯片係從離形膜剝離下來而用於陶瓷電容器之製造。
使用習知之離形膜之製造生坯片的過程中，離形膜之表面凹凸狀態會轉印至生坯片，而使得生坯片之表面產生針孔等問題。
因此，有人試圖藉由盡可能抑制生坯片製造用離形膜之表面的凹凸狀態，以減緩凹凸狀態對生坯片產生影響(例如參照專利文獻1，日本專利公開案2003-203822號公報)。
然而，近年隨著陶瓷電容器的小型化及高密度化，人們要求生坯片必須更加薄膜化，而習知之生坯片製造用離形膜無法回應如此之薄膜化需求。亦即，使用習知之生坯片製造用離 形膜形成薄的生坯片時，難以防止因生坯片製造用離形膜之表面凹凸狀態轉印至生坯片而產生針孔等問題發生。
而且，生坯片製造用離形膜一般會以捲成滾筒狀的狀態進行存放及運送，於形成生坯片時，再將其從捲筒狀的狀態展開使用。習知技術中，將此已捲起之生坯片製造用離形膜展開時，生坯片製造用離形膜之表面會產生靜電，而會有因所產生的靜電使粉塵等異物附著於生坯片製造用離形膜的問題。因此，使用生坯片製造用離形膜製造生坯片時，此附著的異物會導致生坯片發生針孔等問題。尤其是生坯片製造用離形膜之表面凹凸狀態愈小，發生如同前述靜電之情形會愈顯著。
本發明之目的在於提供生坯片製造用離形膜，其能夠防止生坯片之表面發生針孔或部分厚度不均等情形，而能夠製造高信賴度之生坯片。
藉由下述(1)~(5)之本發明達成所述目的。
(1)一種用以製造生坯片之生坯片製造用離形膜，包括一基材及一離形劑層。基材具有一第一表面及一第二表面。離形劑層設置於前述基材之前述第一表面。前述離形劑層係藉由對一塗布層照射一活性能量射線(active energy ray)而形成，塗布層係由將包含一活性能量射線硬化性化合物(A)、一聚有機矽氧烷(polyorganosilioxane)(B)及一碳奈米材料(C)之一離形劑層形成用材料塗布於前述第一表面位置而形成，活性能量射線 硬化性化合物(A)具有選自(甲基)丙烯醯((metha)acryloyl)基、烯(alkenyl)基及馬來醯亞胺(maleimide)基所構成之群組中之至少一者之一反應性官能基。前述離形劑層之一外表面之一算數平均粗糙度Ra1為8nm以下，且前述離形劑層之前述外表面之一最大突起高度Rp1為50nm以下。
(2)如上述(1)所述之生坯片製造用離形膜，其中前述離形劑層之一平均膜厚為0.2~2μm。
(3)如上述(1)或(2)所述之生坯片製造用離形膜，其中於前述離形劑層形成用材料中之前述聚有機矽氧烷(B)以固體含量計算之含量為0.5~5之質量百分比(%)。
(4)如上述(1)至(3)之其中之一所述之生坯片製造用離形膜，其中前述聚有機矽氧烷(B)為具有直鏈狀或分支狀之一分子鏈之聚有機矽氧烷，於此分子鏈之末端及/或側鏈，具有選自(甲基)丙烯醯基、烯基及馬來醯亞胺基所構成之群組中之至少一者之反應性官能基係以直接或中介有二價連接基之方式結合至前述分子鏈中之矽原子。
(5)如上述(1)至(4)之其中之一所述之生坯片製造用離形膜，其中於前述離形劑層形成用材料中之前述碳奈米材料(C)以固體含量計算之含量為0.05~10之質量百分比。
藉由本發明，能夠提供生坯片製造用離形膜，能優化離形劑層之外表面之平滑性，同時能具備優良的防靜電防性及離形性。藉此，能防止生坯片製造用離形膜之表面凹凸狀態轉印 至生坯片。如此之結果，能夠防止生坯片之表面發生針孔或部分厚度不均等情形。
再者，本發明之生坯片製造用離形膜具有適度的導電性。因此，能夠降低生坯片製造用離形膜之表面阻抗值。藉此，將已捲繞之生坯片製造用離形膜展開時，能夠抑制靜電的發生。如此之結果，因能夠防止粉塵等異物附著於生坯片製造用離形膜之表面，而能夠防止塗覆陶瓷漿料時漿料被彈開及所製造之生坯片之表面發生針孔等問題。而且，於剝離生坯片時，能夠防止因靜電而剝離不良等問題發生，進而能夠防止生坯片發生破損或皺褶等情形。
1‧‧‧生坯片製造用離形膜
11‧‧‧基材
111‧‧‧基材之第一表面
112‧‧‧基材之第二表面
12‧‧‧離形劑層
121‧‧‧離形劑層之外表面
第1圖繪示本發明之生坯片製造用離形膜之側視剖面圖。
以下將參照優選實施型態而詳細說明本發明。
以下將描述生坯片製造用離形膜。
本發明之生坯片製造用離形膜係用來製造生坯片。而且，所製造出之生坯片係例如用於陶瓷電容器等物之製造。
第1圖繪示本發明之生坯片製造用離形膜之側視剖面圖。而且，於以下說明中，第1圖之上側以「上」表示，下側以「下」表示。
如第1圖所示，生坯片製造用離形膜1具有一基材 11及一離形劑層12。基材11具有一第一表面111及一第二表面112。離形劑層12設置於基材11之第一表面111上。換言之，如第1圖所示，生坯片製造用離形膜1為基材11及離形劑層12以依序相互接合之方式堆疊而成的二層構造。
再者，於本說明書中，使用生坯片製造用離形膜1製造生坯片的場合下，生坯片例如以於離形劑層12之外表面121上塗覆經溶解之陶瓷漿料之方式形成。
於本發明中，生坯片製造用離形膜1具有基材11及離形劑層12。而且，本發明之生坯片製造用離形膜1具有下述特徵，離形劑層12係藉由將一離形劑層形成用材料塗布於基材11之第一表面111位置並對其照射一活性能量射線而形成，離形劑層形成用材料包含具有指定反應性官能基之一活性能量射線硬化性化合物(A)、一聚有機矽氧烷(B)及一碳奈米材料(C)，離形劑層12之一外表面121之一算數平均粗糙度Ra1為8nm以下，且其外表面121之一最大突起高度Rp1為50nm以下。
藉由如此之特徵，能夠優化離形劑層12之外表面121之平滑性，還同時能夠得到具備抗靜電性及離形性之生坯片製造用離形膜1。而且，若使用此生坯片製造用離形膜1製造生坯片，能夠防止生坯片之表面發生針孔或部分厚度不均等情形。
尤其是離形劑層12藉由碳奈米材料(C)的作用而具有適度的導電性。因此，能夠降低生坯片製造用離形膜1之表面阻抗值。藉此，將已捲繞之生坯片製造用離形膜1展開時，能 夠抑制靜電的發生。如此之結果，能夠防止粉塵等異物附著於生坯片製造用離形膜1之表面，而能夠防止因所附著之異物而發生針孔等問題。
而且，離形劑層12藉由聚有機矽氧烷(B)的作用而發揮出優良的離形性。因此，離形劑層12藉由因聚有機矽氧烷(B)之作用而有之離形性及因碳奈米材料(C)之作用而有之抗靜電性的協同效果，於從生坯片製造用離形膜1剝離生坯片時，能夠防止生坯片發生破損或皺褶等情形。
另外，離形劑層形成用材料包含具有指定反應性官能基之活性能量射線硬化性化合物(A)，且具有適度的流動性及形狀保持性。因此，若使用以這樣的離形劑層形成用材料構成之離形劑層12，係能夠易於填入(消除)基材11之表面之凹凸狀態。而且，還能夠確實保持填入的狀態。如此之結果，能夠優化離形劑層12之外表面121的平滑性。因此，能夠防止離形劑層12之外表面121之凹凸形狀轉印至所形成之生坯片時所產生之針孔等問題發生。
另外，舉例而言，因這樣的離形劑層12之外表面121之算數平均粗糙度Ra1及最大突起高度Rp1如同前述，即使於製造厚度未達1μm之薄膜的生坯片的場合中，亦能夠防止離形劑層12之外表面121之凹凸狀態轉印至生坯片。藉此，能夠防止生坯片之表面發生針孔等情形，而能夠得到高信賴度之生坯片。
以下，將依序說明關於本實施型態之構成生坯片製造用離形膜之各層。
以下將說明基材11。
基材11係具有將剛性、可撓性等物理強度賦予生坯片製造用離形膜1(以下有時亦僅稱為「離形膜1」)之功能。
基材11如第1圖所示，具有第一表面111及第二表面112。
構成基材11之材料並未特別受限，舉例而言，可為如聚對苯二甲酸丁二酯(polybutylene terephthalate，PBT)樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)樹脂及聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)樹脂等之聚酯(polyester)樹脂、如聚丙烯(polypropylene，PP)樹脂及聚甲基戊烯(polymethylpentene，PMP)樹脂等之聚烯烴(polyolefin)樹脂及聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)樹脂等之塑膠製之膜材。基材11能為單層膜材，亦能為同種或不同種之二層以上的多層膜材。其中特別以聚酯膜為佳，更甚者以雙軸延伸之聚對苯二甲酸乙二酯膜為佳。尤其聚酯膜於加工時及使用時之過程中不易產生粉塵。為此，舉例而言，使用以聚酯膜所製造之離形膜1製造生坯片之場合中，能夠有效防止因粉塵所導致之陶瓷漿料塗覆不良。如此之結果，能夠製造較少針孔之生坯片。
此外，基材11除了前述材料以外，亦能含有填充物等物。填充物能夠使用二氧化矽(silica)、二氧化鈦、碳酸鈣、 高嶺土及氧化鋁等之其中一種或組合二種以上之材料。藉由包含如此之填充物，能同時將機械強度賦予基材11，提升基材11之表面及背面的平滑度，還能抑制結塊現象(blocking)。
另外，基材11之第一表面111之算數平均粗糙度Ra0以2~80nm為佳，其第一表面111之算數平均粗糙度Ra0以5~50nm為較佳。藉此，如同後述，於基材11之第一表面111上形成填進第一表面111之凹凸狀態而平滑化之離形劑層12。因此，若算數平均粗糙度Ra0落於前述範圍內，則平滑化作用會變得特別顯著。
若第一表面111之算數平均粗糙度Ra2超過前述之上限值，根據離形劑層形成用材料之構成材料，由於難以使其充分填進第一表面111之凹凸狀態中，而有必須使離形劑層12之膜厚變得較厚的情形發生。
而且，第一表面111之最大突起高度Rp0以10~700nm為佳，第一表面111之最大突起高度Rp0以20~500nm為較佳。藉此，如同後述，因於基材11之第一表面111上形成填進第一表面111之凹凸狀態而平滑化之離形劑層12，若最大突起高度Rp0落於前述範圍內，則平滑化作用會變得特別顯著。
再者，基材11之第二表面112之算數平均粗糙度Ra2以5~40nm為佳，其第二表面112之算數平均粗糙度Ra2以10~30nm為較佳。而且，基材11之第二表面112之最大突起高度Rp2以60~500nm為佳。藉此，將離形劑層12之外表面121 為高度平滑之離形膜1捲繞於紙製、塑膠製或金屬製等之核心材而呈滾筒狀時，能夠充分排除空氣，而能夠有效抑制捲曲滑移的情形。因此，不必提高捲繞的張力，也能夠抑制因捲繞的張力所導致之卷芯部分的變形。再者，於展開捲筒狀之離形膜1時，能防止已捲起之離形膜1之表面及背面發生結塊現象。更甚者，於捲繞已形成生坯片之離形膜1以茲存放時，能夠防止與生坯片相接觸之基材11之第二表面112之表面形狀轉印至生坯片，進而能防止生坯片發生針孔或部分厚度不均等情形。如此之結果，能夠製造高信賴度之生坯片。
對此，若最大突起高度Rp2未達前述之下限值，存放(薄膜)生坯片形成前之離形膜1時，捲繞生坯片形成前之離形膜1之際，容易將空氣捲入，而易於發生捲曲滑移的情形。因此，離形膜1之取用會變得困難。而且，基材11與離形劑層12會彼此黏合，而難以充分防止結塊現象。另一方面，若最大突起高度Rp2超過前述之上限值，捲繞生坯片形成後之離形膜1時，與生坯片相接觸之基材11之第二表面112之突起形狀會轉印至生坯片。因此，恐會於生坯片發生針孔或部分厚度不均等情形，而難以充分保持生坯片之平滑性。
因此，基材11之第二表面112之最大突起高度Rp2雖以60~500nm為佳，但以80~400nm為較佳，以100~300nm為更佳。藉此，能使上述效果變得更為顯著。
而且，於本說明書中，基材11之第一表面111之算 數平均粗糙度Ra0及最大突起高度Rp0，還有基材11之第二表面112之算數平均粗糙度Ra2及最大突起高度Rp2，皆為依照日本工業標準(Japanese Industrial Standards，JIS)B0601-1994使用三豐(Mitutoyo)社製造之表面粗糙度測定機SV3000S4(觸針式)測定而求得之數值。此外，於本說明書中，除非另有規定，「算數平均粗糙度及最大突起高度」所指的是以前述方式測定而得到的數值。
另外，基材11之平均膜厚雖並未特別受限，但以10~300μm為佳，以15~200μm為較佳。藉此，離形膜1能具有適度的可撓性，也同時具有特別優良的耐撕裂性及耐破斷性。
以下將說明離形劑層12。
離形劑層12設置於基材11之第一表面111上。
離形劑層12具有將離形性及抗靜電性賦予離形膜1的功能。
離形劑層12為藉由對離形劑層形成用材料照射活性能量射線以硬化而形成之層狀物。
其中，離形劑層12係由離形劑層形成用材料所構成。離形劑層形成用材料包含具有選自(甲基)丙烯醯基、烯基及馬來醯亞胺基所構成之群組中之至少一者之反應性官能基之活性能量射線硬化性化合物(A)、聚有機矽氧烷(B)及碳奈米材料(C)。
如此構成之離形劑層12具有適度的導電性。因此， 能夠降低離形劑層12之外表面121之阻抗值。藉此，將已捲繞之生坯片製造用離形膜1展開時，能夠抑制靜電的發生。如此之結果，因能夠防止異物附著於離形劑層12之外表面121，而能夠防止生坯片發生針孔等問題。再者，因能夠防止由於離形劑層12之表面靜電而發生之陶瓷漿料波動或彈開等情形，而能夠形成膜厚更為均勻的生坯片。而且如此構成之離形劑層12除了具有適度的導電性以外，還具有離形性。因此，於剝離生坯片時，能夠防止因靜電而剝離不良等問題發生。如此之結果，能夠防止生坯片發生破損或皺褶等情形。
以下將詳細說明關於離形劑層形成用材料之各個成分。
而且，照射活性能量射線前之離形劑層形成用材料，於室溫下係以未硬化的狀態或半硬化的狀態的方式存在。
其中，如此之離形劑層形成用材料塗布於基材11之第一表面111上時具有適度的流動性。因此，若使用如此之離形劑層形成用材料，能夠易於填入基材11之第一表面111之凹凸狀態，也能夠確實保持此填入狀態。如此之結果，能夠防止基材11之凹凸狀態對於離形劑層12之相反於基材11之外表面121之位置產生影響，而能夠使離形劑層12之外表面121變得平滑。
以下將說明活性能量射線硬化性化合物(A)。
活性能量射線硬化性化合物(A)為對於藉由硬化而形成離形劑層12具有貢獻之成分。藉此，能夠使離形劑層12具 有更為適度的機械強度。
活性能量射線硬化性化合物(A)具有選自(甲基)丙烯醯基、烯基及馬來醯亞胺基所構成之群組中之至少一者之反應性官能基。其中，上述烯基例如為乙烯基(vinyl)、烯丙基(allyl)、丙烯基(propenyl)、己烯基(hexenyl)等之碳原子數為2~10個之烯基。尤其是以一個分子中具有二個以上之如此之反應性官能基為佳，以一個分子中具有三個以上之如此之反應性官能基為較佳。藉此，離形劑層12能夠得到優良的硬化性、耐溶劑性及離形性。而且，如此之活性能量射線硬化性化合物(A)具有適度的流動性及形狀保持性。因此，若使用含有如此之活性能量射線硬化性化合物(A)之離形劑層形成用材料塗布於基材11之第一表面111上時，能夠將離形劑層形成用材料確實填入基材11之表面之凹凸狀態，且能夠確實保持此填入的狀態。如此之結果，能夠使離形劑層12之外表面121變得平滑。
再者，於活性能量射線硬化性化合物(A)中前述反應性官能基之含量係以每1kg之活性能量射線硬化性化合物(A)有10當量以上為佳。藉此，即使於基材11之第一表面111上塗布成薄膜的場合中，仍能特別優化活性能量射線硬化性化合物(A)之硬化性。
具體而言，活性能量射線硬化性化合物(A)可為二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯(dipentaerythritol tri(metha) acrylate)、二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯(dipentaerythritol tetra(metha) acrylate)、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯(dipentaerythritol penta(metha) acrylate)、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯(dipentaerythritol hexa(metha) acrylate)、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯(pentaerythritol tri(metha) acrylate)及季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯(pentaerythritol tetra(metha) acrylate)等之多官能(甲基)丙烯酸酯((metha) acrylate)。其中，以使用選自二季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯及季戊四醇四丙烯酸酯所構成之群組中之至少一者之多官能丙烯酸酯為佳。藉此，即使於基材11之第一表面111上塗布成薄膜的場合中，仍能特別優化活性能量射線硬化性化合物(A)之硬化性。
於離形劑層形成用材料之中，活性能量射線硬化性化合物(A)以固體含量計算之含量(去除溶劑之全固體含量中之含有比率)以65~98.5之質量百分比為佳，以71~96.3之質量百分比為較佳。
以下將說明聚有機矽氧烷(B)。
聚有機矽氧烷(B)為使離形劑層12顯現離形性之成分。
舉例而言，聚有機矽氧烷(B)可為具有直鏈狀或分支狀之分子鏈之聚有機矽氧烷。尤其是於此分子鏈之末端及/或側鏈含有矽原子，且具有選自(甲基)丙烯醯基、烯基及馬來醯亞胺基所構成之群組中之至少一者之反應性官能基係以直接或中 介有二價連接基之方式結合至前述分子鏈中之矽原子為佳。一個分子中以具有至少一個上述之反應性官能基為佳。
舉例而言，前述之二價連接基可為伸烷基(alkylene)、伸烷氧基(alkyleneoxy)、氧基(oxy)、亞胺基(imino)、羰基(carbonyl)及其組合等之二價連接基。
二價連接基之碳原子數以1~30個為佳，以1~10個為較佳。
而且，能根據需求組合二種以上之聚有機矽氧烷(B)來使用。
於活性能量射線硬化性化合物(A)藉由照射活性能量射線而硬化時，如此經以反應性官能基置換之變性聚有機矽氧烷會併入且固定於活性能量射線硬化性化合物(A)之硬化物之交聯結構。藉此，能夠抑制身為離形劑層12之成分的聚有機矽氧烷遷移、轉黏至形成於離形劑層12之外表面121位置之生坯片。
另外，構成聚有機矽氧烷(B)之反應性官能基以外的有機基可為不具有脂肪族不飽和鍵之一價烴基。此有機基可為多個的一價烴基，其中亦可為彼此相同種類或相異種類。
前述烴基之碳原子數以1~12個為佳，碳原子數以1~10個為較佳。
具體而言，前述烴基可為甲基(methyl)、乙基(ethyl)、丙基(propyl)等之烷基(alkyl)及苯基(phenyl)、 甲苯基(tolyl)等之芳香基(aryl)。
做為如此構成之反應性官能基以外的有機基中，以有機基之80之莫耳(mole)百分比以上為甲基者為佳。藉此，能夠特別優化離形劑層12之離形性。
於離形劑層形成用材料之中，聚有機矽氧烷(B)以固體含量計算之含量以0.5~5之質量百分比為佳，以0.7~4之質量百分比為較佳。藉此，因陶瓷漿料不會彈開而更能夠塗布於基材11上，進而能夠特別優化生坯片製造用離形膜1之離形性。
對此，若於離形劑層形成用材料中之聚有機矽氧烷(B)以固體含量計算之含量未達前述之下限值，根據基材之種類等因素，所形成之離形劑層12恐無法充分發揮離形性。另一方面，若於離形劑層形成用材料中之聚有機矽氧烷以固體含量計算之含量超過前述之上限值，將陶瓷漿料塗布於所形成之離形劑層12之表面時，根據陶瓷漿料的構成材料等因素，恐容易彈開陶瓷漿料。
進一步而言，以A質量份表示活性能量射線硬化性化合物(A)之含量，以B質量份表示聚有機矽氧烷(B)之配合量時，B/A質量比以0.7/99.3~5/95之範圍為較佳，以1/99~4.5/95.5之範圍為特佳。藉此能使前述效果更為顯著。
以下將說明碳奈米材料(C)。
碳奈米材料(C)具有將抗靜電性賦予離形劑層12的功能。
舉例而言，碳奈米材料(C)能夠從富勒烯(fullerene)、碳奈米管、碳奈米纖維及碳奈米錐(horn)中使用一種或組合二種以上者。其中特別以碳奈米管為佳。藉此，能夠對離形劑層12賦予更適度的導電性，而能夠降低離形劑層12之外表面121之表面阻抗值。因此，能夠防止異物附著於離形劑層12之外表面121。如此之結果，能夠防止形成於離形劑層12上之生坯片發生針孔等問題。
尤其於如前述之碳奈米材料(C)中，碳奈米管呈現具有高長寬比(aspect ratio，長短程度)的纖維狀。因此，碳奈米管能夠容易以其纖維長度方向沿著離形劑層12之表面方向之方式配向。藉此，若使用碳奈米管，能夠具有適度的導電性的同時，還能得到具有更平滑的外表面121的離形劑層12。
其中，碳奈米材料(C)之平均直徑(纖維直徑)以1~1000nm為佳，以3~500nm為較佳，以5~100nm為更佳。
碳奈米材料(C)之平均長度(纖維長度)為10nm~200μm，雖並未特別受限，但例如以50nm~100μm為佳，以100nm~50μm為較佳。
再者，碳奈米材料(C)之長寬比例如以10~10000為佳，以200~5000為較佳，以400~2000為更佳。其中，碳奈米材料(C)之長寬比可為使用掃描型電子顯微鏡(scanning electron microscope)(日立高科技(high technologies)社製造，製品名「S-4700」)觀察碳奈米管而測定之數值。
舉例而言，於離形劑層形成用材料中之碳奈米材料(C)之含量以0.05~10之質量百分比為佳，以0.1~5之質量百分比為較佳，以0.2~1之質量百分比為更佳。若碳奈米材料(C)之含量未達前述之下限值，可能會有無法充分降低離形劑層12之表面阻抗率的場合。若碳奈米材料(C)之含量超過前述之上限值，則恐會降低離形劑層12之強度且劣化其耐溶劑性。
以下將說明光聚合起始劑(D)。
為了硬化離形劑層形成用材料，離形劑層形成用材料亦可包含光聚合起始劑(D)。尤其是使用紫外線做為活性能量射線的場合中，藉由使用光聚合起始劑(D)，能夠更易於確實硬化離形劑層形成用材料。
光聚合起始劑(D)雖並未特別受限，但可例如以使用α-胺烷基苯乙酮(α-amino alkyl phenone)系之光聚合起始劑為佳。硬化離形劑層形成用材料時，如此之α-胺烷基苯乙酮系之光聚合起始劑為不易受到氧氣阻礙之化合物。因此，即使在大氣下製造離形膜1，也能夠得到特別優良的硬化性。
舉例而言，α-胺烷基苯乙酮系之光聚合起始劑可為2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮(2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropane-1-one)、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉代苯基)-丁酮-1(2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1)、2-(二甲基胺基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-嗎啉基)苯基]-1-丁酮(2-(dimethylamino)-2-[(4- methylphenyl)methyl]-1-[4-(4-morphlinyl)phenyl]-1-butaone)等材料。藉此能夠得到特別優良的硬化性、耐溶劑性及離形性。
於離形劑層形成用材料之中，光聚合起始劑(D)以固體含量計算之含量以1~20之質量百分比為佳，以3~15之質量百分比為較佳。藉此，即使離形劑層12之厚度落於因氧氣阻礙而難以得到硬化性之厚度範圍內，也能夠得到特別優良之硬化性、耐溶劑性及離形性。
再者，於如此之離形膜1中，離形劑層12之外表面121附近會有源自於聚有機矽氧烷(B)之成分發生離析(segregation)的狀態。發生如此離析的理由如下。因所使用的聚有機矽氧烷(B)與活性能量射線硬化性化合物(A)相比，其分子構造、極性及分子量等皆相異，而於硬化離形劑層形成用材料之塗布層期間，聚有機矽氧烷(B)會被推浮至塗布層之表面附近。
此外，離形劑層形成用材料除了加入如同前述之成分以外，亦可包含其他成分。舉例而言，亦可包含敏化劑(sensitizer)、抗靜電劑、硬化劑等其他成分。
舉例而言，敏化劑可為2,4-二乙基噻吨酮(2,4-diethyl thioxanthone)及異丙基噻吨酮(isopropyl thioxanthone)等。藉此能夠更為提高反應性。
再者，於離形劑層形成用材料之中，前述其他成分以固體含量計算之含量以0~10之質量百分比為佳。
再者，如同前述，離形劑層12之外表面121之算數平均粗糙度Ra1為8nm以下，且其最大突起高度Rp1為50nm以下。藉此，於離形劑層12之外表面121位置成形生坯片時，能夠更確實地防止生坯片發生針孔或部分厚度不均等情形，而能夠使生坯片之表面更為高度平滑。
離形劑層12之平均厚度以0.2~2μm為佳，以0.3~1.5μm為較佳。若離形劑層12之厚度未達前述之下限值，離形劑層12之外表面121之平滑性會變得不足。如此之結果，於離形劑層12之外表面121位置成形生坯片時，恐會有生坯片發生針孔或部分厚度不均等情形。另一方面，若離形劑層12之厚度超過前述之上限值，會易於發生因離形劑層12之硬化收縮而於離形膜1發生翹曲的情形。而且，捲繞離形膜1而使基材11之第二表面112與離形劑層12之外表面121接觸時容易發生結塊現象。因此，恐會產生離形膜1捲繞不良的情形，也恐會於離形膜1捲出時增加靜電量。
離形劑層12之外表面121之表面阻抗率以1.0×1012Ω/□(Ω/sq)以下為佳，以1.0×1011Ω/□以下為較佳。若表面阻抗率落於前述範圍內，能夠更確實地降低起因於靜電發生而使異物等附著於離形劑層12之外表面121的情形。
而且，於本說明書中，表面阻抗率表示每單位表面積的阻抗。再者，於本說明書中使用Ω/□做為表面阻抗率的單位。
另外，表面阻抗率之測定能夠依照日本工業標準JIS K6911(1995)進行。
以下將說明生坯片製造用離形膜之製造方法。
接下來，將說明關於如同前述之生坯片製造用離形膜1之製造方法之適當的實施型態。
本實施型態之離形膜1之製造方法包括一基材準備製程、一塗布層形成製程及一離形劑層形成製程。基材準備製程係製備基材11。塗布層形成製程係將含有指定成分之離形劑層形成用材料塗布於基材11之第一表面111，將其乾燥而形成一塗布層。離形劑層形成製程係藉由以一活性能量射線照射並硬化塗布層而形成離形劑層12。
以下，將詳細說明各個製程。
以下將說明基材準備製程。
首先，製備基材11。
能夠於基材11之第一表面111施加氧化法等之表面處理。藉此，能夠特別優化基材11與設置於基材11之第一表面111之位置之離形劑層12間之黏著性。
再者，氧化法可例如為電暈(corona)放電處理、電漿(plasma)放電處理、鉻(chrome)氧化處理(濕式)、火焰處理、熱風處理、臭氧(ozone)處理、紫外線照射處理等。能夠根據基材11之種類而適當地選擇此些表面處理法。一般從效果及操作性之方面而言，以使用電暈放電處理法為佳。
以下將說明塗布層形成製程。
於本製程中，首先製備離形劑層形成用材料。
準備包含如同前述之活性能量射線硬化性化合物(A)、聚有機矽氧烷(B)及碳奈米材料(C)等成分之離形劑層形成用材料。藉由將此材料溶解或分散於溶劑中而得到離形劑層形成用材料。
其中，溶劑能夠例如使用甲醇(methanol)、乙醇(ethanol)、甲苯(toluene)、乙酸乙酯(ethyl acetate)、二甲苯(xylene)、甲基乙基酮(methyl ethyl ketone，MEK)、甲基丁基酮(methyl butyl ketone，MBK)及異丙醇(isopropyl alcohol)等醇類(alcohol)。
接著，於基材11之第一表面111上塗布成為液狀之離形劑層形成用材料，並加以乾燥。藉此，得到塗布層。
若使用包含如同前述成分之離形劑層形成用材料，則能夠填充基材11之第一表面111之凹凸狀態。如此之結果，能夠使離形劑層12之外表面121變得平滑。
塗布離形劑層形成用材料之方法，例如為凹版塗層(gravure coat)法、棒塗(bar coat)法、噴塗(spray coat)法、旋塗(spin coat)法、氣刀塗(air knife coat)法、輥塗(rollcoat)法、刮刀塗(blade coat)法、閘輥塗(gate roll coat)法、模塗(die coat)法。
另外，乾燥離形劑層形成用材料之方法雖並未特別受限，但可例如為使用熱風乾燥爐等之乾燥方法。
再者，乾燥條件並未特別受限。乾燥溫度以攝氏50~100度為佳，乾燥時間以持續5秒~1分鐘為佳。藉此，能夠防止塗布層非本意地變質，同時亦能夠特別有效率地形成塗布層。如此之結果，能夠提升最終所得到之離形膜1之生產性。而且，若乾燥溫度落於前述範圍內，於離形劑層形成用材料含有溶劑之場合下，隨著溶劑於乾燥時蒸發，而能夠特別防止塗布層發生翹曲及裂紋等問題。
以下將說明離形劑層形成製程。
接著，藉由以活性能量射線照射並硬化由塗布層形成製程得到之塗布層而形成離形劑層12。
於本製程中，係以保持外表面121平滑性之方式，硬化利用前述塗布層形成製程而確實填入基材11之第一表面111之凹凸狀態之塗布層。如此之結果，能夠得到外表面121十分平滑的離形劑層12。而且，藉由離形劑層形成用材料包含如同前述之構成成分，而能得到具有適度導電性的離形劑層12。
舉例而言，活性能量射線可為如紅外線、可見光、紫外線及X射線之電磁波，以及如電子束、離子束(ion beam)、中子束及α射線之粒子射線等。其中以使用紫外線或可見光為佳，以紫外線為較佳。藉此，能夠更容易且確實地形成離形劑層12。
舉例而言，活性能量射線(紫外線或可見光)之波長雖並未特別受限，但以波長200~600nm為佳，以波長250~ 450nm為較佳。若活性能量射線之波長落於前述範圍內，在充分縮短硬化塗布層之硬化時間的同時，還能夠均勻地硬化塗布層。另外，做為照射活性能量射線之機構並未特別受限，亦能夠利用各種一般的機構。例如能夠使用高壓水銀燈、金屬鹵化物燈(metal halide lamp)及準分子燈(excimer lamp)等光源燈做為光源。
再者，於照射活性能量射線(紫外線或可見光)之場合中，活性能量射線之照射量以總光量每平方公分50~400毫焦耳(mJ/cm2)為佳，以100~300mJ/cm2為較佳。若紫外線之照射量落於前述範圍內，能夠更均勻且確實地硬化塗布層。
還有，照射活性能量射線之時間雖並未特別受限，但以持續5秒~1分鐘為佳。藉此，能夠特別有效率地形成離形劑層12。如此之結果，能夠提升最終所得到之離形膜1之生產性。
若藉由以上所述之製程，能夠容易且確實地製造平滑性優良及抗靜電性優良之高信賴度的離形膜1。
而且，若藉由使用如此之離形膜1製造生坯片，能夠防止生坯片之表面產生針孔等情形。
而且，使用離形膜1製造陶瓷電容器之方法，能例如為以下方法，此方法包括於離形膜之離形劑層之表面塗布陶瓷粉末分散漿料並加以乾燥，形成生坯片之後，堆疊從離形膜剝離下來之生坯片而得到堆疊體，於燒結此堆疊體而得到之陶瓷片形成電極。因此，藉由使用離形膜1所形成生坯片形成陶瓷電容器，能防止因短路所導致之故障問題而得到高信賴度之陶瓷電容器。
以上基於本發明之優選實施型態之詳細說明，並非用以限定本發明。
上述之實施型態係用以舉例說明關於在基材11之第一表面111設置離形劑層12之生坯片製造用離形膜1。然而，生坯片製造用離形膜1並非限定於此，於基材11及離形劑層12之間亦可設置中間層。如此之中間層能夠提升基材11及離形劑層12間之黏著性。
本發明之生坯片製造用離形膜之構成中，能夠置換得以發揮同樣功能的任何構成，或者能夠添加任何構成。
舉例而言，前述之本實施型態中，雖以基材具有單層構造之方式進行說明，但並非限定於此。基材亦能具有同種或不同種之二層以上的多層構造。另外，關於離形劑層亦同樣地以其具有單層構造之方式進行說明，但並非限定於此。離形劑層亦能夠具有同種或不同種之二層以上的多層構造。
而且，舉例而言，前述之實施型態中，係說明關於將離形劑層設置於基材之第一表面之生坯片製造用離形膜。然而，生坯片製造用離形膜並非限定於此，而亦可將離形劑層設置於基材之第二表面之位置。
再者，本發明之生坯片製造用離形膜之製造方法並非限定於前述之方法，亦可根據需求而追加任何製程。
以下將說明實施例。
接下來，雖然將說明關於本發明之生坯片製造用離 形膜之具體的實施例，但並非將本發明僅限定於此些實施例。
以下將說明生坯片製造用離形膜之製作。
以下將說明實施例1。
首先，準備做為基材之雙軸延伸之聚對苯二甲酸乙二酯膜〔厚度：31μm，第一表面之算數平均粗糙度Ra0：29nm，第一表面之最大突起高度Rp0：257nm，第二表面之算數平均粗糙度Ra2：29nm，第二表面之最大突起高度Rp2：257nm〕。
接下來，將做為活性能量射線硬化性化合物(A)之二季戊四醇六丙烯酸酯(固體含量為100之質量百分比)取94.05之質量百分比，將做為聚有機矽氧烷(B)之含聚醚(polyether)變性丙烯醯基之聚二甲基矽氧烷(polydimethyl siloxane)(BYK化學社製造，製品名「BYK-3500」，固體含量為100之質量百分比)取0.95之質量百分比，將做為碳奈米材料(C)之多層碳奈米管(FILGEN株式會社製造，製品名「F-M-ML-1/25」，纖維直徑約10nm，長寬比500~1500)取0.24之質量百分比，且將做為光聚合起始劑(D)之α-胺烷基苯乙酮系之光聚合起始劑(BASF社製造，商品名「IRGACURE 907」，2-甲基-1[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮，固體含量為100之質量百分比)取4.76之質量百分比，並將上述稀釋於異丙醇/甲基乙基酮之混合溶劑(質量比為3/1)，而得到固體含量為20之質量百分比之離形劑層形成用材料。
將所得到之離形劑層形成用材料以棒塗機塗布於基 材之第一表面上。以攝氏80度對離形劑層形成用材料持續乾燥1分鐘之後，照射紫外線(總光量：250mJ/cm2)以形成離形劑層(厚度0.97μm)，進而得到生坯片製造用離形膜。
以下將說明實施例2及3。
除了如表1-1~1-3所示地變更離形劑層之厚度以外，以其餘皆與實施例1相同之方式製造出生坯片製造用離形膜。
以下將說明實施例4。
除了如表1-1~1-3所示地變更離形劑層形成用材料中之活性能量射線硬化性化合物(A)及聚有機矽氧烷(B)之質量比率以外，以其餘皆與實施例1相同之方式製造出離形膜。
以下將說明實施例5及6。
除了如表1-1~1-3所示地變更活性能量射線硬化性化合物(A)及碳奈米材料(C)之質量比率以外，以其餘皆與實施例1相同之方式製造出離形膜。
以下將說明實施例7。
除了將基材變更為雙軸延伸之聚對苯二甲酸乙二酯膜〔厚度：38μm，第一表面之算數平均粗糙度Ra0：15nm，第一表面之最大突起高度Rp0：98nm，第二表面之算數平均粗糙度Ra2：15nm，第二表面之最大突起高度Rp2：98nm〕以外，以其餘皆與實施例1相同之方式製造出離形膜。
以下將說明實施例8。
除了如表1-1~1-3所示地變更離形劑層之厚度以 外，以其餘皆與實施例1相同之方式製造出離形膜。
以下將說明實施例9。
除了將基材變更為雙軸延伸之聚對苯二甲酸乙二酯膜〔厚度：31μm，第一表面之算數平均粗糙度Ra0：7nm，第一表面之最大突起高度Rp0：43nm，第二表面之算數平均粗糙度Ra2：34nm，第二表面之最大突起高度Rp2：250nm〕以外，以其餘皆與實施例1相同之方式製造出離形膜。
以下將說明比較例1。
除了如表1-1~1-3所示地變更離形劑層形成用材料中之活性能量射線硬化性化合物(A)及聚有機矽氧烷(B)之質量比率以外，以其餘皆與實施例1相同之方式製造出離形膜。
以下將說明比較例2及3。
除了如表1-1~1-3所示地變更離形劑層之厚度以外，以其餘皆與實施例1相同之方式製造出離形膜。
以下將說明比較例4。
除了如表1-1~1-3所示地變更活性能量射線硬化性化合物(A)及碳奈米材料(C)之質量比率以外，以其餘皆與實施例1相同之方式製造出離形膜。
以下將說明比較例5。
將做為離形劑之熱硬化性矽酮(silicone)(信越化學工業社製造，KS-847H，固體含量為30之質量百分比)以固體含量取99.72之質量百分比，且將做為碳奈米材料(C)之多層 碳奈米管(FILGEN社製造，製品名「F-M-ML-1/25」，纖維直徑約10nm，長寬比500~1500)取0.24之質量百分比，並將上述稀釋於甲苯而得到稀釋液。將白金催化劑(信越化學工業社製造，CAT-PL-50T，固體含量為2之質量百分比)以固體含量取0.04之質量百分比混合於此稀釋液中，而調製出固體含量為5.0之質量百分比之離形劑溶液。
以欲形成之離形劑層之乾燥後厚度為0.3μm之方式，將所得到的離形劑溶液均勻塗布於與實施例1相同之基材之其中一表面(第一表面)。於攝氏140度持續1分鐘以乾燥離形劑溶液而形成離形劑層，並將此做為離形膜。
以下將說明比較例6及7。
除了如表1-1~1-3所示地變更離形劑層之厚度以外，以其餘皆與比較例5相同之方式製造出離形膜。
以下將說明比較例8。
除了使用下列材料做為離形劑層形成用材料以外，以其餘皆與實施例1相同之方式製造出生坯片製造用離形膜。
將做為活性能量射線硬化性化合物(A)之二季戊四醇六丙烯酸酯(固體含量為100之質量百分比)取94.05之質量百分比，將做為聚有機矽氧烷(B)之含聚醚(polyether)變性丙烯醯基之聚二甲基矽氧烷(polydimethyl siloxane)(BYK化學社製造，製品名「BYK-3500」，固體含量為100之質量百分比)取0.95之質量百分比，將針狀摻雜銻之氧化錫(石原產業株式會 社製造，製品名「FS-10P」，纖維直徑約10~20nm，長寬比20~30)取0.24之質量百分比，且將做為光聚合起始劑(D)之α-胺烷基苯乙酮系之光聚合起始劑(BASF社製造，商品名「IRGACURE 907」，2-甲基-1[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮，固體含量為100之質量百分比)取4.76之質量百分比，並將上述稀釋於異丙醇/甲基乙基酮之混合溶劑(質量比為3/1)，而得到固體含量為20之質量百分比之離形劑層形成用材料。
以下將說明比較例9。
除了使用下列材料做為離形劑層形成用材料以外，以其餘皆與實施例1相同之方式製造出生坯片製造用離形膜。
將做為活性能量射線硬化性化合物(A)之二季戊四醇六丙烯酸酯(固體含量為100之質量百分比)取94.05之質量百分比，將做為聚有機矽氧烷(B)之含聚醚(polyether)變性丙烯醯基之聚二甲基矽氧烷(polydimethyl siloxane)(BYK化學社製造，製品名「BYK-3500」，固體含量為100之質量百分比)取0.95之質量百分比，將以摻雜銻之氧化錫包覆金紅石(rutile)型針狀二氧化鈦之針狀導電材(石原產業株式會社製造，製品名「FT-1000」，纖維直徑約130nm，長寬比10~20)取0.24之質量百分比，且將做為光聚合起始劑(D)之α-胺烷基苯乙酮系之光聚合起始劑(BASF社製造，商品名「IRGACURE 907」，2-甲基-1[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮，固體含量為100之質量百分比)取4.76之質量百分比，並將上述稀釋於異丙醇/甲基 乙基酮之混合溶劑(質量比為3/1)，而得到固體含量為20之質量百分比之離形劑層形成用材料。
表1-1~1-3表示各實施利及各比較例之生坯片製造用離形膜之構成。
而且於表中，做為活性能量射線硬化性化合物(A)之二季戊四醇六丙烯酸酯(固體含量為100之質量百分比)表示 為「A」，做為聚有機矽氧烷(B)之含聚醚變性丙烯醯基之聚二甲基矽氧烷(BYK化學社製造，製品名「BYK-3500」，固體含量為100之質量百分比)表示為「B」，做為碳奈米材料(C)之多層碳奈米管(FILGEN株式會社製造，製品名「F-M-ML-1/25」，纖維直徑約10nm，長寬比500~1500)表示為「C」，做為光聚合起始劑(D)之α-胺烷基苯乙酮系之光聚合起始劑(BASF社製造，商品名「IRGACURE 907」，2-甲基-1[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮，固體含量為100之質量百分比)表示為「D」，熱硬化性矽酮(信越化學工業社製造，KS-847H，固體含量為30之質量百分比)表示為「X1」，白金催化劑(信越化學工業社製造，CAT-PL-50T，固體含量為2之質量百分比)表示為「Y1」，針狀摻雜銻之氧化錫(石原產業株式會社製造，製品名「FS-10P」，纖維直徑約10~20nm，長寬比20~30)表示為「Z1」，以摻雜銻之氧化錫包覆金紅石型針狀二氧化鈦之針狀導電材(石原產業株式會社製造，製品名「FT-1000」，纖維直徑約130nm，長寬比10~20)表示為「Z2」。
再者，各實施例及各比較例之基材及離形劑層之膜厚，係各自使用反射式膜厚計「F20」〔FILMETRICS株式會社製〕測定。具體而言，將以各實施例及各比較例所得到之生坯片製造用離形膜裁切成100×100mm的大小。之後，以將測定膜厚之位置之表面的相反表面朝向吸引台的方式，將生坯片製造用離形膜裝設於膜厚計。於離形劑層表面的十個位置測定膜厚，並計算 其平均值。以此平均值做為離形劑層之厚度。
另外，係依照下述方式各自測定基材之第一表面之算數平均粗糙度Ra0與最大突起高度Rp0、基材之第二表面之算數平均粗糙度Ra2與最大突起高度Rp2以及離形劑層之外表面之算數平均粗糙度Ra1與最大突起高度Rp1。首先，於玻璃板上貼附雙面膠帶。接下來，將利用各實施例及各比較例所得到之生坯片製造用離形膜，以欲測定算數平均粗糙度及最大突起高度之表面之朝上之方式，固定於雙面膠帶上。藉此，依照日本工業標準JIS B0601-1994使用三豐社製造之表面粗糙度測定機SV3000S4(觸針式)測定前述之算數平均粗糙度Ra0、Ra2、Ra1及前述之最大突起高度Rp0、Rp2、Rp1。
以下將說明各實施例及各比較例之評價。
以下進行關於如上述所得到之生坯片製造用離形膜的評價。
以下將說明各實施例及各比較例之表面阻抗率。
將以各實施例及各比較例所得到之生坯片製造用離形膜裁切成100×100mm，將此做為樣本。樣本在攝氏23度且濕度百分之50的條件下持續24小時以調整濕度。之後，依照日本工業標準JIS K6911(1995)，使用ADVANTEST社製造之「R12704 RESISTIVITY CHAMBER」及ADVANTEST社製造之「DIGITAL ELECTROMETER R8252」測定離形劑層位置之表面阻抗率。
以下將說明各實施例及各比較例之離形劑層之硬化 性評價。
將含有3毫升之甲基乙基酮的布塊(小津產業社製造，BEMCOT AP-2)，以離形劑層之表面負重1kg/cm2之方式，對各實施例及各比較例所得到之生坯片製造用離形膜來回研磨十次。之後，以目視方式觀察離形劑層之表面，並以下列判斷基準評價離形劑層之硬化性。
A：離形劑層並未溶解或脫落。
B：看見離形劑層之一部分溶解。
C：離形劑層完全溶解或從基材脫落。
以下將說明各實施例及各比較例之翹曲現象評價。
將以各實施例及各比較例所得到之生坯片製造用離形膜裁切成200×200mm。之後，以基材朝向玻璃板的方式，將生坯片製造用離形膜放置於平坦的玻璃板上。接下來，將100×100mm的玻璃板放置於生坯片製造用離形膜之離形劑層上的中央。之後，測定從下方玻璃板的上表面至離形膜之各角落頂點之高度，並以下列判斷基準評價翹曲現象。
A：各角落的高度總和未達50mm。
B：各角落的高度總和為50mm以上且未達100mm。
C：各角落的高度總和為100mm以上。
以下將說明各實施例及各比較例之結塊性評價。
利用各實施例及各比較例所得到之生坯片製造用離形膜其寬幅為400mm，長度為5000m，且捲繞成滾筒狀，而得 到離形膜滾筒。將此離形膜滾筒於攝氏40度且濕度百分之50以下的環境下存放30日。之後，以目視方式觀察此狀態之離形膜滾筒的外觀，並以下列判斷基準評價其結塊性。
A：比較將生坯片製造用離形膜捲繞成滾筒狀而得到之存放前的離形膜滾筒外觀，存放後之離形膜滾筒外觀並未產生變化(無結塊現象)。
B：於生坯片製造用離形膜滾筒中之幅寬方向上，有一半以下的區域看得出起因於膜體彼此黏合而造成的色調變化(有若干結塊現象)。
C：於生坯片製造用離形膜滾筒中之幅寬方向上，有過半的區域看得出起因於膜體彼此黏合而造成的色調變化(有結塊現象)。
以下將說明各實施例及各比較例之捲出靜電量。
利用各實施例及各比較例所得到之生坯片製造用離形膜其寬幅為400mm，長度為5000m，且捲繞成滾筒狀，而得到離形膜滾筒。將此離形膜滾筒於攝氏40度且濕度百分之50以下的環境下存放30日。之後，以每分鐘50m的速度捲回離形膜時，使用春日電機公司製造之「KSD-0103」測定靜電量。於離形膜剛捲出後的100mm的所在位置測定靜電量，且於每500m的捲出長度測定靜電量。
A：靜電量為±5kV以下。
B：靜電量為±5~10kV。
C：靜電量超過±10kV
以下將說明各實施例及各比較例之漿料塗覆性評價。
將135個質量份之甲苯/乙醇之混合液(質量比為6：4)添加於100個質量份之鈦酸鋇粉末(BaTiO3；堺化學工業社製造，BT-03)、8個質量份之做為結合劑(binder)之聚乙烯醇縮丁醛(polyvinyl butyral，PVB)(積水化學工業社製造，S-LEC B．K BM-2)以及4個質量份之做為可塑劑之鄰苯二甲酸二辛酯(phthalate dioctyl)(關東化學社製造，鄰苯二甲酸二辛酯 鹿一級)之中。將上述物質以球磨機(ball mill)混合分散，而調製出陶瓷漿料。
以乾燥後之厚度為1μm，幅寬為250mm且長度為10m之方式，將上述陶瓷漿料以模塗機塗布於利用各實施例及各比較例所得到之生坯片製造用離形膜之離形劑層之表面，而得到塗布層。之後，以乾燥機於攝氏80度持續1分鐘乾燥塗布層，而得到成形有陶瓷生坯片之生坯片製造用離形膜。從生坯片製造用離形膜之位置，對著成形有陶瓷生坯片之生坯片製造用離形膜照射螢光燈。藉此，以目視方式全面觀察所塗覆之陶瓷生坯片表面。以下列判斷基準評價陶瓷漿料之塗覆性。結果如表2所示。
A：於陶瓷生坯片無針孔。
B：於陶瓷生坯片發生1~5個針孔。
C：於陶瓷生坯片發生6個以上的針孔。
以下將說明各實施例及各比較例之離形性評價。
藉由如同前述漿料塗覆性評價的順序，於生坯片製造用離形膜之離形劑層之表面成形陶瓷生坯片，再以不要衝裁生坯片製造用離形膜之方式，將陶瓷生坯片衝裁成200×200mm的大小。接著，利用生坯片堆疊機之片板剝離機構，將經衝裁之陶瓷生坯片吸附於真空吸引台，而使其從生坯片製造用離形膜上剝離下來。以下列判斷基準評價此時之陶瓷生坯片之離形性。
A：陶瓷生坯片未破裂，能順利地從離形劑層上剝離下來，且於離形劑層上無殘留陶瓷生坯片。
B：陶瓷生坯片未破裂，能略為不順地從離形劑層上剝離下來，且於離形劑層上無殘留陶瓷生坯片。
C：陶瓷生坯片破裂，或無法從離形劑層上剝離下來。
以下將說明各實施例及各比較例之離形劑層表面之缺陷評價(凹部數量評價)。
以乾燥後之厚度為1μm之方式，將於甲苯/乙醇混合液(質量比為6：4)中溶解聚乙烯醇縮丁醛樹脂之塗覆液，塗布於利用各實施例及各比較例而得到之生坯片製造用離形膜之離形劑層上，而得到塗布層。於攝氏80度持續1分鐘以乾燥塗布層，而形成聚乙烯醇縮丁醛樹脂層。接著，於其聚乙烯醇縮丁醛樹脂層之表面貼附聚酯膠帶。
接下來，使用聚酯膠帶將生坯片製造用離形膜從聚 乙烯醇縮丁醛樹脂層剝離下來，並計算位於聚乙烯醇縮丁醛樹脂層之與生坯片製造用離形膜之離形劑層接觸之表面的凹部數量。具體而言，使用光干涉式表面形狀觀察裝置(Veeco社製造，WYKO-1100)，以PSI模式之50倍率觀察聚乙烯醇縮丁醛樹脂層之表面。聚乙烯醇縮丁醛樹脂層之表面於91.2×119.8μm之範圍內，基於表面形狀輪廓，計數凹部的數量。其凹部為深度達150nm以上者。以下列判斷基準評價凹部數量，以進行離形劑層表面之缺陷評價。而且，於前述之離形性評價中屬於基準為「C」之生坯片製造用離形膜，因並非滿足進行本評價之生坯片製造用離形膜，而無法進行本評價。
A：凹部數量為0個。
B：凹部數量為1~5個。
C：凹部數量為6個以上。
其中，使用如上所述存在有凹部之聚乙烯醇縮丁醛樹脂層(陶瓷生坯片)製造出電容器的場合，所得到的電容器易於發生因崩潰電壓低下而導致之短路現象。
如此之結果如表2所示。
由表2可知，本發明之生坯片製造用離形膜，其外表面具有優良的平滑性。而且，本發明之生坯片製造用離形膜的靜電量較低，且結塊性的評價亦優。再者，本發明之生坯片製造用離形膜對於生坯片也具有優良的離形性。另外，於使用本發明之生坯片製造用離形膜而形成之生坯片並未發現針孔。相反地，比較例則無法得到滿意的結果。
1‧‧‧生坯片製造用離形膜
11‧‧‧基材
111‧‧‧基材之第一表面
112‧‧‧基材之第二表面
12‧‧‧離形劑層
121‧‧‧離形劑層之外表面

Claims (6)

  1. 一種生坯片(green sheet)製造用離形膜，包括：一基材，具有一第一表面及一第二表面；以及一離形劑層，設置於該基材之該第一表面；其中，該離形劑層係藉由對一塗布層照射一活性能量射線(active energy ray)而形成，該塗布層係由將包含一活性能量射線硬化性化合物(A)、一聚有機矽氧烷(polyorganosilioxane)(B)及一碳奈米材料(C)之一離形劑層形成用材料塗布於該第一表面而形成，該活性能量射線硬化性化合物(A)具有選自(甲基)丙烯醯((metha)acryloyl)基、烯(alkenyl)基及馬來醯亞胺(maleimide)基所構成之群組中之至少一者之一反應性官能基；其中，該離形劑層之一外表面之一算數平均粗糙度Ra1為8nm以下，且該離形劑層之該外表面之一最大突起高度Rp1為50nm以下。
  2. 如請求項1所述之生坯片製造用離形膜，其中於該離形劑層形成用材料中，該活性能量射線硬化性化合物(A)以固體含量計算之含量為65~98.5之質量百分比，該聚有機矽氧烷(B)以固體含量計算之含量為0.48~5之質量百分比，該碳奈米材料(C)以固體含量計算之含量為0.05~10之質量百分比。
  3. 如請求項1所述之生坯片製造用離形膜，其中該離形劑層之一平均膜厚為0.2~2μm。
  4. 如請求項1所述之生坯片製造用離形膜，其中於該離形劑層形成用材料中之該聚有機矽氧烷(B)以固體含量計算之含量為0.48~5之質量百分比。
  5. 如請求項1所述之生坯片製造用離形膜，其中該聚有機矽氧烷(B)為具有直鏈狀或分支狀之一分子鏈之聚有機矽氧烷，該分子鏈之末端及/或側鏈含有矽原子，具有選自(甲基)丙烯醯基、烯基及馬來醯亞胺基所構成之群組中之至少一者之該反應性官能基係以直接或中介有二價連接基之方式結合至該分子鏈中之該矽原子。
  6. 如請求項1至5之其中之一所述之生坯片製造用離形膜，其中於該離形劑層形成用材料中之該碳奈米材料(C)以固體含量計算之含量為0.05~10之質量百分比。
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