JP6136349B2 - 電子デバイス、電子機器及び移動体 - Google Patents

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Description

本発明は、電子デバイス、この電子デバイスを備えている電子機器及び移動体に関する。
従来、電子デバイスの一例として、上面に形成した凹所内に発振回路用ＩＣを配置したセラミック容器の上面に圧電振動子を積層し、このセラミック容器の凹所内底面には、発振回路用ＩＣとボンディングワイヤーによる電気的な接続を行うための端子が設けられており、この端子が、発振回路用ＩＣ（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）の振動子接続用端子と接続する際に、互いに交差することなく接続を入れ替えることが可能な構造の圧電発振器が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００６−１１４９７６号公報
上記圧電発振器は、実施の形態において、セラミック積層板で形成されたセラミック容器の凹所内底面に設けられている、発振回路用ＩＣとボンディングワイヤーによる電気的な接続を行うための端子のいくつかに、平面視で下層（直下の層）の電極パターンの輪郭と重なっているものがある。
これにより、上記圧電発振器は、セラミック積層板の凹所内底面に設けられている上記端子において、下層の電極パターンの厚みによってセラミックの層が部分的に持ち上がることで、下層の電極パターンと重なっている部分と重なっていない部分とで段差が生じることがある。
この結果、上記圧電発振器（電子デバイス）は、上記端子（ボンディングパッド）の平坦度が損なわれることから、上記端子のワイヤーボンディング性が悪化し、発振回路用ＩＣ（電子素子）とのボンディングワイヤーによる機械的及び電気的な接続の信頼性が低下する虞がある。
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］本適用例にかかる電子デバイスは、電子素子と、前記電子素子を搭載する積層基板と、を備え、前記積層基板は、ボンディングワイヤーを介して前記電子素子と接続されるボンディングパッドが設けられている第１配線層と、平面視で前記第１配線層と重なる第２配線層と、前記第１配線層と前記第２配線層との間に設けられている絶縁層と、を有し、前記第２配線層の輪郭が、平面視で前記ボンディングパッドと重ならない位置に配置されていることを特徴とする。
これによれば、電子デバイスは、第２配線層の輪郭が、平面視で第１配線層のボンディングパッドと重ならない位置に配置されていることから、ボンディングパッドには、第２配線層の厚みに起因する段差が生じない。
これにより、電子デバイスは、ボンディングパッドの平坦度が確保されることから、ボンディングワイヤーのボンディングパッドへのワイヤーボンディング性（以下、単にボンディング性ともいう）が向上し、ボンディングワイヤーを確実にボンディングパッドへ接続（固定）することができる。
この結果、電子デバイスは、ボンディングワイヤーによる電子素子とボンディングパッドとの機械的及び電気的な接続の信頼性を向上させることができる。
［適用例２］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、少なくとも複数の前記ボンディングパッドが設けられており、前記第２配線層の輪郭の一部は、平面視で隣り合う前記ボンディングパッド間の略中間に配置されていることが好ましい。
これによれば、電子デバイスは、第２配線層の輪郭の一部が、平面視で隣り合うボンディングパッド間の略中間に配置されていることから、上記輪郭を挟んだ両側のボンディングパッドは、位置のばらつきが生じても、第２配線層の輪郭と重なりにくくなり、上記段差が生じにくいことになる。
これにより、電子デバイスは、積層基板の製造工程のばらつき（例えば、各層の積層位置ずれや、ボンディングパッド及び配線パターンの形成位置ずれなど）の許容範囲を拡大しつつ、ボンディングワイヤーのボンディングパッドへのボンディング性を向上させることができる。
［適用例３］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記絶縁層は、セラミック系の材料を含むことが好ましい。
これによれば、電子デバイスは、絶縁層がセラミック（セラミックスともいう）系の材料を含むことから、第１配線層と第２配線層との絶縁性に優れるとともに、積層された焼成前の状態が粘土状で柔らかい。
これにより、電子デバイスは、積層基板の第２配線層の厚みによって絶縁層が部分的に持ち上がり、第１配線層に段差が生じやすくなることから、上記効果（ボンディングパッドの平坦度の確保によるボンディング性の向上）をより顕著に奏することができる。
［適用例４］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記電子素子は、ＩＣチップであることが好ましい。
これによれば、電子デバイスは、電子素子がＩＣチップであることから、ＩＣチップとボンディングパッドとの機械的及び電気的な接続の信頼性が向上し、多様な機能を有し得るＩＣチップを確実に動作させることができる。
［適用例５］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、物理量を検出するセンサー素子を更に備え、前記センサー素子と前記ＩＣチップとが電気的に接続され、物理量センサーとして機能することが好ましい。
これによれば、電子デバイスは、物理量を検出するセンサー素子を備え、センサー素子とＩＣチップとが電気的に接続され、物理量センサーとして機能することから、信頼性に優れた物理量センサーを提供できる。
［適用例６］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
これによれば、本構成の電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えていることから、上記適用例の効果が反映された信頼性に優れた電子機器を提供できる。
［適用例７］本適用例にかかる移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
これによれば、本構成の移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えていることから、上記適用例の効果が反映された信頼性に優れた移動体を提供できる。
本発明の或る形態に係る電子デバイスは、複数の前記ボンディングパッドが前記絶縁層の主面に設けられており、前記第２配線層の輪郭の一部は平面視で隣り合う前記ボンディングパッドの間に配置され、前記第２配線層の厚みにより前記絶縁層の前記主面に生じる段差が前記隣り合うボンディングパッドの間に位置していることを特徴とする。
また、本発明の或る形態に係る電子デバイスは、検出電極が形成された検出振動腕と、駆動電極が形成された駆動振動腕と、前記検出電極および前記駆動電極の少なくとも一方に電気的に接続された接続電極と、を有するセンサー素子と、前記積層基板に配置され、前記ボンディングパッドに電気的に接続された端子電極と、前記積層基板の前記端子電極と前記センサー素子の前記接続電極との間を電気的に接続し、前記ＩＣチップの上方に位置する前記センサー素子を支持する金属箔と、を更に備えていることを特徴とする。
第１実施形態の物理量センサーの概略構成を示す模式平断面図であり、（ａ）はリッド（蓋）側から俯瞰した模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での模式断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線での模式断面図。 図１の要部拡大模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線での模式断面図。 従来の構成を本物理量センサーに適用した場合の要部の構成を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線での模式断面図。 第２実施形態の電子機器の一例としての携帯電話機を示す斜視図。 第３実施形態の移動体の一例としての自動車を示す模式斜視図。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。
（第１実施形態）
最初に、電子デバイスの一例としての物理量センサーについて説明する。
図１は、第１実施形態の物理量センサーの概略構成を示す模式平断面図である。図１（ａ）は、リッド（蓋）側から俯瞰した模式平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線での模式断面図であり、図１（ｃ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ線での模式断面図である。
図２は、図１の要部拡大模式図である。図２（ａ）は、模式平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＣ−Ｃ線での模式断面図である。
なお、以下の各模式平面図では、説明の便宜上、リッドなどの一部の構成要素を省略してある。また、以下の各模式図において、分かり易くするために、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。また、図中のＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、互いに直交する座標軸である。
図１、図２に示すように、物理量センサー１は、電子素子としてのＩＣチップ１０と、例えば、角速度、加速度、圧力などに代表される物理量（ここでは角速度）を検出するセンサー素子２０と、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を搭載する積層基板としてのパッケージベース３１を含むパッケージ３０と、を備えている。
パッケージ３０は、平面形状が略矩形で凹部を有したパッケージベース３１と、パッケージベース３１の凹部を覆う平面形状が略矩形で平板状のリッド（蓋）３２と、を有し、略直方体形状に形成されている。
パッケージベース３１には、例えば、セラミックグリーンシートを成形して複数の絶縁層として積層し焼成した酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラスセラミック焼結体などのセラミック系の絶縁性材料が用いられている。なお、本実施形態では、絶縁層（３１−１〜３１−６）が６層、底部側（−Ｚ側）からこの順で積層されている。
パッケージベース３１は、絶縁層（３１−３〜３１−６）に平面視で略矩形の開口部分を設けるなど適宜成形することにより、パッケージベース３１の略中央部に位置しＩＣチップ１０を収容する収容凹部３１ａや、収容凹部３１ａの上方（＋Ｚ側）に位置しセンサー素子２０を収容する収容凹部３１ｂを備えている。
パッケージベース３１の収容凹部３１ａ及び収容凹部３１ｂを覆うリッド３２には、パッケージベース３１と同材料、または、コバール、４２アロイなどの金属が用いられている。
ＩＣチップ１０は、後述するセンサー素子２０を駆動する駆動回路及びセンサー素子２０の物理量検出動作を検出する検出回路などを備え、パッケージベース３１の収容凹部３１ａの底面に図示しない接着剤などにより固定されている。
ＩＣチップ１０は、図示しない複数（ここでは１６個）の接続端子が、パッケージベース３１の絶縁層３１−４と絶縁層３１−５との間に設けられた第１配線層３４の複数（ここでは１６個）のボンディングパッド３３に、ボンディングワイヤー４０を介して機械的及び電気的に接続されている。なお、ボンディングワイヤー４０には、例えば、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）などの線材が用いられている。
ここで、図２に示すように、パッケージベース３１のボンディングパッド（図２（ａ）でハッチングが施されている部分、ここでは便宜的にそれぞれ３３ａ，３３ｂ，３３ｃとする）を含む第１配線層３４は、平面視で第２配線層３５と重なっている。
第１配線層３４と第２配線層３５との間には、絶縁層３１−４が設けられ、第２配線層３５の直下（−Ｚ側）には、絶縁層３１−３が積層されている。
第２配線層３５に設けられた配線パターン３６（第２配線層３５）の輪郭３６ａは、平面視で第１配線層３４のボンディングパッド３３ａ，３３ｂ，３３ｃと重ならない位置に配置されている。
また、第２配線層３５に設けられた配線パターン３６の輪郭３６ａの一部は、平面視で隣り合うボンディングパッド３３ａ，３３ｂ間の略中間（Ｗ１＝Ｗ／２またはＷ１≒Ｗ／２）に配置されている。
これにより、図２（ｂ）に示すように、物理量センサー１は、配線パターン３６（第２配線層３５）の厚みによる絶縁層３１−４の持ち上がりによって生じる段差３１ｃが、ボンディングパッド３３ａ，３３ｂ，３３ｃにかからない（重ならない）ことになる。
この結果、物理量センサー１は、ボンディングパッド３３ａ，３３ｂ，３３ｃの平坦度を確保することができる。
このことから、物理量センサー１は、ボンディングワイヤー４０のボンディングパッド３３ａ，３３ｂ，３３ｃへのボンディング性が向上し、ボンディングワイヤー４０を確実にボンディングパッド３３ａ，３３ｂ，３３ｃへ接続（固定）することができる。これにより、物理量センサー１は、ボンディングワイヤー４０によるＩＣチップ１０とボンディングパッド３３ａ，３３ｂ，３３ｃとの機械的及び電気的な接続の信頼性を、下記の従来の構成より向上させることができる。
図３は、従来の構成を本物理量センサーに適用した場合の一例で、第１配線層のボンディングパッドと、第２配線層の配線パターンの輪郭とが、平面視で重なっている状態を示す模式図である。図３（ａ）は、模式平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＣ−Ｃ線での模式断面図である。
図３に示すように、従来の構成の物理量センサー１０１では、ボンディングパッド３３ｂと、第２配線層１３５の配線パターン１３６（第２配線層１３５）の輪郭１３６ａとが平面視で重なっていることから、配線パターン１３６（第２配線層１３５）の厚みによる絶縁層３１−４の持ち上がりによって生じる段差３１ｃが、ボンディングパッド３３ｂにかかる（重なる）ことになる。
これにより、従来の構成の物理量センサー１０１では、ボンディングパッド３３ｂに段差３３ｂ−１が生じることから、ボンディングパッド３３ｂの平坦度が損なわれることになる。
この結果、従来の構成の物理量センサー１０１では、ボンディングパッド３３ｂにおける、例えば、超音波圧着法などを用いたボンディングワイヤー４０のボンディング性が悪化することにより、ボンディングワイヤー４０の不接続や接続強度不足などの接続不良が生じることになる。
これにより、従来の構成の物理量センサー１０１は、ボンディングワイヤー４０によるＩＣチップ１０とボンディングパッド３３ｂとの機械的及び電気的な接続の信頼性が低下する虞がある。
なお、図示しないが、物理量センサー１は、残りのボンディングパッド３３も第２配線層３５の配線パターン（３６など）の輪郭（３６ａなど）と重ならないように構成されている。
また、物理量センサー１は、絶縁層３１−６と絶縁層３１−５との間、絶縁層３１−３と絶縁層３１−２との間、絶縁層３１−２と絶縁層３１−１との間、及び絶縁層３１−１の−Ｚ側の面などにも配線層を有するが、説明の便宜上図示を省略してある。
パッケージベース３１の第１配線層３４、第２配線層３５などの配線層は、例えば、Ｗ（タングステン）やＭｏ（モリブデン）などの金属粉末に有機バインダー、溶剤を添加混合して得た金属ペーストを、例えば、スクリーン印刷法を用いて印刷（塗布）後、加熱処理することによって形成されたメタライズ層に、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）などの各被膜をメッキ法などにより積層した金属被膜からなる。
なお、各配線層間は、導通ビア（スルーホールに金属または導電性を有する材料が充填された導通電極）や、キャスタレーション（絶縁層の端面に設けられた半スルーホール状の導通電極）によって接続されている。
図１に戻って、物理量としての角速度を検出するセンサー素子２０は、圧電材料である水晶を主要材料として形成されている。水晶は、電気軸と呼ばれるＸ軸、機械軸と呼ばれるＹ軸及び光学軸と呼ばれるＺ軸を有している。ここでは、水晶の各軸（Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸）と各図の各座標軸（Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸）とが、それぞれほぼ一致しているものとする。
センサー素子２０は、水晶の原石（ランバード）などから、互いに直交するＸ軸及びＹ軸で規定される平面（ＸＹ平面）に沿って切り出されて平板状に加工され、平面と直交するＺ軸方向に所定の厚みを有している。なお、所定の厚みは、発振周波数（共振周波数）、外形サイズ、加工性などにより適宜設定される。
センサー素子２０は、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチング（ウエットエッチングまたはドライエッチング）により形成されている。なお、センサー素子２０は、１枚の水晶ウエハーから複数個取りすることが可能である。
センサー素子２０は、その形状からダブルＴ型と呼ばれる構成となっている。
センサー素子２０は、中心部分に位置する略矩形状の基部２１と、基部２１からＹ軸に沿って延伸された１対の検出用振動腕２２と、検出用振動腕２２と直交するように基部２１からＸ軸に沿って延伸された１対の連結腕２３と、各連結腕２３の先端側からＹ軸に沿って延伸された各１対の駆動用振動腕２４，２５と、を備えている。
また、センサー素子２０は、１対の検出用振動腕２２に、図示しない検出電極が形成され、各１対の駆動用振動腕２４，２５に、図示しない駆動電極が形成されている。
センサー素子２０は、１対の検出用振動腕２２で、角速度を検出する検出振動系を構成し、１対の連結腕２３と各１対の駆動用振動腕２４，２５とで、センサー素子２０を駆動する駆動振動系を構成している。
センサー素子２０の基部２１の主面（Ｚ軸と直交する面で、−Ｚ側の面）２１ａには、上記各検出電極、各駆動電極から引き出された図示しない６個の接続電極が設けられている。
センサー素子２０は、パッケージベース３１の収容凹部３１ｂの底面（絶縁層３１−５のリッド３２側の面）に固定された、中央部に開口部を有する略額縁状のセンサー基板５０に支持されている。
センサー基板５０は、ポリイミドなどの樹脂からなる基板本体５１と、基板本体５１における収容凹部３１ｂの底面側に積層されたＣｕ（銅）などの金属箔からなるタブテープ５２と、を備えている。
センサー基板５０は、ＩＣチップ１０の上方（リッド３２側）に位置する開口部の縁から、中央に向かって斜め上方に折り曲げられた複数（ここでは６つ）の帯状のタブテープ５２が延設されている。
タブテープ５２の先端は、センサー素子２０の基部２１の主面２１ａに設けられている接続電極に、図示しないバンプなどの接合部材を介して電気的に接続されている。
これにより、センサー素子２０は、センサー基板５０によって水平に（ＸＹ平面に平行に）支持されている。
センサー基板５０の、タブテープ５２と接続され、基板本体５１のＸ軸方向における両端部に３個ずつ配置されている端子電極５３は、収容凹部３１ｂの底面の絶縁層３１−５上の図示しない配線層と導電性接着剤などを用いて接続され、導通ビア、第１配線層３４のボンディングパッド３３、ボンディングワイヤー４０などを経由してＩＣチップ１０と電気的に接続されている。これにより、センサー素子２０は、ＩＣチップ１０と電気的に接続されていることになる。
センサー素子２０は、各１対の駆動用振動腕２４，２５がＸ軸方向へ所定の共振周波数で屈曲振動している状態で、Ｚ軸回りに角速度ωが加わることにより、Ｙ軸方向に発生するコリオリ力によって、１対の検出用振動腕２２が励振され、Ｘ軸方向へ屈曲振動するようになる。
センサー素子２０は、１対の検出用振動腕２２に形成された検出電極が、上記屈曲振動により発生した水晶の歪を電気信号として検出することで、Ｚ軸回りの角速度ωを求めることができる。
物理量センサー１は、センサー素子２０がセンサー基板５０に支持された状態で、パッケージベース３１の収容凹部３１ｂがリッド３２により覆われ、パッケージベース３１とリッド３２とがシールリング、低融点ガラス、接着剤などの接合部材３７で気密に接合される。
パッケージベース３１には、底部にパッケージ３０の内部を気密に封止する封止部３８が設けられている。
封止部３８は、パッケージベース３１の底部に形成された、外底面（外側の底面）３９側（絶縁層３１−１）の孔径が、収容凹部３１ａ側（絶縁層３１−２）の孔径よりも大きい段付きの貫通孔３８ａと、Ａｕ（金）／Ｇｅ（ゲルマニウム）合金、Ａｕ（金）／Ｓｎ（錫）合金などからなる封止材３８ｂと、を備えている。
封止部３８は、リッド３２の接合後パッケージ３０を反転させ、真空チャンバー内などの真空状態（真空度の高い状態）で、貫通孔３８ａに外底面３９側から球状の封止材３８ｂを投入し、レーザービームや電子ビームなどを照射して加熱溶融後、固化させることで貫通孔３８ａを閉塞し、パッケージ３０の内部を真空状態で気密に封止する構成となっている。
物理量センサー１は、外底面３９に設けられた図示しない外部端子を介して外部から電源や入力信号が供給され、ＩＣチップ１０からの駆動信号によりセンサー素子２０が屈曲振動することによって、Ｚ軸回りに印加された角速度ωの検出を行い、角速度ωの検出結果を出力信号として外部端子から出力する。
上述したように、第１実施形態の物理量センサー１は、パッケージベース３１の第２配線層３５に設けられた配線パターン３６の輪郭３６ａが、平面視で第１配線層３４のボンディングパッド３３（３３ａ，３３ｂ，３３ｃを含む、以下同様）と重ならない位置に配置されている。このことから、ボンディングパッド３３には、第２配線層３５に設けられた配線パターン３６の厚みに起因する段差（例えば、図３（ｂ）の段差３３ｂ−１）が生じない。
これにより、物理量センサー１は、ボンディングパッド３３の平坦度が確保されることから、ボンディングワイヤー４０のボンディングパッド３３へのボンディング性が向上し、ボンディングワイヤー４０を確実にボンディングパッド３３へ接続（固定）することができる。
この結果、物理量センサー１は、ボンディングワイヤー４０によるＩＣチップ１０とボンディングパッド３３との機械的及び電気的な接続の信頼性を向上させることができる。
また、物理量センサー１は、第２配線層３５に設けられた配線パターン３６の輪郭３６ａの一部が、平面視でボンディングパッド３３間（具体的には、平面視で隣り合うボンディングパッド３３ａとボンディングパッド３３ｂとの間）の略中間に配置されている。このことから、上記輪郭３６ａを挟んだ両側のボンディングパッド３３ａ，３３ｂは、位置のばらつきが生じても、配線パターン３６の輪郭３６ａと重なりにくくなり、上記段差が生じにくいことになる。
これにより、物理量センサー１は、パッケージベース３１の製造工程のばらつき（例えば、絶縁層３１−３、絶縁層３１−４の積層位置ずれや、第１配線層３４のボンディングパッド３３及び第２配線層３５の配線パターン３６の形成位置ずれなど）の許容範囲を拡大しつつ、ボンディングワイヤー４０のボンディングパッド３３へのボンディング性を向上させることができる。
また、物理量センサー１は、パッケージベース３１の絶縁層（３１−１〜３１−６）がセラミック系の材料を含むことから、例えば、第１配線層３４、第２配線層３５間などの各配線層間の絶縁性に優れるとともに、積層された焼成前の状態が粘土状で柔らかい。
これにより、物理量センサー１は、パッケージベース３１の第２配線層３５の配線パターン３６の厚みによって絶縁層３１−４が部分的に持ち上がり、第１配線層３４に段差３１ｃが生じやすくなることから、上記効果（ボンディングパッド３３の平坦度の確保によるボンディング性の向上）をより顕著に奏することができる。
また、物理量センサー１は、電子素子がＩＣチップ１０であることから、ＩＣチップ１０とボンディングパッド３３との機械的及び電気的な接続の信頼性が向上し、多様な機能（例えば、センサー素子２０を駆動する駆動回路、及び物理量としての角速度をセンサー素子２０を介して検出する検出回路など）を有するＩＣチップ１０を確実に動作させることができる。
また、電子デバイスとしての物理量センサー１は、物理量としての角速度を検出するセンサー素子２０を備え、センサー素子２０とＩＣチップ１０とが電気的に接続され、物理量センサーとして機能することから、信頼性に優れた物理量センサーを提供できる。
なお、上記実施形態では、センサー素子２０の主要材料を水晶としたが、これに限定されるものではなく、例えば、ＬｉＴａＯ3（タンタル酸リチウム）、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7（四ホウ酸リチウム）、ＬｉＮｂＯ3（ニオブ酸リチウム）、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）などの圧電体、またはＳｉ（シリコン）などの半導体であってもよい。
また、センサー素子２０は、ダブルＴ型以外にも、二脚音叉、三脚音叉、Ｈ型音叉、くし歯型、直交型、角柱型など、種々の型のものを用いることが可能である。
また、センサー素子２０は振動型以外のものであってもよい。
また、センサー素子２０の振動の駆動方法や検出方法は、上述した圧電体の圧電効果を用いた圧電型によるものの他に、クーロン力を利用した静電型によるものや、磁力を利用したローレンツ型によるものなどであってもよい。
また、センサー素子２０の検出軸（センシング軸）は、上述したセンサー素子２０の主面２１ａに直交する軸（Ｚ軸）のほかに、センサー素子２０の主面２１ａに平行な軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸など）であってもよい。
また、上記実施形態では、センサー素子として角速度を検出するセンサー素子２０を例に挙げたが、これに限定されるものではなく、例えば、加速度に反応する加速度感知素子、圧力に反応する圧力感知素子、重さに反応する重量感知素子などでもよい。
これにより、電子デバイスとしては、上記実施形態の角速度を検出する物理量センサー１（ジャイロセンサーともいう）に限定されるものではなく、センサー素子として上記加速度感知素子を備えた加速度センサー、圧力感知素子を備えた圧力センサー、重量感知素子を備えた重量センサーなどでもよい。
また、電子デバイスとしては、センサー素子に代えて、圧電振動片（圧電振動子）を備えている圧電発振器であってもよい。
（第２実施形態）
次に、上述した電子デバイスを備えている電子機器について説明する。
上述した物理量センサー１（ジャイロセンサー）、加速度センサー、圧力センサー、重量センサー、圧電発振器などの電子デバイスは、デジタルスチールカメラ、ビデオカメラ、ポインティングデバイス、ゲームコントローラー、携帯電話機、ヘッドマウントディスプレイなどの電子機器に、センシング機能を備えたセンサーデバイスや、基準クロックを発生するタイミングデバイスとして好適に用いることができ、いずれの場合にも上記実施形態で説明した効果が反映された信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
以下、一例を挙げて説明する。
図４は、第２実施形態の電子機器の一例としての携帯電話機を示す斜視図である。
図４に示すように、携帯電話機２００は、複数の操作ボタン２０２、受話口２０４及び送話口２０６を備え、操作ボタン２０２と受話口２０４との間には、表示部２０１が配置され、受話口２０４の裏側には、小型カメラ２０５が内蔵されている。
このような携帯電話機２００には、物理量センサー１が内蔵されている。これにより、携帯電話機２００は、小型薄型化を図りつつ、小型カメラ２０５を用いた写真撮影時の手振れが補正されるなど、優れた性能を発揮することができる。
（第３実施形態）
次に、上述した電子デバイスを備えている移動体について説明する。
図５は、第３実施形態の移動体の一例としての自動車を示す模式斜視図である。
図５に示す自動車３００は、電子デバイスとしての物理量センサー１を、搭載されているナビゲーション装置、姿勢制御装置などの姿勢検出センサーとして用いている。
これによれば、自動車３００は、上述した物理量センサー１を備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性が向上し優れた性能を発揮することができる。
また、自動車３００は、電子デバイスとしての圧電発振器を、例えば、搭載されている各種電子制御式装置（例えば、電子制御式燃料噴射装置、電子制御式ＡＢＳ装置、電子制御式一定速度走行装置など）の基準クロックを発生するタイミングデバイスとして好適に用いることができ、信頼性が向上し優れた性能を発揮することができる。
上述した物理量センサー１、圧電発振器などの電子デバイスは、上記自動車３００に限らず、自走式ロボット、自走式搬送機器、列車、船舶、飛行機、人工衛星などを含む移動体の姿勢検出センサーや、タイミングデバイスとして好適に用いることができ、いずれの場合にも上記実施形態で説明した効果が反映された信頼性に優れた移動体を提供することができる。
以上、本発明の電子デバイス、電子機器及び移動体について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に他の任意の構成物が付加されていてもよい。
また、上記のように、本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは、いうまでもない。従って、このような変形例は、すべて本発明の範囲に含まれる。例えば、絶縁層の積層数は、６層に限定されるものではなく、１層〜５層であってもよく７層以上であってもよい。
１…電子デバイスとしての物理量センサー、１０…電子素子としてのＩＣチップ、２０…センサー素子、２１…基部、２１ａ…主面、２２…検出用振動腕、２３…連結腕、２４，２５…駆動用振動腕、３０…パッケージ、３１…積層基板としてのパッケージベース、３１−１，３１−２，３１−３，３１−４，３１−５，３１−６…絶縁層、３１ａ，３１ｂ…収容凹部、３１ｃ…段差、３２…リッド（蓋）、３３，３３ａ，３３ｂ，３３ｃ…ボンディングパッド、３４…第１配線層、３５…第２配線層、３６…配線パターン、３６ａ…輪郭、３７…接合部材、３８…封止部、３８ａ…貫通孔、３８ｂ…封止材、３９…外底面、４０…ボンディングワイヤー、５０…センサー基板、５１…基板本体、５２…タブテープ、５３…端子電極、１０１…電子デバイスとしての物理量センサー、１３５…第２配線層、１３６…配線パターン、１３６ａ…輪郭、２００…電子機器としての携帯電話機、２０１…表示部、２０２…操作ボタン、２０４…受話口、２０５…小型カメラ、２０６…送話口、３００…移動体としての自動車。

Claims (7)

  1. 電子素子と、
    前記電子素子を搭載する積層基板と、を備え、
    前記積層基板は、ボンディングワイヤーを介して前記電子素子と接続されるボンディングパッドが設けられている第１配線層と、
    平面視で前記第１配線層と重なる第２配線層と、
    前記第１配線層と前記第２配線層との間に設けられている絶縁層と、を有し、
    前記第２配線層の輪郭が、平面視で前記ボンディングパッドと重ならない位置に配置されており、
    複数の前記ボンディングパッドが前記絶縁層の主面に設けられており、
    前記第２配線層の輪郭の一部は、平面視で隣り合う前記ボンディングパッドの間に配置され、前記第２配線層の厚みにより前記絶縁層の前記主面に生じる段差が前記隣り合うボンディングパッドの間に位置していることを特徴とする電子デバイス。
  2. 請求項１に記載の電子デバイスにおいて、
    複数の前記ボンディングパッドが設けられており、
    前記第２配線層の輪郭の一部は、平面視で隣り合う前記ボンディングパッド間の略中間に配置されていることを特徴とする電子デバイス。
  3. 請求項１または請求項２に記載の電子デバイスにおいて、
    前記絶縁層は、セラミック系の材料を含むことを特徴とする電子デバイス。
  4. 請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の電子デバイスにおいて、
    前記電子素子は、ＩＣチップであることを特徴とする電子デバイス。
  5. 請求項４に記載の電子デバイスにおいて、
    検出電極が形成された検出振動腕と、駆動電極が形成された駆動振動腕と、前記検出電極および前記駆動電極の少なくとも一方に電気的に接続された接続電極と、を有するセンサー素子と、
    前記積層基板に配置され、前記ボンディングパッドに電気的に接続された端子電極と、
    前記積層基板の前記端子電極と前記センサー素子の前記接続電極との間を電気的に接続し、前記ＩＣチップの上方に位置する前記センサー素子を支持する金属箔と、
    を更に備えていることを特徴とする電子デバイス。
  6. 請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
  7. 請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする移動体。
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