TWI444500B - 用於在大型基板上執行原子層沈積之具有多區段之延長反應器總成 - Google Patents

用於在大型基板上執行原子層沈積之具有多區段之延長反應器總成 Download PDF

Info

Publication number
TWI444500B
TWI444500B TW100142959A TW100142959A TWI444500B TW I444500 B TWI444500 B TW I444500B TW 100142959 A TW100142959 A TW 100142959A TW 100142959 A TW100142959 A TW 100142959A TW I444500 B TWI444500 B TW I444500B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
reactor
chamber
gas
syringe
plasma chamber
Prior art date
Application number
TW100142959A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201243093A (en
Inventor
Sang In Lee
Original Assignee
Veeco Ald Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Veeco Ald Inc filed Critical Veeco Ald Inc
Publication of TW201243093A publication Critical patent/TW201243093A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI444500B publication Critical patent/TWI444500B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32366—Localised processing
    • H01J37/32376—Scanning across large workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Description

用於在大型基板上執行原子層沈積之具有多區段之延長反應器總成
本發明係關於一種用於使用原子層沈積(ALD)在一基板上沈積一個或一個以上之材料層之沈積裝置。
相關申請案之交互參照
此申請案根據35 U.S.C.§119(e)主張於2010年11月24日申請之共同待審之美國臨時專利申請案第61/416,931號之優先權，該申請案之全文係以引用之方式併入本文中。
原子層沈積(ALD)係一種用於在一基板上沈積一個或一個以上之材料層之薄膜沈積技術。ALD使用兩種類型之化學物，其中一者為一源前驅物且另一者為一反應物前驅物。一般而言，ALD包含四個階段：(i)注射一源前驅物，(ii)移除該源前驅物之一物理吸附層，(iii)注射一反應物前驅物，及(iv)移除該反應物前驅物之一物理吸附層。ALD可為一個需要花費長時間或許多次重複方才能獲得一希望厚度之層之緩慢製程。因此，為了加速該製程，可使用如美國專利申請公開案第2009/0165715號中所述之具有一單元模組(所謂之一線性注射器)之一氣相沈積反應器，或者可使用其他類似之裝置來加速ALD製程。該單元模組包含用於一源材料(一源模組)之一注射單元及一排放單元及用於一反應物(一反應物模組)之一注射單元及一排放單元。
一習知的ALD氣相沈積室具有用於在基板上沈積ALD層之一組或一組以上反應器。當該基板經過該等反應器之下方時，該基板係曝露至該源前驅物、一沖洗氣體及該反應物前驅物。沈積於該基板上之該源前驅物分子與反應物前驅物分子反應或該等前驅物分子係由該反應物前驅物分子取代，以在該基板上沈積一材料層。在將該基板曝露至該源前驅物或該反應物前驅物之後，該基板可曝露至該沖洗氣體，以自該基板移除過量之源前驅物分子或反應物前驅物分子。
若干實施例係關於一種反應器總成中之自由基反應器，其包含一本體，該本體經放置鄰近其上安裝有基板之一基座。該本體係形成有位於沿該自由基反應器之長度延伸一第一距離之一第一反應器區段中之一第一電漿室及沿該自由基反應器之長度延伸一第二距離之一第二反應器區段中之一第二電漿室。一第一內電極在該第一電漿室內延伸。該第一內電極藉由跨該第一內電極與一第一外電極施加一電壓差而在該第一電漿室內產生一第一氣體之自由基。一第二內電極在該第二電漿室內延伸。該第二內電極藉由跨該第二內電極與一第二外電極施加該電壓差而在該第二電漿室內產生該第一氣體之自由基。
在一實施例中，該本體係進一步形成有一注射室、一狹隘區域及至少一個出口。該注射室係連接至該第一電漿室及該第二電漿室，以接收該等自由基。該等自由基係自該注射室注射至該基板上。該狹隘區域具有一高度小於該注射室之該高度。至少一個出口係連接至該狹隘區域。該至少一個出口使該等自由基自該反應器總成排放。
在一實施例中，該第一電漿室係形成於該注射室之一側處且該第二電漿室係形成於該注射室之另一側處。
在一實施例中，該本體係進一步形成有位於該第一反應器區段中之一第一反應器通道及位於該第二反應器區段中之一第二反應器通道。該第一反應器通道係經由一第一導管連接至一氣體源，且該第二反應器通道係經由與該第一導管分離之一第二導管連接至該氣體源。
在一實施例中，該本體係進一步形成有用於將該等自由基自該反應器總成排放之至少兩個出口。該至少兩個出口之該等內表面於該等出口之間接合。
在一實施例中，該反應器總成進一步包含一注射器，其形成有一第一注射器通道、一第二注射器通道、一室及一狹隘區域。該第一注射器通道係放置於該注射器之一第一注射器區段中，以經由一第一導管而接收一第二氣體。該第二注射器通道係放置於該注射器之一第二注射器區段中，以經由一第二導管而接收該第二氣體。一室係連接至該第一注射器通道及該第二注射器通道，以接收該氣體且將該氣體注射至該基板上；至少一個出口係用於使該氣體自該反應器總成排出；及一狹隘區域將該室連接至該至少一個出口。該狹隘區域具有一高度小於該注射室之一高度。
在一實施例中，該第一注射器通道係形成於該注射器室之一側處且該第二注射器通道係形成於該室之相對側處。
在一實施例中，該反應器總成之該有效長度係大於該基板之該寬度。
在一實施例中，該第一內電極包含一核心及一外層。該核心係由比該外層之一第二材料具有一更高導熱率之一第一材料製成。
在一實施例中，該第一材料包括銅、銀或其合金；且該第二材料包括不銹鋼、基於鎳-鉻之奧氏體超合金或鎳鋼合金。
實施例亦關於一種使用原子層沈積(ALD)在一基板上沈積一個或一個以上之材料層之沈積裝置。該沈積裝置包含一基座、一自由基反應器及一致動器。該基座係安裝有一基板。該自由基反應器包含經放置鄰近該基座之一本體。該本體在該自由基反應器之縱向延伸一第一距離之一第一反應器區段中形成有一第一電漿室及在縱向延伸一第二距離之一第二反應器區段中形成有一第二電漿室。一第一內電極在該第一電漿室內延伸。該第一內電極藉由跨該第一內電極與一第一外電極施加一電壓差而在該第一電漿室內產生一第一氣體之自由基。一第二內電極在該第二電漿室內延伸。該第二內電極藉由跨該第二內電極與一第二外電極施加該電壓差而在該第二電漿室內產生該第一氣體之該等自由基。該致動器造成該基座與該自由基反應器之間發生相對移動。
本文參考附圖而描述若干實施例。然而，本文所揭示之原理可以許多不同之形式體現且不應被解讀為限於本文所陳述之該等實施例。在描述中，可能省略廣為人知之特徵及技術，以避免不必要地模糊該等實施例之特徵。
在圖中，類似之參考數字指示類似之元件。為了清晰起見，該圖之形狀、尺寸及區域及類似之部分可能經放大。
若干實施例係關於一種在沈積裝置中用於在一寬闊基板上執行原子層沈積(ALD)之延長反應器總成。該延長反應器總成包含一個或一個以上之注射器及/或自由基反應器。作為ALD製程之一部分，當該基板經過該注射器或自由基反應器時，各個注射器或自由基反應器將一氣體或自由基注射至該基板上。各個注射器或自由基反應器包含複數個區段，其中至少兩個區段具有不同的橫截面組態。不同的區段經由不同的導管(例如，管線)接收該氣體。藉由在該注射器或自由基反應器中提供若干不同的區段，該注射器或自由基反應器可使該氣體或該等自由基更均勻地注射於該基板上。各個注射器或自由基反應器可包含一個以上用於將過量之氣體或自由基排放至該沈積裝置之外側之出口。
圖1係根據一實施例之一線性沈積裝置100之一橫截面圖。圖2係圖1之該線性沈積裝置100(不具有室壁110以便於解釋)之一透視圖。該線性沈積裝置100可包含一支撐柱118、一處理室110及一反應器總成136及其他組件。該反應器總成136可包含一個或一個以上之注射器及自由基反應器。該等注射器模組中之各者注射源前驅物、反應物前驅物、沖洗氣體或此等材料之一組合至該基板120上。該等自由基反應器注射一種或一種以上之氣體之自由基至該基板120上。該等自由基可用作源前驅物、反應物前驅物或用作處理該基板120之表面之材料。
由該等壁110所封閉之該處理室可維持於一真空狀態，以防止污染物影響沈積製程。該處理室包含一基座128，其收納一基板120。該基座128係放置於一支撐板124上，以進行一滑動移動。該支撐板124可包含一溫度控制器(例如，一加熱器或一冷卻器)以控制該基板120之溫度。該線性沈積裝置100亦可包含若干升降銷(圖中未顯示)，其便於將該基板120裝載於該基座128上或將該基板120自該基座128拆卸。
在一實施例中，該基座128緊固至若干支架210，該等支架210移動跨過其上形成有若干螺釘之一延伸桿138。該等支架210具有形成於其收納該延伸桿138之若干孔中之對應之螺釘。該延伸桿138係緊固至一馬達114之一轉軸，且因此，該延伸桿138隨著該馬達之該轉軸旋轉而旋轉。該延伸桿138之旋轉造成該等支架210(且因此該基座128)在該支撐板124上進行一線性移動。藉由控制該馬達114之速度及旋轉方向，該基座128之線性移動之速度及方向可得以控制。使用一馬達114及該延伸桿138僅為用於使該基座128移動之一機構之一實例。可使用多種其他方式來移動該基座128(例如，在該基座128之底部、頂部或側面使用齒輪及小齒輪)。此外，該基座128可保持靜止且該反應器總成136可移動，而非使該基座128移動。
圖3係根據一實施例之一旋轉沈積裝置300之一透視圖。可使用該旋轉沈積裝置300代替圖1中之該線性沈積裝置100來執行根據另一實施例之該沈積製程。該旋轉沈積裝置300可包含反應器320、334、364、368(本文合稱為「反應器總成」)、一基座318及封閉此等組件之一容器324、及其他組件。該基座318將該等基板314緊固在適當的位置。該反應器總成係放置於該等基板314及該基座318之上方。該基座318或該反應器總成旋轉，以使該等基板314接受不同的處理。
該等反應器320、334、364、368中之一者或一者以上係經由出口330連接至氣體管線，以接收源前驅物、反應物前驅物、沖洗氣體及/或其他材料。由該等氣體管線提供之材料可(i)由該等反應器320、334、364、368直接地注射至該基板314上，(ii)在(i)前在該等反應器320、334、364、368內側之一室中混合，或(iii)在(i)前藉由在該等反應器320、334、364、368內產生之電漿而轉變成自由基。在該等材料係注射至該基板314上之後，多餘之材料可透過出口330排出。
本文所述之反應器總成之實施例可用於諸如該線性沈積裝置100、該旋轉沈積裝置300或其他類型沈積裝置之沈積裝置中。圖4係一反應器總成136之一實例，其包含串聯而放置之一注射器402及一自由基反應器404。該注射器402及該自由基反應器404二者係延長以覆蓋該基板120之寬度。安裝有該基板120之該基座128在兩個方向(例如，圖4中之向右方向及向左方向)往復運動，以將該基板120曝露至由該注射器402及該自由基反應器404注射之氣體及/或自由基。儘管圖4中僅圖解一個注射器402及一個自由基反應器404，但可在該線性沈積裝置100中提供根更多注射器及/或自由基反應器。亦可在該線性沈積裝置100中僅提供該自由基反應器402或該注射器404。
該注射器402透過管線(例如，管線424、及圖5中所圖解之管線512)接收氣體且當該基座128在該注射器424下方移動時將該氣體注射至該基板120上。經注射之氣體可為一源氣體、一反應物氣體、沖洗氣體或其一組合。在經注射至該基板120上之後，將該注射器402中之過量氣體經由出口410、412排出。該等出口410、412係連接至管線(圖中未顯示)，以將過量之氣體排出該線性沈積裝置100之外側。該注射器402包含具有不同橫截面組態且經連接至不同注射管線之兩個區段，如下文將參考圖5詳細地描述。藉由提供兩個出口410、412，該注射器402中之過量氣體可得以更有效地移除。
該自由基反應器404經由管線(圖中未顯示)接收氣體且具有兩個區段，其具有不同的橫截面組態及分離之內電極。該自由基反應器404之該本體中形成有若干通道，以將所接收之氣體運送至電漿室。兩個內電極延伸跨越該自由基反應器404(之長度)之大約一半且係藉由電線432連接至一電壓源(圖中未顯示)或接地(圖中未顯示)。該等內電極係放置於電漿室之內側，如下文將參考圖8及圖9詳細地描述。該自由基反應器404中之外電極係連接至接地或一電壓源。在一實施例中，該自由基反應器404之導電本體用作該等外電極。出口416、420係形成於該自由基反應器404之該本體中，以將過量之自由基及/或氣體(在被注射至該基板120期間、之前或之後自該等自由基回復成一非活性狀態)排出該沈積裝置100。該等出口416、420係連接至若干管線(圖中未顯示)，以將過量之自由基及/或氣體排放至該線性沈積裝置100之外側。藉由提供兩個出口416、420，即便該自由基反應器404之長度相當長，該自由基反應器404中之過量氣體仍可更有效地移除。
如在圖4中所圖解，該反應器總成之有效長度L2比該基板120之該寬度長W1 +W2 。有效長度L2係指跨該反應器以預定品質水準在該基板120上執行ALD處理之長度。該預定品質水準可由沈積於該基板上之層之特性或性質表示。由於該沈積在該反應器總成之若干側緣處並非以一均勻且一致之方式執行，該有效長度傾向於短於該反應器總成之實際長度L1。在一實施例中，該基板具有500毫米(mm)或更大之一寬度。
圖5係根據一實施例之該反應器總成(即，該注射器402及該自由基反應器404)之一俯視圖。該注射器402具有兩個注射器區段501、503，其具有不同之橫截面組態。該注射器區段501中之該注射器402之本體602(見圖6)形成有一通道516，其經連接至一管線512，以接收來自一氣體源之一氣體。該通道516係經由若干孔532連接至一注射器室513，以接收該氣體。類似地，該注射器402之該區段503形成有一通道522，其係連接至一管線424，以接收來自該氣體源之該氣體(與經由該管線512供應之氣體相同)。該通道522係經由孔533連接至該注射器室513。下文將參考圖8及圖9詳盡地描述該等通道516、522；孔532、533與該注射器室513之間之連接關係。藉由多個管線及通道將該氣體提供至該注射器室513中，該氣體可在該注射器室513中遍及該注射器室513更均勻地分佈。
類似地，該自由基反應器404具有兩個反應器區段505、507，其具有不同的橫截面組態。該自由基反應器404之本體606(見圖6)係形成有通道510、518，其經連接至管線714A、714B(見圖7)，以接收來自一氣體源之一氣體。該通道510係連接至亦形成於本體606之該反應器區段505中之一電漿室(在圖7及圖8中由參考數字718指示)。一內電極504在該電漿室內718延伸跨越該自由基反應器404之長度之大約一半，以當跨該等電極504、820施加一電壓差時連同一外電極(在圖8中用參考數字820指示)在該電漿室718內產生電漿。該通道518係連接至形成於該本體606之該區段507中之一電漿室(在圖7及圖9中用參考數字720指示)。該內電極432在該電漿室720內延伸跨越該自由基反應器404之長度之大約一半，以當跨該等電極432、904施加一電壓差時連同一外電極(在圖9中用參考數字904指示)在該電漿室720內產生電漿。藉由在該自由基反應器404之該本體606中提供兩個分離之電漿室828、720，可跨該自由基反應器404之長度而更均勻地產生該氣體之自由基。
圖6係根據一實施例沿圖4中之線A-A'或線B-B'截取之該注射器402或該自由基反應器404之一橫截面圖。該注射器402具有一本體602，該本體602上形成有出口410、412。該等出口410、412係於該本體602之一下方中央區段處鄰接之孔隙。該等出口410、412之底部618實質上跨越該注射器402之長度而延伸，而該等出口410、412之上部612、614較小，以連接至排放管線。該等出口410及412具有輪廓化內表面640、644，其藉由在該自由基反應器404之下方中間部分處形成一彎曲部而平滑地接合。
對於該自由基反應器404而言，該自由基反應器404具有一本體606，該本體606上形成有出口416、420。該等出口416、420係於該本體606之一中央區段處鄰接之孔隙。該等出口416、420之底部618實質上跨越該自由基反應器404之長度而延伸，而該等出口416、420之上部612、614較小，以連接至排放管線。該等出口416及420具有輪廓化內表面640、644，其圍繞該自由基反應器404之中間而平滑地接合。
當該注射器402或自由基反應器404之長度增加時，該注射器402或該自由基反應器404內之真空傳導性可能降低。真空傳導性之降低導致剩餘在該注射器402或自由基反應器404中之氣體或自由基之排放效率降低。藉由提供多個出口，該真空傳導性可加強。此有助於更有效地將該等氣體或自由基自該注射器402或該自由基反應器404排出。
儘管(此處)僅有兩個出口形成於該注射器402及該自由基反應器404中，但根據該注射器402或該自由基反應器404之長度，該注射器402及該自由基反應器404中可形成兩個以上之出口。
圖7係根據一實施例沿圖5中之線C-C'截取之該反應器總成中之自由基反應器404之一橫截面圖。該自由基反應器404具有兩個內電極428、504，其各者延伸跨越該自由基反應器404之該長度之大約一半。該內電極428係放置於該電漿室720內，且係由一端蓋702及一固持器(圖中未顯示)緊固。類似地，該內電極504係放置於該電漿室718內，且係由一端蓋722及一固持器710緊固。該等端蓋702、722及該等固持器(例如，固持器710)係由諸如陶瓷之絕緣材料製成，以防止該等內電極428、504與該自由基反應器404之該本體606之間發生短路。該等固持器(例如，固持器710)之結構經設計以固持該等內電極428、504，同時允許該等內電極428、504發生熱膨脹。該等端蓋702、722係藉由螺釘而緊固至該自由基反應器404之該本體606。該等電線432、730將該等內電極432、504之末端706、726連接至一電壓源。
在該自由基反應器404之操作期間，該氣體係經由管線714A、714B注射至通道510、518中。該氣體經由孔540、544流動進入該等電漿室718、720中。在該等電漿室718、720中產生電漿，此導致該氣體轉變成自由基。該等自由基接著經由狹縫734、738注射入形成於該自由基反應器404之該底部上之該注射室560中。
圖8係根據一實施例沿圖5之D-D'線截取之該反應器總成在區段501、505處之一橫截面圖。在圖8之實施例中，該通道514及該等孔532係沿平面F-F"對準。平面F-F"相對於一垂直平面F-F'以角度α向右側傾斜。在該氣體經由該通道514及該等孔532注射於一注射室513中之後，該氣體向下行進朝向該基板120且與該基板120接觸。接著該氣體流經一狹隘區域840，在此期間，過量的材料(例如，經物理吸附之源前驅物或反應物前驅物)係自該基板120移除。過量之氣體係經由該出口412排放至該自由基反應器之外側。
類似地，該通道510、該等孔540、該電漿室718與該內電極504係沿平面G-G"對準，平面G-G"係相對於該垂直平面G-G'以角度β傾斜。該角度α與該角度β可具有一相同或不同之量值。
經由該通道510及該等孔540注射於該電漿室718中之氣體係藉由跨該內電極504與一外電極820施加一電壓差而轉變成自由基。所產生之自由基經由該狹縫734行進至該注射室560中。在該注射室560內，該等自由基移動朝向該基板120，且與該基板120接觸。該等自由基可用作一源前驅物、一反應物前驅物或用作該基板120上之表面處理材料。剩餘之自由基(及/或經回復成一非活性狀態之氣體)穿過一狹隘區域844且經由該出口420排出。
圖9係根據一實施例沿圖5之線E-E'截取之該反應器總成於區段503、507處之一橫截面圖。在圖9所示之實施例中，該通道515及若干孔533係沿平面H-H"對準，平面H-H"係相對於一垂直平面H-H'以角度α'向左側傾斜。在該氣體經由該通道515及該等孔533注射於該注射室514中之後，該氣體向下行進朝向該基板120，且與該基板120接觸。接著該氣體流經一狹隘區域840且經由該出口410而自該反應器總成移除。
該通道518、該等孔544、該電漿室720與該內電極432係沿平面I-I"對準。平面I-I"係相對於垂直平面I-I'以一角度β'傾斜。在該注射室560內，該等自由基移動朝向該基板120，且與該基板120接觸。該等自由基可用作一源前驅物、一反應物前驅物或用作該基板120上之表面處理材料。剩餘之自由基(及/或經回復成一非活性狀態之氣體)穿過一狹隘區域844且經由該出口416排出。該角度α'與該角度β'可具有相同或不同之量值。
上文參考圖4至圖9所描述之實施例係僅為闡明性實施例。可對該等實施例做出各種修改或改變。例如，該等孔540、544、532、533無須與該等通道510、518、514、515在相同之平面中對準。同樣地，可使用穿孔代替孔或狹縫將氣體或自由基運送至該基板120。該等注射室514、560可具有除了圖8及圖9中所示之外之多種其他形狀。此外，該等出口可形成於該注射器或自由基反應器之兩個側(左側及右側)上而非僅提供於一個側(例如，圖8及圖9中所圖解之右側)上。
在一實施例中，該反應器總成藉由使該注射器402注射三甲基鋁(TMA)至該基板120上作為一源前驅物且使該自由基反應器404將N2 O或O2 之自由基作為一反應物前驅物注射至該基板上而在該基板120上沈積一Al2 O3 層。亦可使用多種其他的材料作為源前驅物及反應物前驅物在該基板上沈積其他的材料。
圖10係根據另一實施例之一反應器總成1000之一俯視圖。該反應器總成1000係類似於上文參考圖4至圖9所描述之該反應器總成，只不過該注射器及該自由基反應器係分割成三個分離之區段。圖10之該注射器包含具有大約相等長度之注射器區段1010、1014、1018；且該自由基反應器包含具有大約相等長度之反應器區段1022、1026、1028。在此實施例中，管線1032A及1040A係連接至該注射器之一區段1014中之一通道。管線1032B係連接至區段1010中之一通道，且管線1040B係連接至該注射器之一區段1018中之一通道。
圖10之該自由基反應器亦類似於圖4至圖9之該自由基反應器，只不過具有三個內電極1072、1074、1076，其各者係提供於該等區段1022、1026、1028中之一者中。該三個內電極1072、1074、1076係藉由固持器1032、1036、1040、1044而緊固，以使該等內電極1072、1074、1076與該自由基反應器之該本體絕緣。該內電極1074係經由電線或其他導電材料連接至端子1052、1056。
根據該反應器總成之大小及用途，其注射器或自由基反應器可分割成三個以上之區段。該等區段無須具有相等之長度，且該等注射器與該等自由基反應器之該等區段可具有不同的長度。在一實施例中，該等注射器與該等自由基反應器之總長度可不同。此外，該等注射器與該等自由基反應器無須串聯放置，且可遠離彼此而放置。
圖11係根據一實施例之一內電極1110之一圖。隨著該電極1110之長度增加，該電極1110之電阻亦可增大。該電極1110可具有一外層1114及一核心1118。在一實施例中，該外層1114係由不銹鋼、基於鎳-鉻之奧氏體超合金(例如，英高鎳(INCONEL))或鎳鋼合金(例如，恆範鋼(INVAR))製成，且該核心118係由銅、銀或其合金製成。例如，銅或銀可注射於一不銹鋼或合金製成之管線中，以形成該核心1118。或者，對該核心1118使用由銅、銀或其合金製成之一桿，其經電鍍有諸如鎳之材料，以形成該外層1114。藉由提供具有較高導電率之一核心，該電極1110之總體導電率增加，此有助於沿一電漿室中之該電極1110之長度而更均勻且一致地產生自由基。在一實施例中，該內電極1110具有3 mm至10 mm之一直徑。
儘管上文已經參考若干實施例描述了本發明，但在本發明之範疇內仍可做出多種修改。因此，對本發明之揭示目的在於闡釋而非限制本發明之範疇，本發明之範疇係由下文之申請專利範圍陳述。
100．．．線性沈積裝置
110．．．處理室/室壁
114．．．馬達
118．．．支撐柱
120．．．基板
124．．．支撐板
128．．．基座
136．．．反應器總成
138．．．延伸桿
210．．．支架
300．．．旋轉沈積裝置
314．．．基板
318．．．基座
320．．．反應器
324．．．容器
330．．．入口
334．．．反應器
364．．．反應器
368．．．反應器
402．．．注射器
404．．．自由基反應器
410．．．出口
412．．．出口
416．．．出口
420．．．出口
424．．．管線
428．．．內電極
432．．．電線
501．．．注射器區段
503．．．注射器區段
504．．．內電極
505．．．反應器區段
507．．．反應器區段
510．．．通道
512．．．管線
513．．．室
514．．．通道
515．．．通道
516．．．通道
518．．．通道
522．．．通道
532．．．孔
533．．．孔
540．．．孔
544．．．孔
560．．．注射室
602．．．本體
606．．．本體
612．．．出口410之上部
614．．．出口412之上部
618．．．出口410、412之底部
640．．．內出口410之內表面
644．．．出口412之內表面
702．．．端蓋
706．．．末端
710．．．固持器
714A．．．管線
714B．．．管線
718．．．電漿室
720．．．電漿室
722．．．端蓋
726．．．末端
730．．．電線
734．．．狹縫
738．．．狹縫
820．．．外電極
828．．．電漿室
840．．．狹隘區域
844．．．狹隘區域
904．．．電極
1000．．．反應器總成
1010．．．注射器區段
1014．．．注射器區段
1018．．．注射器區段
1022．．．反應器區段
1026．．．反應器區段
1028．．．反應器區段
1032．．．固持器
1032A．．．管線
1032B．．．管線
1036．．．固持器
1040．．．固持器
1040A．．．管線
1040B．．．管線
1044．．．固持器
1052．．．端子
1056．．．端子
1072．．．內電極
1074．．．內電極
1076．．．內電極
1110．．．內電極
1114．．．外層
1118．．．核心
圖1係根據一實施例之一線性沈積裝置之一橫截面圖。
圖2係根據一實施例之一線性沈積裝置之一透視圖。
圖3係根據一實施例之一旋轉沈積裝置之一透視圖。
圖4係根據一實施例之一反應器總成之一透視圖。
圖5係根據一實施例之該反應器總成之一俯視圖。
圖6係根據一實施例沿圖4之線A-A'或線B-B'截取之該反應器總成之一橫截面圖。
圖7係根據一實施例沿圖5之線C-C'截取之該反應器總成之一橫截面圖。
圖8係根據一實施例沿圖5之線D-D'截取之該反應器總成之一橫截面圖。
圖9係根據一實施例沿圖5之線E-E'截取之該反應器總成之一橫截面圖。
圖10係根據另一實施例之一反應器總成之一俯視圖。
圖11係圖解根據一實施例之一線性電極之一圖。
120．．．基板
128．．．基座
402．．．注射器
404．．．自由基反應器
410．．．出口
412．．．出口
416．．．出口
420．．．出口
424．．．管線
428．．．內電極
432．．．電線

Claims (20)

  1. 一種在一沈積裝置中用於執行原子層沈積(ALD)之反應器總成，其包括：一自由基反應器，其包括：一本體，其經放置鄰近其上安裝有基板之一基座，該本體在該自由基反應器之縱向延伸一第一距離之一第一反應器區段中形成有一第一電漿室且在縱向延伸一第二距離之一第二反應器區段中形成有一第二電漿室；在該第一電漿室內延伸之一第一內電極，該第一內電極經組態以藉由跨該第一內電極與一第一外電極施加一電壓差而在該第一電漿室內產生一第一氣體之自由基；及在該第二電漿室內延伸之一第二內電極，該第二內電極經組態以藉由跨該第二內電極與一第二外電極施加該電壓差而在該第二電漿室內產生該第一氣體之該等自由基。
  2. 如請求項1之反應器總成，其中該本體係進一步形成有：一注射室，其係連接至該第一電漿室及該第二電漿室，以接收該等自由基，其中該等自由基係自該注射室注射至該基板上；一狹隘區域，其具有一高度小於該注射室之一高度；及經連接至該狹隘區域之至少一個出口，該至少一個出口經組態以自該反應器總成排放該等自由基。
  3. 如請求項1之反應器總成，其中該第一電漿室係形成於該注射室之一側處且該第二電漿室係形成於該注射室之另一側處。
  4. 如請求項1之反應器總成，其中該本體進一步在該第一反應器區段中形成有一第一反應器通道且在該第二反應器區段中形成有一第二反應器通道，該第一反應器通道係經由一第一導管連接至一氣體源，且該第二反應器通道係藉由與該第一導管分離之一第二導管連接至該氣體源。
  5. 如請求項1之反應器總成，其中該本體進一步形成有用於使該等自由基自該反應器總成排放之至少兩個出口，該至少兩個出口中之二者具有若干內表面，該等內表面於該兩個出口之間之一位置處接合。
  6. 如請求項1之反應器總成，其進一步包括一注射器，其形成有：位於該注射器之一第一注射器區段中之一第一注射器通道，其係用於經由一第一導管而接收一第二氣體；位於該注射器之一第二注射器區段中之一第二注射器通道，其係用於經由一第二導管而接收該第二氣體；一室，其係連接至該第一注射器通道及該第二注射器通道，以接收該氣體且將該氣體注射至該基板上，至少一個出口係用於使氣體自該反應器總成排放；及一狹隘區域，其將該室連接至該至少一個出口，該狹隘區域具有一高度小於該注射室之一高度。
  7. 如請求項6之反應器總成，其中該第一注射器通道係形成於該室之一側處且該第二注射器通道係形成於該室之另一側處。
  8. 如請求項1之反應器總成，其中該反應器總成之一有效長度大於該基板之一寬度。
  9. 如請求項1之反應器總成，其中該第一內電極包含一核心及一外層，該核心係由比該外層之一第二材料具有一更高導熱率之一第一材料製成。
  10. 如請求項9之反應器總成，其中該第一材料包括銅、銀或其合金；且該第二材料包括不銹鋼、基於鎳-鉻之奧氏體超合金或鎳鋼合金。
  11. 一種用於使用原子層沈積(ALD)在一基板上沈積一個或一個以上之材料層之沈積裝置，其包括：一基座，其經組態以安裝一基板；一自由基反應器，其包括：一本體，其經放置鄰近該基座，該本體在該自由基反應器之縱向延伸一第一距離之一第一反應器區段中形成有一第一電漿室且在縱向延伸一第二距離之一第二反應器區段中形成有一第二電漿室；在該第一電漿室內延伸之一第一內電極，該第一內電極經組態以藉由跨該第一內電極與一第一外電極施加一電壓差而在該第一電漿室內產生一第一氣體之自由基；及在該第二電漿室內延伸之一第二內電極，該第二內電極經組態以藉由跨該第二內電極與一第二外電極施加該電壓差而在該第二電漿室內產生該第一氣體之該等自由基；及一致動器，其經組態以造成該基座與該自由基反應器之間發生相對移動。
  12. 如請求項11之沈積裝置，其中該本體係進一步形成有：一注射室，其係連接至該第一電漿室及該第二電漿室，以接收該等自由基，其中該等自由基係自該注射室注射至該基板上；一狹隘區域，其具有高度小於該注射室之高度；及連接至該狹隘區域之至少一個出口，該至少一個出口經組態以自該反應器總成排放該等自由基。
  13. 如請求項11之沈積裝置，其中該第一電漿室係形成於該注射室之一側處且該第二電漿室係形成於該注射室之另一側處。
  14. 如請求項11之沈積裝置，其中該本體係進一步形成有位於該第一反應器區段中之一第一反應器通道及位於該第二反應器區段中之一第二反應器通道，該第一反應器通道係經由一第一導管連接至一氣體源，且該第二反應器通道係經由與該第一導管分離之一第二導管連接至該氣體源。
  15. 如請求項11之沈積裝置，其中該本體係進一步形成有至少兩個出口，其係用於使該等自由基自該反應器總成排放，且該至少兩個出口之內表面於該至少兩個出口之間接合。
  16. 如請求項11之沈積裝置，其進一步包括一注射器，其形成有：位於該注射器之一第一注射器區段中之一第一注射通道，其係用於經由一第一導管而接收一第二氣體；位於該注射器之一第二注射器區段中之一第二注射通道，其係用於經由一第二導管而接收該第二氣體；一室，其係連接至該第一注射通道及該第二注射通道，以接收該氣體且將該氣體注射至該基板上，至少一個出口係用於使該氣體自該反應器總成排放；及一狹隘區域，其將該室連接至該至少一個出口，該狹隘區域具有一高度小於該注射室之一高度。
  17. 如請求項16之沈積裝置，其中該第一注射通道係形成於該室之一側處且該第二注射通道係形成於該室之該相對之側處。
  18. 如請求項11之沈積裝置，其中該反應器總成之一有效長度係大於該基板之一寬度。
  19. 如請求項11之沈積裝置，其中該第一內電極包含一核心及一外層，該核心係由比該外層之一第二材料具有一更高導熱率之一第一材料製成。
  20. 如請求項19之沈積裝置，其中該第一材料包括銅、銀或其合金；且該第二材料包括不銹鋼、基於鎳-鉻之奧氏體超合金或鎳鋼合金。
TW100142959A 2010-11-24 2011-11-23 用於在大型基板上執行原子層沈積之具有多區段之延長反應器總成 TWI444500B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US41693110P 2010-11-24 2010-11-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201243093A TW201243093A (en) 2012-11-01
TWI444500B true TWI444500B (zh) 2014-07-11

Family

ID=46063115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100142959A TWI444500B (zh) 2010-11-24 2011-11-23 用於在大型基板上執行原子層沈積之具有多區段之延長反應器總成

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20120125258A1 (zh)
KR (1) KR101538874B1 (zh)
CN (1) CN103189543A (zh)
TW (1) TWI444500B (zh)
WO (1) WO2012071195A1 (zh)

Families Citing this family (252)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100037824A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Synos Technology, Inc. Plasma Reactor Having Injector
US8770142B2 (en) * 2008-09-17 2014-07-08 Veeco Ald Inc. Electrode for generating plasma and plasma generator
US8851012B2 (en) * 2008-09-17 2014-10-07 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same
US8871628B2 (en) * 2009-01-21 2014-10-28 Veeco Ald Inc. Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure
KR101172147B1 (ko) 2009-02-23 2012-08-07 시너스 테크놀리지, 인코포레이티드 플라즈마에 의한 라디칼을 이용한 박막 형성 방법
US8758512B2 (en) * 2009-06-08 2014-06-24 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor and method for forming thin film
JP5310512B2 (ja) * 2009-12-02 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
FI124113B (fi) * 2010-08-30 2014-03-31 Beneq Oy Laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan muokkaamiseksi
US8771791B2 (en) 2010-10-18 2014-07-08 Veeco Ald Inc. Deposition of layer using depositing apparatus with reciprocating susceptor
US8877300B2 (en) 2011-02-16 2014-11-04 Veeco Ald Inc. Atomic layer deposition using radicals of gas mixture
US9163310B2 (en) 2011-02-18 2015-10-20 Veeco Ald Inc. Enhanced deposition of layer on substrate using radicals
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
KR101482630B1 (ko) 2012-11-07 2015-01-14 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치
US9493874B2 (en) 2012-11-15 2016-11-15 Cypress Semiconductor Corporation Distribution of gas over a semiconductor wafer in batch processing
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US11267012B2 (en) * 2014-06-25 2022-03-08 Universal Display Corporation Spatial control of vapor condensation using convection
EP2960059B1 (en) 2014-06-25 2018-10-24 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US11220737B2 (en) 2014-06-25 2022-01-11 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR102337670B1 (ko) * 2015-03-30 2021-12-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
KR102420015B1 (ko) * 2015-08-28 2022-07-12 삼성전자주식회사 Cs-ald 장치의 샤워헤드
US10566534B2 (en) 2015-10-12 2020-02-18 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP)
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
TWI713799B (zh) * 2016-11-15 2020-12-21 美商應用材料股份有限公司 用於移動基板之完整電漿覆蓋的動態相控陣列電漿源
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
TWI728456B (zh) 2018-09-11 2021-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於基板的薄膜沉積方法
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
KR20200056273A (ko) * 2018-11-14 2020-05-22 주성엔지니어링(주) 기판처리장치 및 기판처리방법
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7253972B2 (ja) * 2019-05-10 2023-04-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5468557A (en) * 1989-01-12 1995-11-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Ceramic insulated electrical conductor wire and method for manufacturing such a wire
CN2116012U (zh) * 1992-04-14 1992-09-16 北京有色金属研究总院 不锈钢包铜复合电极
KR960000190B1 (ko) * 1992-11-09 1996-01-03 엘지전자주식회사 반도체 제조방법 및 그 장치
FR2704558B1 (fr) * 1993-04-29 1995-06-23 Air Liquide Procede et dispositif pour creer un depot d'oxyde de silicium sur un substrat solide en defilement.
US6200389B1 (en) * 1994-07-18 2001-03-13 Silicon Valley Group Thermal Systems Llc Single body injector and deposition chamber
JP3483494B2 (ja) * 1998-03-31 2004-01-06 キヤノン株式会社 真空処理装置および真空処理方法、並びに該方法によって作成される電子写真感光体
EP1162646A3 (en) * 2000-06-06 2004-10-13 Matsushita Electric Works, Ltd. Plasma treatment apparatus and method
US7351449B2 (en) * 2000-09-22 2008-04-01 N Gimat Co. Chemical vapor deposition methods for making powders and coatings, and coatings made using these methods
US8471170B2 (en) * 2007-07-10 2013-06-25 Innovalight, Inc. Methods and apparatus for the production of group IV nanoparticles in a flow-through plasma reactor
US8333839B2 (en) * 2007-12-27 2012-12-18 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor
US20100037820A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Synos Technology, Inc. Vapor Deposition Reactor
US8851012B2 (en) * 2008-09-17 2014-10-07 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same
KR101172147B1 (ko) * 2009-02-23 2012-08-07 시너스 테크놀리지, 인코포레이티드 플라즈마에 의한 라디칼을 이용한 박막 형성 방법
US8771791B2 (en) * 2010-10-18 2014-07-08 Veeco Ald Inc. Deposition of layer using depositing apparatus with reciprocating susceptor
US20120213947A1 (en) * 2011-02-18 2012-08-23 Synos Technology, Inc. Depositing thin layer of material on permeable substrate
US20130092085A1 (en) * 2011-10-17 2013-04-18 Synos Technology, Inc. Linear atomic layer deposition apparatus
KR101969066B1 (ko) * 2012-08-23 2019-04-16 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치
US20140065307A1 (en) * 2012-09-06 2014-03-06 Synos Technology, Inc. Cooling substrate and atomic layer deposition apparatus using purge gas
KR101482630B1 (ko) * 2012-11-07 2015-01-14 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치
US20140205769A1 (en) * 2013-01-22 2014-07-24 Veeco Ald Inc. Cascaded plasma reactor
KR102124042B1 (ko) * 2013-02-18 2020-06-18 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치, 이를 이용한 증착 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20150078306A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 삼성디스플레이 주식회사 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN103189543A (zh) 2013-07-03
KR20130088875A (ko) 2013-08-08
US20120125258A1 (en) 2012-05-24
WO2012071195A1 (en) 2012-05-31
KR101538874B1 (ko) 2015-07-22
TW201243093A (en) 2012-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI444500B (zh) 用於在大型基板上執行原子層沈積之具有多區段之延長反應器總成
US20120114877A1 (en) Radical Reactor with Multiple Plasma Chambers
US8771791B2 (en) Deposition of layer using depositing apparatus with reciprocating susceptor
JP6359567B2 (ja) 空間分離原子層堆積のための装置およびプロセス閉じ込め
US20170044665A1 (en) Deposition apparatus and deposition system having the same
US20140030447A1 (en) Deposition of Graphene or Conjugated Carbons Using Radical Reactor
KR101561013B1 (ko) 기판처리장치
KR102109108B1 (ko) 독립형 가열 엘리먼트
US20140224177A1 (en) Injection member in fabrication of semiconductor device and substrate processing apparatus having the same
US8840958B2 (en) Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor
JP2014515790A (ja) ホットワイヤ原子層堆積装置及び使用方法
KR20120056878A (ko) 곡면상에 박막을 형성하기 위한 기상증착 반응기
CN109524289B (zh) 批量型等离子体衬底处理设备
US20120027953A1 (en) Rotating Reactor Assembly for Depositing Film on Substrate
TW201234417A (en) Formation of barrier layer on device using atomic layer deposition
KR101482630B1 (ko) 기상 증착 장치
KR20100020919A (ko) 기상 증착 반응기
KR102631372B1 (ko) 기판처리장치
KR20140017448A (ko) 전구체 가열에 의한 증착 공정의 향상
KR101478788B1 (ko) 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
KR101173085B1 (ko) 박막 증착장치
KR102194604B1 (ko) 배치식 기판처리장치
KR101141069B1 (ko) 배치형 원자층 증착 장치
KR20240035313A (ko) 가스 분사 장치, 기판 처리 장치 및 박막 증착 방법
JP2022077993A (ja) 反応器および関連する方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees