CN102007609B - 发光二极管封装 - Google Patents

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Abstract

本发明提供在不降低绝缘基板的抗弯强度的情况下降低了散热孔的凸状高度的发光二极管封装。该发光二极管封装是基板上安装有发光二极管元件的发光二极管封装，其特征在于，基板是将包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷组合物烧成而得的基板，所述玻璃粉末以摩尔百分比表示含有57～65％的SiO2、13～18％的B2O3、9～23％的CaO、3～8％的Al2O3、总计为0.5～6％的K2O和Na2O中的至少任一种。

Description

发光二极管封装
技术领域
本发明涉及适合于形成包括发光二极管器件、高亮度(HB)光二极管背光、显示器相关光源、汽车照明、装饰照明、标识和广告照明以及信息显示器用途在内的照明设备的发光二极管封装及该发光二极管封装中所用的绝缘基板。这里，发光二极管封装包括供安装发光二极管芯片的绝缘基板及反射器，本说明书中有时称作发光装置。
背景技术
近年来，随着发光二极管(下面有时称作LED)器件等发光元件的高亮度和白色化，逐渐开始将采用LED的发光装置用于便携式电话和大型液晶电视等的背光。
但是，随着发光元件的高亮度化，由发光装置产生的热量也增加。因此，为了消除因温度上升而导致的发光元件的亮度降低，要求开发出使所产生的热量快速地从发光元件散发出去的具有高散热性的发光元件用基板及LED封装(下面有时简称为封装)。
作为发光装置的基板，一直以来大多使用的是布线基板的绝缘基板中所用的氧化铝基板，但氧化铝基板存在导热系数小、约为15～20W/m·k的问题。
此外，作为氧化铝基板的替代品，具有高导热系数的氮化铝基板开始受到关注。但是，氮化铝基板的原料成本高，热膨胀系数小，为4×10-6～5×10-6/℃，因此存在如下问题：安装于作为通用品的具有9×10-6/℃以上的热膨胀系数的印刷基板时，因较大的热膨胀系数差而导致连接可靠性降低。还存在如下问题：因为氧化铝基板和氮化铝基板呈难烧结性，所以需要高温烧成，工艺成本高。
为解决上述问题，逐渐开始使用低温共烧陶瓷基板(下面有时称作LTCC或LTCC基板)作为LED封装基板。
LTCC由玻璃和氧化铝填料等陶瓷填料构成，该玻璃的折射率和陶瓷填料的折射率的差大，且分散在LTCC中的陶瓷填料的数量多，因此使光反射的界面的面积大，而且该界面的两侧的玻璃或陶瓷填料的厚度大于光的波长，因此反射率高。所以，LTCC可有效地反射来自发光元件的光，其结果是，可减少热量产生。
此外，LTCC由无机氧化物形成，因此不会像树脂基板那样发生由光源导致的劣化，可长期稳定地保持色调。
但是，LTCC的导热系数不能说足够大，因此存在容易引起发光元件的亮度降低的问题。为解决该问题，以往已知如下方法：设置将热量从LED传导至基板的相反侧的散热器的散热用贯穿导体、即散热孔，从而减少热阻。贯穿导体有时也被称作通孔导体。
图1抄录了专利文献1的图2，是现有的发光二极管封装的例子。在作为发光元件的LED芯片(LED元件)21的正下方设置贯穿导体(散热孔)10，将LED芯片21通过粘接剂29安装在散热孔10上。为了实现从LED到基板背后的低热阻，需要较大的直径的通孔。此外，为了限制可由散热孔的直径单一的通孔来传导的热量，通常由多个通孔在基板中间形成散热孔。
LTCC通常是在以玻璃粉末和陶瓷填料(陶瓷粉末)为主要成分的原料粉末中添加树脂等而成形为片状，在1000℃以下的温度下烧成而制成基板。所述片状的成形体被称作生坯(green sheet)，可根据需要实施切割、开孔等加工，还可使用导体糊料来印刷导体，通常将多块生坯层叠后进行烧成。
LTCC可通过将导热系数高的银导体或铜导体的粉末制成糊料、填入设置于生坯的贯通孔等、将生坯与银导体或铜导体的粉末同时烧成来制作，可高效地生产散热性良好的带贯穿导体的基板。
专利文献1：日本专利特开2006-41230号公报
发明的揭示
作为现有例，采用图1所示的LED封装结构的情况下，如果欲增大后述的抗弯强度，则散热孔在共烧时从LTCC基板突出而形成凸状部，因此LED芯片通过粘接剂安装在该散热孔的凸状部。但是，如果散热孔的凸状部的高度较高，则必须大量使用粘接剂，热阻增大。因此，要求抗弯强度大且散热孔的凸状部的高度低。
本发明的目的在于提供能解决上述问题的LED封装。
本发明提供一种发光二极管封装，其是基板上安装有发光二极管元件的发光二极管封装，其特征在于，基板是将包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷组合物烧成而得的基板，所述玻璃粉末以摩尔百分比表示含有57～65％的SiO2、13～18％的B2O3、9～23％的CaO、3～8％的Al2O3、总计为0.5～6％的K2O和Na2O中的至少任一种。
此外，本发明提供所述发光二极管封装，其中，基板的与安装有发光二极管元件的表面对向的另一面形成有散热器，安装有发光二极管元件的贯穿导体中的至少1个是与该散热器连接的散热孔(Thermal vias)，即，所述发光二极管封装中，具有散热孔的基板的一面上的发光二极管元件和形成于基板的另一面侧的散热器通过形成于该基板中的至少1个散热孔连接，其特征在于，基板是将包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷组合物烧成而得的基板，所述玻璃粉末以摩尔百分比表示含有57～65％的SiO2、13～18％的B2O3、9～23％的CaO、3～8％的Al2O3、0.5～6％的K2O+Na2O。
发光二极管元件有时表示发光二极管芯片或仅表示芯片，该基板有时表示绝缘基板。
此外，本发明提供所述发光二极管封装，其中，所述陶瓷填料是氧化铝粉末。
此外，本发明提供所述发光二极管封装，其中，所述陶瓷填料包含氧化铝粉末和氧化锆粉末。
此外，本发明提供所述发光二极管封装，其中，基板的抗弯强度在250MPa以上。
此外，本发明提供所述发光二极管封装，其中，所述散热孔的导体从安装有发光二极管元件的基板表面突出，其突出量在5μm以下，即，连接发光二极管元件和散热器的散热孔的导体从装载有发光二极管元件的基板表面突出，其突出量在5μm以下。
本发明的基板或LED封装在装上芯片后，将形成有裂缝的部分弯折而切断，或者在将基板烧成后用金刚石磨石、即切割器切断。此时，基板本身一起开裂，或者发生崩角(Chipping)(缺陷)，封装破损，从而成本升高。因此，要求基板的抗弯强度大，典型的是在250MPa以上。关于抗弯强度，氧化铝基板通常为400MPa，氮化铝基板通常为300MPa。
此外，本发明的基板理想的是耐酸性良好的基板。其原因是因为有时会对基板实施镀敷等，因此有时会用酸性的镀敷液等对基板进行处理。
本发明人使用以摩尔％表示含有81.6％的SiO2、16.6％的B2O3、1.8％的K2O的玻璃(后述的例15的玻璃)的粉末和氧化铝粉末制作了LTCC基板，结果发现，虽然耐酸性良好且未确认到贯穿导体大幅突出的现象，但抗弯强度小，为190MPa。
于是，在所述玻璃组成中添加了CaO和Al2O3，结果抗弯强度达250MPa，可提高强度(后述的例13的玻璃)。其原因认为是玻璃的结晶化倾向增强。另外，确认析出结晶相是钙长石。
但是，通过添加CaO和Al2O3，出现了贯穿导体大幅突出的现象。
为了抑制贯穿导体的突出，重要的是贯穿导体和生坯的因烧成而产生的收缩行为的匹配。本发明人通过在原料粉末中所包含的玻璃的组成中添加少量的碱成分，成功地使收缩行为接近于贯穿导体(后述的例10、例11和例12的玻璃)。
但是，玻璃的结晶化倾向强烈的情况下，难以充分地抑制贯穿导体的突出。其原因认为是玻璃结晶化而导致体积收缩大，难以实现与贯穿导体的收缩匹配。
本发明人基于以上发现，找出了可在提高抗弯强度的同时充分地减小贯穿导体的突出量的玻璃组成，从而完成了本发明。
利用本发明，可高效地制造贯穿导体的突出量足够小且强度和散热性良好的LED封装。
此外，可提高安装可靠性，可获得尺寸精度高的LED封装。
此外，也可获得耐酸性高的LED封装。
此外，将银导体和生坯同时烧成来制作基板时，LTCC基板上有时会产生翘曲等变形。其原因主要是银导体糊料和生坯的因烧成而产生的收缩量不同，此外也是因为银离子溶出至玻璃中而导致与银导体相接的部分的玻璃组成发生变化，结果导致远离银导体的部分和与银导体相接的部分的收缩行为不同。
利用本发明，可获得即使在共烧时产生基板的翘曲、该翘曲程度也较小的LED封装。
此外，有时会通过LTCC的原料粉末中所包含的玻璃和银的反应而显色(银显色)。其原因认为是从银导体溶出至玻璃中的银离子在之后被还原而胶化。
利用本发明，在与银导体同时烧成时不会发生或不易发生银显色，可提高基板的反射率或抑制基板的着色。
附图的简单说明
图1是现有的发光二极管封装的剖视图。
实施发明的最佳方式
下面，对本发明的实施方式进行说明，但本发明不限于此。
本发明的玻璃陶瓷组合物(下面简称为本发明的组合物)通常包含所述玻璃(下面将本发明的组合物中所用的该玻璃称作本发明的玻璃)的粉末和陶瓷填料(典型的是氧化铝填料，即氧化铝粉末)，或者将其制成生坯后使用。
本发明中，生坯的制作较好是如下所述进行。即，首先将本发明的组合物和聚乙烯醇缩丁醛、丙烯酸树脂等树脂混合，也可根据需要添加邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸丁基苄基酯等增塑剂等并混合。接着，添加甲苯、二甲苯、丁醇等溶剂而制成浆料，通过刮刀涂布法等将该浆料在聚对苯二甲酸乙二酯等的膜上成形为片状。最后将该成形为片状的材料干燥而除去溶剂，制成生坯。
在所述生坯上根据需要用银糊料、银导体等通过丝网印刷等方法形成布线图案或作为贯穿导体的通孔等。
本发明的玻璃适合作为发光二极管封装基板用玻璃。
所述生坯在烧成后被加工成所要的形状而制成基板。此时，被烧成体是将1块或多块相同的生坯重叠而成的被烧成体。该基板是本发明的LED封装用基板，所述烧成典型的是于850～900℃保持20～60分钟来进行。更典型的烧成温度是860～880℃。
与银糊料等同时烧成而在烧成体、即基板的内部形成布线图案或贯穿导体的情况下，烧成温度较好为880℃以下。烧成温度超过880℃时，可能会在烧成时银或含银导体软化而无法保持布线图案或贯穿导体的形状，更好为870℃以下。
本发明的组合物即使在900℃以下的温度下烧成也可获得致密的烧成体，因此较佳。如果是这样的组合物，则可与银糊料等导体材料在900℃以下的温度下共烧。
较好是本发明的组合物以质量百分比表示含有25～55％本发明的玻璃粉末和45～75％陶瓷填料。如果本发明的玻璃粉末的含量低于25％，则可能会难以通过烧成来获得致密的烧成体，较好为35％以上。此外，如果玻璃的粉末的含量超过55％，则强度可能会不足，较好为50％以下，更好为45％以下。
陶瓷填料是提高基板的强度的成分。其含量更好为50％以上，特好为55％以上。如果陶瓷填料的含量超过75％，则难以通过烧成而获得致密的烧成体，而且可能会损害基板表面的平滑性，较好为65％以下。
本发明的组合物可在不影响本发明的目的的范围内含有作为其它成分的无机物粉末，例如耐热颜料等。此时，该其它成分的含量典型的是合计5％以下。
作为本发明的组合物的成分的陶瓷填料典型的是氧化铝粉末。通过含有氧化铝粉末，可提高基板的强度。为了提高基板的强度，较好是含有30％以上的氧化铝粉末。
此外，特别欲提高后述的基板的反射率的情况下，本发明的组合物更好是含有折射率超过2的高折射率陶瓷的粉末。作为高折射率陶瓷，可例举例如氧化钛、氧化锆。欲提高反射率的情况下，氧化锆粉末的含量较好为5％以上，更好为10％以上。此时，较好是含有30％以上的氧化铝粉末。
陶瓷填料的50％粒径(D50)较好为0.5～5μm。如果D50小于0.5μm，则例如难以使粉末均匀地分散在生坯中，或者粉末容易凝集而难以处理。D50更好为1μm以上。如果D50超过5μm，则难以获得致密的烧成体，更好为3μm以下。
作为本发明的组合物的成分的本发明的玻璃粉末通常是将通过熔融法制得的玻璃粉碎来制造。粉碎的方法只要不影响本发明的目的即可，无特别限定，可以是干法粉碎，也可以是湿法粉碎。湿法粉碎的情况下，较好是使用水作为溶剂。此外，粉碎中可适当使用辊式粉碎机、球磨机、喷射磨等粉碎机。玻璃在粉碎后根据需要进行干燥和分级。
作为本发明的组合物的成分的本发明的玻璃粉末的D50较好为0.5～5μm。如果D50小于0.5μm，则例如难以使玻璃粉末均匀地分散在生坯中，而且粉末容易凝集而难以处理。D50更好为1μm以上。如果D50超过5μm，则难以获得致密的烧成体，更好为3μm以下。
本发明的基板上为了散热等而设置有1个以上的贯穿导体，该贯穿导体的至少1个上安装有LED元件。
而且，该贯穿导体通常由以导热系数高的银为主要成分的银导体形成，共烧较好是在900℃以下进行。使用银导体的原因是因为银的导热系数高，散热性良好。
贯穿导体典型的是通过如下方法形成：在所述生坯的规定位置形成孔，填充银糊料等导体糊料，将所得材料层叠后进行烧成。此时，为了提高导热系数，贯穿导体和用于形成该贯穿导体的导体糊料较好是不含导体以外的无机成分。
本发明的基板的发光元件装载部设置有散热孔的情况下，较好是散热孔的导体从安装有发光二极管元件的表面突出。这是因为如果散热孔的导体相对于基板表面凹陷，则散热孔的导体和发光二极管元件之间产生间隙，或者粘接剂层变厚，无法使来自发光二极管元件的热量有效地散发至散热孔的导体。散热孔的导体的突出量较好为0～5μm。这是因为如果突出量超过5μm，散热孔的导体大幅突出，则发光二极管和基板之间产生间隙，使用大量的粘接剂，因此散热性降低，此外，安装时发光二极管元件可能会倾斜而难以安装在规定位置。
本发明的玻璃的玻璃化温度(Tg)较好为550～700℃。Tg如果低于550℃，则难以除去生坯中的有机物粘合剂(树脂)，如果超过700℃，则烧成时的收缩起始温度升高，绝缘基板的尺寸精度可能会降低。
本发明的玻璃较好是在典型的850～900℃的温度下烧成时发生分相的玻璃。如果不是发生分相的玻璃，则烧成体的机械强度可能会降低。这里所说的发生分相的玻璃典型的是虽然通过X射线衍射难以检出结晶、但如果用高分辨率电子显微镜观察则可确认化学组成不同的相的存在的玻璃。
接着，对本发明的玻璃的成分进行说明。下面，只要没有特别说明，玻璃组成以摩尔百分比表示。
SiO2为玻璃的网络形成成分，是必需的。如果SiO2不足57％，则难以获得稳定的玻璃，或者化学耐久性下降。欲提高耐酸性等时，S iO2较好是58％以上，更好是59％以上，特好是60％以上。如果SiO2超过65％，则玻璃熔融温度或Tg可能会过高，较好是64％以下，更好是63％以下。
B2O3为玻璃的网络形成成分，是必需的。如果B2O3不足13％，则玻璃熔融温度或Tg可能会过高，较好是14％以上，更好是15％以上。如果B2O3超过18％，则难以获得稳定的玻璃，或者化学耐久性下降，较好是17％以下，更好是16％以下。
Al2O3是提高玻璃的稳定性、化学耐久性或强度的成分，是必需的。如果Al2O3不足3％，则玻璃变得不稳定，较好是4％以上，更好是5％以上。如果Al2O3超过8％，则玻璃熔融温度或Tg过高，较好是7％以下，更好是6％以下。
CaO是使玻璃稳定化、使玻璃熔融温度降低、并且在烧成时容易使结晶析出的成分，是必需的，此外，有时也使玻璃的Tg降低。如果Cao不足9％，则玻璃熔融温度可能会过高，较好是10％以上。欲使玻璃易熔融等时，CaO较好是12％以上，更好是13％以上，特好是14％以上。CaO超过23％时，玻璃可能会变得不稳定，较好是22％以下，更好是21％以下，特好是20％以下，典型的是18％以下。
Na2O和K2O是使Tg降低的成分，必需含有至少任一种。其总和(Na2O+K2O)不足0.5％时，玻璃熔融温度或Tg可能会过高，较好是0.8％以上。Na2O+K2O的总量超过6％时，化学耐久性、特别是耐酸性可能会变差，或者烧成体的电绝缘性可能会下降，较好是5％以下，更好是4％以下。
欲防止或抑制贯穿导体变成凸状或者欲提高强度或化学耐久性等情况下，较好是CaO为17％以下，Al2O3为4～7摩尔％，K2O和Na2O的总和为4％以下。
本发明的玻璃实质上由上述成分形成，但在不影响本发明的目的的范围内还可含有其它成分。含有该其它成分的情况下，这些成分的含量的总和较好是10％以下。
例如，为了使玻璃熔液的粘性降低等，有时也可含有TiO2，此时的TiO2的含量较好是3％以下。此外，为了提高玻璃的稳定性等，有时也可含有ZrO2，此时的ZrO2的含量较好是3％以下。
本发明的玻璃较好是不含铅氧化物。
实施例
以下，通过本发明的实施例进行更详细的说明，但本发明并不解释为限定于这些例子。
将原料调配、混合，使其成为表1的例1～6和表2的例10～15中从SiO2到ZrO2为止的栏中以摩尔％表示的组成，将该混合好的原料投入铂坩锅，于1550～1600℃熔融60分钟后，将熔融玻璃倒出冷却。用氧化铝制球磨机以乙醇为溶剂将所得玻璃粉碎20～60小时，得到玻璃粉末。
例1～6是本发明的实施例，例10～15是比较例。例7～9也是本发明的实施例，但未进行上述的玻璃粉末的制作。
用株式会社岛津制作所(島津製作所社)制SALD2100测定了各玻璃粉末(例1～6和例10～15)的D50(单位：μm)，结果均为2.5μm。
此外，用默克公司(マツクサイエンス社)制热分析装置(TG-DTA2000)以10℃/分钟的升温速度升温至1000℃，分别测定了各玻璃粉末的Tg(单位：℃)和软化点Ts(单位：℃)。表中的Tg和Ts栏中记载为“*”的是表示未能通过这些方法测定Tg或Ts。表中以括号表示的是根据组成推定的值，对于后述的H和抗弯强度也一样。
以质量百分比表示，按照各玻璃粉末为40％、昭和电工株式会社(昭和電工社)制氧化铝填料AL-45H为60％的比例进行混合，将50g所得粉末与15g有机溶剂(甲苯、二甲苯、2-丙醇、2-丁醇以质量比4∶2∶2∶1混合而成的溶剂)、2.5g增塑剂(邻苯二甲酸二-2-乙基己酯)、5g树脂(电气化学工业株式会社(デンカ社)制聚乙烯醇缩丁醛PVK#3000K)、分散剂(毕克公司(ビツクケミ一社)制DISPERBYK180)混合而制成浆料。利用刮刀涂布法将该浆料涂布在PET膜上，将涂膜干燥，得到厚度为0.2mm的生坯。
如下所述制作通孔糊料(导体糊料)：将导电性粉末(大研化学工业株式会社(大研化学工業社)制的平均粒径5μm的球状银粉末)和载体(乙基纤维素)按质量比85∶15的比例调配，将其分散于溶剂(α萜品醇)，使固体成分的浓度以质量百分比表示达到85％，然后在瓷研钵中进行1小时的混炼，再用三辊机进行3次分散。
用开孔机在上述得到的生坯上开出直径0.3mm的孔，形成贯通孔。通过丝网印刷法向贯通孔内填充以上调制的通孔糊料。接着层叠6块所得生坯，于550℃保持5小时来分解除去树脂成分后，于870℃保持30分钟来进行烧成。用电子显微镜(日立高新技术公司(日立ハイテツク社)制S3000H)观察所得烧成体(绝缘基板)，在5个点上测量了导体通孔、即贯穿导体的凸状高度。这5个点的测量结果的平均值示于表1的H栏(单位：μm)。H较好是5μm以下。H超过5μm时，安装LED芯片时会发生倾斜，可能导致光量减少。
抗弯强度通过如下方法测定。即，层叠6块上述得到的生坯，于550℃保持5小时来分解除去树脂成分后，于870℃保持30分钟来进行烧成，制成抗弯强度测定用烧成体。对该烧成体进行切割，加工成厚约0.85mm、宽5mm的长方形，用10块所得长方形烧成体测定了3点弯曲强度(测定装置：英斯特朗公司(インストロン社)制，INSTRON 856I)。间距为15mm，十字头速度为0.5cm/分钟。这些测定结果示于表1和表2的强度栏(单位：MPa)。抗弯强度较好为250Mpa以上。
[表1]
  例1   例2   例3   例4   例5   例6   例7   例8
  SiO2   62.6   60.4   58.5   64.5   58.0   62.0   64.0   58.0
  B2O3   15.6   15.6   17.5   16.5   17.0   14.0   16.0   15.0
  CaO   15.0   15.0   13.0   10.0   13.5   15.0   13.0   18.0
  Al2O3   6.0   6.0   6.0   6.0   6.0   6.0   4.0   6.0
  K2O   0.8   1.0   1.0   1.0   1.0   1.5   1.0   1.0
  Na2O   0   2.0   2.0   2.0   2.0   1.5   2.0   2.0
  TiO2   0   0   0   0   25   0   0   0
  ZrO2   0   0   20   0   0   0   0   0
  Tg   656   640   644   690   638   652   (650)   (700)
  Ts   *   760   827   833   837   857   (750)   (820)
  H   5   0   3   3   5   (4)   (1)   (2)
  强度   260   290   285   273   280   (260)   (270)   (280)
[表2]
  例9   例1O   例11   例12   例13   例14   例15
  SiO2   64.0   56.3   60.0   60.5   65.5   75.3   81.6
  B2O3   16.0   15.3   12.5   16.0   16.0   14.2   16.6
  CaO   10.0   20.0   18.0   20.0   12.5   3.0   0
  Al2O3   5.0   8.0   6.0   2.5   6.0   6.0   0
  K2O   2.0   0.4   1.0   0.5   0   1.5   1.8
  Na2O   3.0   0   0.5   0.5   0   0   0
  TiO2   0   0   0   0   0   0   0
  ZrO2   0   0   0   0   0   0   0
  Tg   (650)   684   675   685   *   *   495
  Ts   (900)   799   *   *   *   *   775
  H   (0)   13   11   10   15   20   0
  强度   (280)   240   220   230   250   220   190
与例2同样地将玻璃粉末、所述氧化铝粉末AL-45H和第一稀元素化学工业株式会社(第一稀元
Figure BPA00001242876500111
Figure BPA00001242876500112
学工業社)制氧化锆粉末HSY-3F-J按照表3的玻璃粉末栏、氧化铝粉末栏、氧化锆粉末栏中以质量百分比表示的比例混合，通过与上述相同的方法用所得混合粉末制成生坯。层叠6块所得生坯，于550℃保持5小时来除去树脂成分。然后，例2A中于885℃保持30分钟，例2B、例2C、例2D和例2E中于875℃保持30分钟来进行烧成，制成烧成体，通过上述方法测定了抗弯强度。这些测定结果和例2的结果一起示于表3的强度栏(单位：MPa)。由该结果可知，欲利用例2的玻璃使抗弯强度达到250MPa以上的情况下，本发明的组合物较好是以质量百分比表示含有25～55％的玻璃粉末和45～75％的陶瓷填料。
此外，反射率通过如下方法测定。将上述得到的生坯层叠后烧成，得到一边为30mm左右的正方形且厚度为300μm左右的各烧成体。用海洋光学公司(オ一シヤンオプテイクス社)制分光器USB2000和海洋光学公司制小型积分球ISP-RF测定所得烧成体的反射率，将硫酸钡标准板的反射率设为100，算出光波长460nm处的反射率(单位：％)。结果示于表3。
存在欲减小基板厚度等使用条件的情况下，反射率较好为85％以上。例2C中得到了高反射率。反射率低于85％时，减小基板厚度时光的泄漏可能会增大。
[表3]
  例2   例2A   例2B   例2C   例2D   例2E
  玻璃粉末   40   30   50   35   38   60
  氧化铝粉末   60   70   50   33   54   40
  氧化锆粉末   0   0   0   32   9   0
  强度   290   250   280   260   280   200
  反射率   75   84   75   95   85   71
产业上利用的可能性
本发明的发光二极管封装适合于包括高亮度(HB)光二极管背光、显示器相关光源、汽车照明、装饰照明、标识和广告照明以及信息显示器用途在内的照明设备用途，特别是可用于便携式电话和大型液晶电视等的背光。
另外，在这里引用2008年4月18日提出申请的日本专利申请2008-108953号的说明书、权利要求书、附图和摘要的所有内容作为本发明说明书的揭示。
符号的说明
1：绝缘基板
1a、1b：主面
3a、3b：连接端子
5：外部电极端子
7：通电用通孔导体
9：装载部
10：散热孔(贯穿导体)
21：LED元件
23：键合丝(bonding wire)
25：发光装置
29：粘接剂
31：模塑材料

Claims (13)

1.一种发光二极管封装，其是基板上安装有发光二极管元件的发光二极管封装，其特征在于，基板是将包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷组合物烧成而得的基板，所述玻璃粉末以摩尔百分比表示含有57～65％的SiO2、14～18％的B2O3、9～23％的CaO、3～8％的Al2O3、总计为0.5～6％的K2O和Na2O中的至少任一种，不含铅氧化物。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装，其特征在于，所述玻璃粉末的SiO2在58摩尔％以上。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管封装，其特征在于，所述玻璃粉末的CaO在12摩尔％以上。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装，其特征在于，所述玻璃粉末的CaO在17摩尔％以下，Al2O3为4～7摩尔％，K2O和Na2O总计在4％以下。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装，其特征在于，所述陶瓷填料是氧化铝粉末。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装，其特征在于，所述陶瓷填料包含氧化铝粉末和氧化锆粉末。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装，其特征在于，所述玻璃陶瓷组合物以质量百分比表示含有25～55％的所述玻璃粉末和45～75％的所述陶瓷填料。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装，其特征在于，所述玻璃陶瓷组合物以质量百分比表示含有30％以上的氧化铝粉末。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装，其特征在于，所述玻璃陶瓷组合物以质量百分比表示含有5％以上的氧化锆粉末。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装，其特征在于，在所述基板上设置有1个以上的贯穿导体，在该贯穿导体中的至少1个上安装有发光二极管元件。
11.如权利要求10所述的发光二极管封装，其特征在于，基板的与安装有发光二极管元件的表面对向的另一面形成有散热器，安装有发光二极管元件的贯穿导体中的至少1个是与该散热器连接的散热孔。
12.如权利要求11所述的发光二极管封装，其特征在于，所述散热孔的导体从安装有发光二极管元件的基板表面突出，其突出量在5μm以下。
13.如权利要求1所述的发光二极管封装，其特征在于，基板的抗弯强度在250MPa以上。
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