JPS5844717A - 荷電ビ−ム露光装置 - Google Patents
荷電ビ−ム露光装置Info
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- JPS5844717A JPS5844717A JP14342581A JP14342581A JPS5844717A JP S5844717 A JPS5844717 A JP S5844717A JP 14342581 A JP14342581 A JP 14342581A JP 14342581 A JP14342581 A JP 14342581A JP S5844717 A JPS5844717 A JP S5844717A
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- Japan
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- beams
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- hole
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高密嚢中導体集積回路等の製造に用いられる
荷電ビーム露光装置の改良に関するものである。
荷電ビーム露光装置の改良に関するものである。
か〜る露光装置は、荷電ビームを所定断面形状へ成形の
うえ、ウェハ上へ投射するものであり、従来は、第１図
に斜視図を示す固定矩形ビーム露光装置と、第２図に斜
視図を示す可変枦形ビーム露光装曾とが一般に用いられ
ている。
うえ、ウェハ上へ投射するものであり、従来は、第１図
に斜視図を示す固定矩形ビーム露光装置と、第２図に斜
視図を示す可変枦形ビーム露光装曾とが一般に用いられ
ている。
すなわち、餉１図においては、図上省略し良荷電ビーム
源から放射される荷電ビー＾１の経路に対し、矩形状の
アパーチャ孔２を有するアパーチャ３を設け、これのア
パーチャ孔２により荷電ビーム１を断面矩形状のビーム
４とＬ７たうえ、ウェハ５の面上へ投射してお〕、これ
によって矩形状の面積としてビーム４による露光を行な
っている。
源から放射される荷電ビー＾１の経路に対し、矩形状の
アパーチャ孔２を有するアパーチャ３を設け、これのア
パーチャ孔２により荷電ビーム１を断面矩形状のビーム
４とＬ７たうえ、ウェハ５の面上へ投射してお〕、これ
によって矩形状の面積としてビーム４による露光を行な
っている。
また、第２図においては、第１図と同様のアパーチャ３
のほかに、アパーチャ３の荷電ビーム源と反対側へ、偏
向電極６ａ、６ｂおよびアパーチャ孔２と対向する矩形
状のアパーチャ孔Ｔを有するアパーチャ８を設けておき
、偏向電極６ａ、６ｂへの電圧＋Ｖおよび−Ｖの印加に
応するビーＡ４の偏向によル、アパーチャ孔Ｔを透過す
るビーム４の状況を可変し、これによって定まる寸法と
なったビーム４をウェハ５の面上へ投射するものとなっ
ている。
のほかに、アパーチャ３の荷電ビーム源と反対側へ、偏
向電極６ａ、６ｂおよびアパーチャ孔２と対向する矩形
状のアパーチャ孔Ｔを有するアパーチャ８を設けておき
、偏向電極６ａ、６ｂへの電圧＋Ｖおよび−Ｖの印加に
応するビーＡ４の偏向によル、アパーチャ孔Ｔを透過す
るビーム４の状況を可変し、これによって定まる寸法と
なったビーム４をウェハ５の面上へ投射するものとなっ
ている。
しかし、いずれにおいても、琳−のビーム４しか投射す
ることができず、１回のビームショットによっては、限
定された面積の露光しか行なわれず、実際上は、所定範
囲の露光を行なう場合、ビームショットを連続的にかつ
反復して行なわねばならず、露光に要すス時間が延長さ
れ、高密度半導体集積回路環の製造を速やかに行なうと
ｋのできない欠点を生ずる。
ることができず、１回のビームショットによっては、限
定された面積の露光しか行なわれず、実際上は、所定範
囲の露光を行なう場合、ビームショットを連続的にかつ
反復して行なわねばならず、露光に要すス時間が延長さ
れ、高密度半導体集積回路環の製造を速やかに行なうと
ｋのできない欠点を生ずる。
本発明は、従来のか＼る欠点を根本的に解決すゐ目的を
有し、直列に配された複数の成形アパーチャ孔を有する
アパーチャを用いると共に、これらの各成形アパーチャ
孔毎に偏向電極を設け、更に、アパーチャと離間した偏
向電極側へ各成形アパーチャ孔と対向するブランキング
アパーチャ孔を有するブランキングアパーチャを設ける
ことによシ、複数のビームを所望の状態として同時に投
射することのできる極めて効果的な、荷電ビー五露光ｉ
！ｔを提供するものである。
有し、直列に配された複数の成形アパーチャ孔を有する
アパーチャを用いると共に、これらの各成形アパーチャ
孔毎に偏向電極を設け、更に、アパーチャと離間した偏
向電極側へ各成形アパーチャ孔と対向するブランキング
アパーチャ孔を有するブランキングアパーチャを設ける
ことによシ、複数のビームを所望の状態として同時に投
射することのできる極めて効果的な、荷電ビー五露光ｉ
！ｔを提供するものである。
以下、夾施例を示す第３図以降にょシ本発明の詳細な説
明する。
明する。
第３図は全構成を示す縦断面図であり、真空容器１１中
の上部に荷電ビーム源１２が設けであると共に、この荷
電ビーム源１２＠に成形アパーチャ孔１３を有するアパ
ーチャ１４が設けられ、これの荷電ビー＾ｇ１１２と反
対側には、一対の偏向電極１８．１７が設けである。
の上部に荷電ビーム源１２が設けであると共に、この荷
電ビーム源１２＠に成形アパーチャ孔１３を有するアパ
ーチャ１４が設けられ、これの荷電ビー＾ｇ１１２と反
対側には、一対の偏向電極１８．１７が設けである。
また、偏向電極１６．ＩＴ側に７パーチヤ１４と離間し
て、成形アパーチャ孔１３と対向するブランキングアパ
ーチャ孔１８を有するブランキングアパーチャ１ｇが設
けてあシ、これらを透過のうえ所定の断面形状となった
荷電ビーム４は、電子レンズ２０．２１等の電子光学系
によシ集束されてから、互に直交状に配された主偏向電
極２２および副偏向電１＆２３によル偏向された後、ス
テージ２４上のウェハＳへ投射されるものとなっている
。
て、成形アパーチャ孔１３と対向するブランキングアパ
ーチャ孔１８を有するブランキングアパーチャ１ｇが設
けてあシ、これらを透過のうえ所定の断面形状となった
荷電ビーム４は、電子レンズ２０．２１等の電子光学系
によシ集束されてから、互に直交状に配された主偏向電
極２２および副偏向電１＆２３によル偏向された後、ス
テージ２４上のウェハＳへ投射されるものとなっている
。
なお、ステージ２４は、図上省略した駆動機構によ〕駆
動され、荷電ビーム４０投射に応じて移動するものとな
っており、主副各偏向電極２２゜２３による偏向と、ス
テージ２４の移動とにしたがい、ウェハ５の面上所定部
位へ荷電ビー＾４が逐次投射され、これによって所望の
露光が行なわれる。
動され、荷電ビーム４０投射に応じて移動するものとな
っており、主副各偏向電極２２゜２３による偏向と、ス
テージ２４の移動とにしたがい、ウェハ５の面上所定部
位へ荷電ビー＾４が逐次投射され、これによって所望の
露光が行なわれる。
第４図は、第３図におけるアパーチャ１４乃至ブランキ
ングアパーチャ１ｇの詳細を示す斜視図、館５図は＃！
４図の部分を荷電ビーム源１２１１１１から見た平面図
、第６図は第５図におけるＡ−ム断面図、第７図は同様
のＢ−Ｂ断面図であり、直列に配された成形アパーチャ
１４１３ａ〜１３ｎがアパーチャ１４に穿設されている
と共に、これの荷電ビーム源１２と反対側の面には、ア
パーチャ１４と電気的に接続されたアパーチャ１４と同
電位の導電板２５が、荷電ビーム１の方向に沿いかつ突
出して各成形アパーチャ孔１３ａ〜１３ｎの間に設けて
あり、これと同一側へ、各成形アパーチャ孔１３！Ｌ〜
１３ｎの配列方向に沿って、各成形アパーチャ孔１３ａ
〜１３ｍ毎に偏向電極１ｇ１ａ〜１６ｎ、１７ａ〜１７
ｎが各々対向のうえ設けである。
ングアパーチャ１ｇの詳細を示す斜視図、館５図は＃！
４図の部分を荷電ビーム源１２１１１１から見た平面図
、第６図は第５図におけるＡ−ム断面図、第７図は同様
のＢ−Ｂ断面図であり、直列に配された成形アパーチャ
１４１３ａ〜１３ｎがアパーチャ１４に穿設されている
と共に、これの荷電ビーム源１２と反対側の面には、ア
パーチャ１４と電気的に接続されたアパーチャ１４と同
電位の導電板２５が、荷電ビーム１の方向に沿いかつ突
出して各成形アパーチャ孔１３ａ〜１３ｎの間に設けて
あり、これと同一側へ、各成形アパーチャ孔１３！Ｌ〜
１３ｎの配列方向に沿って、各成形アパーチャ孔１３ａ
〜１３ｍ毎に偏向電極１ｇ１ａ〜１６ｎ、１７ａ〜１７
ｎが各々対向のうえ設けである。
なおちアノ１−チヤ１４の偏向電極１８ａ〜１６ ｎ
＊ １７ａ〜１７ｎ側には、絶縁材２６が設けてあり、
これによって、アパーチャ１４と各偏向電極１８ａ〜１
６ｎ。
＊ １７ａ〜１７ｎ側には、絶縁材２６が設けてあり、
これによって、アパーチャ１４と各偏向電極１８ａ〜１
６ｎ。
１７ａ〜１７ｎとの間が電気的に絶縁されている。
１＋、アパーチャ１４の偏向筒、極１１ａ〜１６ｎ、ｌ
ｒａ〜１７ｎ儒へ、アパーチャ１４と所定距離を１いて
離間のうえ、各成形アパーチャ孔１１１ａ〜１８ｎと対
向すゐスリット状のブランキングアパーチャ孔１８を有
するブランキングアパーチャ１ｓが設けてあ夛、とれと
、アパーチャ１４とは金属板等の導電材によりＩＩＪれ
、いずれも接地電位となっている。
ｒａ〜１７ｎ儒へ、アパーチャ１４と所定距離を１いて
離間のうえ、各成形アパーチャ孔１１１ａ〜１８ｎと対
向すゐスリット状のブランキングアパーチャ孔１８を有
するブランキングアパーチャ１ｓが設けてあ夛、とれと
、アパーチャ１４とは金属板等の導電材によりＩＩＪれ
、いずれも接地電位となっている。
第８図は、荷電ビーム４０投射状況を示す要部破断斜視
図であシ、第３図における電子レンズ２０．２１、主副
各偏向電極２２．２３を省略し、簡略化のうえ示しであ
る。
図であシ、第３図における電子レンズ２０．２１、主副
各偏向電極２２．２３を省略し、簡略化のうえ示しであ
る。
すなわち、同図から明らかなとおシ、荷電ビームＩＦｉ
成形アパーチャ孔１３ａ−１３ｎによシ成形され、仁の
場合は断面矩形状の荷電ビーム４ａ〜４ｎとなったうえ
、ウェハ４の面上へ一列となって投射されるが、各偏向
電極１ ＠ａｓ １７ａ＠ａｎ、Ｉ Ｔｍ相互間は、導
電板２５により各々が麿へいされているため、各個別の
偏向が自在となっており、各々に対する偏向電圧の各個
別な印加状況に応じ、ブランキングアパーチャ１８へ荷
電ビーム４ａ〜４ｎ中特定のもののみを投射し、これ、
がウェハ５の面上へ投射されないものとすることが自在
となっている。
成形アパーチャ孔１３ａ−１３ｎによシ成形され、仁の
場合は断面矩形状の荷電ビーム４ａ〜４ｎとなったうえ
、ウェハ４の面上へ一列となって投射されるが、各偏向
電極１ ＠ａｓ １７ａ＠ａｎ、Ｉ Ｔｍ相互間は、導
電板２５により各々が麿へいされているため、各個別の
偏向が自在となっており、各々に対する偏向電圧の各個
別な印加状況に応じ、ブランキングアパーチャ１８へ荷
電ビーム４ａ〜４ｎ中特定のもののみを投射し、これ、
がウェハ５の面上へ投射されないものとすることが自在
となっている。
たソし、ブランキングアパーチャ孔１８を透過したもの
は、第３図における主副偏向電極２２゜２３の作用によ
り、全体として任意な方向へ偏向きせることかできる。
は、第３図における主副偏向電極２２゜２３の作用によ
り、全体として任意な方向へ偏向きせることかできる。
第９図は、ウェハ５の面上における荷電ビーム４０投射
状況を示す平面図であり、荷電ビーム４ａ〜４Ｃの相互
間には空隙部３１を生ずるが、点線により示すとおり連
接状と′して露光するには、電子レンズ２０．２１の作
用をソフトフォーカス状として荷電ビーム゛４ａ〜４Ｃ
を拡大し、あるいは、ウェハ５の面上へ被着式れるレジ
ストの露光感度に対し過露光状態としたうえ、所望の現
像処理を行なうものとすればよい。
状況を示す平面図であり、荷電ビーム４ａ〜４Ｃの相互
間には空隙部３１を生ずるが、点線により示すとおり連
接状と′して露光するには、電子レンズ２０．２１の作
用をソフトフォーカス状として荷電ビーム゛４ａ〜４Ｃ
を拡大し、あるいは、ウェハ５の面上へ被着式れるレジ
ストの露光感度に対し過露光状態としたうえ、所望の現
像処理を行なうものとすればよい。
第１Ｏ図は、第９図の手段によらず、連接状の露光を行
なう場合の平面図であ夛、荷電ビーム−４ａ〜４ｄの寸
法１シよび間隔ｄを定める成形アパーチャ１３ａ〜１３
ｎの形状および配列を、１ｍｎ４（ｎは１数）の関係に
なるものとしたうえ、荷電ビーム４ｃのみをブランキン
グアパーチャ１ｓへ投射してウェハ５の面上へ投射され
る亀のｉし、最初に同図（４）の投射位置により露光を
行ない、ついで、主副偏向電極２２．２Ｓ中いずれかの
偏向作用により、成形アパーチャ孔１８ａ〜１３ｎの配
列方向へ寸法１の分のみ偏向させあと共Ｖｃ１荷電ビー
ム４Ｃも完全な投射状態としてから、同図（Ｂ）の投射
位置により露光し、更に、配列方向へ寸法ｌの偏向を行
なうと共に、今度は荷電ビーム４ｂを非投射状態とし、
同図（０）の投射位置としそ露光すれば、同図（ロ）の
とおり、連接状の露光が行なわれる。
なう場合の平面図であ夛、荷電ビーム−４ａ〜４ｄの寸
法１シよび間隔ｄを定める成形アパーチャ１３ａ〜１３
ｎの形状および配列を、１ｍｎ４（ｎは１数）の関係に
なるものとしたうえ、荷電ビーム４ｃのみをブランキン
グアパーチャ１ｓへ投射してウェハ５の面上へ投射され
る亀のｉし、最初に同図（４）の投射位置により露光を
行ない、ついで、主副偏向電極２２．２Ｓ中いずれかの
偏向作用により、成形アパーチャ孔１８ａ〜１３ｎの配
列方向へ寸法１の分のみ偏向させあと共Ｖｃ１荷電ビー
ム４Ｃも完全な投射状態としてから、同図（Ｂ）の投射
位置により露光し、更に、配列方向へ寸法ｌの偏向を行
なうと共に、今度は荷電ビーム４ｂを非投射状態とし、
同図（０）の投射位置としそ露光すれば、同図（ロ）の
とおり、連接状の露光が行なわれる。
し九がって、同時に複数部位に対する荷電ビーム４ａ〜
４ｎの投射が実現し、連接状の露光も容易に行なわれる
九め、所定露光部位全般に対するビームショットの回数
が大幅に減少し、高密度半導体集積回路等ＯＩｌ造装置
が極めて向上する。
４ｎの投射が実現し、連接状の露光も容易に行なわれる
九め、所定露光部位全般に対するビームショットの回数
が大幅に減少し、高密度半導体集積回路等ＯＩｌ造装置
が極めて向上する。
たソし、成形アパーチャ孔１３＆〜１３ｎの形状は、矩
形状のみならず、条件に応じて選定すればよ（、ブラン
キングアパーチャ１８の形状をスリット状のみならず、
成形アパーチャ孔１３ａ〜１３ｎと対向する角孔状、円
孔状等としても同様であ）、偏向電極１６ａ〜１８ｎ、
ｌｒａ〜１ｉｎをいずれか一方のみとしてもよい岬、種
々の変形が自在である。
形状のみならず、条件に応じて選定すればよ（、ブラン
キングアパーチャ１８の形状をスリット状のみならず、
成形アパーチャ孔１３ａ〜１３ｎと対向する角孔状、円
孔状等としても同様であ）、偏向電極１６ａ〜１８ｎ、
ｌｒａ〜１ｉｎをいずれか一方のみとしてもよい岬、種
々の変形が自在である。
以上の説明により明らかなとおり本発明によれば、複数
部位に対し荷電ビームによる露光が同時に行なえると共
に、各荷電ビームの投射および非投射が自在となるため
、露光操作の自由縦が増大し、高密度半導体集積回路等
の製造速度が向上するものとなり、各種用途の荷電ビー
ム露光装着として顕著な効果を呈する。
部位に対し荷電ビームによる露光が同時に行なえると共
に、各荷電ビームの投射および非投射が自在となるため
、露光操作の自由縦が増大し、高密度半導体集積回路等
の製造速度が向上するものとなり、各種用途の荷電ビー
ム露光装着として顕著な効果を呈する。
嬉１図および第２図は従来例を示す斜視図、鮪３図以降
は本発明の実施例を示し、第３図は全構成を示す縦断面
図、第４図はアパーチャ乃至ブランキングアパーチャの
斜視図、第５図は第４図のもの一平面図、第６図は第５
図におけるムーム断面図、ｔＩ！Ｊ７図は第５図におけ
るＢ−Ｂ断面図、第８図は荷電ビームの投射状況を示す
要部破断斜視図、第９図および第１０図は連接状に露光
する状況を示す平面図である。 １．４．４ａ〜４ｎ・・・・荷電ビーム、５・・ ・・
ウェハ、１２・・・・荷電ビーム源、１３．１３ａ〜１
３ｎ・・・・成形アパーチャ孔、１４・・・・アパーチ
ャ、１６ ＊ １６ａ〜１６ｎ、 １７ｅＲａ〜ｌｒｎ
Ｉ ＨＨ＋偏向電極、１８・・・・プランキングア／
（−チャ孔、１９・・・・ブランキングアパーチャ、２
５・・・・導電板、２６・・・・絶縁材。 特詐出願人 日本電信市話公社 代理人 山川 政樹 第１図 １ 第３図 第２図 第８図 第９図 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） （Ｄ）
は本発明の実施例を示し、第３図は全構成を示す縦断面
図、第４図はアパーチャ乃至ブランキングアパーチャの
斜視図、第５図は第４図のもの一平面図、第６図は第５
図におけるムーム断面図、ｔＩ！Ｊ７図は第５図におけ
るＢ−Ｂ断面図、第８図は荷電ビームの投射状況を示す
要部破断斜視図、第９図および第１０図は連接状に露光
する状況を示す平面図である。 １．４．４ａ〜４ｎ・・・・荷電ビーム、５・・ ・・
ウェハ、１２・・・・荷電ビーム源、１３．１３ａ〜１
３ｎ・・・・成形アパーチャ孔、１４・・・・アパーチ
ャ、１６ ＊ １６ａ〜１６ｎ、 １７ｅＲａ〜ｌｒｎ
Ｉ ＨＨ＋偏向電極、１８・・・・プランキングア／
（−チャ孔、１９・・・・ブランキングアパーチャ、２
５・・・・導電板、２６・・・・絶縁材。 特詐出願人 日本電信市話公社 代理人 山川 政樹 第１図 １ 第３図 第２図 第８図 第９図 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） （Ｄ）
Claims (1)
- 直列に配された複数の成形アパーチャ孔を有する荷電ビ
ーム源側へ設けられたアノ（−チャと、該アパーチャの
前記荷電ビーム源と反対側の面かつ前記各成形アパーチ
ャ孔の間へ前記荷電ビーム源から放射される荷電ビーム
の方向く沿って設けられた前記アパーチャと同電位の導
電板と、骸導電板と同一側へ前記各成形アパーチャ孔の
配列方向に沿って該合成形アパーチャ孔毎に設けた偏向
電極と、骸偏向電極側へ前記アパーチャと離間して設け
られかつ前記各成形アパーチャ孔と対向とするブランキ
ングアパーチャ孔を有するブラン中ングアバーチャとを
備えたことを特徴とする荷電ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14342581A JPS5844717A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14342581A JPS5844717A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5844717A true JPS5844717A (ja) | 1983-03-15 |
| JPS6222261B2 JPS6222261B2 (ja) | 1987-05-16 |
Family
ID=15338430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14342581A Granted JPS5844717A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5844717A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6164054A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-04-02 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | 荷電粒子供給装置 |
| JPS61187234A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-20 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | リソグラフイ装置用開口絞りとその製法 |
| JPS61187334A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-21 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | リングラフイ装置 |
| US4633090A (en) * | 1983-07-01 | 1986-12-30 | Jenoptik Jena Gmbh | Method and apparatus for particle irradiation of a target |
| EP0339951A2 (en) * | 1988-04-26 | 1989-11-02 | Mcnc | Wand optics column and associated array wand and charged particle source |
| US4899060A (en) * | 1987-05-08 | 1990-02-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Diaphragm system for generating a plurality of particle probes haivng variable cross section |
| JPH04196409A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム偏向装置およびその製造方法 |
| JP2017162645A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 帯電処理装置及び電子源ユニット |
Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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1981
- 1981-09-11 JP JP14342581A patent/JPS5844717A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6222261B2 (ja) | 1987-05-16 |
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