JP5932494B2 - 発光素子載置用基板及び発光装置 - Google Patents
発光素子載置用基板及び発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5932494B2 JP5932494B2 JP2012126624A JP2012126624A JP5932494B2 JP 5932494 B2 JP5932494 B2 JP 5932494B2 JP 2012126624 A JP2012126624 A JP 2012126624A JP 2012126624 A JP2012126624 A JP 2012126624A JP 5932494 B2 JP5932494 B2 JP 5932494B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- weight
- light
- light emitting
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
1. 発光素子を載置するためのガラスセラミックス基板であって、
(a)前記ガラスセラミックスが、ガラス成分69〜80重量%及び無機フィラー20〜31重量%含有し、
(b)前記ガラス成分は、ガラス成分100重量%中、1)SiO2:30〜41重量%、2)Al2O3:29〜35重量%、3)B2O3:18〜22重量%、4)CaO、MgO、SrO、BaO及びZnOの合計:9〜16重量%、5)MgO:3〜7重量%、6)Li2O、Na2O及びK2Oの合計:0〜1000重量ppmを含み、
(c)前記無機フィラーはTiO2を含む、
ことを特徴とする発光素子載置用ガラスセラミックス基板。
2. TiO2の含有量が、無機フィラー100重量%中において5〜97重量%である、前記項1に記載の発光素子載置用ガラスセラミックス基板。
3. 無機フィラーがアルミナ、コージェライト、ムライト、ジルコニア、チタン酸塩、シリカ及びフォルステライトの少なくとも1種をさらに含む、前記項1に記載の発光素子載置用ガラスセラミックス基板。
4. 前記ガラスセラミックスが、Pb、Se、Te及びFを実質的に含まない、前記項1に記載の発光素子載置用ガラスセラミックス基板。
5. 前記項1〜4のいずれかに記載の発光素子載置用ガラスセラミックス基板上に発光素子が載置されてなる発光装置であって、発光素子が発する光が当該基板で反射されるように発光素子が配置されていることを特徴とする発光装置。
6. 光を反射させるためのガラスセラミックス反射板であって、
(a)前記ガラスセラミックスが、ガラス成分69〜80重量%及び無機フィラー20〜31重量%含有し、
(b)前記ガラス成分は、ガラス成分100重量%中、1)SiO2:30〜41重量%、2)Al2O3:29〜35重量%、3)B2O3:18〜22重量%、4)CaO、MgO、SrO、BaO及びZnOの合計:9〜16重量%、5)MgO:3〜7重量%、6)Li2O、Na2O及びK2Oの合計:0〜1000重量ppmを含み、
(c)前記無機フィラーはTiO2を含む、
ことを特徴とするガラスセラミックス反射板。
7. TiO2の含有量が、無機フィラー100重量%中において5〜97重量%である、前記項6に記載のガラスセラミックス反射板。
8. 無機フィラーがアルミナ、コージェライト、ムライト、ジルコニア、チタン酸塩、シリカ及びフォルステライトの少なくとも1種をさらに含む、前記項6に記載のガラスセラミックス反射板。
9. 前記ガラスセラミックスが、Pb、Se、Te及びFを実質的に含まない、前記項6に記載のガラスセラミックス反射板。
10. 前記項6〜9のいずれかに記載のガラスセラミックス反射板が搭載されている発光装置であって、発光素子が発する光が当該反射板で反射されるように反射板が配置されていることを特徴とする発光装置。
11 基板
12 発光素子
13 発光部
14 電極
15 電極
16 透明材料
17 金属線
21 反射板
22 基板
本発明の発光素子載置用ガラスセラミックス基板は、発光素子を載置するためのガラスセラミックス基板であって、
(a)前記ガラスセラミックスが、ガラス成分69〜80重量%及び無機フィラー20〜31重量%含有し、
(b)前記ガラス成分は、ガラス成分100重量%中、1)SiO2:30〜41重量%、2)Al2O3:29〜35重量%、3)B2O3:18〜22重量%、4)CaO、MgO、SrO、BaO及びZnOの合計:9〜16重量%、5)MgO:3〜7重量%、6)Li2O、Na2O及びK2Oの合計:0〜1000重量ppmを含有する、
ことを特徴とする。
(1−1)ガラス組成
ガラス成分の組成は、ガラス成分100重量%中、1)SiO2:30〜41重量%、2)Al2O3:29〜35重量%、3)B2O3:18〜22重量%、4)CaO、MgO、SrO、BaO及びZnOの合計:9〜16重量%、5)MgO:3〜7重量%、6)Li2O、Na2O及びK2Oの合計:0〜1000重量ppmを含有する。
SiO2は、特にガラスのネットワークフォーマーとしての役割を果たす。SiO2の含有量は30〜41重量%とし、30〜34重量%とすることが好ましい。SiO2の含有量が30重量%未満ではガラスの化学的耐久性が低下し、41重量%を超えるとガラスの溶融が困難となる。
Al2O3は、特にガラス形成における必須成分であり、所定量を含むことによりガラスの結晶化特性を制御することができる。Al2O3の含有量は29〜35重量%とし、31〜34重量%とすることが好ましい。29重量%未満ではガラス転移点Tgが690℃未満になり、35重量%を超えると低温での焼結が困難になる。
B2O3は、主として融剤としての役割を果たす。B2O3の含有量は18〜22重量%とする。18重量%未満ではガラスセラミックス組成物を低温で焼結することが困難となり、22重量%を超えるとガラスの化学的耐久性が低下する。
CaO、MgO、SrO、BaO及びZnOは、主としてガラス溶融の温度を低下させるための物質である。これらの含有量は、その合計量(CaO+MgO+SrO+BaO+ZnO)が9〜16重量%であり、かつ、MgOが3〜7重量%とする。特に、前記合計量が12〜16重量%であり、かつ、MgOが3〜5.5重量%とすることが好ましい。前記合計量が9重量%未満ではガラス溶融が非常に困難となり、16重量%を超えると焼結体の電気特性が安定しなくなる。また、MgOが3重量%未満では、ガラス溶融が不安定になり、7重量%を超えるとコージェライト、マグネシアスピネル等の熱膨張係数を変動させる結晶が析出し、焼結体の熱膨張係数が安定しなくなる。なお、前記の含有量は合計としての値であるので、そのすべての成分が含有されている必要はない(合計の意に関しては以下同じ。)。
Li2O、Na2O及びK2Oは、フィラーとして含有させる酸化チタン(TiO2)の黄変の原因となるので、実質的に含有されないことが望ましいが、本発明ではその合計量が酸化物換算で1000重量ppm以下であれば許容される。
原料組成物のガラス成分中には、本発明の効果を妨げない範囲内で、上記のような成分のほかにも他の成分が含まれていても良い。例えば、TiO2、ZrO2、P2O5、CeO2、Fe2O3、MnO2、CuO、CoO、SnO2、Sb2O3、V2O5、NiO、Cr2O3、Bi2O3等の各成分が挙げられる。
TiO2及びZrO2は、ガラス作製時の溶融安定性を向上させることを目的として必要に応じて配合させる物質である。その含有量はTiO2及びZrO2の合計が0〜4重量%の範囲にあることが好ましい。
さらに、P2O5、CeO2、Fe2O3、MnO2、CuO、CoO、SnO2、Sb2O3、V2O5、NiO、Cr2O3、及び、Bi2O3からなる群より選ばれる1種以上の任意成分を本発明の効果を著しく損ねない範囲内で含有させても良い。なお、通常、上記任意成分群(P2O5、CeO2、Fe2O3、MnO2、CuO、CoO、SnO2、Sb2O3、V2O5、NiO、Cr2O3、Bi2O3)は、その合計量が5重量%以下であれば、本発明の効果を著しく損なわせることなく本発明のガラス組成物に含有させることができ、2重量%以下であることがより好ましい。
他方、本発明では、ガラス成分において、Pb、Se、Te及びFは、環境負荷の点から、実質的に含有しないことが好ましい。特に、Fは焼成中に揮発するおそれがあるため、含有させないことが好ましい。なお、本発明では、これらの合計量は酸化物換算で1000重量ppm以下であれば許容される。
原料組成物のガラス成分は、通常は粉末状(ガラス粉末)として提供される。この場合の平均粒径は限定的ではないが、通常は0.8〜3μmとし、最大粒径20μm以下とすることが好ましい。本発明における粉末の平均粒径は、レーザー散乱式粒度分布測定器(日機装製マイクロトラックMT3000II)を用いて、体積分布モードのD50値から測定される(以下同じ。)。
ガラス成分の製造方法としては、特に限定されない。まず、原料としては、ガラス成分の供給源となる化合物を出発原料として使用すれば良い。例えば、B2O3のためにH3BO3、B2O3等を用いることができる。また例えば、Al2O3のためにAl(OH)3、Al2O3等を用いることができる。他の成分についても、SiO2、ZnO、Mg(OH)2、CaCO3、SrCO3、BaCO3、Li2CO3、Na2CO3、K2CO3、ZrO2、TiO2、La2CO3を等のように、各種酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の通常に用いられる出発原料を採用することができる。そして、これらを所定の割合で含有する混合物を出発原料として用い、これらを溶融することにより本発明ガラス組成物を得ることができる。
無機フィラーは、二酸化チタン(TiO2)を含有する。二酸化チタンは、白色顔料としての役割を果たす。つまり、二酸化チタンは、可視光(おおよその波長範囲は380nm〜800nm)をほとんど吸収せず、本来は無色透明な材料である一方で、高い屈折率を有するために周囲の材料との屈折率差が大きくなり易く、材料界面でのフレネル反射により光を強く散乱することから、基板を白色に見せつつ、可視光のほぼ全域に渡って高い反射特性を発現させる。
原料組成物は、通常は前記ガラス粉末及び無機フィラーを混合することによって得ることができる。この場合、原料組成物は粉末混合物として提供されるが、このときの粉末混合物の平均粒径は適宜設定することができる。特に、原料組成物を焼成して得られる焼結体の機械的強度を低下させないために、平均粒径を0.3〜3μmとし、最大粒径を20μm以下とすることが好ましい。平均粒径の測定方法は、前記と同様の方法を用いて測定される。
本発明の基板は、例えば、1)原料組成物、溶媒及びバインダーを含むスラリーを成形してグリーンシートを得る工程及び2)前記グリーンシートを焼成することにより焼結体からなる基板を製造する工程を含む製造方法によって基板を製造することができる。この場合、前記グリーシート表面に導体パターンを形成することにより、同時焼成が可能となる。すなわち、1)原料組成物、溶媒及びバインダーを含むスラリーを成形してグリーンシートを得る工程、2)前記グリーシートに導体パターンを形成する及び3)前記の導体パターンが形成されたグリーンシートを焼成することにより焼結体からなる基板を製造する工程を含む製造方法によって基板を製造することができる。
本発明は、本発明に係る発光素子載置用ガラスセラミックス基板上に発光素子が載置されてなる発光装置であって、発光素子が発する光が当該基板で反射されるように発光素子が配置されていることを特徴とする。すなわち、本発明に係る発光装置は、基板として本発明の発光素子載置用ガラスセラミックス基板を用いるほかは、公知又は市販の発光装置と同様の構成を採用することができる。
本発明は、光を反射させるためのガラスセラミックス反射板であって、
(a)前記ガラスセラミックスが、ガラス成分69〜80重量%及び無機フィラー20〜31重量%含有し、
(b)前記ガラス成分は、ガラス成分100重量%中、1)SiO2:30〜41重量%、2)Al2O3:29〜35重量%、3)B2O3:18〜22重量%、4)CaO、MgO、SrO、BaO及びZnOの合計:9〜16重量%、5)MgO:3〜7重量%、6)Li2O、Na2O及びK2Oの合計:0〜1000重量ppmを含み、
(c)前記無機フィラーはTiO2を含む、
ことを特徴とするガラスセラミックス反射板(本発明反射板)も包含する。
表1に示すガラス組成となるように原料を調合、混合してこの調合原料を1500〜1650℃で2時間溶融した後、急冷し、ガラスを得た。得られたガラスをボールミルにて有機溶剤(イソプロパノール)を用いた湿式粉砕を行うことによって、平均粒径2μmのガラス粉末を調製した。次いで、ガラス粉末と無機フィラーとの合計100重量%において、無機フィラーの含有割合が表2に示す割合となるように、無機フィラーを秤量し、ボールミルでガラス粉末と均一に混合することによって、無鉛ガラスセラミックス組成物A〜Dを得た。
1)無機フィラーは、A:アルミナ粉末(平均粒径1.5μm)、Z:ジルコニア粉末(平均粒径2μm)、T:チタニア粉末(平均粒径0.3μm)をそれぞれ示す。
2)無機フィラーの割合は、ガラス成分と無機フィラーとの合計100重量%として表記した。例えば、実施例1では、無機フィラーの含有量が30重量%であるので、ガラスセラミックス組成物中のガラス成分が占める割合は70重量%となる。
Claims (10)
- 発光素子を載置するためのガラスセラミックス基板であって、
(a)前記ガラスセラミックスが、ガラス成分69〜80重量%及び無機フィラー20〜31重量%含有し、
(b)前記ガラス成分は、ガラス成分100重量%中、1)SiO2:30〜41重量%、2)Al2O3:29〜35重量%、3)B2O3:18〜22重量%、4)CaO、MgO、SrO、BaO及びZnOの合計:9〜16重量%、5)MgO:3〜7重量%、6)Li2O、Na2O及びK2Oの合計:0〜1000重量ppmを含み、
(c)前記無機フィラーはTiO2を含む、
ことを特徴とする発光素子載置用ガラスセラミックス基板。 - TiO2の含有量が、無機フィラー100重量%中において5〜97重量%である、請求項1に記載の発光素子載置用ガラスセラミックス基板。
- 無機フィラーがアルミナ、コージェライト、ムライト、ジルコニア、チタン酸塩、シリカ及びフォルステライトの少なくとも1種をさらに含む、請求項1に記載の発光素子載置用ガラスセラミックス基板。
- 前記ガラスセラミックスが、Pb、Se、Te及びFを実質的に含まない、請求項1に記載の発光素子載置用ガラスセラミックス基板。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の発光素子載置用ガラスセラミックス基板上に発光素子が載置されてなる発光装置であって、発光素子が発する光が当該基板で反射されるように発光素子が配置されていることを特徴とする発光装置。
- 光を反射させるためのガラスセラミックス反射板であって、
(a)前記ガラスセラミックスが、ガラス成分69〜80重量%及び無機フィラー20〜31重量%含有し、
(b)前記ガラス成分は、ガラス成分100重量%中、1)SiO2:30〜41重量%、2)Al2O3:29〜35重量%、3)B2O3:18〜22重量%、4)CaO、MgO、SrO、BaO及びZnOの合計:9〜16重量%、5)MgO:3〜7重量%、6)Li2O、Na2O及びK2Oの合計:0〜1000重量ppmを含み、
(c)前記無機フィラーはTiO2を含む、
ことを特徴とするガラスセラミックス反射板。 - TiO2の含有量が、無機フィラー100重量%中において5〜97重量%である、請求項6に記載のガラスセラミックス反射板。
- 無機フィラーがアルミナ、コージェライト、ムライト、ジルコニア、チタン酸塩、シリカ及びフォルステライトの少なくとも1種をさらに含む、請求項6に記載のガラスセラミックス反射板。
- 前記ガラスセラミックスが、Pb、Se、Te及びFを実質的に含まない、請求項6に記載のガラスセラミックス反射板。
- 請求項6〜9のいずれかに記載のガラスセラミックス反射板が搭載されている発光装置であって、発光素子が発する光が当該反射板で反射されるように反射板が配置されていることを特徴とする発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012126624A JP5932494B2 (ja) | 2012-06-01 | 2012-06-01 | 発光素子載置用基板及び発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012126624A JP5932494B2 (ja) | 2012-06-01 | 2012-06-01 | 発光素子載置用基板及び発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013249239A JP2013249239A (ja) | 2013-12-12 |
JP5932494B2 true JP5932494B2 (ja) | 2016-06-08 |
Family
ID=49848299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012126624A Active JP5932494B2 (ja) | 2012-06-01 | 2012-06-01 | 発光素子載置用基板及び発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5932494B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5920497B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2016-05-18 | 大日本印刷株式会社 | 半導体発光装置及び光半導体実装用基板 |
CN105322433B (zh) * | 2014-05-28 | 2020-02-04 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 波长转换装置及其相关发光装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10167757A (ja) * | 1996-12-11 | 1998-06-23 | Toray Ind Inc | 低温焼成基板用組成物 |
EP2267799A1 (en) * | 2008-04-18 | 2010-12-29 | Asahi Glass Company, Limited | Light-emitting diode package |
JP2012222304A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Asahi Glass Co Ltd | Ledモジュールおよびledランプ |
-
2012
- 2012-06-01 JP JP2012126624A patent/JP5932494B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013249239A (ja) | 2013-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5429038B2 (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
JP5071555B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5106676B2 (ja) | 発光素子搭載用セラミックス基体 | |
JP2007129191A (ja) | 低温同時焼成セラミック(ltcc)テープ組成物、発光ダイオード(led)モジュール、照明デバイス、およびそれらの形成方法 | |
US9054287B2 (en) | Substrate for mounting light-emitting element, production process thereof and light-emitting device | |
KR20120098612A (ko) | 유기 led 소자의 산란층용 유리 및 그것을 사용한 유기 led 소자 | |
TW201209003A (en) | Glass ceramic composition, substrate for light-emitting element, and light-emitting device | |
WO2010150830A1 (ja) | 発光装置 | |
JP2010229002A (ja) | 蛍光体複合材料に用いられるSnO−P2O5系ガラス | |
KR20120121413A (ko) | 광반사 기재 및 이를 이용한 발광 디바이스 | |
JP5720454B2 (ja) | 発光素子搭載用基板とその製造方法および発光装置 | |
JPWO2012014853A1 (ja) | 発光素子用基板、発光装置及び発光素子用基板の製造方法 | |
JP5932494B2 (ja) | 発光素子載置用基板及び発光装置 | |
JP5516082B2 (ja) | ガラスセラミックス組成物、発光ダイオード素子用基板および発光装置 | |
JP5671833B2 (ja) | 光反射基材用材料、光反射基材およびそれを用いた発光デバイス | |
WO2017175587A1 (ja) | 複合粉末、グリーンシート、光反射基材及びこれらを用いた発光デバイス | |
JP2013254820A (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
JP5516026B2 (ja) | ガラスセラミックス組成物、発光ダイオード素子用基板、および発光装置 | |
JP2014148452A (ja) | 発光ダイオードパッケージ用ガラスセラミック、それを用いたセラミック基板、および発光ダイオードパッケージ | |
JP2011258866A (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
JP2011192980A (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
JP2013239546A (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
JP2015227252A (ja) | 蛍光体分散ガラスシート用ガラス組成物およびそれを用いたガラスシート | |
JP2011176106A (ja) | 発光素子搭載用基板およびこれを用いた発光装置 | |
JP2011176083A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150326 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160412 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160428 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5932494 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |