TWI485318B - Turbine molecular pump and substrate processing device - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 115
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 63
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 294
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 63
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 23
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 23
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 21
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 12
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 6
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 18
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 7
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04D—NON-POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
- F04D19/00—Axial-flow pumps
- F04D19/02—Multi-stage pumps
- F04D19/04—Multi-stage pumps specially adapted to the production of a high vacuum, e.g. molecular pumps
- F04D19/042—Turbomolecular vacuum pumps
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04D—NON-POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
- F04D29/00—Details, component parts, or accessories
- F04D29/70—Suction grids; Strainers; Dust separation; Cleaning
- F04D29/701—Suction grids; Strainers; Dust separation; Cleaning especially adapted for elastic fluid pumps
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F05—INDEXING SCHEMES RELATING TO ENGINES OR PUMPS IN VARIOUS SUBCLASSES OF CLASSES F01-F04
- F05D—INDEXING SCHEME FOR ASPECTS RELATING TO NON-POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES OR ENGINES, GAS-TURBINES OR JET-PROPULSION PLANTS
- F05D2260/00—Function
- F05D2260/60—Fluid transfer
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T50/00—Aeronautics or air transport
- Y02T50/60—Efficient propulsion technologies, e.g. for aircraft
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
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Description
本發明是有關渦輪分子泵、基板處理裝置、及渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，特別是關於排出堆積物附著要因氣體的渦輪分子泵。
通常，對半導體裝置用的晶圓實施電漿處理的基板處理裝置是具備收容基板而實施所定的處理之處理室(以下稱為「腔體」)。此基板處理裝置是當電漿處理為蝕刻處理時，對腔體內例如導入CF系氣體作為處理氣體，由該CF系氣體發生的電漿會被使用於蝕刻處理。此蝕刻處理時，電漿會與晶圓的被蝕刻膜反應，但存在一部份未反應的處理氣體。又，會有藉由電漿及被蝕刻膜的反應而產生反應生成物的情況，該產生的反應生成物會氣化而與未反應的處理氣體混交。
蝕刻處理後，未反應的處理氣體單獨或氣化後的反應生成物混交之未反應的處理氣體(以下包含兩者稱為「堆積物附著要因氣體」)會從腔體內排出，在該排出時是使用被連接至腔體的渦輪分子泵(Turbo Molecular Pump)。
圖8是概略顯示以往的渦輪分子泵的構成之剖面圖。另外，就圖8而言，來自腔體的排氣會從圖中上方朝向下方流動。
在圖8中，渦輪分子泵80是具有：以旋轉軸能夠沿
著排氣流的方向之方式配置的旋轉體之轉子(rotor)81、及收容該轉子81之圓筒狀的外殼82。從轉子81有複數個刀刃狀的轉子翼83會對旋轉軸垂直突出，且從外殼82的內周面有複數個刀刃狀的固定片翼84會朝向轉子81來對上述旋轉軸垂直突出。該等的轉子翼83及固定片翼84是構成渦輪機。然後，轉子81藉由感應馬達(Induction Motor)來高速旋轉時，渦輪分子泵80是以高速來將渦輪機上游的氣體引導至渦輪機的下游。被引導至渦輪機的下游之氣體是經由排氣管85來排出至外部。
可是在渦輪分子泵80的渦輪機與排氣管85之間的空間(以下稱為「下部空間」)LS藉由渦輪機而持續性地被送入氣體。並且，排氣管85的容積是比下部空間LS的容積更小，因此藉由渦輪機來送入下部空間LS的氣體會被積蓄於該下部空間LS。其結果，下部空間LS的壓力會變高。在此，渦輪分子泵80所排出的氣體是堆積物附著要因氣體，一旦下部空間LS的壓力超過堆積物附著要因氣體中的處理氣體等的飽和蒸氣壓，則處理氣體的成份會液化且反應生成物會凝固而形成堆積物來附著於面向下部空間LS的轉子81等的表面。該堆積物會使渦輪分子泵80的排氣效率降低，且最差的情況是引起渦輪分子泵80的固著，必須抑止堆積物的附著。
以往，抑止堆積物的附著之渦輪分子泵，是設置一利用旋轉來產生渦電流於該渦輪分子泵內的加熱裝置，將產生後的渦電流所引起的焦耳熱傳達至各構成零件(例如參
照專利文獻1)。在此渦輪分子泵是藉由使各構成零件的溫度上昇來使到達各構成零件表面的反應生成物或處理氣體氣化，而抑止堆積物的附著。
[專利文獻1]特開平9-32794號公報
然而，藉由來自加熱裝置的熱傳達，使各構成零件的溫度上昇時，會有以下的問題發生。
1.因為構成零件全體被加熱，所以構成零件的熱膨脹量會變大，恐有導致構成零件的破損之虞。
2.一旦堆積物附著於構成零件，則因為堆積物形成斷熱層，所以無法使堆積物的表面溫度上昇，無法抑止更新的堆積物附著於堆積物的表面。
3.由於無法使未與加熱裝置物理性連接的構成零件的溫度上昇，因此無法抑止堆積物附著於全部的構成零件。
亦即，來自加熱裝置的熱傳達是無法確實地抑止堆積物至構成零件。
又，由於堆積物的附著速度是隨著處理氣體的種類而有所不同，因此當無法確實地抑止堆積物附著於構成零件時，渦輪分子泵的交換時期的設定困難，無法安定地運用渦輪分子泵，進而無法安定地運用基板處理裝置。
本發明的目的是在於提供一種可確實地抑止堆積物附著至構成零件之渦輪分子泵、基板處理裝置及渦輪分子泵
的堆積物附著抑制方法。
為了達成上述目的，請求項1記載的渦輪分子泵，係由對基板實施處理的處理室來排出堆積物附著要因氣體之渦輪分子泵，其特徵係具備：具有沿著排氣流的旋轉軸之旋轉體、及收容該旋轉體的筒狀體、及從該旋轉體對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的旋轉翼、及從上述筒狀體之與上述旋轉體的對向面對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的靜止翼，上述複數的旋轉翼係被分割成複數的旋轉翼群，且上述複數的靜止翼係被分割成複數的靜止翼群，各上述旋轉翼群及各上述靜止翼群係沿著上述旋轉軸而交替配置，具有：有關上述排氣流在比位於最下游側的上述旋轉翼群更上游側開口之氣體供給口，該氣體供給口係供給含分子量大的氣體分子之堆積物附著抑制氣體。
請求項2記載的渦輪分子泵，如請求項1記載的渦輪分子泵，其中，上述分子量為氬的原子量以上。
請求項3記載的渦輪分子泵，如請求項1或2記載的渦輪分子泵，其中，上述堆積物附著抑制氣體係被加熱成高溫。
請求項4記載的渦輪分子泵，如請求項1~3中任一項所記載的渦輪分子泵，其中，上述氣體供給口除了供給上述堆積物附著抑制氣體，還供給清潔氣體。
請求項5記載的渦輪分子泵，如請求項4記載的渦輪分子泵，其中，上述清潔氣體係由臭氧、氨、三氟化氯所構成的群來選擇的至少1個。
為了達成上述目的，請求項6記載的渦輪分子泵，係由對基板實施處理的處理室來排出堆積物附著要因氣體之渦輪分子泵，其特徵係具備：具有沿著排氣流的旋轉軸之旋轉體、及收容該旋轉體的筒狀體、及從該旋轉體對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的旋轉翼、及從上述筒狀體之與上述旋轉體的對向面對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的靜止翼，上述複數的旋轉翼係被分割成複數的旋轉翼群，且上述複數的靜止翼係被分割成複數的靜止翼群，各上述旋轉翼群及各上述靜止翼群係沿著上述旋轉軸而交替配置，具有：有關上述排氣流在比上述複數的旋轉翼群更下游側與排氣管連通，有關上述排氣流在位於最下游側的上述旋轉翼群及上述排氣管之間開口之氣體供給口，該氣體供給口係供給高溫氣體。
為了達成上述目的，請求項7記載的基板處理裝置，係具備：對基板實施處理的處理室、及從該處理室排出堆積物附著要因氣體的渦輪分子泵之基板處理裝置，其特徵為：上述渦輪分子泵係具備：具有沿著排氣流的旋轉軸之旋轉體、及收容該旋轉體的筒狀體、及從該旋轉體對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的旋轉翼、及從上述筒狀
體之與上述旋轉體的對向面對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的靜止翼，上述複數的旋轉翼係被分割成複數的旋轉翼群，且上述複數的靜止翼係被分割成複數的靜止翼群，各上述旋轉翼群及各上述靜止翼群係沿著上述旋轉軸而交替配置，上述渦輪分子泵更具有：有關上述排氣流在比位於最下游側的上述旋轉翼群更上游側開口之氣體供給口，該氣體供給口係供給含分子量大的氣體分子之堆積物附著抑制氣體。
為了達成上述目的，請求項8記載的板處理裝置，係具備：對基板實施處理的處理室、及從該處理室排出堆積物附著要因氣體的渦輪分子泵之基板處理裝置，其特徵為：上述渦輪分子泵係具備：具有沿著排氣流的旋轉軸之旋轉體、及收容該旋轉體的筒狀體、及從該旋轉體對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的旋轉翼、及從上述筒狀體之與上述旋轉體的對向面對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的靜止翼，上述複數的旋轉翼係被分割成複數的旋轉翼群，且上述複數的靜止翼係被分割成複數的靜止翼群，各上述旋轉翼群及各上述靜止翼群係沿著上述旋轉軸而交替配置，上述渦輪分子泵更具有：有關上述排氣流在比上述複數的旋轉翼群更下游側與排氣管連通，有關上述排氣流在位於最下游側的上述旋轉翼群及上述排氣管之間開口之氣
體供給口，該氣體供給口係供給高溫氣體。
為了達成上述目的，請求項9記載的渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，係渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，該渦輪分子泵係經由開閉閥來與對基板實施處理的處理室連接，從上述處理室排出堆積物附著要因氣體，該渦輪分子泵係具有沿著排氣流的旋轉軸之旋轉體、及收容該旋轉體的筒狀體、及從該旋轉體對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的旋轉翼、及從上述筒狀體之與上述旋轉體的對向面對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的靜止翼，上述複數的旋轉翼係被分割成複數的旋轉翼群，且上述複數的靜止翼係被分割成複數的靜止翼群，各上述旋轉翼群及各上述靜止翼群係沿著上述旋轉軸而交替配置之渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，其特徵係具有：供給步驟，其係關閉上述開閉閥的同時，從有關上述排氣流比位於最下游側的上述旋轉翼群更上游側來供給包含分子量大的氣體分子之堆積物附著抑制氣體；及處理步驟，其係開啟上述開閉閥的同時，對上述基板實施上述處理。
請求項10記載的渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，如請求項9記載的堆積物附著抑制方法，其中，更具有：檢査步驟，其係於上述供給步驟之前，檢查上述渦輪分子泵內之堆積物的附著狀況；及
判別步驟，其係按照該檢査的結果來判別是否實行上述供給步驟。
請求項11記載的渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，如請求項9或10記載的堆積物附著抑制方法，其中，在上述處理步驟，從有關上述排氣流比位於最下游側的上述旋轉翼群更上游側來供給上述堆積物附著抑制氣體。
為了達成上述目的，請求項12記載的渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，係渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，該渦輪分子泵係經由開閉閥來與對基板實施處理的處理室連接，從上述處理室排出堆積物附著要因氣體，該渦輪分子泵係具有沿著排氣流的旋轉軸之旋轉體、及收容該旋轉體的筒狀體、及從該旋轉體對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的旋轉翼、及從上述筒狀體之與上述旋轉體的對向面對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的靜止翼，上述複數的旋轉翼係被分割成複數的旋轉翼群，且上述複數的靜止翼係被分割成複數的靜止翼群，各上述旋轉翼群及各上述靜止翼群係沿著上述旋轉軸而交替配置，有關上述排氣流在比上述複數的旋轉翼群更下游側與排氣管連通之渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，其特徵係具有：供給步驟，其係關閉上述開閉閥的同時，從有關上述排氣流位於最下游側的上述旋轉翼群及上述排氣管之間供給高溫氣體；及
處理步驟，其係開啟上述開閉閥的同時，對上述基板實施上述處理。
若根據請求項1記載的渦輪分子泵及請求項7記載的基板處理裝置，則有關排氣流在比位於最下游側的旋轉翼群更上游側開口的氣體供給口會供給含分子量大的氣體分子之堆積物附著抑制氣體。該被供給的堆積物附著抑制氣體中的分子量大的氣體分子會沿著排氣流流動而接觸於旋轉翼。由於旋轉翼是高速旋轉，因此當該旋轉翼與上述分子量大的氣體分子接觸時會發生摩擦熱，藉由該摩擦熱來加熱堆積物附著抑制氣體。所被加熱的堆積物附著抑制氣體會接觸於面向比上述旋轉翼群更下游側的空間之全部的構成零件，因此加熱該全部的構成零件。其結果，可抑止堆積物附著於面向上述空間之全部的構成零件。又，由於所被加熱的堆積物附著抑制氣體是接觸於構成零件的表面，因此僅構成零件的表面會被加熱。藉此，可抑止構成零件的熱膨脹，進而能夠防止構成零件的破損。又，當堆積物附著於構成零件的表面時，所被加熱的堆積物附著抑制氣體會接觸於附著後的堆積物，因此可直接加熱該堆積物，進而能夠使堆積物氣化而除去。藉由以上，可確實地抑止堆積物附著至構成零件。又，藉此，可容易進行渦輪分子泵的交換時期的設定，而能夠安定地運用渦輪分子泵，進而基板處理裝置。
若根據請求項2記載的渦輪分子泵，則因為堆積物附著抑制氣體中所含的氣體分子的分子量為氬的原子量以上，所以可擴大旋轉翼與該氣體分子的接觸時所產生的摩擦熱，而能夠確實地加熱堆積物附著抑制氣體。
若根據請求項3記載的渦輪分子泵，則因為堆積物附著抑制氣體被加熱成高溫，所以相較於僅利用旋轉翼及氬分子的接觸所引起的摩擦熱來加熱時，更可確實地使堆積物附著抑制氣體的溫度上昇。其結果，可使堆積物附著抑制氣體所接觸的構成零件的表面溫度確實地上昇。
若根據請求項4記載的渦輪分子泵，則因為氣體供給口除了堆積物附著抑制氣體以外還供給清潔氣體，所以在構成零件的表面有堆積物附著時，可確實地除去該堆積物。
若根據請求項6記載的渦輪分子泵及請求項8記載的基板處理裝置，則有關排氣流在位於最下游側的旋轉翼群及排氣管之間開口的氣體供給口會供給高溫氣體。該被供給的高溫氣體會接觸於面向上述旋轉翼群及排氣管之間的空間的全部構成零件，因此加熱該全部的構成零件。其結果，可抑止堆積物附著於面向上述空間的全部構成零件。又，由於高溫氣體是接觸於構成零件的表面，因此僅構成零件的表面會被加熱。藉此，可抑止構成零件的熱膨脹，進而能夠防止構成零件的破損。又，當構成零件的表面有堆積物附著時，因為高溫氣體會接觸於附著後的堆積物，所以可直接加熱該堆積物，進而能夠使堆積物氣化而除
去。藉由以上，可確實地抑止堆積物附著至構成零件。又，藉此，可容易進行渦輪分子泵的交換時期的設定，而能夠安定地運用渦輪分子泵，進而基板處理裝置。
若根據請求項9記載的渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，則對基板實施處理前，開閉閥會被關閉，從有關排氣流比位於最下游側的旋轉翼群更上游側來供給含分子量大的氣體分子之堆積物附著抑制氣體。此時，所被供給的堆積物附著抑制氣體中含的分子量大的氣體分子及旋轉翼會接觸而產生摩擦熱，藉由該摩擦熱來加熱堆積物附著抑制氣體。所被加熱的堆積物附著抑制氣體會接觸於面向比上述旋轉翼群更下游側的空間之構成零件而加熱該構成零件。其結果，到對基板實施處理為止可使構成零件的溫度上昇，在對基板實施處理時，即使堆積物附著要因氣體流動於渦輪分子泵內，還是可確實地抑止堆積物附著至構成零件。
若根據請求項10記載的渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，則可在堆積物附著抑制氣體的供給前，檢查渦輪分子泵內的堆積物的附著狀況，按照該檢査的結果來判別是否供給堆積物附著抑制氣體。藉此，可防止無謂浪費地供給堆積物附著抑制氣體，更可削減流動於配置在渦輪分子泵的下游的除害裝置之堆積物附著抑制氣體的流量，因此可延長該除害裝置的壽命。
若根據請求項11記載的渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，則在對基板實施處理時亦可從有關排氣流比位於
最下游側的旋轉翼群更上游側來供給堆積物附著抑制氣體。藉此，即使在對基板實施處理時有堆積物附著要因氣體流動的期間，照樣可加熱構成零件，且可藉由堆積物附著抑制氣體來稀釋堆積物附著要因氣體。其結果，可更確實地抑止堆積物附著至構成零件。
若根據請求項12記載的渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，則在對基板實施處理前，開閉閥會被關閉，從有關排氣流位於最下游側的旋轉翼群及排氣管之間來供給高溫氣體。該被供給的高溫氣體會接觸於面向上述旋轉翼群及排氣管之間的空間的構成零件而加熱該構成零件。其結果，到對基板實施處理為止可使構成零件的溫度上昇，在對基板實施處理時即使有堆積物附著要因氣體流動，還是可確實地抑止堆積物附著至構成零件。
以下，參照圖面來說明有關本發明的實施形態。
首先，說明有關本發明的第1實施形態。
圖1是概略顯示具備本實施形態的渦輪分子泵的基板處理裝置的構成剖面圖。
在圖1中，對半導體裝置用的晶圓(以下簡稱為「晶圓」)W實施反應性離子蝕刻(Reactive Ion Etching)(以下稱為「RIE」)處理的基板處理裝置10是具備由金屬例如鋁或不鏽鋼構成之呈現大小2個圓筒重疊的形狀之腔體11(處理室)。
在該腔體11內載置直徑例如300mm的晶圓W，配置有：與該載置的晶圓W一起在腔體11內上下降之作為晶圓台的下部電極12、及覆蓋上下降的下部電極12的側部之圓筒狀的蓋子13，藉由腔體11的側壁及下部電極12的側部或蓋子(cover)13來形成具有使腔體11內的氣體排出至腔體11外的流路機能之排氣路14。
在該排氣路14的途中配置有將該排氣路14分成上游側部14a及下游側部14b之環狀的排氣板15，下游側部14b是經由作為連通管的排氣多岐管16及可變式滑閥的自動壓力控制(Adaptive Pressure Control)(以下稱為「APC」)閥17(開閉閥)來連接至作為抽真空用的排氣泵之渦輪分子泵18，在該渦輪分子泵18的下游側經由排氣管19來連接乾式泵、以及除害裝置(皆未圖示)。另外，APC閥17亦可為蝴蝶閥。
在下部電極12，下部高頻電源20會經由下部整合器21來連接，下部高頻電源20是將高頻電力供給至下部電極12。並且，下部整合器21會降低來自下部電極12的高頻電力的反射，而使該高頻電力往下部電極12的供給效率形成最大。
並且，在下部電極12的上部，以能夠圍繞所被載置的晶圓W之方式配置有對焦環(focus ring)22。對焦環22是將發生於下部電極12上方的空間之處理空間S的電漿予以收束於晶圓W上。
在下部電極12的下方配置有從該下部電極12的下部
往下方延設的支持構件23。該支持構件23是支持下部電極12而使下部電極12昇降。並且，支持構件23是藉由伸縮蓋(bellows cover)24來覆蓋其周圍而與腔體11內的環境遮斷。
在腔體11的頂部配置有對處理空間S供給處理氣體的淋浴頭25。淋浴頭25是具備：具有面向處理空間S的多數個通氣孔26之圓板狀的上部電極板27、及可裝卸鉤住該上部電極板27之圓柱狀的冷卻板28、及載置於該冷卻板28上之圓板狀的蓋體29。
在上部電極板27，上部高頻電源30會經由上部整合器31來連接，上部高頻電源30是將高頻電力供給至上部電極板27。
在冷卻板28的內部設有緩衝室32，在該緩衝室32連通有處理氣體導入管33。在處理氣體導入管33的途中配置有閥34，更在閥34的上游配置有過濾器35。並且，在緩衝室32例如從處理氣體導入管33導入由四氟化矽(SiF4
)，氧氣體(O2
)，氬氣體(Ar)及四氟化碳(CF4
)的單獨、或組合而成的處理氣體，該被導入的處理氣體是經由通氣孔26來供給處理空間S。
在此基板處理裝置10是處理氣體會被供給至處理空間S，且由下部電極12及上部電極板27來供給高頻電力至處理空間S。此時，從處理氣體發生高密度的電漿。該電漿是藉由對焦環22來收束於晶圓W的表面，對晶圓W的表面實施RIE處理。
此RIE處理時，電漿會與晶圓W的被蝕刻膜反應，但存在一部份未反應的處理氣體。並且，會有藉由電漿及被蝕刻膜的反應而產生反應生成物的情況。若為常溫，則該反應生成物會當作堆積物來附著於腔體11內的各構成零件，但因電漿為高溫，所以該反應生成物會氣化而與未反應的處理氣體混交。然後，未反應的處理氣體單獨或氣化後的反應生成物混交之未反應的處理氣體(以下包含兩者稱為「堆積物附著要因氣體」)是經由排氣路14、排氣多岐管(manifold)16及APC閥17而利用渦輪分子泵18來排出。
圖2是概略顯示圖1的渦輪分子泵的構成剖面圖。
在圖2中，渦輪分子泵18是具備：以旋轉軸36能夠沿著排氣流的方向(圖中上下方向)之方式配置的旋轉體之轉子37、及收容該轉子37之圓筒狀的外殼38、及從該轉子37來對旋轉軸36垂直突出之複數的刀刃狀的旋轉翼39、及從外殼38之與轉子37的對向面38a來對旋轉軸36垂直突出之複數的刀刃狀的靜止翼40。
複數的旋轉翼39是被分割成複數的旋轉翼群41，且複數的靜止翼40是被分割成複數的靜止翼群42。在各旋轉翼群41中，複數的旋轉翼39是在對旋轉軸36垂直的同一平面內從轉子37突出成放射狀，且各旋轉翼39會沿著轉子37的旋轉方向來等間隔配置。並且，在各靜止翼群42中，複數的靜止翼40是在對旋轉軸36垂直的同一平面內從外殼38的對向面38a往旋轉軸36突出，且各靜
止翼40會沿著轉子37的旋轉方向來等間隔配置。然後，各旋轉翼群41及各靜止翼群42是沿著旋轉軸36來交替配置。在此渦輪分子泵18，各旋轉翼群41及各靜止翼群42會構成渦輪機T。
又，渦輪分子泵18內藏感應馬達(未圖示)，該感應馬達是使轉子37在旋轉軸36周圍高速旋轉(10000rpm以上)。此時，在渦輪機T的圖中上方及下方之間產生壓力差，藉由該壓力差，使氣體從圖中上方高速引導至下方。因此，排氣流是從圖中上方流至下方。以下，將圖中上方稱為「上游側」，將圖中下方稱為「下游側」。
在渦輪機T的下游側存在被送入氣體的下部空間LS(比旋轉翼群更下游側的空間)，該下部空間LS是與排氣管19連通。藉由渦輪機T來送入下部空間LS的氣體是經由排氣管19來流入至乾式泵及除害裝置。
在此，如上述般，一旦轉子37高速旋轉，則下部空間LS的壓力會變高，因此恐有堆積物附著要因氣體中的反應生成物或處理氣體的成份會液化、凝固而作為堆積物來附著於面向下部空間LS的渦輪分子泵18的構成零件之虞。
在本實施形態的渦輪分子泵18，對應於此，具備用以加熱面向下部空間LS的全部構成零件之構成。亦即，渦輪分子泵18是在轉子37中具有：有關排氣流比位於最下游側的旋轉翼群41更上游側，具體而言從下游側起第2個的旋轉翼群41及第3個的旋轉翼群41之間開口之複
數的氣體供給口43。然後，該氣體供給口43會供給含分子量大的氣體分子、例如氬(Ar)分子之堆積物附著抑制氣體。另外，各氣體供給口43是沿著對旋轉軸36垂直的同一平面與轉子37表面相交的圓周以等間隔配置。
從各氣體供給口43供給的堆積物附著抑制氣體中的氬分子是沿著排氣流而流動，如圖3所示，重複與沿著圖中中空箭號高速旋轉的各旋轉翼39或靜止的各靜止翼40接觸。特別是在與高速旋轉的各旋轉翼39接觸時，氬分子是與各旋轉翼39等摩擦而產生摩擦熱。該摩擦熱會加熱堆積物附著抑制氣體。該被加熱的堆積物附著抑制氣體會原封不動地被送入部空間LS，加熱面向下部空間LS的全部構成零件。
回到圖2，渦輪分子泵18是具有：朝向下部空間LS射出雷射光L的雷射振盪器44、及接受所被照射的雷射光L之檢測器45。從雷射振盪器44射出的雷射光L，如圖4所示，是重複面向下部空間LS的構成零件表面的反射來射入檢測器45，但此時，若堆積物附著於面向下部空間LS的構成零件表面，則因為該堆積物會吸收雷射光L的能量，所以雷射光L的功率會降低。因此，可藉由計測檢測器45所檢測的雷射光L的功率來檢查堆積物的附著狀況。
在此，為了提高雷射光L的反射效率，最好是以反射率高的物質來被覆各構成零件的表面。就反射率高的物質而言，例如為碳酸鎂、銀、氧化鋇、氧化鋁、瓷釉、琺
瑯。又，為了提高反射率，亦可以鋁電解研磨面、白色塗料面、白紙(奉書、吸取紙、肯特(Kent)紙、雞蛋紙)來構成各構成零件的表面。
又，雷射振盪器44在以高輸出來射出雷射光L時，可關閉APC閥17而一面遮斷來自渦輪機T的上游側之排氣流，一面對下部空間LS供給氧氣體。此時，氧氣體會變化成臭氧氣體，該臭氧氣體可藉由還元來分解附著於構成零件表面的堆積物而除去。
若根據本實施形態的渦輪分子泵18，則有關排氣流在比位於最下游側的旋轉翼群41更上游側開口的氣體供給口43會供給含氬分子的堆積物附著抑制氣體。該被供給的堆積物附著抑制氣體中的氬分子是沿著排氣流來流動而接觸於旋轉翼39。由於旋轉翼39是高速旋轉，因此在該旋轉翼39及堆積物附著抑制氣體中所含的氬分子接觸時產生摩擦熱，藉由該摩擦熱來加熱堆積物附著抑制氣體。因為所被加熱的堆積物附著抑制氣體是接觸於面向下部空間LS的全部構成零件，所以加熱該全部的構成零件。其結果，可抑止堆積物附著於面向下部空間LS的全部構成零件。
又，所被加熱的堆積物附著抑制氣體是接觸於構成零件的表面，因此僅構成零件的表面會被加熱。藉此，可抑止構成零件的熱膨脹，進而能夠防止構成零件的破損。
又，堆積物附著於構成零件的表面時，所被加熱的堆積物附著抑制氣體是接觸於附著後的堆積物，因此可直接
加熱該堆積物，進而能夠使堆積物氣化而除去。
根據以上，可確實地抑止堆積物附著至構成零件。又，藉此可容易進行渦輪分子泵18的交換時期的設定，而能夠安定地運用渦輪分子泵18，進而基板處理裝置10。
在此渦輪分子泵18是從渦輪機T的途中來供給堆積物附著抑制氣體，因此該堆積物附著抑制氣體不會逆流至腔體11內，不會有對RIE處理造成影響的情況。又，雖藉由與氬分子的接觸，旋轉翼39也會藉由摩擦熱而被加熱，但因為是從渦輪機T的途中來供給附著抑制氣體，所以並非是渦輪分子泵18所具有的全部旋轉翼39會被加熱，可避免全部的旋轉翼39因熱膨脹而破損，渦輪機T損壊的危險。
在上述渦輪分子泵18，於堆積物附著抑制氣體中所含的分子量大的氣體分子為氬分子，但只要所含的氣體分子的分子量為氬的原子量以上即可，藉此可擴大旋轉翼39及該氣體分子的接觸時所發生的摩擦熱，進而能夠確實地加熱堆積物附著抑制氣體。在此所被使用的氣體分子，例如為氪分子或氙分子。
又，上述渦輪分子泵18中亦可將堆積物附著抑制氣體加熱成高溫來供給，藉此相較於僅利用旋轉翼39及氬分子的接觸所引起的摩擦熱來加熱時，更可確實地使堆積物附著抑制氣體的溫度上昇。其結果，可使堆積物附著抑制氣體所接觸的構成零件的表面溫度確實地上昇。
又，氣體供給口43除了堆積物附著抑制氣體以外還可供給清潔氣體，藉此在構成零件的表面有堆積物附著時，可藉由清潔氣體的洗浄效果來確實地除去該堆積物。在此，清潔氣體例如為臭氧、氨或三氟化氯等。
又，渦輪分子泵18中亦可更從渦輪機(turbine)T的上游側供給高溫氣體。藉此，不僅可使構成零件的表面溫度確實地上昇，而且可稀釋堆積物附著要因氣體，進而能夠確實抑止堆積物附著至構成零件。
在上述渦輪分子泵18是從氣體供給口43來供給含氬分子的氣體作為堆積物附著抑制氣體，但亦可從氣體供給口43供給不含氬分子的氮氣體構成的高溫氣體。此時，所被供給的高溫氣體是接觸於面向下部空間LS的全部構成零件，因此可抑止堆積物附著於面向下部空間LS的全部構成零件。
並且，在上述渦輪分子泵18是氣體供給口43會被設於轉子37，但亦可設置成將氣體供給口43開口於外殼38的對向面38a。
其次，說明有關本發明的第1實施形態的渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法。
圖5是作為本實施形態的渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法之堆積物附著抑制處理的流程圖。
在圖5中，首先，為了在腔體11中進行晶圓W的搬出入，而關閉APC閥17，遮斷腔體11及渦輪分子泵18的連通(步驟S51)，從雷射振盪器44朝向下部空間LS來
照射雷射光L，測定附著於面向下部空間LS的構成零件的表面之堆積物量(檢查堆積物的附著狀況)(步驟S52)(檢査步驟)。
其次，在步驟S53，判別所被測定的堆積物量是否比所定量更多(判別步驟)，當該判別的結果是所被測定的堆積物量為所定量以下時，原封不動前進至步驟S55，當所被測定的堆積物量比所定量更多時，在渦輪分子泵18中從轉子37的氣體供給口43供給堆積物附著抑制氣體(步驟S54)(供給步驟)。
其次，開啟APC閥17，在腔體11內對晶圓W實施RIE處理(步驟S55)(處理步驟)，終了本處理。
若根據圖5的處理，則在對晶圓W實施RIE處理前，APC閥17會被關閉，在渦輪分子泵18中從轉子37的氣體供給口43供給堆積物附著抑制氣體。此時，被供給的堆積物附著抑制氣體中所含的氬分子及旋轉翼39接觸時產生摩擦熱，藉由該摩擦熱，堆積物附著抑制氣體會被加熱。所被加熱的堆積物附著抑制氣體會接觸於面向下部空間LS的構成零件而加熱該構成零件。其結果，對晶圓W實施RIE處理為止可使構成零件的溫度上昇，即使在對晶圓W實施RIE處理時堆積物附著要因氣體流動於渦輪分子泵18內，還是可確實地抑止堆積物附著至構成零件。
並且，圖5的處理是在堆積物附著抑制氣體的供給前，測定附著於面向下部空間LS的構成零件的表面之堆
積物量，按照該測定的結果來判別是否供給堆積物附著抑制氣體。藉此，可防止無謂地浪費供給堆積物附著抑制氣體，更可削減流動於經由排氣管19來配置於渦輪分子泵18的下游之除害裝置的過濾器之堆積物附著抑制氣體的流量，因此可延長該除害裝置的壽命。
上述圖5的處理是在對晶圓W實施RIE處理時不從氣體供給口43供給堆積物附著抑制氣體，但亦可在對晶圓W實施RIE處理時從氣體供給口43供給堆積物附著抑制氣體。藉此，在堆積物附著要因氣體流動於渦輪分子泵18內的期間亦可加熱構成零件的同時，可藉由堆積物附著抑制氣體來稀釋堆積物附著要因氣體。其結果，可更確實抑止堆積物附著至構成零件。
其次，說明有關本發明的第2實施形態。
本實施形態，其構成、作用與上述第1實施形態基本上相同，僅轉子37之氣體供給口的開口位置及由該氣體供給口供給的氣體不同，因此有關重複的構成、作用方面省略說明，以下進行有關相異的構成、作用之說明。
圖6是概略顯示本實施形態的渦輪分子泵的構成剖面圖。
在圖6中，渦輪分子泵18是在轉子37中具有複數的氣體供給口46，其係有關排氣流在位於最下游側的旋轉翼群41及排氣管19之間開口，具體而言，朝向下部空間LS開口。然後，該氣體供給口46會供給由高溫的氮氣體所構成的高溫氣體。另外，各氣體供給口46是與氣體供
給口43同様，沿著對旋轉軸36垂直的同一平面與轉子37的表面相交的圓周以等間隔配置。
若利用本實施形態的渦輪分子泵18，則朝向下部空間LS開口的氣體供給口46會供給高溫氣體。由於該被供給的高溫氣體接觸於面向下部空間LS的全體構成零件，因此會加熱該全體的構成零件。其結果，可抑止堆積物附著於面向下部空間LS的全部構成零件。
又，由於高溫氣體是接觸於構成零件的表面，因此僅構成零件的表面會被加熱。藉此，可抑止構成零件的熱膨脹，進而能夠防止構成零件的破損。
又，當堆積物附著於構成零件的表面時，由於高溫氣體接觸於附著的堆積物，因此可直接加熱該堆積物，進而能夠使堆積物氣化而除去。
根據以上，可確實抑止堆積物附著至構成零件。
上述渦輪分子泵18是藉由高溫的氮氣體來構成高溫氣體，但亦可藉由高溫的惰性氣體、例如氖氣體或氦氣體來構成高溫氣體。
其次，說明有關本發明的第2實施形態之渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法。
圖7是作為本實施形態的渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法之堆積物附著抑制處理的流程圖。
在圖7中，首先，為了在腔體11中進行晶圓W的搬出入，關閉APC閥17，而遮斷腔體11及渦輪分子泵18的連通(步驟S71)，從雷射振盪器44朝向下部空間LS來
照射雷射光L，測定附著於面向下部空間LS的構成零件的表面之堆積物量(步驟S72)。
其次，在步驟S73判別所被測定的堆積物量是否比所定量更多，當該判別的結果是所被測定的堆積物量為所定量以下時，原封不動前進至步驟S75，當所被測定的堆積物量比所定量多時，在渦輪分子泵18中從轉子37的氣體供給口46來供給高溫氣體(步驟S74)(供給步驟)。
其次，開啟APC閥17，在腔體11內對晶圓W實施RIE處理(步驟S75)(處理步驟)，終了本處理。
若根據圖7的RIE處理，則在對晶圓W實施RIE處理前，APC閥17會被關閉，從氣體供給口46朝向下部空間LS來供給高溫氣體。該被供給的高溫氣體是接觸於面向下部空間LS的構成零件，而來加熱該構成零件。其結果，對晶圓W實施RIE處理為止可使構成零件的溫度上昇，即使在對晶圓W實施RIE處理時有堆積物附著要因氣體流動，還是可確實地抑止堆積物附著至構成零件。
上述圖7的處理是在對晶圓W實施RIE處理時不從氣體供給口46供給高溫氣體，但亦可在實施RIE處理時從氣體供給口46供給高溫氣體。藉此，在堆積物附著要因氣體流動於渦輪分子泵18內的期間亦可加熱構成零件的同時，可藉由高溫氣體來稀釋堆積物附著要因氣體。其結果，可更確實抑止堆積物附著至構成零件。
另外，亦可組合上述第1實施形態及第2實施形態，亦即轉子37可具有氣體供給口43及46。
W‧‧‧晶圓
10‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧腔體
17‧‧‧APC閥
18‧‧‧渦輪分子泵
36‧‧‧旋轉軸
37‧‧‧轉子
38‧‧‧外殼
39‧‧‧旋轉翼
40‧‧‧靜止翼
41‧‧‧旋轉翼群
42‧‧‧靜止翼群
43,46‧‧‧氣體供給口
44‧‧‧雷射振盪器
45‧‧‧檢測器
圖1是概略顯示具備本發明的第1實施形態的渦輪分子泵之基板處理裝置的構成剖面圖。
圖2是概略顯示圖1之渦輪分子泵的構成剖面圖。
圖3是用以說明堆積物附著抑制氣體中的氬分子與旋轉翼或靜止翼的接觸。
圖4是表示在圖2的渦輪分子泵之下部空間中被反射的雷射光。
圖5是作為本實施形態的渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法之堆積物附著抑制處理的流程圖。
圖6是概略顯示本發明的第2的實施形態之渦輪分子泵的構成剖面圖。
圖7是作為本實施形態的渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法之堆積物附著抑制處理的流程圖。
圖8是概略顯示以往的渦輪分子泵的構成剖面圖。
17‧‧‧APC閥
18‧‧‧渦輪分子泵
19‧‧‧排氣管
36‧‧‧旋轉軸
37‧‧‧轉子
38a‧‧‧對向面
41(39)‧‧‧旋轉翼群
42(40)‧‧‧靜止翼群
43‧‧‧氣體供給口
44‧‧‧雷射振盪器
45‧‧‧檢測器
Claims (20)
- 一種渦輪分子泵，係由對基板實施處理的處理室來排出堆積物附著要因氣體之渦輪分子泵，其特徵係具備；具有沿著排氣流的旋轉軸之旋轉體、及收容該旋轉體的筒狀體、及從該旋轉體對上述旋轉軸垂直突出且分割成複數的旋轉翼群之複數個刀刃狀的旋轉翼、及從上述筒狀體之與上述旋轉體的對向面對上述旋轉軸垂直突出且分割成複數的靜止翼群之複數個刀刃狀的靜止翼，各上述旋轉翼群及各上述靜止翼群係沿著上述旋轉軸而交替配置，前述旋轉體係具有：有關上述排氣流在比位於最下游側的上述旋轉翼群更上游側開口之氣體供給口，該氣體供給口係供給含分子量大的氣體分子之堆積物附著抑制氣體。
- 如申請專利範圍第1項之渦輪分子泵，其中，上述堆積物附著抑制氣體係被加熱成高溫。
- 如申請專利範圍第1或2項之渦輪分子泵，其中，上述氣體供給口除了供給上述堆積物附著抑制氣體，還供給清潔氣體。
- 如申請專利範圍第3項之渦輪分子泵，其中，上述清潔氣體係由臭氧、氨、三氟化氯所構成的群來選擇的至少1個。
- 一種渦輪分子泵，係由對基板實施處理的處理室來排出堆積物附著要因氣體之渦輪分子泵，其特徵係具備： 具有沿著排氣流的旋轉軸之旋轉體、及收容該旋轉體的筒狀體、及從該旋轉體對上述旋轉軸垂直突出且分割成複數的旋轉翼群之複數個刀刃狀的旋轉翼、及從上述筒狀體之與上述旋轉體的對向面對上述旋轉軸垂直突出且分割成複數的靜止翼群之複數個刀刃狀的靜止翼、及連接至上述渦輪分子泵的排氣管，各上述旋轉翼群及各上述靜止翼群係沿著上述旋轉軸而交替配置，上述渦輪分子泵係有關上述排氣流在比上述複數的旋轉翼群更下游側與上述排氣管連通，上述旋轉體係具有：有關上述排氣流在位於最下游側的上述旋轉翼群及上述排氣管之間開口之氣體供給口，該氣體供給口係供給高溫氣體。
- 一種基板處理裝置，係具備：對基板實施處理的處理室、及從該處理室排出堆積物附著要因氣體的渦輪分子泵之基板處理裝置，其特徵為：上述渦輪分子泵係具備：具有沿著排氣流的旋轉軸之旋轉體、及收容該旋轉體的筒狀體、及從該旋轉體對上述旋轉軸垂直突出且分割成複數的旋轉翼群之複數個刀刃狀的旋轉翼、及從上述筒狀體之與上述旋轉體的對向面對上述旋轉軸垂直突出且分割成複數的靜止翼群之複數個刀刃狀的靜止翼，各上述旋轉翼群及各上述靜止翼群係沿著上述旋轉軸而交替配置， 上述渦輪分子泵係具有：有關上述排氣流在比位於最下游側的上述旋轉翼群更上游側開口之氣體供給口，上述氣體供給口係供給含分子量大的氣體分子之堆積物附著抑制氣體。
- 一種基板處理裝置，係具備：對基板實施處理的處理室、及從該處理室排出堆積物附著要因氣體的渦輪分子泵之基板處理裝置，其特徵為：上述渦輪分子泵係具備：具有沿著排氣流的旋轉軸之旋轉體、及收容該旋轉體的筒狀體、及從該旋轉體對上述旋轉軸垂直突出且分割成複數的旋轉翼群之複數個刀刃狀的旋轉翼、及從上述筒狀體之與上述旋轉體的對向面對上述旋轉軸垂直突出且分割成複數的靜止翼群之複數個刀刃狀的靜止翼，各上述旋轉翼群及各上述靜止翼群係沿著上述旋轉軸而交替配置，上述渦輪分子泵係有關上述排氣流在比上述複數的旋轉翼群更下游側與排氣管連通，上述旋轉體係具有：有關上述排氣流在位於最下游側的上述旋轉翼群及上述排氣管之間開口之氣體供給口，該氣體供給口係供給高溫氣體。
- 一種渦輪分子泵，係由對基板實施處理的處理室來排出堆積物附著要因氣體之渦輪分子泵，其特徵係具備：具有沿著排氣流的旋轉軸之旋轉體、及收容該旋轉體的筒狀體、及從該旋轉體對上述旋轉軸垂直突出且分割成複數的旋轉翼群之複數個刀刃狀的旋轉翼、及從上述筒狀 體之與上述旋轉體的對向面對上述旋轉軸垂直突出且分割成複數的靜止翼群之複數個刀刃狀的靜止翼，各上述旋轉翼群及各上述靜止翼群係沿著上述旋轉軸而交替配置，上述旋轉體係具有：有關上述排氣流在比位於最下游側的上述旋轉翼群更上游側開口之複數的氣體供給口，該複數的氣體供給口係供給堆積物附著抑制氣體，上述複數的氣體供給口係於上述旋轉體開口，上述旋轉體係內藏沿著上述旋轉軸而形成之上述堆積物附著抑制氣體的通路，上述通路係分岐而連通至上述複數的氣體供給口。
- 一種渦輪分子泵，係由對基板實施處理的處理室來排出堆積物附著要因氣體之渦輪分子泵，其特徵係具備：具有沿著排氣流的旋轉軸之旋轉體、及收容該旋轉體的筒狀體、及從該旋轉體對上述旋轉軸垂直突出且分割成複數的旋轉翼群之複數個刀刃狀的旋轉翼、及從上述筒狀體之與上述旋轉體的對向面對上述旋轉軸垂直突出且分割成複數的靜止翼群之複數個刀刃狀的靜止翼、及連接至上述渦輪分子泵的排氣管，各上述旋轉翼群及各上述靜止翼群係沿著上述旋轉軸而交替配置，上述渦輪分子泵係有關上述排氣流在比上述複數的旋轉翼群更下游側與上述排氣管連通，上述旋轉體係具有：有關上述排氣流在位於最下游側的上述旋轉翼群及上述排 氣管之間開口之複數的氣體供給口，上述複數的氣體供給口係被供給堆積物附著抑制氣體，上述複數的氣體供給口係於上述旋轉體開口。
- 一種基板處理裝置，係具備：對基板實施處理的處理室、及從該處理室排出堆積物附著要因氣體的渦輪分子泵之基板處理裝置，其特徵為：上述渦輪分子泵係具有：具有沿著排氣流的旋轉軸之旋轉體、及收容該旋轉體的筒狀體、及從該旋轉體對上述旋轉軸垂直突出且分割成複數的旋轉翼群之複數個刀刃狀的旋轉翼、及從上述筒狀體之與上述旋轉體的對向面對上述旋轉軸垂直突出且分割成複數的靜止翼群之複數個刀刃狀的靜止翼，各上述旋轉翼群及各上述靜止翼群係沿著上述旋轉軸而交替配置，上述渦輪分子泵係具有：有關上述排氣流在比位於最下游側的上述旋轉翼群更上游側開口之複數的氣體供給口，上述複數的氣體供給口係被供給堆積物附著抑制氣體，上述複數的氣體供給口係於上述旋轉體開口，上述旋轉體係內藏沿著上述旋轉軸而形成之上述堆積物附著抑制氣體的通路，上述通路係分岐而連通至上述複數的氣體供給口。
- 一種基板處理裝置，係具備：對基板實施處理的處理室、及從該處理室排出堆積物附著要因氣體的渦輪分 子泵之基板處理裝置，其特徵為：上述渦輪分子泵係具有：具有沿著排氣流的旋轉軸之旋轉體、及收容該旋轉體的筒狀體、及從該旋轉體對上述旋轉軸垂直突出且分割成複數的旋轉翼群之複數個刀刃狀的旋轉翼、及從上述筒狀體之與上述旋轉體的對向面對上述旋轉軸垂直突出且分割成複數的靜止翼群之複數個刀刃狀的靜止翼、及連接至上述渦輪分子泵的排氣管，各上述旋轉翼群及各上述靜止翼群係沿著上述旋轉軸而交替配置，上述渦輪分子泵係有關上述排氣流在比上述複數的旋轉翼群更下游側與上述排氣管連通，上述旋轉體係具有：有關上述排氣流在位於最下游側的上述旋轉翼群及上述排氣管之間開口之複數的氣體供給口，上述複數的氣體供給口係被供給高溫氣體，上述複數的氣體供給口係於上述旋轉體開口。
- 一種基板處理裝置，其特徵係具備：對基板實施處理的處理室、及從該處理室排出堆積物附著要因氣體的渦輪分子泵，上述渦輪分子泵係具備：具有沿著排氣流的旋轉軸之旋轉體、及收容該旋轉體的筒狀體、及從該旋轉體對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的旋轉翼、及從上述筒狀體之與上述旋轉體的對向面對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的靜止翼， 上述旋轉體係具有對上述旋轉翼及上述靜止翼之間供給堆積物附著抑制氣體的氣體供給口，上述氣體供給口係有關上述排氣流位於比位於最下游側的上述旋轉翼更上游側，對於上述旋轉軸垂直的同一平面係沿著與上述旋轉體的表面相交的圓周來以等間隔配置於上述旋轉體。
- 一種渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，該渦輪分子泵係經由閥來與對基板實施處理的處理室連接，從上述處理室排出堆積物附著要因氣體，具有沿著排氣流的旋轉軸之旋轉體、及收容該旋轉體的筒狀體、及從該旋轉體對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的旋轉翼、及從上述筒狀體之與上述旋轉體的對向面對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的靜止翼，上述複數的旋轉翼係被分割成複數的旋轉翼群，且上述複數的靜止翼係被分割成複數的靜止翼群，各上述旋轉翼群及各上述靜止翼群係沿著上述旋轉軸而交替配置，上述旋轉體係具有位於上述旋轉翼群的上游側之開口的氣體供給口，上述旋轉翼群係有關上述排氣流位於最下游側，其特徵係具有：供給步驟，其係關閉上述閥，且從上述氣體供給口供給堆積物附著抑制氣體；及處理步驟，其係開啟上述閥，且對上述基板實施上述處理。
- 如申請專利範圍第13項之渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，其中，在上述供給步驟之前，更具有：檢查 上述渦輪分子泵內的堆積物的附著狀況之檢查步驟、及按照上述檢查步驟的結果來判別是否實行上述供給步驟的判別步驟，上述檢查步驟，係於上述筒狀體中朝有關上述排氣流位於最下游側的上述旋轉翼群的下游側所存在的下部空間射出雷射光，接受在面對上述下部空間的構成零件的表面重複反射的上述雷射光，藉由計測上述接受的雷射光的功率來檢查上述堆積物的上述附著狀況。
- 如申請專利範圍第13或14項之渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，其中，上述處理步驟具備：有關上述排氣流從位於最下游側的上述旋轉翼群的上游側供給上述堆積物附著抑制氣體之其他的供給步驟。
- 如申請專利範圍第13或14項之渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，其中，上述堆積物附著抑制係背加熱至高溫。
- 如申請專利範圍第6，7，10，11，12項之基板處理裝置，其中，更具備：雷射發送器，其係於上述筒狀體中朝有關上述排氣流位於最下游側的上述旋轉翼群的下游側所存在的下部空間射出雷射光；及檢測器，其係接受在面對上述下部空間的構成零件的表面重複反射的上述雷射光，藉由計測上述接受的雷射光的功率來檢查堆積物的附著狀況。
- 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置，其中，上述雷射光重複反射的上述構成零件的上述表面係以反射率高的物質所被覆。
- 如申請專利範圍第15項之渦輪分子泵的堆積物附著抑制方法，其中，在上述供給步驟之前，更具有：檢查上述渦輪分子泵內的堆積物的附著狀況之檢查步驟、及按照上述檢查步驟的結果來判別是否實行上述供給步驟的判別步驟，上述檢查步驟，係於上述筒狀體中朝有關上述排氣流位於最下游側的上述旋轉翼群的下游側所存在的下部空間射出雷射光，接受在面對上述下部空間的構成零件的表面重複反射的上述雷射光，藉由計測上述接受的雷射光的功率來檢查上述堆積物的上述附著狀況。
- 一種渦輪分子泵，係由對基板實施處理的處理室來排出堆積物附著要因氣體之渦輪分子泵，其特徵係具備：具有沿著排氣流的旋轉軸之旋轉體、及收容該旋轉體的筒狀體、及從該旋轉體對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的旋轉翼、及從上述筒狀體之與上述旋轉體的對向面對上述旋轉軸垂直突出之複數個刀刃狀的靜止翼，具有對上述旋轉翼及上述靜止翼之間供給堆積物附著抑制氣體的氣體供給口，上述氣體供給口係有關上述排氣流位於比位於最下游側的上述旋轉翼更上游側，對於上述旋轉軸垂直的同一平 面係沿著與上述旋轉體的表面相交的圓周來以等間隔配置於上述旋轉體。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007089805A JP5190214B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | ターボ分子ポンプ、基板処理装置、及びターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200902836A TW200902836A (en) | 2009-01-16 |
| TWI485318B true TWI485318B (zh) | 2015-05-21 |
Family
ID=39794684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW097111425A TWI485318B (zh) | 2007-03-29 | 2008-03-28 | Turbine molecular pump and substrate processing device |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8052376B2 (zh) |
| JP (1) | JP5190214B2 (zh) |
| KR (1) | KR100980511B1 (zh) |
| CN (1) | CN101275574B (zh) |
| TW (1) | TWI485318B (zh) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010098092A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 真空ポンプの運転方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP5437014B2 (ja) * | 2009-10-16 | 2014-03-12 | 株式会社アルバック | ターボ分子ポンプ及び基板処理装置 |
| CN102865250B (zh) * | 2012-09-27 | 2017-04-19 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 用于半导体制造的泵抽吸端口的遮挡盖 |
| KR102163381B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2020-10-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 폴리머 관리를 통한 에칭 시스템의 생산성 개선 |
| CN103269142B (zh) * | 2013-05-27 | 2015-08-05 | 浙江建达电器有限公司 | 分子泵用高速永磁电机 |
| WO2016157425A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 三菱重工コンプレッサ株式会社 | 回転機械の検査方法、回転機械 |
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| TWI604130B (zh) * | 2016-07-18 | 2017-11-01 | Orient Service Co Ltd | 注氣式鼓風機 |
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| TW202101638A (zh) | 2019-03-15 | 2021-01-01 | 美商蘭姆研究公司 | 用於蝕刻反應器的渦輪分子泵及陰極組件 |
| JP7477268B2 (ja) | 2019-07-16 | 2024-05-01 | 矢崎総業株式会社 | 圧着端子 |
| JP2021179193A (ja) * | 2020-05-13 | 2021-11-18 | エドワーズ株式会社 | 真空ポンプ、及び、ステータ部品 |
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| JP3252792B2 (ja) * | 1998-04-27 | 2002-02-04 | 株式会社島津製作所 | ターボ形真空排気装置 |
| JP2002202089A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-19 | Shimadzu Corp | ターボ形ドライ真空ポンプ |
| JP3961273B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2007-08-22 | Ｂｏｃエドワーズ株式会社 | 真空ポンプ |
| JP4156830B2 (ja) * | 2001-12-13 | 2008-09-24 | エドワーズ株式会社 | 真空ポンプ |
| JP2005171766A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Ulvac Japan Ltd | ドライポンプ及びドライポンプの運転方法 |
-
2007
- 2007-03-29 JP JP2007089805A patent/JP5190214B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-27 KR KR1020080028472A patent/KR100980511B1/ko active IP Right Grant
- 2008-03-28 US US12/057,767 patent/US8052376B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-28 TW TW097111425A patent/TWI485318B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-03-31 CN CN2008100863975A patent/CN101275574B/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080240910A1 (en) | 2008-10-02 |
| TW200902836A (en) | 2009-01-16 |
| CN101275574B (zh) | 2010-11-10 |
| JP2008248754A (ja) | 2008-10-16 |
| KR20080088465A (ko) | 2008-10-02 |
| KR100980511B1 (ko) | 2010-09-06 |
| CN101275574A (zh) | 2008-10-01 |
| US8052376B2 (en) | 2011-11-08 |
| JP5190214B2 (ja) | 2013-04-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |