JP7359050B2 - マルチビーム用のブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents

マルチビーム用のブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 Download PDF

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Description

本発明は、マルチビーム用のブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置に関する。
ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスの回路の配線幅と配線ピッチは年々微細化されてきている。このような半導体デバイスの回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターンをＡｒＦ等のレーザーを用いてウェーハ上に縮小転写する手法（光リソグラフィー）が採用されている。近年では、さらに微細なパターンを形成するために、極端紫外線を用いたＥＵＶリソグラフィーが採用され始めている。ＥＵＶリソグラフィーでは複数の材料からなる多層構造を有するマスクが用いられる。いずれのマスクにおいても、高精度の原画パターンの製作には、電子ビーム描画装置によってマスクブランク（試料）上のレジストを選択的に露光してパターンを形成する、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。
電子ビーム描画装置として、例えば、マルチビームを用いて一度に多くのビームを照射し、スループットを向上させたマルチビーム描画装置が知られている。このマルチビーム描画装置では、例えば、電子銃から放出された電子ビームが、複数の開口を有する成形アパーチャアレイ基板を通過することでマルチビーム（複数の電子ビーム）が形成される。マルチビームは、ブランキングプレート（ブランキングアパーチャアレイ基板）のそれぞれ対応するブランカ内を通過する。ブランキングプレートは、ビームを個別に偏向するための電極対（ブランカ）を有し、電極対の間にビーム通過用の開口が形成されている。ブランカの一方の電極（グランド電極）をグランド電位に固定し、他方の電極（ブランキング電極）をグランド電位とそれ以外の電位とに切り替えることにより、通過する電子ビームのブランキング偏向を行う。ブランカによって偏向された電子ビームは遮蔽されて試料上でオフとなり、偏向されなかった電子ビームはオンビームとして試料上に照射される。
ブランキングプレートは、複数の開口が形成された基板と、各開口の周囲に形成されたブランカと、ブランカへの電圧の印加を行う制御回路部とを備えている。通常、制御回路部を構成するＭＯＳトランジスタの形成後には、通常の半導体デバイスと同様に基板表面にシリコン窒化膜等の絶縁膜からなるパッシベーション膜（保護膜）が形成される。ブランキングプレートの表面に絶縁膜が露出していると、電子ビームが照射された場合に、この絶縁膜が帯電し、ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜等が静電破壊されてブランキング制御ができなくなったり、帯電による電界で開口を通過するビームの軌道が変化し、照射位置のずれやデフォーカスを生じさせ、描画精度が低下したりするという問題があった。
そのため、保護膜上に帯電防止膜を設け、保護膜の帯電を防止していた。この帯電防止膜は、グランド電極やブランキングプレート端部でグランド配線に接続されていた。しかし、何らかの原因で帯電防止膜にグランド接続不良が生じると、散乱電子等により帯電防止膜が局所的に帯電し電位勾配が生じ、また、ブランキング電極との短絡が生じると、ブランキング電極に電圧が印加された際に、帯電防止膜に局所的な電位勾配が生じる。これらの現象により電子ビームが意図しない方向に偏向されることによって描画精度が低下する等の影響を与えることがあった。
特許第３１２５１４９号公報 特開２０００－１１４１４７号公報 特開２０１５－０２３２８６号公報 特開２００１－１０９０１８号公報
本発明は、上記従来の実状に鑑みてなされたものであり、帯電防止膜に局所的な帯電及び電位勾配が生じることを防止し、描画精度を向上させることができるマルチビーム用のブランキング装置、及びこのようなブランキング装置を備えたマルチ荷電粒子ビーム描画装置を提供することを課題とする。
本発明の一態様によるマルチビーム用のブランキング装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた帯電防止膜と、それぞれ、前記半導体基板及び前記絶縁膜に形成された貫通孔に対応して該絶縁膜上に設けられたブランキング電極及びグランド電極を有する複数のセルと、前記絶縁膜中に設けられたグランド配線と、を備え、前記帯電防止膜と前記グランド配線とが前記グランド配線上の前記絶縁膜を貫通して形成された接続部で接続されており、前記接続部は前記グランド電極とは異なる場所に設けられているものである。
本発明の一態様によるブランキング装置において、前記接続部は、前記セル毎に設けられる。
本発明の一態様によるマルチビーム用のブランキング装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた帯電防止膜と、それぞれ、前記半導体基板及び前記絶縁膜に形成された貫通孔に対応して該絶縁膜上に設けられたブランキング電極及びグランド電極を有する複数のセルと、前記絶縁膜中に設けられたグランド配線と、を備え、前記帯電防止膜と前記グランド配線とが前記グランド配線上の前記絶縁膜を貫通して形成された接続部で接続されており、前記接続部は、前記絶縁膜に設けられた開口部に形成された前記帯電防止膜を有する。
本発明の一態様によるブランキング装置において、前記接続部では、前記絶縁膜に埋め込まれた導体を介して、前記帯電防止膜と前記グランド配線とが接続されている。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、対象物を載置する、移動可能なステージと、生成された荷電粒子のマルチビームに対してそれぞれ個別にビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う本発明のブランキング装置と、前記ブランキング装置を通過した各ビームが前記対象物上のそれぞれの照射位置に照射されるように、各ビームをまとめて偏向する偏向器と、を備えるものである。
本発明によれば、帯電防止膜に局所的な帯電及び電位勾配が生じることを防止し、描画精度を向上させることができる。
本発明の実施形態に係る荷電粒子ビーム描画装置の概略図である。 成形アパーチャアレイ基板の概略図である。 ブランキング装置の構成を示す概念図である。 セルの模式図である。 セルの断面図である。 セルアレイの概略構成図である。 （ａ）は比較例によるセルアレイの等価回路図であり、（ｂ）は実施形態によるセルアレイの等価回路図である。 セルの模式図である。 セルアレイの概略構成図である。 （ａ）は比較例による帯電防止膜の等価回路図であり、（ｂ）は実施形態による帯電防止膜の等価回路図である。 セルの断面図である。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態によるブランキング装置が取り付けられるマルチ荷電粒子ビーム描画装置の概略図である。本実施形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子ビームでもよい。
図１に示すマルチ電子ビーム描画装置は、電子鏡筒２及び描画室２０を有している。電子鏡筒２内には、電子銃４、照明レンズ６、成形アパーチャアレイ基板８、ブランキング装置１０、縮小レンズ１２、制限アパーチャ部材１４、対物レンズ１６、及び偏向器１８が配置されている。描画室２０内には、ＸＹステージ２２が配置される。ＸＹステージ２２上には、描画対象基板となるマスクブランク２４が載置されている。対象物として、例えば、ウェーハや、ウェーハにエキシマレーザを光源としたステッパやスキャナ等の縮小投影型露光装置や極端紫外線露光装置（ＥＵＶ）を用いてパターンを転写する露光用のマスクが含まれる。また、描画対象基板には、例えば、既にパターンが形成されているマスクも含まれる。例えば、レベンソン型マスクは２回の描画を必要とするため、１度描画されマスクに加工された物に２度目のパターンを描画することもある。ＸＹステージ２２上には、さらに、ＸＹステージ２２の位置測定用のミラー２６が配置される。
電子銃４から放出された電子ビーム３０は、照明レンズ６によりほぼ垂直に成形アパーチャアレイ基板８を照明する。図２は、成形アパーチャアレイ基板８の構成を示す概念図である。成形アパーチャアレイ基板８には、縦（ｙ方向）ｍ列×横（ｘ方向）ｎ列（ｍ，ｎ≧２）の開口８０が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。各開口８０は、共に同じ寸法形状の矩形で形成される。各開口８０は、同じ外径の円形であっても構わない。
電子ビーム３０は、成形アパーチャアレイ基板８のすべての開口８０が含まれる領域を照明する。これらの複数の開口８０を電子ビーム３０の一部がそれぞれ通過することで、図１に示すようなマルチビーム３０ａ～３０ｅが形成されることになる。
後述するように、ブランキング装置１０には、成形アパーチャアレイ基板８の各開口８０の配置位置に合わせて貫通孔（図４、５における貫通孔１１０）が形成され、各貫通孔には、対となる２つの電極からなるブランカ（図５におけるグランド電極１０２及びブランキング電極１０４からなるブランカ１０１）が、それぞれ配置される。各貫通孔を通過するマルチビーム３０ａ～３０ｅは、それぞれ独立に、ブランカが印加する電圧によって偏向される。このビーム偏向によってブランキング制御が行われる。ブランキング装置１０により、成形アパーチャアレイ基板８の複数の開口８０を通過したマルチビームの各々に対してブランキング偏向が行われる。
ブランキング装置１０を通過したマルチビーム３０ａ～３０ｅは、縮小レンズ１２によって、各々のビームサイズ及び配列ピッチが縮小され、クロスオーバーに設置された制限アパーチャ部材１４に形成された中心の開口に向かって進む。ここで、ブランキング装置１０のブランカにより偏向されたビームは、その軌道が変位し、制限アパーチャ部材１４の中心の開口から位置がはずれ、制限アパーチャ部材１４によって遮蔽される。一方、ブランキング装置１０の電極によって偏向されなかったビームは、制限アパーチャ部材１４の中心の開口を通過する。
制限アパーチャ部材１４は、ブランキング装置１０のブランカによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに制限アパーチャ部材１４を通過したビームが、１回分のショットのビームとなる。制限アパーチャ部材１４を通過したマルチビーム３０ａ～３０ｅは、対物レンズ１６により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となる。制限アパーチャ部材１４を通過した各ビーム（マルチビーム全体）は、偏向器１８によって同方向にまとめて偏向され、各ビームのマスクブランク２４上のそれぞれの照射位置に照射される。
一度に照射されるマルチビームは、理想的には成形アパーチャアレイ基板８の複数の開口８０の配列ピッチに上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。この描画装置は、ショットビームを連続して順に照射していくラスタースキャン方式で描画動作を行い、所望のパターンを描画する際、パターンに応じて必要なビームがブランキング制御によりビームＯＮに制御される。ＸＹステージ２２が連続移動している時、ビームの照射位置がＸＹステージ２２の移動に追従するように偏向器１８によって制御される。
マルチ電子ビーム描画装置の各部は図示しない制御装置により制御される。制御装置は、描画データに対し複数段のデータ変換処理を行って装置固有のショットデータを生成する。ショットデータには、各ショットの照射量及び照射位置座標等が定義される。制御装置は、各ショットの照射量を電流密度で割って照射時間ｔを求め、対応するショットが行われる際、照射時間ｔだけビームＯＮするように、ブランキング装置１０の対応するブランカに偏向電圧を印加する。
また、制御装置は、ショットデータが示す位置（座標）に各ビームが偏向されるように偏向量を演算し、偏向器１８に偏向電圧を印加する。これにより、その回にショットされるマルチビームがまとめて偏向される。
次に、図３～図５を用いてブランキング装置１０の構成について説明する。図３に示すように、ブランキング装置１０は、セルアレイ領域１００と、セルアレイ領域１００の周囲に設けられた制御回路１５０と、周縁部に設けられたパッド部１６０とを備える。なお、制御回路１５０はセルアレイ領域１００の周縁部に置かれると限ったものではなく、ブランキング装置１０作製上支障のない範囲に配置してもよい。
制御回路１５０は、配線１５２、パッド部１６０、及び図示しない外部配線を介して外部制御装置からブランキング制御信号を受信する。配線１５２はＭＯＳトランジスタの形成時に形成されるためパッシベーション膜の下に配置されている。制御回路１５０は、ブランキング制御信号を受信すると、ブランキング制御信号用配線１４２を介してブランキング電極１０４（図５参照）に電圧を印加し、ブランキング偏向を行う。制御回路１５０は、ＭＯＳ等で回路が構成され、最終段にはドライバとしてＣＭＯＳインバータが設けられる。
パッド部１６０は、グランド電極パッドを含む。グランド電極１０２は、グランド配線１４０（図５参照）や配線１５２を介して、グランド電極パッドに接続されている。
セルアレイ領域１００には、図４に示すような、貫通孔１１０と、貫通孔１１０を挟んで対向する一対のグランド電極１０２及びブランキング電極１０４と、を有する１組のセルＣが、複数組形成されている。複数組のセルＣは、貫通孔１１０が、成形アパーチャアレイ基板８の各開口８０の配置位置に対応するように、マトリクス状に配列されている。
図５は、ブランキング装置１０のセルアレイ領域１００の断面図である。図５に示すように、ブランキング装置１０は、基板１２０、基板１２０上に設けられた絶縁膜１２８、絶縁膜１２８上に設けられたグランド配線１４０及びブランキング制御信号用配線１４２、グランド配線１４０及びブランキング制御信号用配線１４２上に設けられた絶縁膜１３０、絶縁膜１３０上に設けられた保護膜（パッシベーション膜）１３２、保護膜１３２上に設けられた帯電防止膜１３４、グランド電極１０２及びブランキング電極１０４を有する。
基板１２０は、例えば、シリコン層１２２とシリコン層１２６との間にシリコン酸化膜１２４を挿入したＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いてもよい。
絶縁膜１２８、１３０は例えばシリコン酸化膜である。保護膜１３２は例えばシリコン窒化膜である。グランド配線１４０及びブランキング制御信号用配線１４２は例えばアルミニウムや銅やコバルトである。帯電防止膜１３４は、例えば金属薄膜や導電性ポリマーを含むものなど、公知の材料を使用することができる。
セルアレイ領域１００では、保護膜１３２、絶縁膜１３０、絶縁膜１２８及び基板１２０を貫通した貫通孔１１０に隣接して、保護膜１３２上にグランド電極１０２及びブランキング電極１０４が対向して配置される。
グランド電極１０２は、保護膜１３２及び絶縁膜１３０を貫通して、下層のグランド配線１４０に接続される。ブランキング電極１０４は、保護膜１３２及び絶縁膜１３０を貫通して、下層のブランキング制御信号用配線１４２に接続される。
なお、セルアレイ領域１００の外側では、シリコン層１２６に制御回路１５０を構成するＣＭＯＳトランジスタ等が形成される。
セルＣには、保護膜１３２及び絶縁膜１３０を貫通して下層のグランド配線１４０を露出する開口Ｈ（ホール）が設けられている。帯電防止膜１３４は、開口Ｈの側面（側壁）及びグランド配線１４０の表面にも設けられており、開口Ｈを介してグランド配線１４０に接続している。すなわち、開口Ｈの側面に設けられた帯電防止膜１３４が、保護膜１３２及びグランド配線１４０上の絶縁膜１３０を貫通して形成された、保護膜１３２上の帯電防止膜１３４と、下層のグランド配線１４０とを接続する接続部となる。
開口Ｈは、各セルＣに、１又は複数設けられている。すなわち、帯電防止膜１３４とグランド配線１４０との接続部が、セルＣ毎に設けられている。これにより、帯電防止膜１３４のグランド接続不良が発生することを防止できるため、帯電防止膜１３４に局所的な電位勾配が生じることを防止し、描画精度を向上させることができる。
ブランキング装置１０の製作においては、まず、公知のＣＭＯＳプロセスにより基板１２０に制御回路１５０を構成するトランジスタ等を形成し、基板１２０上に絶縁膜１２８を形成する。絶縁膜１２８は所謂、層間絶縁膜であって、複数層形成されていてもよい。次に、絶縁膜１２８上に、配線層を形成し、パターン加工して、グランド配線１４０及びブランキング制御信号用配線１４２を形成する。グランド配線１４０の表面にバリアメタルを形成してもよい。
次に、グランド配線１４０及びブランキング制御信号用配線１４２を覆うように絶縁膜１３０を形成する。次に、絶縁膜１３０上に保護膜１３２を形成する。次に、基板１２０をエッチングして複数の貫通孔１１０を形成する。
次に、保護膜１３２及び絶縁膜１３０を貫通し、グランド配線１４０の表面を露出する開口Ｈを形成する。例えば、開口Ｈは、各貫通孔１１０の近傍に１又は２箇所程度形成する。次に、保護膜１３２上に帯電防止膜１３４を形成する。このとき、開口Ｈの側面及び開口Ｈにより露出されているグランド配線１４０の表面にも帯電防止膜１３４が形成されるようにする。これにより、グランド配線１４０と、保護膜１３２上の帯電防止膜１３４とを接続する接続部が形成される。次に、帯電防止膜１３４をパターン加工し、電極形成領域の帯電防止膜１３４を除去する。これにより、後で作製するブランキング電極１０４と帯電防止膜１３４とが短絡しないようにする。
次に、保護膜１３２及び絶縁膜１３０を貫通し、グランド配線１４０及びブランキング制御信号用配線１４２の表面を露出する開口を形成する。続いて、Ａｕ等の電解めっきを行い、グランド配線１４０に接続するグランド電極１０２、及びブランキング制御信号用配線１４２に接続するブランキング電極１０４を形成する（電解めっきで必要となるシード層は図示せず）。
このようにして、帯電防止膜１３４とグランド配線１４０との接続部がセル毎に設けられたブランキング装置１０を製造することができる。
セルアレイ領域１００においてセルＣをアレイ状に配置するにあたり、図６に示すように、隣接するセルＣのグランド電極１０２を連結し、所定方向（図中左右方向）に延在するライン状のグランド電極１０２となるようにしてもよい。
帯電防止膜１３４とグランド配線１４０との接続部をセルＣ毎に設けていない場合、図７（ａ）に示すように、帯電防止膜１３４を通じて隣接するセルＣの開口部や貫通孔１１０の側壁に電位Ｅが現れ、電子ビームが意図しない方向に偏向されるおそれがある。一方、本実施形態のように、帯電防止膜１３４とグランド配線１４０との接続部がセルＣ毎に設けられている場合、図７（ｂ）に示すように、隣接するセルＣの電位が変化することを防止できる。
グランド電極１０２は、一方向に延在するものに限定されず、第１方向及び第１方向に直交する第２方向に延在するものであってもよい。例えば、図８に示すような平面視形状がＬ字状のグランド電極１０２であってもよい。
また、セルアレイ領域１００においてセルＣをアレイ状に配置するにあたり、隣接するセルＣのＬ字状のグランド電極１０２を連結し、図９に示すように、グランド電極１０２が格子状となるようにしてもよい。グランド電極１０２に囲まれた領域内に、ブランキング電極１０４、貫通孔１１０及び開口Ｈが設けられ、１組のセルＣとなる。
なお、グランド電極１０２に囲まれていても、帯電防止膜１３４とグランド電極１０２の接続に不良が生じると散乱電子等により帯電防止膜１３４が帯電し、図１０（ａ）に示すように、帯電防止膜１３４上に電位Ｖｃが生じる。この帯電で生じた電界によって隣接するセルの電子ビームが意図しない方向に偏向されるおそれがある。一方、本実施形態のように、帯電防止膜１３４とグランド配線１４０との接続部がセルＣ毎に設けられている場合、図１０（ｂ）に示すように、帯電防止膜１３４はセル毎に確実にグランド電位を得ることができる。
上記実施形態では、帯電防止膜１３４とグランド配線１４０との接続部は、開口Ｈの側壁にも帯電防止膜１３４を形成することで、帯電防止膜１３４と下層のグランド配線１４０とを直接的に接続する構成としていたが、図１１に示すように、開口Ｈにタングステン等の金属プラグ１０６を埋め込み、保護膜１３２及び金属プラグ１０６上に帯電防止膜１３４を形成してもよい。帯電防止膜１３４は、接続部となる金属プラグ１０６を介してグランド配線１４０に電気的に接続される。なお、接続部は、開口Ｈに導体が埋め込まれたものであればよく、導体として、例えば、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、ポリシリコンなどを用いることができる。
また、帯電防止膜１３４とグランド配線１４０とは必ずしも接続部のみで接続されなくても良い。グランド電極１０２や絶縁膜上に形成されたグランド配線上に帯電防止膜１３４が設けられる構成では、帯電防止膜１３４とグランド配線１４０は、グランド電極１０２等を介して接続部で接続される。
開口Ｈに形成される接続部は、セル内に１個以上設けることが好ましいが、必ずしもセル内に１個以上設ける必要はなく、描画精度に影響を与えない程度に局所的な帯電及び電位勾配を十分抑制できれば、接続部を有しないセルがあってもよい。また、セル内に複数の接続部が設けられてもよい。
帯電防止膜１３４として、グランド電極１０２及びブランキング電極１０４よりも高抵抗であり、保護膜１３２や絶縁膜１３０よりも低抵抗である高抵抗膜を用い、この高抵抗膜を、グランド電極１０２及びブランキング電極１０４の形成後、ブランキング装置１０の全面に形成してもよい。
この高抵抗膜は、電極間がショートせず、かつ電子が高抵抗膜を介してグランド配線１４０から流出し、負の電荷が溜まらない程度の抵抗値を有する。高抵抗膜は、ブランキング電極１０４に接続されていてもよい。
高抵抗膜には、例えばＡｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｆｅ（鉄）、Ｃｒ（クロム）、ＣｒＮ（窒化クロム）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、ＴａＮ（窒化タンタル）、ＴｉＣ（炭化チタン）、Ｐｔ（白金）などの金属薄膜を用いることができる。金属薄膜はその膜厚が数十ｎｍ程度になると、膜厚の減少に伴い、電気抵抗値が急激に高くなる。高抵抗膜には、膜厚が数十ｎｍ、好ましくは数ｎｍの金属薄膜を用いる。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
２ 電子鏡筒
４ 電子銃
６ 照明レンズ
８ 成形アパーチャアレイ基板
１０ ブランキング装置
１２ 縮小レンズ
１４ 制限アパーチャ部材
１６ 対物レンズ
１８ 偏向器
２０ 描画室
２２ ＸＹステージ
２４ マスクブランク
２６ ミラー
１００ セルアレイ領域
１０１ ブランカ
１０２ グランド電極
１０４ ブランキング電極
１１０ 貫通孔
１２０ 基板
１３２ 保護膜
１３４ 帯電防止膜
１４０ グランド配線

Claims (5)

  1. マルチビーム用のブランキング装置であって、
    半導体基板と、
    前記半導体基板上に設けられた絶縁膜と、
    前記絶縁膜上に設けられた帯電防止膜と、
    それぞれ、前記半導体基板及び前記絶縁膜に形成された貫通孔に対応して該絶縁膜上に設けられたブランキング電極及びグランド電極を有する複数のセルと、
    前記絶縁膜中に設けられたグランド配線と、
    を備え、
    前記帯電防止膜と前記グランド配線とが前記グランド配線上の前記絶縁膜を貫通して形成された接続部で接続されており、
    前記接続部は前記グランド電極とは異なる場所に設けられていることを特徴とするブランキング装置。
  2. 前記接続部は、前記セル毎に設けられることを特徴とする請求項１に記載のブランキング装置。
  3. マルチビーム用のブランキング装置であって、
    半導体基板と、
    前記半導体基板上に設けられた絶縁膜と、
    前記絶縁膜上に設けられた帯電防止膜と、
    それぞれ、前記半導体基板及び前記絶縁膜に形成された貫通孔に対応して該絶縁膜上に設けられたブランキング電極及びグランド電極を有する複数のセルと、
    前記絶縁膜中に設けられたグランド配線と、
    を備え、
    前記帯電防止膜と前記グランド配線とが前記グランド配線上の前記絶縁膜を貫通して形成された接続部で接続されており、
    前記接続部は、前記絶縁膜に設けられた開口部に形成された前記帯電防止膜を有することを特徴とするブランキング装置。
  4. 前記接続部では、前記絶縁膜に埋め込まれた導体を介して、前記帯電防止膜と前記グランド配線とが接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のブランキング装置。
  5. 対象物を載置する、移動可能なステージと、
    生成された荷電粒子のマルチビームに対してそれぞれ個別にビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う請求項１乃至４のいずれかに記載のブランキング装置と、
    前記ブランキング装置を通過した各ビームが前記対象物上のそれぞれの照射位置に照射されるように、各ビームをまとめて偏向する偏向器と、
    を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
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