CN103688180B - 半导体装置的检验装置、检验系统、检验方法、以及检验完成的半导体装置的生产方法 - Google Patents

半导体装置的检验装置、检验系统、检验方法、以及检验完成的半导体装置的生产方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103688180B
CN103688180B CN201280003753.7A CN201280003753A CN103688180B CN 103688180 B CN103688180 B CN 103688180B CN 201280003753 A CN201280003753 A CN 201280003753A CN 103688180 B CN103688180 B CN 103688180B
Authority
CN
China
Prior art keywords
terminal
current potential
semiconductor device
selector
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201280003753.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103688180A (zh
Inventor
长内洋介
牛岛隆志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
Publication of CN103688180A publication Critical patent/CN103688180A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103688180B publication Critical patent/CN103688180B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2863Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601Apparatus or methods therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/32Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

本发明提供一种半导体装置的检验装置、检验系统、检验方法、以及检验完成的半导体装置的制造方法,所述半导体装置的检验装置对半导体装置的输出信号进行检验,其具有:监视器装置,其对监视器线路上的信号进行检测;多个检验电路,其被连接于监视器线路。各个检验电路具有:半导体装置支承件,其上能够设置半导体装置,且具有使信号从所设置的半导体装置输入的信号端子;第一电阻器,其被连接在信号端子与监视器线路之间;选择器端子;第一二极管,其以使选择器端子侧为阴极的方式而被连接在信号端子与选择器端子之间。

Description

半导体装置的检验装置、检验系统、检验方法、以及检验完成的半导体装置的生产方法
技术领域
本说明书所公开的技术涉及一种半导体装置。
背景技术
在日本特许公开公报2004-257921号(以下,称为专利文献1)中,公开了一种半导体装置的老化检验方法。在该检验方法中所使用的检验装置中,在共通的电流计上连接有多个半导体装置。在该检验方法中,通过对被输入至各个半导体装置中的信号进行控制,从而仅使所选择的一个半导体装置导通,而不使其他的半导体装置导通。由此,通过电流计来检测出所选择的半导体装置的通电电流,从而试验出所选择的半导体装置是否适当地进行动作。当对一个半导体装置的检验结束后,选择另一个半导体装置,并对该半导体装置进行检验。通过这种方式,从而实施了对全部的半导体装置的检验。
发明内容
发明所要解决的课题
在专利文献1的检验方法中,当检验对象的多个半导体装置中包含导通不良的半导体装置时,将无法进行适当的检验。另外,导通不良的半导体装置是指,即使输入不使其导通的信号也会导通(即,“ON”)的半导体装置。即,当包含有导通不良的半导体装置时,在所选择的半导体装置的检验中,未被选择的导通不良的半导体装置也将导通。因此,在电流计中,除所选择的半导体装置的通电电流以外,还流动有导通不良的半导体装置的通电电流。因此,无法对所选择的半导体装置的通电电流进行检测,从而无法实施准确的检验。
用于解决课题的方法
本说明书所公开的检验装置对半导体装置的输出信号进行检验。该检验装置具有:监视器线路;监视器装置,其对监视器线路上的信号进行检测;多个检验电路,其被连接于监视器线路。各个检验电路具有:半导体装置支承件,其上能够设置半导体装置,且具有使信号从所设置的半导体装置输入的信号端子;第一电阻器,其被连接在信号端子与监视器线路之间;选择器端子;第一二极管,其以使选择器端子侧为阴极的方式而被连接在信号端子与选择器端子之间。
在图1中,作为示例而图示了上述检验装置的一个实施方式。在图1中,附图标记100为监视器装置,附图标记102为监视器线路,附图标记104为检验电路。另外,虽然在图1中图示了两个检验电路104a、104b,然而也可以将两个以上的检验电路连接在监视器线路上。此外,附图标记110为半导体装置支承件,附图标记112为半导体装置,附图标记114为第一电阻器,附图标记116为第一二极管,附图标记118为选择器端子,附图标记120为信号端子。
在使用该检验装置来实施检验时,从被设置在检验装置上的半导体装置中选择一个半导体装置,并对具有所选择的半导体装置的、检验电路的选择器端子施加第一电位V1。对其他的检验电路的选择器端子施加低于第一电位V1的第二电位V2。例如,当选择了图1中的半导体装置112a时,对选择器端子118a施加第一电位V1,而对选择器端子118b施加第二电位V2。当对选择器端子118a施加第一电位V1时,第一二极管116a不导通。因此,从半导体装置112a向信号端子120a输出的信号,被输出至监视器线路102上。另一方面,在对选择器端子118b施加了第二电位V2的状态下,当信号端子120b的电位上升时,第一二极管116b导通。由此,防止了信号端子120b的电位的上升。因此,防止了来自未被选择的半导体装置112b的信号被输出至监视器线路102上的情况。因此,能够通过监视器装置100而准确地对所选择的半导体装置112a的输出信号进行检测。如此,根据该检验装置,能够准确地对各个半导体装置进行检验。
此外,本说明书提供一种利用检验装置而对半导体装置的输出信号进行检验的检验方法。检验装置具有:监视器线路;多个检验电路,其被连接于监视器线路。各个检验电路具有:半导体装置支承件,其上能够设置半导体装置,且具有使信号从所设置的半导体装置输入的信号端子;第一电阻器,其被连接在信号端子与监视器线路之间;选择器端子;第一二极管,其以使选择器端子侧为阴极的方式而被连接在信号端子与选择器端子之间。检验方法具有:在各个半导体装置支承件上设置半导体装置的步骤;在对多个选择器端子中的第一选择器端子施加了第一电位V1、而对其他的选择器端子施加了低于第一电位V1的第二电位V2的状态下,对监视器线路上的信号进行检测的步骤;在对多个选择器端子中的第二选择器端子施加了第一电位V1、而对其他的选择器端子施加了第二电位V2的状态下,对监视器线路上的信号进行检测的步骤。
此外,本说明书提供一种生产检验完成的半导体装置的方法,该生产方法具有:形成半导体装置的结构的工序、和对所形成的半导体装置进行检验的工序。在所述进行检验的工序中所使用的检验装置具有:监视器线路;多个检验电路,其被连接于监视器线路。各个检验电路具有:半导体装置支承件,其上能够设置半导体装置,且具有使信号从所设置的半导体装置输入的信号端子;第一电阻器,其被连接在信号端子与监视器线路之间;选择器端子;第一二极管,其以使选择器端子侧为阴极的方式而被连接在信号端子与选择器端子之间。所述进行检验的工序具有:在各个半导体装置支承件上设置半导体装置的步骤;在对多个选择器端子中的第一选择器端子施加了第一电位V1、而对其他的选择器端子施加了低于第一电位V1的第二电位V2的状态下,对监视器线路上的信号进行检测的步骤;在对多个选择器端子中的第二选择器端子施加了第一电位V1、而对其他的选择器端子施加了第二电位V2的状态下,对监视器线路上的信号进行检测的步骤。
附图说明
图1为实施方式的检验系统的电路图的一个示例。
图2为其他实施方式的检验系统的电路图的一个示例。
图3为实施例的检验系统10的电路图。
图4为表示实施例的检验系统10所执行的处理的流程图。
图5为实施例的检验系统10的第一行的部分的等效电路图。
图6为其他实施例的检验系统的电路图。
图7为其他实施例的检验系统的电路图。
图8为其他实施例的检验系统的电路图。
图9为其他实施例的检验系统的电路图。
图10为图9的实施例的检验系统的第一行的部分的等效电路图。
图11为其他实施例的检验系统的电路图。
图12为其他实施例的检验系统的电路图。
图13为其他实施例的检验系统的电路图。
具体实施方式
首先,列举以下进行说明的实施例的特征。另外,此处所列举的特征均为独立且有效的特征。
(特征1)还具备选择器装置,所述选择器装置能够执行如下的动作,即,对多个选择器端子中的第一选择器端子施加第一电位V1、而对其他的选择器端子施加低于第一电位V1的第二电位V2的动作,以及对多个选择器端子中的第二选择器端子施加第一电位V1、而对其他的选择器端子施加第二电位V2的动作。
(特征2)第一电位V1、上位电位VH1以及正向电压VF11满足如下的关系,即,V1>VH1-VF11,其中,所述上位电位VH1为,被输入至与第一电位V1的施加对象的选择器端子相对应的信号端子中的信号的上位电位,所述正向电压VF11为,与第一电位V1的施加对象的选择器端子相对应的第一二极管的正向电压。第二电位V2、上位电位VH2以及正向电压VF12满足如下的关系,即,V2<VH2-VF12,其中,所述上位电位VH2为,能够被输入至与第二电位V2的施加对象的选择器端子相对应的信号端子中的信号的上位电位,所述正向电压VF12为,与第二电位V2的施加对象的选择器端子相对应的第一二极管的正向电压。
另外,二极管的正向电压是指,在流通有额定电流时于二极管的阳极-阴极之间所产生的电压。此外,信号的上位电位是指,信号所能够取得的多个电位状态中的最高的电位状态的电位。此外,在下文中,信号的下位电位是指,信号所能够取得的多个电位状态中最低的电位状态的电位。因此,例如,在于高电位与低电位之间进行跃迁的信号中,高电位为上位电位,低电位为下位电位。此外,也存在输出在高电位、低电位、开路电位(在半导体装置内与其他的端子断开的状态下的电位)之间进行跃迁的信号的半导体装置。由于开路电位的电极处于浮置状态,因此由周围的环境来决定电位。一般情况下,开路电位低于高电位,而高于低电位。在这种情况下,高电位仍为上位电位,低电位仍为下位电位。此外,在高电位与开路电位之间进行跃迁的信号中,高电位为上位电位,开路电位为下位电位。此外,在开路电位与低电位之间进行跃迁的信号中,开路电位为上位电位,低电位为下位电位。
在图1的情况下(选择了半导体装置112a的情况),用于使第一二极管116a不导通的条件为,V1>Vout1-VF11(Vout1为信号端子120a的电位)。电位Vout1原则上不会高于上位电位VH1。因此,如果满足如下关系,即,V1>VH1-VF11,则能够在所选择的半导体装置112a的检验中,使第一二极管116a始终断开。另一方面,在图1的情况下,用于使第一二极管116b导通的条件为,V2<Vout2-VF12(Vout2为信号端子120b的电位)。因此,如果满足如下关系,即,V2<VH2-VF12,则即使未被选择的半导体装置112b输出了上位电位VH2,在该输出时二极管116b也将会导通。因此,防止了上位电位VH2被输出至监视器线路上的情况。
(特征3)各个检验电路具有第二二极管,所述第二二极管以使监视器线路侧为阴极的方式而相对于第一电阻器并联连接。
图2图示了特征3的结构的一个实施方式。另外,图2为在图1中附加了第二二极管122的结构。根据这种结构,当来自所选择的半导体装置112a的输出信号为上位电位时,二极管122a导通。由此,信号从半导体装置112a被传递至监视器线路。根据这种结构,与信号仅经由第一电阻114a而被传递至监视器线路102的情况相比,由于信号经由第一电阻114a以及二极管122a而被传递至监视器线路102,因此能够提高来自半导体装置112a的输出信号为上位电位时的、监视器线路102的电位。因此,能够提高监视器线路102上的信号的SN比。
(特征4)下位电位VL1、第二电位V2、正向电压VF12、以及正向电压VF22满足如下的关系,即,V2+VF12<VL1+VF22,其中,所述下位电位VL1为,被输入至与第一电位V1的施加对象的选择器端子相对应的信号端子中的信号的下位电位,所述正向电压VF12为,与第二电位V2的施加对象的选择器端子相对应的第一二极管的正向电压,所述正向电压VF22为,与第二电位V2的施加对象的选择器端子相对应的第二二极管的正向电压。
如图2所示,当所选择的半导体装置112a输出下位电位VL1时,监视器线路102的电位与下位电位VL1大致相等。当满足了上述的关系时,即使未被选择的半导体装置112b向信号端子120b输出电位VL2,第一二极管116b也将先于第二二极管122b而导通。因此,根据该特征,即使半导体装置112b输出了较高的电位,也能够防止该电位经由第二二极管122b而被输出至监视器线路102上的情况。
(特征5)各个检验电路具有第二电阻器,所述第二电阻器被连接在连接部与信号端子之间,所述连接部将第一二极管的阳极和第一电阻器连接在一起。
根据这种结构,能够抑制在未被选择的半导体装置以及第一二极管中流通有过电流的情况。
(特征6)各个半导体装置支承件具有:向所设置的半导体装置供给高电位的高电位端子、和向所设置的半导体装置供给低电位的低电位端子。多个检验电路各自具有被连接在高电位端子与信号端子之间的第三电阻器。
根据这种结构,能够更准确地对输出开路电位和低电位的半导体装置进行检验。
(特征7)各个半导体装置支承件具有:向所设置的半导体装置供给高电位的高电位端子、和向所设置的半导体装置供给低电位的低电位端子。各个检验电路具有被连接在低电位端子与信号端子之间的第四电阻器。
根据这种结构,能够更准确地对输出开路电位和高电位的半导体装置进行检验。
(特征8)一种检验系统,其具有多个上述任意一种的检验装置,各个检验装置的监视器线路以及监视器装置为独立,各个检验装置所具有的选择器端子与其他的检验装置的选择器端子被共通化。
根据该检验系统,能够在短时间内对多个半导体装置进行检验。
实施例
图3所示的老化检验系统10,使IC在高温环境下进行动作,并对IC的输出信号进行检验。老化检验系统10具有控制单元20和老化板30。
在老化板30的基板上,形成有在图3的横向上延伸的监视器线路42。监视器线路42在图3的纵向上被排列有n个。在下文中,将存在于j行上的监视器线路42表示为监视器线路42-j(j为任意的整数。1≤j≤n)。
在老化板30的基板上,形成有在图3的纵向上延伸的选择器线路44。选择器线路44在图3的横向上被排列有m个。在下文中,将存在于k列上的选择器线路44表示为选择器线路44-k(k为任意的整数。1≤k≤m)。在选择器线路44的端部上,形成有选择器端子46。即,选择器端子46存在有m个。在下文中,将与选择器线路44-k连接的选择器端子46表示为选择器端子46-k。
在老化板30的基板上,形成有多个检验电路40。排列检验电路40在图3的横向上被排列有m个,并在图3的纵向上被排列有n个。即,在老化板30的基板上,形成有m×n个检验电路40。在下文中,有时将存在于j行k列上的检验电路40表示为检验电路40-jk。此外,有时对于检验电路40内的各个结构要素,通过同样的标记来表示。检验电路40-jk被连接于监视器线路42-j以及选择器线路44-k。
各个检验电路40具有IC插座32、电阻器34、二极管36。另外,在对实施例进行说明的各个附图中,考虑到附图的可视性,从而仅在检验电路40-11和检验电路40-12中标记了IC插座、电阻器、二极管等的附图标记。由于各个检验电路40的结构相同,因此在下文中对一个检验电路40的结构进行说明。在检验电路40的IC插座32上安装有IC。IC插座32具备多个端子。例如,IC插座32具有被连接于电源配线50上的端子32a、以及被连接于接地配线52上的端子32b。通过这些端子,从而使电源电位Vcc和接地电位V0被供给至设置在IC插座32上的IC中。此外,IC插座32具有被连接于输出配线54上的信号端子32c。信号从被设置在IC插座32上的IC被输入至信号端子32c中。该信号在电源电位Vcc和接地电位V0之间进行跃迁。此外,被设置在IC插座32上的IC通过从未图示的端子输入的控制信号而被控制。在输出配线54与监视器线路42之间连接有电阻器34。在输出配线54与选择器线路44之间连接有二极管36b。二极管36以使选择器线路44侧为阴极的方式而被连接。
控制单元20具有n个监视器装置22。各个监视器装置22被连接在相对应的监视器线路42上。在下文中,将被连接在监视器线路42-j上的监视器装置22表示为监视器装置22-j。监视器装置22-j对监视器线路42-j上的信号(电位)进行检测。
控制单元20具有选择器装置24。选择器装置24对m个选择器端子46-1~46-m的电位进行控制。
老化检验系统10被应用于IC的生产线中。以下,对IC的生产方法进行说明。IC的生产方法具有,形成IC的结构的工序、对IC进行检验的工序。在形成IC的结构的工序中,首先,通过离子注入等而在半导体晶片内形成半导体电路。接下来,通过切割而将半导体晶片分割为半导体芯片。接下来,将半导体芯片固定在引脚框架上,并通过引线接合等而对半导体芯片和引脚框架进行连接。之后,将半导体芯片与引脚框架一起进行树脂成形。由此,完成了检验前的IC。
接下来,对IC的检验工序进行说明。在IC的检验工序中,利用上述的检验系统10而对IC进行检验。首先,在检验系统10的各个IC插座32上设置IC。此处,m×n个IC被设置于检验系统10中。在下文中,将被设置在插座32-jk上的IC称为IC-jk。接下来,将老化板30加热至预定温度。各个IC的检验在将老化板30加热了的状态下实施。
接下来,通过控制单元20来执行图4的处理。在步骤S2中,使全部的IC进行动作。由此,信号被输出至各个IC插座32的信号端子32c。以后的各个步骤在各个IC进行动作的状态下被实施。
在步骤S4中,选择器装置24选择实施检验的列。在最初的步骤S2中,选择了第一列(即,IC-11~IC-n1)。
在步骤S6中,选择器装置24首先对与未被选择的列相对应的选择器端子46施加低电位Vlo。此外,选择器装置24对与所选择的列相对应的选择器端子46施加高电位Vhi。并且,各个监视器装置22对所对应的监视器线路42的信号进行检测。由于在最初的步骤S4中选择了第一列,因此在最初的步骤S6中,对选择器端子46-1施加了高电位Vhi,而对选择器端子46-2~46-m施加了低电位Vlo。对这种情况下的、被连接于监视器线路42-1的各个检验电路40-11~40-1m的动作进行说明。
在检验电路40-12中,对选择器线路44-2施加了低电位Vlo。在本实施例中,低电位Vlo与接地电位V0大致相等。因此,低电位Vlo、IC-12所输出的信号的上位电位Vcc(即,电源电位Vcc)、二极管36-12的正向电压VF36满足如下的关系,即,Vlo<Vcc-VF36。因此,当IC-12的输出电位(即,信号端子32c的电位)欲上升时,二极管36-12将导通。因此,在检验电路40-12中,信号端子32c的电位被大致固定为电位V0。因此,信号不会从IC-12被传递至监视器线路42-1上。此外,检验电路40-13~40-1m也与检验电路40-12同样地进行动作(另外,在本实施例中,全部的IC的输出信号的上位电位Vcc相互大致相等,且全部的二极管36的正向电压VF36相互大致相等)。因此,信号也不会从检验电路40-13~40-1m被传递至监视器线路42-1上。
另一方面,在检验电路40-11中,对选择器线路44-1施加了高电位Vhi。在本实施例中,高电位Vhi与电源电位Vcc大致相等。因此,高电位Vhi、IC-11所输出的信号的上位电位Vcc、二极管36-11的正向电压VF36满足如下的关系,即,Vhi>Vcc-VF36。因此,二极管36-11不会变为导通,IC-11所输出的信号经由电阻器34-11而被输出至监视器线路42-1上。因此,在监视器装置22-1中检测出IC-11的信号。
另外,图5图示了被连接在监视器线路42-1上的各个检验电路40-11~40-1m的等效电路。由于二极管36-12~36-1m处于导通,因此当IC-11向信号端子32c输出电位Vcc时,IC-11的信号端子32c与其他的IC-12~IC-1m的信号端子32c之间的电位差ΔV(参照图5)将成为,Vcc-(VF36+Vlo)。因此,被施加于各个电阻器34-12~34-1m上的电压成为,通过电阻器34-12~34-1m的合成电阻值RN、和电阻器34-11的电阻值R11而将电位差ΔV分压了的值、即ΔV·RN/(RN+R11)。因此,IC-11向信号端子32c输出电位Vcc时的监视器线路42-1的电位VM1为,
(数学式1)
V M 1 = { V c c - ( V F 36 + V l o ) } R N R N + R 11 + V F 36 + V l o .
但是,
1 R N = 1 R 12 + 1 R 13 + ... 1 R 1 m .
另外,如上所述,由于电位Vlo与接地电位V0(即,0V)大致相等,因此上述数学式1也可以以如下方式而表示。
(数学式2)
V M 1 = ( V c c - V F 36 ) R N R N + R 11 + V F 36
另一方面,IC-11向信号端子32c输出电位V0时的监视器线路42-1的电位VM2与电位V0大致相等。
因此,在监视器装置22-1中,检测出在上述的VM1与VM2之间进行跃迁的信号。在监视器装置22-1中,通过将所检测出的信号与期望值进行比较,从而对IC-11是否正常进行判断。
此外,被连接在其他的监视器线路42-2~42-n上的各个检验电路40,也与被连接在监视器线路42-1上的各个检验电路40同样地进行动作。因此,通过各个监视器装置22-2~22-n,从而检测出IC-21~IC-n1的信号,并实施这些部件的良好与否的判断。
当步骤S6结束时,判断是否结束了对全部IC的检验(步骤S8)。在未结束的情况下,再次重复实施自步骤S4起的处理。在接下来的步骤S4中,选择了前次所选择的列的下一列。因此,通过反复实施步骤S4~S8,从而检验至最后的列m的IC为止。当对全部IC的检验结束时,检验系统10结束处理。
通过结束以上所说明的检验工序,从而完成了各个IC的生产而能够进行出货。
如以上所说明的那样,在该检验系统10中,防止了信号从未被选择的列的IC被输出至监视器线路42上的情况。因此,能够准确地对所选择的IC进行检验。此外,由于信号未从未被选择的列的IC被输出至监视器线路42上,因此能够在使未被选择的列的IC的动作继续进行的同时,实施所选择的列的IC的检验。此外,即使在未被选择的列的IC中发生了故障等的情况下,也不会对所选择的列的IC的检验结果造成影响。例如,即使未被选择的IC由于故障等而欲向信号端子32c输出异常的电位,信号端子32c的电位也不会上升。因此,能够实施对所选择的IC的准确的检验。
此外,在上述的检验系统10中,属于所选择的列中的各个检验电路40被连接在不同的监视器线路42上。因此,能够一次对多个IC进行检验。
接下来,对其他实施例的检验系统进行说明。IC中也存在输出开路电位的情况。在上述的实施例中,也能够实施对输出开路电位的IC的检验。但是,由于开路电位为根据周围的环境而发生变化的不稳定的电位,因此检验精度将会降低。因此,以下对能够适当地对输出开路电位的IC进行检验的其他实施例进行说明。
图6为,适合于输出开路电位和电源电位Vcc的IC的实施例。在图6的实施例中,相比于图3,在各个检验电路40中追加了对信号端子32c和接地配线52进行连接的电阻器38。在该实施例中,当所选择的IC向信号端子32c输入电源电位Vcc时,与上述的实施例同样,电位将被输出到监视器线路42上。当所选择的IC向信号端子32c输出开路电位时,由于信号端子32c通过电阻器38而被连接于接地配线52,因此信号端子32c成为接地电位V0。因此,在这种情况下,也与上述的实施例同样地,监视器线路42的电位成为接地电位V0。如此,由于即使在IC输出了开路电位的情况下,信号端子32c的电位也会被固定为接地电位V0,因此能够通过监视器装置22而检测出更明确的信号。因此,能够更准确地实施检验。
图7为,适合于输出开路电位与接地电位V0的IC的实施例。在图7的实施例中,相比于图3,在各个检验电路40中追加了对信号端子32c和电源配线50进行连接的电阻器39。在该实施例中,当所选择的IC向信号端子32c输入开路电位时,由于信号端子32c通过电阻器39而被连接于电源配线50,因此信号端子32c成为电源电位Vcc。因此,与上述的实施例同样,电位将被输出到监视器线路42上。此外,当所选择的IC向信号端子32c输出接地电位V0时,与上述的实施例同样,监视器线路42的电位成为接地电位V0。如此,根据该结构,能够适当地对输出开路电位和接地电位V0的IC进行检验。
此外,图8为,能够对未被选择的IC和二极管36进行保护以免受过电流的影响的实施例。在图3的实施例中,当由于IC的故障而导致电源侧的端子32a与信号端子32c短接时,电流将从电源配线50经由IC和二极管36而流向选择器线路44。由于该路线中不存在负载,因此将流通有过电流,从而存在IC或二极管36损坏的可能性。相对于此,在图8的结构中,在信号端子32c与二极管36之间追加了电阻器37。因此,即使发生了IC的短接,也能够防止流通有非常大的电流的情况。另外,如果在IC的内部形成了过电流保护电路等,则不一定需要图8所示的电阻器37。
此外,图9为,追加了相对于各个检验电路40的电阻器34并联连接的二极管35的实施例。二极管35以使监视器线路42侧为阴极的方式而被连接。在该实施例中,当在未被选择的检验电路40中,二极管35的阴极(即,监视器线路42)的电位降低时,存在二极管35导通的可能性。当在未被选择的检验电路40中二极管35导通时,由于信号从未被选择的检验电路40被传递至监视器线路42从而会产生问题。为了解决该问题,需要在未被选择的检验电路40中设定为,使二极管36先于二极管35而导通。如上所述,监视器线路42的电位在较低时成为接地电位V0。因此,未被选择的检验电路40的二极管35在信号端子32c的电位超过V0+VF35时导通(另外,电压VF35为二极管35的正向电压)。另一方面,二极管36在信号端子32c的电位超过Vlo+VF36时导通。因此,若满足V0+VF35>Vlo+VF36的关系,则当未被选择的检验电路40的信号端子32c的电位上升时,二极管36将先于二极管35而导通。在本实施例中,低电位Vlo低于接地电位V0。此外,在本实施例中,二极管35的正向电压VF35与二极管36的正向电压VF36大致相等。因此,满足了上述的关系,从而防止了信号从未被选择的检验电路40被传递至监视器线路42的情况。
此外,图10图示了图9的被连接于监视器线路42-1的各个检验电路40的等效电路。当对所选择的检验电路40的信号端子32c施加了电源电位Vcc时,电流从该信号端子32c经过二极管35-11而流到监视器线路42-1上。因此,监视器线路42-1的电位VM1为,
(数学式3)VM1=Vcc-VF35。
另一方面,当对被选择的检验电路40的信号端子32c施加了接地电位V0时,与上述的其他实施例同样,监视器线路42-1的电位VM2将变得与电位V0大致相等。
将数学式3与上述的数学式1(或者数学式2)进行比较。在上述的数学式1(即,图3的实施例)中,当被连接在监视器线路42-1上的检验电路40的数量增多时,合成电阻RN将减小。其结果为,当所选择的IC输出电源电位Vcc时,在监视器线路42-1上所获得的电位将降低。因此,在监视器线路42-1上表现出的信号的SN比降低,检验的精度降低。另一方面,如上述数学式3所示,在图9、10的实施例中,电压VM1不受合成电阻RN的影响。因此,即使被连接于监视器线路42-1的检验电路40的数量增多,也能够在所选择的IC输出电源电位Vcc时在监视器线路42-1上获得较高的电位。因此,该实施例的检验的精度较高。而且,图9、10的实施例特别适合于较大规模的检验系统。
此外,图11为,将图8的实施例与图9的实施例组合而成的实施例。根据这种组合,能够同时获得图8与图9双方的技术效果。此外,图12为,将图6的实施例、图8的实施例以及图9的实施例组合后的实施例。该组合也能够获得图6、8、9的各个效果。而且,也能够以其他的方式而对各个实施例进行组合。
此外,图13图示了选择器线路44在横向上延伸而监视器线路42在纵向上延伸的结构。如此,也可以对各个结构要素的物理配置进行变更。
以上,虽然对实施方式进行了详细说明,然而这些仅为示例,而并非对专利权利要求进行限定的方式。在权利要求书中所记载的技术中,包括对上文中所例示的具体例进行各种改变、变更后的技术。
本说明书或附图中所说明的技术要素为,以单独的方式或者各种组合而发挥技术上的有用性的要素,并且不限定于申请时权利要求中所记载的组合。此外,本说明书或者附图所例示的技术为,能够同时实现多个目的的技术,并且达成其中一个目的本身也具有技术上的有用性。

Claims (10)

1.一种检验装置,其对半导体装置的输出信号进行检验,并具有:
监视器线路;
监视器装置,其对监视器线路上的信号进行检测;
多个检验电路,其被连接于监视器线路,
各个检验电路具有:
半导体装置支承件,其上能够设置半导体装置,且具有使信号从所设置的半导体装置输入的信号端子;
第一电阻器,其被连接在信号端子与监视器线路之间;
选择器端子;
第一二极管,其连接于信号端子与选择器端子之间,并且选择器端子侧为阴极,
所述检验装置还具备选择器装置,所述选择器装置能够执行如下的动作,即,对多个选择器端子中的第一选择器端子施加第一电位V1、而对其他的选择器端子施加低于第一电位V1的第二电位V2的动作,以及对多个选择器端子中的第二选择器端子施加第一电位V1、而对其他的选择器端子施加第二电位V2的动作。
2.如权利要求1所述的检验装置,其中,
第一电位V1、上位电位VH1以及正向电压VF11满足如下的关系,即,
V1>VH1-VF11,
其中,所述上位电位VH1为,被输入至与第一电位V1的施加对象的选择器端子相对应的信号端子中的信号的上位电位,
所述正向电压VF11为,与第一电位V1的施加对象的选择器端子相对应的第一二极管的正向电压,
第二电位V2、上位电位VH2以及正向电压VF12满足如下的关系,即,
V2<VH2-VF12,
其中,所述上位电位VH2为,能够被输入至与第二电位V2的施加对象的选择器端子相对应的信号端子中的信号的上位电位,
所述正向电压VF12为,与第二电位V2的施加对象的选择器端子相对应的第一二极管的正向电压。
3.如权利要求1或2所述的检验装置,其中,
各个检验电路具有第二二极管,所述第二二极管相对于第一电阻器并联连接,并且监视器线路侧为阴极。
4.如权利要求3所述的检验装置,其中,
下位电位VL1、第二电位V2、正向电压VF12、以及正向电压VF22满足如下的关系,即,
V2+VF12<VL1+VF22,
其中,所述下位电位VL1为,被输入至与第一电位V1的施加对象的选择器端子相对应的信号端子中的信号的下位电位,
所述正向电压VF12为,与第二电位V2的施加对象的选择器端子相对应的第一二极管的正向电压,
所述正向电压VF22为,与第二电位V2的施加对象的选择器端子相对应的第二二极管的正向电压。
5.如权利要求1或2所述的检验装置,其中,
各个检验电路具有第二电阻器,所述第二电阻器被连接在连接部与信号端子之间,所述连接部将第一二极管的阳极和第一电阻器连接在一起。
6.如权利要求1或2所述的检验装置,其中,
各个半导体装置支承件具有:向所设置的半导体装置供给高电位的高电位端子、和向所设置的半导体装置供给低电位的低电位端子,
多个检验电路各自具有被连接在高电位端子与信号端子之间的第三电阻器。
7.如权利要求1或2所述的检验装置,其中,
各个半导体装置支承件具有:向所设置的半导体装置供给高电位的高电位端子、和向所设置的半导体装置供给低电位的低电位端子,
多个检验电路各自具有被连接在低电位端子与信号端子之间的第四电阻器。
8.一种对半导体装置的输出信号进行检验的检验系统,
其具有多个权利要求1所述的检验装置,
各个检验装置的监视器线路以及监视器装置为独立,
各个检验装置所具有的选择器端子与其他的检验装置的选择器端子被共通化。
9.一种对半导体装置的输出信号进行检验的检验方法,其利用检验装置而对半导体装置的输出信号进行检验,
检验装置具有:
监视器线路;
多个检验电路,其被连接于监视器线路,
各个检验电路具有:
半导体装置支承件,其上能够设置半导体装置,且具有使信号从所设置的半导体装置输入的信号端子;
第一电阻器,其被连接在信号端子与监视器线路之间;
选择器端子;
第一二极管,其被连接于信号端子与选择器端子之间,并且选择器端子侧为阴极,
所述检验方法具有:
在各个半导体装置支承件上设置半导体装置的步骤;
在对多个选择器端子中的第一选择器端子施加了第一电位V1、而对其他的选择器端子施加了低于第一电位V1的第二电位V2的状态下,对监视器线路上的信号进行检测的步骤;
在对多个选择器端子中的第二选择器端子施加了第一电位V1、而对其他的选择器端子施加了第二电位V2的状态下,对监视器线路上的信号进行检测的步骤。
10.一种生产检验完成的半导体装置的制造方法,所述制造方法具有:
形成半导体装置的构造的工序;
对所形成的半导体装置进行检验的工序,
在所述进行检验的工序中所使用的检验装置具有:
监视器线路;
多个检验电路,其被连接于监视器线路,
各个检验电路具有:
半导体装置支承件,其上能够设置半导体装置,且具有使信号从所设置的半导体装置输入的信号端子;
第一电阻器,其被连接在信号端子与监视器线路之间;
选择器端子;
第一二极管,其被连接于信号端子与选择器端子之间,并且选择器端子侧为阴极,
所述进行检验的工序具有:
在各个半导体装置支承件上设置半导体装置的步骤;
在对多个选择器端子中的第一选择器端子施加了第一电位V1、而对其他的选择器端子施加了低于第一电位V1的第二电位V2的状态下,对监视器线路上的信号进行检测的步骤;
在对多个选择器端子中的第二选择器端子施加了第一电位V1、而对其他的选择器端子施加了第二电位V2的状态下,对监视器线路上的信号进行检测的步骤。
CN201280003753.7A 2012-07-18 2012-07-18 半导体装置的检验装置、检验系统、检验方法、以及检验完成的半导体装置的生产方法 Expired - Fee Related CN103688180B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2012/068230 WO2014013571A1 (ja) 2012-07-18 2012-07-18 半導体装置の検査装置、検査システム、検査方法、及び、検査済半導体装置の生産方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103688180A CN103688180A (zh) 2014-03-26
CN103688180B true CN103688180B (zh) 2016-07-06

Family

ID=49948426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280003753.7A Expired - Fee Related CN103688180B (zh) 2012-07-18 2012-07-18 半导体装置的检验装置、检验系统、检验方法、以及检验完成的半导体装置的生产方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9379029B2 (zh)
JP (1) JP5812200B2 (zh)
KR (1) KR101652648B1 (zh)
CN (1) CN103688180B (zh)
TW (1) TWI471576B (zh)
WO (1) WO2014013571A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102670373B1 (ko) * 2016-10-12 2024-05-28 삼성전자주식회사 반도체 소자 검사 장치 및 이를 포함하는 시스템

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1519574A (zh) * 2003-01-20 2004-08-11 ���ش�洢����ʽ���� 半导体装置以及其试验方法
CN101026156A (zh) * 2006-02-23 2007-08-29 松下电器产业株式会社 半导体器件
CN201017308Y (zh) * 2007-03-07 2008-02-06 青岛海信电器股份有限公司 一种i2c总线信号的通讯调试装置
CN201035124Y (zh) * 2007-04-19 2008-03-12 清华大学 集成电路测试仪
CN102165579A (zh) * 2008-09-29 2011-08-24 株式会社半导体能源研究所 半导体器件

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02118470A (ja) 1988-10-28 1990-05-02 Nec Corp バーンイン装置
JPH0634719A (ja) * 1992-07-13 1994-02-10 Fujitsu Ltd 半導体集積回路の試験装置
JP2001296335A (ja) 2000-04-14 2001-10-26 Nec Corp 半導体装置の検査方法及び検査装置
TW573128B (en) * 2001-05-15 2004-01-21 Semiconductor Energy Lab Voltage measuring method, electrical test method and apparatus, semiconductor device manufacturing method and device substrate manufacturing method
JP2003121500A (ja) 2001-10-10 2003-04-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の試験装置及び試験方法
JP2004257921A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Sharp Corp 半導体装置の検査装置および半導体装置の検査方法
JP2005122574A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Renesas Technology Corp 半導体集積回路
US7317324B2 (en) 2003-11-04 2008-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor integrated circuit testing device and method
JP2006105738A (ja) * 2004-10-04 2006-04-20 Canon Inc 半導体集積回路検査装置、半導体集積回路検査方法、及びプログラム
JP2006189340A (ja) 2005-01-06 2006-07-20 Nec Electronics Corp 半導体デバイスの検査システムおよび検査方法
JP4794896B2 (ja) 2005-04-22 2011-10-19 シャープ株式会社 半導体回路、半導体デバイス、および、該半導体回路の検査方法
JP2007171114A (ja) 2005-12-26 2007-07-05 Yamaha Corp 半導体試験基板および接触不良判定方法
JP2007315789A (ja) 2006-05-23 2007-12-06 Fujifilm Corp 半導体集積回路およびその実装検査方法
WO2008044391A1 (fr) * 2006-10-05 2008-04-17 Advantest Corporation Dispositif de contrôle, procédé de contrôle et procédé de fabrication
US8400176B2 (en) * 2009-08-18 2013-03-19 Formfactor, Inc. Wafer level contactor
JP2012226794A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Elpida Memory Inc 半導体装置、及び半導体装置の制御方法。

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1519574A (zh) * 2003-01-20 2004-08-11 ���ش�洢����ʽ���� 半导体装置以及其试验方法
CN101026156A (zh) * 2006-02-23 2007-08-29 松下电器产业株式会社 半导体器件
CN201017308Y (zh) * 2007-03-07 2008-02-06 青岛海信电器股份有限公司 一种i2c总线信号的通讯调试装置
CN201035124Y (zh) * 2007-04-19 2008-03-12 清华大学 集成电路测试仪
CN102165579A (zh) * 2008-09-29 2011-08-24 株式会社半导体能源研究所 半导体器件

Also Published As

Publication number Publication date
TW201411151A (zh) 2014-03-16
KR20150020705A (ko) 2015-02-26
TWI471576B (zh) 2015-02-01
US20150123694A1 (en) 2015-05-07
US9379029B2 (en) 2016-06-28
JP5812200B2 (ja) 2015-11-11
JPWO2014013571A1 (ja) 2016-06-30
CN103688180A (zh) 2014-03-26
KR101652648B1 (ko) 2016-08-30
WO2014013571A1 (ja) 2014-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7859284B2 (en) Semiconductor device and semiconductor device module
CN108572310B (zh) 电路测试方法
US20180143241A1 (en) I/o control circuit for reduced pin count (rpc) device testing
KR100891328B1 (ko) 병렬 타입 반도체 집적회로 테스트 시스템 및 병렬 타입반도체 집적회로 테스트 방법
JP5437183B2 (ja) 測定装置および基板検査装置
US9575114B2 (en) Test system and device
CN103688180B (zh) 半导体装置的检验装置、检验系统、检验方法、以及检验完成的半导体装置的生产方法
US8004297B2 (en) Isolation circuit
US7564254B2 (en) Semiconductor device and test method thereof
JP6197573B2 (ja) スイッチング素子検査方法及び電子回路ユニット
KR101575959B1 (ko) 프로브 테스터 및 프로브 테스트 방법
JP2005011970A (ja) 半導体装置の評価装置
US8723528B2 (en) Active 2-dimensional array structure for parallel testing
Tyulevin et al. Methods of the learning experiment of bipolar microcircuits
Chen et al. Fault Localization on ICs by Function Based OBIRCH Method
CN117607734A (zh) 芯片引脚短路的检测方法及设备
KR101121957B1 (ko) 반도체 디바이스 및 그의 테스트 방법
US7940059B2 (en) Method for testing H-bridge
US20070229106A1 (en) Measuring and identifying analog characteristics of a microelectronic component at a wafer level and a platform level
JP2006058104A (ja) 半導体装置の検査装置
CN110888031A (zh) 与面向受测装置侧的光源整合的晶片探针卡及制造方法
JP2009080126A (ja) 半導体装置
JP2010223791A (ja) 半導体装置及びその検査方法
JP2018036052A (ja) 検査装置および検査方法
JP2001228207A (ja) 半導体素子の検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20200410

Address after: Aichi Prefecture, Japan

Patentee after: DENSO Corp.

Address before: Aichi Prefecture, Japan

Patentee before: Toyota Motor Corp.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160706