JPS6222261B2 - - Google Patents
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- JPS6222261B2 JPS6222261B2 JP56143425A JP14342581A JPS6222261B2 JP S6222261 B2 JPS6222261 B2 JP S6222261B2 JP 56143425 A JP56143425 A JP 56143425A JP 14342581 A JP14342581 A JP 14342581A JP S6222261 B2 JPS6222261 B2 JP S6222261B2
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- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高密度半導体集積回路等の製造に用
いられる荷電ビーム露光装置の改良に関するもの
である。
いられる荷電ビーム露光装置の改良に関するもの
である。
かゝる露光装置は、荷電ビームを所定断面形状
へ成形のうえ、ウエハ上へ投射するものであり、
従来は、第１図に斜視図を示す固定矩形ビーム露
光装置と、第２図に斜視図を示す可変矩形ビーム
露光装置とが一般に用いられている。
へ成形のうえ、ウエハ上へ投射するものであり、
従来は、第１図に斜視図を示す固定矩形ビーム露
光装置と、第２図に斜視図を示す可変矩形ビーム
露光装置とが一般に用いられている。
すなわち、第１図においては、図上省略した荷
電ビーム源から放射される荷電ビーム１の経路に
対し、矩形状のアパーチヤ孔２を有するアパーチ
ヤ３を設け、これのアパーチヤ孔２により荷電ビ
ーム１を断面矩形状のビーム４としたうえ、ウエ
ハ５の面上へ投射しており、これによつて矩形状
の面積としてビーム４による露光を行なつてい
る。
電ビーム源から放射される荷電ビーム１の経路に
対し、矩形状のアパーチヤ孔２を有するアパーチ
ヤ３を設け、これのアパーチヤ孔２により荷電ビ
ーム１を断面矩形状のビーム４としたうえ、ウエ
ハ５の面上へ投射しており、これによつて矩形状
の面積としてビーム４による露光を行なつてい
る。
また、第２図においては、第１図と同様のアパ
ーチヤ３のほかに、アパーチヤ３の荷電ビーム源
と反対側へ、偏向電極６ａ，６ｂおよびアパーチ
ヤ孔２と対向する矩形状のアパーチヤ孔７を有す
るアパーチヤ８を設けておき、偏向電極６ａ，６
ｂへの電圧＋Ｖおよび−Ｖの印加に応ずるビーム
４の偏向により、アパーチヤ孔７を透過するビー
ム４の状況を可変し、これによつて定まる寸法と
なつたビーム４をウエハ５の面上へ投射するもの
となつている。
ーチヤ３のほかに、アパーチヤ３の荷電ビーム源
と反対側へ、偏向電極６ａ，６ｂおよびアパーチ
ヤ孔２と対向する矩形状のアパーチヤ孔７を有す
るアパーチヤ８を設けておき、偏向電極６ａ，６
ｂへの電圧＋Ｖおよび−Ｖの印加に応ずるビーム
４の偏向により、アパーチヤ孔７を透過するビー
ム４の状況を可変し、これによつて定まる寸法と
なつたビーム４をウエハ５の面上へ投射するもの
となつている。
しかし、いずれにおいても、単一のビーム４し
か投射することができず、１回のビームシヨツト
によつては、限定された面積の露光しか行なわれ
ず、実際上は、所定範囲の露光を行なう場合、ビ
ームシヨツトを連続的にかつ反復して行なわねば
ならず、露光に要する時間が延長され、高密度半
導体集積回路等の製造を速やかに行なうことので
きない欠点を生ずる。
か投射することができず、１回のビームシヨツト
によつては、限定された面積の露光しか行なわれ
ず、実際上は、所定範囲の露光を行なう場合、ビ
ームシヨツトを連続的にかつ反復して行なわねば
ならず、露光に要する時間が延長され、高密度半
導体集積回路等の製造を速やかに行なうことので
きない欠点を生ずる。
本発明は、従来のかゝる欠点を根本的に解決す
る目的を有し、直列に配された複数の成形アパー
チヤ孔を有しかつ荷電ビーム源側へ設けられたア
パーチヤと、このアパーチヤの荷電ビーム源と反
対側の面かつ各成形アパーチヤ孔の間へ各個に荷
電ビーム源から放射される荷電ビームが各成形ア
パーチヤ孔を透過した方向に沿つて設けられたア
パーチヤと同電位の導電板と、この導電板と同一
側へ各成形アパーチヤ孔の配列方向に沿つて各成
形アパーチヤ孔毎に設けられ透過した荷電ビーム
を配列方向と直交する方向へ偏向する偏向電極
と、この偏向電極側へアパーチヤと離間して設け
られかつアパーチヤおよび各導電板と同電位であ
ると共に各成形アパーチヤ孔と対向するブランキ
ングアパーチヤ孔を有するブランキングアパーチ
ヤとを備えることにより、複数のビームを所望の
状態として同時に投射することのできる極めて効
果的な、荷電ビーム露光装置を提供するものであ
る。
る目的を有し、直列に配された複数の成形アパー
チヤ孔を有しかつ荷電ビーム源側へ設けられたア
パーチヤと、このアパーチヤの荷電ビーム源と反
対側の面かつ各成形アパーチヤ孔の間へ各個に荷
電ビーム源から放射される荷電ビームが各成形ア
パーチヤ孔を透過した方向に沿つて設けられたア
パーチヤと同電位の導電板と、この導電板と同一
側へ各成形アパーチヤ孔の配列方向に沿つて各成
形アパーチヤ孔毎に設けられ透過した荷電ビーム
を配列方向と直交する方向へ偏向する偏向電極
と、この偏向電極側へアパーチヤと離間して設け
られかつアパーチヤおよび各導電板と同電位であ
ると共に各成形アパーチヤ孔と対向するブランキ
ングアパーチヤ孔を有するブランキングアパーチ
ヤとを備えることにより、複数のビームを所望の
状態として同時に投射することのできる極めて効
果的な、荷電ビーム露光装置を提供するものであ
る。
以下、実施例を示す第３図以降により本発明の
詳細を説明する。
詳細を説明する。
第３図は全構成を示す縦断面図であり、真空容
器１１中の上部に荷電ビーム源１２が設けてある
と共に、この荷電ビーム源１２側に成形アパーチ
ヤ孔１３を有するアパーチヤ１４が設けられ、こ
れの荷電ビーム源１２と反対側には、一対の偏向
電極１６，１７が設けてある。
器１１中の上部に荷電ビーム源１２が設けてある
と共に、この荷電ビーム源１２側に成形アパーチ
ヤ孔１３を有するアパーチヤ１４が設けられ、こ
れの荷電ビーム源１２と反対側には、一対の偏向
電極１６，１７が設けてある。
また、偏向電極１６，１７側にアパーチヤ１４
と離間して、成形アパーチヤ孔１３と対向するブ
ランキングアパーチヤ孔１８を有するブランキン
グアパーチヤ１９が設けてあり、これらを透過の
うえ所定の断面形状となつた荷電ビーム４は、電
子レンズ２０，２１等の電子光学系により集束さ
れてから、互に直交状に配された主偏向電極２２
および副偏向電極２３により偏向された後、ステ
ージ２４上のウエハ５へ投射されるものとなつて
いる。
と離間して、成形アパーチヤ孔１３と対向するブ
ランキングアパーチヤ孔１８を有するブランキン
グアパーチヤ１９が設けてあり、これらを透過の
うえ所定の断面形状となつた荷電ビーム４は、電
子レンズ２０，２１等の電子光学系により集束さ
れてから、互に直交状に配された主偏向電極２２
および副偏向電極２３により偏向された後、ステ
ージ２４上のウエハ５へ投射されるものとなつて
いる。
なお、ステージ２４は、図上省略した駆動機構
により駆動され、荷電ビーム４の投射に応じて移
動するものとなつており、主副偏向電極２２，２
３による偏向と、ステージ２４の移動とにしたが
い、ウエハ５の面上所定部位へ荷電ビーム４が逐
次投射され、これによつて所望の露光が行なわれ
る。
により駆動され、荷電ビーム４の投射に応じて移
動するものとなつており、主副偏向電極２２，２
３による偏向と、ステージ２４の移動とにしたが
い、ウエハ５の面上所定部位へ荷電ビーム４が逐
次投射され、これによつて所望の露光が行なわれ
る。
第４図は、第３図におけるアパーチヤ１４乃至
ブランキングアパーチヤ１９の詳細を示す斜視
図、第５図は第４図の部分を荷電ビーム源１２側
から見た平面図、第６図は第５図におけるＡ−Ａ
断面図、第７図は同様のＢ−Ｂ断面図であり、直
列に配された成形アパーチヤ孔１３ａ〜１３ｎが
アパーチヤ１４に穿設されていると共に、これの
荷電ビーム源１２と反対側の面には、アパーチヤ
１４と電気的に接続されたアパーチヤ１４と同電
位の導電板２５が、アパーチヤ孔１３ａ〜１３ｎ
を透過した電子ビーム４ａ〜４ｎの方向に沿いか
つ突出して各成形アパーチヤ孔１３ａ〜１３ｎの
間に設けてあり、これと同一側へ、各成形アパー
チヤ孔１３ａ〜１３ｎの配列方向に沿つて、各成
形アパーチヤ孔１３ａ〜１３ｎ毎に偏向電極１６
ａ〜１６ｎ，１７ａ〜１７ｎが各々対向のうえ設
けてある。
ブランキングアパーチヤ１９の詳細を示す斜視
図、第５図は第４図の部分を荷電ビーム源１２側
から見た平面図、第６図は第５図におけるＡ−Ａ
断面図、第７図は同様のＢ−Ｂ断面図であり、直
列に配された成形アパーチヤ孔１３ａ〜１３ｎが
アパーチヤ１４に穿設されていると共に、これの
荷電ビーム源１２と反対側の面には、アパーチヤ
１４と電気的に接続されたアパーチヤ１４と同電
位の導電板２５が、アパーチヤ孔１３ａ〜１３ｎ
を透過した電子ビーム４ａ〜４ｎの方向に沿いか
つ突出して各成形アパーチヤ孔１３ａ〜１３ｎの
間に設けてあり、これと同一側へ、各成形アパー
チヤ孔１３ａ〜１３ｎの配列方向に沿つて、各成
形アパーチヤ孔１３ａ〜１３ｎ毎に偏向電極１６
ａ〜１６ｎ，１７ａ〜１７ｎが各々対向のうえ設
けてある。
なお、アパーチヤ１４の偏向電極１６ａ〜１６
ｎ，１７ａ〜１７ｎ側には、絶縁材２６が設けて
あり、これによつて、アパーチヤ１４と各偏向電
極１６ａ〜１６ｎ，１７ａ〜１７ｎとの間が電気
的に絶縁されている。
ｎ，１７ａ〜１７ｎ側には、絶縁材２６が設けて
あり、これによつて、アパーチヤ１４と各偏向電
極１６ａ〜１６ｎ，１７ａ〜１７ｎとの間が電気
的に絶縁されている。
また、アパーチヤ１４の偏向電極１６ａ〜１６
ｎ，１７ａ〜１７ｎ側へ、アパーチヤ１４と所定
距離を置いて離間のうえ、各成形アパーチヤ孔１
３ａ〜１３ｎと対向するスリツト状のブランキン
グアパーチヤ孔１８を有するブランキングアパー
チヤ１９が設けてあり、これと、アパーチヤ１４
とは金属板等の導電材により製され、いずれも接
地電位となつている。
ｎ，１７ａ〜１７ｎ側へ、アパーチヤ１４と所定
距離を置いて離間のうえ、各成形アパーチヤ孔１
３ａ〜１３ｎと対向するスリツト状のブランキン
グアパーチヤ孔１８を有するブランキングアパー
チヤ１９が設けてあり、これと、アパーチヤ１４
とは金属板等の導電材により製され、いずれも接
地電位となつている。
第８図は、荷電ビーム４の投射状況を示す要部
破断斜視図であり、第３図における電子レンズ２
０，２１、主副各偏向電極２２，２３を省略し、
簡略化のうえ示してある。
破断斜視図であり、第３図における電子レンズ２
０，２１、主副各偏向電極２２，２３を省略し、
簡略化のうえ示してある。
すなわち、同図から明らかなとおり、荷電ビー
ム１は成形アパーチヤ孔１３ａ〜１３ｎの透過に
より成形され、この場合は断面矩形状の荷電ビー
ム４ａ〜４ｎとなつたうえ、ウエハ５の面上へ一
列となつて投射されるが、各偏向電極１６ａ，１
７ａ〜１６ｎ，１７ｎ相互間は、導電板２５によ
り各々が遮へいされているため、各個別に成形ア
パーチヤ孔１３ａ〜１３ｎの配列方向と直交する
方向への偏向が自在となつており、各々に対する
偏向電圧の各個別な印加状況に応じ、ブランキン
グアパーチヤ１９へ荷電ビーム４ａ〜４ｎ中特定
のもののみを投射し、これがウエハ５の面上へ投
射されないものとすることが自在となつている。
ム１は成形アパーチヤ孔１３ａ〜１３ｎの透過に
より成形され、この場合は断面矩形状の荷電ビー
ム４ａ〜４ｎとなつたうえ、ウエハ５の面上へ一
列となつて投射されるが、各偏向電極１６ａ，１
７ａ〜１６ｎ，１７ｎ相互間は、導電板２５によ
り各々が遮へいされているため、各個別に成形ア
パーチヤ孔１３ａ〜１３ｎの配列方向と直交する
方向への偏向が自在となつており、各々に対する
偏向電圧の各個別な印加状況に応じ、ブランキン
グアパーチヤ１９へ荷電ビーム４ａ〜４ｎ中特定
のもののみを投射し、これがウエハ５の面上へ投
射されないものとすることが自在となつている。
たゞし、ブランキングアパーチヤ孔１８を透過
したものは、第３図における主副各偏向電極２
２，２３の作用により、全体として任意な方向へ
偏向させることができる。
したものは、第３図における主副各偏向電極２
２，２３の作用により、全体として任意な方向へ
偏向させることができる。
第９図は、ウエハ５の面上における荷電ビーム
４の投射状況を示す平面図であり、荷電ビーム４
ａ〜４ｃの相互間には空隙部３１を生じるが、点
線により示すとおり連接状として露光するには、
電子レンズ２０，２１の作用をソフトフオーカス
状として荷電ビーム４ａ〜４ｃを拡大し、あるい
は、ウエハ５の面上へ被着されるレジストの露光
感度に対し過露光状態としたうえ、所望の現像処
理を行なうものとすればよい。
４の投射状況を示す平面図であり、荷電ビーム４
ａ〜４ｃの相互間には空隙部３１を生じるが、点
線により示すとおり連接状として露光するには、
電子レンズ２０，２１の作用をソフトフオーカス
状として荷電ビーム４ａ〜４ｃを拡大し、あるい
は、ウエハ５の面上へ被着されるレジストの露光
感度に対し過露光状態としたうえ、所望の現像処
理を行なうものとすればよい。
第１０図は、第９図の手段によらず、連接状の
露光を行なう場合の平面図であり、荷電ビーム４
ａ〜４ｄの寸法ｌおよび間隔ｄを定める成形アパ
ーチヤ１３ａ〜１３ｎの形状および配列を、ｌ＝
ｎ・ｄ（ｎは整数）の関係になるものとしたう
え、荷電ビーム４ｃのみをブランキングアパーチ
ヤ１９へ投射してウエハ５の面状へ投射されない
ものとし、最初に同図Ａの投射位置により露光を
行ない、ついで、主副偏向電極２２，２３中いず
れかの偏向作用により、成形アパーチヤ孔１３ａ
〜１３ｎの配列方向へ寸法ｌの分のみ偏向させる
と共に、荷電ビーム４ｃも完全な投射状態として
から、同図Ｂの投射位置により露光し、更に、配
列方向へ寸法ｌの偏向を行なうと共に、今度は荷
電ビーム４ｂを非投射状態とし、同図Ｃの投射位
置として露光すれば、同図Ｄのとおり、連接状の
露光が行なわれる。
露光を行なう場合の平面図であり、荷電ビーム４
ａ〜４ｄの寸法ｌおよび間隔ｄを定める成形アパ
ーチヤ１３ａ〜１３ｎの形状および配列を、ｌ＝
ｎ・ｄ（ｎは整数）の関係になるものとしたう
え、荷電ビーム４ｃのみをブランキングアパーチ
ヤ１９へ投射してウエハ５の面状へ投射されない
ものとし、最初に同図Ａの投射位置により露光を
行ない、ついで、主副偏向電極２２，２３中いず
れかの偏向作用により、成形アパーチヤ孔１３ａ
〜１３ｎの配列方向へ寸法ｌの分のみ偏向させる
と共に、荷電ビーム４ｃも完全な投射状態として
から、同図Ｂの投射位置により露光し、更に、配
列方向へ寸法ｌの偏向を行なうと共に、今度は荷
電ビーム４ｂを非投射状態とし、同図Ｃの投射位
置として露光すれば、同図Ｄのとおり、連接状の
露光が行なわれる。
したがつて、同図に複数部位に対する荷電ビー
ム４ａ〜４ｎの投射が実現し、連接状の露光も容
易に行なわれるため、所定露光部位全般に対する
ビームシヨツトの回数が大幅に減少し、高密度半
導体集積回路等の製造速度が極めて向上する。
ム４ａ〜４ｎの投射が実現し、連接状の露光も容
易に行なわれるため、所定露光部位全般に対する
ビームシヨツトの回数が大幅に減少し、高密度半
導体集積回路等の製造速度が極めて向上する。
たゞし、成形アパーチヤ孔１３ａ〜１３ｎの形
状は、矩形状のみならず、条件に応じて選定すれ
ばよく、ブランキングアパーチヤ孔１８の形状を
スリツト状のみならず、成形アパーチヤ孔１３ａ
〜１３ｎと対向する角孔状、円孔状等としても同
様であり、偏向電極１６ａ〜１６ｎ，１７ａ〜１
７ｎをいずれか一方のみとしてもよい等、種々の
変形が自在である。
状は、矩形状のみならず、条件に応じて選定すれ
ばよく、ブランキングアパーチヤ孔１８の形状を
スリツト状のみならず、成形アパーチヤ孔１３ａ
〜１３ｎと対向する角孔状、円孔状等としても同
様であり、偏向電極１６ａ〜１６ｎ，１７ａ〜１
７ｎをいずれか一方のみとしてもよい等、種々の
変形が自在である。
以上の説明により明らかなとおり本発明によれ
ば、複数部位に対し荷電ビームによる露光が同時
に行なえると共に、各荷電ビームの投射および非
投射が自在となるため、露光操作の自由度が増大
し、高密度半導体集積回路等の製造速度が向上す
るものとなり、各種用途の荷電ビーム露光装置と
して顕著な効果を呈する。
ば、複数部位に対し荷電ビームによる露光が同時
に行なえると共に、各荷電ビームの投射および非
投射が自在となるため、露光操作の自由度が増大
し、高密度半導体集積回路等の製造速度が向上す
るものとなり、各種用途の荷電ビーム露光装置と
して顕著な効果を呈する。
第１図および第２図は従来例を示す斜視図、第
３図以降は本発明の実施例を示し、第３図は全構
成を示す縦断面図、第４図はアパーチヤ乃至ブラ
ンキングアパーチヤの斜視図、第５図は第４図の
ものゝ平面図、第６図は第５図におけるＡ−Ａ断
面図、第７図は第５図におけるＢ−Ｂ断面図、第
８図は荷電ビームの投射状況を示す要部破断斜視
図、第９図および第１０図は連接状に露光する状
況を示す平面図である。 １，４，４ａ〜４ｎ……荷電ビーム、５……ウ
エハ、１２……荷電ビーム源、１３，１３ａ〜１
３ｎ……成形アパーチヤ孔、１４……アパーチ
ヤ、１６，１６ａ〜１６ｎ，１７，１７ａ〜１７
ｎ……偏向電極、１８……ブランキングアパーチ
ヤ孔、１９……ブランキングアパーチヤ、２５…
…導電板、２６……絶縁材。
３図以降は本発明の実施例を示し、第３図は全構
成を示す縦断面図、第４図はアパーチヤ乃至ブラ
ンキングアパーチヤの斜視図、第５図は第４図の
ものゝ平面図、第６図は第５図におけるＡ−Ａ断
面図、第７図は第５図におけるＢ−Ｂ断面図、第
８図は荷電ビームの投射状況を示す要部破断斜視
図、第９図および第１０図は連接状に露光する状
況を示す平面図である。 １，４，４ａ〜４ｎ……荷電ビーム、５……ウ
エハ、１２……荷電ビーム源、１３，１３ａ〜１
３ｎ……成形アパーチヤ孔、１４……アパーチ
ヤ、１６，１６ａ〜１６ｎ，１７，１７ａ〜１７
ｎ……偏向電極、１８……ブランキングアパーチ
ヤ孔、１９……ブランキングアパーチヤ、２５…
…導電板、２６……絶縁材。
Claims (1)
- １ 直列に配された複数の成形アパーチヤ孔を有
しかつ荷電ビーム源側へ設けられたアパーチヤ
と、該アパーチヤの前記荷電ビーム源と反対側の
面かつ前記各成形アパーチヤ孔の間へ各個に前記
荷電ビーム源から放射される荷電ビームが前記各
成形アパーチヤ孔を透過した方向に沿つて設けら
れた前記アパーチヤと同電位の導電板と、該導電
板と同一側へ前記各成形アパーチヤ孔の配列方向
に沿つて該各成形アパーチヤ孔毎に設けられ前記
透過した荷電ビームを前記配列方向と直交する方
向へ偏向する偏向電極と、該偏向電極側へ前記ア
パーチヤと離間して設けられかつ前記アパーチヤ
および各導電板と同電位であると共に前記各成形
アパーチヤ孔と対向するブランキングアパーチヤ
孔を有するブランキングアパーチヤとを備えたこ
とを特徴とする荷電ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14342581A JPS5844717A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14342581A JPS5844717A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5844717A JPS5844717A (ja) | 1983-03-15 |
| JPS6222261B2 true JPS6222261B2 (ja) | 1987-05-16 |
Family
ID=15338430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14342581A Granted JPS5844717A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5844717A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD225879A3 (de) * | 1983-07-01 | 1985-08-07 | Zeiss Jena Veb Carl | Verfahren und einrichtung zur korpuskularbestrahlung eines targets |
| GB8415623D0 (en) * | 1984-06-19 | 1984-07-25 | Nixon W C | Charged particle sources |
| DE3504714A1 (de) * | 1985-02-12 | 1986-08-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Lithografiegeraet zur erzeugung von mikrostrukturen |
| DE3504705A1 (de) * | 1985-02-12 | 1986-08-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Aperturblende mit zellenfoermiger mehrlochstruktur und austastelektroden zur erzeugung einer mehrzahl von individuell austastbaren korpuskularstrahlsonden fuer ein lithografiegeraet |
| EP0289885A1 (de) * | 1987-05-08 | 1988-11-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Blendensystem zur Erzeugung mehrerer Teilchensonden mit veränderbarem Querschnitt |
| US4902898A (en) * | 1988-04-26 | 1990-02-20 | Microelectronics Center Of North Carolina | Wand optics column and associated array wand and charged particle source |
| JP2555775B2 (ja) * | 1990-11-28 | 1996-11-20 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム偏向装置およびその製造方法 |
| JP6649812B2 (ja) * | 2016-03-09 | 2020-02-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 帯電処理装置及び電子源ユニット |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52141180A (en) * | 1976-05-20 | 1977-11-25 | Jeol Ltd | Electron beam exposure apparatus |
| JPS53117387A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-13 | Western Electric Co | Method of forming high resolution fine pattern at high speed |
-
1981
- 1981-09-11 JP JP14342581A patent/JPS5844717A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52141180A (en) * | 1976-05-20 | 1977-11-25 | Jeol Ltd | Electron beam exposure apparatus |
| JPS53117387A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-13 | Western Electric Co | Method of forming high resolution fine pattern at high speed |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5844717A (ja) | 1983-03-15 |
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