TWI535072B - 帶有量子點玻璃遏制板之ｌｅｄ發光裝置 - Google Patents

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Description

帶有量子點玻璃遏制板之LED發光裝置 【相關申請案之交叉引用】
本申請案主張2013年3月14日申請之美國申請案第13/828169號及2012年11月30日申請之美國臨時申請案第61/731,530號(SP12-370P)的優先權。
本揭示案係關於發光二極體(LED)發光裝置，更特定言之，係關於封裝式板面晶片(COB)LED陣列。
首先參看第1圖，高亮度LED發光裝置(亦即，接近或超過1000流明之光源)通常需要以二維陣列配置之大量藍色LED 10，該二維陣列例如固定至金屬包覆PC板20。在許多情況下，二極體陣列由分散在矽酮密封劑15中之顏色轉換磷光體30覆蓋。該等及其他類型之COB LED陣列在形狀要求、光輸出要求及電驅動要求方面變得標準化，且可想像地變成新發光標準。
根據本揭示案之標的，提供一種發光裝置，該發光裝 置包含板面晶片(COB)發光二極體(LED)光源、光源密封劑、量子點分佈式顏色轉換介質及量子點玻璃遏制板。COB LED光源包含至少一個LED且界定光源密封劑腔室，其中光源密封劑分佈於LED上方。量子點玻璃遏制板定位於光源密封劑腔室上方且含有量子點分佈式顏色轉換介質。分佈式顏色轉換介質包含量子點結構且以二維分佈於量子點玻璃遏制板內之發光裝置之發射場上方。
本揭示案之量子點玻璃遏制板係有益的，因為該量子點玻璃遏制板提供額外製造製程控制。具體言之，板可獨立於相應LED陣列來測試，且可進行適當板對陣列配對以達成所需顏色輸出。在轉換介質經提供作為用於封裝LED陣列之矽酮中的漿料時，情況並非如此，雖然本揭示案之實施例亦考慮使用經提供作為矽酮中之漿料的轉換介質。
裝載有顏色轉換介質之玻璃遏制板恰好位於LED陣列之焊線上方。純矽酮而非空氣可用於圍繞LED，空氣為不良熱導體。此情況意謂LED上方之矽酮的厚度可減小至焊線的高度，亦即，約50μm，其中焊線之輪廓種類極低。該結構在許多方面係有益的。首先，顏色轉換介質本身可耐受比介質分散於矽酮中之情況高的溫度。進一步，極大改良將熱引導至封裝LED之散熱片之能力，因為LED上方之矽酮層的厚度極大減小，例如，自約750μm至約50μm。考慮了更進一步之厚度減小將係可能的，其中作為焊線之覆晶LED陣列將不再設置厚度要求。雖然最初可能違反常理，但用於由量子點產生之熱的散熱路徑穿過LED本身。量子點玻璃遏制板之 玻璃分離量子點與矽酮及LED，故自熱轉移視點，使遏制板之玻璃盡可能薄係較佳的。亦應注意，含在量子點玻璃遏制板中之量子點介質之厚度通常僅需要近似約100μm或更小，從而進一步減小自量子點至LED陣列的熱路徑長度。
根據本揭示案之一個實施例，量子點玻璃遏制板包含玻璃框架，且量子點結構含在玻璃框架之內部容積內。第2圖至第4圖中圖示該實施例之一些實例在以下進一步詳細描述該等實例。
根據本揭示案之另一實施例，光源密封劑包含主要分佈式顏色轉換介質，量子點玻璃遏制板之顏色轉換介質界定發光裝置之補充發射場，且由主要分佈式顏色轉換介質界定之發射場與由量子點玻璃遏制板界定之補充發射場在空間上一致但在光譜上不同。第2圖中圖示該實施例之一個實例，以下進一步詳細描述該實例。
根據本揭示案之又一實施例，發光裝置包含主要玻璃遏制板，該主要玻璃遏制板包含主要分佈式磷光體顏色轉換介質，量子點玻璃遏制板之顏色轉換介質界定發光裝置之補充發射場，且由分佈式磷光體顏色轉換介質界定之發射場與由量子點板界定之補充發射場在空間上一致但在光譜上不同。第3圖中圖示該實施例之一個實例，以下進一步詳細描述該實例。
根據本揭示案之額外實施例，COB LED光源包含散熱片框架，光源密封劑不含任何分佈式顏色轉換介質，光源密封劑包含矽酮，量子點玻璃遏制板定位於光源密封劑腔室 上方，光源密封劑以足以封裝LED且界定密封劑熱傳導路徑TPE之厚度分佈於LED上方，該等密封劑熱傳導路徑TPE自量子點玻璃遏制板之分佈式顏色轉換介質延伸穿過光源密封劑至散熱片框架，且光源密封劑之厚度使得熱傳導路徑TPE延伸穿過光源密封劑小於約100μm。第4圖中圖示該實施例之一個實例，以下進一步詳細描述該實例。
10‧‧‧藍色發光二極體(LED)
15‧‧‧矽酮密封劑
20‧‧‧金屬包覆PC板/散熱片框架
30‧‧‧顏色轉換磷光體
40‧‧‧量子點玻璃遏制板
40a‧‧‧密封玻璃面板
40b‧‧‧密封玻璃面板
50‧‧‧量子點分佈式顏色轉換介質
100‧‧‧板面晶片(COB)LED發光裝置
100'‧‧‧COB LED發光裝置
100"‧‧‧COB LED發光裝置
110‧‧‧發光二極體
120‧‧‧光源密封劑
130‧‧‧分佈式顏色轉換介質
135‧‧‧矽酮接合層
140‧‧‧主玻璃遏制板
500‧‧‧雷射
TPE‧‧‧密封劑熱傳導路徑
TPG‧‧‧玻璃狀熱傳導路徑
當結合以下圖式閱讀時，可最佳地理解本揭示案之特定實施例之以下詳細描述，其中相同元件符號指示相同結構，且其中：第1圖圖示使用矽酮中磷光體之顏色轉換媒介之LED發光裝置；第2圖為根據本揭示案之一個實施例之LED發光裝置的示意圖；第3圖為根據本揭示案之另一實施例之LED發光裝置的示意圖；及第4圖為根據本揭示案之又一實施例之LED發光裝置的示意圖。
第2圖至第4圖圖示COB LED發光裝置100、100'、100"，該等COB LED發光裝置100、100'、100"包含：至少一個LED 110、光源密封劑120、量子點顏色轉換介質50、量子點玻璃遏制板40及呈例如金屬包覆印刷電路板20之形式的散熱片框架。量子點分佈式顏色轉換介質50二維分佈於 量子點玻璃遏制板40內之LED發光裝置之發射場上方，且包含量子點結構，該量子點結構經配置以將LED之發射光譜轉換成較長或較短波長。
特別參看第2圖至第4圖之配置，應注意，量子點玻璃遏制板40以玻璃遏制框架之形式呈現，該玻璃遏制框架包含界定於相對之密封玻璃面板40a、40b之間的用於容納量子點分佈式顏色轉換介質50的內部容積。相對之密封玻璃面板包含一個空腔玻璃40a及一個密封玻璃40b。密封玻璃40b通常為相對較薄(約100μm)的顯示級玻璃，諸如，可購自Corning,Incorporated之EAGLE XG®顯示器玻璃之非常薄(通常100μm)版本之Willow。適當空腔可藉由任何習知或尚未開發之玻璃模製或玻璃加工技術(包括例如微加工、雷射輔助加工或研磨、雷射切除、蝕刻或上述各者之組合)提供於空腔玻璃40a中。濺射之玻璃接著可沉積在密封玻璃40b之底側，且雷射可用於將密封玻璃40b周邊地接合至空腔玻璃，同時量子點位於空腔中。
根據一組考慮之實施例，用於容納上述量子點之密封玻璃面板可藉由提供相對較低之熔融溫度(亦即，低Tg)玻璃密封帶沿密封玻璃、空腔玻璃或密封玻璃與空腔玻璃兩者之密封表面的周邊部分構造。以此方式，當進入配合配置中時，空腔玻璃及密封玻璃與玻璃密封帶配合以界定容納量子點之內部容積。可經由物理氣相沉積例如藉由自濺射靶材濺射沉積玻璃密封帶。
聚焦雷射束可用於局部地熔化鄰近玻璃基板材料之 低熔融溫度玻璃密封帶，以形成密封介面。在一種方法中，雷射可經由空腔玻璃或密封玻璃聚焦且接著定位地掃描以局部地加熱玻璃密封帶及空腔玻璃及密封玻璃的鄰近部分。為影響玻璃密封帶之局部熔化，玻璃密封帶在雷射處理波長下吸收較佳為至少約15%。空腔玻璃及密封玻璃在雷射處理波長處通常係透明的(例如，至少50%、70%、80%或90%透明)。
在替代實施例中，代替形成圖案化玻璃密封帶，密封(低熔融溫度)玻璃之包覆層可形成於密封玻璃之實質上整個表面上方。包含空腔玻璃/密封玻璃層/密封玻璃之組裝結構可如上組裝，且雷射可用於局部界定兩個基板之間的密封介面。
雷射500可具有任何適當輸出以影響密封。示例性雷射為UV雷射，諸如位於共用顯示器玻璃之透明度範圍中之355nm雷射。適當雷射功率之範圍可為自約5W至約6.15W。雷射之轉換速率(亦即，密封速率)之範圍可自約1mm/秒至100mm/秒，諸如，1mm/秒、2mm/秒、5mm/秒、10mm/秒、20mm/秒、50mm/秒或100mm/秒。雷射光點大小(直徑)可為約0.5mm至1mm。
密封區域之可與雷射光點大小成比例之寬度可為約0.1mm至2mm，例如，0.1mm、0.2mm、0.5mm、1mm、1.5mm或2mm。玻璃密封層之總厚度之範圍可為自約100nm至10微米。在各種實施例中，層之厚度可小於10微米，例如，小於10微米、5微米、2微米、1微米、0.5微米或0.2微米。示例性玻璃密封層厚度包括0.1微米、0.2微米、0.5 微米、1微米、2微米、5微米或10微米。
在本揭示案之各種實施例中，玻璃密封帶之材料係透明及/或半透明、相對較薄的、不透水、「環保的」且經配置以在低溫下形成氣密密封且具有足夠密封強度以適應密封材料與鄰近玻璃基板之間的CTE的大差異。進一步地，確保密封帶材料無填充劑、黏合劑及/或有機添加劑可能係較佳的。用於形成密封材料之低熔融溫度玻璃可能或可能不由玻璃粉末或磨砂玻璃形成。
大體而言，適當密封材料包括低Tg玻璃及銅或錫之適當活性氧化物。玻璃密封材料可由低Tg材料(諸如，磷酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃、亞碲酸鹽玻璃及硫屬化合物玻璃)形成。如本文中所界定，低Tg玻璃材料具有小於400℃(例如，小於350℃、300℃、250℃或200℃)之玻璃轉變溫度。示例性硼酸鹽玻璃及磷酸鹽玻璃包括磷酸錫、氟磷酸錫及氟硼酸錫。濺射靶材可包括該等玻璃材料或者該等玻璃材料之前驅體。示例性氧化銅及氧化錫為CuO及SnO，該CuO及SnO可由包含該等材料之壓制粉末之濺射靶材形成。
視情況地，玻璃密封組合物可包括一或多個摻雜劑，包括(但不限於)鎢、鈰及鈮。該等摻雜劑(若包括)可影響(例如)玻璃層之光學性質，且該等摻雜劑可用於控制玻璃層對雷射輻射之吸收。例如，氧化鈰之摻雜可增加低Tg玻璃阻障在雷射處理波長下之吸收。
示例性氟磷酸錫玻璃組合物可以相應三元相圖中之SnO、SnF2及P2O5的各別組合物表示。適當氟磷酸錫玻璃包 括20莫耳%至100莫耳%之SnO、0莫耳%至50莫耳%之SnF2及莫耳%0至30莫耳%之P2O5。該等氟磷酸錫玻璃組合物可視情況包括0莫耳%至10莫耳%之WO3、0莫耳%至10莫耳%之CeO2及/或0莫耳%至5莫耳%之Nb2O5。
舉例而言，適用於形成玻璃密封層之摻雜氟磷酸錫起始材料的組合物包含35莫耳百分數至50莫耳百分數之SnO、30莫耳百分數至40莫耳百分數之SnF2、15莫耳百分數至25莫耳百分數之P2O5及1.5莫耳百分數至3莫耳百分數之摻雜劑氧化物(諸如，WO3、CeO2及/或Nb2O5)。
根據一個特定實施例之氟磷酸錫玻璃組合物為摻鈮氧化錫/氟磷酸錫/五氧化二磷玻璃，該玻璃組合物包含約38.7莫耳%之SnO、39.6莫耳%之SnF2、19.9莫耳%之P2O5及1.8莫耳%之Nb2O5。可用於形成該玻璃層之濺射靶材可包括(以原子莫耳百分數表示)23.04%之Sn、15.36%之F、12.16%之P、48.38%之O及1.06%之Nb。
根據替代實施例之磷酸錫玻璃組合物包含約27%之Sn、13%之P及60%之O，該組合物可來源於濺射靶材，該濺射靶材包含(以原子莫耳百分數計)約27%之Sn、13%之P及60%之O。如將理解，本文中所揭示之各種玻璃組合物可係指沉積層之組合物或係指源濺射靶材之組合物。
與氟磷酸錫玻璃組合物一樣，示例性氟硼酸錫玻璃組合物可以SnO、SnF2及B2O3之各別三元相圖組合物表示。適當氟硼酸錫玻璃組合物包括20莫耳%至100莫耳%之SnO、0莫耳%至50莫耳%之SnF2及0莫耳%至30莫耳%之B2O3。該 等氟硼酸錫玻璃組合物可視情況包括0莫耳%至10莫耳%之WO3、0莫耳%至10莫耳%之CeO2及/或0莫耳%至5莫耳%之Nb2O5。
共同讓渡之美國專利第5,089,446號及美國專利申請案第11/207,691號、第11/544,262號、第11/820,855號、第12/072,784號、第12/362,063號、第12/763,541號及第12/879,578號中揭示適當低Tg玻璃組合物及用於自該等材料形成玻璃密封層之方法的額外態樣。
除了本文中所揭示之彼材料，經選定用於光源密封劑120、量子點分佈式顏色轉換介質50、量子點玻璃遏制板40及散熱片框架20之特定材料可自以下參考資料瞭解：如同美國PG公開案第2012/0107622號，該案主要係關於在LED發光裝置中使用顏色轉換磷光體；美國第2012/0175588號，該案係關於使用光轉換、膠狀、摻雜之半導體奈米晶體以提供基於LED之單色光源及白色光源；及美國第7,723,744號，該案係關於合併一或多個底層LED晶片或其他光源與具有安置在光源上方之一或多個群體之奈米粒子的層的發光裝置。奈米粒子吸收由底層源發射之一些光且以不同位準重新發射光。藉由改變奈米粒子之類型及相對濃度，可達成不同發射光譜。
參看第2圖之COB LED光源100，考慮了光源密封劑120可包含主要分佈式顏色轉換介質30，以使得量子點玻璃遏制板之顏色轉換介質50界定發光裝置100之補充發射場。由主要分佈式顏色轉換介質界定之發射場與由量子點玻 璃遏制板界定之補充發射場在空間上一致但在光譜上不同。例如，且不加以限制，由量子點玻璃遏制板40界定之發射場之發射光譜可經配置以將光暖添加至由矽酮光源密封劑之主要分佈式磷光體顏色轉換介質30界定之發射場的發射光譜。在紅色量子點的情況下，由於量子點具有相對較窄之發射帶，故可避免拖入IR之問題，從而保留良好功率效率。作為選擇特定顏色之量子點板的替代，考慮了所含量子點的大小可經調整以獲得所需顏色。亦考慮了各種量子點大小亦可混合以獲得特定顏色，例如，白色。
在第3圖及第4圖之實施例中，光源密封劑120不含任何分佈式顏色轉換介質。然而，在第3圖之實施例中，量子點玻璃遏制板40安置於主玻璃遏制板140上方，且如此界定LED發光裝置100'之補充發射場。更具體言之，主玻璃遏制板140包含主要分佈式顏色轉換介質130，且由主玻璃遏制板140之分佈式顏色轉換介質130界定之發射場與由量子點板40之量子點分佈式顏色轉換介質50界定之補充發射場在空間上一致但在光譜上不同。以此方式，由量子點板40界定之發射場之發射光譜可經調整以將光暖添加至由主玻璃遏制板140之分佈式顏色轉換介質130界定之發射場的發射光譜。例如，在主玻璃遏制板140之分佈式顏色轉換介質130將來自LED 110之藍光轉換成黃色的情況下，量子點板之量子點可經調整以藉由轉換一些黃光以及滲漏藍光成紅色以添加暖度，一個優點係：不同於藉由拖入IR浪費光之紅色磷光體，紅色量子點具有相對較窄之發射帶。
主玻璃遏制板140可經提供作為額外量子點玻璃遏制板、包含用於容納顏色轉換介質之內部容積的玻璃遏制框架、分佈顏色轉換之玻璃遏制基質、或適用於容納顏色轉換介質之任何其他實質上平面結構的玻璃部件、容器或組件。在製造中，矽酮接合層135可提供在主玻璃遏制板140與量子點玻璃遏制板40之間以允許單獨製造且隨後接合主玻璃遏制板140與量子點玻璃遏制板40。
參看第3圖及第4圖，光源100'、光源100"可描述為包含玻璃狀熱傳導路徑TPG及密封劑熱傳導路徑TPE。量子點玻璃遏制板40界定玻璃狀熱傳導路徑TPG，該等玻璃狀熱傳導路徑自量子點分佈式顏色轉換介質50延伸穿過量子點玻璃遏制板40至散熱片框架20。光源密封劑120以足以封裝LED 110(包括LED 110之焊線及任何其他LED硬體)之厚度分佈於LED 110之陣列上方，且界定密封劑熱傳導路徑TPE，該等密封劑熱傳導路徑自量子點分佈式顏色轉換介質50延伸穿過光源密封劑120至散熱片框架20。
如上所述，本揭示案引入可自LED發光裝置之顏色轉換層更有效移除熱之手段及允許顏色轉換層中之更大絕對溫度上升之手段。該等因素均允許更難驅動裝置之一或多個LED，從而提高總光輸出。為此，光源密封劑120之厚度較佳地經調整，以使得熱傳導路徑TPE延伸穿過光源密封劑120小於約100μm。更佳地，考慮了光源密封劑之厚度可經調整，以使得熱傳導路徑TPE延伸穿過光源密封劑120小於約50μm。
結構之熱效能可以熱路徑TPG及熱路徑TPE之熱阻表示，第3圖及第4圖中示意性圖示熱路徑TPG及熱路徑TPE兩者。對於實際尺寸，相對垂直熱路徑TPE佔優勢，主要因為TPE之路徑比TPG之路徑短。第3圖及第4圖之相對較薄之玻璃密封劑基質設計降低磷光體在可比LED功率下之溫度上升，此舉使得能夠以較高電流驅動LED，以產生更多光。該優點主要源於量子點玻璃遏制板40之薄輪廓及LED 110上方之密封劑層120的減小的厚度。就熱阻而言，考慮了光源密封劑120之厚度可經調整，以使得熱傳導路徑TPE穿過光源密封劑120遭遇小於約15℃/W的熱阻。
關於熱傳導路徑TPE及熱傳導路徑TPG，應注意，熱流H(瓦特)與相關聯溫度梯度成比例，該溫度梯度在一個維度x中為。數學上， 其中k為材料之熱導率，且A為具有厚度dx之無窮小平板的橫截面面積，熱流過該無窮小平板。若熱流限定在絕緣熱路徑中之一個維度，則方程式1之解僅為 其中R th 經界定為熱阻，且L為熱路徑之長度。
對於如同第1圖中所示之配置之LED發光裝置配置，COB陣列中之熱流自磷光體垂直穿過薄(約5μm厚)的 GaN LED及底層藍寶石基板至散熱片。陣列可經模製為一維熱流且可使用上文方程式(2)計算熱阻。在假設1000流明之陣列將要求約10瓦特之電輸入下工作，約5瓦特之電輸入作為LED中之熱消散，剩餘5瓦特作為藍光發射。在顏色轉換過程中，約1.3瓦特作為磷光體中之熱而丟失，留下約3.7瓦特之總光輸出。封裝中之最熱平面為磷光體之表面。陣列可模製成兩個串聯熱阻，亦即，矽酮中磷光體作為第一熱抗，且藍寶石LED基板作為第二熱阻。GaN薄膜極薄，以使得該GaN薄膜之熱阻係可忽略的。
下表中圖示熱模型之相關規格：
由於藍寶石之熱導率在70℃、36mm2面積之熱阻(方程式(2))下為17.35瓦特/m-k，0.125mm厚之藍寶石為Rs=0.2度/瓦特。磷光體層中之溫度上升更複雜，因為熱負荷分佈在整個薄膜中。由於吸收及散射，藍光將預計根據比爾定律而指數地衰變，故相關熱負荷應具有相同分佈。假設t=0.757mm厚之磷光體層中吸收90%，則吸收深度d為約0.3285mm。可估計最熱平面之溫度，假設磷光體中產生之全部1.3瓦特流經等效厚度，該等效厚度由以下方程式給出： 其中t=0.757mm且d=0.3285mm，等效厚度t eq =0.244mm。假設矽酮中磷光體之熱導率為0.22瓦特/m-k(與矽酮相同)，則磷光體層之熱阻為R p =30.8度/瓦特，大於藍寶石之熱阻約60倍。
使用該等資料，可估計GaN LED及磷光體薄膜之溫度上升。鑒於12.8W之電輸入功率(12.2伏特x 1.05安培)，使8.1瓦特流過藍寶石且1.66瓦特消散於磷光體中。假設散熱片溫度為85℃，LED及磷光體平面之溫度將分別為87℃及138℃，且可易於與表示第2圖之LED發光裝置之相似模製資料相比較，其中藍寶石熱阻係相同的(0.20度/瓦特)，且~150μm厚之玻璃中磷光體(PiG)薄膜中產生之1.66瓦特流過薄矽酮薄膜。薄膜應盡可能薄以最小化自玻璃中磷光體(PiG)薄膜流動至GaN散熱片之熱的熱阻，且考慮了50μm之厚度 應足夠清除LED焊線。使用0.22度/m-瓦特之矽酮熱導率及相同的36mm2總LED面積，垂直路徑之熱阻為6.3度/瓦特。
因此，在玻璃中磷光體(PiG)薄膜中具有1.66瓦特之熱消散的磷光體之溫度上升為10度，展示了相比於第1圖之配置，第2圖之配置極大降低磷光體溫度。下表中概括該等結果： 類似結果將預計用於第3圖及第4圖之發光裝置配置。
詳細且參考本揭示案之特定實施例描述本揭示案的標的，應注意，本文中所揭示之各種細節不應視為暗示該等細節係關於作為本文中所述之各種實施例的主要組件的元件，即使是在伴隨本描述之圖式中之每一圖式中所示的特定元件的情況下。相反，附加於本文中之申請專利範圍應視為本揭示案之寬度及本文中描述之各種發明的相應範疇的唯一表示。進一步地，將顯而易見的是，在不脫離附加申請專利範圍中界定之發明之範疇的情況下，修改及變化係可能的。更具體言之，雖然本揭示案之一些態樣在本文中經識別為較 佳的或尤其有利的，但可考慮本揭示案並不一定限於該等態樣。
應注意，與對預期用途之敘述相反，本文中對本揭示案之組件之敘述為結構敘述，該組件係以特定方式「配置」以體現特定性質或以特定方式工作。更具體言之，本文中對組件「經配置」之方式的提及指示組件的現有物理狀況，且因此將視為對組件之結構性特徵的明確敘述。亦應注意，本文中對「至少一個」組件、元件等之敘述不應用於形成以下推斷：冠詞「一」之替代使用應限制於單個組件、元件等。
應注意，當如同「較佳地」、「共同地」及「通常地」之術語在本文中使用時，該等術語並不用以限制所主張之發明的範疇或暗示某些特徵對所主張之發明的結構或功能係關鍵、基本的或甚至係重要的。相反，該等術語僅意在識別本揭示案之實施例的特定態樣或強調替代特徵或額外特徵，該等替代特徵或額外特徵可能或可能不用於本揭示案之特定實施例中。
出於描述及界定本發明之目的，應注意，在本文中使用術語「約」及「近似地」來表示可歸因於任何定量比較之固有不確定程度、值、量測或其它表示。亦在本文中使用該等術語來表示定量表示可自所述引用變化而不引起爭論中之標的之基本功能之變化的程度。
應注意，以下申請專利範圍中之一或多項將術語「其中」用作過渡片語。出於界定本發明之目的，應注意，該術語作為開放式過渡片語引入申請專利範圍中，該術語用以引 入對結構之一系列特徵的敘述且應以與最常使用之開放式前置術語「包含」相同之方式解譯。
10‧‧‧藍色發光二極體
20‧‧‧金屬包覆PC板
30‧‧‧顏色轉換磷光體
40‧‧‧量子點玻璃遏制板
40a‧‧‧密封玻璃面板
40b‧‧‧密封玻璃面板
50‧‧‧量子點分佈式顏色轉換介質
100‧‧‧板面晶片(COB)LED發光裝置
120‧‧‧光源密封劑

Claims (14)

  1. 一種發光裝置，該發光裝置包含一板面晶片(COB)發光二極體(LED)光源、一光源密封劑、一量子點分佈式顏色轉換介質及一量子點玻璃遏制板，其中：該COB LED光源包含至少一個LED且界定一光源密封劑腔室，其中該光源密封劑分佈於該LED上方；該量子點玻璃遏制板定位於該光源密封劑腔室上方且含有該分佈式顏色轉換介質；及該分佈式顏色轉換介質包含一量子點結構且二維分佈於該量子點玻璃遏制板內之該發光裝置之一發射場上方；該COB LED光源包含一散熱片框架；該光源密封劑不含任何分佈式顏色轉換介質；該光源密封劑包含矽酮；該光源密封劑以足以封裝該LED且界定密封劑熱傳導路徑TPE之一厚度分佈於該LED上方，該等密封劑熱傳導路徑TPE自該量子點玻璃遏制板之該分佈式顏色轉換介質延伸穿過該光源密封劑至該散熱片框架；及該光源密封劑之該厚度使得該等熱傳導路徑TPE延伸穿過該光源密封劑小於約100μm。
  2. 如請求項1所述之發光裝置，其中：該量子點玻璃遏制板包含一玻璃框架；且該量子點結構含在該玻璃框架之一內部容積內。
  3. 如請求項1所述之發光裝置，其中：該量子點玻璃遏制板包含相對之玻璃面板，該等玻璃面板在互補邊緣處密封以界定一內部容積；及該量子點結構含在該量子點玻璃遏制板之該內部容積內。
  4. 如請求項1所述之發光裝置，其中該量子點玻璃遏制板包含各種量子點大小，該等大小經混合以獲得一特定顏色。
  5. 如請求項1所述之發光裝置，其中：該發光裝置包含一主玻璃遏制板，該主玻璃遏制板包含一主要分佈式顏色轉換介質；該量子點玻璃遏制板之該顏色轉換介質界定該發光裝置之一補充發射場；且由該分佈式顏色轉換介質界定之該發射場與由該量子點板界定之該補充發射場在空間上一致但在光譜上不同。
  6. 如請求項5所述之發光裝置，其中：該主玻璃遏制板包含一玻璃基質；且該主要分佈式顏色轉換介質包含分佈於該玻璃基質中之一磷光體。
  7. 如請求項5所述之發光裝置，其中：該玻璃遏制板包含一玻璃框架；及 該主要分佈式顏色轉換介質包含一量子點結構，該量子點結構含在該玻璃框架之一內部容積內。
  8. 如請求項5所述之發光裝置，其中：該主要分佈式顏色轉換介質包含一量子點結構；該主玻璃遏制板包含相對之玻璃面板，該等玻璃面板在互補邊緣處密封以界定一內部容積；及該量子點結構含在該主玻璃遏制板之該內部容積內。
  9. 如請求項5所述之發光裝置，其中一接合層提供在該主玻璃遏制板與該量子點玻璃遏制板之間，以允許單獨製造且隨後接合該主玻璃遏制板與該量子點玻璃遏制板。
  10. 如請求項5所述之發光裝置，其中該主玻璃遏制板包含各種量子點大小，該等大小經混合以獲得一特定顏色。
  11. 如請求項1所述之發光裝置，其中該光源密封劑之該厚度使得該等熱傳導路徑TPE延伸穿過該光源密封劑小於約50μm。
  12. 如請求項1所述之發光裝置，其中該光源密封劑之該厚度使得該等熱傳導路徑TPE穿過該光源密封劑遭遇小於約15℃/W之一熱阻。
  13. 如請求項1所述之發光裝置，其中該光源密封劑之該厚度使得該等熱傳導路徑TPE穿過該光源密封劑遭遇小於約10℃/W之一熱阻。
  14. 一種發光裝置，該發光裝置包含一板面晶片(COB)發光二極體(LED)光源、一光源密封劑、一量子點分佈式顏色轉換介質及一量子點玻璃遏制板，其中：該COB LED光源包含至少一個LED且界定一光源密封劑腔室，其中該光源密封劑分佈於該LED上方；該量子點玻璃遏制板定位於該光源密封劑腔室上方且包含相對之玻璃面板，該等玻璃面板在互補邊緣處密封以界定一內部容積；該量子點分佈式顏色轉換介質含在該量子點玻璃遏制板之該內部容積內；該分佈式顏色轉換介質包含一量子點結構且二維分佈於該量子點玻璃遏制板內之該發光裝置之一發射場上方；該COB LED光源包含一散熱片框架；該光源密封劑不含任何分佈式顏色轉換介質；該光源密封劑包含矽酮；該光源密封劑以足以封裝該LED且界定密封劑熱傳導路徑TPE之一厚度分佈於該LED上方，該等密封劑熱傳導路徑TPE自該量子點玻璃遏制板之該分佈式顏色轉換介質延伸穿過該光源密封劑至該散熱片框架；及該光源密封劑之該厚度使得該等熱傳導路徑TPE延伸穿過該光源密封劑小於約100μm。
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