CN101303536A - 曝光装置和器件加工方法 - Google Patents

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Abstract

曝光装置EX通过在投射光学系统PL和衬底P之间填充液体l并且经由投射光学系统PL和液体l将图案的图像投射到衬底P上,来对衬底P进行曝光,该装置包括:液体去除机构40,其间歇性地向液体l附着到的布置在投射光学系统PL的像平面附近的参考构件7、可移动镜55等吹气,以便去除液体l。通过这种构造,可以提供一种能够在通过经由投射光学系统和液体将图案投射到衬底上来对衬底进行曝光时去除不必要的液体的曝光装置,以及在衬底上形成所需的器件图案。

Description

曝光装置和器件加工方法
本申请是国际申请日为2004年8月27日、申请号为200480024379.4、发明名称为“曝光装置和器件加工方法”的PCT国际申请进入中国国家阶段的中国发明专利申请的分案申请。
要求日本专利申请No.2003-307025(2003年8月29日递交)的优先权,这里通过引用将其内容包含进来。
技术领域
本发明涉及通过投射光学系统和液体对衬底上的图案进行曝光的曝光装置,以及器件加工方法。
背景技术
半导体器件和液晶显示设备是通过所谓的光刻(photolithography)技术来加工的,其中形成在掩膜上的图案被转印到光敏衬底上。此光刻过程所使用的曝光装置包括支撑掩膜的掩膜台和支撑衬底的衬底台,并且在逐步移动掩膜台和衬底台的同时经由投射光学系统将掩膜的图案转印到衬底上。近年来出现了对分辨率更高的投射光学系统的需求,以便处理更高程度的器件图案集成。所使用的曝光波长越短,投射光学系统的数值孔径越大,投射光学系统的分辨率就越高。因此,曝光装置中使用的曝光波长逐年被缩短,投射光学系统的数值孔径也被增大。此外,当前的主流曝光波长是248nmKrF受激准分子激光,但是波长更短的193nm ArF受激准分子激光也正在商业化。此外,在执行曝光时,除了分辨率外,聚焦深度(DOF)也是很重要的。以下方程分别表达了分辨率R和聚焦深度δ。
R=k1·λ/NA,    (1)
δ=k2·λ/NA2,    (2)
其中,λ是曝光波长,NA是投射光学系统的数值孔径,k1和k2是处理系数。方程(1)和(2)教导,如果曝光λ缩短并且数值孔径NA增大以增强分辨率R,则聚焦深度δ变窄。
如果聚焦深度δ变得过窄,则可能难以将衬底表面与投射光学系统的像平面对准,并且在曝光操作期间可能会有聚焦裕量不足的危险。因此,例如以下的PCT国际公布WO99/49504中所公开的,已经提出了一种液体浸润方法,作为用于大大缩短曝光波长和增大聚焦深度的方法。此液体浸润方法在投射光学系统的下表面和衬底的表面之间填充液体,例如水或有机溶剂,从而利用液体中的曝光用光的波长是空气中的1/n这一事实(其中n是液体的折射率,通常约为1.2至1.6),因此将分辨率提高了约n倍,并且将聚焦深度增大了约n倍。在此在本国际专利申请指定的指定国(或选定州)的国家法律和法规所允许的程度内,通过引用将上述国际公布的内容全部包含进来。
顺便说一下,上述相关技术具有下述问题。
上述PCT国际公布No.WO99/49504中公开的曝光装置具有这样的构造:液体被提供和回收以使得浸润区域被形成在衬底的一个部分上;但是,如果在浸润曝光完成之后浸润区域中的液体未被充分回收的状态下,例如衬底台被移动到加载/卸载位置(衬底更换位置)以便将衬底卸载到衬底台上并且加载新衬底,则残余(附着)在投射光学系统前部的液体或者供液喷头、回收喷头等中的液体可能滴落到周边器件上,例如台的导轨面、台干涉计的反射镜等。
此外,如果液体残余在投射光学系统的前部处的光学元件上,则有可能在残余的液体已蒸发之后附着的残余物(所谓的水印)会留在投射光学系统的前部处的光学元件上,并且将会在执行下一曝光过程时不利地影响形成在衬底上的图案。此外,可以想象到,即使在不执行曝光过程时,当使用布置在衬底台上的衬底周围的参考平面构件、基准标构件等时,将会形成浸润区域,并且有可能这些浸润区域中的液体不会被充分回收,并且附着的残余物将会留在这些构件上,或者残余在这些构件上的液体将会扩散开来。
此外,还可以想象到,曝光期间来自衬底上的浸润区域的液体将会扩散开来,并且附着到周边的装置、构件等上。如果曝光期间从衬底扩散开来的液体附着到例如每个台干涉计的反射镜上,则可能会有使得干涉计所测量的台位置的精度下降的危险。
发明内容
本发明是在考虑到这种情况的同时做出的,并且本发明的一个目的是提供这样一种曝光装置,其能够在经由投射光学系统和液体将图案投射和曝光到衬底上时充分去除和/或回收不必要的液体并且在衬底上形成所需器件图案,以及提供一种使用此曝光装置的器件加工方法。
为解决上述问题,本发明采用了与描述实施例的图1至22相对应的下述构造。另外,为了帮助理解,将用描述一个实施例的附图中的相应符号来说明本发明,但是本发明不限于此实施例。
本发明的曝光装置(EX)是这样一种曝光装置,其通过在投射光学系统(PL)和衬底(P)之间填充液体(I)并且经由投射光学系统(PL)和液体(I)将图案的图像投射到衬底(P)上,来对衬底(P)进行曝光,该装置包括:液体去除机构(40,60,90),其间歇性地向液体(I)附着到的组件(2、7、8A、13、23、55、57、LS等)吹气以便去除液体(I),所述组件被布置在投射光学系统(PL)的像平面附近。
此外,本发明的曝光装置(EX)是这样一种曝光装置,其通过在投射光学系统(PL)和衬底(P)之间填充液体(I)并且经由投射光学系统(PL)和液体(I)将图案的图像投射到衬底(P)上,来对衬底(P)进行曝光,该装置包括:液体去除机构(40、60、90),其向液体(I)附着到的组件(2、7、8A、13、23、55、57、LS等)吹气以便去除液体(I),所述组件被布置在投射光学系统(PL)的像平面附近;其中液体去除机构(40、60、90)在改变气体的流速的同时吹动气体。
根据本发明,可以通过间歇性地或在改变其流速的同时向布置在投射光学系统的像平面附近的组件吹气,来在组件表面上形成湍流,从而成功地去除附着到组件的不必要的液体。因此,可以防止液体从组件滴落、扩散等等,以及防止在这些组件上出现附着的残余物(水印),从而以良好的精度在衬底上形成所需的图案。
本发明的曝光装置(EX)是这样一种曝光装置,其通过在投射光学系统(PL)和衬底(P)之间填充液体(I)并且经由投射光学系统(PL)和液体(I)将图案的图像投射到衬底(P)上,来对衬底(P)进行曝光,该装置包括:液体去除机构(40、60、90),其具有振动装置(8E、17、43B、92、151),该振动装置振动组件(2、7、8A、13、23、55、57、LS等)以便去除附着到组件的液体(I),所述组件被布置在投射光学系统(PL)的像平面附近。
根据本发明,振动布置在投射光学系统的像平面附近的组件促进了去除附着到组件的液体,并且使得能够成功地去除不必要的液体。因此,可以防止液体从组件滴落、扩散等等,以及防止在这些组件上出现附着的残余物(水印),从而以良好的精度在衬底上形成所需的图案。
本发明的曝光装置(EX)是这样一种曝光装置,其通过在投射光学系统(PL)和衬底(P)之间填充液体(I)并且经由投射光学系统(PL)和液体(I)将图案的图像投射到衬底(P)上,来对衬底(P)进行曝光,该装置包括:液体去除机构(90),其去除在曝光期间从衬底(P)扩散开来的或者附着到布置在投射光学系统(PL)的像平面附近的组件(55)的液体(I)。
根据本发明,即使在浸润曝光期间液体从衬底扩散到周边,也可以通过去除扩散的液体来防止由于液体扩散而导致的曝光精度降低的问题,并且以良好的精度在衬底上形成所需的图案。
本发明的曝光装置(EX)是这样一种曝光装置,其通过在投射光学系统(PL)和衬底(P)之间填充液体(I)并且经由投射光学系统(PL)和液体(I)将图案的图像投射到衬底(P)上,来对衬底(P)进行曝光,该装置包括:液体去除机构(90),其与对衬底(P)进行曝光操作并行地去除附着到组件(55)的液体(I),所述组件被布置在投射光学系统(PL)的像平面附近。
根据本发明,即使在浸润曝光期间来自衬底的液体扩散并附着到组件,也可以通过与曝光操作并行地执行去除附着到组件的液体的操作,来去除液体,而不降低整个曝光的吞吐量。另外,通过去除附着到组件的液体,可以防止由于附着的液体导致的曝光精度下降的问题,并且以良好的精度在衬底上形成所需的图案。
本发明的曝光装置(EX)是这样一种曝光装置,其通过在投射光学系统(PL)和衬底(P)之间填充液体(I)并且经由投射光学系统(PL)和液体(I)将图案的图像投射到衬底(P)上,来对衬底(P)进行曝光,该装置包括:提供在组件(55)的上侧的遮蔽构件(180),其防止液体(I)附着到组件(55),所述组件被布置在投射光学系统(PL)的像平面附近。
根据本发明,在曝光期间或完成衬底曝光之后(或之前),遮蔽构件可阻隔从衬底扩散开来的液体、从诸如喷头等部件滴落的液体等等,因此可以防止液体附着到位于该遮蔽构件的下侧之上组件的问题。因此,可以防止由附着到组件的液体导致的曝光精度下降的问题,并且以良好的精度在衬底上形成所需的图案。
本发明的曝光装置(EX)是这样一种曝光装置,其通过在投射光学系统(PL)和衬底(P)之间填充液体(I)并且经由投射光学系统(PL)和液体(I)将图案的图像投射到衬底(P)上,来对衬底(P)进行曝光,该装置包括:具有支持表面的台(52、PST),其支持衬底(P),并且能够相对于投射光学系统(PL)移动;以及液体接收构件(102),其被布置在台(52、PST)周围,并且被设置为使得液体接收表面被定位得低于支持表面。
根据本发明,液体接收构件可接收从台的末端部分滴落的液体、从布置在投射光学系统的前部的光学元件和从支持此光学元件的镜框滴落的液体等,因此可以防止液体附着和扩散到不希望发生液体附着的位置,例如台的驱动部件、基底等等。因此,可以抑制衬底的定位精度的降低,并且以良好的精度在衬底上形成所需的图案。
本发明的曝光装置(EX)是这样一种曝光装置,其通过经由被提供给衬底(P)的液体(I)将图像投射在衬底(P)之上,来对衬底(P)进行曝光,该装置包括:能够支持和移动衬底(P)的台(52、PST);位置检测构件(55),其被提供给台(52、PST),用于检测与台(52、PST)的位置相关的信息;以及液体去除机构(90),其去除附着到位置检测构件(55)的液体(I)。
根据本发明,可以去除附着到用于检测与台的位置相关的信息的位置检测构件(例如反射来自激光干涉计的测量光束的可移动镜)的液体,因此可以抑制对台的位置测量和衬底的定位精度的不利影响,并且以良好的精度在衬底上形成所需的图案。
本发明的曝光装置(EX)是这样一种曝光装置,其通过在衬底(P)上形成液体(I)的浸润区域(AR2)并且经由浸润区域(AR2)的液体(I)将图像投射到衬底(P)上,来对衬底(P)进行曝光,该装置包括:能够支持和移动衬底(P)的台装置(52、PST);检测台装置(52、PST)的位置信息的干涉计(56);以及反射表面(55),其被提供给台装置(52、PST),并且反射来自干涉计(56)的测量光束(56a);其中,反射表面(55)的上端被定位得低于浸润区域(AR2)。
本发明的曝光装置(EX)是这样一种曝光装置,其通过经由提供给衬底(P)的液体(I)将图像投射到衬底(P)上来对衬底(P)进行曝光,该装置包括:能够支持和移动衬底(P)的衬底支撑构件(52、PST);检测衬底支持构件(52、PST)的位置信息的干涉计(56);板状构件(180),其被安装在衬底支持构件(52、PST)的上表面之上,并且是斥液性的;以及反射表面(55),其被提供给板状构件(180)下方的衬底支持构件(52、PST),并且反射来自干涉计(56)的测量光束(56a);其中,板状构件(180)的末端部分的至少一部分在测量光束(56a)撞击反射表面(55)的方向一侧上沿入射方向伸出得比反射表面(55)多。
本发明的曝光装置(EX)是这样一种曝光装置,其通过投射光学系统(PL)在衬底(P)上形成图像,该装置包括:衬底支持构件(52、PST),其至少能够支持衬底(P)并至少在平面内移动衬底(P);检测衬底支持构件(52、PST)在平面内的位置信息的干涉计(56);以及反射表面(55),其被提供给衬底支持构件(52、PST),并且反射来自干涉计(56)的测量光束(56a);其中,撞击反射表面(55)的测量光束(56a)的光径的至少一部分经过衬底支持构件(52、PST)的至少一部分的下方。
本发明的器件加工方法使用上述曝光装置(EX)。根据本发明,可以在抑制环境变化及附着到投射光学系统的像平面附近的光学元件的残余物的出现等的状态下,加工具有所需性能的器件。
附图说明
图1是示出本发明的曝光装置的一个实施例的示意性框图。
图2是示出用于形成浸润区域的供液机构和液体回收机构的示意性框图。
图3是示出衬底台的平面图。
图4示出台液体回收装置的一个示例。
图5A和图5B是示出第一液体去除装置的一个示例的示意图,该装置是液体去除机构。
图6是示出第二液体去除装置的操作的一个示例的示意图,该装置是液体去除机构。
图7A和图7B是用于说明吹气操作的示意图。
图8是示出第二液体去除装置的操作的一个示例的示意图,该装置是液体去除机构。
图9示出振动装置的另一个实施例。
图10是示出第二液体去除装置的另一个示例的示意图,该装置是液体去除机构。
图11是示出第二液体去除装置的另一个示例的示意图,该装置是液体去除机构。
图12示出振动装置的另一个实施例。
图13是示出第一液体去除装置的另一个示例的示意图,该装置是液体去除机构。
图14是示出第一液体去除装置的另一个示例的示意图,该装置是液体去除机构。
图15是示出第一液体去除装置的另一个示例的示意图,该装置是液体去除机构。
图16是示出第三液体去除装置的一个示例的示意图,该装置是液体去除机构。
图17是示出第三液体去除装置的另一个示例的示意图,该装置是液体去除机构。
图18是示出第三液体去除装置的另一个示例的示意图,该装置是液体去除机构。
图19是示出第三液体去除装置的另一个示例的示意图,该装置是液体去除机构。
图20是示出第二液体去除装置的另一个示例的示意图,该装置是液体去除机构。
图21是示出这样一个方面的示意图,在该方面中,在可移动镜的上部提供遮蔽构件。
图22是示出用于制造半导体器件的过程的一个示例的流程图。
具体实施方式
以下参考附图说明本发明的曝光装置。图1是示出根据本发明的曝光装置的一个实施例的示意性框图。
在图1中,曝光装置EX包括:支撑掩膜M的掩膜台MST;支撑衬底P的衬底台PST;用曝光用光EL照射由掩膜台MST支撑的掩膜M的曝光用光学系统IL;将被EL照射的掩膜M的图案图像投射和曝光到由衬底台PST支撑的衬底P上的投射光学系统PL;以及提供对整个曝光装置EX的操作控制的控制装置CONT。整个曝光装置EX被容纳在箱装置CH内。
本发明的曝光装置EX是液体浸润型曝光装置,其应用液体浸润方法以大大缩短曝光波长、提高分辨率以及大大增大聚焦深度,并且包括将液体1提供给衬底P的供液机构10以及回收衬底P上的液体1的液体回收机构20。在本实施例中,纯水被用作液体1。至少在将掩膜M的图案图像转印到衬底P期间,曝光装置EX以供液机构10提供的液体1在衬底P上包括投射光学系统PL的投射区域AR1的至少一个部分中形成浸润区域AR2。具体而言,曝光装置EX通过在PL的前部处的光学元件2和衬底P的表面(曝光表面)之间填充液体1,然后经由此投射光学系统PL和衬底P之间的液体1以及经由投射光学系统PL将掩膜M的图案图像投射到衬底P上,从而对衬底P进行曝光。
现在将通过用扫描型曝光装置(所谓的扫描步进器)作为曝光装置EX的情况为例,来说明本实施例,该扫描型曝光装置利用形成在掩膜M上的图案对衬底P进行曝光,同时在相互不同的方向(相反方向)上沿扫描方向(规定的方向)同步移动掩膜M和衬底P。在以下说明中,水平平面内掩膜M和衬底P同步移动的方向(扫描方向)是X轴方向,水平平面内与X轴方向正交的方向是Y轴方向(非扫描方向),与X轴和Y轴方向垂直并且与投射光学系统PL的光轴AX一致的方向是Z轴方向。此外,绕X、Y和Z轴的旋转(倾斜)方向分别是θX、θY和θZ方向。此外,这里的“衬底”包括其中半导体晶片被涂覆以光阻材料的衬底,“掩膜”包括其中形成被缩小投射到衬底上的器件图案的刻线。
曝光用光学系统IL以曝光用光EL照射由掩膜台MST支撑的掩膜M,并且包括:曝光光源;使从曝光光源发射出的光通量的强度均匀的光学积分器;聚集来自光学积分器的曝光用光EL的聚光透镜;中继透镜系统;以及将掩膜M上被曝光用光EL照射的照射区域设置成狭缝形的可变场阑;等等。曝光用光学系统IL利用曝光用光EL照射掩膜M上的规定照射区域,该曝光用光EL具有均匀的照射强度分布。可用作从曝光用光学系统IL发射出的曝光用光EL的光的示例包括:深紫外光(DUV光),例如从汞灯发射出的紫外范围中的亮线(g、h和i线),以及KrF受激准分子激光(248nm波长);以及真空紫外光(VUV光),例如ArF受激准分子激光(193nm波长)和F2激光(157nm波长)。本实施例中使用ArF受激准分子激光。如上所述,本实施例中的液体1是纯水,并且曝光用光EL能够透射经过该液体,即使光是来自受激准分子激光器的。此外,紫外范围的亮线(g、h和i线)以及深紫外光(DUV光),例如KrF受激准分子激光(248nm波长)也可穿透纯水。
掩膜台MST支撑掩膜M,并且可以在与投射光学系统PL的光轴AX垂直的平面(即XY平面)上二维移动,并且可以在θZ方向上精微地旋转。掩膜台驱动装置MSTD,例如直线电动机,驱动掩膜台MST。在掩膜台MST上提供了可移动镜50。此外,在与可移动镜50相对的位置处提供了激光干涉计51。控制装置CONT控制掩膜台驱动装置MSTD。激光干涉计51实时测量掩膜台MST上的掩膜M在二维方向上的位置和旋转角,并且将这些测量结果输出到控制装置CONT。控制装置CONT基于激光干涉计51的测量结果驱动掩膜台驱动装置MSTD,从而定位由掩膜台MST支撑的掩膜M。
投射光学系统PL以规定的投射放大率β将掩膜M投射和曝光到衬底P上,并且包括投射光学系统主体MPL和光学元件2,该投射光学系统主体MPL包括多个光学元件,该光学元件2是在衬底P侧(投射光学系统PL的像平面侧上)的前部提供的。构成投射光学系统主体MPL的多个光学元件被透镜镜筒PK所支持,而投射光学系统PL的前部处的光学元件2被镜框LS所支持。此外,支持光学元件2的镜框LS和透镜镜筒PK的前部被耦合设备150所耦合,该耦合设备包括多个连接部件151。
在本实施例中,投射光学系统PL是具有例如1/4或1/5的投射放大率β的缩小系统。此外,投射光学系统PL可以是单位放大系统或放大系统。光学元件2和镜框LS接触浸润区域AR2中的液体1。
光学元件2是由荧石制成的。由于荧石对于纯水有较高的亲合力,所以液体1可被附着到光学元件2的液体接触表面2a的几乎整个表面上。即,由于本实施例中提供的液体(水)1对于光学元件2的液体接触表面2a具有较高的亲合力,因此光学元件2的液体接触表面2a和液体1具有强烈的附着特性,因此光学元件2可以由对于水有强亲合力的石英制成。此外,可以对光学元件2的液体接触表面2a进行亲水(亲液)处理,以便进一步提供它对液体1的亲和力。
此外,曝光装置EX包括焦点检测系统4。在包括光发射部件4a和光接收部件4b的焦点检测系统4中,检测光从光发射部件4a经过液体1从对角方向投射到衬底P的表面(曝光表面)上,并且其反射光被光接收部件4b接收。控制装置CONT控制焦点检测系统4的操作,并且基于光接收部件4b的光接收结果,检测Z轴方向上衬底P的表面相对于规定的参考表面的位置(焦点位置)。此外,通过得出衬底P的表面上的多个位置中的每一个处的焦点位置,焦点检测系统4可得出倾斜方向上衬底P的俯仰角。此外,可以用例如日本未经审查专利申请首次公布No.H08-37149和相应的美国专利申请No.6,327,025中公开的焦点检测系统构成焦点检测系统4。此外,在此在本国际专利申请指定的指定国(或选定州)的国家法律和法规所允许的程度内,通过引用将上述日本公布和相应的美国专利的公开内容全部包含进来。
衬底台PST支撑衬底P并且包括经由衬底支持器支持衬底P的Z台52、支撑Z台52的XY台53和支撑XY台53的基底54。衬底台驱动装置PSTD,例如直线电动机,驱动衬底台PST。控制装置CONT控制衬底台驱动装置PSTD。此外,当然也可以整体提供Z台和XY台。衬底P在XY方向上的位置(与投射光学系统PL的像平面基本平等的方向上的位置)是通过驱动衬底台PST的XY台53来控制的。
可移动镜(反射镜)55被提供到衬底台PST的侧边部分(Z台52)。此外,在与可移动镜55中的每一个相对的位置处提供激光干涉计56。每个激光干涉计56实时测量衬底台PST上的衬底P的二维方向上的位置和旋转角,并且这些测量结果被输出到控制装置CONT。基于每个激光干涉计56的测量结果,控制装置CONT经由衬底台驱动装置PSTD驱动XY台53,该衬底台驱动装置PSTD在X轴方向和Y轴方向上定位由衬底台PST支撑的衬底P。
此外,通过经由衬底台驱动装置PSTD驱动衬底台PST的Z台52,控制装置CONT在Z轴方向(焦点位置)和θX、θY方向上控制由Z台52支撑的衬底P的位置。即,Z台52基于来自控制装置CONT的基于焦点检测系统4的检测结果的命令进行操作,控制衬底P的焦点位置(Z位置)和倾斜角,并且将其表面(曝光表面)与通过投射光学系统PL和液体1形成的像平面对准。
在衬底台PST(Z台52)上提供辅助板57以便它围绕衬底P。辅助板57包括在与衬底支持器支持的衬底P的表面的高度基本相同的高度处的平坦表面。这里,在衬底P和辅助板57的边缘之间有约0.1-1mm的缝隙,但是由于液体1的表面张力,实际上没有液体1流进该缝隙中,因此即使当对衬底P的四周边缘进行曝光时,液体1也可被辅助板57保持在投射光学系统PL下方。
此外,在衬底台PST(Z台52)上提供了参考构件7,该参考构件7具有用于对掩膜M和衬底P进行对准的过程中的基准标记MFM、PFM。另外,在投射光学系统PL的前部附近提供了衬底对准系统5,该衬底对准系统5检测衬底P上的对准标记或提供给参考构件7的基准标记PFM。此外,在掩膜台MST的附近提供了掩膜对准系统6,该掩膜对准系统6通过掩膜M和投射光学系统PL检测提供给参考构件7的基准标记MFM。另外,例如在日本未经审查专利申请首次公布No.H04-65603和相应的美国专利No.5,493,403中公开的系统可用于构成衬底对准系统5,在日本未经审查专利申请首次公布No.H07-176468和相应的美国专利No.5,646,413中公开的系统可用于构成掩膜对准系统6。
另外,在此在本国际专利申请指定的指定国(或选定州)的国家法律和法规所允许的程度内,通过引用将上述日本公布和相应美国专利的公开的内容全部包含进来。
另外,在衬底台PST(Z台52)上提供了光接收设备8,该光接收设备8接收经过投射光学系统PL辐照到其像平面侧(衬底P侧)的光。光接收设备8包括由Z台52上提供的玻璃板构成的光透射构件8A,和嵌在Z台52中的光接收元件8B,该光接收元件8B通过光透射构件8A接收光。
在衬底对准系统5附近提供了第一液体去除装置(液体去除机构)40,其去除残余和附着在提供给Z台52的参考构件7上的液体1。此外,向衬底台PST提供了回收液体1的液体回收装置(液体回收机构)30。
供液机构10从上方将规定的液体1提供到衬底P上以便形成浸润区域AR2,并且包括:供液装置11,其能够馈送液体1;以及供给喷头13,其通过具有通道的供给管12连接到供液装置11,其中每个供给喷头13具有供给端口,从这个供液装置11馈送来的液体1经过该供给端口被提供给衬底P。供液装置11包括存储供液装置11的罐、加压泵等,并且通过供给管12和供给喷头13将液体1提供给衬底P。控制装置CONT控制供液装置11提供液体的操作,并且可独立控制每单位时间由供液装置11提供给衬底P的液体量。此外,供液装置11包括用于调整液体1的温度的机构,并且向衬底P提供温度与容纳装置的箱装置CH内部温度基本相同(例如23℃)的液体1。供给喷头13被布置在衬底P附近,并且从衬底P上方向衬底P提供液体1。此外,在浸润曝光期间,供给喷头13接触浸润区域AR2中的液体1。
液体回收机构20从衬底P上方回收液体1,并且包括各自具有布置在衬底P的表面附近的回收端口的回收喷头23和通过具有通道的回收管22连接到回收喷头23的液体回收装置21。液体回收装置21包括诸如真空泵之类的真空系统(抽吸装置),存储回收的液体1的罐等,并且通过回收喷头23和回收管22回收衬底P上的液体1。CONT控制液体回收装置21的回收液体操作,并且可以控制其每单位时间回收的液体量。在浸润曝光期间回收喷头23接触浸润区域AR2中的液体1,并且液体回收机构20通过回收喷头23从衬底P上方吸取和回收液体1。
图2示出投射光学系统PL的投射区域AR1、在X轴方向上提供液体1的供给喷头13(13A-13C)和回收液体1的回收喷头23(23A、23B)之间的位置关系。在图2中,投射光学系统PL的投射区域AR1的形状是在Y轴方向上长且细的矩形,并且掩膜M的图案图像的一部分被投射到该投射区域AR1。三个供给喷头13A-13C被布置在+X方向一侧,两个回收喷头23A、23B被布置在-X方向一侧,以便投射区域AR1在X轴方向上被置于其间。另外,供给喷头13A-13C经由供给管12连接到供液装置11,回收喷头23A、23B经由回收管22连接到液体回收装置21。此外,供给喷头15A-15C和回收喷头25A、25B被布置在这样的位置:该位置是通过将供给喷头13A-13C和回收喷头23A、23B的位置旋转几乎180°获得的。供给喷头13A-13C和回收喷头25A、25B在Y轴方向上交替排列,供给喷头15A-15C和回收喷头23A、23B在Y轴方向上交替排列,供给喷头15A-15C经由供给管14连接到供液装置11,回收喷头25A、25B经由回收管24连接到液体回收装置21。
此外,衬底P经由XY台53以速度β·V(其中β是投射放大率)在+X方向(或-X方向)上移动,这与掩膜M相对于投射光学系统PL在-X方向(或+X方向)上以速度V进行的移动同步。在一个曝光区域(shot region)的曝光完成后,下一曝光区域通过衬底P的步进移动到扫描开始位置,然后通过步进扫描系统对每个曝光区域相继执行曝光过程。
在本实施例中,控制装置CONT使液体1沿着衬底P的移动方向流动。例如,如果正通过在例如由箭头Xa所示的扫描方向(-X方向)上移动衬底P来执行扫描曝光,则液体1被供液装置11和液体回收装置21通过用供给管12、供给喷头13A-13C、回收管22和回收喷头23A、23B提供和回收。即,当衬底P在-X方向上移动时,液体1从供液装置11通过供给管12和供给喷头13(13A-13C)提供在投射光学系统PL和衬底P之间,被液体回收装置21通过回收喷头23(23A、23B)和回收管22回收,从而在-X方向上流动,以便它填充光学元件2和衬底P之间的空间。同时,如果正通过在例如由箭头Xb所示的扫描方向(+X方向)上移动衬底P来执行扫描曝光,则液体1被供液装置11和液体回收装置21通过用供给管14、供给喷头15A-15C、回收管24和回收喷头25A、25B提供和回收。即,当衬底P在+X方向上移动时,液体1从供液装置11通过供给管14和供给喷头15(15A-15C)提供在投射光学系统PL和衬底P之间,被液体回收装置21通过回收喷头25(25A、25B)和回收管24回收,从而在+X方向上流动,以便它填充光学元件2和衬底P之间的空间。从而,控制装置CONT利用供液装置11和液体回收装置21来使液体1在与衬底P的移动方向完全相同的方向上沿着衬底P的移动方向流动。在此情况下,例如从供液装置11通过供给喷头13提供的液体1随着衬底P在-X方向上的移动而流动,以便它被吸引到投射光学系统PL和衬底P之间的空间中,因此即使供液装置11提供的能量较小,也可以很容易地向其提供液体1。另外,通过根据扫描方向切换液体1的流动方向,则不论是在+X方向还是-X方向上扫描衬底P,都可以将液体1填充在投射光学系统PL前部处的光学元件2和衬底P之间,并且获得高分辨率和深聚焦深度。
另外,本发明不特别限于上述喷头配置,液体1例如可以通过沿投射区域AR1的长边布置的两对喷头来提供和回收。另外,在此情况下,液体1也可以从+X方向或-X方向提供和回收,并且供给喷头和回收喷头因此可以垂直排列。此外,提供和回收液体1的喷头是以规定间隔提供在投射光学系统PL的光学元件2周围的的,因此即使衬底P在不同于扫描方向(+X方向和-X方向)的方向上移动,也可以使液体1在与衬底P的移动方向平行或相同的方向上流动,
图3是从上方看的衬底台PST的Z台52的示意性俯视图。可移动镜55(55X,55Y)被部署在矩形Z台52的两个相互垂直的侧面上。具体而言,可移动镜55X被提供到Z台52的+X一侧上的末端部分,以便它在Y轴方向上延伸,而可移动镜55Y被提供到Z台52的+Y一侧上的末端部分,以便它在X轴方向上延伸。另外,衬底P经由支持器(未示出)被支持在Z台52的基本上中央处。
用激光(测量光束)辐照可移动镜55的激光干涉计56(56X,56Y)分别被布置在与可移动镜55(55X,55Y)相对的位置处。另外,在位于衬底台PST的外侧的每个激光干涉计56附近提供吹出喷头91,,并且每个吹出喷头91包括气体吹出端口91A,并且构成第二液体去除装置(液体去除机构)90的一部分,该液体去除装置90通过向相应的可移动镜55吹送气体来去除附着到其上的液体1。在本实施例中,吹出喷头91是在每个激光干涉计56的两侧提供的,或者说将每个激光干涉计56夹在中间。
凹槽部件(上方凹槽部件)58沿着每个可移动镜55的长度方向形成在其上部。振动装置92被提供在每个可移动镜55的凹槽部件58的内侧上的多个规定位置处,并且振动每个可移动镜55。在本实施例中,每个振动装置92是由作为压电器件的压电薄膜制成的,并且被粘贴在每个可移动镜55的凹槽部件58的中心位置和两端位置处的沿长度方向的三个位置中的每个位置处。另外,振动装置92的安装位置和数目可以任意设置。
在衬底P周围提供了如上所述的在与衬底P的表面的高度基本相同的高度处的平坦表面的辅助板57。另外,在辅助板57周围提供了液体吸收部件31,其构成回收液体1的台液体回收装置30的一部分。液体吸收部件31是具有规定宽度的环状构件,并且被布置在以环状形式形成在Z台52中的凹槽部件(回收端口)33中。液体吸收部件31由多孔材料制成,例如由多孔陶瓷等制成。或者,海绵这种多孔材料可用作形成液体吸收部件31的材料。由多孔材料制成的液体吸收部件31可保存规定量的液体1。
在Z台52的一个角落处提供参考构件7。以规定的位置关系向参考构件7提供由衬底对准系统5检测的基准标记PFM和由掩膜对准系统6检测的基准标记MFM。此外,参考构件7的表面基本上是平坦的,并且充当焦点检测系统4的参考表面。
另外,可以在Z台52上以与参考构件7相分离的方式提供焦点检测系统4的参考表面。此外,可整体地提供参考构件7和辅助板57。
另外,在Z台52上参考构件7附近提供回收由第一液体去除装置40从参考构件7去除的液体1的液体吸收构件42。液体吸收构件42被布置在形成在Z台52中的凹槽部件44中。另外,在Z台52的单独的角度处提供构成第三液体去除装置(液体去除机构)60的喷头部件64的气体喷放端口64A,该液体去除装置60去除残余和附着在投射光学系统PL前部处的光学元件2和支持此光学元件2的镜框LS上的液体1,并且在气体吹出端口64A的附近提供回收从光学元件2去除的液体1的液体吸收材料65。液体吸收材料65被布置在形成在Z台52中的凹槽部件66中。
此外,在Z台52的单独的角落处提供光透射构件8A,该光透射构件8A构成接收通过投射光学系统PL辐照到其像平面侧(衬底P侧)的光的光接收设备8的一部分。光透射构件8A是以玻璃板的表面上的包括遮光材料(例如铬)的薄膜形成图案的,并且在其中央部分处提供了狭缝部件8S,该狭缝部件8S是光透射部件,其长度方向在Y轴方向上。通过投射光学系统PL辐照到其像平面侧的光经过狭缝部件8S,并且被嵌入在Z台52中的光接收元件8B接收。另外,在Z台52上光透射构件8A附近提供了液体吸收构件142,该液体吸收构件142回收从光透射构件8A去除的液体1。液体吸收构件142被布置在形成在Z台52中的凹槽构件144中。
图4是示出台液体回收装置30的截面图。台液体回收装置30包括:上述液体吸收部件31,其被布置在以环状方式形成在Z台52中的凹槽部件(回收端口)33中;形成在Z台52内部并且与凹槽部件33相连的通道32;在Z台52外部提供的一端连接到通道32的管道36;连接到管道36的另一端并且在Z台52提供的罐37;以及通过具有阀38A的38连接到此罐37的泵39,该泵39是真空系统(抽吸装置)。罐37具有排放通道37A,并且其构造使得当积累了规定量时液体1被从排放通道37A排放出。另外,在台液体回收装置30中,泵39被驱动收集由液体吸收部件31回收的液体1,以便其被吸取到罐37中。
以下说明使用上述曝光装置EX来用掩膜M的图案对衬底P进行曝光的过程。
在从供液机构10提供液体1之前,首先在衬底P上没有液体1的状态下执行测量过程。控制装置CONT在监视激光干涉计56的输出的同时移动XY台53,以便投射光学系统PL的光轴AX沿图3中的虚线箭头18前进。在该移动期间,衬底对准系统5检测(虽然不通过液体1)衬底P上形成的与曝光区域S1-S11相对应的多个对准标记(未示出)(步骤SA1)。另外,当衬底对准系统5检测到对准标记时,XY台53停止。这样,在激光干涉计56定义的坐标系统内测量每个对准标记的位置信息。另外,衬底对准系统5可检测衬底P上的所有对准标记或一部分对准标记。
此外,在XY台53移动期间,焦点检测系统4检测(虽然不通过液体1)衬底P的表面信息(步骤SA2)。焦点检测系统4检测衬底P上的所有曝光区域S1-S11的表面信息,并且将检测结果存储在与扫描方向(X轴方向)上衬底P上的位置相关联的控制装置CONT中,另外,焦点检测系统4可以只检测一部分曝光区域的表面信息。
当对衬底P上的对准标记和衬底P的表面信息的检测完成之后,控制装置CONT移动XY台53,以便衬底对准系统5的检测区域被定位在参考构件7上。衬底对准系统5检测参考构件7上的基准标记PFM,并在激光干涉计56定义的坐标系统内测量基准标记PFM的位置信息(步骤SA3)。
基准标记PFM和衬底P上的多个对准标记之间的位置关系,即基准标记PFM和衬底P上的多个曝光区域S1-S11之间的位置关系,分别是通过完成检测PFM的过程而得出的。此外,由于基准标记PFM和基准标记MFM有规定的位置关系,因此基准标记MFM和衬底P上的多个曝光区域S1-S11之间的位置信息分别在XY平面内被确定。
此外,在通过衬底对准系统5检测基准标记PFM之前和之后,控制装置CONT通过焦点检测系统4检测参考构件7(参考表面)的表面信息(步骤SA4)。参考构件7的表面和衬底P的表面之间的关系是通过完成检测此参考构件7的表面的过程而得出的。
接下来,控制装置CONT移动XY台53,以便参考构件7上的基准标记MFM能够被掩膜对准系统6检测。正如可预期的,在此状态下,投射光学系统PL的前部与参考构件7相对。此时,控制装置CONT开始通过供液机构10和液体回收机构20提供和回收液体1,并且通过在投射光学系统PL和参考构件7之间填充液体1形成浸润区域。
接下来,控制装置CONT经由掩膜M、投射光学系统PL和液体L通过掩膜对准系统6检测基准标记MFM(步骤SA5)。从而,基准标记MFM被用于通过投射光学系统PL和液体1检测掩膜M在XY平面内的位置,即掩膜M的图案图像的投射位置信息。
当上述测量过程完成时,控制装置CONT停止通过供液机构10将液体1提供到参考构件7的操作。但是,控制装置CONT在规定时间段中继续通过液体回收机构20回收参考构件7上的液体1的操作。然后,在经过上述规定时间段之后,控制装置CONT停止通过液体回收机构20进行的回收操作,并且移动衬底台PST以便去除未被液体回收机构20完成回收因而残余在参考构件7上的液体1。
图5A和5B示出了一个方面,其中第一液体去除装置40去除残余在衬底台PST(Z台52)上提供的参考构件7上的液体1;图5A是示意性斜视图,图5B是截面图。在图5A和图5B中,第一液体去除装置40包括向着参考构件7吹气的吹气装置41,以及振动参考构件7的振动装置43B。如图5B中所示,参考构件7由安装在形成于Z台52中的凹陷部件52A中的支撑部件7A支撑,空间7S被形成在参考构件7和凹陷部件52A之间。参考构件7是板状构件,支撑部件7A支撑参考构件7的下表面参考构件7的边缘部分。另外,振动装置43B是在参考构件7的下表面参考构件7的中央部分处提供的。振动装置43B包括压电设备,控制装置CONT通过向压电设备(振动装置)振动装置43B施加规定的电压,来此压电设备43B振动参考构件7。
吹气装置41包括能够馈送气体的供气部件41A,以及连接到供气部件41A的喷头部件43。喷头部件43的气体吹出端口43A形成为狭缝形,并且被布置在参考构件7附近。供气部件41A和喷头部件43由独立于投射光学系统PL的支撑部件(未示出)支撑。
在Z台52上参考构件7附近的位置处提供回收(保存)由第一液体去除装置40从参考构件7去除的液体的液体吸收构件42。液体吸收构件42是在与喷头部件43的气体吹出端口43A相对的位置处提供的,以便参考构件7被置于其间。液体吸收构件42被布置在凹槽部件44中,该凹槽部件44是在Z台52中提供的回收端口。与台液体回收装置30的液体吸收部件31类似,液体吸收构件42是由诸如多孔陶瓷、海绵之类的多孔材料制成的,并且能够保存一定量的液体1。
供气部件41A馈送气体,从而高速气体从对角方向通过喷头部件43的气体吹出端口43A被吹向参考构件7。控制装置CONT通过从液体去除装置40的喷头部件43向参考构件7吹气,来吹掉和去除残余和附着在参考构件7上的液体1。此时,控制装置CONT在相对于第一液体去除装置40的喷头部件43(气体吹出端口43A)移动衬底台PST(即参考构件7)的同时,从喷头部件43向着参考构件7吹气,从而气体被吹向参考构件7的整个表面,不漏掉任何部分。被吹掉的液体1被布置在与喷头部件43的气体吹出端口43A相对的位置处的液体吸收构件42所保存(回收)。
在本实施例中,在用压电设备43B振动参考构件7的同时,来自喷头部件43的气体吹出端口43A的气体被吹向参考构件7。振动参考构件7促进了液体1的去除(抖落),从而可通过向参考构件7吹气而成功地从参考构件7去除液体1。
与凹槽部件44相连的通道45形成在Z台52内,并且布置在凹槽部件44中的液体吸收构件42的底部连接到通道45。连接到其中布置了液体吸收构件42的凹槽部件44的通道45被连接到在Z台52外部提供的管道46的一端。同时,管道46的另一端通过在Z台52外部提供的罐47和具有阀48A的管道48而连接到泵49,该泵49是抽吸装置。排放通道47A被提供给罐47,并且其构造使得当积累规定量的液体1时,液体1从排放通道47A排放。然后,控制装置CONT驱动第一液体去除装置40的供气部件41A并驱动泵49,从而由液体吸收构件42回收的液体1被收集以及它被吸取到罐47中。即,液体吸收构件42、罐47、泵49等构成回收从参考构件7去除的液体1的液体回收机构(第二液体回收机构)。
然后,为了对衬底P上的曝光区域S1-S11中的每一个进行曝光,控制装置CONT驱动XY台53以便使投射光学系统PL和衬底P相对(步骤SA6)。在使投射光学系统PL和衬底P相对之后,控制装置CONT驱动供液机构10以开始提供液体到衬底P上的操作。从供液机构10的供液装置11馈送来的以便在衬底P上形成浸润区域AR2的液体通过供给管12被递送,然后通过供给喷头13被提供到衬底P上,从而在投射光学系统PL和衬底P之间形成AR2。提供到衬底P上的液体1在衬底P上形成浸润区域AR2,该浸润区域AR2的面积至少与投射区域AR1的同样大。此外,控制装置CONT控制液体回收机构20的液体回收装置21,并且供液机构10与提供液体1的操作并行地执行回收衬底P上的液体的操作。换言之,为了在衬底P曝光期间形成浸润区域AR2,控制装置CONT同时执行由供液机构10提供液体和由液体回收机构20回收液体的操作。衬底P上的液体1是从回收喷头23的回收端口回收的(步骤SA7)。
然后衬底P上的曝光区域S1-S11中的每一个被用先述测量过程期间得出的各种信息扫描曝光(步骤SA8)。即,在曝光区域S1-S11中的每一个的扫描曝光期间,衬底P上的每个曝光区域基于以下信息与掩膜M对准:在提供液体1之前得出的基准标记PFM和曝光区域S1-S11中的每一个之间的位置关系的信息;以及在提供液体1之后利用基准标记MFM得出的掩膜M的图案图像的投射位置信息。
此外,在曝光区域S1-S11中的每一个的扫描曝光期间,基于提供液体1之前得出的衬底P的表面信息,在不使用焦点检测系统4的情况下,调整衬底P的表面和通过液体1形成的像平面之间的位置关系。
在曝光区域S1-S11中的每一个的扫描曝光期间,来自衬底P上形成的浸润区域AR2的液体可能扩散到衬底P外侧。例如,如果在衬底P的曝光期间从衬底P扩散开来的液体1附着到可移动镜55的反射表面,则由于附着到可移动镜55的液体1,由激光干涉计56辐照到其上的测量光束将会发生扩散之类的,因此可能不再能够通过激光干涉计56精确测量衬底台PST的位置。因此,当控制装置CONT已确定从衬底P扩散开来的液体1已附着到可移动镜55时,它开始通过第二液体去除装置90从可移动镜55去除液体的操作。
此时,当激光干涉计56利用测量光束辐照可移动镜55时,如果液体1已附着到可移动镜55,则由激光干涉计56接收到的来自该可移动镜55的反射光量减小。控制装置CONT可基于激光干涉计56的测量结果(光接收结果),即基于从该可移动镜55接收到的反射光的量来确定液体1是否已附着到可移动镜55。
例如,如果在第六曝光区域S6的曝光期间确定液体1已附着到可移动镜55,则在第六曝光区域S6的扫描曝光完成之后,控制装置CONT在接下来的第七曝光区域S7的扫描曝光开始之前,通过第二液体去除装置90执行去除液体的过程。
图6是示出利用第二液体去除装置90去除附着到可移动镜55(55X)的液体1的操作的截面图。另外,以下说明去除出附着到提供到+X侧Z台52的末端部分的可移动镜55X的液体1的情况,但是对于去除附着到提供到+Y侧Z台52的末端部分的可移动镜55Y的液体1的情况也执行类似操作。
在图6中,可移动镜55(55X)包括在可移动镜55(55X)的上部沿其长度方向(Y轴方向)形成为凹口形状的上方凹槽部件58和在可移动镜55(55X)的下部沿其长度方向形成为凹口形状的下方凹槽部件59,并且截面基本形成H形。在截面形成H形的可移动镜55内,形成在网状部件55C的一侧之上的内侧凸缘部件55A连接到Z台52,形成在网状部件55C的另一侧上的外侧凸缘部件55B的外侧表面55S包括用于激光干涉计56所辐照的测量光束的反射表面。另外,可移动镜55的外侧凸缘部件55B的中央部分在其高度方向(Z轴方向)上被网状部件55C支撑,并且上方末端部分55J构成自由端。来自激光干涉计56的测量光束被辐照在外侧凸缘部件55B的反射表面(外侧表面)55S的上方末端部分55J附近(即自由端附近)。另外,整个可移动镜55是由陶瓷、光学玻璃之类的制成的,并且通过在外侧表面55S上真空淀积具有光反射属性的材料(例如金属)从而在外侧表面55S上形成反射表面。
第二液体去除装置90包括在激光干涉计56附近提供的具有气体吹出端口91A的吹出喷头91,和在可移动镜55的凹槽部件58内侧之上提供的并且振动可移动镜55的压电薄膜(振动装置)92。振动装置92被粘贴到具有可移动镜55的反射表面55S的外侧凸缘部件55B的内侧表面55D,该内侧表面55D面向凹槽部件58。更具体而言,压电薄膜92被粘贴在外侧凸缘部件55B的内侧表面55D的作为振动的自由端的上方末端部分55J附近。压电薄膜92的构造使得在粘贴到内侧表面55D的状态下在如图6中箭头z1所示的垂直方向(Z轴方向)上膨胀和收缩,并且此压电薄膜92的膨胀和收缩操作在由箭头b1所示的θY方向上振动外侧凸缘部件55B的上方末端部分55J附近,其中网状部件(支撑部件)55C作为基本端。通过压电薄膜92振动外侧凸缘部件55B促进了对附着到该外侧凸缘部件55B(反射表面55S)的液体1的去除。尤其是通过振动作为外侧凸缘部件55B的自由端的上方末端部分55J的附近,来自激光干涉计56的测量光束辐照反射表面55S的位置尤其被振动,并且附着在测量光束辐照反射表面55S的位置处(即上方末端部分55J的附近)的液体1可被成功去除。
吹出喷头91被分别提供在每个激光干涉计56的两侧(参考图3),并且气体吹出端口91A从沿对角向上的方向向着可移动镜55吹气。每个吹出喷头91被驱动机构(未示出)提供为可在垂直方向(Z轴方向)上移动,因此气体可被吹向可移动镜55,而不漏掉任何部分。
在衬底台PST的外侧上提供了第二液体回收机构100,该第二液体回收机构100回收从可移动镜55去除的液体1。第二液体回收机构100包括处理机构101,该处理机构101是在衬底台PST的外侧上提供的,并且处理从可移动镜55去除和滴落的液体1。处理机构101被提供在衬底台PST外侧上吹出喷头91下方处,并且包括回收液体1的排液构件102和排放由排液构件102回收的液体1的排放机构103。排放机构103包括通过管道104连接到排液构件102的罐105,以及泵107,该泵107是通过管道106连接到罐105的真空系统(抽吸装置)。在管道106中部提供了打开和关闭管道106的通道的阀门106A。排液构件102被布置在箱装置CH内部,排放机构103被布置在箱装置CH外部。排放通道105A被提供给罐105,并且其构造使得当积累了规定量的来自排液构件102的液体1时,该液体1从排放通道105A被排放。另外,在排放机构103中,泵107被驱动,并且,由排液构件102回收的液体1被收集以便它被吸取到罐105中。
例如,如果在第六曝光区域S6的曝光期间确定液体1已附着到可移动镜55,则控制装置CONT在其扫描曝光完成之后存储与第六曝光区域S6相关的那些信息。与第六曝光区域S6相关的信息包括在第六曝光区域S6被曝光时衬底台PST的位置信息(即第六曝光区域S6的位置信息)。该时刻衬底台PST的位置信息可基于激光干涉计56的测量结果得出。另外,在存储与第六曝光区域S6相关的信息之后,控制装置CONT移动衬底台PST以便可移动镜55向作为液体去除过程位置的吹出喷头91的附近靠近。
控制装置CONT移动衬底台PST以便可移动镜55在第二液体回收机构100和作为液体去除过程位置的吹出喷头91之间移动,然后驱动压缩空气供给装置(未示出)并从沿对角向上的方向从吹出喷头91的气体吹出端口91A向可移动镜55的反射表面55S吹气。另外,与从吹出喷头91吹气的操作并行地,控制装置CONT驱动压电薄膜92以振动可移动镜55。可移动镜55的振动促进了液体1的去除(抖落),并且附着到反射表面55S(从吹出喷头91的气体吹出端口91A向其吹气)的液体1被从反射表面55S去除和滴落。此时,可通过在在垂直方向上移动吹出喷头91和在水平方向(Y轴方向)上移动衬底台PST的同时,从吹出喷头91向可移动镜55吹气,从而在不漏掉任何部分的情况下向可移动镜55吹气。另外,由于吹出喷头91分别是在激光干涉计56的两侧提供的,因此可在衬底台PST的移动范围受到限制的状态下不漏掉任何部分地向可移动镜55吹气。
另外,当从吹出喷头91向可移动镜55吹气时,可以以使得吹出喷头91也可在水平方向(Y轴方向)上移动的方式来提供吹出喷头91,并且可以在不在水平方向(Y轴方向)上移动衬底台PST的情况下在水平方向(Y轴方向)上移动吹出喷头91,并且可以在水平方向(Y轴方向)上移动衬底台PST和吹出喷头91两者。类似地,取代在垂直方向(Z轴方向)上移动吹出喷头91,可以在垂直方向上移动衬底台PST,并且可以在垂直方向上移动衬底台PST和吹出喷头91两者。
从可移动镜55去除和滴落的液体1在第二液体回收机构100的排液构件102中被回收,并且被排放机构103排放到箱装置CH外部。这样,液体1不积累在排液构件102中,从而可防止箱装置CH内部的环境波动(湿度波动)。
在本实施例中,吹出喷头91可通过从沿对角向上方向连续向可移动镜55吹气来去除附着到可移动镜55的液体1,从而确保液体1不附着到可移动镜55。此外,如前所述,可间歇性地向可移动镜55吹气,而不是连续吹气。这样,可更成功地去除附着到可移动镜55的液体1。换言之,如果正如图7A所示的示意图中那样,从吹出喷头91连续向可移动镜55吹气,则往往会在可移动镜55的表面(反射表面)上形成薄层状气体流动区域,并且例如如果附着的液体1的微滴(滴)较小的话,则存在难以去除此液体1的情况。但是,通过像图7B所示的示意图中那样间歇性地向可移动镜55吹气,湍流形成在可移动镜55的表面上,并且该湍流区域可顺利地去除附着到可移动镜55的液体1。
此外,取代间歇性地向可移动镜55吹气,也可能通过以高频率改变所吹气体的流速来在可移动镜55的表面上形成湍流,从而使得能够顺利地去除附着到可移动镜55的液体1。
另外,即使像参考图5A和图5B所说明的那样,气体是从喷头部件43吹向参考构件7的,也可以间歇性地吹气或者在改变其流速的同时吹气。
在通过第二液体去除装置90去除可移动镜55上的液体的过程完成之后,控制装置CONT基于早前存储的与第六曝光区域S6相关信息(第六曝光区域S6的位置信息)移动衬底台PST,以将第七曝光区域S7布置在曝光形式位置,以便执行其下一扫描曝光。另外,在第七曝光区域S7被布置在曝光开始位置之后,控制装置CONT开始第七曝光区域S7的扫描曝光,并且接下来相继对第八至第十一曝光区域进行曝光。
当衬底P上的曝光区域S1-S11中的每一个的扫描曝光完成之后,控制装置CONT停止通过供液机构10提供液体,并且移动衬底台PST以便提供到衬底台PST的台液体回收装置30的凹槽部件33与投射光学系统PL相对。另外,控制装置CONT结合使用液体回收机构20和台液体回收装置30来回收投射光学系统PL下方的液体1。从而,由于浸润区域AR2中的液体1被液体回收机构20(其中回收端口被布置在衬底台PST(衬底P)之上)和台液体回收装置30(其中回收端口被布置在衬底台PST中)同时回收,因此可以减少残余在投射光学系统PL前部和衬底P上的液体1。
此外,在衬底P的曝光完成之后,台液体回收装置30可回收浸润区域AR2中的液体1,以及在浸润曝光期间流到衬底P外侧(辅助板57)的液体1。此外,考虑到衬底P的曝光完成之后衬底台PST的移动方向,虽然台液体回收装置30的凹槽部件33是以环(环面)状提供在衬底P周围的,但是它也可以部分地被提供在衬底P附近的规定位置处(辅助板57)。此外,在浸润曝光之前和之后,伴随回收操作的振动较大是可接受的,因此可以使液体回收机构20的回收功率大于浸润曝光期间的回收功率。
此外,如果在浸润曝光完成之后衬底P上的液体1未被完全回收,则例如以下操作是可接受的:移动支撑衬底P的衬底台PST以便它被布置在与投射光学系统PL间隔开来的位置处,具体而言是布置在吹气装置41下方,然后向衬底P吹气并通过台液体回收装置30回收吹掉的液体1。当然,此吹气操作也可向辅助板57、辅助板57外侧上的Z台52的表面等执行,而不是只向衬底P执行。在此情况下,也能通过间歇性地(或在改变流速的同时)吹气来成功去除残余的附着液体1。
换言之,虽然第一液体去除装置40去除了残余在参考构件7上的液体1,但是也可以去除残余在衬底台PST上除参考构件7外的部分之上的液体1。例如,在其中在浸润曝光期间液体1流出或扩散到布置在衬底台PST(Z台52)上的衬底P外部的状态的情况下,第一液体去除装置40可在衬底P的曝光完成之后去除其上的液体1。在此情况下,被第一液体去除装置40的第一液体去除装置40吹掉的液体1可被布置在台液体回收装置30的凹槽部件(回收端口)33中的液体吸收部件31回收。
此外,可预先以相对于衬底台PST可移动的方式提供吹气装置41的喷头部件43,并且可在衬底P的曝光期间或之后回收流到衬底P的外侧的液体1。
如上所述,通过向布置在投射光学系统PL的像平面附近的可移动镜55(或7)间歇性地或在改变流束地同时吹气,从而在可移动镜55的表面上形成了湍流,因此可以成功地去除附着在可移动镜55上的不必要的液体1。另外,与吹气操作并行地振动可移动镜55促进了对附着在可移动镜55上的液体1的去除,这使得能够成功去除该液体1。
另外,如果本实施例中的控制装置CONT已基于激光干涉计56的测量结果确定从衬底P扩散开来的液体1已附着到可移动镜55,则不等衬底P上的所有曝光区域S1-S11的曝光完成,立即在这些曝光的中间(在第六曝光区域S6的曝光之后到第七曝光区域S7的曝光开始的时间段中)执行液体去除过程。同时,即使液体1附着到了可移动镜55,并且由激光干涉计56接收到的来自可移动镜55的反射光量减小,如果接收到的光量被保持大于或等于规定值(大于或等于阈值),则也可以测量衬底台PST的位置,所述规定值例如是由激光干涉计56的性能预定的。因此,即使例如在一个衬底P的曝光期间液体1附着到了可移动镜55,控制装置CONT也可在完成这一个衬底P上的所有曝光区域S1-S11的曝光之后通过第二液体去除装置90执行液体去除过程。换言之,当顺序对多个衬底P进行曝光时,控制装置CONT可在一个衬底(第一衬底)P上的第十一曝光区域S11的曝光完成之后到下一衬底(第二衬底)P上的第一曝光区域S1的曝光开始的时间段期间,通过用第二液体去除装置90去除附着到可移动镜55的液体1。
此外,在上述实施例中,CONT基于激光干涉计56的测量结果(光接收结果)评估液体1是否附着到可移动镜55,然后基于该评估结果确定执行液体去除过程的时机。另一方面,如果如上所述只有微量液体1附着到可移动镜55,则可以测量衬底台PST的位置。因此,控制装置CONT可以以预定的规定时间间隔(或以规定数目的经处理的衬底的间隔)周期性地通过第二液体去除装置90执行去除液体的过程,而不依赖于激光干涉计56的测量结果。
如上所述,用于去除附着到可移动镜55的液体1的液体去除操作可在一个衬底P的曝光操作期间执行。这里,上述实施例中的液体去除操作是在第六曝光区域S6的曝光和第七曝光区域S7的曝光之间执行的,并且在液体去除操作期间曝光操作被暂时中断。但是,如图8中所示,也可能存在这样的构造:其中,通过在继续衬底P的曝光操作的同时(与衬底P的曝光操作并行),吹出喷头91(和第二液体回收机构100)接近(在X轴方向上靠近)衬底台PST的可移动镜55并且向可移动镜55吹气,从而去除液体1。此时,吹出喷头91被提供在激光干涉计56的两侧,并且因而可接近可移动镜55并向其吹气,同时在X轴方向上与该可移动镜55同步地移动,而不干扰激光干涉计56的测量光束的光径。另外,最好将吹动的气体的流速等设置为不降低位置测量精度的最优值,而不驱动振动装置,以便激光干涉计56的位置测量精度不会被由于液体去除操作而引起的可移动镜55的振动所降低。此外,如果曝光操作和液体去除操作被并行执行,则液体去除操作除了吹气以外,还可以是抽吸液体或提供干燥气体的操作。
另外,当液体1已附着到可移动镜55时,控制装置CONT也可从吹出喷头91向可移动镜55的表面(反射表面)的整个区域吹气,并且也可向附着液体1的那部分区域吹气。如果液体1附着到可移动镜55的一部分区域,则仅当测量光束被辐照到该部分区域上时接收到的反射光的量才会减少,因此控制装置CONT可基于从可移动镜55接收到的激光干涉计56所辐照的测量光束的反射光的量,来得出可移动镜55上附着液体1的区域。因此,可以仅向可移动镜55的该部分区域吹气。这样做可降低吹气的工作时间。从而,基于激光干涉计56的测量结果,控制装置CONT可确定第二液体去除装置90执行液体去除过程的时机,并且还可确定第二液体去除装置90执行液体去除过程的区域。
另外,在上述实施例中,为去除附着到可移动镜55的液体1,压电薄膜92的振动操作与从气体吹出端口91A吹气的操作并行执行;但是,也可通过只执行振动操作或吹气操作来去除附着到可移动镜55的液体1。具体而言,因为可移动镜55的反射表面55S被提供为与水平平面垂直(或基本上垂直),则可以通过执行振动操作或吹气操作,从而通过液体1的自重(自重作用)来成功去除液体1。
另外,如果,例如在振动时可移动镜55变得错位,然后衬底台PST基于位置测量结果而被移动,其中该位置测量结果是基于辐照到该错位的可移动镜55上的测量光束的,则例如在相对于XY平面内的参考坐标系统的正交性上可能出现误差。因此,最好周期性地执行补偿包括正交性误差在内的衬底台位置测量误差的校准过程。
在上述实施例中,为了在第六曝光区域S6的曝光之后执行液体去除过程,控制装置CONT移动衬底台PST以便可移动镜55接近吹出喷头91附近(液体去除过程位置)。但是,本发明不限于此,而是也可以向吹出喷头和排液构件102(第二液体回收机构100)提供移动机构,以便它们可以接近可移动镜55,而无需在对第六曝光区域S6进行曝光之后移动衬底台PST。或者,排液构件102可以与衬底台PST和吹出喷头91一起被移动。
在上述实施例中,振动可移动镜55的振动装置92是由附着(粘贴)到可移动镜55的压电薄膜制成的,但是它不被附着到可移动镜55的构造也是可能的。例如,如图9中所示,振动装置121,例如压电设备,被附着到臂状机构120的前部,该臂状机构120被驱动以使粘贴到臂状机构120的前部的压电设备振动装置121与可移动镜55相接触;另外,当振动可移动镜55以去除液体1时,可通过在可移动镜55与振动装置121接触的状态下向压电设备121施加电压以驱动它,从而来振动可移动镜55。在液体去除操作完成之后,压电设备121被臂状机构120收回。另外,也可能是以下这种构成:其中臂状机构120和附着在其前部的压电设备121被布置在激光干涉计56的两侧上。
在上述实施例中,振动装置(压电设备)被附着到诸如可移动镜55和参考构件7的每个组件,并且被振动,但是支撑所有这些组件的整个衬底台PST可能在液体去除过程期间被振动装置振动,或者可通过驱动衬底台驱动装置PSTD而被推动(振动)。这样,可以促进对附着到辅助板57等-而不只是附着到可移动镜55、参考构件7等-的液体1的去除。
在上述实施例中,附着到可移动镜55的液体是通过向其吹气来去除的,但是也可以通过使用抽吸装置130来去除附着到可移动镜55的液体1,如图10中所示。在图10中,抽吸装置130包括抽吸部件131和抽吸喷头132,其中该抽吸部件131包括罐和泵,该抽吸喷头132连接到抽吸部件131。另外,抽吸喷头132的抽吸端口133被紧邻可移动镜55布置。当去除附着到可移动镜55的液体1时,控制装置CONT驱动抽吸部件131以通过抽吸喷头132抽吸和回收可移动镜55上的液体1。另外,如果用抽吸装置130来回收液体1,则振动操作可被振动装置92并行执行,并且只通过抽吸装置130执行抽吸操作也是可接受的。
或者,也可以利用干燥装置160去除附着到可移动镜55的液体1,如图11中所示。在图11中,干燥装置160包括覆盖可移动镜55的覆盖构件161,以及向覆盖构件161内的空间提供干燥气体的干燥气体供给部件162。干燥气体供给部件162通过管道163向覆盖可移动镜55的覆盖构件161内的空间提供干燥气体。这促进了附着到可移动镜55的液体1的蒸发,这种蒸发去除液体1。
另外,在上述实施例中,是用诸如压电致动器这样的压电设备为例来说明振动装置的,但是也可使用其他利用洛轮兹力的致动器,例如音圈电动机,来作为振动装置。
图12是示出振动可移动镜55的振动装置的另一个实施例的示意性斜视图。在本实施例中,可移动镜55不具有凹槽部件,并且被附着到Z台52的末端部分。在图12中,从侧面看来呈L形的步进部件52D被形成在+X侧Z台52的末端部分处,并且在Y轴方向上延伸。另外,位于可移动镜55的与Z台52相对的表面上的下部区域55G连接到Z台52,并且隔离物28被形成在上部区域55H和Z台52之间。即,(其下部连接到Z台52的)可移动镜55的上部构成振动的自由端。
充当振动装置的压电设备17(17A、17B)被附着在上部区域55H的多个规定位置处,该上部区域55H位于可移动镜55的与Z台52相对的表面上。另外,其他致动器,例如音圈电动机,也可用作振动装置。在本实施例中,压电设备17A、17B分别在长度方向上被附着到可移动镜55的55H的两个末端部分。另外,重物构件19A、19B分别被连接到这些压电设备17A、17B。此时,粘贴到可移动镜55和重物构件19的压电设备17与Z台52间隔开来。压电设备17A、17B通过在图中箭头x1、x2所示的方向上膨胀和收缩来振动可移动镜55。此时,放大振动力(动量)的重物构件19A、19B连接到压电设备17A、17B。
在本实施例中,控制装置CONT通过分别用两个压电设备17A、17B在多个(两个)位置处振动可移动镜55,从而在可移动镜55中生成行波。具体而言,通过在两个压电设备17A、17B附着的位置中的每一个处生成异相且波长相同的高频在可移动镜55中生成行波。
例如,可以通过行波和反向波的和来表达可移动镜55上的单个给定点处生成的驻波U0
-方程1-
U0=A0 sin 2π(x/λ-t/T)+A0 sin2π(x/λ+t/T)
=2A0 sin2πx/λ·cos2πt/T    (1)
其中:
A0:幅度
λ:波长
T:周期
x:任意点
t:任意时刻
行波U是通过将方程(1)中的驻波中的两个驻波相加并移动其中之一的相位来生的。
-方程2-
U=Asin2πx/λ·cos2πt/λ+Asin2π(x+α)/λ·cos2π(2πt/T+β)
=Asin2π(x/λ-t/T)                         (2)
其中:
A:幅度
α:位置偏量
β:相位偏量
控制装置CONT通过用两个压电设备17A、17B中的每一个振动可移动镜55来在可移动镜55中生成行波,以便满足上述方程(2)。这样,可以成功去除附着到可移动镜55的液体1。
以下说明液体去除装置的另一个实施例。在以下说明中,与上述实施例中相同或等同的构成部件被分配相同的标号,并且对其的说明被简化或省略。
图13示出第一液体去除装置40的另一实施例中。在图13中,第一液体去除装置40包括抽吸装置81,其吸取附着到参考构件7上的液体1。抽吸装置81包括抽吸部件81A和抽吸喷头82,该抽吸部件81A包括罐和泵,该抽吸喷头82连接到抽吸部件81A。另外,抽吸喷头82的抽吸端口82A被紧邻参考构件7布置。当去除残余在参考构件7上的液体1时,吹气装置41向其吹气,并且抽吸装置81吸取参考构件7上的液体1。
另外,在参考图13说明的示例中,吹气装置41和抽吸装置81是联合向第一液体去除装置40提供的,但是只提供抽吸装置81的配置也是可接受的。抽吸装置81通过抽吸端口82A吸取残余在参考构件7上的液体1,从而此液体1被去除(回收)。此外,当然也可以以与抽吸装置81的抽吸操作并行的方式通过振动装置43B执行振动操作。另外,抽吸装置81的抽吸喷头82可提供为相对于衬底台PST可移动,并且流到衬底P外部的液体1可在其曝光期间或之后被回收。
图14是示出第一液体去除装置40的另一实施例的截面图。如图14中所示,第一液体去除装置40包括覆盖参考构件7的覆盖构件84,以及向覆盖构件84内的空间提供干燥气体的干燥气体供给部件85。干燥气体供给部件85通过管道86向其中布置了参考构件7的覆盖构件84内的空间提供干燥气体。这促进了残余在参考构件7上的液体1的蒸发,这种蒸发去除液体1。
图15示出光接收设备8的一个方面,其中附着到提供在衬底台PST上的光透射构件8A的液体1被去除。在本实施例中,光接收设备8是传感器(AIS传感器),其通过接收通过投射光学系统PL向其像平面侧(衬底P侧)辐照的光(曝光用光EL)来测量成像特性调整信息以便补偿投射光学系统PL的成像特征的变化,并且通过投射光学系统PL测量测量标记的虚像。光接收设备8包括:光透射构件8A,其被提供在衬底台PST(Z台52)上,使玻璃板表面上的光遮蔽膜形成图案,并且其中在中央部分形成了作为光透射部件的狭缝部件8S;聚光光学系统8C,其被嵌入在Z台52中,并且经过光透射构件8A的狭缝部件8S的光被辐照在其上;以及光接收元件8B,其接收经过聚光光学系统8C的光。另外,例如在聚光光学系统8C和光接收元件8B之间提供了中继光学系统,并且光接收元件8B也可被布置在Z台52的外侧。
当通过光接收设备8测量虚像时,可以执行这样一个操作:其中在投射光学系统PL和光透射构件8A相对的情况下,液体1被填充在投射光学系统PL和光接收设备8的光透射构件8A之间,并且光(曝光用光EL)通过投射光学系统PL和液体1被辐照在光接收设备8上。在测量通过液体1的虚像之后,控制装置CONT移动衬底台PST以将光透射构件8A(光接收设备8)布置在第一液体去除装置40的喷头部件43下方。光透射构件8A被支撑在形成于Z台52中的孔隙部件52C中,并且振动装置8E被提供在光透射构件8A的下表面光接收设备8上的狭缝部件8S外的规定位置处。压电设备8E包括压电设备,并且控制装置CONT通过向压电设备8E施加规定电压,从而利用此压电设备8E振动光透射构件8A。
在Z台52上光透射构件8A附近的位置处提供了液体吸收构件142,该液体吸收构件142回收由第一液体去除装置40从光透射构件8A去除的液体1。液体吸收构件142是在与喷头部件43的气体吹出端口43A相对的位置处提供的,以便光透射构件8A被置于其间。液体吸收构件142被布置在凹槽构件144中,该凹槽构件144是在Z台52中提供的回收端口。与台液体回收装置30的液体吸收部件31类似,液体吸收构件142是由诸如多孔陶瓷、海绵之类的多孔材料制成的,并且可保存规定量的液体1。控制装置CONT通过经由第一液体去除装置40的喷头部件43向光透射构件8A吹气,来吹掉和去除残余和附着在光透射构件8A上的液体1。吹掉的液体1被布置在与喷头部件43的气体吹出端口43A相对的位置处的液体吸收构件142保存(回收)。
另外,在利用压电设备8E振动光透射构件8A的同时,来自喷头部件43的气体吹出端口43A的气体吹向该光透射构件8A。光透射构件8A的振动促进了液体1的去除(抖落),使得能够通过吹气将其从参考构件7上成功去除。此外,即使在此情况下,也可间歇性地向光透射构件8A吹气。
与凹槽构件144相连的通道145被形成在Z台52内部,并且布置在凹槽构件144中的液体吸收构件142的底部被连接到通道145。连接到其中布置了液体吸收构件142的凹槽构件144的通道145,被连接到管道146的一端,该管道146是在Z台52的外部提供的。另一方面,管道146的另一端通过管道148连接到作为抽吸装置的泵149,该管道148具有在Z台52外部提供的罐147和阀148A。排放通道147A被提供给罐147,并且当积累了规定量的液体1时,液体1从排放通道147A中排放。另外,控制装置CONT驱动第一液体去除装置40的供气部件41A并且驱动泵149,该泵149收集由液体吸收构件142回收的液体1以便它被吸取到罐147中。
另外,通过用用于测量投射光学系统PL的图像特性调整信息的空间图像测量传感器为例,描述了光透射构件8A,但是,也可用例如检测辐照到投射光学系统PL的像平面侧的曝光用光EL的照射强度的照射强度传感器,或者用于测量投射区域AR1的照射强度分布的照射强度均一性传感器,来作为光接收设备8。
以下参考图16说明第三液体去除装置60,该第三液体去除装置60去除残余在投射光学系统PL的前部处的光学元件2、支持光学元件2的镜框LS等上的液体1。在图16中,第三液体去除装置60包括吹气装置61,该吹气装置61向构成投射光学系统PL的前部的光学元件2、支持光学元件2的镜框LS等吹气。回收装置(第二液体回收机构)62回收残余在投射光学系统PL前部以及由于吹气装置61吹气而被吹掉和滴落的液体。吹气装置61包括供气部件63和喷头部件64,该喷头部件64被连接到供气部件63并且提供到回收装置62的凹陷部件64B,并且喷头部件64的64A可被布置在投射光学系统PL的前部附近,并且朝向上方。同时,回收装置62包括:回收端口(凹槽部件)66,其被提供到Z台52;液体吸收材料65,其被布置在回收端口66中,并且是由多孔材料制成的;通道67,其被形成在Z台52内部,并且与凹槽部件66相连;管道68,其被提供在回收装置62外部,并且其一端连接到通道67;罐69,其被连接到管道68的另一端并且提供在Z台52外部;以及泵71,其是抽吸装置,通过具有阀70A的管道70连接到这个罐69。排放通道69A被提供到罐69,并且当积累规定量的液体1时,液体1被从排放通道69A排放出。另外,在回收装置62中,泵71被驱动并且收集由液体吸收材料65回收液体1,以便它被吸取到罐69中。
在本实施例中,吹气装置61的喷头部件64的气体吹出端口64A是狭缝形的,其中其长度方向被设置为Y轴方向(参考图3),并且回收装置62的回收端口65被形成为矩形,其中其长度方向被设置为Y轴方向,其位置在+X侧与气体吹出端口64A相邻。另外,在衬底P的曝光完成之后,第三液体去除装置60不仅去除残余在在衬底P的曝光期间接触浸润区域AR2中的液体1的投射光学系统PL前部的液体1,还去除残余在供液机构10的供给喷头13和液体回收机构20的回收喷头23上的液体1。
在衬底P的浸润曝光完成之后(在步骤SA8完成之后),控制装置CONT利用液体回收机构20回收衬底P上的液体1。另外,在完成用液体回收机构20回收衬底P上的液体1之后,控制装置CONT移动衬底台PST以便第三液体去除装置60被布置在投射光学系统PL下方。另外,第三液体去除装置60从吹气装置61的喷头部件64从对角方向向投射光学系统PL的前部吹气,从而吹掉和去除残余其上的液体1。此时,可通过间歇性地吹气来更成功地去除液体1。
吹掉的液体1下落并且被回收在回收端口66中,在回收端65中布置了回收装置62的液体吸收材料65。此时,控制装置CONT驱动第三液体去除装置60,同时例如在与气体吹出端口64A和回收端口65的长度方向(Y轴方向)正交的X轴方向上移动衬底台PST。这样,气体被吹向投射光学系统PL的前部,并且当然也被吹向布置在投射光学系统PL前部周围的供液机构10的供给喷头13和液体回收机构20的回收喷头23,因此残余在这些供给喷头13和回收喷头23上的液体1也可被去除。
此外,也可在振动投射光学系统PL前部的光学元件2的同时向其吹气。光学元件2被镜框LS支持,并且镜框LS和投射光学系统主体MPL的透镜镜筒PK被多个(例如六个)连接部件151所耦合,这些连接部件具有致动器(振动装置),例如音圈电动机和压电设备。控制装置CONT可通过驱动被内置在连接部件151中的上述致动器来振动镜框LS和被其支持的光学元件2。另外,通过用提供多个各自具有内置致动器的连接部件151来构成并行连接机构,可通过驱动上述并行连接机构来吸收/去除在衬底P的浸润曝光期间通过液体1传播到光学元件2的振动。
如上所述,通过去除残余在在曝光期间接触浸润区域AR2中的液体1的投射光学系统PL前部、供给喷头13和回收喷头23之上的液体1,即使衬底台PST从投射光学系统PL下方(曝光过程位置)移动到衬底P被加载和卸载的位置(衬底更换位置)的情况下,也可以抑制诸如以下问题:残余在投射光学系统PL的前部等之上的液体1下落并导致不利地影响周边装置的环境变化。尤其可以通过确保液体1不残余在投射光学系统PL前部处的光学元件2来抑制附着的残余物(水印)的出现。
另外,通过向衬底台PST提供第三液体去除装置60,则如果在驱动衬底台PST的同时,第三液体去除装置60被驱动,就可以在不提供新的致动器的情况下,在扫描第三液体去除装置60的同时向投射光学系统PL、供给喷头和回收喷头吹气。此外,通过在浸润曝光完成之后在将衬底台PST从曝光过程位置移动到衬底更换位置的同时执行通过第三液体去除装置60吹气的操作,可以同时执行液体去除操作(吹气操作)和台移动操作,这样可提高时间效率。第三液体去除装置60可预先被提供在这样一个位置:在衬底台PST从曝光过程位置移动到衬底更换位置的同时,它经过投射光学系统PL下方。
另外,还可以向供给喷头13和回收喷头23中的每一个附接振动装置,例如压电设备,并且振动供给喷头13和回收喷头23以去除液体。
图17和图18是第三液体去除装置60的经修改的示例。如图17中所示,大凹槽部件72可被形成在Z台52中,并且吹气装置61的喷头部件64和回收装置62的通道(回收端口)67可被布置在凹槽部件72中。另外,在图17中所示的示例中,未提供液体吸收材料65。从而,也可以有其中不提供液体吸收材料65的构造。此外,如图18中所示,可在凹槽部件72内部提供吹气装置61的多个喷头部件64(图18所示的示例中为两个)。正如图17和图18所示的示例中那样,通过提供比投射光学系统PL的前部大的凹槽部件72并且将喷头部件64和回收端口67布置在其中,凹槽部件72可抑制被气体吹动的液体1扩散到周边。另外,即使在此情况下,控制装置CONT也可通过间歇性地吹气来成功去除液体1。
或者,如图19中所示,也可在喷头部件64的气体吹出端口64A和回收端口66周围提供覆盖构件73,以便防止被气体吹动的液体1扩散到周围区域。在俯视图中,图19中所示的覆盖构件73被形成为U形,其内可布置投射光学系统PL的前部,并且其构造使得投射光学系统PL的前部可从U形的开口侧进出覆盖构件73的。另外,通过使覆盖构件73的长度方向与衬底台PST的移动方向(X轴方向)对准,并且通过在覆盖构件73内提供气体吹出端口64A和回收端口66以使得其长度方向被设置为Y轴方向,可以在一次扫描动作中高效地去除液体,并防止其扩散。
另外,还可以通过第三液体去除装置60的回收装置62的回收端口65,来回收在衬底P的曝光期间流到衬底P外侧的液体1。此时,最好预先在衬底P周围以规定间隔提供回收装置62的多个回收端口65。
图20是示出在衬底更换位置(加载和卸载位置)处提供的构成液体去除机构的吹气喷头的示意图。在图20中,衬底台PST在曝光过程位置A和衬底更换位置B之间移动。在完成在曝光过程位置A处对衬底P进行曝光的过程之后,控制装置CONT将支持经曝光处理的衬底P的衬底台PST移动到衬底更换位置B。然后,控制装置CONT间歇性地从吹出喷头171向已移动到衬底更换位置B的衬底台PST的可移动镜55吹气。这样,可在衬底更换位置B处去除在曝光期间从衬底P扩展开来并且附着到可移动镜55的液体1。另外,在B处还提供了如参考图6所说明的具有排液构件的液体回收机构,并且从每个可移动镜55去除的液体1被该液体回收机构回收。另外,在去除附着到可移动镜55的液体1的工作之后(或之前),衬底传输装置(未示出)从衬底台PST卸载已对其完成曝光过程的衬底P,并且向其上加载未曝光的衬底P。
图21是示出这样一个实施例的侧视图,在该实施例中,遮蔽构件(或檐式构件)180被提供到可移动镜55的上侧以防止液体1附着到其上。在图21中,可移动镜55被附接到Z台52(衬底台PST)的侧部。另外,遮蔽构件180被附接到Z台52的上表面,以便它部分地伸出到其外。通过提供遮蔽构件180遮蔽了可移动镜55,因此即使例如液体1从衬底P扩散到其外侧,液体1也不会附着到可移动镜55。
遮蔽构件180的上表面和辅助板57的表面的高度基本上相同。在遮蔽构件180和辅助板57之间有约0.1-1mm的缝隙,并且由于其表面张力而基本上没有液体1流到该隙缝中。由于可移动镜55(内侧凸缘部件55A)被提供在遮蔽构件180下方,因此来自激光干涉计56的测量光56a经过与衬底台PST一起移动的遮蔽构件180的下方,并且撞击可移动镜55的反射表面55a。可移动镜55(反射表面55a)的上端位于浸润区域AR2下方,但是液体1不附着到被遮蔽构件180的伸出部分所遮蔽的可移动镜55的反射表面55a。
遮蔽构件180是板状构件,并且至少其上表面是斥液性的。在本实施例中,遮蔽构件180是由诸如聚四氟乙烯之类的斥液性材料制成的。另外,充当遮蔽构件180的板状构件的表面(上表面)例如是由规定的金属材料或合成树脂材料制成的,并且可经历表面处理,例如用诸如氟化合物之类的斥液性材料涂覆它。通过使遮蔽构件180的上表面排斥液体,即使扩散的液体1附着到了遮蔽构件180的上表面,它也会被抖落,并且易于被具有布置在遮蔽构件180下方的排液构件102的处理机构100回收,而不会汇聚在遮蔽构件180上(衬底台PST上)。
遮蔽构件180的端面和下表面-不只是上表面-也可被预先处理,以使它排斥液体。此外,可以遮蔽构件180的下表面中其末端部分附近提供凹槽180a,该凹槽180a在可移动镜55的长度方向上跨过可移动镜55的反射表面。此凹槽180a可防止从遮蔽构件180末端来的液体1附着到可移动镜55。
在本实施例中,构成第二液体去除机构100的排液构件102的大小是根据遮蔽构件180的大小、遮蔽构件180和排液构件102之间的距离H以及支撑遮蔽构件180的衬底台PST的行进速度V来设置的。更具体而言,例如,当衬底台PST以速度V在+X方向上移动,然后停止在液体去除过程位置SH时,遮蔽构件180的前部和排液构件102在+X侧的端部之间的距离L1是根据衬底台PST的行进速度V和遮蔽构件180和排液构件102在Z轴方向上的距离H来设置的。即,如果如图21中所示,一滴液体1被置于遮蔽构件180的上表面的前部处,则衬底台PST以速度V在+X方向上移动,然后停止在液体去除过程位置SH。用该停止时间作为参考,时间t之后液滴在X轴方向上的位置x由x=Vt定义,在Z轴方向上的位置z由z=H-(gt2)/2(其中g是重力加速度)。因此,可以从这两个方程中得出排液构件102的大小L1的最小值,以便从遮蔽构件180滴落的液体1可被排液构件102回收。此时,遮蔽构件180的上表面是斥液性的,因此附着到该上表面的液体1被顺利地与其相分离,并滴落到排液构件102。
此外,如图21所示,包括压电设备等的振动装置182可被附接到遮蔽构件180。利用压电设备(振动装置)182振动遮蔽构件180促进了从遮蔽构件180去除液体1。此外,可在多个规定位置处提供压电设备182以便它们能够在遮蔽构件180生成行波。
此外,本实施例中使用的排液构件102不仅可以放置在可移动镜55的下部,还可放置在Z台52的底部环绕其整个外围。例如,图6中所说明的第二液体回收机构100可被提供在支撑Z台52的XY台53上,并且此第二液体去除机构100的排液构件102可被布置成围绕Z台52。在此情况下,如图中所示,排液构件102接收液体的表面被设置成位于Z台52支持衬底P的支持表面(例如衬底支持器的支撑表面)、构成在辅助板57的上表面中和Z台52中形成的液体回收装置30的一部分的凹槽构件(回收端口)33的孔隙表面等的下方(在-Z方向上)。此外,Z台52的支持表面的末端部分(包括可移动镜55的末端部分)被预先定位在排液构件102的接收排液的部分上方。根据这种构造,未被液体回收装置30完全回收并从Z台52的末端部分滴落的液体被排液构件102接收,并且该液体被液体去除机构100去除或回收。此外,从投射光学系统PL的前部处的光学元件2和支持光学元件2的镜框LS滴落的液体被此排液构件102接收,并且可被去除或回收。
另外,排液构件102还可防止液体滴落和附着到XY台53上。因此,可以防止液体扩散到不希望其附着到的位置,例如Z台52和XY台53的驱动部件、基底54的表面等等。因此,可以抑制衬底定位精度的下降,并以良好精度在其上形成所需的图案。另外,排液构件102也可被提供在XY台53的上表面之上(在XY台53的表面与Z台52相对的那一侧上),以便它充当Z台52的下表面和端面的侧部的遮蔽(在Z台52的表面与XY台相对的那一侧上)。
如上所述,本实施例中的液体1包括纯水。纯水的有利之处在于在半导体加工厂等易获得大量纯水,并且纯水对于光学元件(透镜)、衬底P上的光阻材料等没有不利影响。此外,由于纯水对环境没有不利影响,并且具有极低的杂质储量,因此也可预期它具有清除衬底P的表面和在投射光学系统PL的前表面上提供的光学元件的表面的作用。
另外,由于纯水(水)对于波长约为193nm的曝光用光EL的折射率n基本上为1.44,因此使用ArF受激准分子激光(193nm波长)作为曝光用光EL的光源会将衬底P上的波长缩短为1/n,即约134nm,从而获得的高分辨率。另外,由于聚焦深度将会增大为空气中的约n倍,即1.44倍,因此如果优选地确保聚焦深度与在空气使用时相同,则投射光学系统PL的数值孔径可进一步增大,并且从这个观点来看分辨率也提高了。
在本实施例中,光学元件2被附接到投射光学系统PL的前部,并且此透镜可调整投射光学系统PL的光学特性,例如象差(球状象差、慧形象差等)。另外,附接到投射光学系统PL前部的光学元件可以是用于调整投射光学系统PL的光学特性的光学板。或者,它可以是能够透射曝光用光EL的平行平面板。
另外,如果由投射光学系统PL的前部处的光学元件和衬底P之间的液体1的流动而生成的压力较大,则光学元件可以被该压力严格固定以使其不移动,而不是使该光学元件可更换。
另外,本发明的构造使得液体1被填充在投射光学系统PL和衬底P的表面之间,但是它的构造例如也可以是在以下状态下填充液体1:包括平行平面板的覆盖玻璃被附接到衬底P的表面。
另外,虽然本发明中的液体1是水,但是也可以是除水之外的其他液体,例如,如果曝光用光EL的光源是F2激光,则F2激光将不会透射经过水,因此用能够透射F2激光的基于氟的液体,例如全氟聚醚(PFPE)或基于氟的油。在此情况下,例如通过用具有包含氟的低极性分子结构的物质形成薄膜,来对接触液体1的部分进行亲液处理。此外,还可以用对曝光用光EL透明、具有尽可能高的折射率并且对于投射光学系统PL和涂覆在衬底P表面上的光阻材料稳定的液体(例如香柏油),来作为液体1。在此情况下,也根据所使用的液体1的极性执行表面处理。
另外,在上述每个实施例中的衬底P不限于用于加工半导体器件的半导体晶片,也适用于用于显示设备的玻璃衬底、用于薄膜磁头的陶瓷晶片或曝光装置使用的十字线(合成石英、硅晶片)掩膜或原始板等等。
除了通过同步移动掩膜M和衬底P来对掩膜M的图案进行扫描和曝光的步进扫描系统扫描型曝光装置(扫描步进器)外,在静止状态下用掩膜M和衬底P对掩膜M的整个图案进行曝光并且顺序步进衬底P的步进重复系统投射曝光装置(步进器)也可用作曝光装置EX。此外,本发明也适用于部分地并叠加地将至少两个图案转印到衬底P上的步进缝合系统曝光装置。
此外,本发明也适用于日本未经审查专利申请首次公布No.H10-163099和相应的美国专利No.6,341,007、日本未经审查专利申请首次公布No.H10-214783和相应的美国专利No.6,341,007、PCT国际公布的已公布日本译文No.2000-505958和相应的美国专利No.5,969,441等中公开的双台型扫描步进器。
另外,在此在本国际专利申请指定的指定国(或选定州)的国家法律和法规所允许的程度内,通过引用将上述日本公布和相应的美国专利各自的公开内容全部包含进来。
此外,在上述实施例中,使用了在衬底P和衬底P之间局部填充液体的曝光装置,但是本发明也适用于在日本未经审查专利申请首次公布No.H06-124873中公开的在液体浴中移动支持要曝光的衬底的台的液体浸润曝光装置。
此外,在此在本国际专利申请指定的指定国(或选定州)的国家法律和法规所允许的程度内,通过引用将上述日本公布的公开内容全部包含进来。
曝光装置EX的类型不限于对衬底P上的半导体器件的图案进行曝光的半导体器件加工曝光装置,而是广泛适用于用于加工液晶设备或显示器的曝光装置、用于加工薄膜磁头、成像设备(CCD)或刻线和掩膜的曝光装置等等。
如果像美国专利No.5,623,853和美国专利No.5,528,118中公开的那样,直线电动机被用于衬底台PST或掩膜台MST中,则可使用利用气浮的空气悬浮型或利用洛伦兹力或电抗力的磁悬浮型。此外,台PST、MST中的每一个可以是沿导轨移动的类型或未配备导轨的无导轨型。
在此在本国际专利申请指定的指定国(或选定州)的国家法律和法规所允许的程度内,通过引用将上述美国专利各自的公开内容全部包含进来。
对于台PST、MST中的每一个的驱动机构,可使用平面电动机,这种平面电动机与磁体单元相对,其中以二维形式将磁体布置到电枢单元,其中以二维形式布置线圈,并且通过电磁力驱动台PST、MST中的每一个。在此情况下,磁体单元和电枢单元中的任何一个被连接到台PST、MST,而磁体单元和电枢单元中的另一个应当被提供在台PST、MST的移动表面侧之上。
正如日本未经审查专利申请首次公布No.H08-166475和相应的美国专利No.5,528,118中所阐述的,可利用框架构件将由衬底台PST的移动所生成的反作用力以机械方式释放到地面(地),以便它不被传递到投射光学系统PL。
在此在本国际专利申请指定的指定国(或选定州)的国家法律和法规所允许的程度内,通过引用将上述日本公布和相应的美国专利各自的公开内容全部包含进来。
正如日本未经审查专利申请首次公布No.H08-330224和相应的美国专利No.5,874,820中所阐述的,可利用框架构件将由掩膜台MST的移动所生成的反作用力以机械方式释放到地面(地),以便它不被传递到投射光学系统PL。
在此在本国际专利申请指定的指定国(或选定州)的国家法律和法规所允许的程度内,通过引用将上述日本公布和相应的美国专利各自的公开内容全部包含进来。
如上所述的本申请中的实施例的曝光装置EX是通过组装包括本申请的权利要求中所述的每个构成元件在内的各种子系统来制造的,以便保持规定的机构精度、电气精度和光学精度。为了确保这些各种各样的精度,在此组装之前后之后执行调整,包括用于实现各种光学系统的光学精度的调整、用于实现各种机械系统的机械精度的调整以及用于实现各种电气系统的电气精度的调整。从各种子系统到曝光装置的组装过程包括各种子系统的相互机械连接、电路的配线和连接、大气压电路的管道安装和连接等等。当然,在从这些各种各样的子系统到曝光装置的组装过程之前,有用于组装各子系统中的过程。当完成从各种子系统到曝光装置的组装过程之后,执行综合调整以从整体上确保曝光装置的各种精度。另外,最好在温度、清洁水平等受到控制的清洁的房间中制造曝光装置。
如图22中所示,诸如半导体器件这样的微器件是通过以下步骤来制造的:步骤201,该步骤设计微器件的功能和性能;步骤202,该步骤基于此设计步骤加工掩膜(刻线);步骤203,该步骤加工作为器件基底材料的衬底;衬底处理步骤204,其中以上所述的实施例的曝光装置EX将掩膜的图案曝光到衬底上;器件组装步骤205(包括切割过程、焊接过程和封装过程);检查步骤206;等等。
工业应用性
根据本发明,通过去除在曝光后残余并附着的不必要的液体以及在曝光期间扩散并附着的不必要的液体,可以防止由于不必要的液体而引起的曝光精度的恶化,并且以良好的精度在衬底上形成所需的图案。

Claims (14)

1.一种曝光装置,其通过在投射光学系统和衬底之间填充液体并且经由所述投射光学系统和所述液体将图案的图像投射到所述衬底上,来对所述衬底进行曝光,所述装置包括:
遮蔽构件,其防止所述液体附着到所述组件,所述遮蔽构件被提供在所述组件的上侧,所述组件被布置在所述投射光学系统的像平面附近。
2.根据权利要求1所述的曝光装置,其中
所述组件被附接到能够支持和移动所述衬底的衬底支持构件的侧部。
3.根据权利要求2所述的曝光装置,其中
所述组件包括反射镜,来自测量所述衬底支持构件的位置信息的干涉计的光被辐照在该反射镜之上。
4.根据权利要求1所述的曝光装置,其中
至少所述遮蔽构件的上表面是斥液性的。
5.根据权利要求1所述的曝光装置,还包括
被布置在所述遮蔽构件下方的排液构件。
6.根据权利要求5所述的曝光装置,其中
所述排液构件的大小是根据所述遮蔽构件的大小、所述遮蔽构件和所述排液构件之间的距离、以及支撑所述遮蔽构件并且能够支持和移动所述衬底的衬底支持构件的移动速度来设置的。
7.根据权利要求1所述的曝光装置,还包括
振动所述遮蔽构件的振动装置。
8.一种曝光装置,其通过在投射光学系统和衬底之间填充液体并且经由所述投射光学系统和所述液体将图案的图像投射到所述衬底上,来对所述衬底进行曝光,所述装置包括:
具有支持表面的台,其支持所述衬底,并且能够相对于所述投射光学系统移动;以及
液体接收构件,其被布置在所述台周围,并且具有接收所述液体并且被定位得低于所述支持表面的表面。
9.一种曝光装置,其通过在衬底上形成液体的浸润区域并且经过所述浸润区域的所述液体将图像投射到所述衬底上,来对所述衬底进行曝光,所述装置包括:
能够支持和移动所述衬底的台装置;
检测所述台装置的位置信息的干涉计;以及
反射表面,其被提供给所述台装置,并且反射来自所述干涉计的测量光束;其中,
所述反射表面的上端被定位得低于所述浸润区域。
10.一种曝光装置,其通过经由提供给所述衬底的液体将图像投射到衬底上来对所述衬底进行曝光,所述装置包括:
能够支持和移动所述衬底的衬底支持构件;
检测所述衬底支持构件的位置信息的干涉计;
板状构件,其被安装在所述衬底支持构件的上表面上,并且是斥液性的;以及
反射表面,其被提供给所述板状构件下方的所述衬底支持构件,并且反射来自所述干涉计的测量光束;其中,
所述板状构件的末端部分的至少一部分在所述测量光束撞击所述反射表面的方向上在所述入射方向侧伸出得比所述反射表面多。
11.一种曝光装置,其通过投射光学系统在衬底上形成图像,所述装置包括:
衬底支持构件,其能够支持所述衬底并至少在平面内移动所述衬底;
检测所述衬底支持构件在所述平面内的位置信息的干涉计;以及
反射表面,其被提供给所述衬底支持构件,并且反射来自所述干涉计的测量光束;其中,
撞击所述反射表面的所述测量光束的光路径的至少一部分经过所述衬底支持构件的至少一部分的下方。
12.根据权利要求11所述的曝光装置,其中
所述衬底支持构件还能够在平行于与所述平面正交的轴的方向上移动。
13.根据权利要求11所述的曝光装置,其中
通过在所述投射光学系统和所述衬底之间填充液体并经由所述投射光学系统和所述液体将图像投射到所述衬底上来对所述衬底进行曝光;并且
所述衬底支持构件的至少一部分是防止所述液体附着到所述反射表面的构件。
14.一种器件制造方法,包括:
利用根据权利要求1到13中任一项所述的曝光装置使衬底曝光;以及
对所述曝光后的衬底进行处理。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3953460B2 (ja) 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ投影装置
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
KR101508810B1 (ko) 2003-04-11 2015-04-14 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
TWI503865B (zh) 2003-05-23 2015-10-11 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
KR20170058458A (ko) 2003-09-29 2017-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100594430C (zh) 2004-06-04 2010-03-17 卡尔蔡司Smt股份公司 用于测量光学成像系统的图像质量的系统
CN105467775B (zh) 2004-06-09 2018-04-10 株式会社尼康 曝光装置及元件制造方法
SG153813A1 (en) * 2004-06-09 2009-07-29 Nikon Corp Substrate holding device, exposure apparatus having same, exposure method, method for producing device, and liquid repellent plate
SG10201801998TA (en) 2004-09-17 2018-04-27 Nikon Corp Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8330939B2 (en) 2004-11-01 2012-12-11 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with a liquid recovery port provided on at least one of a first stage and second stage
JPWO2006077859A1 (ja) * 2005-01-18 2008-06-19 株式会社ニコン 液体除去装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US20090262316A1 (en) 2005-01-31 2009-10-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US20060232753A1 (en) 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
US8054445B2 (en) 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7728951B2 (en) * 2005-09-29 2010-06-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for conditioning an interior space of a device manufacturing apparatus
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US7924399B2 (en) 2006-03-27 2011-04-12 Asml Netherlands B.V. Assembly comprising a conditioning system and at least one object, a conditioning system, a lithographic apparatus and methods
US7826030B2 (en) * 2006-09-07 2010-11-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG143137A1 (en) * 2006-11-13 2008-06-27 Asml Netherlands Bv Conduit system for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, pump, and method for substantially reducing vibrations in a conduit system
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
JP5098019B2 (ja) * 2007-04-27 2012-12-12 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
DE102007028115B4 (de) * 2007-06-19 2015-10-29 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Bestimmung einer für eine Myokardablation bei einem Patienten optimalen Leistung eines Ablationskatheters sowie zugehörige medizinische Einrichtungen
JP2009010289A (ja) 2007-06-29 2009-01-15 Canon Inc 露光装置及び方法
NL1036194A1 (nl) * 2007-12-03 2009-06-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL1036186A1 (nl) * 2007-12-03 2009-06-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL1036187A1 (nl) 2007-12-03 2009-06-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP2009260264A (ja) * 2008-03-24 2009-11-05 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP5398185B2 (ja) * 2008-07-09 2014-01-29 キヤノン株式会社 投影光学系、露光装置およびデバイス製造方法
NL2003638A (en) 2008-12-03 2010-06-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2005528A (en) * 2009-12-02 2011-06-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2005717A (en) 2009-12-18 2011-06-21 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
EP2423749B1 (en) 2010-08-24 2013-09-11 ASML Netherlands BV A lithographic apparatus and device manufacturing method
NL2007802A (en) 2010-12-21 2012-06-25 Asml Netherlands Bv A substrate table, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
US8703368B2 (en) * 2012-07-16 2014-04-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography process
WO2015133391A1 (ja) * 2014-03-07 2015-09-11 富士フイルム株式会社 トランジスタの製造方法
US10403517B2 (en) * 2015-02-18 2019-09-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN107639826B (zh) * 2017-10-16 2020-07-17 嵊州市法克机械有限公司 一种具有原料回收作用的光固化三维打印机
CN107538737A (zh) * 2017-10-23 2018-01-05 陈静 一种光固化三维打印装置及其打印方法
CN113844160A (zh) * 2018-10-31 2021-12-28 微技术株式会社 振动装置、振动方法、及振动撒入装置

Family Cites Families (177)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPH0782981B2 (ja) * 1986-02-07 1995-09-06 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JPH0750246A (ja) * 1993-08-06 1995-02-21 Hitachi Ltd 半導体製造装置
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JPH08181058A (ja) * 1994-12-27 1996-07-12 Sony Corp 投影露光方法およびこれに用いる投影露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US6239038B1 (en) * 1995-10-13 2001-05-29 Ziying Wen Method for chemical processing semiconductor wafers
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
TW353777B (en) * 1996-11-08 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Treatment device
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
CN1244018C (zh) 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光方法和曝光装置
DE69735016T2 (de) 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
JPH10289942A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Nikon Corp ステージ装置及び投影露光装置
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
WO1999027568A1 (fr) 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
US6020964A (en) 1997-12-02 2000-02-01 Asm Lithography B.V. Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000114141A (ja) * 1998-10-02 2000-04-21 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法およびそれに用いる半導体製造装置
US6486955B1 (en) 1998-10-14 2002-11-26 Nikon Corporation Shape measuring method and shape measuring device, position control method, stage device, exposure apparatus and method for producing exposure apparatus, and device and method for manufacturing device
JP2000228439A (ja) * 1999-02-05 2000-08-15 Advantest Corp ステージ上のパーティクル除去方法及び清掃板
US6995930B2 (en) 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US6842248B1 (en) * 2000-11-28 2005-01-11 Nikon Corporation System and method for calibrating mirrors of a stage assembly
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
US6601777B2 (en) * 2001-01-30 2003-08-05 Msp Corporation Suspended particle container for an atomizer
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
US6912054B2 (en) * 2001-08-28 2005-06-28 Zygo Corporation Interferometric stage system
US6801301B2 (en) * 2001-10-12 2004-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7092069B2 (en) 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
US6988327B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
EP1420299B1 (en) 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
CN101470360B (zh) 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3953460B2 (ja) 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ投影装置
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
SG150388A1 (en) * 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
EP1429190B1 (en) 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
WO2004053952A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1573730B1 (en) 2002-12-13 2009-02-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
EP1579435B1 (en) 2002-12-19 2007-06-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US7010958B2 (en) 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
EP1732075A3 (en) 2002-12-19 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7090964B2 (en) 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
JP4488004B2 (ja) 2003-04-09 2010-06-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ流体制御システム
JP4656057B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
KR101129213B1 (ko) 2003-04-10 2012-03-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 액체를 수집하는 런-오프 경로
KR20170064003A (ko) 2003-04-10 2017-06-08 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
CN104597717B (zh) 2003-04-10 2017-09-05 株式会社尼康 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
KR101508810B1 (ko) * 2003-04-11 2015-04-14 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR101178756B1 (ko) 2003-04-11 2012-08-31 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침액체를 유지하는 장치 및 방법
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100437358C (zh) * 2003-05-15 2008-11-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
TWI503865B (zh) 2003-05-23 2015-10-11 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
EP1480065A3 (en) 2003-05-23 2006-05-10 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
TWI442694B (zh) 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
EP1486828B1 (en) * 2003-06-09 2013-10-09 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261742A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
KR101729866B1 (ko) * 2003-06-13 2017-04-24 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4343597B2 (ja) 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1494074A1 (en) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7236232B2 (en) 2003-07-01 2007-06-26 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
SG109000A1 (en) 2003-07-16 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
EP2264535B1 (en) * 2003-07-28 2013-02-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005057294A (ja) 2003-08-07 2005-03-03 Asml Netherlands Bv インタフェースユニット、該インタフェースユニットを含むリソグラフィ投影装置、及びデバイス製造方法
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7579135B2 (en) 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7700267B2 (en) 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
EP3223074A1 (en) 2003-09-03 2017-09-27 Nikon Corporation Apparatus and method for immersion lithography for recovering fluid
US6961186B2 (en) 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
JP2007525824A (ja) 2003-11-05 2007-09-06 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. マイクロチップを製造するための方法および装置
US7924397B2 (en) 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005054953A2 (en) 2003-11-24 2005-06-16 Carl-Zeiss Smt Ag Holding device for an optical element in an objective
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
KR100965330B1 (ko) 2003-12-15 2010-06-22 칼 짜이스 에스엠티 아게 적어도 한 개의 액체 렌즈를 가진 마이크로리소그래피 투사대물렌즈로서의 대물렌즈
WO2005059617A2 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having a high aperture and a planar end surface
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
CN102169226B (zh) 2004-01-14 2014-04-23 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射折射投影物镜
KR101099847B1 (ko) 2004-01-16 2011-12-27 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
DE602005019689D1 (de) 2004-01-20 2010-04-15 Zeiss Carl Smt Ag Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse
US7026259B2 (en) 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
US7589822B2 (en) * 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8852850B2 (en) 2004-02-03 2014-10-07 Rochester Institute Of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
EP1716454A1 (en) 2004-02-09 2006-11-02 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1714192A1 (en) 2004-02-13 2006-10-25 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
JP2007523383A (ja) 2004-02-18 2007-08-16 コーニング インコーポレイテッド 深紫外光による大開口数結像のための反射屈折結像光学系
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1747499A2 (en) 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US20060244938A1 (en) 2004-05-04 2006-11-02 Karl-Heinz Schuster Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR20170129271A (ko) 2004-05-17 2017-11-24 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8605257B2 (en) 2004-06-04 2013-12-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection system with compensation of intensity variations and compensation element therefor
CN100594430C (zh) 2004-06-04 2010-03-17 卡尔蔡司Smt股份公司 用于测量光学成像系统的图像质量的系统

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