TWI437619B - A method of manufacturing an exposure apparatus and an element - Google Patents

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TWI437619B
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Description

曝光裝置及元件製造方法
本發明，係關於透過投影光學系統與液體將圖案曝光至基板之曝光裝置及元件製造方法。
半導體元件及液晶顯示元件，係使用將光罩上形成之圖案轉印至感光性基板上之所謂的微影法來加以製造。此微影製程中所使用之曝光裝置，具有支持光罩之光罩載台與支持基板之基板載台，一邊逐次移動光罩載台及基板載台、一邊透過投影光學系統將光罩圖案轉印至基板。近年來，為因應元件圖案更進一步之高積體化，皆要求投影光學系統具有更高的解像度。投影光學系統之解像度，隨著所使用之曝光波長越短、投影光學系統之孔徑數越大而越高。因此，隨著積體電路之微細化，投影曝光裝置所使用之曝光波長亦年年短波長化，且投影光學系統之孔徑數亦增大。目前，雖仍以krF準分子雷射248nm之曝光波長為主流，但波長更短之ArF準分子雷射之193nm亦日漸實用化。又，在進行曝光時，與解像度同樣的，焦深(DOF)亦非常重要。解像度R及焦深δ分別以下式定義。
R=k1‧λ/NA (1)
δ=±k2‧λ/NA2 (2)
此處，λ係曝光波長、NA係投影光學系統之孔徑數、k1,k2係製程系數。根據式(1)、式(2)可知，為提高解像度 R，而縮短曝光波長λ、加大孔徑數NA時，焦深δ將變窄。
若焦深變得過窄的話，欲將基板表面對齊投影光學系統之像面將會非常困難，而有曝光動作時裕度(margin)不足之虞。因此，作為一種實質上縮短曝光波長且使焦深廣之方法，例如於國際公開第99/49504號中提出了一種液浸法。此液浸法，係將投影光學系統之下面與晶圓表面之間，以水、或有機溶媒等液體加以充滿，利用曝光用光在液體中之波長為空氣中之1/n倍(n係液體之折射率，一般為1.2~1.6左右)之特性，來提昇解像度且將焦深擴大至約n倍的方法。在本國際申請所指定之指定國(或所選擇之選擇國)之國內法令允許範圍內，援用上述公報之揭示作為本說明書之部分記載。
然而，上述習知技術卻存在以下問題。
上述國際公開第99/49504號所揭示之曝光裝置，係以在基板上之局部形成液浸區域之方式進行液體之供應及回收，但液浸曝光結束後，在未充分回收液浸區域之液體的狀態下，例如卸下基板載台上之基板、為裝載新的基板而將基板載台移動至裝卸載位置(基板更換位置)時，殘留(附著)在投影光學系統前端、供應嘴或回收嘴之液體，有可能會滴落至周圍之裝置或構件，例如滴落至載台之引導面或載台之干涉儀用反射鏡等。
又，當投影光學系統前端之光學元件殘留有液體時，此殘留液體在汽化後會在投影光學系統前端之光學元件留下痕跡(所謂的水痕，water mark)，而有可能在下一個曝光 處理時對基板上形成之圖案造成不良影響。此外，在曝光處理外，亦有在使用基板載台上基板周邊所配置之基準平面構件或基準標記構件時形成液浸區域，若無法充分回收該等液浸區域之液體，即有可能在該等構件上留下痕跡、或殘留在該等構件上之液體產生飛散的情形。
再者，在曝光中亦有產生液體從基板上之液浸區域飛散至周邊裝置或構件而附著於此的可能。曝光中從基板飛散之液體例如附著在載台之干涉儀用反射鏡時，將導致干涉儀之載台位置測量精度的降低。
本發明有鑑於上述問題，其目的係提供一種在透過投影光學系統與液體將圖案投影至基板進行曝光時，能充分的除去及/或回收不需要的液體而在基板上形成所欲元件圖案的曝光裝置，及使用此曝光裝置之元件製造方法。
為解決上述課題，本發明係採用對應圖1~圖22所示之各實施形態的以下構成。又，為使說明易於理解，係對應顯示一實施形態之圖式的符號來進行說明，但本發明並不限於實施形態所示之例。
本發明之曝光裝置(EX)，係將投影光學系統(PL)與基板(P)之間充滿液體(1)，透過該投影光學系統(PL)與液體(1)將圖案像投影至該基板(P)上以使該基板(P)曝光，其特徵在於：具備液體去除機構(40,60,90)，其係配置在該投影光學系統(PL)之像面附近，對附著液體(1)之零件(2,7,8A,13, 23,57,LS等)斷續的噴吹氣體以除去該液體(1)。
又，本發明之曝光裝置(EX)，係將投影光學系統(PL)與基板(P)之間充滿液體(1)，透過該投影光學系統(PL)與液體(1)將圖案像投影至該基板(P)上以使該基板(P)曝光，其特徵在於：具備液體去除機構(40,60,90)，其係配置在該投影光學系統(PL)之像面附近，對附著液體(1)之零件(2,7,8A,13,23,57,LS等)噴吹氣體來除去該液體(1)；該液體去除機構(40,60,90)，係一邊變化噴吹氣體之流速一邊噴吹氣體。
根據本發明，藉由對投影光學系統之像面附近所配置之零件斷續的、或一邊變化其流速一邊噴吹氣體，即能在零件表面上形成亂流，良好的除去附著在零件上之不需的液體。因此，能防止液體從零件滴落及飛散、以及該等零件上之痕跡(水痕)的產生，以良好的精度將期望圖案形成在基板上。
本發明之曝光裝置(EX)，係將投影光學系統(PL)與基板(P)之間充滿液體(1)，透過該投影光學系統(PL)與液體(1)將圖案像投影至該基板(P)上以使該基板(P)曝光，其特徵在於：具備液體去除機構(40,60,90)，此液體去除機構具有為除去該投影光學系統(PL)之像面附近所配置之零件(2,7,8A,13,23,57,LS等)上附著之液體(1)，而對該零件施加振動的加振裝置(8E,17,43B,92,151)。
根據本發明，藉由對投影光學系統之像面附近所配置之零件施加振動，能促進零件上所附著之液體的去除，良好的除去不需的液體。因此，能防止液體從零件滴落及飛 散、以及該等零件上之痕跡(水痕)的產生，以良好的精度將期望圖案形成在基板上。
本發明之曝光裝置(EX)，係將投影光學系統(PL)與基板(P)之間充滿液體(1)，透過該投影光學系統(PL)與液體(1)將圖案像投影至該基板(P)上以使該基板(P)曝光，其特徵在於：具備液體去除機構(90)，係用以除去在曝光中從基板(P)上飛散、附著在該投影光學系統(PL)之像面附近所配置之零件上的液體(1)。
根據本發明，即使在液浸曝光中液體從基板上飛散至周圍時，亦能藉由除去該飛散之液體，防止因飛散之液體造成曝光精度降低等不良情形，以良好的精度將期望圖案形成在基板上。
本發明之曝光裝置(EX)，係將投影光學系統(PL)與基板(P)之間充滿液體(1)，透過該投影光學系統(PL)與液體(1)將圖案像投影至該基板(P)上以使該基板(P)曝光，其特徵在於：具備液體去除機構(90)，係與對基板(P)之曝光動作並行，除去附著在該投影光學系統(PL)之像面附近所配置之零件上的液體(1)。
根據本發明，即使在液浸曝光中液體從基板上飛散而附著在零件上，亦能與該曝光動作並行，藉由進行附著於零件上之液體的除去動作，即能在不降低曝光處理全體之效率的狀態下，除去液體。並且藉由除去附著在零件之液體，防止因附著之液體造成曝光精度降低等不良情形，以良好的精度將期望圖案形成在基板上。
本發明之曝光裝置(EX)，係將投影光學系統(PL)與基板(P)之間充滿液體(1)，透過該投影光學系統(PL)與液體(1)將圖案像投影至該基板(P)上以使該基板(P)曝光，其特徵在於：於該投影光學系統(PL)之像面附近所配置的零件上側，設有用以防止液體(1)附著於該零件之遮蔽構件(180)。
根據本發明，在基板之曝光中及曝光結束後(或之前)的任一時期，皆能以遮蔽構件遮蔽從基板上飛散之液體、及從嘴部等零件滴落之液體，防止液體附著在該遮蔽構件下側之零件等不良情形。因此，防止因零件上所附著之液體造成曝光精度降低等不良情形，以良好的精度將期望圖案形成在基板上。
本發明之曝光裝置(EX)，係將投影光學系統(PL)與基板(P)之間充滿液體(1)，透過該投影光學系統(PL)與液體(1)將圖案像投影至該基板(P)上以使該基板(P)曝光，其特徵在於，具備：載台(52,PST)，具有保持該基板(P)的保持面，能相對該投影光學系統(PL)移動；以及液體承接構件(102)，係配置在該載台(52,PST)周圍，其承接液體之面被設定為在該保持面的下方。
根據本發明，由於能以液體承接構件來承接從載台端部落下的液體、以及從配置在投影光學系統前端之光學元件或保持該光學元件之鏡座落下之液體，因此能防止液體附著或飛散至載台之驅動部及基座等，不希望有液體附著之處。故能抑制基板之定位精度降低，以良好的精度將期望圖案形成在基板上。
本發明之曝光裝置(EX)，係將投影光學系統(PL)與基板(P)之間充滿液體(1)，透過該投影光學系統(PL)與液體(1)將圖案像投影至該基板(P)上以使該基板(P)曝光，其特徵在於，具備：載台(52,PST)，係能保持該基板(P)並移動；位置檢測構件，係為檢測該載台(52,PST)之位置相關資訊而設於該載台(52,PST)；以及液體去除機構(90)，係用以除去附著在該位置檢測構件之液體(1)。
根據本發明，由於能除去附著在用以檢測該載台之位置相關資訊之位置檢測構件(例如，用以反射來自雷射干涉儀之測量光的移動鏡)的液體，因此能抑制對載台之位置測量及基板定位精度之影響，以良好的精度將期望圖案形成在基板上。
本發明之曝光裝置(EX)，係以液體(1)在基板(P)形成液浸區域(AR2)，透過該液浸區域(AR2)之液體(1)將像投影至該基板(P)上以使該基板(P)曝光，其特徵在於：具備可保持該基板(P)移動的載台裝置(52,PST)、檢測該載台裝置(52,PST)之位置資訊的干涉儀(56)、以及設於該載台裝置(52,PST)用來反射來自該干涉儀(56)之測量光的反射面；該反射面之上端，係位於該液浸區域(AR2)之下方。
本發明之曝光裝置(EX)，係透過供應至基板(P)之液體(1)將像投影至該基板(P)上以使該基板曝光(P)，其特徵在於，具備：基板保持構件(52,PST)，可保持該基板(P)並移動；干涉儀(56)，係用以檢測該基板保持構件(52,PST)之位置資訊；板狀構件(180)，係設在該基板保持構件(52,PST) 上面，具有撥液性；以及反射面，係在該板狀構件(180)下方設於該基板保持構件(52,PST)，用來反射來自該干涉儀(56)之測量光(56a)；在該測量光(56a)射入該反射面之方向，該板狀構件(180)端部之至少一部分，係較該反射面突出於該射入方向側。
本發明之曝光裝置(EX)，係以投影光學系統(PL)將像形成於基板(P)，其特徵在於，具備：基板保持構件(52,PST)，係可保持該基板()P)進行至少在平面內之移動；干涉儀(56)，係用以檢測該基板保持構件(52,PST)在該平面內之位置資訊；以及反射面，係設於該基板保持構件(52,PST)，用來反射來自該干涉儀(56)之測量光(56a)；該測量光(56a)射入該反射面之光路的至少一部分，係通過該基板保持構件(52,PST)之至少一部分的下方。
本發明之元件製造方法，係以使用上述曝光裝置(EX)為特徵。根據本發明，能在抑制環境變化、及投影光學系統像面附近之光學元件產生痕跡的狀態下，製造具有期望性能的元件。
以下，參照圖式說明本發明之曝光裝置之實施形態。圖1，係顯示本發明之曝光裝置之一實施形態的概略構成圖。
圖1中，曝光裝置EX，具備：支持光罩M之光罩載台MST，支持基板P的基板載台PST，以曝光用光EL照射被 光罩載台MST所支持之光罩M的照明光學系統IL，將以曝光用光EL照明之光罩M之圖案像投影至被基板載台PST所支持之基板P上的投影光學系統PL，以及統籌控制曝光裝置EX全體之動作的控制裝置CONT。曝光裝置EX全體，係收納在處理室裝置CH內。
本實施形態之曝光裝置EX，係為了實質縮短曝光波長以提高解析度並同時顧及焦深之擴大，而使用液浸法之液浸曝光裝置，其具備將液體1供應至基板P上的液體供應機構10，以及用以自基板P上回收液體1的液體回收機構20。本實施形態中，液體1係使用純水。曝光裝置EX，至少在將光罩M的圖案像轉印至基板P上的期間，使用液體供應機構10所供應的液體1，在基板P上之至少一部分(局部的，包含投影光學系統PL之投影區域AR1)形成液浸區域AR2。具體而言，曝光裝置EX，係在投影光學系統PL前端部之光學元件2及基板P表面(曝光面)之間充滿液體1，透過位於投影光學系統PL與基板P間之液體1及投影光學系統PL，將光罩M之圖案像投影至基板P上，據以使基板P曝光。
本實施形態，作為曝光裝置EX，係以使用一邊使光罩M與基板P於掃描方向(既定方向)以彼此不同之面向(反方向)同步移動，一邊將光罩M上所形成之圖案曝光至基板P的掃描型曝光裝置(所謂之掃描步進器)為例，來作說明。以下之說明中，係取與投影光學系統光軸AX一致的方向為Z軸方向，與Z軸方向垂直之平面內取光罩M與基板P之同 步移動方向(掃描方向)為X軸方向，取與Z軸方向及Y軸方向垂直之方向為Y軸方向(非掃描方向)。此外，取繞X軸、Y軸、及Z軸(傾斜)方向分別為θ X方向、θ Y方向、及θ Z方向。又，此處所指之「基板」包含在半導體晶圓上塗布光阻者，所謂之「光罩」則包含其上形成欲縮小投影至基板上之元件圖案的標線片。
照明光學系統IL，係用來以曝光用光EL照明被光罩載台MST所支持之光罩M，具有：曝光用光源，用以使曝光用光源所射出之光束照度均勻化之光學積分器，用以將來自光學積分器之曝光用光EL加以聚光之聚光透鏡，中繼透鏡系統，及可變視野光闌(用來將曝光用光EL照射於光罩M上之照明區域設定成狹縫狀)等。光罩M上之既定照明區域，係使用照明光學系統IL以照度分佈均勻之曝光用光EL來加以照明。從照明光學系統IL射出之曝光用光EL，例如係使用從水銀燈射出之紫外線帶之亮線(g線、h線、i線)以及KrF準分子雷射光(波長248nm)等之遠紫外光(DUV光)、ArF準分子雷射光(波長193nm)及F2 雷射光(波長157nm)等之真空紫外光(VUV光)等。本實施形態，係使用ArF準分子雷射光。如前所述，本實施形態之液體1為純水，即使曝光用光EL為ArF準分子雷射光亦能穿透。此外，純水亦能使紫外線帶之亮線(g線、h線、i線)以及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)穿透。
光罩載台MST係用來支持光罩M，能在與投影光學系統PL之光軸AX垂直的平面內，亦即能在XY平面內進行 2維移動及θ Z方向之微小旋轉。光罩載台MST係以線性馬達等之光罩載台驅動裝置MSTD來加以驅動。光罩載台驅動裝置MSTD係以控制裝置CONT加以控制。光罩載台MST上設有移動鏡50。於移動鏡50之對向位置設有雷射干涉儀51。光罩載台MST上光罩M之2維方向位置、及旋轉角，係以雷射干涉儀51即時加以測量，測量結果被輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT，根據雷射干涉儀51之測量結果來驅動光罩載台驅動裝置MSTD，據以進行光罩載台MST所支持之光罩M之定位。
投影光學系統PL，係以既定投影倍率β將光罩M之圖案投影曝光至基板P，具備以複數個光學元件構成之投影光學系統本體MPL、與設在基板P側(投影光學系統PL之像面側)前端部之光學元件2。構成投影光學系統MPL之複數個光學元件係以鏡筒PK加以支持，前端部之光學元件2係以鏡座LS(Lens Cell)加以保持。保持光學元件2之鏡座LS與鏡筒PK之前端部，係以具有複數個連桿部151之連結裝置150加以連結。本實施形態中，投影光學系統PL，係投影倍率β為例如1/4或1/5之縮小系統。又，投影光學系統PL，可以是等倍系統或放大系統之任一者。前端部之光學元件2及鏡座LS係與液浸區域AR2之液體1接觸。
光學元件2係以螢石形成。螢石與純水的親和性高，故可使得液體1幾乎全面的緊貼於光學元件2的液體接觸面2a。亦即，在本實施形態中所供應者，係與光學元件2的液體接觸面2a間具有高親和性之液體(水)1，因此，光學 元件2之液體接觸面2a與液體1的密合性高，此外，光學元件2亦可使用與水之親和性高的石英。又，亦可對光學元件2的液體接觸面2a施以親水化(親液化)處理，以進一步提昇與液體1間的親和性。
又，曝光裝置EX具有焦點檢測系統4。焦點檢測系統4具有發光部4a與受光部4b，從發光部4a透過液體1對基板P表面(曝光面)自斜方向投射檢測光，其反射光以受光部4b來加以感光。控制裝置CONT，除控制焦點檢測系統4之動作外，亦根據受光部4b之感光結果，檢測基板P表面相對既定基準面之Z軸方向位置(焦點位置)。又，藉由求出基板P表面之複數點之各焦點位置，焦點檢測系統4亦能求出基板P之傾斜方向姿勢。又，作為焦點檢測系統4，可使用例如特開平8-37149號公報及與此對應之美國專利6,327,025號所揭示之構成。在本國際申請所指定之指定國(或所選擇之選擇國)之國內法令許可範內，援用該公報及對應美國專利之揭示作為本說明書之部分記載。
基板載台PST係用以支持基板P者，其具備：Z載台52，係透過基板保持具保持基板P；XY載台53，係用以支持Z載台52；及基座54，係用以支持XY載台53。基板載台PST係藉由線性馬達等基板載台驅動裝置PSTD所驅動。基板載台驅動裝置PSTD係由控制裝置CONT所控制。再者，當然亦可將Z載台與XY載台設置成一體。藉由基板載台PST的XY載台53的驅動，可據以控制基板P在XY方向的位置(即與投影光學系統PL的像面實質平行之方向 的位置)。
在基板載台PST(Z載台52)之側部設有移動鏡(反射鏡)55。又，在對向於移動鏡55的位置，設有雷射干涉儀56。基板載台PST上之基板P，其在2維方向之位置以及旋轉角度係由雷射干涉儀56即時加以量測，量測結果輸出至控制裝置CONT。該控制裝置CONT根據雷射干涉儀56的量測結果，透過基板載台驅動裝置PSTD來驅動XY載台53，據以進行被基板載台PST所支持的基板P在X軸方向及Y軸方向的定位。
又，控制裝置CONT係透過基板載台驅動裝置PSTD來驅動基板載台PST之Z載台52，據以對由Z載台52所保持的基板P在Z軸方向的位置(焦點位置)、及θ X、θ Y方向的位置進行控制。亦即，係由控制裝置CONT根據焦點檢測系統4的檢測結果而下達指令，以驅使Z載台52動作，控制基板P的焦點位置(Z位置)及傾斜角度，以使基板P的表面(曝光面)與透過投影光學系統PL及液體1所形成的像面一致。
在基板載台PST(Z載台52)上，設有圍繞基板P的輔助板57。輔助板57具有與基板保持具所保持之基板P表面約略同高的平面。此處，在基板P的邊緣部與輔助板57之間雖有0.1~1mm左右之縫隙，然而，受液體1的表面張力所致，液體1幾乎不會流入該縫隙內，即使使基板P的周邊附近曝光時，亦可藉由輔助板57將液體1保持於投影光學系統PL之下。
又，在基板載台PST(Z載台52)上設有基準構件7，其具有光罩M及基板P之對準處理時所使用的基準標記MFM、PFM。此外，在投影光學系統PL之前端附近，設有基板對準系統5，其係用以檢測出基板P上之對準標記，或是設於基準構件7之基準標記PFM。又，在光罩載台MST的附近，設有光罩對準系統6，其係透過光罩M與投影光學系統PL來檢測出設於基準構件7之基準標記MFM。又，作為基板對準系統5的結構，可採用例如日本專利特開平4-65603號公報及與此對應之美國專利5,493,403號所揭示者；作為光罩對準系統6的結構，可採用特開平7-176468號公報及與此對應之美國專利5,646,413號所揭示者。
又，在本國際申請所指定之指定國(或所選擇之選擇國)之國內法令許可範內，援用該公報及對應美國專利之揭示作為本說明書之部分記載。
進一步的，在基板載台PST(Z載台52)上設有受光器8，其係用來將透過投影光學系統PL照射於其像面側(基板P側)之光加以感光者。受光器8，具備：由設在Z載台52上之玻璃板構成的光透射構件8A，與埋設在Z載台52中、用以將透過光透射構件8A之光加以感光的受光元件8B。
在基板對準系統5的附近，設有用以除去殘留在基準構件7之液體1的第1液體去除裝置(液體去除機構)40。又，於基板載台PST設有載台液體回收裝置(液體去除機構)30來回收液體1。
液體供應機構10，係為形成液浸區域AR2而從上方將 既定液體1供應至基板P上者，具備可送出液體1的液體供應裝置11，及透過供應管12(具有流路)連接於液體供應裝置11、將此液體供應裝置11送出之液體1供應至基板P上的供應嘴13(具有供應口)。液體供應裝置11具備儲存液體1之儲水槽(tank)、及加壓泵等，透過供應管12及供應嘴13將液體1供應至基板P上。液體供應裝置11之液體供應動作，係由控制裝置CONT所控制，控制裝置CONT可分別獨立控制液體供應裝置11對基板P上每單位時間的液體供應量。此外，液體供應裝置11具有液體1之溫度調整機構，以將與用來收納裝置之處理室裝置CH內大致相同溫度(例如23℃)之液體1供應至基板P上。供應嘴13係接近基板P配置，從該基板P上方對該基板P供應液體1。又，供應嘴13在液浸曝光中係與液浸區域AR2之液體1接觸。
液體回收機構20，係用來從上方回收基板P上之液體1，具備：具有配置在接近基板P表面之回收口的回收嘴23、以及透過具有流路之回收管22連接於此回收嘴23的液體回收裝置21。液體回收裝置21例如具備真空泵等之真空系統(吸引裝置)、以及用來收納所回收之液體1的儲水槽(tank)等，透過回收嘴23及回收管22回收基板P上之液體1。液體回收裝置21之液體回收動作係以控制裝置CONT來加以控制，控制裝置CONT能控制液體回收裝置21之每單位時間的液體回收量。回收嘴23在液浸曝光中係與液浸區域AR2之液體1接觸，液體回收機構20透過回收嘴23從基板P上方回收基板P上之液體1。
圖2，係顯示投影光學系統PL之投影區域AR1、往X軸方向供應液體1之供應嘴13(13A~13C)、與用來回收液體1之回收嘴23(23A,23B)間之位置關係的圖。圖2中，投影光學系統PL之投影區域AR1係於Y軸方向細長之矩形，於該投影區域AR1投影光罩之部分圖案像。以在X軸方向隔著投影光學系統PL之方式，在+X側配置有3個供應嘴13A~13C，在-X側配置有2個回收嘴23A,23B。供應嘴13A~13C係透過供應管12連接於液體供應裝置11，回收嘴23A,23B則係透過回收管22連接於液體回收裝置21。又，在將供應嘴13A~13C與回收嘴23A,23B旋轉大致180度之位置，配置有供應嘴15A~15C及回收嘴25A,25B。供應嘴13A~13C與回收嘴25A,25B係於Y軸方向交互排列，供應嘴15A~15C與回收嘴23A,23B係於Y軸方向交互排列，供應嘴15A~15C係透過供應管14連接於液體供應裝置11，回收嘴25A,25B則係透過回收管24連接於液體回收裝置21。
然後，相對投影光學系統PL，光罩M往-X方向(或+X方向)以速度V移動，基板P則與此同步，透過XY載台53往+X方向(或-X方向)以速度β‧V(β係投影倍率)移動。在對一個曝光照射區域之曝光結束後，藉由基板P之步進移動將下一個曝光照射區域移動至掃描開始位置，之後即以步進掃描方式依序進行對各曝光照射區域之曝光。
本實施形態中，控制裝置CONT，係沿著基板P之移動方向放出液體1。例如，在使基板P往箭頭Xa所示之掃描 方向(-X方向)移動來進行掃描曝光時，係使用供應管12、供應嘴13A~13C、回收管22、及回收嘴23A,23B，以液體供應裝置11及液體回收裝置21進行液體1之供應及回收。亦即，在基板P往-X方向移動時，係透過供應管12及使用供應嘴13(13A~13C)從液體供應裝置11將液體1供應至投影光學系統PL與基板P之間，且使用回收嘴23(23A,23B)及回收管22將液體1回收至液體回收裝置21，使液體1往-X方向流動以充滿光學元件2與基板P之間。另一方面，在使基板P往箭頭Xb所示之掃描方向(+X方向)移動來進行掃描曝光時，係使用供應管14、供應嘴15A~15C、回收管24、及回收嘴25A,25B，以液體供應裝置11及液體回收裝置21進行液體1之供應及回收。亦即，在基板P往+X方向移動時，係透過供應管14及供應嘴15(15A~15C)從液體供應裝置11將液體1供應至投影光學系統PL與基板P之間，且透過回收嘴25(25A,25B)及回收管24將基板P上之液體1回收至液體回收裝置21，使液體1往+X方向流動以充滿光學元件2與基板P之間。以此方式，控制裝置CONT係使用液體供應裝置11及液體回收裝置21，沿基板P之移動方向，將液體1流向與基板P之移動方向相同的方向。此時，例如從液體供應裝置11透過供應嘴13所供應之液體1，係隨著基板P往-X方向之移動而被吸入流至投影光學系統PL與基板P間之空間，因此即使液體供應裝置11之供應能量小，亦能輕易的將液體1供應至投影光學系統PL與基板P間之空間。此外，視掃描方向切換液體1之 流動方向，則無論在從+X方向、或-X方向之任一方向掃描基板P時，皆能以液體1將投影光學系統PL前端部之光學元件2與基板P之間予以充滿，獲得高解像度及廣的焦深。
又，上述嘴部之形狀並無特別之限定，例如，亦可是在投影區域AR1之長邊以二對嘴部來進行液體1之供應或回收。又，此時，為了在+X方向、-X方向之任一方向皆能進行液體1之供應及回收，可將供應嘴與回收嘴上下並排配置。此外，亦可將用來進行液體1之供應及回收的嘴部，相距一既定間隔設在投影光學系統PL之光學元件2周圍，在基板P往掃描方向(+X方向、-X方向)以外之方向移動時，與基板P之移動方向平行的，將液體1流向與基板P之移動方向相同的方向。
圖3，係從上方觀察基板載台PST之Z載台52的概略俯視圖。在矩形之Z載台彼此垂直的2個側面設有移動鏡55(55X,55Y)。具體而言，移動鏡55X係設置成在Z載台52之+X側端部延伸於Y軸方向，移動鏡55Y係設置成在Z載台52之-X側端部延伸於X軸方向。在Z載台52之大致中央透過未圖示之保持具保持基板P。
在各移動鏡55(55X,55Y)之對向位置，分別設有對移動鏡55照射雷射光(測量光)之雷射干涉儀56(56X,56Y)。此外，此外，在基板載台PST之外側、各雷射干涉儀56附近，設有構成為第2液體去除裝置(液體去除機構)90之一部分、具有氣體吹出口91A之吹出嘴91，此吹出嘴91係對移 動鏡55噴吹氣體以除去附著在移動鏡55之液體1。本實施形態中，吹出嘴91係挾著雷射干涉儀56分別設在其兩側。
移動鏡55之上部，形成有沿該移動鏡55之長邊方向的槽部(上部槽部)58。在移動鏡55中槽部58內側之複數個既定位置，分別設有對該移動鏡55施加振動的加振裝置92。本實施形態中，加振裝置92係由壓電元件之壓電膜片構成，安裝在移動鏡55之槽部58之長邊方向中央部與兩端部的3個位置。又，壓電膜片92之設置位置及數量可任意設定。
基板P之周圍，如前所述，設有輔助板57，輔助板57，具有與基板P表面大致同高的平面。此外，在輔助板57周圍，設有構成為液體回收裝置30(用以進行液體1之回收)之一部分的液體吸收構件31。液體吸收構件31係具有既定寬度之環狀構件，配置在Z載台52上形成為環狀的槽部(回收口)33中。液體吸收構件31，例如係由多孔質陶瓷等之多孔性材料構成。或者，作為液體吸收構件31之形成材料，亦可使用多孔性材料之海棉。由多孔性材料構成之液體吸收構件31可保持既定量之液體1。
在Z載台52的一個角落設有基準構件7。於基準構件7，以既定之位置關係、設有以基板對準系統5加以檢測之基準標記PFM、與使用光罩對準系統6加以檢測之基準標記MFM。又，基準構件7之表面大致平坦，其亦具有焦點檢測系統4之基準面的功能。此外，亦可將焦點檢測系統4之基準面與基準構件7不同的設在Z載台52上。或者，亦 可一體設置基準構件7與輔助板57。
又，Z載台52上基準構件7的附近，設有液體吸收構件42，其係用來回收以第1液體去除裝置40從基準構件7除去之液體1。液體吸收構件42，係配置在形成於Z載台52之槽部44。再者，於Z載台52之另一角落，配置有用來除去殘留附著在投影光學系統PL前端部之光學元件2、或保持此光學元件2之鏡座LS的液體，構成為第3液體去除裝置(液體去除機構)60之一部分之嘴部64的氣體吹出口64A，於該氣體吹出口64A附近，設有用來回收從光學元件2除去之液體1的液體吸收構件65。液體吸收構件65，係配置在形成於Z載台52之槽部66。
進一步的，於Z載台52之另一角落，設有構成為受光器8之一部分的光透射構件8A，此受光器8係用來感光透過投影光學系統PL照射於其像面側(基板P側)的光。光透射構件8A，係在玻璃板表面圖案化出含鉻等遮光性材料之膜，於其中央部設置以Y軸方向為長邊方向之光透射部的狹縫部8S。透過投影光學系統PL照射於其像面側之光，在通過狹縫部8S後，被埋設在Z載台52之受光元件8B加以感光。此外，Z載台52上光透射構件8A的附近，設有液體吸收構件142，其係用來回收從光透射構件8A除去之液體1。液體吸收構件142，係配置在形成於Z載台52之槽部144。
圖4，係顯示載台液體回收裝置30的截面圖。載台液體回收裝置30，具備：配置在Z載台52上形成為環狀之槽 部(回收口)33中的上述液體吸收構件31，形成在Z載台52內部、與槽部33連續的流路32，設在Z載台52外部、其一端連接於流路32的管路36，連接在管路36之另一端、設在Z載台52外部的儲水槽37，透過具有閥38A之管路38連接於此儲水槽37之真空系統(吸引裝置)的泵39。於儲水槽37設有排出流路37A，當液體1儲存至既定量時即從排出流路37A排出。又，載台液體回收裝置30之集水方式，係驅動泵39，將液體吸收構件31所回收之液體1吸入儲水槽37。
接著，說明使用上述曝光裝置EX將光罩M之圖案曝光至基板P之順序。
在從液體供應機構10進行液體1之供應前，在基板P上沒有液體1的狀態下，先進行測量處理。控制裝置CONT，一邊監測雷射干涉儀56之輸出一邊移動XY載台53，以使投影光學系統PL之光軸AX沿圖3之虛線箭頭18前進。於該移動途中，基板對準系統5，不透過液體1來檢測對應曝光照射區域S1~S11形成在基板P上之複數個對準標記(未圖示)(步驟SA1)。在基板對準系統5進行對準標記之檢測時，XY載台53係停止。其結果，即測量出在以雷射干涉儀56所規定之座標系統內的各對準標記之位置資訊。又，以基板對準系統5進行之對準標記的檢測，可對基板P上之所有對準標記進行檢測，亦可僅對其中一部分進行檢測。
又，在該XY載台53之移動中，亦以焦點檢測系統4 不透過液體1檢測基板P之表面資訊(步驟SA2)。以焦點檢測系統4進行之表面資訊的檢測，係對基板P上所有曝光照射區域S1~S11之各個進行，檢測結果係對應基板P之掃描方向(X軸方向)的位置，儲存於控制裝置CONT。又，以焦點檢測系統4進行之表面資訊的檢測，可僅對部分曝光照射區域進行。
基板P之對準標記的檢測、及基板P表面資訊的檢測結束後，控制裝置CONT即移動XY載台53，將基板對準系統5之檢測區域定位在基準構件7上。基板對準系統5檢測基準構件7上之基準標記PFM，並測量以雷射干涉儀56所規定之座標系統內的基準標記PFM之位置資訊(步驟SA3)。
此基準標記PFM之檢測處理結束後，即求得基準標記PFM與基板P上複數個對準標記間之位置關係，亦即，分別求得基準標記PFM與基板P上複數個曝光照射區域S1~S11間之位置關係。又，由於基準標記PFM與基準標記MFM之間為既定位置關係，因此，即代表決定了XY平面內基準標記MFM與基板P上複數個曝光照射區域S1~S11間之位置關係。
又，在以基板對準系統5進行之基準標記PFM之檢測前或檢測後，控制裝置CONT以焦點檢測系統4檢測基準構件7表面(基準面)之表面資訊(步驟SA4)。結束此基準構件7表面之檢測處理，即求出了基準構件7表面與基板P表面間之關係。
接著，為能以光罩對準系統6檢測基準構件7上之基準標記MFM，控制裝置CONT移動XY載台53。當然，在此狀態下，投影光學系統PL之前端部與基準構件7係相對向。此時，控制裝置CONT即開始以液體供應機構10及液體回收機構20進行液體1之供應及回收，將投影光學系統PL與基準構件7之間以液體1充滿，形成液浸區域。
其次，控制裝置CONT，以光罩對準系統6透過光罩M、投影光學系統PL、及液體1進行基準標記MFM之檢測(步驟SA5)。據此，即透過投影光學系統PL與液體1，使用基準標記MFM檢測出XY平面內光罩M之位置，亦即光罩M之圖案像的投影位置資訊。
結束以上之測量處理後，控制裝置CONT即停止液體供應機構10對基準構件7上之液體1的供應動作。另一方面，控制裝置CONT，在既定期間持續液體回收機構20從基準構件7上之液體1的回收動作。在經過該既定期間後，控制裝置CONT即停止液體回收機構20之回收動作，並為了除去液體回收機構20無法完全回收而殘留在基準構件7上之液體1，而移動基板載台PST。
圖5A及圖5B，係顯示第1液體去除裝置40除去基板載台PST(Z載台52)上所設之基準構件7上所殘留之液體1之狀態的圖，圖5A係概略立體圖、圖5B係截面圖。圖5A及圖5B中，第1液體去除裝置40，具備：對基準構件7噴吹氣體之噴吹裝置41，與對基準構件7施加振動之加振裝置43B。如圖5B所示，基準構件7，係被形成於Z載台 52之凹部52A中所設之支持部7A支持，基準構件7與凹部52A之間形成有空間7S。基準構件7為板狀構件，支持部7A係支持基準構件7之下面7K的端部。於基準構件7之下面7K中央部設有加振裝置43B。加振裝置43B係以壓電元件構成，控制裝置CONT藉由對壓電元件(加振裝置)43B施加既定電壓，使用此壓電元件43B來對基準構件7施加振動。
噴吹裝置41，具備：可送出氣體氣體供應部41A，與連接於氣體供應部41A之嘴部43。嘴部43之氣體吹出口43A係形成為狹縫狀，接近基準構件7配置。氣體供應部41A及嘴部43，係被與投影光學系統PL獨立之未圖示的支持部所支持。
在Z載台52上、與基準構件7相鄰接之位置設有液體吸收構件42，此液體吸收構件42係用來回收(保持)以第1液體去除裝置40從基準構件7除去之液體。液體吸收構件42，係隔著基準構件7設在與嘴部43之氣體吹出口43A對向之位置。液體吸收構件42，係配置在設於Z載台52之槽部(回收口)44中。液體吸收構件42，與載台液體回收裝置30之液體吸收構件31同樣的，例如係以多孔質陶瓷或海綿等多孔性材料構成，能保持既定量之液體1。
藉由從氣體供應部41A送出氣體，高速之氣體即透過嘴部43之狹縫狀氣體吹出口43A從斜方向吹至基準構件7。控制裝置CONT，以第1液體去除裝置40之嘴部43對基準構件7噴吹氣體，據以吹掉殘留附著在基準構件7上 之液體1來加以去除。此時，控制裝置CONT，相對第1液體去除裝置40之嘴部43(氣體吹出口43A)一邊移動基板載台PST、一邊以嘴部43將氣體噴吹於基準構件7，即能對基準構件7之表面全體無遺漏的噴吹氣體。吹飛之液體1，被配置在嘴部43之氣體吹出口43A對向位置的液體吸收構件42保持(回收)。
本實施形態中，係使用壓電元件43B對基準構件7施加振動，同時以嘴部43之氣體吹出口43A對該基準構件7噴吹氣體。藉由對基準構件7施加振動，促進液體1之去除(彈開)，而能藉由氣體之噴吹從基準構件7上良好的除去液體1。
於Z載台52內部，形成與槽部44連續之流路45配置在槽部44之液體吸收構件42之底部係連接於流路45。連接於槽部44(配置有液體吸收構件42)之流路45，係連接於設在Z載台52外部之管路46的一端部。另一方面，管路46之另一端部，則係透過管路48(具有設在Z載台52外部之儲水槽47及閥48A)連接於泵(吸引裝置)49。儲水槽47設有排出流路47A，當液體1儲存至既定量時即從排出流路47A排出。控制裝置CONT，驅動第1液體去除裝置40之氣體供應部41A，並驅動泵49，將液體吸收構件42所回收之液體1吸入儲水槽47來進行集水。亦即，此處，液體吸收構件42、儲水槽47、及泵49等，係構成用來回收從基準構件7除去之液體1的液體回收機構(第2液體回機構)。
接著，控制裝置CONT，為進行基板P上各曝光照射區 域S1~S11之曝光，移動XY載台53使投影光學系統PL與基板P相對向(步驟SA6)。在使投影光學系統PL與基板P相對向後，控制裝置CONT即驅動液體供應機構10開始對基板P上之液體供應動作。為了基板P上形成液浸區域AR2而從液體供應機構10之液體供應裝置11送出之液體1，在流過供應管12後，透過供應嘴13供應至基板P上，在投影光學系統PL與基板P之間形成液浸區域AR2。供應至基板P上之液體1，至少在基板P上形成較投影區域AR1大範圍之液浸區域AR2。又，控制裝置CONT，控制液體回收機構20之液體回收裝置21，與液體供應機構10之液體1之供應動作並行，進行基板P上之液體回收動作。亦即，控制裝置CONT，為了在基板P之曝光中形成液浸區域AR2，係同時進行液體供應機構10之液體供應及液體回收機構20之液體回收。基板P上之液體1，係從回收嘴23之回收口加以回收(步驟SA7)。
然後，使用前述測量處理中求得之各資訊，對基板P上之各曝光照射區域S1~S11進行掃描曝光(步驟SA8)。亦即，在對各曝光照射區域之掃描曝光中，根據液體1之供應前求得之基準標記PFM與各曝光照射區域S1~S11間之位置關係的資訊，以及液體1之供應後使用基準標記MFM求得之光罩M圖案像之投影位置資訊，進行基板P上各曝光照射區域S1~S11與光罩M之位置對準。
此外，在對各曝光照射區域S1~S11之掃描曝光中，根據液體1之供應前求得之基準P的表面資訊，以及掃描 曝光中使用焦點檢測系統4檢測出之的基板P表面之面資訊，不使用焦點檢測系統4，調整基板P表面與透過液體1形成之像面間的位置關係。
在對各曝光照射區域S1~S11之掃描曝光中，有時會產生液體1從基板P上所形成之液浸區域AR2飛散至該基板P外側的情形。例如，在基板P之曝光中從基板P上飛散之液體1附著在移動鏡55之反射面時，從雷射干涉儀56對移動鏡55照射之測量光，有可能因附著於該移動鏡55之液體1而產生散射等，而使得以雷射干涉儀56進行之基板載台PST之位置測量，無法以良好之精度進行。因此，控制裝置CONT在判斷從基板P上飛散之液體1附著在移動鏡55時，即使用第2液體去除裝置90，開始進行移動鏡55之液體去除處理。
此處，在液體1附著於移動鏡55之情形下，雷射干涉儀56將測量光照射於移動鏡55時，該移動鏡55之反射光被雷射干涉儀56感光之感光量會降低。控制裝置CONT，可根據雷射干涉儀56之測量結果(感光結果)，亦即，根據來自移動鏡55之反射光的感光量，判斷移動鏡55是否附著有液體1。
例如，當判斷在第6曝光照射區域S6之曝光中液體1附著於移動鏡55時，控制裝置CONT，即在對第6曝光照射區域S6之掃描曝光結束後，對下一個第7曝光照射區域S7之掃描曝光開始前的期間中，進行第2液體去除裝置之液體去除處理。
圖6，係顯示以第2液體去除裝置90來除去附著在移動鏡55(55X)之液體1之動作的側視截面圖。以下，係說明除去附著在Z載台52之+X側端部所設之移動鏡55X之液體1的情形，在除去附著在Z載台52之+Y側端部所設之移動鏡55Y之液體1時亦係進行同樣的動作。
圖6中，移動鏡55(55X)，具備：在其上部沿移動鏡55之長邊方向(Y軸方向)形成為切口狀之上部槽部58、與在其上部沿移動鏡55之長邊方向形成為切口狀之下部槽部59，截面呈H型。形成為截面呈H型之移動鏡55中，形成在腹板部55C之一側的內側突緣部55A係與Z載台52接觸，形成在腹板部55C另一側之外側突緣部55B之外側面55S為雷射干涉儀56所照射之測量光的反射面。此外，移動鏡55中外側突緣部55B，係在其高度方向(Z軸方向)中央部被腹板部55C所支持，上端部55J為自由端。來自雷射干涉儀56之測量光，則係照射於外側突緣部55B之反射面(外側面)55S之上端部55J(亦即自由端附近)附近。又，移動鏡55之全體係以陶瓷或光學玻璃等構成，於外側面55S蒸鍍金屬等具有光反射性之材料來形成反射面。
第2液體去除機構90，具備：設在雷射干涉儀56附近、具有氣體吹出口91a之吹出嘴91，與設在移動鏡55之槽部58內側、用以對移動鏡55施加振動的壓電膜(加振裝置)92。壓電膜92，係貼在移動鏡55中、與具有反射面55S之外側突緣部55B之槽部58相對的內側面55D。具體而言，壓電膜92，係貼在外側突緣部55B之內側面55D中、為振 動自由端之上端部55J附近。壓電膜92係在貼於內側面55J的狀態下，如圖6中之箭頭z1所示，能往上下方向(Z軸方向)伸縮，藉由此壓電膜92之伸縮動作，外側突緣部55B之上端部55J附近，即以腹板部(支持部)55C為基端、如箭頭b1所示往θ Y方向振動。外側突緣部55b被壓電膜92施加振動，即能促進附著於該外側突緣部55b(反射面55S)之液體1的去除。尤其是，藉由對外側突緣部55b之自由端的上端部55J附近施加振動，即代表反射面55S中、被來自雷射干涉儀56之測量光所照射之位置特別被施加振動，因此能良好的除去附著在反射面55S中、被測量光所照射位置(亦即上端部55J附近)之液體1。
吹出嘴91，分別設在雷射干涉儀56之兩側(參照圖3)，藉由氣體吹出口91A對移動鏡55從斜上方噴吹氣體。吹出嘴91係設置成能藉由未圖示之驅動機構往上下方向(Z軸方向)移動，能對基準構件7之表面全體無遺漏的噴吹氣體。
在基板載台PST外側，設有用來除去從移動鏡55所回收之液體1的第2液體回收機構100。第2液體回收機構100，具有設在基板載台PST外側，用來處理從移動鏡55除去而滴落之液體1的處理機構101。處理機構101，具備：設在基板載台PST外側吹出嘴91下方、用來回收液體1之導水構件102，與用來排出以導水構件102所回收之液體1的排出機構103。排出機構103，具備：透過管路104連接於導水構件102之儲水槽105，與透過管路106連接於此儲水槽105之作為真空系統(吸引裝置)的泵107。於管路106 途中，設有用來開關管路106之流路的閥106A。導水構件102係配置在處理室裝置CH內部，排出機構103則係配置在處理室裝置CH外部。儲水槽105設有排出流路105A，當來自導水構件102之液體1儲存至既定量時即從排出流路105A排出。然後，排出機構103，驅動泵107將以導水構件102回收之液體1吸入儲水槽105剌加以收集。
例如，在第6曝光照射區域S6之曝光中判斷出液體1附著於移動鏡55時，控制裝置CONT，即在對第6曝光照射區域S6之掃描曝光結束後，儲存第6曝光照射區域S6之相關資訊。第6曝光照射區域S6之相關資訊，包含該第6曝光照射區域之曝光時基板載台PST之位置資訊(亦即，第6曝光照射區域S6之位置資訊)。此時之基板載台PST之位置資訊，可根據雷射干涉儀56之測量結果來加以求出。然後，控制裝置CONT，在儲存第6曝光照射區域S6之相關資訊後，移動基板載台PST，使移動鏡55接近液體去除處理位置之吹出嘴91附近。
控制裝置CONT，在移動基板載台PST，使移動鏡55移動至液體去除處理位置之吹出嘴91與第2液體回收機構100之間後，即驅動未圖示之壓縮空氣供應裝置，藉由吹出嘴91之氣體吹出口91A對移動鏡55之反射面55S從斜上方噴吹氣體。進一步的，控制裝置CONT，與吹出嘴之氣體噴吹動作並行，驅動壓電膜92對移動鏡55施加振動。藉由對移動鏡55施加振動來促進液體1之去除(彈開)，附著在反射面55S(被吹出嘴91之氣體吹出口91A噴吹氣體)之 液體1，即從反射面55S除去而落下。此時，使吹出嘴91往上下方向移動，一邊使基板載台PST往水平方向(Y軸方向)移動、一邊以吹出嘴91對移動鏡55噴吹氣體，即能對移動鏡55無遺漏的噴吹氣體。此外，由於吹出嘴91係分別設在雷射干涉儀56之兩側，因此，能在抑制基板載台PST之移動範圍下，對移動鏡55無遺漏的噴吹氣體。
又，以吹出嘴91對移動鏡55噴吹氣體時，可將吹出嘴91設置成亦能往水平方向(Y軸方向)移動，而不使基板載台PST往水平方向(Y軸方向)移動而使吹出嘴91往水平方向(Y軸方向)移動，亦可使基板載台PST及吹出嘴91之雙方往水平方向(Y軸方向)移動。同樣的，亦可取代吹出嘴91往上下方向(Z軸方向)之移動，而使基板載台PST往上下方向移動，或亦可使基板載台PST及吹出嘴91之雙方往上下方向移動。
從移動鏡55除去而滴落之液體1，被回收至第2液體回收機構100之導水構件102，以排出機構103排出至處理室裝置CH外部。藉由此種方式，由於液體1不會積在導水構件102，因此能防止處理室裝置CH內部之環境變動(溫度變動)。
本實施形態中，吹出嘴91，可隨時從斜上方噴吹氣體來除去附著在移動鏡55之液體1、並使移動鏡55不附著液體1。此外，除了隨時噴吹氣體外，亦可如前所述，對移動鏡55斷續的噴吹氣體。採用此方式，能更為良好的除去附著在移動鏡55之液體1。也就是說，如圖7A之示意圖所示， 從吹出嘴91連續的對移動鏡55噴吹氣體之情形時，易在移動鏡55表面(反射面)形成氣體的層流區域，例如，在附著之液體1之液滴(水滴)較小時，有時不易除去此液體1。然而，如圖7B之示意圖所示，藉由對移動鏡55斷續的噴吹氣體，會在移動鏡55表面形成亂流，藉由該亂流區域，即能順暢的除去附著在移動鏡55之液體1。
又，取代對移動鏡55斷續的噴吹氣體，而以高頻來一邊變化該噴吹之氣體一邊進行噴吹，即能在移動鏡55表面形成亂流，如此，亦能順暢的除去附著在移動鏡55之液體1。
此外，參照圖5A及圖5B所說明之對基準構件7從嘴部43噴吹氣體之情形時，亦可斷續的或一邊變化流速、一邊進行噴吹。
在第2液體回收機構進行之移動鏡55之液體去除處理結束後，控制裝置CONT，即根據上述所儲存之第6曝光照射區域S6之相關資訊(第6曝光照射區域S6之位置資訊)，為了對下一個第7曝光照射區域S7進行掃描曝光而將第7曝光照射區域S7配置於曝光開始位置，而移動基板載台PST。接著，將第7曝光照射區域S7配置在曝光開始位置後，控制裝置CONT即開始對第7曝光照射區域S7之掃描曝光，之後，依序進行對第8~第11曝光照射區域之曝光。
基板P上各曝光照射區域S1~S11之掃描曝光結束後，控制裝置CONT，即停止液體供應機構10之液體供應，並移動基板載台PST以使基板載台PST所設之載台液體回 收裝置30之回收口33與投影光學系統PL相對向。然後，控制裝置CONT一併使用液體回收機構20與載台液體回收裝置30，進行投影光學系統PL下之液體1的回收。由於此方式係同時使用回收口配置在基板載台PST(基板P)上方的液體回收機構20、與回收口配置在基板載台PST上之載台液體回收裝置30，同時回收液浸區域AR2之液體1，因此能降低投影光學系統PL前端及基板P上液體1之殘留。
又，載台液體回收裝置30，除了在基板P之曝光結束後回收液浸區域AR2之液體1外，亦能在液浸曝光中流出至基板P(輔助板57)外側之液體1。又，載台液體回收裝置30之回收口33，雖係在基板P周圍配置成環(圓環)狀，但亦可考慮基板P之曝光結束後基板載台PST之移動方向，而在基板P(輔助板57)附近之既定位置進行部分設置。此外，在液浸曝光之前後，由於可容許伴隨回收動作之較大的振動，因此可將液體回收機構20之回收功率設定成大於液浸曝光中。
此外，在液浸曝光結束後，無法完全回收基板P上之液體1時，例如移動支持此基板P之基板載台PST來將基板P配置在離開投影光學系統PL之位置，具體而言，將基板P配置在該噴吹裝置41之下方，對基板P噴吹氣體，將吹飛的液體1以載台液體回收裝置30來加以回收亦可。當然，此氣體噴吹動作不僅是對基板P，亦可對輔助板57及輔助板57外側之Z載台52表面進行噴吹。此時，藉由斷續的(或一邊變化流速)噴吹氣體，亦能良好的除去殘留附著 之液體1。
亦即，第1液體去除裝置40雖係用來除去殘留在基準構件7上之液體1，但亦可用來除去基板載台PST上殘留在基準構件7以外之零件上的液體1。例如，在液浸曝光中流出或飛散至基板P外側之液體1，而在基板載台PST(Z載台52)有液體1之狀態的情形時，可在基板P之曝光結束後以第1液體去除裝置40來除去此基板載台PST上之液體1。此時，可使用配置在載台液體回收裝置30之槽部(回收口)33之液體吸收構件31，來回收以第1液體去除裝置40之噴吹裝置41吹飛的液體1。
又，亦可將噴吹裝置41之嘴部設置成能相對基板載台PST移動，以回收在基板P之曝光中或曝光結束後流出至基板P外側之液體1。
如以上之說明，對配置在投影光學系統PL像面附近之移動鏡(或基準構件7)斷續的、或一邊變化其流速一邊噴吹氣體，即能在移動鏡表面上形成亂流，良好的除去附著在移動鏡55上不需之液體1。此外，與氣體之噴吹動作並行的對移動鏡55施加振動，即能促進移動鏡55上附著之液體1的去除，良好的除去該液體1。
又，本實施形態中，控制裝置CONT係根據雷射干涉儀56之測量結果，來判斷從基板P上飛散之液體1附著在移動鏡55時，是不等待一片基板P上所有曝光照射區域S1~S11之曝光結束，即在曝光途中(第6曝光照射區域S6之曝光後、至第7曝光照射區域S7之曝光開始前的期間)立即 進行液體去除處理。另一方面，即使液體1附著於移動鏡55而使雷射干涉儀56所感光(來自移動鏡55之反射光)之感光量降低時，只要能確保根據雷射干涉儀56之性能等所決定之既定值以上的感光量的話，基板載台PST之位置測量是可能的。因此，在一片基板P之曝光中，即使液體1附著於移動鏡55，控制裝置CONT亦可在對該一片基板P之所有曝光照射區域S1~S11之曝光結束後，再進行第2液體去除裝置90之液體去處理。也就是說，控制裝置CONT，可以在依序進行複數片基板P之曝光時，於某一基板(第1基板)P上之第11曝光照射區域S11之曝光結束後、至下一基板(第2基板)P上之第1曝光照射區域S1之曝光開始前的期間，使用第2液體去除裝置90來除去附著在移動鏡55之液體1。
又，上實施形態中，控制裝置CONT係根據雷射干涉儀56之測量結果(感光結果)，來判斷移動鏡55是否附著有液體1，再根據該判斷結果，決定進行液體去除處理之時機。另一方面，如前所述，若附著於移動鏡55之液體1的量非常少的話，基板載台PST之位置測量是可能的。因此，控制裝置CONT，可不依照雷射干涉儀56之測量結果，而以預先決定之既定時間間隔(或既定處理基板片數間隔)定期的進行第2液體去除裝置90之液體去除處理。
如前所述，為除去附著在移動鏡55之液體1的液體去除動作，可在對一片基板P之曝光動作中進行。此處，上述實施形態中，液體去除動作係在對第6曝光照射區域S6 之曝光與對第7曝光照射區域S7之曝光之間進行，於該液體去除動作中，曝光動作是暫時中斷。另一方面，如圖8所示，一邊持續對基板P之曝光動作(與基板P之曝光動作並行)、一邊使吹出嘴91(及第2液體回收機構100)接近(於X軸方向接近)基板載台PST之移動鏡55，藉由對該移動鏡55噴吹氣體來除去液體1亦是可能的。此時，由於吹出嘴91係分別設在雷射干涉儀56的兩側，能在不妨礙雷射干涉儀56之測量光光路的情形下，接近移動鏡55並與該移動鏡55一邊同步往X軸方向移動一邊噴吹氣體。此時，為避免液體去除動作使移動鏡55振動而降低雷射干涉儀56之位置測量精度，最好是不驅動加振裝置，且噴吹氣體之流速等亦設定為不致使位置測量精度降低之最佳值。又，在同時進行曝光動作與液體去除動作時，作為液體去除動作，除上述氣體噴吹動作外，亦可以是液體之吸引動作或乾燥氣體之供應動作。
又，液體1附著在移動鏡55時，控制裝置CONT，可藉由吹出嘴91對移動鏡55表面(反射面)之全部區域噴吹氣體，亦可對附著液體1之部分區域噴吹氣體。在液體1附著於移動鏡55之部分區域時，由於僅有照射於該部分區域之測量光的反射光之感光量降低，因此，控制裝置CONT，可根據雷射干涉儀56所照測之測量光在移動鏡55之反射光的感光量，來求出移動鏡55中附著液體1之區域。因此，可僅對移動鏡55之部分區域噴吹氣體。採用此方式，能減少噴吹氣體之作業時間。如以上之說明，控制裝置CONT 根據雷射干涉儀56之測量結果，除了可決定以第2液體去除裝置90進行之液體去除處理之時機外，亦可決定以第2液體去除裝置90進行之液體去除處理之區域。
此外，上述實施形態中，為除去附著在移動鏡55之液體1，而同時進行壓電膜92之加振動作、及從氣體吹出口91A之氣體噴吹動作，但藉由進行加振動作及液體噴吹動作中的任一動作，亦能除去附著在移動鏡55之液體1。特別是移動鏡55之反射面55S係相對水平面設置成垂直(或略垂直)，因此，進行加振動作及液體噴吹動作中的任一動作，即能藉由液體1本身重量(重力作用)良好的除去液體1。
又，例如，在對移動鏡55施加振動，而產生位置偏移，根據照射於該移動鏡55之測量光所進行之位置測量結果來移動基板載台PST的話，例如對XY平面內之基準座標系統之正交度有可能產生誤差。因此，最好是能定期進行用來修正基板載台位置測量誤差(含正交度誤差)的校準處理。
上述實施形態中，在第6曝光照射區域S6之曝光後，為進行液體取出處理，控制裝置CONT係移動基板載台PST來使移動鏡55接近吹出嘴91附近(液體去除處理位置)。然而，並不限於此，亦可在吹出嘴91及導水構件102(第2液體去除機構100)設置移動機構，在第6曝光照射區域S6之曝光後，不移動基板載台PST，而使在吹出嘴91及導水構件102接近移動鏡55。或者，亦可移動基板載台PST與吹出嘴91及導水構件102之雙方。
上述實施形態中，用來對移動鏡55施加振動之加振裝 置92，雖係由壓電膜構成並貼於移動鏡55，但亦可以是不貼於移動鏡55之構成。例如，如圖9所示，在機械臂機構120之前端部安裝壓電元件等之加振裝置121，為除去液體1而對移動鏡55施加振動時，驅動機械臂機構120使其前端部安裝的壓電元件121與移動鏡55接觸，在壓電元件120接觸於移動鏡55的狀態下，對壓電元件121施加電壓來加以驅動，亦能對移動鏡55施加振動。液體去除動作結束後，以機械臂機構120來使壓電元件121退出。此外，亦可採用將此機械臂機構120及其前端部安裝之壓電元件121，配置在雷射干涉儀56兩側的構成。
上述實施形態中，係於移動鏡55及基準構件7等之零件上各安裝加振裝置，但亦可在液體去除處理時以加振裝置來對支持此等零件之基板載台PST全體施加振動，或者，驅動基板載台驅動裝置PSTD，來使基板載台PST微動(加振)亦可。如此，不僅僅是移動鏡55及基準構件7，亦能促進附著在輔助板57上等之液體1的去除。
上述實施形態，係藉由對移動鏡55噴吹氣體來除去附著在移動鏡55之液體，但使用如圖10所示之吸引裝置130來除去附著在移動鏡55之液體1亦可。圖10中，吸引裝置130，具備：含儲水槽及泵的吸引部131、與連接於吸引部131的吸引嘴132。吸引嘴132之吸入口係接近移動鏡55配置。除去附著在移動鏡55之液體1時，控制裝置CONT驅動吸引部131，透過吸引嘴132來吸引回收移動鏡55上之液體1。又，在使用吸引裝置130回收液體1時，可並用 加振裝置92來進行加振動作，亦可僅以吸引裝置130進行吸引動作。
或者，亦可使用如圖11所示之乾燥裝置160來除去附著在移動鏡55之液體1。圖11中，乾燥裝置160，具備：用以覆蓋移動鏡55之覆蓋構件161，與對覆蓋構件161之內部空間供應乾燥空氣的乾燥氣體供應部162。乾燥氣體供應部162係透過管路163，將乾燥空氣供應至覆蓋移動鏡55之覆蓋構件161的內部空間。如此，即能促進附著於移動鏡55之液體1汽化，以除去液體1。
此外，上述實施形態中，作為加振裝置，係以壓電致動器等之壓電元件為例作了說明，但作為加振裝置，亦可採用例如音圈馬達等其他使用羅倫茲力的致動器。
圖12，係顯示用以對移動鏡55施加振動之加振裝置之其他實施形態的概略立體圖。本實施形態中，移動鏡55不具有槽部，被安裝於Z載台52之端部。圖12中，於Z載台52之+X側端部，形成有延設於Y軸方向、側視呈L字形之梯部52D。移動鏡55與Z載台相對向之面中的下部區域55G係連接於Z載台52，在上部區域55H與Z載台52之間形成有分離部28。亦即，其下部連接於Z載載台52之移動鏡55的上部，為振動的自由端。
在移動鏡55與Z載台52相對向之面中的上部區域55H之複數個位置，分別安裝有作為加振裝置之壓電元件17(17A,17B)。此外，作為加振裝置，亦可使用音圈馬達等其他致動器。本實施形態中，壓電元件17A,17B係安裝在 移動鏡55之上部區域55H之長邊方向兩端部。再者，在此壓電元件17A,17B分別連接有錘構件19A,19B。此處，安裝於移動鏡55之壓電元件17及錘構件19係與Z載台52分離。藉由壓電元件17A,17B，在圖中箭頭x1,x2所示方向之伸縮，對移動鏡55施加振動。此處，由於在壓電元件17A,17B連接有錘構件19A,19B，因此可增加加振力(運動量)。
本實施形態中，控制裝置CONT，係使用2個壓電元件17A,17B分別在移動鏡55之複數個(2個)位置施加振動，來在該移動鏡55生成進行波。具體而言，係在2個壓電元件17A,17B的安裝位置，分別產生相同波長、但相位錯開的高頻，來在該移動鏡55生成進行波。
例如，在移動鏡55上之一點生成的駐波U0，可以進行波與後退波之和來加以表示。
[式1]U 0 =A 0 sin 2π (x /λ -t /T )+A 0 sin 2π (x /λ +t /T )=2A 0 sin 2πx /λ ．cos 2πt /T …(1)
其中，A0 為振幅、λ為波長、T為週期、χ為任意點、t為任意時間。
進行波U，係加上2個式1的駐波，且錯開其中之一的相位來生成。
[式2]U =A sin 2πx /λ ．cos 2πt /λ +A sin 2π (x +α )/λ ．cos 2π (2πt /T +β )=A sin2π (x /λ -t /T )…(2)
其中，A為振幅、α 為位置上的偏移、β 為相位偏移。
控制裝置CONT，為滿足上述式2分別使用2個壓電元件17A,17B對移動鏡55施加振動，以在移動鏡55生成進行波。如此，即能良好的除去附著在移動鏡55之液體1。
接著，說明液體去除裝置之其他實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖13，係顯示第1液體去除裝置40之其他實施形態的圖。圖13中，第1液體去除裝置40，具備用以吸引附著在基準構件7上之液體1的吸引裝置81。吸引裝置81，具備：含儲水槽及泵的吸引部81A、與連接於吸引部81A的吸引嘴82。吸引嘴82之吸入口82A係接近基準構件7配置。除去附著在基準構件7之液體1時，噴吹裝置41對基準構件7噴吹氣体，且吸引裝置81吸引基準構件7上之液體1。
參照圖13說明之例中，於第1液體去除裝置40，並設有噴吹裝置41與吸引裝置81，但亦可僅設置吸引裝置81。吸引裝置81，可從吸入口82A吸引殘留在基準構件7上之液體1，來除去(回收)此液體1。此外，當然亦可並行壓電元件43B之加振動作與吸引裝置81之吸引動作。此外，亦可將吸引裝置81之嘴部82設置成能相對基板載台PST移動，在基板P之曝光中或曝光結束後，回收流出至基板P外側的液體1。
圖14係顯示第1液體去除裝置40之其他實施形態的截面圖。如圖14所示，第1液體去除裝置40，具備：覆蓋 基準構件7的覆蓋構件84，與對覆蓋構件84內部空間供應乾燥氣體的乾燥氣體供應部85。乾燥氣體供應部85係透過管路86，將乾燥空氣供應配置基準構件7之覆蓋構件84內部空間。如此，即能促進殘留在基準構件7之液體1的汽化，除去液體1。
圖15，係顯示除去附著在受光器8中、設於基板載台PST上之光透射構件8A之液體1之狀態的圖。本實施形態中，受光器8係測量成像特性調整資訊之感測器(AIS感測器)，該成像特性調整資訊，係用來接收透過投影光學系統PL照射於其像面側(基板P側)之光(曝光用光)，藉由測量透過投影光學系統PL之測量標記之空間像，來修正投影光學系統PL之成像特性變化者。受光器8，具備：設在基板載台PST(Z載52)上、於玻璃板表面將遮光膜予以圖案化其中央部形成有狹縫部8S(光穿透部)的光透射構件8A，埋設在Z載台52中、通過光透射構件8A之狹縫部8S之光所照射的聚光光學系統8C，以及用來接收通過聚光光學系統8C之光的受光元件8B。此外，亦可例如在聚光光學系統8C與受光元件8B之間設置中繼光學系統，將受光元件8B設在Z載台52之外側。
以受光器8進行空間像測量時，可考慮在使投影光學系統PL與受光器8之光透射構件8A相對向的狀態下，將該投影光學系統PL與光透射構件8A之間充滿液體1，透過投影光學系統PL與液體1對受光器8照射光(曝光用光)的動作。控制裝置CONT，在透過液體1之空間像測量結束 後，移動基板載台PST將光透射構件8A(受光器8)配置在第1液體去除裝置40之嘴部43之下。光透射構件80A，被支持在形成於Z載台52之開口部52C，其下面8K中、除狹縫部8S以外之既定位置設有加振裝置8E。加振裝置8E係以壓電元件構成，控制裝置CONT藉由對壓電元件(加振裝置)8E施加既定電壓，使用此壓電元件8E對光透射構件8A施加振動。
Z載台52上，與光透射構件8A相鄰之位置，設有用來回收第1液體去除裝置40從光透射構件8A除去之液體的液體吸收構件142。液體吸收構件142，係隔著光透射構件8A設在嘴部43之氣體吹出口43A的對向位置。液體吸收構件142，係配置在設於Z載台52之作為回收口的槽部144中。液體吸收構件142，與載台液體回收裝置30之液體吸收構件31同樣的，例如係以多孔質陶瓷或海棉等多孔性材料構成，能保持既定量之液體1。
控制裝置CONT，從第1液體去除裝置40之嘴部43對光透射構件8A噴吹氣體，來吹飛並除去殘留附著在光透射構件8A上之液體1。吹飛之液體1，被配置在嘴部43之吹出口43A之對向位置的液體吸收構件142所保持(回收)。
然後，使用壓電元件8E一邊對光透射構件8A施加振動，一邊從嘴部43之氣體吹出口43A對該光透射構件8A噴吹氣體。藉由對光透射構件8A施加振動來促進液體1之去除(彈開)，而藉由噴吹氣體即能良好的從基準構件7上除去液體1。又，此時，亦可對光透射構件8A斷續的噴吹氣 體。
於Z載台52內部形成有與槽部144連續之流路145，配置在槽部144之液體吸收構件142之底部，連接於流路145。連接在配置有液體吸收構件142之槽部144的流路145，連接於設在Z載台52外部之管路146的一端。管路146之另一端部，則係透過設在Z載台52外部之儲水槽147、及具有閥148A之管路148連接於泵(吸引裝置)149。儲水槽147設有排出流路147A，液體1積至既定量時即從排出流路147A排出。然後，控制裝置CONT驅動第1液體去除裝置40之氣體供應部41A，且驅動泵149，將液體吸收構件142回收之液體1以吸入儲水槽147之方式加以收集。
又，此處，作為受光器8，係以用來測量投影光學系統PL之成像特性調整資訊的空間像測量感測器為例作了說明，但作為受光器8，亦可以是例如用來檢測照射於投影光學系統PL像面側之曝光用光EL之照度的照度感測器，或用來測量投影區域AR1之照度分佈的照度不均感測器等。
其次，參照圖16說明第3液體去除裝置60，此裝置係用來除去殘留在投影光學系統PL前端之光學元件2、及保持該光學元件2之鏡座LS的液體1。圖16中，第3液體去除裝置60，具備對構成投影光學系統PL前端零件之光學元件2、及保持此光學元件2之鏡座LS噴吹氣體的噴吹裝置61。殘留在投影光學系統PL前端、被噴吹裝置61噴吹氣體而吹飛滴落之液體係以回收裝置(第2液體回收機構)62 加以回收。噴吹裝置61，具備：氣體供應部63，以及連接於氣體供應部63、設在Z載台52之凹部64B的嘴部64，嘴部64之氣體吹出口64A係朝向上方能配置在投影光學系統PL之前端附近。另一方面，回收裝置62，具備：設於Z載台52的回收口(槽部)65，配置在回收口65內由多孔性材料構成之液體吸收構件66，形成在Z台52內部、與槽部66連續的流路67，設在Z載台52外部、其一端連接於流路67的管路68，連接於管路68之另一端、設在Z載台52外部的儲水槽69，透過具有閥70A之管路70連接於此儲水槽69的泵(吸引裝置)71。於儲水槽69設有排出流路69A，液體1積至既定量時即從排出流路69A排出。然後，回收裝置62驅動泵71，將液體吸收構件66回收之液體1以吸入儲水槽69之方式加以收集。
本實施形態中，噴吹裝置61之嘴部64之氣體吹出口64A係以Y軸方向為長邊方向的狹縫狀(參照圖3)，回收裝置62之回收口65，則係在氣體吹出口64A+X側之相鄰位置，形成為以Y軸方向為長邊方向的矩形。此外，第3液體去除裝置60，在基板P之曝光結束後，不僅是除去基板P之曝光中與液浸區域AR2之液體1接觸的投影光學系統PL前端，亦進行液體供應機構10之供應嘴13、液體回收機構20之回收嘴23上殘留液體1之去除。
在對基板P之液體浸曝光結束後(上述步驟SA8結束後)，控制裝置CONT即使用液體回收機構20來進行基板P上液體1之回收。然後，在液體回收機構20所進行之基板 P液體1之回收結束後，控制裝置CONT即移動基板載台PST，將第3液體去除裝置60配置在投影光學系統PL之下方。第3液體去除裝置60，以噴吹裝置61之嘴部64從斜方對投影光學系統PL前端噴吹氣體，將殘留在此投影光學系統PL前端之液體1吹飛加以去除。此時，若斷續的噴吹氣體，將能更為良好的除去液體1。
被吹飛的液體1落下，而被回收至回收裝置62之配置有液體吸收構件66的回收口65。此時，控制裝置CONT一邊將基板載台PST，例如往與氣體吹出口64A及回收口65之長邊方向(Y軸方向)正交的X軸方向移動，一邊驅動第3液體去除裝置60。採用此方式，除了當然能除去投影光學系統PL前端之液體1，亦能對配置在其周圍之液體供應機構10之供應嘴13、及液體回收機構20之回收嘴23噴吹氣體，來除去殘留在此等供應嘴13及回收嘴23的液體1。
又，亦可一邊對投影光學系統PL前端之光學元件2施加振動，一邊噴吹氣體。光學元件2係保持於鏡座LS，鏡座LS與投影光學系統本體MPL之鏡筒PK，係以具有音圈馬達或壓電元件之致動器(加振裝置)的複數個(例如6個)連桿部151來加以連結。控制裝置CONT，可藉由驅動內建在連桿部151之上述致動器，來對鏡座LS及被保持在此處之光學元件2施加振動。此外，設置複數個連桿部151(內建上述致動器)來構成平行連桿機構，即可在基板P之液浸曝光中，將透過液體1傳至光學元件2之振動，藉由該平行連桿部之驅動來加以吸收(除振)。
如以上之說明，除去曝光中與液浸區域AR2之液體1接觸之投影光學系統PL前端、供應嘴13及回收嘴23上殘留之液體1，即使例如基板載台PST從投影光學系統PL下方(曝光處理位置)處，移動至基板P之裝載、卸載位置(基板更換位置)，亦能抑制前述殘留在投影光學系統PL前端等之液體1滴落而對周邊裝置造成影響、或產生環境變化等不良情形的發生。特別是不使液體殘留在投影光學系統PL前端之光學元件2，能抑水痕(water mark)的發生。
此外，將第3液體去除裝置60設於基板載台PST，並一邊移動基板載台PST一邊驅動第3液體去除裝置60的話，即使不設置新的致動器，亦能使第3液體去除裝置60一邊掃描投影光學系統PL及供應嘴、回收嘴，一邊噴吹氣體。又，藉由設定為液浸曝光結束後，在從曝光處理位置移動至基板更換位置的期間內，進行第3液體去除裝置60之氣體噴吹動作，即能同時進行液體去除動作(氣體噴吹動作)與載台移動動作，提昇時間效率。第3液體去除裝置60，可預先設定為基板載台PST從曝光處理位置移動至基板更換位置的期間，通過投影光學系統PL之下。
又，亦可於供應嘴13或回收嘴23安裝壓電元件等之加振裝置，為除去液體而對供應嘴13或回收嘴23施加振動。
圖17、圖18係第3液體去除裝置60之變形例。如圖17所示，可在Z載台52上形成大的槽部72，在此槽部72內配置噴吹裝置61之嘴部64及回收裝置62之流路(回收 口)67。又，圖17所示例中，並未設置液體吸收構件66。此種不設置液體吸收構66之構成亦是可能的。又，如圖18所示，亦可於槽部72內設置複數個(圖18之例中為2個)噴吹裝置61之嘴部64。此外，如圖17、圖18所示例般，設置較投影光學系統PL前端大的槽部72，藉由在此槽部72中設置嘴部64及回收口67，即能以槽部72來抑制被氣體噴吹之液體1飛散至周圍。又，此時，控制裝置CONT，可藉由斷續的噴吹氣體，良好的除去液體1。
或者，亦可如圖19所示，在嘴部64之氣體吹出口64A及回收口65的周圍，設置用來防止被氣體噴吹之液體1飛散至周圍的覆蓋構件73。圖19所示之覆蓋構件73，係形成為可配置在投影光學系統PL前端之俯視呈U字形狀，投影光學系統PL之前端可從U字形狀開口側進入覆蓋構件73內部、或退出。又，使此覆蓋構件73之長邊方向與基板載台PST之移動方向(X軸方向一致)，在此覆蓋構件73內部設置以Y軸方向為長邊方向之氣體吹出口64A及回收口65，即能在一次的掃描移動中，一邊防止液體1之飛散、一邊以良好的效率進行液體去除。
此外，亦可透過第3液體去除裝置60之回收裝置62之回收口65，來回收在基板P之曝光中流出至基板P外側之液體1。此時，最好是能在基板P周圍以既定間隔設置複數個回收裝置62的回收口65。
圖20，係顯示構成設在基板更換(裝載、卸載)位置之液體去除機構之吹出嘴的示意圖。圖20中，基板載台PST 係在曝光處理位置A與基板更換位置之間移動。在曝光處理位置A結束對基板P之曝光處理後，控制裝置CONT，即將保持曝光處理後基板P之基板載台PST移動至基板更換位置。然後，控制裝置CONT，即從吹出嘴171對移動至基板更換位置B之基板載台PST的移動鏡55斷續的噴吹氣體。如此，即能在基板更換位置B，除去曝光中從基板P等上飛散而附著在移動鏡55之液體1。並且，在基板更換位置B，亦設有具導水構件(如參照圖6所說明者)之液體回收機構，從移動鏡55除去之液體1即被回收至此液體回收機構。在此去除作業(除去附著在移動鏡55之液體1)後(或之前)，使用未圖示之基板搬送裝置，將基板載台PST上已完成曝光處理之基板P從基板載台PST搬出、且將未曝光之基板P搬入基板載台PST。
圖21，係顯示移動鏡55上側設有檐構件(用來防止液體1附著於該移動鏡55)180之實施形態的側視圖。圖21中，移動鏡55係安裝在Z載台52(基板載台PST)之側部。檐構件180，係以其一部分突出至Z載台52外側的狀態，安裝在Z在台52上面。藉由此檐構件180之設置，例如，即使在曝光中液體1從基板P上飛散至基板P外側，亦會被檐構件180遮住而不致附著在移動鏡55表面。
檐構件180上面，與輔助板57表面大致同高。檐構件180與輔助板57之間威有0.1~1mm左右之間隙，但由於液體1之表面張力，液體1幾乎不會流入該間隙。由於移動鏡55(反射面55a)係設在檐構件180下方，因此，來自干 涉儀56之測量光56a，係通過與基板載台PST一起移動之檐構件180下方而射入移動鏡55之反射面55a。移動鏡55(反射面55a)上端雖位於液浸區域AR2下方，但被檐構件180之突出部遮住，液體1不會附著在移動鏡55之反射面55a。
檐構件180係一板狀構件，至少其上面具有撥液性。本實施形態中，檐構件180係例如以聚四氟化乙烯等具有撥液性之材料構成。又，作為檐構件180，例如亦可是在由既定金屬材料或合成樹脂材料構成之板狀構件表面(上面)，以氟化物等具有撥液性之材料來施以塗層等之表面處理。藉由檐構件180上面具有之撥液性，即使飛散之液體1附著在檐構件180上面亦會被彈開，不會停留在檐構件150上(基板載台PST)，而能容易的被回收至配置在其下方、具有導水構件102的處理機構100。
檐構件180，不僅是其上面，其端面及下面亦可施以撥液性處理。又，亦可於檐構件180端部附近的下面，在移動鏡55之反射面55a全體或其一部分於其長邊方向設置槽180a。藉由此槽180a，能防止繞過端部之液體1附著在移動鏡55。
本實施形態中，構成第2液體去除機構100之導水構件102的大小，係視檐構件180之大小、檐構件180與導水構件102之距離H、以及支持檐構件180之基板載台PST的移動速度V來加以設定。具體而言，例如，基板載台PST以速度V往+X方移動、在液體去除處理位置SH停止時， 檐構件180之前端部與導水構件102之+X側端部間之距離L1，係視基板載台PST之移動速度V、與檐構件180與導水構件102之間於Z軸方向的距離H來加以設定。亦即，如圖21所示，假設液體1之液滴配置於檐構件180之上面前端部時，基板載台PST以速度V往+X方向移動，而在液體去除處理位置SH停止。若以該停止時為基準的話，時間t後液滴於X軸方向之位置x，為x=Vt，而於Z軸方向之位置z，則為z=H-(gt2 )/2(其中，g為重力加速度)。因此，根據此2式，可求出從檐構件18落下之液體1之液滴，可被回收至導水構件102之導水構件102大小L1的最小值。此時，由於檐構件180上面具有撥液性，因此附著在其上面的液體1會從該上面順利的滑下，而滴落至導水構件102。
又，如圖21所示，亦可在檐構件180安裝以壓電元件等構成之加振裝置182。以壓電元件(加振裝置)182來對檐構件180施加振動，能促進從檐構件180除去液體1。此外，將壓電元件182分別設在複數個既定位置，於檐構件180生成進行波亦可。
又，本實施形態所使用之導水構件102，不僅是移動鏡55下部，亦可在Z載台52之全周圍配置在此Z載台52的下部。例如，可將圖6中說明之第2液體去除機構100，設置在支持Z載台52之XY載台53上，並將此第2液體去除機構100之導水構件102配置成圍繞Z載台52之周圍。此時，如圖所示，導水構件102承接液體1之面，係設定在Z 載台52保持基板P之保持面(例如，基板保持具之支持面)、輔助板57的上面，以及構成形成於Z載台52之液體回收裝置30之一部分之槽部(回收口)33之開口面的下方(-Z方向)。此外，Z載台52之保持面端部(含移動鏡55之端部)，係設定在導水構件102之液體承接部分的上方。作成此種構成，即能將液體回收裝置30無法完全回收而從Z載台52端部滴落之液體，以導水構件102加以承接，以液體去除機構100來除去或回收該液體。再者，從投影光學系統PL前端之光學元件2、或保持此光學元件2之鏡座LS落下之液體，亦能以導水構件102承接並加以除去或回收。
進一步的，亦能藉由導水構件102來防止液體滴落、附著在XY載台53。因此，能防止液體飛散至Z載台52、XY載台53之驅動部、以及基座54表面等，不希望液體附著之位置。故能抑制基板定位精度之降低，以良好的精度將期望圖案形成在基板P上。又，導水構件102，可設在XY載台53上面(與Z載台52之對向面側)，或者如檐構件般設在Z載台52下面(與XY載台53之對向面側)。
如前所述，本實施形態之液體1係以純水構成。使用純水之優點在於，在半導體製造工廠能容易的大量取得，且對基板P上之光阻及光學元件(透鏡)等沒有不良影響。此外，純水不至於對環境造成不良影響，且由於雜質之含量極低，因此亦可期待對基板P之表面、及對設在投影光學系統PL前端面之光學元件表面的洗淨作用。
又，純水(水)對波長為193nm左右之曝光用光EL的折 射率n被認為在1.44左右，而作為曝光用光EL之光源而使用ArF準分子雷射光(波長193nm)時，在基板P上為1/n，亦即193nm之波長經純水而成為134nm左右之短波長，能獲得高的解像度。再者，由於焦深與空氣中相較約為n倍，亦即被放大約1.44倍左右，因此只要能確保與在空氣中使用時相同程度之焦深即可之情形時，能更進一步的增加投影光學系統PL之數值孔徑，就此點而言，亦能提昇解像度。
本實施形態中，係於投影光學系統PL之前端安裝有光學元件2，可藉由此透鏡來調整投影光學系統PL之光學特性，例如調整像差(球面像差、彗形像差等)。此外，作為安裝在投影光學系統PL前端之光學元件，亦可以是用於投影光學系統PL之光學特性調整所使用之光學板。或者，亦可是能穿透曝光用光EL的平行平面板。
又，在因液體1之流動而使投影光學系統前端之光學元件與基板P間之壓力較大時，亦可不採取更換該光學元件之構成，而堅固的固定光學元件以避免因該壓力而移動。
又，本實施形態中，投影光學系統PL與基板P表面之間雖係以液體1來加以充滿構成，但亦可以是例如在基板P表面安裝由平行平面板構成之玻璃蓋板的狀態下充滿液體1之構成。
又，上述實施形態之液體1雖為水，但亦可是水以外之液體，例如，在曝光用光EL之光源為F2 雷射時，由於此F2 雷射不會穿透水，因此，此時作為液體1可使用能使 F2 雷射穿透之例如全氟化聚醚(PFPE)、或氟系油(氟系液體)等氟系流體來作為液體1。此時，與液體1接觸之部分，例如係以含氟之極性小的分子構造物質來形成薄膜，以進行親液化處理。又，除此以外，亦可使用曝光用光之穿透性高且折射率盡可能的高，並且對投影光學系統PL及基板P表面所塗之光阻安定者(例如杉木油、cedar oil)。此時之表面處理，亦係視所使用之液體1之極性來進行。
又，作為上述各實施形態之基板P，不僅是半導體元件製造用之半導體晶圓，亦可適用顯示元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用陶瓷晶圓、或用於曝光裝置之光罩或標線片原板(合成石英、矽晶圓)等。
作為曝光裝置EX，除可使用同步移動光罩M與基板P來掃描曝光光罩M之圖案的步進掃描(step & scan)方式之掃描型曝光裝置(掃描步進器)外，亦可適用在光罩M與基板P靜止狀態下將光罩M之圖案予以一次性的曝光，並使基板P依序步進移動之步進重複(step & repeat)方式之投影曝光裝置(步進器)。此外，本發明亦能適用於在基板P上將至少2個圖案加以部分重疊轉印之步進接合(step & stitch)方式之曝光裝置。
又，本發明亦能適用於日本專利特開平10-163099號及與此對應之美國專利第6,341,007號、特開平10-214783號公報及與此對應之美國專利第6,341,007號、特表2000-505958號及與此對應之美國專利第5,969,441號等所揭示之雙載台型的曝光裝置。
在本國際申請所指定之指定國(或所選擇之選擇國)國內法令許可範圍內，援用上述各公報及所對應之美國專利中之揭示，作為本說明書的一部分。
又，上述實施形態中，雖係採用在投影光學系統PL與基板P之間局部的充滿液體的曝光裝置，但本發明亦能適用於特開平6-124873號公報中所揭示之使保持有曝光對象基板載台在液槽中移動的液浸曝光裝置。
在本國際申請所指定之指定國(或所選擇之選擇國)國內法令許可範圍內，援用上述各公報及所對應之美國專利中之揭示，作為本說明書的一部分。
作為曝光裝置EX之種類，本發明並不限於將半導體元件圖案曝光至基板P之半導體元件製造用的曝光裝置，亦能廣泛的適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置，或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)或標線片、光罩等的曝光裝置等。
於基板載台PST或光罩載台MST使用如美國專利第5,623,853號及第5,528,118號所揭示之線性馬達時，無論是採用空氣懸浮型(使用空氣軸承)或磁氣懸浮型(使用羅倫茲力或反作用)之任一種皆可。又，各載台PST、MST，可以是沿導軌移動之型式、或不設置導軌之無導軌型式者皆可。
在本國際申請所指定之指定國(或所選擇之選擇國)國內法令許可範圍內，援用上述各公報及所對應之美國專利中之揭示，作為本說明書的一部分。
作為各載台PST、MST之驅動機構，可使用將磁鐵2 維配置之磁鐵單元、與將線圈2維配置之電樞單元予以對向，藉電磁力來驅動各載台PST、MST之平面馬達。此時，將磁鐵單元與電樞單元之任一方接觸於載台PST、MST，將磁鐵單元與電樞單元之另一方設在載台PST、MST之移動面側即可。
因基板載台PST之移動所產生之反作用力，為避免傳至投影光學系統PL，可如日本專利特開平8-166475號公報及與此對應之美國專利第5,528,118號所揭示之，使用框架構件將其機械性的釋放至地面。
在本國際申請所指定之指定國(或所選擇之選擇國)國內法令許可範圍內，援用上述各公報及所對應之美國專利中之揭示，作為本說明書的一部分。
又，因光罩載台MST之移動所產生之反作用力，為避免傳至投影光學系統PL，可如日本專利特開平8-330224號公報及與此對應之美國專利第5,874,820號所揭示之，使用框架構件將其機械性的釋放至地面。
在本國際申請所指定之指定國(或所選擇之選擇國)國內法令許可範圍內，援用上述各公報及所對應之美國專利中之揭示，作為本說明書的一部分。
如上述般，本案實施形態之曝光裝置EX，係將包含本案申請專利範圍所例舉之各構成要素的各種次系統，以能保持既定機械精度、電氣精度、光學精度之方式，加以組裝製造。為確保上述各種精度，於此組裝之前後，對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整，對各種機械系統 進行用以達成機械精度之調整，對各種電氣系統則進行用達成各種電氣精度之調整。各種次系統組裝至曝光裝置之步驟，包含各種次系統彼此間之機械連接、電氣迴路之連接、氣壓迴路之連接等。此各種次系統組裝至曝光裝置之步驟前，當然有各個次系統之組裝步驟。各種次系統組裝至曝光裝置之步驟結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置舔之各種精度。又，曝光裝置的製造以在溫度及清潔度等受到管理的無塵室中進行較佳。
半導體元件等之微元件，係如圖22所示，經微元件之功能、性能設計步驟201，根據此設計步驟製作光罩(標線片)的步驟202，製造基板(元件之基材)的步驟203，使用前述實施形態之曝光裝置EX將光罩之圖案曝光至基板的曝光處理步驟204，元件組裝步驟(切割製程、結合製程、封裝製程)205，檢查步驟206而製造。
根據本發明，可藉由除去曝光後所殘留、附著之不要的液體、或曝光中所飛散、附著之不要的液體，來防止因此液體所造成之曝光精度的惡化，以良好精度將期望之圖案形成在基板上。
1‧‧‧液體
2‧‧‧光學元件
2a‧‧‧光學元件之液體接觸面
4‧‧‧焦點檢測系統
4a‧‧‧發光部
4b‧‧‧受光部
5‧‧‧基板對準系統
6‧‧‧光罩對準系統
7‧‧‧基準構件
7A‧‧‧支持部
7K‧‧‧基準構件的下面
7S‧‧‧空間
8‧‧‧受光器
8A‧‧‧光透射構件
8B‧‧‧受光元件
8E‧‧‧加振裝置
8S‧‧‧狹縫部
10‧‧‧液體供應機構
11‧‧‧液體供應部
12‧‧‧供應管
13(13A~13C),15A~15C‧‧‧供應嘴
17A,17B‧‧‧壓電元件
19A,19B‧‧‧錘構件
20‧‧‧液體回收機構
21‧‧‧液體回收裝置
22,24‧‧‧回收管
23(23A,23B),25A,25B‧‧‧回收嘴
30‧‧‧載台液體回收裝置
31,42,66,142‧‧‧液體吸收構件
32,45,67,145‧‧‧流路
33,65‧‧‧槽部(回收口)
36,38,68,70,104,106,146,148‧‧‧管路
37,47,69,147‧‧‧儲水槽
37A,47A,69A,105A‧‧‧排出流路
38A,70A,106A,148A‧‧‧閥
39,49,71,107,149‧‧‧泵
40‧‧‧第1液體去除裝置
41,61‧‧‧噴吹裝置
41A,63‧‧‧氣體供應部
43,64‧‧‧部
43A,64A‧‧‧氣體吹出口
43B,121,182‧‧‧加振裝置(壓電元件)
44,58,66,144‧‧‧槽部
50,55(55X,55Y)‧‧‧移動鏡
51,56(56X,56Y)‧‧‧雷射干涉儀
52‧‧‧Z載台
52C‧‧‧Z載台之開口部
53‧‧‧XY載台
54‧‧‧基座
55A‧‧‧內側突緣部
55B‧‧‧外側突緣部
55C‧‧‧腹板部
57‧‧‧輔助板
58‧‧‧上部槽部
59‧‧‧下部槽部
60‧‧‧第3液體去除裝置
62‧‧‧回收裝置
81,120‧‧‧吸引裝置
81A,131‧‧‧吸引部
82,132‧‧‧吸引嘴
82A‧‧‧吸入口
84,161‧‧‧覆蓋構件
85,162‧‧‧乾燥氣體供應部
86,163‧‧‧管路
90‧‧‧第2液體去除裝置
91,171‧‧‧吹出嘴
91A‧‧‧氣體吹出口
92‧‧‧加振裝置
100‧‧‧第2液體回收機構
101‧‧‧處理機構
102‧‧‧導水構件
103‧‧‧排出機構
120‧‧‧機械臂機構
150‧‧‧連結裝置
151‧‧‧連桿部
160‧‧‧乾燥裝置
180‧‧‧檐構件
AR1‧‧‧投影區域
AR2‧‧‧液浸區域
AX‧‧‧光軸
CH‧‧‧處理室裝置
CONT‧‧‧控制裝置
EX‧‧‧曝光裝置
IL‧‧‧照明光學系統
K‧‧‧警報裝置
LS‧‧‧鏡座
M‧‧‧光罩
MFM,PFM‧‧‧基準標記
MPL‧‧‧投影光學系統本體
MST‧‧‧光罩載台
MSTD‧‧‧光罩載台驅動裝置
P‧‧‧基板
PA‧‧‧投影區域
PK‧‧‧鏡筒
PL‧‧‧投影光學系統
PST‧‧‧基板載台
PSTD‧‧‧基板載台驅動裝置
S1~S11‧‧‧曝光照射區域
第1圖，係顯示本發明曝光裝置之一實施形態的概略構成圖。
第2圖，係顯示用以形成液浸區域之液體供應機構及液體回收機構的概略構成圖。
第3圖，係顯示基板載台的俯視圖。
第4圖，係顯示載台液體回收裝置例的圖。
第5A、5B圖，係顯示作為液體去除機構之第1液體去除裝置的概略圖。
第6圖，係顯示作為液體去除機構之第2液體去除裝置之動作例的概略圖。
第7A、7B圖，係用以說明氣體之噴吹動作的示意圖。
第8圖，係顯示作為液體去除機構之第2液體去除裝置之動作例的概略圖。
第9圖，係顯示加振裝置之其他實施形態的圖。
第10圖，係顯示作為液體去除機構之第2液體去除裝置之其他例的概略圖。
第11圖，係顯示作為液體去除機構之第2液體去除裝置之其他例的概略圖。
第12圖，係顯示加振裝置之其他實施形態的圖。
第13圖，係顯示作為液體去除機構之第1液體去除裝置之其他例的概略圖。
第14圖，係顯示作為液體去除機構之第1液體去除裝置之其他例的概略圖。
第15圖，係顯示作為液體去除機構之第1液體去除裝置之其他例的概略圖。
第16圖，係顯示作為液體去除機構之第3液體去除裝置例的概略圖。
第17圖，係顯示作為液體去除機構之第3液體去除裝 置之其他例的概略圖。
第18圖，係顯示作為液體去除機構之第3液體去除裝置之其他例的概略圖。
第19圖，係顯示作為液體去除機構之第3液體去除裝置之其他例的概略圖。
第20圖，係顯示作為液體去除機構之第2液體去除裝置之其他例的概略圖。
第21圖，係顯示移動鏡上側設有遮蔽構件之形態的概略圖。
第22圖，係顯示半導體元件之製程例的流程圖。
1‧‧‧液體
2‧‧‧光學元件
2a‧‧‧光學元件之液體接觸面
4‧‧‧焦點檢測系統
4a‧‧‧發光部
4b‧‧‧受光部
5‧‧‧基板對準系統
6‧‧‧光罩對準系統
7‧‧‧基準構件
8‧‧‧受光器
8A‧‧‧光透射構件
8B‧‧‧受光元件
10‧‧‧液體供應機構
11‧‧‧液體供應部
12‧‧‧供應管
13‧‧‧供應嘴
20‧‧‧液體回收機構
21‧‧‧液體回收裝置
22‧‧‧回收管
23‧‧‧回收嘴
30‧‧‧載台液體回收裝置
31‧‧‧液體吸收構件
40‧‧‧第1液體去除裝置
41‧‧‧噴吹裝置
50,55‧‧‧移動鏡
51,56‧‧‧雷射干涉儀
52‧‧‧Z載台
53‧‧‧XY載台
54‧‧‧基座
57‧‧‧輔助板
58‧‧‧槽部
150‧‧‧連結裝置
151‧‧‧連桿部
AR1‧‧‧投影區域
AR2‧‧‧液浸區域
AX‧‧‧光軸
CH‧‧‧處理室裝置
CONT‧‧‧控制裝置
EX‧‧‧曝光裝置
IL‧‧‧照明光學系統
K‧‧‧警報裝置
M‧‧‧光罩
MFM,PFM‧‧‧基準標記
MPL‧‧‧投影光學系統本體
MST‧‧‧光罩載台
MSTD‧‧‧光罩載台驅動裝置
P‧‧‧基板
PA‧‧‧投影區域
PK‧‧‧鏡筒
PL‧‧‧投影光學系統
PST‧‧‧基板載台
PSTD‧‧‧基板載台驅動裝置

Claims (30)

  1. 一種曝光裝置，係將投影光學系統與基板之間充滿液體，透過該投影光學系統與液體將圖案像投影至該基板上以使該基板曝光，其特徵在於：於該投影光學系統之像面附近所配置的零件上側，設有用以防止液體附著於該零件之遮蔽構件。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該零件係安裝在能保持該基板移動之基板保持構件的側部。
  3. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該零件，包含被來自干涉儀之光照射的反射鏡，該干涉儀係用來測量該基板保持構件之位置資訊。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之曝光裝置，其中，該遮蔽構件之至少上面具有撥液性。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之曝光裝置，其中，具備配置在該遮蔽構件下方的導水構件。
  6. 如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其中，該導水構件之大小，係視該遮蔽構件之大小、遮蔽構件與導水構件間之距離、以及支持遮蔽構件能保持該基板移動之基板保持構件之移動速度來加以設定。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之曝光裝置，其中，具有用以對該遮蔽構件施加振動的加振裝置。
  8. 一種曝光裝置，係透過供應至基板之液體將像投影至該基板上以使該基板曝光，其特徵在於，具備：基板保持構件，可保持該基板並移動； 干涉儀，係用以檢測該基板保持構件之位置資訊；板狀構件，係設在該基板保持構件，具有撥液性；以及反射面，係設於該基板保持構件，用來反射來自該干涉儀之測量光；在該測量光射入該反射面之方向，該板狀構件端部之至少一部分，於該反射面上方係較該反射面突出於該射入方向側。
  9. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中，該板狀構件之上面，係與該基板保持構件所保持之該基板的表面相同高度。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之曝光裝置，其中，該板狀構件之上面具有撥液性。
  11. 如申請專利範圍第8或9項之曝光裝置，其中，藉由該板狀構件防止該液體附著於該反射面。
  12. 如申請專利範圍第8或9項之曝光裝置，其進一步具備除去該板狀構件之上面之液體的液體除去裝置。
  13. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之曝光裝置，其中，在該零件照射有測量光。
  14. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之曝光裝置，其中，該基板保持構件具有相隔既定間隙位於該保持之基板周圍之上面；該遮蔽構件相對於該保持之基板設在該上面之外側。
  15. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之曝光裝置， 其中，該遮蔽構件係設成該基板保持構件之上面與該遮蔽構件之上面成為相同高度。
  16. 一種曝光裝置，係透過投影光學系統與液體使基板往第1方向移動並同時曝光，其特徵在於：具備能保持該基板且沿著該第1方向移動之基板載台；該基板載台具有在該基板載台之側部往該第1方向凸出之突出部。
  17. 如申請專利範圍第16項之曝光裝置，其中，該突出部係設成其一部分在該基板載台之上面往該基板載台之外側突出。
  18. 如申請專利範圍第17項之曝光裝置，其中，在該基板載台之上面形成有保持該基板之凹部；該突出部之上面相對於該保持之基板配置在該基板載台之上面之外側。
  19. 如申請專利範圍第16項之曝光裝置，其中，該突出部包含安裝在該基板載台之板狀之遮蔽構件。
  20. 如申請專利範圍第16項之曝光裝置，其中，藉由該突出部防止該液體附著於設在該基板載台之零件。
  21. 如申請專利範圍第20項之曝光裝置，其中，在該突出部之下方配置該零件。
  22. 如申請專利範圍第20項之曝光裝置，其中，該零件包含用在該基板載台之位置測量之光學構件。
  23. 如申請專利範圍第16至22項中任一項之曝光裝置，其中，在該基板載台之上面形成有保持該基板之凹部； 該突出部係以其上面與該基板載台之上面成為相同高度之方式設在該基板載台。
  24. 如申請專利範圍第16至22項中任一項之曝光裝置，其中，在該基板載台之上面形成有保持該基板之凹部；該突出部係以其上面與該基板載台所保持之基板之表面成為相同高度之方式設在該基板載台。
  25. 如申請專利範圍第16至22項中任一項之曝光裝置，其中，該突出部之表面對該液體為撥液性。
  26. 如申請專利範圍第16至22項中任一項之曝光裝置，其中，該突出部係藉由含有氟化合物之材料進行表面處理。
  27. 如申請專利範圍第16至22項中任一項之曝光裝置，其中，該液體可接觸該突出部之上面。
  28. 如申請專利範圍第16至22項中任一項之曝光裝置，其中，該第1方向包含與該投影光學系統之光軸正交之方向。
  29. 如申請專利範圍第1至3、8、9、16至22項中任一項之曝光裝置，其中，藉由該供應之液體在該基板上之一部分局部地形成液浸區域；透過該液浸區域使該基板曝光。
  30. 一種元件製造方法，包含：準備元件之基材即基板之動作；使用申請專利範圍第1至3、8、9、16至22項中任一項之曝光裝置使該已準備之基板曝光之動作；以及 使用該已曝光之基板組裝該元件之動作。
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TW106123570A TWI637245B (zh) 2003-08-29 2004-08-30 Liquid immersion exposure device, liquid immersion exposure method and component manufacturing method
TW106100842A TWI603381B (zh) 2003-08-29 2004-08-30 Exposure apparatus and device manufacturing method
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WO (1) WO2005022616A1 (zh)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3953460B2 (ja) 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ投影装置
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
KR101508810B1 (ko) 2003-04-11 2015-04-14 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
TWI503865B (zh) 2003-05-23 2015-10-11 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
KR20170058458A (ko) 2003-09-29 2017-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100594430C (zh) 2004-06-04 2010-03-17 卡尔蔡司Smt股份公司 用于测量光学成像系统的图像质量的系统
CN105467775B (zh) 2004-06-09 2018-04-10 株式会社尼康 曝光装置及元件制造方法
SG153813A1 (en) * 2004-06-09 2009-07-29 Nikon Corp Substrate holding device, exposure apparatus having same, exposure method, method for producing device, and liquid repellent plate
SG10201801998TA (en) 2004-09-17 2018-04-27 Nikon Corp Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8330939B2 (en) 2004-11-01 2012-12-11 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with a liquid recovery port provided on at least one of a first stage and second stage
JPWO2006077859A1 (ja) * 2005-01-18 2008-06-19 株式会社ニコン 液体除去装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US20090262316A1 (en) 2005-01-31 2009-10-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US20060232753A1 (en) 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
US8054445B2 (en) 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7728951B2 (en) * 2005-09-29 2010-06-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for conditioning an interior space of a device manufacturing apparatus
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US7924399B2 (en) 2006-03-27 2011-04-12 Asml Netherlands B.V. Assembly comprising a conditioning system and at least one object, a conditioning system, a lithographic apparatus and methods
US7826030B2 (en) * 2006-09-07 2010-11-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG143137A1 (en) * 2006-11-13 2008-06-27 Asml Netherlands Bv Conduit system for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, pump, and method for substantially reducing vibrations in a conduit system
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
JP5098019B2 (ja) * 2007-04-27 2012-12-12 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
DE102007028115B4 (de) * 2007-06-19 2015-10-29 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Bestimmung einer für eine Myokardablation bei einem Patienten optimalen Leistung eines Ablationskatheters sowie zugehörige medizinische Einrichtungen
JP2009010289A (ja) 2007-06-29 2009-01-15 Canon Inc 露光装置及び方法
NL1036194A1 (nl) * 2007-12-03 2009-06-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL1036186A1 (nl) * 2007-12-03 2009-06-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL1036187A1 (nl) 2007-12-03 2009-06-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP2009260264A (ja) * 2008-03-24 2009-11-05 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP5398185B2 (ja) * 2008-07-09 2014-01-29 キヤノン株式会社 投影光学系、露光装置およびデバイス製造方法
NL2003638A (en) 2008-12-03 2010-06-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2005528A (en) * 2009-12-02 2011-06-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2005717A (en) 2009-12-18 2011-06-21 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
EP2423749B1 (en) 2010-08-24 2013-09-11 ASML Netherlands BV A lithographic apparatus and device manufacturing method
NL2007802A (en) 2010-12-21 2012-06-25 Asml Netherlands Bv A substrate table, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
US8703368B2 (en) * 2012-07-16 2014-04-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography process
WO2015133391A1 (ja) * 2014-03-07 2015-09-11 富士フイルム株式会社 トランジスタの製造方法
US10403517B2 (en) * 2015-02-18 2019-09-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN107639826B (zh) * 2017-10-16 2020-07-17 嵊州市法克机械有限公司 一种具有原料回收作用的光固化三维打印机
CN107538737A (zh) * 2017-10-23 2018-01-05 陈静 一种光固化三维打印装置及其打印方法
CN113844160A (zh) * 2018-10-31 2021-12-28 微技术株式会社 振动装置、振动方法、及振动撒入装置

Family Cites Families (177)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPH0782981B2 (ja) * 1986-02-07 1995-09-06 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JPH0750246A (ja) * 1993-08-06 1995-02-21 Hitachi Ltd 半導体製造装置
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JPH08181058A (ja) * 1994-12-27 1996-07-12 Sony Corp 投影露光方法およびこれに用いる投影露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US6239038B1 (en) * 1995-10-13 2001-05-29 Ziying Wen Method for chemical processing semiconductor wafers
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
TW353777B (en) * 1996-11-08 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Treatment device
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
CN1244018C (zh) 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光方法和曝光装置
DE69735016T2 (de) 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
JPH10289942A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Nikon Corp ステージ装置及び投影露光装置
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
WO1999027568A1 (fr) 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
US6020964A (en) 1997-12-02 2000-02-01 Asm Lithography B.V. Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000114141A (ja) * 1998-10-02 2000-04-21 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法およびそれに用いる半導体製造装置
US6486955B1 (en) 1998-10-14 2002-11-26 Nikon Corporation Shape measuring method and shape measuring device, position control method, stage device, exposure apparatus and method for producing exposure apparatus, and device and method for manufacturing device
JP2000228439A (ja) * 1999-02-05 2000-08-15 Advantest Corp ステージ上のパーティクル除去方法及び清掃板
US6995930B2 (en) 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US6842248B1 (en) * 2000-11-28 2005-01-11 Nikon Corporation System and method for calibrating mirrors of a stage assembly
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
US6601777B2 (en) * 2001-01-30 2003-08-05 Msp Corporation Suspended particle container for an atomizer
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
US6912054B2 (en) * 2001-08-28 2005-06-28 Zygo Corporation Interferometric stage system
US6801301B2 (en) * 2001-10-12 2004-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7092069B2 (en) 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
US6988327B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
EP1420299B1 (en) 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
CN101470360B (zh) 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3953460B2 (ja) 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ投影装置
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
SG150388A1 (en) * 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
EP1429190B1 (en) 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
WO2004053952A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1573730B1 (en) 2002-12-13 2009-02-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
EP1579435B1 (en) 2002-12-19 2007-06-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US7010958B2 (en) 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
EP1732075A3 (en) 2002-12-19 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7090964B2 (en) 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
JP4488004B2 (ja) 2003-04-09 2010-06-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ流体制御システム
JP4656057B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
KR101129213B1 (ko) 2003-04-10 2012-03-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 액체를 수집하는 런-오프 경로
KR20170064003A (ko) 2003-04-10 2017-06-08 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
CN104597717B (zh) 2003-04-10 2017-09-05 株式会社尼康 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
KR101508810B1 (ko) * 2003-04-11 2015-04-14 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR101178756B1 (ko) 2003-04-11 2012-08-31 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침액체를 유지하는 장치 및 방법
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100437358C (zh) * 2003-05-15 2008-11-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
TWI503865B (zh) 2003-05-23 2015-10-11 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
EP1480065A3 (en) 2003-05-23 2006-05-10 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
TWI442694B (zh) 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
EP1486828B1 (en) * 2003-06-09 2013-10-09 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261742A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
KR101729866B1 (ko) * 2003-06-13 2017-04-24 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4343597B2 (ja) 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1494074A1 (en) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7236232B2 (en) 2003-07-01 2007-06-26 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
SG109000A1 (en) 2003-07-16 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
EP2264535B1 (en) * 2003-07-28 2013-02-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005057294A (ja) 2003-08-07 2005-03-03 Asml Netherlands Bv インタフェースユニット、該インタフェースユニットを含むリソグラフィ投影装置、及びデバイス製造方法
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7579135B2 (en) 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7700267B2 (en) 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
EP3223074A1 (en) 2003-09-03 2017-09-27 Nikon Corporation Apparatus and method for immersion lithography for recovering fluid
US6961186B2 (en) 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
JP2007525824A (ja) 2003-11-05 2007-09-06 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー．ブイ． マイクロチップを製造するための方法および装置
US7924397B2 (en) 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005054953A2 (en) 2003-11-24 2005-06-16 Carl-Zeiss Smt Ag Holding device for an optical element in an objective
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
KR100965330B1 (ko) 2003-12-15 2010-06-22 칼 짜이스 에스엠티 아게 적어도 한 개의 액체 렌즈를 가진 마이크로리소그래피 투사대물렌즈로서의 대물렌즈
WO2005059617A2 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having a high aperture and a planar end surface
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
CN102169226B (zh) 2004-01-14 2014-04-23 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射折射投影物镜
KR101099847B1 (ko) 2004-01-16 2011-12-27 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
DE602005019689D1 (de) 2004-01-20 2010-04-15 Zeiss Carl Smt Ag Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse
US7026259B2 (en) 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
US7589822B2 (en) * 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8852850B2 (en) 2004-02-03 2014-10-07 Rochester Institute Of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
EP1716454A1 (en) 2004-02-09 2006-11-02 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1714192A1 (en) 2004-02-13 2006-10-25 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
JP2007523383A (ja) 2004-02-18 2007-08-16 コーニング インコーポレイテッド 深紫外光による大開口数結像のための反射屈折結像光学系
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1747499A2 (en) 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US20060244938A1 (en) 2004-05-04 2006-11-02 Karl-Heinz Schuster Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR20170129271A (ko) 2004-05-17 2017-11-24 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8605257B2 (en) 2004-06-04 2013-12-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection system with compensation of intensity variations and compensation element therefor
CN100594430C (zh) 2004-06-04 2010-03-17 卡尔蔡司Smt股份公司 用于测量光学成像系统的图像质量的系统

Also Published As

Publication number Publication date
EP2804048A1 (en) 2014-11-19
CN101303536B (zh) 2011-02-09
EP1670039A4 (en) 2008-07-23
TW201432788A (zh) 2014-08-16
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