JP2003068693A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法Info
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- JP2003068693A JP2003068693A JP2001259843A JP2001259843A JP2003068693A JP 2003068693 A JP2003068693 A JP 2003068693A JP 2001259843 A JP2001259843 A JP 2001259843A JP 2001259843 A JP2001259843 A JP 2001259843A JP 2003068693 A JP2003068693 A JP 2003068693A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ランニングコストを増加させることなく、良好
な信頼性で、基板表面への処理液飛沫の到来を防ぐこと
ができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 【解決手段】この基板処理装置は、ウエハＷをほぼ水平
に保持して回転するスピンチャック１と、ウエハＷの裏
面中央に処理液を供給する中心軸ノズル３と、ウエハＷ
の上面に対向した状態で回転する遮断板４と、ウエハＷ
の上面に向けて不活性ガスを供給する不活性ガス供給ノ
ズル７とを備えている。遮断板４の内部には、回転羽根
が形成されており、遮断板４の回転に伴って、ウエハＷ
の周縁部から外方に向かって空気流５０を形成する。こ
の空気流５０の流量は、遮断板４の回転が速くなるほど
増大するから、処理液の飛沫がウエハＷの中央領域に到
達することを確実に防止できる。
な信頼性で、基板表面への処理液飛沫の到来を防ぐこと
ができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 【解決手段】この基板処理装置は、ウエハＷをほぼ水平
に保持して回転するスピンチャック１と、ウエハＷの裏
面中央に処理液を供給する中心軸ノズル３と、ウエハＷ
の上面に対向した状態で回転する遮断板４と、ウエハＷ
の上面に向けて不活性ガスを供給する不活性ガス供給ノ
ズル７とを備えている。遮断板４の内部には、回転羽根
が形成されており、遮断板４の回転に伴って、ウエハＷ
の周縁部から外方に向かって空気流５０を形成する。こ
の空気流５０の流量は、遮断板４の回転が速くなるほど
増大するから、処理液の飛沫がウエハＷの中央領域に到
達することを確実に防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基
板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用
基板、光磁気ディスク用基板、磁気ディスク用基板など
に代表される各種の被処理基板に処理液（薬液または純
水）を供給してその表面（とくに周縁部）の処理（洗浄
処理またはエッチング処理等）を行うための基板処理装
置および基板処理方法に関する。
フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基
板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用
基板、光磁気ディスク用基板、磁気ディスク用基板など
に代表される各種の被処理基板に処理液（薬液または純
水）を供給してその表面（とくに周縁部）の処理（洗浄
処理またはエッチング処理等）を行うための基板処理装
置および基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の配線材料には従来からアル
ミニウムが用いられてきたが、信号の高速化に伴う配線
の低抵抗化への要求に応えるために、アルミニウムに代
えて銅が用いられるようになってきている。そのため、
半導体の製造工程では、半導体ウエハ（以下単に「ウエ
ハ」という。）の一方面（デバイス形成面）または両方
面の全域に銅薄膜が形成される。
ミニウムが用いられてきたが、信号の高速化に伴う配線
の低抵抗化への要求に応えるために、アルミニウムに代
えて銅が用いられるようになってきている。そのため、
半導体の製造工程では、半導体ウエハ（以下単に「ウエ
ハ」という。）の一方面（デバイス形成面）または両方
面の全域に銅薄膜が形成される。
【０００３】半導体製造装置内においてウエハをハンド
リングする際に、搬送ロボットのハンドが銅薄膜または
銅イオンに触れて汚染されると、このハンドが新たな汚
染源となり、半導体装置の歩留まりの低下を招く。そこ
で、銅薄膜が形成された後のウエハに対しては、裏面お
よび表面の周縁部（周端面を含む）の銅薄膜または銅イ
オンを除去するためのエッチング処理または洗浄処理が
不可欠である。
リングする際に、搬送ロボットのハンドが銅薄膜または
銅イオンに触れて汚染されると、このハンドが新たな汚
染源となり、半導体装置の歩留まりの低下を招く。そこ
で、銅薄膜が形成された後のウエハに対しては、裏面お
よび表面の周縁部（周端面を含む）の銅薄膜または銅イ
オンを除去するためのエッチング処理または洗浄処理が
不可欠である。
【０００４】このようなエッチング処理または洗浄処理
を実行するための基板処理装置は、たとえば、ウエハの
周縁部をチャックピンで握持することによりウエハを保
持するスピンチャックと、このスピンチャックを回転駆
動するための回転駆動機構と、スピンチャックに保持さ
れたウエハにエッチング液または純水等の処理液を供給
する処理液ノズルとを備えている。処理液ノズルは、た
とえば、ウエハの裏面中央に向けて処理液を供給するよ
うに構成されている。ウエハの裏面中央に供給された処
理液は、遠心力によって回転半径方向外方へと導かれて
ウエハの裏面全域に広がるとともに、周端面を伝って表
面側へと回り込み、当該表面の周縁部にも供給される。
を実行するための基板処理装置は、たとえば、ウエハの
周縁部をチャックピンで握持することによりウエハを保
持するスピンチャックと、このスピンチャックを回転駆
動するための回転駆動機構と、スピンチャックに保持さ
れたウエハにエッチング液または純水等の処理液を供給
する処理液ノズルとを備えている。処理液ノズルは、た
とえば、ウエハの裏面中央に向けて処理液を供給するよ
うに構成されている。ウエハの裏面中央に供給された処
理液は、遠心力によって回転半径方向外方へと導かれて
ウエハの裏面全域に広がるとともに、周端面を伝って表
面側へと回り込み、当該表面の周縁部にも供給される。
【０００５】デバイス形成領域に処理液の飛沫が到達す
ることを防ぐために、スピンチャックに保持されたウエ
ハに対向して、スピンチャックとともに回転する遮断板
が設けられる場合がある。さらに、遮断板の中央から窒
素ガス等の不活性ガスがウエハの表面中央に向けて噴き
出され、これにより、デバイス形成領域への処理液の到
来が防止されるとともに、ウエハ周縁部における処理幅
（半径方向幅）の制御が図られる場合もある。
ることを防ぐために、スピンチャックに保持されたウエ
ハに対向して、スピンチャックとともに回転する遮断板
が設けられる場合がある。さらに、遮断板の中央から窒
素ガス等の不活性ガスがウエハの表面中央に向けて噴き
出され、これにより、デバイス形成領域への処理液の到
来が防止されるとともに、ウエハ周縁部における処理幅
（半径方向幅）の制御が図られる場合もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】スピンチャックによっ
てウエハが高速回転されているときには、遠心力を受け
てウエハ外に飛び出す処理液は大きな運動エネルギーを
受けている。このような処理液の飛沫がスピンチャック
やチャンバ壁等からウエハの表面に向けて跳ね返ってく
ると、そのデバイス形成面への到達を完全に防止するこ
とは容易ではない。
てウエハが高速回転されているときには、遠心力を受け
てウエハ外に飛び出す処理液は大きな運動エネルギーを
受けている。このような処理液の飛沫がスピンチャック
やチャンバ壁等からウエハの表面に向けて跳ね返ってく
ると、そのデバイス形成面への到達を完全に防止するこ
とは容易ではない。
【０００７】対策として、遮断板とウエハとの間に供給
される不活性ガスの流量を増大させることが考えられる
かもしれないが、不活性ガスの消費量の増大に伴ってラ
ンニングコストが高くなるから、結果として、半導体装
置の製造コストが高くなる。また、遮断板とウエハとの
間隔を縮めることも有効であろうが、主として機械的な
設計の限界や遮断板の経時変化に起因して、所要の信頼
性を確保することが困難である。
される不活性ガスの流量を増大させることが考えられる
かもしれないが、不活性ガスの消費量の増大に伴ってラ
ンニングコストが高くなるから、結果として、半導体装
置の製造コストが高くなる。また、遮断板とウエハとの
間隔を縮めることも有効であろうが、主として機械的な
設計の限界や遮断板の経時変化に起因して、所要の信頼
性を確保することが困難である。
【０００８】そこで、この発明の目的は、上述の技術的
課題を解決し、ランニングコストを増加させることな
く、良好な信頼性で、基板表面への処理液飛沫の到来を
防ぐことができる基板処理装置および基板処理方法を提
供することである。
課題を解決し、ランニングコストを増加させることな
く、良好な信頼性で、基板表面への処理液飛沫の到来を
防ぐことができる基板処理装置および基板処理方法を提
供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、所定の回
転軸を中心に基板を回転させる基板回転手段（１）と、
基板から見て上記基板回転手段とは反対側に配置され、
上記所定の回転軸と実質的に同軸上に設けられた回転軸
を中心に回転する回転部材（４）と、この回転部材に設
けられ、この回転部材の回転によって、少なくとも基板
の周縁部から基板の外方に向かう気流を発生させる気流
発生手段（４２）と、上記基板回転手段によって回転さ
れる基板に処理液を供給する処理液供給機構（３，３
１，３２，３３）とを含むことを特徴とする基板処理装
置である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態にお
ける対応構成要素等を表す。以下、この項において同
じ。
目的を達成するための請求項１記載の発明は、所定の回
転軸を中心に基板を回転させる基板回転手段（１）と、
基板から見て上記基板回転手段とは反対側に配置され、
上記所定の回転軸と実質的に同軸上に設けられた回転軸
を中心に回転する回転部材（４）と、この回転部材に設
けられ、この回転部材の回転によって、少なくとも基板
の周縁部から基板の外方に向かう気流を発生させる気流
発生手段（４２）と、上記基板回転手段によって回転さ
れる基板に処理液を供給する処理液供給機構（３，３
１，３２，３３）とを含むことを特徴とする基板処理装
置である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態にお
ける対応構成要素等を表す。以下、この項において同
じ。
【００１０】この構成によれば、基板の一方側において
基板回転手段が基板を回転させるとともに、当該基板の
反対側においては、回転部材が実質的に同軸上で回転さ
せられる。この回転部材には、当該回転部材の回転を利
用して基板の周縁部から基板の外方に向かう気流を発生
させる気流発生手段が設けられている。したがって、処
理液供給機構によって基板に供給された後の処理液の飛
沫が基板に向かってきても、このような飛沫は、気流発
生手段が発生する気流によって排除することができる。
基板回転手段が基板を回転させるとともに、当該基板の
反対側においては、回転部材が実質的に同軸上で回転さ
せられる。この回転部材には、当該回転部材の回転を利
用して基板の周縁部から基板の外方に向かう気流を発生
させる気流発生手段が設けられている。したがって、処
理液供給機構によって基板に供給された後の処理液の飛
沫が基板に向かってきても、このような飛沫は、気流発
生手段が発生する気流によって排除することができる。
【００１１】これにより、基板に向かって供給すべき不
活性ガス等の流量を増加したり、回転部材と基板との間
隔を縮めたりすることなく、良好な信頼性で、基板表面
への処理液飛沫の到来を防止できる。上記気流発生手段
は、請求項２に記載のように、上記回転部材に一体的に
設けられた回転羽根（４２）を含むものであってもよ
い。また、上記回転部材は、請求項３に記載のように、
回転中心に気体取り込み口（４４）を有し、上記気流発
生手段は、回転部材の回転に伴って、上記気体取り込み
口から取り込まれた空気を基板の周縁部付近から外方に
向かって排気するポンプ作用を生じる排気部材（４２）
を含むものであってもよい。このような排気部材は、請
求項２に記載されたような回転羽根であってもよい。
活性ガス等の流量を増加したり、回転部材と基板との間
隔を縮めたりすることなく、良好な信頼性で、基板表面
への処理液飛沫の到来を防止できる。上記気流発生手段
は、請求項２に記載のように、上記回転部材に一体的に
設けられた回転羽根（４２）を含むものであってもよ
い。また、上記回転部材は、請求項３に記載のように、
回転中心に気体取り込み口（４４）を有し、上記気流発
生手段は、回転部材の回転に伴って、上記気体取り込み
口から取り込まれた空気を基板の周縁部付近から外方に
向かって排気するポンプ作用を生じる排気部材（４２）
を含むものであってもよい。このような排気部材は、請
求項２に記載されたような回転羽根であってもよい。
【００１２】請求項４記載の発明は、上記基板処理装置
は、上記基板回転手段により回転される基板の周縁部の
不要物を除去するためのものであることを特徴とする請
求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であ
る。この発明によれば、基板の周縁部にのみ選択的に処
理液を供給して基板の周縁部の不要物を除去する際に、
基板の中央領域に処理液の飛沫が到来することを確実に
防止できる。
は、上記基板回転手段により回転される基板の周縁部の
不要物を除去するためのものであることを特徴とする請
求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であ
る。この発明によれば、基板の周縁部にのみ選択的に処
理液を供給して基板の周縁部の不要物を除去する際に、
基板の中央領域に処理液の飛沫が到来することを確実に
防止できる。
【００１３】基板の周縁部の不要物は、金属イオン等で
あってもよいし、基板に形成された薄膜の不要部分であ
ってもよい。すなわち、請求項５に記載のように、上記
基板処理装置は、上記基板回転手段により回転される基
板の周縁部に形成された不要な薄膜をエッチング除去す
るためのものであってもよい。この場合、上記処理液供
給機構は、請求項６に記載のように、上記処理液供給機
構は、上記基板回転手段に保持された基板の周縁部にエ
ッチング液を供給するエッチング液供給機構（３，３
１，３２）を含むものであることが好ましい。
あってもよいし、基板に形成された薄膜の不要部分であ
ってもよい。すなわち、請求項５に記載のように、上記
基板処理装置は、上記基板回転手段により回転される基
板の周縁部に形成された不要な薄膜をエッチング除去す
るためのものであってもよい。この場合、上記処理液供
給機構は、請求項６に記載のように、上記処理液供給機
構は、上記基板回転手段に保持された基板の周縁部にエ
ッチング液を供給するエッチング液供給機構（３，３
１，３２）を含むものであることが好ましい。
【００１４】この構成により、基板の周縁部のみにエッ
チング液を供給でき、基板の中央領域には、処理液の飛
沫が到来しないようにすることができる。請求項７記載
の発明は、基板回転手段（１）によって、所定の回転軸
を中心に基板を回転させる工程と、基板から見て上記基
板回転手段とは反対側に回転部材（４）を配置し、この
回転部材を上記所定の回転軸と実質的に同軸上に設けら
れた回転軸を中心に回転させる工程と、この回転部材の
回転を利用して、少なくとも基板の周縁部から基板の外
方に向かう気流を発生させる工程と、上記基板回転手段
によって回転される基板に処理液を供給する工程とを含
むことを特徴とする基板処理方法である。
チング液を供給でき、基板の中央領域には、処理液の飛
沫が到来しないようにすることができる。請求項７記載
の発明は、基板回転手段（１）によって、所定の回転軸
を中心に基板を回転させる工程と、基板から見て上記基
板回転手段とは反対側に回転部材（４）を配置し、この
回転部材を上記所定の回転軸と実質的に同軸上に設けら
れた回転軸を中心に回転させる工程と、この回転部材の
回転を利用して、少なくとも基板の周縁部から基板の外
方に向かう気流を発生させる工程と、上記基板回転手段
によって回転される基板に処理液を供給する工程とを含
むことを特徴とする基板処理方法である。
【００１５】この方法により、請求項１の発明に関連し
て述べた効果と同様の効果を得ることができる。この発
明を実行する際には、気流発生手段によって基板の周縁
部から基板の外方へ向かう気流を発生させるとともに、
たとえば、基板の回転中心に向けて不活性ガスを供給
し、この不活性ガスによって、基板の周縁部における処
理幅を制御するとともに、基板中央領域への処理液飛沫
の到来をより確実に防止することが好ましい。
て述べた効果と同様の効果を得ることができる。この発
明を実行する際には、気流発生手段によって基板の周縁
部から基板の外方へ向かう気流を発生させるとともに、
たとえば、基板の回転中心に向けて不活性ガスを供給
し、この不活性ガスによって、基板の周縁部における処
理幅を制御するとともに、基板中央領域への処理液飛沫
の到来をより確実に防止することが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明する
ための図解図である。この基板処理装置は、表面の全域
および周端面に銅薄膜等の薄膜が形成された半導体ウエ
ハ（以下単に「ウエハ」という。）Ｗの周縁部（ウエハ
Ｗの表面の周縁部およびウエハＷの周端面を含む。）に
おける不要な薄膜をエッチング除去するとともに、ウエ
ハＷの裏面に付着している金属イオン（銅イオン等）等
の不要物を洗浄除去するための装置である。ウエハＷの
表面だけでなく、その裏面にも薄膜が形成されている場
合には、この裏面の薄膜のエッチング除去を併せて行う
こともできる。
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明する
ための図解図である。この基板処理装置は、表面の全域
および周端面に銅薄膜等の薄膜が形成された半導体ウエ
ハ（以下単に「ウエハ」という。）Ｗの周縁部（ウエハ
Ｗの表面の周縁部およびウエハＷの周端面を含む。）に
おける不要な薄膜をエッチング除去するとともに、ウエ
ハＷの裏面に付着している金属イオン（銅イオン等）等
の不要物を洗浄除去するための装置である。ウエハＷの
表面だけでなく、その裏面にも薄膜が形成されている場
合には、この裏面の薄膜のエッチング除去を併せて行う
こともできる。
【００１７】この基板処理装置は、ウエハＷを、その表
面を上方に向けてほぼ水平に保持して回転するスピンチ
ャック１と、このスピンチャック１を回転駆動するため
のチャック回転駆動機構２と、スピンチャック１に保持
されたウエハＷの裏面（下面）の中央に向けて処理液
（エッチング液等の薬液または純水）を吐出する中心軸
ノズル３と、スピンチャック１に保持されたウエハＷの
上面に対向して配置された遮断板４と、この遮断板４を
回転駆動するための遮断板回転駆動機構５と、遮断板４
をスピンチャック１に対して昇降させるための遮断板昇
降駆動機構６と、スピンチャック１に保持されたウエハ
Ｗの上面中央に向けて窒素ガス等の不活性ガスを供給す
る不活性ガス供給ノズル７とを備えている。
面を上方に向けてほぼ水平に保持して回転するスピンチ
ャック１と、このスピンチャック１を回転駆動するため
のチャック回転駆動機構２と、スピンチャック１に保持
されたウエハＷの裏面（下面）の中央に向けて処理液
（エッチング液等の薬液または純水）を吐出する中心軸
ノズル３と、スピンチャック１に保持されたウエハＷの
上面に対向して配置された遮断板４と、この遮断板４を
回転駆動するための遮断板回転駆動機構５と、遮断板４
をスピンチャック１に対して昇降させるための遮断板昇
降駆動機構６と、スピンチャック１に保持されたウエハ
Ｗの上面中央に向けて窒素ガス等の不活性ガスを供給す
る不活性ガス供給ノズル７とを備えている。
【００１８】スピンチャック１は、鉛直方向に沿って配
置された中空の回転軸１１と、この回転軸１１の上端に
水平に固定されたスピンベース１２と、このスピンベー
ス１２に立設されて、ウエハＷを把持する複数本のチャ
ックピン１３とを備えている。中空の回転軸１１には、
処理液供給管３１が挿通されており、その上端に中心軸
ノズル３が結合されている。処理液供給管３１には、エ
ッチング液供給源からのエッチング液をエッチング液供
給バルブ３２を介して供給できるとともに、純水供給源
からの純水を純水供給バルブ３３を介して供給すること
ができる。
置された中空の回転軸１１と、この回転軸１１の上端に
水平に固定されたスピンベース１２と、このスピンベー
ス１２に立設されて、ウエハＷを把持する複数本のチャ
ックピン１３とを備えている。中空の回転軸１１には、
処理液供給管３１が挿通されており、その上端に中心軸
ノズル３が結合されている。処理液供給管３１には、エ
ッチング液供給源からのエッチング液をエッチング液供
給バルブ３２を介して供給できるとともに、純水供給源
からの純水を純水供給バルブ３３を介して供給すること
ができる。
【００１９】遮断板４は、スピンチャック１の回転軸１
１と同軸上に配置された回転軸４１を備えている。この
回転軸４１は、中空に形成されていて、その内部に不活
性ガス供給管７１が挿通されている。この不活性ガス供
給管７１の先端が、不活性ガス供給ノズル７を形成して
いる。不活性ガス供給管７１には、窒素ガス供給源から
の窒素ガスが不活性ガス供給バルブ７２を介して供給さ
れるようになっている。
１と同軸上に配置された回転軸４１を備えている。この
回転軸４１は、中空に形成されていて、その内部に不活
性ガス供給管７１が挿通されている。この不活性ガス供
給管７１の先端が、不活性ガス供給ノズル７を形成して
いる。不活性ガス供給管７１には、窒素ガス供給源から
の窒素ガスが不活性ガス供給バルブ７２を介して供給さ
れるようになっている。
【００２０】遮断板昇降駆動機構６は、当該基板処理装
置に対してウエハＷが搬入または搬出される時には、ス
ピンチャック１のはるか上方の待機位置に遮断板４を上
昇させる。その一方で、ウエハＷに対する処理が行われ
る時には、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表
面のごく近傍に設定された処理位置まで遮断板４を下降
させる。遮断板回転駆動機構５は、チャック回転駆動機
構２と同期するように制御されていて、スピンチャック
１と同じ回転方向および同じ回転速度で遮断板４を回転
駆動する。
置に対してウエハＷが搬入または搬出される時には、ス
ピンチャック１のはるか上方の待機位置に遮断板４を上
昇させる。その一方で、ウエハＷに対する処理が行われ
る時には、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表
面のごく近傍に設定された処理位置まで遮断板４を下降
させる。遮断板回転駆動機構５は、チャック回転駆動機
構２と同期するように制御されていて、スピンチャック
１と同じ回転方向および同じ回転速度で遮断板４を回転
駆動する。
【００２１】スピンチャック１および遮断板４を回転駆
動している状態で、中心軸ノズル３からウエハＷの裏面
中央に処理液を供給すると、この処理液は、ウエハＷ上
で遠心力を受けて、ウエハＷの裏面の全域に広がる。こ
の処理液は、さらに、ウエハＷの周端面を回り込んでウ
エハＷの表面に至ることになる。この時、不活性ガス供
給ノズル７から不活性ガスを噴出させておくと、ウエハ
Ｗの表面への処理液の回り込み量を制御することがで
き、ウエハＷの表面の周縁部を所望の処理幅（回転半径
方向に沿う幅）で処理することができる。遮断板４は、
このとき、不活性ガスによる処理幅の制御を補助すると
ともに、ウエハＷから外方に飛び出した処理液の飛沫が
ウエハＷの中央領域に至ることを防止する。
動している状態で、中心軸ノズル３からウエハＷの裏面
中央に処理液を供給すると、この処理液は、ウエハＷ上
で遠心力を受けて、ウエハＷの裏面の全域に広がる。こ
の処理液は、さらに、ウエハＷの周端面を回り込んでウ
エハＷの表面に至ることになる。この時、不活性ガス供
給ノズル７から不活性ガスを噴出させておくと、ウエハ
Ｗの表面への処理液の回り込み量を制御することがで
き、ウエハＷの表面の周縁部を所望の処理幅（回転半径
方向に沿う幅）で処理することができる。遮断板４は、
このとき、不活性ガスによる処理幅の制御を補助すると
ともに、ウエハＷから外方に飛び出した処理液の飛沫が
ウエハＷの中央領域に至ることを防止する。
【００２２】図２は、遮断板４の斜視図であり、図３
は、チャックピン１３の近傍における遮断板４の部分断
面図である。さらに、図４は、遮断板４の横断面図であ
る。遮断板４は、中空の円盤状に形成されていて、内部
には、ほぼ等角度間隔で回転羽根４２が形成されてい
る。より具体的には、遮断板４は、回転軸４１の下端に
結合された上板部４５と、この上板部４５に回転羽根４
２を介して結合された下板部４６とを有し、下板部４６
の下面がスピンチャック１に保持されたウエハＷの上面
に至近距離で対向するように構成されている。上板部４
５と下板部４６とは、周縁部において微小なギャップを
あけて対向しており、このギャップ部に、全周にわたっ
て開口する吹き出し口４３が形成されている。上板部４
５の下面の周縁部には、スピンチャック１に保持された
ウエハＷの周縁部の上方に対応する位置に段差部４５ａ
が形成されている。これにより、吹き出し口４３が、ウ
エハＷの周縁部の上方に配置されている。
は、チャックピン１３の近傍における遮断板４の部分断
面図である。さらに、図４は、遮断板４の横断面図であ
る。遮断板４は、中空の円盤状に形成されていて、内部
には、ほぼ等角度間隔で回転羽根４２が形成されてい
る。より具体的には、遮断板４は、回転軸４１の下端に
結合された上板部４５と、この上板部４５に回転羽根４
２を介して結合された下板部４６とを有し、下板部４６
の下面がスピンチャック１に保持されたウエハＷの上面
に至近距離で対向するように構成されている。上板部４
５と下板部４６とは、周縁部において微小なギャップを
あけて対向しており、このギャップ部に、全周にわたっ
て開口する吹き出し口４３が形成されている。上板部４
５の下面の周縁部には、スピンチャック１に保持された
ウエハＷの周縁部の上方に対応する位置に段差部４５ａ
が形成されている。これにより、吹き出し口４３が、ウ
エハＷの周縁部の上方に配置されている。
【００２３】上板部４５の中央には空気取り込み口４４
が開口されている。この空気取り込み口４４から放射状
に回転羽根４２が形成されている。個々の回転羽根４２
は、遮断板４の半径方向外方に向かうに従って遮断板４
の回転方向とは反対方向に向かって湾曲する形状を有し
ている。そして、隣接する回転羽根４２，４２間には、
半径方向外方に向かうに従って広がる空気流路４７が形
成されている。このような構成により、遮断板４が回転
駆動されると、回転羽根４２は、空気取り込み口４４か
ら空気を取り込んで、空気流路４７を介して空気吹き出
し口４３へと排気するポンプ作用を生じることになる。
したがって、不活性ガス供給管７１と回転軸４１との間
に形成された空気通路４８から、空気取り込み口４４を
介して空気が取り込まれ、吹き出し口４３から回転半径
方向外方に向かって空気が吹き出されることになる。
が開口されている。この空気取り込み口４４から放射状
に回転羽根４２が形成されている。個々の回転羽根４２
は、遮断板４の半径方向外方に向かうに従って遮断板４
の回転方向とは反対方向に向かって湾曲する形状を有し
ている。そして、隣接する回転羽根４２，４２間には、
半径方向外方に向かうに従って広がる空気流路４７が形
成されている。このような構成により、遮断板４が回転
駆動されると、回転羽根４２は、空気取り込み口４４か
ら空気を取り込んで、空気流路４７を介して空気吹き出
し口４３へと排気するポンプ作用を生じることになる。
したがって、不活性ガス供給管７１と回転軸４１との間
に形成された空気通路４８から、空気取り込み口４４を
介して空気が取り込まれ、吹き出し口４３から回転半径
方向外方に向かって空気が吹き出されることになる。
【００２４】スピンチャック１とともに遮断板４が高速
回転されれば、回転羽根４２によるポンプ作用は強まる
から、吹き出し口４３からの吹き出し流量が増加する。
したがって、スピンチャック１が高速回転されることに
よって大きな運動量を得た処理液がチャックピン１３や
チャンバ内壁にぶつかって処理液の飛沫を生じたとして
も、このような飛沫は、吹き出し口４３からの空気流５
０により、確実に排除される。したがって、ウエハＷの
中央領域に処理液の飛沫が到達することがない。無論、
不活性ガス供給ノズル７から供給される不活性ガスは、
処理液による処理幅の制御に寄与するのみならず、処理
液飛沫を排除する役割を、空気流５０とともに担うこと
になる。
回転されれば、回転羽根４２によるポンプ作用は強まる
から、吹き出し口４３からの吹き出し流量が増加する。
したがって、スピンチャック１が高速回転されることに
よって大きな運動量を得た処理液がチャックピン１３や
チャンバ内壁にぶつかって処理液の飛沫を生じたとして
も、このような飛沫は、吹き出し口４３からの空気流５
０により、確実に排除される。したがって、ウエハＷの
中央領域に処理液の飛沫が到達することがない。無論、
不活性ガス供給ノズル７から供給される不活性ガスは、
処理液による処理幅の制御に寄与するのみならず、処理
液飛沫を排除する役割を、空気流５０とともに担うこと
になる。
【００２５】以上のように、この実施形態によれば、遮
断板４の内部に回転羽根４２を設け、遮断板４の回転を
利用してウエハＷの周縁部から外方に向かう空気流５０
を形成するようにしている。これにより、不活性ガスの
流量を増加したり、遮断板４とウエハＷとの間の距離を
縮めたりすることなく、処理液の飛沫がウエハＷの中央
領域に到達することを確実に防止でき、基板処理装置の
ランニングコストを低減できる。
断板４の内部に回転羽根４２を設け、遮断板４の回転を
利用してウエハＷの周縁部から外方に向かう空気流５０
を形成するようにしている。これにより、不活性ガスの
流量を増加したり、遮断板４とウエハＷとの間の距離を
縮めたりすることなく、処理液の飛沫がウエハＷの中央
領域に到達することを確実に防止でき、基板処理装置の
ランニングコストを低減できる。
【００２６】以上、この発明の一実施形態について説明
したが、この発明は他の形態で実施することもできる。
たとえば、上記の実施形態では、遮断板４の内部をくり
抜いて回転羽根４２を形成することとしたが、回転羽根
４２の代わりに、回転中心から半径方向外方に向かうに
従って流路断面積が増大する管状の空気流路を遮断板４
内に放射状に形成することによっても、遮断板４の回転
に伴ってポンプ作用を生じさせることができる。
したが、この発明は他の形態で実施することもできる。
たとえば、上記の実施形態では、遮断板４の内部をくり
抜いて回転羽根４２を形成することとしたが、回転羽根
４２の代わりに、回転中心から半径方向外方に向かうに
従って流路断面積が増大する管状の空気流路を遮断板４
内に放射状に形成することによっても、遮断板４の回転
に伴ってポンプ作用を生じさせることができる。
【００２７】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構
成を説明するための図解図である。
成を説明するための図解図である。
【図２】遮断板の斜視図である。
【図３】チャックピンの近傍における遮断板の部分断面
図である。
図である。
【図４】遮断板の横断面図である。
１ スピンチャック
１３ チャックピン
２ チャック回転駆動機構
３ 中心軸ノズル
３１ 処理液供給管
３２ エッチング液供給バルブ
３３ 純水供給バルブ
４ 遮断板
４１ 回転軸
４２ 回転羽根
４３ 吹き出し口
４４ 空気取り込み口
４５ 上板部
４６ 下板部
４７ 空気流路
４８ 空気通路
５０ 空気流
５ 遮断板回転駆動機構
７ 不活性ガスノズル
７１ 不活性ガス供給管
７２ 不活性ガス供給バルブ
Ｗ ウエハ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ２３Ｆ 1/08 １０１ Ｃ２３Ｆ 1/08 １０１
Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｒ
Ｆターム(参考） 3B201 AA01 AB33 AB47 BB21 BB71
BB92 BB99 CD11 CD33
4D075 AC79 AC84 BB14Y BB20Y
BB57Y BB65Z BB66Z CA47
DA08 DB13 DB14 DC21 DC22
DC24 EA05 EB01
4F042 AA07 AA08 CC04 CC09 DA01
DD38 DD39 DF09 DF11 DF28
DF32 EB05 EB06 EB09 EB17
EB24 EB25
4K057 WA02 WA19 WB06 WB17 WM01
WM03 WM11 WM20 WN01
5F043 AA23 DD13 EE07 EE08 EE09
EE37
Claims (7)
- 【請求項１】所定の回転軸を中心に基板を回転させる基
板回転手段と、 基板から見て上記基板回転手段とは反対側に配置され、
上記所定の回転軸と実質的に同軸上に設けられた回転軸
を中心に回転する回転部材と、 この回転部材に設けられ、この回転部材の回転によっ
て、少なくとも基板の周縁部から基板の外方に向かう気
流を発生させる気流発生手段と、 上記基板回転手段によって回転される基板に処理液を供
給する処理液供給機構とを含むことを特徴とする基板処
理装置。 - 【請求項２】上記気流発生手段は、上記回転部材に一体
的に設けられた回転羽根を含むことを特徴とする請求項
１記載の基板処理装置。 - 【請求項３】上記回転部材は、回転中心に気体取り込み
口を有し、上記気流発生手段は、回転部材の回転に伴っ
て、上記気体取り込み口から取り込まれた空気を基板の
周縁部付近から外方に向かって排気するポンプ作用を生
じる排気部材を含むことを特徴とする請求項１または２
記載の基板処理装置。 - 【請求項４】上記基板処理装置は、上記基板回転手段に
より回転される基板の周縁部の不要物を除去するための
ものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれ
かに記載の基板処理装置。 - 【請求項５】上記基板処理装置は、上記基板回転手段に
より回転される基板の周縁部に形成された不要な薄膜を
エッチング除去するためのものであることを特徴とする
請求項４記載の基板処理装置。 - 【請求項６】上記処理液供給機構は、上記基板回転手段
に保持された基板の周縁部にエッチング液を供給するエ
ッチング液供給機構を含むことを特徴とする請求項４ま
たは５記載の基板処理装置。 - 【請求項７】基板回転手段によって、所定の回転軸を中
心に基板を回転させる工程と、 基板から見て上記基板回転手段とは反対側に回転部材を
配置し、この回転部材を上記所定の回転軸と実質的に同
軸上に設けられた回転軸を中心に回転させる工程と、 この回転部材の回転を利用して、少なくとも基板の周縁
部から基板の外方に向かう気流を発生させる工程と、 上記基板回転手段によって回転される基板に処理液を供
給する工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001259843A JP3917393B2 (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001259843A JP3917393B2 (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003068693A true JP2003068693A (ja) | 2003-03-07 |
| JP3917393B2 JP3917393B2 (ja) | 2007-05-23 |
Family
ID=19087155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001259843A Expired - Fee Related JP3917393B2 (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3917393B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7679086B2 (en) | 2006-02-20 | 2010-03-16 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing electro-optic device |
| JP2011036847A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-24 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 塗膜形成法およびスピンコータ |
| JP2013074243A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN107768270A (zh) * | 2016-08-16 | 2018-03-06 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种防止反溅液体污染晶片的装置 |
| KR20210133288A (ko) * | 2019-03-20 | 2021-11-05 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
-
2001
- 2001-08-29 JP JP2001259843A patent/JP3917393B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7679086B2 (en) | 2006-02-20 | 2010-03-16 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing electro-optic device |
| JP2011036847A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-24 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 塗膜形成法およびスピンコータ |
| JP2013074243A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN107768270A (zh) * | 2016-08-16 | 2018-03-06 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种防止反溅液体污染晶片的装置 |
| KR20210133288A (ko) * | 2019-03-20 | 2021-11-05 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| KR102648039B1 (ko) | 2019-03-20 | 2024-03-18 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3917393B2 (ja) | 2007-05-23 |
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