JP4369927B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
また、好適には、前記基板処理容器内に磁界を発生させる磁石を有し、前記冷却用ガス供給手段は、前記磁石近傍に配置され、前記冷却用ガスで該磁石を冷却する。
また、好適には、前記加熱手段はヒータを有し、このヒータの発熱量に応じて、前記冷却用ガス供給手段の冷却用ガス供給速度を制御する制御手段を有する。
また、好適には、前記加熱手段に基板が載置されているか否かに応じて、前記冷却用ガス供給手段の冷却用ガス供給速度を制御する制御手段を有する。
また、好適には、前記冷却用ガス供給手段は、前記基板処理容器の周辺に配置された複数の冷却ガス供給用ファンからなる。
また、好適には、前記冷却手段は、前記基板処理容器に形成された少なくとも一つの冷却媒体流路と、この冷却媒体用流路に冷却媒体を供給する冷却媒体供給手段とを有する。
また、好適には、前記基板処理容器は、開放部が設けられた第1の容器と、前記開放部を塞ぐ状態で前記第1の容器と接続される第2の容器と、前記第1の容器と前記第2の容器との接続部に設けられ、前記処理室を略気密状態にシールするシール部材とを備え、前記冷却媒体用流路は、前記シール部材の近傍に形成される。
また、好適には、少なくとも前記熱遮断材を冷却する熱遮断材冷却手段を有する。
また、好適には、前記熱遮断材冷却手段は、前記支持手段に形成された冷却媒体用流路と、この冷却媒体用流路に冷却媒体を供給する冷却媒体供給手段とを有する。
また、好適には、前記処理容器は、開放部が設けられた第1の容器と、前記開放部を塞ぐ状態で前記第1の容器と接続される第2の容器と、前記第1の容器と前記第2の容器との接続部に設けられた、前記処理室を略気密状態にシールするシール部材とを有し、前記円筒形の電極及び前記シール部材を冷却する気密シール部材冷却手段を有する。
また、好適には、前記処理容器に冷却用媒体流路が形成され、この冷却用媒体流路に冷却媒体を供給する冷却媒体供給手段を有する。
図1乃至5には、本発明の実施形態に係る基板処理装置10が示されている。この基板処理装置10は、プラズマ処理炉からなり、詳細には、電界と磁界により高密度プラズマを生成できる変形マグネトロン型プラズマ源(Modified Magnetron Typed Plasma Source)を用いてウエハ等の基板をプラズマ処理する基板処理炉(以下、MMT装置と称する)からなる。
反応管と第2の容器との間に位置する干渉部材30とを有する。また、反応管16の外側に、基板処理容器12の外周の少なくとも一部を覆う外周容器36が設けられ、外周容器36の重力方向上部には、ファン容器38が設けられている。
12 基板処理容器
14 基板処理室
16 反応管
20 下側基板処理容器
22 チャンバ
24 接続部材
30 干渉部材
32 Oリング
36 外周容器
44 空間
82 電極
84 磁石
92 サセプタ
94 ヒータ
98 ヒータシャフト
100 ヒータベース
122 供給ファン
124 排出ファン
128 熱遮断材
150 コントローラ
C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8 冷却水流路
D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8 配管
P ポンプ
Claims (3)
- 基板を処理する基板処理室を形成する基板処理容器と、
前記基板処理室内に配置された基板を加熱し、サセプタとヒータとを備えた加熱手段と、
前記加熱手段を支持する支持手段と、
を有し、
前記支持手段は、
前記サセプタを支持するヒータシャフトと、
前記ヒータシャフトを下方から支持するヒータベースと、
を有し、
前記基板処理容器の外周の少なくとも一部分を覆う外周容器と前記基板処理容器との間に形成される空間に発生させた気流の供給量を制御しながら、少なくとも前記基板処理容器を冷却する基板処理容器冷却手段、及び前記ヒータと前記ヒータシャフト又は前記ヒータベースとの間に熱遮断材を設けて前記ヒータから前記ヒータシャフト又は前記ヒータベースへの熱伝達を抑制する熱伝達抑制手段、の少なくとも一方を有することを特徴とする基板処理装置。 - 基板を処理する基板処理室を形成する基板処理容器と、
前記基板処理室内に配置された基板を加熱し、サセプタとヒータとを備えた加熱手段と、
前記加熱手段を支持する支持手段と、
を有し、
前記支持手段は、
前記サセプタを支持するヒータシャフトと、
前記ヒータシャフトを下方から支持するヒータベースと、
を有し、
前記基板処理容器の外周の少なくとも一部分を覆う外周容器と前記基板処理容器との間に形成される空間に発生させた気流の供給量を制御しながら、少なくとも前記基板処理容器を冷却する基板処理容器冷却手段、及び前記ヒータと前記ヒータシャフト又は前記ヒータベースとの間に熱遮断材を嵌合して前記ヒータから前記ヒータシャフト又は前記ヒータベースへの熱伝達を抑制する熱伝達抑制手段、の少なくとも一方を有することを特徴とする基板処理装置。 - 少なくとも前記熱遮断材を冷却する熱遮断材冷却手段をさらに有することを特徴とする請求項1又は2記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006002342A JP4369927B2 (ja) | 2006-01-10 | 2006-01-10 | 基板処理装置 |
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JP2006002342A JP4369927B2 (ja) | 2006-01-10 | 2006-01-10 | 基板処理装置 |
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JP2009124982A Division JP5143083B2 (ja) | 2009-05-25 | 2009-05-25 | 基板処理装置、半導体デバイスの製造方法及び基板載置台 |
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JP2007184459A JP2007184459A (ja) | 2007-07-19 |
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JP2006002342A Active JP4369927B2 (ja) | 2006-01-10 | 2006-01-10 | 基板処理装置 |
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- 2006-01-10 JP JP2006002342A patent/JP4369927B2/ja active Active
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JP2007184459A (ja) | 2007-07-19 |
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