TWI493663B - 封裝、振動元件、發振器及電子機器 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種封裝、於該封裝內包括振動片之振動元件、發振器及電子機器。
先前，作為壓電振動元件等壓電器件、或半導體元件等中所使用之封裝，已知有如下構成之封裝：於使用陶瓷系材料構成為單層之平板狀之封裝基體設置內部電極，且該內部電極、與設置於封裝基體之底面之外部電極經由貫通封裝基體之導電線路而連接(例如，參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利特開平9-283650號公報
上述封裝中，為降低製造成本，封裝基體(以下稱為基底部)成為單層之平板狀。
然而，上述封裝為設置於基底部之內部電極、與設置於基底部之底面之外部電極經由貫通基底部之導電線路(以下稱為通孔)而連接之構成。
藉此，與無通孔之構成相比，上述封裝至少必需用以設置貫通基底部之通孔之工時、及為確保封裝之氣密性而向通孔中填充導電體之工時。
其結果為，上述封裝存在製造成本之降低不足夠之問題。
因此，關於為進一步降低製造成本而不設置上述封裝之通孔之對策，考慮有如下之構成：將設置於基底部之全周且使用有金屬化層之接合材替換為絕緣性者，將配線向基底部之外周引出，經由基底部之側面而將內部電極與外部電極連接。
然而，於該構成之封裝中，必定產生接合材與配線交叉之(接合材重疊於配線上之)部分(交叉部)。
藉此，該構成之封裝有產生如下之新問題之虞：例如於接合材使用具有絕緣性之低熔點玻璃之情形時，於上述交叉部處與通常所使用之W、Mo等金屬之金屬化層上積層有Ni基礎層、Au被覆層之配線的密接性較差，而無法確保封裝之氣密性。
本發明係為解決上述課題之至少一部分而完成者，可作為以下之形態或應用例加以實現。
[應用例1]本應用例之封裝之特徵在於：包括基材為單層之平板狀之基底部、具有凹部且以該凹部之開口側覆蓋上述基底部之蓋部、及設置於上述基底部之一主面之全周且將上述基底部與上述蓋部接合之包含低熔點玻璃的接合材，於上述基底部之上述一主面設置有內部電極，於上述基底部之另一主面設置有外部電極，至少一組之上述內部電極與上述外部電極藉由經由將上述基底部之上述一主面與上述另一主面相連之側面被引繞至上述一主面及上述另一主面之配線而彼此連接，上述配線包含含有玻璃成分之Ag-Pd合金而成，且於上述一主面上與上述接合材交叉。
藉此，封裝中，於基底部之一主面設置有內部電極，於另一主面設置有外部電極，至少一組之內部電極與外部電極藉由經由將基底部之一主面與另一主面相連之側面被引繞至一主面及另一主面之配線而彼此連接。而且，配線包含含有玻璃成分之Ag-Pd合金而成，且於一主面上與包含低熔點玻璃之接合材交叉(重疊)。
藉此，封裝中，於內部電極與外部電極之連接時無需先前構造中必需之通孔，因此與先前構造相比，可削減製造工時。其結果為，封裝可實現低成本化。
此外，封裝中，接合材包含低熔點玻璃，配線包含含有玻璃成分之Ag-Pd合金而成，因此兩者之配合性較佳，接合材與配線之交叉部處之密接性極其良好。
藉此，封裝可遍及包含上述交叉部在內之全周充分地確保內部之氣密性。
[應用例2]上述應用例之封裝中較佳為，上述基底部之平面形狀為大致矩形，上述配線在位於上述基底部之一對角之第1角部及第2角部處與上述接合材交叉。
藉此，封裝中，基底部之平面形狀為大致矩形，配線在位於基底部之一對角之第1角部及第2角部處與接合材交叉。
因此，例如與配線於基底部之相鄰之角部處與接合材交叉之情形相比，封裝可使蓋部於傾斜較少且穩定之狀態下與基底部接合。
其結果為，封裝可確實地確保內部之氣密性。
[應用例3]上述應用例2之封裝中較佳為，其他上述配線在位於上述基底部之另一對角之第3角部及第4角部處與上述接合材交叉。
藉此，由於封裝之其他配線在位於基底部之另一對角之第3角部及第4角部處與接合材交叉，故而於基底部之第1角部~第4角部之所有角部處配線與接合材交叉。
藉此，與應用例3相比，封裝可使蓋部於更穩定之狀態下與基底部接合。
其結果為，封裝可更確實地確保內部之氣密性。
[應用例4]上述應用例之封裝中較佳為，上述配線與上述接合材正交。
藉此，由於封裝中配線與接合材正交，故而兩者之交叉部之長度成為最短距離。
藉此，與配線與接合材傾斜交叉而兩者之交叉部之長度變長之情形相比，封裝可抑制因兩者之交叉所引起之例如氣密性不足等不良狀況之發生。
[應用例5]本應用例之振動元件之特徵在於包括：上述應用例之任一例之封裝、及收容於上述封裝內之振動片。
藉此，由於振動元件包括上述應用例之任一例之封裝、及收容於封裝內之振動片，故而可提供發揮上述應用例之任一例中所記載之效果之振動元件。
[應用例6]本應用例之發振器之特徵在於包括：上述應用例之任一例之封裝、收容於上述封裝內之振動片、及使上述振動片發振之發振電路。
藉此，由於發振器包括上述應用例之任一例之封裝、收容於封裝內之振動片、及使振動片發振之發振電路，故而可提供發揮上述應用例之任一例中所記載之效果之發振器。
[應用例7]本應用例之電子機器之特徵在於包括上述應用例之振動元件或發振器。
藉此，由於電子機器包括上述應用例之振動元件或發振器，故而可提供發揮上述應用例中所記載之效果之電子機器。
以下，參照圖式對將本發明具體化之實施形態進行說明。
(第1實施形態)
首先，對作為振動元件之一例之晶體振動元件進行說明。
圖1係表示第1實施形態之晶體振動元件之概略構成之模式圖。圖1(a)係自蓋部側俯瞰之正面俯視圖，圖1(b)係圖1(a)之A-A線處之剖面圖，圖1(c)係自蓋部側透視之背面俯視圖。再者，正面俯視圖中省略了蓋部。又，各構成要素之尺寸比例與實際不同。
如圖1所示，晶體振動元件1包括作為振動片之晶體振動片10、及收容晶體振動片10之封裝20。
晶體振動片10為自水晶之原石等以特定之角度所切出之AT切割型，平面形狀形成為大致矩形，且包括進行厚度切變振動(thickness-shear vibration)之振動部11、及與振動部11連接之基部12。
晶體振動片10係於基部12形成有自形成於振動部11之一主面13及另一主面14之激振電極15、16引出之引出電極15a、16a。
引出電極15a係自一主面13之激振電極15，沿晶體振動片10之長度方向(紙面左右方向)向基部12引出，經由基部12之側面繞入另一主面14，並延伸至另一主面14之激振電極16之附近為止。
引出電極16a係自另一主面14之激振電極16，沿晶體振動片10之長度方向朝基部12引出，經由基部12之側面繞入一主面13，並延伸至一主面13之激振電極15之附近為止。
激振電極15、16及引出電極15a、16a例如為以Cr為基礎層且於其上積層有Au之構成之金屬覆膜。
封裝20包括：平板狀之基底部21，其基材(成為主體之材料)為單層且平面形狀為大致矩形；蓋部22，其具有形成有內部空間S之凹部22a，且凹部22a之開口側覆蓋基底部21；及接合材23，其設置於基底部21之一主面21a之外周部之全周，將基底部21與蓋部22接合且包含低熔點玻璃。
對於基底部21，使用有單層之將陶瓷生片成形並煅燒而成之氧化鋁質燒結體、水晶、玻璃、矽等。
對於蓋部22，使用有與基底部21相同之材料、或者科伐合金(Fe-Ni-Co合金)、42合金(Fe-Ni合金)、SUS304(不鏽鋼)等金屬。
基底部21係於一主面21a，設置有支持收容於封裝20之內部(內部空間S)之晶體振動片10之大致矩形狀的內部電極24、25，且於另一主面21b，以沿各角部之方式設置有安裝於電子機器等外部構件時所使用之大致矩形狀之外部電極26、27、28、29。
內部電極24與外部電極26藉由配線24a而彼此連接，該配線24a係經由將基底部21之一主面21a與另一主面21b相連之側面21c，被引繞至一主面21a及另一主面21b。
另一方面，內部電極25與外部電極27藉由配線25a而彼此連接，該配線25a係經由將基底部21之一主面21a與另一主面21b相連之側面21d，被引繞至一主面21a及另一主面21b。
藉此，配線24a、25a在位於基底部21之一對角之第1角部21e及第2角部21f處與接合材23交叉。
再者，外部電極28、29未與其他部分連接而單獨地配置。外部電極28、29例如用作安裝於外部構件時之固定用電極。
內部電極24、25、外部電極26、27、28、29、配線24a、25a包含含有玻璃成分之Ag-Pd合金而成，且例如係於膏體狀態下藉由網版印刷等進行塗佈後，以煅燒爐加熱硬化而成。
再者，關於含有玻璃成分之Ag-Pd合金中之Pd含有率，若考慮與接合材23之密接性、對外部構件之安裝時之可靠性及成本等，則較佳為以重量比計為3%~20%左右。
再者，配線24a、25a例如係自一主面21a及另一主面21b向側面21c、21d側懸突地印刷，懸突部分藉由被吸引成垂下而繞入側面21c、21d，從而一主面21a側與另一主面21b側相連。
包含低熔點玻璃之接合材23係熔點(軟化點)為例如320℃~380℃左右，且係於形成配線24a、25a後，以膏體狀態藉由網版印刷等塗佈於基底部21之一主面21a之外周部之全周，其後以煅燒爐加熱硬化而成。
對於接合材23，例如使用有氧化硼(BO)-氧化鉛(PbO)系之低熔點玻璃、或鉍(Bi)系之無鉛型之低熔點玻璃。
如上所述，配線24a、25a係於一主面21a上與包含低熔點玻璃之接合材23交叉(接合材23重疊於配線24a、25a之上(蓋部22側))。
若詳細敍述，則配線24a係於第1角部21e處，與將接合材23中沿一主面21a之一長邊延伸之部分及沿一短邊延伸之部分呈倒角狀地相連的部分於交叉部23a正交。
另一方面，配線25a係於第2角部21f處，與將接合材23中沿一主面21a之另一長邊延伸之部分及沿另一短邊延伸之部分呈倒角狀地相連的部分於交叉部23b正交。
再者，若有可能，則封裝20亦可僅將配線24a、25a以包含含有玻璃成分之Ag-Pd合金而成之材料形成，且將內部電極24、25、外部電極26、27、28、29以不包含含有玻璃成分之Ag-Pd合金之W、Mo等金屬之金屬化層形成。
晶體振動元件1係經由導電性接著劑、焊錫等接合構件30而於內部電極24、25上支持有晶體振動片10。藉此，晶體振動片10之激振電極15、16經由引出電極15a、16a、接合構件30而與內部電極24、25電性連接。
晶體振動元件1係於晶體振動片10支持於基底部21之內部電極24、25上之狀態下，藉由蓋部22覆蓋基底部21，並以接合材23將基底部21與蓋部22接合，藉此將封裝20之內部(內部空間S)氣密地密封。
再者，封裝20之內部成為真空狀態(真空度較高之狀態)或者填充有氮、氦、氬等惰性氣體之狀態。
晶體振動元件1係藉由自外部經由外部電極26、27、內部電極24、25、接合構件30、引出電極15a、16a、激振電極15、16施加之驅動信號，將晶體振動片10之振動部11激振而使其以特定之頻率發振(共振)。
如上所述，第1實施形態之晶體振動元件1係於封裝20之基底部21之一主面21a設置有內部電極24、25，於另一主面21b設置有外部電極26、27，且內部電極24、25與外部電極26、27藉由配線24a、25a而彼此連接，該配線24a、25a係經由將基底部21之一主面21a與另一主面21b相連之側面21c、21d，被引繞至一主面21a及另一主面21b。
而且，晶體振動元件1中，配線24a、25a係包含含有玻璃成分之Ag-Pd合金而成，且於一主面21a上與包含低熔點玻璃之接合材23交叉。
藉此，晶體振動元件1之封裝20中，於內部電極24、25與外部電極26、27之連接時無需先前構造中必需之通孔，因此與先前構造相比，可削減製造工時。其結果為，晶體振動元件1之封裝20可實現低成本化。
因此，晶體振動元件1可實現低成本化。
此外，晶體振動元件1之封裝20中，接合材23包含低熔點玻璃，配線24a、25a包含含有玻璃成分之Ag-Pd合金而成，因此兩者之配合性較佳，接合材23與配線24a、25a之交叉部23a、23b處之兩者之密接性極其良好。
藉此，晶體振動元件1之封裝20可遍及包含上述交叉部23a、23b在內之全周而充分地確保內部(內部空間S)之氣密性。
因此，晶體振動元件1可充分地確保氣密性。
又，晶體振動元件1之封裝20中，配線24a、25a於交叉部23a、23b處與接合材23正交，因此兩者之交叉(重疊)長度成為最短距離。
藉此，與配線24a、25a與接合材23傾斜交叉而兩者之交叉長度變長之情形相比，晶體振動元件1之封裝20可抑制因兩者之交叉所引起之例如氣密性之下降等不良狀況的發生。
因此，晶體振動元件1可抑制氣密性之下降等不良狀況之發生。
又，晶體振動元件1之封裝20中，基底部21之平面形狀為大致矩形，配線24a、25a在位於基底部21之一對角之第1角部21e及第2角部21f處與接合材23交叉。
因此，與例如配線24a、25a於基底部21之相鄰之角部(例如第1角部21e與第3角部21g)處與接合材23交叉之情形相比，晶體振動元件1之封裝20可使蓋部22於傾斜較少且穩定之狀態下與基底部21接合。
其結果為，晶體振動元件1之封裝20可確實地確保內部之氣密性。
因此，晶體振動元件1可確實地確保氣密性。
再者，晶體振動元件1之封裝20中，配線24a、25a與接合材23亦可傾斜交叉，該傾斜交叉之構成亦可應用於以下之變形例、實施形態。
其次，對上述第1實施形態之變形例進行說明。
(變形例1)
圖2係表示變形例1之晶體振動元件之概略構成之模式圖。圖2(a)係自蓋部側俯瞰之正面俯視圖，圖2(b)係圖2(a)之B-B線處之剖面圖，圖2(c)係自蓋部側透視之背面俯視圖。再者，正面俯視圖中省略了蓋部。又，各構成要素之尺寸比例與實際不同。又，對與上述第1實施形態共同之部分附上同一符號並省略詳細之說明，以與上述第1實施形態不同之部分為中心進行說明。
如圖2所示，晶體振動元件2中，作為其他配線之配線28a、29a在位於基底部21之一主面21a之另一對角的第3角部21g及第4角部21h處與接合材23交叉，該配線28a、29a係經由將封裝20之基底部21之一主面21a與另一主面21b相連的側面21i、21k，被引繞至一主面21a及另一主面21b，且於另一主面21b上與外部電極28、29連接。
若詳細敍述，則配線28a係於第3角部21g處，與將接合材23中沿一主面21a之一長邊延伸之部分及沿一短邊延伸之部分呈倒角狀地相連的部分於交叉部23c正交。
另一方面，配線29a係於第4角部21h處，與將接合材23中沿一主面21a之另一長邊延伸之部分與沿另一短邊延伸之部分呈倒角狀地相連的部分於交叉部23d正交。
再者，配線28a、29a係於一主面21a延伸至進入較接合材23稍內側之位置為止。
如上所述，晶體振動元件2之封裝20之配線28a、29a在位於基底部21之另一對角之第3角部21g及第4角部21h處與接合材23交叉，因此於基底部21之第1角部21e~第4角部21h之所有角部處，配線24a、25a、28a、29a與接合材23交叉。
藉此，與第1實施形態相比，晶體振動元件2之封裝20可使蓋部22於更加穩定之狀態下與基底部21接合。
其結果為，晶體振動元件2之封裝20可更確實地確保內部之氣密性。
因此，晶體振動元件2可更確實地確保氣密性。
(變形例2)
圖3係表示變形例2之晶體振動元件之概略構成之模式圖。圖3(a)係自蓋部側俯瞰之正面俯視圖，圖3(b)係圖3(a)之A-A線處之剖面圖，圖3(c)係自蓋部側透視之背面俯視圖。再者，正面俯視圖中省略了蓋部。又，各構成要素之尺寸比例與實際不同。又，對與上述第1實施形態共同之部分附上同一符號並省略詳細之說明，以與上述第1實施形態不同之部分為中心進行說明。
如圖3所示，晶體振動元件3中去除外部電極28、29(參照圖1)，且外部電極26、27延伸至該空間。
藉此，晶體振動元件3中，由於封裝20之基底部21之外部電極26、27之面積變大，故而與第1實施形態相比，例如可使檢查裝置之探針容易接觸，而容易進行特性檢查等。
又，晶體振動元件3中，由於封裝20之基底部21之外部電極26、27之面積變大，故而與第1實施形態相比，可提高對外部構件安裝時之連接之可靠性。
(第2實施形態)
其次，對作為發振器之一例之晶體發振器進行說明。
圖4係表示第2實施形態之晶體發振器之概略構成之模式圖。圖4(a)係自蓋部側俯瞰之正面俯視圖，圖4(b)係圖4(a)之C-C線處之剖面圖，圖4(c)係自蓋部側透視之背面俯視圖。再者，正面俯視圖中省略了蓋部。又，各構成要素之尺寸比例與實際不同。又，對與上述第1實施形態共同之部分附上同一符號並省略詳細之說明，以與上述第1實施形態不同之部分為中心進行說明。再者，關於晶體振動片周圍之剖面形狀參照圖1(b)。
如圖4所示，晶體發振器5包括晶體振動片10、收容晶體振動片10之封裝120、及作為使晶體振動片10發振(共振)之發振電路的IC(integrated circuit，積體電路)晶片40。
晶體發振器5係以晶體振動片10與IC晶片40不於平面上重疊之方式配置，因此例如與第1實施形態之晶體振動元件1相比，平面尺寸變大。然而，於厚度方面，晶體發振器5與晶體振動元件1相同。
封裝120包括：平板狀之基底部121，其基材為單層且平面形狀為大致矩形；蓋部122，其具有形成有內部空間S1之凹部122a，且凹部122a之開口側覆蓋基底部121；及接合材123，其設置於基底部121之一主面121a之外周部之全周，將基底部121與蓋部122接合且包含低熔點玻璃。
再者，基底部121及蓋部122之材料與第1實施形態之基底部21及蓋部22相同，故而省略說明。
基底部121係於一主面121a，除設置有支持收容於封裝120之內部(內部空間S1)之晶體振動片10的內部電極24、25以外，亦設置有與IC晶片40之連接墊40a(簡單地以+表示)連接之大致矩形狀的內部電極41、42、43、44、45、46，於另一主面121b，以沿各角部之方式設置有安裝於電子機器等外部構件時所使用之大致矩形狀的外部電極126、127、128、129。
內部電極24、25係藉由被引繞至基底部121之一主面121a之配線42a、43a而分別與內部電極42、43連接。
內部電極41與外部電極126藉由配線41a而彼此連接，該配線41a係經由將基底部121之一主面121a與另一主面121b相連之側面121c，被引繞至一主面121a及另一主面121b。
又，內部電極44與外部電極128藉由配線44a而彼此連接，該配線44a係經由將基底部121之一主面121a與另一主面121b相連之側面121i，被引繞至一主面121a及另一主面121b。
進而，內部電極45與外部電極127藉由配線45a而彼此連接，該配線45a係經由將基底部121之一主面121a與另一主面121b相連之側面121d，被引繞至一主面121a及另一主面121b。
此外，內部電極46與外部電極129藉由配線46a而彼此連接，該配線46a係經由將基底部121之一主面121a與另一主面121b相連之側面121k，被引繞至一主面121a及另一主面121b。
藉此，配線41a、45a在位於基底部121之一對角之第1角部121e及第2角部121f處，與接合材123交叉，配線44a、46a在位於基底部121之另一對角之第3角部121g及第4角部121h處，與接合材123交叉(換言之，接合材123重疊於配線41a、44a、45a、46a之上(蓋部122側))。
內部電極24、25、41、42、43、44、45、46、外部電極126、127、128、129、配線41a、42a、43a、44a、45a、46a包含含有玻璃成分之Ag-Pd合金而成，且例如係於膏體狀態下藉由網版印刷等塗佈後，以煅燒爐加熱硬化而成。
再者，關於含有玻璃成分之Ag-Pd合金中之Pd含有率，若考慮與接合材123之密接性、對外部構件安裝時之可靠性及成本等，則較佳為以重量比計為3%~20%左右。
包含低熔點玻璃之接合材123係熔點(軟化點)為例如320℃~380℃左右，且係於形成配線41a、44a、45a、46a後，以膏體狀態藉由網版印刷等塗佈於基底部121之一主面121a之外周部之全周，其後以煅燒爐加熱硬化而成。
對於接合材123，例如使用有氧化硼(BO)-氧化鉛(PbO)系之低熔點玻璃、或鉍(Bi)系之無鉛型低熔點玻璃。
晶體發振器5係經由導電性接著劑、焊錫等接合構件30而於內部電極24、25上支持有晶體振動片10。藉此，晶體振動片10之激振電極15、16經由引出電極15a、16a、接合構件30而與內部電極24、25電性連接。
內置發振電路之IC晶片40係使用未圖示之接著劑等而固定於基底部121之一主面121a。
IC晶片40之連接墊40a係藉由Au、Al等金屬線50而與內部電極41、42、43、44、45、46連接。
再者，於IC晶片40之連接墊40a與內部電極41、42、43、44、45、46之連接時，除藉由使用有金屬線50之焊線接合之連接方法以外，亦可使用藉由將IC晶片40反轉之倒裝晶片安裝之連接方法等。
晶體發振器5中，於晶體振動片10支持於基底部121之內部電極24、25上，IC晶片40與內部電極41、42、43、44、45、46連接之狀態下，藉由蓋部122覆蓋基底部121，且以接合材123將基底部121與蓋部122接合，藉此將封裝120之內部(內部空間S1)氣密地密封。
再者，封裝120之內部成為真空狀態(真空度較高之狀態)或者填充有氮、氦、氬等惰性氣體之狀態。
晶體發振器5係藉由自IC晶片40經由金屬線50、內部電極42、43、配線42a、43a、內部電極24、25、接合構件30、引出電極15a、16a、激振電極15、16施加之驅動信號，使晶體振動片10以特定之頻率發振(共振)。
繼而，晶體發振器5將藉由該發振而產生之發振信號經由IC晶片40、金屬線50、內部電極41、44、45、46之任一者(例如為46)、外部電極126、127、128、129之任一者(例如為129)等向外部輸出。
再者，上述輸出用以外之各外部電極(例如126、127、128)成為例如電源、GND(接地)、輸入(輸出ON(開)/OFF(關)之控制輸入)之信號端子。
如上所述，第2實施形態之晶體發振器5係於包含單層構成之基底部121之封裝120內收容有晶體振動片10與IC晶片40，因此可提供發揮與上述第1實施形態及變形例1所記載之效果相同之效果的發振器(例如，可實現低成本化之發振器)。
再者，晶體發振器5亦可不將IC晶片40內置於封裝120內，而設為外接之構成之模組構造(例如，晶體振動元件及IC晶片分別搭載於1個基板上之構造)。
(第3實施形態)
其次，對作為包括上述第1實施形態及各變形例中敍述之晶體振動元件(振動元件)、或者上述第2實施形態中敍述之晶體發振器(發振器)之電子機器的行動電話進行說明。
圖5係表示第3實施形態之行動電話之模式立體圖。
圖5所示之行動電話700包括上述各實施形態及各變形例中敍述之晶體振動元件1~3之任一者或者晶體發振器5作為基準時脈發振源等，進而包括液晶顯示裝置701、複數個操作按鈕702、聽筒703、及話筒704而構成。
上述各晶體振動元件1~3或者晶體發振器5並不限於上述行動電話，可較佳地用作電子書、個人電腦、電視機、數位靜態相機、攝像機、錄影機、導航裝置、尋呼機、電子記事簿、計算器、文字處理機、工作站、電視電話、POS(point of sale，銷售點)終端、包含觸控面板之機器等之基準時脈發振源等，於任一情形時均可提供發揮上述各實施形態及各變形例中說明之效果之電子機器。
再者，作為振動片之基材，並不限定於水晶，亦可為鉭酸鋰(LiTaO3
)、四硼酸鋰(Li2
B4
O7
)、鈮酸鋰(LiNbO3
)、鋯鈦酸鉛(PZT)、氧化鋅(ZnO)、氮化鋁(AlN)等之壓電材料、或者矽等之半導體材料。
1、2、3．．．作為振動元件之晶體振動元件
5．．．作為發振器之晶體發振器
10．．．作為振動片之晶體振動片
11．．．振動部
12．．．基部
13．．．一主面
14．．．另一主面
15、16．．．激振電極
15a、16a．．．引出電極
20．．．封裝
21．．．基底部
21a．．．一主面
21b．．．另一主面
21c、21d、21i、21k．．．側面
21e．．．第1角部
21f．．．第2角部
21g．．．第3角部
21h．．．第4角部
22．．．蓋部
22a．．．凹部
23．．．接合材
23a、23b、23c、23d．．．交叉部
24、25．．．內部電極
24a、25a、28a、29a．．．配線
26、27、28、29．．．外部電極
30．．．接合構件
40．．．作為發振電路之IC晶片
40a．．．連接墊
41、42、43、44、45、46．．．內部電極
41a、42a、43a、44a、45a、46a．．．配線
50．．．金屬線
120．．．封裝
121．．．基底部
121a．．．一主面
121b．．．另一主面
121c、121d、121i、121k．．．側面
121e．．．第1角部
121f．．．第2角部
121g．．．第3角部
121h．．．第4角部
122．．．蓋部
122a．．．凹部
123．．．接合材
126、127、128、129．．．外部電極
700．．．行動電話
701．．．液晶顯示裝置
702．．．操作按鈕
703．．．聽筒
704．．．話筒
S、S1．．．內部空間
圖1係表示第1實施形態之晶體振動元件之概略構成之模式圖，(a)為自蓋部側俯瞰之正面俯視圖，(b)為(a)之A-A線處之剖面圖，(c)為自蓋部側透視之背面俯視圖。
圖2係表示變形例1之晶體振動元件之概略構成之模式圖，(a)為自蓋部側俯瞰之正面俯視圖，(b)為(a)之B-B線處之剖面圖，(c)為自蓋部側透視之背面俯視圖。
圖3係表示變形例2之晶體振動元件之概略構成之模式圖，(a)為自蓋部側俯瞰之正面俯視圖，(b)為(a)之A-A線處之剖面圖，(c)為自蓋部側透視之背面俯視圖。
圖4係表示第2實施形態之晶體發振器之概略構成之模式圖，(a)為自蓋部側俯瞰之正面俯視圖，(b)為(a)之C-C線處之剖面圖，(c)為自蓋部側透視之背面俯視圖。
圖5係表示第3實施形態之行動電話之模式立體圖。
1．．．作為振動元件之晶體振動元件
10．．．作為振動片之晶體振動片
11．．．振動部
12．．．基部
13．．．一主面
14．．．另一主面
15、16．．．激振電極
15a、16a．．．引出電極
20．．．封裝
21．．．基底部
21a．．．一主面
21b．．．另一主面
21c、21d．．．側面
21e．．．第1角部
21f．．．第2角部
21g．．．第3角部
22．．．蓋部
22a．．．凹部
23．．．接合材
23a、23b．．．交叉部
24、25．．．內部電極
24a、25a．．．配線
26、27、28、29．．．外部電極
30．．．接合構件
S．．．內部空間
Claims (8)
- 一種電子器件用基底基板，其特徵在於：包括單層且平板狀之基材；且於上述基材之一主面，包括用以搭載電子零件之電極、以包圍上述電極之方式配置且包含低熔點玻璃之接合材、及與上述用以搭載電子零件之電極連接且與上述接合材交叉之配線；及於另一主面包括用以進行安裝之電極；上述配線包含含有玻璃成分之Ag-Pd合金。
- 如請求項1之基底基板，其包括經由將上述一主面與上述另一主面相連之側面而將上述用以搭載電子零件之電極與上述用以進行安裝之電極連接的配線。
- 如請求項1或2之基底基板，其中上述基底基板之平面形狀為大致矩形，上述配線在位於上述基底基板之一對角之2個角部處與上述接合材交叉。
- 如請求項1或2之基底基板，其中上述基底基板之平面形狀為大致矩形，上述配線於上述基底基板之4個角部處與上述接合材交叉。
- 如請求項1或2之基底基板，其中上述配線與上述接合材正交。
- 一種振動元件，其特徵在於包括：如請求項1或2之基底基板； 作為搭載於上述基底基板之上述電子零件之振動片；及與上述基底基板共同收容上述振動片之蓋。
- 一種發振器，其特徵在於包括：如請求項1或2之基底基板；作為搭載於上述基底基板之上述電子零件之振動片；與上述基底基板共同收容上述振動片之蓋；及使上述振動片發振之發振電路。
- 一種電子機器，其特徵在於包括如請求項1之基底基板。
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