TWI471576B - The inspection apparatus, the inspection system, the inspection method, and the inspection method of the semiconductor device of the semiconductor device - Google Patents

The inspection apparatus, the inspection system, the inspection method, and the inspection method of the semiconductor device of the semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
TWI471576B
TWI471576B TW102117213A TW102117213A TWI471576B TW I471576 B TWI471576 B TW I471576B TW 102117213 A TW102117213 A TW 102117213A TW 102117213 A TW102117213 A TW 102117213A TW I471576 B TWI471576 B TW I471576B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
potential
terminal
selector
inspection
semiconductor device
Prior art date
Application number
TW102117213A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201411151A (zh
Inventor
Yosuke Osanai
Takashi Ushijima
Original Assignee
Toyota Motor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Co Ltd filed Critical Toyota Motor Co Ltd
Publication of TW201411151A publication Critical patent/TW201411151A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI471576B publication Critical patent/TWI471576B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/32—Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Description

半導體裝置之檢查裝置、檢查系統、檢查方法，及檢查完畢半導體裝置之生產方法
本說明書所公開的技術涉及一種半導體裝置。
在日本特許公開公報2004-257921號(以下，稱為專利文獻1)中，公開了一種半導體裝置的老化(burn-in)檢查方法。在該檢查方法中所使用的檢查裝置中，在共通的電流計上連接有複數個半導體裝置。在該檢查方法中，透過對被輸入至各個半導體裝置中的訊號進行控制，從而僅使所選擇的一個半導體裝置導通，而不使其他的半導體裝置導通。由此，透過電流計來檢測出所選擇的半導體裝置的通電電流，從而試驗出所選擇的半導體裝置是否適當地進行動作。當對一個半導體裝置的檢查結束後，選擇另一個半導體裝置，並對該半導體裝置進行檢查。透過這種形態，從而實施了對全部的半導體裝置的檢查。
在專利文獻1的檢查方法中，當檢查對象的複數個半導體裝置中包含導通不良的半導體裝置時，將無法進行適當的檢查。另外，導通不良的半導體裝置是指，即使輸入不使其導通的訊號也會導通(即，“ON”)的半導體裝置。即，當包含有導通不良的半導體裝置時，在所選擇的半導體裝置的檢查中，未被選擇的導通不良的半導體裝置也將導通。因此，在電流計中，除所選擇的半導體裝置的通電電流以外，還流動有導通不良的半導體裝置的通電電流。因此，無法對所選擇的半導體裝置的通電電流進行檢測，從而無法實施正確的檢查。
本說明書所公開的檢查裝置對半導體裝置的輸出訊號進行檢查。該檢查裝置具有：監視器線路；及監視器裝置，其對監視器線路上的訊號進行檢測；及複數個檢查電路，其被連接於監視器線路。各個檢查電路具有：半導體裝置支承件，其上能夠設置半導體裝置，且具有使訊號從所設置的半導體裝置輸入的訊號端子；及第一電阻器，其被連接在訊號端子與監視器線路之間；及選擇器端子；及第一二極體，其被連接在訊號端子與選擇器端子之間以使選擇器端子側成為陰極形態訊號。
在圖1中，作為示例而圖示了上述檢查裝置的一個實施形態。在圖1中，參照編號100為監視器裝置，參照編號102為監視器線路，參照編號104為檢查電路。另外， 雖然在圖1中圖示了兩個檢查電路104a、104b，然而也可以將兩個以上的檢查電路連接在監視器線路上。此外，參照編號110為半導體裝置支承件，參照編號112為半導體裝置，參照編號114為第一電阻器，參照編號116為第一二極體，參照編號118為選擇器端子，參照編號120為訊號端子。
在使用該檢查裝置來實施檢查時，從被設置在檢查裝置上的半導體裝置中選擇一個半導體裝置，並對具有所選擇的半導體裝置的、檢查電路的選擇器端子施加第一電位。對其他的檢查電路的選擇器端子施加低於第一電位的第二電位。例如，當選擇了圖1中的半導體裝置112a時，對選擇器端子118a施加第一電位V1，而對選擇器端子118b施加第二電位V2。當對選擇器端子118a施加第一電位V1時，第一二極體116a不導通。因此，從半導體裝置112a向訊號端子120a輸出的訊號，被輸出至監視器線路102上。另一方面，在對選擇器端子118b施加了第二電位V2的狀態下，當訊號端子120b的電位上升時，第一二極體116b導通。由此，防止了訊號端子120b的電位的上升。因此，防止了來自未被選擇的半導體裝置112b的訊號被輸出至監視器線路102上的情況。因此，能夠透過監視器裝置100而正確地對所選擇的半導體裝置112a的輸出訊號進行檢測。如此，根據該檢查裝置，能夠正確地對各個半導體裝置進行檢查。
此外，本說明書提供一種利用檢查裝置而對半導體裝 置的輸出訊號進行檢查的檢查方法。檢查裝置具有：監視器線路；及複數個檢查電路，其被連接於監視器線路。各個檢查電路具有：半導體裝置支承件，其上能夠設置半導體裝置，且具有使訊號從所設置的半導體裝置輸入的訊號端子；及第一電阻器，其被連接在訊號端子與監視器線路之間；及選擇器端子；及第一二極體，其被連接在訊號端子與選擇器端子之間以使選擇器端子側成為陰極形態。檢查方法具有：在各個半導體裝置支承件上設置半導體裝置的步驟；及在對複數個選擇器端子中的第一選擇器端子施加了第一電位、而對其他的選擇器端子施加了低於第一電位的第二電位的狀態下，對監視器線路上的訊號進行檢測的步驟；及在對複數個選擇器端子中的第二選擇器端子施加了第一電位、而對其他的選擇器端子施加了第二電位的狀態下，對監視器線路上的訊號進行檢測的步驟。
此外，本說明書提供一種生產檢查完畢半導體裝置的方法，該生產方法具有：形成半導體裝置的結構的工程、和對所形成的半導體裝置進行檢查的工程。在前述進行檢查的工程中所使用的檢查裝置具有：監視器線路；及複數個檢查電路，其被連接於監視器線路。各個檢查電路具有：半導體裝置支承件，其上能夠設置半導體裝置，且具有使訊號從所設置的半導體裝置輸入的訊號端子；及第一電阻器，其被連接在訊號端子與監視器線路之間；及選擇器端子；及第一二極體，其被連接在訊號端子與選擇器端子之間以使選擇器端子側成為陰極形態。前述進行檢查的 工程具有：在各個半導體裝置支承件上設置半導體裝置的步驟；及在對複數個選擇器端子中的第一選擇器端子施加了第一電位、而對其他的選擇器端子施加了低於第一電位的第二電位的狀態下，對監視器線路上的訊號進行檢測的步驟；及在對複數個選擇器端子中的第二選擇器端子施加了第一電位、而對其他的選擇器端子施加了第二電位的狀態下，對監視器線路上的訊號進行檢測的步驟。
10‧‧‧老化檢查系統
20‧‧‧控制單元
22‧‧‧監視器裝置
24‧‧‧選擇器
30‧‧‧老化板
32‧‧‧IC插座
32a、32b‧‧‧端子
32c‧‧‧訊號端子
34‧‧‧電阻器
35、36、36b‧‧‧二極體
38、39‧‧‧電阻器
40‧‧‧檢查電路
42‧‧‧監視器線路
44‧‧‧選擇器線路
46‧‧‧選擇器端子
50‧‧‧電源配線
52‧‧‧接地配線
54‧‧‧輸出配線
100‧‧‧監視器裝置
102‧‧‧監視器線路
104a、104b‧‧‧檢查電路
110a、110b‧‧‧半導體裝置支承件
112a、112b‧‧‧半導體裝置
114a、114b‧‧‧第一電阻器
116a、116b‧‧‧第一二極體
118a、118b‧‧‧選擇器端子
120a、120b‧‧‧訊號端子
122a、122b‧‧‧第二二極體
V1‧‧‧第一電位
V2‧‧‧第二電位
VH1、VH2‧‧‧上位電位
VL1、VL2‧‧‧下位電位
VF11、VF12、VF22‧‧‧順向電壓
Vcc‧‧‧電源電位
V0‧‧‧接地電位
Vlo‧‧‧低電位
Vhi‧‧‧高電位
Vout1‧‧‧訊號端子120a的電位
Vout2‧‧‧訊號端子120b的電位
圖1為實施形態的檢查系統的電路圖的一個示例。
圖2為其他實施形態的檢查系統的電路圖的一個示例。
圖3為實施例的檢查系統10的電路圖。
圖4為表示實施例的檢查系統10所執行的處理的流程圖。
圖5為實施例的檢查系統10的第一行的部分的等效電路圖。
圖6為其他實施例的檢查系統的電路圖。
圖7為其他實施例的檢查系統的電路圖。
圖8為其他實施例的檢查系統的電路圖。
圖9為其他實施例的檢查系統的電路圖。
圖10為圖9的實施例的檢查系統的第一行的部分的等效電路圖。
圖11為其他實施例的檢查系統的電路圖。
圖12為其他實施例的檢查系統的電路圖。
圖13為其他實施例的檢查系統的電路圖。
首先，列舉以下進行說明的實施例的特徵。另外，此處所列舉的特徵均為獨立且有效的特徵。
(特徵1)還具備選擇器裝置，前述選擇器裝置能夠執行如下的動作，即，對複數個選擇器端子中的第一選擇器端子施加第一電位、而對其他的選擇器端子施加低於第一電位的第二電位的動作，以及對複數個選擇器端子中的第二選擇器端子施加第一電位、而對其他的選擇器端子施加第二電位的動作。
(特徵2)第一電位V1、上位電位VH1以及順向電壓VF11滿足如下的關係，即，V1>VH1-VF11，其中，前述上位電位VH1為，被輸入至與第一電位的施加對象的選擇器端子相對應的訊號端子中的訊號的上位電位，前述順向電壓VF11為，與第一電位的施加對象的選擇器端子相對應的第一二極體的順向電壓。第二電位V2、上位電位VH2以及順向電壓VF12滿足如下的關係，即，V2<VH2-VF12，其中，前述上位電位VH2為，能夠被輸入至與第二電位的施加對象的選擇器端子相對應的訊號端子中的訊號的上位電位，前述順向電壓VF12為，與第二電位的施加對象的選擇器端子相對應的第二二極體的順向電壓。
另外，二極體的順向電壓是指，在流通有額定電流時於二極體的陽極-陰極之間所產生的電壓。此外，訊號的上位電位是指，訊號所能夠取得的複數個電位狀態中的最高的電位狀態的電位。此外，在下文中，訊號的下位電位是指，訊號所能夠取得的複數個電位狀態中最低的電位狀態的電位。因此，例如，在於高電位與低電位之間進行躍遷的訊號中，高電位為上位電位，低電位為下位電位。此外，也存在輸出在高電位、低電位、開路電位(在半導體裝置內與其他的端子斷開的狀態下的電位)之間進行躍遷的訊號的半導體裝置。由於開路電位的電極處於浮置狀態，因此由周圍的環境來決定電位。一般情況下，開路電位低於高電位，而高於低電位。在這種情況下，高電位仍為上位電位，低電位仍為下位電位。此外，在高電位與開路電位之間進行躍遷的訊號中，高電位為上位電位，開路電位為下位電位。此外，在開路電位與低電位之間進行躍遷的訊號中，開路電位為上位電位，低電位為下位電位。
在圖1的情況下(選擇了半導體裝置112a的情況)，用於使第一二極體116a不導通的條件為，V1>Vout1-VF11(Vout1為訊號端子120a的電位)。電位Vout1原則上不會高於上位電位VH1。因此，如果滿足V1>VH1-VF11，則能夠在所選擇的半導體裝置112a的檢查中，使第一二極體116a始終斷開。另一方面，在圖1的情況下，用於使第二二極體116b導通的條件為，V2<Vout2-VF12(Vout2為訊號端子120b的電位)。因此， 如果滿足V2<VH2-VF12，則即使未被選擇的半導體裝置112b輸出了上位電位VH2，在該輸出時二極體116b也將會導通。因此，防止了上位電位VH2被輸出至監視器線路上的情況。
(特徵3)各個檢查電路具有第二二極體，前述第二二極體係相對於第一電阻器並聯連接以使監視器線路側成為陰極。
圖2圖示了特徵3的結構的一個實施形態。另外，圖2為在圖1中附加了第二二極體122的結構。根據這種結構，當來自所選擇的半導體裝置112a的輸出訊號為上位電位時，二極體122a導通。由此，訊號從半導體裝置112a被傳遞至監視器線路。根據這種結構，與訊號僅經由第一電阻114a而被傳遞至監視器線路102的情況相比，由於訊號經由第一電阻114a以及二極體122a而被傳遞至監視器線路102，因此能夠提高來自半導體裝置112a的輸出訊號為上位電位時的、監視器線路102的電位。因此，能夠提高監視器線路102上的訊號的SN比。
(特徵4)下位電位VL1、第二電位V2、順向電壓VF12、以及順向電壓VF22滿足如下的關係，即，V2+VF12<VL1+VF22，其中，前述下位電位VL1為，被輸入至與第一電位的施加對象的選擇器端子相對應的訊號端子中的訊號的下位電位，前述順向電壓VF12為，與第二電位的施加對象的選擇器端子相對應的第一二極體的順向電壓，前述順向電壓VF22為，與第二電位的施加對象 的選擇器端子相對應的第二二極體的順向電壓。
如圖2所示，當所選擇的半導體裝置112a輸出下位電位VL1時，監視器線路102的電位與下位電位VL1大致相等。當滿足了上述的關係時，即使未被選擇的半導體裝置112b向訊號端子120b輸出電位VL2，第一二極體116b也將先於第二二極體122b而導通。因此，根據該特徵，即使半導體裝置112b輸出了較高的電位，也能夠防止該電位經由第二二極體122b而被輸出至監視器線路102上的情況。
(特徵5)各個檢查電路具有第二電阻器，前述第二電阻器被連接在連接部與訊號端子之間，前述連接部將第一二極體的陽極和第一電阻器連接在一起。
根據這種結構，能夠抑制在未被選擇的半導體裝置以及第一二極體中流通有過電流的情況。
(特徵6)各個半導體裝置支承件具有：向所設置的半導體裝置供給高電位的高電位端子、和向所設置的半導體裝置供給低電位的低電位端子。複數個檢查電路各自具有被連接在高電位端子與訊號端子之間的第三電阻器。
根據這種結構，能夠更正確地對輸出開路電位和低電位的半導體裝置進行檢查。
(特徵7)各個半導體裝置支承件具有：向所設置的半導體裝置供給高電位的高電位端子、和向所設置的半導體裝置供給低電位的低電位端子。各個檢查電路具有被連接在低電位端子與訊號端子之間的第四電阻器。
根據這種結構，能夠更正確地對輸出開路電位和高電位的半導體裝置進行檢查。
(特徵8)一種檢查系統，其具有複數個上述任意一種的檢查裝置，各個檢查裝置的監視器線路以及監視器裝置為獨立，各個檢查裝置所具有的選擇器端子與其他的檢查裝置的選擇器端子被共通化。
根據該檢查系統，能夠在短時間內對複數個半導體裝置進行檢查。
實施例
圖3所示的老化檢查系統10，使IC在高溫環境下進行動作，並對IC的輸出訊號進行檢查。老化檢查系統10具有控制單元20和老化板30。
在老化板30的基板上，形成有在圖3的橫向上延伸的監視器線路42。監視器線路42在圖3的縱向上被排列有n個。在下文中，將存在於j行上的監視器線路42表示為監視器線路42-j(j為任意的整數。1jn)。
在老化板30的基板上，形成有在圖3的縱向上延伸的選擇器線路44。選擇器線路44在圖3的橫向上被排列有m個。在下文中，將存在於k列上的選擇器線路44表示為選擇器線路44-k(k為任意的整數。1km)。在選擇器線路44的端部上，形成有選擇器端子46。即，選擇器端子46存在有m個。在下文中，將與選擇器線路44-k連接的選擇器端子46表示為選擇器端子46-k。
在老化板30的基板上，形成有複數個檢查電路40。排列檢查電路40在圖3的橫向上被排列有m個，並在圖3的縱向上被排列有n個。即，在老化板30的基板上，形成有m×n個檢查電路40。在下文中，有時將存在於j行k列上的檢查電路40表示為檢查電路40-jk。此外，有時對於檢查電路40內的各個結構要素，透過同樣的標記來表示。檢查電路40-jk被連接於監視器線路42-j以及選擇器線路44-k。
各個檢查電路40具有IC插座32、電阻器34、二極體36。另外，在對實施例進行說明的各個附圖中，考慮到附圖的易讀性，僅在檢查電路40-11和檢查電路40-12中標記了IC插座、電阻器、二極體等的參照編號。由於各個檢查電路40的結構相同，因此在下文中對一個檢查電路40的結構進行說明。在檢查電路40的IC插座32上安裝有IC。IC插座32具備複數個端子。例如，IC插座32具有被連接於電源配線50上的端子32a、以及被連接於接地配線52上的端子32b。透過這些端子，從而使電源電位Vcc和接地電位V0被供給至設置在IC插座32上的IC中。此外，IC插座32具有被連接於輸出配線54上的訊號端子32c。訊號從被設置在IC插座32上的IC被輸入至訊號端子32c中。該訊號在電源電位Vcc和接地電位V0之間進行躍遷。此外，被設置在IC插座32上的IC透過從未圖示的端子輸入的控制訊號而被控制。在輸出配線54與監視器線路42之間連接有電阻器34。在輸出配 線54與選擇器線路44之間連接有二極體36b。二極體36被連接以使選擇器線路44側成為陰極。
控制單元20具有n個監視器裝置22。各個監視器裝置22被連接在相對應的監視器線路42上。在下文中，將被連接在監視器線路42-j上的監視器裝置22表示為監視器裝置22-j。監視器裝置22-j對監視器線路42-j上的訊號(電位)進行檢測。
控制單元20具有選擇器裝置24。選擇器裝置24對m個選擇器端子46-1~46-m的電位進行控制。
老化檢查系統10被應用於IC的生產線中。以下，對IC的生產方法進行說明。IC的生產方法具有，形成IC的結構的工程、及對IC進行檢查的工程。在形成IC的結構的工程中，首先，透過離子植入等而在半導體晶片內形成半導體電路。接下來，透過切割而將半導體晶片分割為半導體晶片。接下來，將半導體晶片固定在引線框上，並透過打線接合等而對半導體晶片和引線框進行連接。之後，將半導體晶片與引線框一起進行樹脂成形。由此，完成了檢查前的IC。
接下來，對IC的檢查工程進行說明。在IC的檢查工程中，利用上述的檢查系統10而對IC進行檢查。首先，在檢查系統10的各個IC插座32上設置IC。此處，m×n個IC被設置於檢查系統10中。在下文中，將被設置在插座32-jk上的IC稱為IC-jk。接下來，將老化板30加熱至預定溫度。各個IC的檢查在將老化板30加熱了的狀態下 實施。
接下來，透過控制單元20來執行圖4的處理。在步驟S2中，使全部的IC進行動作。由此，訊號被輸出至各個IC插座32的訊號端子32c。以後的各個步驟在各個IC進行動作的狀態下被實施。
在步驟S4中，選擇器裝置24選擇實施檢查的列。在最初的步驟S2中，選擇了第一列(即，IC-11~IC-n1)。
在步驟S6中，選擇器裝置24首先對與未被選擇的列相對應的選擇器端子46施加低電位Vlo。此外，選擇器裝置24對與所選擇的列相對應的選擇器端子46施加高電位Vhi。並且，各個監視器裝置22對所對應的監視器線路42的訊號進行檢測。由於在最初的步驟S4中選擇了第一列，因此在最初的步驟S6中，對選擇器端子46-1施加了高電位Vhi，而對選擇器端子46-2~46-m施加了低電位Vlo。對這種情況下的、被連接於監視器線路42-1的各個檢查電路40-11~40-1m的動作進行說明。
在檢查電路40-12中，對選擇器線路44-2施加了低電位Vlo。在本實施例中，低電位Vlo與接地電位V0大致相等。因此，低電位Vlo、IC-12所輸出的訊號的上位電位Vcc(即，電源電位Vcc)、二極體36-12的順向電壓VF36滿足如下的關係，即，Vlo<Vcc-VF36。因此，當IC-12的輸出電位(即，訊號端子32c的電位)欲上升時，二極體36-12將導通。因此，在檢查電路40-12中， 訊號端子32c的電位被大致固定為電位V0。因此，訊號不會從IC-12被傳遞至監視器線路42-1上。此外，檢查電路40-13~40-1m也與檢查電路40-12同樣地進行動作(另外，在本實施例中，全部的IC的輸出訊號的上位電位Vcc彼此大致相等，且全部的二極體36的順向電壓VF36彼此大致相等)。因此，訊號也不會從檢查電路40-13~40-1m被傳遞至監視器線路42-1上。
另一方面，在檢查電路40-11中，對選擇器線路44-1施加了高電位Vhi。在本實施例中，高電位Vhi與電源電位Vcc大致相等。因此，高電位Vhi、IC-11所輸出的訊號的上位電位Vcc、二極體36-11的順向電壓VF36滿足如下的關係，即，Vhi>Vcc-VF36。因此，二極體36-11不會變為導通，IC-11所輸出的訊號經由電阻器34-11而被輸出至監視器線路42-1上。因此，在監視器裝置22-1中檢測出IC-11的訊號。
另外，圖5圖示了被連接在監視器線路42-1上的各個檢查電路40-11~40-1m的等效電路。由於二極體36-12~36-1m處於導通，因此當IC-11向訊號端子32c輸出電位Vcc時，IC-11的訊號端子32c與其他的IC-12~IC-1m的訊號端子32c之間的電位差ΔV(參照圖5)將成為，Vcc-(VF36+Vlo)。因此，被施加於各個電阻器34-12~34-1m上的電壓成為，透過電阻器34-12~34-1m的合成電阻值RN、和電阻器34-11的電阻值R11而將電位差ΔV分壓了的值、即ΔV‧RN/(RN+R11)。因此，IC-11向 訊號端子32c輸出電位Vcc時的監視器線路42-1的電位VM1為， 。其中， 。另外，如上所述，由於電位Vlo與接地電位V0(即，0V)大致相等，因此上述數學式1也可以如下方式而表示。
另一方面，IC-11向訊號端子32c輸出電位V0時的監視器線路42-1的電位VM2與電位V0大致相等。
因此，在監視器裝置22-1中，檢測出在上述的VM1與VM2之間進行躍遷的訊號。在監視器裝置22-1中，透過將所檢測出的訊號與所需值進行比較，從而對IC-11是否正常進行判斷。
此外，被連接在其他的監視器線路42-2~42-n上的各個檢查電路40，也與被連接在監視器線路42-1上的各個檢查電路40同樣地進行動作。因此，透過各個監視器裝置22-2~22-n，從而檢測出IC-21~IC-n1的訊號，並實施這些部件的良好與否的判斷。
當步驟S6結束時，判斷是否結束了對全部IC的檢查(步驟S8)。在未結束的情況下，再次重覆實施自步驟S4起的處理。在接下來的步驟S4中，選擇了前次所選擇的列的下一列。因此，透過反覆實施步驟S4~S8，從而檢查至最後的列m的IC為止。當對全部IC的檢查結束時，檢查系統10結束處理。
透過結束以上所說明的檢查工程，從而完畢了各個IC的生產而能夠進行出貨。
如以上所說明的那樣，在該檢查系統10中，防止了訊號從未被選擇的列的IC被輸出至監視器線路42上的情況。因此，能夠正確地對所選擇的IC進行檢查。此外，由於訊號未從未被選擇的列的IC被輸出至監視器線路42上，因此能夠在使未被選擇的列的IC的動作繼續進行的同時，實施所選擇的列的IC的檢查。此外，即使在未被選擇的列的IC中發生了故障等的情況下，也不會對所選擇的列的IC的檢查結果造成影響。例如，即使未被選擇的IC由於故障等而欲向訊號端子32c輸出異常的電位，訊號端子32c的電位也不會上升。因此，能夠實施對所選擇的IC的正確的檢查。
此外，在上述的檢查系統10中，屬於所選擇的列中的各個檢查電路40被連接在不同的監視器線路42上。因此，能夠一次對複數個IC進行檢查。
接下來，對其他實施例的檢查系統進行說明。IC中也存在輸出開路電位的情況。在上述的實施例中，也能夠 實施對輸出開路電位的IC的檢查。但是，由於開路電位為根據周圍的環境而發生變化的不穩定的電位，因此檢查精度將會降低。因此，以下對能夠適當地對輸出開路電位的IC進行檢查的其他實施例進行說明。
圖6為，適合於輸出開路電位和電源電位Vcc的IC的實施例。在圖6的實施例中，相比於圖3，在各個檢查電路40中追加了對訊號端子32c和接地配線52進行連接的電阻器38。在該實施例中，當所選擇的IC向訊號端子32c輸入電源電位Vcc時，與上述的實施例同樣，電位將被輸出到監視器線路42上。當所選擇的IC向訊號端子32c輸出開路電位時，由於訊號端子32c透過電阻器38而被連接於接地配線52，因此訊號端子32c成為接地電位V0。因此，在這種情況下，也與上述的實施例同樣地，監視器線路42的電位成為接地電位V0。如此，由於即使在IC輸出了開路電位的情況下，訊號端子32c的電位也會被固定為接地電位V0，因此能夠透過監視器裝置22而檢測出更明確的訊號。因此，能夠更正確地實施檢查。
圖7為，適合於輸出開路電位與接地電位V0的IC的實施例。在圖7的實施例中，相比於圖3，在各個檢查電路40中追加了對訊號端子32c和電源配線50進行連接的電阻器39。在該實施例中，當所選擇的IC向訊號端子32c輸入開路電位時，由於訊號端子32c透過電阻器39而被連接於電源配線50，因此訊號端子32c成為電源電位Vcc。因此，與上述的實施例同樣，電位將被輸出到監視 器線路42上。此外，當所選擇的IC向訊號端子32c輸出接地電位V0時，與上述的實施例同樣，監視器線路42的電位成為接地電位V0。如此，根據該結構，能夠適當地對輸出開路電位和接地電位V0的IC進行檢查。
此外，圖8為，能夠對未被選擇的IC和二極體36進行保護以免受過電流的影響的實施例。在圖3的實施例中，當由於IC的故障而導致電源側的端子32a與訊號端子32c短路時，電流將從電源配線50經由IC和二極體36而流向選擇器線路44。由於該路線中不存在負載，因此將流通有過電流，從而存在IC或二極體36損壞的可能性。相對於此，在圖8的結構中，在訊號端子32c與二極體36之間追加了電阻器37。因此，即使發生了IC的短路，也能夠防止流通有非常大的電流的情況。另外，如果在IC的內部形成了過電流保護電路等，則不一定需要圖8所示的電阻器37。
此外，圖9為，追加了相對於各個檢查電路40的電阻器34並聯連接的二極體35的實施例。二極體35係被連接以使監視器線路42側成為陰極。在該實施例中，當在未被選擇的檢查電路40中，二極體35的陰極(即，監視器線路42)的電位降低時，存在二極體35導通的可能性。當在未被選擇的檢查電路40中二極體35導通時，由於訊號從未被選擇的檢查電路40被傳遞至監視器線路42從而會產生問題。為了解決該問題，需要在未被選擇的檢查電路40中設定為，使二極體36先於二極體35而導 通。如上前述，監視器線路42的電位在較低時成為接地電位V0。因此，未被選擇的檢查電路40的二極體35在訊號端子32c的電位超過V0+VF35時導通(另外，電壓VF35為二極體35的順向電壓)。另一方面，二極體36在訊號端子32c的電位超過Vlo+VF36時導通。因此，若滿足V0+VF35>Vlo+VF36的關係，則當未被選擇的檢查電路40的訊號端子32c的電位上升時，二極體36將先於二極體35而導通。在本實施例中，低電位Vlo低於接地電位V0。此外，在本實施例中，二極體35的順向電壓VF35與二極體36的順向電壓VF36大致相等。因此，滿足了上述的關係，從而防止了訊號從未被選擇的檢查電路40被傳遞至監視器線路42的情況。
此外，圖10圖示了圖9的被連接於監視器線路42-1的各個檢查電路40的等效電路。當對所選擇的檢查電路40的訊號端子32c施加了電源電位Vcc時，電流從該訊號端子32c經過二極體35-11而流到監視器線路42-1上。因此，監視器線路42-1的電位VM1為，(數學式3)VM1=Vcc-VF35。
另一方面，當對被選擇的檢查電路40的訊號端子32c施加了接地電位V0時，與上述的其他實施例同樣，監視器線路42-1的電位VM2將變得與電位V0大致相等。
將數學式3與上述的數學式1(或者數學式2)進行比較。在上述的數學式1(即，圖3的實施例)中，當被 連接在監視器線路42-1上的檢查電路40的數量增多時，合成電阻RN將減小。其結果為，當所選擇的IC輸出電源電位Vcc時，在監視器線路42-1上所獲得的電位將降低。因此，在監視器線路42-1上表現出的訊號的SN比降低，檢查的精度降低。另一方面，如上述數學式3所示，在圖9、10的實施例中，電壓VM1不受合成電阻RN的影響。因此，即使被連接於監視器線路42-1的檢查電路40的數量增多，也能夠在所選擇的IC輸出電源電位Vcc時在監視器線路42-1上獲得較高的電位。因此，該實施例的檢驗精度較高。而且，圖9、10的實施例特別適合於較大規模的檢查系統。
此外，圖11為，將圖8的實施例與圖9的實施例組合而成的實施例。根據這種組合，能夠同時獲得圖8與圖9雙方的技術效果。此外，圖12為，將圖6的實施例、圖8的實施例以及圖9的實施例組合後的實施例。該組合也能夠獲得圖6、8、9的各個效果。而且，也能夠以其他的態樣而對各個實施例進行組合。
此外，圖13圖示了選擇器線路44在橫向上延伸而監視器線路42在縱向上延伸的結構。如此，也可以對各個結構要素的物理配置進行變更。
以上，雖然對實施形態進行了詳細說明，然而這些僅為示例，而並非對申請專利範圍進行限定。在申請專利範圍中所記載的技術中，包括對上文中所例示的具體例進行各種改變、變更後的技術。
本說明書或附圖中所說明的技術要素為，以單獨的形態或者各種組合而發揮技術上的有用性的要素，並且不限定於申請時請求項中所記載的組合。此外，本說明書或者附圖所例示的技術為，能夠同時實現複數個目的的技術，並且達成其中一個目的本身也具有技術上的有用性。
20‧‧‧控制單元
22‧‧‧監視器裝置
24‧‧‧選擇器
30‧‧‧老化板
32‧‧‧IC插座
32a、32b‧‧‧端子
32c‧‧‧訊號端子
34‧‧‧電阻器
36‧‧‧二極體
40‧‧‧檢查電路
42‧‧‧監視器線路
44‧‧‧選擇器線路
46‧‧‧選擇器端子
50‧‧‧電源配線
52‧‧‧接地配線
54‧‧‧輸出配線

Claims (11)

  1. 一種檢查裝置，其對半導體裝置的輸出訊號進行檢查，並具有：監視器線路；監視器裝置，其對監視器線路上的訊號進行檢測；複數個檢查電路，其被連接於監視器線路，各個檢查電路具有：半導體裝置支承件，其上能夠設置半導體裝置，且具有使訊號從所設置的半導體裝置輸入的訊號端子；第一電阻器，其被連接在訊號端子與監視器線路之間；選擇器端子；及第一二極體，其被連接在訊號端子與選擇器端子之間以使選擇器端子側成為陰極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的檢查裝置，其中，還具備選擇器裝置，前述選擇器裝置能夠執行如下的動作，即，對複數個選擇器端子中的第一選擇器端子施加第一電位、而對其他的選擇器端子施加低於第一電位的第二電位的動作，以及對複數個選擇器端子中的第二選擇器端子施加第一電位、而對其他的選擇器端子施加第二電位的動作。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的檢查裝置，其中，第一電位V1、高電位VH1以及順向電壓VF11滿足如下的關係，即， V1>VH1-VF11，其中，前述高電位VH1為，被輸入至與第一電位的施加對象的選擇器端子相對應的訊號端子中的訊號的高電位，前述順向電壓VF11為，與第一電位的施加對象的選擇器端子相對應的第一二極體的順向電壓，第二電位V2、高電位VH2以及順向電壓VF12滿足如下的關係，即，V2<VH2-VF12，其中，前述高電位VH2為，能夠被輸入至與第二電位的施加對象的選擇器端子相對應的訊號端子中的訊號的高電位，前述順向電壓VF12為，與第二電位的施加對象的選擇器端子相對應的第一二極體的順向電壓。
  4. 如申請專利範圍第1至3項任一項所述的檢查裝置，其中，各個檢查電路具有第二二極體，前述第二二極體係相對於第一電阻器並聯連接以使監視器線路側成為陰極。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的檢查裝置，其中，低電位VL1、第二電位V2、順向電壓VF12、以及順向電壓VF22滿足如下的關係，即，V2+VF12<VL1+VF22，其中，前述低電位VL1為，被輸入至與第一電位的施加對象的選擇器端子相對應的訊號端子中的訊號的低電 位，前述順向電壓VF12為，與第二電位的施加對象的選擇器端子相對應的第一二極體的順向電壓，前述順向電壓VF22為，與第二電位的施加對象的選擇器端子相對應的第二二極體的順向電壓。
  6. 如申請專利範圍第1至3項任一項所述的檢查裝置，其中，各個檢查電路具有第二電阻器，前述第二電阻器被連接在連接部與訊號端子之間，前述連接部將第一二極體的陽極和第一電阻器連接在一起。
  7. 如申請專利範圍第1至3項任一項所述的檢查裝置，其中，各個半導體裝置支承件具有：向所設置的半導體裝置供給高電位的高電位端子、和向所設置的半導體裝置供給低電位的低電位端子，複數個檢查電路各自具有被連接在高電位端子與訊號端子之間的第三電阻器。
  8. 如申請專利範圍第1至3項任一項所述的檢查裝置，其中，各個半導體裝置支承件具有：向所設置的半導體裝置供給高電位的高電位端子、和向所設置的半導體裝置供給低電位的低電位端子，複數個檢查電路各自具有被連接在低電位端子與訊號端子之間的第四電阻器。
  9. 一種檢查系統，其具有複數個申請專利範圍第1項所述的檢查裝置，各個檢查裝置的監視器線路以及監視器裝置為獨立，各個檢查裝置所具有的選擇器端子與其他的檢查裝置的選擇器端子被共通化。
  10. 一種檢查方法，其利用檢查裝置而對半導體裝置的輸出訊號進行檢查，檢查裝置具有：監視器線路；複數個檢查電路，其被連接於監視器線路，各個檢查電路具有：半導體裝置支承件，其上能夠設置半導體裝置，且具有使訊號從所設置的半導體裝置輸入的訊號端子；第一電阻器，其被連接在訊號端子與監視器線路之間；選擇器端子；及第一二極體，其被連接在訊號端子與選擇器端子之間以使選擇器端子側成為陰極，前述檢查方法具有：在各個半導體裝置支承件上設置半導體裝置的步驟；在對複數個選擇器端子中的第一選擇器端子施加了第一電位、而對其他的選擇器端子施加了低於第一電位的第二電位的狀態下，對監視器線路上的訊號進行檢測的步驟；及 在對複數個選擇器端子中的第二選擇器端子施加了第一電位、而對其他的選擇器端子施加了第二電位的狀態下，對監視器線路上的訊號進行檢測的步驟。
  11. 一種製造方法，其為生產檢查完畢的半導體裝置的方法，前述製造方法具有：形成半導體裝置的構造的工程；對所形成的半導體裝置進行檢查的工程，在前述進行檢查的工程中所使用的檢查裝置具有：監視器線路；複數個檢查電路，其被連接於監視器線路，各個檢查電路具有：半導體裝置支承件，其上能夠設置半導體裝置，且具有使訊號從所設置的半導體裝置輸入的訊號端子；第一電阻器，其被連接在訊號端子與監視器線路之間；選擇器端子；及第一二極體，其被連接在訊號端子與選擇器端子之間以使選擇器端子側成為陰極，前述進行檢查的工程具有：在各個半導體裝置支承件上設置半導體裝置的步驟；在對複數個選擇器端子中的第一選擇器端子施加了第一電位、而對其他的選擇器端子施加了低於第一電位的第二電位的狀態下，對監視器線路上的訊號進行檢測的步驟；及 在對複數個選擇器端子中的第二選擇器端子施加了第一電位、而對其他的選擇器端子施加了第二電位的狀態下，對監視器線路上的訊號進行檢測的步驟。
TW102117213A 2012-07-18 2013-05-15 The inspection apparatus, the inspection system, the inspection method, and the inspection method of the semiconductor device of the semiconductor device TWI471576B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2012/068230 WO2014013571A1 (ja) 2012-07-18 2012-07-18 半導体装置の検査装置、検査システム、検査方法、及び、検査済半導体装置の生産方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201411151A TW201411151A (zh) 2014-03-16
TWI471576B true TWI471576B (zh) 2015-02-01

Family

ID=49948426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102117213A TWI471576B (zh) 2012-07-18 2013-05-15 The inspection apparatus, the inspection system, the inspection method, and the inspection method of the semiconductor device of the semiconductor device

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9379029B2 (zh)
JP (1) JP5812200B2 (zh)
KR (1) KR101652648B1 (zh)
CN (1) CN103688180B (zh)
TW (1) TWI471576B (zh)
WO (1) WO2014013571A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102670373B1 (ko) * 2016-10-12 2024-05-28 삼성전자주식회사 반도체 소자 검사 장치 및 이를 포함하는 시스템

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW573128B (en) * 2001-05-15 2004-01-21 Semiconductor Energy Lab Voltage measuring method, electrical test method and apparatus, semiconductor device manufacturing method and device substrate manufacturing method
TW200527175A (en) * 2003-10-17 2005-08-16 Renesas Tech Corp Semiconductor integrated circuit

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02118470A (ja) 1988-10-28 1990-05-02 Nec Corp バーンイン装置
JPH0634719A (ja) * 1992-07-13 1994-02-10 Fujitsu Ltd 半導体集積回路の試験装置
JP2001296335A (ja) 2000-04-14 2001-10-26 Nec Corp 半導体装置の検査方法及び検査装置
JP2003121500A (ja) 2001-10-10 2003-04-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の試験装置及び試験方法
JP2004226115A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその試験方法
JP2004257921A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Sharp Corp 半導体装置の検査装置および半導体装置の検査方法
JP2006105738A (ja) 2004-10-04 2006-04-20 Canon Inc 半導体集積回路検査装置、半導体集積回路検査方法、及びプログラム
US7317324B2 (en) 2003-11-04 2008-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor integrated circuit testing device and method
JP2006189340A (ja) 2005-01-06 2006-07-20 Nec Electronics Corp 半導体デバイスの検査システムおよび検査方法
JP4794896B2 (ja) 2005-04-22 2011-10-19 シャープ株式会社 半導体回路、半導体デバイス、および、該半導体回路の検査方法
JP2007171114A (ja) 2005-12-26 2007-07-05 Yamaha Corp 半導体試験基板および接触不良判定方法
JP4623659B2 (ja) 2006-02-23 2011-02-02 パナソニック株式会社 半導体装置
JP2007315789A (ja) 2006-05-23 2007-12-06 Fujifilm Corp 半導体集積回路およびその実装検査方法
WO2008044391A1 (fr) 2006-10-05 2008-04-17 Advantest Corporation Dispositif de contrôle, procédé de contrôle et procédé de fabrication
CN201017308Y (zh) * 2007-03-07 2008-02-06 青岛海信电器股份有限公司 一种i2c总线信号的通讯调试装置
CN201035124Y (zh) * 2007-04-19 2008-03-12 清华大学 集成电路测试仪
KR101563904B1 (ko) * 2008-09-29 2015-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8400176B2 (en) * 2009-08-18 2013-03-19 Formfactor, Inc. Wafer level contactor
JP2012226794A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Elpida Memory Inc 半導体装置、及び半導体装置の制御方法。

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW573128B (en) * 2001-05-15 2004-01-21 Semiconductor Energy Lab Voltage measuring method, electrical test method and apparatus, semiconductor device manufacturing method and device substrate manufacturing method
TW200527175A (en) * 2003-10-17 2005-08-16 Renesas Tech Corp Semiconductor integrated circuit

Also Published As

Publication number Publication date
TW201411151A (zh) 2014-03-16
CN103688180B (zh) 2016-07-06
JP5812200B2 (ja) 2015-11-11
WO2014013571A1 (ja) 2014-01-23
CN103688180A (zh) 2014-03-26
KR20150020705A (ko) 2015-02-26
US9379029B2 (en) 2016-06-28
KR101652648B1 (ko) 2016-08-30
JPWO2014013571A1 (ja) 2016-06-30
US20150123694A1 (en) 2015-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102680359B1 (ko) 저항 측정 장치, 기판 검사 장치, 및 저항 측정 방법
US20200174073A1 (en) Device inspection method
JP2013160572A (ja) パワー半導体用試験装置
US11448692B2 (en) Method and device for wafer-level testing
JP2015049100A (ja) 測定装置および測定方法
JP5437183B2 (ja) 測定装置および基板検査装置
JP5910262B2 (ja) 部品内蔵基板の検査方法
JP2008107216A (ja) 測定方法、スイッチ装置、および、該スイッチ装置を備える測定システム
US8004297B2 (en) Isolation circuit
TWI471576B (zh) The inspection apparatus, the inspection system, the inspection method, and the inspection method of the semiconductor device of the semiconductor device
JP2007315789A (ja) 半導体集積回路およびその実装検査方法
US11073551B2 (en) Method and system for wafer-level testing
US20140320156A1 (en) Apparatus for detecting misalignment of test pad
JP4814614B2 (ja) 半導体集積回路及びその検査方法
JP6197573B2 (ja) スイッチング素子検査方法及び電子回路ユニット
JP2012083262A (ja) 試験装置および試験方法
JP5135611B2 (ja) テスト装置
JP2008016812A (ja) 半導体検査装置および半導体集積回路の検査方法
KR101144638B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 테스트 방법
JP2002334966A (ja) マルチチップモジュールおよびその検査方法
Tyulevin et al. Methods of the learning experiment of bipolar microcircuits
JP2013145164A (ja) 半導体装置
JP2008112766A (ja) 半導体装置、半導体ウェハ、および半導体ウェハの検査方法
JP2009080126A (ja) 半導体装置
JP2018036052A (ja) 検査装置および検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees