TWI731955B - 加熱裝置及渦輪分子幫浦 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提高半導體裝置之製造之產出量。 本發明之加熱裝置30具備傳熱管33、加熱器50、O形環31、及自由基截留環32。傳熱管33配置於設置於TMP之下部殼體21b之側壁之開口21c內，且一端固定於TMP內之螺紋定子24b，另一端露出於TMP之外部。加熱器50設置於傳熱管33內，經由傳熱管33而加熱TMP內之螺紋定子24b。O形環31配置於傳熱管33與TMP之下部殼體21b之間。自由基截留環32配置於傳熱管33與TMP之下部殼體21b之間、且較O形環31更靠TMP內之螺紋定子24b側。自由基截留環32係抑制排出之氣體中所含之自由基侵入至傳熱管33與TMP之殼體21之間。

Description

加熱裝置及渦輪分子幫浦
本發明之各種態樣及實施形態係關於一種加熱裝置及渦輪分子幫浦。
有於半導體裝置之製造步驟中包含使用電漿之處理步驟之情形。於使用電漿之處理步驟中，於真空腔室內產生處理氣體之電漿，藉由電漿中包含之離子或自由基，對配置於真空腔室內之基板實施特定之處理。真空腔室為獲得特定之真空度而氣密地構成。真空腔室通常包含複數個構件。於構件間存在間隙之情形時，真空腔室之氣密性下降。因此，於構件間存在間隙之情形時，利用由橡膠等所形成之O形環填埋該間隙。藉此，真空腔室之氣密性提高。 然而，於在真空腔室內產生電漿之情形時，電漿中包含之離子或自由基等使O形環腐蝕。若O形環腐蝕，則真空腔室之氣密性下降。為避免該情況，已知有於O形環之附近配置排氣口之技術(例如，參照下述專利文獻1)。 又，於電漿處理中，真空腔室內之處理氣體藉由渦輪分子幫浦等排氣裝置而排出。自真空腔室內排出之處理氣體中包含稱為積存物之反應副產物之粒子。此種積存物若在排氣之過程中附著於渦輪分子幫浦內，則渦輪分子幫浦之排氣能力下降，而難以將真空腔室內保持為特定之壓力。為避免該情況，而於渦輪分子幫浦內對積存物容易附著之零件進行加熱，藉此抑制積存物之附著。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開平6-151365號公報
[發明所欲解決之問題] 且說，於上述專利文獻1之技術中，藉由在O形環之附近配置排氣口，而包含自由基之氣體流至排氣口，但排出之氣體會通過O形環之附近。因此，暴露於排出之氣體之O形環被排出之氣體中包含之自由基腐蝕。 又，渦輪分子幫浦內積存物容易附著之零件例如藉由自渦輪分子幫浦之外部插入之加熱裝置而加熱。由於加熱裝置與渦輪分子幫浦之殼體之間存在間隙，故為了抑制渦輪分子幫浦內部之氣密性之下降，而配置O形環。該O形環由於暴露於在渦輪分子幫浦內部流動之氣體，故而被在渦輪分子幫浦內部流動之氣體所包含之自由基腐蝕。 若O形環腐蝕，則真空腔室及渦輪分子幫浦之氣密性下降，因此更換O形環。為了更換O形環，而必須使處理裝置停止，從而半導體裝置之製造中之產出量下降。 [解決問題之技術手段] 本發明之一態樣係一種加熱裝置，其對將電漿處理裝置內之氣體排出之渦輪分子幫浦內之構件進行加熱，且具備傳熱管、加熱器、第1密封構件、及第2密封構件。傳熱管配置於設置於渦輪分子幫浦之殼體之側壁之開口內，且一端固定於渦輪分子幫浦內之構件，另一端露出於渦輪分子幫浦之殼體之外部。加熱器設置於傳熱管之內部，經由傳熱管而加熱渦輪分子幫浦內之構件。第1密封構件沿著傳熱管之外周呈環狀配置於傳熱管與渦輪分子幫浦之殼體之開口之間。第2密封構件沿著傳熱管之外周呈環狀配置於傳熱管與渦輪分子幫浦之殼體之開口之間，且配置於較第1密封構件更靠渦輪分子幫浦內之構件側。又，第2密封構件係抑制渦輪分子幫浦排出之氣體中所含之自由基侵入至傳熱管與渦輪分子幫浦之殼體之開口之間。 [發明之效果] 根據本發明之各種態樣及實施形態，可提高半導體裝置之製造中之產出量。
所揭示之加熱裝置係對將電漿處理裝置內之氣體排出之渦輪分子幫浦內之構件進行加熱的裝置。於1個實施形態中，該加熱裝置具備傳熱管、加熱器、第1密封構件、及第2密封構件。傳熱管配置於設置於渦輪分子幫浦之殼體之側壁之開口內，且一端固定於渦輪分子幫浦內之構件，另一端露出於渦輪分子幫浦之殼體之外部。加熱器設置於傳熱管之內部，且經由傳熱管加熱渦輪分子幫浦內之構件。第1密封構件沿著傳熱管之外周呈環狀配置於傳熱管與渦輪分子幫浦之殼體之開口之間。第2密封構件沿著傳熱管之外周呈環狀配置於傳熱管與渦輪分子幫浦之殼體之開口之間，且配置於較第1密封構件更靠利用加熱裝置加熱之構件側。又，第2密封構件抑制渦輪分子幫浦所排出之氣體中包含之自由基侵入至傳熱管與渦輪分子幫浦之殼體之開口之間。 又，於所揭示之加熱裝置之1個實施形態中，第2密封構件亦可為表面由氟樹脂被覆之O形環。 又，於所揭示之加熱裝置之1個實施形態中，覆蓋第2密封構件之表面之氟樹脂亦可為聚四氟乙烯。 又，於所揭示之加熱裝置之1個實施形態中，覆蓋O形環之表面之氟樹脂之厚度亦可為0.2～0.4 mm之範圍內之厚度。 又，於所揭示之加熱裝置之1個實施形態中，第2密封構件亦可於較第1密封構件更靠利用加熱裝置加熱之構件側配置有複數個。 又，於所揭示之加熱裝置之1個實施形態中，亦可為於傳熱管與殼體之開口之間設置有間隙，該間隙藉由第1密封構件而自殼體之外部之空間氣密地隔開，且加熱器經由傳熱管將利用加熱裝置加熱之構件加熱至較殼體之溫度高之溫度。 又，於所揭示之加熱裝置之1個實施形態中，利用加熱裝置加熱之構件亦可為渦輪分子幫浦內之螺紋定子。 又，所揭示之渦輪分子幫浦係將電漿處理裝置內之氣體排出之幫浦，於1個實施形態中，具備：殼體；轉子，其可旋轉地設置於殼體內，且具有複數個旋轉翼；定子，其具有與各旋轉翼交替地配置之固定翼及設置於該固定翼之下方之螺紋定子；及加熱裝置，其對螺紋定子進行加熱。於1個實施形態中，該加熱裝置具備傳熱管、加熱器、第1密封構件、及第2密封構件。傳熱管配置於設置於渦輪分子幫浦之殼體之側壁之開口內，且一端固定於渦輪分子幫浦內之構件，另一端露出於渦輪分子幫浦之殼體之外部。加熱器設置於傳熱管之內部，且經由傳熱管加熱渦輪分子幫浦內之構件。第1密封構件沿著傳熱管之外周呈環狀配置於傳熱管與渦輪分子幫浦之殼體之開口之間。第2密封構件沿著傳熱管之外周呈環狀配置於傳熱管與渦輪分子幫浦之殼體之開口之間，且配置於較第1密封構件更靠利用加熱裝置加熱之構件側。又，第2密封構件抑制渦輪分子幫浦所排出之氣體中包含之自由基侵入至傳熱管與渦輪分子幫浦之殼體之開口之間。 以下，基於圖式，對所揭示之加熱裝置及渦輪分子幫浦之實施形態詳細地進行說明。再者，並非利用本實施形態限定所揭示之加熱裝置及渦輪分子幫浦。 [電漿處理裝置10之構成例] 圖1係表示電漿處理裝置10之一例之圖。電漿處理裝置10例如具有包含表面經氧化鋁膜處理(陽極氧化處理)之鋁等之大致圓筒形狀之腔室C。腔室C接地。於腔室C之內部設置有載置台12。載置台12載置作為電漿處理之對象之半導體晶圓W。 於載置台12經由匹配器13a連接有用以激發電漿之高頻電源13。高頻電源13對載置台12施加適合用於在腔室C內產生電漿之頻率、例如60 MHz之高頻功率。藉此，載置台12載置半導體晶圓W，並且亦作為下部電極發揮功能。匹配器13a係以於在腔室C內產生電漿時高頻電源13之內部阻抗與負載阻抗表觀上一致之方式發揮功能。藉此，匹配器13a使負載阻抗與高頻電源13之內部(或輸出)阻抗匹配。 於腔室C之頂壁部分設置有簇射頭11。簇射頭11亦作為上部電極發揮功能。於簇射頭11之氣體導入管14連接有供給用於電漿處理之氣體之氣體供給源15。自氣體供給源15供給之氣體經由氣體導入管14而導入至形成於簇射頭11之內部之緩衝空間11b。導入至簇射頭11內之氣體於簇射頭11內擴散，並經由形成於簇射頭11之下表面之多個噴射口11a噴射至腔室C內。 於腔室C之底面設置有排氣管16。於排氣管16連接有TMP(渦輪分子幫浦)20等排氣裝置。藉由TMP20之動作而將腔室C內氣體排出。 藉由自高頻電源13施加至載置台12之高頻功率，而於載置台12與簇射頭11之間產生高頻電場。將自簇射頭11之噴射口11a供給至腔室C內之氣體藉由載置台12與簇射頭11之間所產生之高頻電場而電漿化。繼而，藉由電漿中所含之活性物質，對載置於載置台12之半導體晶圓W之表面實施蝕刻或成膜等特定之處理。 [TMP20之構成例] 圖2係表示TMP20之一例之剖視圖。TMP20具備殼體21、轉子23、定子24、及加熱裝置30。殼體21具有上部殼體21a及下部殼體21b。下部殼體21b為具有底部且上方開口之大致圓筒形狀。上部殼體21a具有大致圓筒形狀且連接於下部殼體21b之上端。於上部殼體21a之上部形成有作為進氣口22發揮功能之開口。上部殼體21a及下部殼體21b以例如鋁或不鏽鋼等構成。 轉子23具有旋轉翼23a、圓筒部23b、及轉子軸23c。轉子軸23c可旋轉地由軸承26a～26d支持。軸承26a及軸承26b於與轉子軸23c之旋轉軸交叉之方向上，例如利用磁力非接觸地支持轉子軸23c。軸承26c及26d於沿著轉子軸23c之旋轉軸之方向上，例如利用磁力非接觸地支持轉子軸23c。旋轉翼23a於進氣口22側之轉子軸23c設置有複數段。各旋轉翼23a自轉子軸23c以轉子軸23c之旋轉軸為中心呈放射狀地延伸。圓筒部23b設置於旋轉翼23a之下部。 定子24具有固定翼24a及螺紋定子24b。固定翼24a與轉子23之旋轉翼23a交替地配置有複數段。各段固定翼24a介隔間隔件25而收納於上部殼體21a。螺紋定子24b以包圍轉子23之圓筒部23b之方式，與圓筒部23b對向地設置，且於與圓筒部23b對向之面形成有螺紋槽。螺紋定子24b藉由螺絲等固定於下部殼體21b。螺紋定子24b為TMP20內之構件之一例。 馬達27使轉子軸23c旋轉。藉由利用馬達27使轉子軸23c高速旋轉，而自設置於上部殼體21a之上部之進氣口22抽吸氣體，利用旋轉翼23a與固定翼24a將氣體分子向下方彈飛。且，利用圓筒部23b與螺紋定子24b將氣體壓縮，且自設置於下部殼體21b之下部之排氣管21d排氣。 於下部殼體21b之側壁之下部形成有開口21c。於開口21c內配置有加熱裝置30。 [加熱裝置30之構成例] 圖3係表示加熱裝置30之一例之放大剖視圖。圖4係表示配置有O形環及自由基截留環之傳熱管之一例之立體圖。加熱裝置30具有傳熱管33。傳熱管33例如如圖3所示，一端固定於螺紋定子24b，另一端露出於下部殼體21b之外部。傳熱管33包含鋁等熱導率較高之金屬，且具有大致圓筒形狀之圓筒部34及凸緣35。 於圓筒部34之端面36，例如如圖4所示，形成有用於供螺絲40插入之螺絲孔36a。圓筒部34之端面36例如如圖3所示，藉由螺絲40而固定於螺紋定子24b之下部。用於供螺絲40插入之傳熱管33之開口由蓋41封閉。 於傳熱管33內設置加熱器50。加熱器50根據來自未圖示之控制裝置之指示而發熱。加熱器50所發出之熱經由傳熱管33自圓筒部34之端面36傳遞至螺紋定子24b。藉此，將螺紋定子24b加熱至特定之溫度，從而可抑制積存物附著於螺紋定子24b。 再者，於本實施形態中，下部殼體21b以成為低於螺紋定子24b之溫度之方式進行控制。因此，為了使加熱裝置30所發出之熱不傳遞至下部殼體21b，而於加熱裝置30對螺紋定子24b進行加熱之狀態下，於傳熱管33與下部殼體21b之間設置間隙。又，為了維持TMP20之內部之氣密性，由O形環31密封該間隙。O形環31例如如圖4所示，沿著傳熱管33之外周面呈環狀配置於傳熱管33與下部殼體21b之開口21c之間。O形環31例如由偏二氟乙烯系之氟橡膠構成。O形環31為第1密封構件之一例。 此處，若因發生加熱裝置30之安裝誤差或尺寸誤差而導致圓筒部34之外周面與開口21c之內周面之間之間隙之寬度因部位而異的情形時，於該間隙之寬度較寬之部位，TMP20內部之氣體容易侵入至該間隙。藉由電漿處理裝置10進行電漿處理之期間所排出之氣體中包含自由基。若自由基碰到O形環31，會使O形環31腐蝕。 若O形環腐蝕，則TMP20之氣密性降低，而無法獲得特定之排氣性能。因此，於O形環腐蝕之前，需更換O形環。若要更換O形環，必須使電漿處理裝置10停止而卸除TMP20。若使電漿處理裝置10停止，則半導體晶圓W之處理之產出量下降。再者，亦考慮使用由相對於自由基而言耐受性較強之材質構成之O形環。然而，此種O形環由於價格昂貴，故使得TMP20整體之成本上升。 因此，於本實施形態中，於傳熱管33與下部殼體21b之開口21c之間且較O形環31更靠螺紋定子24b側之位置配置自由基截留環32。自由基截留環32沿著傳熱管33之外周面配置成環狀。藉由自由基截留環32，可抑制TMP20所排出之氣體中包含之自由基侵入至傳熱管33與下部殼體21b之開口21c之間。於本實施形態中，自由基截留環32為表面由例如氟樹脂被覆之O形環。作為被覆O形環之氟樹脂，考慮例如聚四氟乙烯等。 本實施形態之自由基截留環32中，被覆O形環之氟樹脂之厚度相對於剖面之直徑為例如1.5 mm～2.5 mm之範圍之O形環而為例如0.2～0.4 mm之範圍之厚度。作為具體之自由基截留環32之構成，例如可列舉剖面之直徑為2 mm之O形環之表面由0.3 mm之厚度之氟樹脂被覆者。自由基截留環32為第2密封構件之一例。 此處，自由基截留環32由於表面由氟樹脂被覆，故而即便暴露於包含自由基之環境中，內部之O形環亦不會被自由基腐蝕。然而，自由基截留環32由於表面由氟樹脂被覆，故而與表面未由氟樹脂被覆之O形環31相比密封性較低。因此，於本實施形態中，為了維持TMP20內部之氣密性，而於圓筒部34與下部殼體21b之間之間隙，除自由基截留環32以外另外配置有O形環31。 由於自由基截留環32與O形環31相比密封性較低，故而存在TMP20內部之氣體少量侵入至下部殼體21b與傳熱管33之間之間隙之情形。此處，TMP20之外部為大氣壓，TMP20之內部為較大氣壓低得多之壓力。又，O形環31雖然為密封性較自由基截留環32高者，但並非完全不洩漏，少量氣體自TMP20之外部流入。因此，於下部殼體21b與圓筒部34之間之間隙，例如如圖5之虛線箭頭A所示般，於自O形環31朝向自由基截留環32之方向上產生氣體之微量之流動。 因此，自TMP20內部經由自由基截留環32洩漏至下部殼體21b與傳熱管33之間之間隙的氣體藉由在下部殼體21b與傳熱管33之間之間隙中產生之氣體之流動而被推回至自由基截留環32側。藉此，自TMP20內部經由自由基截留環32洩漏至下部殼體21b與傳熱管33之間之間隙的氣體並未到達至O形環31，而再次經由自由基截留環32返回至TMP20內。因此，自TMP20內部經由自由基截留環32洩漏至下部殼體21b與傳熱管33之間之間隙之氣體中包含的自由基並未到達至O形環31，而再次經由自由基截留環32返回至TMP20內。因此，自由基截留環32可抑制因於TMP20內流動之氣體中包含之自由基而導致O形環31腐蝕。 再者，自由基截留環32與O形環31之間之距離較長時，自TMP20內部經由自由基截留環32洩漏至下部殼體21b與傳熱管33之間之間隙的氣體更不易到達至O形環31。因此，就抑制因自由基引起之O形環31之腐蝕之觀點而言，較佳為使自由基截留環32與O形環31之間之距離較長。 以上，對TMP20之一實施形態進行了說明。根據本實施形態之TMP20，可提高半導體晶圓W之製造中之產出量。 [其他] 再者，所揭示之技術並不限定於上述實施形態，可於其主旨之範圍內進行各種變化。 例如，於上述實施形態中，於加熱裝置30之傳熱管33，沿著圓筒部34之外周面配置有1根自由基截留環32，但自由基截留環32亦可配置複數個。但是，即便於此情形時，複數個自由基截留環32亦配置於傳熱管33與下部殼體21b之開口21c之間且較O形環31更靠螺紋定子24b側之位置。藉此，自TMP20內部洩漏至下部殼體21b與傳熱管33之間之間隙的氣體減少，而可進一步抑制到達至O形環31之自由基。 又，於上述實施形態中，於傳熱管33之圓筒部34之側面，除收容O形環31及自由基截留環32之槽以外，並未設置階差，但所揭示之技術並不限定於此。例如，亦可如圖6所示，以隨著自端面36側向凸緣35側前進而直徑呈階梯狀地變大之方式，於傳熱管33之圓筒部34之側面設置階差。藉此，自TMP20內部洩漏至下部殼體21b與圓筒部34之間之間隙之氣體中包含的自由基於通過下部殼體21b與圓筒部34之間之間隙之過程中，反覆碰撞於下部殼體21b或圓筒部34，而最終失去活性。藉此，可防止自TMP20內部洩漏至下部殼體21b與圓筒部34之間之間隙之氣體中包含的自由基保持較大之能量地到達至O形環31。藉此，可進一步減少O形環31之劣化。再者，於圖6中，於圓筒部34之側面設置有1段階差，但亦可於圓筒部34之側面設置2段以上之階差。 又，於上述實施形態中，於TMP20之下部殼體21b與加熱裝置30之間之間隙配置有自由基截留環32，但所揭示之技術並不限定於此。例如，自由基截留環32亦可配置於電漿處理裝置10內之零件間之間隙且配置於存在自由基侵入之可能性之間隙之O形環之附近。例如，於存在自由基侵入之可能性之零件間之間隙中，自由基截留環32配置於供包含自由基之氣體流通之空間與O形環之間。藉此，可於用於電漿處理裝置10之O形環抑制因自由基引起O形環之劣化。
10‧‧‧電漿處理裝置11‧‧‧簇射頭11a ‧‧‧噴射口11b‧‧‧緩衝空間12‧‧‧載置台13‧‧‧高頻電源13a‧‧‧匹配器14‧‧‧氣體導入管15‧‧‧氣體供給源16‧‧‧排氣管20‧‧‧TMP21‧‧‧殼體21a‧‧‧上部殼體21b‧‧‧下部殼體21c‧‧‧開口21d‧‧‧排氣管22‧‧‧進氣口23‧‧‧轉子23a‧‧‧旋轉翼23b‧‧‧圓筒部23c‧‧‧轉子軸24‧‧‧定子24a‧‧‧固定翼24b‧‧‧螺紋定子25‧‧‧間隔件26a‧‧‧軸承26b‧‧‧軸承26c‧‧‧軸承26d‧‧‧軸承27‧‧‧馬達30‧‧‧加熱裝置31‧‧‧O形環32‧‧‧自由基截留環33‧‧‧傳熱管34‧‧‧圓筒部35‧‧‧凸緣36‧‧‧端面36a‧‧‧螺絲孔40‧‧‧螺絲41‧‧‧蓋50‧‧‧加熱器A‧‧‧虛線箭頭C‧‧‧腔室W‧‧‧半導體晶圓
圖1係表示電漿處理裝置之一例之圖。 圖2係表示TMP(Turbo Molecular Pump，渦輪分子幫浦)之一例之剖視圖。 圖3係表示加熱裝置之一例之放大剖視圖。 圖4係表示配置有O形環及自由基截留環之傳熱管之一例之立體圖。 圖5係說明下部殼體與傳熱管之間之氣體之流動之一例的圖。 圖6係表示加熱裝置之其他例之放大剖視圖。
21b‧‧‧下部殼體
21c‧‧‧開口
24b‧‧‧螺紋定子
30‧‧‧加熱裝置
31‧‧‧O形環
32‧‧‧自由基截留環
33‧‧‧傳熱管
34‧‧‧圓筒部
35‧‧‧凸緣
36‧‧‧端面
40‧‧‧螺絲
41‧‧‧蓋
50‧‧‧加熱器

Claims (8)

  1. 一種加熱裝置，其特徵在於：其係對將電漿處理裝置內之氣體排出之渦輪分子幫浦內之構件進行加熱者，且具備：傳熱管，其配置於設置於上述渦輪分子幫浦之殼體之側壁之開口內，且一端固定於上述構件，另一端露出於上述殼體之外部；加熱器，其設置於上述傳熱管之內部，且經由上述傳熱管加熱上述構件；第1密封構件，其沿著上述傳熱管之外周面呈環狀配置於上述傳熱管與上述殼體之開口之間；及第2密封構件，其沿著上述傳熱管之外周面呈環狀配置於上述傳熱管與上述殼體之開口之間，且配置於較上述第1密封構件更靠上述構件側；且上述傳熱管具備：第一部份，其配置於上述殼體之內部側；及第二部份，其配置於上述殼體之外部側，且直徑大於上述第一部份；上述第2密封構件設於上述第一部份之外周面與上述殼體之上述開口之間，且其係抑制上述渦輪分子幫浦排出之氣體中所含之自由基侵入至上述傳熱管與上述殼體之開口之間。
  2. 如請求項1之加熱裝置，其中上述第2密封構件為表面由氟樹脂被覆之O形環。
  3. 如請求項2之加熱裝置，其中上述氟樹脂為聚四氟乙烯。
  4. 如請求項2或3之加熱裝置，其中覆蓋上述O形環之表面之氟樹脂之厚度為0.2~0.4mm之範圍之厚度。
  5. 如請求項1至3中任一項之加熱裝置，其中上述第2密封構件係於較上述第1密封構件更靠上述構件側配置有複數個。
  6. 如請求項1至3中任一項之加熱裝置，其中於上述傳熱管與上述殼體之上述開口之間設置有間隙，上述間隙藉由上述第1密封構件而與上述殼體之外部之空間氣密地隔開，且上述加熱器經由上述傳熱管將上述構件加熱至較上述殼體之溫度更高之溫度。
  7. 如請求項1至3中任一項之加熱裝置，其中上述構件為渦輪分子幫浦內之螺紋定子。
  8. 一種渦輪分子幫浦，其特徵在於：其係將電漿處理裝置內之氣體排出者，且具備：殼體；轉子，其可旋轉地設置於上述殼體內，且具有複數個旋轉翼；定子，其具有與各個上述旋轉翼交替地配置之固定翼及設置於上述固定翼之下方之螺紋定子；及 加熱裝置，其對上述螺紋定子進行加熱；上述加熱裝置具有：傳熱管，其配置於設置於上述殼體之側壁之開口內，且一端固定於上述螺紋定子，另一端露出於上述殼體之外部；加熱器，其設置於上述傳熱管之內部，且經由上述傳熱管加熱上述螺紋定子；第1密封構件，其沿著上述傳熱管之外周面呈環狀配置於上述傳熱管與上述殼體之開口之間；及第2密封構件，其沿著上述傳熱管之外周面呈環狀配置於上述傳熱管與上述殼體之開口之間，且配置於較上述第1密封構件更靠上述螺紋定子側；且上述傳熱管具備：第一部份，其配置於上述殼體之內部側；及第二部份，其配置於上述殼體之外部側，且直徑大於上述第一部份；上述第2密封構件設於上述第一部份之外周面與上述殼體之上述開口之間，且其係抑制排出之氣體中所含之自由基侵入至上述傳熱管與上述殼體之開口之間。
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