KR101144638B1 - 유기 전계 발광 소자 테스트 방법 - Google Patents

유기 전계 발광 소자 테스트 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 테스트 지그의 전압 인가 핀들과 모든 소자들의 스캔 라인 패드들 및 데이터 라인 패드들이 정확하게 접촉되어 있는지 여부를 확인할 수 있는 방법을 개시한다. 본 발명에 따른, 기판 상에 형성된 다수의 소자들을 에이징 테스트하는 방법은 소자들의 전압공급부들과 테스트 지그의 전압 인가 핀들을 각각 접촉시키는 제1 단계; 전압 인가 핀과 전압 공급부를 통하여 소자로 전압을 인가하여 각 소자의 전류값을 측정하는 제2 단계; 모든 소자들의 전류값을 기준 전류값 범위와 비교하는 제3 단계; 전류값의 비교 결과, 설정 전류값 범위를 벗어나는 전류값을 가진 소자들이 설정된 개수보다 많을 경우 기판과 테스트 지그의 얼라인먼트를 조정하여 상기 제1 내지 제3 단계들을 반복하는 제4 단계; 상기 전류값 비교 단계에서의 전류값의 비교 결과, 설정 전류값 범위를 벗어나는 전류값을 가진 소자들이 설정된 개수보다 적을 경우 기판에 대한 상기 에이징 테스트를 진행하는 제5 단계; 및 상기 에이징 테스트를 진행하기 위해 상기 전압 인가 핀과 전압 공급부를 통하여 상기 소자로 정상적인 구동 전압보다 높은 전압을 인가하는 제6 단계를 포함한다.
에이징 테스트

Description

유기 전계 발광 소자 테스트 방법{Method for testing the organic electroluminescent device}
도 1은 다수의 유기 전계 발광 소자들이 형성된 기판의 평면도.
도 2는 도 1의 "A"의 상세도.
도 3은 유기 전계 발광 소자의 에이징 테스트를 위하여 도 1에 도시된 기판을 테스트용 지그와 대응시킨 상태를 일부분만 도시한 개략적인 정면도.
도 4는 패널(기판) 상에 배열된 각 소자의 전류값을 나타내는 전류 측정 장비의 디스플레이의 한 예를 도시한 도면.
본 발명은 유기 전계 발광 소자 테스트 방법에 관한 것으로서, 특히 각 소자의 단자와 테스트 지그의 테스트 핀이 정확하게 접촉되었는지를 확인하는 방법에 관한 것이다.
글라스 기판 표면에 다수의 유기 전계 발광 소자들(이하, 편의상 "소자"라 칭함)을 형성한 후에 각 소자에 대한 에이징 테스트(aging test)를 실시한다.
에이징 테스트는 정상적인 구동 조건보다 가혹한 조건을 소자들에게 부여하 여 불량 가능성이 있는 소자들을 선별하는 테스트로서, 에이징 테스트 과정에서는 소자들을 고온의 (에이징) 챔버 내에 로딩시킨 상태에서 높은 구동 전압을 인가하게 된다.
제조 단계에서 정상적인 상태로 간주된 소자들은 미세한 결함을 가질 수 있으며, 소자들에게 가혹 조건을 부여하는 에이징 테스트 과정에서 소자의 미세한 결함을 판별할 수 있다. 즉, 예를 들어 정상적인 구동 전압 조건(5 볼트)에서는 정상 소자로 간주될 수 있는 정도의 미세한 결함을 갖고 있는 소자들은 높은 구동 전압(예를 들어, 15 내지 20볼트)이 인가될 경우 배선이 단락되는 등의 치명적인 결함을 갖게 된다.
제조 완료된 소자들을 완제품으로서 출하되기 전에 에이징 테스트를 실시하여 불량 소자화될 수 있는 소자들을 선별하여 폐기하게 된다. 이러한 목적으로 수행되는 에이징 테스트의 한 단계를 간단히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 다수의 유기 전계 발광 소자들이 형성된 기판의 평면도로서, 기판(1) 상에 다수의 유기 전계 발광 소자(2; 이하, "소자"라 칭함)들이 형성된 상태를 도시하고 있다. 도 2는 도 1의 "A"의 상세도로서, 기판(1)에 형성된 하나의 소자(2)를 나타낸다.
도 2에 도시된 바와 같이, 각 소자(2)는 기판(2)에 부착된 캡(2A) 내에 구성 요소들이 형성되어 있으며, 캡(2A) 외부로 다수의 데이터 라인(2B)과 스캔 라인(2C)이 연장되어 있다. 또한, 데이터 라인(2B)과 스캔 라인(2C)의 종단에는 스캔 라인들이 집속된 2개의 스캔 라인 패드(2C-1; short bars) 및 데이터 라인들이 집 속된 데이터 라인 패드(2B-1)가 형성된다.
도 1에 도시된 모든 소자들(2)에는 이러한 스캔 라인 패드(2C-1) 및 데이터 라인 패드(2B-1)가 각각 형성되어 있다. 에이징 테스트 과정에서, 이 스캔 라인 패드들(2C-1) 및 데이터 라인 패드(2B-1)를 통하여 모든 소자들(2)에게 구동 전압(물론 정상적인 구동 전압보다 높은 전압)을 인가한다.
도 3은 유기 전계 발광 소자의 에이징 테스트를 위하여 도 1에 도시된 기판을 테스트용 지그와 대응시킨 상태를 도시한 개략적인 부분 단면도로서, 편의상 기판(1) 및 지그(3)의 일부만을 도시하였다.
지그(3)의 표면에는 전원부에 연결된 다수의 전압 인가 핀(3B, 3C; 일명, 리노 핀)들이 장착되어 있으며, 각 전압 인가 핀(3B, 3C)은 각 소자(2)의 데이터 라인 패드(2B-1)들 및 스캔 라인 패드(2C-1)에 각각 접촉하게 된다. 이와 같은 상태에서 전원을 온(on)시키면, 각 전압 인가 핀(3B, 3C)과 데이터 라인 패드(2B-1)들 및 스캔 라인 패드(2C-1)를 통하여 각 소자(2)에 높은 구동 전압이 인가된다.
위에서 설명한 바와 같이, 정상 소자로 간주될 수 있는 정도의 미세한 결함을 갖고 있는 소자들은 높은 구동 전압이 인가될 경우 배선이 단락되는 등의 치명적인 결함을 갖게 되며, 각 소자들은 이러한 구동 전압 인가 단계 후 점등 단계로 이송된다.
소자 점등 단계에서는, (도 1에서와 같이 기판에 실장된 상태의) 각 소자에 정상적인 구동 전압을 인가하여 각 소자의 구동(발광 여부)을 판단한다. 이 단계에서, 이전 단계에서 높은 구동 전압의 인가에 의하여 내부에 결함이 발생한 소자들 은 점등되지 않으며, 점등되지 않은 소자들을 체크하여 불량 처리한 후, 소자들에 대한 전기적인 에이징 테스트를 종료한다.
이상과 같은 전기적인 에이징 테스트를 위해서는, 테스트 지그에 배치된 모든 전압 인가 핀들이 대응하는 모든 소자들의 스캔 라인 패드들 및 데이터 라인 패드에 접촉해야만 한다.
만일, 테스트 지그의 전압 인가 핀들과 일부 소자의 스캔 라인 패드들 및 데이터 라인 패드가 접촉되지 않은 상태에서 에이징 테스트를 진행할 경우, 그 일부 소자들에 대한 에이징 테스트는 진행되지 않는다.
즉, 테스트 지그의 전압 인가 핀들과의 접촉이 이루어지지 않은 상태에서는 소자로 높은 구동 전압이 인가되지 않으며, 따라서 정상적인 상태로 간주될 수 있을 정도의 미세한 결함을 갖고 있는 소자들은 배선이 단락되는 등의 결함이 발생되지 않는다.
이와 같이 에이징 테스트를 받지 않은, 미세한 결함을 갖고 있는 소자들은 정상적인 구동 전압이 인가되는 점등 단계에서 구동(발광)되기 때문에 정상적인 소자로 판단되며, 이후 정상 제품으로 출하된다. 이러한 소자에서는 소비자가 사용하는 과정에서 언제든지 결함이 발생될 수 있다.
본 발명은 제조 공정이 완료된 소자들이 실장된 기판을 테스트 지그를 이용하여 테스트할 때 발생하는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 테스트 지그의 전압 인가 핀들과 모든 소자들의 스캔 라인 패드들 및 데이터 라인 패드들이 정 확하게 접촉되어 있는지 여부를 확인할 수 있는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른, 기판 상에 형성된 다수의 소자들을 테스트하는 방법은 소자들의 전압공급부들과 테스트 지그의 전압 인가 핀들을 각각 접촉시키는 단계; 전압 인가 핀과 전압 공급부를 통하여 소자로 전압을 인가하여 각 소자의 전류값을 측정하는 단계; 모든 소자들의 전류값을 기준 전류값 범위와 비교하는 단계; 및 전류값의 비교 결과, 설정 전류값 범위를 벗어나는 전류값을 가진 소자들이 설정된 개수보다 많을 경우 기판과 테스트 지그의 얼라인먼트를 조정하여 상기 단계를 반복하는 단계를 포함한다.
여기서, 전류값 비교 단계에서의 전류값의 비교 결과, 설정 전류값 범위를 벗어나는 전류값을 가진 소자들이 설정된 개수보다 적을 경우 기판에 대한 테스트를 진행한다.
이하, 본 발명을 첨부한 도면을 통하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 테스트 방법의 가장 큰 특징은 테스트 지그의 전압 인가 핀들과 모든 소자들의 스캔 라인 패드들 및 데이터 라인 패드들이 정확하게 접촉되어 있는지를 확인할 수 있는 단계를 포함하는 것이다.
전술한 바와 같이, 기판 상에 형성된 모든 소자들에는 스캔 라인 패드들 및 데이터 라인 패드가 각각 형성되어 있으며, 이 스캔 라인 패드들 및 데이터 라인 패드를 통하여 모든 소자들에게 정상적인 구동 전압보다 높은 전압을 인가한다.
에이징 테스트를 위한 지그의 표면에는 전원부에 연결된 다수의 전압 인가 핀들이 장착되어 있으며, 각 전압 인가 핀은 각 소자의 스캔 라인 패드들 및 데이터 라인 패드에 각각 접촉하게 된다. 이와 같은 상태에서 전원을 온(on)시키면, 각 전압 인가 핀 그리고 스캔 라인 패드들 및 데이터 라인 패드를 통하여 각 소자에 정상적인 구동 전압보다 높은 구동 전압이 인가된다.
본 발명에 따른 테스트 방법에서는, 각 소자에게 구동 전압을 인가하기 전에, 각 소자의 전류값을 측정하는 단계를 포함한다.
기판과 테스트 지그를 정렬하고 테스트 지그의 각 전압 인가 핀을 각 소자의 스캔 라인 패드들 및 데이터 라인 패드에 각각 접촉시킨 상태에서 소정의 전압을 인가하면, 각 소자들에게서는 일정한 전류값이 나타나게 된다.
도 4는 패널(기판) 상에 배열된 각 소자의 전류값을 나타내는 전류 측정 장비의 디스플레이의 한 예로서, 각 소자별로 전류값이 디스플레이됨을 알 수 있다.
테스트 지그의 전압 인가 핀과의 접촉 상태에 따라 소자들의 전류값은 서로 다르게 나타나며, 이 측정 결과를 갖고 테스트 지그의 전압 인가 핀과 각 소자의 스캔 라인 패드들 및 데이터 라인 패드의 접촉 상태를 판단할 수 있다.
즉, 전류값 측정 결과, 설정 범위를 벗어난 전류값을 나타내는 소자들이 발생될 수 있다. 소자들의 전류값이 설정 범위를 벗어났다는 것은 그 소자의 스캔 라인 패드들 및 데이터 라인 패드가 테스트 지그의 전압 인가 핀과 정확하게 접촉되어 있지 않음을 의미한다.
일부 소자가 테스트 지그의 전압 인가 핀과 정확하게 접촉되어 있지 상태에 서 에이징 테스트(즉, 높은 구동 전압 인가)를 실시할 경우, 그 소자에 구동 전압이 인가되지 않으며, 이는 소자에 대한 에이징 테스트를 실시하지 않은 것과 마찬가지이다.
따라서, 설정 범위를 벗어난 전류값을 나타내는 소자들이 설정된 기준보다 다량으로 발생하는 경우, 그 기판에 대한 에이징 테스트를 실시하지 않고 기판과 테스트 지그의 얼라인먼트를 조정한 후, 상기 과정을 다시 실시한다.
이상과 같은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 테스트 방법은 각 소자의 전류값을 통하여 각 소자들의 스캔 라인 패드들 및 데이터 라인 패드가 테스트 지그의 전압 인가 핀과 정확하게 접촉하고 있는지를 판단할 수 있다. 따라서, 테스트 지그와의 접촉 불량으로 일부 소자들이 테스트되지 않는 상황을 예방함으로서 테스트 결과에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
위에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims (3)

  1. 기판 상에 형성된 다수의 소자들을 에이징 테스트하는 방법에 있어서,
    소자들의 전압공급부들과 테스트 지그의 전압 인가 핀들을 각각 접촉시키는 제1 단계;
    전압 인가 핀과 전압 공급부를 통하여 소자로 전압을 인가하여 각 소자의 전류값을 측정하는 제2 단계;
    모든 소자들의 전류값을 기준 전류값 범위와 비교하는 제3 단계;
    전류값의 비교 결과, 설정 전류값 범위를 벗어나는 전류값을 가진 소자들이 설정된 개수보다 많을 경우 기판과 테스트 지그의 얼라인먼트를 조정하여 상기 제1 내지 제3 단계들을 반복하는 제4 단계;
    상기 전류값 비교 단계에서의 전류값의 비교 결과, 설정 전류값 범위를 벗어나는 전류값을 가진 소자들이 설정된 개수보다 적을 경우 기판에 대한 상기 에이징 테스트를 진행하는 제5 단계; 및
    상기 에이징 테스트를 진행하기 위해 상기 전압 인가 핀과 전압 공급부를 통하여 상기 소자로 정상적인 구동 전압보다 높은 전압을 인가하는 제6 단계를 포함하는 소자 테스트 방법.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020040285A (ko) * 2000-11-24 2002-05-30 윤종용 액정 표시 패널 검사용 접촉 필름 및 검사 방법
KR20040090618A (ko) * 2003-04-18 2004-10-26 지 . 텍 (주) 유기 전계 발광 소자의 검사 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020040285A (ko) * 2000-11-24 2002-05-30 윤종용 액정 표시 패널 검사용 접촉 필름 및 검사 방법
KR20040090618A (ko) * 2003-04-18 2004-10-26 지 . 텍 (주) 유기 전계 발광 소자의 검사 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11322059B2 (en) 2018-11-19 2022-05-03 Samsung Display Co., Ltd. Aging system and aging method of display device

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