TWI464792B - Substrate processing system cleaning method, memory media and substrate processing system - Google Patents

Substrate processing system cleaning method, memory media and substrate processing system Download PDF

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Hiroaki Mochizuki
Kiyohito Iijima
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Description

基板處理系統之洗淨方法、記憶媒體及基板處理系統
本發明係關於基板處理系統之洗淨方法、記憶媒體及基板處理系統，尤其關於對複數批量之基板施予特定處理之基板處理系統之洗淨方法。
基板處理系統具有收容當作基板之晶圓的腔室，在該腔室內使電漿產生而對晶圓施予電漿處理，例如蝕刻處理或CVD處理。該腔室雖然係以板片連續性對複數晶圓施予電漿處理，在其間於腔室內之構成零件之表面等附著於電漿處理時所產生之反應生成物或浮游在腔室內之顆粒。在此，基板處理系統係定期性對腔室內施予洗淨處理。
作為腔室內之洗淨處理，所知的有將潔淨氣體導入至該腔室內，自該潔淨氣體產生電漿，蝕刻由於該電漿所附著之顆粒等之處理(例如，參照專利文獻1)。再者，即使於自潔淨氣體產生電漿之時，在腔室內也收容晶圓。
通常，基板處理系統係藉由25片之晶圓構成一批量，基板處理系統依照規定該基板處理系統之動作的程式，對一批量所含之各晶圓施予用以從該晶圓製造半導體裝置等之製品的電漿處理(以下，稱為「製品處理」)。在此，基板處理系統因具備複數例如兩個腔室，故一批量係在各腔室對6至7片晶圓施予製品處理。再者，在相同批量對各晶圓施予相同製品處理。
從處理效率之觀點來看要求連續實行複數晶圓之製品處理和洗淨處理，對應此本發明者等開發出關於一批量份之晶圓使該基板處理系統連續實行製品處理和洗淨處理。該第1程式係於在各腔室對6至7片晶圓施予製品處理之時，至少一次實行洗淨處理。
然而，在腔室內之構成零件之表面等附著顆粒之附著量，因製品處理之內容(處理氣體之種類或壓力等)而有所不同，故即使對一批量中分配至各腔室之片數的6至7片晶圓施予製品處理，顆粒之附著量也較少，有各腔室不需要執行洗淨處理之情形。此時，當使用上述第1程式之時，因一批量在各腔室至少一次實行洗淨處理，故晶圓之處理效率即是半導體裝置之製造效率下降。
在此，本發明者開發出不用執行洗淨處理，用以對一批量中分配至各腔室之片數以上之晶圓連續施予製品處理的第2程式。該第2程式即使批量改變亦使基板處理系統累計各腔室中之製品處理之實行次數，當該實行次數超過事先所設定之次數時，則在各腔室中實行洗淨處理。依此，於各晶圓施予顆粒之附著量少之製品處理之時，可以在經過複數批量連續性對各晶圓施予製品處理之後，實行洗淨處理。即是，可以在顆粒之附著量到達某數量成為需要執行洗淨處理之時序，洗淨各腔室。
在該第2程式中，可對各腔室僅設定一種類之洗淨處理，再者，不僅對各批量之晶圓所施予之製品處理之內容，累計製品處理之實行次數。
〔專利文獻1〕日本特開平8-176828號公報
但是，有在複數批量之晶圓之處理中對各批量之晶圓施予之製品處理之種類不同之情形。此時，當對腔室所事先設定之種類之洗淨處理並非適合於該洗淨處理之實行前之製品處理之時，例如在製品處理中產生之反應生成物不管是否為CF系，當所實行之洗淨處理為適合除去樹脂系之附著物時，則有無法適當洗淨腔室之問題。
再者，對腔室事先所設定之種類之洗淨處理即使為適合該洗淨處理之實行前之製品處理，也有對以前之批量之晶圓所施予之製品處理之種類與上述洗淨處理之實行前之製品處理之種類不同之情形。此時，因至實行洗淨處理為止實行適合事先所設定之種類之洗淨處理適合的製品處理的次數不滿事先所設定之次數，故有以不適合之條件(顆粒之附著量少或是多之狀態)實行洗淨處理之問題。
本發明之目的在於提供可以在適當條件之下適當洗淨收容室之基板處理系統之洗淨方法、記憶媒體以及基板處理系統。
為了達成上述目的，申請專利範圍第1項所記載之基板處理系統之洗淨方法，具備收容基板之收容室，將特定 複數片的上述基板當作一批量而在上述收容室對複數批量所含之上述基板實行特定處理，並且於對上述基板實行特定次數的處理之後，實行上述收容室內的洗淨處理，其特徵為：包含次數設定步驟，其係事先設定對上述基板所實行之處理的實行次數，用以設定實行上述收容室內之洗淨處理的時序；處理設定步驟，其係對上述複數批量的每批量，事先設定對各批量所含之基板所實行之處理的種類及與該處理對應的上述收容室內之洗淨處理的種類；種類判別步驟，其係在上述複數批量中連續的兩個批量，判別對前批量之基板所實行之處理的種類，和對後批量之基板所實行之處理的種類是否相同；次數累計步驟，其係於對上述前批量之基板所實行之處理的種類，和對上述後批量之基板所實行之處理的種類相同之時，累計對上述前批量之基板所實行之處理的實行次數，和對上述後批量之基板所實行之處理的實行次數；及洗淨處理實行步驟，其係當上述被累計之實行次數到達上述事先所設定之實行次數時，則對包含先前才被處理之基板的批量，在上述收容室內實行在上述處理設定步驟中所設定的洗淨處理。
申請專利範圍第2項所記載之基板處理系統之洗淨方法，係在申請專利範圍第1項所記載之洗淨方法中，在上述次數累計步驟中，僅在對上述前批量之基板所實行之處理的結束時間和對上述後批量之基板所實行之處理的開始時間之間的時間性間隔為特定時間以內時，累計對上述前批量所實行之處理的實行次數和對上述後批量之基板所實 行之處理的實行次數。
申請專利範圍第3項所記載之基板處理系統之洗淨方法，係在申請專利範圍第1或2項所記載之洗淨方法中，在上述種類判別步驟中，根據對上述前批量之基板所實行之處理的名稱和對上述後批量之基板所實行之處理的名稱，判別對上述前批量之基板所實行之處理的種類，和對上述後批量之基板所實行之處理的種類是否相同。
為了達成上述目的，申請專利範圍第4項所記載之記憶媒體，為儲存使電腦實行基板處理系統之洗淨方法之程式的電腦可讀取之記憶媒體，其基板處理系統之洗淨方法，具備收容基板之收容室，將特定複數片的上述基板當作一批量而在上述收容室對複數批量所含之上述基板實行特定處理，並且於對上述基板實行特定次數的處理之後，實行上述收容室內的洗淨處理，其特徵為：上述洗淨方法包含次數設定步驟，其係事先設定對上述基板所實行之處理的實行次數，用以設定實行上述收容室內之洗淨處理的時序；處理設定步驟，其係對上述複數批量的每批量，事先設定對各批量所含之基板所實行之處理的種類及與該處理對應的上述收容室內之洗淨處理的種類；種類判別步驟，其係在上述複數批量中連續的兩個批量，判別對前批量之基板所實行之處理的種類，和對後批量之基板所實行之處理的種類是否相同；和次數累計步驟，其係於對上述前批量之基板所實行之處理的種類，和對上述後批量之基板所實行之處理的種類相同之時，累計對上述前批量之基 板所實行之處理的實行次數，和對上述後批量之基板所實行之處理的實行次數；及洗淨處理實行步驟，其係當上述被累計之實行次數到達上述事先所設定之實行次數時，則對包含先前才被處理之基板的批量，在上述收容室內實行在上述處理設定步驟中所設定的洗淨處理。
為了達成上述目的，申請專利範圍第5項所記載之基板處理系統，具備收容基板之收容室和控制部，將特定複數片的上述基板當作一批量而在上述收容室對複數批量所含之上述基板實行特定處理，並且於對上述基板實行特定次數的處理之後，實行上述收容室內的洗淨處理，其特徵為：上述控制部係事先設定對上述基板所實行之處理的實行次數，用以設定實行上述收容室內之洗淨處理的時序，對上述複數批量的每批量，事先設定對各批量所含之基板所實行之處理的種類及與該處理對應的上述收容室內之洗淨處理的種類，在上述複數批量中連續的兩個批量，判別對前批量之基板所實行之處理的種類，和對後批量之基板所實行之處理的種類是否相同，於對上述前批量之基板所實行之處理的種類，和對上述後批量之基板所實行之處理的種類相同之時，累計對上述前批量之基板所實行之處理的實行次數，和對上述後批量之基板所實行之處理的實行次數，當上述被累計之實行次數到達上述事先所設定之實行次數時，則對包含先前才被處理之基板的批量，在上述收容室內實行上述被設定的洗淨處理。
若藉由申請專利範圍第1項所記載之基板處理系統之洗淨方法、申請專利範圍第4項所記載之記憶媒體以及申請專利範圍第5項所記載之基板處理系統時，將特定複數片的基板當作一批量，對含有先前才被施予特定處理之基板的批量實行所設定之種類之洗淨處理。因對各批量設定上述特定處理之種類及適合於該特定處理之洗淨處理之種類，故所實行之洗淨處理成為適合於特定處理。依此，可以適當洗淨收容室。再者，在連續之兩個批量中，於前批量中之特定處理之種類和後批量中之特定處理之種類相同之時，累計該特定處理之實行次數，當所累計之特定處理之實行次數到達事先所設定之實行次數之時，對含有先前才被施予特定處理之基板的批量實行所設定之種類的洗淨處理。即是，至洗淨處理之實行為止，因適合該洗淨處理之特定處理被實行事先所設定之實行次數，故可以在適當之條件下洗淨收容室。
若藉由申請專利範圍第2項所記載之基板處理系統之洗淨方法時，因僅在前批量和後批量之時間性間隔為特定時間以內之時，累計特定處理之實行次數，故於累計特定處理之實行次數之時，腔室內之狀態幾乎不變化。因此，可以在更適當之條件下，洗淨收容室。
若藉由申請專利範圍第3項所記載之基板處理系統之洗淨方法時，因根據前批量中之特定處理之名稱及後批量中之特定處理之處理名稱，判別前批量中之特定處理之種 類，和後批量中之特定處理之種類是否相同，故可以容易且確實執行該判別。
若藉由申請專利範圍第4項所記載之基板處理系統之洗淨方法時，即使前批量中之特定處理之種類與後批量中之特定處理之種類類似之時，亦累計特定處理之實行次數。於特定處理之種類類似之時，腔室內之狀態幾乎不變化。因此，可以邊維持適當之條件邊緩和洗淨處理之實行條件，進而可以降低收容室之洗淨頻率。
以下，針對本發明之實施型態，一面參照圖面一面予以說明。
首先，針對本發明之實施型態所涉及之基板處理系統予以說明。
第1圖為概略性表示本發明之實施型態所涉及之基板處理系統之構成的俯視圖。
在第1圖中，基板處理系統10具備有對半導體裝置用之晶圓(以下單稱為「晶圓」)W施予反應性離子蝕刻(以下，稱為「RIE」)處理等之兩個製程舟11，和當作各與兩個製程舟11連接之矩形狀之共通搬運室的裝載模組12。
在裝載模組12除上述製程舟11之外，連接有各載置當作收容構成一批量之25片之晶圓W的前開式晶圓盒(Front Opening Unified Pod)13的3個前開式晶圓盒載 置台14，和預對準自前開式晶圓盒13搬出之晶圓W之位置的定位器15。
兩個製程舟11係連接於沿著裝載模組12之長邊方向之側壁，並且配置成夾著裝載模組12而與3個前開式晶圓盒載置台14對向，定位器15係被配置在與裝載模組12之長邊方向有關之一端。
裝載模組12具有被配置在內部，搬運晶圓W之水平多關節型雙臂型之搬運臂機構16，和當作以對應於各前開式晶圓盒載置台14之方式配置在側壁之晶圓W之投入口的三個裝載埠17。搬運臂機構16係經由裝載埠17自被載置在前開式晶圓盒載置台14之前開式晶圓盒13取出晶圓W，將該取出之晶圓W搬出至製程舟11或定位器15。
製程舟11具有對晶圓W施予RIE處理之製程模組18，和內藏將晶圓W接交至該製程模組18之連結型單鎬型之搬運臂19的裝載鎖定模組20。
製程模組18具有以板片收容晶圓W，在內部對該晶圓W施予RIE處理之圓筒狀之腔室21(收容室)和被配置在該腔室21內之載置台22。在製程模組18中，於在載置台22載置晶圓W之後，對腔室21內導入處理氣體，例如CF4 氣體及含有氬氣體之混合氣體，並且在腔室21內產生電場。此時，自被導入之處理氣體產生電漿，藉由該電漿中之離子及自由基對晶圓W施予RIE處理。
在製程舟11中，裝載模組12之內部之壓力維持在大氣壓，另外腔室21之內部壓力維持真空。因此，裝載鎖 定模組20在與製程模組18連結之連結部具備真空閘閥23，並且在與裝載模組12連結之連結部具備大氣閘閥24。
在裝載鎖定模組20之內部，於略中央部設置搬運臂19，該搬運臂19在腔室21執行RIE未處理之晶圓W和RIE處理完之晶圓W之替換。
並且，基板處理系統10具備控制有製程舟11、裝載模組12及裝載鎖定模組20(以下總稱為「各構成要素」)之動作的系統控制器25(控制部)和操作面板26。
系統控制器25具有儲存後述系統處理製程等之記憶體或依該系統處理製程而實行RIE處理之CPU(任一者皆無圖式)，按照系統處理製程等控制基板處理系統10之各構成要素之動作。再者，操作面板26具有由例如LCD(Liquid Crystal Display)所構成之顯示部，顯示各構成要素之動作狀況。
系統控制器25之記憶體除上述系統處理製程之外，又儲存各對應於下述說明之3個功能的第1~第3之洗淨方法實行程式。
(批量內潔淨功能)
本功能係關於一批量份之晶圓W，在各腔室21中，連續實行RIE處理(以下，稱為「製品處理」)(特定處理)和洗淨處理之功能。洗淨處理為藉由自潔淨氣體產生 之電漿蝕刻附著於腔室21內之構成零件之表面等之顆粒等的處理。
在本功能中，在各腔室21對一批量中分配至各腔室21之分配片數為6至7片之晶圓W，施予製品處理之時，必須實行一次洗淨處理。例如，如第2圖(A)所示般，在各批量27a、27b及27c中對1~6片為止之晶圓W，施予名稱「A」之製品處理，於將第7片之晶圓W(圖中以陰影表示)收容至腔室21之時實行洗淨處理。並且，在本功能中，若為一批量之間，可以任意設定實行洗淨處理之時序，例如亦可設定成於將第4片之晶圓W收容至腔室21之時，實行洗淨處理。
本功能係藉由系統控制器25之CPU因應第1洗淨方法實行程式控制基板處理系統10之各構成要素之動作而實行。
(製程模組(PM)使用次數潔淨功能)
本功能係關於複數批量份之晶圓W，在各腔室21中連續實行製品處理之功能。
在本功能中，首先設定至實行洗淨處理為止之製品處理之實行次數，於在各腔室21經過複數批量連續性對晶圓W施予製品處理之時，即使批量改變亦累計該腔室21中之製品處理之實行次數。例如，於將至實行洗淨處理為止之製品處理之實行次數設定成16次之時，雖然如第2圖(B)所示般，對批量28a之所有晶圓W、批量28b之 所有晶圓W及批量28c之第一片及第二片之晶圓W，施予名稱「A」之製品處理，但是此時名稱「A」之製品處理之實行次數，則如圖中上方所示般，在批量28a、批量28b及批量28c連續被累計。
接著，於將名稱「A」之製品處理之實行次數到達至16次之後的晶圓W收容於腔室21之時，實行洗淨處理。並且，在本功能中可以任意設定實行洗淨處理為止之製品處理之實行次數。
在本功能所實行之洗淨處理之內容對各腔室21可事先僅設定一種類，不管至洗淨處理之實行為止所實行之製品處理之種類，實行事先所設定之一種類之洗淨處理。例如，第2圖(C)所示般，即使對批量28a之所有晶圓W施予名稱「A」之製品處理，將批量28b之所有晶圓W及批量28c之第一片及第二片之晶圓W施予種類「B」之製品處理，也不管製品處理之種類累積製品處理之實行次數，於將該被累積之實行次數到達至第16次之後之晶圓W收容至腔室21之時，實行事先所設定之一種類之洗淨處理。
本功能係藉由系統控制器25之CPU因應第2洗淨方法實行程式控制基板處理系統10之各構成要素之動作而實行。
(片數指定潔淨計數繼承功能)
本功能係與上述PM使用次數潔淨功能相同，為與複 數批量份之晶圓W有關，在各腔室21中連續實行製品處理之功能，但是被施予在各批量之晶圓W之製品處理之種類或依照連續兩個之批量中之前批量和後批量之時間性間隔而實行洗淨處理之時序變化。
在本功能中，首先設定至實行洗淨處理為止之製品處理之實行次數，於在各腔室21經過複數批量連續性對晶圓W施予製品處理之時，於滿足以下兩個條件之時，即使批量改變亦累計該腔室21中之製品處理之實行次數。
(條件1)在連續之兩個批量中，前批量和後批量之時間性間隔為特定時間以內之時
(條件2)在連續兩個批量中，在前批量所實行之最後之製品處理之種類，和後批量所實行之最初之製品處理種類為相同之時
在本功能中，為了判別現狀是否為上述條件1或條件2，利用以下所說明之批量安定虛擬處理功能。
第3圖(A)~第3圖(C)為用以說明批量安定虛擬處理功能之圖式。
於對新批量之各晶圓W施予製品處理之前，為了使腔室21內之狀態安定於適合新批量之製品處理之狀態，設定虛擬晶圓以作為該新批量之第一片晶圓，一般對該虛擬晶圓施予新批量之製品處理(以下，稱為「安定處理」)。在此，若前批量之製品處理和新批量之製品為相同之時，則不需要變更腔室21內之狀態。
在此，批量安定虛擬處理功能係於設定虛擬晶圓作為 連續的兩個批量中後批量的第一片晶圓之時，判定在前批量所實行之最後製品處理之種類和在後批量所實行之最初之製品處理之種類是否相同，於相同之時，省略使用當作後批量中之第一片晶圓之虛擬晶圓的安定處理。在本功能中，尤其根據在前批量中所實行之最後之製品處理之名稱及在後批量中所實行之最初之製品處理之名稱，判定在前批量中所實行之最後之製品處理之種類與在後批量所實行之最初之製品處理之種類是否相同。
例如，第3圖(A)所示般，對前批量29a中之最後晶圓W施予名稱「A」之製品處理，並且對後批量29b中之最初晶圓W施予名稱「A」之製品處理之時，因製品處理之名稱(「A」)為相同，故省略使用當作後批量29b中之第一片晶圓而被設定之虛擬晶圓的安定處理。另外，如第3圖(C)所示般，在前批量29a所實行之最後之製品處理之名稱(「A」)與在後批量29b所實行之最初之製品處理之名稱(「B」)不同之時，不省略使用虛擬晶圓之安定處理。
再者，即使前批量之製品處理和後批量之製品處理相同，若該些兩個批量之時間性間隔為長時，則有腔室21內之狀態變化之虞。然而，批量安定虛擬處理機能如第3圖(B)所示般，即使在前批量29a所實行之最後之製品處理之名稱(「A」)與在後批量29b所實行之最初之製品處理之名稱(「A」)為相同時，於前批量29a和後批量29b之時間性間隔T2比事先所設定之特定時間T長 時，也不省略使用虛擬晶圓之安定處理。
即是，批量安定虛擬處理機能具有判定在連續兩個批量中，前批量和後批量之時間性間隔是否為特定時間以內之工程，和判定在連續的兩個批量中，在前批量所實行之最後之製品處理之種類及在後批量所實行之最初製品處理之種類是否相同之工程。片數指定潔淨計數繼承功能利用該些工程。
在片數指定潔淨計數繼承功能中，於將例如至實行洗淨處理為止之製品處理之實行次數設定在16次之時，則在連續之3個批量30a、30b、30c中，如第4圖(A)所示般，在前批量(30a或30b)中所實行之最後之製品處理之名稱(「A」)與在後批量(30b或30c)中所實行之最初之製品處理之名稱(「A」)相同，並且前批量(30a或30b)和後批量(30b或30c)之時間性間隔T1為特定時間T以內之時，如圖中上方所示般累計從批量30a到批量30c腔室21中名稱「A」之製品處理之實行次數(1~16)。再者，此時藉由批量安定虛擬處理功能省略使用在後批量(30b或30c)中當作第一片晶圓之虛擬晶圓的安定處理。
接著，於將名稱「A」之製品處理之實行次數到達至16次之後的晶圓W收容於腔室21之時，實行洗淨處理。並且，即使在本功能中亦可以任意設定實行洗淨處理為止之製品處理之實行次數。
但是，在片數指定潔淨計數繼承功能中，例如在連續 的兩個批量30a、31a中，如第4圖(B)所示般，於在前批量30a所實行之最後之製品處理之名稱(「A」)與在後批量31a中所實行之最初之製品處理之名稱(「B」)不同之時，從前批量30a往後批量31a腔室21中之製品處理實行次數如圖中上方所示般不累計，在後批量31a中，開始重設製品處理之實行次數，從「1」開始。之後，在以後連續的3個批量31a、31b、31c中，製品處理之名稱保持「B」之狀態，並且當連續之兩個批量之時間性間隔T1為特定時間T以內之時，在腔室21之名稱「B」之製品處理之實行次數如圖中上方所示般被累計(1~16)。
再者，在片數指定潔淨計數繼承功能中，例如在連續的兩個批量30a、30b中，如第4圖(C)所示般，即使於前批量30a和後批量30b之時間性間隔T2比特定時間長時，從前批量30a往後批量30b腔室21中之製品處理實行次數如圖中上方所示般不累計，在後批量30b中，開始重設製品處理之實行次數，從「1」開始。
而然，在上述PM使用次數潔淨功能中，因不管製品處理之種類，對腔室21執行事先設定之一種類的洗淨處理，故當事先設定之種類之洗淨處理不適合在腔室21所實行之製品處理之時，則無法適當洗淨腔室21。在片數指定潔淨計數繼承功能中，對應於此，設定腔室21之洗淨處理之種類。具體而言，對各批量，設定記述有在各腔室21所實行之該批量之製品處理之種類(名稱)及洗淨處理 之種類(名稱)的系統處理製程。該系統處理製程被儲存於系統控制器25之記憶體。在此，在本實施型態中，在系統處理製程記述有種類之某腔室21之洗淨處理，為適合於在相同系統處理製程記述有種類之相同腔室21之洗淨處理。
第5及6圖為用以說明片數指定潔淨計數繼承功能中對各批量設定腔室之洗淨處理之圖式。以下，名稱「X」之洗淨處理為適合於名稱「A」之製品處理，名稱「Y」之洗淨處理為適合於名稱「B」之製品處理。
首先，如第5圖所示般，對連續3個批量32a、32b、32c各設定系統處理製程33a、33b、33c，在所有系統處理製程33a~33c中，在基板處理系統10中之各腔室21(在圖中，以「腔室A」、「腔室B」表示)所實行之各批量之製品處理之種類(名稱)(在圖中，以「PR」表示)被設定成「A」，並且各批量之洗淨處理之種類(名稱)(在圖中以「CR」表示)被設定成「X」之時，至實行洗淨處理為止之製品處理之實行次數被設定成16次之時，於將名稱「A」之製品處理之實行次數到達至16次之後的晶圓W收容至腔室A之時，實行洗淨處理。此時，參照對包含正要實行洗淨處理前被施予名稱「A」之製品處理的晶圓W(施予第16次之名稱「A」之製品處理的晶圓W)之批量32c所設定系統處理製程33c，實行記述於該系統處理製程33c之對應於腔室A之名稱「X」之洗淨處理。
再者，如第6圖所示般，對連續4個批量32a、34a、34b、34c各設定系統處理製程33a、35a、35b、35c，在系統處理製程33a中，在基板處理系統10中之各腔室21所實行之各批量之製品處理之種類(名稱)被設定成「A」，並且各批量之洗淨處理之種類(名稱)被設定成「X」，在系統處理製程35a~35c中，在基板處理系統10中之各腔室21所實行之各批量之製品處理之種類(名稱)被設定成「B」，並且各批量之洗淨處理之種類(名稱)被設定成「Y」之時，至實行洗淨處理為止之製品處理之實行次數被設定成16次之時，於將名稱「B」之製品處理之實行次數到達至16次之後的晶圓W收容至腔室A之時，實行洗淨處理。此時，參照對包含正要實行洗淨處理前被施予名稱「B」之製品處理的晶圓W(施予第16次之名稱「B」之製品處理的晶圓W)之批量34c所設定系統處理製程35c，實行記述於該系統處理製程35c之對應於腔室A之名稱「Y」之洗淨處理。
上述片數指定潔淨計數繼承功能係系統控制器25之CPU因應第3洗淨方法實行程式控制基板處理系統10之各構成要素之動作而被實現。
接著，針對本實施型態所涉及之當作基板處理系統之洗淨方法之腔室洗淨處理予以說明。
第7圖為表示本實施型態所涉及之當作基板處理系統之洗淨方法的腔室洗淨處理之流程圖。本處理係系統控制器25之CPU根據第3洗淨方法實行程式而實行。再者， 至本腔室洗淨處理之實行為止，事先設定對應於實行洗淨處理之時序之製品處理之實行次數(次數設定步驟)，對各批量設定系統處理製程(處理設定步驟)。
在第7圖中，首先，判別所累計之製品處理之實行次數是否為事先所設定之製品處理之實行次數以上(步驟S701)，於所累計之製品處理之實行次數小於事先所設定之製品處理之實行次數之時，判別至此所實行之製品處理是否相當於以批量所實行之最初之製品處理(步驟S702)。
至此所實行之製品處理不相當於以批量所實行之最初之製品處理之時(在步驟S702為NO)，僅將製品處理之實行次數累計「1」(步驟S703)(次數累計步驟)。
另外，步驟S702之判別結果，於至此所實行之製品相當於以批量所實行之最初之製品處理之時(在步驟S702為YES)，判別包含被施予至此所實行之製品處理之晶圓W的批量(以下稱為「後批量」及前批量之時間性間隔比事先所設定之特定時間長，(步驟S704，該時間性間隔比特定時間長之時(在步驟S704中為YES)，則將製品處理之實行次數重設為「1」(步驟S705)。
在步驟S704之判別結果，於上述時間性間隔為特定時間以內之時，參照對各批量所設定之系統處理製程，比較在前批量所實行之最後之製品處理之名稱和在後批量所實行之最初之製品處理之名稱，而判別在前批量所實行之最後之製品處理之種類是否與在後批量所實行之最初之製 品處理之種類相同(步驟S706)(種類判別步驟)。
步驟S706之判別結果，於製品處理之種類相同之時(在步驟S706為YES)，將製品處理之實行次數僅累計「1」(步驟S703)(次數累計步驟)，於製品處理之種類不同之時(在步驟S706為NO)，則將製品處理之實行次數重設為「1」(步驟S705)。
接著，參照對後批量所設定之系統處理製程，實行對應於記述於該系統處理製程之腔室21的製品處理(步驟S707)，返回至步驟S701。
步驟S701之判別結果，於所累計之製品處理之實行次數為事先所設定之製品處理之實行次數以上之時，參照對含有先前才被施予製品處理之晶圓W之批量所設定之系統處理製程(步驟S708)，實行被記述於該系統處理製程之對應於腔室21之洗淨處理(步驟S709)，結束本處理。
若藉由第7圖，參照對包含正要實行洗淨處理前被施予製品處理之晶圓W的批量而所設定之系統處理製程，實行記述於該系統處理製程之對應於腔室21之洗淨處理。因對各批量設定記述有製品處理之種類及適合於該製品處理之洗淨處理之種類的系統處理製程，故所實行之洗淨處理為適合於之先前才被實行之製品處理。依此，可以適當洗淨腔室21。
上述第7圖之處理中，在連續兩個批量中，前批量及後批量之時間性間隔為事先設定之特定時間以內，並且在 前批量中之製品處理之種類和後批量中之製品處理之種類為相同時，該製品處理之實行次數僅累計「1」，並且於所累計之製品處理之實行次數為事先所設定之製品處理之實行次數以上之時，則參照對包含先前才被施予製品處理之晶圓W的批量所量所設定之系統處理製程，實行記載於處理製程之對應於腔室21的洗淨處理。即是，至洗淨處理之實行為止，因適合該洗淨處理之製品處理被實行事先所設定之實行次數，故可以在適當之條件下洗淨腔室21。再者，於累計製品處理之實行次數之時，腔室21內之狀態幾乎不變化。因此，腔室21內之狀態由於製品處理之實行而如此地成為適合洗淨狀態之狀態，即是可以在更適當之條件下洗淨腔室21。
並且，在上述第7圖之處理中，因根據前批量中之製品處理之名稱及後批量中之製品處理之處理名稱，判別前批量中之製品處理之種類，和後批量中之製品處理之種類是否相同，故不用實際確認腔室21內之狀態，可以容易且確實執行上述判別。
在上述第7圖之處理中，雖然僅在前批量中之製品處理之種類和在後批量中之製品之種類相同之時，累計製品處理之實行次數，但是於在前批量中之製品處理之種類和在後批量中之製品處理之種類類似之時，即是在前批量中之製品處理之內容和在後批量中之製品處理之內容雖不相同但類似之時，累計製品處理之實行次數亦可。即使於在前批量中之製品處理之內容和後批量中之製品處理之內容 類似之時，因腔室內之狀態不太變化，故即使累計製品處理之實行次數而實行洗淨處理，亦可以以適當條件洗淨腔室21。因此，可以邊維持適當之條件邊緩和腔室21之洗淨處理之實行條件，進而可以降低腔室21之洗淨頻率。
再者，在第7圖之處理中，即使於實行洗淨處理後，實行使用晶圓W使腔室21內之狀態安定至適合於新製品處理之狀態的乾燥處理亦可，依此可以使腔室21內之狀態迅速安定。再者，即使此時利用判定上述批量安定虛擬處理功能中之製品處理之種類是否相同之工程，判別洗淨處理之實行前後中之製品處理之種類是否相同亦可，於製品處理之種類相同之時，即使省略乾燥處理亦可。
再者，雖然在本實施型態中對晶圓W所施予之製品處理為RIE處理，但是所施予之製品處理為不使用其他電漿處理或電漿之處理，也相當於在腔室21內使反應生成物或顆粒產生之處理。
並且，在上述本實施之型態中，施予蝕刻處理之基板雖然為半導體晶圓W，但是並不限定於施予蝕刻處理之基板，即使為例如LCD(Liquid Crystal Display)或FPD(Flat Panel Display)等之玻璃基板亦可。
再者，本發明之目的也藉由將記錄有軟體之程式的記憶媒體供給至電腦(例如系統控制器25)，該軟體係用以實現上述各實施型態之功能，並且電腦之CPU讀出並實行儲存於記憶媒體之程式而達成。
此時，自記憶媒體被讀出之程式本身實現上述各實施 型態之機能，程式及記憶有其程式碼之記憶媒體構成本發明。
再者，作為用以供給程式之記憶媒體，若為例如RAM、NV-RAM、軟碟(註冊商標)、硬碟、光磁碟、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD(DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)等之光碟、磁帶、非揮發性之記憶卡、其他之ROM等之可以記憶上述程式者即可。或是上述程式即使藉由自連接於網際網路、商用網路或是區域網路等之無圖式之其他電腦或資料庫等下載，而被供給至電腦亦可。
再者，藉由實行電腦讀出之程式碼，不僅實現上述本實施型態之功能，也包含根據其程式之指示，CPU上運轉之OS(操作系統)等執行實際處理之一部分或全部，藉由其處理，實現上述本實施型態之功能的情形。
並且，也包含自記憶媒體被讀出之程式，被寫入至插入至電腦之功能擴充埠或連接於電腦之功能擴充單元所具備之記憶體後，根據其程式之指示，其功能擴充埠或功能擴充單元所具備之CPU等執行實際處理之一部份或全部，並藉由其處理實現上述本實施型態之功能的情形。
上述程式之型態即使由目標碼、藉由編譯器所實行之程式、被供給至OS之腳本資料(script data)等之型態構成亦可。
W‧‧‧晶圓
10‧‧‧基板處理系統
21‧‧‧腔室
25‧‧‧系統控制器
27a~27c、28a~28c、29a、29b、30a~30c、31a~31c、32a~32c、34a~34c‧‧‧批量
33a~33c、35a~35c‧‧‧系統處理製程
11‧‧‧製程舟
12‧‧‧裝載模組
13‧‧‧前開式晶圓盒
14‧‧‧前開式晶圓盒載置台
15‧‧‧定位器
16‧‧‧搬運臂機構
17‧‧‧裝載埠
18‧‧‧製程模組
19‧‧‧搬運臂
20‧‧‧裝載鎖定模組
22‧‧‧載置台
23‧‧‧真空閘閥
24‧‧‧大氣閘閥
26‧‧‧操作面板
T1、T2‧‧‧時間性間隔
第1圖為概略性表示本發明之實施型態所涉及之基板處理系統之構成的俯視圖。
第2圖為用以說明第1圖之基板理系統中批量內潔淨功能及PM使用次數潔淨功能之圖式，第2圖(A)表示批量內潔淨功能之一例的圖式，第2圖(B)及第2圖(C)各表示PM使用次數潔淨功能之一例的圖式。
第3圖為用以說明第1圖之基板處理系統中之批量安定虛擬處理功能之圖式，第3圖(A)至(C)各表示批量安定虛擬處理功能之一例的圖式。
第4圖為用以說明第1圖之基板處理系統中之片數指定潔淨計數繼承功能之圖式，第4圖(A)至(C)各表示片數指定潔淨計數繼承功能之一例的圖式。
第5圖為用以說明第4圖之片數指定潔淨計數繼承功能中對各批量設定腔室之洗淨處理之一例的圖式。
第6圖為用以說明第4圖之片數指定潔淨計數繼承功能中對各批量設定腔室之洗淨處理之一例的圖式。
第7圖為表示本實施型態所涉及之當作基板處理系統之洗淨方法的腔室洗淨處理之流程圖。

Claims (5)

  1. 一種基板處理系統之洗淨方法，具備收容基板之收容室，將特定複數片的上述基板當作一批量而在上述收容室對複數批量所含之上述基板實行特定處理，並且於對上述基板實行特定次數的處理之後，實行上述收容室內的洗淨處理，其特徵為：包含次數設定步驟，其係事先設定對上述基板所實行之處理的實行次數，用以設定實行上述收容室內之洗淨處理的時序；處理設定步驟，其係對上述複數批量的每批量，事先設定對各批量所含之基板所實行之處理的種類及與該處理對應的上述收容室內之洗淨處理的種類；種類判別步驟，其係在上述複數批量中連續的兩個批量，判別對前批量之基板所實行之處理的種類，和對後批量之基板所實行之處理的種類是否相同；次數累計步驟，其係於對上述前批量之基板所實行之處理的種類，和對上述後批量之基板所實行之處理的種類相同之時，累計對上述前批量之基板所實行之處理的實行次數，和對上述後批量之基板所實行之處理的實行次數；及洗淨處理實行步驟，其係當上述被累計之實行次數到達上述事先所設定之實行次數時，則對包含先前才被處理之基板的批量，在上述收容室內實行在上述處理設定步驟中所設定的洗淨處理。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理系統之洗淨方法，其中，在上述次數累計步驟中，僅在對上述前批量之基板所實行之處理的結束時間和對上述後批量之基板所實行之處理的開始時間之間的時間性間隔為特定時間以內時，累計對上述前批量所實行之處理的實行次數和對上述後批量之基板所實行之處理的實行次數。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板處理系統之洗淨方法，其中，在上述種類判別步驟中，根據對上述前批量之基板所實行之處理的名稱和對上述後批量之基板所實行之處理的名稱，判別對上述前批量之基板所實行之處理的種類，和對上述後批量之基板所實行之處理的種類是否相同。
  4. 一種記憶媒體，為儲存使電腦實行基板處理系統之洗淨方法之程式的電腦可讀取之記憶媒體，其基板處理系統之洗淨方法，具備收容基板之收容室，將特定複數片的上述基板當作一批量而在上述收容室對複數批量所含之上述基板實行特定處理，並且於對上述基板實行特定次數的處理之後，實行上述收容室內的洗淨處理，其特徵為：上述洗淨方法包含次數設定步驟，其係事先設定對上述基板所實行之處理的實行次數，用以設定實行上述收容室內之洗淨處理的時序；處理設定步驟，其係對上述複數批量的每批量，事先 設定對各批量所含之基板所實行之處理的種類及與該處理對應的上述收容室內之洗淨處理的種類；種類判別步驟，其係在上述複數批量中連續的兩個批量，判別對前批量之基板所實行之處理的種類，和對後批量之基板所實行之處理的種類是否相同；和次數累計步驟，其係於對上述前批量之基板所實行之處理的種類，和對上述後批量之基板所實行之處理的種類相同之時，累計對上述前批量之基板所實行之處理的實行次數，和對上述後批量之基板所實行之處理的實行次數；及洗淨處理實行步驟，其係當上述被累計之實行次數到達上述事先所設定之實行次數時，則對包含先前才被處理之基板的批量，在上述收容室內實行在上述處理設定步驟中所設定的洗淨處理。
  5. 一種基板處理系統，具備收容基板之收容室和控制部，將特定複數片的上述基板當作一批量而在上述收容室對複數批量所含之上述基板實行特定處理，並且於對上述基板實行特定次數的處理之後，實行上述收容室內的洗淨處理，其特徵為：上述控制部係事先設定對上述基板所實行之處理的實行次數，用以設定實行上述收容室內之洗淨處理的時序，對上述複數批量的每批量，事先設定對各批量所含之基板所實行之處理的種類及與該處理對應的上述收容室內 之洗淨處理的種類，在上述複數批量中連續的兩個批量，判別對前批量之基板所實行之處理的種類，和對後批量之基板所實行之處理的種類是否相同，於對上述前批量之基板所實行之處理的種類，和對上述後批量之基板所實行之處理的種類相同之時，累計對上述前批量之基板所實行之處理的實行次數，和對上述後批量之基板所實行之處理的實行次數，當上述被累計之實行次數到達上述事先所設定之實行次數時，則對包含先前才被處理之基板的批量，在上述收容室內實行上述被設定的洗淨處理。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100989149B1 (ko) * 2006-01-27 2010-10-20 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치
JP5947030B2 (ja) 2010-12-28 2016-07-06 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理方法、基板処理装置
CN103215572B (zh) * 2012-01-19 2016-12-14 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 半导体设备工艺控制方法和半导体设备工艺控制装置
JP5954108B2 (ja) * 2012-10-23 2016-07-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2016103496A (ja) * 2014-11-27 2016-06-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
CN111118458B (zh) * 2019-12-04 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 腔室清洁方法及装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1197122C (zh) * 2001-03-29 2005-04-13 株式会社东芝 制造半导体器件的方法
US20070215180A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Tokyo Electron Limited Cleaning method of substrate processing equipment, substrate processing equipment, and recording medium for recording program thereof

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3350264B2 (ja) * 1994-12-22 2002-11-25 松下電器産業株式会社 プラズマクリーニング方法
JPH09298152A (ja) * 1996-05-07 1997-11-18 Nikon Corp 加工方法
JPH10135094A (ja) * 1996-10-28 1998-05-22 Canon Sales Co Inc 半導体製造装置
JPH10199817A (ja) * 1997-01-10 1998-07-31 Kokusai Electric Co Ltd 成膜装置
US6168672B1 (en) * 1998-03-06 2001-01-02 Applied Materials Inc. Method and apparatus for automatically performing cleaning processes in a semiconductor wafer processing system
JP4017463B2 (ja) * 2002-07-11 2007-12-05 株式会社荏原製作所 洗浄方法
JP2006319041A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Tokyo Electron Ltd プラズマクリーニング方法、成膜方法
JP4822048B2 (ja) * 2005-12-08 2011-11-24 富士通セミコンダクター株式会社 半導体製造装置のプリメンテナンス方法
JP4963842B2 (ja) * 2006-02-13 2012-06-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理室の洗浄方法、記憶媒体及び基板処理装置
JP4671355B2 (ja) * 2006-03-15 2011-04-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のクリーニング方法，基板処理装置，プログラムを記録した記録媒体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1197122C (zh) * 2001-03-29 2005-04-13 株式会社东芝 制造半导体器件的方法
US20070215180A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Tokyo Electron Limited Cleaning method of substrate processing equipment, substrate processing equipment, and recording medium for recording program thereof

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