JPH05109608A - 荷電粒子ビーム偏向装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム偏向装置Info
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- JPH05109608A JPH05109608A JP26927991A JP26927991A JPH05109608A JP H05109608 A JPH05109608 A JP H05109608A JP 26927991 A JP26927991 A JP 26927991A JP 26927991 A JP26927991 A JP 26927991A JP H05109608 A JPH05109608 A JP H05109608A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ラインビームを使用して一括ショットが行える
電子ビーム露光装置等に適用される荷電粒子ビーム偏向
装置のブランキング・アパーチャー・アレイに関し、隣
接するアパーチャー間において漏れ電界の影響を受け
ず、しかもブランキング・アパーチャー・アレイにおけ
るアパーチャーの占有面積の比率を向上可能とすること
を目的とする。 【構成】荷電粒子ビームを通過させるアパーチャー2…
の列Lが形成され、かつ各アパーチャー2…を通過する
荷電粒子ビームを偏向する偏向電極3とアース電極4を
有する荷電粒子ビーム偏向装置において、アパーチャー
列L内における隣接するアパーチャー2・2間に、アー
ス電極4に接続された遮蔽電極10を配設した構成とす
る。
電子ビーム露光装置等に適用される荷電粒子ビーム偏向
装置のブランキング・アパーチャー・アレイに関し、隣
接するアパーチャー間において漏れ電界の影響を受け
ず、しかもブランキング・アパーチャー・アレイにおけ
るアパーチャーの占有面積の比率を向上可能とすること
を目的とする。 【構成】荷電粒子ビームを通過させるアパーチャー2…
の列Lが形成され、かつ各アパーチャー2…を通過する
荷電粒子ビームを偏向する偏向電極3とアース電極4を
有する荷電粒子ビーム偏向装置において、アパーチャー
列L内における隣接するアパーチャー2・2間に、アー
ス電極4に接続された遮蔽電極10を配設した構成とす
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ラインビーム等を使用
して一括ショットが行える電子ビーム(EB)露光装置
等に適用される荷電粒子ビーム偏向装置に係り、特に荷
電粒子ビームをオン・オフするブランキング・アパーチ
ャー・アレイに関する。
して一括ショットが行える電子ビーム(EB)露光装置
等に適用される荷電粒子ビーム偏向装置に係り、特に荷
電粒子ビームをオン・オフするブランキング・アパーチ
ャー・アレイに関する。
【0002】近年、半導体集積回路等の製造に用いられ
るEB露光においてはサブミクロン以下のパターン精度
が要求されている。この場合、ビームが可変矩形の露光
装置においては、小さなショットによってパターンを形
成しなければならず、露光時間がかかりすぎるという欠
点があった。そこで露光時間を短縮するために、複数の
ショットをまとめたラインビームの使用が考えられ、各
所で検討されるようになってきた。
るEB露光においてはサブミクロン以下のパターン精度
が要求されている。この場合、ビームが可変矩形の露光
装置においては、小さなショットによってパターンを形
成しなければならず、露光時間がかかりすぎるという欠
点があった。そこで露光時間を短縮するために、複数の
ショットをまとめたラインビームの使用が考えられ、各
所で検討されるようになってきた。
【0003】
【従来の技術】図9はラインビームを用いた電子ビーム
露光の原理を示す斜視図である。1はブランキング・ア
パーチャー・アレイであり、導電性の基板に、ラインビ
ームを形成するためのアパーチャー2…が1列開けられ
ている。そして、各アパーチャー2を挟むように偏向電
極3とアース電極4が形成されている。
露光の原理を示す斜視図である。1はブランキング・ア
パーチャー・アレイであり、導電性の基板に、ラインビ
ームを形成するためのアパーチャー2…が1列開けられ
ている。そして、各アパーチャー2を挟むように偏向電
極3とアース電極4が形成されている。
【0004】電子銃5から発生した電子ビームを、レン
ズ6で細長く拡大した後、ブランキング・アパーチャー
・アレイ1を通過させると、矩形のかつライン(列)状
の電子ビームに分割され、縮小レンズ7を通過して、ウ
ェハ8上に照射される。
ズ6で細長く拡大した後、ブランキング・アパーチャー
・アレイ1を通過させると、矩形のかつライン(列)状
の電子ビームに分割され、縮小レンズ7を通過して、ウ
ェハ8上に照射される。
【0005】図10は図9のラインビーム露光におけるビ
ームスキャン方法を説明する模式平面図と偏向電圧印加
状態を示すタイムチャートである。ウェハ8の上方にブ
ランキング・アパーチャー・アレイ1のアパーチャー2
…の列が位置しており、各アパーチャー2…の両側に偏
向電極3とアース電極4が位置しているが、図において
は、有効ビームスキャン幅Wを挟んで偏向電極3が図示
されている。
ームスキャン方法を説明する模式平面図と偏向電圧印加
状態を示すタイムチャートである。ウェハ8の上方にブ
ランキング・アパーチャー・アレイ1のアパーチャー2
…の列が位置しており、各アパーチャー2…の両側に偏
向電極3とアース電極4が位置しているが、図において
は、有効ビームスキャン幅Wを挟んで偏向電極3が図示
されている。
【0006】いま、多数のアパーチャー2…中を電子ビ
ームが通過している状態において、所望のアパーチャー
2…の両側の偏向電極3とアース電極4間に偏向電圧を
印加すると、電子ビームが偏向電極3側に偏向され、ビ
ームスキャンが行われる。
ームが通過している状態において、所望のアパーチャー
2…の両側の偏向電極3とアース電極4間に偏向電圧を
印加すると、電子ビームが偏向電極3側に偏向され、ビ
ームスキャンが行われる。
【0007】したがって、タイムチャートの(a) に示す
ようなタイミングで、〜番目のの偏向電極3とアー
ス電極4間に偏向電圧を印加すると、それらの電極間の
アパーチャー2を通過した電子ビームが、印加電圧に応
じた位置に偏向される。
ようなタイミングで、〜番目のの偏向電極3とアー
ス電極4間に偏向電圧を印加すると、それらの電極間の
アパーチャー2を通過した電子ビームが、印加電圧に応
じた位置に偏向される。
【0008】また (b)に示すタイミングで番目の電極
対3、4間に、偏向電圧を印加して電子ビームをスキャ
ンし、 (c)に示すタイミングで番目の電極対3、4
間に偏向電圧を印加してスキャンすると、最終的には、
ウェハ8上のレジストに9で示すような位置に電子ビー
ムがショットされ、露光が行われる。
対3、4間に、偏向電圧を印加して電子ビームをスキャ
ンし、 (c)に示すタイミングで番目の電極対3、4
間に偏向電圧を印加してスキャンすると、最終的には、
ウェハ8上のレジストに9で示すような位置に電子ビー
ムがショットされ、露光が行われる。
【0009】したがって、ブランキング・アパーチャー
・アレイを通過する各電子ビームを、各アパーチャー2
…ごとに電極対3、4の印加電圧をオン・オフして偏向
制御すると共に、ウェハ8の移動と組み合わせること
で、ウェハ8上に任意のパターンを形成することができ
る。
・アレイを通過する各電子ビームを、各アパーチャー2
…ごとに電極対3、4の印加電圧をオン・オフして偏向
制御すると共に、ウェハ8の移動と組み合わせること
で、ウェハ8上に任意のパターンを形成することができ
る。
【0010】図11は従来のブランキング・アパーチャー
・アレイの平面図である。アパーチャー2…は、L1、L2
の2列形成されているが、3列以上形成される場合もあ
る。各アパーチャー2…を挟むように偏向電極3とアー
ス電極4が形成され、各アース電極4…は電気的に接続
され、接地されている。
・アレイの平面図である。アパーチャー2…は、L1、L2
の2列形成されているが、3列以上形成される場合もあ
る。各アパーチャー2…を挟むように偏向電極3とアー
ス電極4が形成され、各アース電極4…は電気的に接続
され、接地されている。
【0011】図9のように、アパーチャー2…が1列し
か無い場合は、隣接するアパーチャー2の間隔分だけ露
光不能な領域が発生することになるが、図11のように隣
接するアパーチャー列L1とL2を2分の1ピッチずらして
アパーチャーを千鳥に配列し、2列のアパーチャー列L
1、L2を用いてスキャンすることで、露光不能な領域が
発生するのを防止できる。
か無い場合は、隣接するアパーチャー2の間隔分だけ露
光不能な領域が発生することになるが、図11のように隣
接するアパーチャー列L1とL2を2分の1ピッチずらして
アパーチャーを千鳥に配列し、2列のアパーチャー列L
1、L2を用いてスキャンすることで、露光不能な領域が
発生するのを防止できる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】前記のように、各アパ
ーチャー2…ごとに独立して通過電子ビームの偏向制御
が行われるが、図11のような構成では、隣接するアパー
チャー2…を通過する電子ビーム間で干渉が発生するこ
とと、ブランキング・アパーチャー・アレイにおけるア
パーチャー2…の占める領域が狭いために、電子ビーム
の有効利用に欠ける、などの問題がある。
ーチャー2…ごとに独立して通過電子ビームの偏向制御
が行われるが、図11のような構成では、隣接するアパー
チャー2…を通過する電子ビーム間で干渉が発生するこ
とと、ブランキング・アパーチャー・アレイにおけるア
パーチャー2…の占める領域が狭いために、電子ビーム
の有効利用に欠ける、などの問題がある。
【0013】いま、例えば番目のアパーチャー22の電
極3、4間に偏向電圧が印加され、その両側の番目
のアパーチャー21、23の電極3、4間には偏向電圧が印
加されていないものとすると、番目のアパーチャー22
の電極3、4間で発生する電界が、図7のように両側の
オフ状態のアパーチャー21、23側に漏れて、その中を通
過する電子ビームも偏向を受けることになる。このよう
に、隣接するアパーチャーの偏向電極3から進入する漏
れ電界の干渉によって、電子ビームの偏向が正確に行な
えなくなる。
極3、4間に偏向電圧が印加され、その両側の番目
のアパーチャー21、23の電極3、4間には偏向電圧が印
加されていないものとすると、番目のアパーチャー22
の電極3、4間で発生する電界が、図7のように両側の
オフ状態のアパーチャー21、23側に漏れて、その中を通
過する電子ビームも偏向を受けることになる。このよう
に、隣接するアパーチャーの偏向電極3から進入する漏
れ電界の干渉によって、電子ビームの偏向が正確に行な
えなくなる。
【0014】また、ブランキング・アパーチャー・アレ
イにおいて、アパーチャー2…の存在しない領域に照射
された電子ビームは無駄になるが、図11のように、各ア
パーチャー列L1、L2ごとに、各アパーチャー2…の両側
に偏向電極3とアース電極4が配設された構成では、ブ
ランキング・アパーチャー・アレイにおけるアパーチャ
ー2…の領域が減少するため、電子ビームの有効利用が
損なわれる。その結果、露光領域が狭くなったり、露光
の所要時間が長くなる。
イにおいて、アパーチャー2…の存在しない領域に照射
された電子ビームは無駄になるが、図11のように、各ア
パーチャー列L1、L2ごとに、各アパーチャー2…の両側
に偏向電極3とアース電極4が配設された構成では、ブ
ランキング・アパーチャー・アレイにおけるアパーチャ
ー2…の領域が減少するため、電子ビームの有効利用が
損なわれる。その結果、露光領域が狭くなったり、露光
の所要時間が長くなる。
【0015】本発明の技術的課題は、このような問題に
着目し、隣接するアパーチャー間において漏れ電界の影
響を受けず、しかもブランキング・アパーチャー・アレ
イにおけるアパーチャーの占有面積の比率を向上可能と
することにある。
着目し、隣接するアパーチャー間において漏れ電界の影
響を受けず、しかもブランキング・アパーチャー・アレ
イにおけるアパーチャーの占有面積の比率を向上可能と
することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】図1は本発明による荷電
粒子ビーム偏向装置の基本原理を説明する平面図であ
る。本発明の荷電粒子ビーム偏向装置も、荷電粒子ビー
ムを通過させるアパーチャー2…の列が形成され、かつ
各アパーチャー2…を通過する荷電粒子ビームを偏向す
る偏向電極3とアース電極4を有している。このような
装置において、請求項1の発明は、アパーチャー列L内
における隣接するアパーチャー2・2間に、アース電極
4と接続された遮蔽電極10が配設されている。
粒子ビーム偏向装置の基本原理を説明する平面図であ
る。本発明の荷電粒子ビーム偏向装置も、荷電粒子ビー
ムを通過させるアパーチャー2…の列が形成され、かつ
各アパーチャー2…を通過する荷電粒子ビームを偏向す
る偏向電極3とアース電極4を有している。このような
装置において、請求項1の発明は、アパーチャー列L内
における隣接するアパーチャー2・2間に、アース電極
4と接続された遮蔽電極10が配設されている。
【0017】請求項2の発明は、図2に示すように、隣
接するアパーチャー列L1とL2の間に、両側のアパーチャ
ー列L1、L2で共用するアース電極4cを設けた構成であ
る。
接するアパーチャー列L1とL2の間に、両側のアパーチャ
ー列L1、L2で共用するアース電極4cを設けた構成であ
る。
【0018】請求項3の発明は、図3に示すように、隣
接するアパーチャー列L1とL2の間に、両側のアパーチャ
ー列L1、L2で共用するアース電極4cを設け、しかもそれ
ぞれのアパーチャー列L1、L2内において隣接するアパー
チャー2・2間に、前記共用アース電極4cに接続された
遮蔽電極10を配設した構成である。
接するアパーチャー列L1とL2の間に、両側のアパーチャ
ー列L1、L2で共用するアース電極4cを設け、しかもそれ
ぞれのアパーチャー列L1、L2内において隣接するアパー
チャー2・2間に、前記共用アース電極4cに接続された
遮蔽電極10を配設した構成である。
【0019】
【作用】請求項1のように、アパーチャー列L内におい
て隣接するアパーチャー2・2間に、アース電極4と接
続された遮蔽電極10が配設されていると、隣接するアパ
ーチャー2の偏向電極3からの漏れ電界が、遮蔽電極10
で遮蔽されるため、隣接するアパーチャー2に進入不可
能となる。その結果、隣接するアパーチャー2内を通過
する荷電粒子ビームが偏向を受けることはなく、隣接す
るアパーチャー2…を通過する荷電粒子ビームが相互干
渉を受けることはなくなり、各アパーチャー2…ごとに
独立して正確に荷電粒子ビームを制御可能となる。
て隣接するアパーチャー2・2間に、アース電極4と接
続された遮蔽電極10が配設されていると、隣接するアパ
ーチャー2の偏向電極3からの漏れ電界が、遮蔽電極10
で遮蔽されるため、隣接するアパーチャー2に進入不可
能となる。その結果、隣接するアパーチャー2内を通過
する荷電粒子ビームが偏向を受けることはなく、隣接す
るアパーチャー2…を通過する荷電粒子ビームが相互干
渉を受けることはなくなり、各アパーチャー2…ごとに
独立して正確に荷電粒子ビームを制御可能となる。
【0020】また請求項2のように、隣接するアパーチ
ャー列L1とL2の間に、両側のアパーチャー列L1、L2で共
用するアース電極4cを設けた構成では、二つのアパーチ
ャー列L1、L2に対して、アース電極4cは1列ないし1本
配設すれば足りるので、両側のアパーチャー列L1とL2の
間隔が縮小される。その結果、アース電極配設のための
占有スペースを削減して、アパーチャーの占める面積を
広くできる。
ャー列L1とL2の間に、両側のアパーチャー列L1、L2で共
用するアース電極4cを設けた構成では、二つのアパーチ
ャー列L1、L2に対して、アース電極4cは1列ないし1本
配設すれば足りるので、両側のアパーチャー列L1とL2の
間隔が縮小される。その結果、アース電極配設のための
占有スペースを削減して、アパーチャーの占める面積を
広くできる。
【0021】請求項3のように、隣接するアパーチャー
列L1、L2で共用するアース電極4cを有していると、アー
ス電極の占有スペースを削減して、アパーチャー占有率
を向上でき、しかもそれぞれのアパーチャー列L1、L2内
において隣接するアパーチャー2・2間に、前記共用ア
ース電極4cに接続された遮蔽電極10が配設されているた
め、隣接アパーチャーに漏れ電界が進入するのを防止で
き、請求項1と請求項2の発明の両方の作用が得られ
る。
列L1、L2で共用するアース電極4cを有していると、アー
ス電極の占有スペースを削減して、アパーチャー占有率
を向上でき、しかもそれぞれのアパーチャー列L1、L2内
において隣接するアパーチャー2・2間に、前記共用ア
ース電極4cに接続された遮蔽電極10が配設されているた
め、隣接アパーチャーに漏れ電界が進入するのを防止で
き、請求項1と請求項2の発明の両方の作用が得られ
る。
【0022】
【実施例】次に本発明による荷電粒子ビーム偏向装置が
実際上どのように具体化されるかを実施例で説明する。
図4は請求項1の発明の実施例を示す平面図である。図
1〜図3においては、アース電極4、4cがブランキング
・アパーチャー・アレイの表面において連続した1本の
電極となっているのに対し、図4では、図11のように独
立した各アース電極4…を、配線パターン11で接続した
構成になっている。
実際上どのように具体化されるかを実施例で説明する。
図4は請求項1の発明の実施例を示す平面図である。図
1〜図3においては、アース電極4、4cがブランキング
・アパーチャー・アレイの表面において連続した1本の
電極となっているのに対し、図4では、図11のように独
立した各アース電極4…を、配線パターン11で接続した
構成になっている。
【0023】この配線パターン11は、ブランキング・ア
パーチャー・アレイの表面に設けてもよいが、ブランキ
ング・アパーチャー・アレイの内層に設け、スルーホー
ルで各アース電極4…に接続してもよい。なお、各アー
ス電極4と遮蔽電極10との間も、同様に配線パターン11
で接続してもよい。
パーチャー・アレイの表面に設けてもよいが、ブランキ
ング・アパーチャー・アレイの内層に設け、スルーホー
ルで各アース電極4…に接続してもよい。なお、各アー
ス電極4と遮蔽電極10との間も、同様に配線パターン11
で接続してもよい。
【0024】図5は請求項3の発明の実施例を示す平面
図である。この図のように、共通のアース電極4cを挟ん
だアパーチャー列L1とL2の対を、列方向(X方向)に対
し直角方向(Y方向)に複数列配設し、それぞれの列を
選択的に使用することで、さらに効率的な荷電粒子ビー
ム露光が可能となる。なお、各電極3…、4cは、破線で
示すようにコンダクターパターン16pでブランキング・
アパーチャー・アレイの端子部に引き出される。
図である。この図のように、共通のアース電極4cを挟ん
だアパーチャー列L1とL2の対を、列方向(X方向)に対
し直角方向(Y方向)に複数列配設し、それぞれの列を
選択的に使用することで、さらに効率的な荷電粒子ビー
ム露光が可能となる。なお、各電極3…、4cは、破線で
示すようにコンダクターパターン16pでブランキング・
アパーチャー・アレイの端子部に引き出される。
【0025】図6は本発明によるブランキング・アパー
チャー・アレイの作製プロセスを工程順に示す断面図で
ある。まず (1)に示すように、導電性のシリコン基板12
の表面に高濃度ボロン拡散層13を形成した後、 (2)のよ
うに基板表面に開口部分14をトレンチエッチングで形成
する。
チャー・アレイの作製プロセスを工程順に示す断面図で
ある。まず (1)に示すように、導電性のシリコン基板12
の表面に高濃度ボロン拡散層13を形成した後、 (2)のよ
うに基板表面に開口部分14をトレンチエッチングで形成
する。
【0026】次に (3)のように熱酸化を行なって、開口
部14の内壁および基板両面にSiO2膜15を形成し、その上
に(4)のように配線用のコンダクター膜16を成膜した
後、 (5)のようにパターニングを行なってコンダクター
パターン16pを形成する。そして、(6) のように、メッ
キ用の厚膜レジストパターン17を形成し、スルーホール
18を有する厚膜レジストパターン17をマスクにして、
(7)のように電極金属をメッキしてメッキ下地19を形成
する。
部14の内壁および基板両面にSiO2膜15を形成し、その上
に(4)のように配線用のコンダクター膜16を成膜した
後、 (5)のようにパターニングを行なってコンダクター
パターン16pを形成する。そして、(6) のように、メッ
キ用の厚膜レジストパターン17を形成し、スルーホール
18を有する厚膜レジストパターン17をマスクにして、
(7)のように電極金属をメッキしてメッキ下地19を形成
する。
【0027】次いで (8)のように、工程(3) で形成した
基板裏面のSiO2膜15をパターニングした後、該SiO2膜パ
ターン15pをマスクにして、 (9)のように裏面からシリ
コン基板12をエチレンジアミン、ピロカテコール水溶液
等でエッチングすると、高濃度ボロン拡散層13でエッチ
ングが止まり、開口14の底が現れる。
基板裏面のSiO2膜15をパターニングした後、該SiO2膜パ
ターン15pをマスクにして、 (9)のように裏面からシリ
コン基板12をエチレンジアミン、ピロカテコール水溶液
等でエッチングすると、高濃度ボロン拡散層13でエッチ
ングが止まり、開口14の底が現れる。
【0028】次に、基板表面側に、開口20を有するレジ
スト21を形成した後、(10)のようにメッキを行なってか
ら、(11)のようにレジスト21を除去するとともに、メッ
キ下地19を除去する。最後に、(12)のように、フッ酸で
開口14の酸化膜15を除去すると、完成する。このよう
に、メッキで偏向電極3や共用アース電極4c、前記遮蔽
電極10を形成することにより、30μm以上の高さの電極
を容易に形成することができる。
スト21を形成した後、(10)のようにメッキを行なってか
ら、(11)のようにレジスト21を除去するとともに、メッ
キ下地19を除去する。最後に、(12)のように、フッ酸で
開口14の酸化膜15を除去すると、完成する。このよう
に、メッキで偏向電極3や共用アース電極4c、前記遮蔽
電極10を形成することにより、30μm以上の高さの電極
を容易に形成することができる。
【0029】(12)に示すように、このブランキング・ア
パーチャー・アレイにおいて、アース電極4cと偏向電極
3間に電圧を印加してない状態(off) では、荷電粒子ビ
ームは直進するのに対し、電圧を印加すると(on)荷電粒
子ビームが偏向される。
パーチャー・アレイにおいて、アース電極4cと偏向電極
3間に電圧を印加してない状態(off) では、荷電粒子ビ
ームは直進するのに対し、電圧を印加すると(on)荷電粒
子ビームが偏向される。
【0030】なお、このブランキング・アパーチャー・
アレイは、電極3、4c側に荷電粒子ビームが照射される
と、電極3、4cが損傷する恐れがあるため、電極3、4c
側がウェハと対向するように配置して使用する。したが
って、図1〜図5のブランキング・アパーチャー・アレ
イも、各電極3、4、4c、10がウェハ側に向くように配
置して使用するのがよい。
アレイは、電極3、4c側に荷電粒子ビームが照射される
と、電極3、4cが損傷する恐れがあるため、電極3、4c
側がウェハと対向するように配置して使用する。したが
って、図1〜図5のブランキング・アパーチャー・アレ
イも、各電極3、4、4c、10がウェハ側に向くように配
置して使用するのがよい。
【0031】図7、図8に、隣接するアパーチャー間に
おける遮蔽電極10の有無による漏れ電界の違いを計算機
シミュレーションした例を示す。図7は、図11のように
遮蔽電極の無い従来のブランキング・アパーチャー・ア
レイの場合であり、中央のアパーチャー22の電極3・4
間に偏向電圧を印加したとき、隣接するアパーチャー2
1、23への漏れ電界は、約1%程度存在した。
おける遮蔽電極10の有無による漏れ電界の違いを計算機
シミュレーションした例を示す。図7は、図11のように
遮蔽電極の無い従来のブランキング・アパーチャー・ア
レイの場合であり、中央のアパーチャー22の電極3・4
間に偏向電圧を印加したとき、隣接するアパーチャー2
1、23への漏れ電界は、約1%程度存在した。
【0032】これに対し図8は、図1における遮蔽電極
10、偏向電極3、アース電極4を図6の方法で作製した
ブランキング・アパーチャー・アレイの場合であり、両
側のアパーチャー21、23への漏れ電界は0.01%以下にな
っていることがわかる。このように、隣接するアパーチ
ャー間に遮蔽用の電極10を設けることは、漏れ電界を低
減させるうえで非常に有効である。
10、偏向電極3、アース電極4を図6の方法で作製した
ブランキング・アパーチャー・アレイの場合であり、両
側のアパーチャー21、23への漏れ電界は0.01%以下にな
っていることがわかる。このように、隣接するアパーチ
ャー間に遮蔽用の電極10を設けることは、漏れ電界を低
減させるうえで非常に有効である。
【0033】
【発明の効果】以上のように、請求項1の発明によれ
ば、ブランキング・アパーチャー・アレイのアパーチャ
ー列L内において隣接するアパーチャー2・2間に、ア
ース電極4と接続された遮蔽電極10を配設することで、
隣接するアパーチャーの偏向電極3からの漏れ電界が、
遮蔽電極10で遮蔽されるため、各アパーチャーごとに独
立して正確なビーム制御が可能となる。
ば、ブランキング・アパーチャー・アレイのアパーチャ
ー列L内において隣接するアパーチャー2・2間に、ア
ース電極4と接続された遮蔽電極10を配設することで、
隣接するアパーチャーの偏向電極3からの漏れ電界が、
遮蔽電極10で遮蔽されるため、各アパーチャーごとに独
立して正確なビーム制御が可能となる。
【0034】また請求項2のように、隣接するアパーチ
ャー列L1とL2でアース電極4cを共用することにより、両
側のアパーチャー列L1、L2の間隔が縮小されてアパーチ
ャーの占有面積が広くなり、荷電粒子ビームを効率的に
使用できる。
ャー列L1とL2でアース電極4cを共用することにより、両
側のアパーチャー列L1、L2の間隔が縮小されてアパーチ
ャーの占有面積が広くなり、荷電粒子ビームを効率的に
使用できる。
【0035】請求項3のように、請求項1の発明と請求
項2の発明を併用し、隣接するアパーチャー列L1、L2で
共用するアース電極4cを設け、しかも各アパーチャー列
において隣接するアパーチャー間に、共用アース電極4c
に接続された遮蔽電極10を配設することで、アパーチャ
ーの占有面積が広くなり、しかも隣接アパーチャーに漏
れ電界が進入するのを防止できる。
項2の発明を併用し、隣接するアパーチャー列L1、L2で
共用するアース電極4cを設け、しかも各アパーチャー列
において隣接するアパーチャー間に、共用アース電極4c
に接続された遮蔽電極10を配設することで、アパーチャ
ーの占有面積が広くなり、しかも隣接アパーチャーに漏
れ電界が進入するのを防止できる。
【図1】本発明による荷電粒子ビーム偏向装置の基本原
理を説明する平面図である。
理を説明する平面図である。
【図2】請求項2の発明を示す平面図である。
【図3】請求項3の発明を示す平面図である。
【図4】請求項1の発明の実施例を示す平面図である。
【図5】請求項3の発明の実施例を示す平面図である。
【図6】本発明によるブランキング・アパーチャー・ア
レイの作製プロセスを工程順に示す断面図である。
レイの作製プロセスを工程順に示す断面図である。
【図7】遮蔽電極の無い従来のブランキング・アパーチ
ャー・アレイの漏れ電界状態を計算機シミュレーション
した図である。
ャー・アレイの漏れ電界状態を計算機シミュレーション
した図である。
【図8】遮蔽電極を有する本発明によるブランキング・
アパーチャー・アレイの漏れ電界状態を計算機シミュレ
ーションした図である。
アパーチャー・アレイの漏れ電界状態を計算機シミュレ
ーションした図である。
【図9】ラインビームを用いた電子ビーム露光の原理を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図10】ラインビーム露光におけるビームスキャン方法
を説明する模式平面図と電圧印加状態を示すタイムチャ
ートである。
を説明する模式平面図と電圧印加状態を示すタイムチャ
ートである。
【図11】従来のブランキング・アパーチャー・アレイの
平面図である。
平面図である。
1 ブランキング・アパーチャー・アレイ 2,21〜23 アパーチャー 3 偏向電極 4 アース電極 4c 共用アース電極 L,L1,L2 アパーチャー列 5 電子銃 8 ウェハ 9 電子ビームのショット 10 遮蔽電極 11 配線パターン 12 Si基板
Claims (3)
- 【請求項1】 荷電粒子ビームを通過させるアパーチャ
ー(2…) の列(L) が形成され、かつ各アパーチャー(2
…) を通過する荷電粒子ビームを偏向する偏向電極(3)
とアース電極(4) を有する荷電粒子ビーム偏向装置にお
いて、 アパーチャー列(L) 内における隣接するアパーチャー(2
・2)間に、アース電極(4) に接続された遮蔽電極(10)を
配設したことを特徴とする荷電粒子ビーム偏向装置。 - 【請求項2】 荷電粒子ビームを通過させるアパーチャ
ー(2…) の列が形成され、かつ各アパーチャー(2…) を
通過する荷電粒子ビームを偏向する偏向電極(3)とアー
ス電極を有する荷電粒子ビーム偏向装置において、 隣接するアパーチャー列(L1, L2)の間に、両側のアパー
チャー列(L1, L2)で共用するアース電極(4c)を設けたこ
とを特徴とする荷電粒子ビーム偏向装置。 - 【請求項3】 荷電粒子ビームを通過させるアパーチャ
ー(2…) の列が形成され、かつ各アパーチャー(2…) を
通過する荷電粒子ビームを偏向する偏向電極(3)とアー
ス電極を有する荷電粒子ビーム偏向装置において、 隣接するアパーチャー列(L1, L2)の間に、両側のアパー
チャー列(L1, L2)で共用するアース電極(4c)を設け、 それぞれのアパーチャー列(L1, L2)において隣接するア
パーチャー(2・2)間に、前記共用アース電極(4c)に接続
された遮蔽電極(10)を配設したことを特徴とする荷電粒
子ビーム偏向装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26927991A JP3145149B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 荷電粒子ビーム偏向装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26927991A JP3145149B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 荷電粒子ビーム偏向装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05109608A true JPH05109608A (ja) | 1993-04-30 |
JP3145149B2 JP3145149B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=17470144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26927991A Expired - Fee Related JP3145149B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 荷電粒子ビーム偏向装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3145149B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013508992A (ja) * | 2009-10-26 | 2013-03-07 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 調整装置、および荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム |
JP2017216338A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム照射装置 |
US10573491B2 (en) | 2015-04-27 | 2020-02-25 | Advantest Corporation | Device, manufacturing method, and exposure apparatus |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101773775B1 (ko) * | 2016-12-29 | 2017-09-04 | (주)지금강이엔지 | 배토기용 로터리 부재 및 이를 포함하는 배토기 |
JP7168430B2 (ja) | 2018-12-04 | 2022-11-09 | 株式会社アイシン福井 | レーザ溶接装置 |
JP7359050B2 (ja) | 2020-03-18 | 2023-10-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム用のブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
-
1991
- 1991-10-17 JP JP26927991A patent/JP3145149B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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---|---|
JP3145149B2 (ja) | 2001-03-12 |
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