JPH09298152A - 加工方法 - Google Patents
加工方法Info
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- JPH09298152A JPH09298152A JP8137527A JP13752796A JPH09298152A JP H09298152 A JPH09298152 A JP H09298152A JP 8137527 A JP8137527 A JP 8137527A JP 13752796 A JP13752796 A JP 13752796A JP H09298152 A JPH09298152 A JP H09298152A
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- JP
- Japan
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- processing
- exposure apparatus
- reticle
- processed
- wafer
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、加工方法において、一定数量の被加
工対象を被加工単位として設定し、複数被加工単位を同
一の加工手段によつて連続して加工する際のスループツ
トを向上させるようにする。 【解決手段】同一の加工手段（６）を使用して加工され
る一定数の被加工対象（２）でなる被加工単位で加工手
段（６）に設定されている第１の定常的処理（１１〜１
６、……）のうち、被加工単位で連続的に処理する場合
に不要な処理を、外部より任意に設定されたパラメータ
による所定の条件を使用して判断し、不要な処理を除い
て加工手段（６）に設定した第２の定常的処理だけを実
行する。
工対象を被加工単位として設定し、複数被加工単位を同
一の加工手段によつて連続して加工する際のスループツ
トを向上させるようにする。 【解決手段】同一の加工手段（６）を使用して加工され
る一定数の被加工対象（２）でなる被加工単位で加工手
段（６）に設定されている第１の定常的処理（１１〜１
６、……）のうち、被加工単位で連続的に処理する場合
に不要な処理を、外部より任意に設定されたパラメータ
による所定の条件を使用して判断し、不要な処理を除い
て加工手段（６）に設定した第２の定常的処理だけを実
行する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は加工方法に関し、例
えば露光装置でレチクル上のパターンを基板に露光する
際に適用し得る。
えば露光装置でレチクル上のパターンを基板に露光する
際に適用し得る。
【０００２】
【従来の技術】従来の露光装置は、ウエハを露光処理す
る際、同一のレチクルを同一のアライメント条件でセツ
トアツプ処理して、ある枚数の同一種類のウエハでなる
１ロツト単位で露光処理していた。また露光装置は、ロ
ツト毎にレチクルを交換すると共に、レチクルを交換す
る毎に同一処理内容、例えば同一アライメント条件で必
ずセツトアツプ処理していた。
る際、同一のレチクルを同一のアライメント条件でセツ
トアツプ処理して、ある枚数の同一種類のウエハでなる
１ロツト単位で露光処理していた。また露光装置は、ロ
ツト毎にレチクルを交換すると共に、レチクルを交換す
る毎に同一処理内容、例えば同一アライメント条件で必
ずセツトアツプ処理していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、同一種類の
ウエハは、一般的に複数ロツト連続して露光処理され
る。このため、同一種類のウエハを上述の露光装置で複
数ロツト連続して露光処理すると、同一レチクルで露光
処理するにもかかわらず、不要なセツトアツプ処理がロ
ツト数だけ必ず発生することになる。従つて、不要なセ
ツトアツプ処理に時間が掛かる分、露光処理のスループ
ツトが全体として低下するという問題があつた。
ウエハは、一般的に複数ロツト連続して露光処理され
る。このため、同一種類のウエハを上述の露光装置で複
数ロツト連続して露光処理すると、同一レチクルで露光
処理するにもかかわらず、不要なセツトアツプ処理がロ
ツト数だけ必ず発生することになる。従つて、不要なセ
ツトアツプ処理に時間が掛かる分、露光処理のスループ
ツトが全体として低下するという問題があつた。
【０００４】因みに、ウエハをロツト単位で露光処理す
る際、従来の露光装置は、例えば図５及び図６に示す露
光制御手順に従つてレチクル等をセツトアツプ処理して
いた。すなわち、露光装置は、ステツプＳＰ０から入
り、ステツプＳＰ１においてロツト品種及びロツトのウ
エハ数Ｎが設定されるとステツプＳＰ２、３及び４に移
り、ステツプＳＰ２、３及び４からそれぞれ始まる手順
を並行して実行する。ステツプＳＰ２において、露光装
置は、ウエハのロツトを搬入するとロツト搬入済フラグ
を立てる。
る際、従来の露光装置は、例えば図５及び図６に示す露
光制御手順に従つてレチクル等をセツトアツプ処理して
いた。すなわち、露光装置は、ステツプＳＰ０から入
り、ステツプＳＰ１においてロツト品種及びロツトのウ
エハ数Ｎが設定されるとステツプＳＰ２、３及び４に移
り、ステツプＳＰ２、３及び４からそれぞれ始まる手順
を並行して実行する。ステツプＳＰ２において、露光装
置は、ウエハのロツトを搬入するとロツト搬入済フラグ
を立てる。
【０００５】ステツプＳＰ３において露光装置は、レチ
クルステージ及びウエハステージの位置を初期化してス
テツプＳＰ５に移り、このステツプＳＰ５においてアラ
イメントパラメータを設定するとアライメントパラメー
タ設定済フラグを立てる。一方、ステツプＳＰ４におい
て露光装置は、レチクルを検査して、塵埃が付着してい
ないことを確認してステツプＳＰ６に移る。ステツプＳ
Ｐ６において露光装置は、レチクルのバーコードをチエ
ツクして得たデータとデータベースのデータとを照合し
て、レチクルがロツト品種に対応した適切なものである
ことを確認するとバーコードチエツク済フラグを立て
る。
クルステージ及びウエハステージの位置を初期化してス
テツプＳＰ５に移り、このステツプＳＰ５においてアラ
イメントパラメータを設定するとアライメントパラメー
タ設定済フラグを立てる。一方、ステツプＳＰ４におい
て露光装置は、レチクルを検査して、塵埃が付着してい
ないことを確認してステツプＳＰ６に移る。ステツプＳ
Ｐ６において露光装置は、レチクルのバーコードをチエ
ツクして得たデータとデータベースのデータとを照合し
て、レチクルがロツト品種に対応した適切なものである
ことを確認するとバーコードチエツク済フラグを立て
る。
【０００６】露光装置は、アライメントパラメータ設定
済フラグ及びバーコードチエツク済フラグが立つている
と、ステツプＳＰ７に移る。ステツプＳＰ７において露
光装置は、レチクルをレチクルステージ上にローデイン
グするとステツプＳＰ８に移る。ステツプＳＰ８におい
て露光装置は、ベースラインをチエツクしてレチクルが
正確にアライメントされていることを確認するとベース
ラインチエツク済フラグを立てる。
済フラグ及びバーコードチエツク済フラグが立つている
と、ステツプＳＰ７に移る。ステツプＳＰ７において露
光装置は、レチクルをレチクルステージ上にローデイン
グするとステツプＳＰ８に移る。ステツプＳＰ８におい
て露光装置は、ベースラインをチエツクしてレチクルが
正確にアライメントされていることを確認するとベース
ラインチエツク済フラグを立てる。
【０００７】続いて露光装置は、ロツト搬入済フラグ及
びベースラインチエツク済フラグが立つていると、ステ
ツプＳＰ９に移る。ステツプＳＰ９において露光装置
は、処理済ウエハ数ＷをＷ＝０にクリアしてステツプＳ
Ｐ１０に移る。ステツプＳＰ１０において露光装置は、
ウエハケースより取り出した１枚目のウエハをウエハス
テージにローデイングしてステツプＳＰ１１に移る。
びベースラインチエツク済フラグが立つていると、ステ
ツプＳＰ９に移る。ステツプＳＰ９において露光装置
は、処理済ウエハ数ＷをＷ＝０にクリアしてステツプＳ
Ｐ１０に移る。ステツプＳＰ１０において露光装置は、
ウエハケースより取り出した１枚目のウエハをウエハス
テージにローデイングしてステツプＳＰ１１に移る。
【０００８】ステツプＳＰ１１において露光装置は、Ｗ
＝０であるか否かを判断し、ここでは１枚目のウエハの
露光処理が済んでいないため、肯定結果を得てステツプ
ＳＰ１２に移る。ステツプＳＰ１２において露光装置
は、ウエハプリアライメントアシストする。すなわち露
光装置は、センサで正確にウエハの位置を測定すること
ができる位置まで粗く移動させる。
＝０であるか否かを判断し、ここでは１枚目のウエハの
露光処理が済んでいないため、肯定結果を得てステツプ
ＳＰ１２に移る。ステツプＳＰ１２において露光装置
は、ウエハプリアライメントアシストする。すなわち露
光装置は、センサで正確にウエハの位置を測定すること
ができる位置まで粗く移動させる。
【０００９】続いて露光装置は、ステツプＳＰ１３に移
り、ウエハを正確にアライメントしてステツプＳＰ１４
に移り、ウエハを露光処理するとステツプＳＰ１５に移
る。ステツプＳＰ１５において露光装置は、露光済のウ
エハをウエハステージよりアンローデイングしてウエハ
ケースに戻すとステツプＳＰ１６に移る。ステツプＳＰ
１６において露光装置は、処理済ウエハ数ＷをＷ＝Ｗ＋
１にインクリメントしてステツプＳＰ１７に移る。
り、ウエハを正確にアライメントしてステツプＳＰ１４
に移り、ウエハを露光処理するとステツプＳＰ１５に移
る。ステツプＳＰ１５において露光装置は、露光済のウ
エハをウエハステージよりアンローデイングしてウエハ
ケースに戻すとステツプＳＰ１６に移る。ステツプＳＰ
１６において露光装置は、処理済ウエハ数ＷをＷ＝Ｗ＋
１にインクリメントしてステツプＳＰ１７に移る。
【００１０】ステツプＳＰ１７において露光装置は、Ｗ
＝Ｎであるか否かを判断する。ステツプＳＰ１７におい
て否定結果を得ると、露光装置は処理済ウエハ数Ｗがロ
ツトのウエハ数Ｎに達していないと判断してステツプＳ
Ｐ１０に戻り、未露光のウエハをローデイングして上述
の手順を繰り返す。
＝Ｎであるか否かを判断する。ステツプＳＰ１７におい
て否定結果を得ると、露光装置は処理済ウエハ数Ｗがロ
ツトのウエハ数Ｎに達していないと判断してステツプＳ
Ｐ１０に戻り、未露光のウエハをローデイングして上述
の手順を繰り返す。
【００１１】２枚目以降のウエハをローデイングする
と、露光装置は、ステツプＳＰ１１において否定結果を
得てステツプＳＰ１３に移る。やがてＮ枚目のウエハま
でを露光処理すると、露光装置は、ステツプＳＰ１７に
おいて肯定結果を得てステツプＳＰ１８に移り、露光済
ロツトを搬出する。続いて露光装置は、ステツプＳＰ１
９に移り、レチクルをアンローデイングすると共に、塵
埃の付着の有無を検査してステツプＳＰ２０に移る。ス
テツプＳＰ２０において露光装置は、レチクルをレチク
ルケースに収納してステツプＳＰ２１に移り、露光処理
手順を終了する。
と、露光装置は、ステツプＳＰ１１において否定結果を
得てステツプＳＰ１３に移る。やがてＮ枚目のウエハま
でを露光処理すると、露光装置は、ステツプＳＰ１７に
おいて肯定結果を得てステツプＳＰ１８に移り、露光済
ロツトを搬出する。続いて露光装置は、ステツプＳＰ１
９に移り、レチクルをアンローデイングすると共に、塵
埃の付着の有無を検査してステツプＳＰ２０に移る。ス
テツプＳＰ２０において露光装置は、レチクルをレチク
ルケースに収納してステツプＳＰ２１に移り、露光処理
手順を終了する。
【００１２】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、ある数量の被加工対象を被加工単位として設定し、
複数被加工単位を同一の加工手段によつて連続して加工
する際のスループツトを向上させ得る加工方法を提案し
ようとするものである。
で、ある数量の被加工対象を被加工単位として設定し、
複数被加工単位を同一の加工手段によつて連続して加工
する際のスループツトを向上させ得る加工方法を提案し
ようとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに、一実施例を表す図１に対応付けて説明すると、請
求項１に記載の加工方法では、一定数の被加工対象
（２）を加工手段（６）による１回の被加工単位として
設定し、被加工単位に対応した第１の定常的処理（１１
〜１６、……）を設定した加工手段（６）によつて、被
加工対象（２）を被加工単位で加工する加工方法におい
て、第１の定常的処理（１１〜１６、……）のうち被加
工単位に応じた不要な処理を判断し、判断結果に基づい
て、不要な処理を第１の定常的処理（１１〜１６、…
…）から除き、不要な処理を第１の定常的処理から除い
て得た第２の定常的処理を加工手段に設定し、第２の定
常的処理を設定した加工手段（６）によつて、被加工対
象（２）を該被加工単位で加工するようにする。
めに、一実施例を表す図１に対応付けて説明すると、請
求項１に記載の加工方法では、一定数の被加工対象
（２）を加工手段（６）による１回の被加工単位として
設定し、被加工単位に対応した第１の定常的処理（１１
〜１６、……）を設定した加工手段（６）によつて、被
加工対象（２）を被加工単位で加工する加工方法におい
て、第１の定常的処理（１１〜１６、……）のうち被加
工単位に応じた不要な処理を判断し、判断結果に基づい
て、不要な処理を第１の定常的処理（１１〜１６、…
…）から除き、不要な処理を第１の定常的処理から除い
て得た第２の定常的処理を加工手段に設定し、第２の定
常的処理を設定した加工手段（６）によつて、被加工対
象（２）を該被加工単位で加工するようにする。
【００１４】請求項２に記載の加工方法では、加工手段
は、面上にパターンが形成されたレチクル（６）であ
り、被加工対象は、基板（２）であり、加工方法は、レ
チクルより得た光束（ＬＡ１）によつてパターンの像を
基板（２）に露光する露光方法である。請求項３に記載
の加工方法では、不要な処理は、加工手段（６）の検査
及び又は搬送及び又は収納及び又は位置設定である。
は、面上にパターンが形成されたレチクル（６）であ
り、被加工対象は、基板（２）であり、加工方法は、レ
チクルより得た光束（ＬＡ１）によつてパターンの像を
基板（２）に露光する露光方法である。請求項３に記載
の加工方法では、不要な処理は、加工手段（６）の検査
及び又は搬送及び又は収納及び又は位置設定である。
【００１５】同一の加工手段（６）を使用して加工され
る一定数の被加工対象（２）でなる被加工単位で加工手
段（６）に設定されている第１の定常的処理（１１〜１
６、……）のうち、被加工単位で連続的に処理する場合
に不要な処理を、外部より任意に設定されたパラメータ
による所定の条件を使用して判断し、不要な処理を除い
て加工手段（６）に設定した第２の定常的処理だけを実
行することにより、一定数量の被加工対象（２）を被加
工単位として設定し、複数被加工単位を同一の加工手段
（６）によつて連続して加工する際のスループツトを向
上させることができる。
る一定数の被加工対象（２）でなる被加工単位で加工手
段（６）に設定されている第１の定常的処理（１１〜１
６、……）のうち、被加工単位で連続的に処理する場合
に不要な処理を、外部より任意に設定されたパラメータ
による所定の条件を使用して判断し、不要な処理を除い
て加工手段（６）に設定した第２の定常的処理だけを実
行することにより、一定数量の被加工対象（２）を被加
工単位として設定し、複数被加工単位を同一の加工手段
（６）によつて連続して加工する際のスループツトを向
上させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１７】図１は全体として露光装置１を示し、被加
工対象、例えば半導体装置を製造するためのウエハ２を
複数ロツト連続して露光処理するとき、露光制御手順を
ロツト数に応じて制御して、全体のスループツトを向上
させる。照明光学系３より射出された光束ＬＡ１は、レ
ンズ４を通り、レチクルステージ５上に載置されたレチ
クル６に照射されてレチクル６を照明する。照明された
レチクル６の像は、投影光学系７を介して、ウエハステ
ージ８上に載置されたウエハ２上に投影される。
工対象、例えば半導体装置を製造するためのウエハ２を
複数ロツト連続して露光処理するとき、露光制御手順を
ロツト数に応じて制御して、全体のスループツトを向上
させる。照明光学系３より射出された光束ＬＡ１は、レ
ンズ４を通り、レチクルステージ５上に載置されたレチ
クル６に照射されてレチクル６を照明する。照明された
レチクル６の像は、投影光学系７を介して、ウエハステ
ージ８上に載置されたウエハ２上に投影される。
【００１８】露光装置１は、全体を制御部９によつて制
御する。露光装置１は、露光処理のための定常的処理に
必要な複数の処理プログラムをプログラム記憶部１０に
記憶している。複数の処理プログラムは、例えばステー
ジ位置初期化プログラム１１、アライメントパラメータ
設定プログラム１２、レチクル検査プログラム１３、バ
ーコードチエツクプログラム１４、ベースラインチエツ
クプログラム１５、ウエハプリアライメントアシストプ
ログラム１６である。この他の処理プログラムとして、
ロツト搬送プログラム、レチクルローデイング及びアン
ローデイングプログラム、ウエハローデイング及びアン
ローデイングプログラム、ウエハアライメントプログラ
ム、レチクルケース収納プログラム等がプログラム記憶
部１０に記憶されている。
御する。露光装置１は、露光処理のための定常的処理に
必要な複数の処理プログラムをプログラム記憶部１０に
記憶している。複数の処理プログラムは、例えばステー
ジ位置初期化プログラム１１、アライメントパラメータ
設定プログラム１２、レチクル検査プログラム１３、バ
ーコードチエツクプログラム１４、ベースラインチエツ
クプログラム１５、ウエハプリアライメントアシストプ
ログラム１６である。この他の処理プログラムとして、
ロツト搬送プログラム、レチクルローデイング及びアン
ローデイングプログラム、ウエハローデイング及びアン
ローデイングプログラム、ウエハアライメントプログラ
ム、レチクルケース収納プログラム等がプログラム記憶
部１０に記憶されている。
【００１９】露光処理するとき、制御部９は、ロツト品
種、ロツト数、ロツトのウエハ数、２番目以降のロツト
に対する処理の周期及び選択がそれぞれ外部より設定さ
れ、作業データ記憶部１７に記憶される。制御部９は、
これらの設定に基づいて、処理済のウエハ数やロツト数
に応じた必要な処理プログラムを判断してプログラム記
憶部１０より読み出す。制御部９は、読み出した処理プ
ログラムによる処理を駆動機構１８及び１９、レチクル
検査部２０、レチクル用ローデイング機構（図示せ
ず）、レチクルケース用ロボツトハンド（図示せず）等
に設定し、それぞれの処理を順次あるいは並行して実行
する。
種、ロツト数、ロツトのウエハ数、２番目以降のロツト
に対する処理の周期及び選択がそれぞれ外部より設定さ
れ、作業データ記憶部１７に記憶される。制御部９は、
これらの設定に基づいて、処理済のウエハ数やロツト数
に応じた必要な処理プログラムを判断してプログラム記
憶部１０より読み出す。制御部９は、読み出した処理プ
ログラムによる処理を駆動機構１８及び１９、レチクル
検査部２０、レチクル用ローデイング機構（図示せ
ず）、レチクルケース用ロボツトハンド（図示せず）等
に設定し、それぞれの処理を順次あるいは並行して実行
する。
【００２０】例えば、制御部９は、ステージ位置初期化
プログラム１１及びアライメントパラメータ設定プログ
ラム１２を読み出して制御データＳ１及びＳ２を生成す
る。制御部９は、この制御データＳ１及びＳ２をそれぞ
れ駆動機構１８及び１９に与えて、それぞれレチクルス
テージ５及びウエハステージ８を駆動する。また制御部
９は、レチクルステージ５及びウエハステージ８の位置
を位置センサ（図示せず）の出力に基づいて検出する。
これにより、制御部９は、ウエハ２をレチクル６に対し
て位置決めすると共に、レチクル６を複数ロツトに対し
て同一条件となるようアライメントする。
プログラム１１及びアライメントパラメータ設定プログ
ラム１２を読み出して制御データＳ１及びＳ２を生成す
る。制御部９は、この制御データＳ１及びＳ２をそれぞ
れ駆動機構１８及び１９に与えて、それぞれレチクルス
テージ５及びウエハステージ８を駆動する。また制御部
９は、レチクルステージ５及びウエハステージ８の位置
を位置センサ（図示せず）の出力に基づいて検出する。
これにより、制御部９は、ウエハ２をレチクル６に対し
て位置決めすると共に、レチクル６を複数ロツトに対し
て同一条件となるようアライメントする。
【００２１】レチクル６は、防塵のためレチクルケース
２１に使用直前まで収納されている。またレチクル６を
収納したレチクルケース２１や空のレチクルケース２１
は、露光装置１内のケースストツク部２２にストツクさ
れる。制御部９は、レチクル６をレチクルケース２１へ
出し入れする際に、レチクル検査プログラム１３及びバ
ーコードチエツクプログラム１４を読み出して制御デー
タＳ３を生成する。制御部９は、この制御データＳ３を
レチクル検査部２０に与えて、レチクル６に対する塵埃
の付着の有無を検査したり、レチクルが設定された品種
に対応したものであるか否かをチエツクする。
２１に使用直前まで収納されている。またレチクル６を
収納したレチクルケース２１や空のレチクルケース２１
は、露光装置１内のケースストツク部２２にストツクさ
れる。制御部９は、レチクル６をレチクルケース２１へ
出し入れする際に、レチクル検査プログラム１３及びバ
ーコードチエツクプログラム１４を読み出して制御デー
タＳ３を生成する。制御部９は、この制御データＳ３を
レチクル検査部２０に与えて、レチクル６に対する塵埃
の付着の有無を検査したり、レチクルが設定された品種
に対応したものであるか否かをチエツクする。
【００２２】レチクル６は、ローデイング機構によつ
て、レチクル検査部２０よりレチクルステージ５上にロ
ーデイングされる。未露光及び露光済のウエハ２は、ウ
エハケース（図示せず）に複数収納される。ウエハケー
スは、露光装置１内のウエハケースストツク部（図示せ
ず）にストツクされる。
て、レチクル検査部２０よりレチクルステージ５上にロ
ーデイングされる。未露光及び露光済のウエハ２は、ウ
エハケース（図示せず）に複数収納される。ウエハケー
スは、露光装置１内のウエハケースストツク部（図示せ
ず）にストツクされる。
【００２３】以上の構成において、露光装置１は、図３
及び図４に示す露光制御手順に従つ露光処理する。すな
わち、露光装置１は、ステツプＳＰ３０から入り、ステ
ツプＳＰ３１においてロツト品種、ロツト数Ｍ、ロツト
のウエハ数Ｎがユーザによつて設定される。また図２に
示すように、露光装置１は、２番目以降のロツトに対す
る処理のステージ位置初期化周期ＴM1、アライメントパ
ラメータ設定の選択Ｃ1 、ローデイング後のレチクル検
査周期ＴR 、バーコードチエツクの選択Ｃ2 、ベースラ
インチエツク周期ＴM2、ウエハプリアライメントアシス
トの選択Ｃ3 、アンローデイング後のレチクル検査の選
択Ｃ4 がユーザによつてそれぞれ例えば２０、ＮＯ、１
０、ＮＯ、２０、ＮＯ、ＮＯと設定される。
及び図４に示す露光制御手順に従つ露光処理する。すな
わち、露光装置１は、ステツプＳＰ３０から入り、ステ
ツプＳＰ３１においてロツト品種、ロツト数Ｍ、ロツト
のウエハ数Ｎがユーザによつて設定される。また図２に
示すように、露光装置１は、２番目以降のロツトに対す
る処理のステージ位置初期化周期ＴM1、アライメントパ
ラメータ設定の選択Ｃ1 、ローデイング後のレチクル検
査周期ＴR 、バーコードチエツクの選択Ｃ2 、ベースラ
インチエツク周期ＴM2、ウエハプリアライメントアシス
トの選択Ｃ3 、アンローデイング後のレチクル検査の選
択Ｃ4 がユーザによつてそれぞれ例えば２０、ＮＯ、１
０、ＮＯ、２０、ＮＯ、ＮＯと設定される。
【００２４】この後、露光装置１は、ステツプＳＰ３２
に移つて処理済ロツト数ＬをＬ＝０にクリアすると、ス
テツプＳＰ３３、３４及び３５に移り、ステツプＳＰ３
３、３４及び３５からそれぞれ始まる手順を並行して実
行する。ステツプＳＰ３３において、露光装置１は、ウ
エハの最初のロツトを搬入するとロツト搬入済フラグを
立てる。
に移つて処理済ロツト数ＬをＬ＝０にクリアすると、ス
テツプＳＰ３３、３４及び３５に移り、ステツプＳＰ３
３、３４及び３５からそれぞれ始まる手順を並行して実
行する。ステツプＳＰ３３において、露光装置１は、ウ
エハの最初のロツトを搬入するとロツト搬入済フラグを
立てる。
【００２５】ステツプＳＰ３４において露光装置１は、
処理済ロツト数Ｌが周期ＴM1の整数倍であるか否かを判
断する。ステツプＳＰ３４において肯定結果を得ると、
露光装置１は、ステージを初期化する必要があると判断
してステツプＳＰ３６に移り、ステージ位置を初期化し
てステツプＳＰ３７に移る。ステツプＳＰ３７において
露光装置１は、アライメントパラメータが設定済である
か否かを判断する。ステツプＳＰ３７において否定結果
を得ると、露光装置１は、ステツプＳＰ３８に移り、ア
ライメントパラメータを設定してアライメントパラメー
タ設定済フラグを立てる。
処理済ロツト数Ｌが周期ＴM1の整数倍であるか否かを判
断する。ステツプＳＰ３４において肯定結果を得ると、
露光装置１は、ステージを初期化する必要があると判断
してステツプＳＰ３６に移り、ステージ位置を初期化し
てステツプＳＰ３７に移る。ステツプＳＰ３７において
露光装置１は、アライメントパラメータが設定済である
か否かを判断する。ステツプＳＰ３７において否定結果
を得ると、露光装置１は、ステツプＳＰ３８に移り、ア
ライメントパラメータを設定してアライメントパラメー
タ設定済フラグを立てる。
【００２６】一方、ステツプＳＰ３５において露光装置
１は、処理済ロツト数Ｌが周期ＴRの整数倍であるか否
かを判断する。ステツプＳＰ３５において肯定結果を得
ると、露光装置１はレチクル６を検査する必要があると
判断してステツプＳＰ３９に移り、レチクル６に対する
塵埃の付着の有無を検査してステツプＳＰ４０に移る。
ステツプＳＰ４０において露光装置１は、バーコードチ
エツク済であるか否かを判断する。ステツプＳＰ４０に
おいて否定結果を得ると、露光装置１はステツプＳＰ４
１に移り、レチクル６上のバーコードをチエツクしてバ
ーコードチエツク済フラグを立てる。
１は、処理済ロツト数Ｌが周期ＴRの整数倍であるか否
かを判断する。ステツプＳＰ３５において肯定結果を得
ると、露光装置１はレチクル６を検査する必要があると
判断してステツプＳＰ３９に移り、レチクル６に対する
塵埃の付着の有無を検査してステツプＳＰ４０に移る。
ステツプＳＰ４０において露光装置１は、バーコードチ
エツク済であるか否かを判断する。ステツプＳＰ４０に
おいて否定結果を得ると、露光装置１はステツプＳＰ４
１に移り、レチクル６上のバーコードをチエツクしてバ
ーコードチエツク済フラグを立てる。
【００２７】露光装置１は、アライメントパラメータ設
定済フラグ及びバーコードチエツク済フラグが立つてい
ると、ステツプＳＰ４２に移る。ステツプＳＰ４２にお
いて露光装置１は、レチクル６をローデイング済である
か否かを判断する。ステツプＳＰ４２において否定結果
を得ると、露光装置１はステツプＳＰ４３に移り、レチ
クル６をレチクルステージ５上にローデイングしてステ
ツプＳＰ４４に移る。
定済フラグ及びバーコードチエツク済フラグが立つてい
ると、ステツプＳＰ４２に移る。ステツプＳＰ４２にお
いて露光装置１は、レチクル６をローデイング済である
か否かを判断する。ステツプＳＰ４２において否定結果
を得ると、露光装置１はステツプＳＰ４３に移り、レチ
クル６をレチクルステージ５上にローデイングしてステ
ツプＳＰ４４に移る。
【００２８】ステツプＳＰ４４において露光装置１は、
処理済ロツト数Ｌが周期ＴM2の整数倍であるか否かを判
断する。ステツプＳＰ４４において肯定結果を得ると、
露光装置１は、レチクル６のベースラインをチエツクす
る必要があると判断して、ステツプＳＰ４５に移り、レ
チクル６を正常にアライメントしてベースラインチエツ
ク済フラグを立てる。
処理済ロツト数Ｌが周期ＴM2の整数倍であるか否かを判
断する。ステツプＳＰ４４において肯定結果を得ると、
露光装置１は、レチクル６のベースラインをチエツクす
る必要があると判断して、ステツプＳＰ４５に移り、レ
チクル６を正常にアライメントしてベースラインチエツ
ク済フラグを立てる。
【００２９】露光装置１は、ロツト搬入済フラグ及びベ
ースラインチエツク済フラグが立つていると、ステツプ
ＳＰ４６に移る。ステツプＳＰ４６において露光装置１
は、処理済ウエハ数ＷをＷ＝０にクリアしてステツプＳ
Ｐ４７に移りウエハ２をウエハステージ８上にローデイ
ングしてステツプＳＰ４８に移る。
ースラインチエツク済フラグが立つていると、ステツプ
ＳＰ４６に移る。ステツプＳＰ４６において露光装置１
は、処理済ウエハ数ＷをＷ＝０にクリアしてステツプＳ
Ｐ４７に移りウエハ２をウエハステージ８上にローデイ
ングしてステツプＳＰ４８に移る。
【００３０】ステツプＳＰ４８において露光装置１は処
理済ロツト数Ｌと処理済ウエハ数Ｗとを加算して得た数
が０であるか否かを判断する。ステツプＳＰ４８におい
て肯定結果を得ると、露光装置１は、最初のロツトの最
初のウエハであると判断してステツプＳＰ４９に移り、
位置検出手段の検出範囲内に入るようにウエハ２を粗く
位置決めしてステツプＳＰ５０に移る。
理済ロツト数Ｌと処理済ウエハ数Ｗとを加算して得た数
が０であるか否かを判断する。ステツプＳＰ４８におい
て肯定結果を得ると、露光装置１は、最初のロツトの最
初のウエハであると判断してステツプＳＰ４９に移り、
位置検出手段の検出範囲内に入るようにウエハ２を粗く
位置決めしてステツプＳＰ５０に移る。
【００３１】ステツプＳＰ５０において露光装置１は、
ウエハ２を精密に位置決めしてステツプＳＰ５１に移
り、ウエハ２にレチクル上のパターンを露光する。この
後、ステツプＳＰ５２において露光装置１は、ウエハ２
をアンローデイングしてウエハケースに戻してステツプ
ＳＰ５３に移る。ステツプＳＰ５３において露光装置１
は、露光済ウエハ数ＷをＷ＝Ｗ＋１にインクリメントし
てステツプＳＰ５４に移る。
ウエハ２を精密に位置決めしてステツプＳＰ５１に移
り、ウエハ２にレチクル上のパターンを露光する。この
後、ステツプＳＰ５２において露光装置１は、ウエハ２
をアンローデイングしてウエハケースに戻してステツプ
ＳＰ５３に移る。ステツプＳＰ５３において露光装置１
は、露光済ウエハ数ＷをＷ＝Ｗ＋１にインクリメントし
てステツプＳＰ５４に移る。
【００３２】ステツプＳＰ５４において露光装置１は、
露光済ウエハ数ＷがＷ＝Ｎを満たすか否かを判断する。
ステツプＳＰ５４において否定結果を得ると露光装置１
は、１つのロツトの露光処理が済んでいないと判断して
ステツプＳＰ４７に戻り、上述の手順を繰り返す。ステ
ツプＳＰ４７において２枚目以降のウエハ２をローデイ
ングすると、露光装置１は、ステツプＳＰ４８において
否定結果を得てステツプＳＰ５５に移る。ステツプＳＰ
５５において露光装置１は、選択Ｃ3 が「Ｎ０」に設定
されていることにより否定結果を得てステツプＳＰ５０
に移り、上述の手順を繰り返す。
露光済ウエハ数ＷがＷ＝Ｎを満たすか否かを判断する。
ステツプＳＰ５４において否定結果を得ると露光装置１
は、１つのロツトの露光処理が済んでいないと判断して
ステツプＳＰ４７に戻り、上述の手順を繰り返す。ステ
ツプＳＰ４７において２枚目以降のウエハ２をローデイ
ングすると、露光装置１は、ステツプＳＰ４８において
否定結果を得てステツプＳＰ５５に移る。ステツプＳＰ
５５において露光装置１は、選択Ｃ3 が「Ｎ０」に設定
されていることにより否定結果を得てステツプＳＰ５０
に移り、上述の手順を繰り返す。
【００３３】やがて１つのロツトの最後のウエハに対す
る露光処理が済むと、露光装置１は、ステツプＳＰ５４
において肯定結果を得てステツプＳＰ５６に移り、露光
済ロツトを搬出してステツプＳＰ５７に移る。ステツプ
ＳＰ５７において露光装置１は露光済ロツト数ＬをＬ＝
Ｌ＋１にインクリメントしてステツプＳＰ５８に移り露
光済ロツト数ＬがＬ＝Ｍを満たすか否かを判断する。ス
テツプＳＰ５８において否定結果を得ると、露光装置１
は処理すべきロツトが残つていると判断してステツプＳ
Ｐ３３、３４及び３５に戻り、上述の手順を繰り返す。
る露光処理が済むと、露光装置１は、ステツプＳＰ５４
において肯定結果を得てステツプＳＰ５６に移り、露光
済ロツトを搬出してステツプＳＰ５７に移る。ステツプ
ＳＰ５７において露光装置１は露光済ロツト数ＬをＬ＝
Ｌ＋１にインクリメントしてステツプＳＰ５８に移り露
光済ロツト数ＬがＬ＝Ｍを満たすか否かを判断する。ス
テツプＳＰ５８において否定結果を得ると、露光装置１
は処理すべきロツトが残つていると判断してステツプＳ
Ｐ３３、３４及び３５に戻り、上述の手順を繰り返す。
【００３４】次に、２番目のロツトを処理する場合を考
える。この場合、ステツプＳＰ３４において露光装置１
は、処理済ロツト数Ｌが周期ＴM1の整数倍でないことに
より、否定結果を得てステツプＳＰ３７に移る。これに
より露光装置１は、ステージ位置初期化にかかる時間を
削減することができる。
える。この場合、ステツプＳＰ３４において露光装置１
は、処理済ロツト数Ｌが周期ＴM1の整数倍でないことに
より、否定結果を得てステツプＳＰ３７に移る。これに
より露光装置１は、ステージ位置初期化にかかる時間を
削減することができる。
【００３５】ステツプＳＰ３７において露光装置１は、
最初のロツトの処理によつてアライメントパラメータ設
定済フラグが既に立つていることにより、肯定結果を得
てステツプＳＰ５９に移る。ステツプＳＰ５９において
露光装置１は、選択Ｃ1 が「ＮＯ」に設定されているこ
とにより、否定結果を得てアライメントパラメータ設定
済フラグが立つた状態を維持する。これにより、露光装
置１はアライメントパラメータ設定にかかる時間を削減
することができる。
最初のロツトの処理によつてアライメントパラメータ設
定済フラグが既に立つていることにより、肯定結果を得
てステツプＳＰ５９に移る。ステツプＳＰ５９において
露光装置１は、選択Ｃ1 が「ＮＯ」に設定されているこ
とにより、否定結果を得てアライメントパラメータ設定
済フラグが立つた状態を維持する。これにより、露光装
置１はアライメントパラメータ設定にかかる時間を削減
することができる。
【００３６】さらにステツプＳＰ３５において露光装置
１は、処理済ロツト数Ｌが周期ＴRの整数倍でないこと
により、否定結果を得てステツプＳＰ４０に移る。これ
により、露光装置１は、レチクル検査にかかる時間を削
減することができる。
１は、処理済ロツト数Ｌが周期ＴRの整数倍でないこと
により、否定結果を得てステツプＳＰ４０に移る。これ
により、露光装置１は、レチクル検査にかかる時間を削
減することができる。
【００３７】さらにステツプＳＰ４０において露光装置
１は、最初のロツトの処理によつてバーコードチエツク
済フラグが既に立つていることにより、肯定結果を得て
ステツプＳＰ６０に移る。ステツプＳＰ６０において露
光装置１は、選択Ｃ2 が「ＮＯ」に設定されていること
により、否定結果を得てバーコードチエツク済フラグが
立つた状態を維持する。これにより、露光装置１は、バ
ーコードチエツクにかかる時間を削減することができ
る。
１は、最初のロツトの処理によつてバーコードチエツク
済フラグが既に立つていることにより、肯定結果を得て
ステツプＳＰ６０に移る。ステツプＳＰ６０において露
光装置１は、選択Ｃ2 が「ＮＯ」に設定されていること
により、否定結果を得てバーコードチエツク済フラグが
立つた状態を維持する。これにより、露光装置１は、バ
ーコードチエツクにかかる時間を削減することができ
る。
【００３８】さらにステツプＳＰ４２において露光装置
１は、最初のロツトの処理によつて、レチクル６が既に
ローデイングされていることにより、肯定結果を得てス
テツプＳＰ４４に移る。これにより、レチクルローデイ
ングにかかる時間を削減することができる。
１は、最初のロツトの処理によつて、レチクル６が既に
ローデイングされていることにより、肯定結果を得てス
テツプＳＰ４４に移る。これにより、レチクルローデイ
ングにかかる時間を削減することができる。
【００３９】さらにステツプＳＰ４４において露光装置
１は、処理済ロツト数Ｌが周期ＴM2の整数倍でないこと
により、否定結果を得てベースラインチエツク済フラグ
が立つた状態を維持する。これにより、露光装置１は、
ベースラインチエツクにかかる時間を削減することがで
きる。
１は、処理済ロツト数Ｌが周期ＴM2の整数倍でないこと
により、否定結果を得てベースラインチエツク済フラグ
が立つた状態を維持する。これにより、露光装置１は、
ベースラインチエツクにかかる時間を削減することがで
きる。
【００４０】さらにステツプＳＰ４８において、露光装
置１は、最初のロツトの処理により処理済ロツト数Ｌと
処理済ウエハ数Ｗとを加算して得た数が１以上となり、
否定結果を得てステツプＳＰ５５に移る。ステツプＳＰ
５５において露光装置１は、選択Ｃ3 が「ＮＯ」に設定
されていることにより否定結果を得てステツプＳＰ５０
に移る。これにより、露光装置１は、２番目〜１０番目
のロツトに対するウエハプリアライメントアシストにか
かる時間を削減することができる。
置１は、最初のロツトの処理により処理済ロツト数Ｌと
処理済ウエハ数Ｗとを加算して得た数が１以上となり、
否定結果を得てステツプＳＰ５５に移る。ステツプＳＰ
５５において露光装置１は、選択Ｃ3 が「ＮＯ」に設定
されていることにより否定結果を得てステツプＳＰ５０
に移る。これにより、露光装置１は、２番目〜１０番目
のロツトに対するウエハプリアライメントアシストにか
かる時間を削減することができる。
【００４１】次に、１１番目のロツトを処理する場合を
考える。この場合、ステツプＳＰ３５において露光装置
１は、処理済ロツト数Ｌが周期ＴR の整数倍となること
により、肯定結果を得てステツプＳＰ３９に移りレチク
ルを検査する。
考える。この場合、ステツプＳＰ３５において露光装置
１は、処理済ロツト数Ｌが周期ＴR の整数倍となること
により、肯定結果を得てステツプＳＰ３９に移りレチク
ルを検査する。
【００４２】次に、２１番目のロツトを処理する場合を
考える。この場合、ステツプＳＰ３４において露光装置
１は、処理済ロツト数Ｌが周期ＴM1の整数倍となること
により、肯定結果を得てステツプＳＰ３６に移りステー
ジ位置を初期化する。またステツプＳＰ３５において露
光装置１は、処理済ロツト数Ｌが周期ＴR の整数倍とな
ることにより、肯定結果を得てステツプＳＰ３９に移り
レチクルを検査する。さらにステツプＳＰ４４において
露光装置１は、処理済ロツト数Ｌが周期ＴM2の整数倍と
なることにより、肯定結果を得てステツプＳＰ４５に移
りベースラインをチエツクする。
考える。この場合、ステツプＳＰ３４において露光装置
１は、処理済ロツト数Ｌが周期ＴM1の整数倍となること
により、肯定結果を得てステツプＳＰ３６に移りステー
ジ位置を初期化する。またステツプＳＰ３５において露
光装置１は、処理済ロツト数Ｌが周期ＴR の整数倍とな
ることにより、肯定結果を得てステツプＳＰ３９に移り
レチクルを検査する。さらにステツプＳＰ４４において
露光装置１は、処理済ロツト数Ｌが周期ＴM2の整数倍と
なることにより、肯定結果を得てステツプＳＰ４５に移
りベースラインをチエツクする。
【００４３】露光装置１は、以上の手順で１０又は２０
の倍数のロツトに対する露光処理が済む毎に一部のセツ
トアツプ処理だけを繰り返すことになる。やがて処理済
ロツト数Ｌがロツト数Ｍに達すると、ステツプＳＰ５８
において露光装置１は、肯定結果を得てステツプＳＰ６
１に移る。ステツプＳＰ６１において露光装置１はレチ
クル６をアンローデイングすると共に、レチクル６をレ
チクル検査部２０に搬送してレチクルに対する塵埃付着
の有無を検査してステツプＳＰ６２に移る。
の倍数のロツトに対する露光処理が済む毎に一部のセツ
トアツプ処理だけを繰り返すことになる。やがて処理済
ロツト数Ｌがロツト数Ｍに達すると、ステツプＳＰ５８
において露光装置１は、肯定結果を得てステツプＳＰ６
１に移る。ステツプＳＰ６１において露光装置１はレチ
クル６をアンローデイングすると共に、レチクル６をレ
チクル検査部２０に搬送してレチクルに対する塵埃付着
の有無を検査してステツプＳＰ６２に移る。
【００４４】ステツプＳＰ６２において露光装置１は、
選択Ｃ4 が「ＮＯ」に設定されていることにより、否定
結果を得てステツプＳＰ６３に移る。これにより、露光
装置１は、肯定結果を得た場合に移るステツプＳＰ６４
におけるレチクル検査にかかる時間を削減することがで
きる。
選択Ｃ4 が「ＮＯ」に設定されていることにより、否定
結果を得てステツプＳＰ６３に移る。これにより、露光
装置１は、肯定結果を得た場合に移るステツプＳＰ６４
におけるレチクル検査にかかる時間を削減することがで
きる。
【００４５】ステツプＳＰ６３において露光装置１は、
レチクル６をレチクルケース２１に収納して、このレチ
クルケース２１をケースストツク部２２にストツクする
とステツプＳＰ６５に移り露光制御手順を終了する。こ
のようにして、露光装置１は、外部より設定された周期
ＴM1、ＴR 、ＴM2及び選択Ｃ1 、Ｃ2 、Ｃ3 、Ｃ4 によ
る条件が成立した処理だけを実行する。
レチクル６をレチクルケース２１に収納して、このレチ
クルケース２１をケースストツク部２２にストツクする
とステツプＳＰ６５に移り露光制御手順を終了する。こ
のようにして、露光装置１は、外部より設定された周期
ＴM1、ＴR 、ＴM2及び選択Ｃ1 、Ｃ2 、Ｃ3 、Ｃ4 によ
る条件が成立した処理だけを実行する。
【００４６】これにより、露光装置１は、従来１ロツト
毎に必ずかかつていたレチクル６等のセツトアツプ時間
を格段的に削減することができる。従つて、同一品種の
ウエハ２を複数ロツト連続して大量に露光処理する量産
ラインにおいて、露光装置１は、全体のスループツトを
一段と向上させることができる。
毎に必ずかかつていたレチクル６等のセツトアツプ時間
を格段的に削減することができる。従つて、同一品種の
ウエハ２を複数ロツト連続して大量に露光処理する量産
ラインにおいて、露光装置１は、全体のスループツトを
一段と向上させることができる。
【００４７】以上の構成によれば、同一のレチクル６等
を使用して露光処理される一定数のウエハ２でなるロツ
ト単位でレチクル６等に設定されている定常的処理のう
ち、ロツト単位で連続的に処理する場合に不要な処理
を、外部より任意に設定された周期ＴM1、ＴR 、ＴM2及
び選択Ｃ1 、Ｃ2 、Ｃ3 、Ｃ4 による所定の条件を使用
して判断し、不要な処理を除いてレチクル６等に設定し
た定常的処理だけを実行することにより、複数ロツトを
同一のレチクル６等によつて連続して露光処理する際の
スループツトを一段と向上させることができる。
を使用して露光処理される一定数のウエハ２でなるロツ
ト単位でレチクル６等に設定されている定常的処理のう
ち、ロツト単位で連続的に処理する場合に不要な処理
を、外部より任意に設定された周期ＴM1、ＴR 、ＴM2及
び選択Ｃ1 、Ｃ2 、Ｃ3 、Ｃ4 による所定の条件を使用
して判断し、不要な処理を除いてレチクル６等に設定し
た定常的処理だけを実行することにより、複数ロツトを
同一のレチクル６等によつて連続して露光処理する際の
スループツトを一段と向上させることができる。
【００４８】なお上述の実施例においては、例えば半導
体装置を製造するためのウエハ２に露光する場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、例えば画像表示装
置を製造するための感光基板に露光する場合にも適用す
ることができる。この場合にも上述と同様の効果を得る
ことができる。
体装置を製造するためのウエハ２に露光する場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、例えば画像表示装
置を製造するための感光基板に露光する場合にも適用す
ることができる。この場合にも上述と同様の効果を得る
ことができる。
【００４９】また上述の実施例においては、ウエハ２に
露光する場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、一定数の任意の被加工対象を被加工単位として設定
し、この被加工単位で加工手段に設定された第１の定常
的処理のうち、複数ロツトを同一加工手段で加工する場
合に不要な処理を判断して取り除き、必要な処理でなる
第２の定常的処理を加工手段に設定して、任意に加工す
る場合にも広く適用できる。
露光する場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、一定数の任意の被加工対象を被加工単位として設定
し、この被加工単位で加工手段に設定された第１の定常
的処理のうち、複数ロツトを同一加工手段で加工する場
合に不要な処理を判断して取り除き、必要な処理でなる
第２の定常的処理を加工手段に設定して、任意に加工す
る場合にも広く適用できる。
【００５０】
【発明の効果】上述のように、本発明によれば、同一の
加工手段を使用して加工される一定数の被加工対象でな
る被加工単位で加工手段に設定されている第１の定常的
処理のうち、被加工単位で連続的に処理する場合に不要
な処理を、外部より任意に設定されたパラメータによる
所定の条件を使用して判断し、不要な処理を除いて加工
手段に設定した第２の定常的処理だけを実行することに
より、一定数量の被加工対象を被加工単位として設定
し、複数被加工単位を同一の加工手段によつて連続して
加工する際のスループツトを一段と向上させ得る加工方
法を実現することができる。
加工手段を使用して加工される一定数の被加工対象でな
る被加工単位で加工手段に設定されている第１の定常的
処理のうち、被加工単位で連続的に処理する場合に不要
な処理を、外部より任意に設定されたパラメータによる
所定の条件を使用して判断し、不要な処理を除いて加工
手段に設定した第２の定常的処理だけを実行することに
より、一定数量の被加工対象を被加工単位として設定
し、複数被加工単位を同一の加工手段によつて連続して
加工する際のスループツトを一段と向上させ得る加工方
法を実現することができる。
【図１】本発明による加工方法の一実施例による露光装
置を示す略線的ブロツク図である。
置を示す略線的ブロツク図である。
【図２】２番目以降のロツトに対する処理の周期及び選
択の例を示す図表である。
択の例を示す図表である。
【図３】実施例による露光装置の露光制御手順を示すフ
ローチヤートである。
ローチヤートである。
【図４】実施例による露光装置の露光制御手順を示すフ
ローチヤートである。
ローチヤートである。
【図５】従来の露光装置の露光制御手順を示すフローチ
ヤートである。
ヤートである。
【図６】従来の露光装置の露光制御手順を示すフローチ
ヤートである。
ヤートである。
１……露光装置、２……ウエハ、３……照明光学系、４
……レンズ、５……レチクルステージ、６……レチク
ル、７……投影光学系、８……ウエハステージ、９……
制御部、１０……プログラム記憶部、１１……ステージ
位置初期化プログラム、１２……アライメントパラメー
タ設定プログラム、１３……レチクル検査プログラム、
１４……バーコードチエツクプログラム、１５……ベー
スラインチエツクプログラム、１６……ウエハプリアラ
イメントアシストプログラム、１７……作業データ記憶
部、１８、１９……駆動機構、２０……レチクル検査
部、２１……レチクルケース、２２……ケースストツク
部。
……レンズ、５……レチクルステージ、６……レチク
ル、７……投影光学系、８……ウエハステージ、９……
制御部、１０……プログラム記憶部、１１……ステージ
位置初期化プログラム、１２……アライメントパラメー
タ設定プログラム、１３……レチクル検査プログラム、
１４……バーコードチエツクプログラム、１５……ベー
スラインチエツクプログラム、１６……ウエハプリアラ
イメントアシストプログラム、１７……作業データ記憶
部、１８、１９……駆動機構、２０……レチクル検査
部、２１……レチクルケース、２２……ケースストツク
部。
Claims (3)
- 【請求項１】一定数の被加工対象を加工手段による１回
の被加工単位として設定し、前記被加工単位に対応した
第１の定常的処理を設定した前記加工手段によつて、前
記被加工対象を前記被加工単位で加工する加工方法にお
いて、 前記第１の定常的処理のうち前記被加工単位に応じた不
要な処理を判断し、 前記判断結果に基づいて、前記不要な処理を前記第１の
定常的処理から除き、 前記不要な処理を前記第１の定常的処理から除いて得た
第２の定常的処理を前記加工手段に設定し、 前記第２の定常的処理を設定した前記加工手段によつ
て、前記被加工対象を該被加工単位で加工することを特
徴とする加工方法。 - 【請求項２】前記加工手段は、面上にパターンが形成さ
れたレチクルであり、 前記被加工対象は、基板であり、 前記加工方法は、前記レチクルより得た光束によつて前
記パターンの像を前記基板に露光する露光方法であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の加工方法。 - 【請求項３】前記不要な処理は、前記加工手段の検査及
び又は搬送及び又は収納及び又は位置設定であることを
特徴とする請求項１に記載の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8137527A JPH09298152A (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | 加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8137527A JPH09298152A (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | 加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09298152A true JPH09298152A (ja) | 1997-11-18 |
Family
ID=15200769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8137527A Pending JPH09298152A (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | 加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09298152A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101227235B1 (ko) * | 2008-03-17 | 2013-01-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템의 세정 방법, 기억 매체 및 기판 처리 시스템 |
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1996
- 1996-05-07 JP JP8137527A patent/JPH09298152A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101227235B1 (ko) * | 2008-03-17 | 2013-01-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템의 세정 방법, 기억 매체 및 기판 처리 시스템 |
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