JP3145149B2 - 荷電粒子ビーム偏向装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム偏向装置Info
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- JP3145149B2 JP3145149B2 JP26927991A JP26927991A JP3145149B2 JP 3145149 B2 JP3145149 B2 JP 3145149B2 JP 26927991 A JP26927991 A JP 26927991A JP 26927991 A JP26927991 A JP 26927991A JP 3145149 B2 JP3145149 B2 JP 3145149B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ラインビーム等を使用
して一括ショットが行える電子ビーム（ＥＢ）露光装置
等に適用される荷電粒子ビーム偏向装置に係り、特に荷
電粒子ビームをオン・オフするブランキング・アパーチ
ャー・アレイに関する。
して一括ショットが行える電子ビーム（ＥＢ）露光装置
等に適用される荷電粒子ビーム偏向装置に係り、特に荷
電粒子ビームをオン・オフするブランキング・アパーチ
ャー・アレイに関する。
【０００２】近年、半導体集積回路等の製造に用いられ
るＥＢ露光においてはサブミクロン以下のパターン精度
が要求されている。この場合、ビームが可変矩形の露光
装置においては、小さなショットによってパターンを形
成しなければならず、露光時間がかかりすぎるという欠
点があった。そこで露光時間を短縮するために、複数の
ショットをまとめたラインビームの使用が考えられ、各
所で検討されるようになってきた。
るＥＢ露光においてはサブミクロン以下のパターン精度
が要求されている。この場合、ビームが可変矩形の露光
装置においては、小さなショットによってパターンを形
成しなければならず、露光時間がかかりすぎるという欠
点があった。そこで露光時間を短縮するために、複数の
ショットをまとめたラインビームの使用が考えられ、各
所で検討されるようになってきた。
【０００３】
【従来の技術】図９はラインビームを用いた電子ビーム
露光の原理を示す斜視図である。１はブランキング・ア
パーチャー・アレイであり、導電性の基板に、ラインビ
ームを形成するためのアパーチャー２…が１列開けられ
ている。そして、各アパーチャー２を挟むように偏向電
極３とアース電極４が形成されている。
露光の原理を示す斜視図である。１はブランキング・ア
パーチャー・アレイであり、導電性の基板に、ラインビ
ームを形成するためのアパーチャー２…が１列開けられ
ている。そして、各アパーチャー２を挟むように偏向電
極３とアース電極４が形成されている。
【０００４】電子銃５から発生した電子ビームを、レン
ズ６で細長く拡大した後、ブランキング・アパーチャー
・アレイ１を通過させると、矩形のかつライン（列）状
の電子ビームに分割され、縮小レンズ７を通過して、ウ
ェハ８上に照射される。
ズ６で細長く拡大した後、ブランキング・アパーチャー
・アレイ１を通過させると、矩形のかつライン（列）状
の電子ビームに分割され、縮小レンズ７を通過して、ウ
ェハ８上に照射される。
【０００５】図10は図９のラインビーム露光におけるビ
ームスキャン方法を説明する模式平面図と偏向電圧印加
状態を示すタイムチャートである。ウェハ８の上方にブ
ランキング・アパーチャー・アレイ１のアパーチャー２
…の列が位置しており、各アパーチャー２…の両側に偏
向電極３とアース電極４が位置しているが、図において
は、有効ビームスキャン幅Ｗを挟んで偏向電極３が図示
されている。
ームスキャン方法を説明する模式平面図と偏向電圧印加
状態を示すタイムチャートである。ウェハ８の上方にブ
ランキング・アパーチャー・アレイ１のアパーチャー２
…の列が位置しており、各アパーチャー２…の両側に偏
向電極３とアース電極４が位置しているが、図において
は、有効ビームスキャン幅Ｗを挟んで偏向電極３が図示
されている。
【０００６】いま、多数のアパーチャー２…中を電子ビ
ームが通過している状態において、所望のアパーチャー
２…の両側の偏向電極３とアース電極４間に偏向電圧を
印加すると、電子ビームが偏向電極３側に偏向され、ビ
ームスキャンが行われる。
ームが通過している状態において、所望のアパーチャー
２…の両側の偏向電極３とアース電極４間に偏向電圧を
印加すると、電子ビームが偏向電極３側に偏向され、ビ
ームスキャンが行われる。
【０００７】したがって、タイムチャートの(a) に示す
ようなタイミングで、〜番目のの偏向電極３とアー
ス電極４間に偏向電圧を印加すると、それらの電極間の
アパーチャー２を通過した電子ビームが、印加電圧に応
じた位置に偏向される。
ようなタイミングで、〜番目のの偏向電極３とアー
ス電極４間に偏向電圧を印加すると、それらの電極間の
アパーチャー２を通過した電子ビームが、印加電圧に応
じた位置に偏向される。
【０００８】また (b)に示すタイミングで番目の電極
対３、４間に、偏向電圧を印加して電子ビームをスキャ
ンし、 (c)に示すタイミングで番目の電極対３、４
間に偏向電圧を印加してスキャンすると、最終的には、
ウェハ８上のレジストに９で示すような位置に電子ビー
ムがショットされ、露光が行われる。
対３、４間に、偏向電圧を印加して電子ビームをスキャ
ンし、 (c)に示すタイミングで番目の電極対３、４
間に偏向電圧を印加してスキャンすると、最終的には、
ウェハ８上のレジストに９で示すような位置に電子ビー
ムがショットされ、露光が行われる。
【０００９】したがって、ブランキング・アパーチャー
・アレイを通過する各電子ビームを、各アパーチャー２
…ごとに電極対３、４の印加電圧をオン・オフして偏向
制御すると共に、ウェハ８の移動と組み合わせること
で、ウェハ８上に任意のパターンを形成することができ
る。
・アレイを通過する各電子ビームを、各アパーチャー２
…ごとに電極対３、４の印加電圧をオン・オフして偏向
制御すると共に、ウェハ８の移動と組み合わせること
で、ウェハ８上に任意のパターンを形成することができ
る。
【００１０】図11は従来のブランキング・アパーチャー
・アレイの平面図である。アパーチャー２…は、L1、L2
の２列形成されているが、３列以上形成される場合もあ
る。各アパーチャー２…を挟むように偏向電極３とアー
ス電極４が形成され、各アース電極４…は電気的に接続
され、接地されている。
・アレイの平面図である。アパーチャー２…は、L1、L2
の２列形成されているが、３列以上形成される場合もあ
る。各アパーチャー２…を挟むように偏向電極３とアー
ス電極４が形成され、各アース電極４…は電気的に接続
され、接地されている。
【００１１】図９のように、アパーチャー２…が１列し
か無い場合は、隣接するアパーチャー２の間隔分だけ露
光不能な領域が発生することになるが、図11のように隣
接するアパーチャー列L1とL2を２分の１ピッチずらして
アパーチャーを千鳥に配列し、２列のアパーチャー列L
1、L2を用いてスキャンすることで、露光不能な領域が
発生するのを防止できる。
か無い場合は、隣接するアパーチャー２の間隔分だけ露
光不能な領域が発生することになるが、図11のように隣
接するアパーチャー列L1とL2を２分の１ピッチずらして
アパーチャーを千鳥に配列し、２列のアパーチャー列L
1、L2を用いてスキャンすることで、露光不能な領域が
発生するのを防止できる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】前記のように、各アパ
ーチャー２…ごとに独立して通過電子ビームの偏向制御
が行われるが、図11のような構成では、隣接するアパー
チャー２…を通過する電子ビーム間で干渉が発生するこ
とと、ブランキング・アパーチャー・アレイにおけるア
パーチャー２…の占める領域が狭いために、電子ビーム
の有効利用に欠ける、などの問題がある。
ーチャー２…ごとに独立して通過電子ビームの偏向制御
が行われるが、図11のような構成では、隣接するアパー
チャー２…を通過する電子ビーム間で干渉が発生するこ
とと、ブランキング・アパーチャー・アレイにおけるア
パーチャー２…の占める領域が狭いために、電子ビーム
の有効利用に欠ける、などの問題がある。
【００１３】いま、例えば番目のアパーチャー22の電
極３、４間に偏向電圧が印加され、その両側の番目
のアパーチャー21、23の電極３、４間には偏向電圧が印
加されていないものとすると、番目のアパーチャー22
の電極３、４間で発生する電界が、図７のように両側の
オフ状態のアパーチャー21、23側に漏れて、その中を通
過する電子ビームも偏向を受けることになる。このよう
に、隣接するアパーチャーの偏向電極３から進入する漏
れ電界の干渉によって、電子ビームの偏向が正確に行な
えなくなる。
極３、４間に偏向電圧が印加され、その両側の番目
のアパーチャー21、23の電極３、４間には偏向電圧が印
加されていないものとすると、番目のアパーチャー22
の電極３、４間で発生する電界が、図７のように両側の
オフ状態のアパーチャー21、23側に漏れて、その中を通
過する電子ビームも偏向を受けることになる。このよう
に、隣接するアパーチャーの偏向電極３から進入する漏
れ電界の干渉によって、電子ビームの偏向が正確に行な
えなくなる。
【００１４】また、ブランキング・アパーチャー・アレ
イにおいて、アパーチャー２…の存在しない領域に照射
された電子ビームは無駄になるが、図11のように、各ア
パーチャー列L1、L2ごとに、各アパーチャー２…の両側
に偏向電極３とアース電極４が配設された構成では、ブ
ランキング・アパーチャー・アレイにおけるアパーチャ
ー２…の領域が減少するため、電子ビームの有効利用が
損なわれる。その結果、露光領域が狭くなったり、露光
の所要時間が長くなる。
イにおいて、アパーチャー２…の存在しない領域に照射
された電子ビームは無駄になるが、図11のように、各ア
パーチャー列L1、L2ごとに、各アパーチャー２…の両側
に偏向電極３とアース電極４が配設された構成では、ブ
ランキング・アパーチャー・アレイにおけるアパーチャ
ー２…の領域が減少するため、電子ビームの有効利用が
損なわれる。その結果、露光領域が狭くなったり、露光
の所要時間が長くなる。
【００１５】本発明の技術的課題は、このような問題に
着目し、隣接するアパーチャー間において漏れ電界の影
響を受けず、しかもブランキング・アパーチャー・アレ
イにおけるアパーチャーの占有面積の比率を向上可能と
することにある。
着目し、隣接するアパーチャー間において漏れ電界の影
響を受けず、しかもブランキング・アパーチャー・アレ
イにおけるアパーチャーの占有面積の比率を向上可能と
することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】図１は本発明による荷電
粒子ビーム偏向装置の基本原理を説明する平面図であ
る。本発明の荷電粒子ビーム偏向装置も、荷電粒子ビー
ムを通過させるアパーチャー２…の列が形成され、かつ
各アパーチャー２…を通過する荷電粒子ビームを偏向す
る偏向電極３とアース電極４を有している。このような
装置において、請求項１の発明は、アパーチャー列Ｌ内
における隣接するアパーチャー２・２間に、アース電極
４と接続された遮蔽電極10が配設されている。
粒子ビーム偏向装置の基本原理を説明する平面図であ
る。本発明の荷電粒子ビーム偏向装置も、荷電粒子ビー
ムを通過させるアパーチャー２…の列が形成され、かつ
各アパーチャー２…を通過する荷電粒子ビームを偏向す
る偏向電極３とアース電極４を有している。このような
装置において、請求項１の発明は、アパーチャー列Ｌ内
における隣接するアパーチャー２・２間に、アース電極
４と接続された遮蔽電極10が配設されている。
【００１７】ところで、図２に示すように、隣接するア
パーチャー列L1とL2の間に、両側のアパーチャー列L1、
L2で共用するアース電極4cを設けた構成とすれば、二つ
のアパーチャー列L1、L2に対して、アース電極4cは１列
ないし１本配設すれば足りるので、両側のアパーチャー
列L1とL2の間隔が縮小される。その結果、アース電極配
設のための占有スペースを削減して、アパーチャーの占
める面積を広くできる。しかし、それぞれのアパーチャ
ー列L1、L2内においてアパーチャー２の偏向電極３から
の漏れ電界が、隣接するアパーチャー２に進入するのを
防止できず、相互干渉を受けるのを避けることはできな
い。
パーチャー列L1とL2の間に、両側のアパーチャー列L1、
L2で共用するアース電極4cを設けた構成とすれば、二つ
のアパーチャー列L1、L2に対して、アース電極4cは１列
ないし１本配設すれば足りるので、両側のアパーチャー
列L1とL2の間隔が縮小される。その結果、アース電極配
設のための占有スペースを削減して、アパーチャーの占
める面積を広くできる。しかし、それぞれのアパーチャ
ー列L1、L2内においてアパーチャー２の偏向電極３から
の漏れ電界が、隣接するアパーチャー２に進入するのを
防止できず、相互干渉を受けるのを避けることはできな
い。
【００１８】請求項２の発明は、図３に示すように、隣
接するアパーチャー列L1とL2の間に、両側のアパーチャ
ー列L1、L2で共用するアース電極4cを設け、しかもそれ
ぞれのアパーチャー列L1、L2内において隣接するアパー
チャー２・２間に、前記共用アース電極4cに接続された
遮蔽電極10を配設した構成である。
接するアパーチャー列L1とL2の間に、両側のアパーチャ
ー列L1、L2で共用するアース電極4cを設け、しかもそれ
ぞれのアパーチャー列L1、L2内において隣接するアパー
チャー２・２間に、前記共用アース電極4cに接続された
遮蔽電極10を配設した構成である。
【００１９】
【作用】請求項１のように、アパーチャー列Ｌ内におい
て隣接するアパーチャー２・２間に、アース電極４と接
続された遮蔽電極10が配設されていると、隣接するアパ
ーチャー２の偏向電極３からの漏れ電界が、遮蔽電極10
で遮蔽されるため、隣接するアパーチャー２に進入不可
能となる。その結果、隣接するアパーチャー２内を通過
する荷電粒子ビームが偏向を受けることはなく、隣接す
るアパーチャー２…を通過する荷電粒子ビームが相互干
渉を受けることはなくなり、各アパーチャー２…ごとに
独立して正確に荷電粒子ビームを制御可能となる。
て隣接するアパーチャー２・２間に、アース電極４と接
続された遮蔽電極10が配設されていると、隣接するアパ
ーチャー２の偏向電極３からの漏れ電界が、遮蔽電極10
で遮蔽されるため、隣接するアパーチャー２に進入不可
能となる。その結果、隣接するアパーチャー２内を通過
する荷電粒子ビームが偏向を受けることはなく、隣接す
るアパーチャー２…を通過する荷電粒子ビームが相互干
渉を受けることはなくなり、各アパーチャー２…ごとに
独立して正確に荷電粒子ビームを制御可能となる。
【００２０】
【００２１】請求項２のように、隣接するアパーチャー
列L1、L2で共用するアース電極4cを有していると、アー
ス電極の占有スペースを削減して、アパーチャー占有率
を向上でき、しかもそれぞれのアパーチャー列L1、L2内
において隣接するアパーチャー２・２間に、前記共用ア
ース電極4cに接続された遮蔽電極10が配設されているた
め、隣接アパーチャーに漏れ電界が進入するのを防止で
きる。
列L1、L2で共用するアース電極4cを有していると、アー
ス電極の占有スペースを削減して、アパーチャー占有率
を向上でき、しかもそれぞれのアパーチャー列L1、L2内
において隣接するアパーチャー２・２間に、前記共用ア
ース電極4cに接続された遮蔽電極10が配設されているた
め、隣接アパーチャーに漏れ電界が進入するのを防止で
きる。
【００２２】
【実施例】次に本発明による荷電粒子ビーム偏向装置が
実際上どのように具体化されるかを実施例で説明する。
図４は請求項１の発明の実施例を示す平面図である。図
１〜図３においては、アース電極４、4cがブランキング
・アパーチャー・アレイの表面において連続した１本の
電極となっているのに対し、図４では、図11のように独
立した各アース電極４…を、配線パターン11で接続した
構成になっている。
実際上どのように具体化されるかを実施例で説明する。
図４は請求項１の発明の実施例を示す平面図である。図
１〜図３においては、アース電極４、4cがブランキング
・アパーチャー・アレイの表面において連続した１本の
電極となっているのに対し、図４では、図11のように独
立した各アース電極４…を、配線パターン11で接続した
構成になっている。
【００２３】この配線パターン11は、ブランキング・ア
パーチャー・アレイの表面に設けてもよいが、ブランキ
ング・アパーチャー・アレイの内層に設け、スルーホー
ルで各アース電極４…に接続してもよい。なお、各アー
ス電極４と遮蔽電極10との間も、同様に配線パターン11
で接続してもよい。
パーチャー・アレイの表面に設けてもよいが、ブランキ
ング・アパーチャー・アレイの内層に設け、スルーホー
ルで各アース電極４…に接続してもよい。なお、各アー
ス電極４と遮蔽電極10との間も、同様に配線パターン11
で接続してもよい。
【００２４】図５は請求項２の発明の実施例を示す平面
図である。この図のように、共通のアース電極4cを挟ん
だアパーチャー列L1とL2の対を、列方向（Ｘ方向）に対
し直角方向（Ｙ方向）に複数列配設し、それぞれの列を
選択的に使用することで、さらに効率的な荷電粒子ビー
ム露光が可能となる。なお、各電極３…、4cは、破線で
示すようにコンダクターパターン16ｐでブランキング・
アパーチャー・アレイの端子部に引き出される。
図である。この図のように、共通のアース電極4cを挟ん
だアパーチャー列L1とL2の対を、列方向（Ｘ方向）に対
し直角方向（Ｙ方向）に複数列配設し、それぞれの列を
選択的に使用することで、さらに効率的な荷電粒子ビー
ム露光が可能となる。なお、各電極３…、4cは、破線で
示すようにコンダクターパターン16ｐでブランキング・
アパーチャー・アレイの端子部に引き出される。
【００２５】図６は本発明によるブランキング・アパー
チャー・アレイの作製プロセスを工程順に示す断面図で
ある。まず (1)に示すように、導電性のシリコン基板12
の表面に高濃度ボロン拡散層13を形成した後、 (2)のよ
うに基板表面に開口部分14をトレンチエッチングで形成
する。
チャー・アレイの作製プロセスを工程順に示す断面図で
ある。まず (1)に示すように、導電性のシリコン基板12
の表面に高濃度ボロン拡散層13を形成した後、 (2)のよ
うに基板表面に開口部分14をトレンチエッチングで形成
する。
【００２６】次に (3)のように熱酸化を行なって、開口
部14の内壁および基板両面にSiO2膜15を形成し、その上
に(4)のように配線用のコンダクター膜16を成膜した
後、 (5)のようにパターニングを行なってコンダクター
パターン16ｐを形成する。そして、(6) のように、メッ
キ用の厚膜レジストパターン17を形成し、スルーホール
18を有する厚膜レジストパターン17をマスクにして、
(7)のように電極金属をメッキしてメッキ下地19を形成
する。
部14の内壁および基板両面にSiO2膜15を形成し、その上
に(4)のように配線用のコンダクター膜16を成膜した
後、 (5)のようにパターニングを行なってコンダクター
パターン16ｐを形成する。そして、(6) のように、メッ
キ用の厚膜レジストパターン17を形成し、スルーホール
18を有する厚膜レジストパターン17をマスクにして、
(7)のように電極金属をメッキしてメッキ下地19を形成
する。
【００２７】次いで (8)のように、工程(3) で形成した
基板裏面のSiO2膜15をパターニングした後、該SiO2膜パ
ターン15ｐをマスクにして、 (9)のように裏面からシリ
コン基板12をエチレンジアミン、ピロカテコール水溶液
等でエッチングすると、高濃度ボロン拡散層13でエッチ
ングが止まり、開口14の底が現れる。
基板裏面のSiO2膜15をパターニングした後、該SiO2膜パ
ターン15ｐをマスクにして、 (9)のように裏面からシリ
コン基板12をエチレンジアミン、ピロカテコール水溶液
等でエッチングすると、高濃度ボロン拡散層13でエッチ
ングが止まり、開口14の底が現れる。
【００２８】次に、基板表面側に、開口20を有するレジ
スト21を形成した後、(10)のようにメッキを行なってか
ら、(11)のようにレジスト21を除去するとともに、メッ
キ下地19を除去する。最後に、(12)のように、フッ酸で
開口14の酸化膜15を除去すると、完成する。このよう
に、メッキで偏向電極３や共用アース電極4c、前記遮蔽
電極10を形成することにより、30μｍ以上の高さの電極
を容易に形成することができる。
スト21を形成した後、(10)のようにメッキを行なってか
ら、(11)のようにレジスト21を除去するとともに、メッ
キ下地19を除去する。最後に、(12)のように、フッ酸で
開口14の酸化膜15を除去すると、完成する。このよう
に、メッキで偏向電極３や共用アース電極4c、前記遮蔽
電極10を形成することにより、30μｍ以上の高さの電極
を容易に形成することができる。
【００２９】(12)に示すように、このブランキング・ア
パーチャー・アレイにおいて、アース電極4cと偏向電極
３間に電圧を印加してない状態(off) では、荷電粒子ビ
ームは直進するのに対し、電圧を印加すると(on)荷電粒
子ビームが偏向される。
パーチャー・アレイにおいて、アース電極4cと偏向電極
３間に電圧を印加してない状態(off) では、荷電粒子ビ
ームは直進するのに対し、電圧を印加すると(on)荷電粒
子ビームが偏向される。
【００３０】なお、このブランキング・アパーチャー・
アレイは、電極３、4c側に荷電粒子ビームが照射される
と、電極３、4cが損傷する恐れがあるため、電極３、4c
側がウェハと対向するように配置して使用する。したが
って、図１〜図５のブランキング・アパーチャー・アレ
イも、各電極３、４、4c、10がウェハ側に向くように配
置して使用するのがよい。
アレイは、電極３、4c側に荷電粒子ビームが照射される
と、電極３、4cが損傷する恐れがあるため、電極３、4c
側がウェハと対向するように配置して使用する。したが
って、図１〜図５のブランキング・アパーチャー・アレ
イも、各電極３、４、4c、10がウェハ側に向くように配
置して使用するのがよい。
【００３１】図７、図８に、隣接するアパーチャー間に
おける遮蔽電極10の有無による漏れ電界の違いを計算機
シミュレーションした例を示す。図７は、図11のように
遮蔽電極の無い従来のブランキング・アパーチャー・ア
レイの場合であり、中央のアパーチャー22の電極３・４
間に偏向電圧を印加したとき、隣接するアパーチャー2
1、23への漏れ電界は、約１％程度存在した。
おける遮蔽電極10の有無による漏れ電界の違いを計算機
シミュレーションした例を示す。図７は、図11のように
遮蔽電極の無い従来のブランキング・アパーチャー・ア
レイの場合であり、中央のアパーチャー22の電極３・４
間に偏向電圧を印加したとき、隣接するアパーチャー2
1、23への漏れ電界は、約１％程度存在した。
【００３２】これに対し図８は、図１における遮蔽電極
10、偏向電極３、アース電極４を図６の方法で作製した
ブランキング・アパーチャー・アレイの場合であり、両
側のアパーチャー21、23への漏れ電界は0.01％以下にな
っていることがわかる。このように、隣接するアパーチ
ャー間に遮蔽用の電極10を設けることは、漏れ電界を低
減させるうえで非常に有効である。
10、偏向電極３、アース電極４を図６の方法で作製した
ブランキング・アパーチャー・アレイの場合であり、両
側のアパーチャー21、23への漏れ電界は0.01％以下にな
っていることがわかる。このように、隣接するアパーチ
ャー間に遮蔽用の電極10を設けることは、漏れ電界を低
減させるうえで非常に有効である。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、ブランキング・アパーチャー・アレイのアパーチャ
ー列Ｌ内において隣接するアパーチャー２・２間に、ア
ース電極４と接続された遮蔽電極10を配設することで、
隣接するアパーチャーの偏向電極３からの漏れ電界が、
遮蔽電極10で遮蔽されるため、各アパーチャーごとに独
立して正確なビーム制御が可能となる。
ば、ブランキング・アパーチャー・アレイのアパーチャ
ー列Ｌ内において隣接するアパーチャー２・２間に、ア
ース電極４と接続された遮蔽電極10を配設することで、
隣接するアパーチャーの偏向電極３からの漏れ電界が、
遮蔽電極10で遮蔽されるため、各アパーチャーごとに独
立して正確なビーム制御が可能となる。
【００３４】
【００３５】請求項２のように、請求項１の発明と請求
項２の発明を併用し、隣接するアパーチャー列L1、L2で
共用するアース電極4cを設け、しかも各アパーチャー列
において隣接するアパーチャー間に、共用アース電極4c
に接続された遮蔽電極10を配設することで、アパーチャ
ーの占有面積が広くなり、しかも隣接アパーチャーに漏
れ電界が進入するのを防止できる。
項２の発明を併用し、隣接するアパーチャー列L1、L2で
共用するアース電極4cを設け、しかも各アパーチャー列
において隣接するアパーチャー間に、共用アース電極4c
に接続された遮蔽電極10を配設することで、アパーチャ
ーの占有面積が広くなり、しかも隣接アパーチャーに漏
れ電界が進入するのを防止できる。
【図１】本発明による荷電粒子ビーム偏向装置の基本原
理を説明する平面図である。
理を説明する平面図である。
【図２】本発明による荷電粒子ビーム偏向装置の基本原
理を説明する平面図である。
理を説明する平面図である。
【図３】請求項２の発明を示す平面図である。
【図４】請求項１の発明の実施例を示す平面図である。
【図５】請求項２の発明の実施例を示す平面図である。
【図６】本発明によるブランキング・アパーチャー・ア
レイの作製プロセスを工程順に示す断面図である。
レイの作製プロセスを工程順に示す断面図である。
【図７】遮蔽電極の無い従来のブランキング・アパーチ
ャー・アレイの漏れ電界状態を計算機シミュレーション
した図である。
ャー・アレイの漏れ電界状態を計算機シミュレーション
した図である。
【図８】遮蔽電極を有する本発明によるブランキング・
アパーチャー・アレイの漏れ電界状態を計算機シミュレ
ーションした図である。
アパーチャー・アレイの漏れ電界状態を計算機シミュレ
ーションした図である。
【図９】ラインビームを用いた電子ビーム露光の原理を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図10】ラインビーム露光におけるビームスキャン方法
を説明する模式平面図と電圧印加状態を示すタイムチャ
ートである。
を説明する模式平面図と電圧印加状態を示すタイムチャ
ートである。
【図11】従来のブランキング・アパーチャー・アレイの
平面図である。
平面図である。
１ ブランキング・アパーチャー・アレイ 2,21〜23 アパーチャー ３ 偏向電極 ４ アース電極 4c 共用アース電極 L,L1,L2 アパーチャー列 ５ 電子銃 ８ ウェハ ９ 電子ビームのショット 10 遮蔽電極 11 配線パターン 12 Si基板
Claims (2)
- 【請求項１】 荷電粒子ビームを通過させるアパーチャ
ーの列が形成され、かつ各アパーチャーを通過する荷電
粒子ビームを偏向する偏向電極とアース電極を有する荷
電粒子ビーム偏向装置において、 アパーチャー列内における隣接するアパーチャー間に、
アース電極に接続された遮蔽電極を配設したことを特徴
とする荷電粒子ビーム偏向装置。 - 【請求項２】 荷電粒子ビームを通過させるアパーチャ
ーの列が形成され、かつ各アパーチャーを通過する荷電
粒子ビームを偏向する偏向電極とアース電極を有する荷
電粒子ビーム偏向装置において、 隣接するアパーチャー列の間に、両側のアパーチャー列
で共用するアース電極を設け、 それぞれのアパーチャー列において隣接するアパーチャ
ー間に、前記共用アース電極に接続された遮蔽電極を配
設した ことを特徴とする荷電粒子ビーム偏向装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26927991A JP3145149B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 荷電粒子ビーム偏向装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26927991A JP3145149B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 荷電粒子ビーム偏向装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109608A JPH05109608A (ja) | 1993-04-30 |
| JP3145149B2 true JP3145149B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=17470144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26927991A Expired - Fee Related JP3145149B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 荷電粒子ビーム偏向装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3145149B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101773775B1 (ko) * | 2016-12-29 | 2017-09-04 | (주)지금강이엔지 | 배토기용 로터리 부재 및 이를 포함하는 배토기 |
| US11355302B2 (en) | 2020-03-18 | 2022-06-07 | Nuflare Technology, Inc. | Multi-beam blanking device and multi-charged-particle-beam writing apparatus |
| JP7168430B2 (ja) | 2018-12-04 | 2022-11-09 | 株式会社アイシン福井 | レーザ溶接装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2494579B1 (en) * | 2009-10-26 | 2017-08-02 | Mapper Lithography IP B.V. | Charged particle multi-beamlet lithography system, modulation device, and method of manufacturing thereof |
| JP2016207925A (ja) | 2015-04-27 | 2016-12-08 | 株式会社アドバンテスト | 素子、製造方法、および露光装置 |
| JP6709109B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2020-06-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム照射装置 |
-
1991
- 1991-10-17 JP JP26927991A patent/JP3145149B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101773775B1 (ko) * | 2016-12-29 | 2017-09-04 | (주)지금강이엔지 | 배토기용 로터리 부재 및 이를 포함하는 배토기 |
| JP7168430B2 (ja) | 2018-12-04 | 2022-11-09 | 株式会社アイシン福井 | レーザ溶接装置 |
| US11355302B2 (en) | 2020-03-18 | 2022-06-07 | Nuflare Technology, Inc. | Multi-beam blanking device and multi-charged-particle-beam writing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05109608A (ja) | 1993-04-30 |
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