JPH05133385A - ドライ真空ポンプ - Google Patents
ドライ真空ポンプInfo
- Publication number
- JPH05133385A JPH05133385A JP29413991A JP29413991A JPH05133385A JP H05133385 A JPH05133385 A JP H05133385A JP 29413991 A JP29413991 A JP 29413991A JP 29413991 A JP29413991 A JP 29413991A JP H05133385 A JPH05133385 A JP H05133385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- suction port
- gas
- pump
- port
- shaft seal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Of Non-Positive Displacement Pumps (AREA)
- Non-Positive Displacement Air Blowers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】吸込口１と吐出口２とをもつケーシング３内に
は、軸受７によって支承されてモータ８により駆動され
るロータ４と、ロータ４を囲むようにして取り付けられ
たステータ５とからなるポンプ機構部６がある。ポンプ
機構部６と軸受７との間に軸封部９があり、外部より軸
封ガスを供給し、ポンプ機構部６とモータ室１２をシー
ルしている。軸封ガス供給口１０の手前側には、吸込口
１と連通するバイパス管が設けられ、一部に電気信号で
開閉できるバルブ１４がある。 【効果】ポンプ通路部への反応生成物の付着堆積を防
ぎ、長時間運転が可能になる。
は、軸受７によって支承されてモータ８により駆動され
るロータ４と、ロータ４を囲むようにして取り付けられ
たステータ５とからなるポンプ機構部６がある。ポンプ
機構部６と軸受７との間に軸封部９があり、外部より軸
封ガスを供給し、ポンプ機構部６とモータ室１２をシー
ルしている。軸封ガス供給口１０の手前側には、吸込口
１と連通するバイパス管が設けられ、一部に電気信号で
開閉できるバルブ１４がある。 【効果】ポンプ通路部への反応生成物の付着堆積を防
ぎ、長時間運転が可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、吐出口を大気圧とする
真空ポンプに係り、特に、低い温度で壁面に付着堆積し
やすい物質を含む気体を排気するのに好適なドライ真空
ポンプに関する。
真空ポンプに係り、特に、低い温度で壁面に付着堆積し
やすい物質を含む気体を排気するのに好適なドライ真空
ポンプに関する。
【０００２】
【従来の技術】ドライ真空ポンプは、吸気口から流入す
る気体が通過する流路に油がないため、クリーンな真空
が得られるという優れた特徴をもつ。真空ポンプの吸込
気体が昇華温度の高い、すなわち、低温でも凝固しやす
いガスである場合、ポンプ内部に反応生成物が付着する
ことがある。
る気体が通過する流路に油がないため、クリーンな真空
が得られるという優れた特徴をもつ。真空ポンプの吸込
気体が昇華温度の高い、すなわち、低温でも凝固しやす
いガスである場合、ポンプ内部に反応生成物が付着する
ことがある。
【０００３】この種の従来技術は、特願昭60−292727号
明細書に記載のものがある。
明細書に記載のものがある。
【０００４】この従来技術では、外部から供給した軸封
ガスはポンプ吸込口から流入するガスと最終段ポンプで
混り合って、吐出口から排気されるため、反応生成物を
含むガスは、軸封ガスによって希釈される。反応生成物
の中には、圧力が上昇し、温度が低下すると固体化しや
すくなるものが多く、特に、半導体製造装置の一種であ
るドライエッチング装置から排気されるガスには、その
ような物質が含まれていることがある。このような物質
であっても、不活性ガスで希釈されると、固体化する温
度が低くなり、固体化しにくくなる。更に、吐出口内に
電気的に加熱するヒータを設けて通過するガスの温度を
上げてやれば、反応生成物がより固体化しにくくなる。
ガスはポンプ吸込口から流入するガスと最終段ポンプで
混り合って、吐出口から排気されるため、反応生成物を
含むガスは、軸封ガスによって希釈される。反応生成物
の中には、圧力が上昇し、温度が低下すると固体化しや
すくなるものが多く、特に、半導体製造装置の一種であ
るドライエッチング装置から排気されるガスには、その
ような物質が含まれていることがある。このような物質
であっても、不活性ガスで希釈されると、固体化する温
度が低くなり、固体化しにくくなる。更に、吐出口内に
電気的に加熱するヒータを設けて通過するガスの温度を
上げてやれば、反応生成物がより固体化しにくくなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、軸封
ガスはポンプ吸込口から流入するガスと最終段ポンプで
混り合って、吐出口から排気されるため、反応生成物を
含むガスは希釈され、吐出口部への反応生成物の付着を
ある程度防止できる。さらに、吐出口内に設けた電気ヒ
ータによってガスを加熱することにより、吐出口部への
反応生成物の付着堆積をより防ぐことができる。しか
し、反応生成物を含むガスは腐食性ガスが多量に含まれ
ているため、電気ヒータの故障を招きやすい。また、軸
封ガスはポンプの最終段で混り合うので、その前段側で
は反応生成物を含むガスは希釈されない。また、不活性
ガスをポンプ吸込口から常時流すと、ポンプの性能が落
ち、所定の働きをしなくなる。
ガスはポンプ吸込口から流入するガスと最終段ポンプで
混り合って、吐出口から排気されるため、反応生成物を
含むガスは希釈され、吐出口部への反応生成物の付着を
ある程度防止できる。さらに、吐出口内に設けた電気ヒ
ータによってガスを加熱することにより、吐出口部への
反応生成物の付着堆積をより防ぐことができる。しか
し、反応生成物を含むガスは腐食性ガスが多量に含まれ
ているため、電気ヒータの故障を招きやすい。また、軸
封ガスはポンプの最終段で混り合うので、その前段側で
は反応生成物を含むガスは希釈されない。また、不活性
ガスをポンプ吸込口から常時流すと、ポンプの性能が落
ち、所定の働きをしなくなる。
【０００６】本発明の目的は、ポンプ流路部に昇華温度
の高い気体が吸込まれても、気体が固体化することな
く、反応生成物の付着堆積を防ぐ真空ポンプを提供する
ことにある。
の高い気体が吸込まれても、気体が固体化することな
く、反応生成物の付着堆積を防ぐ真空ポンプを提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、ポンプの吸込口と軸封ガス供給ラインを接続するバ
イパスラインを設けることにより達成される。
め、ポンプの吸込口と軸封ガス供給ラインを接続するバ
イパスラインを設けることにより達成される。
【０００８】
【作用】ポンプ吸込口からポンプ通路部へ流入するガス
中に、昇華温度の高い物質が含まれている場合、ポンプ
内を通過するにつれて圧力が上昇し、反応生成物が通路
部に付着堆積しやすくなる。
中に、昇華温度の高い物質が含まれている場合、ポンプ
内を通過するにつれて圧力が上昇し、反応生成物が通路
部に付着堆積しやすくなる。
【０００９】本発明は、ポンプ吸込口と軸封ガス供給ラ
インにバイパスラインを設け、ポンプを計画停止する時
や、半導体製造装置のプロセスサイクル中、プロセスに
影響を与えない真空引きの時に、不活性ガスをポンプ吸
込口より多量に流し、ポンプ通路部に付着した反応生成
物を吹き飛ばし、ポンプ通路部に反応生成物の付着堆積
を防止することができる。
インにバイパスラインを設け、ポンプを計画停止する時
や、半導体製造装置のプロセスサイクル中、プロセスに
影響を与えない真空引きの時に、不活性ガスをポンプ吸
込口より多量に流し、ポンプ通路部に付着した反応生成
物を吹き飛ばし、ポンプ通路部に反応生成物の付着堆積
を防止することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。
る。
【００１１】図１において、吸込口１と吐出口２とをも
つケーシング３内には、軸受７によって支承されてモー
タ８により駆動されるロータ４と、ロータ４を囲むよう
にして取り付けられたステータ５とからなるポンプ機構
部６がある。吸込口１から流入した気体は、ポンプ機構
部６を通って吐出口２へ排気される。ポンプ機構部６と
軸受７との間には軸封部９があり、この軸封部９には外
部から軸封ガス供給口１０を通って軸封ガスが供給され
る。軸封ガスは、吸込口から流入する気体と反応するこ
とのないように、乾燥窒素などの不活性ガスが用いられ
る。軸封ガス供給口１０から流入した軸封ガスは二方向
に分かれて流れ、一部はポンプ機構部６の最終段へ流入
し、吸込口から流入した気体と一緒に吐出口から排気さ
れる。もう片方は軸受７を通って、モータ室１２に入
り、軸封ガス排気口１１から排気される。この二方向に
分かれて流れる軸封ガスによって、潤滑油がポンプ機構
部６に流入するのを防ぐと共に、吸込口から流入した気
体がモータ室１２に流入するのを防いでいる。
つケーシング３内には、軸受７によって支承されてモー
タ８により駆動されるロータ４と、ロータ４を囲むよう
にして取り付けられたステータ５とからなるポンプ機構
部６がある。吸込口１から流入した気体は、ポンプ機構
部６を通って吐出口２へ排気される。ポンプ機構部６と
軸受７との間には軸封部９があり、この軸封部９には外
部から軸封ガス供給口１０を通って軸封ガスが供給され
る。軸封ガスは、吸込口から流入する気体と反応するこ
とのないように、乾燥窒素などの不活性ガスが用いられ
る。軸封ガス供給口１０から流入した軸封ガスは二方向
に分かれて流れ、一部はポンプ機構部６の最終段へ流入
し、吸込口から流入した気体と一緒に吐出口から排気さ
れる。もう片方は軸受７を通って、モータ室１２に入
り、軸封ガス排気口１１から排気される。この二方向に
分かれて流れる軸封ガスによって、潤滑油がポンプ機構
部６に流入するのを防ぐと共に、吸込口から流入した気
体がモータ室１２に流入するのを防いでいる。
【００１２】軸封ガス供給口１０の手前側には、吸込口
１と連通するバイパス管１３が設けられている。バイパ
ス管１３と、軸封ガス供給口１０の間には電磁弁１４が
取り付けられており、電磁弁１４の開閉の信号はインバ
ータ１５に取り込まれている。また、吸込口１には、真
空計１６が取り付けられており、吸込口１の圧力は真空
計１６により、圧力がわかるようにインバータに取り込
まれている。
１と連通するバイパス管１３が設けられている。バイパ
ス管１３と、軸封ガス供給口１０の間には電磁弁１４が
取り付けられており、電磁弁１４の開閉の信号はインバ
ータ１５に取り込まれている。また、吸込口１には、真
空計１６が取り付けられており、吸込口１の圧力は真空
計１６により、圧力がわかるようにインバータに取り込
まれている。
【００１３】次に、上述した本発明の実施例の動作を説
明する。吸込口１から吸い込まれた気体は、ロータ４と
ステータ５より成るポンプ機構部６の流路内で、順次、
圧縮され、吐出口２より大気へ排気される。
明する。吸込口１から吸い込まれた気体は、ロータ４と
ステータ５より成るポンプ機構部６の流路内で、順次、
圧縮され、吐出口２より大気へ排気される。
【００１４】いま、吸込口１から流入するガス中に昇華
温度の高い物質が含まれている場合、ポンプ機構部６の
壁面に反応生成物が付着堆積することがある。昇華温度
の高い物質を含むガスの場合、そのガスを乾燥窒素など
の不活性ガスで希釈することにより、昇華温度を低く
し、ポンプ機構部６の壁面に反応生成物が付着堆積する
ことを防ぐことができる。また、吸込口１から多量の不
活性ガスを流すことにより、ポンプ機構部６の圧力が上
昇し、粘性流となり、ポンプ機構部６の温度が上昇し、
ポンプ機構部６の壁面に付着した反応生成物が壁面から
はく離しやすくなり、多量のガスの混入により流体力が
増し、壁面に付着した反応生成物が吹き飛ばされてなく
なる。ポンプ吸込口１から不活性ガスを、常時、多量に
流入させることは有効であるが、ポンプの上流にある装
置における実効排気速度が低下するので実用的でない。
温度の高い物質が含まれている場合、ポンプ機構部６の
壁面に反応生成物が付着堆積することがある。昇華温度
の高い物質を含むガスの場合、そのガスを乾燥窒素など
の不活性ガスで希釈することにより、昇華温度を低く
し、ポンプ機構部６の壁面に反応生成物が付着堆積する
ことを防ぐことができる。また、吸込口１から多量の不
活性ガスを流すことにより、ポンプ機構部６の圧力が上
昇し、粘性流となり、ポンプ機構部６の温度が上昇し、
ポンプ機構部６の壁面に付着した反応生成物が壁面から
はく離しやすくなり、多量のガスの混入により流体力が
増し、壁面に付着した反応生成物が吹き飛ばされてなく
なる。ポンプ吸込口１から不活性ガスを、常時、多量に
流入させることは有効であるが、ポンプの上流にある装
置における実効排気速度が低下するので実用的でない。
【００１５】半導体デバイスのプロセスではエッチン
グ、エッチング後の真空排気等のプロセスがある。エッ
チング後の真空排気の時、真空ポンプ上流のチャンバが
高真空になる。この時、真空ポンプの吸込口１はさらに
高真空となっている。ポンプ吸込口１の圧力を真空計１
６で検知し、その圧力を電気的に変換し、インバータ１
５に入力信号として取り入れる。バイパス管に取り付け
た電磁弁１４は常時、「閉」になっており、吸込口１の
圧力がある圧力以下になった時、電磁弁１４が開くよう
になっている。つまり、吸込口１の圧力はインバータに
常時、電気信号で入力されており、ある圧力以下になっ
た時、電磁弁を開ける出力信号を出し、吸込口に多量の
不活性ガスが流入するようになっている。一定時間後、
電磁弁は閉じ不活性ガスは流れなくなり、真空ポンプは
真空排気し、次のエッチングプロセスに入る。エッチン
グ中に流入した昇華温度の高い物質はポンプ機構部６の
壁面に付着しているが、バイパス管１３を通って吸込口
１へ入った不活性ガスは多量に入ってくるため、壁面に
付着した反応生成物を流体力で吹き飛ばすことができ
る。また、不活性ガスの量が多いため、ポンプ機構部６
の圧力が上昇し、それに伴い、ポンプ内部の温度も上昇
し、ポンプ機構部６の壁面に付着した反応生成物が壁面
からはく離しやすくなる。
グ、エッチング後の真空排気等のプロセスがある。エッ
チング後の真空排気の時、真空ポンプ上流のチャンバが
高真空になる。この時、真空ポンプの吸込口１はさらに
高真空となっている。ポンプ吸込口１の圧力を真空計１
６で検知し、その圧力を電気的に変換し、インバータ１
５に入力信号として取り入れる。バイパス管に取り付け
た電磁弁１４は常時、「閉」になっており、吸込口１の
圧力がある圧力以下になった時、電磁弁１４が開くよう
になっている。つまり、吸込口１の圧力はインバータに
常時、電気信号で入力されており、ある圧力以下になっ
た時、電磁弁を開ける出力信号を出し、吸込口に多量の
不活性ガスが流入するようになっている。一定時間後、
電磁弁は閉じ不活性ガスは流れなくなり、真空ポンプは
真空排気し、次のエッチングプロセスに入る。エッチン
グ中に流入した昇華温度の高い物質はポンプ機構部６の
壁面に付着しているが、バイパス管１３を通って吸込口
１へ入った不活性ガスは多量に入ってくるため、壁面に
付着した反応生成物を流体力で吹き飛ばすことができ
る。また、不活性ガスの量が多いため、ポンプ機構部６
の圧力が上昇し、それに伴い、ポンプ内部の温度も上昇
し、ポンプ機構部６の壁面に付着した反応生成物が壁面
からはく離しやすくなる。
【００１６】以上、説明したように半導体デバイスのプ
ロセスに悪影響を与えないで反応生成物の付着を防ぐこ
とができる。
ロセスに悪影響を与えないで反応生成物の付着を防ぐこ
とができる。
【００１７】また、半導体デバイスのプロセスサイクル
の途中でなく、真空ポンプを計画停止する時、電磁弁を
開き吸込口１より多量の不活性ガスを流入させ、ポンプ
機構部の壁面に付着した反応生成物を吹き飛ばして、反
応生成物の付着を防ぐこともできる。
の途中でなく、真空ポンプを計画停止する時、電磁弁を
開き吸込口１より多量の不活性ガスを流入させ、ポンプ
機構部の壁面に付着した反応生成物を吹き飛ばして、反
応生成物の付着を防ぐこともできる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、半導体製造装置のプロ
セスに影響を及ぼすことなく、ポンプ通路部への反応生
成物の付着堆積を防止できるので、より長時間運転が可
能になる。
セスに影響を及ぼすことなく、ポンプ通路部への反応生
成物の付着堆積を防止できるので、より長時間運転が可
能になる。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
１…吸込口、２…吐出口、３…ケーシング、４…ロー
タ、５…ステータ、６…ポンプ機構部、１０…軸封供給
口、１３…バイパス管、１４…電磁弁、１６…真空計。
タ、５…ステータ、６…ポンプ機構部、１０…軸封供給
口、１３…バイパス管、１４…電磁弁、１６…真空計。
Claims (1)
- 【請求項１】吸込口と吐出口をもつケーシング内にステ
ータおよびロータを収納したポンプ機構部と、ポンプ機
構部の下方に設けられた油潤滑軸受と、ポンプ外部から
軸封ガスを供給する軸封部とをもち、前記吸込口から吸
込まれた気体が前記吐出口から大気へ排気される真空ポ
ンプにおいて、前記吸込口と軸封供給口を連通するバイ
パス管を設けたことを特徴とする真空ポンプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29413991A JPH05133385A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | ドライ真空ポンプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29413991A JPH05133385A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | ドライ真空ポンプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05133385A true JPH05133385A (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=17803818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29413991A Pending JPH05133385A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | ドライ真空ポンプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05133385A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008248754A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tokyo Electron Ltd | ターボ分子ポンプ、基板処理装置、及びターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法 |
| US20170067153A1 (en) * | 2015-09-07 | 2017-03-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing system and method of operating the same |
| WO2023228995A1 (ja) * | 2022-05-26 | 2023-11-30 | 株式会社荏原製作所 | ポンプ装置のドライアップ方法、クールダウン方法、およびホットアップ方法 |
-
1991
- 1991-11-11 JP JP29413991A patent/JPH05133385A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008248754A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tokyo Electron Ltd | ターボ分子ポンプ、基板処理装置、及びターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法 |
| US20170067153A1 (en) * | 2015-09-07 | 2017-03-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing system and method of operating the same |
| JP2017054850A (ja) * | 2015-09-07 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体製造システムおよびその運転方法 |
| WO2023228995A1 (ja) * | 2022-05-26 | 2023-11-30 | 株式会社荏原製作所 | ポンプ装置のドライアップ方法、クールダウン方法、およびホットアップ方法 |
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