CN106955864A - 单晶硅片清洗装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种单晶硅片清洗装置，在环状机架上设有输送轨道，输送轨道上设有多个单晶硅片输送托架，输送轨道包括输送直道、与输送直道相连接的输送斜波道以及环状机架两端的环形输送道，在环状机架的直线段设有清洗室和干燥室，清洗室内设有多个倾斜下沉清洗槽，倾斜下沉清洗槽两端均设有槽内输送斜波段；清洗室顶部在内输送斜波段上方位置处设有多个可升降调节的上喷淋管，在环状机架的一个环状端处设有多个环端倾斜下沉清洗槽，多个倾斜下沉清洗槽内和多个环端倾斜下沉清洗槽底部均设有超声波清洗结构和加热结构；更有效更彻底的进行清洗去除单晶硅片表面残污及花片现象，清洗效率高，清洗更加省时省力，清洗质量高。

Description

单晶硅片清洗装置
技术领域
本发明涉及一种单晶硅片生产装置，尤其是涉及一种使用在单晶硅片生产流程中的单晶片清洗装置。
背景技术
单晶硅片生产过程中必须经过清洗，避免因污染导致器件失效现象发生。清洗的目的在于清除表面有机物或无机物污染杂质。而目前多数厂家在对单晶硅片进行清洗处理时，要么是容易存在着单晶硅片表面残污花片等现象，要么是所使用的清洗装置在清洗流程处理中存在着清洗装置设计合理性较差，清洗效率低，清洗费时费力，清洗质量效果较差等现象。
发明内容
本发明为解决现有单晶硅片在使用清洗装置进行清洗处理时，存在着单晶硅片表面残污花片等现象，要么是所使用的清洗装置在清洗流程处理中存在着清洗装置设计合理性较差，清洗效率低，清洗费时费力，清洗质量效果较差等现状而提供的一种可更有效更彻底的进行清洗去除单晶硅片表面残污及花片现象，清洗效率高，清洗更加省时省力，提高清洗质量，清洗装置设计更加合理的单晶硅片清洗装置。
本发明为解决上述技术问题所采用的具体技术方案为：一种单晶硅片清洗装置，包括清洗槽，其特征在于：还包括环状清洗机架，环状清洗机架上设有输送轨道，输送轨道上设有多个单晶硅片输送托架，输送轨道包括输送直道、与输送直道相连接的输送斜波道以及环状机架两端的环形输送道，在环状清洗机架的直线段设有清洗室，环状清洗机架的在另一直线段处设有干燥室，清洗室内设有多个倾斜下沉清洗槽，输送轨道输送经过清洗室，倾斜下沉清洗槽内的槽内输送轨道具有槽内输送直道和槽内输送斜波段，倾斜下沉清洗槽两端均设有槽内输送斜波段，槽内输送斜波段高端头与上输送直道相连接，相邻倾斜下沉清洗槽相互间由上输送直道相输送连接；清洗室顶部设有多个上喷淋管，多个上喷淋管在清洗室内的高度采用可升降调节的结构方式，多个上喷淋管分别设置在内输送斜波段上方位置处，多个倾斜下沉清洗槽内底部均设有超声波清洗结构和加热结构；在环状清洗机架的一个环状端处设有多个环端倾斜下沉清洗槽，多个环端倾斜下沉清洗槽内底部均设有超声波清洗结构和加热结构。清洗室内的多个倾斜下沉清洗槽可根据实际清洗需求在每个独立清洗槽内放置不同的清洗剂或漂洗剂，倾斜下沉清洗槽结构及上喷淋结构、超声波清洗结构的相互结合并配以环状输送清洗结构，可更大程度上的提高对单晶硅片的清洗质量，在随着内输送斜波段的倾斜下降或倾斜上升过程中，使得超声波清洗与喷淋清洗及漂洗得到有效充分的有机自然结合，上升过程可有效将对应的清洗剂及单晶硅片上的污物得到进一步的喷淋清洗去除，同时更具有过渡清洗效果，同时倾斜下沉清洗槽结构也可使得各清洗槽内的加热结构得到相互间的自然隔离冷却，相邻清洗槽间温度影响性低，对必要进行加热清洗的可启动加热结构以提升清洗槽内的清洗温度，可更有效更彻底的进行清洗去除单晶硅片表面残污及花片现象，清洗效率高，清洗更加省时省力，提高清洗质量，清洗装置设计更加合理。单晶硅片放置在输送轨道上之后，便可自动完成整个清洗流程，无需更多的设备及人工成本投入，清洗自动化程度高，清洗效率高清洗质量高。
作为优选，所述的上喷淋管的喷嘴采用射流喷嘴与扇形喷嘴相组合排列的安装结构方式。提高喷淋清洗效果。
作为优选，所述的清洗室内顶部设有抽风机。提高对清洗室内产生的各种雾气及污染物的抽取排放效果。
作为优选，所述的槽内输送斜波段的倾斜输送角度为10～30º。提高下降或上升过程中的喷淋清洗效果及其输送稳定可靠性。
作为优选，所述的多个倾斜下沉清洗槽内的清洗液高度低于槽内输送斜波段高端1/3～1/2位置处。提高下降或上升过程中的喷淋清洗效果。
作为优选，所述的清洗室设有自动电动门和观察窗。
作为优选，多个环端倾斜下沉清洗槽上方设有环端上封盖。提高对环端清洗处的封盖防护效果。
本发明的有益效果是：清洗室内的多个倾斜下沉清洗槽可根据实际清洗需求在每个独立清洗槽内放置不同的清洗剂或漂洗剂，倾斜下沉清洗槽结构及上喷淋结构、超声波清洗结构的相互结合并配以环状输送清洗结构，可更大程度上的提高对单晶硅片的清洗质量，在随着内输送斜波段的倾斜下降或倾斜上升过程中，使得超声波清洗与喷淋清洗及漂洗得到有效充分的有机自然结合，上升过程可有效将对应的清洗剂及单晶硅片上的污物得到进一步的喷淋清洗去除，同时更具有过渡清洗效果，同时倾斜下沉清洗槽结构也可使得各清洗槽内的加热结构得到相互间的自然隔离冷却，相邻清洗槽间温度影响性低，对必要进行加热清洗的可启动加热结构以提升清洗槽内的清洗温度，可更有效更彻底的进行清洗去除单晶硅片表面残污及花片现象，清洗效率高，清洗更加省时省力，提高清洗质量，清洗装置设计更加合理。单晶硅片放置在输送轨道上之后，便可自动完成整个清洗流程，无需更多的设备及人工成本投入，清洗自动化程度高，清洗效率高清洗质量高。
附图说明：
下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步的详细说明。
图1是本发明单晶硅片清洗装置的结构示意图。
图2是本发明单晶硅片清洗装置的俯视结构示意图。
具体实施方式
图1、图2所示的实施例中，一种单晶硅片清洗装置，包括清洗槽，还包括环状清洗机架，环状清洗机架10上安装有输送轨道11，输送轨道上安装有多个单晶硅片输送托架12，输送轨道11包括输送直道、与输送直道相连接的输送斜波道以及环状清洗机架两端的环形输送道，在环状清洗机架的直线段安装有清洗室20，环状清洗机架的在另一直线段处设有干燥室50，清洗室内安装有多个倾斜下沉清洗槽30，输送轨道11输送经过清洗室20，倾斜下沉清洗槽30内的槽内输送轨道具有槽内输送直道和槽内输送斜波段，倾斜下沉清洗槽两端均设有槽内输送斜波段31，槽内输送斜波段高端头与上输送直道相连接，相邻倾斜下沉清洗槽相互间由上输送直道相输送连接；清洗室20顶部安装有多个上喷淋管21，多个上喷淋管21在清洗室内的高度采用可升降调节的结构方式，多个上喷淋管21分别对应安装在内输送斜波段31上方位置处，多个倾斜下沉清洗槽内底部均安装有超声波清洗结构和加热结构；在环状清洗机架的一个环状端13处设有多个环端倾斜下沉清洗槽30，多个环端倾斜下沉清洗槽30内底部均设有超声波清洗结构和加热结构。多个环端倾斜下沉清洗槽30内具有环端输送斜波段41。上喷淋管21的喷嘴采用射流喷嘴与扇形喷嘴相组合排列的安装结构方式。上喷淋管与喷淋泵24相连接。清洗室内顶部安装有抽风机22。槽内输送斜波段的倾斜输送角度为15º。当然也可以是槽内输送斜波段的倾斜输送角度为10～30º。多个倾斜下沉清洗槽内的清洗液高度低于槽内输送斜波段高端1/3～1/2位置处。清洗室设有自动电动门23和观察窗，自动电动门23包括安装在清洗室侧面的侧自动电动门和安装在与输送直道平行方向的正面自动电动门，观察窗设在正面自动门上。
以上内容和结构描述了本发明产品的基本原理、主要特征和本发明的优点，本行业的技术人员应该了解。上述实例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都属于要求保护的本发明范围之内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (7)

1.一种单晶硅片清洗装置，包括清洗槽，其特征在于：还包括环状清洗机架，环状清洗机架上设有输送轨道，输送轨道上设有多个单晶硅片输送托架，输送轨道包括输送直道、与输送直道相连接的输送斜波道以及环状机架两端的环形输送道，在环状清洗机架的直线段设有清洗室，环状清洗机架的在另一直线段处设有干燥室，清洗室内设有多个倾斜下沉清洗槽，输送轨道输送经过清洗室，倾斜下沉清洗槽内的槽内输送轨道具有槽内输送直道和槽内输送斜波段，倾斜下沉清洗槽两端均设有槽内输送斜波段，槽内输送斜波段高端头与上输送直道相连接，相邻倾斜下沉清洗槽相互间由上输送直道相输送连接；清洗室顶部设有多个上喷淋管，多个上喷淋管在清洗室内的高度采用可升降调节的结构方式，多个上喷淋管分别设置在内输送斜波段上方位置处，多个倾斜下沉清洗槽内底部均设有超声波清洗结构和加热结构；在环状清洗机架的一个环状端处设有多个环端倾斜下沉清洗槽，多个环端倾斜下沉清洗槽内底部均设有超声波清洗结构和加热结构。
2.按照权利要求1所述的单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述的上喷淋管的喷嘴采用射流喷嘴与扇形喷嘴相组合排列的安装结构方式。
3.按照权利要求1所述的单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述的清洗室内顶部设有抽风机。
4.按照权利要求1所述的单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述的槽内输送斜波段的倾斜输送角度为10～30º。
5.按照权利要求1所述的单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述的多个倾斜下沉清洗槽内的清洗液高度低于槽内输送斜波段高端1/3～1/2位置处。
6.按照权利要求1或3所述的单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述的清洗室设有自动电动门和观察窗。
7.按照权利要求1所述的单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述的多个环端倾斜下沉清洗槽上方设有环端上封盖。
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