TWI498937B

TWI498937B - 帶電粒子多射束微影系統、調節裝置及製造其之方法

Info

Publication number: TWI498937B
Application number: TW099136453A
Authority: TW
Inventors: Marco Jan-Jaco Wieland; Ferry Michael Postma
Original assignee: Mapper Lithography Ip Bv
Priority date: 2009-10-26
Filing date: 2010-10-26
Publication date: 2015-09-01
Also published as: US8841636B2; KR20120098756A; EP2494580A1; EP2494578A1; TW201142905A; NL2005583A; EP2494579B1; KR101609347B1; CN102687233B; CN102668015B; US8759787B2; US20110260040A1; TW201133541A; KR20120098757A; WO2011051305A1; US20140014850A1; NL2005583C2; NL2005584A; CN102687232A; JP2013508991A

Description

帶電粒子多射束微影系統、調節裝置及製造其之方法

本發明係關於一種用於使用複數個射束將一圖案轉印至一目標之表面上的帶電粒子多射束微影系統。本發明進一步係關於一種用於一帶電粒子多射束微影系統中之調節裝置，且係關於一種製造此調節裝置之方法。

舉例而言，自美國專利第6,958,804號案知道帶電粒子多射束微影系統。此專利中所描述之系統較佳地使用複數個電子射束以將圖案轉印至目標表面。根據圖案資料藉由靜電偏轉而在調節裝置中調節藉由輻射源產生之電子射束。接著將經調節射束轉印至目標表面。為了實現圖案至目標表面之高速轉印，至少部分地藉由使用經調節光束之光學傳輸來轉印用於控制靜電偏轉之圖案資料。

自日本應用物理第32卷(1993年)第1部分第12B號的第6012頁至第6017頁知道另一帶電粒子多射束微影系統。此系統之調節裝置包含經配置以用於1024個射束之個別偏轉的陣列。出於此目的，調節裝置包含具有1024個孔徑之基板，該等孔徑各自呈25微米×25微米大小之正方形的形式。孔徑之間距為至少55微米。在孔徑之邊緣處提供電極以用於橫越孔徑產生電場來偏轉通過之帶電粒子射束。將圖案資料經由導線而轉印至電極。

在歐洲專利申請案1 453 076中，已認識到，使用如上述文章中所論述之複數個電子束會產生關於形成適合佈線結構之困難，該複數個電子束包含呈陣列之形式的複數個個別控制熄滅電極(blanking electrode)。為了實現在有限空間內經由佈線而使用更多互連，歐洲專利申請案1 453076建議形成一佈線基板及一電極基板，該佈線基板具有一多層佈線結構，且該電極基板具有複數個通孔及一在每一通孔之相對側壁上的電極對以控制傳遞通過該通孔之帶電粒子束之軌跡。接著將佈線基板與電極基板結合，使得將佈線基板之連接佈線襯墊連接至電極基板之電極對。分離基板及後續結合之建構係耗時且代價高的。此外，兩個基板相對於彼此之對準係麻煩的。

因此，本發明之一目標係提供一種帶電粒子多射束微影系統，其允許將分離射束控制在一小於55微米之間距內，同時達成良好可靠性。出於此目的，本發明提供一種用於使用複數個射束將一圖案轉印至一目標之表面上的帶電粒子多射束微影系統，該系統包含：一束產生器，其係用於產生複數個射束；一調節裝置，其係用於根據圖案資料來圖案化該複數個射束；及一投影系統，其係用於將該等經圖案化射束投影至該目標表面上；其中該調節裝置包含一包含一互連結構之本體，該互連結構具備複數個調節器及在該互連結構內之不同層次處的互連，該等互連係用於實現該等調節器至一或多個圖案資料接收元件之連接；其中一調節器包含一第一電極、一第二電極，及一延伸通過該本體之孔徑，該等電極位於該孔徑之相對側上以用於橫越該孔徑產生一電場；且其中該第一電極及該第二電極中之至少一者包含一形成於該互連結構之一第一層次處的第一導電元件，及一形成於該互連結構之一第二層次處的第二導電元件，該第一導電元件與該第二導電元件彼此電連接。

使用具有複數個調節器及在該互連結構內之不同層次處的互連的此微影系統會實現使用一具有一縮減間距之調節器陣列，因為可遍及該複數個層次分佈個別連接。結果，可在一有限空間內分佈更多資訊。適合地，調節器之間的該間距小於25微米。較佳地，該間距為16微米或16微米以下，且最佳地，該間距為10微米或10微米以下。此等小尺寸對於該互連結構內之特徵係相容的。

另外，達成了藉由該調節器之充分偏轉強度，此在於：該等導電元件形成一遍及該互連結構之一個以上層次延伸的電極。在該等射束之行進方向上的較長偏轉區域可減少需要橫越一個孔徑遍及該等電極予以施加以獲得一特定偏轉度之電壓。或者或另外，在該等射束之該行進方向上的該較長偏轉區域允許每單位電壓更多偏轉。

該第一導電元件與該第二導電元件可藉由至少一介層通道(via)而彼此連接，其中該至少一介層通道曝露至該孔徑，以便形成該電極之部分。包括該至少一介層通道會進一步加長在該等射束之該行進方向上的主動偏轉區域。因而，可達成偏轉電壓之進一步減少及/或每單位電壓更多偏轉。

該複數個調節器中之一第一調節器可經配置以經由該互連結構之該第一層次處的該第一導電元件而連接至一圖案資料接收元件，且該複數個調節器中之一第二調節器可經配置以經由該互連結構之該第二層次處的該第二導電元件而連接至該圖案資料接收元件。使用該互連結構內之不同層次來達成調節器與光接收元件之間的連接可減少需要為電連接而保留的該調節裝置之區域。調節器與圖案資料接收元件之間的互連可以一可定址陣列進行配置，其中該可定址陣列具備至少一字元線及至少一位元線。此配置可進一步限制所需要的連接之數目。

該互連結構可藉由一基板支撐以改良結構完整性。該基板可為經界定有複數個半導體電路元件之一半導體基板。

在一些實施例中，該互連結構之頂層為一導電層。該導電頂層可界定一可用於防止相鄰調節器之間的串擾的屏蔽。該頂層可經配置以處於接地電位。在此狀況下，該第一電極可經配置以用於與該圖案資料接收元件連接，而該第二電極可連接至該頂層。

在一些實施例中，該互連結構為一CMOS結構。

在一些實施例中，該等資料接收元件為該調節裝置之部分，且該等資料接收元件為用於將光信號轉換成對應電信號之感光元件。該等感光元件可為提供於該互連結構之上的Ge二極體。

本發明進一步係關於一種用於使用複數個射束將一圖案轉印至一目標之表面上的帶電粒子多射束微影系統，該系統包含：一束產生器，其係用於產生複數個射束；一根據前述技術方案中任一項之調節裝置，其係用於根據圖案資料來偏轉該複數個射束；一射束擋止器陣列，其係用於選擇性阻擋該等經偏轉射束，以便形成經圖案化射束；及一投影系統，其係用於將該等經圖案化射束投影至該目標表面上。在一些實施例中，此微影系統經配置以允許一射束群組傳遞通過該射束擋止器陣列中之一單一孔徑。另外，該調節裝置中之對應偏轉器可經配置以使該等射束朝向阻擋位置偏轉至該射束陣列上，使得該等阻擋位置圍繞該射束擋止器陣列中之該單一孔徑實質上均質地散佈。將經偏轉射束引導朝向圍繞該單一孔徑實質上均質地散佈的阻擋位置會允許在環繞該單一孔徑之區域中該射束擋止器陣列之表面之相對均勻降級。結果，可增加該射束擋止器陣列之壽命。

本發明進一步係關於一種製造一調節裝置之方法，該方法包含：提供一包含一互連結構之本體，該互連結構具備複數個調節器及在該互連結構內之不同層次處的互連，該等互連係用於實現該等調節器至一或多個圖案資料接收元件之連接，其中一調節器包含一第一電極及一第二電極，且其中該第一電極及該第二電極中之至少一者包含一形成於該互連結構之一第一層次處的第一導電元件，及一形成於該互連結構之一第二層次處的第二導電元件，該第一導電元件與該第二導電元件彼此電連接；及形成延伸通過該本體之孔徑，使得該複數個調節器中之一調節器之該第一電極及該第二電極位於該孔徑之相對側上以用於橫越該孔徑產生一電場。

形成孔徑可包括：沈積一第一阻劑層；在該第一阻劑層之上沈積一絕緣層；在該第一阻劑層之上沈積一第二阻劑層；根據一圖案來曝光該第二阻劑層，使得可在待形成有孔徑之部位之上移除該第二阻劑層，且根據該圖案來選擇性移除該第二阻劑層；使用該第二阻劑層作為第一蝕刻遮罩來蝕刻該絕緣層；使用該經蝕刻之絕緣層作為一第二蝕刻遮罩來蝕刻該第一阻劑層；及使用該經蝕刻之第一阻劑層作為一第三蝕刻遮罩來蝕刻該本體，以便形成該等孔徑。

在一些實施例中，該形成孔徑包括以化學方式選擇性蝕刻絕緣材料，以便曝露該第一電極之一表面、該第二電極之一表面及一用於連接該等電極中之一者內之導電元件之介層通道中的至少一者。藉由將一電極表面曝露於該孔徑內，該各別電極對一通過之帶電粒子射束之影響得以改良。該以化學方式選擇性蝕刻可包括濕式蝕刻。

在一些實施例中，該經提供之本體進一步包含一用於支撐該互連結構之基板。在此等狀況下，該形成孔徑之實施例可包含一在該基板中蝕刻孔之步驟。一適於在該基板中蝕刻孔之程序流程可包括使用一布氏(Bosch)程序之各向異性蝕刻。

在一些實施例中，該等圖案資料接收元件為用於將光信號轉換成電信號之二極體，且該方法進一步包含：將一具有二極體材料之板結合至該互連結構上；及圖案化該板以在預定部位處獲得二極體。該板可包含鍺(Ge)。該等接著形成之二極體為Ge二極體。Ge二極體在需要高速操作之應用中可尤其有用，因為Ge二極體之反應時間相對較快。

將參看圖式中所展示之實施例來進一步解釋本發明之各種態樣。

下文為本發明之各種實施例之描述，其僅係藉由實例且參看諸圖而給出。該等圖未按比例繪製且僅僅意欲用於說明性目的。

如在本申請案之內容背景中所使用的表達「互連結構(interconnect structure)」指代諸如典型地應用於臨界尺寸為0.25微米或0.25微米以下之積體電路之結構的結構。其通常包含連接層次之自四個直至十個層次。個別層次係使用垂直連接(亦被稱作介層通道)而相互互連。如下文所論述之互連可包含一駐留於一或多個連接層次內之部分，以及包含對應於一或多個介層通道之部分。

圖1展示帶電粒子多射束微影系統1之實施例的簡化示意性圖式。此微影系統被(例如)描述於美國專利第6,897,458號、第6,958,804號、第7.084,414號及第7,129,502號中，該等專利已讓與給本申請案之申請人，且其全文在此以引用之方式併入本文中。

此微影系統1適合地包含產生複數個射束之射束產生器、圖案化射束以形成經調節射束之射束調節器，及用於將經調節射束投影至目標之表面上之射束投影器。

射束產生器典型地包含一源及至少一束分裂器。圖1中之源為電子源3，其經配置以產生實質上均質的散佈電子束4。使電子束4之束能量較佳地在約1 keV至10 keV之範圍內維持相對較低。為了達成此目的，加速電壓較佳地較低，且可使電子源3相對於處於接地電位之目標保持處於在約-1 kV至-10 kV之間的電壓，但亦可使用其他設定。

在圖1中，來自電子源3之電子束4通過用於準直電子束4之準直器透鏡5。準直器透鏡5可為任何類型之準直光學系統。在準直之前，電子束4可通過雙重八極(double octopole)(圖中未示)。隨後，電子束4照射於束分裂器(在圖1之實施例中為孔徑陣列6)上。孔徑陣列6較佳地包含具有通孔之板。孔徑陣列6經配置以阻擋電子束4之部分。另外，陣列6允許複數個射束7傳遞通過，以便產生複數個平行電子射束7。

圖1之微影系統1產生大量射束7，較佳地為約10,000至1,000,000個射束，但當然有可能產生更多或更少射束。應注意，亦可使用其他已知方法來產生經準直射束。可在系統中添加第二孔徑陣列，以便自電子束4產生子束且自子束產生電子射束7。此情形允許操縱在下游更遠處之子束，其顯得有益於系統操作(尤其在系統中之射束之數目為5,000或5,000以上時)。

射束調節器(在圖1中被表示為調節系統8)典型地包含射束熄滅裝置陣列9及射束擋止器陣列10，射束熄滅裝置陣列9包含具有複數個熄滅裝置之配置。該等熄滅裝置能夠偏轉電子射束7中之一或多者。在本發明之實施例中，更具體而言，熄滅裝置為具備第一電極、第二電極及孔徑之靜電偏轉器。該等電極則位於該孔徑之相對側上以用於橫越該孔徑產生電場。通常，第二電極為接地電極，亦即，連接至接地電位之電極。

為了將電子射束7聚焦於熄滅裝置陣列9之平面內，微影系統可進一步包含聚光器透鏡陣列(圖中未示)。

在圖1之實施例中，射束擋止器陣列10包含一孔徑陣列以用於允許射束傳遞通過。射束擋止器陣列10(以其基本形式)包含具備通孔之基板，該等通孔典型地為圓孔，但亦可使用其他形狀。在一些實施例中，射束擋止器陣列10之基板係由具有規則間隔之通孔陣列的矽晶圓形成，且可藉由金屬之表面層塗佈以防止表面帶電。在一些另外實施例中，金屬為不會形成原生氧化物表皮之類型，諸如CrMo。

射束熄滅裝置陣列9及射束擋止器陣列10共同地操作以阻擋或放過射束7。在一些實施例中，使射束擋止器陣列10之孔徑與射束熄滅裝置陣列9中之靜電偏轉器之孔徑對準。若射束熄滅裝置陣列9偏轉射束，則射束將不傳遞通過射束擋止器陣列10中之對應孔徑。取而代之，射束將被射束阻擋器陣列10之基板阻擋。若射束熄滅裝置陣列9不偏轉射束，則射束將傳遞通過射束擋止器陣列10中之對應孔徑。在一些替代實施例中，射束熄滅裝置陣列9與射束擋止器陣列10之間的合作係使得：藉由熄滅裝置陣列9中之偏轉器來偏轉射束會引起射束傳遞通過射束擋止器陣列10中之對應孔徑，而非偏轉會引起藉由射束擋止器陣列10之基板的阻擋。

調節系統8經配置以基於藉由控制單元60提供之輸入而將圖案添加至射束7。控制單元60可包含資料儲存單元61、讀出單元62及資料轉換器63。控制單元60可經定位成遠離系統之其餘部分，例如，在潔淨室之內部部分外部。在使用光纖64的情況下，可將持有圖案資料之經調節光束14傳輸至投影器65，投影器65將來自光纖陣列(被示意性地描繪為板15)內之光纖之末端的光投影至微影系統1之電子光學部分(藉由虛線框及參考數字18示意性地表示)中。

在圖1之實施例中，將經調節光束投影至射束熄滅裝置陣列9上。更特定而言，將來自光纖末端之經調節光束14投影於位於射束熄滅裝置陣列9上之對應感光元件上。感光元件可經配置以將光信號轉換成不同類型之信號，例如，電信號。經調節光束14載運用於控制耦接至對應感光元件之一或多個熄滅裝置的圖案資料之部分。適合地，為了將光束14投影至對應感光元件上，可使用諸如投影器65之光學元件。另外，為了允許以適合入射角來投影光束14，可包括(例如)適合地置放於投影器65與射束熄滅裝置陣列9之間的鏡面。

可在控制單元60之控制下藉由投影器定位裝置17而使投影器65與板15適當地對準。結果，投影器65與射束熄滅裝置陣列9內之感光元件之間的距離亦可變化。

在一些實施例中，可至少部分地藉由光波導而使光束自板轉移朝向感光元件。光波導可將光導引至極接近於感光元件之位置，適合地相隔小於1公分，較佳地相隔大約1毫米。光波導與對應感光元件之間的短距離減少光損失。另一方面，使用經定位成遠離可藉由帶電粒子射束佔據之空間的板15及投影器65具有如下優點：射束干擾被最小化，且射束熄滅裝置陣列9之建構較不複雜。

藉由射束投影器將出自射束調節器之經調節射束作為光點而投影至目標24之目標表面13上。射束投影器典型地包含用於遍及目標表面13掃描經調節射束之掃描偏轉器，及用於將經調節射束聚焦至目標表面13上之投影透鏡系統。此等組件可存在於單一末端模組內。

此末端模組較佳地被建構為可插入式可更換單元。因此，末端模組可包含偏轉器陣列11及投影透鏡配置12。可插入式可更換單元亦可包括如上文參考射束調節器所論述之射束擋止器陣列10。在離開末端模組之後，射束7照射於定位於目標平面處之目標表面13上。對於微影應用，目標通常包含具備帶電粒子敏感層或阻劑層之晶圓。

偏轉器陣列11可採取經配置以偏轉已通過射束擋止器陣列10之每一射束7的掃描偏轉器陣列的形式。偏轉器陣列11可包含實現相對較小驅動電壓之施加的複數個靜電偏轉器。儘管將偏轉器陣列11繪製為在投影透鏡配置12上游，但偏轉器陣列11亦可定位於投影透鏡配置12與目標表面13之間。

投影透鏡配置12經配置以在藉由偏轉器陣列11來偏轉射束7之前或之後聚焦射束7。較佳地，聚焦產生直徑為約10奈米至30奈米之幾何光點大小。在此較佳實施例中，投影透鏡配置12較佳地經配置以提供約100倍至500倍(最佳地，儘可能地大，例如，在300倍至500倍之範圍內)之縮小率。在此較佳實施例中，投影透鏡配置12可有利地經定位成接近於目標表面13。

在一些實施例中，束保護器(圖中未示)可位於目標表面13與投影透鏡配置12之間。束保護器可為具備複數個經適合定位孔徑之箔或板。束保護器經配置以在經釋放之抗蝕劑粒子可到達微影系統1中之任何敏感元件之前吸收經釋放之抗蝕劑粒子。

因此，投影透鏡配置12可確保目標表面13上之單一像素之光點大小係正確的，而偏轉器陣列11可藉由適當掃描操作來確保目標表面13上之像素之位置在微尺度上係正確的。特定而言，偏轉器陣列11之操作係使得像素適應於最終構成目標表面13上之圖案的像素柵格。應理解，藉由存在於目標24下方之晶圓定位系統適合地實現目標表面13上之像素之大尺度定位。

通常，目標表面13包含在基板之上的抗蝕劑膜。將藉由施加帶電粒子(亦即，電子)射束而以化學方式改質抗蝕劑膜之部分。由於該改質，故該膜之經輻照部分將或多或少可溶解於顯影劑中，從而在晶圓上產生抗蝕劑圖案。隨後可將晶圓上之抗蝕劑圖案轉印至下伏層，亦即，藉由如在半導體製造技術中所知的實施、蝕刻及/或沈積步驟。顯然，若輻照不均一，則可能不以均一方式顯影抗蝕劑，從而在圖案中導致錯誤。因此，高品質投影對於獲得提供可重現結果之微影系統有重大意義。不應當由偏轉步驟引起輻照差異。

圖2示意性地展示圖1之微影系統中之射束熄滅裝置陣列9之實施例的操作。詳言之，圖2示意性地展示包含射束熄滅裝置陣列9及射束擋止器陣列10之射束調節器之一部分的橫截面圖。射束熄滅裝置陣列9具備複數個孔徑35。出於參考起見，亦已指示目標24。該圖未按比例繪製。

射束調節器之所展示部分經配置以調節三個射束7a、7b及7c。射束7a、7b、7c可形成單一射束群組之部分，該群組可自起源於單一源之束或自單一子束加以產生。圖2之射束調節器經配置以用於使射束群組會聚朝向一用於每一群組之共同會聚點P。此共同會聚點P較佳地位於用於射束群組之光軸O上。

考慮圖2中之所展示射束7a、7b、7c，射束7a、7c具有在射束與光軸O之間延伸的入射角。射束7b之定向實質上平行於光軸。用以建立藉由射束擋止器陣列10之基板的經偏轉射束之阻擋的射束偏轉方向對於每一射束可不同。藉由朝向左邊(亦即，朝向圖2中之「-」方向(藉由虛線7a-指示))之偏轉來阻擋射束7a。另一方面，將朝向右邊(亦即，朝向「+」方向)偏轉射束7b、7c，以建立各別射束之阻擋。此等阻擋方向係分別藉由虛線7b+及7c+指示。應注意，偏轉方向之選擇可能不為任意的。舉例而言，對於射束7a，虛線7a+展示出射束7a朝向右邊之偏轉將引起傳遞通過射束擋止器陣列10。因此，射束7a沿著線7a+之偏轉將係不適當的。另一方面，射束7b朝向左邊之偏轉(藉由虛線7b-指示)將為一選項。

圖3A示意性地展示射束熄滅裝置陣列內之電極之配置的俯視圖，其中射束熄滅裝置陣列經配置以使射束群組會聚朝向一共同會聚點。在此實施例中，射束熄滅裝置採取靜電調節器30之形式，每一調節器30包含第一電極32、第二電極34，及延伸通過射束熄滅裝置陣列之本體的孔徑35。電極32、34位於孔徑35之相對側上以用於橫越孔徑35產生電場。個別調節器30圍繞經中心定位之光軸O形成徑向配置。在圖3A所示之實施例中，兩個電極32、34具有凹入形狀，其使電極32、34之形狀符合圓柱形孔徑35。此圓柱形孔徑形狀本身適於防止引入特定光學像差，諸如像散。

在此實施例中，旋轉個別調節器30之電極32、34，使得當偏轉射束時，仍將沿著會聚至光軸上之會聚點的線引導射束。沿著自光軸延伸之徑向線的此偏轉顯得有益於防止其他射束之干擾，及/或經偏轉射束通過射束擋止器陣列10之任何不當傳遞。詳言之，若相較於射束熄滅裝置陣列9與射束擋止器陣列10之間的垂直距離，射束之間以及射束群組之間的側向距離較小，則此干擾及/或不當傳遞可為顯著的。儘管圖3A建議在光軸O附近無調節器30之區域，但其並非此實施例之必要特徵。

圖3B展示射束熄滅裝置陣列內之電極之替代配置，其中射束熄滅裝置陣列經配置以使射束群組會聚朝向一共同會聚點。在此配置中，個別調節器30確實再次圍繞經中心定位之光軸O形成徑向配置。然而，個別調節器30未以圍繞光軸之同心圓進行置放，而是以藉由具有實質上垂直於彼此之定向之行及列形成的陣列進行置放。同時地，個別調節器30之電極32、34確實具有使得其可使射束沿著自光軸O延伸之徑向線偏轉的定向。

詳言之，當傳遞通過如圖3A及圖3B所示之電極配置的射束經配置以被引導朝向如圖2所示之射束擋止器陣列內的單一孔徑時，偏轉方向較佳地係使得將待藉由射束擋止器陣列阻擋之射束朝向阻擋位置引導至射束擋止器陣列上，該等阻擋位置圍繞各別束擋止器孔徑實質上均質地散佈。藉由均勻地散佈射束群組內之射束之阻擋位置，使由帶電粒子之碰撞引起的束擋止器陣列之降級儘可能均勻地散佈。

圖4示意性地展示射束熄滅裝置陣列內之電極之又一實施例的俯視圖。在此實施例中，電極32、34再次經定位成圍繞孔徑35，但若干調節器30之第二電極34經整合成單一條帶。調節器30係以列進行配置。隔離區39適合地存在於調節器30之第一列37與調節器30之第二列38之間。隔離區39經設計以防止不當放電。

在許多應用中，將第二電極34之電位置於接地電位，亦即，0 V。然而，亦可將藉由若干調節器30之第二電極34共用的電位設定於不同電位，例如，約1 kV或約-1 kV之參考電壓。

圖5示意性地展示根據本發明之實施例的可用於射束熄滅裝置陣列9中之組件之構形配置(topographic arrangement)的俯視圖。將射束熄滅裝置陣列劃分成束區域51及非束區域52。束區域51表示經配置以接收及調節射束之區域。非束區域52為經配置以提供用於為支撐束區域51內之組件所需要之組件的區域。

存在於束區域51內之組件包括調節器30。調節器30可採取如參看圖2至圖4所論述之靜電偏轉器的形式。

非束區域52內之組件可包括經配置以接收經調節光信號(例如，以如參看圖1所論述之方式)之感光元件40。感光元件40之適合實例包括(但不限於)光電二極體及光電晶體。圖5所示之實施例中的非束區域進一步包括解多工器41。藉由感光元件40接收之光信號可為用以包括用於一個以上調節器30之資訊的經多工信號。因此，在藉由感光元件40接收到光信號之後，將光信號轉移至解多工器41，在解多工器41中解多工該信號。在解多工之後，經由專用電連接42而將經解多工信號轉遞至正確調節器30。

由於使用經多工光信號以及具有感光元件40及解多工器41之配置，故感光元件40之數目低於調節器30之數目。具有有限數目之感光元件40會實現非束區域52之尺寸之減少。束區域51則可被更接近地置放在一起以增加熄滅裝置陣列中每單位面積的調節器30之數目。相較於非多工實施例，若將使用相同數目之調節器，則射束熄滅裝置陣列之佈局將更緊密。若熄滅裝置陣列之尺寸將保持實質上相同，則可使用更多調節器。或者，代替減小非束區域52之大小，使用多工實施例可實現使用具有更大光接收區域之感光元件40。使用每感光元件40更大光接收區域會減少為將光信號引導朝向正確感光元件40所需要之光學器件的複雜性，且使光接收結構更穩固。

調節器30可適合地以行及列進行配置以允許如圖6所示的經由字元線80及位元線90之定址。此按陣列定址減少自解多工器41延伸至調節器30之連接之數目。舉例而言，在圖6中，僅存在10個連接線，而個別定址將產生25個連接線以定址25個調節器30。連接線之此減少改良射束熄滅裝置陣列9之可靠性，因為其變得較不易受歸因於解多工器41與調節器30之間的不正常工作之連接的故障的影響。此外，該等連接在置放於此按陣列定址配置中時可佔據較少空間。

雖然圖5中之實施例展示每感光元件40存在四個偏轉器30，且圖6展示每感光元件40存在25個偏轉器30，但偏轉器30與感光元件40之間的比率可增加至高達100或甚至100以上，例如，250。解多工器41與對應調節器30之間的連接之減少的優點則變得顯著，此在於：射束熄滅裝置陣列9之穩固性及可靠性得以相當大地改良。

適合地，可將解多工器41移動朝向束區域51以縮短與各別調節器30之連接。此情形在感光元件40與偏轉器30之間的距離相對較大(例如，為大約100微米或100微米以上)時尤其有用。

為了確保調節器30在完整偏轉週期期間偏轉通過之射束，束區域51可進一步包括耦接至各別調節器30之記憶體元件95，記憶體元件95係用於暫時地儲存專用於各別調節器30之控制信號歷時預定時間週期。預定時間週期可對應於或大於完整偏轉週期以確保控制信號可用於此整個偏轉週期。此配置允許偏轉步驟獨立於控制信號按時間之傳輸。此外，可因此依序地進行控制信號之傳輸，而同時地執行射束之偏轉。

圖7示意性地展示根據本發明之一實施例的射束熄滅裝置陣列或調節裝置之一部分的橫截面圖。儘管圖中未示，但應理解，熄滅裝置陣列在兩個維度上(在進入及離開圖7中之頁面的方向上)延伸，例如，根據如圖5中示意性地所展示將射束熄滅裝置陣列劃分成束區域及非束區域。

陣列9包含一包含互連結構100之本體。互連結構100具備複數個調節器。互連結構100提供實現該等調節器至一或多個圖案資料接收元件(例如，圖5及圖6所示之感光元件40)之連接的不同連接層次。調節器與圖案資料接收元件之間的連接被稱作「互連(interconnect)」。

每一調節器包含第一電極132、第二電極134，及延伸通過該本體之孔徑135。電極132、134位於孔徑135之相對側上以用於橫越孔徑135產生電場。電極132、134係藉由在互連結構100之不同層次處的導電元件110形成，其中導電元件110係藉由一或多個介層通道120而彼此連接。

可藉由基板101(例如，矽基板)支撐互連結構100以用於增強射束熄滅裝置陣列之結構完整性。使用藉由介層通道120連接的在不同層次處之導電元件110形成的電極132、134具有如下優點：可使用已知半導體技術(例如，用於CMOS技術中之技術)來製造射束熄滅裝置陣列，其中CMOS代表互補金氧半導體(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)。此外，使用在多個層次處之導電元件110會實現在不同層次處調節器至圖案資料接收元件(諸如早先所描述之感光元件)之連接。舉例而言，在如圖6所示之配置中，相較於位元線，字元線可在互連結構內之不同層次處連接至電極。因而，射束熄滅裝置陣列之每單位面積的連接線之密度可得以改良，此情形提供以比在所有連接皆位於同一層次時之間距更緊密的間距置放調節器的機會。

可使用本體之頂層140來界定一屏蔽。可將該屏蔽設定於與第二電極134之電位相同的電位，第二電極134可充當接地電極。屏蔽可用於防止相鄰調節器之間的串擾。

如上文所提及，互連結構100可使用典型地應用於臨界尺寸為0.25微米或0.25微米以下之積體電路之技術。在此等技術中之一些技術(例如，CMOS)中，該結構通常包含用於互連目的之4個至10個層次。個別層次係使用垂直互連區域或介層通道而相互互連。個別層次之層厚度典型地為約1微米。在可用於本發明之實施例中的一類型之互連結構中，該互連結構包含使用所謂的雙金屬鑲嵌技術所製造之銅(Cu)層次及Cu介層通道。在可使用的另一類型之互連結構中，該互連結構包含鋁(Al)層次及鎢(W)介層通道。可使用合金元素來最佳化所使用之材料。

另外，熟習此項技術者應知道，可使用障壁層。此障壁層在互連結構中使用Cu之狀況下尤其有用。Cu趨向於極容易地遷移且可污染該結構。Al較不易受歸因於在經曝露之Al表面上形成原生氧化物的遷移的影響。然而，此原生氧化物層之厚度通常相當薄，且可使用障壁層來改良互連結構之效能。障壁層可包含選自由TiN、TaN及TiW組成之材料群組的材料。為了獲得所要功能性，互連結構內之每一層次典型地具有其自身之不同圖案。可使用鈍化層來覆蓋互連結構之頂部以保護互連結構免受濕氣及污染物。可在最上金屬化層次中或甚至在鈍化層之上界定用於提供互連結構與外部元件之電接觸的結合襯墊。該等結合襯墊可適於導線結合或焊料凸塊製備。此外，互連結構之頂側可適合地具備金屬化表面以避免帶電粒子(例如，電子)之局部帶電及吸引。

應注意，儘管圖7所示之定向可以其他方式進行暗示，但帶電粒子射束可向下以及向上傳遞通過孔徑135。陣列9之實際定向可取決於可用空間及由帶電粒子多射束微影系統中之其他組件引起的其他約束。

圖8A至圖8F示意性地展示在製造圖7之射束熄滅裝置陣列9時之步驟的橫截面圖。

圖8A展示製造中之第一階段，其包括提供包含互連結構100之本體。該互連結構包含界定層次136、137堆疊之層堆疊。每一層次可包括一或多個層。用於進行此層內之結構之間的連接的層經界定為金屬化層次136之部分。經配置以實現堆疊內之不同層之間的連接的層經界定為介層通道層次137之部分。互連結構100具備複數個調節器及在互連結構內之不同層次處的互連。該等互連實現該等調節器至一或多個圖案資料接收元件(例如，參看圖5所論述之感光元件40)之連接。

該本體通常包括用於改良結構完整性且用以提供另外電開關及連接能力之支撐基板101。出於此原因，可適合地在基板101內界定諸如電晶體、二極體及電容器之主動元件。基板101典型地包含矽，或絕緣體上矽，或另一改質型矽基板(諸如SiGe)。

可藉由介電層105來覆蓋面朝互連結構之基板表面以用於防止至基板101中之擴散。在此狀況下，介電層105可具備矽局部氧化(Local oxidation of Silicon,LOCOS)或淺溝槽絕緣(Shallow trench insulation,STI)，或為熟習此項技術者所知之任何其他適合技術。

在基板101及可選熱氧化物層105之上，界定多層次互連結構100。互連結構100包含多個層，其經典型地配置成使得金屬化層次136藉由介層通道層次137而彼此耦接。在不同層次中，存在根據藉由絕緣材料145環繞之預定圖案的導電結構。金屬化層次136中之導電結構典型地採取連接結構(例如，導線)之形式，而介層通道層次137中之導電結構典型地採取所謂的接觸孔或介層通道之形式。

金屬化層次內之導電材料之圖案以及介層通道之位置及數目至少在互連結構內之一些部位處對應於待形成的調節器之所要圖案。出於此目的，使孔徑區域135保持無金屬結構，且使孔徑區域135填充有絕緣材料145。另外，導電元件110在一或多個金屬化層次內圍繞孔徑區域135以圓周方式進行置放，且適合地經由介層通道層次中之介層通道120而彼此連接。

用於金屬化層次136中(例如，用於導電元件110)之金屬典型地包含鋁(Al)。或者或另外，該金屬可包含銅(Cu)。用於介層通道120之典型材料為以所謂的雙金屬鑲嵌製造程序所製造之鎢(W)或Cu。所使用之絕緣材料145典型地包含二氧化矽(SiO₂ )。

儘管圖中未示，但可適合地使用鈍化層來覆蓋互連結構100以用於保護該結構。對於在用於帶電粒子微影之應用中的使用，較佳地使用導電塗層來覆蓋此鈍化層以避免系統內之任何不當電荷積聚。

可使用已知半導體處理技術(例如，用以製造CMOS晶片之技術)來製造本體。使用已知半導體處理技術來提供射束熄滅裝置陣列之基本構建區塊會顯著地減少製造成本。此外，使用此本體會改良根據下文所描述之製造程序所製造之射束熄滅裝置陣列的可靠性。

在提供本體之後，可藉由三個層(亦即，第一阻劑層151、絕緣層153，及第二阻劑層155)來覆蓋互連結構100。圖8B中展示在此步驟之後的最終結果。

第一阻劑層151典型地為光阻層。第二阻劑層155典型地為電子束阻劑層。絕緣層153典型地包含SiO₂ 。可藉由自旋來沈積阻劑層151、155。可藉由濺鍍來沈積絕緣層153。

接著根據一圖案來曝光第二阻劑層155，且隨後進行顯影以獲得圖8C所示之結構。可使用電子束圖案產生器進行根據一圖案之部分曝光，其中第二阻劑層155包含電子束抗蝕劑。或者，熟習此項技術者應理解，在第二阻劑層155將為光阻之狀況下，可結合遮罩而使用適合光源來執行藉由一圖案之曝光。

現將經圖案化之第二阻劑層155作為蝕刻遮罩而用於絕緣層153。接著可將經蝕刻之絕緣層153作為蝕刻遮罩而用於蝕刻第一阻劑層151。該蝕刻可包括使用適合電漿(例如，氟電漿及/或氧電漿)之感應耦合電漿(ICP)蝕刻。在第一阻劑層151之蝕刻期間，可消耗第二阻劑層155。圖8D中示意性地展示上文所描述之程序步驟的最終結果。

緊接著，將第一阻劑層151作為蝕刻遮罩而用於移除絕緣材料。該蝕刻可再次包括以適合電漿(例如，氟電漿)之ICP蝕刻。圖8E中展示此蝕刻步驟之結果。

隨後，較佳地藉由使用各向異性蝕刻技術而將孔160蝕刻至基板101中。詳言之，若基板為矽基板，則適合蝕刻技術為所謂的布氏蝕刻(Bosch-etching)。布氏蝕刻為藉由電漿環境中之循環蝕刻及沈積步驟進行各向異性蝕刻的方法，且在德國專利DE4241045及美國專利5,501,893中關於矽之蝕刻予以更詳細地描述。可以類似方式蝕刻諸如GaAs、Ge及SiGe之其他材料。

另外，可使用以化學方式選擇性蝕刻技術以藉由移除絕緣材料同時使金屬結構實質上完整來加寬互連結構100中之自由空間。適合的以化學方式選擇性蝕刻技術包括濕式蝕刻。由於加寬互連結構100內之自由空間，故可曝露不同金屬化層次中之導電元件110，以及介層通道層次中之一或多個介層通道120。圖8F中示意性地展示上述蝕刻步驟之結果。

曝露金屬化層次中之導電元件110以及較佳地曝露一或多個介層通道層次中之至少一介層通道120會改良調節器之電極132、134之效能。如藉由電極132、134橫越孔徑135提供之電場可更均一。此外，移除在使用期間可面朝電子射束之絕緣材料145會防止藉由諸如電子之散射帶電粒子而在使用期間使此材料帶電。射束熄滅裝置陣列之孔徑內之電荷積聚趨向於隨著時間而減少效能且因此係不當的。

儘管圖8E所示之結構建議需要移除絕緣材料145來曝露導電元件110之側面，但可能已經在早先蝕刻步驟中達成此等側面中之一或多者之曝露。

儘管該等圖中未指示，但至少導電元件110之經曝露表面以及較佳地曝露至孔徑135之內部體積的一或多個介層通道120可具備實質上惰性導電塗層，例如，不會氧化或實質上不會氧化之材料的塗層。此等塗層之實例包括(但不限於)CrMo、Au及Pt之塗層。

為了描繪另外處理步驟，在圖9A、圖9B中提供射束熄滅裝置陣列之較大部分的橫截面圖。在此狀況下，該橫截面圖包括如參看圖8A至圖8F所論述之三個孔徑135。

在用以加寬互連結構100內之自由空間的以化學方式選擇性步驟及基板101中之孔160的蝕刻之後，藉由自背對互連結構100之側(亦即，「背側(backside)」)進行蝕刻而將大孔徑170形成至半導體基板101中。對於此蝕刻，在基板101之背側上選擇性沈積第三阻劑層157(見圖9A)。接著將第三阻劑層157作為蝕刻遮罩而用於蝕刻，其導致圖9B所示之結果。隨後移除第三阻劑層157將導致圖7所示之射束熄滅裝置陣列部分。對於背側蝕刻，可利用乾式蝕刻(例如，反應性離子蝕刻(RIE))，或為熟習此項技術者所知之濕式蝕刻。

應注意，以化學方式選擇性移除絕緣材料以便將導電材料曝露至孔徑的步驟未必係在半導體基板101中蝕刻一或多個孔之後予以執行，而亦可在參看圖9A、圖9B所論述之背部蝕刻(back-etching)步驟之後予以應用。

此外，儘管參看圖9A、圖9B所論述之背部蝕刻步驟自背側產生具有足以界定通過用於一個以上調節器之整個結構之通孔之尺寸的孔徑，但應理解，亦可每調節器配置此背部蝕刻孔徑。針對多個調節器使用單一背側孔徑之優點在於：其歸因於用於背側蝕刻步驟中之遮罩之較低複雜性及較低對準要求而簡化製造。

圖10展示射束熄滅裝置陣列之另一部分的簡化橫截面圖。詳言之，圖10示意性地描繪包含感光元件之射束熄滅裝置陣列之一部分。在所展示實施例中，感光元件包含二極體241，二極體241具有第一區241P、第二區241N，及在該等區241N、241P之間的接面242。抗反射塗層243存在於二極體241之上。此抗反射塗層243經配置以防止歸因於反射之光強度減少。

在所展示實施例中，已在二極體241之上移除互連結構100以產生空腔250。可在完成互連結構100之後藉由蝕刻來執行此移除。或者，可在為了獲得圖8E所示之結構而執行的蝕刻步驟期間產生空腔250。可在產生空腔250之前沈積抗反射塗層243。藉由選擇一選擇性蝕刻劑及/或向該塗層提供一適合且光學透明之蝕刻終止層，在蝕刻步驟中將不移除塗層243。或者，可稍後(亦即，在產生空腔250之後)沈積抗反射塗層243。

如圖10之實施例中所展示，可將額外導電層260添加至互連結構100。熟習晶片尺度封裝技術者應知道，此額外互連層260可充當所謂的再分佈層及/或凸塊金屬化層。在一些實施例中，額外互連層260包含兩個子層，亦即，底部鈍化層及頂部導電層。鈍化層經配置以保護互連結構100免受由外部影響(例如，在製造期間本體之另外機械處置)引起之損壞。頂部導電層可用以實現與其他結構之導電連接。此外，詳言之，當在所有處理步驟之後將頂部導電層濺鍍於本體之上時，頂部導電層可覆蓋遍及系統漫遊之絕緣粒子。此等絕緣粒子之覆蓋減少系統內之雜散場來源之數目。

在另一適合實施中，第一邊界區域247及第二邊界區域248側向地存在於光電二極體241與互連結構100之間。第一邊界區域247在本文中存在於朝向圖中未示之偏轉器的側處。第一邊界區域247在本文中小於第二邊界區域248。此實施例允許傳輸具有稍微小於恰好90度之入射角的光束。

在如圖10所示之空腔250內提供感光元件尤其適於直徑小於空腔250之高度或與空腔250之高度相當的感光元件。在此狀況下，空腔250之側面有效地阻擋起源於感光元件且尤其起源於抗反射塗層243之電場。此場係歸因於散射帶電粒子之收集。角度β之正切等於空腔之直徑與高度之比率。角度β適合地大於約45度，更適合地大於約60度。

若感光元件開始充當帶電粒子之來源，則此情形可干擾一或多個緊接射束之潔淨傳遞(圖10中未示)。省去抗反射塗層243可減少此不當效應。抗反射塗層243通常係由絕緣材料製成或主要包含絕緣材料，其中可相對容易地收集散射帶電粒子。然而，省去抗反射塗層243將減少光耦合(light incoupling)之效率。詳言之，若待光學地傳輸之資料之量經設計為較大(其可為每偏轉器大約100百萬位元/秒)，則光耦合效率係重要的。高效率實現以高頻率(例如，為高於10 MHz之頻率，較佳地高於100 MHz之頻率，且適合地高於1 GHz之頻率)加以調節之光束的傳輸。

在圖10所示之實施例中，光學透明導電塗層270存在於抗反射塗層之上以充當束保護器。代替束保護器之其他實施例，或除了束保護器之其他實施例以外，亦可使用此塗層270，該等束保護器之其他實施例中之一些實施例將在下文中予以描述。在空腔250內提供導電塗層270可以熟習此項技術者所知之方式進行。舉例而言，吾人可以單一步驟來圖案化抗反射塗層243及導電塗層270。或者，可使用適合印刷程序來提供導電塗層270。導電塗層270可包含選自由氧化銦錫(ITO)及與多元酸組合之導電聚合物(諸如聚3,4-伸乙二氧基噻吩)組成之材料群組的材料。

圖10所示之二極體241典型地為藉由進行適合摻雜以獲得摻雜區241P、241N而形成於支撐基板101中的二極體。典型地，基板101主要含有矽，且二極體241被稱作矽二極體。矽二極體之反應時間對於需要高速操作之一些應用可能過慢。因此，詳言之，對於較高速之應用，較佳地使用Ge二極體。不必將Ge二極體整合於支撐基板101中。取而代之，可藉由在互連結構100之上結合Ge板(例如，藉由使用陽極結合)來形成Ge二極體。藉由在互連結構100之上沈積中間絕緣層(例如，二氧化矽層)，接著進行適合拋光步驟以獲得實質上平坦表面，可執行該結合。該實質上平坦表面則可用於收納Ge板以供結合。在結合Ge板之後，可適合地圖案化該板以在預定部位處獲得二極體(在下文中被稱作Ge二極體)。應注意，以此方式形成之Ge二極體不駐留於空腔250中，圖10中之Si二極體241駐留於空腔250中。因此，起源於Ge二極體之電場實質上不被互連結構100阻擋。對於此等實施例，使用束保護器可為理想的。將參看圖11、圖12及圖13來描述此束保護器之實施例。

如早先所提及，該結構之實施例可具備束保護器，此束保護器可採取實質上平行於射束熄滅裝置陣列9之基板101之板總成的形式。或者，此束保護器可體現為自此板延伸之側壁。將參看圖11至圖13來論述束保護器之不同實施例。

圖11展示圖10所示之結構之另外實施例。在圖11之實施例中，將本體280裝配至互連結構100。利用焊球275以供裝配。焊球275延伸通過通常用於IC製造中之鈍化層265。將本體280適合地用作束保護器，以便阻擋起源於感光元件之電場。圖11中亦展示表示此電場之場線290之例示性定向。

圖12展示具有束保護器300之射束熄滅裝置陣列309的示意性橫截面圖。可將射束熄滅裝置陣列309再分成束區域及非束區域，如圖5中示意性地所展示。本文中之非束區域包含經配置以接收光束317之複數個感光元件340。束區域包括複數個相互鄰近偏轉器330。在本文中藉由虛點線箭頭指示之光束317具有大約90度之入射角。應注意，此情形並非必需的。

圖12所示之束保護器300之實施例包括基板310，基板310具備在其上延伸之側壁320。側壁320在基板310上經定位成鄰近於孔徑335，孔徑335係與射束307之軌跡對準。應注意，儘管圖12中之射束307垂直地通過射束陣列309，但此情形並非必需的。

側壁320適合地係由導電材料製成。在一些實施例中，側壁320圍繞孔徑335以圓周方式進行配置。在一些其他實施例中，側壁320圍繞藉由一或多個感光元件340界定之側向區域以圓周方式進行配置。在此狀況下，可提供側壁320之結構，其包括圍繞感光元件之側向區域延伸之側壁，及圍繞孔徑335延伸之側壁。

圖13展示具有束保護器300之射束熄滅裝置配置309之又一實施例。此實施例之射束熄滅裝置配置309包含第一基板400及第二基板410。在第一基板400上界定偏轉器330。在第二基板410之表面處界定感光元件340。焊球420或其他類型之連接器提供自第一基板400至第二基板之機械連接，及感光元件340與偏轉器330及/或任何中間電路之間的電連接。光束317現自相反方向(例如，行之頂側)到達感光元件340。此外，輻射孔徑435存在於第一基板400中。束保護器300體現為圍繞複數個感光元件340以圓周方式延伸之側壁。

已參考上文所論述之特定實施例而描述本發明。應認識到，此等實施例易受為熟習此項技術者所熟知之各種修改及替代形式，而不脫離本發明之精神及範疇。因而，儘管已描述特定實施例，但此等實施例僅為實例且不限制本發明之範疇，本發明之範疇係界定於隨附申請專利範圍中。

1．．．帶電粒子多射束微影系統

3．．．電子源

4．．．電子束

5．．．準直器透鏡

6．．．孔徑陣列

7．．．電子射束

7a．．．射束

7a+．．．阻擋方向

7a-．．．阻擋方向

7b．．．射束

7b+．．．阻擋方向

7b-．．．阻擋方向

7c．．．射束

7c+．．．阻擋方向

8．．．調節系統

9．．．射束熄滅裝置陣列

10．．．射束擋止器陣列/射束阻擋器陣列

11．．．偏轉器陣列

12．．．投影透鏡配置

13．．．目標表面

14．．．經調節光束

15．．．板

17．．．投影器定位裝置

18．．．微影系統1之電子光學部分

24．．．目標

30．．．靜電調節器/偏轉器

32．．．第一電極

34．．．第二電極

35．．．孔徑

37．．．調節器之第一列

38．．．調節器之第二列

39．．．隔離區

40．．．感光元件

41．．．解多工器

42．．．電連接

51．．．束區域

52．．．非束區域

60．．．控制單元

61．．．資料儲存單元

62．．．讀出單元

63．．．資料轉換器

64．．．光纖

65．．．投影器

80．．．字元線

90．．．位元線

95．．．記憶體元件

100．．．互連結構

101．．．基板

105．．．介電層/熱氧化物層

110．．．導電元件

120．．．介層通道

132．．．第一電極

134．．．第二電極

135．．．孔徑/孔徑區域

136．．．金屬化層次

137．．．介層通道層次

140．．．本體之頂層

145．．．絕緣材料

151．．．第一阻劑層

153．．．絕緣層

155．．．第二阻劑層

157．．．第三阻劑層

160．．．孔

170．．．大孔徑

241．．．二極體

241N．．．二極體之第一區/摻雜區

241P．．．二極體之第二區/摻雜區

242．．．接面

243．．．抗反射塗層

247．．．第一邊界區域

248．．．第二邊界區域

250．．．空腔

260．．．額外導電層/額外互連層

265．．．鈍化層

270．．．光學透明導電塗層

275．．．焊球

280．．．本體

290．．．場線

300．．．束保護器

307．．．射束

309‧‧‧射束熄滅裝置陣列/射束陣列/射束熄滅裝置配置

310‧‧‧基板

317‧‧‧光束

320‧‧‧側壁

330‧‧‧偏轉器

335‧‧‧孔徑

340‧‧‧感光元件

400‧‧‧第一基板

410‧‧‧第二基板

420‧‧‧焊球

435‧‧‧輻射孔徑

O‧‧‧光軸

P‧‧‧共同會聚點

β‧‧‧角度

圖1示意性地展示可用於本發明之實施例中的無遮罩微影系統；

圖2示意性地展示圖1之微影系統中之射束熄滅裝置陣列之實施例的操作；

圖3A及圖3B示意性地展示射束熄滅裝置陣列內之電極之不同配置的俯視圖；

圖4示意性地展示射束熄滅裝置陣列內之電極之另一實施例的俯視圖；

圖5示意性地展示根據本發明之實施例的可用於射束熄滅裝置陣列中之組件之構形配置的俯視圖；

圖6示意性地展示可用於本發明之實施例中的具有字元線及位元線之可定址陣列之構形配置的俯視圖；

圖7示意性地展示根據本發明之一實施例之射束熄滅裝置陣列的橫截面圖；

圖8A至圖8F示意性地展示在製造圖7之射束熄滅裝置陣列之一部分時之步驟的橫截面圖；

圖9A至圖9B示意性地展示在製造圖7之熄滅裝置配置時之另外步驟的橫截面圖；

圖10示意性地展示包括屏蔽之熄滅裝置配置的橫截面圖；

圖11示意性地展示包括屏蔽之另一熄滅裝置配置的橫截面圖；

圖12示意性地展示經裝配有束保護器之熄滅裝置配置之實施例的橫截面圖；及

圖13示意性地展示經裝配有束保護器之熄滅裝置配置之替代實施例的橫截面圖。