JP2012083262A - 試験装置および試験方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】TSVを備える半導体デバイスを試験可能な試験装置、試験方法を提供する。
【解決手段】DUT1は、第1半導体チップ10および第2半導体チップ12を有する3次元実装パッケージ構造を有する。コントローラ34は、検査対象のTSV14を順に切りかえながら、検査対象のTSV14に接続される第1出力バッファBUF1に第1レベルの電圧を出力させるとともに、そのTSV14に接続される第2出力バッファBUF2に、第1レベルと異なる第2レベルの電圧を出力させる。電源装置30は、電源端子P1に電源電圧VDDを供給する。電流測定部32は、電源端子P1に流れる電流IDDを測定する。判定部36は、TSV14ごとに電流測定部32により測定された電流IDDにもとづき、TSV14ごとの不良を判定する。
【選択図】図1

Description

本発明は、シリコン貫通ビア(TSV:Through Silicon Via)を利用した3次元実装パッケージ構造を有するデバイスの試験装置に関する。
近年、半導体デバイスの高集積化にともない、複数の半導体チップ(ダイ)を厚み方向にスタックした3次元実装パッケージの開発が進んでいる。各半導体チップには、厚み方向に貫通するTSVが形成され、隣接する半導体チップの配線同士が結線される。近い将来、ひとつの半導体デバイスごとに、数百〜数千個のTSVが形成されることが予想されており、各TSVの接続信頼性はきわめて高くなければならない。
TSVは、シリコンなどの半導体チップに形成されたスルーホール(ビア)の内部に、金属を充填して形成される。金属の充填が不十分であると、薄いあるいは細い不良箇所が生じる。このような不良箇所は、半導体デバイスの試験工程においてパスした後、出荷後の熱の影響あるいは通電の影響により、切断するおそれがある。したがってTSVを備えるデバイスは、単に機能試験にパスするだけでは不十分であり、TSVの抵抗値が十分に低いことを確認する必要性がある。
特開2008−122338号公報
一般的なボンディングワイヤをはじめとするコンタクト手段の故障、形成不良を検出する手段としては、以下のようなものがある。
1. 第1は、LSI(Large Scale Integration)テスタのDCコンタクト試験を利用するものである。この方法では、コンタクト手段に100μA程度の既知の直流電流を流し、コンタクト手段の両端間の電圧(電圧降下)を測定することにより、コンタクト手段の抵抗が測定される。
2. コンタクト手段に直接接触できない場合には、コンデンサ結合(浮遊容量による結合)によってコンタクト手段に交流電流を供給し、コンタクト手段の抵抗を測定する方法。
3. IEEE1149.1あるいはIEEE1149.4などの規格にもとづく試験
手法1あるいは2では、コンタクトの両端に電圧測定のためのプローブなどを接触させる必要があるため、3次元実装パッケージでの利用が難しい。これらの手法を用いる場合、コンタクトの両端の電位を外部から観測可能とするために、パッドなどを別個設ける必要があり、回路面積が増大する。
手法3では、半導体デバイス本来の機能とは関係のない試験用の回路を、半導体デバイスに形成しておく必要があり、コストが増加するため好ましくない。また、IEEE1149.1には抵抗値の測定機能はなく、IEEE1149.4は抵抗値の測定は可能であるが、アナログ値を扱う配線が必要となり、回路面積増大にともなうコストの増加が避けられない。
本発明はかかる状況に鑑みてなされたものであり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、TSVを備える半導体デバイスを試験可能な試験装置、試験方法の提供にある。
本発明のある態様は、3次元実装パッケージ構造を有する半導体デバイスの試験方法に関する。試験対象の半導体デバイスは、第1、第2半導体チップと、第1、第2半導体チップの間を電気的に接続するために形成された複数のシリコン貫通ビアと、第1半導体チップに複数のシリコン貫通ビアごとに設けられ、それぞれが対応するシリコン貫通ビアの一端に信号を出力する、複数の第1出力バッファと、第2半導体チップに複数のシリコン貫通ビアごとに設けられ、それぞれが対応するシリコン貫通ビアの他端に信号を出力する、複数の第2出力バッファと、第1、第2半導体チップの複数の第1、第2出力バッファに対して電源電圧を印加するための電源端子と、を有する。試験方法は、検査対象のシリコン貫通ビアを順に切りかえながら、検査対象のシリコン貫通ビアに接続される第1出力バッファに第1レベルの電圧を出力させるとともに、そのシリコン貫通ビアに接続される第2出力バッファに、第1レベルと異なる第2レベルの電圧を出力させた状態で、電源端子に流れる電流を測定し、シリコン貫通ビアごとに測定された電流にもとづき、シリコン貫通ビアごとの不良を判定する。
シリコン貫通ビアの一端に第1レベルの電圧、その他端に第2レベルの電圧を印加すると、シリコン貫通ビアには、その抵抗値に反比例した電流が流れる。そしてこの電流は、電源端子を介して外部から供給される。したがって、電源端子に流れる電流を測定することにより、シリコン貫通ビアごとの抵抗値を計算でき、抵抗値に応じてシリコン貫通ビアの形成不良を特定できる。
半導体デバイスが複数の電源プレーンを備え、各電源プレーンごとに電源端子を備えてもよい。試験方法は、各電源プレーンについてひとつのシリコン貫通ビアを切りかえながら、複数の電源プレーンを並列に試験してもよい。
本発明の別の態様は、3次元実装パッケージ構造を有する半導体デバイスの試験装置である。半導体デバイスは、第1、第2半導体チップと、第1、第2半導体チップの間を電気的に接続するために形成された複数のシリコン貫通ビアと、第1半導体チップに複数のシリコン貫通ビアごとに設けられ、それぞれが対応するシリコン貫通ビアの一端に信号を出力する、複数の第1出力バッファと、第2半導体チップに複数のシリコン貫通ビアごとに設けられ、それぞれが対応するシリコン貫通ビアの他端に信号を出力する、複数の第2出力バッファと、第1、第2半導体チップの複数の第1、第2出力バッファに対して電源電圧を印加するための電源端子と、を有する。試験装置は、検査対象となるシリコン貫通ビアを順に切りかえながら、検査対象のシリコン貫通ビアに接続される第1出力バッファに第1レベルの電圧を出力させるとともに、そのシリコン貫通ビアに接続される第2出力バッファに、第1レベルと異なる第2レベルの電圧を出力させるコントローラと、電源端子に電源電圧を供給する電源装置と、電源端子に流れる電流を測定する電流測定部と、シリコン貫通ビアごとに電流測定部により測定された電流にもとづき、シリコン貫通ビアごとの不良を判定する判定部と、を備える。
なお、以上の構成要素を任意に組み合わせたもの、あるいは本発明の表現を、方法、装置などの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。
本発明のある態様によれば、TSVを備える半導体デバイスを試験できる。
実施の形態に係る試験装置および試験対象の半導体デバイスの構成を示す回路図である。 検査状態におけるDUTの状態を示す回路図である。 図1の試験装置によって測定されるTSVごとの電源電流を示す図である。
以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
本明細書において、「部材Aが、部材Bと接続された状態」とは、部材Aと部材Bが物理的に直接的に接続される場合のほか、部材Aと部材Bが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
図1は、実施の形態に係る試験装置および試験対象の半導体デバイスの構成を示す回路図である。
試験対象の半導体デバイス(DUT)1は、3次元実装パッケージ構造を有する。DUT1は、第1半導体チップ10、第2半導体チップ12、TSV14、第1出力バッファBUF1、第2出力バッファBUF2、入力バッファBUF3、入力バッファBUF4を備える。
第1半導体チップ10および第2半導体チップ12は、それぞれにトランジスタや抵抗、容量などの回路素子が集積化される。第1半導体チップ10および第2半導体チップ12は、実際のパッケージでは積層される。
複数のシリコン貫通ビア(以下、TSVという)14〜14はそれぞれ、第1半導体チップ10のあるノードと、第2半導体チップ12のあるノードを電気的に接続するために、第1半導体チップ10および第2半導体チップ12の少なくとも一方に形成される。
複数の第1出力バッファBUF1〜BUF1は、第1半導体チップ10に形成され、それぞれが複数のTSV14〜14ごとに設けられる。i番目(1≦i≦n)の第1出力バッファBUF1は、対応するTSV14の一端に、信号を出力する。
複数の第2出力バッファBUF2〜BUF2は、第2半導体チップ12に形成され、それぞれが複数のTSV14〜14ごとに設けられる。i番目(1≦i≦n)の第2出力バッファBUF2は、対応するTSV14の他端に、信号を出力する。
本実施の形態において、第1半導体チップ10および第2半導体チップ12は、TSV14を介して信号の双方向伝送を行う。第1半導体チップ10には、第2半導体チップ12の第2出力バッファBUF2から出力された信号を受信するための入力バッファBUF3が設けられる。同様に第2半導体チップ12には、第1半導体チップ10の第1出力バッファBUF1から出力された信号を受信するための入力バッファBUF4が設けられる。
第1出力バッファBUF1、第2出力バッファBUF2はトライステートバッファであり、それぞれは、ハイレベルを出力する状態、ローレベルを出力する状態およびハイインピーダンス状態が切りかえ可能に構成される。なお、第1出力バッファBUF1、第2出力バッファBUF2は、多値ドライバであってもよい。
第1半導体チップ10には、TSV14〜14ごとにインタフェース回路20〜20が設けられ、第2半導体チップ12にはTSV14〜14ごとにインタフェース回路22〜22が設けられる。インタフェース回路20は、第1半導体チップ10に形成された内部回路(不図示)からの信号を受け、それに応じて第1出力バッファBUF1の出力の状態を制御する。またインタフェース回路20は、入力バッファBUF3が受信した信号を受け、それを内部回路(不図示)へと伝送する機能を有する。
第1出力バッファBUF1〜BUF1、第2出力バッファBUF2〜BUF2は、共通の電源端子P1および共通の接地端子P2に接続されており、電源端子P1から電源電圧VDDを受ける。
以上がDUT1の構成である。続いて試験装置2の構成を説明する。試験装置2は、電源装置30、電流測定部32、コントローラ34、判定部36を備える。
電源装置(直流電源ユニットDPU)30は、DUT1の電源端子P1に電源電圧VDDを供給する。この電源電圧VDDは、第1半導体チップ10および第2半導体チップ12に形成される回路ブロックへと供給される。
コントローラ34は、DUT1にデータを供給することにより、DUT1の第1出力バッファBUF1および第2出力バッファBUF2の状態を制御する。
具体的には、コントローラ34は、検査対象となるTSV14を順に切りかえながら、以下の処理を実行する。i番目のTSV14が検査対象であるとき、第1出力バッファBUF1に第1のレベルの電圧を出力させるとともに、第2出力バッファBUF2に第2のレベルの電圧を出力させる。たとえば第1のレベルの電圧は、ハイレベルに相当する電源電圧VDDであり、第2のレベルの電圧は、ローレベルに相当する接地電圧VSSである。つまり、互いに向き合った第1出力バッファBUF1と第2出力バッファBUF2の出力電圧を異なるレベルで衝突させる。
検査対象以外のTSV14(j≠i)に接続される第1出力バッファBUF1、第2出力バッファBUF2のペアは、それぞれの出力電圧が衝突しないように、言い換えればTSV14の両端間に電位差が生じないように、同レベルに設定されるか、もしくは少なくとも一方の出力がハイインピーダンス状態とされる。
具体的には、検査対象以外のTSV14に接続される第1出力バッファBUF1と第2出力バッファBUF2の出力の組み合わせは、(1,1)、(1,H)、(0,0)、(0,H)、(H,0)、(H,1)のいずれかとすればよい。1はハイレベルを、0はローレベルを、Hはハイインピーダンス状態を示す。
コントローラ34による検査対象のTSV14の切りかえの方法は特に限定されず、DUT1の構成に応じて定めればよい。たとえばインタフェース回路20〜20およびインタフェース回路22〜22が、チェインを形成するフリップフロップを含む場合、コントローラ34から、いわゆるバウンダリスキャンによって、各フリップフロップにデータを供給し、検査対象のTSV14を切りかえてもよい。
電流測定部32は、検査対象のTSV14に接続される対向する第1出力バッファBUF1、第2出力バッファBUF2の出力が衝突した状態において、電源装置30から電源端子P1に流れ込む電源電流IDDを測定する。たとえば電流測定部32は、電源電流IDDの経路上に設けられた抵抗に生ずる電圧降下にもとづき、電源電流IDDを測定してもよく、その構成は特に限定されない。
判定部36には、TSV14ごとに測定された電源電流IDDiの値が取り込まれる。判定部36は、電源電流IDDにもとづき、TSV14の不良を判定する。
以上が試験装置2の構成である。続いてその動作を説明する。図2は、検査状態におけるDUT1の状態を示す回路図である。図2では、j=2番目のTSV14が検査対象の状態を示す。図2には、TSV14、第1出力バッファBUF1、第2出力バッファBUF2のみを示すものとし、その他の回路は省略している。
まず、検査対象のTSV14に着目する。第1出力バッファBUF1はハイレベル電圧Vを出力し、第2出力バッファBUF2はローレベル電圧Vを出力する。このときTSV14に流れる電流IDD2は、TSV14の抵抗値Rおよび第1出力バッファBUF1、第2出力バッファBUF2それぞれの出力抵抗をRsを用いて、式(1)で与えられる。
DD2=(V−V)/(R+2×Rs) …(1)
=VDD、V=0とすれば、式(2)を得る。
DD2=VDD/(R+2×Rs) …(2)
検査対象以外のTSV14に着目すると、その両端には同じレベルの電圧、たとえばハイレベル電圧Vが印加される。このときTSV14(j≠2)には電流が流れない。
電源装置30から電源端子P1に流れ込む電流IDDは、第1出力バッファBUF1〜BUF1ならびに第2出力バッファBUF2〜BUF2に流れる電流の総和であり、これは実質的にIDD2と等しくなる。もし、第1出力バッファBUF1、第2出力バッファBUF2以外に動作する回路ブロックが存在する場合、その回路ブロックに流れる定常的な電流ISTATがIDD2に加算されるが、この定常的な電流ISTATは無視しうる。
つまり電流測定部32は、TSV14に流れる電流IDD2を測定する。TSV14を切りかえながら、電流IDDiが順に測定される。
図3は、図1の試験装置2によって測定される電流IDDiとTSVの番号の関係を示す図である。TSVが正常に形成されていれば、その抵抗値はある範囲ΔIに含まれる。k番目(図3ではk=6)のTSVに形成異常が生じていれば、その抵抗値Rは標準値より高くなるため、電流IDDkは所定の範囲よりも低くなる。8番目の電流IDD8のように、所定の範囲より高くなる場合、第1出力バッファBUF1もしくは第2出力バッファBUF2の製造不良を疑うことができる。
このように、実施の形態に係る試験装置2によれば、3次元実装構造を有するDUT1のTSVの不良を検査することができる。
以上、本発明について、いくつかの実施の形態をもとに説明した。この実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。以下、こうした変形例について説明する。
DUT1によっては、それが複数の電源プレーンに分割されている場合もある。たとえば、アナログブロックとデジタルコアブロックそれぞれに電源端子が設けられ、別系統の電源電圧が供給可能となっている場合である。この場合、各電源プレーンごとに、TSVを切りかえながら電流を測定する上述の試験を行い、それを複数の電源プレーンで並列で実行してもよい。この場合、試験時間を短縮できる。
図1では、第1半導体チップ10と第2半導体チップ12が、TSV14を介して双方向伝送する場合を説明したが、単方向伝送を行うDUTにも適用することができる。この場合、本来の機能には不要である第1出力バッファBUF1あるいは第2出力バッファBUF2を、TSVの検査に設けておけばよい。たとえば、あるチャンネルにおいては、第1半導体チップ10から第2半導体チップ12に信号を伝送する場合、そのチャンネルのTSVの第2半導体チップ12側に、検査用の第2出力バッファBUF2を設けておけばよい。検査工程において、TSVに電圧を与えるためのバッファの能力は、データ伝送を行うバッファほど高い能力を必要とされないため、そのバッファの面積はきわめて小さくて済むため、回路面積の増大の影響は深刻とはならない。
実施の形態にもとづき本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎず、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が認められる。
1…DUT、2…試験装置、10…第1半導体チップ、12…第2半導体チップ、14…TSV、BUF1…第1出力バッファ、BUF2…第2出力バッファ、BUF3,BUF4…入力バッファ、P1…電源端子、P2…接地端子、30…電源装置、32…電流測定部、34…コントローラ、36…判定部、20,22…インタフェース回路。

Claims (3)

  1. 3次元実装パッケージ構造を有する半導体デバイスの試験方法であって、
    前記半導体デバイスは、
    第1、第2半導体チップと、
    前記第1、第2半導体チップの間を電気的に接続するために形成された複数のシリコン貫通ビアと、
    前記第1半導体チップに前記複数のシリコン貫通ビアごとに設けられ、それぞれが対応する前記シリコン貫通ビアの一端に信号を出力する、複数の第1出力バッファと、
    前記第2半導体チップに前記複数のシリコン貫通ビアごとに設けられ、それぞれが対応する前記シリコン貫通ビアの他端に信号を出力する、複数の第2出力バッファと、
    前記第1、第2半導体チップの前記複数の第1、第2出力バッファに対して電源電圧を印加するための電源端子と、
    を有するものであり、
    前記試験方法は、
    検査対象のシリコン貫通ビアを順に切りかえながら、検査対象の前記シリコン貫通ビアに接続される前記第1出力バッファに第1レベルの電圧を出力させるとともに、そのシリコン貫通ビアに接続される前記第2出力バッファに、前記第1レベルと異なる第2レベルの電圧を出力させた状態で、前記電源端子に流れる電流を測定し、
    シリコン貫通ビアごとに測定された電流にもとづき、前記シリコン貫通ビアごとの不良を判定することを特徴とする試験方法。
  2. 前記半導体デバイスが複数の電源プレーンを備え、各電源プレーンごとに前記電源端子を備えるものであり、
    前記試験方法は、
    各電源プレーンについてひとつのシリコン貫通ビアを切りかえながら、複数の電源プレーンを並列に試験することを特徴とする請求項1に記載の試験方法。
  3. 3次元実装パッケージ構造を有する半導体デバイスの試験装置であって、
    前記半導体デバイスは、
    第1、第2半導体チップと、
    前記第1、第2半導体チップの間を電気的に接続するために形成された複数のシリコン貫通ビアと、
    前記第1半導体チップに前記複数のシリコン貫通ビアごとに設けられ、それぞれが対応する前記シリコン貫通ビアの一端に信号を出力する、複数の第1出力バッファと、
    前記第2半導体チップに前記複数のシリコン貫通ビアごとに設けられ、それぞれが対応する前記シリコン貫通ビアの他端に信号を出力する、複数の第2出力バッファと、
    前記第1、第2半導体チップの前記複数の第1、第2出力バッファに対して電源電圧を印加するための電源端子と、
    を有するものであり、
    前記試験装置は、
    検査対象のシリコン貫通ビアを順に切りかえながら、検査対象の前記シリコン貫通ビアに接続される前記第1出力バッファに第1レベルの電圧を出力させるとともに、そのシリコン貫通ビアに接続される前記第2出力バッファに、前記第1レベルと異なる第2レベルの電圧を出力させるコントローラと、
    前記電源端子に電源電圧を供給する電源装置と、
    前記電源端子に流れる電流を測定する電流測定部と、
    シリコン貫通ビアごとに前記電流測定部により測定された電流にもとづき、前記シリコン貫通ビアごとの不良を判定する判定部と、
    を備えることを特徴とする試験装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN105093086A (zh) * 2014-04-24 2015-11-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种电迁移的检测结构及检测方法
KR20170025988A (ko) * 2015-08-31 2017-03-08 삼성전자주식회사 반도체 장치, 스택 반도체 장치 및 이의 테스트 방법

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