TWI496200B - 液體處理裝置及液體處理方法 - Google Patents

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Description

液體處理裝置及液體處理方法
本發明係關於一種液體處理裝置及液體處理方法，藉由對基板下表面供給處理液於基板進行既定液體處理例如清洗處理或蝕刻處理。
半導體製造程序中，為去除附著於基板例如半導體晶圓表面或是背面的不要的膜(例如氧化膜、氮化膜、結束作為遮罩的角色的光阻膜等)，使用化學液進行清洗或是蝕刻處理。一般而言，化學液體處理後，於同一裝置接著進行潤洗處理及乾燥處理。
專利文獻1中揭示有可實施上述處理之液體處理裝置。此液體處理裝置包含：旋轉吸盤，固持晶圓周緣部以使該晶圓旋轉；表面噴嘴，對由旋轉吸盤固持之晶圓上表面中央部供給處理液；及背面噴嘴，對晶圓下表面中央部供給處理液；且可藉由表面噴嘴及背面噴嘴對晶圓供給清洗用化學液、純水等潤洗液、如IPA之乾燥溶媒。
作為上述應去除之不要的膜之一，存在有晶圓表面之自然氧化膜(SiO2膜)。若為去除自然氧化膜以DHF(稀氫氟酸)清洗晶圓，SiO2膜即會被去除而露出裸Si。亦即親水性的SiO2表面變化為疏水性的Si表面。DHF清洗程序後通常進行DIW(純水)潤洗程序及旋轉乾燥程序。且使DIW附著之疏水性表面乾燥時，易於發生乾燥不均，亦即易於產生水漬，故為防止水漬產生，可在DIW潤洗程序與旋轉乾燥程序之間夾隔著暫時以IPA(異丙醇)取代DIW之IPA取代程序。然而，若以如專利文獻1所記載針對晶圓下表面之處理進行IPA取代程序，因IPA其表面張力低，對晶圓下表面供給之IPA即會因重力而易於自晶圓下表面朝下方落下，難以於晶圓下表面均一擴散。且為以IPA包覆晶圓下表面全面需大量IPA。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2007-287999號公報
本發明提供一種技術，可在處理基板下表面之液體處理裝置及方法中藉由IPA高效率地使基板處理對象面乾燥。
依本發明第1觀點可提供一種液體處理方法，包含：固持基板並使其旋轉，俾處理對象面係下表面；對該基板下表面供給DIW(純水)，對該基板施行潤洗處理；及其後，對該基板下表面供給包含IPA(異丙醇)及氮氣之霧靄，以IPA取代該DIW；且藉由具有經配置在與該基板中心部對向之位置及與該基板周緣部對向之位置之間之複數噴吐口，設於該基板下方之噴嘴供給該霧靄。
且依本發明第2觀點可提供一種液體處理裝置，包含：基板固持部，具有固持基板周緣部之固持構件，水平固持基板；旋轉驅動部，使該基板固持部旋轉；及噴嘴，設在由該基板固持部所固持之基板下表面下方，其中包含：第1噴吐口，對由該基板固持部所固持之基板下表面噴吐化學液；複數之第2噴吐口，對由該基板固持部所固持之基板下表面噴吐包含IPA(異丙醇)及氮氣之霧靄；第3噴吐口，對由該基板固持部所固持之基板下表面噴吐DIW(純水)；及第4噴吐口，對由該基板固持部所固持之基板下表面噴吐氮氣；且在與由該基板固持部所固持之基板中心部對向之位置及與該基板周緣部對向之位置之間配置該複數之第2噴吐口。
依本發明，使用具有經配置在與基板中心部對向之位置及與該基板周緣部對向之位置之間之複數噴吐口，配置於基板下方之噴嘴，對基板下表面噴吐包含IPA與氮氣之霧靄，故可均一且迅速地在基板下表面整體將DIW取代成IPA。
以下，參照圖式說明本發明實施形態。首先使用圖1說明關於包含與依本發明之液體處理裝置實施形態相關之基板清洗裝置之處理系統。如圖1所示，處理系統包含：載置台101，用來載置作為被處理基板自外部收納半導體晶圓W(以下僅稱「晶圓W」)之載具；運送臂102，用來取出由載具收納之晶圓W；架座單元103，用來載置藉由運送臂102取出之晶圓W；及運送臂104，接收由架座單元103載置之晶圓W，朝基板清洗裝置10內運送該晶圓W。
如圖1所示，液體處理系統中組裝有複數(圖1所示之態樣中係10個)基板清洗裝置10與2個反向器(REV，晶圓翻面裝置)105。又，如圖1所示，運送臂104雖自上方觀察大致呈U字形狀，但此運送臂104只要在升降銷22(後述)上載置晶圓W或自升降銷22上卸除晶圓W時不接觸升降銷22及於後詳述之V字形噴嘴60即可(參照圖10B)。
其次，使用圖2A及圖2B說明關於基板清洗裝置10之概略構成。基板清洗裝置10包含：固持板30，固持晶圓W；升降銷板20，設於固持板30上方，具有自下方支持晶圓W之升降銷22；旋轉驅動部39，具有使固持板30旋轉之電動馬達等；處理流體供給管40，設置成通過形成於固持板30中心部分之穿通孔30a及形成於升降銷板20中心部分之穿通孔20a；及V字形噴嘴60，朝晶圓W下表面吹送經由處理流體供給管40供給之處理流體。
處理時升降銷板20與固持板30連動一體旋轉。
升降銷板20、處理流體供給管40及V字形噴嘴60可相對於固持板30昇降。在此，圖2A顯示升降銷板20、處理流體供給管40及V字形噴嘴60分別處於下降位置時之狀態，圖2B顯示升降銷板20、處理流體供給管40及V字形噴嘴60分別處於上昇位置時之狀態。升降銷板20、處理流體供給管40及V字形噴嘴60分別在如圖2A所示之下降位置與如圖2B所示之上昇位置之間昇降。
其次，於以下說明關於基板清洗裝置10各構成要素之詳細情形。
如圖3所示，升降銷板20呈圓板形狀，於其中心部分形成穿通孔20a。於穿通孔20a周圍設有環狀突起部20b，防止在升降銷板20上的液體進入穿通孔20a內。處理流體供給管40通過穿通孔20a。於升降銷板20表面周緣部附近設有複數根(本例中係4根)升降銷22。較佳實施形態中，特別是如圖2C所示，4根升降銷22係2對，配置一方對22a、22a’(圖2C中在左側之2根)在沿圓周方向恰遠離就中心角而言相當於30度(銳角)距離之位置，配置另一方對22b、22b’(圖2C內在右側之2根)在沿圓周方向恰遠離就中心角而言相當於120度(鈍角)距離之位置。且配置4根升降銷22相對於在圖2C中通過晶圓W中心沿左右方向延伸之假想線呈線對稱。藉由如圖2C所示配置升降銷，可以充分穩定之狀態在升降銷22上支持晶圓W，並可在送出送入晶圓W(參照圖2B)時不被升降銷22干擾而令U字形運送臂104(亦參照圖10B)侵入(自圖2C右側朝左側侵入)晶圓W下方。複數例如3個棒狀連接構件24自升降銷板20下表面(與設有各升降銷22之面相反側之面)朝下方延伸。於升降銷板20周緣部附近沿周方向等間隔地設有此等連接構件24。
如圖4所示，固持板30呈圓板形狀，於其中心部分形成穿通孔30a。處理流體供給管40通過此穿通孔30a。且如圖2A所示，旋轉杯36隔著連接構件38安裝於固持板30表面。旋轉杯36包圍升降銷板20、處理流體供給管40及V字形噴嘴60處於下降位置時由固持板30固持之晶圓W外周緣。且如圖2A及圖2C所示，於旋轉杯36設有用來固持晶圓W之2個固定固持構件37。關於固定固持構件37之具體功能於後詳述。又，此等固定固持構件37亦可不設於旋轉杯36而代之以設於固持板30，或是亦可直接連接連接構件38。固定固持構件37直接連接連接構件38時，對抗水平方向的力的固定固持構件37的強度可更大。
於固持板30下表面(與設有旋轉杯36之面相反側之面)中心部分安裝有中空旋轉軸34，俾自該固持板30下表面朝下方延伸。於旋轉軸34中空部分收納有處理流體供給管40。藉由軸承(未經圖示)支持旋轉軸34，並藉由電動馬達等旋轉驅動部39使該旋轉軸旋轉。藉由旋轉驅動部39令旋轉軸34旋轉固持板30亦旋轉。
如圖4所示，於固持板30形成3個穿通孔(連接構件穿通孔)30b，結合升降銷板20之連接構件24以可滑動之方式通過各穿通孔30b。因此，連接構件24連接成禁止固持板30與升降銷板20相對旋轉而使固持板30及升降銷板20一體旋轉，另一方面允許固持板30與升降銷板20相對上下動。沿固持板30周方向等間隔地設置穿通孔30b。且於固持板30下表面各穿通孔30b處設有3個圓筒形狀收納構件32。各收納構件32自固持板30下表面朝下方延伸，收納自升降銷板20下表面朝下方延伸之各連接構件24。於固持板30周緣部附近沿周方向等間隔地設置此等收納構件32。
使用圖5更詳細地說明關於自升降銷板20下表面朝下方延伸之各連接構件24及自固持板30下表面朝下方延伸之各收納構件32。如圖5所示，圓筒形狀之各收納構件32之內徑稍大於各連接構件24之外徑，各連接構件24可沿各收納構件32長邊方向(圖5之上下方向)在各收納構件32內移動。如圖2A所示升降銷板20處於下降位置時，各連接構件24呈完全由各收納構件32收納之狀態。另一方面，如圖2B所示升降銷板20處於上昇位置時，各連接構件24呈僅其下部中之一部分由各收納構件32收納之狀態，各連接構件24通過形成於固持板30之穿通孔30b而自此固持板30朝上方突出。升降銷板20處於下降位置時，呈各連接構件24由各收納構件32收納之狀態。
如圖5所示，於各收納構件32中空部分以經壓縮之狀態收納有彈簧26。此彈簧26其下端安裝於連接構件24下端部分，且其上端安裝於在穿通孔30b附近固持板30之下表面。因此，可藉由彈簧26朝下方推壓連接構件24。亦即，藉由彈簧26欲自壓縮狀態回到原來的狀態的力，對連接構件24恆常地施加向下的力(欲自固持板30朝下方移動的力)。
如圖2A及圖2B所示，於旋轉杯36外方設有外杯56，固持板30或旋轉杯36由外杯56包覆之。此外杯56連接排液管58，使用來清洗晶圓W，藉由排液管58將因晶圓W旋轉而自該晶圓W朝外方飛散，由外杯56承接之清洗液排出之。
如圖2A及圖2B所示，於固持板30設有用來自側方支持晶圓W，可動的基板固持構件31。基板固持構件31在如圖2A所示升降銷板20處於下降位置時自側方固持晶圓W，另一方面，在如圖2B所示升降銷板20處於上昇位置時脫離晶圓W。更詳細地說明即知，如圖2C所示，對晶圓W進行清洗處理時，晶圓W由基板固持構件31及2個固定固持構件(固定之基板固持構件)37固持。此時，基板固持構件31朝固定固持構件37抵緊晶圓W。亦即，圖2C中藉由基板固持構件31對晶圓W施加圖2C中朝左方向的力，藉此晶圓W抵緊2個固定固持構件37。如此，相較於不使用固定固持構件37而僅使用複數可動之基板固持構件31自側方固持晶圓W時，使用可動之基板固持構件31及固定固持構件37雙方自側方固持晶圓W時相對於晶圓W移動(進退)之構件數可僅有1個，故可以更單純的構成固持晶圓W。
以下參照圖6~圖8說明關於基板固持構件31之構成詳細情形。圖6顯示升降銷板20在自如圖2B所示之上昇位置朝如圖2A所示之下降位置移動途中之狀態，圖7顯示自圖6所示之狀態升降銷板20朝下方移動時之狀態，圖8顯示自圖7所示之狀態升降銷板20更朝下方移動，升降銷板20到達如圖2A所示之下降位置時之狀態。
如圖6至圖8所示，基板固持構件31隔著軸31a由固持板30樞支。更詳細而言，如圖6至圖8所示，軸承部33安裝於固持板30，軸31a由設於此軸承部33之軸承孔33a接受。軸承孔33a係沿水平方向延伸之長孔，基板固持構件31之軸31a可順著此軸承孔33a沿水平方向移動。如此，基板固持構件31可以由軸承部33之軸承孔33a接受的軸31a為中心擺動。
於基板固持構件31之軸31a掛設有扭轉彈簧等彈簧構件31d。此彈簧構件31d朝基板固持構件31推壓欲以軸31a為中心使基板固持構件31朝圖6至圖8中順時針方向旋轉之力。藉此，未對基板固持構件31施加任何力時，如圖2B所示，呈基板固持構件31相對於固持板30傾斜之狀態，基板固持構件31中用來自側方固持晶圓W之基板固持部分31b(後述)呈遠離固持板30中心之狀態。
且自掛設於軸31a之彈簧構件31d伸出線狀部分，此線狀部分卡止於軸承部33之內壁面33b，朝固持板30中心推回軸31a。如此，藉由彈簧構件31d之線狀部分，始終朝固持板30中心(亦即，朝圖6至圖8中之左方向)推壓軸31a。因此，直徑相對較小的晶圓W由可動之基板固持構件31及固定固持構件37支持時，軸31a如圖6至圖8所示，位於軸承孔33a中接近固持板30中心之位置(亦即，圖6至圖8中左側之位置)。另一方面，直徑相對較大的晶圓W由基板固持構件31及固定固持構件37支持時，軸31a對抗因彈簧構件31d之線狀部分所產生之力，順著軸承孔33a自圖6等所示之位置朝右方向移動。又，在此所謂晶圓直徑大小意指在允許尺寸誤差內晶圓直徑之大小。
且基板固持構件31包含：基板固持部分31b，自側方固持晶圓W；及被推壓構件31c，相對於軸31a設於與基板固持部分31b相反之一側。
被推壓構件31c設於升降銷板20與固持板30之間，此被推壓構件31c在如圖6至圖8所示升降銷板20處於下降位置或其附近位置時因該升降銷板20下表面而朝下方被推壓。
如圖6至圖8所示，基板固持構件31在升降銷板20自上昇位置朝下降位置移動時，被推壓構件31c因該升降銷板20下表面而朝下方被推壓，因此該基板固持構件以軸31a為中心朝圖6等逆時針方向(圖6等箭頭方向)旋轉。又，基板固持構件31以軸31a為中心旋轉，因此基板固持部分31b自晶圓W側方朝該晶圓W移動。藉此，在升降銷板20到達下降位置時，如圖8所示，可藉由基板固持構件31自側方固持晶圓W。在此，如圖8所示，藉由基板固持構件31自側方固持晶圓W時，此晶圓W朝上方脫離升降銷22前端，呈自升降銷22朝上方浮起之狀態。且如前述，有時依晶圓W之大小軸31a亦會對抗因彈簧構件31d之線狀部分所產生之力而順著軸承孔33a自圖6等所示之位置朝右方向移動。因此，因基板固持構件31可沿水平方向移動，故即使在相對較大的晶圓W由基板固持構件31及固定固持構件37固持時，亦可不使晶圓W變形或破損而自側方固持晶圓W。
藉由將如上述之基板固持構件31設於基板清洗裝置10，可不需設置用來驅動基板固持構件31之專用驅動機構(動力源)，僅藉由後述昇降驅動部50使升降銷板20昇降，進行固持板30以基板固持構件31進行之晶圓W之固持/釋放動作，故基板清洗裝置10之構成可更單純。且可抑制在升降銷板20之昇降時機與基板固持構件31之移動時機之間產生時滯，亦可提升處理能力。
如圖2A及圖2B所示，設置處理流體供給管40，俾分別通過升降銷板20之穿通孔20a及固持板30之穿通孔30a。又，處理流體供給管40於升降銷板20或固持板30旋轉時亦不旋轉。於處理流體供給管40內部，為對V字形噴嘴60供給處理流體設有複數，本例中為5條流體供給通道，亦即第1流體供給通道(亦稱「DHF(稀氫氟酸)供給通道」)40a、第2流體供給通道(亦稱「IPA(異丙醇)供給通道」)40b、第3流體供給通道(亦稱「第1氮氣供給通道」)40c、第4流體供給通道(亦稱「DIW(純水)供給通道」)40d、第5流體供給通道(亦稱「第2氮氣供給通道」)40e，俾沿鉛直方向延伸。於處理流體供給管40上端安裝有於後詳述之V字形噴嘴60。
如圖2A所示，處理流體供給管40內之第1~第5流體供給通道40a、40b、40c、40d、40e分別連接對應之第1~第5流體供給機構70a、70b、70c、70d、70e。
第1流體供給機構70a係供給DHF之DHF供給機構(以下稱「DHF供給機構70a」)，具有自上游側依序插設於連接DHF供給源71a之管路74a之可變節流閥72a及開合閥73a。
第2流體供給機構70b係供給IPA之IPA供給機構(以下稱「IPA供給機構70b」)，具有自上游側依序插設於連接IPA供給源71b之管路74b之可變節流閥72b及開合閥73b。
第3流體供給機構70c係供給惰性氣體例如氮氣之氮氣供給機構(以下稱「第1氮氣供給機構70c」)，具有自上游側依序插設於連接氮氣供給源71c之管路74c之可變節流閥72c及開合閥73c。
第4流體供給機構70d係供給作為潤洗用液體之DIW(純水)之DIW供給機構(以下稱「DIW供給機構70d」)，具有自上游側依序插設於連接DIW供給源71d之管路74d之可變節流閥72d及開合閥73d。
第5流體供給機構70e係供給惰性氣體例如氮氣之氮氣供給機構(以下稱「第2氮氣供給機構70e」)，具有自上游側依序插設於連接氮氣供給源71e之管路74e之可變節流閥72e及開合閥73e。
如圖2A、圖2B及圖9所示，於處理流體供給管40隔著連接構件52設有昇降驅動部50。昇降驅動部50令處理流體供給管40昇降。亦即，藉由昇降驅動部50令連接構件52昇降，連接此連接構件52之處理流體供給管40及V字形噴嘴60亦昇降。更詳細而言，昇降驅動部50在如圖2A所示之下降位置，與如圖2B所示之上昇位置之間令處理流體供給管40及V字形噴嘴60昇降。
且如圖9所示，處理流體供給管40連接第1連動構件44。又，第1連動構件44連接3根棒狀第2連動構件46，俾自第1連動構件44朝上方延伸。在此，設置各第2連動構件46對應設置成自升降銷板20下表面朝下方延伸之各連接構件24，棒狀各第2連動構件46之外徑小於圓筒形狀收納構件32之內徑。更詳細而言，設置各第2連動構件46，俾接觸各連接構件24之底面，如圖2B等所示各第2連動構件46可於各收納構件32內朝上方托高各連接構件24。
亦即，在如圖2A所示之狀態下，昇降驅動部50令處理流體供給管40朝上方移動時，連接處理流體供給管40之第1連動構件44及各第2連動構件46亦朝上方移動，各第2連動構件46於各收納構件32內朝上方托高各連接構件24。藉此，升降銷板20亦與處理流體供給管40連動而朝上方移動，如圖2B所示，升降銷板20、處理流體供給管40及V字形噴嘴60分別到達上昇位置。另一方面，在如圖2B所示之狀態下，昇降驅動部50令處理流體供給管40朝下方移動時，因設於收納構件32內部彈簧26之力恆常地對連接構件24施加朝下方之力，故各第2連動構件46朝下方移動時各連接構件24亦朝下方移動，俾其下表面接觸各第2連動構件46之上端部分。如此，如圖2A所示，升降銷板20、處理流體供給管40及V字形噴嘴60分別到達下降位置。
如圖2A所示，升降銷板20處於下降位置時鄰接固持板30。圖示例中，詳細而言，升降銷板20經載置在固持板30上，由固持板30支持。另一方面，如圖2B所示，升降銷板20處於上昇位置時，朝上方脫離固持板30，可朝升降銷22上傳遞晶圓W及自升降銷22上取出晶圓W。
如此，藉由第1連動構件44及3個第2連動構件46，構成使升降銷板20、處理流體供給管40及V字形噴嘴60連動而一體昇降之連動機構。且藉由第1連動構件44、3個第2連動構件46、昇降驅動部50、連接構件52使升降銷板20、處理流體供給管40及V字形噴嘴60連動而昇降，構成使升降銷板20、處理流體供給管40及V字形噴嘴60相對於固持板30昇降之昇降機構。
其次，參照圖2A、圖2B、圖9及圖10，說明關於V字形噴嘴60之構成。V字形噴嘴60包含：中央部分60C；及第1棒狀部分60A及第2棒狀部分60B，連接此中央部分60C並呈V字形配置。
第1棒狀部分60A自與晶圓W周緣部對向之位置朝與晶圓W中央部對向之位置延伸，且同樣地第2棒狀部分60B自與晶圓W周緣部對向之位置朝與晶圓W中央部對向之位置延伸。於中央部分60C，V字形噴嘴60安裝在處理流體供給管40上端。中央部分60C亦扮演作為包覆升降銷板20之穿通孔20a之覆蓋構件之角色。棒狀部分60A、60B自中央部分60C朝升降銷板20之半徑方向外側亦即晶圓W之半徑方向外側延伸，在接近配置有升降銷22之假想圓周前終止，俾處理時不干擾升降銷22(處理時V字形噴嘴60雖不旋轉但升降銷板20旋轉)。
圖10A所示之實施形態中，第1棒狀部分60A及第2棒狀部分60B呈例如30度(未限定於此角度)角。因此，藉由定位升降銷板20及固持板30於既定角度位置，可對準第1棒狀部分60A及第2棒狀部分60B，俾分別朝升降銷22a、22a’延伸。如自圖2B可理解者，晶圓W下表面與V字形噴嘴60之間非常狹窄，故就迴避運送臂104與V字形噴嘴60兩者碰撞之觀點而言，送出送入晶圓時運送臂104與V字形噴嘴60以俯視視之宜不重疊。若確保如圖10A所示升降銷22a、22a’與第1棒狀部分60A及第2棒狀部分60B之位置關係，即可如圖10B所示，易於令運送臂104侵入晶圓下側，俾不碰撞4個升降銷及V字形噴嘴60。又，如圖10B所示，運送臂104開岔之前端部在運送臂104侵入晶圓下方時通過升降銷22a、22a’外側，升降銷22b、22b’內側。上述者係藉由配置第1棒狀部分60A及第2棒狀部分60B呈V字型所可產生之優點之一。
特別是如圖11(a)及圖12(a)所示，棒狀部分60A、60B呈類似翼型之剖面形狀。此液體處理裝置中，相對於棒狀部分60A、60B晶圓W朝圖10、圖11(a)、圖12(a)所示之箭頭R方向旋轉。此時，在晶圓W下表面與升降銷板20之間會產生箭頭R方向之氣流。藉由通過剖面呈翼型之棒狀部分60A、60B上方之氣流，可改善液流。詳細而言，氣流通過棒狀部分60A、60B背面與晶圓W之間時，因擠壓效果流速增加且被整流成朝晶圓W下表面。如此受到棒狀部分60A、60B影響之氣流有助於衝擊晶圓W下表面上的處理液(例如化學液)沿晶圓W下表面順暢擴散。且藉由棒狀部分60A、60B其剖面呈翼型，可抑制因氣流影響造成之棒狀部分60A、60B的振動至最小限。
V字形噴嘴60具有配置在與晶圓W中央部對向之位置至與晶圓W周緣部對向之位置之間之複數第1噴吐口61。第1噴吐口61係用來朝晶圓W噴吐DHF。第1噴吐口61在自中央部分60C至第1棒狀部分60A前端部止之區間內沿第1棒狀部分60A長邊方向經配置成一列。且V字形噴嘴60具有配置在與晶圓W中央部對向之位置至與晶圓W周緣部對向之位置之間之複數之第2噴吐口62。第2噴吐口62係用來朝晶圓W噴吐IPA與氮氣之混合流體所構成之二流體噴霧。第2噴吐口62在自中央部分60C至第2棒狀部分60B前端部止之區間內沿第2棒狀部分60B長邊方向經配置成一列。且V字形噴嘴60於其中央部分60C具有1個第3噴吐口63。第3噴吐口63係用來朝晶圓W中央部噴吐DIW。且V字形噴嘴60於其中央部分60C具有1個第4噴吐口64。第4噴吐口64係用來朝晶圓W中央部噴吐氮氣。又，第4噴吐口64大致位於由固持板30固持之晶圓W中心正下方。
又，第1及第2噴吐口61、62及連接此之噴吐通道(67a、67b、68a、68b)之直徑相當小(直徑約0.3~0.5mm)，故液體通過噴吐口及噴吐通道時會因摩擦而帶電。為防止此，V字形噴嘴60宜藉由具導電性之材料，例如置入碳纖維之PFA形成。
如圖14所示，處理流體供給管40具有於其上端直徑經擴大之頭部41。V字形噴嘴60之中央部分60C藉由未圖示之螺桿連結處理流體供給管40之頭部41。
如圖14所示，V字形噴嘴60之中央部分60C與處理流體供給管40之頭部41一旦連結，於處理流體供給管40內沿鉛直方向延伸之DIW供給通道40d與在中央部分60C內沿鉛直方向延伸之噴吐通道63a即連通。藉此，可使經由DIW供給通道40d送來的DIW自第3噴吐口63朝晶圓W下表面噴吐。又，形成第3噴吐口63呈可保證自該處所噴吐之DIW確實到達晶圓W下表面中央Wc之形狀。且中央部分60C與頭部41一旦連結，於處理流體供給管40內沿鉛直方向延伸之第2氮氣供給通道40e與在中央部分60C內沿鉛直方向延伸之噴吐通道64a即連通。藉此，可使經由第2氮氣供給通道40e送來的氮氣自第4噴吐口64朝晶圓W下表面噴吐。
且中央部分60C與頭部41一旦連結，如圖13所示，於處理流體供給管40內沿鉛直方向延伸之IPA供給通道40b與在V字形噴嘴60內形成之流體通路(IPA通路)65b即連通，且於處理流體供給管40內沿鉛直方向延伸之第1氮氣供給通道40c與在V字形噴嘴60內形成之流體通路(氮氣通路)66b即連通。如圖10A以虛線所示，IPA通路65b及氮氣通路66b自V字形噴嘴60之中央部分60C至第2棒狀部分60B之前端部止沿棒狀部分60B之長邊方向水平且相互平行地延伸。且雖未詳細圖示，但中央部分60C與頭部41一旦連結，在與圖13所示之態樣相同之態樣(惟所連接者僅係1條供給通道與1條通路)中，於處理流體供給管40內沿鉛直方向延伸之DHF供給通道40a與在V字形噴嘴60內形成之流體通路(DHF通路)65a即連通。如圖10A以虛線所示，DHF通路65a自V字形噴嘴60之中央部分60C至第1棒狀部分60A之前端部止沿第1棒狀部分60A之長邊方向水平地延伸。
如圖11(a)所示，V字形噴嘴60之中央部分60C及第1棒狀部分60A中，1條DHF噴吐通道67a自DHF通路65a連接各噴吐口61。因此，可自各噴吐口61噴吐DHF。如圖11(b)所示，各噴吐口61中，自該處噴吐之DHF噴吐方向宜朝晶圓W旋轉方向R傾斜，換言之，表示自各噴吐口61噴吐之DHF之噴吐方向之向量V61宜具有晶圓旋轉方向R之分量。藉此，可抑制晶圓W反彈衝擊晶圓W下表面之DHF(液體飛濺)，可不浪費噴吐之DHF而使大部分噴吐之DHF有效利用於處理晶圓W。又，藉由使DHF之噴吐方向具有晶圓W之旋轉方向分量，可減少暫時到達晶圓W之DHF自晶圓W落下而再附著V字形噴嘴60之棒狀部分60A。此因DHF自晶圓W落下易於發生在DHF到達晶圓W之時點及緊接在其後。大部分複數噴吐口61中，表示自噴吐口61噴吐之DHF之噴吐方向之向量V61宜具有晶圓旋轉方向R之分量，且向量V61宜朝與第1棒狀部分60A長邊方向正交之方向。惟最處於半徑方向外側之1個噴吐口(61”)或包含此之數個噴吐口61中，表示自該處噴吐之DHF之噴吐方向之向量V61亦可如以圖10A中賦予符號V61e之箭頭所示，具有朝半徑方向外側之分量。藉此，利用於處理之DHF自晶圓W順暢離開。且最處於半徑方向內側之1個或數個噴吐口61，特別是最處於半徑方向內側之1個噴吐口61， 中，表示自該處噴吐之DHF之噴吐方向之向量V61宜如以圖10A中賦予符號V61c之箭頭所示朝晶圓W中心。藉此，可防止於晶圓W中心產生未處理區域。
如圖12(a)所示，V字形噴嘴60之中央部分60C及第2棒狀部分60B中，1條IPA噴吐通道67b自IPA通路65b分別連接各噴吐口62，一條氮氣噴吐通道68b自氮氣通路66b分別連接各噴吐口62。IPA噴吐通道67b與氮氣噴吐通道68b於噴吐口62之部分匯流。
且若IPA自IPA通路65b經由IPA噴吐通道67b流動，氮氣自N通路66b經由氮氣噴吐通道68b流動，IPA流與氮氣流即會在IPA噴吐通道67b與氮氣噴吐通道68b之匯流點，亦即噴吐口62之位置碰撞，兩者混合，形成IPA及氮氣所構成之混合流體之液滴，亦即IPA霧靄。如圖12(b)所示，自噴吐口62噴吐之IPA霧靄呈扇狀擴散並同時朝上方噴吐。又，最處於半徑方向內側之1個或數個噴吐口62，特別是最處於半徑方向內側之1個噴吐口62’中，表示自該處噴吐之IPA霧靄之噴吐方向之向量V62宜如以圖10中賦予符號V62c之箭頭所示，朝晶圓W中心。
圖15所示之複數橢圓示意顯示自各噴吐口61、62噴吐之處理流體(DHF)到達晶圓W下表面之瞬間由處理流體所包覆之晶圓W下表面上的區域(以下亦稱「點」)。又，處理流體到達晶圓W下表面後，該處理流體對應晶圓W旋轉所造成之離心力、來自噴吐口61、62之處理流體之噴吐壓力等要因在晶圓W下表面上擴散。自噴吐口61、62朝斜上方噴吐處理流體，故點為橢圓。惟係IPA及氮氣所構成之IPA霧靄時，大致呈直徑相對較大之圓形。點中心之間隔P等於噴吐口61、62之配置間距。且處理流體會在噴吐後晶圓到達前擴散，故橢圓短軸(短軸與噴吐口配置方向一致)之長度B大於噴吐口61、62之直徑。又，橢圓長軸之長度A大幅大於噴吐口61、62之直徑。噴吐DHF等化學液時，就處理均一性之觀點而言，宜設計噴吐口61俾於鄰接之點產生既定長度L之重複部分。然而，形成鄰接之點之化學液若馬上融合，在鄰接之點間亦可無重複部分。
如圖10A所示，V字形噴嘴60包含呈V字形配置之第1棒狀部分60A與第2棒狀部分60B，而設有用來噴吐DHF之噴吐口61之第1棒狀部分60A配置於自用來噴吐IPA及氮氣所構成之IPA霧靄之第2棒狀部分60B起朝晶圓旋轉方向R恰前進(旋轉)小銳角(在此為30度)之位置。為維持V字形噴嘴60之潔淨度宜採取此配置。亦即，於晶圓下表面側空間內產生朝晶圓旋轉方向R前進之氣流，自噴吐口61、62噴吐之液體跟著該氣流流動。且自噴吐口61噴吐而到達晶圓W之DHF一部分因重力自晶圓W落下。若假設第1棒狀部分60A與第2棒狀部分60B之位置與圖示者相反，自第1棒狀部分60A噴吐之DHF及反應產物附著用來噴吐IPA及氮氣所構成之IPA霧靄之第2棒狀部分60B之可能性即會升高。供給用來進行乾燥之流體之第2棒狀部分60B不宜因DHF及反應產物被污染。因此，第2棒狀部分60B位於自第1棒狀部分60A恰朝晶圓旋轉方向R前進盡量大的角度(圖示例中為330度)之位置，換言之，第1棒狀部分60A位於自第2棒狀部分60B恰朝晶圓旋轉方向R前進盡量小的角度(圖示例中為30度)之位置有利。
基板清洗裝置10具有整合控制其整體動作之控制器100。控制器100控制基板清洗裝置10所有功能零件(例如旋轉驅動部39、昇降驅動部50、第1~第5流體供給機構70a~70e)之動作。控制器100可藉由作為硬體例如通用電腦，與作為軟體用來使該電腦動作之程式(裝置控制程式及處理配方等)實現。軟體收納於固定設於電腦之硬碟裝置等記憶媒體，或是收納於CDROM、DVD、快閃記憶體等以可裝卸之方式安裝於電腦之記憶媒體。如此之記憶媒體以參照符號106表示。處理器107因應所需根據來自未圖示之使用者介面之指示等自記憶媒體106呼叫既定處理配方以實行之，藉此基板清洗裝置10各功能零件在控制器100之控制下動作而進行既定處理。控制器100亦可係控制圖1所示之液體處理系統整體之系統控制器。
其次，說明關於使用上述基板清洗裝置10去除處於晶圓表面之自然氧化膜(SiO2膜)之清洗處理之一連串程序。
<晶圓送入及設置程序>
首先，藉由昇降機構使升降銷板20、處理流體供給管40及V字形噴嘴60位於如圖2B所示之上昇位置。其次，如圖2B之雙短劃虛線所示，藉由運送臂104自基板清洗裝置10外部運送晶圓W至基板清洗裝置10，載置此晶圓W在升降銷板20之升降銷22上。其次，昇降驅動部50令處理流體供給管40及V字形噴嘴60自上昇位置移動至下降位置。此時，藉由設於收納構件32內部之彈簧26的力對連接構件24恆常地施加朝下方的力，故與處理流體供給管40朝下方移動連動升降銷板20亦朝下方移動，升降銷板20自上昇位置移動至下降位置。且此時藉由升降銷板20下表面自如圖6所示之狀態朝下方推壓基板固持構件31之被推壓構件31c，藉此基板固持構件31以軸31a為中心朝圖6之逆時針方向旋轉。如此，基板固持構件31之基板固持部分31b自晶圓W側方朝該晶圓W移動(參照圖7)，藉由基板固持構件31及固定固持構件37自側方固持晶圓W(參照圖8)。此時藉由基板固持構件31及固定固持構件37自側方固持之晶圓W朝上方脫離升降銷22。又，晶圓W在被送入基板清洗裝置10內前已藉由反向器105(參照圖1)翻面，以此狀態由固持板30固持，俾其「表面」(形成圖案之面)為「下表面」，其「背面」(未形成圖案之面)為「上表面」。本說明書中，使用用語「上表面(下表面)」僅意指在某時點係朝上(下)之面。
<DHF清洗程序>
其次，藉由旋轉驅動部39使固持板30旋轉。此時，呈設置成自升降銷板20下表面朝下方延伸之各連接構件24由設置成自固持板30下表面朝下方延伸之各收納構件32收納之狀態，故固持板30旋轉時升降銷板20亦連動旋轉，晶圓W亦旋轉。又，此時，處理流體供給管40及連接此之V字形噴嘴60不旋轉而保持停止。其次，自DHF供給機構70a對DHF供給通道40a供給DHF。經供給之DHF自噴吐口61噴吐。藉由所供給之DHF去除晶圓W上的自然氧化膜，反應產物與DHF一齊因離心力在晶圓W下表面上朝半徑方向外側流動，朝晶圓W外側流出，藉由旋轉杯36承接之，朝下方改變方向，經由連接外杯56底部之排液管58排出之。此DHF清洗程序中，晶圓W下側為DHF氛圍，而晶圓W本身係用作為防止DHF氛圍朝晶圓W上方擴散之屏蔽，且晶圓W周圍由旋轉杯36及外杯56包圍，故DHF氛圍大致不會自由晶圓W下表面及外杯56內面包圍之空間朝外側擴散。且連接工廠排氣系(亦即處於微減壓狀態)之排液管58吸入處於由晶圓W下表面及外杯56內面包圍之空間內之DHF氛圍，與DHF廢液一齊將該DHF氛圍排出。因此，可防止或抑制DHF氛圍擴散至處理腔室內較晶圓W更上方的空間，可防止較晶圓更上方的處理腔室內壁及裝置零件暴露於DHF氛圍，因腐蝕而產生污染物質之原因物質。
<DIW潤洗程序>
實行DHF清洗程序既定時間後，停止自噴吐口61噴吐DHF。接著，持續令晶圓W旋轉，直接自DIW供給機構70d對DIW供給通道40d以相對較大流量(例如每分鐘1500ml)供給DIW，自處於V字形噴嘴60中央部分60C之噴吐口63朝晶圓W中心部噴吐DIW。DIW因離心力在晶圓W下表面上朝半徑方向外側流動，朝晶圓W外側流出，藉由旋轉杯36承接之，朝下方改變方向，經由連接外杯56底部之排液管58排出。藉由於晶圓W下表面上朝半徑方向外側流動之DIW沖走殘留在晶圓W下表面上的DHF及反應產物等。
<IPA取代程序>
實行DIW潤洗程序既定時間後，停止自噴吐口63噴吐DIW。接著，持續使晶圓W旋轉，直接自IPA供給機構70b對IPA供給通道40b供給IPA，且自第1氮氣供給機構70c對第1氮氣供給通道40c供給氮氣。經供給之IPA及氮氣如圖12(b)所示在緊接噴吐口62前混合，作為經霧靄化之IPA與氮氣之混合流體所構成之IPA霧靄朝晶圓W下表面噴吐。藉此，以由大致經均等配置在自與旋轉之晶圓中央部對向之位置至與晶圓周緣部對向之位置之間之複數噴吐口62所噴吐之IPA霧靄在晶圓W全域均一且迅速地取代晶圓W下表面上的DIW，馬上在晶圓W下表面上形成均一IPA液膜。又，此IPA取代程序中係使用氮氣霧靄化IPA，故可降低晶圓W下方空間之氧濃度及濕度，藉此提升潤洗液(DIW)與IPA之取代效率，故可抑制產生水漬。且就在下一程序之氮氣旋轉乾燥程序開始時於晶圓W下方空間已形成低氧濃度及低濕度環境之特點而言亦有利。
<氮氣旋轉乾燥程序>
實行IPA取代程序既定時間後，停止自噴吐口62噴吐IPA。接著，持續使晶圓W旋轉(宜增大旋轉速度)，直接自第2氮氣供給機構70e對第2氮氣供給通道40e供給氮氣，自處於V字形噴嘴60中央部分60C之噴吐口64朝晶圓W中心部噴吐氮氣。藉此，產生自晶圓中心部朝周緣部擴散之氮氣流，藉由此氮氣流去除殘留在晶圓W下表面上的IPA。如先前與DHF清洗程序關聯而說明者，晶圓W本身係用作為防止晶圓W下方氛圍朝晶圓W上方擴散之屏蔽，且晶圓W周圍由旋轉杯36及外杯56包圍，故晶圓下方氛圍大致不會自由晶圓W下表面及外杯56內面包圍之空間朝外側擴散。且連接工廠排氣系(亦即處於微減壓狀態)之排液管58吸入由晶圓W下表面及外杯56內面包圍之空間內之氛圍。因此，若自噴吐口64供給氮氣，晶圓W下方空間即可輕易由氮氣環境，亦即低氧低濕度環境取代。因此可更有效地防止產生水漬。又，本實施形態中，覆蓋晶圓W下表面全域(大小大致與晶圓W相同)之板狀體亦即升降銷板20與晶圓W相對。因此，區畫出由晶圓W下表面、升降銷板20上表面、旋轉杯36內面包圍之小容積空間。更易於將如此之小容積空間取代成氮氣環境。因此，可更有效地防止水漬產生。
<晶圓送出程序>
氮氣旋轉乾燥程序一旦結束，晶圓W旋轉即停止。接著，昇降驅動部50令處理流體供給管40及V字形噴嘴60自下降位置移動至上昇位置。此時，藉由各第2連動構件46將各連接構件24朝上方托高，與處理流體供給管40朝上方移動連動升降銷板20亦朝上方移動，升降銷板20自下降位置移動至上昇位置。且此時因彈簧構件31d對基板固持構件31之推壓力基板固持構件31以軸31a為中心朝圖6順時針方向(圖6中與箭頭相反之方向)旋轉。藉此，基板固持構件31朝側方脫離晶圓W。因基板固持構件31朝側方脫離晶圓W，藉由升降銷22自背面支持此晶圓W。如圖2B所示升降銷板20、處理流體供給管40及V字形噴嘴60到達上昇位置後，藉由運送臂104自該升降銷22上去除被載置在升降銷22上的晶圓W。將藉由運送臂104所取出之晶圓W送出至基板清洗裝置10外部，藉由反向器105翻轉表面背面。
又，在噴吐通道67a、67b、68b中，係氣體之氮氣流通之氮氣噴吐通道68b內，切斷對該氮氣噴吐通道68b供給氮氣時，噴嘴外部之氛圍易於侵入該氮氣噴吐通道68b內。又，液體流通之噴吐通道中，即使切斷對噴吐通道液體之流通液體亦殘留在該噴吐通道內故無如此之問題。例如，DHF若侵入氮氣噴吐通道68b內，即會減損其後噴吐之IPA及氮氣所構成之IPA霧靄的潔淨度而不佳。為防止如此事態發生，宜始終令微量氮氣於氮氣噴吐通道68b流通，微量氮氣始終自噴吐口62流出。又，就相同觀點而言，為維持噴吐口64內之潔淨度，自噴吐口64亦宜始終流出微量氮氣。
依上述實施形態，IPA取代程序中IPA霧靄之供給係藉由具有配置在與晶圓W中心部對向之位置及與晶圓W周緣部對向之位置之間之複數噴吐口62，設於晶圓W下方之噴嘴進行，故可將處於晶圓W下表面上的DIW在晶圓W全域均一且迅速地取代成IPA。且各程序，特別是氮氣旋轉乾燥程序中，晶圓W下方空間由液體處理裝置之構成構件(特別是升降銷板22、旋轉杯36)包圍，故易於將晶圓W下方空間維持成所希望之環境。亦即，係化學液體處理程序之DHF清洗程序中，可將化學液氛圍封閉在晶圓W下方空間，且在氮氣旋轉乾燥程序中，可維持晶圓W下方空間亦即面對晶圓處理對象面之空間為低氧低濕度環境。
且依上述實施形態，對晶圓W下表面供給IPA霧靄(液滴)，故可提升IPA利用效率。亦即，IPA取代程序中，一部分IPA霧靄氣化而成IPA蒸氣，而IPA蒸氣較空氣輕，故存在於晶圓下表面上或是晶圓下方空間之IPA氣化時，IPA蒸氣會朝晶圓W下表面上昇，附著晶圓而可利用來取代DIW。且特別是上述實施形態中，設有與晶圓下表面對向之升降銷板20，且晶圓周圍由旋轉杯36包圍。升降銷板20防止IPA自晶圓下方空間散逸，故附著升降銷板20之IPA若氣化即可利用其來取代DIW。對旋轉杯36亦可期待其具有相同功能。且晶圓下方空間由晶圓W、升降銷板20及旋轉杯36包圍，故易於以少量IPA形成相對較高濃度之IPA氛圍。
且依上述實施形態，使用具有順著自與晶圓W中央部對向之位置至與基板周緣部對向之位置之間配置，分別自其噴吐相同處理流體之複數噴吐口61(62)之噴嘴，故可以高面內均一性處理晶圓W下表面。
且上述實施形態中，升降銷板20、處理流體供給管40及V字形噴嘴60相對於固持板30昇降，自下方支持晶圓W之升降銷22設於升降銷板20。因此，相較於如以往用來使升降銷22通過之穿通孔形成於底板，升降銷22通過該穿通孔退避至底板下方時，晶圓W乾燥後清洗液不殘留於升降銷22，藉此可防止液體處理後處理液附著晶圓W背面。此因對晶圓W進行乾燥處理時，升降銷22與升降銷板20一體旋轉。且藉由升降銷22與升降銷板20一體旋轉，可抑制處理液液滴殘留於升降銷22，藉此可更防止處理液液滴附著處理後晶圓W之背面。且V字形噴嘴60之中央部分60C可封閉升降銷板20之穿通孔20a。因此，可防止處理液進入用來使處理流體供給管40通過之穿通孔20a。且上述實施形態中，可令處理流體供給管40及V字形噴嘴60與升降銷板20一體昇降，故處理流體供給管40及升降銷板20昇降時V字形噴嘴60之中央部分60C封閉升降銷板20之穿通孔20a，故可更防止處理液進入穿通孔20a。
且上述實施形態中，旋轉杯36設於固持板30，故對晶圓W進行液體處理時可防止處理液自旋轉之晶圓W朝外方飛散。且基板固持構件31設於固持板30，故使晶圓W旋轉時可自側方支持晶圓W，藉此可更穩定地固持晶圓W。
上述實施形態可例如下述般改變。
上述實施形態中，依序進行藉由DHF進行之化學液清洗程序、DIW潤洗程序、藉由噴吐IPA及氮氣所構成之二流體進行之IPA取代程序、氮氣旋轉乾燥程序，藉此去除自然氧化膜。然而，依上述實施形態藉由基板處理裝置所實施之處理不限定於此。化學液清洗程序中，亦可進行DHF以外之化學液清洗。且化學液清洗程序亦可係光阻去除程序。
雖就處理均一性及節約處理液之觀點而言作為對晶圓下表面供給化學液之噴嘴宜使用如圖示者，但不限定於此。例如，亦可維持用來供給IPA及氮氣所構成之二流體噴霧之第2棒狀部分60B，另一方面直接刪除DHF供給用之第1棒狀部分60A，代之以自設於噴嘴中央部分60C之化學液噴吐口噴吐DHF。此時化學液(DHF)之消耗量雖增加，但可實行化學液體處理。
上述實施形態中，作為係固持晶圓並使晶圓旋轉之機構之所謂「旋轉吸盤」之基板固持部，使用包含升降銷板20、與旋轉杯36一體化之固持板30之形式者。然而，依上述實施形態之V字形噴嘴60可與只要係固持基板周緣之形式者即可係各種形式之旋轉吸盤組合建構液體處理裝置。
A、B、L．．．長度
P．．．間隔
R．．．晶圓旋轉方向(箭頭)
V61c、V61e、V62c．．．符號
V61、V62．．．向量
W．．．半導體晶圓(基板)
Wc．．．中央
10．．．基板清洗裝置
20．．．升降銷板(基板固持部)
20a、30a、30b．．．穿通孔
20b．．．突起部
22、22a、22a’、22b、22b’．．．升降銷
24．．．連接構件
26．．．彈簧
30．．．固持板(基板固持部)
31．．．基板固持構件
31a．．．軸
31b．．．基板固持部分
31c．．．被推壓構件
31d．．．彈簧構件
32．．．收納構件
33．．．軸承部
33a．．．軸承孔
33b．．．內壁面
34．．．旋轉軸
36．．．旋轉杯
37．．．固定固持構件
38、52．．．連接構件
39．．．旋轉驅動部
40．．．處理流體供給管
40a．．．DHF(稀氫氟酸)供給通道(流體供給通道)
40b．．．IPA(異丙醇)供給通道(流體供給通道)
40c．．．第1氮氣供給通道(流體供給通道)
40d．．．DIW(純水)供給通道(流體供給通道)
40e．．．第2氮氣供給通道(流體供給通道)
41．．．頭部
44、46．．．連動構件
50．．．昇降驅動部
56．．．外杯
58．．．排液管
60．．．噴嘴(V字形噴嘴)
60A．．．噴嘴之第1棒狀部分
60B．．．噴嘴之第2棒狀部分
60C．．．噴嘴之中央部分
61．．．第1噴吐口
62．．．第2噴吐口
63．．．第3噴吐口
64．．．第4噴吐口
61’、61”、62’．．．噴吐口
63a、64a、67a、67b、68a、68b．．．噴吐通道
65a．．．流體通路(DHF通路)
65b．．．流體通路(IPA通路)
66b．．．流體通路(氮氣通路)
70a．．．DHF供給機構(流體供給機構)
70b．．．IPA供給機構(流體供給機構)
70c．．．第1氮氣供給機構(流體供給機構)
70d．．．DIW供給機構(流體供給機構)
70e．．．第2氮氣供給機構(流體供給機構)
71a．．．DHF供給源
71b．．．IPA供給源
71c、71e．．．氮氣供給源
71d．．．DIW供給源
72a~72e．．．可變節流閥
73a~73e．．．開合閥
74a~74e．．．管路
100．．．控制器
101．．．載置台
102、104．．．運送臂
103．．．架座單元
105．．．反向器
106．．．記憶媒體(參照符號)
107．．．處理器
圖1係自上方觀察包含依本發明實施形態之基板清洗裝置之液體處理系統之上方俯視圖。
圖2A係顯示本發明實施形態基板清洗裝置構成之縱剖面圖，顯示升降銷板及清洗液供給管處於下降位置時之狀態。
圖2B係顯示本發明實施形態基板清洗裝置構成之縱剖面圖，顯示升降銷板及清洗液供給管處於上昇位置時之狀態。
圖2C係自上方觀察顯示如圖2A所示般藉由基板支持部及固定固持部所固持晶圓之狀態的圖2A中的基板清洗裝置之俯視圖。
圖3係顯示圖2A及圖2B所示基板清洗裝置升降銷板構成之立體圖。
圖4係顯示圖2A及圖2B所示基板清洗裝置固持板構成之立體圖。
圖5係顯示圖2A及圖2B所示之基板清洗裝置中，自升降銷板朝下方延伸之連接構件，及自固持板朝下方延伸，收納連接構件之中空收納構件構成之詳細情形之放大縱剖面圖。
圖6係顯示圖2A及圖2B所示基板清洗裝置中設於固持板之基板支持部構成之放大縱剖面圖。
圖7係顯示自圖6所示之狀態升降銷板朝下方移動時之狀態之放大縱剖面圖。
圖8係顯示自圖7所示之狀態升降銷板更朝下方移動時之狀態之放大縱剖面圖。
圖9係顯示圖2A及圖2B所示基板清洗裝置之處理流體供給管及V字形噴嘴以及使此等者昇降之昇降機構構成之立體圖。
圖10A係顯示V字形噴嘴之俯視圖。
圖10B係用來說明在升降銷板與運送臂之間傳遞晶圓時V字形噴嘴、升降銷及運送臂之位置關係之概略俯視圖。
圖11係說明關於V字形噴嘴第1棒狀部分之構造及作用圖，(a)係顯示圖10A中沿XIa-XIa線之第1棒狀部分內部構造之剖面圖，(b)係顯示自第1棒狀部分噴吐DHF之情形之作用圖。
圖12係說明關於V字形噴嘴第2棒狀部分之構造及作用圖，(a)係顯示圖10A中沿XIIa-XIIa線第2棒狀部分內部構造之剖面圖，(b)係顯示自第2棒狀部分噴吐混合IPA及氮氣而成之霧靄狀二流體之情形之作用圖。
圖13係說明V字形噴嘴中央部分構造，圖10A中沿XIII-XIII線之剖面圖。
圖14係說明V字形噴嘴中央部分構造，圖10A中沿XVI-XVI線之剖面圖。
圖15係說明自V字形噴嘴噴吐之處理液於晶圓下表面形成之點之概略俯視圖。
W．．．半導體晶圓(基板)
20．．．升降銷板(基板固持部)
20b．．．突起部
22．．．升降銷
24．．．連接構件
26．．．彈簧
30．．．固持板(基板固持部)
30a．．．穿通孔
31．．．基板固持構件
32．．．收納構件
33．．．軸承部
34．．．旋轉軸
36．．．旋轉杯
37．．．固定固持構件
38、52．．．連接構件
39．．．旋轉驅動部
40．．．處理流體供給管
40a．．．DHF(稀氫氟酸)供給通道(流體供給通道)
40b．．．IPA(異丙醇)供給通道(流體供給通道)
40c．．．第1氮氣供給通道(流體供給通道)
40d．．．DIW(純水)供給通道(流體供給通道)
40e．．．第2氮氣供給通道(流體供給通道)
41．．．頭部
44、46．．．連動構件
50．．．昇降驅動部
56．．．外杯
58．．．排液管
60．．．噴嘴(V字形噴嘴)
60A．．．噴嘴之第1棒狀部分
60B．．．噴嘴之第2棒狀部分
60C．．．噴嘴之中央部分
70a．．．DHF供給機構(流體供給機構)
70b．．．IPA供給機構(流體供給機構)
70c．．．第1氮氣供給機構(流體供給機構)
70d．．．DIW供給機構(流體供給機構)
70e．．．第2氮氣供給機構(流體供給機構)
71a．．．DHF供給源
71b．．．IPA供給源
71c、71e．．．氮氣供給源
71d．．．DIW供給源
72a~72e．．．可變節流閥
73a~73e．．．開合閥
74a~74e．．．管路
100．．．控制器
106．．．記憶媒體(參照符號)
107．．．處理器

Claims (4)

  1. 一種液體處理裝置，包含：基板固持部，具有固持基板周緣部之固持構件，用以水平固持基板；旋轉驅動部，使該基板固持部旋轉；及噴嘴，設在由該基板固持部所固持之基板下表面下方，其中包含：第1噴吐口，對由該基板固持部所固持之基板下表面噴吐化學液；複數之第2噴吐口，對由該基板固持部所固持之基板下表面噴吐包含IPA(異丙醇)及氮氣之霧靄；第3噴吐口，對由該基板固持部所固持之基板下表面噴吐DIW(純水)；及第4噴吐口，對由該基板固持部所固持之基板下表面噴吐氮氣；且該複數之第2噴吐口係配置在與由該基板固持部所固持之基板中心部對向之位置及與該基板周緣部對向之位置之間，在該各第2噴吐口的位置，將IPA供給至該第2噴吐口的IPA噴吐通道與將氮氣供給至該第2噴吐口的氮氣噴吐通道匯流，藉此使得IPA與氮氣碰撞而形成從第2噴吐口朝向上方噴吐的IPA霧靄。
  2. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，該基板固持部具有與基板下表面相對之板狀體。
  3. 如申請專利範圍第2項之液體處理裝置，其中，於該基板固持部設有與該基板固持部一體旋轉之旋轉杯。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之液體處理裝置，其中，更包含控制液體處理裝置動作之控制部，俾實行下述液體處理方法，該方法包含：固持基板並使其旋轉，使其處理對象面為下表面；將DIW供給至該基板下表面，以對該基板施行潤洗處理；及 其後，對該基板下表面供給包含IPA及氮氣之霧靄，以IPA取代該DIW。
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